JPS60209196A - 半導体放射線検出器 - Google Patents
半導体放射線検出器Info
- Publication number
- JPS60209196A JPS60209196A JP6467084A JP6467084A JPS60209196A JP S60209196 A JPS60209196 A JP S60209196A JP 6467084 A JP6467084 A JP 6467084A JP 6467084 A JP6467084 A JP 6467084A JP S60209196 A JPS60209196 A JP S60209196A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrodes
- electrode
- hgi2
- couple
- insulating plates
- Prior art date
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- Granted
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/24—Measuring radiation intensity with semiconductor detectors
- G01T1/241—Electrode arrangements, e.g. continuous or parallel strips or the like
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
この発明は、半導体放射線検出器の改良に関するもので
、この半導体放射線検出器を利用した半導体放射線位置
検出器は、たとえば核医学診断で通常ｆｆｌ 用されて
いるシンチレーションカメラやエミツションＣＴ装置（
コンピュータ断層撮影装置）のように特定のエネルギの
放射線の２次元的位置を検出することによって特定のＲ
Ｉ核種の分′ＩＩｊイメージを得るのに有用であり、あ
るいは他に理工学の分野等で使用される。
、この半導体放射線検出器を利用した半導体放射線位置
検出器は、たとえば核医学診断で通常ｆｆｌ 用されて
いるシンチレーションカメラやエミツションＣＴ装置（
コンピュータ断層撮影装置）のように特定のエネルギの
放射線の２次元的位置を検出することによって特定のＲ
Ｉ核種の分′ＩＩｊイメージを得るのに有用であり、あ
るいは他に理工学の分野等で使用される。
（ロ）従来技術
Ｈｇｌ 、検出器は、放射線を検出するための常温用化
合物半導体検出器の一種として知られているが、Ｇｅ、
Ｓｔおよびその他の化合物半導体を用いた放射線検出器
に比べて、電極部の形成が非常に困難なことがその製造
上の問題となっている。たとえば、阪井英次；゛Ｈｇ
Ｉ を放射線検出器開発の現状”′、応用物理、４Ｂ（
１０）１０３４．１９７７等に紹介されているように、
Ｈｇ１．中の水銀が活発なアマルガム反応性を有するた
め、電極に通常の金属（Ａｕ等も含む）を使用できず、
通常は、アカダック（カーボン）の塗布またはＰｄやＧ
ｅの蒸着により電極を形成する。しかし、アカダックの
場合、一般にＨｇ Ｉ ２結晶のアカダック塗布部に直
接ＡｕまたはＰｔ等のリード線を接続したりガラス等の
絶縁板上にアカダック塗布後ＨｇＩ２結晶を乗せたりし
て構成するため、安定性に欠け、たとえば乾燥後一部が
剥離する場合があり振動に弱いという欠点を有している
。一方、ＰｄやＧｅの蒸着は比較的安定で堅固な、良好
な電極を作ることが知られており、さらにり、０ｒｔｅ
ｎｄａｈｌ。
合物半導体検出器の一種として知られているが、Ｇｅ、
Ｓｔおよびその他の化合物半導体を用いた放射線検出器
に比べて、電極部の形成が非常に困難なことがその製造
上の問題となっている。たとえば、阪井英次；゛Ｈｇ
Ｉ を放射線検出器開発の現状”′、応用物理、４Ｂ（
１０）１０３４．１９７７等に紹介されているように、
Ｈｇ１．中の水銀が活発なアマルガム反応性を有するた
め、電極に通常の金属（Ａｕ等も含む）を使用できず、
通常は、アカダック（カーボン）の塗布またはＰｄやＧ
ｅの蒸着により電極を形成する。しかし、アカダックの
場合、一般にＨｇ Ｉ ２結晶のアカダック塗布部に直
接ＡｕまたはＰｔ等のリード線を接続したりガラス等の
絶縁板上にアカダック塗布後ＨｇＩ２結晶を乗せたりし
て構成するため、安定性に欠け、たとえば乾燥後一部が
剥離する場合があり振動に弱いという欠点を有している
。一方、ＰｄやＧｅの蒸着は比較的安定で堅固な、良好
な電極を作ることが知られており、さらにり、０ｒｔｅ
ｎｄａｈｌ。
Ｌ、Ｋａｕｆｍａｎ等；”Ｏｐｅｒａｔｉｎｇ Ｃｈａ
ｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ ｏｆＳｍａｌｌ Ｐｏ５ｉ
ｔｉｏｎ−３ｅｎｓｉｔｉｖｅ Ｍｅｒｃｕｒｉｃ Ｉ
ｏｄｉｄｅＤｅｔｅｃｔｏｒｓ″、ＩＥＥＥ Ｔｒａｎ
ｓ、 ＮＳ−２９（１）、７８４．１９８２、および、
Ｃ，０ｒｔａｌｅ等；″Ｍｅｒｃｕｒｉｃ Ｉｏｄｉｄ
ｅ ＩｍａｇｉｎｇＤｅｔｅｃｔｏｒｓ″、Ｎｕｃｌ、
Ｉｎ５ｔｒ、ａｎｄ Ｍａｔｈ、２１３，９５．１９８
３に示されているように、フォトリソグラフィック技術
と組合わせることにより、電極を細かな配列形状に形成
することが可能となり、１次元および２次元の放射線位
置検出器（但し、１つの結晶上に電極を格子状に形成す
るため、空間分解能は高いが、大きな寸法の結晶の製作
が困難な現状では、有効視野が小さく制限される）の試
作が行なわれている。しかしながら、Ｈｇ１．の蒸気圧
が高い（２０°Ｃで５ Ｘ １０ Ｔａｒｒ、１２７°
Ｃ！テ０．２ Ｔｏｒｒ） （７）で真空中でＨｇ Ｉ
２結晶が蒸発し易く、ＰｄやＧｅをＨｇＩ２結晶表面
に充分な厚さで均一に蒸着するのは実際には非常に難し
く、また結晶表面の劣化（したがって検出器の性能の低
下）を招き易いという欠点がある。
ｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ ｏｆＳｍａｌｌ Ｐｏ５ｉ
ｔｉｏｎ−３ｅｎｓｉｔｉｖｅ Ｍｅｒｃｕｒｉｃ Ｉ
ｏｄｉｄｅＤｅｔｅｃｔｏｒｓ″、ＩＥＥＥ Ｔｒａｎ
ｓ、 ＮＳ−２９（１）、７８４．１９８２、および、
Ｃ，０ｒｔａｌｅ等；″Ｍｅｒｃｕｒｉｃ Ｉｏｄｉｄ
ｅ ＩｍａｇｉｎｇＤｅｔｅｃｔｏｒｓ″、Ｎｕｃｌ、
Ｉｎ５ｔｒ、ａｎｄ Ｍａｔｈ、２１３，９５．１９８
３に示されているように、フォトリソグラフィック技術
と組合わせることにより、電極を細かな配列形状に形成
することが可能となり、１次元および２次元の放射線位
置検出器（但し、１つの結晶上に電極を格子状に形成す
るため、空間分解能は高いが、大きな寸法の結晶の製作
が困難な現状では、有効視野が小さく制限される）の試
作が行なわれている。しかしながら、Ｈｇ１．の蒸気圧
が高い（２０°Ｃで５ Ｘ １０ Ｔａｒｒ、１２７°
Ｃ！テ０．２ Ｔｏｒｒ） （７）で真空中でＨｇ Ｉ
２結晶が蒸発し易く、ＰｄやＧｅをＨｇＩ２結晶表面
に充分な厚さで均一に蒸着するのは実際には非常に難し
く、また結晶表面の劣化（したがって検出器の性能の低
下）を招き易いという欠点がある。
（ハ）目的
この発明は、安定で良好な性質の電極を有し。
しかも製造過程が容易で、且つＨｇ Ｉ ２結晶表面の
劣化も招かない、ＨｇＩｚによる半導体放射線検出器を
提供することを目的とする。
劣化も招かない、ＨｇＩｚによる半導体放射線検出器を
提供することを目的とする。
（ニ）構成
この発明のよる半導体放射線検出器は、互いに対向する
１対の平行平板状絶縁板のそれぞれの対向面側に、Ｈｇ
Ｉ ２とアマルガム反応を起こさない物質を付着して
電極となし、アカダックを介して上記電極付着面と接す
るようにＨｇＩ２結晶基板を上記１対の絶縁板ではさみ
、上記１対の電極付着面の間にバイアス電圧を印加する
ようにして構成されている。
１対の平行平板状絶縁板のそれぞれの対向面側に、Ｈｇ
Ｉ ２とアマルガム反応を起こさない物質を付着して
電極となし、アカダックを介して上記電極付着面と接す
るようにＨｇＩ２結晶基板を上記１対の絶縁板ではさみ
、上記１対の電極付着面の間にバイアス電圧を印加する
ようにして構成されている。
（ホ）実施例
第１図はこの発明の第１の実施例を示す。この実施例は
ＨｇＩ２放射線検出素子が１個の場合であり、第１図に
示すように、互いに対向する１対の平行平板状絶縁板４
．６のそれぞれの対向面側に、ＰｄまたはＧｅ等のＨｇ
１．とアマルガム反応を起こさない物質を付着して電極
５．７となし、アカダック８を介して電極５．７の面と
接するようにＨｇＩ２結晶基板ｌをこの１対の絶縁板４
．６ではさんで構成される。たとえば、絶縁板４．６が
その両端でポルト１４とナツト１５でスプリング１６を
介在させながら互いに固定される。絶縁板４．６として
たとえばガラス板を使用し、ＰｄまたはＧｅ等の物質を
真空蒸着により付着すれば電極５．７の製作が容易であ
る。これら電極５．７の各々には導電性接着剤１３によ
りバイアス印加線１１２．１１１がそれぞれ接続され、
これら１対の電極５．７の間にバイアス電圧が印加され
るとともに、どちらか一方にはプリアンプが接続されて
信号が読み出される。なお、ガンマ線等の測定されるべ
き放射線は、第１図のように一方の電極（第１図では電
極５）の側から入射されるか、または電極５．７の面に
対して平行な方向より入射される。前者の場合は、特に
入射側の絶縁板（第１図では絶縁板４）に放射線吸収の
少ない物質でなる比較的薄い板を用いるよう配慮する。
ＨｇＩ２放射線検出素子が１個の場合であり、第１図に
示すように、互いに対向する１対の平行平板状絶縁板４
．６のそれぞれの対向面側に、ＰｄまたはＧｅ等のＨｇ
１．とアマルガム反応を起こさない物質を付着して電極
５．７となし、アカダック８を介して電極５．７の面と
接するようにＨｇＩ２結晶基板ｌをこの１対の絶縁板４
．６ではさんで構成される。たとえば、絶縁板４．６が
その両端でポルト１４とナツト１５でスプリング１６を
介在させながら互いに固定される。絶縁板４．６として
たとえばガラス板を使用し、ＰｄまたはＧｅ等の物質を
真空蒸着により付着すれば電極５．７の製作が容易であ
る。これら電極５．７の各々には導電性接着剤１３によ
りバイアス印加線１１２．１１１がそれぞれ接続され、
これら１対の電極５．７の間にバイアス電圧が印加され
るとともに、どちらか一方にはプリアンプが接続されて
信号が読み出される。なお、ガンマ線等の測定されるべ
き放射線は、第１図のように一方の電極（第１図では電
極５）の側から入射されるか、または電極５．７の面に
対して平行な方向より入射される。前者の場合は、特に
入射側の絶縁板（第１図では絶縁板４）に放射線吸収の
少ない物質でなる比較的薄い板を用いるよう配慮する。
つぎに第２の実施例について第２図を参照して説明する
。第２図は放射線１次元位置検出器にこの発明を適用し
た場合を示し、説明の便宜上、各Ｈｇ Ｉ ２結晶基板
ｌが１個の放射線検出素子を構成し、これが４個配列さ
れているものとして説明する。この４個の基板ｌは電極
５．７の面に対して平行なある方向（以下Ｘ方向と呼ぶ
）に１次元的に配列され、対向する１対の平行平板状絶
縁板４．６ではさまれており、絶縁板４．６の少なくと
も一方、この実施例では絶縁板４の両端がポル）１７に
よって支持板１８に固定されている他、概略は第１図と
同様である。但し、この第２図では、絶縁板４に付着さ
れた電極５はＸ方向に連続であって、つまり各基板ｌに
対して共通電極となっていてバイアス印加線１２に接続
されているの対し、絶縁板６に付着さｉた電極７はＸ方
向には各基板ｌに対応して分離されてＸ方向の位置信号
の読み出しに用いられる。なおこの電極７の各々はソケ
ット９に接続され、Ｘ方向の位置信号（Ｘ １−Ｘ４）
は、この図では示していないピン（第３図の１０参照）
および信号線（第３図の１１参照）を経て読み出される
。この第２図では、測定されるべき放射線は、図示して
いないコリメータを通して電極５の側から入射するが、
電極７の側から入射したり（この場合はソケット９等を
工夫して横方向から読み出すことができるようにするこ
とが必要）、または電極５．７の面に対して平行な方向
より入射することも可能である。
。第２図は放射線１次元位置検出器にこの発明を適用し
た場合を示し、説明の便宜上、各Ｈｇ Ｉ ２結晶基板
ｌが１個の放射線検出素子を構成し、これが４個配列さ
れているものとして説明する。この４個の基板ｌは電極
５．７の面に対して平行なある方向（以下Ｘ方向と呼ぶ
）に１次元的に配列され、対向する１対の平行平板状絶
縁板４．６ではさまれており、絶縁板４．６の少なくと
も一方、この実施例では絶縁板４の両端がポル）１７に
よって支持板１８に固定されている他、概略は第１図と
同様である。但し、この第２図では、絶縁板４に付着さ
れた電極５はＸ方向に連続であって、つまり各基板ｌに
対して共通電極となっていてバイアス印加線１２に接続
されているの対し、絶縁板６に付着さｉた電極７はＸ方
向には各基板ｌに対応して分離されてＸ方向の位置信号
の読み出しに用いられる。なおこの電極７の各々はソケ
ット９に接続され、Ｘ方向の位置信号（Ｘ １−Ｘ４）
は、この図では示していないピン（第３図の１０参照）
および信号線（第３図の１１参照）を経て読み出される
。この第２図では、測定されるべき放射線は、図示して
いないコリメータを通して電極５の側から入射するが、
電極７の側から入射したり（この場合はソケット９等を
工夫して横方向から読み出すことができるようにするこ
とが必要）、または電極５．７の面に対して平行な方向
より入射することも可能である。
さらに、第２図の１次元の放射線位置検出器を用いて２
次元の放射線位置検出器を構成した第３の実施例につい
て第３図を参照しながら説明しよう。前述と同様に、説
明の便宜上、各ＨｇＩ２結晶基板ｌが１個の放射線検出
素子を構成し、これがマトリクス状に配列されて、検出
素子が４Ｘ４のマトリクス配列となっているものとする
。この第３図では、第２図で示したと同様の１次元の放
射線位置検出器が、電極５．７の面に対して平行で上記
Ｘ方向と略直角な方向（これをＹ方向とする）に並列に
４個配列されており、信号線１１の各々がＸ方向の位置
情報（Ｘｉ−Ｘ４）を与えるの対し、信号線１２の各々
はＹ方向の位置情報（Ｙｌ−Ｙ４）を与える。測定され
るべき放射線は、図示していないコリメータを通して電
極５の側から入射する。
次元の放射線位置検出器を構成した第３の実施例につい
て第３図を参照しながら説明しよう。前述と同様に、説
明の便宜上、各ＨｇＩ２結晶基板ｌが１個の放射線検出
素子を構成し、これがマトリクス状に配列されて、検出
素子が４Ｘ４のマトリクス配列となっているものとする
。この第３図では、第２図で示したと同様の１次元の放
射線位置検出器が、電極５．７の面に対して平行で上記
Ｘ方向と略直角な方向（これをＹ方向とする）に並列に
４個配列されており、信号線１１の各々がＸ方向の位置
情報（Ｘｉ−Ｘ４）を与えるの対し、信号線１２の各々
はＹ方向の位置情報（Ｙｌ−Ｙ４）を与える。測定され
るべき放射線は、図示していないコリメータを通して電
極５の側から入射する。
なお、上記は単にいくつかの実施例を示すものであって
、この発明の要旨を逸脱しない範囲で構成的に種々の変
更が可能である。たとえば、第２図では検出素子が４個
であるがそれ以外でも勿論可能であり、また第３図では
検出素子が４×４のマトリクスとなっているが、他の配
列の可能である。
、この発明の要旨を逸脱しない範囲で構成的に種々の変
更が可能である。たとえば、第２図では検出素子が４個
であるがそれ以外でも勿論可能であり、また第３図では
検出素子が４×４のマトリクスとなっているが、他の配
列の可能である。
また、第３図では電極５．７の面に対して平行な方向を
Ｙ方向としたが、電極５．７の面に対して略直角な方向
にＹ方向をとることもできる。すなわち、第２図に示し
た１次元の放射線位置検出器を電極５．７の面に対して
略直角な方向（ここではこの方向がＹ方向となる）に並
列に複数個配列し、測定されるべき放射線を電極５．７
の面に対して平行でＸ方向（およびＹ方向）に対して略
直角な方向から入射するよう構成することが可能である
。
Ｙ方向としたが、電極５．７の面に対して略直角な方向
にＹ方向をとることもできる。すなわち、第２図に示し
た１次元の放射線位置検出器を電極５．７の面に対して
略直角な方向（ここではこの方向がＹ方向となる）に並
列に複数個配列し、測定されるべき放射線を電極５．７
の面に対して平行でＸ方向（およびＹ方向）に対して略
直角な方向から入射するよう構成することが可能である
。
第２図および第３図ではＨｇＩ、結晶基板ｌの各々が１
つの放射線検出素子を構成するとしたが、基板ｌの各々
が複数の放射線検出素子を構成する場合（つまり各基板
１に陽極、陰極の少なくとも一方が複数個結合している
場合）にも、この発明は同様に適用可能である。
つの放射線検出素子を構成するとしたが、基板ｌの各々
が複数の放射線検出素子を構成する場合（つまり各基板
１に陽極、陰極の少なくとも一方が複数個結合している
場合）にも、この発明は同様に適用可能である。
さらに、第２図に示した純粋の１次元の放射線位置検出
器の代りに、Ｙ方向にも検出素子配列を有するがその数
がＸ方向の素子配列数に比べて充分に少なく、主にはＸ
方向の１次元的な位置検出を行なうがＹ方向にも少し位
置検出できるよう構成した、疑似１次元位置検出器とで
も言うべき検出器を用い、この疑似１次元位置検出器を
第３図のようにＹ方向に複数個配列して２次元の放射線
位置検出器を構成する場合にも同様に適用可能である。
器の代りに、Ｙ方向にも検出素子配列を有するがその数
がＸ方向の素子配列数に比べて充分に少なく、主にはＸ
方向の１次元的な位置検出を行なうがＹ方向にも少し位
置検出できるよう構成した、疑似１次元位置検出器とで
も言うべき検出器を用い、この疑似１次元位置検出器を
第３図のようにＹ方向に複数個配列して２次元の放射線
位置検出器を構成する場合にも同様に適用可能である。
また、これらの半導体放射線検出器をリング・型または
六角形状に配置することによりシングルスライスおよび
マルチスライスのエミツションＣＴ装置に適用すること
も可能である。
六角形状に配置することによりシングルスライスおよび
マルチスライスのエミツションＣＴ装置に適用すること
も可能である。
（へ）効果
この発明によれば、Ｈｇ Ｉ ２放射線検出器を製作す
るにあたって、電極の製造工程が容易で、且つその際に
、ＨｇＩ２結晶表面に直接ＰｄやＧｅ等を蒸着すること
がないため、ＨｇＩ２結晶表面の劣化、したがってエネ
ルギ分解能等の検出器としての性能の低下を引き起すこ
とがない。さらにアマルガム反応による経時的劣化がな
く、またアカダックに直接リード線が接続されていす、
アカダックにはＰｄやＧｅ等のＨｇ Ｉ ２とアマルガ
ム反応を起こさない物質でなる電極が接している構造で
あるため、安定で良好な電極が得られる。また複数のＨ
ｇＩ２結晶を配列する構成の１次元または２次元の放射
線位置検出器の製作が容易となる。
るにあたって、電極の製造工程が容易で、且つその際に
、ＨｇＩ２結晶表面に直接ＰｄやＧｅ等を蒸着すること
がないため、ＨｇＩ２結晶表面の劣化、したがってエネ
ルギ分解能等の検出器としての性能の低下を引き起すこ
とがない。さらにアマルガム反応による経時的劣化がな
く、またアカダックに直接リード線が接続されていす、
アカダックにはＰｄやＧｅ等のＨｇ Ｉ ２とアマルガ
ム反応を起こさない物質でなる電極が接している構造で
あるため、安定で良好な電極が得られる。また複数のＨ
ｇＩ２結晶を配列する構成の１次元または２次元の放射
線位置検出器の製作が容易となる。
第１図、第２図はこの発明の第１、第２の実施例の側面
図、第３図は第３の実施例の斜視図である。 ｌ・・・ＨｇＩ 、結晶基板 ４（４ａ 〜４ｄ）、８（８ａ〜６ｄ） −絶縁板５．
７・・・電極 ８・・・アカダック９・・・ソケット
１０・・・ピン １１（ｌｌａ〜１ｌｄ）、１２（１２ａ −１２ｄ）、
１１１，１１２・・・信号読み出し線またはバイアス印
加線 １３・・・導電性接着剤 １４．１７・・・ボルト１５
・・・ナンド １６・・・スプリング１８・・・支持板
図、第３図は第３の実施例の斜視図である。 ｌ・・・ＨｇＩ 、結晶基板 ４（４ａ 〜４ｄ）、８（８ａ〜６ｄ） −絶縁板５．
７・・・電極 ８・・・アカダック９・・・ソケット
１０・・・ピン １１（ｌｌａ〜１ｌｄ）、１２（１２ａ −１２ｄ）、
１１１，１１２・・・信号読み出し線またはバイアス印
加線 １３・・・導電性接着剤 １４．１７・・・ボルト１５
・・・ナンド １６・・・スプリング１８・・・支持板
Claims (1)
- （１）互いに対向する１対の平行平板状絶縁板のそれぞ
れの対向面側に、ＨｇＩ、とアマルガム反応を起こさな
い物質を付着して電極となし、アカダックを介して上記
電極付着面と接するようにＨｇＩ２結晶基板を上記１対
の絶縁板ではさみ、上記１対の電極付着面の間にバイア
ス電圧を印加するようにして構成された半導体放射線検
出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6467084A JPS60209196A (ja) | 1984-03-31 | 1984-03-31 | 半導体放射線検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6467084A JPS60209196A (ja) | 1984-03-31 | 1984-03-31 | 半導体放射線検出器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60209196A true JPS60209196A (ja) | 1985-10-21 |
| JPH058396B2 JPH058396B2 (ja) | 1993-02-02 |
Family
ID=13264849
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6467084A Granted JPS60209196A (ja) | 1984-03-31 | 1984-03-31 | 半導体放射線検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60209196A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011501149A (ja) * | 2007-11-01 | 2011-01-06 | オイ アジャト， リミテッド | ＣｄＴｅ／ＣｄＺｎＴｅ放射線イメージング検出器及び高／バイアス電圧手段 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11234747B2 (en) | 2015-02-25 | 2022-02-01 | National University Corporation Tokyo Medical And Dental University | Medical device, device structures for dentistry, for head and neck surgery and for orthopedic surgery, and method for bonding medical device to bone |
-
1984
- 1984-03-31 JP JP6467084A patent/JPS60209196A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011501149A (ja) * | 2007-11-01 | 2011-01-06 | オイ アジャト， リミテッド | ＣｄＴｅ／ＣｄＺｎＴｅ放射線イメージング検出器及び高／バイアス電圧手段 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH058396B2 (ja) | 1993-02-02 |
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