JPS60209195A - 半導体放射線位置検出器 - Google Patents
半導体放射線位置検出器Info
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- JPS60209195A JPS60209195A JP6466984A JP6466984A JPS60209195A JP S60209195 A JPS60209195 A JP S60209195A JP 6466984 A JP6466984 A JP 6466984A JP 6466984 A JP6466984 A JP 6466984A JP S60209195 A JPS60209195 A JP S60209195A
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- conductor
- insulating plate
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/29—Measurement performed on radiation beams, e.g. position or section of the beam; Measurement of spatial distribution of radiation
- G01T1/2914—Measurement of spatial distribution of radiation
- G01T1/2921—Static instruments for imaging the distribution of radioactivity in one or two dimensions; Radio-isotope cameras
- G01T1/2928—Static instruments for imaging the distribution of radioactivity in one or two dimensions; Radio-isotope cameras using solid state detectors
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- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
この発明は、半導体放射線位置検出器の改良に関するも
ので、この半導体放射線位置検出器は、たとえば核医学
診断で通常使用されているシンチレーションカメラやマ
ルチスライスのエミツションＣＴ装置（コンピュータ断
層撮影装置）のように特定のエネルギの放射線の２次元
的位置を検出することによって特定のＲＩ核種の分布イ
メージを得るのに有用であり、あるいは他に理工学の分
野等で使用される。
ので、この半導体放射線位置検出器は、たとえば核医学
診断で通常使用されているシンチレーションカメラやマ
ルチスライスのエミツションＣＴ装置（コンピュータ断
層撮影装置）のように特定のエネルギの放射線の２次元
的位置を検出することによって特定のＲＩ核種の分布イ
メージを得るのに有用であり、あるいは他に理工学の分
野等で使用される。
（ロ）従来技術
２次元的な半導体放射線位置検出器を、特に各医学診断
用カメラ等のように大きな有効視野（たとえば４００
ｃｔｎ’以上）が必要な用途に使用する場合、現状では
半導体結晶の寸法が小さなものに限定されている（たと
えばプレーナ型高純度Ｇｅや５ｉ−ｔ’は５０ｃｔｎ’
以下、ＣｄＴｅやＨｇＩ２等の常温用化合物半導体では
数ｃｒｎ’以下）ため、複数の検出素子（結晶）を配列
することが必要である。しかし、各素子の間の間隔（つ
まり境界）の空間分解能や不均一性への影響、各プリア
ンプへの結線の複雑化、一部の検出素子が故障した時の
交換および検出器部全体の組立の難しさ等の問題があり
、実用化を困難にしている。また、良質（一般に高純度
で均一）な結晶では寸法が大きい程非常に高価となり、
逆に小さい寸法の結晶を多数使用すれば上記の複雑化等
の問題が顕著になる。
用カメラ等のように大きな有効視野（たとえば４００
ｃｔｎ’以上）が必要な用途に使用する場合、現状では
半導体結晶の寸法が小さなものに限定されている（たと
えばプレーナ型高純度Ｇｅや５ｉ−ｔ’は５０ｃｔｎ’
以下、ＣｄＴｅやＨｇＩ２等の常温用化合物半導体では
数ｃｒｎ’以下）ため、複数の検出素子（結晶）を配列
することが必要である。しかし、各素子の間の間隔（つ
まり境界）の空間分解能や不均一性への影響、各プリア
ンプへの結線の複雑化、一部の検出素子が故障した時の
交換および検出器部全体の組立の難しさ等の問題があり
、実用化を困難にしている。また、良質（一般に高純度
で均一）な結晶では寸法が大きい程非常に高価となり、
逆に小さい寸法の結晶を多数使用すれば上記の複雑化等
の問題が顕著になる。
従来の代表的な２次元半導体放射線位置検出器として第
１図イ、口に示すような直交短冊型電極方式（Ｃｈｅｃ
ｋｅｒ−Ｂｏａｒｄ−Ｔｙｐｅ）が知られている。これ
は半導体基板１０１の表裏各面に短冊状の電極１０２．
１０３を設けてなるもので、短冊状の電極１０２．１０
３は互いに直交し、その交差部が１つの検出素子として
機能する。第１図イ、口はいずれも検出素子の配列が４
×４の場合を示し、特に第１図イでは各行および各列毎
にプリアンプ１２２．１２２′を設けて位置検出するよ
うにしているが、たとえば抵抗分割の利用など他の信号
読み出し構成を採用することもある。またバイアス印加
側電極から放射線を入射させるように示したが、逆方向
から入射させることもある。第１図口では、隣接する各
電極間に溝を設けてクロストークを減少させるようにし
ている。
１図イ、口に示すような直交短冊型電極方式（Ｃｈｅｃ
ｋｅｒ−Ｂｏａｒｄ−Ｔｙｐｅ）が知られている。これ
は半導体基板１０１の表裏各面に短冊状の電極１０２．
１０３を設けてなるもので、短冊状の電極１０２．１０
３は互いに直交し、その交差部が１つの検出素子として
機能する。第１図イ、口はいずれも検出素子の配列が４
×４の場合を示し、特に第１図イでは各行および各列毎
にプリアンプ１２２．１２２′を設けて位置検出するよ
うにしているが、たとえば抵抗分割の利用など他の信号
読み出し構成を採用することもある。またバイアス印加
側電極から放射線を入射させるように示したが、逆方向
から入射させることもある。第１図口では、隣接する各
電極間に溝を設けてクロストークを減少させるようにし
ている。
このような構成の場合、前述のように半導体結晶の寸法
には限界があるので、大きな有効視野が必要な用途には
、第１図イ、口の直・交短冊型電極方式の基板１枚で検
出器を製作することは困難である。また、同基板を複数
個配列する場合も通常は組立が複雑となり、一部の基板
が故障したときの交換も容易でない。しかも１枚に基板
に各素子をなす領域が多数存在するため、１つの素子領
域が不良になると基板全体が使用不能となり、合理的で
ない。また、良質な（たとえば高純度で均一な）結晶を
大きく成長させるのが困難なため、一般に結晶寸法が大
きい程非常に高価になるという面もある。
には限界があるので、大きな有効視野が必要な用途には
、第１図イ、口の直・交短冊型電極方式の基板１枚で検
出器を製作することは困難である。また、同基板を複数
個配列する場合も通常は組立が複雑となり、一部の基板
が故障したときの交換も容易でない。しかも１枚に基板
に各素子をなす領域が多数存在するため、１つの素子領
域が不良になると基板全体が使用不能となり、合理的で
ない。また、良質な（たとえば高純度で均一な）結晶を
大きく成長させるのが困難なため、一般に結晶寸法が大
きい程非常に高価になるという面もある。
一方、他に、各検出素子または各基板毎に信号読み出し
線を独立に設けることも考えられる（特開昭５６−１５
１３７７、特開昭５６−１５３７７９）が、たとえば素
子配列がｎＸｎとすると第１図イではプリアンプ数は２
ｎ個であるのにこの場合はｎＸｎ個必要となって、ｎの
大きい用途では高価となり、結線も複雑化し、不適当で
ある。
線を独立に設けることも考えられる（特開昭５６−１５
１３７７、特開昭５６−１５３７７９）が、たとえば素
子配列がｎＸｎとすると第１図イではプリアンプ数は２
ｎ個であるのにこの場合はｎＸｎ個必要となって、ｎの
大きい用途では高価となり、結線も複雑化し、不適当で
ある。
（ハ）目的
この発明は、複数の検出素子の配列および各プリアンプ
の結線を簡単化し、検出器部分全体の組立を容易にする
とともに素子の交換をも容易にできるようにし、もって
小さい寸法の結晶を多数用いることを可能とし、素子の
交換の容易性と合わせて全体のコストの低減を図ること
ができる半導体放射線位置検出器を提供することを目的
とする。
の結線を簡単化し、検出器部分全体の組立を容易にする
とともに素子の交換をも容易にできるようにし、もって
小さい寸法の結晶を多数用いることを可能とし、素子の
交換の容易性と合わせて全体のコストの低減を図ること
ができる半導体放射線位置検出器を提供することを目的
とする。
（ニ）構成
この発明によれば、互いに対向する第１、第２の平行平
板電極を伴なう放射線検出用半導体基板を複数個、第１
の方向に少なくとも１列に配列し、これら半導体基板を
該配列方向に沿う細長い対向する１対の第１、第２の絶
縁板ではさんで１次元的な放射線位置検出部の組立体を
構成し、この組立体を第１の方向とは略直角な第２の方
向に並列的に複数個配置して２次元的な放射線位置検出
器を構成し、上記第１の絶縁板の内側の面に上記第１の
方向に連続している導体を形成して上記各半導体基板の
第１の電極と接続し、この導体より第２の方向の座標位
置信号を取り出し、上記第２の絶縁板の内側の面に各半
導体基板の第２の電極に対応して第１の方向に分離され
た導体を形成して対応する上記各半導体基板の第２の電
極と接／ 続し、且つこの第２の絶縁板の導体の各々を、第１の方
向に関して同位置であるもの同士で共通の信号線に接続
し、この信号線から第１の方向の座標位置信号を取り出
すようにしている。
板電極を伴なう放射線検出用半導体基板を複数個、第１
の方向に少なくとも１列に配列し、これら半導体基板を
該配列方向に沿う細長い対向する１対の第１、第２の絶
縁板ではさんで１次元的な放射線位置検出部の組立体を
構成し、この組立体を第１の方向とは略直角な第２の方
向に並列的に複数個配置して２次元的な放射線位置検出
器を構成し、上記第１の絶縁板の内側の面に上記第１の
方向に連続している導体を形成して上記各半導体基板の
第１の電極と接続し、この導体より第２の方向の座標位
置信号を取り出し、上記第２の絶縁板の内側の面に各半
導体基板の第２の電極に対応して第１の方向に分離され
た導体を形成して対応する上記各半導体基板の第２の電
極と接／ 続し、且つこの第２の絶縁板の導体の各々を、第１の方
向に関して同位置であるもの同士で共通の信号線に接続
し、この信号線から第１の方向の座標位置信号を取り出
すようにしている。
（ホ）実施例
第２図、第３図、第４図も口はこの発明の−実施例を示
し、これらの図では説明の簡単化のため検出画素が４Ｘ
４のマトリクス状に配置されているものとしている。第
２図および第４図に示すように、４枚の放射線検出用半
導体基板ｌがＸ方向に１次元的に１列に配列され、対向
する１対の細長い絶縁板４（４ａ 〜４ｄ） 、 ６（
８ａ 〜Ｂｄ）によりはさまれ、サンドイッチ構造の１
次元検出部をなす組立体が構成される。この組立体は第
３図に示すようにＸ方向と略直角なＹ方向に並列的に４
個配列され、２次元の位置検出器が構成される。半導体
基板ｌは、たとえば、ＧｅやＳｉ、または、Ｃｄ Ｔ
ｅ 、 Ｈｇ Ｉ ２等の化合物半導体であり、互いに
対向する平行平板電極２．３ではさまれた構造となって
いる。電極２．３の一方は陽極、他方は陰極であって、
これらの図では特に、１枚の基板１に陽極と陰極とが１
個ずつ設けられ、１枚の基板に放射線検出素子が１個だ
け存在している場合が示されている。なお、厳密に言う
と、基板ｌは、Ｇｅ、Ｓｉ等では高純度半導体の空乏層
またはリチウムイオン等で補償した真性領域でなり、各
電極２．３はｐ＋またはｎ＋層を有するが、Ｈｇ Ｉ
２および高抵抗型ＣｄＴｅ等の場合は基板ｌが結晶自体
であり、各電極？、３は金属（ＨｇＩ２の場合はＰｄ、
Ｇｅ等）の蒸着やアカダック塗布等で形成されている。
し、これらの図では説明の簡単化のため検出画素が４Ｘ
４のマトリクス状に配置されているものとしている。第
２図および第４図に示すように、４枚の放射線検出用半
導体基板ｌがＸ方向に１次元的に１列に配列され、対向
する１対の細長い絶縁板４（４ａ 〜４ｄ） 、 ６（
８ａ 〜Ｂｄ）によりはさまれ、サンドイッチ構造の１
次元検出部をなす組立体が構成される。この組立体は第
３図に示すようにＸ方向と略直角なＹ方向に並列的に４
個配列され、２次元の位置検出器が構成される。半導体
基板ｌは、たとえば、ＧｅやＳｉ、または、Ｃｄ Ｔ
ｅ 、 Ｈｇ Ｉ ２等の化合物半導体であり、互いに
対向する平行平板電極２．３ではさまれた構造となって
いる。電極２．３の一方は陽極、他方は陰極であって、
これらの図では特に、１枚の基板１に陽極と陰極とが１
個ずつ設けられ、１枚の基板に放射線検出素子が１個だ
け存在している場合が示されている。なお、厳密に言う
と、基板ｌは、Ｇｅ、Ｓｉ等では高純度半導体の空乏層
またはリチウムイオン等で補償した真性領域でなり、各
電極２．３はｐ＋またはｎ＋層を有するが、Ｈｇ Ｉ
２および高抵抗型ＣｄＴｅ等の場合は基板ｌが結晶自体
であり、各電極？、３は金属（ＨｇＩ２の場合はＰｄ、
Ｇｅ等）の蒸着やアカダック塗布等で形成されている。
絶縁板４．６はその両端でポル）１４とナツト１５でス
プリング１６を介在させながら互いに固定されており、
絶縁板４．６の少なくとも一方、この実施例では絶縁板
４の両端がボルト１７によって支持板１８に固定されて
いる。ガンマ線等の測定すべき放射線は図示しないコリ
メータを通して絶縁板４の側から入射されるようになっ
ている。絶縁板４の内側の面には導体の接着、蒸着また
は塗布等によりＸ方向に連続している導体５が設けられ
、導電性接着剤８を介して各基板ｌの電極２と接続され
、導電性接着剤１３により接続された線１２（１２ａ〜
１２ｄ）を通して信号が読み出され、Ｙ方向の位置情報
が得られる。この放射線入射側の絶縁板４は放射線吸収
の少ない物質の比較的薄い板（たとえばガラス板等）で
なり、且つ導体５も薄く形成され、放射線の吸収効果が
小さくなるようにされている。他方、絶縁板６の内側の
面にも同様な導体７が形成されているが、Ｘ方向に連続
してはいす、各基板ｌの電極３とｌ対ｌに対応するよう
Ｘ方向に分離されており、分離している各導体７は導電
性接着剤８を介して各々対応する電極３と接続されてい
る。第３図に示すように、Ｘ方向の同位置にある導体７
がそれぞれソケット、９およびピン１０よりなるコネク
タを介して共通の信号線１１ （ｌｌａ−１ｉｄ）に接
続され、この線１１を通して信号が読み出されることに
よりＸ方向の位置情報が得られる。
プリング１６を介在させながら互いに固定されており、
絶縁板４．６の少なくとも一方、この実施例では絶縁板
４の両端がボルト１７によって支持板１８に固定されて
いる。ガンマ線等の測定すべき放射線は図示しないコリ
メータを通して絶縁板４の側から入射されるようになっ
ている。絶縁板４の内側の面には導体の接着、蒸着また
は塗布等によりＸ方向に連続している導体５が設けられ
、導電性接着剤８を介して各基板ｌの電極２と接続され
、導電性接着剤１３により接続された線１２（１２ａ〜
１２ｄ）を通して信号が読み出され、Ｙ方向の位置情報
が得られる。この放射線入射側の絶縁板４は放射線吸収
の少ない物質の比較的薄い板（たとえばガラス板等）で
なり、且つ導体５も薄く形成され、放射線の吸収効果が
小さくなるようにされている。他方、絶縁板６の内側の
面にも同様な導体７が形成されているが、Ｘ方向に連続
してはいす、各基板ｌの電極３とｌ対ｌに対応するよう
Ｘ方向に分離されており、分離している各導体７は導電
性接着剤８を介して各々対応する電極３と接続されてい
る。第３図に示すように、Ｘ方向の同位置にある導体７
がそれぞれソケット、９およびピン１０よりなるコネク
タを介して共通の信号線１１ （ｌｌａ−１ｉｄ）に接
続され、この線１１を通して信号が読み出されることに
よりＸ方向の位置情報が得られる。
なお、各信号読み出し線１１．１２から後の位置検出回
路の構成に関しては種々考えられるが、たとえば第１図
イと同様に各行、各列毎にプリアンプを設けるとすると
、検出素子がｎＸｎのマトリクスの場合プリアンプ数が
２ｎ個となり、ｎが大きい用途では各検出素子にプリア
ンプを設ける場合に比して結線が簡単でプリアンプ数も
少なくコストの低減が可能となる。抵抗電荷分割等によ
すさらにプリアンプ数を減少（たとえば４個）させる構
成も可能である。また、第１図イと同様に、一般に信号
線１１．１２の一方はバイアス印加側であるため交流結
合により信号を読み出すようにする。
路の構成に関しては種々考えられるが、たとえば第１図
イと同様に各行、各列毎にプリアンプを設けるとすると
、検出素子がｎＸｎのマトリクスの場合プリアンプ数が
２ｎ個となり、ｎが大きい用途では各検出素子にプリア
ンプを設ける場合に比して結線が簡単でプリアンプ数も
少なくコストの低減が可能となる。抵抗電荷分割等によ
すさらにプリアンプ数を減少（たとえば４個）させる構
成も可能である。また、第１図イと同様に、一般に信号
線１１．１２の一方はバイアス印加側であるため交流結
合により信号を読み出すようにする。
以上の構成によれば、第２図および第３図に示したよう
に、１対の絶縁板４．６は互いに両端で固定されて組立
体をなし、これが両端部で支持板１８に固定されるとい
う構造になっているため、いずれか１つの検出素子が故
障したときはその検出素子を含む組立体のみを取り外し
、これを修理したり、他の組立体と交換することが容易
にできる。また、放射線入射側にはコネクタや他の結線
が存在しないため放射線の不均一散乱源がほとんどなく
、しかも半導体基板ｌとコリメータとの間 ′の距離を
ほとんどなくすことができるので、均一で高分解能の放
射線イメージを得ることが可能となる。
に、１対の絶縁板４．６は互いに両端で固定されて組立
体をなし、これが両端部で支持板１８に固定されるとい
う構造になっているため、いずれか１つの検出素子が故
障したときはその検出素子を含む組立体のみを取り外し
、これを修理したり、他の組立体と交換することが容易
にできる。また、放射線入射側にはコネクタや他の結線
が存在しないため放射線の不均一散乱源がほとんどなく
、しかも半導体基板ｌとコリメータとの間 ′の距離を
ほとんどなくすことができるので、均一で高分解能の放
射線イメージを得ることが可能となる。
なお、上記は１つの実施例であって構成的に種々の変更
が可能である。たとえば、上記では検出素子が４×４の
マトリクスの場合を示しているが、他の配列の場合にも
同様に適用できることはもちろんである。
が可能である。たとえば、上記では検出素子が４×４の
マトリクスの場合を示しているが、他の配列の場合にも
同様に適用できることはもちろんである。
また、上記では絶縁板４．６にはさまれた組立体にはＸ
方向に半導体基板ｌが１列に並べられて純粋の１次元の
検出部を構成しているが、２列以上並べて多少Ｙ方向の
位置検出をもできるような、言わば疑似１次元検出部と
でも言うべき組立体として構成することもできる。すわ
わち、第５図イ、口のように、半導体基板ｌ自体を２列
に並べてもよい。あるいは第６図イ、口のように半導体
基板１自体は１列であるが、この半導体基板１を第１図
に示したような直交短冊型電極を伴なってＹ方向にも検
出素子配列がある２次元検出素子配列を有するものを用
いてもよい。この第６図では１つの半導体基板１に２×
２のマトリクス型検出素子配列を有するものが示されて
いる。これら第５図および８６図図仕導体５はＸ方向に
は連続であるがＹ方向には素子配列の各行に対応して分
離されており、異なる信号線１２でそれぞれ信号の読み
出しが行なわれ、また、導体７はＸ方向には素子配列の
各列に対応して分離されているがＹ方向には連続であり
、異なる行に配列されている検出素子の、Ｘ方向に同位
置であるもの同士が共通の導体７に接続され、共通のコ
ネクタを介して共通の信号線１１により信号が読み出さ
れる。第５図および第６図ではともにＹ方向に検出素子
配列が２行の場合を示しているが、３行以上の場合も同
様に可能である。
方向に半導体基板ｌが１列に並べられて純粋の１次元の
検出部を構成しているが、２列以上並べて多少Ｙ方向の
位置検出をもできるような、言わば疑似１次元検出部と
でも言うべき組立体として構成することもできる。すわ
わち、第５図イ、口のように、半導体基板ｌ自体を２列
に並べてもよい。あるいは第６図イ、口のように半導体
基板１自体は１列であるが、この半導体基板１を第１図
に示したような直交短冊型電極を伴なってＹ方向にも検
出素子配列がある２次元検出素子配列を有するものを用
いてもよい。この第６図では１つの半導体基板１に２×
２のマトリクス型検出素子配列を有するものが示されて
いる。これら第５図および８６図図仕導体５はＸ方向に
は連続であるがＹ方向には素子配列の各行に対応して分
離されており、異なる信号線１２でそれぞれ信号の読み
出しが行なわれ、また、導体７はＸ方向には素子配列の
各列に対応して分離されているがＹ方向には連続であり
、異なる行に配列されている検出素子の、Ｘ方向に同位
置であるもの同士が共通の導体７に接続され、共通のコ
ネクタを介して共通の信号線１１により信号が読み出さ
れる。第５図および第６図ではともにＹ方向に検出素子
配列が２行の場合を示しているが、３行以上の場合も同
様に可能である。
これら第２図〜第４図に示した例と第６図に示したの例
の中間的なものとして、Ｘ方向に１次元的に複数の放射
線検出素子を備える半導体基板を１対の絶縁板ではさん
で１次元検出器の組立体を構成し、この組立体を複数個
並列的に配列して２次元位置検出器を構成するようにす
ることも考えられる。
の中間的なものとして、Ｘ方向に１次元的に複数の放射
線検出素子を備える半導体基板を１対の絶縁板ではさん
で１次元検出器の組立体を構成し、この組立体を複数個
並列的に配列して２次元位置検出器を構成するようにす
ることも考えられる。
さらに、これらの２次元放射線位置検出器をリング型ま
たは六角形状に配置することにより多層スライスのエミ
ツションＣＴ装置に適用することも可能である。
たは六角形状に配置することにより多層スライスのエミ
ツションＣＴ装置に適用することも可能である。
（へ）効果
この発明によれば、各プリアンプへの結線が容易である
とともに検出器全体の組立が簡単になり、しかも一部の
素子が故障したときの交換、修理の作業も容易に行なえ
、且つ小さい寸法の結晶よりなる放射線検出用半導体基
板を多数使用することが構造的に容易となるため、製造
コストの低減も可能となる。
とともに検出器全体の組立が簡単になり、しかも一部の
素子が故障したときの交換、修理の作業も容易に行なえ
、且つ小さい寸法の結晶よりなる放射線検出用半導体基
板を多数使用することが構造的に容易となるため、製造
コストの低減も可能となる。
第１図イ、口は従来例の模式的な斜視図、第２図はこの
発明の一実施例の側面図、第３図は同実施例の斜視図、
第４図化口は同実施例に係る１対の絶縁板にはさまれて
構成される組立体の１つのみを示すもので、第４図イは
平面図、第４図口は第４図イのＡ−Ａ線断面図、第５図
イ、口および第６図イ、口はそれぞれ他の実施例に係る
第４図イ、口と同様の組立体の１つのみを示すもので、
第５図イは平面図、第５図口は第５図イのＢ−Ｂ線断面
図、第６図イは平面図、第６図口は第６図イのＣ−Ｃ線
断面図である。 １．１０１・・・放射線検出用半導体基板２．３，１０
２，１０３・・・電極 ４（４ａ〜４ｄ）、８（８ａ 〜８ｄ） −絶縁板５．
７・・・導体 ８，１３・・・導電性接着剤９・・・ソ
ケット １０・・・ピン １１（ｌｌａ”１ｌｄ）、１２（１２ａ −１２ｄ）、
１１１，１１２−信号読み１４．１７・・・ボルト 出
し線
発明の一実施例の側面図、第３図は同実施例の斜視図、
第４図化口は同実施例に係る１対の絶縁板にはさまれて
構成される組立体の１つのみを示すもので、第４図イは
平面図、第４図口は第４図イのＡ−Ａ線断面図、第５図
イ、口および第６図イ、口はそれぞれ他の実施例に係る
第４図イ、口と同様の組立体の１つのみを示すもので、
第５図イは平面図、第５図口は第５図イのＢ−Ｂ線断面
図、第６図イは平面図、第６図口は第６図イのＣ−Ｃ線
断面図である。 １．１０１・・・放射線検出用半導体基板２．３，１０
２，１０３・・・電極 ４（４ａ〜４ｄ）、８（８ａ 〜８ｄ） −絶縁板５．
７・・・導体 ８，１３・・・導電性接着剤９・・・ソ
ケット １０・・・ピン １１（ｌｌａ”１ｌｄ）、１２（１２ａ −１２ｄ）、
１１１，１１２−信号読み１４．１７・・・ボルト 出
し線
Claims (1)
- （１）互いに対向する第１．第２の平行平板電極を伴な
う放射線検出用半導体基板を複数個、該電極面に平行な
第１の方向に少なくとも１列に配列し、これら半導体基
板を該配列方向に沿う細長い対向する１対の第１、第２
の絶縁板ではさみ、この組立体を、上記電極面に平行で
第１の方向とは略直角な第２の方向に並列的に複数個配
置し、上記第１の絶縁板の内側の面に上記第１の方向に
連続している導体を形成して上記各半導体基板の第１の
電極と接続し、この導体より第２の方向の座標位置信号
を取り出し、上記第２の絶縁板の内側の面に各半導体基
板の第２の電極に対応して第１の方向に分離された導体
を形成して対応する上記各半導体基板の第２の電極と接
続し、且つこの第２の絶縁板の導体の各々を、第１の方
向に関して同位置であるもの同士で共通の信号線に接続
し、この信号線から第１の方向の座標位置信号を取り出
すようにしたことを特徴とする半導体放射線位置検出器
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6466984A JPS60209195A (ja) | 1984-03-31 | 1984-03-31 | 半導体放射線位置検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6466984A JPS60209195A (ja) | 1984-03-31 | 1984-03-31 | 半導体放射線位置検出器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60209195A true JPS60209195A (ja) | 1985-10-21 |
| JPH058395B2 JPH058395B2 (ja) | 1993-02-02 |
Family
ID=13264824
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6466984A Granted JPS60209195A (ja) | 1984-03-31 | 1984-03-31 | 半導体放射線位置検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60209195A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7446319B2 (en) | 2003-09-30 | 2008-11-04 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor radiation detector and radiological imaging apparatus |
-
1984
- 1984-03-31 JP JP6466984A patent/JPS60209195A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7446319B2 (en) | 2003-09-30 | 2008-11-04 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor radiation detector and radiological imaging apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH058395B2 (ja) | 1993-02-02 |
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