JP2006202791A - Icパッケージ及びそれを用いたx線ct装置 - Google Patents

Icパッケージ及びそれを用いたx線ct装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2006202791A
JP2006202791A JP2005009728A JP2005009728A JP2006202791A JP 2006202791 A JP2006202791 A JP 2006202791A JP 2005009728 A JP2005009728 A JP 2005009728A JP 2005009728 A JP2005009728 A JP 2005009728A JP 2006202791 A JP2006202791 A JP 2006202791A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ray
chip
package
substrate
detector
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2005009728A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4509806B2 (ja
JP2006202791A5 (ja
Inventor
Fumiaki Fukuoka
史章 福岡
Takuya Kadoshima
拓也 門嶋
Kenji Maio
健二 麻殖生
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Healthcare Manufacturing Ltd
Original Assignee
Hitachi Medical Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Medical Corp filed Critical Hitachi Medical Corp
Priority to JP2005009728A priority Critical patent/JP4509806B2/ja
Publication of JP2006202791A publication Critical patent/JP2006202791A/ja
Publication of JP2006202791A5 publication Critical patent/JP2006202791A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4509806B2 publication Critical patent/JP4509806B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/1517Multilayer substrate
    • H01L2924/15182Fan-in arrangement of the internal vias
    • H01L2924/15184Fan-in arrangement of the internal vias in different layers of the multilayer substrate

Landscapes

  • Apparatus For Radiation Diagnosis (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Measurement Of Radiation (AREA)

Abstract

【課題】簡便な構造で内部のICチップに対する放射線遮蔽能力を備えたICパッケージを提供する。
【解決手段】基板12と、前記基板上に搭載されたICチップ7と、前記ICチップの外周を封止する樹脂13と、前記ICチップからの配線を外部に導きだすための導線14と、からなるICパッケージにおいて、前記基板または前記樹脂のうち少なくとも一方に放射線遮蔽部8が備えられたことを特徴とするICパッケージ。
【選択図】図4

Description

本発明は放射線計測において、集積回路を放射線から保護する技術に関する。
放射線を検出する目的で放射線検出器を使用する場合、放射線検出器で検出した信号を処理するのに集積回路(以下ICと略す)が必要となる。ICがチップとして一体形成されたICチップが、動作中に放射線の照射を浴びると内部のIC回路中のトランジスタの劣化が進行し、放射線照射下ではない場合と比較するとICチップの寿命が短くなる。
ところで、最近のマルチスライスX線CT装置の普及にともない、32列や64列などますますスライス数が多いCT装置が開発されるようになってきている。X線CT装置のスライス数が多くなればなるほど、検出器の各検出素子からの信号を処理するIC回路の実装が困難となる。スライス数の増加に伴う検出素子の増加だけでも、収納スペースが不足するが、さらに信号を処理するIC回路も含めると収納スペースはさらに厳しくなるからである。
検出器や信号を処理するIC回路を収納しているガントリーを大きくすれば、収納の問題は解決する。しかし、被検者へ圧迫感を与えたり、CT撮影を行いながら穿刺をするような場合に患部へアクセスが困難となることなどからガントリーの大型化で対応することは好まれない。
また、検出素子数の増加に伴い、多くの信号を処理する必要が生じ、信号線数も増加する。ここで、信号線の取り回しが複雑化して長くなると、ノイズを拾いやすくなるという問題もあるので、信号線は短くしたい。そのため、検出素子と信号を処理するIC回路の距離を近づけるように、検出素子基板の裏面に前記IC回路を装着することが行われる。
そこで、特許文献1では、X線遮蔽板を検出素子が搭載される基盤とICを含む信号処理回路が搭載される基盤との間に装着するという構成を開示する。
しかし、このような構成を採用した場合、検出素子と信号処理回路との間に介在するX線遮蔽板が邪魔して、信号線の取り回しが困難となる。また、プリント基板上の端子からIC上の端子にワイヤボンディングで配線するためには専用の装置が必要となりコストと手間の増大を招く。また、X線遮蔽板の存在のため、検出素子とICとの間をBGAにより結合することはできない。
USP6,510,195号公報
本発明は、このような従来技術の問題点を解消するものであり、IC内に放射線遮蔽部を備え、内部のICチップに対する放射線を遮蔽できるICパッケージを得ることを目的とする。
本発明によれば、基板と、前記基板上に搭載されたICチップと、前記ICチップの外周を封止する樹脂と、前記ICチップからの配線を外部に導きだすための導線と、からなるICパッケージにおいて、前記基板または前記樹脂のうち少なくとも一方に放射線遮蔽部が備えられたものを提供する。
また、前記ICパッケージは、前記導線に接続されたボールグリッドアレイをその表面に備えたことを特徴とする。
また、前記ICパッケージは、前記基板自体が放射線遮蔽材料からなり前記放射線遮蔽部として機能することを特徴とする。
さらに、X線CT装置のX線検出器に搭載されるX線計測回路用ICへ上記ICパッケージを用いたことを特徴とするX線CT装置を提供する。
本発明により、IC内の電子回路への放射線を、特に別途の遮蔽構造を設けることなく遮蔽できる。特に、放射線検出器の多素子化に伴い複雑化するX線遮蔽構造に制約されることなく、装置を設計することが可能となる。
また、ICを検出器素子の近傍に配置させることができ、配線が短くなる。これにより、検出信号のデジタル化の際の外部からの雑音混入を減少できる。
以下、放射線検出器用の放射線遮蔽型ICの一例として、X線CT装置を例に説明する。
X線CT装置の高解像度化及び高速化に伴い、X線を受光するX線検出器も多素子化される。これらの多数のX線検出素子から得られた信号はアナログ信号である。効率よい処理のため、信号はAD変換器でデジタル化された後、画像化するために処理される。
X線CT装置は、例えば図1のようになっている。X線管球20から照射されたX線は、テーブル22によって測定エリア21内に導かれた被照射体19を通過した後、X線を光に変換するシンチレータ1に入射する。シンチレータ1で変換された光は検出素子2に入射する。検出素子2の出力は、検出素子2を搭載した基板3上のICパッケージ10で処理される。図2に示すように、検出器ユニット4は、シンチレータ1、検出器素子2、ICパッケージ6を搭載した基板からなる。X線検出器5は、検出器ユニット4を多数並べて構成される。このように、X線CT装置の高解像度化及び高速化に伴い、X線を受光するX線検出器5も多素子化されている。
図2は、図1のX線CT装置スキャナ部における検出器ユニット4の構成例を示す。ここでは、検出器ユニットを2枚並べてスライス数を増加させるよう構成している。上述のように、複数の検出器ユニット4を配列することで検出器5を構成する。チャネル数の方向とスライス数の方向は図2に示した通りである。
図3には、図2の裏面の一例を示す。先述した通り、検出器ユニット4を2枚配列してスライス数を増やすようにしている。検出器ユニットはフレキシブルケーブル18で接続し、後段の出力側へも同様にフレキシブルケーブル18経由で接続される。各検出器ユニット4の裏面には、後述するアナログ−デジタル変換等をつかさどるICパッケージ10が搭載される。ICチップ17は、複数の基板を接続する際に信号伝送の制御などをつかさどる。ICチップ17にて制御された信号が、その右隣のフレキシブルケーブル18経由で後段の出力側へ接続される。なお、ここでは検出器ユニット同士や後段との接続用にフレキシブルケーブル18を用いることを説明した。しかし、本発明はこれには限らず、直接ピンで接続したり、光カップリングすることも可能である。
図1において、各検出器ユニット4はプリント基板3の上にシンチレータ素子1及びフォトダイオード素子2を格子状に配列して構成される。X線は格子状に多数並べられたシンチレータ素子1で可視光に変換され、その下のフォトダイオード素子2で電流信号に変換される。これらのフォトダイオード素子2から得られた電流信号はアナログ信号である。その後の効率よい処理のため、これらアナログ信号はAD変換器でデジタル化された後、画像化するために処理される。
X線検出器5は、X線管球20と対向して測定エリア21の周囲を回転しながら、一定時間被検体19を通過したX線を計測する。回転中計測を継続するため、各フォトダイオードからのアナログ出力信号数は膨大な数となる。そのような多数の信号を処理するには、回路規模や配線の複雑さが設計上の問題点となる。そこで、多数の信号処理が可能であり、回路を小型化でき、回路性能の均一化がはかれ、回路製作を効率化できるといったメリットを有するICが上記AD変換器としてデジタル化等に活用される。
ここで、X線検出器からの信号は一般に微小であり、AD変換器の機能を持つICに至るまでの配線は、様々なノイズの影響を受けやすい。このノイズは最終的に画像を構成する際に画質に影響する。画質は、患者の診断のために画像を作成するという人身に係る医療用X線CT装置等においては重大な問題である。ノイズを減少させるには、AD変換器としてのICを検出器素子の近くに配置することが望ましい。しかし、ICを検出器素子の近くに配置するということは、ICがX線に近くなるということである。先に従来技術の欄で述べたように、X線をはじめとする放射線はICチップ内におけるトランジスタの特性や機能の劣化を早める。
図4は本発明の一実施例に係るICパッケージの概略構造図である。IC10は、ICチップ7、接続線としての金ワイヤー9、半田ボール11、多層配線基板12、保護用樹脂材13、及び導線14からなる。ICチップ7はAD変換回路の回路部である。半田ボール11は後段の画像化回路と接続するための端子である。多層配線基板12は、その片面にX線遮蔽体8とさらにその上にICチップ7をもう片面に半田ボール11を搭載する。ICチップ7と半田ボール11は、接続線としての金ワイヤー9と導線14を経由して接続される。これらの構成の上部は保護用樹脂材13で覆われて保護されている。したがって、ICパッケージ10の裏面からX線15が照射された場合、多層基板12内のX線遮蔽体8により、入射したX線が遮られ、ICチップ7がX線の影響を受けることがなくなる。また、ICチップ7と後段への配線用の半田ボール11の距離は大変短いのでノイズの影響をほとんど受けない。 このように構成することで、X線による劣化の防止とノイズの防止を両立可能である。
実施例2では、実施例1では多層配線基板12上に配置されていたX線遮蔽体8が、図5のように多層配線基板12内に埋め込まれている。その他の構成は図4と同様であるので、使用する参照記号は特に断らない限り実施例1と同様のものを使用する。
実施例2において、X線遮蔽体8を多層配線基板12内に埋め込むことの長所は、半田ボール11の形成に使用する材質である鉛入り半田の層をそのままX線遮蔽体8としても用いることで、基板形成時の工程が簡略化できることである。さらに、もう1つのメリットは図6に示したようにX線遮蔽度の必要に応じてX線遮蔽体8の数を増やせることである。X線の遮蔽効果はX線が遮蔽体を通過した厚さに依存するため、多相配線基板12の形成時に埋め込むX線遮蔽体8の数を増やすことで遮蔽度も向上可能である。
また、半田ボール端子の数が少なくてよい場合は、図7のように多層配線基板12の裏面を加工して、そこにX線遮蔽体8を埋め込んでもよい。半田ボール11の形成に使用する材質である鉛入り半田の層を、加工した多層配線基板12の裏面に流し込むだけでX線遮蔽体8を形成できる。こうすると基板形成時の工程がさらに簡略化できる。
また、図8では、ICチップ7を金ワイヤーによるボンディングするのではなく、パッケージ内のICチップ7としてBGAタイプのものを使用した例である。ICの集積度が上がった場合、BGAタイプのICチップを検出器の裏面に直接ボンディングしようとしてもX線遮蔽が充分とならない場合がある。しかし、図8のようにICパッケージを構成する多層基板12内にX線遮蔽体8を形成することで、BGAタイプのICチップ7に対しても有効にX線を遮蔽できる。
実施例3は、実施例1と2におけるボールグリッドアレイ(BGA)タイプではなく、パッケージ側面に端子15が並ぶQFPタイプにおける例である。以下図9を用いて、本実施例を説明する。実施例3では、実施例2と同様に、X線遮蔽体8は、多層配線基板12内に埋め込まれている。なお、参照記号は特に断らない限り、実施例1と同様のものを使用する。
図9に示すICパッケージ10において、図7のようにプリント基板と接触する側のICチップ保護樹脂を加工し、X線遮蔽体8を組み込んである。パッケージ側面に端子15が並ぶQFPタイプのICは、図2から6のBGAタイプのものに比べて端子数が少ない代わりに、裏面に制約がない。このためX線遮蔽体8をより適切な位置に配置でき、ICチップをX線から充分に遮蔽することができる。
実施例1から3までは、多層配線基板12にX線遮蔽体8を装着する例を示した。本実施例はこれらとは異なり、多層配線基板12自体にX線機能を持たせる例を示す。なお、参照記号は特に断らない限り、実施例1と同様のものを使用する。
図10では、多層配線基板12自体を重金属酸化物や窒化物焼結体などのX線吸収作用を持つ素材で構成することで、パッケージ10の裏面から入射するX線を遮蔽することができる。
この場合、後にX線遮蔽体8を形成する手間をかけることなく、ICチップをX線から防護可能となる。これにより、工程の簡略化、製造コストの低減、及び設計の自由度が可能となる。
図11により、実施例5を説明する。実施例1から3までは、多層配線基板12にX線遮蔽体8を装着する例を示した。本実施例はこれらとは異なり、パッケージ上面を覆うパッケージ保護樹脂材13内にもX線遮蔽体を組み込むことで、X線CT装置内で反射して上面からICチップ7に入射するX線に対しても遮蔽効果を持つICパッケージ10を提供する。このように構成することで、ICチップ7へのX線の入射をほぼ完全に防止したICパッケージを提供できる。X線による劣化をより効率的に防止可能となる。なお、参照記号は特に断らない限り、実施例1と同様のものを使用する。
以上述べたように、本発明に係るICパッケージを使った放射線検出器は、ICチップへの放射線照射による特性劣化を考慮することなく使用できる。特に、多くの検出素子を搭載した最近のX線検出器装置では、全ての検出素子に対して特別なX線遮蔽構造を設計する必要がなくなるため、その効果は絶大である。
本発明に係るX線CT装置の要部構成図。 本発明に係るX線検出器ユニットを2つ連結した斜視図。 図2のX線検出器ユニットの裏面図。 本発明の一実施例に係るICパッケージの概略断面図。 本発明の一実施例に係るICパッケージの概略断面図。 本発明の一実施例に係るICパッケージの概略断面図。 本発明の一実施例に係るICパッケージの概略断面図。 本発明の一実施例に係るICパッケージの概略断面図。 本発明の一実施例に係るICパッケージの概略断面図。 本発明の一実施例に係るICパッケージの概略断面図。 本発明の一実施例に係るICパッケージの概略断面図。
符号の説明
1 シンチレータ、2 検出素子、3 基板、4 検出ユニット、5 X線検出器、7 ICチップ、9 金ワイヤー、10 ICパッケージ、11 半田ボール、12 多層配線基板、13 保護用樹脂材、14 導線、18 フレキシブルケーブル、19 被照射体、20 X線管球、21 測定エリア、22 テーブル

Claims (4)

  1. 基板と、前記基板上に搭載されたICチップと、前記ICチップの外周を封止する樹脂と、前記ICチップからの配線を外部に導きだすための導線と、からなるICパッケージにおいて、前記基板または前記樹脂のうち少なくとも一方に放射線遮蔽部が備えられたことを特徴とするICパッケージ。
  2. 前記導線に接続されたボールグリッドアレイをその表面に備えた請求項1に記載のICパッケージ。
  3. 前記基板自体が放射線遮蔽材料からなり前記放射線遮蔽部として機能することを特徴とする請求項1または2に記載のICパッケージ。
  4. X線CT装置のX線検出器に搭載されるX線計測回路用ICへ請求項1乃至3のいずれかに記載のICパッケージを用いたことを特徴とするX線CT装置。
JP2005009728A 2005-01-18 2005-01-18 Icパッケージ及びそれを用いたx線ct装置 Expired - Fee Related JP4509806B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005009728A JP4509806B2 (ja) 2005-01-18 2005-01-18 Icパッケージ及びそれを用いたx線ct装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005009728A JP4509806B2 (ja) 2005-01-18 2005-01-18 Icパッケージ及びそれを用いたx線ct装置

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2006202791A true JP2006202791A (ja) 2006-08-03
JP2006202791A5 JP2006202791A5 (ja) 2008-02-28
JP4509806B2 JP4509806B2 (ja) 2010-07-21

Family

ID=36960555

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005009728A Expired - Fee Related JP4509806B2 (ja) 2005-01-18 2005-01-18 Icパッケージ及びそれを用いたx線ct装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4509806B2 (ja)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008064664A (ja) * 2006-09-08 2008-03-21 Mitsubishi Electric Corp 荷電粒子線の線量分布測定装置
US7928385B2 (en) 2008-09-10 2011-04-19 Canon Kabushiki Kaisha Radiation machine
JP2011245209A (ja) * 2010-05-31 2011-12-08 Ge Medical Systems Global Technology Co Llc X線検出器モジュールおよびx線検出器並びにx線ct装置
JP2012105967A (ja) * 2010-10-20 2012-06-07 Toshiba Corp Das検出器及びx線コンピュータ断層撮影装置
JP2012118073A (ja) * 2010-11-30 2012-06-21 General Electric Co <Ge> スルービアインターポーザを有する検出器アレイ
JP2015521283A (ja) * 2012-05-07 2015-07-27 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ 少なくとも2つのシンチレータアレイ層間に配置される少なくとも1つの薄型フォトセンサを有する多層型水平コンピュータ断層撮影(ct)検出器アレイ
JP2018098444A (ja) * 2016-12-16 2018-06-21 株式会社デンソー 電子装置
CN111149208A (zh) * 2017-09-29 2020-05-12 芬兰探测技术股份有限公司 集成辐射探测器设备
US10896879B2 (en) 2018-03-14 2021-01-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor package having reflective layer with selective transmittance

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60106150A (ja) * 1983-11-15 1985-06-11 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 耐放射線パツケ−ジ
JPH03208364A (ja) * 1990-01-10 1991-09-11 Mitsubishi Electric Corp 半導体パッケージ
JP2001083255A (ja) * 1999-09-10 2001-03-30 Kyocera Corp X線検出素子搭載用配線基板
JP2001094139A (ja) * 1999-09-24 2001-04-06 Kyocera Corp X線検出素子搭載用配線基板
JP2001511202A (ja) * 1997-01-30 2001-08-07 スペース エレクトロニクス,インコーポレイテッド 放射線遮蔽材をイオン化するための方法及び組成物関連出願のクロスレファレンス
JP2006518112A (ja) * 2003-02-13 2006-08-03 フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド 電子部品及びその製造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60106150A (ja) * 1983-11-15 1985-06-11 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 耐放射線パツケ−ジ
JPH03208364A (ja) * 1990-01-10 1991-09-11 Mitsubishi Electric Corp 半導体パッケージ
JP2001511202A (ja) * 1997-01-30 2001-08-07 スペース エレクトロニクス,インコーポレイテッド 放射線遮蔽材をイオン化するための方法及び組成物関連出願のクロスレファレンス
JP2001083255A (ja) * 1999-09-10 2001-03-30 Kyocera Corp X線検出素子搭載用配線基板
JP2001094139A (ja) * 1999-09-24 2001-04-06 Kyocera Corp X線検出素子搭載用配線基板
JP2006518112A (ja) * 2003-02-13 2006-08-03 フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド 電子部品及びその製造方法

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008064664A (ja) * 2006-09-08 2008-03-21 Mitsubishi Electric Corp 荷電粒子線の線量分布測定装置
US7928385B2 (en) 2008-09-10 2011-04-19 Canon Kabushiki Kaisha Radiation machine
JP2011245209A (ja) * 2010-05-31 2011-12-08 Ge Medical Systems Global Technology Co Llc X線検出器モジュールおよびx線検出器並びにx線ct装置
JP2012105967A (ja) * 2010-10-20 2012-06-07 Toshiba Corp Das検出器及びx線コンピュータ断層撮影装置
JP2012118073A (ja) * 2010-11-30 2012-06-21 General Electric Co <Ge> スルービアインターポーザを有する検出器アレイ
JP2015521283A (ja) * 2012-05-07 2015-07-27 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ 少なくとも2つのシンチレータアレイ層間に配置される少なくとも1つの薄型フォトセンサを有する多層型水平コンピュータ断層撮影(ct)検出器アレイ
JP2018098444A (ja) * 2016-12-16 2018-06-21 株式会社デンソー 電子装置
CN111149208A (zh) * 2017-09-29 2020-05-12 芬兰探测技术股份有限公司 集成辐射探测器设备
JP2020535404A (ja) * 2017-09-29 2020-12-03 ディテクション テクノロジー オイ 統合型放射線検出器デバイス
US10896879B2 (en) 2018-03-14 2021-01-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor package having reflective layer with selective transmittance

Also Published As

Publication number Publication date
JP4509806B2 (ja) 2010-07-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4509806B2 (ja) Icパッケージ及びそれを用いたx線ct装置
JP5455620B2 (ja) 放射線検出器および当該検出器を含む装置
JP3595759B2 (ja) 撮像装置および撮像システム
EP1356317B1 (en) Back-illuminated photodiodes for computed tomography detectors
US7606346B2 (en) CT detector module construction
US9835733B2 (en) Apparatus for detecting X-rays
US7582879B2 (en) Modular x-ray measurement system
US10130317B2 (en) Intraoral dental radiological imaging sensor
US9171878B2 (en) Detector and DAS, and X-ray computed tomography apparatus
JP2004536313A (ja) 固体x線放射検出器モジュールとそのモザイク構造、および撮像方法とそれを用いる撮像装置
US20100327173A1 (en) Integrated Direct Conversion Detector Module
JP2009189384A (ja) X線ct装置
JPH07333348A (ja) 放射線検出器およびこれを用いたx線ct装置
JP2007155564A (ja) 放射線検出器および放射線画像検出装置
JP2008122116A (ja) 放射線検出器およびx線断層撮影装置
US20140367578A1 (en) X-ray image sensor
JP5512228B2 (ja) 放射線検出装置
US8755486B2 (en) Method for placing A/D converter, front-lit detector and CT apparatus
JP5676922B2 (ja) X線検出器モジュールおよびx線検出器並びにx線ct装置
US6133574A (en) Radiation-electrical transducer
JP2001051064A (ja) マルチスライスx線検出器及びこれを用いたx線ct装置
JP2004065285A (ja) X線検出器及びこれを用いたx線ct装置
US7010084B1 (en) Light detector, radiation detector and radiation tomography apparatus
JP3940360B2 (ja) 放射線検出器
JP6184136B2 (ja) 放射線検出装置

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080115

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080115

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20091214

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20091221

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100208

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100301

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100401

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20100419

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20100428

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130514

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130514

Year of fee payment: 3

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees