JP4780765B2 - 連結検出器ピクセル、光子/パルスカウント輻射線像形成素子 - Google Patents
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Description
本発明はX線及びガンマ線輻射エネルギーを検出及び画像分析するための半導体装置の分野に関する。より詳細には、本発明は二つの異なる半導体基板上に多数の電気的に接近可能な点を持つピクセルセル内に電流を発生する装置上への入射輻射エネルギーにより画像分析が行なわれる、かかる装置に関する。特に、本発明は輻射線光子/パルスカウント像形成素子に関し、そこでは総体的に、ピクセルセルが光導電体/検出器基板上に加工された検出器ピクセルを持ち、この検出器ピクセルの数はカウント/読出し基板上に加工されたピクセルカウント回路の数より大きく、このピクセルカウント回路と検出器ピクセルは電気的に連通している。
1.各光子により発生される電荷パルスは個々に処理されるため、吸収された光子のエネルギーについての情報を提供することができる。このようにして光子はそれらのエネルギー水準に依存してカウントされまたは廃棄されることができる。低いエネルギーの光子は典型的にはもし廃棄されないと画像品質を低下させる四散光子であるため、これはまたコントラスト解像度を強化する。
2.光子パルスのため電子信号はデジタル化され、かつカウントされるので、この装置は背景雑音、検出器漏洩/暗電流等にそんなに敏感ではない。“暗電流”は衝突輻射線の存在を欠く装置内の背景電流であることに注意されたい。
3.外部デジタル化に対する必要はない。なぜならそれは“オンチップ”でなされ、それが像形成システムをより簡単にかつ潜在的に安価とする。
現在最も望ましくかつ最も輻射線吸収性のCdTe及びCdZnTeのような光導電体材料を利用する像形成素子において、エネルギー分解能は“ホールトラッピング”により制限される。簡単に言えば、高エネルギー光子がこれらの半導体検出器材料内に捕獲される毎に、等量の電子及びホール信号が発生される。電子は全く移動しやすく、検出器ピクセルの電子コレクタ電極に比較的早く到達する。しかし、ホールは電子に比べてかなりゆっくりと移動し、ホールがそれらの移動(例えば負に荷電した電極に向けての)を完了することができる前にそれらはトラップされる。結果として最終誘導信号はエネルギー分解能が損なわれる。
電子が電荷コレクタ検出器ピクセルに向けてドリフトするとき、それらはまた横方向に離れるようにドリフトする。光導電体検出器材料の厚さ及び吸収された光子のエネルギーに依存して、電荷パッケージが検出器ピクセルに到達する時間までに電荷パッケージの寸法が増え、その電荷密度は減少している。もし検出器ピクセルが項目(1)によりホールトラッピングに対する補償のためより小さくされたなら、そのときは電荷パッケージは一つより多いピクセルにより共有されるであろう。この検出器ピクセル間の電荷共有は電荷パッケージの共有を受けるピクセル検出器と組み合わされたピクセル信号カウント回路中に誤記号(ヒットまたはミス)を作りうる。なぜなら一つの当初から大きなパルスは二つの別個の小さなパルスとして見られるからである。
図1Aは従来技術のSBBASIC型半導体輻射線像形成素子の断面の概略側面図であり、そこでは各ピクセル回路は単一の検出器ピクセルと組み合わされており、また逆もまた同様であり、ピクセル検出器の数とピクセル回路の間の対応比1をもつ像形成素子を示す。
Claims (13)
- 複数の連結検出器ピクセルセルを備え、
前記複数の連結検出器ピクセルセルの各々は、
半導体検出器基板上に配置された複数の検出器ピクセルを有する検出器ピクセルアレイと、
ASIC読出し基板上に配置された単一のピクセル信号カウント回路と
を有し、
前記ASIC読出し基板の一の面である読出し表面は、前記半導体検出器基板の一の面であるピクセル表面に対向して配置されており、
前記複数の検出器ピクセルの各々は、前記単一のピクセルセル信号カウント回路と電気的に連通している
ことを特徴とするX線及びガンマ線輻射エネルギー像形成素子。 - 前記複数の検出器ピクセルの各々は、
前記ピクセル表面上に配置され、前記半導体検出器基板内に発生した電荷を集めるためのコレクタ電極と、
前記コレクタ電極と前記単一のピクセル信号カウント回路との間に配置され、前記集められた電荷を前記単一のピクセル信号カウント回路へ伝導するピクセルコンタクトと
を有することを特徴とする請求項1に記載のX線及びガンマ線輻射エネルギー像形成素子。 - 前記単一のピクセル信号カウント回路は、前記単一のピクセル信号カウント回路と電気的に連通し、前記複数の検出器ピクセルに夫々対応する複数のピクセル信号入力部を有することを特徴とする請求項1に記載のX線及びガンマ線輻射エネルギー像形成素子。
- 前記複数の検出器ピクセルの各々は、前記半導体検出器基板内に発生した電荷を前記単一のピクセル信号カウント回路へ伝導するピクセルコンタクトを有し、
前記複数のピクセル信号入力部の各々は、対応するピクセルコンタクトに電気的に連通している
ことを特徴とする請求項3に記載のX線及びガンマ線輻射エネルギー像形成素子。 - 前記複数のピクセル信号入力部の各々は、ピクセル信号状態調節回路を含むことを特徴とする請求項4に記載のX線及びガンマ線輻射エネルギー像形成素子。
- 前記複数のピクセル信号入力部の各々は、信号増幅回路要素、暗電流補償回路要素、パルス幅制御回路要素、利得制御回路要素、パルス形状付与回路要素、比較回路要素、アナログ加算回路要素及び緩衝回路要素からなる群から選ばれた少なくとも一つの付随的状態調節/処理回路要素を含むピクセル信号状態調節回路を含むことを特徴とする請求項4に記載のX線及びガンマ線輻射エネルギー像形成素子。
- 前記ピクセルコンタクトは、緩衝結合であることを特徴とする請求項2に記載のX線及びガンマ線輻射エネルギー像形成素子。
- 前記ピクセルコンタクトは、ハンダ付け緩衝結合であることを特徴とする請求項2に記載のX線及びガンマ線輻射エネルギー像形成素子。
- 少なくとも一つの連結検出器ピクセルセルを備え、
前記連結検出器ピクセルセルは、
半導体検出器基板に配置された複数の検出器ピクセルを有する検出器ピクセルアレイと、
前記半導体検出器基板に対向して配置されたASIC読出し基板に配置され、前記複数の検出器ピクセルの少なくとも一部と電気的に連通されたピクセル信号カウント回路と
を有し、
前記ピクセル信号カウント回路の個数は、前記複数の検出器ピクセルの個数より少ない
ことを特徴とするX線及びガンマ線輻射エネルギー像形成素子。 - 前記検出器ピクセルアレイは、前記検出器ピクセルを少なくとも4つ有し、
前記少なくとも4つの検出器ピクセルの各々は、前記単一のピクセル信号カウント回路と電気的に連通している
ことを特徴とする請求項1に記載のX線及びガンマ線輻射エネルギー像形成素子。 - 前記複数の検出器ピクセルの各々は、前記ピクセル表面上に配置されたコレクタ電極を有し、
複数の前記コレクタ電極の平坦面積の合計としての前記検出器ピクセルアレイの平坦面積は、前記単一のピクセル信号カウント回路の平坦面積と少なくとも同じである
ことを特徴とする請求項1に記載のX線及びガンマ線輻射エネルギー像形成素子。 - 高エネルギー輻射線デジタル像形成素子で使用するための連結検出器ピクセルセルであって、
半導体検出器基板上に密接して配置された複数の検出器ピクセルを有する検出器ピクセルアレイと、
前記半導体検出器基板に対向して配置されたASIC読出し基板上に配置された単一のピクセル信号カウント回路と
を備え、
前記複数の検出器ピクセルの全ては、前記単一のピクセル信号カウント回路と電気的に連通している
ことを特徴とする連結検出器ピクセルセル。 - 前記単一のピクセル信号カウント回路の数に対する前記複数の検出器ピクセルの数の対応比が少なくとも2であることを特徴とする請求項12に記載の連結検出器ピクセルセル。
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