JPH01114782A - Ｘ線検出器 - Google Patents
Ｘ線検出器Info
- Publication number
- JPH01114782A JPH01114782A JP62272642A JP27264287A JPH01114782A JP H01114782 A JPH01114782 A JP H01114782A JP 62272642 A JP62272642 A JP 62272642A JP 27264287 A JP27264287 A JP 27264287A JP H01114782 A JPH01114782 A JP H01114782A
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- Japan
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- ray
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- ray detector
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- Pending
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Landscapes
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はＸ線検出器に関する。
［従来の技術］
Ｘ線検出器に入射するＸ線を可視光に変換するＸ線−光
変換部と、変換された可視光を電気信号に変換する光電
変換部とを備えたＸ線検出器において、従来上記の光電
変換部はガラス又は金属にてなる基材を用いていた。
変換部と、変換された可視光を電気信号に変換する光電
変換部とを備えたＸ線検出器において、従来上記の光電
変換部はガラス又は金属にてなる基材を用いていた。
［発明が解決しようとする問題点コ
上述のように構成されたＸ線検出器は、Ｘ線撮影される
被写体とＸ線撮影フィルムと重ねて設置され撮影される
が、従来のＸ線検出器の光電変換部の基材が金属又はガ
ラスであるので、照射されるＸ線がＸ線検出器の光電変
換部の基材で減衰する現象が起こる。このことは、被写
体まで撮影に十分な線量が達しないことや、撮影像にＸ
線検出器の光電変換部の基材の像が現れるといった問題
が生じる。従って、Ｘ線撮影領域内よりＸ線検出器の光
電変換部の像を見かけ上消すためには、Ｘ線撮影領域と
同じ大きさの基材を有するＸ線検出器が必要で、必要と
するＸ線検出範囲がＸ線撮影領域より非常に小さい場合
等、大変不合理であった。又、Ｘ線検出器の光電変換部
にとって不必要に大きい基材を要することは、Ｘ線検出
器の重１が増し、操作性が不便になる。さらにＸ線検出
器の光電変換部の基材材質がガラスであるＸ線検出器に
おいては、取扱時に破損するという問題があった。
被写体とＸ線撮影フィルムと重ねて設置され撮影される
が、従来のＸ線検出器の光電変換部の基材が金属又はガ
ラスであるので、照射されるＸ線がＸ線検出器の光電変
換部の基材で減衰する現象が起こる。このことは、被写
体まで撮影に十分な線量が達しないことや、撮影像にＸ
線検出器の光電変換部の基材の像が現れるといった問題
が生じる。従って、Ｘ線撮影領域内よりＸ線検出器の光
電変換部の像を見かけ上消すためには、Ｘ線撮影領域と
同じ大きさの基材を有するＸ線検出器が必要で、必要と
するＸ線検出範囲がＸ線撮影領域より非常に小さい場合
等、大変不合理であった。又、Ｘ線検出器の光電変換部
にとって不必要に大きい基材を要することは、Ｘ線検出
器の重１が増し、操作性が不便になる。さらにＸ線検出
器の光電変換部の基材材質がガラスであるＸ線検出器に
おいては、取扱時に破損するという問題があった。
本発明は、上述した問題を解決すべくなされたもので、
Ｘ線検出器の光電変換部の基材におけるＸ線減衰率が低
くかつ強度の大きいＸ線検出器を提供することを目的と
する。
Ｘ線検出器の光電変換部の基材におけるＸ線減衰率が低
くかつ強度の大きいＸ線検出器を提供することを目的と
する。
［問題点を解決するための手段］
Ｘ線を可視光に変換するＸ線−光変換部と、変換された
可視光を電気信号に変換するポリイミドフィルムを基板
とする非晶質半導体光電変換部とから構成されることを
特徴とする。
可視光を電気信号に変換するポリイミドフィルムを基板
とする非晶質半導体光電変換部とから構成されることを
特徴とする。
［作用］
前記のような構成において、Ｘ線検出器の光電変換部の
基材の材質にポリイミドフィルムを使用することで、Ｘ
線減衰を低くすることができるので撮影像にＸ線検出器
の光電変換部の基材の像が写らない。従ってＸ線撮影領
域に比べ極小さい光電変換部をＸ線撮影領域内に設ける
ことができる。
基材の材質にポリイミドフィルムを使用することで、Ｘ
線減衰を低くすることができるので撮影像にＸ線検出器
の光電変換部の基材の像が写らない。従ってＸ線撮影領
域に比べ極小さい光電変換部をＸ線撮影領域内に設ける
ことができる。
［実施例］
第１図は本発明の一実施例を示すＸ線検出器の縦断面図
である。１は、強度か大きくかつＸ線吸収量の少ない、
材質がポリイミドフィルムにてなる厚さが２５μｌｉ〜
５０μｍの均一な基材である。
である。１は、強度か大きくかつＸ線吸収量の少ない、
材質がポリイミドフィルムにてなる厚さが２５μｌｉ〜
５０μｍの均一な基材である。
該基材ｌの上表面には、平面形状が基材ｌと同じで大き
さがやや小さい、材質がＡｌ１．Ｃｒ、Ａｇ等にてなる
厚さが１０００人の金属電極２が均一に形成される。該
金属電極２の基材ｌと反対方向の上表面に金属電極２と
平面形状が同じで材質が非晶質シリコンよりなる厚さが
１ｏｏｏｏ人のＰ −ｉ −ｎ型半導体光電変換層３が
均一に形成される。さらに該光電変換層３の基材ｌと反
対方向の上表面に金属電極２と平面形状がほぼ同じで、
材質が■ＴＯ，５ｎＯｔ、ＺｎＯ等にてなる厚さか１０
００人の透明電極４が均一に形成される。これら１．２
゜３．４を光電変換部と称する。該光電変換部の透明電
極４の基材ｌと反対方向の上表面全面に平面形状が透明
電極４より大きい、材質が例えばＺｎＳにてなるＸ線を
可視光に変換するＸ線−光変換部５を設ける。
さがやや小さい、材質がＡｌ１．Ｃｒ、Ａｇ等にてなる
厚さが１０００人の金属電極２が均一に形成される。該
金属電極２の基材ｌと反対方向の上表面に金属電極２と
平面形状が同じで材質が非晶質シリコンよりなる厚さが
１ｏｏｏｏ人のＰ −ｉ −ｎ型半導体光電変換層３が
均一に形成される。さらに該光電変換層３の基材ｌと反
対方向の上表面に金属電極２と平面形状がほぼ同じで、
材質が■ＴＯ，５ｎＯｔ、ＺｎＯ等にてなる厚さか１０
００人の透明電極４が均一に形成される。これら１．２
゜３．４を光電変換部と称する。該光電変換部の透明電
極４の基材ｌと反対方向の上表面全面に平面形状が透明
電極４より大きい、材質が例えばＺｎＳにてなるＸ線を
可視光に変換するＸ線−光変換部５を設ける。
上記のように構成されるＸ線検出器において、Ｘ線がＸ
線−光変換部５に入射すると、Ｘ線は可視光に変換され
、変換された可視光はＸ線−光変換部５の下方に積層さ
れている透明電極４を通過し、光電変換層３に達する。
線−光変換部５に入射すると、Ｘ線は可視光に変換され
、変換された可視光はＸ線−光変換部５の下方に積層さ
れている透明電極４を通過し、光電変換層３に達する。
光電変換層３に達した可視光は、光電変換層３の作用に
上り光電変換層３を上下ではさみ込む形で形成されてい
る前記金属電極２と透明電極４に電位差を生じさせる。
上り光電変換層３を上下ではさみ込む形で形成されてい
る前記金属電極２と透明電極４に電位差を生じさせる。
この電位差をＸ線検出器の外部に設置された電圧計（図
示せず）に導き、電圧を測定することで、Ｘ線検出器に
入射したＸ線量が測定できる。
示せず）に導き、電圧を測定することで、Ｘ線検出器に
入射したＸ線量が測定できる。
上述したＸ線検出器はＸ線撮影時における被写体への入
射Ｘ線量を測定するため、Ｘ線撮影領域内に設けられる
が、Ｘ線検出器の光電変換部の基材の材質にポリイミド
フィルムを使用しているので、基材におけるＸ線吸収量
が少なく、撮影像に光電変換部の像が現われない。従っ
て従来例のように光電変換部にＸ線撮影領域と同じ大き
さの基材を用意する必要がなく、第２図（ａ）に示され
るように２点鎖線で示すＸ線撮影領域にくらべ光電変換
部は、点線で示される様にはるかに小さい物で良いこと
になる。又、光電変換部の基材の像が撮影像に写らない
ことより、第２図（ｂ）に示されるように被写体のＸ線
照射量を測定したい任意の箇所にＸ線受感部を設置した
り、Ｘ線受感部の形状を任意に設定したりすることが可
能となる。尚、Ｘ線−光変換部はＸ線を吸収し可視光に
変換するためＸ線撮影に影として写る。そのためＸ線−
光変換部はＸ線撮影領域と同じか、若干大きくする必要
がある。
射Ｘ線量を測定するため、Ｘ線撮影領域内に設けられる
が、Ｘ線検出器の光電変換部の基材の材質にポリイミド
フィルムを使用しているので、基材におけるＸ線吸収量
が少なく、撮影像に光電変換部の像が現われない。従っ
て従来例のように光電変換部にＸ線撮影領域と同じ大き
さの基材を用意する必要がなく、第２図（ａ）に示され
るように２点鎖線で示すＸ線撮影領域にくらべ光電変換
部は、点線で示される様にはるかに小さい物で良いこと
になる。又、光電変換部の基材の像が撮影像に写らない
ことより、第２図（ｂ）に示されるように被写体のＸ線
照射量を測定したい任意の箇所にＸ線受感部を設置した
り、Ｘ線受感部の形状を任意に設定したりすることが可
能となる。尚、Ｘ線−光変換部はＸ線を吸収し可視光に
変換するためＸ線撮影に影として写る。そのためＸ線−
光変換部はＸ線撮影領域と同じか、若干大きくする必要
がある。
［発明の効果］
上述したように本発明によれば従来例のようにＸｖＡ量
を測定する受感部の大きさに対して過大なＸ線検出器の
光電変換部を用意する必要がなく、光電変換部の大きさ
を小さく又、Ｘ線受感部を任意の形状に製作することが
できる。又強度が大きく破損しないＸ線検出器を提供す
ることができる。
を測定する受感部の大きさに対して過大なＸ線検出器の
光電変換部を用意する必要がなく、光電変換部の大きさ
を小さく又、Ｘ線受感部を任意の形状に製作することが
できる。又強度が大きく破損しないＸ線検出器を提供す
ることができる。
第１図は、本発明の一実施例を示すＸ線検出器の縦断面
図、第２図（ａ）及び（ｂ）は本発明のＸ線検山型の形
状及びＸ線受感部と光電変換部の関係を示す図である。 ｌ・・・基材、 ２・・金属電極、 ３・・・光電変換
層、４・・・透明電極、 ５・・Ｘ線−光変換部。 特許出願人 鐘淵化学工業株式会社 代理 人 弁理士青山葆外１名
図、第２図（ａ）及び（ｂ）は本発明のＸ線検山型の形
状及びＸ線受感部と光電変換部の関係を示す図である。 ｌ・・・基材、 ２・・金属電極、 ３・・・光電変換
層、４・・・透明電極、 ５・・Ｘ線−光変換部。 特許出願人 鐘淵化学工業株式会社 代理 人 弁理士青山葆外１名
Claims (3)
- （１）Ｘ線を可視光に変換するＸ線−光変換部と、変換
された可視光を電気信号に変換するポリイミドフィルム
を基板とする非晶質半導体光電変換部とから構成される
ことを特徴とするＸ線検出器。 - （２）光電変換部がＸ線撮影領域よりはるかに小さいこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のＸ線検出器
。 - （３）ポリイミドフィルムにてなる基材の厚さが２５μ
ｍ〜１５０μｍであることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載のＸ線検出器。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62272642A JPH01114782A (ja) | 1987-10-28 | 1987-10-28 | Ｘ線検出器 |
| US07/299,103 US5066861A (en) | 1987-07-22 | 1989-01-19 | X ray detecting device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62272642A JPH01114782A (ja) | 1987-10-28 | 1987-10-28 | Ｘ線検出器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01114782A true JPH01114782A (ja) | 1989-05-08 |
Family
ID=17516767
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62272642A Pending JPH01114782A (ja) | 1987-07-22 | 1987-10-28 | Ｘ線検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01114782A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8766202B2 (en) | 2011-02-18 | 2014-07-01 | Samsung Electronics Co., Ltd. | X-ray detectors including diffusion barrier films |
| US8963096B2 (en) | 2010-03-30 | 2015-02-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | X-ray detector including oxide semiconductor transistor |
| US9348037B2 (en) | 2010-04-01 | 2016-05-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | X-ray pixels including double photoconductors and X-ray detectors including the X-ray pixels |
-
1987
- 1987-10-28 JP JP62272642A patent/JPH01114782A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8963096B2 (en) | 2010-03-30 | 2015-02-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | X-ray detector including oxide semiconductor transistor |
| US9348037B2 (en) | 2010-04-01 | 2016-05-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | X-ray pixels including double photoconductors and X-ray detectors including the X-ray pixels |
| US8766202B2 (en) | 2011-02-18 | 2014-07-01 | Samsung Electronics Co., Ltd. | X-ray detectors including diffusion barrier films |
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