JP2002214349A - Ｘ線検出モジュール - Google Patents

Ｘ線検出モジュール

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JP2002214349A
JP2002214349A JP2001359415A JP2001359415A JP2002214349A JP 2002214349 A JP2002214349 A JP 2002214349A JP 2001359415 A JP2001359415 A JP 2001359415A JP 2001359415 A JP2001359415 A JP 2001359415A JP 2002214349 A JP2002214349 A JP 2002214349A
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JP2001359415A
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Herfried Karl Wieczorek
カルル ヴィチョレク ヘーアフリート
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Koninklijke Philips NV
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Koninklijke Philips Electronics NV
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    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
    • G01T1/2006—Measuring radiation intensity with scintillation detectors using a combination of a scintillator and photodetector which measures the means radiation intensity

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  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Measurement Of Radiation (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、結合剤（７）及びシンチレータ粒
子（６）の混合物が中に設けられる管状のセル（４）を
好ましくは金属キャリヤ（３）が形成するＸ線検出モジ
ュール（１）を提供することを目的とする。 【解決手段】 シンチレータ粒子（６）によるＸ線吸収
は、セル（４）の離れた端に配置される検出器（５）に
よって検出され得るより長い波長（λ１，λ２）の光を
放出させる。光収量を可能な限り高く維持するために
は、結合剤（７）とシンチレータ粒子（６）の屈折率の
間の差が２０％未満であることが追求され、及び／又は
１乃至１００ナノメートルの大きさのナノ結晶シンチレ
ータ粒子（６）が使用される。セルの壁（３，３’）
は、検出器の上に散乱線除去グリッドを形成するために
Ｘ線の入射方向に延在する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、グリッドの形態に
配置されるセルを形成し、Ｘ線を本質的に透過しない材
料から成るキャリヤを含むＸ線検出器に関わる。本発明
は、このようなＸ線検出モジュールを製造する方法にも
関わる。
【０００２】
【従来の技術】医用適用法、及び、材料の非破壊的試験
のために使用されるＸ線検出器は、構成されたＸ線吸収
器及びＸ線吸収器の個々のピクセルと関連する検出器と
して一般的に製造される。Ｘ線吸収器では、検出される
べきＸ線の光子は、可視又は紫外線の形態で再び放出さ
れるようシンチレータ材料によって吸収される。この光
の光子は、検出器において検出され、Ｘ線吸収器の対応
するピクセルと空間的に関連付けられ得る。検出器は、
例えば、フォトダイオード、アバランシェダイオード、
又は、光電子増倍管でもよい。
【０００３】しかしながら、特に、前述の種類の大型Ｘ
線検出器の場合、ピクセルに細分化された検出器のフィ
ールドの製造は非常に複雑である。このようなＸ線検出
器の表面積は、関連する適用法に依存して１００×３ｃ
ｍ２（平方センチメートル）（コンピュータ断層撮影装
置）乃至３０×４０ｃｍ２（蛍光透視法、放射線学）と
なり得る。個々のピクセルの大きさは、このとき０．０
３乃至３０ｍｍ２（平方ミリメートル）の範囲にある。
各検出器中のピクセルの数は、一千乃至数万の範囲のピ
クセルである。
【０００４】検出器のピクセルが小数の場合、Ｘ線吸収
器として機能する個々のシンチレータ結晶及び結晶間に
設けられる吸収板から検出器を構成することが原則とし
て可能である。吸収板は、個々のセルにおいてＸ線検出
器を構造化し、光学クロストーク及びＸ線透視蛍光量子
によるセル間のクロストークを防止する役割を担う。従
って、吸収板によって画成されるセルは、Ｘ線検出モジ
ュール中のピクセルの大きさを決める。
【０００５】原則的に、数千の大きさのオーダまでは、
大きいウェハをシンチレータ結晶から切断し、個々のシ
ンチレータロッドを例えば、反射コーティングされた金
属箔のような吸収材料と交互に組み合し、一次元的に構
成されたアレイを形成することによって構成されたシン
チレータ結晶を製造することが可能である。二次元の構
造もこのうようにして可能であるが、第２の製造段階が
必要である。従って、このようなアレイの製造は、非常
に欠陥を受けやすく非常に高価である。従って、この方
法は、個々のピクセルの大きさが１ミリメートルよりも
小さいピクセルを大量に伴う実際的な状況において使用
され得ない。
【０００６】米国特許第５，９８１，９５９号は、成形
技法を用いて結合剤、溶媒、及びシンチレータ粒子の混
合物に特別な形状が与えられ、それにより、材料のベー
ス表面から直角に延在するシンチレータ材料の列を形成
する。このような列においてＸ線量子を吸収した後、よ
り長い波長の一つ以上の量子が等方性に放出され、多く
の上記量子が列の壁で反射されることによって、列と関
連付けられ量子が検出される検出素子の方向に伝えられ
る。しかしながら、シンチレータ材料の列から検出素子
までの路の方向に光量子の相当な偏向及び散乱が生じ
得、それにより量子は空間におけるその原点に乏しい正
確さでだけ割り当てられ得る。更に、このような検出器
モジュールの製造は、非常に複雑であり、従って、複雑
なエッチング又はシンチレータ材料の列を形成する他の
方法のために高価である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記を考慮して本発明
は、経済的に製造され、適切な空間解像度でＸ線を検出
することができるＸ線検出モジュールを提供することを
目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この目的は、請求項１、
２、及び／又は１１の特徴部分に記載するＸ線検出モジ
ュールを用いて、並びに、請求項１２の特徴部分に記載
する方法を用いて実現される。有利な実施例は、従属項
に記載する。
【０００９】従って、Ｘ線検出モジュールは、グリッド
の形態に配置されるセルを形成し、Ｘ線を本質的に透過
しない材料から成るキャリヤを含む。セルは、一行又は
幾つかの行に隣接して配置され、Ｘ線検出モジュールの
一次元又は二次元構造を形成する。セルは、シンチレー
タ粒子が埋め込まれた結合剤を含む物質（mass）を有
し、シンチレータ粒子はＸ線量子の吸収後より長い波長
λの範囲で発光する。
【００１０】本発明によるＸ線検出モジュールの第１の
実施例では、結合剤及びシンチレータ粒子のための材料
は、波長λに対するシンチレータ粒子の光学屈折率ｎＳ
（λ）と、波長λに対する結合剤の光学屈折率ｎ
Ｂ（λ）との間の差が２０％未満、好ましくは１０％未
満となるよう選択される。シンチレータ粒子と結合剤の
屈折率が本質的に同じであることが好ましい。
【００１１】この種類のＸ線検出器は、経済的に製造さ
れ得、同時に、高解像度、つまりピクセルの大きさをよ
り小さくすることを可能にする。これは、シンチレータ
粒子の又はシンチレータ液体の粉末を使用するために可
能であり、それによりキャリヤ中に形成されるセルは簡
単に充填され得る。従って、シンチレータ結晶を小さい
部分に切断し、吸収壁でこのような部分を個別的に吸収
壁で閉じ込める必要がもはやない。しかしながら、シン
チレータ粒子が再び発たれた光の光子を散乱させ、シン
チレータ結晶及びセルの壁において多重反射及び部分的
吸収、従って、信号の消去、つまり、特にシンチレータ
物質の大きいスライスの厚さの場合に消去をもたらすこ
とに注意する。これら問題は、シンチレータ粒子の屈折
率と結合剤の屈折率との間の差を最大で２０％に制限す
ることによって上記Ｘ線検出器において解決される。こ
の限界が観察されるとき、上記望ましくない影響が十分
に小さく保たれ得ることが分かる。屈折率の間の差が小
さいほど、望ましくない影響が小さく、Ｘ線検出モジュ
ールの信号は高くなり得る。
【００１２】結合剤は、ルチル或いはアナターゼ及び／
又はＺｎＯ、ＺｎＳ、ＺｒＯ２、ＢａＳＯ４、及び／又
はＰｂＣＯ３の成分の形態に特にあるＴｉＯ２成分を含
むことが好ましい。結合剤材料中のこれら物質の割合
は、５０重量パーセント乃至９５重量パーセントとなる
ことが好ましい。上記物質により、特にポリマーのよう
な有機物質を結合剤のための基本物質として選択し、結
果となる混合物の屈折率をシンチレータ粒子の屈折率に
可能な限り近いよう非常に高く調節（例えば、ＴｉＯ２
のような添加剤の大部分の割合を相応じて選択すること
によって）することが可能となる。
【００１３】セルを形成するキャリヤ、及び、上記の通
りセル中に設けられる結合剤並びにシンチレータ粒子の
混合物を含む、本発明によるＸ線検出モジュールの更な
る実施例では、シンチレータ粒子は２００ナノメートル
（ｎｍ）未満であるが好ましくは１００ｎｍ未満、特に
好ましくは５０ｎｍ未満の粒の大きさを有する。シンチ
レータ粒子の粒の大きさは、特に１乃至５０ｎｍでもよ
い。この場合、シンチレータ粒子はいわゆるナノ粒子と
呼ばれる。このようなナノ粒子の使用により、シンチレ
ータ物質の厚いの層の厚さに関わらず、Ｘ線検出モジュ
ールに対して適切な信号レベルが得られるようセル中の
シンチレータ物質における再び発せられた光の光子の望
ましくない散乱を非常に小さく維持することを可能にす
る。
【００１４】ナノ結晶シンチレータ粉末と周囲の結合剤
との間の屈折率の間の差が２０％未満、特に、１０％未
満であるとき特に有利である。この場合シンチレータ粒
子の小さい大きさ及び屈折率の間の小さい差の両方が望
ましくない影響を減少することに寄与する。
【００１５】Ｘ線検出モジュールのセルを形成するキャ
リヤは、金属、金属で充填された合成材料、及び／又
は、光構造化（photostructured）され得るガラスから
成ることが好ましい。このようなガラスは、所望の三次
元構造が露出及びエッチング方法によって与えられ得る
ガラスのタイプである。このような処理は、特にＸ線検
出モジュールのセルをキャリヤに提供し得る。キャリヤ
が金属を含む又は金属から成るとき、再び発せられる光
に対して所望の反射及び吸収特性を有する。このような
材料から成るキャリヤは、特に、光学クロストーク及び
Ｘ線蛍光量子によるクロストークを防止する。
【００１６】キャリヤの表面には、波長λの範囲におけ
る光に対して９０°より大きい、つまり、好ましくは９
７°より大きい反射度を有する反射層が少なくとも部分
的に設けられ得る。特に、セルの壁を形成するキャリヤ
の表面には、シンチレータ物質中で生成される光がセル
の壁で反射され従って検出処理において失われないこと
を確実にするようこのような反射層が設けられるべきで
ある。反射層は、ＴｉＯ２を含み、１０乃至５０マイク
ロメートル（μｍ）の層の厚さを有する白い粉末から成
ることが好ましい。例えば、銀Ａｇ、アルミニウムＡｌ
等の真空蒸着された金属層が代わりに又は追加的に使用
され得る。アルミニウムは、特に構成されたガラスの場
合に有利である。
【００１７】本発明の好ましい実施例では、シンチレー
タ粒子の体積はセル中に配置される結合剤及びシンチレ
ータ粒子の物質の体積の約５０乃至７０％となる。上記
物質の層の厚さは、関連する適用法に依存して０．１乃
至５ミリメートル（ｍｍ）となることが好ましい。層の
厚さは、入射するＸ線の方向において測定される。
【００１８】Ｘ線検出モジュールのキャリヤのセルは、
所望の吸収及び放出挙動並びに使用される製造処理によ
る異なる形状を有してもよい。好ましくは、セルは、入
射するＸ線の方向に細長い形状を有し、つまり、入射す
るＸ線の横方向において、又は、セルが配置される面の
横方向に測定されるセルの幅は、入射するＸ線の方向に
おいて測定されるセルの高さよりも小さい。セルの幅
は、特に高さの１０乃至５０％、好ましくは、約三分の
一となってもよい。
【００１９】プラセオジムＰｒ、セリウムＣｅ、テルビ
ウムＴｂ、及び／又はユウロビウムＥｕを有する希土類
酸化物又はオキシスルフィドは、シンチレータ粒子、特
に、Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｐｒ、Ｇｄ２（ＳＯ４）Ｏ：Ｃｅ
（ＧＯＳ，ＧＳＯ）のための好適なドーピング材料であ
る。希土類金属は、スカンジウムＳｃ、イットリウム
Ｙ、ランタンＬａ、及び、ランタニドも含む。更に、Ｃ
ｓＩ：Ｔｌ、ＣｓＩ：Ｎａ又はＮａＩ：Ｔｌのようなア
ルカリハロゲン化物及び／又はＣｄＷＯ４もシンチレー
タ粒子のための好適な材料である。
【００２０】Ｘ線量子の吸収後に可視光の範囲で放出さ
れる放射線は、適当な検出器によって検出され得、従っ
て、Ｘ線量子の間接的な検出及びその局部化を可能にす
る。このために、少なくとも一つのセルの一方の側に
は、波長λの範囲からの光子を電気信号に変換する検出
器が設けられてもよい。検出器は、ＣＭＯＳチップ又は
−Ｓｉ：Ｈ検出器の一部を特に形成してもよい。別個に
電子的に読み出され得る検出器がＸ線検出器の各セルと
関連付けられることが好ましい。
【００２１】本発明は、上述のいずれかの方法で特に構
成され、グリッドの形態に配置されるセルを形成し、本
質的にＸ線を透過しない材料から成るキャリヤが設けら
れるＸ線検出モジュールにも関わる。セルは、管状の形
状を有するように構成され、セルのサブ体積はシンチレ
ータ材料を含む。「管状」のセルは、セルの側壁が一方
向に並行して延在し、それによりこの方向から見るとセ
ルが開いていることを意味すると理解すべきである。セ
ルの断面領域は、好ましくはコンパクトであり円形又は
多角形であるとしてある程度任意の形状を有してもよ
い。セルのサブ体積だけがシンチレータ材料を含むた
め、遮蔽効果が実現され、従って、シンチレータ材料よ
り上に突出するセルの並行な側壁は散乱線除去グリッド
（ＡＳＧ）として機能する。つまり、側壁の方向に対し
て角を成して入射するＸ線は、シンチレータ材料に到達
する前に吸収されるキャリヤの側壁に入射する可能性が
非常に高い。セルの軸に対して略平行に入射するＸ線だ
けがシンチレータ材料に入射する。従って、Ｘ線源に対
するセルの軸の整列は、散乱処理から結果として生ずる
二次Ｘ線が斜めの角で主に入射し、従って、セルの壁に
よって予め吸収によって除去されるため、本質的に直接
的なＸ線だけがシンチレータ材料において検出されるこ
とを確実にし得る。この種類のＸ線検出器は、検出器構
造及び散乱線除去グリッドの機能を組み合し、各構成に
おいてシンチレータ及び散乱線除去グリッドの空間にお
ける正確な関連が確実にされる。
【００２２】本発明は、結合在及びシンチレータ粒子の
自由流れ混合物がウェット化学コーティング方法を用い
てキャリヤの準備されたセル中に配置される、上記実施
例に従うＸ線検出モジュールの製造方法にも関わる。そ
の後、熱処理、ＵＶ照射、及び、同様の処理によって混
合物は固化され、高密度化される。混合物を配置し且つ
高密度化する段階は、所望の層の厚さを実現するために
必要であるならば頻繁に繰り返され得る。処理中温度が
十分に低く保たれるとき、ウェット化学析出は、キャリ
ヤの下にある検出器の基板上（例えば、ＣＭＯＳチップ
又は−Ｓｉ：Ｈ検出器）に直接的に行われ得る。
【００２３】
【発明の実施の形態】本発明は、図面を参照して例によ
って以下に詳細に説明する。
【００２４】Ｘ線検出モジュール１は、グリッド構造に
配置されるセル４によって形成される。グリッド構造
は、個々のセル４を互いから分離する垂直方向のセル壁
３（図中に見られるように）を有するキャリヤを用いて
形成される。セル４は、円形又は好ましくは多角形、特
に、長方形の断面を有する列のような、又は、管のよう
な外観を有し、セルの高さｈはセルの幅ｂの約３倍であ
る。セル４内では、結合剤７及びその中に埋め込まれ、
且つ、図中の中央のセルでは球形で示されるシンチレー
タ粒子６から成るマトリクスが設けられる。
【００２５】使用中、Ｘ線検出モジュール１は、セル４
によって形成されるフィールド（アレイ）がＸ線Ｘの入
射方向に対して横方向に延在するように、検出されるべ
きＸ線の入射方向（図中上から下に垂直方向に延在す
る）に対して配置される。Ｘ線Ｘ（太い矢印）は、従っ
て、管状のセル４の上にある、開いた端面を通じてセル
の内部に入り得る。Ｘ線量子は、中にあるシンチレータ
粒子６によって吸収される。Ｘ線量子の吸収後、シンチ
レータ材料は、波長λ１、λ２が可視光の範囲にある一
つ以上の光子（細い矢印）を放出する。この光の一部
は、検出器５に到達し、この検出器はセル４の下にある
端面に配置され、光が電気信号を生成する。この信号
は、公知の方法で電子的に検出され、Ｘ線検出モジュー
ルの関連するセルにおけるＸ線量子Ｘの吸収のインジケ
ーションを表示する。
【００２６】波長λの再び発せられた光の可能な限り大
部分が検出器５に到達することを確実にするために、キ
ャリヤの壁３の内表面、及び、検出器５に面するＸ線検
出モジュール１の表面は、反射層２でコーティングされ
る。反射層は、ＴｉＯ２を含む粉末から成ることが好ま
しく、約１０乃至５０μｍの層の厚さを有する。キャリ
ヤ３は、金属から成ることが好ましく、シンチレータ粒
子６はＧＯＳ（Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｐｒ）から成ることが好
ましい。
【００２７】波長λの再び発せられた光は、セル４内の
移動中にシンチレータ粒子６において散乱処理を受け
る。このような散乱処理を最小にするためには、結合剤
７及びシンチレータ粒子６の材料は、夫々の屈折率の差
が再び発せられた波長λの範囲中の光に対して２０％未
満、好ましくは、１０％未満であるよう選択される。屈
折率が全く同じことが理想的である。屈折率の所望の等
化は、例えば、適切な高い割合のＴｉＯ２を有するポリ
マーを結合剤として使用することによって実現され得
る。
【００２８】追加的に（及び／又は代わりに）、１ｎｍ
乃至１００ｎｍの間の大きさの粒子６を有するナノ結晶
シンチレータ粉末を使用し得る。
【００２９】屈折率の等化及び／又はＸ線検出モジュー
ル１の構成のためにナノ粒子を使用することにより、ル
ミネセンス光の重要な部分がセル４（ピクセル）から検
出器５にカップルアウトされ得、十分な信号が検出器で
得られる。
【００３０】本発明によるＸ線検出器の更なる実施例で
は、セル４を互いから分離するキャリヤの壁又はグリッ
ドセグメント３は、より高い高さｈ’を有してもよく、
それにより上方向においてこれら壁はシンチレータ材料
６及び７を含む充填物を超えて延在する（図中点線で示
す）。グリッド壁３の突出部分３’は、散乱線除去グリ
ッドとして機能し、つまり、角を成して入射するＸ線は
吸収され、壁に対して本質的に平行に入射する放射線だ
けがシンチレータ材料に到達し得る。グリッドセグメン
トのこのような除起した構成により、シンチレータ及び
散乱線除去グリッドの組合せを簡単に生じ、空間におけ
る２つの要素の正確な関わりが確実にされる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明によるＸ線検出モジュールの３つの代表
的なセルの断面図である。
【符号の説明】
１ Ｘ線検出モジュール ２ 反射層 ３ セルの壁 ４ セル ５ 検出器 ６ シンチレータ粒子 ７ 結合剤
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 590000248 Ｇｒｏｅｎｅｗｏｕｄｓｅｗｅｇ １, 5621 ＢＡ Ｅｉｎｄｈｏｖｅｎ， Ｔｈ ｅ Ｎｅｔｈｅｒｌａｎｄｓ Ｆターム(参考） 2G088 EE01 EE29 FF02 GG10 GG18 GG19 JJ05 JJ09 JJ12

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 グリッドの形態に配置されるセルを形成
    し、Ｘ線を本質的に透過しないキャリヤを含むＸ線検出
    モジュールであって、 結合剤中に埋め込まれ、Ｘ線の吸収に応答してより長い
    波長λの範囲で発光する多量のシンチレータ粒子が上記
    セル中に設けられ、 上記波長λに対する上記シンチレータ材料の屈折率と上
    記結合剤の屈折率との間の差が２０％未満、好ましくは
    １０％未満となるＸ線検出モジュール。
  2. 【請求項２】 上記結合剤は、ＴｉＯ２を特に、ルチル
    或いはアナターゼ、及び／又は、ＺｎＯ、ＺｎＳ、Ｚｒ
    Ｏ２、ＢａＳＯ４、及び／又はＰｂＣＯ３の成分の形態
    で含むことを特徴とする請求項１記載のＸ線検出モジュ
    ール。
  3. 【請求項３】 グリッドの形態に配置されるセルを形成
    し、Ｘ線を本質的に透過しない材料からなるキャリヤを
    含み、 結合剤中に埋め込まれ、Ｘ線の吸収に応答してより長い
    波長λの範囲で発光する多量のシンチレータ粒子が上記
    セル中に設けられ、 上記シンチレータ粒子が２００ナノメートル未満、好ま
    しくは１００ナノメートル未満の粒の大きさを有する、
    特に請求項１又は２記載のＸ線検出モジュール。
  4. 【請求項４】 上記キャリヤは、金属、金属で充填され
    る合成材料、及び／又は光構造化され得るガラスから成
    ることを特徴とする請求項１乃至３のうち少なくとも一
    項記載のＸ線検出モジュール。
  5. 【請求項５】 上記キャリヤの表面には反射層が少なく
    とも部分的に設けられ、 上記反射層は、上記波長λの範囲における光に対して９
    ０％より大きい反射度を有することを特徴とする請求項
    １乃至４のうち少なくとも一項記載のＸ線検出モジュー
    ル。
  6. 【請求項６】 上記シンチレータ粒子の体積は、上記セ
    ル中に設けられる物質の体積の５０％乃至７０％となる
    ことを特徴とする請求項１乃至５のうち少なくとも一項
    記載のＸ線検出モジュール。
  7. 【請求項７】 上記セル中に埋め込まれる上記物質の高
    さは、０．１ミリメートル乃至５ミリメートルとなるこ
    とを特徴とする請求項１乃至６のうち少なくとも一項記
    載のＸ線検出モジュール。
  8. 【請求項８】 上記セルのアレイの面において測定され
    る幅は、上記セルの上記高さよりも小さいことを特徴と
    する請求項１乃至７のうち少なくとも一項記載のＸ線検
    出モジュール。
  9. 【請求項９】 上記シンチレータ粒子は、Ｐｒ、Ｃｅ、
    Ｔｂ、及び／又はＥｕをドーピング材料とする希土類酸
    化物又はオキシスルフィド、特に、Ｇｄ２Ｏ ２Ｓ：Ｐ
    ｒ、Ｇｄ２（ＳＯ４）Ｏ：Ｃｅ（ＧＯＳ，ＧＳＯ）、及
    び／又は、ＣｓＩ：Ｔｌ、ＣｓＩ：Ｎａ或いはＮａＩ：
    Ｔｌのようなアルカリハロゲン化物、及び／又は、Ｃｄ
    ＷＯ４を含むことを特徴とする請求項１乃至８のうち少
    なくとも一項記載のＸ線検出モジュール。
  10. 【請求項１０】 少なくとも一つのセルの一方の側に
    は、より長い波長λの範囲からの光子を電気信号に変換
    する検出器が設けられることを特徴とする請求項１乃至
    ９のうち少なくとも一項記載のＸ線検出モジュール。
  11. 【請求項１１】 グリッドの形態に配置されるセルを形
    成し、Ｘ線を本質的に透過しない材料からなるキャリヤ
    を含み、 上記セルは管形状を有し、上記セルのサブ体積だけがシ
    ンチレータ材料を含む請求項１乃至１０のうちいずれか
    一項記載のＸ線検出モジュール。
  12. 【請求項１２】 結合剤及びシンチレータ粒子の自由流
    れ混合物は、熱処理及び／又はＵＶ照射によって密度化
    された後、キャリヤのセル中に少なくとも一回おかれる
    請求項１乃至１１のうち少なくとも一項記載のＸ線検出
    モジュールを製造する方法。
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010522806A (ja) * 2007-03-26 2010-07-08 ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ シンチレータおよびその作製方法
JP2011508202A (ja) * 2007-12-21 2011-03-10 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 複合樹脂におけるシンチレータを備えた放射線感受性検出器
JP2015040706A (ja) * 2013-08-20 2015-03-02 株式会社トクヤマ 中性子シンチレーター及び中性子検出器
JP2017201300A (ja) * 2016-03-14 2017-11-09 アプライド マテリアルズ イスラエル リミテッド 光学モジュールおよび検出方法
CN107850676A (zh) * 2015-08-07 2018-03-27 皇家飞利浦有限公司 基于量子点的成像探测器
KR20190023901A (ko) * 2017-08-30 2019-03-08 한국원자력연구원 산란방지그리드를 갖는 검출기장치와 이를 포함하는 컨테이너 검색기
US10649098B2 (en) 2018-01-29 2020-05-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Light converting nanoparticle, method of making the light converting nanoparticle, and composition and optical film comprising the same

Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE8713471U1 (ja) * 1987-10-07 1987-12-03 Rofin-Sinar Laser Gmbh, 2000 Hamburg, De
EP1537407A1 (en) * 2002-09-04 2005-06-08 Koninklijke Philips Electronics N.V. Anti-scattering x-ray shielding for ct scanners
US7038211B2 (en) * 2002-12-03 2006-05-02 Universities Research Association, Inc. Systems and methods for detecting x-rays
US7213963B2 (en) 2003-06-09 2007-05-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4018647B2 (ja) * 2004-02-09 2007-12-05 キヤノン株式会社 投影露光装置およびデバイス製造方法
DE102004026842B4 (de) * 2004-06-02 2007-12-27 Siemens Ag Röntgendetektor
DE102004056999A1 (de) 2004-11-25 2006-06-01 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung einer Szintillatorschicht für einen Röntgendetektor und Szintillatorschicht
DE102004061867B4 (de) * 2004-12-22 2008-09-11 Siemens Ag Röntgendetektor mit optisch transparent aushärtendem Klebstoff
US20070085010A1 (en) * 2005-06-14 2007-04-19 The Regents Of The University Of California Scintillator with a matrix material body carrying nano-material scintillator media
US20070102647A1 (en) * 2005-11-04 2007-05-10 The University Of Chicago Multi-radiation large area detector
US7649611B2 (en) 2005-12-30 2010-01-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE102006033497B4 (de) * 2006-07-19 2014-05-22 Siemens Aktiengesellschaft Strahlungsdetektor für Röntgen- oder Gammastrahlen und Verfahren zu seiner Herstellung
US7708968B2 (en) * 2007-03-26 2010-05-04 General Electric Company Nano-scale metal oxide, oxyhalide and oxysulfide scintillation materials and methods for making same
US7608829B2 (en) * 2007-03-26 2009-10-27 General Electric Company Polymeric composite scintillators and method for making same
US7625502B2 (en) * 2007-03-26 2009-12-01 General Electric Company Nano-scale metal halide scintillation materials and methods for making same
EP2321668B1 (en) * 2008-08-07 2015-03-25 Koninklijke Philips N.V. Combined asg, cathode, and carrier for a photon detector
RU2538030C2 (ru) * 2009-04-22 2015-01-10 Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. Измерительная система визуализации с печатной матрицей органических фотодиодов
RU2420763C2 (ru) * 2009-08-13 2011-06-10 Закрытое Акционерное Общество "Научно-Производственная Коммерческая Фирма "Элтан Лтд" Многоэлементный детектор рентгеновского излучения, редкоземельный рентгенолюминофор для него, способ формирования многоэлементного сцинтиллятора и детектора в целом
DE102010062208A1 (de) 2010-11-30 2012-05-31 Siemens Aktiengesellschaft Komposit-Röntgendetektor mit integriertem Kollimatorarray für Computertomographie und Verfahren zu dessen Herstellung
US8581254B2 (en) * 2011-09-30 2013-11-12 General Electric Company Photodetector having improved quantum efficiency
WO2014080941A1 (ja) * 2012-11-26 2014-05-30 東レ株式会社 シンチレータパネルおよびその製造方法
RU2532645C1 (ru) * 2013-04-29 2014-11-10 Общество с ограниченной ответственностью "Научно-технический центр "МТ" (ООО "НТЦ-МТ") Способ формирования структурированного сцинтиллятора на поверхности пикселированного фотоприемника (варианты) и сцинтилляционный детектор, полученнный данным способом (варианты)
US10266759B1 (en) * 2014-01-13 2019-04-23 Radiation Monitoring Devices, Inc. Composite scintillators
JP6624056B2 (ja) * 2014-07-07 2019-12-25 東レ株式会社 シンチレータパネル、放射線検出器およびその製造方法
US9442261B2 (en) * 2014-07-09 2016-09-13 Toshiba Medical Systems Corporation Devices for coupling a light-emitting component and a photosensing component
US20170090042A1 (en) * 2015-09-30 2017-03-30 Varian Medical Systems, Inc. Method for fabricating pixelated scintillators
US10145966B2 (en) 2015-10-02 2018-12-04 Varian Medical Systems, Inc. Methods for fabricating pixelated scintillator arrays
WO2017080728A1 (de) * 2015-11-11 2017-05-18 Siemens Healthcare Gmbh Detektorelement zur erfassung von einfallender röntgenstrahlung
KR102547798B1 (ko) 2015-12-08 2023-06-26 삼성전자주식회사 방사선 검출기 및 이를 채용한 방사선 촬영 장치
US10686003B2 (en) * 2015-12-31 2020-06-16 General Electric Company Radiation detector assembly
US10330798B2 (en) 2016-04-01 2019-06-25 Varian Medical Systems, Inc. Scintillating glass pixelated imager
CN107831635B (zh) * 2017-11-30 2023-10-24 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 一种x射线条纹相机时标光耦合器
US11194060B2 (en) * 2018-04-09 2021-12-07 University Public Corporation Osaka Electromagnetic radiation detector and method
GB2618386A (en) * 2022-05-06 2023-11-08 Quantum Advanced Solutions Ltd X-ray scintillator
KR102604256B1 (ko) 2022-10-17 2023-11-20 한국전기연구원 하이브리드 섬광체 기반 엑스선 디텍터

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2012800B (en) * 1977-12-23 1982-08-18 Gen Electric Index matched phosphor scintillator structures
GB2034148B (en) * 1978-08-30 1983-06-15 Gen Electric Multi element high resolution scintillator structure
US4375423A (en) * 1980-07-15 1983-03-01 General Electric Company Index-matched phosphor scintillator structures
US4563584A (en) * 1982-12-29 1986-01-07 General Electric Company Solid state detector
GB2167279A (en) * 1984-11-15 1986-05-21 Ian Redmayne Radiation imaging
US4870279A (en) * 1988-06-20 1989-09-26 General Electric Company High resolution X-ray detector
JP3515169B2 (ja) * 1994-04-15 2004-04-05 富士写真フイルム株式会社 放射線像記録再生方法および放射線像変換パネル
US5712483A (en) * 1996-06-28 1998-01-27 The Regents Of The University Of California X-ray grid-detector apparatus
US6534772B1 (en) * 1997-11-28 2003-03-18 Nanocrystal Imaging Corp. High resolution high output microchannel based radiation sensor
US5952665A (en) * 1997-11-28 1999-09-14 Nanocrystals Technology L.P. Composite nanophosphor screen for detecting radiation
US5981959A (en) 1997-12-05 1999-11-09 Xerox Corporation Pixelized scintillation layer and structures incorporating same

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010522806A (ja) * 2007-03-26 2010-07-08 ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ シンチレータおよびその作製方法
JP2011508202A (ja) * 2007-12-21 2011-03-10 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 複合樹脂におけるシンチレータを備えた放射線感受性検出器
JP2015040706A (ja) * 2013-08-20 2015-03-02 株式会社トクヤマ 中性子シンチレーター及び中性子検出器
CN107850676A (zh) * 2015-08-07 2018-03-27 皇家飞利浦有限公司 基于量子点的成像探测器
JP2018529083A (ja) * 2015-08-07 2018-10-04 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｎ．Ｖ． 量子ドットに基づくイメージング検出器
CN107850676B (zh) * 2015-08-07 2022-01-14 皇家飞利浦有限公司 基于量子点的成像探测器
JP2017201300A (ja) * 2016-03-14 2017-11-09 アプライド マテリアルズ イスラエル リミテッド 光学モジュールおよび検出方法
JP7053155B2 (ja) 2016-03-14 2022-04-12 アプライド マテリアルズ イスラエル リミテッド 光学モジュールおよび検出方法
KR20190023901A (ko) * 2017-08-30 2019-03-08 한국원자력연구원 산란방지그리드를 갖는 검출기장치와 이를 포함하는 컨테이너 검색기
KR101991446B1 (ko) * 2017-08-30 2019-06-20 한국원자력연구원 산란방지그리드를 갖는 검출기장치와 이를 포함하는 컨테이너 검색기
US10649098B2 (en) 2018-01-29 2020-05-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Light converting nanoparticle, method of making the light converting nanoparticle, and composition and optical film comprising the same

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