JPH0336744A - 放射線検出器の実装方法 - Google Patents
放射線検出器の実装方法Info
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- JPH0336744A JPH0336744A JP1172240A JP17224089A JPH0336744A JP H0336744 A JPH0336744 A JP H0336744A JP 1172240 A JP1172240 A JP 1172240A JP 17224089 A JP17224089 A JP 17224089A JP H0336744 A JPH0336744 A JP H0336744A
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Landscapes
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- Light Receiving Elements (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は放射線検出器 医療用放射線診断装置工業用非
破壊検査装置等に用いられる放射線検出器の実装方法に
関するものであも 従来の技術 半導体放射線検出器は従来の気体検出器に比べ放射線の
吸収係数が大きいことから微小な体積でも高感度であり
、また半導体結晶に入射した放射線の光子が直接電荷に
変換され電気信号として出力されるの玄 シンチレーシ
ョン検出器のように光電変換系を別途設けて検出器を構
成する必要がなく検出器サイズ小さく抑えられる事か板
様々な用途への応用が注目されている。
破壊検査装置等に用いられる放射線検出器の実装方法に
関するものであも 従来の技術 半導体放射線検出器は従来の気体検出器に比べ放射線の
吸収係数が大きいことから微小な体積でも高感度であり
、また半導体結晶に入射した放射線の光子が直接電荷に
変換され電気信号として出力されるの玄 シンチレーシ
ョン検出器のように光電変換系を別途設けて検出器を構
成する必要がなく検出器サイズ小さく抑えられる事か板
様々な用途への応用が注目されている。
中でＬ 多チヤンネル型の放射線検出器への応用におい
ては高感度であることから単位検出素子のサイズが小さ
くでき、従来の検出器にないような高い空間分解能が実
現可能であａ このような多チヤンネル型の検出器の実用化にあたって
重要なポイントの一つ（よ 放射線の入射により各単位
検出素子で発生した信号電荷を外部回路系へ取り出す為
の配線である。特に検出器の空間分解能を高めるほど単
位検出素子のサイズが小さくなり素子密度が高まも 配
線密度も必然的に高まも このような高密度配線を行う手段としてワイヤレスボン
ディングがあも ワイヤレスボンディングはバンプや半田等を用いて素子
に設けられた電極と外部回路系へ配線する為のリードの
接続を行う方法であも 発明が解決しようとする課題 ところがバンプは例えばＡｕやＰｂ／Ｓｎ等の金属から
構成されていも また半田もＰｂ／ＳｎやＩｎ等の金属
から構成されていも また導電性接着剤もＡｇ、 Ｐｄ
、 Ａｕ、Ｃｕ等の金属粒子が樹脂中に分散されている
。これらの金属は放射線吸収率が高いので、放射線の入
射方向にバンプや半田や導電性接着剤が存在すると、こ
れらにより放射線が減衰され検出器の感度低下の原因と
なる。
ては高感度であることから単位検出素子のサイズが小さ
くでき、従来の検出器にないような高い空間分解能が実
現可能であａ このような多チヤンネル型の検出器の実用化にあたって
重要なポイントの一つ（よ 放射線の入射により各単位
検出素子で発生した信号電荷を外部回路系へ取り出す為
の配線である。特に検出器の空間分解能を高めるほど単
位検出素子のサイズが小さくなり素子密度が高まも 配
線密度も必然的に高まも このような高密度配線を行う手段としてワイヤレスボン
ディングがあも ワイヤレスボンディングはバンプや半田等を用いて素子
に設けられた電極と外部回路系へ配線する為のリードの
接続を行う方法であも 発明が解決しようとする課題 ところがバンプは例えばＡｕやＰｂ／Ｓｎ等の金属から
構成されていも また半田もＰｂ／ＳｎやＩｎ等の金属
から構成されていも また導電性接着剤もＡｇ、 Ｐｄ
、 Ａｕ、Ｃｕ等の金属粒子が樹脂中に分散されている
。これらの金属は放射線吸収率が高いので、放射線の入
射方向にバンプや半田や導電性接着剤が存在すると、こ
れらにより放射線が減衰され検出器の感度低下の原因と
なる。
さらに 放射線のエネルギーによりこれらの金属による
減衰率が異なるので、エネルギー分解能の低下原因とも
なりうも 多チヤンネル型の検出器における空間分解能の向上には
単位検出素子のサイズを微小化し素子密度を高める必要
があん ところ力文 バンプ東 半田や、導電性接着剤
による放射線減衰の影響は単位検出素子のサイズが小さ
くなるほど素子体積にしめるこれらの割合が増加するの
で、相対的に大きくなる。
減衰率が異なるので、エネルギー分解能の低下原因とも
なりうも 多チヤンネル型の検出器における空間分解能の向上には
単位検出素子のサイズを微小化し素子密度を高める必要
があん ところ力文 バンプ東 半田や、導電性接着剤
による放射線減衰の影響は単位検出素子のサイズが小さ
くなるほど素子体積にしめるこれらの割合が増加するの
で、相対的に大きくなる。
さらにバンプ類 半田や、導電性接着剤の厚さのが単位
検出素子毎に異なると、放射線の減衰量も素子毎に異な
り、その結果 単位検出素子間の感度ばらつきが現れる
。
検出素子毎に異なると、放射線の減衰量も素子毎に異な
り、その結果 単位検出素子間の感度ばらつきが現れる
。
本発明Ｉｔ このような従来技術の課題を解決するこ
とを目的とすも 課題を解決するための手段 本発明は半導体結晶に複数個の分割電極と共通電極を設
けた放射線検出器を、分割電極が設けられた面でボンデ
ィングパットが設けられた基板に接続固定すも または
フィルムリードを介して基板に固定するものであも 作用 本発明によれば高密度リード配線が必要な分割電極が放
射線入射方向の反対側に位置するので、バンプ、半與
導電性接着剤等が放射線入射面に位置することはなく、
これらによる放射線の減衰が防がし惑嵐 エネルギー
分解能が優れた放射線検出器が提供されも また 接続
部におけるバンズ 半與 導電性接着剤等の厚みのばら
つきが単位検出素子間の感度ばらつきの要因となるのが
防がａＳ度のそろった多チヤンネル型の放射線検出器が
提供されも 実施例 以下に 本発明の実施例について図面を参照しながら説
明すも （実施例１） 第１図は本発明の放射線検出器の実装方法の一実施例を
示す斜視図であも 第１図において１はｐ型ＣｄＴｅ結
晶 ２は分割電極 ３は共通電極 ４は基板 ５．６は
バンプ、７、８は配風 ９は前置増幅法 １０は高圧回
路であも ｐ形ＣｄＴｅ結晶１の片方の面に一次元に配列した複数
個の分割電極２と分割電極２の配列軸方向に平行に共通
電極３が設けられていも 分割電極２、共通電極３とも
ＣｄＴｅと接合する電極材料はｐｔで、さらにｐｔ上に
Ａ１が積層されてあん 分割電極２は互いに電気的に独
立しており、電気力線は各分割電極２ごとに分割されて
いも その結果半導体放射線検出器を複数個配列したに
相当する多チヤンネル形の検出器が構成されていも 一太 基板４にはボンディングパット上にバンプ５と
６が設けられている。バンプ５の配列ピッチはＣｄＴｅ
１に設けた分割電極２のピッチに相当すん バンプ材
料はＡｕであり、厚さは３０μｍであも バンプ５から
前置増幅器９と接続するための配線７力文 バンプ６か
ら高圧回路１０と接続するための配線が基板４上に設け
られている。
とを目的とすも 課題を解決するための手段 本発明は半導体結晶に複数個の分割電極と共通電極を設
けた放射線検出器を、分割電極が設けられた面でボンデ
ィングパットが設けられた基板に接続固定すも または
フィルムリードを介して基板に固定するものであも 作用 本発明によれば高密度リード配線が必要な分割電極が放
射線入射方向の反対側に位置するので、バンプ、半與
導電性接着剤等が放射線入射面に位置することはなく、
これらによる放射線の減衰が防がし惑嵐 エネルギー
分解能が優れた放射線検出器が提供されも また 接続
部におけるバンズ 半與 導電性接着剤等の厚みのばら
つきが単位検出素子間の感度ばらつきの要因となるのが
防がａＳ度のそろった多チヤンネル型の放射線検出器が
提供されも 実施例 以下に 本発明の実施例について図面を参照しながら説
明すも （実施例１） 第１図は本発明の放射線検出器の実装方法の一実施例を
示す斜視図であも 第１図において１はｐ型ＣｄＴｅ結
晶 ２は分割電極 ３は共通電極 ４は基板 ５．６は
バンプ、７、８は配風 ９は前置増幅法 １０は高圧回
路であも ｐ形ＣｄＴｅ結晶１の片方の面に一次元に配列した複数
個の分割電極２と分割電極２の配列軸方向に平行に共通
電極３が設けられていも 分割電極２、共通電極３とも
ＣｄＴｅと接合する電極材料はｐｔで、さらにｐｔ上に
Ａ１が積層されてあん 分割電極２は互いに電気的に独
立しており、電気力線は各分割電極２ごとに分割されて
いも その結果半導体放射線検出器を複数個配列したに
相当する多チヤンネル形の検出器が構成されていも 一太 基板４にはボンディングパット上にバンプ５と
６が設けられている。バンプ５の配列ピッチはＣｄＴｅ
１に設けた分割電極２のピッチに相当すん バンプ材
料はＡｕであり、厚さは３０μｍであも バンプ５から
前置増幅器９と接続するための配線７力文 バンプ６か
ら高圧回路１０と接続するための配線が基板４上に設け
られている。
ＣｄＴｅ結晶１に設けた分割電極２と基板上のバンプ５
を、共通電極３と基板上のバンプ６を接肱熱圧着すも
この結果ＣｄＴｅ １に設けられた分割電極２と前置増
幅器９カ交 高圧回路１０とＣｄＴｅ ｌに設けられた
共通電極３が電気的に接続されも これは多チヤンネル
形の放射線検出器の各単位検出素子にリード接続したに
相当する。
を、共通電極３と基板上のバンプ６を接肱熱圧着すも
この結果ＣｄＴｅ １に設けられた分割電極２と前置増
幅器９カ交 高圧回路１０とＣｄＴｅ ｌに設けられた
共通電極３が電気的に接続されも これは多チヤンネル
形の放射線検出器の各単位検出素子にリード接続したに
相当する。
本構成で４１ ＣｄＴｅ結晶１の電極側に対向する面
を放射線入射側とでき、ＡｕバンプがＣｄＴｅ結晶ｌの
放射線入射側に位置することはなく、放射線の減衰やエ
ネルギー分解能の低下、バンプの厚さのばらつきによる
単位検出素子間の感度ばらつき等のバンプの悪影響が回
避される。
を放射線入射側とでき、ＡｕバンプがＣｄＴｅ結晶ｌの
放射線入射側に位置することはなく、放射線の減衰やエ
ネルギー分解能の低下、バンプの厚さのばらつきによる
単位検出素子間の感度ばらつき等のバンプの悪影響が回
避される。
以上述べた実施例はｐ型ＣｄＴｅ １
に等価なｐｔ電極を
設けた均質型の半導体放射線検出器について説明し九
これは一実施例あって、均質型の半導体放射線検出器に
限らず、表面障壁ａ ｐｎ接合塁ＭＩＳ型等の全ての
タイプの半導体放射線検出器においても適用される。従
って電極材料のＰｔに限ったものではなく、また半導体
結晶にはそれぞれのタイプの検出器を構成するために必
要な不純物拡散酸化等の処理が行われていてもよ（ち
また 半導体結晶もｐ型ＣｄＴｅに限ったものでなく、
Ｇ５Ａｓ、 Ｈｇｈ、 ＣｄＳ、 Ｃｄ５Ｓｅ、 Ｓｉ
、 Ｇｅ等の半導体放射線検出器と成りうる半導体結晶
に全て適用される。またバンプ材料はＡｕに限ったもの
ではなく Ｐｂ／Ｓｎなどの他のバンブ材料であって良
へ また バンブの厚さも３０μｍに限ったものではなし）
。
これは一実施例あって、均質型の半導体放射線検出器に
限らず、表面障壁ａ ｐｎ接合塁ＭＩＳ型等の全ての
タイプの半導体放射線検出器においても適用される。従
って電極材料のＰｔに限ったものではなく、また半導体
結晶にはそれぞれのタイプの検出器を構成するために必
要な不純物拡散酸化等の処理が行われていてもよ（ち
また 半導体結晶もｐ型ＣｄＴｅに限ったものでなく、
Ｇ５Ａｓ、 Ｈｇｈ、 ＣｄＳ、 Ｃｄ５Ｓｅ、 Ｓｉ
、 Ｇｅ等の半導体放射線検出器と成りうる半導体結晶
に全て適用される。またバンプ材料はＡｕに限ったもの
ではなく Ｐｂ／Ｓｎなどの他のバンブ材料であって良
へ また バンブの厚さも３０μｍに限ったものではなし）
。
また 本実施例では基板４側にバンブを設けた力交 分
割電極２および共通電極３にバンブを設けても良（１ また バンプ接続法として熱圧着を用いて説明したが紫
外線硬化樹脂を用いた圧着法等でも良（１（実施例２） 第２図は請求項３に記載の放射線検出器の実装方法を示
す断面図である。第２図において１１．１２はボンディ
ングパット、 １３、１４は導電性接着剤であも 他の
符号については実施例１と同様の符号を用いている。
割電極２および共通電極３にバンブを設けても良（１ また バンプ接続法として熱圧着を用いて説明したが紫
外線硬化樹脂を用いた圧着法等でも良（１（実施例２） 第２図は請求項３に記載の放射線検出器の実装方法を示
す断面図である。第２図において１１．１２はボンディ
ングパット、 １３、１４は導電性接着剤であも 他の
符号については実施例１と同様の符号を用いている。
以下、第２図を用いて実施例を説明すもｐ形ＣｄＴｅ結
晶ｌの片方の面に一次元に配列した複数個の分割電極２
と分割電極２の配列軸方向に平行に共通電極３が設けら
れていも 分割電極２、共通電極３ともＣｄＴｅと接合
する電極材料はｐｔである。分割電極２は互いに電気的
に独立しており、電気力線は各分割電極２ごとに分割さ
れていもその結果半導体放射線検出器を複数個配列した
に相当する多チヤンネル形の検出器が構成されていも −Ｘ 基板４にはボンディングパット１１１１２が設
けられていも ボンディングパット１１の配列ピッチは
ＣｄＴｅ １に設けた分割電極２のピッチに相当すヘ
ボンディングパット１１から前置増幅器９と接続するた
めの配線７１Ｊ＜、ボンディングパット１２から高圧回
路１０と接続するための配線が基板４上に設けられてい
る。
晶ｌの片方の面に一次元に配列した複数個の分割電極２
と分割電極２の配列軸方向に平行に共通電極３が設けら
れていも 分割電極２、共通電極３ともＣｄＴｅと接合
する電極材料はｐｔである。分割電極２は互いに電気的
に独立しており、電気力線は各分割電極２ごとに分割さ
れていもその結果半導体放射線検出器を複数個配列した
に相当する多チヤンネル形の検出器が構成されていも −Ｘ 基板４にはボンディングパット１１１１２が設
けられていも ボンディングパット１１の配列ピッチは
ＣｄＴｅ １に設けた分割電極２のピッチに相当すヘ
ボンディングパット１１から前置増幅器９と接続するた
めの配線７１Ｊ＜、ボンディングパット１２から高圧回
路１０と接続するための配線が基板４上に設けられてい
る。
基板のボンディングパット１１及び１２上にデイスペン
サーを用いて導電性接着剤１３、１４を適当量塗布する
。導電性接着剤は例えば銀ペーストであも 次いでＣｄ
Ｔｅ １を分割電極２が基板のボンディングパット１１
と、共通電極３が基板のボンディングパット１２と各々
接触するように接着し固定する。
サーを用いて導電性接着剤１３、１４を適当量塗布する
。導電性接着剤は例えば銀ペーストであも 次いでＣｄ
Ｔｅ １を分割電極２が基板のボンディングパット１１
と、共通電極３が基板のボンディングパット１２と各々
接触するように接着し固定する。
この結果ＣｄＴｅ １に設けられた分割電極２と前置増
幅器９力丈 高圧回路１０とＣｄＴｅ １に設けられた
共通電極３が電気的に接続されも これは多チヤンネル
形の放射線検出器の各単位検出素子にリード接続したに
相当すん 本槽底でｌ＆ ＣｄＴｅ結晶１の電極側に対向する面
を放射線入射側とでき、導電性接着剤１３、１４がＣｄ
Ｔｅ結晶ｌの放射線入射側に位置することはなく、放射
線の減衰やエネルギー分解能の低下、接着剤の厚さのば
らつきによる単位検出素子間の感度ばらつき等の導電子
接着剤の悪影響が回避されも 以上述べた実施例はｐ型ＣｄＴｅ １に等価なｐｔ電極
を設けた均質型の半導体放射線検出器について説明し１
． これは一実施例あって、均質型の半導体放射線検
出器に限らず、表面障壁”Ａ ｐｎ接合ｕ ＭＩＳ
型等の全てのタイプの半導体放射線検出器においても適
用されも 従って電極材料のｐｔに限ったものではなく
、また半導体結晶にはそれぞれのタイプの検出器を構成
するために必要な不純物拡散、酸化等の処理が行われて
いてもよしも また 半導体結晶もｐ型ＣｄＴｅに限っ
たものでなく、Ｇ５Ａｓ、 Ｈｇｈ、 ＣｄＳ、 Ｃｄ
５Ｓｅ、 Ｓｉ、 Ｇｅ等の半導体放射線検出器と成り
うる半導体結晶に全て適用される。また 導電性接着剤
１３、１４も銀ペーストに限ったものではなく、銅ペー
スト、金ペースト、カーボンペースト等の他の導電性接
着剤であっても良（１また 本実施例では基板４のボン
ディングパットｌｌ、１２に導電性接着剤を塗布した力
＜、 ＣｄＴｅ結晶ｌの分割電極２および共通電極３
に塗布しても良し〜 （実施例３〉 請求項４に記載の放射線検出器の実装方法の一実施例を
第２図を用いて説明する。本実施例は実施例２の導電性
接着剤１３、１４の代わりに半田を用いて、ＣｄＴｅ結
晶１を分割電極２がボンディングパット１１と共通電極
３がボンディングパット１２と接続されるように融着固
定したものである。
幅器９力丈 高圧回路１０とＣｄＴｅ １に設けられた
共通電極３が電気的に接続されも これは多チヤンネル
形の放射線検出器の各単位検出素子にリード接続したに
相当すん 本槽底でｌ＆ ＣｄＴｅ結晶１の電極側に対向する面
を放射線入射側とでき、導電性接着剤１３、１４がＣｄ
Ｔｅ結晶ｌの放射線入射側に位置することはなく、放射
線の減衰やエネルギー分解能の低下、接着剤の厚さのば
らつきによる単位検出素子間の感度ばらつき等の導電子
接着剤の悪影響が回避されも 以上述べた実施例はｐ型ＣｄＴｅ １に等価なｐｔ電極
を設けた均質型の半導体放射線検出器について説明し１
． これは一実施例あって、均質型の半導体放射線検
出器に限らず、表面障壁”Ａ ｐｎ接合ｕ ＭＩＳ
型等の全てのタイプの半導体放射線検出器においても適
用されも 従って電極材料のｐｔに限ったものではなく
、また半導体結晶にはそれぞれのタイプの検出器を構成
するために必要な不純物拡散、酸化等の処理が行われて
いてもよしも また 半導体結晶もｐ型ＣｄＴｅに限っ
たものでなく、Ｇ５Ａｓ、 Ｈｇｈ、 ＣｄＳ、 Ｃｄ
５Ｓｅ、 Ｓｉ、 Ｇｅ等の半導体放射線検出器と成り
うる半導体結晶に全て適用される。また 導電性接着剤
１３、１４も銀ペーストに限ったものではなく、銅ペー
スト、金ペースト、カーボンペースト等の他の導電性接
着剤であっても良（１また 本実施例では基板４のボン
ディングパットｌｌ、１２に導電性接着剤を塗布した力
＜、 ＣｄＴｅ結晶ｌの分割電極２および共通電極３
に塗布しても良し〜 （実施例３〉 請求項４に記載の放射線検出器の実装方法の一実施例を
第２図を用いて説明する。本実施例は実施例２の導電性
接着剤１３、１４の代わりに半田を用いて、ＣｄＴｅ結
晶１を分割電極２がボンディングパット１１と共通電極
３がボンディングパット１２と接続されるように融着固
定したものである。
（実施例４）
第３図は請求項５に記載の放射線検出器の実装方法の一
実施例を示す断面図である。第３図において１５は絶縁
膜であも 他の符号については実施例１と同様のものを
用いていも 以下、第３図を用いて実施例を説明す瓜本実施例ｉｔ
ＣｄＴｅ結晶１の分割電極２を設けた面に各々の分割
電極の一部分および共通電極３・の−部分を残して絶縁
膜１５が形成されていも 絶縁膜１５は例えばポリイミ
ドであも −Ｘ 基板４にはボンディングパット上にバンプ５、
６が設けられていも バンプ５の配列ピッチはＣｄＴｅ
１に設けた分割電極２のピッチに相当する。バンプ材
料はＡｕであり、厚さは３０μｍであも バンプ５から
前置増幅器９と接続するための配線７パ バンプ６から
高圧回路ｌＯと接続するための配線が基板４上に設けら
れていもＣｄＴｅ結晶１に設けた分割電極２と基板上の
バンプ５を、共通電極３と基板上のバンプ６を接線熱圧
着する。この結果ＣｄＴｅ １に設けられた分割電極２
と前置増幅器９カ交 高圧回路１０（！：ＣｄＴｅ１に
設けられた共通電極３が電気的に接続される。
実施例を示す断面図である。第３図において１５は絶縁
膜であも 他の符号については実施例１と同様のものを
用いていも 以下、第３図を用いて実施例を説明す瓜本実施例ｉｔ
ＣｄＴｅ結晶１の分割電極２を設けた面に各々の分割
電極の一部分および共通電極３・の−部分を残して絶縁
膜１５が形成されていも 絶縁膜１５は例えばポリイミ
ドであも −Ｘ 基板４にはボンディングパット上にバンプ５、
６が設けられていも バンプ５の配列ピッチはＣｄＴｅ
１に設けた分割電極２のピッチに相当する。バンプ材
料はＡｕであり、厚さは３０μｍであも バンプ５から
前置増幅器９と接続するための配線７パ バンプ６から
高圧回路ｌＯと接続するための配線が基板４上に設けら
れていもＣｄＴｅ結晶１に設けた分割電極２と基板上の
バンプ５を、共通電極３と基板上のバンプ６を接線熱圧
着する。この結果ＣｄＴｅ １に設けられた分割電極２
と前置増幅器９カ交 高圧回路１０（！：ＣｄＴｅ１に
設けられた共通電極３が電気的に接続される。
本構成でｉｉ ＣｄＴｅ結晶１の電極側に対向する面
を放射線入射側とでき、ＡｕバンプがＣｄＴｅ結晶１の
放射線入射側に位置することはなく、放射線の減衰やエ
ネルギー分解能の低下、バンプの厚さのばらつきによる
単位検出素子間の感度ばらつき等のバンプの悪影響が回
避される。
を放射線入射側とでき、ＡｕバンプがＣｄＴｅ結晶１の
放射線入射側に位置することはなく、放射線の減衰やエ
ネルギー分解能の低下、バンプの厚さのばらつきによる
単位検出素子間の感度ばらつき等のバンプの悪影響が回
避される。
以上述べた実施例はｐ型ＣｄＴｅ １に等価なｐｔ電極
を設けた均質型の半導体放射線検出器について説明しｔ
も これは一実施例あって、均質型の半導体放射線検
出器に限らず、表面障壁ａ ｐｎ接合ｉ ＭＩＳ型
等の全てのタイプの半導体放射線検出器においても適用
されも 従って電極材料のｐｔに限ったものではなく、
また半導体結晶にはそれぞれのタイプの検出器を構成す
るために必要な不純物拡散、酸化等の処理が行われてい
てもよ（ち また 半導体結晶もｐ型ＣｄＴｅに限った
ものでなく、Ｇ５Ａｓ、 Ｈｇ１ｔ、 ＣｄＳ、 Ｃｄ
５Ｓｅ、 Ｓｉ、 Ｇｅ等の半導体放射線検出器と成り
うる半導体結晶に全て適用されも またバンプ材料はＡ
ｕに限ったものではなく Ｐｂ／Ｓｎなどの他のバンプ
材料であって食鶏 また バンプの厚さも３０μｍに限ったものではな鶏 また 本実施例では基板４側にバンプを設けた力ｔ 分
割電極２および共通電極３にバンプを設けても良１．％ また バンプ接続法として熱圧着を用いて説明したが紫
外線硬化樹脂を用いた圧着法等でも良しちまた絶縁膜も
ポリイミドに限ったものではなくポリアミド等の他の有
機絶縁材料や酸化シリコン、窒化シリコン等の無機絶縁
材料であっても食鶏（実施例５） 請求項６に記載の放射線検出器の実装方法の一実施例を
第３図を用いて説明する。本実施例では実施例４のバン
プ５．６の代わりに導電性接着剤によりＣｄＴｅ結晶１
を基板４のボンディングパットと接着Ｌ 分割電極２と
前置増幅器９を、共通電極３と高圧回路１０を電気的に
接続している。
を設けた均質型の半導体放射線検出器について説明しｔ
も これは一実施例あって、均質型の半導体放射線検
出器に限らず、表面障壁ａ ｐｎ接合ｉ ＭＩＳ型
等の全てのタイプの半導体放射線検出器においても適用
されも 従って電極材料のｐｔに限ったものではなく、
また半導体結晶にはそれぞれのタイプの検出器を構成す
るために必要な不純物拡散、酸化等の処理が行われてい
てもよ（ち また 半導体結晶もｐ型ＣｄＴｅに限った
ものでなく、Ｇ５Ａｓ、 Ｈｇ１ｔ、 ＣｄＳ、 Ｃｄ
５Ｓｅ、 Ｓｉ、 Ｇｅ等の半導体放射線検出器と成り
うる半導体結晶に全て適用されも またバンプ材料はＡ
ｕに限ったものではなく Ｐｂ／Ｓｎなどの他のバンプ
材料であって食鶏 また バンプの厚さも３０μｍに限ったものではな鶏 また 本実施例では基板４側にバンプを設けた力ｔ 分
割電極２および共通電極３にバンプを設けても良１．％ また バンプ接続法として熱圧着を用いて説明したが紫
外線硬化樹脂を用いた圧着法等でも良しちまた絶縁膜も
ポリイミドに限ったものではなくポリアミド等の他の有
機絶縁材料や酸化シリコン、窒化シリコン等の無機絶縁
材料であっても食鶏（実施例５） 請求項６に記載の放射線検出器の実装方法の一実施例を
第３図を用いて説明する。本実施例では実施例４のバン
プ５．６の代わりに導電性接着剤によりＣｄＴｅ結晶１
を基板４のボンディングパットと接着Ｌ 分割電極２と
前置増幅器９を、共通電極３と高圧回路１０を電気的に
接続している。
導電性接着剤は例えば銀ペースト、銅ペースト、金ペー
スト、カーボンペースト等である。
スト、カーボンペースト等である。
（実施例６）
請求項７に記載の放射線検出器の実装方法の一実施例を
第３図を用い説明すも 本実施例では実施例４のバンプ
５、６の代わりに半田によりＣｄＴｅ結晶ｌ結晶板４の
ボンディングパットと接着し分割電極２と前置増幅器９
を、共通電極３と高圧回路ＩＯを電気的に接続していも
′ 半田はインジウム半［ａＰｂ／Ｓｎ半田等であも（実施
例７） 第４図は請求項８に記載の放射線検出器の実装方法を示
す断面図である。第４図において１５は絶縁ｇ、 １
６は金属層であも 他の符号については実施例１と同様
のものを用いていも 以下、第４図を用いて実施例を説明すも本実施例ｉ；ｉ
ＣｄＴｅ結晶ｌの分割電極２を設けた面に各々の分
割電極の一部分および共通電極３の一部分を残して絶縁
膜１５が形成されている。絶縁膜１５は例えばポリイミ
ドであも 更に金属層１６が分割電極２と絶縁膜１５に
またがり、また金属層１７が共通電極３と絶縁膜１５に
またがり形成されており、絶縁膜上の金属層１６、１７
がボンディングパットの役目を果たしていも一方、基板
４にはボンディングパット上にバンプ５と６が設けられ
ている。バンプ５の配列ピッチはＣｄＴｅ １に設けた
分割電極２のピッチに相当する。バンプ材料はＡｕであ
り、厚さは３０μｍである。バンプ５から前置増幅器９
と接続するための配線７カ交 バンプ６から高圧回路１
０と接続するための配線が基板４上に設けられていもＣ
ｄＴｅ結晶１を分割電極２とつながった絶縁膜１５上の
金属層１６と、共通電極３とつながった絶縁膜１５上の
金属層を接着層とし バンプ５と分割電極２が、バンプ
６と分割電極３が電気的に接続されるように接触、熱圧
着すも この結果ＣｄＴｅ １に設けられた分割電極２
と前置増幅器９力丈 高圧回路１０とＣｄＴｅ １に設
けられた共通電極３が電気的に接続される。
第３図を用い説明すも 本実施例では実施例４のバンプ
５、６の代わりに半田によりＣｄＴｅ結晶ｌ結晶板４の
ボンディングパットと接着し分割電極２と前置増幅器９
を、共通電極３と高圧回路ＩＯを電気的に接続していも
′ 半田はインジウム半［ａＰｂ／Ｓｎ半田等であも（実施
例７） 第４図は請求項８に記載の放射線検出器の実装方法を示
す断面図である。第４図において１５は絶縁ｇ、 １
６は金属層であも 他の符号については実施例１と同様
のものを用いていも 以下、第４図を用いて実施例を説明すも本実施例ｉ；ｉ
ＣｄＴｅ結晶ｌの分割電極２を設けた面に各々の分
割電極の一部分および共通電極３の一部分を残して絶縁
膜１５が形成されている。絶縁膜１５は例えばポリイミ
ドであも 更に金属層１６が分割電極２と絶縁膜１５に
またがり、また金属層１７が共通電極３と絶縁膜１５に
またがり形成されており、絶縁膜上の金属層１６、１７
がボンディングパットの役目を果たしていも一方、基板
４にはボンディングパット上にバンプ５と６が設けられ
ている。バンプ５の配列ピッチはＣｄＴｅ １に設けた
分割電極２のピッチに相当する。バンプ材料はＡｕであ
り、厚さは３０μｍである。バンプ５から前置増幅器９
と接続するための配線７カ交 バンプ６から高圧回路１
０と接続するための配線が基板４上に設けられていもＣ
ｄＴｅ結晶１を分割電極２とつながった絶縁膜１５上の
金属層１６と、共通電極３とつながった絶縁膜１５上の
金属層を接着層とし バンプ５と分割電極２が、バンプ
６と分割電極３が電気的に接続されるように接触、熱圧
着すも この結果ＣｄＴｅ １に設けられた分割電極２
と前置増幅器９力丈 高圧回路１０とＣｄＴｅ １に設
けられた共通電極３が電気的に接続される。
本構成でｉｉ ＣｄＴｅ結晶１の電極側に対向する面
を放射線入射側とでき、ＡｕバンプがＣｄＴｅ結晶ｌの
放射線入射側に位置することはなく、放射線の減衰やエ
ネルギー分解能の低下、バンプの厚さのばらつきによる
単位検出素子間の感度ばらつき等のバンプの悪影響が回
避される。
を放射線入射側とでき、ＡｕバンプがＣｄＴｅ結晶ｌの
放射線入射側に位置することはなく、放射線の減衰やエ
ネルギー分解能の低下、バンプの厚さのばらつきによる
単位検出素子間の感度ばらつき等のバンプの悪影響が回
避される。
以上述べた実施例はｐ型ＣｄＴｅ １に等価なＰｔ電極
を設けた均質型の半導体放射線検出器について説明し１
． これは一実施例あって、均質型の半導体放射線検
出器に限らず、表面障壁ａ ｐｎ接合諷ＭＩＳ型等の
全てのタイプの半導体放射線検出器においても適用され
も 従って電極材料のｐｔに限ったものではなく、また
半導体結晶にはそれぞれのタイプの検出器を構成するた
めに必要な不純物拡散酸化等の処理が行われていてもよ
（１また 半導体結晶もｐ型ＣｄＴｅに限ったものでな
く、Ｇ５Ａｓ、 ＨｇＩａ、 ＣｄＳ、 Ｃｄ５Ｓｅ、
Ｓｉ、 Ｇｅ等の半導体放射線検出器と成りうる半導
体結晶に全て適用されも またバンブ材料はＡｕに限っ
たものではなく Ｐｂ／Ｓｎなどの他のバンブ材料であ
って良（１ また バンプの厚さも３０μｍに限ったものではなＬ〜 また 本実施例では基板４側にバンプを設けた力丈 絶
縁膜上の金属層１６と１７にバンプを設けても良（〜 また バンプ接続法として熱圧着を用いて説明したが紫
外線硬化樹脂を用いた圧着法等でも裏部また絶縁膜もポ
リイミドに限ったものではなくポリアミド等の他の有機
絶縁材料や酸化シリコン、窒化シリコン等の無機絶縁材
料であっても裏部（実施例８） 請求項９に記載の放射線検出器の実装方法の一実施例を
第４図を用いて説明すも 本実施例は実施例７のバンプ
５、６の代わりに導電性接着剤によりＣｄＴｅ結晶１を
基板４のボンディングパットと接着し 分割電極２と前
置増幅器５を、共通電極３と高圧回路１０を電気的に接
続していも導電性接着剤は例えば銀ペースト、銅ペース
ト、金ペースト、カーボンペースト等であも（実施例９
） 請求項１０に記載の放射線検出器の実装方法の一実施例
を第４図を用い説明すも 本実施例では実施例７のバン
プ５．６の代わりに半田によりＣｄＴｅ結晶１を基板４
のボンディングパットと接着し 分割電極２と前置増幅
器５を、共通電極３と高圧回路１０を電気的に接続して
いも 半田はインジウム半ＦＢ、 Ｐｂ／Ｓｎ半田等であも
（実施例１０） 請求項１１、１４に記載の放射線検出器の実装方法の一
実施例を第５図を用い説明すも 第５図において１８、
１９はフィルムリード２０は樹脂であも 他の符号につ
いては実施例１と同様のものを用いている。
を設けた均質型の半導体放射線検出器について説明し１
． これは一実施例あって、均質型の半導体放射線検
出器に限らず、表面障壁ａ ｐｎ接合諷ＭＩＳ型等の
全てのタイプの半導体放射線検出器においても適用され
も 従って電極材料のｐｔに限ったものではなく、また
半導体結晶にはそれぞれのタイプの検出器を構成するた
めに必要な不純物拡散酸化等の処理が行われていてもよ
（１また 半導体結晶もｐ型ＣｄＴｅに限ったものでな
く、Ｇ５Ａｓ、 ＨｇＩａ、 ＣｄＳ、 Ｃｄ５Ｓｅ、
Ｓｉ、 Ｇｅ等の半導体放射線検出器と成りうる半導
体結晶に全て適用されも またバンブ材料はＡｕに限っ
たものではなく Ｐｂ／Ｓｎなどの他のバンブ材料であ
って良（１ また バンプの厚さも３０μｍに限ったものではなＬ〜 また 本実施例では基板４側にバンプを設けた力丈 絶
縁膜上の金属層１６と１７にバンプを設けても良（〜 また バンプ接続法として熱圧着を用いて説明したが紫
外線硬化樹脂を用いた圧着法等でも裏部また絶縁膜もポ
リイミドに限ったものではなくポリアミド等の他の有機
絶縁材料や酸化シリコン、窒化シリコン等の無機絶縁材
料であっても裏部（実施例８） 請求項９に記載の放射線検出器の実装方法の一実施例を
第４図を用いて説明すも 本実施例は実施例７のバンプ
５、６の代わりに導電性接着剤によりＣｄＴｅ結晶１を
基板４のボンディングパットと接着し 分割電極２と前
置増幅器５を、共通電極３と高圧回路１０を電気的に接
続していも導電性接着剤は例えば銀ペースト、銅ペース
ト、金ペースト、カーボンペースト等であも（実施例９
） 請求項１０に記載の放射線検出器の実装方法の一実施例
を第４図を用い説明すも 本実施例では実施例７のバン
プ５．６の代わりに半田によりＣｄＴｅ結晶１を基板４
のボンディングパットと接着し 分割電極２と前置増幅
器５を、共通電極３と高圧回路１０を電気的に接続して
いも 半田はインジウム半ＦＢ、 Ｐｂ／Ｓｎ半田等であも
（実施例１０） 請求項１１、１４に記載の放射線検出器の実装方法の一
実施例を第５図を用い説明すも 第５図において１８、
１９はフィルムリード２０は樹脂であも 他の符号につ
いては実施例１と同様のものを用いている。
以下第５図を用いて一実施例を説明すもｐ形ＣｄＴｅ結
晶ｌの片方の面に一次元に配列した複数個の分割電極２
と分割電極２の配列軸方向に平行に共通電極３が設けら
れていも 分割電極２、共通電極３ともＣｄＴｅと接合
する電極材料はｐｔで、さらにｐｔ上にＡｌが積層され
てあも 分割電極２は互いに電気的に独立しており、電
気力線は各分割電極２ごとに分割されている。その結果
半導体放射線検出器を複数個配列したに相当する多チヤ
ンネル形の検出器が構成されていも フィンガーリードの先端にバンプ５が設けられたフィル
ムリード１８を、分割電極２とバンプの熱圧着により接
続す衣 フィンガーリードの配列ピッチは分割電極２の
それに等しくち また別のフィルムリード１９もバンプ
の熱圧着により共通電極３に接続すも バンプ材料は例
えばＡｕであム次ぎにフィルムリード１８、１９を下に
してＣｄＴｅ１を基板４に樹脂２０で固定すも フィルムリード１８は前置場幅器９に接続されも また
フィルムリード１９は高圧回路１０に接続されも 以上により放射線検出器が基板に固定されるとともに各
単位検出素子から外部回路系への信号取り出しが可能と
なる 本構成でｌ友ＣｄＴｅ結晶ｌの電極側に対向する面を放
射線入射側とでき、ＡｕバンプがＣｄＴｅ結晶ｉの放射
線入射側に位置することはなく、放射線の減衰やエネル
ギー分解能の低下、バンプの厚さのばらつきによる単位
検出素子間の感度ばらつき等のバンプの悪影響が回避さ
れる。
晶ｌの片方の面に一次元に配列した複数個の分割電極２
と分割電極２の配列軸方向に平行に共通電極３が設けら
れていも 分割電極２、共通電極３ともＣｄＴｅと接合
する電極材料はｐｔで、さらにｐｔ上にＡｌが積層され
てあも 分割電極２は互いに電気的に独立しており、電
気力線は各分割電極２ごとに分割されている。その結果
半導体放射線検出器を複数個配列したに相当する多チヤ
ンネル形の検出器が構成されていも フィンガーリードの先端にバンプ５が設けられたフィル
ムリード１８を、分割電極２とバンプの熱圧着により接
続す衣 フィンガーリードの配列ピッチは分割電極２の
それに等しくち また別のフィルムリード１９もバンプ
の熱圧着により共通電極３に接続すも バンプ材料は例
えばＡｕであム次ぎにフィルムリード１８、１９を下に
してＣｄＴｅ１を基板４に樹脂２０で固定すも フィルムリード１８は前置場幅器９に接続されも また
フィルムリード１９は高圧回路１０に接続されも 以上により放射線検出器が基板に固定されるとともに各
単位検出素子から外部回路系への信号取り出しが可能と
なる 本構成でｌ友ＣｄＴｅ結晶ｌの電極側に対向する面を放
射線入射側とでき、ＡｕバンプがＣｄＴｅ結晶ｉの放射
線入射側に位置することはなく、放射線の減衰やエネル
ギー分解能の低下、バンプの厚さのばらつきによる単位
検出素子間の感度ばらつき等のバンプの悪影響が回避さ
れる。
以上述べた実施例はｐ型ＣｄＴｅ １に等価なＰｔ電極
を設けた均質型の半導体放射線検出器について説明した
これは一実施例あって、均質型の半導体放射線検出器
に限らず、表面障壁’Ａ ｐｎ接合ｆｉ ＭＩＳ型
等の全てのタイプの半導体放射線検出器においても適用
されも 従って電極材料のＰｔに限ったものではなく、
また半導体結晶にはそれぞれのタイプの検出器を構成す
るために必要な不純物拡散、酸化等の処理が行われてい
てもよ鶏 また 半導体結晶もｐ型ＣｄＴｅに限ったも
のでなく、Ｇ５Ａｓ、 ＨｇＩｔ 、 ＣｄＳ、 Ｃｄ
５Ｓｅ、 Ｓｉ、 Ｇｅ等の半導体放射線検出器と戊り
うる半導体結晶に全て適用されも またバンブ材料はＡ
ｕに限ったものではなく Ｐｂ／Ｓｎなどの他のバンブ
材料であって良ｌ、〜 また 本実施例ではフィルムリード１８、１９にバンプ
を設けた力交 分割電極２および共通電極３にバンプを
設けても良へ ま瓢 バンプ接続法として熱圧着を用いて説明したが紫
外線硬化樹脂を用いた圧着法等でも良り℃（実施例１２
） 請求項１１、１５に記載の放射線検出器の実装方法の一
実施例を第５図を用いて説明すも 本実施例は実施例１
１のバンプ５、６の代わりに導電性接着剤でフィルリー
ド１８を分割電極２とフィルムリード１９を共通電極３
と接続したものであも 導電性接着剤は例えば銀ペースト、銅ペースト、金ペー
スト、カーボンペースト等である。
を設けた均質型の半導体放射線検出器について説明した
これは一実施例あって、均質型の半導体放射線検出器
に限らず、表面障壁’Ａ ｐｎ接合ｆｉ ＭＩＳ型
等の全てのタイプの半導体放射線検出器においても適用
されも 従って電極材料のＰｔに限ったものではなく、
また半導体結晶にはそれぞれのタイプの検出器を構成す
るために必要な不純物拡散、酸化等の処理が行われてい
てもよ鶏 また 半導体結晶もｐ型ＣｄＴｅに限ったも
のでなく、Ｇ５Ａｓ、 ＨｇＩｔ 、 ＣｄＳ、 Ｃｄ
５Ｓｅ、 Ｓｉ、 Ｇｅ等の半導体放射線検出器と戊り
うる半導体結晶に全て適用されも またバンブ材料はＡ
ｕに限ったものではなく Ｐｂ／Ｓｎなどの他のバンブ
材料であって良ｌ、〜 また 本実施例ではフィルムリード１８、１９にバンプ
を設けた力交 分割電極２および共通電極３にバンプを
設けても良へ ま瓢 バンプ接続法として熱圧着を用いて説明したが紫
外線硬化樹脂を用いた圧着法等でも良り℃（実施例１２
） 請求項１１、１５に記載の放射線検出器の実装方法の一
実施例を第５図を用いて説明すも 本実施例は実施例１
１のバンプ５、６の代わりに導電性接着剤でフィルリー
ド１８を分割電極２とフィルムリード１９を共通電極３
と接続したものであも 導電性接着剤は例えば銀ペースト、銅ペースト、金ペー
スト、カーボンペースト等である。
（実施例１３）
請求項１１、１６に記載の放射線検出器の実装方法の一
実施例を第５図を用いて説明すも 本実施例は実施例１
１のバンプ５、６の代わりに半田でフィルリード１８を
分割電極２とフィルムリード１９を共通電極３と接続し
たものであも半田はインジウム半ＥＢ、 Ｐｂ／Ｓｎ
半田等である。
実施例を第５図を用いて説明すも 本実施例は実施例１
１のバンプ５、６の代わりに半田でフィルリード１８を
分割電極２とフィルムリード１９を共通電極３と接続し
たものであも半田はインジウム半ＥＢ、 Ｐｂ／Ｓｎ
半田等である。
（実施例１４）
第６図は請求項１２、１４に記載の放射線検出器の実装
方法を示す断面図であも 以下、第６図を用いて一実施例を説明すも本実施例ζ＆
ＣｄＴｅ結晶１の分割電極２を設けた面に各々の分
割電極の一部分および共通電極３の一部分を残して絶縁
膜１５が形成されている。絶縁膜１５は例えばポリイミ
ドである。
方法を示す断面図であも 以下、第６図を用いて一実施例を説明すも本実施例ζ＆
ＣｄＴｅ結晶１の分割電極２を設けた面に各々の分
割電極の一部分および共通電極３の一部分を残して絶縁
膜１５が形成されている。絶縁膜１５は例えばポリイミ
ドである。
フィンガーリードの先端にバンプ５が設けられたフィル
ムリード１８を、分割電極２とバンプ５の熱圧着により
接続す瓜 フィンガーリードの配列ピッチは分割電極２
のそれに等しくｔ また別のフィルムリード１９もバン
プ６の熱圧着により共通電極３に接続すも バンブ材料
は例えばＡｕであも 次ぎにフィルムリード１８、１９
を下にしてＣｄＴｅ １を基板４に樹脂２０で固定すも
フィルムリード１８は前置増幅器９に接続される。まな
フィルムリード１９は高圧回路１０に接続される。
ムリード１８を、分割電極２とバンプ５の熱圧着により
接続す瓜 フィンガーリードの配列ピッチは分割電極２
のそれに等しくｔ また別のフィルムリード１９もバン
プ６の熱圧着により共通電極３に接続すも バンブ材料
は例えばＡｕであも 次ぎにフィルムリード１８、１９
を下にしてＣｄＴｅ １を基板４に樹脂２０で固定すも
フィルムリード１８は前置増幅器９に接続される。まな
フィルムリード１９は高圧回路１０に接続される。
以上により放射線検出器が基板に固定されるとともに各
単位検出素子から外部回路系への信号取り出しが可能と
なる 本構成でｌ；Ｌ ＣｄＴｅ結晶１の電極側に対向する
面を放射線入射側とでき、ＡｕバンプがＣｄＴｅ結晶１
の放射線入射側に位置することはなく、放射線の減衰や
エネルギー分解能の低下、バンブの厚さのばらつきによ
る単位検出素子間の感度ばらつき等のバンブの悪影響が
回避されも 以上述べた実施例はｐ型ＣｄＴｅ １に等価なＰｔ電極
を設けた均質型の半導体放射線検出器について説明した
これは一実施例あって、均質型の半導体放射線検出器
に限らず 表面障壁ａ ｐｎ接合瓢ＭＩＳ型等の全て
のタイプの半導体放射線検出器においても適用されも
従って電極材料のｐｔに限ったものではなく、また半導
体結晶にはそれぞれのタイプの検出器を構成するために
必要な不純物拡散酸化等の処理が行われていてもよ鶏
また 半導体結晶もｐ型ＣｄＴｅに限ったものでなく、
Ｇ５Ａｓ、 Ｈｇ１２、 ＣｄＳ、 Ｃｄ５Ｓｅ、 Ｓ
ｉ、 Ｇｅ等の半導体放射線検出器と成りうる半導体結
晶に全て適用されも またバンブ材料はＡｕに限ったも
のではな（Ｐｂ／Ｓｎなどの他のバンプ材料であって良
（１ また絶縁膜もポリイミドに限ったものではなくポリアミ
ド等の他の有機絶縁材料や酸化シリコン、窒化シリコン
等の無機絶縁材料であっても良賎まな 本実施例ではフ
ィルムリード１８、１９にバンブを設けた力ｔ 分割電
極２および共通電極３にバンブを設けても良Ｌ１ また バンプ接続法として熱圧着を用いて説明したが紫
外線硬化樹脂を用いた圧着法等でも良（ｔ（実施例１５
） 請求項１２、１５に記載の放射線検出器の実装方法の一
実施例を第６図を用いて説明する。本実施例は実施例１
４のバンプ５、６の代わりに導電性接着剤でフィルムリ
ード１８を分割電極２とフィルムリード１９を共通電極
３と接続したものである。
単位検出素子から外部回路系への信号取り出しが可能と
なる 本構成でｌ；Ｌ ＣｄＴｅ結晶１の電極側に対向する
面を放射線入射側とでき、ＡｕバンプがＣｄＴｅ結晶１
の放射線入射側に位置することはなく、放射線の減衰や
エネルギー分解能の低下、バンブの厚さのばらつきによ
る単位検出素子間の感度ばらつき等のバンブの悪影響が
回避されも 以上述べた実施例はｐ型ＣｄＴｅ １に等価なＰｔ電極
を設けた均質型の半導体放射線検出器について説明した
これは一実施例あって、均質型の半導体放射線検出器
に限らず 表面障壁ａ ｐｎ接合瓢ＭＩＳ型等の全て
のタイプの半導体放射線検出器においても適用されも
従って電極材料のｐｔに限ったものではなく、また半導
体結晶にはそれぞれのタイプの検出器を構成するために
必要な不純物拡散酸化等の処理が行われていてもよ鶏
また 半導体結晶もｐ型ＣｄＴｅに限ったものでなく、
Ｇ５Ａｓ、 Ｈｇ１２、 ＣｄＳ、 Ｃｄ５Ｓｅ、 Ｓ
ｉ、 Ｇｅ等の半導体放射線検出器と成りうる半導体結
晶に全て適用されも またバンブ材料はＡｕに限ったも
のではな（Ｐｂ／Ｓｎなどの他のバンプ材料であって良
（１ また絶縁膜もポリイミドに限ったものではなくポリアミ
ド等の他の有機絶縁材料や酸化シリコン、窒化シリコン
等の無機絶縁材料であっても良賎まな 本実施例ではフ
ィルムリード１８、１９にバンブを設けた力ｔ 分割電
極２および共通電極３にバンブを設けても良Ｌ１ また バンプ接続法として熱圧着を用いて説明したが紫
外線硬化樹脂を用いた圧着法等でも良（ｔ（実施例１５
） 請求項１２、１５に記載の放射線検出器の実装方法の一
実施例を第６図を用いて説明する。本実施例は実施例１
４のバンプ５、６の代わりに導電性接着剤でフィルムリ
ード１８を分割電極２とフィルムリード１９を共通電極
３と接続したものである。
導電性接着剤は例えば銀ペースト、銅ペースト、金ペー
スト、カーボンペースト等であも（実施例１６） 請求項１２、１６に記載の放射線検出器の実装方法の実
施例を第６図を用いて説明すも 本実施例は実施例１４
のバンプ５．６の代わりに半田でフィルムリード１８を
分割電極２とフィルムリード１９を共通電極３と接続し
たものである。
スト、カーボンペースト等であも（実施例１６） 請求項１２、１６に記載の放射線検出器の実装方法の実
施例を第６図を用いて説明すも 本実施例は実施例１４
のバンプ５．６の代わりに半田でフィルムリード１８を
分割電極２とフィルムリード１９を共通電極３と接続し
たものである。
半田はインジウム半Ｅａ Ｐｂ／Ｓｎ半田等であも（
実施例１７） 第７図は請求項１３、１４に記載の放射線検出器の実装
法の一実施例を示す断面図であも以下第７図を用いて実
施例を説明すも 本実施例（ｉ ＣｄＴｅ結晶１の分割電極２を設けた
面に各々の分割電極の一部分および共通電極３の一部分
を残して絶縁膜１５が形成されていも 絶縁膜１５は例
えばポリイミドである。更に金属層１６が分割電極２と
絶縁膜１５にまたがり、また金属層１７が共通電極３と
絶縁膜１５にまたがり形成されており、絶縁膜上の金属
層１６、１７がボンディングパットの役目を果たしてい
もフィンガーリードの先端にバンプ５が設けられたフィ
ルムリード１８を、分割電極２と接続した絶縁膜上の金
属層１６とバンブの熱圧着により接続す水 フィンガー
リードの配列ピッチは分割電極２のそれに等し鶏 また
別のフィルムリード１９もバンブの熱圧着により共通電
極３と接続した絶縁膜上の金属層１７とに接続すも バ
ンブ材料は例えばＡｕであも 次ぎにフィルムリード１
８．１９を下にしてＣｄＴｅ １を基板４に樹脂２０で
固定すも フィルムリード１８は前置増幅器９に接続される。また
フィルムリード１９は高圧回路１０に接続されも 以上により放射線検出器が基板に固定されるとともに各
単位検出素子から外部回路系への信号取り出しが可能と
なる 本構成でｉｌ ＣｄＴｅ結晶１の電極側に対向する面
を放射線入射側とでき、ＡｕバンプがＣｄＴｅ結晶１の
放射線入射側に位置することはなく、放射線の減衰やエ
ネルギー分解能の低下、バンプの厚さのばらつきによる
単位検出素子間の感度ばらつき等のバンプの悪影響が回
避されも 以上述べた実施例はｐ型ＣｄＴｅ １に等価なｐｔ電極
を設けた均質型の半導体放射線検出器について説明した
これは一実施例あって、均質型の半導体放射線検出器
に限らず、表面障壁’Ａ ｐｎ接合ｕ ＭＩＳ型等
の全てのタイプの半導体放射線検出器においても適用さ
れる。従って電極材料のｐｔに限ったものではなく、ま
た半導体結晶にはそれぞれのタイプの検出器を構成する
ために必要な不純物拡脱酸化等の処理が行われていても
よ（〜 また 半導体結晶もｐ型ＣｄＴ’ｅに限ったも
のでなく、Ｇ５Ａｓ、 Ｈｇｂ、 ＣｄＳ、 Ｃｄ５Ｓ
ｅ、 Ｓｉ、 Ｇｅ等の半導体放射線検出器と戒りうる
半導体結晶に全て適用されも またバンプ材料はＡｕに
限ったものではな（Ｐｂ／Ｓｎなどの他のバンプ材料で
あって食鶏 また絶縁膜もポリイミドに限ったものではなくポリアミ
ド等の他の有機絶縁材料や酸化シリコン、窒化シリコン
等の無機絶縁材料であっても良し１また 本実施例では
フィルムリード１８、１９にバンプを設けた力ｔ 金属
層１６及び１７にバンプを設けても良１．％ また バンプ接続法として熱圧着を用いて説明したが紫
外線硬化樹脂を用いた圧着法等でも良い。
実施例１７） 第７図は請求項１３、１４に記載の放射線検出器の実装
法の一実施例を示す断面図であも以下第７図を用いて実
施例を説明すも 本実施例（ｉ ＣｄＴｅ結晶１の分割電極２を設けた
面に各々の分割電極の一部分および共通電極３の一部分
を残して絶縁膜１５が形成されていも 絶縁膜１５は例
えばポリイミドである。更に金属層１６が分割電極２と
絶縁膜１５にまたがり、また金属層１７が共通電極３と
絶縁膜１５にまたがり形成されており、絶縁膜上の金属
層１６、１７がボンディングパットの役目を果たしてい
もフィンガーリードの先端にバンプ５が設けられたフィ
ルムリード１８を、分割電極２と接続した絶縁膜上の金
属層１６とバンブの熱圧着により接続す水 フィンガー
リードの配列ピッチは分割電極２のそれに等し鶏 また
別のフィルムリード１９もバンブの熱圧着により共通電
極３と接続した絶縁膜上の金属層１７とに接続すも バ
ンブ材料は例えばＡｕであも 次ぎにフィルムリード１
８．１９を下にしてＣｄＴｅ １を基板４に樹脂２０で
固定すも フィルムリード１８は前置増幅器９に接続される。また
フィルムリード１９は高圧回路１０に接続されも 以上により放射線検出器が基板に固定されるとともに各
単位検出素子から外部回路系への信号取り出しが可能と
なる 本構成でｉｌ ＣｄＴｅ結晶１の電極側に対向する面
を放射線入射側とでき、ＡｕバンプがＣｄＴｅ結晶１の
放射線入射側に位置することはなく、放射線の減衰やエ
ネルギー分解能の低下、バンプの厚さのばらつきによる
単位検出素子間の感度ばらつき等のバンプの悪影響が回
避されも 以上述べた実施例はｐ型ＣｄＴｅ １に等価なｐｔ電極
を設けた均質型の半導体放射線検出器について説明した
これは一実施例あって、均質型の半導体放射線検出器
に限らず、表面障壁’Ａ ｐｎ接合ｕ ＭＩＳ型等
の全てのタイプの半導体放射線検出器においても適用さ
れる。従って電極材料のｐｔに限ったものではなく、ま
た半導体結晶にはそれぞれのタイプの検出器を構成する
ために必要な不純物拡脱酸化等の処理が行われていても
よ（〜 また 半導体結晶もｐ型ＣｄＴ’ｅに限ったも
のでなく、Ｇ５Ａｓ、 Ｈｇｂ、 ＣｄＳ、 Ｃｄ５Ｓ
ｅ、 Ｓｉ、 Ｇｅ等の半導体放射線検出器と戒りうる
半導体結晶に全て適用されも またバンプ材料はＡｕに
限ったものではな（Ｐｂ／Ｓｎなどの他のバンプ材料で
あって食鶏 また絶縁膜もポリイミドに限ったものではなくポリアミ
ド等の他の有機絶縁材料や酸化シリコン、窒化シリコン
等の無機絶縁材料であっても良し１また 本実施例では
フィルムリード１８、１９にバンプを設けた力ｔ 金属
層１６及び１７にバンプを設けても良１．％ また バンプ接続法として熱圧着を用いて説明したが紫
外線硬化樹脂を用いた圧着法等でも良い。
（実施例１８）
請求項１３、１５に記載の放射線検出器の実装方法の一
実施例を第７図を用いて説明する。本実施例は実施例１
７のバンプ５、６の代わりに導電性接着剤でフィルムリ
ード１８を金属層１６とフィルムリード１９を金属層１
７と接続したものであも 導電性接着剤は例えば銀ペースト、銅ペースト、金ペー
スト、カーボンペースト等であも（実施例１９〉 請求項１３、１６に記載の放射線検出器の実装方法の一
実施例を第７図を用いて説明する。本実施例は実施例１
７のバンプ５、６の代わりに半田でフィルムリード１８
を金属層１６とフィルムリード１９を金属層１７と接続
したものであも半田はインジウム半ｔＲＰｂ／Ｓｎ半田
等であも以上述べた実施例１から１９は半導体結晶の片
方の面に分割電極と共通電極を設けた放射線検出器の実
装方法について述べ？、 多チヤンネル型の放射線検
出器において高密度リード接続が必要となるのは分割電
極側であも 従って半導体結晶に分割電極と共通電極が
対向して設けられている放射線検出器においても分割電
極側を下にして同様に基板に固定すれば良Ｌ１ 以上の本発明において、半導体結晶がＣｄＴｅ、 Ｇａ
Ａｓ、 Ｈｇ Ｉ ａ 、 ＣｄＳ、 Ｃｄ５Ｓｅ等の
化合物半導体であるあるいζよ半導体結晶がＳｉ、Ｇｅ
等の元素半導体であるといってもよ鶏 発明の詳細 な説明したように 本発明により、バンプ等の金属によ
るリード接続部での入射放射線の減衰を回避でき、高感
度でエネルギー分解能に優れかつ単位検出素子間の感度
ばらつきの少ない多チヤンネル型の放射線検出器が提供
されも
実施例を第７図を用いて説明する。本実施例は実施例１
７のバンプ５、６の代わりに導電性接着剤でフィルムリ
ード１８を金属層１６とフィルムリード１９を金属層１
７と接続したものであも 導電性接着剤は例えば銀ペースト、銅ペースト、金ペー
スト、カーボンペースト等であも（実施例１９〉 請求項１３、１６に記載の放射線検出器の実装方法の一
実施例を第７図を用いて説明する。本実施例は実施例１
７のバンプ５、６の代わりに半田でフィルムリード１８
を金属層１６とフィルムリード１９を金属層１７と接続
したものであも半田はインジウム半ｔＲＰｂ／Ｓｎ半田
等であも以上述べた実施例１から１９は半導体結晶の片
方の面に分割電極と共通電極を設けた放射線検出器の実
装方法について述べ？、 多チヤンネル型の放射線検
出器において高密度リード接続が必要となるのは分割電
極側であも 従って半導体結晶に分割電極と共通電極が
対向して設けられている放射線検出器においても分割電
極側を下にして同様に基板に固定すれば良Ｌ１ 以上の本発明において、半導体結晶がＣｄＴｅ、 Ｇａ
Ａｓ、 Ｈｇ Ｉ ａ 、 ＣｄＳ、 Ｃｄ５Ｓｅ等の
化合物半導体であるあるいζよ半導体結晶がＳｉ、Ｇｅ
等の元素半導体であるといってもよ鶏 発明の詳細 な説明したように 本発明により、バンプ等の金属によ
るリード接続部での入射放射線の減衰を回避でき、高感
度でエネルギー分解能に優れかつ単位検出素子間の感度
ばらつきの少ない多チヤンネル型の放射線検出器が提供
されも
第１Ｅｕ 第２図は本発明の実施例を示す斜視阻第３
．４．５．６および７図は本発明の実施例を示す断面図
であも
．４．５．６および７図は本発明の実施例を示す断面図
であも
Claims (18)
- （１）半導体結晶に入射する放射線により発生する電荷
を半導体結晶に形成した電極により収集する放射線検出
器の実装方法であって、複数個の分割電極と共通電極が
設けられた放射線検出器について、前記半導体結晶を前
記分割電極が設けられた面で基板と固定し、放射線を前
記分割電極に対向する面より入射させる事を特徴とする
放射線検出器の実装方法 - （２）基板にボンディングパットが設けられそのボンデ
ィングパットもしくは前記半導体結晶に設けられた電極
にバンプが設けられそのバンプで前記電極と前記ボンデ
ィングパットを接続することを特徴とする請求項１記載
の放射線検出器の実装方法。 - （３）基板にボンディングパットが設けられ導電性接着
剤により前記半導体結晶に設けられた電極と前記ボンデ
ィングパットを接続することを特徴とする請求項１記載
の放射線検出器の実装方法。 - （４）基板にボンディングパットが設けられ半田により
前記半導体結晶に設けられた電極と前記ボンディングパ
ットを接続することを特徴とする請求項１記載の放射線
検出器の実装方法。 - （５）半導体結晶の分割電極側の面に絶縁膜が各々の電
極の一部もしくは全部を残して設けられた放射線検出器
を、ボンディングパットが設けられた基板と、バンプで
接続することを特徴とする請求項１記載の放射線検出器
の実装方法 - （６）半導体結晶の分割電極側の面に絶縁膜が各々の電
極の一部もしくは全部を残して設けられた放射線検出器
を、ボンディングパットが設けられた基板と導電性接着
剤で接続することを特徴とする請求項１記載の放射線検
出器の実装方法。 - （７）半導体結晶の分割電極側の面に絶縁膜が各々の電
極の一部もしくは全部を残して設けられた放射線検出器
を、ボンディングパットが設けられた基板と、半田で接
続することを特徴とする請求項１記載の放射線検出器の
実装方法。 - （８）半導体結晶の分割電極側の面の絶縁膜上にボンデ
ィングパットが設けられた放射線検出器を前記ボンディ
ングパットが設けられた基板とバンプを介して接続する
ことを特徴とする請求項１記載の放射線検出器の実装方
法。 - （９）半導体結晶の分割電極側の面の絶縁膜上にボンデ
ィングパットが設けられた放射線検出器を前記ボンディ
ングパットが設けられた基板と導電性接着剤により接続
することを特徴とする請求項１記載の放射線検出器の実
装方法。 - （１０）半導体結晶の分割電極側の面の絶縁膜上にボン
ディングパットが設けられた放射線検出器を基板の前記
ボンディングパットと半田により接続することを特徴と
する請求項１記載の放射線検出器の実装方法 - （１１）半導体結晶を分割電極が設けられた面でフィル
ムリードを介して基板に固定する事を特徴とする請求項
１記載の放射線検出器の実装方法。 - （１２）半導体結晶の分割電極側の面に絶縁膜が各々の
電極の一部もしくは全部を残して設けられた放射線検出
器を、分割電極が設けられた面でフィルムリードを介し
て基板に固定する事を特徴とする請求項１記載の放射線
検出器の実装方法。 - （１３）半導体結晶の分割電極側の面の絶縁膜上にボン
ディングパットが設けられた放射線検出器を、分割電極
が設けられた面でフィルムリードを介して基板に固定す
る事を特徴とする請求項１記載の放射線検出器の実装方
法。 - （１４）フィルムリードと電極もしくはボンディングパ
ットの接続をバンプで行う事を特徴とする請求項１、１
１、１２または１３記載の放射線検出器の実装方法。 - （１５）フィルムリードと電極もしくはボンディングパ
ットの接続を導電性接着剤で行う事を特徴とする請求項
１、１１、１２または１３記載の放射線検出器の実装方
法。 - （１６）フィルムリードと電極をもしくはボンディング
パットの接続を半田で行う事を特徴とする請求項１、１
１、１２または１３記載の放射線検出器の実装方法。 - （１７）分割電極と共通電極が半導体結晶の同一面内に
設けられた事を特徴とする請求項１から１４までのいず
れかに記載の放射線検出器の実装方法。 - （１８）分割電極に対向する面に共通電極が設けられた
事を特徴とする請求項１から１４のいずれかに記載の放
射線検出器の実装方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1172240A JPH0336744A (ja) | 1989-07-03 | 1989-07-03 | 放射線検出器の実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1172240A JPH0336744A (ja) | 1989-07-03 | 1989-07-03 | 放射線検出器の実装方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0336744A true JPH0336744A (ja) | 1991-02-18 |
Family
ID=15938218
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1172240A Pending JPH0336744A (ja) | 1989-07-03 | 1989-07-03 | 放射線検出器の実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0336744A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013033839A (ja) * | 2011-08-02 | 2013-02-14 | Iwasaki Electric Co Ltd | 紫外線センサ素子、および紫外線センサ |
| JP2014035249A (ja) * | 2012-08-08 | 2014-02-24 | Hamamatsu Photonics Kk | 放射線検出器 |
| WO2016157589A1 (ja) * | 2015-03-31 | 2016-10-06 | Ｊｘ金属株式会社 | 放射線検出器用ｕｂｍ電極構造体、放射線検出器及びそれらの製造方法 |
| JP2016186502A (ja) * | 2016-07-12 | 2016-10-27 | 浜松ホトニクス株式会社 | 放射線検出器 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5430787A (en) * | 1977-08-12 | 1979-03-07 | Fujitsu Ltd | Infrared-ray detector |
| JPS5775456A (en) * | 1980-10-29 | 1982-05-12 | Fujitsu Ltd | Semiconductor device |
-
1989
- 1989-07-03 JP JP1172240A patent/JPH0336744A/ja active Pending
Patent Citations (2)
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|---|---|---|---|---|
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| JPWO2016157589A1 (ja) * | 2015-03-31 | 2018-02-01 | Ｊｘ金属株式会社 | 放射線検出器用ｕｂｍ電極構造体、放射線検出器及びそれらの製造方法 |
| US10199343B2 (en) | 2015-03-31 | 2019-02-05 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | UBM (under bump metal) electrode structure for radiation detector, radiation detector and production method thereof |
| JP2016186502A (ja) * | 2016-07-12 | 2016-10-27 | 浜松ホトニクス株式会社 | 放射線検出器 |
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