JPS60142300A - 螢光板及び放射線検出素子 - Google Patents
螢光板及び放射線検出素子Info
- Publication number
- JPS60142300A JPS60142300A JP58252111A JP25211183A JPS60142300A JP S60142300 A JPS60142300 A JP S60142300A JP 58252111 A JP58252111 A JP 58252111A JP 25211183 A JP25211183 A JP 25211183A JP S60142300 A JPS60142300 A JP S60142300A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- fluorescent screen
- holes
- radiation detection
- detection element
- radiation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はＸ線、γ線、α線又はβ線などの放射線を一次
元的又は二次元的に検出する蛍光板と、固体放射線検出
素子に関する。
元的又は二次元的に検出する蛍光板と、固体放射線検出
素子に関する。
（従来技術）
Ｘ線０丁（コンピュータトモクラフィ）やポジ１〜ロン
ＣＴて用いられる放１１１４線検出素了、又は放射線の
一次元的もしくは二次元的イメージセンサとしては、例
えば第１図に示されるように、光電子倍増管１の入射面
に単結晶シンチレータ２を接着した素子を多数配列した
ものか使用されている。
ＣＴて用いられる放１１１４線検出素了、又は放射線の
一次元的もしくは二次元的イメージセンサとしては、例
えば第１図に示されるように、光電子倍増管１の入射面
に単結晶シンチレータ２を接着した素子を多数配列した
ものか使用されている。
しかし、この検出素子では、光電子倍増管】の小型化に
限界があるため分解能が数ｍ ｍと低く、また、大きな
空間全必要とする不便な点もある。
限界があるため分解能が数ｍ ｍと低く、また、大きな
空間全必要とする不便な点もある。
他の放射線検出素子の例としては、第２図に示されるよ
うに、多数の単結晶シンチレータ３をしきい板４を介し
て接着し、これを光検出素子としてのフォ１〜ダイオー
ドアレイ５を接着したものも使用されている。しかし、
この検出素子では単結晶シンチレータ３を１個ずつ接着
していかなけれはならないため多くの製造工程を必要と
し、また、分解能も低く０．５ｒｎｍ程度が限界である
。更に、このような１１１結晶シンチレータを二次元的
接着することは困難であるという問題もある。
うに、多数の単結晶シンチレータ３をしきい板４を介し
て接着し、これを光検出素子としてのフォ１〜ダイオー
ドアレイ５を接着したものも使用されている。しかし、
この検出素子では単結晶シンチレータ３を１個ずつ接着
していかなけれはならないため多くの製造工程を必要と
し、また、分解能も低く０．５ｒｎｍ程度が限界である
。更に、このような１１１結晶シンチレータを二次元的
接着することは困難であるという問題もある。
他にも、例えはＸ−ｅ電離箱を使用したものやビジコン
もしくは撮像管を使用したものもある。しかし１、前者
のＸｅ電隨χ１１を１吏用したものでは、二次元化が困
難、である−に、耐電圧及び耐圧力対策も必・界となる
。しかも分解能もＩ ｍ ｍ程度と低い問題もある。後
者のビジコン等を使用したものでは、高価である」−１
製作が困難である問題もある。しかも、この場合にも分
缶′能が低く、大型化する問題もある。
もしくは撮像管を使用したものもある。しかし１、前者
のＸｅ電隨χ１１を１吏用したものでは、二次元化が困
難、である−に、耐電圧及び耐圧力対策も必・界となる
。しかも分解能もＩ ｍ ｍ程度と低い問題もある。後
者のビジコン等を使用したものでは、高価である」−１
製作が困難である問題もある。しかも、この場合にも分
缶′能が低く、大型化する問題もある。
（１］的）
本発明は、製作が容易で、小型化か可能であり、高い分
解能をもって一次元的又は二次元的イメージセンサに使
用できる蛍光板と、その蛍光板を使用した固体放射線検
出素子を提供することを目的とするものである。
解能をもって一次元的又は二次元的イメージセンサに使
用できる蛍光板と、その蛍光板を使用した固体放射線検
出素子を提供することを目的とするものである。
（構成）
本発明の蛍光板は、１枚又は２枚以上りχねられたシリ
コン基板に面に垂直な方向の方向性のよい多数の貫通孔
か開けられ、それらの貫通孔に蛍光体が封入されて構成
されたものである。
コン基板に面に垂直な方向の方向性のよい多数の貫通孔
か開けられ、それらの貫通孔に蛍光体が封入されて構成
されたものである。
本発明の蛍光板ではシリコン基板を用いるので、異方性
エノチンク法により貫通孔を方向性よく、しかも高密度
に開けることか容易である。
エノチンク法により貫通孔を方向性よく、しかも高密度
に開けることか容易である。
また、本発明の放射線検出素−ｒは、に記の蛍光板に半
導体光検出素子が接着されて（＋Ｖｉ成されたものであ
る。
導体光検出素子が接着されて（＋Ｖｉ成されたものであ
る。
以下、実施例により本発明の詳細な説明する。
（実施例）
第３図は本発明の一実施例の要部を表わし、１０は蛍光
板、２０はその蛍光板１０に接着される半導体光検出素
子である。
板、２０はその蛍光板１０に接着される半導体光検出素
子である。
蛍光板１０では、シリコン基板１１に表から裏に１１通
する方向性のよい孔１２が多数開けられており、その貫
通孔１２にはシンチレータとしての蛍光体１３が封入さ
れている。
する方向性のよい孔１２が多数開けられており、その貫
通孔１２にはシンチレータとしての蛍光体１３が封入さ
れている。
貫通孔１２は方向性をよくするために後述の如き異方性
エツチング法により開Ｌ１され、そのためシリコン基板
１１は＜１．００＞の面方位をもっている。
エツチング法により開Ｌ１され、そのためシリコン基板
１１は＜１．００＞の面方位をもっている。
貫通孔１２に封入される蛍光体としては、ＺｎＳ （Ａ
ｇ）、ＺｎＳ （Ｃｕ） 、もしくはＧｄ＝Ｏ：Ｓ （
Ｐｒ、Ｃｅ、Ｆ）なとの粉末シンチレータ、又はＮａＩ
（’Ｉ″Ｑ） 、 Ｃｓ Ｉ （Ｔ Ｑ）、Ｃｓ １
（Ｎａ） 、Ｋｌ （”］、’１２） 、 Ｉ−ｉ Ｉ
（Ｅｕ）もしくはＣｓＦなとの比較的低融点（ｍ、Ｐ
、”５００〜７００°Ｃ）のシンチレータを７容かし込
んだものであってもよい。これらの蛍光体は被測定線種
により選択して使用すればよい。例えば、α線や中性子
線にはＺｎＳ（Ａｇ）やＬｉＩ（Ｅｕ）が適当であり、
γ線やＸ線には Ｇｄｚ○：５（Ｐｒ、Ｃｅ、Ｆｅ）
、Ｎａ Ｉ （Ｔ（１）やＣｓＩなどが適当である。
ｇ）、ＺｎＳ （Ｃｕ） 、もしくはＧｄ＝Ｏ：Ｓ （
Ｐｒ、Ｃｅ、Ｆ）なとの粉末シンチレータ、又はＮａＩ
（’Ｉ″Ｑ） 、 Ｃｓ Ｉ （Ｔ Ｑ）、Ｃｓ １
（Ｎａ） 、Ｋｌ （”］、’１２） 、 Ｉ−ｉ Ｉ
（Ｅｕ）もしくはＣｓＦなとの比較的低融点（ｍ、Ｐ
、”５００〜７００°Ｃ）のシンチレータを７容かし込
んだものであってもよい。これらの蛍光体は被測定線種
により選択して使用すればよい。例えば、α線や中性子
線にはＺｎＳ（Ａｇ）やＬｉＩ（Ｅｕ）が適当であり、
γ線やＸ線には Ｇｄｚ○：５（Ｐｒ、Ｃｅ、Ｆｅ）
、Ｎａ Ｉ （Ｔ（１）やＣｓＩなどが適当である。
この蛍光板１０は、第３図のように溝形の貫通孔１２を
一次元的に配列したものであってもよいし、第４図のよ
うに円形の貫通孔１４を二次元的に配列したものであっ
てもよく、更には、他の形状の貫通孔を一次元的又は二
次元的に配列したものであってもよい。
一次元的に配列したものであってもよいし、第４図のよ
うに円形の貫通孔１４を二次元的に配列したものであっ
てもよく、更には、他の形状の貫通孔を一次元的又は二
次元的に配列したものであってもよい。
シリコン」基板］１の厚さは、α線や中性子線のような
透過力の小さい放射線をａｌｌ＋定する場合には薄くて
もよく、γ線やＸ線のような透過力の大きい放射線を測
定する場合には厚くすればよい。しかし、シリコン基板
１゛１かあまり厚くなると貫通孔１２，１．／ｌを方向
性よく開けることが困■１１．になるため、適当な厚さ
のシリコン基板１１を用いて形成された蛍光板１０を２
枚以−に接着して−１＜ねて使用すればよい。
透過力の小さい放射線をａｌｌ＋定する場合には薄くて
もよく、γ線やＸ線のような透過力の大きい放射線を測
定する場合には厚くすればよい。しかし、シリコン基板
１゛１かあまり厚くなると貫通孔１２，１．／ｌを方向
性よく開けることが困■１１．になるため、適当な厚さ
のシリコン基板１１を用いて形成された蛍光板１０を２
枚以−に接着して−１＜ねて使用すればよい。
この蛍光板ｌＯを用いて固体の放射線検出素子を形成す
るには、第３図に示されるように、半導体光検出素子２
０を接着剤により接着すれはよい。
るには、第３図に示されるように、半導体光検出素子２
０を接着剤により接着すれはよい。
半導体光検出素子２０としては、フォトダイオー１−を
アレイ状に配列したもの、又はＣＣＤ型、ＭＯＳ型、ｃ
ｒ ＩＩ）型、ｓ ｒ Ｔ型、ｌ） ＣＤ型、ＣＰＤ
型もしくは１３Ｂ１つ型のイメージセンサを用いること
ができる。このような半導体光検出素子２０の光検出部
２】は、蛍光板１０の貫通孔１２．１４の形状と配列に
対応して、−次元的又は二次元的に配列されている。
アレイ状に配列したもの、又はＣＣＤ型、ＭＯＳ型、ｃ
ｒ ＩＩ）型、ｓ ｒ Ｔ型、ｌ） ＣＤ型、ＣＰＤ
型もしくは１３Ｂ１つ型のイメージセンサを用いること
ができる。このような半導体光検出素子２０の光検出部
２】は、蛍光板１０の貫通孔１２．１４の形状と配列に
対応して、−次元的又は二次元的に配列されている。
接着剤にはエポキシ系、ポリエステル系などの光透過性
接着剤を使用すれはよい。
接着剤を使用すれはよい。
本実施例の放射線検出素子では、蛍光板１０に入射した
Ｘ線等の放射線は、貫通孔１２．１４１４１で蛍）１６
体〕３にシンチレーション効果を起させて発光させる。
Ｘ線等の放射線は、貫通孔１２．１４１４１で蛍）１６
体〕３にシンチレーション効果を起させて発光させる。
その光か半導体光検出素子２０により検出されることに
より、入射放射線の位置と強度が検出される。
より、入射放射線の位置と強度が検出される。
第５図は本発明放射線検出素子の他の実施例を表わす。
蛍光板１０の一方の而には平導体光検出素子としてＮ型
基板２２にＰ層の光検出層２１が形成されたフォトダイ
オードアレイ２３か接着剤３０により接着されており、
蛍光板１０の他方の面、すなわち放射線入射側の面には
光反射膜４０が形成されている。２４はフォ１−タイオ
ー１くアレイ２３のバノシベーシ玉ン用５ｉＯｚｌ模で
ある。
基板２２にＰ層の光検出層２１が形成されたフォトダイ
オードアレイ２３か接着剤３０により接着されており、
蛍光板１０の他方の面、すなわち放射線入射側の面には
光反射膜４０が形成されている。２４はフォ１−タイオ
ー１くアレイ２３のバノシベーシ玉ン用５ｉＯｚｌ模で
ある。
光反射膜４０としてはアルミニュウムや金の恭着膜、又
はＴｉ０ｚやＢ ａ Ｓ ０４などの白色ベンイ１〜の
塗布膜が適当である。
はＴｉ０ｚやＢ ａ Ｓ ０４などの白色ベンイ１〜の
塗布膜が適当である。
本実施例では放射線入射により蛍光体１３から発光され
た光は、フォ１−ダイオードアレイ２３の光検出層２１
へ向かって発光された光は勿論のこと、光検出層２１と
反対方向へ向って発光された光も光反射膜４０により反
射されて光検出層２１て受光されるため、放射線検出感
度が増大する利点がある。
た光は、フォ１−ダイオードアレイ２３の光検出層２１
へ向かって発光された光は勿論のこと、光検出層２１と
反対方向へ向って発光された光も光反射膜４０により反
射されて光検出層２１て受光されるため、放射線検出感
度が増大する利点がある。
第６図は本発明放射線検出素子の更に他の実施例を表わ
す。
す。
本実施例では蛍光板１０の両面に半導体光検出素子とし
てのフォトダイオードアレイ２：号か４１′イ′。
てのフォトダイオードアレイ２：号か４１′イ′。
されている。
この場合、蛍光体１３からの発光はいずれかのフォ１−
ダイオードアレイ２３の光検出層、２Ｉて受光されるの
で、第５図の実施例と同様に放射線検出感度の高い利点
がある。ただし、この場合蛍光板１０の放射線入射側に
もフォＩ−ダイオードアレイ２３が接着されているので
、γ線やＸ線などのような透過力の高い放射線をａｌｌ
＋定する場合に有効である。
ダイオードアレイ２３の光検出層、２Ｉて受光されるの
で、第５図の実施例と同様に放射線検出感度の高い利点
がある。ただし、この場合蛍光板１０の放射線入射側に
もフォＩ−ダイオードアレイ２３が接着されているので
、γ線やＸ線などのような透過力の高い放射線をａｌｌ
＋定する場合に有効である。
次に、一実施例の製造方法を第７図により説明する。
＜１００＞の面方位をもつシリコンウェハの基板１１に
、通常の熱酸化法により両表面に酸化膜（ＳｉＯｒ）１
５を形成する（第７図（Ａ））。
、通常の熱酸化法により両表面に酸化膜（ＳｉＯｒ）１
５を形成する（第７図（Ａ））。
次に、貫通孔を開ける部分の酸化膜Ｉ５をリソクラフィ
技法により除去して開口】６を形成する（同図（Ｂ））
。この例では後の工程の異方性エツチングでサイドエツ
チングを少なくするために、両表面の酸化膜１５をエツ
チングしているが、片面の酸化膜１５のみをエツチング
してもよい。
技法により除去して開口】６を形成する（同図（Ｂ））
。この例では後の工程の異方性エツチングでサイドエツ
チングを少なくするために、両表面の酸化膜１５をエツ
チングしているが、片面の酸化膜１５のみをエツチング
してもよい。
次に、パターン化された酸化膜１５をマスクとしてシリ
コン基板１１に異方性エツチングを施こし、貫通孔１２
を開ける（同図（Ｃ））。異方性エツチングは、シリコ
ン基板１１の面に垂直な方向のエツチング速度が面に平
行な方向のエツチング速度よりも大きいような手段を採
用すればよい。
コン基板１１に異方性エツチングを施こし、貫通孔１２
を開ける（同図（Ｃ））。異方性エツチングは、シリコ
ン基板１１の面に垂直な方向のエツチング速度が面に平
行な方向のエツチング速度よりも大きいような手段を採
用すればよい。
異方性エツチングは、Ｅｌ）Ｗ（エチレンシアミン。
ピロカテコール及び水が適当な割合で混合された溶液）
やアルカリエツチング液（例えはＫ ０１−１７Ｅ４液
）などの異方性エツチング液を用いた化学エツチング法
、又はリアクティブエツチングなどのドライエツチング
法により行なえはよい。Ｅ Ｐ Ｗを用いたシリコン基
板のエツチング速度は面方位により異なり、 ＜１００＞ ： ＜１１０＞ ： ＜１］１＞＝ ５０
： ３ ： １であるので、本実施例のように〈ｌｏ
ｏ〉シリコン基Ｄｊ、】１をＥＰＷでエツチングすれは
、貫通孔は而に垂直な方向に方向性のよい貫通孔となる
。
やアルカリエツチング液（例えはＫ ０１−１７Ｅ４液
）などの異方性エツチング液を用いた化学エツチング法
、又はリアクティブエツチングなどのドライエツチング
法により行なえはよい。Ｅ Ｐ Ｗを用いたシリコン基
板のエツチング速度は面方位により異なり、 ＜１００＞ ： ＜１１０＞ ： ＜１］１＞＝ ５０
： ３ ： １であるので、本実施例のように〈ｌｏ
ｏ〉シリコン基Ｄｊ、】１をＥＰＷでエツチングすれは
、貫通孔は而に垂直な方向に方向性のよい貫通孔となる
。
このように形成された貫通孔］２に蛍光体１３を粉末状
態で、又は溶かし込むことにより封入する（同図（Ｄ）
）。このようにして本発明蛍光板１０が形成される。
態で、又は溶かし込むことにより封入する（同図（Ｄ）
）。このようにして本発明蛍光板１０が形成される。
次に、この蛍光板１０に接着剤３ｏによりフォ１−ダイ
オードアレイ２３のような半導体光検出素ｒを接着すれ
ば、本発明放射線検出素子の一実施例が形成される。
オードアレイ２３のような半導体光検出素ｒを接着すれ
ば、本発明放射線検出素子の一実施例が形成される。
（効果）
本発明の蛍光板はシリコン基板を用いるので、貫通孔を
高密度に、方向性よく開けることができ、しかも貫通孔
をリソグラフィ法により開けることができるのでその工
程は容易である。そしてそのような蛍光板を用いた本発
明の放射線検出素子は、高分解能をもち、小型化が容易
で、−次元又は二次元のセンサーとすることも容易であ
る。
高密度に、方向性よく開けることができ、しかも貫通孔
をリソグラフィ法により開けることができるのでその工
程は容易である。そしてそのような蛍光板を用いた本発
明の放射線検出素子は、高分解能をもち、小型化が容易
で、−次元又は二次元のセンサーとすることも容易であ
る。
第１図及び第２図はそれぞれ従来の放射線検出素子を示
す断面図、第３図は本発明の蛍光板及び放射線検出素子
の一実施例を示す要部の分解斜視図、第４図は本発明の
蛍光板の他の実施例を示す斜視図、第５図及び第６図は
それぞれ本発明放射線検出素子の他の実施例を示す断面
図、第７図（Ａ）ないし同図（Ｅ）は−実施例の蛍光板
及び放射線検出素子の製造工程を断面図で示す図である
。 １０・・・・・・蛍光板、 工１・・・・・シリコンノ
ー：抜、１２・・・・貫通孔、 １３・・・・・・蛍光
体。 １２・・・・・半導体光検出素子、 ２３・・・・フォ１−ダイオードアレイ、３０・・・・
・・接着剤。 特許出願人 株式会社島津製作所 代理人 弁理士 野１１繁雉
す断面図、第３図は本発明の蛍光板及び放射線検出素子
の一実施例を示す要部の分解斜視図、第４図は本発明の
蛍光板の他の実施例を示す斜視図、第５図及び第６図は
それぞれ本発明放射線検出素子の他の実施例を示す断面
図、第７図（Ａ）ないし同図（Ｅ）は−実施例の蛍光板
及び放射線検出素子の製造工程を断面図で示す図である
。 １０・・・・・・蛍光板、 工１・・・・・シリコンノ
ー：抜、１２・・・・貫通孔、 １３・・・・・・蛍光
体。 １２・・・・・半導体光検出素子、 ２３・・・・フォ１−ダイオードアレイ、３０・・・・
・・接着剤。 特許出願人 株式会社島津製作所 代理人 弁理士 野１１繁雉
Claims (5)
- （１）１枚又は２枚以上重ねられたシリコン基板に而に
垂直な方向の方向性のよい多数の貫通孔が開けられてお
り、該貫通孔には蛍光体が封入されていることを特徴と
する蛍光板。 - （２）１枚又は２枚以上重ねられたシリコンＪｒ’ｓ板
に面に前直な方向の方向性のよい多数の貫通孔か開けら
れており、該貫通孔には蛍光体か封入されている蛍光板
と、 該蛍光板に接着された一次元又は二次元の半導体光検出
素子と、を備えたことを特徴とする固体放射線検出素子
。 - （３）前記蛍光板の片面のみに半導体光検出素子が接着
されている特許請求の範囲第２項に記載の放射線検出素
子 - （４）前記蛍光板の面のうち半導体光検出素子が接着さ
れていない面には光反射膜が形成されている特許請求の
範囲第３項に記載の放射線検出素子。 - （５）前記蛍光板の両面に半導体光検出素−ｒが接着さ
れている特許請求の範囲第２項に記載の放射線検出素子
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58252111A JPS60142300A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | 螢光板及び放射線検出素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58252111A JPS60142300A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | 螢光板及び放射線検出素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60142300A true JPS60142300A (ja) | 1985-07-27 |
| JPH0442640B2 JPH0442640B2 (ja) | 1992-07-14 |
Family
ID=17232636
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58252111A Granted JPS60142300A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | 螢光板及び放射線検出素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60142300A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62100679A (ja) * | 1985-10-28 | 1987-05-11 | Hitachi Medical Corp | Ｘ線ｃｔ装置の検出器 |
| US5030828A (en) * | 1990-06-25 | 1991-07-09 | Grumman Aerospace Corporation | Recessed element photosensitive detector array with optical isolation |
| WO2003067282A1 (fr) * | 2002-02-08 | 2003-08-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Detecteur de rayons x et procede de production d'un tel detecteur |
| US7164112B2 (en) | 1997-04-10 | 2007-01-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device for reducing radiation noise on large screen sensors |
| WO2007077939A1 (ja) * | 2006-01-06 | 2007-07-12 | Riken | 中性子検出器 |
-
1983
- 1983-12-28 JP JP58252111A patent/JPS60142300A/ja active Granted
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62100679A (ja) * | 1985-10-28 | 1987-05-11 | Hitachi Medical Corp | Ｘ線ｃｔ装置の検出器 |
| US5030828A (en) * | 1990-06-25 | 1991-07-09 | Grumman Aerospace Corporation | Recessed element photosensitive detector array with optical isolation |
| US7164112B2 (en) | 1997-04-10 | 2007-01-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device for reducing radiation noise on large screen sensors |
| US7663082B2 (en) | 1997-04-10 | 2010-02-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device for reducing radiation noise on large screen sensors |
| WO2003067282A1 (fr) * | 2002-02-08 | 2003-08-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Detecteur de rayons x et procede de production d'un tel detecteur |
| US7053380B2 (en) | 2002-02-08 | 2006-05-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | X-ray detector and method for producing X-ray detector |
| CN100335914C (zh) * | 2002-02-08 | 2007-09-05 | 株式会社东芝 | X射线检测器及x射线检测器的制造方法 |
| WO2007077939A1 (ja) * | 2006-01-06 | 2007-07-12 | Riken | 中性子検出器 |
| JP2007183149A (ja) * | 2006-01-06 | 2007-07-19 | Institute Of Physical & Chemical Research | 中性子検出器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0442640B2 (ja) | 1992-07-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4234792A (en) | Scintillator crystal radiation detector | |
| JP2609496B2 (ja) | 防湿シール構造を有する平面ｘ線イメージャ | |
| US9562979B2 (en) | Radiographic detector formed on scintillator | |
| US6194726B1 (en) | Semiconductor radiation detector with downconversion element | |
| US4230510A (en) | Distributed phosphor scintillator structures | |
| JPS61110079A (ja) | 放射線検出器 | |
| JP2002214349A (ja) | Ｘ線検出モジュール | |
| CA2492587A1 (en) | Gamma ray detector for positron emission tomography (pet) and single photon emmission computed tomography (spect) | |
| JP2003017676A (ja) | 放射線撮像装置およびそれを用いた放射線撮像システム | |
| JP2003521671A (ja) | 放射線検出用複合ナノ発光体スクリーン | |
| US20100065724A1 (en) | Method of assembling a light element module and light element module assembly | |
| JP4445281B2 (ja) | Ｘ線検出器パネル組立体を製造する方法及びデジタルｘ線パネル | |
| JPH0511060A (ja) | ２次元モザイク状シンチレ―シヨン検出装置 | |
| JPH0252995B2 (ja) | ||
| JP4764039B2 (ja) | 放射線検出器用蛍光体シートおよびそれを用いた放射線検出器 | |
| WO2007113898A1 (ja) | 放射線検出器 | |
| JPS60142300A (ja) | 螢光板及び放射線検出素子 | |
| JP2720159B2 (ja) | 多素子放射線検出器及びその製造方法 | |
| JP2004317300A (ja) | 放射線平面検出器及びその製造方法 | |
| WO2007113899A1 (ja) | 放射線検出器 | |
| US20200144314A1 (en) | Detector architecture using photodetector substrates and semiconductor devices | |
| JP2840941B2 (ja) | 多素子放射線検出器及びその製造方法 | |
| JP3531908B2 (ja) | 撮像装置、放射線検出装置および画像処理システム | |
| JPS6263881A (ja) | 放射線検出器 | |
| JPH10319126A (ja) | 放射線検出器とその製造方法 |