CN104111470A - 半导体探测器的信号处理方法及装置 - Google Patents

半导体探测器的信号处理方法及装置 Download PDF

Info

Publication number
CN104111470A
CN104111470A CN201410336256.XA CN201410336256A CN104111470A CN 104111470 A CN104111470 A CN 104111470A CN 201410336256 A CN201410336256 A CN 201410336256A CN 104111470 A CN104111470 A CN 104111470A
Authority
CN
China
Prior art keywords
signal
anode
semiconductor detector
cathode
amplitude
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201410336256.XA
Other languages
English (en)
Inventor
张岚
李玉兰
李元景
傅楗强
杜迎帅
张韡
马旭明
李军
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tsinghua University
Nuctech Co Ltd
Original Assignee
Tsinghua University
Nuctech Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tsinghua University, Nuctech Co Ltd filed Critical Tsinghua University
Priority to CN201410336256.XA priority Critical patent/CN104111470A/zh
Publication of CN104111470A publication Critical patent/CN104111470A/zh
Priority to US14/800,635 priority patent/US9835739B2/en
Priority to EP15176890.0A priority patent/EP2975431A3/en
Priority to CN201510417228.5A priority patent/CN105242300B/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/24—Measuring radiation intensity with semiconductor detectors
    • G01T1/247—Detector read-out circuitry
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/24—Measuring radiation intensity with semiconductor detectors
    • G01T1/241—Electrode arrangements, e.g. continuous or parallel strips or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N5/00—Details of television systems
    • H04N5/30—Transforming light or analogous information into electric information
    • H04N5/32—Transforming X-rays

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Measurement Of Radiation (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

本发明提供半导体探测器的信号处理方法和装置，包括：获取所述半导体探测器阳极信号和阴极信号时间差与阳极信号幅度之间的关系；根据所述半导体探测器阳极信号和阴极信号时间差与阳极信号幅度之间的关系得到最佳数据筛选区间，所述最佳数据筛选区间为阳极信号和阴极信号时间差大于50ns的区间；在半导体探测器数据采集时，根据所述最佳数据筛选区间对所采集数据进行筛选和处理。本发明更好地克服了探测器晶体的固有缺陷，降低了本底噪声的影响，进一步地提高了碲锌镉探测器在室温下的能量分辨率，改善了峰康比。

Description

半导体探测器的信号处理方法及装置
技术领域
本发明涉及核辐射探测技术领域，尤其涉及半导体探测器的信号处理方法及装置。
背景技术
碲锌镉(CdZnTe)探测器是近年发展起来的一种性能优异的室温半导体辐射探测器。碲锌镉晶体具有电阻率高(约1011Ωcm)、原子序数大、禁带宽度大(禁带宽度从1.4eV～2.26eV连续变化)的特点，所以制成的探测器漏电流小，在室温下对X和γ射线的能量分辨率好，能量探测范围为10keV～4MeV，无极化现象，能够应用于天文、医学、工业、军事、安检等领域的各种探测器和谱仪。
相对于其它半导体，CdZnTe比高纯锗(HPGe)禁带宽、阻抗大、本征载流子浓度低，在其两端加上偏压后暗电流小，是一种能在室温下工作的半导体探测器。而相比于闪烁体探测器，CdZnTe探测器有着高的能量分辨率，分辨率大大优于碘化钠(NaI)探测器，且CdZnTe没有极化效应，探测信号直接转换，易与前端电子学结合。采用CdZnTe制造的核辐射探测器，体积小、便于携带、并可在室温下工作。
但是碲锌镉探测器因晶体中存在着一定的缺陷，影响着探测器的性能。从原理上CdZnTe晶体载流子的μτ值较低在10-5数量级，并且电子和空穴的迁移速率存在着较大的差别；晶体载流子的寿命较短，输运过程中电荷的俘获，尤其是空穴俘获严重。相对较小的空穴漂移速度使得探测器在测量射线能谱时，会产生较长的低能尾现象，对计数率及能谱的分辨率有一定的影响。从当前碲锌镉的制作上，CdZnTe晶体具有生长的尺寸较小，晶体不均匀，且存在结构缺陷的特点。这种晶体上的不一致性，会导致碲锌镉谱仪中能谱的分辨率降低，峰康比变小，影响低能元素谱峰的鉴别。
正是由于载流子的俘获、晶体的不均匀和缺陷导致CdZnTe探测器的输出信号不仅与沉积的能量有关，而且与射线作用的位置有关。造成能谱分辨率特性变差。目前，基于单极性电荷灵敏特性设计的CdZnTe探测器主要包括：平行弗里希栅型(Parallel Frisch Grid)、共面弗里希栅型(Coplanar Frisch Grid)、半球形(Hemisphere)、帽型(CAPture)、准半球型(Quasi-hemisphere)和小像素型(Pixelated)等。由于受制于晶体的限制，探测器的性能得不到进一步的提高。尤其是针对于室温下工作且具有高能量分辨率高探测效率的场加强型碲锌镉半导体探测器，现有技术仍然缺乏有效方法克服探测器晶体的固有缺陷，以进一步提高探测性能。
发明内容
(一)要解决的技术问题
本发明提供半导体探测器的信号处理方法及装置，以解决现有技术中无法克服探测器晶体的固有缺陷以提高探测性能的技术问题。
(二)技术方案
为解决上述技术问题，本发明提供一种半导体探测器的信号处理方法，包括：
获取所述半导体探测器阳极信号和阴极信号时间差与阳极信号幅度之间的关系；
根据所述半导体探测器阳极信号和阴极信号时间差与阳极信号幅度之间的关系得到最佳数据筛选区间，所述最佳数据筛选区间为阳极信号和阴极信号时间差大于50ns的区间；
在半导体探测器数据采集时，根据所述最佳数据筛选区间对所采集数据进行筛选和处理。
进一步地，
所述获取所述半导体探测器阳极信号和阴极信号时间差与阳极信号幅度之间的关系包括：根据半导体探测器采集的数据得到同一事件在阳极信号和阴极信号峰位的时间差，绘制多个信号的所述时间差与阳极信号幅度的二维图；
所述根据所述半导体探测器阳极信号和阴极信号时间差与阳极信号幅度之间的关系得到最佳数据筛选区间包括：对所述二维图进行分析，根据所述二维图分布趋势得到最佳数据筛选区间；
所述根据所述最佳数据筛选区间对所采集数据进行筛选和处理还包括：将阳极信号利用预设系数进行幅度归一。
本发明还提供一种半导体探测器的信号处理方法，包括：
获取所述半导体探测器阴极信号和阳极信号幅度比与阳极信号幅度之间的关系；
根据所述半导体探测器阴极信号和阳极信号幅度比与阳极信号幅度之间的关系得到最佳数据筛选区间，所述最佳数据筛选区间为阴极信号和阳极信号幅度比值大于1.1/K的区间，所述幅度比与所述探测器阴极电路与阳极电路之间的增益比K有关；
在半导体探测器数据采集时，根据所述最佳数据筛选区间对所采集数据进行筛选和处理。
进一步地，
所述获取所述半导体探测器阴极信号和阳极信号幅度比与阳极信号幅度之间的关系包括：根据半导体探测器采集的数据得到同一事件在阴极信号和阳极信号幅度以及它们的比值，绘制所述比值与阳极信号幅度的二维图；
根据所述半导体探测器阴极信号和阳极信号幅度比与阳极信号幅度之间的关系得到最佳数据筛选区间包括：对所述二维图进行分析，根据所述二维图分布趋势得到最佳数据筛选区间；
所述根据所述最佳数据筛选区间对所采集数据进行筛选和处理还包括：将阳极信号利用预设系数进行幅度归一。
本发明还提供一种半导体探测器的信号处理方法，包括：
获取场加强型半导体探测器场加强电极的信号分别与阴阳极信号的时间差和幅度比的值，以及与阳极信号幅度之间的关系；
根据所述场加强型半导体探测器场加强电极的信号分别与阴阳极信号的时间差和幅度比的值，以及与阳极信号幅度之间的关系得到最佳数据筛选区间；
在场加强型半导体探测器数据采集时，根据所述最佳数据筛选区间对所采集数据进行筛选和处理。
本发明还提供一种半导体探测器的信号处理方法，包括：
获取场加强型半导体探测器阳极信号和阴极信号时间差与阳极信号幅度之间的关系、阴极信号和阳极信号幅度比与阳极信号幅度之间的关系、场加强型半导体探测器场加强电极的信号分别与阴阳极信号的时间差和幅度比的值，以及与阳极信号幅度之间的关系中的至少两项数据；
根据所述场加强型半导体探测器阳极信号和阴极信号时间差与阳极信号幅度之间的关系、阴极信号和阳极信号幅度比与阳极信号幅度之间的关系、场加强型半导体探测器场加强电极的信号分别与阴阳极信号的时间差和幅度比的值，以及与阳极信号幅度之间的关系中的至少两项数据，得到最佳数据筛选区间；
在场加强型半导体探测器数据采集时，根据所述最佳数据筛选区间对所采集数据进行筛选和处理。
本发明提供一种半导体探测器的信号处理装置，包括：顺序相连的第一获取单元、第一区间单元和第一筛选单元，其中：
所述第一获取单元用于获取所述半导体探测器阳极信号和阴极信号时间差与阳极信号幅度之间的关系；
所述第一区间单元用于根据所述半导体探测器阳极信号和阴极信号时间差与阳极信号幅度之间的关系得到最佳数据筛选区间，所述最佳数据筛选区间为阳极信号和阴极信号时间差大于50ns的区间；
所述第一筛选单元用于在半导体探测器数据采集时，根据所述最佳数据筛选区间对所采集数据进行筛选和处理。
进一步地，
所述第一获取单元还用于：根据半导体探测器采集的数据得到同一事件在阳极信号和阴极信号峰位的时间差，绘制多个信号的所述时间差与阳极信号幅度的二维图；
所述第一区间单元还用于：对所述二维图进行分析，根据所述二维图分布趋势得到最佳数据筛选区间；
所述第一筛选单元还用于：将阳极信号利用预设系数进行幅度归一。
本发明还提供一种半导体探测器的信号处理装置，包括：顺序相连的第二获取单元、第二区间单元和第二筛选单元，其中：
所述第二获取单元用于获取所述半导体探测器阴极信号和阳极信号幅度比与阳极信号幅度之间的关系；
所述第二区间单元用于根据所述半导体探测器阴极信号和阳极信号幅度比与阳极信号幅度之间的关系得到最佳数据筛选区间，所述最佳数据筛选区间为阴极信号和阳极信号幅度比值大于1.1/K的区间，所述幅度比与所述探测器阴极电路与阳极电路之间的增益比K有关；
所述第二筛选单元用于在半导体探测器数据采集时，根据所述最佳数据筛选区间对所采集数据进行筛选和处理。
进一步地，
所述第二获取单元还用于：根据半导体探测器采集的数据得到同一事件在阴极信号和阳极信号幅度以及它们的比值，绘制所述比值与阳极信号幅度的二维图；
所述第二区间单元还用于：对所述二维图进行分析，根据所述二维图分布趋势得到最佳数据筛选区间；
所述第二筛选单元还用于：将阳极信号利用预设系数进行幅度归一。
本发明还提供一种半导体探测器的信号处理装置，包括：顺序相连的第三获取单元、第三区间单元和第三筛选单元，其中：
所述第三获取单元用于获取场加强型半导体探测器场加强电极的信号分别与阴阳极信号的时间差和幅度比的值，以及与阳极信号幅度之间的关系；
所述第三区间单元用于根据所述场加强型半导体探测器场加强电极的信号分别与阴阳极信号的时间差和幅度比的值，以及与阳极信号幅度之间的关系得到最佳数据筛选区间；
所述第三筛选单元用于在场加强型半导体探测器数据采集时，根据所述最佳数据筛选区间对所采集数据进行筛选和处理。
本发明还提供一种半导体探测器的信号处理装置，包括：顺序相连的第四获取单元、第四区间单元和第四筛选单元，其中：
所述第四获取单元用于获取场加强型半导体探测器阳极信号和阴极信号时间差与阳极信号幅度之间的关系、阴极信号和阳极信号幅度比与阳极信号幅度之间的关系、场加强型半导体探测器场加强电极的信号分别与阴阳极信号的时间差和幅度比的值，以及与阳极信号幅度之间的关系中的至少两项数据；
所述第四区间单元用于根据所述场加强型半导体探测器阳极信号和阴极信号时间差与阳极信号幅度之间的关系、阴极信号和阳极信号幅度比与阳极信号幅度之间的关系、场加强型半导体探测器场加强电极的信号分别与阴阳极信号的时间差和幅度比的值，以及与阳极信号之间的关系中的至少两项数据，得到最佳数据筛选区间；
所述第四筛选单元用于在场加强型半导体探测器数据采集时，根据所述最佳数据筛选区间对所采集数据进行筛选和处理。
(三)有益效果
可见，本发明利用场加强型碲锌镉探测器，通过分别读取阳极和阴极的信号，得到阳极和阴极信号的幅度和时间等信息，结合场加强信息等，根据晶体的特性，选择合适的符合方案，提高了探测系统的性能。本发明无需对碲锌镉晶体的读出电极进行复杂的改变，电极结构简便，可以在不增加硬件的基础上，通过算法和符合运算进行数据的筛选，符合方法简便，能够很好地应用在便携式谱仪中，提高探测器的分辨率等。另外，针对碲锌镉晶体的不均匀性和晶体内部场强的不一致性，本发明可以在探测器制成后，通过对符合参数的细微调节，就能够有效的提高单极性灵敏探测器的分辨率，因此具有可移植性和广泛应用的特点。
本发明把单重符合与多重符合相结合，寻找适用的准确符合方式，更好地克服了探测器晶体的固有缺陷，降低了本底噪声的影响，进一步地提高了碲锌镉探测器在室温下的能量分辨率，改善了峰康比。本发明同样能够应用到其它半导体探测器，如Ge、CdTe、HgI2、PbI2、TiBr、GaAs等其它具有类似于CdZnTe晶体问题的半导体，在提高探测分辨率的同时，提高其性能。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例一种半导体探测器的信号处理方法的基本流程示意图；
图2是本发明实施例一种半导体探测器的信号处理方法的基本流程示意图；
图3是本发明实施例一种半导体探测器的信号处理方法的基本流程示意图；
图4是本发明实施例一种半导体探测器的信号处理方法的基本流程示意图；
图5是本发明实施例1和实施例2中采用的场加强型线电极碲锌镉探测器的结构简图；
图6是本发明实施例1半导体探测器的信号处理方法的流程示意图；
图7是本发明实施例1中绘制的阳极信号和阴极信号峰位的时间差与阳极信号幅度之间的二维分布图；
图8是本发明实施例1中利用最佳数据区间进行数据筛选的结果示意图；
图9是本发明实施例1中进行阳极信号幅度归一后的分布示意图；
图10是本发明实施例1中阴阳极信号时间差筛选后的能谱对比图；
图11是本发明实施例2半导体探测器的信号处理方法的流程示意图；
图12是本发明实施例2中绘制的阴阳极信号幅度比与阳极信号幅度之间的二维分布图；
图13是本发明实施例2中利用最佳数据区间进行数据筛选的结果示意图；
图14是本发明实施例2中进行阳极信号幅度归一后的分布示意图；
图15是本发明实施例2中阴阳极信号幅度比筛选后的能谱对比图；
图16是本发明实施例3中半导体探测器的信号处理装置的结构示意图；
图17是本发明实施例4中半导体探测器的信号处理装置的结构示意图；
图18是本发明实施例5中半导体探测器的信号处理装置的结构示意图；
图19是本发明实施例6中半导体探测器的信号处理装置的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
半导体探测器的阴极和阳极信号的关系反应了射线在探测器中的作用位置和探测器本身的性能。通过对阴极和阳极信号进行分析，可以得到阴阳极信号符合的算法，从而提高探测器的效率。
本发明实施例首先提供一种半导体探测器的信号处理方法，参见图1，包括：
步骤101：获取所述半导体探测器阳极信号和阴极信号时间差与阳极信号幅度之间的关系；
步骤102：根据所述半导体探测器阳极信号和阴极信号时间差与阳极信号幅度之间的关系得到最佳数据筛选区间，所述最佳数据筛选区间为阳极信号和阴极信号时间差大于50ns的区间；
步骤103：在半导体探测器数据采集时，根据所述最佳数据筛选区间对所采集数据进行筛选和处理。
优选地，获取半导体探测器阳极信号和阴极信号时间差与阳极信号幅度之间的关系可以包括：根据半导体探测器采集的数据得到同一事件在阳极信号和阴极信号峰位的时间差，绘制多个信号的所述时间差与阳极信号幅度的二维图；
由于不同晶体结构和内部特性中，时间差与信号幅度的分布是不同的，因此根据半导体探测器阳极信号和阴极信号时间差与阳极信号幅度之间的关系得到最佳数据筛选区间可以包括：对二维图进行分析，根据二维图分布趋势得到最佳数据筛选区间。
优选地，根据最佳数据筛选区间对所采集数据进行筛选和处理还可以包括：将阳极信号利用预设系数进行幅度归一，归一的方法可以为乘以某一个系数。
本发明实施例还提供一种半导体探测器的信号处理方法，参见图2，包括：
步骤201：获取所述半导体探测器阴极信号和阳极信号幅度比与阳极信号幅度之间的关系。
步骤202：根据所述半导体探测器阴极信号和阳极信号幅度比与阳极信号幅度之间的关系得到最佳数据筛选区间，所述最佳数据筛选区间为阴极信号和阳极信号幅度比值大于1.1/K的区间，所述幅度比与所述探测器阴极电路与阳极电路之间的增益比K有关。
步骤203：在半导体探测器数据采集时，根据所述最佳数据筛选区间对所采集数据进行筛选和处理。
优选地，获取半导体探测器阴极信号和阳极信号幅度比与阳极信号幅度之间的关系可以包括：根据半导体探测器采集的数据得到同一事件在阴极信号和阳极信号的幅度以及它们的比值，绘制所述比值与阳极信号幅度的二维图；
由于不同晶体结构和内部特性中，幅度比与信号幅度的分布是不同的，因此根据半导体探测器阴极信号和阳极信号幅度比与阳极信号幅度之间的关系得到最佳数据筛选区间包括：对二维图进行分析，根据二维图分布趋势得到最佳数据筛选区间。
优选地，根据最佳数据筛选区间对所采集数据进行筛选和处理还可以包括：将阳极信号利用预设系数进行幅度归一，归一的方法可以为乘以某一个系数。
场加强结构的碲锌镉探测器中，侧壁上的多条场加强电极同样有信号输出，它也携带了粒子与探测器作用的时间、能量和位置信息，因此可以通过场加强电极的信号与探测器阴极和阳极信号进行对比和相关性分析，确定适合所选探测器的符合方式，对采集数据筛选，提高探测系统的效率，峰康比等性能。具体地，可以分别获取场加强型半导体探测器场加强电极的信号与阴极信号的时间差和幅度比的值与阳极信号幅度之间的关系，和场加强电极的信号与阳极信号的时间差和幅度比的值与阳极信号幅度之间的关系。因此，本发明实施例还提供一种半导体探测器的信号处理方法，参见图3，包括：
步骤301：获取场加强型半导体探测器场加强电极的信号分别与阴阳极信号的时间差和幅度比的值，以及与阳极信号幅度之间的关系；
步骤302：根据所述场加强型半导体探测器场加强电极的信号分别与阴阳极信号的时间差和幅度比的值，以及与阳极信号幅度之间的关系得到最佳数据筛选区间；
步骤303：在场加强型半导体探测器数据采集时，根据所述最佳数据筛选区间对所采集数据进行筛选和处理。
上述时间符合方法、幅度符合方法以及场加强电极信号的符合方法都有各自的特性，而多重符合方式就是结合时间符合、幅度符合和场加强符合方式的优点，选出最佳的多重数据筛选条件。本发明实施例还提供一种半导体探测器的信号处理方法，参见图4，包括：
步骤401：获取场加强型半导体探测器阳极信号和阴极信号时间差与阳极信号幅度之间的关系、阴极信号和阳极信号幅度比与阳极信号幅度之间的关系、场加强型半导体探测器场加强电极的信号分别与阴阳极信号的时间差和幅度比的值，以及与阳极信号幅度之间的关系中的至少两项数据；
步骤402：根据所述场加强型半导体探测器阳极信号和阴极信号时间差与阳极信号幅度之间的关系、阴极信号和阳极信号幅度比与阳极信号幅度之间的关系、场加强型半导体探测器场加强电极的信号分别与阴阳极信号的时间差和幅度比的值，以及与阳极信号幅度之间的关系中的至少两项数据，得到最佳数据筛选区间；
步骤403：在场加强型半导体探测器数据采集时，根据所述最佳数据筛选区间对所采集数据进行筛选和处理。
对于选取的符合方式，需要根据多个参数判断符合方式选取的是否合适，选取参数可以包括：峰计数率、峰康比、低能区的筛选比例、全能峰的分辨率。
实施例1：
本发明实施例1提供一种利用阳极信号与阴极信号时间差进行碲锌镉探测器信号处理的方法，能够利用空穴和电子漂移时间的不同，寻找阳极信号和阴极信号时间差值与阳极信号的关系，得到基于时间筛选的碲锌镉探测器的数据筛选方式，提高探测器的能量分辨率、峰康比等性能。其中阳极信号与阴极信号的时间差值与射线的作用位置相关、与晶体内部电场分布特性相关，利用时间差值对采集数据进行差选，可以选出适用于所选晶体的最佳工作模式，得到最好的能量分辨率。
在筛选区间的选取中，也会影响探测效率，为了达到谱仪的应用要求选择适当的数据筛选区间。本实施例采用662keV的γ射线，选用的碲锌镉晶体为立方体，大小为10×10×10mm3，侧面条状电极的数目为5，侧面电极宽度为1mm，间隔为1mm，结构简图参见图5，其阳极和阴极信号分别经过电荷灵敏放大、主放和滤波成形电路被数据采集卡采集。参见图6，具体步骤为：
步骤601：获取半导体探测器阳极信号和阴极信号时间差与阳极信号幅度之间的关系。
本步骤中，取1220V工作电压下的数据为例，首先可以根据半导体探测器采集的数据得到同一事件在阳极信号和阴极信号峰位的时间差，绘制多个信号的所述时间差与阳极信号幅度的二维图，见图7。
步骤602：根据半导体探测器阳极信号和阴极信号时间差与阳极信号幅度之间的关系得到最佳数据筛选区间。
本步骤中，通过观察图7可知，时间差在50ns以下的事例，主要为低能尾事例。在一个范围内筛选，可以不失一般性，因此，本发明实施例中，选择阳极信号和阴极信号时间差大于50ns的事例，得到的二维图，可以很好地把低能尾的部分去除，因此，最佳数据筛选区间为阳极信号和阴极信号时间差大于50ns的区间。
步骤603：在半导体探测器数据采集时，根据最佳数据筛选区间对所采集数据进行筛选和处理。
本步骤中，根据时间差大于50ns的最佳数据筛选区间对采集的数据进行筛选，得到图8，通过观察图8可知，阳极信号幅度随阳极信号和阴极信号时间差有变化，偏离了水平方向，因此可以进行阳极信号幅度归一，归一的方法可以为乘以某一个系数，例如归一到2960道，归一后的分布如图9，筛选后的能谱对比如图10。
步骤604：对所选择的最佳数据筛选区间进行校正。
本步骤中，可以根据所获取的结果对最佳数据筛选区间进行校正，以获得更好的技术效果。
本实施例经过大量的实验研究和对比分析，确定了基于阳极信号和阴极信号时间差的最佳筛选区间50ns，筛选后的结果见表1：
表1实施例1中阴阳极信号时间差的筛选结果
可见，经过本实施例中的阴阳极信号时间差的筛选和阳极信号幅度归一后，对全能峰能够有较大的保留，峰康比提高了1.41％和分辨率提高了1.40。对于场加强型线电极碲锌镉探测器，与非筛选相比本筛选区间较大地提高了探测器的能量分辨率、峰康比等性能。
实施例2：
本发明实施例2提供一种利用阳极和阴极信号幅度比值进行碲锌镉探测器信号处理的方法，信号幅度比值与探测器的晶体和电极结构有很大关系，也很大程度上与粒子在晶体中的作用位置有关。由于晶体内部结构的不一致，空穴的俘获不同，可以通过确定我们所用探测器的幅度比值区间对采集信号进行筛选，选出探测器的最佳工作模式。本实施例同样采用图5所示的碲锌镉晶体，具体步骤参见图11：
步骤1101：获取半导体探测器阴极信号和阳极信号幅度比与阳极信号幅度的关系。
本步骤中，取1220V工作电压下的数据为例，首先可以根据半导体探测器采集的数据得到同一事件在阴极信号和阳极信号的幅度以及它们的比值，绘制阴极信号和阳极信号幅度比与阳极信号幅度的二维图，见图12。
步骤1102：根据半导体探测器阴极信号和阳极信号幅度比与阳极信号幅度的关系得到最佳数据筛选区间，最佳数据筛选区间为阴极信号和阳极信号幅度比值大于1.1/K的区间，所述幅度比与所述探测器阴极电路与阳极电路之间的增益比K有关。
本步骤中，通过观察图12可知，幅度比在1.1以下的事例，主要为低能尾事例。在一个范围内筛选，可以不失一般性，因此，本发明实施例中，选择阴极信号和阳极信号幅度比值大于1.1/K的事例，得到的二维图，可以很好地把低能尾的部分去除，因此，最佳数据筛选区间为阴极信号和阳极信号幅度比值大于1.1/K的区间。其中，在本实施例1中，探测器阴极电路与阳极电路之间的增益比K的取值是3.95。另外，K的这一取值仅为本实施例1中的数值，本发明其他实施例中的K的取值并不限于此。
步骤1103：在半导体探测器数据采集时，根据最佳数据筛选区间对所采集数据进行筛选和处理。
本步骤中，根据幅度比值大于1.1/K的最佳数据筛选区间对采集的数据进行筛选，得到图13，通过观察图13可知，阳极信号幅度随阴阳极信号幅度比值有变化，偏离了水平方向，因此可以进行阳极信号幅度归一，归一的方法可以为乘以某一个系数，例如归一到2960道，归一后的分布如图14，筛选后的能谱对比如图15。
步骤1104：对所选择的最佳数据筛选区间进行校正。
本步骤中，可以根据所获取的结果对最佳数据筛选区间进行校正，以获得更好的技术效果。
本实施例通过大量的实验研究和对比分析，得到了基于阴极信号和阳极信号幅度比的最佳筛选区间，筛选后的结果见表2：
表2实施例2中阴阳极信号幅度比的筛选结果
可见，经过本实施例中的阴阳极信号幅度比的筛选和阳极信号幅度归一后，对全能峰能够有较大的保留，峰康比提高了93.2％和分辨率提高了1.23。对于场加强型线电极碲锌镉探测器，与非筛选相比本筛选区间较大的提高了探测器的能量分辨率、峰康比等性能。
实施例3：
本发明实施例3提供一种半导体探测器的信号处理装置，对应本发明实施例1，参见图16，包括：顺序相连的第一获取单元1601、第一区间单元1602和第一筛选单元1603，其中：
第一获取单元1601用于获取所述半导体探测器阳极信号和阴极信号时间差与阳极信号幅度之间的关系；
第一区间单元1602用于根据所述半导体探测器阳极信号和阴极信号时间差与阳极信号幅度之间的关系得到最佳数据筛选区间，所述最佳数据筛选区间为阳极信号和阴极信号时间差大于50ns的区间；
第一筛选单元1603用于在半导体探测器数据采集时，根据所述最佳数据筛选区间对所采集数据进行筛选和处理。
优选地，第一获取单元1601还可以用于：根据半导体探测器采集的数据得到同一事件在阳极信号和阴极信号峰位的时间差，绘制多个信号的所述时间差与阳极信号幅度的二维图；第一区间单元1602还可以用于：对二维图进行分析，根据所述二维图分布趋势得到最佳数据筛选区间；第一筛选单元1603还可以用于：将阳极信号利用预设系数进行幅度归一。
实施例4：
本发明实施例4提供一种半导体探测器的信号处理装置，对应本发明实施例2，参见图17，包括：顺序相连的第二获取单元1701、第二区间单元1702和第二筛选单元1703，其中：
第二获取单元1701用于获取所述半导体探测器阴极信号和阳极信号幅度比与阳极信号幅度之间的关系。
第二区间单元1702用于根据所述半导体探测器阴极信号和阳极信号幅度比与阳极信号幅度之间的关系得到最佳数据筛选区间，所述最佳数据筛选区间为阴极信号和阳极信号幅度比值大于1.1/K的区间，所述幅度比与所述探测器阴极电路与阳极电路之间的增益比K有关。
第二筛选单元1703用于在半导体探测器数据采集时，根据所述最佳数据筛选区间对所采集数据进行筛选和处理。
优选地，第二获取单元1701还可以用于：根据半导体探测器采集的数据得到同一事件在阴极信号和阳极信号的幅度以及它们的比值，绘制阴极信号和阳极信号幅度比与阳极信号幅度的二维图；第二区间单元1702还可以用于：对二维图进行分析，根据二维图分布趋势得到最佳数据筛选区间；第二筛选单元1703还可以用于：将阳极信号利用预设系数进行幅度归一。
实施例5：
本发明实施例5提供一种半导体探测器的信号处理装置，参见图18，包括：顺序相连的第三获取单元1801、第三区间单元1802和第三筛选单元1803，其中：
第三获取单元1801用于获取场加强型半导体探测器场加强电极的信号分别与阴阳极信号的时间差和幅度比的值，以及与阳极信号幅度之间的关系；
第三区间单元1802用于根据所述场加强型半导体探测器场加强电极的信号分别与阴阳极信号的时间差和幅度比的值，以及与阳极信号幅度之间的关系得到最佳数据筛选区间；
第三筛选单元1803用于在场加强型半导体探测器数据采集时，根据所述最佳数据筛选区间对所采集数据进行筛选和处理。
实施例6：
本发明实施例6提供一种半导体探测器的信号处理装置，参见图19，包括：顺序相连的第四获取单元1901、第四区间单元1902和第四筛选单元1903，其中：
第四获取单元1901用于获取场加强型半导体探测器阳极信号和阴极信号时间差与阳极信号幅度之间的关系、阴极信号和阳极信号幅度比与阳极信号幅度之间的关系、场加强型半导体探测器场加强电极的信号分别与阴阳极信号的时间差和幅度比的值，以及与阳极信号幅度之间的关系中的至少两项数据；
第四区间单元1902用于根据所述场加强型半导体探测器阳极信号和阴极信号时间差与阳极信号幅度之间的关系、阴极信号和阳极信号幅度比与阳极信号幅度之间的关系、场加强型半导体探测器场加强电极的信号分别与阴阳极信号的时间差和幅度比的值，以及与阳极信号幅度之间的关系中的至少两项数据，得到最佳数据筛选区间；
第四筛选单元1903用于在场加强型半导体探测器数据采集时，根据所述最佳数据筛选区间对所采集数据进行筛选和处理。
本发明实施例能够应用在半导体探测器、气体探测器等电荷读出的探测系统，可以根据粒子与物质的相互作用、探测器材料和电荷漂移等不同，通过阴极和阳极信号的特性进行数据筛选。
可见，本发明实施例至少具有如下有益效果：
本发明实施例利用场加强型碲锌镉探测器，通过分别读取阳极和阴极的信号，得到阳极和阴极信号的幅度和时间等信息，结合场加强信息等，根据晶体的特性，选择合适的符合方案，提高了探测系统的性能。本发明实施例无需对碲锌镉晶体的读出电极进行复杂的改变，电极结构简便，可以在不增加硬件的基础上，通过算法和符合运算进行数据的筛选，符合方法简便，能够很好地应用在便携式谱仪中，提高探测器的分辨率等。另外，针对碲锌镉晶体的不均匀性和晶体内部场强的不一致性，本发明实施例可以在探测器制成后，通过对符合参数的细微调节，就能够有效的提高单极性灵敏探测器的分辨率，因此具有可移植性和广泛应用的特点。
本发明实施例把单重符合与多重符合相结合，寻找适用的准确符合方式，更好地克服了探测器晶体的固有缺陷，降低了本底噪声的影响，进一步地提高了碲锌镉探测器在室温下的能量分辨率，改善了峰康比。本发明实施例同样能够应用到其它半导体探测器，如Ge、CdTe、HgI2、PbI2、TiBr、GaAs等其它具有类似于CdZnTe晶体问题的半导体，在提高探测分辨率的同时，提高其性能。
最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (12)

1.一种半导体探测器的信号处理方法，其特征在于，包括：
获取所述半导体探测器阳极信号和阴极信号时间差与阳极信号幅度之间的关系；
根据所述半导体探测器阳极信号和阴极信号时间差与阳极信号幅度之间的关系得到最佳数据筛选区间，所述最佳数据筛选区间为阳极信号和阴极信号时间差大于50ns的区间；
在半导体探测器数据采集时，根据所述最佳数据筛选区间对所采集数据进行筛选和处理。
2.根据权利要求1所述的半导体探测器的信号处理方法，其特征在于：
所述获取所述半导体探测器阳极信号和阴极信号时间差与阳极信号幅度之间的关系包括：根据半导体探测器采集的数据得到同一事件在阳极信号和阴极信号峰位的时间差，绘制多个信号的所述时间差与阳极信号幅度的二维图；
根据所述半导体探测器阳极信号和阴极信号时间差与阳极信号幅度之间的关系得到最佳数据筛选区间包括：对所述二维图进行分析，根据所述二维图分布趋势得到最佳数据筛选区间；
所述根据所述最佳数据筛选区间对所采集数据进行筛选和处理还包括：将阳极信号利用预设系数进行幅度归一。
3.一种半导体探测器的信号处理方法，其特征在于，包括：
获取所述半导体探测器阴极信号和阳极信号幅度比与阳极信号幅度之间的关系；
根据所述半导体探测器阴极信号和阳极信号幅度比与阳极信号幅度之间的关系得到最佳数据筛选区间，所述最佳数据筛选区间为阴极信号和阳极信号幅度比值大于1.1/K的区间，所述幅度比与所述探测器阴极电路与阳极电路之间的增益比K有关；
在半导体探测器数据采集时，根据所述最佳数据筛选区间对所采集数据进行筛选和处理。
4.根据权利要求3所述的半导体探测器的信号处理方法，其特征在于：
所述获取所述半导体探测器阴极信号和阳极信号幅度比与阳极信号幅度之间的关系包括：根据半导体探测器采集的数据得到同一事件在阳极信号和阴极信号的幅度以及它们的比值，绘制所述比值与阳极信号幅度的二维图；
根据所述半导体探测器阴极信号和阳极信号幅度比与阳极信号幅度之间的关系得到最佳数据筛选区间包括：对所述二维图进行分析，根据所述二维图分布趋势得到最佳数据筛选区间；
所述根据所述最佳数据筛选区间对所采集数据进行筛选和处理还包括：将阳极信号利用预设系数进行幅度归一。
5.一种半导体探测器的信号处理方法，其特征在于，包括：
获取场加强型半导体探测器场加强电极的信号分别与阴阳极信号的时间差和幅度比的值，以及与阳极信号幅度之间的关系；
根据所述场加强型半导体探测器场加强电极的信号分别与阴阳极信号的时间差和幅度比的值，以及与阳极信号幅度之间的关系得到最佳数据筛选区间；
在场加强型半导体探测器数据采集时，根据所述最佳数据筛选区间对所采集数据进行筛选和处理。
6.一种半导体探测器的信号处理方法，其特征在于，包括：
获取场加强型半导体探测器阳极信号和阴极信号时间差与阳极信号幅度之间的关系、阴极信号和阳极信号幅度比与阳极信号幅度之间的关系、场加强型半导体探测器场加强电极的信号分别与阴阳极信号的时间差和幅度比的值，以及与阳极信号幅度之间的关系中的至少两项数据；
根据所述场加强型半导体探测器阳极信号和阴极信号时间差与阳极信号幅度之间的关系、阴极信号和阳极信号幅度比与阳极信号幅度之间的关系、场加强型半导体探测器场加强电极的信号分别与阴阳极信号的时间差和幅度比的值，以及与阳极信号幅度之间的关系中的至少两项数据，得到最佳数据筛选区间；
在场加强型半导体探测器数据采集时，根据所述最佳数据筛选区间对所采集数据进行筛选和处理。
7.一种半导体探测器的信号处理装置，其特征在于，包括：顺序相连的第一获取单元、第一区间单元和第一筛选单元，其中：
所述第一获取单元用于获取所述半导体探测器阳极信号和阴极信号时间差与阳极信号幅度之间的关系；
所述第一区间单元用于根据所述半导体探测器阳极信号和阴极信号时间差与阳极信号幅度之间的关系得到最佳数据筛选区间，所述最佳数据筛选区间为阳极信号和阴极信号时间差大于50ns的区间；
所述第一筛选单元用于在半导体探测器数据采集时，根据所述最佳数据筛选区间对所采集数据进行筛选和处理。
8.根据权利要求7所述的半导体探测器的信号处理装置，其特征在于：
所述第一获取单元还用于：根据半导体探测器采集的数据得到同一事件在阳极信号和阴极信号峰位的时间差，绘制多个信号的所述时间差与阳极信号幅度的二维图；
所述第一区间单元还用于：对所述二维图进行分析，根据所述二维图分布趋势得到最佳数据筛选区间；
所述第一筛选单元还用于：将阳极信号利用预设系数进行幅度归一。
9.一种半导体探测器的信号处理装置，其特征在于，包括：顺序相连的第二获取单元、第二区间单元和第二筛选单元，其中：
所述第二获取单元用于获取所述半导体探测器阴极信号和阳极信号幅度比与阳极信号幅度之间的关系；
所述第二区间单元用于根据所述半导体探测器阴极信号和阳极信号幅度比与阳极信号幅度之间的关系得到最佳数据筛选区间，所述最佳数据筛选区间为阴极信号和阳极信号幅度比值大于1.1/K的区间，所述幅度比与所述探测器阴极电路与阳极电路之间的增益比K有关；
所述第二筛选单元用于在半导体探测器数据采集时，根据所述最佳数据筛选区间对所采集数据进行筛选和处理。
10.根据权利要求9所述的半导体探测器的信号处理装置，其特征在于：
所述第二获取单元还用于：根据半导体探测器采集的数据得到同一事件在阳极信号和阴极信号的幅度以及它们的比值，绘制所述比值与阳极信号幅度的二维图；
所述第二区间单元还用于：对所述二维图进行分析，根据所述二维图分布趋势得到最佳数据筛选区间；
所述第二筛选单元还用于：将阳极信号利用预设系数进行幅度归一。
11.一种半导体探测器的信号处理装置，其特征在于，包括：顺序相连的第三获取单元、第三区间单元和第三筛选单元，其中：
所述第三获取单元用于获取场加强型半导体探测器场加强电极的信号分别与阴阳极信号的时间差和幅度比的值，以及与阳极信号幅度之间的关系；
所述第三区间单元用于根据所述场加强型半导体探测器场加强电极的信号分别与阴阳极信号的时间差和幅度比的值，以及与阳极信号幅度之间的关系得到最佳数据筛选区间；
所述第三筛选单元用于在场加强型半导体探测器数据采集时，根据所述最佳数据筛选区间对所采集数据进行筛选和处理。
12.一种半导体探测器的信号处理装置，其特征在于，包括：顺序相连的第四获取单元、第四区间单元和第四筛选单元，其中：
所述第四获取单元用于获取场加强型半导体探测器阳极信号和阴极信号时间差与阳极信号幅度之间的关系、阴极信号和阳极信号幅度比与阳极信号幅度之间的关系、场加强型半导体探测器场加强电极的信号分别与阴阳极信号的时间差和幅度比的值，以及与阳极信号幅度之间的关系中的至少两项数据；
所述第四区间单元用于根据所述场加强型半导体探测器阳极信号和阴极信号时间差与阳极信号幅度之间的关系、阴极信号和阳极信号幅度比与阳极信号幅度之间的关系、场加强型半导体探测器场加强电极的信号分别与阴阳极信号的时间差和幅度比的值，以及与阳极信号之间的关系中的至少两项数据，得到最佳数据筛选区间；
所述第四筛选单元用于在场加强型半导体探测器数据采集时，根据所述最佳数据筛选区间对所采集数据进行筛选和处理。
CN201410336256.XA 2014-07-15 2014-07-15 半导体探测器的信号处理方法及装置 Pending CN104111470A (zh)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410336256.XA CN104111470A (zh) 2014-07-15 2014-07-15 半导体探测器的信号处理方法及装置
US14/800,635 US9835739B2 (en) 2014-07-15 2015-07-15 Method and apparatus for processing signals of semiconductor detector
EP15176890.0A EP2975431A3 (en) 2014-07-15 2015-07-15 Method and apparatus for processing signals of semiconductor detector
CN201510417228.5A CN105242300B (zh) 2014-07-15 2015-07-15 半导体探测器的信号处理方法及装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410336256.XA CN104111470A (zh) 2014-07-15 2014-07-15 半导体探测器的信号处理方法及装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN104111470A true CN104111470A (zh) 2014-10-22

Family

ID=51708325

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410336256.XA Pending CN104111470A (zh) 2014-07-15 2014-07-15 半导体探测器的信号处理方法及装置
CN201510417228.5A Active CN105242300B (zh) 2014-07-15 2015-07-15 半导体探测器的信号处理方法及装置

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510417228.5A Active CN105242300B (zh) 2014-07-15 2015-07-15 半导体探测器的信号处理方法及装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9835739B2 (zh)
EP (1) EP2975431A3 (zh)
CN (2) CN104111470A (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104793232A (zh) * 2015-04-29 2015-07-22 陕西迪泰克新材料有限公司 探测系统及探测方法
CN106249269A (zh) * 2016-08-31 2016-12-21 同方威视技术股份有限公司 半导体探测器
CN113113508A (zh) * 2021-03-17 2021-07-13 西北工业大学 条形电极结构的电流型CdZnTe探测器及其制备方法

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9618633B2 (en) * 2015-04-21 2017-04-11 Toshiba Medical Systems Corporation Side-electrodes for a Faraday cage on a photon-counting detector array
CN107064990B (zh) * 2016-10-27 2019-07-19 南京航空航天大学 一种小型闪烁体探测器的信号处理方法和装置
CN110854242B (zh) * 2019-12-18 2024-03-19 中国原子能科学研究院 辐射探测探头及其制备方法、辐射探测芯片
CN113376680B (zh) * 2020-03-09 2024-03-12 清华大学 用于半导体探测器的读出电路和方法以及半导体探测系统
CN117110343B (zh) * 2023-10-23 2024-03-29 中国科学技术大学 元素分布探测装置、标定测试方法及元素分布探测方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6175120B1 (en) * 1998-05-08 2001-01-16 The Regents Of The University Of Michigan High-resolution ionization detector and array of such detectors
JP3863872B2 (ja) * 2003-09-30 2006-12-27 株式会社日立製作所 陽電子放出型断層撮影装置
EP1548465A1 (en) * 2003-12-26 2005-06-29 Riken Gamma-ray detector and gamma-ray image pick-up apparatus
US8063380B2 (en) * 2004-09-30 2011-11-22 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Semiconductor crystal high resolution imager
FR2887994B1 (fr) * 2005-07-01 2008-05-16 Commissariat Energie Atomique Procede pour optimiser les performances d'un detecteur a semi-conducteur
US8067744B2 (en) * 2005-07-06 2011-11-29 Ge Healthcare Israel Method and apparatus of detecting ionizing radiation
CN1769876B (zh) * 2005-10-28 2010-05-05 清华大学 大动态范围能谱的能量稳定接收方法与其装置
JP4486623B2 (ja) * 2006-08-11 2010-06-23 独立行政法人理化学研究所 コンプトン撮像カメラ
US8063378B2 (en) * 2007-03-30 2011-11-22 Brookhaven Science Associates, Llc High-energy detector
US7741610B2 (en) 2007-11-01 2010-06-22 Oy Ajat Ltd. CdTe/CdZnTe radiation imaging detector and high/biasing voltage means
US8269180B2 (en) * 2008-08-27 2012-09-18 Brookhaven Science Associates, Llc Method and apparatus for the measurement of signals from radiation sensors
US20100078558A1 (en) 2008-09-26 2010-04-01 Michael Prokesch Infra-red light stimulated cdZnTe spectroscopic semiconductor x-ray and gamma-ray radiation detector
WO2011049832A2 (en) * 2009-10-19 2011-04-28 Brookhaven Science Associates, Llc 3d-trench electrode detectors
CA2797344A1 (en) * 2010-05-03 2011-11-10 Brookhaven Science Associates, Llc Array of virtual frisch-grid detectors with common cathode and reduced length of shielding electrodes
US9134439B2 (en) * 2010-05-03 2015-09-15 Brookhaven Science Associates, Llc Array of virtual Frisch-grid detectors with common cathode and reduced length of shielding electrodes
WO2013006453A1 (en) * 2011-07-01 2013-01-10 Brookhaven Science Associates, Llc Radiation detector device for rejecting and excluding incomplete charge collection events
US20130134317A1 (en) * 2011-11-25 2013-05-30 Albert-Ludwigs-Universitaet Freiburg Detector and method for detecting ionizing radiation

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104793232A (zh) * 2015-04-29 2015-07-22 陕西迪泰克新材料有限公司 探测系统及探测方法
CN104793232B (zh) * 2015-04-29 2018-10-23 陕西迪泰克新材料有限公司 探测系统及探测方法
CN106249269A (zh) * 2016-08-31 2016-12-21 同方威视技术股份有限公司 半导体探测器
CN113113508A (zh) * 2021-03-17 2021-07-13 西北工业大学 条形电极结构的电流型CdZnTe探测器及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN105242300B (zh) 2019-01-11
EP2975431A3 (en) 2016-04-20
US9835739B2 (en) 2017-12-05
EP2975431A2 (en) 2016-01-20
CN105242300A (zh) 2016-01-13
US20160018537A1 (en) 2016-01-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104111470A (zh) 半导体探测器的信号处理方法及装置
EP3014301B1 (en) Semiconductor scintillation detector
CN104285164B (zh) 数字x射线传感器
EP3290956B1 (en) Semiconductor detector
US9287433B2 (en) Radiation detector
CN104662444A (zh) 直接转换光子计数探测器
CN104921742A (zh) X射线摄影装置
US6043495A (en) Ionizing radiation detection apparatus using high-resistivity semiconductor
Bolotnikov et al. Rejecting incomplete charge-collection events in CdZnTe and other semiconductor detectors
CN103913763A (zh) 辐射探测器及辐射探测装置
WO2008024088A2 (en) Wafer bonded silicon radiation detectors
US20080258072A1 (en) Detector for Ionizing Radiation
Chaudhuri et al. Biparametric analyses of charge trapping in Cd0. 9Zn0. 1Te based virtual Frisch grid detectors
EP3320375B1 (en) Direct conversion radiation detector
EP2796897B1 (en) Semiconductor detector
Owens et al. Single carrier sensing techniques in compound semiconductor detectors
Zhang et al. Performance of 3-D position sensitive CdZnTe detectors for gamma-ray energies above 1 MeV
CN203037860U (zh) 辐射探测器及辐射探测装置
Kim et al. Investigation of the energy resolution and charge collection efficiency of Cd (Zn) Te detectors with three electrodes
Gros et al. Performance tests of large area position-sensitive planar germanium detectors with conventional and amorphous contacts
Streicher et al. CdZnTe gamma-ray spectroscopy in high flux environments using digital pulse processing techniques
Servoli et al. Use of standard CMOS pixel imagers as ionizing radiation detectors
Shen et al. Establishment of CZT pixellated radiation detection system and pulse-height correction
Leak Techniques for Pixelated Ambipolar-Sensitive Semiconductor Gamma-Ray Spectrometers
Zhu et al. Performance improvement of 3-D position-sensitive pixellated HgI 2 detectors when cooled from room temperature to 10° C

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20141022