JP2609496B2 - 防湿シール構造を有する平面x線イメージャ - Google Patents
防湿シール構造を有する平面x線イメージャInfo
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- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 29
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 14
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 25
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 10
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 10
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M caesium iodide Chemical compound [I-].[Cs+] XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 2
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 2
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 2
- 229910000833 kovar Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000005251 gamma ray Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 1
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
- G01T1/2018—Scintillation-photodiode combinations
- G01T1/20185—Coupling means between the photodiode and the scintillator, e.g. optical couplings using adhesives with wavelength-shifting fibres
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
- G01T1/2018—Scintillation-photodiode combinations
- G01T1/20188—Auxiliary details, e.g. casings or cooling
- G01T1/20189—Damping or insulation against damage, e.g. caused by heat or pressure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14618—Containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14658—X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers
- H01L27/14663—Indirect radiation imagers, e.g. using luminescent members
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Apparatus For Radiation Diagnosis (AREA)
- Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
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Description
(平成4年第222517号)「反射および保護膜を有
するソリッドステート放射線イメージャ」と関連してい
る。
ジング)システムに関し、特にこのようなシステムに用
いる光検出器と結合したシンチレータに関する。
び工業目的に広く使用されている。放射線を検出し、そ
れから電気信号を発生し、この信号を用いて、検出され
た電磁放射線のパターンを分析するため視覚的ディスプ
レー装置または他の装置を作動させる、イメージングシ
ステムが開発されている。このようなシステムでは、代
表的にはX線またはγ線である放射線をシンチレータ材
料に吸収させ、光学的光子を発生する。シンチレータか
ら出てくる光子を光検出器(フォトディテクタ)で検出
して電気的出力信号を発生し、その信号を処理してディ
スプレーまたは分析システムを駆動することができる。
するか、あるいは個別の素子に分割することができ、後
者の場合、たとえばダイシングまたは切断するか、個別
の柱状構造が形成されるようにシンチレータ材料を堆積
することにより、個別の素子を形成する。シンチレータ
の構造にかかわりなく、シンチレータ材料を水分吸収か
ら保護するのが重要である。たとえば、典型的なシンチ
レータ材料であるヨウ化セシウムは吸湿性材料である。
すなわち、ヨウ化セシウムはそのまわりの雰囲気から湿
気を吸収する傾向を示し、そして湿気を吸収すると、加
水分解し、その結果その発光特性が劣化する。放射線検
出器では、吸収の結果として発生する光子の大部分が光
検出器に向かうようにすることによって、シンチレータ
からのルミネッセンスをフォトダイオードで集める効率
を最大にすることも有利である。
を気密シール包囲体(エンクロージャ)で囲むことは難
しい。それは、代表的にはシンチレータの形成に用いる
普通の蒸発堆積方法から得られるようなシンチレータ材
料の端部または表面の形状が不規則なせいである。この
ようなシンチレータの不規則な表面のため、気密シール
用カバーをシンチレータ以外の安定な構造に取り付ける
ことが必要である。代表的な従来のイメージャ、たとえ
ば米国特許第4,672,207号に開示されたDor
enzoの装置には、シンチレータの表面にシールまた
は反射膜を設けることが示唆されていない。
中に存在する水分から保護し、入射放射線のシンチレー
タへの透過を最小の干渉にて許し、イメージャの電気的
性能に悪影響を与えず、シンチレータに発生する光の損
失や散乱を最小にし、そして作製が容易で、効率的かつ
信頼性のある構造を有するイメージャ構造が望まれてい
る。
ジャのシンチレータに、シンチレータがその周囲の雰囲
気から湿気を吸収するのを阻止するバリヤとして作用す
る、所定の波長の電磁放射線に対して実質的に透明であ
る保護気密シールカバーを設けることにある。
の光の損失や散乱を最小にする保護カバーを提供するこ
とにある。この発明の他の目的は、実質的に水分不透過
性で、光反射性で、シンチレータ材料を周囲の雰囲気中
の湿気からシールする保護カバーに基づく簡単な信頼で
きる構造を用いて、効率を向上させた放射線イメージン
グ装置を提供することにある。
は、シンチレータと、イメージャ基板上に配置され、シ
ンチレータに光学的に結合された光検出器のイメージン
グ配列と、前記イメージャ配列の有効部分のまわりに配
置され、シンチレータの外側側壁を囲むシンチレータ包
囲リングと、この包囲リングに気密に結合され、入射放
射線が入るときに通るシンチレータの表面に張りわたさ
れた包囲リングカバーとを備える。包囲リングおよびカ
バーが形成する室は、実質的に水分不透過性で、シンチ
レータを包囲する。カバーは放射線透過性で、前記シン
チレータからの光の散乱を最小にする。
ャ基板にエポキシまたは同様の接着剤で結合し、また同
様の接着剤をカバーを包囲リングに結合するのにも使用
することができる。包囲リングおよびカバーが形成する
室を排気し、カバーをイメージャ配列に向かって吸引
し、カバーとシンチレータまたシンチレータとイメージ
ャ配列との密着を達成する。カバーをアルミニウムホイ
ルの薄層から形成するのが有利である。アルミニウム
は、光反射性とし、シンチレータから散乱する光を反射
してシンチレータ中に戻すようにすることができる。あ
るいは、光吸収性とすることもできる。
求の範囲に記載した通りである。しかし、この発明の構
成および作動方法を、他の目的および効果とともにさら
に明瞭にするために、以下にこの発明の実施例を図面を
参照しながら説明する。
装置の線図的断面図である。この放射線イメージング装
置10は、基板15の上に配置された光検出器配列20
と、光検出器配列20に隣接して配置されたシンチレー
タ30と、光検出器配列20の上に配置され、光検出器
配列の有効部分の外側にくるよう、またシンチレータ3
0を囲むように配置された包囲(エンクロージャ)リン
グ40と、包囲リング40に結合され、シンチレータ3
0上に延在する包囲リングカバー50とを備える。光検
出器配列20は処理回路80に接続され、処理回路80
は電気信号をディスプレーおよび分析装置90に適切な
形態に処理する。
ォトディテクタ)22を適当なパターン、代表的には行
列パターンに並べ、電気的に接続した構成である。複数
の光検出器22をイメージャ基板15上に配置して配列
20を形成する。配列20は、イメージング装置10、
たとえば身体の特定部分の医学的分析用のイメージング
装置に使用するのに適当な寸法および形状とすることが
できる。光検出器はフォトダイオードとするのが有利で
あり、あるいは、他の周知のソリッドステート光検出器
装置としてもよい。コネクタ24は光検出器22で発生
した電気信号を処理回路80に運ぶ。
隣接して配置され、かつそれに光学的に結合されてい
る。ここで、「光検出器配列20に光学的に結合されて
いる」とは、これら2つの配列を、シンチレータからの
光学的光子がすぐに光検出器に入るように配設すること
を、意味する。光結合は、シンチレータから光検出器へ
の光子の効率よい移送を助ける材料、たとえば光学係数
マッチング材料の別の層(図示せず)を含んでもよい。
シンチレータ30は、図示のように、シンチレータ材料
の単一の実質的に均質なブロックから構成する。あるい
は、シンチレータ30は、複数の個別のシンチレータ素
子(図示せず)から構成してもよく、シンチレータ素子
は、シンチレータ材料の大きなブロックからダイシング
または切断しても、蒸着またはスパッタリングなどの既
知の方法により個別に柱状構造に成長または堆積しても
よい。シンチレータ30は光検出器配列20上に直接成
長または堆積するか、あるいは、別の基板、たとえばカ
バー50の上に堆積した後、光検出器配列20と位置合
わせし光学的に結合してもよい。シンチレータは、第1
端面34と、それとは反対側の第2端面36とを有し、
第1端面34を通ってX線またはγ線の入射放射線70
がシンチレータに入り、第2端面36を通って光子が隣
接する光検出器配列20に通過する。シンチレータ30
はさらに、シンチレータの外端に沿って、第1端面34
と第2端面36との間に延在する外側側壁38を有す
る。シンチレータ30を形成するのに用いる材料はヨウ
化セシウムが代表的であるが、他の既知のシンチレータ
材料から構成してもよい。
検出器配列20の有効(能動)部分のまわりに、シンチ
レータの外側側壁38を囲むように、配置されている。
ここで、「光検出器配列20の有効部分」は、シンチレ
ータが発生する光を受光する光検出器の表面が位置する
配列の部分を指す。したがって、包囲リング40は光検
出器配列20のまわりの適当な支持構造、たとえば、接
点フィンガ26または光検出器配列の有効部分の区域の
外側にあるイメージャ基板15に取り付ければよい。包
囲リング40は、光検出器配列の有効部分を実質的に包
囲するか取り囲む形状とされ、後述するように包囲リン
グカバー50を支持するのに必要な構造的強度を与える
のに十分な幅をもつ。包囲リング40の高さは、包囲リ
ングカバー50をシンチレータ第1表面34上にかけわ
たす、好ましくは第1表面34と接触関係にかけわたす
のに十分な高さである。たとえば、おおよその境界寸法
が20x20cmのイメージャ配列を有する装置におい
て、シンチレータとイメージャ配列の接点フィンガとの
距離は包囲リングとシンチレータとの間に隙間を残すの
に十分であり、一方包囲リング40は幅約2mmで、シ
ンチレータを越える高さ約0.4mmであるのが有利で
ある。
ャ基板15の熱膨張係数と実質的に等しい材料から構成
するのが好ましい。したがって、包囲リング40は、イ
メージャ基板を形成する材料と同じ材料、たとえばコー
ニング7059ガラスまたはイメ−ジャ基板材料の熱膨
張係数と適合し得る熱膨張係数を有する材料、たとえば
コバール(登録商標)から形成することができる。包囲
リング40は、イメージャ配列に、エポキシなどの防湿
接着剤42で接着するのが有利である。あるいは、他の
既知の接着剤、たとえばアクリルまたはポリイミド接着
剤を使用することもできる。コバールなどの金属のリン
グ材料を使用した場合に電気的短絡を防ぐため、接着材
料に直径約10ミクロンの絶縁ビーズを混ぜ、この接着
材料で包囲リングを光検出器配列20の上に絶縁支持す
るのがよい。あるいは、両面に接着剤を塗布したポリマ
ーシートを用いて包囲リング40をイメージャ配列20
の有効部分のまわりに結合することができる。
気密(ハーメチック)に結合され、シンチレータの第1
表面34に延在する。カバー50は実質的に水分不透過
性で放射線透過性である。ここで、「水分不透過性」
は、カバーの形成するシールが、液体または蒸気形態の
水分がカバーを通過するのを防止することを意味し、
「放射線透過性」は、装置が検出すべき種類の放射線に
関与し、代表的にはカバーを形成する材料がこの放射線
と強い相互作用をせず、したがって入射放射線の最大量
が吸収や散乱なしでシンチレータに入るのを許すことを
意味する。
り、接着剤42で包囲リング40に接着されたとき、そ
の内容積内にシンチレータを密封状態に収容する室55
を画定する。この密封容積は、シンチレータが装置のま
わりの雰囲気から水分を吸収するのを最小限に抑える作
用をなす。カバー50は、シンチレータ30の第1表面
34に接触するか、それに隣接して延びるのが有利であ
る。ここで、「接触」はシンチレータの第1表面34に
近接することを意味する。つまり、シンチレータの第1
表面34は、前述したような堆積方法の結果として不均
一な、でこぼこの形状となっており、カバー50の一部
がシンチレータの第1表面34に触れるが、カバー50
の大部分が第1表面34から約10μm以内にある。あ
るいは、シンチレータ30をカバー50に直接堆積して
もよい。
シンチレータからの光の散乱を最小にする、すなわち、
シンチレータで発生した光がシンチレータ第1表面34
を通して装置10から出ていくのを実質的に防止し、そ
して、シンチレータの異なる区域間での光の散乱を減少
させる。カバー50は光反射性材料、たとえばアルミニ
ウムから形成するのが好ましい。アルミニウムはシンチ
レータから出てくる可視光を反射してシンチレータに戻
し、こうしてシンチレータにおいて入射放射線の吸収に
より発生した光学的光をイメージング配列20が検出す
る可能性を改善する。カバー50は装置10の外側から
くる光も反射する。あるいは、カバー50を、黒色陽極
酸化アルミニウムなどの光吸収性材料から形成してもよ
い。光吸収性カバー50は、同様に、光がシンチレータ
の外側からシンチレータに入るのを防止し、そしてシン
チレータ以外から発生した光がカバー50から散乱して
シンチレータの一部または素子に入るのを実質的に防止
する(このような散乱は装置10の空間分解能を劣化す
る)。
りわたしたときに、裂けて破れないような十分な機械的
強度をもち、しかもシンチレータの第1表面34と接触
関係に引き入れる(吸引する)のに十分な可撓性を保つ
ように、選ぶ。カバー50を形成するアルミニウムホイ
ルまたはシート材は、代表的には、厚さ約1ミルであ
る。
れた室55は、排気して室内の圧力を室外の圧力より低
くするのが有利である。室55を排気すると、カバー5
0が内側に吸引される。室55の外側の高い周囲圧力
が、カバー50をシンチレータの第1表面34に向けて
押すからである。シリカゲルのような乾燥剤60を室5
5内にシンチレータ30のまわりに置いて、シンチレー
タをさらに湿気から保護するのも有利である。乾燥剤6
0は代表的には、直径約100μmの粒子からなる粉末
の形態である。
としている入射放射線70の通路内に配置する。放射線
はX線、γ線またはシンチレータおよび光検出器を用い
て検出可能な他の放射線で、これがカバー50を通っ
て、シンチレータ30に入る。放射線がシンチレータに
吸収されると、光学的光子が多かれ少なかれランダムな
方向に放出される。シンチレータ30の第1表面34に
向かって発生する光子や、シンチレータの壁にぶつかっ
てその方向に反射された光子は、カバー50により装置
から外へ散乱するのを阻止される。光子が光反射性カバ
ー50により反射されてシンチレータ中に戻されるか、
あるいはカバー50が光吸収性材料である場合には、光
子は吸収される。光が光検出器配列の有効部分にぶつか
ると、光検出器は、入射放射線の強度に対応する電気信
号を発生し、その信号を処理回路80で処理する。ディ
スプレー兼分析装置90は処理回路80に発生した電気
信号に応答する。
したが、当業者であれば種々の変更や変形が可能であ
る。したがって、このような変更例や変形例もすべてこ
の発明の要旨の範囲内に入ると解釈すべきである。
面図である。
Claims (4)
- 【請求項1】互いに反対側の第1および第2端面を有す
るシンチレータであって、装置に入射する放射線が第1
端面を通してシンチレータに入るシンチレータと、 イメージャ基板上に配置され、光検出器配列の有効部分
を形成する複数の光検出器からなる光検出器配列であっ
て、前記シンチレータの第2端面に光学的に結合されて
そこから光を受け取る光検出器配列と、 前記光検出器配列の上に前記有効部分のまわりに配置さ
れ、前記シンチレータの外側側壁を囲む包囲リングと、 前記包囲リングに気密に結合され、かつ、前記包囲リン
グからつるされ、更に、前記シンチレータの第1端面に
張りわたされ、かつ、前記シンチレータの第1端面と部
分的に接触して延在する包囲リングカバーとを備え、 前記カバーが前記シンチレータの第1端面に一致しない
がきわめて接近して配置されて、前記カバーが下側の前
記シンチレータの第1端面から約10μm以内にあり、
かつ、実質的に水分不透過性で、放射線透過性で、前記
シンチレータからの光子の散乱を実質的に防止するよう
に配置され、前記包囲リングおよびカバーが前記シンチ
レータを密封状態に包囲する室を形成する放射線イメー
ジング装置。 - 【請求項2】前記包囲リングが前記イメージャ基板の熱
膨張係数と実質的に等しい熱膨張係数を有する請求項1
に記載の装置。 - 【請求項3】互いに反対側の第1および第2端面を有す
るシンチレータであって、装置に入射する放射線が第1
端面を通してシンチレータに入るシンチレータと、 イメージャ基板上に配置され、光検出器配列の有効部分
を形成する複数の光検出器を含む光検出器配列であっ
て、前記シンチレータの第2端面に光学的に結合されて
そこから光を受け取る光検出器配列と、 前記光検出器配列の上に前記有効部分のまわりに配置さ
れ、前記シンチレータの外側側壁を囲む包囲リングと、 前記包囲リングに気密に結合され、かつ、前記包囲リン
グからつるされ、更に、前記シンチレータの第1端面に
張りわたされ、かつ、前記シンチレータの第1端面と部
分的に接触して延在する包囲リングカバーであって、前
記カバーが前記シンチレータの第1端面に一致しないが
きわめて接近して配置されて、前記カバーが下側の前記
シンチレータの第1端面から約10μm以内にあり、か
つ、実質的に水分不透過性で、放射線透過性で、前記シ
ンチレータからの光子の散乱を実質的に防止するように
配置され、前記包囲リングおよびカバーが前記シンチレ
ータを密封状態に包囲する室を形成する包囲リングカバ
ーと、 前記光検出器配列が発生する信号を受け取るように接続
された処理回路と、 前記処理回路に接続されそれに応答するディスプレー兼
分析装置とを備える放射線イメージング装置。 - 【請求項4】前記包囲リングが前記イメージャ基板の熱
膨張係数と実質的に等しい熱膨張係数を有する請求項1
に記載の装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US751849 | 1991-08-29 | ||
US07/751,849 US5132539A (en) | 1991-08-29 | 1991-08-29 | Planar X-ray imager having a moisture-resistant sealing structure |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JPH05242841A JPH05242841A (ja) | 1993-09-21 |
JP2609496B2 true JP2609496B2 (ja) | 1997-05-14 |
Family
ID=25023769
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4229699A Expired - Lifetime JP2609496B2 (ja) | 1991-08-29 | 1992-08-28 | 防湿シール構造を有する平面x線イメージャ |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5132539A (ja) |
EP (1) | EP0529981A2 (ja) |
JP (1) | JP2609496B2 (ja) |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19961210 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090213 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090213 Year of fee payment: 12 |
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Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100213 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100213 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110213 Year of fee payment: 14 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120213 Year of fee payment: 15 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130213 Year of fee payment: 16 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130213 Year of fee payment: 16 |