JPH01114781A - Ｘ線検出装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明はＸ線検出装置に関する。

［従来の技術］ 第５図は、従来のＸ線検出装置の一部破断面を有する平
面図、第６図は第５図のＣ−Ｃ断面を示した断面図であ
る。７は、ポリイミドフィルムを材質とする光電変換部
の基材であり、該基材７の上表面のＡＱを材質とする下
地電極８が形成され、該下地電極８の基材７と反対方向
の上表面には材質が非晶質シリコンよりなる例えばｐ−
１−ｎ型半導体活性層９が形成される。さらに、該半導
体活性層９の基材７と反対方向の上表面には、材質が例
えばＳｎｏｗよりなる透明電極ｌＯが形成されて光電変
換部１４が形成される。光電変換部１４の透明電極ｌＯ
の上表面には、材質が例えばＺｎＳの蛍光体よりなるＸ
線−光変換部ｌｌＩ・ぜ設けられる。上記のように構成
されたＸ線検出装置は、第５図内２点鎖線で示されるＸ
線撮影領域１２内に設置され、Ｘ線−光変換部１１側か
らＸ線を照射することにより光電変換部１４より生ずる
電圧は、透明電極ＩＯ及び下地電極８に各々接続された
Ｘ線撮影領域１２内を通るリード線１３を介し、外部の
電圧計へ指示される。Ｘ線検出装置はこの電圧計の指示
値より被照射体に照射されたＸ線量を測定するものであ
る。

［発明が解決しようとする問題点］ 上述したように従来のＸ線検出装置においては、Ｘ線撮
影領域１２内に設置される電極よりＸ線検出装置外へ電
気信号を導（ため前記下地電極８と透明電極ＩＯには、
材質がＡｌ１．Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ等にてなるリード線又
は材質がＡＱ箔、Ａｇ箔等にてなるリードフィルムが前
記画電極の一部にハンダ付けや銀ペースト付は等の方法
でもって接続されていた。ところが、上述のリード線又
はリードフィルムの内、厚さ５０μｍより薄いＡＱ箔リ
ードフィルム以外は、撮影のため照射されるＸ線により
撮影像にリード線又はリードフィルムの像が写る現象が
見られた。又、電極とリード線又はリードフィルムとの
接続に用いたハンダ付けや銀ペースト付けの箇所も撮影
像に影が写った。このように、被写体の撮影像内にＸ線
検出装置の構成物が写ることにより、被写体の撮影像が
不鮮明になるという問題点があった。一方、リード線自
体や、リード線と電極との接点の像を撮影像に作らない
方法として、リード線にはカーボン被覆フィルムを使用
し電極には熱圧着にて該カーボン被覆フィルムを接続す
るヒートシール法と呼ばれる方法があるが、電極とカー
ボン被覆フィルムとの接続部の接触抵抗が数にΩ以上と
高く電極に生じる微小な電気信号にとって妨げとなり、
又、装置自体の信頼性も低いことにより、積極的に行な
われていない。

本発明は上述した問題点を解決すべくなされたもので、
被写体の機内にＸ線検出装置による像を作らずかつ信頼
性のおけるＸ線検出装置を提供することを目的としたも
のである。

［問題点を解決するための手段］ 本発明は、Ｘ線を可視光に変換するＸ線−光変換部と、
該可視光を電気信号に変換する光電変換部を備えたＸ線
検出装置において、該光電変換部の電極に連続してＸ線
に対して透過可能な薄膜状リード電極を前記碁打上にて
一体に形成して被写体の撮影領域外迄延長したことを特
徴とする。

［作用］ 上記のように構成することにより、Ｘ線検出装置に照射
されたＸ線は、Ｘ線−光変換部にて可視光に変換され、
変換された可視光は光電変換部にて電気信号に変換され
る。従って照射されたＸ線量に応じた電気信号が出力さ
れる。モして光電変換部の電極と同様のＸ線の透過可能
な薄膜状リード電極を被写体の撮影領域外まで延在した
から外部機器からのリードとの接続を被写体の撮影範囲
外で行なうことができ、従来例のように被写体の機内に
リード線の影が写ることはなくなる。

［実施例］ 第１図は本発明のＸ線検出装置の一実施例を示す一部破
断面を有する平面図、第２図は下地電極３及び基材ｌを
示す平面図、第３図は第１図におけるＡ−Ａ断面を示す
断面図、第４図は第１図におけるＢ−Ｂ断面を示す断面
図である。

ｌはＸ線の透過性が良いポリイミドフィルムを材質とす
る厚さ５０μｍにてなる光電変換部の基材である。該基
材１の平面形状の大きさは、第１図内に二点鎖線で示さ
れたＸ線撮影領域２よりも小さいものであり、第１図に
示すように、基材１の平面形状における一辺２ａ部はＸ
線撮影領域２の一辺と接するか、もしくは、該Ｘ線撮影
領域２より外側になるようＸ線撮影領域２に対し基材１
が設置される。基材１の一辺２ａ部より所定距離を隔て
た基材１の上表面に、第２図に示されるような基材１の
平面形状より大きくない厚さ５００〜１０００００人の
材質がＡｊにてなる下地電極３が形成される。この厚さ
の範囲ならば形成しやすくＸ線は透過可能でかつリード
部の抵抗も小さい。該下地電極３は、第２図に示される
ように、平面形状において下地電極３の受感部３ａを形
成している四辺形より、前述の辺２ａ方向に所定の狭い
幅３ｃで延在するように設けられた、下地電極３と同材
質、同厚さにてなる下地電極リード３ｂが形成されてい
る。尚、受感部３ａと下地電極リード３ｂには、接続箇
所はなく、一体で同時に形成されるものである。下地電
極３が形成された後、第２図に下地電極３の受感部３ａ
で示される範囲における基材ｌと反対方向の上表面全面
に、第１図に示すように平面形状が基材１より大きくな
く、全面３ａの範囲を覆う４辺形で材質が非晶質シリコ
ンよりなるｐ　−ｉ　−ｎ型半導体活性層４が厚さ１μ
ｍにて均一に形成される。さらに該半導体活性層４の基
材ｌと反対方向の上表面及び基材ｌの上表面には第１図
に示すように材質が例えばＳｎｏｗにてなる透明電極５
が厚さ１０００人にて形成される。透明電極５の平面形
状は、透明電極５の受感部５ａを形成している四角形と
、該受感部５ａから前述の辺２ａ方向に所定の狭い幅で
延在するように設けられた透明電極リード５ｂより成り
、第２図に示される平面形状がＬ字型の下地電極３を左
右反転させた逆り字型（」）の平面形状をなしている。

第１図及び第４図に示す透明電極５の受感部５ａ及び透
明電極リード５ｂの平面形状の大きさは、第２図に示す
下地電極３の受感部３ａ及び下地電極リード３ｂの大き
さにほぼ等しく、下地電極３の受感部３ａが位置するほ
ぼ同列上に透明電極５の受感部５ａが形成される。従っ
て基材ｌ上に形成される下地電極リード３ｂと透明電極
り−ド５ｂは第１図に示されるように接触することなく
間隔が保たれる。

尚、前記５　ａ、　５　ｂ、　５　ｃ部は分割されてな
く一体で同時に形成されるものであるが、５ｂは５ａ、
５ｃと、又３ｂは３ａと別に形成することも可能である
。

又、それぞれ、５ｂは５　ａ、　５　ｃと、３ｂは３ａ
と材質を変えても良い。特に、５ａは光を透すために薄
い方が良いが、そのためシート抵抗が大きくリード材質
として好ましくない。そのため薄（て抵抗の低いＡＱ薄
膜を５ｂ部に用いるのは好都合である。

さらに、第１図に示されるように透明電極５の」二表面
全面に、平面形状がＸ線撮影領域とほぼ同一の形で、材
質が例えばＺｎＳにてなるＸ線−光変換部６が設けられ
る。上記のように構成されたＸ線検出装置を、前述の如
く基材ｌの一辺２３部がＸ線撮影領域２の一辺と接する
か、もしくは外側になるよう設置する。

このように設置されたＸ線検出装置について、Ｘ線の検
出方法を以下に述べる。Ｘ線−光変換部６に入射したＸ
線は、Ｘ線−光変換部６の蛍光体の作用により可視光に
変換される。変換された可視光は、Ｘ線−光変換部６の
下方に発光し、下方に積層されている透明電極５の受感
部５ａを通過し半導体活性層４に達する。該半導体活性
層４にて可視光は電気信号に変換され透明電極５及び下
地電極３に電位差を生じさせる。これら電気信号はＸ線
撮影領域外まで延ばされた下地電極３と一体の下地電極
リード３ｂと、透明電極５と一体の透明電極リード５ｂ
の先端部（第１図に示す２ａ部）にて外部接点（図示せ
ず）と接続され、電圧計（図示せず）に電圧を指示する
。この電圧値よりＸ線検出装置に照射されたＸ線量を測
定することができる。

このように、基材ｌ、下地電極３、半導体活性層４、透
明電極５より形成された光電変換部内に設置される下地
電極３と透明電極５の一部を光電変換部の基材ｌ上に薄
膜で一体に形成し、撮影領域外道延長することで、撮影
像に影が現れた接続リード線を撮影に影春なく処理する
ことができ、又、Ｘ線検出装置外に電気信号を導く外部
接点との接続は撮影領域外にて行なわれる為、接続部に
おける外部接点と電極のハンダ付、銀ペースト付等の影
が撮影した画像に現れることを防止できるようになる。

し発明の効果］ 上述したように本発明によれば、光電変換部の電極と同
様のＸ線を透過可能な薄膜状リード電極を被写体の撮影
領域外まで基材上に一体に形成したから外部機器からの
リードとの接続を被写体の撮影範囲外で行なうことがで
き、必要とする被写体の撮影範囲内からはＸ線検出装置
の影となり現れる構成物を排除しているので、被写体の
像には不要な像は写らず、被写体の像のみを写すことが
可能となる。従って従来例に比べ被写体像が鮮明になり
、被写体の像とそれ以外の像を判別する行程を省くこと
ができるという利点がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例であるＸ線検出装置の一部破
断面を有する平面図、第２図は第１図のｌ構成物の平面
図、第３図は第１図のＡ−Ａ断面を示した断面図、第４
図は第１図のＢ−Ｂ断面を示した断面図、第５図は従来
のＸ線検出装置の一実施例を示す一部破断面を有する平
面図、第６図は第５図のＣ−Ｃ断面を示した断面図であ
る。 ｌ・・・基材、　３・・・下地電極、　４・・・半導体
活性層、　５・・・透明電極、　６・・・Ｘ線−光変換
部。 特許出願人　鐘淵化学工業株式会社 代理人　弁理士　青白　葆外１名 ■ ≠

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）Ｘ線を可視光に変換するＸ線−光変換部と、該可
   視光を電気信号に変換する光電変換部を備えたＸ線検出
   装置において、該光電変換部の電極に連続してＸ線に対
   して透過可能な薄膜状リード電極を前記基材上に一体に
   形成し被写体の撮影領域外迄延長したことを特徴とする
   Ｘ線検出装置。
2. （２）上記光電変換部がＸ線撮影領域より小さいことを
   特徴とする特許請求の範囲第１項記載のＸ線検出装置。
3. （３）上記光電変換部の電極を延長した部分である薄膜
   状リード部の厚さが５００〜１０００００Åであること
   を特徴とする特許請求の範囲第１項記載のＸ線検出装置
   。