JP3415704B2 - 放射線検出器 - Google Patents
放射線検出器Info
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- JP3415704B2 JP3415704B2 JP15691695A JP15691695A JP3415704B2 JP 3415704 B2 JP3415704 B2 JP 3415704B2 JP 15691695 A JP15691695 A JP 15691695A JP 15691695 A JP15691695 A JP 15691695A JP 3415704 B2 JP3415704 B2 JP 3415704B2
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- phosphor
- transparent electrode
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- glass sheet
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、Ｘ線ＣＴ装置のＸ線
検出器として使用するのに好適な、放射線検出器の改良
に関する。
検出器として使用するのに好適な、放射線検出器の改良
に関する。
【０００２】
【従来の技術】放射線検出器は、通常、Ｘ線を蛍光体で
光に変換し、この光を電気エネルギーに変換するという
構成をとる。この場合、光電変換素子としては、光電子
増倍管やフォトダイオードが使用される。
光に変換し、この光を電気エネルギーに変換するという
構成をとる。この場合、光電変換素子としては、光電子
増倍管やフォトダイオードが使用される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、光電変
換素子として光電子増倍管を使用する場合は、光電子増
倍管をあまり小さいサイズに作ることができないため、
結果的に十分な位置分解能が得られないという問題があ
った。フォトダイオードを使用する場合、一般に、微弱
なＸ線に対して出力信号が小さいので、後段の電気的信
号増幅器を含めて、この出力信号をよほど上手に取り扱
わないと、十分なＳ／Ｎ比が得られない、という欠点が
ある。そのため、特殊な構成としない限りは、フォトダ
イオードでは、入射Ｘ線のエネルギーを測定することは
到底望めない。
換素子として光電子増倍管を使用する場合は、光電子増
倍管をあまり小さいサイズに作ることができないため、
結果的に十分な位置分解能が得られないという問題があ
った。フォトダイオードを使用する場合、一般に、微弱
なＸ線に対して出力信号が小さいので、後段の電気的信
号増幅器を含めて、この出力信号をよほど上手に取り扱
わないと、十分なＳ／Ｎ比が得られない、という欠点が
ある。そのため、特殊な構成としない限りは、フォトダ
イオードでは、入射Ｘ線のエネルギーを測定することは
到底望めない。
【０００４】この発明は、上記に鑑み、微弱なＸ線に対
して大きな出力信号が得られ、かつ位置分解能も高める
ことが可能で、これによって出力信号の十分なＳ／Ｎ比
を得て、入射Ｘ線のエネルギーを高い位置分解能で測定
することを可能とする、放射線検出器を提供することを
目的とする。
して大きな出力信号が得られ、かつ位置分解能も高める
ことが可能で、これによって出力信号の十分なＳ／Ｎ比
を得て、入射Ｘ線のエネルギーを高い位置分解能で測定
することを可能とする、放射線検出器を提供することを
目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、請求項１記載の発明による放射線検出器において
は、放射線を光に変換する、実質的に分割された蛍光体
と、該蛍光体の放射線入射側とは反対側の面に配置され
た透明ガラスシートと、該透明ガラスシートの放射線入
射側とは反対側の面に形成された透明電極と、該透明電
極の上に形成されたアバランシェ増倍膜と、該増倍膜の
他の面に、上記の蛍光体の分割に対応して分割形成され
た電極とを備えることが特徴となっている。
め、請求項１記載の発明による放射線検出器において
は、放射線を光に変換する、実質的に分割された蛍光体
と、該蛍光体の放射線入射側とは反対側の面に配置され
た透明ガラスシートと、該透明ガラスシートの放射線入
射側とは反対側の面に形成された透明電極と、該透明電
極の上に形成されたアバランシェ増倍膜と、該増倍膜の
他の面に、上記の蛍光体の分割に対応して分割形成され
た電極とを備えることが特徴となっている。
【０００６】請求項２に記載のように、上記透明ガラス
シートの代わりに、ＦＯＰ（ファイバオプティカルプレ
ート）を用いてもよい。
シートの代わりに、ＦＯＰ（ファイバオプティカルプレ
ート）を用いてもよい。
【０００７】
【作用】放射線は、まず蛍光体によって光に変換され、
この光が透明ガラスシートまたはＦＯＰおよび透明電極
を通ってアバランシェ増倍膜に入る。すると、このアバ
ランシェ増倍膜では、電荷（電子・正孔対）が発生す
る。この透明電極と他の面に設けられた電極との間に高
電圧を印加して、この膜内で強電界を生じさせておくこ
とにより、アバランシェ現象が生じて電荷がなだれ（ア
バランシェ）的に増加する。このようなアバランシェ増
倍により電荷が１０００倍程度に増幅されたことにな
り、大きな信号が得られる。この電荷増倍現象は、後段
の電気的な増幅回路での増幅に比較して、非常に低雑音
のものとなっている。そのため、雑音の少ない、大き
な、つまりＳ／Ｎ比の大きな信号が得られる。蛍光体は
分割され、かつその分割に対応してアバランシェ増幅膜
の他の面に形成する電極も分割されているので、分割さ
れた蛍光体のそれぞれの位置ごとに入射放射線の検出が
可能となり、位置分解能を高めることができる。分割さ
れた蛍光体の裏面に配置された透明ガラスシートまたは
ＦＯＰの上に透明電極およびアバランシェ増幅膜が形成
されるので、蛍光体裏面における凹凸の存在が許容さ
れ、分割された蛍光体を用いる場合に製造が容易にな
る。透明ガラスシートまたはＦＯＰに表面平滑度の高い
ものを使用すれば足りるからである。すなわち、この透
明電極は、他の電極との間に高電圧を印加することから
平滑なものでないとスパークなどを生じるので、平滑な
面上に形成して平滑度を高める必要があるが、一方で蛍
光体を分割する場合には蛍光体の面を平滑にすることが
難しくなる。透明ガラスシートまたはＦＯＰを用いるこ
とにより、これらの面上に透明電極を形成することがで
きるため、蛍光体の面の平滑度を高めなくてもよくな
り、製造が容易になる。
この光が透明ガラスシートまたはＦＯＰおよび透明電極
を通ってアバランシェ増倍膜に入る。すると、このアバ
ランシェ増倍膜では、電荷（電子・正孔対）が発生す
る。この透明電極と他の面に設けられた電極との間に高
電圧を印加して、この膜内で強電界を生じさせておくこ
とにより、アバランシェ現象が生じて電荷がなだれ（ア
バランシェ）的に増加する。このようなアバランシェ増
倍により電荷が１０００倍程度に増幅されたことにな
り、大きな信号が得られる。この電荷増倍現象は、後段
の電気的な増幅回路での増幅に比較して、非常に低雑音
のものとなっている。そのため、雑音の少ない、大き
な、つまりＳ／Ｎ比の大きな信号が得られる。蛍光体は
分割され、かつその分割に対応してアバランシェ増幅膜
の他の面に形成する電極も分割されているので、分割さ
れた蛍光体のそれぞれの位置ごとに入射放射線の検出が
可能となり、位置分解能を高めることができる。分割さ
れた蛍光体の裏面に配置された透明ガラスシートまたは
ＦＯＰの上に透明電極およびアバランシェ増幅膜が形成
されるので、蛍光体裏面における凹凸の存在が許容さ
れ、分割された蛍光体を用いる場合に製造が容易にな
る。透明ガラスシートまたはＦＯＰに表面平滑度の高い
ものを使用すれば足りるからである。すなわち、この透
明電極は、他の電極との間に高電圧を印加することから
平滑なものでないとスパークなどを生じるので、平滑な
面上に形成して平滑度を高める必要があるが、一方で蛍
光体を分割する場合には蛍光体の面を平滑にすることが
難しくなる。透明ガラスシートまたはＦＯＰを用いるこ
とにより、これらの面上に透明電極を形成することがで
きるため、蛍光体の面の平滑度を高めなくてもよくな
り、製造が容易になる。
【０００８】ＦＯＰを用いる場合には、ＦＯＰに入射し
た光は面方向に拡散することがないので、厚くしても光
が拡散せず、位置分解能が劣化しないため、ＦＯＰを厚
くして機械的強度を高めることができる。
た光は面方向に拡散することがないので、厚くしても光
が拡散せず、位置分解能が劣化しないため、ＦＯＰを厚
くして機械的強度を高めることができる。
【０００９】
【実施例】以下、この発明の好ましい一実施例について
図面を参照しながら詳細に説明する。図１に示すよう
に、この発明にかかる放射線検出器１０は、シンチレー
タ１１と、その裏面（Ｘ線入射側とは反対側の面）に形
成された透明電極１３、アバランシェ増倍膜１４、およ
び電極１５とを備える。シンチレータ１１は、潮解性が
ない、たとえばＣｄＷＯ4やＧｄ2Ｏ2Ｓなどの蛍光体に
より一体物として形成されているが、表面（Ｘ線入射側
の面）に多数のスリットが設けられてそのスリットにＸ
線および光を遮蔽する遮蔽板１２が差し込まれていて、
実質的には多数の短冊状のシンチレータ１１を並べたシ
ンチレータアレイと見ることができるようなものとなっ
ている。このシンチレータ１１はサイズ的には、たとえ
ば厚さ（Ｘ線入射方向の厚さ）１〜２ｍｍで、その配列
ピッチつまり遮蔽板１２の配列間隔１〜２ｍｍ程度とす
ることができる。
図面を参照しながら詳細に説明する。図１に示すよう
に、この発明にかかる放射線検出器１０は、シンチレー
タ１１と、その裏面（Ｘ線入射側とは反対側の面）に形
成された透明電極１３、アバランシェ増倍膜１４、およ
び電極１５とを備える。シンチレータ１１は、潮解性が
ない、たとえばＣｄＷＯ4やＧｄ2Ｏ2Ｓなどの蛍光体に
より一体物として形成されているが、表面（Ｘ線入射側
の面）に多数のスリットが設けられてそのスリットにＸ
線および光を遮蔽する遮蔽板１２が差し込まれていて、
実質的には多数の短冊状のシンチレータ１１を並べたシ
ンチレータアレイと見ることができるようなものとなっ
ている。このシンチレータ１１はサイズ的には、たとえ
ば厚さ（Ｘ線入射方向の厚さ）１〜２ｍｍで、その配列
ピッチつまり遮蔽板１２の配列間隔１〜２ｍｍ程度とす
ることができる。
【００１０】シンチレータ１１の裏面には上記の通り透
明電極１３とその上のアバランシェ増倍膜１４等を形成
するために、研磨されて凹凸が０．１μｍ以下に抑えら
れるほどの平滑度とされている。透明電極１３はそのよ
うな研磨面に一面にたとえばＩＴＯを付着させたもので
ある。アバランシェ増倍膜１４は、いわゆるハープ（Ｈ
ＡＲＰ）膜であり、アモルファスセレンなどをたとえば
厚さ２５μｍに蒸着したものである。このアバランシェ
増倍膜１４上の電極１５はアルミニウムなどからなり、
シンチレータ１１の実質的な配列ピッチに対応して分割
形成されている。
明電極１３とその上のアバランシェ増倍膜１４等を形成
するために、研磨されて凹凸が０．１μｍ以下に抑えら
れるほどの平滑度とされている。透明電極１３はそのよ
うな研磨面に一面にたとえばＩＴＯを付着させたもので
ある。アバランシェ増倍膜１４は、いわゆるハープ（Ｈ
ＡＲＰ）膜であり、アモルファスセレンなどをたとえば
厚さ２５μｍに蒸着したものである。このアバランシェ
増倍膜１４上の電極１５はアルミニウムなどからなり、
シンチレータ１１の実質的な配列ピッチに対応して分割
形成されている。
【００１１】これら分割電極１５の各々には、それぞれ
ゲート１７を介して信号増幅回路１８が接続されてい
る。この信号増幅回路１８から得られる出力は、データ
収集回路等に送られる。他方、透明電極１３には電源１
６が接続されて、プラスの高電圧（たとえば２５００ボ
ルト程度）が印加されている。これにより、電極１３、
１５に挟まれたアバランシェ増倍膜１４内には、アバラ
ンシェ増倍が起こるほどに強い電界が形成される。
ゲート１７を介して信号増幅回路１８が接続されてい
る。この信号増幅回路１８から得られる出力は、データ
収集回路等に送られる。他方、透明電極１３には電源１
６が接続されて、プラスの高電圧（たとえば２５００ボ
ルト程度）が印加されている。これにより、電極１３、
１５に挟まれたアバランシェ増倍膜１４内には、アバラ
ンシェ増倍が起こるほどに強い電界が形成される。
【００１２】シンチレータ１１にＸ線が入射すると吸収
されて光子が励起され、その光子が透明電極１３を通っ
てアバランシェ増倍膜１４に入る。このアバランシェ増
倍膜１４は、上記の通りアモルファスセレン膜などから
なり、光子の入射によって電荷（電子・正孔対）を生じ
る。この膜１４内には、電極１３、１５によって上記の
通りの強電界が形成されているため、アバランシェ増倍
現象が生じて電荷が１０００倍程度に増倍される。この
アバランシェ増倍現象による信号増幅作用は非常に低雑
音で行なわれる。したがって、信号増幅回路１８より得
られる検出信号は、同一強度の入射Ｘ線に対して同じ大
きさの信号を得ようとしたとき、フォトダイオードを使
用する場合に比較して、雑音が少なくてＳ／Ｎ比の良好
な信号となる。
されて光子が励起され、その光子が透明電極１３を通っ
てアバランシェ増倍膜１４に入る。このアバランシェ増
倍膜１４は、上記の通りアモルファスセレン膜などから
なり、光子の入射によって電荷（電子・正孔対）を生じ
る。この膜１４内には、電極１３、１５によって上記の
通りの強電界が形成されているため、アバランシェ増倍
現象が生じて電荷が１０００倍程度に増倍される。この
アバランシェ増倍現象による信号増幅作用は非常に低雑
音で行なわれる。したがって、信号増幅回路１８より得
られる検出信号は、同一強度の入射Ｘ線に対して同じ大
きさの信号を得ようとしたとき、フォトダイオードを使
用する場合に比較して、雑音が少なくてＳ／Ｎ比の良好
な信号となる。
【００１３】ゲート１７は、分割された電極１５の各々
から信号を順次取り出すためのものである。つまり、実
質的に分割されたシンチレータ１１のそれぞれの位置ご
とに入射Ｘ線の検出が可能である。このシンチレータ１
１および電極１５の分割ピッチは非常に細かいものとす
ることが可能であるから、位置分解能を高めることは容
易である。
から信号を順次取り出すためのものである。つまり、実
質的に分割されたシンチレータ１１のそれぞれの位置ご
とに入射Ｘ線の検出が可能である。このシンチレータ１
１および電極１５の分割ピッチは非常に細かいものとす
ることが可能であるから、位置分解能を高めることは容
易である。
【００１４】ここで、シンチレータ１１の裏面を研磨し
て平滑なものとしたのは、電極１３、１５間に高電圧を
印加してアバランシェ増倍膜１４内に強電界を発生させ
ることから、平滑なものでないと、局所的に高電界とな
る部分が生じ、その部分でスパークなどを起こし、破壊
するおそれがあるからである。
て平滑なものとしたのは、電極１３、１５間に高電圧を
印加してアバランシェ増倍膜１４内に強電界を発生させ
ることから、平滑なものでないと、局所的に高電界とな
る部分が生じ、その部分でスパークなどを起こし、破壊
するおそれがあるからである。
【００１５】そこで、図２のように、表面平滑度の高い
透明ガラスシート２１をシンチレータ１１の裏面に配置
した上で、そのガラスシート２１の表面に透明電極１３
やアバランシェ増倍膜１４等を形成することとすれば、
シンチレータ１１の裏面における微妙な凹凸の存在を許
容できるようになる。
透明ガラスシート２１をシンチレータ１１の裏面に配置
した上で、そのガラスシート２１の表面に透明電極１３
やアバランシェ増倍膜１４等を形成することとすれば、
シンチレータ１１の裏面における微妙な凹凸の存在を許
容できるようになる。
【００１６】さらにガラスシート２１の代わりに図３の
ように、ＦＯＰ（ファイバオプティカルプレート）２２
を用いてもよい。このＦＯＰ２２は、光ファイバを多数
並べて接合し、横断したようなもので、厚さ方向（表面
から裏面への方向）に光ファイバの各々が向いている。
そのため、このＦＯＰ２２に入射した光は面方向に拡散
することがないので、単なるガラスシート２１のように
厚くすると光の拡散により位置分解能が劣化する、とい
う問題なしに厚くすることが可能である。そのため、厚
くして機械的強度を高めることができる。
ように、ＦＯＰ（ファイバオプティカルプレート）２２
を用いてもよい。このＦＯＰ２２は、光ファイバを多数
並べて接合し、横断したようなもので、厚さ方向（表面
から裏面への方向）に光ファイバの各々が向いている。
そのため、このＦＯＰ２２に入射した光は面方向に拡散
することがないので、単なるガラスシート２１のように
厚くすると光の拡散により位置分解能が劣化する、とい
う問題なしに厚くすることが可能である。そのため、厚
くして機械的強度を高めることができる。
【００１７】このようにガラスシート２１やＦＯＰ２２
をシンチレータ１１と透明電極１３との間に介在させる
ことにより、シンチレータ１１の裏面の平滑度は要求さ
れることがなくなるため、図１のようにシンチレータ１
１を一体物とする必要がなくなり、図２や図３で示すよ
うに個別の短冊状シンチレータ１１を遮蔽板１２を間に
挟みながら配列させたシンチレータアレイを用いること
ができる。
をシンチレータ１１と透明電極１３との間に介在させる
ことにより、シンチレータ１１の裏面の平滑度は要求さ
れることがなくなるため、図１のようにシンチレータ１
１を一体物とする必要がなくなり、図２や図３で示すよ
うに個別の短冊状シンチレータ１１を遮蔽板１２を間に
挟みながら配列させたシンチレータアレイを用いること
ができる。
【００１８】このような放射線検出器１０は湾曲させて
形成することが困難であるため、Ｘ線ＣＴ装置のＸ線検
出器として用いる場合は、図４に示すように多数の直線
状の放射線検出器１０を少しずつ角度を変えて円弧上に
並べることにより、弧状の検出器とすることができる。
通常のＸ線ＣＴ装置の検出器は１０００チャンネル程度
のエレメント構成とするので、３０〜５０個のシンチレ
ータ１１を配列した放射線検出器１０を２０〜４０個程
度図４のように並べれば実現できる。
形成することが困難であるため、Ｘ線ＣＴ装置のＸ線検
出器として用いる場合は、図４に示すように多数の直線
状の放射線検出器１０を少しずつ角度を変えて円弧上に
並べることにより、弧状の検出器とすることができる。
通常のＸ線ＣＴ装置の検出器は１０００チャンネル程度
のエレメント構成とするので、３０〜５０個のシンチレ
ータ１１を配列した放射線検出器１０を２０〜４０個程
度図４のように並べれば実現できる。
【００１９】なお、上の記述はすべて一つの実施例につ
いてのものであり、材料、サイズ、個数などは他のもの
とすることが可能である。また、具体的な構成について
も種々に変形可能である。
いてのものであり、材料、サイズ、個数などは他のもの
とすることが可能である。また、具体的な構成について
も種々に変形可能である。
【００２０】
【発明の効果】以上実施例について説明したように、こ
の発明の放射線検出器によれば、光電変換素子としてア
バランシェ増倍膜を使用しているため、フォトダイオー
ドを使用した場合と同程度の位置分解能を実現しつつ、
同一強度の入射放射線に対する出力信号として、非常に
Ｓ／Ｎ比の良好なものを得ることができる。これにより
入射Ｘ線のエネルギーを、高いエネルギー分解能で測定
することも可能となる。そのため、Ｘ線ＣＴ装置の検出
器として使用するなら、非常にＳ／Ｎ比の高い、優れた
画質の画像を得ることができる。
の発明の放射線検出器によれば、光電変換素子としてア
バランシェ増倍膜を使用しているため、フォトダイオー
ドを使用した場合と同程度の位置分解能を実現しつつ、
同一強度の入射放射線に対する出力信号として、非常に
Ｓ／Ｎ比の良好なものを得ることができる。これにより
入射Ｘ線のエネルギーを、高いエネルギー分解能で測定
することも可能となる。そのため、Ｘ線ＣＴ装置の検出
器として使用するなら、非常にＳ／Ｎ比の高い、優れた
画質の画像を得ることができる。
【図１】この発明の一実施例を示す模式的な斜視図。
【図２】他の実施例の要部を示す模式的な斜視図。
【図３】さらに別の実施例の要部を示す模式的な斜視
図。
図。
【図４】Ｘ線ＣＴ装置の弧状検出器として構成する場合
の模式図。
の模式図。
１０ 放射線検出器
１１ シンチレータ
１２ 遮蔽板
１３ 透明電極
１４ アバランシェ増倍膜
１５ 電極
１６ 電源
１７ ゲート
１８ 信号増幅回路
２１ ガラスシート
２２ ＦＯＰ
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 大井 淳一
京都府京都市中京区西ノ京桑原町１番地
株式会社島津製作所三条工場内
(72)発明者 加藤 務
東京都世田谷区砧１−10−11日本放送協
会放送技術研究所内
(72)発明者 鈴木 四郎
東京都世田谷区砧１−10−11日本放送協
会放送技術研究所内
(72)発明者 谷岡 健吉
東京都世田谷区砧１−10−11日本放送協
会放送技術研究所内
(56)参考文献 特開 平７−63859（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−290714（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−103938（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−136451（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−169932（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−84055（ＪＰ，Ａ)
特開 平２−15681（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−273087（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G01T 1/20
H01L 31/09
Claims (2)
- 【請求項１】 放射線を光に変換する、実質的に分割さ
れた蛍光体と、該蛍光体の放射線入射側とは反対側の面
に配置された透明ガラスシートと、該透明ガラスシート
の放射線入射側とは反対側の面に形成された透明電極
と、該透明電極の上に形成されたアバランシェ増倍膜
と、該増倍膜の他の面に、上記の蛍光体の分割に対応し
て分割形成された電極とを有することを特徴とする放射
線検出器。 - 【請求項２】 放射線を光に変換する、実質的に分割さ
れた蛍光体と、該蛍光体の放射線入射側とは反対側の面
に配置されたファイバオプティカルプレートと、該ファ
イバオプティカルプレートの放射線入射側とは反対側の
面に形成された透明電極と、該透明電極の上に形成され
たアバランシェ増倍膜と、該増倍膜の他の面に、上記の
蛍光体の分割に対応して分割形成された電極とを有する
ことを特徴とする放射線検出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15691695A JP3415704B2 (ja) | 1995-05-31 | 1995-05-31 | 放射線検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15691695A JP3415704B2 (ja) | 1995-05-31 | 1995-05-31 | 放射線検出器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08327744A JPH08327744A (ja) | 1996-12-13 |
| JP3415704B2 true JP3415704B2 (ja) | 2003-06-09 |
Family
ID=15638186
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15691695A Expired - Fee Related JP3415704B2 (ja) | 1995-05-31 | 1995-05-31 | 放射線検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3415704B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100588332B1 (ko) * | 2005-12-16 | 2006-06-12 | 현대원자력 주식회사 | 전자식 방사선피폭 개인선량계 |
| JPWO2007113898A1 (ja) * | 2006-04-04 | 2009-08-13 | 株式会社島津製作所 | 放射線検出器 |
| JP2014241543A (ja) | 2013-06-12 | 2014-12-25 | 株式会社東芝 | 光検出装置およびｃｔ装置 |
-
1995
- 1995-05-31 JP JP15691695A patent/JP3415704B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08327744A (ja) | 1996-12-13 |
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