TW201706711A - 導電圖案形成構件及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種抑制未曝光部的溶解去除中的殘渣的產生、並且形成於基材上、導電圖案與感光性樹脂層之間的耐離子遷移性優異的導電圖案形成構件的製造方法。本發明的導電圖案形成構件的製造方法包括：塗佈步驟，將含有導電性粒子、及具有雙鍵與羧基的樹脂（c）的組成物C塗佈於形成於基材上的包含具有羧基的樹脂（a）的層A以及透明電極層B的表面，獲得塗佈膜C；乾燥步驟，對塗佈膜C進行乾燥而獲得乾燥膜C；曝光步驟，對乾燥膜C進行曝光而獲得曝光膜C；顯影步驟，對曝光膜C進行顯影而獲得圖案C；以及固化步驟，對圖案C進行固化而獲得導電圖案C，且粒徑0.3 μm～2.0 μm的粒子於導電性粒子中所佔的比例為80%以上。

Description

導電圖案形成構件的製造方法
本發明是有關於一種導電圖案形成構件的製造方法。
形成於靜電電容式觸控面板的顯示區域的顯示電極為包含氧化銦錫（Indium Tin Oxide，ITO）等的透明電極。作為所述電極的圖案加工的製程，通常藉由濺鍍等於基材上形成ITO等的金屬薄膜，於其表面進一步塗佈作為具有感光性的樹脂的光阻劑並經由光罩進行曝光，藉由顯影而形成抗蝕劑圖案後進行蝕刻及抗蝕劑去除。
另一方面，亦考慮如下技術，即事先準備於基材上預先積層感光性樹脂層及透明電極層而成者，藉此省去在每次形成透明電極的圖案時都要塗佈或去除光阻劑（專利文獻1及專利文獻2）。
於靜電電容式觸控面板中的顯示區域的周邊形成有與透明電極連接的周圍配線。作為該周圍配線的形成方法，已知有利用光微影法對具有感光性的導電膏進行微細加工的方法（專利文獻3～專利文獻7）。於欲使用該導電膏，來形成與自積層有所述感光性樹脂層及透明電極層的基材形成的透明電極圖案連接的周圍配線的情況下，需要在形成於該基材上的感光性樹脂層及透明電極層的表面塗佈導電膏後進行所述加工。 [現有技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2015-18157號公報 [專利文獻2]日本專利特開2014-199814號公報 [專利文獻3]日本專利第5278632號公報 [專利文獻4]國際公開第2013/108696號 [專利文獻5]日本專利第5360285號公報 [專利文獻6]日本專利第5403187號公報 [專利文獻7]國際公開第2013/146107號
[發明所欲解決之課題] 然而，於基材上的感光性樹脂層的表面形成有導電膏的塗佈膜的部位中，於經由光罩對導電膏進行曝光後的顯影步驟中，不僅導電膏的塗佈膜於未曝光部的溶解去除時產生殘渣，而且所形成的導電圖案與感光性樹脂層的離子遷移亦被視為問題。
因此，本發明的目的在於提供一種抑制未曝光部的溶解去除中的殘渣的產生、並且形成於基材上的導電圖案與感光性樹脂層之間的耐離子遷移性優異的導電圖案形成構件的製造方法。 [解決課題之手段]
本發明者等人進行努力研究，結果發現，對於解決所述課題而言極為有效的是作為用於形成導電圖案的導電膏所含有的導電性粒子而使用其粒徑滿足一定的條件者，從而完成本發明。
即，本發明提供一種導電圖案形成構件的製造方法，其包括：塗佈步驟，將含有導電性粒子、及具有雙鍵與羧基的樹脂（c）的組成物C塗佈於形成於基材上的包含具有羧基的樹脂（a）的層A以及透明電極層B的表面，獲得塗佈膜C；乾燥步驟，對所述塗佈膜C進行乾燥而獲得乾燥膜C；曝光步驟，對所述乾燥膜C進行曝光而獲得曝光膜C；顯影步驟，對所述曝光膜C進行顯影而獲得圖案C；以及固化步驟，對所述圖案C進行固化而獲得導電圖案C，且粒徑0.3 μm～2.0 μm的粒子於所述導電性粒子中所佔的比例為80%以上。 [發明的效果]
根據本發明的導電圖案形成構件的製造方法，可抑制未曝光部的溶解去除中的殘渣產生，且可形成與形成於基材上的包含具有羧基的樹脂的層之間的耐離子遷移性優異的導電圖案。
進而，藉由使具有苯并三唑系化合物或異冰片基骨架的光學透明膠（Optical Clear Adhesive，OCA）積層，可進一步提高耐離子遷移性。
本發明的導電圖案形成構件的製造方法的特徵在於包括：塗佈步驟，將含有導電性粒子、及具有雙鍵與羧基的樹脂（c）的組成物C塗佈於形成於基材上的包含具有羧基的樹脂（a）的層A以及透明電極層B的表面，獲得塗佈膜C；乾燥步驟，對所述塗佈膜C進行乾燥而獲得乾燥膜C；曝光步驟，對所述乾燥膜C進行曝光而獲得曝光膜C；顯影步驟，對所述曝光膜C進行顯影而獲得圖案C；以及固化步驟，對所述圖案C進行固化而獲得導電圖案C，且粒徑0.3 μm～2.0 μm的粒子於所述導電性粒子中所佔的比例為80%以上。
本發明的導電圖案形成構件的製造方法所包括的塗佈步驟為將組成物C塗佈於樹脂層A及透明電極層B的表面而獲得塗佈膜C的步驟。
透明電極層B積層於包含具有羧基的樹脂（a）（以下稱為「樹脂（a）」）的層A（以下稱為「樹脂層A」）上。而且樹脂層A形成於基材上。
所謂於其上形成有樹脂層A的基材，是指用以於其表面上形成透明電極層或導電圖案等的支撐體。作為基材，例如可列舉玻璃、玻璃環氧基板或陶瓷基板等剛性基板或者聚酯膜或聚醯亞胺膜等可撓性基板。
形成於基材上的樹脂層A為所謂的感光性樹脂層，且作為用於形成透明電極層B的圖案的光阻劑而發揮功能。構成樹脂層A的樹脂（a）於其分子鏈中具有羧基，為鹼可溶性。作為樹脂（a），例如可列舉：丙烯酸系共聚物、環氧羧酸酯化合物、聚醯胺酸或矽氧烷聚合物。較佳為可見光透射率高的丙烯酸系共聚物或環氧羧酸酯化合物。
具有羧基的丙烯酸系共聚物可藉由將丙烯酸系單體及不飽和羧酸等不飽和酸作為共聚合成分進行共聚合而獲得。
作為丙烯酸系單體，例如可列舉：丙烯酸（acrylic acid）（以下稱為「AA」）、丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯（ethyl acrylate）（以下稱為「EA」）、丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸正丁酯（n-butyl acrylate）（以下稱為「BA」）、丙烯酸異丁酯、丙烯酸異丙烷、丙烯酸縮水甘油酯、丁氧基三乙二醇丙烯酸酯、丙烯酸二環戊酯、丙烯酸二環戊烯酯、丙烯酸2-羥基乙酯、丙烯酸異冰片酯、丙烯酸2-羥基丙酯、丙烯酸異癸酯、丙烯酸異辛酯、丙烯酸月桂酯、丙烯酸2-甲氧基乙酯、甲氧基乙二醇丙烯酸酯、甲氧基二乙二醇丙烯酸酯、丙烯酸八氟戊酯、丙烯酸苯氧基乙酯、丙烯酸十八酯、丙烯酸三氟乙酯、丙烯酸胺基乙酯、丙烯酸苯酯、丙烯酸苯氧基乙酯、丙烯酸1-萘酯、丙烯酸2-萘酯、丙烯酸硫代苯酚、苄基硫醇丙烯酸酯、烯丙基化二丙烯酸環己酯、甲氧基化二丙烯酸環己酯、1,4-丁二醇二丙烯酸酯、1,3-丁二醇二丙烯酸酯、乙二醇二丙烯酸酯、二乙二醇二丙烯酸酯、三乙二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、新戊二醇二丙烯酸酯、丙二醇二丙烯酸酯、聚丙二醇二丙烯酸酯、三甘油二丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、二-三羥甲基丙烷四丙烯酸酯、二季戊二醇單羥基五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、丙烯醯胺、N-甲氧基甲基丙烯醯胺、N-乙氧基甲基丙烯醯胺、N-正丁氧基甲基丙烯醯胺、N-異丁氧基甲基丙烯醯胺、具有藉由不飽和酸而使環氧基開環所得的羥基的乙二醇二縮水甘油醚的丙烯酸加成物、二乙二醇二縮水甘油醚的丙烯酸加成物、新戊二醇二縮水甘油醚的丙烯酸加成物、甘油二縮水甘油醚的丙烯酸加成物、雙酚A二縮水甘油醚的丙烯酸加成物、雙酚F的丙烯酸加成物或甲酚酚醛清漆的丙烯酸加成物等環氧丙烯酸酯單體或者γ-丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、或者將該些的丙烯酸基取代為甲基丙烯酸基而成的化合物。為了提高樹脂層A的可見光透射性，較佳為具有脂肪鏈或脂環式結構的丙烯酸系單體。
作為不飽和酸，例如可列舉：丙烯酸、甲基丙烯酸、衣康酸、丁烯酸、馬來酸、富馬酸或乙酸乙烯酯或者該些的酸酐。藉由用作共聚合成分的不飽和酸的多少，可調整所得的丙烯酸系共聚物的酸價。
所謂環氧羧酸酯化合物，是指可將環氧化合物與具有不飽和雙鍵的羧基化合物作為起始原料而合成的化合物。
作為可成為起始原料的環氧化合物，例如可列舉：縮水甘油醚類、脂環式環氧樹脂、縮水甘油酯類、縮水甘油胺類或環氧樹脂。更具體而言，例如可列舉：甲基縮水甘油醚、乙基縮水甘油醚、丁基縮水甘油醚、乙二醇二縮水甘油醚、二乙二醇二縮水甘油醚、丙二醇二縮水甘油醚、三丙二醇二縮水甘油醚、新戊二醇二縮水甘油醚、雙酚A二縮水甘油醚、氫化雙酚A二縮水甘油醚、雙酚F二縮水甘油醚、雙酚S二縮水甘油醚、雙酚茀二縮水甘油醚、聯苯酚二縮水甘油醚、四甲基聯苯酚縮水甘油醚、三羥甲基丙烷三縮水甘油醚、3',4'-環氧環己基甲基-3,4-環氧環己烷羧酸酯或者第三丁基縮水甘油胺。
作為可成為起始原料的具有不飽和雙鍵的羧基化合物，例如可列舉：(甲基)丙烯酸、丁烯酸、肉桂酸或α-氰基肉桂酸。
亦可使環氧羧酸酯化合物與多元酸酐反應來調整環氧羧酸酯化合物的酸價。作為多元酸酐，例如可列舉：丁二酸酐、鄰苯二甲酸酐、四氫鄰苯二甲酸酐、六氫鄰苯二甲酸酐、衣康酸酐、3-甲基四氫鄰苯二甲酸酐、4-甲基-六氫鄰苯二甲酸酐、偏苯三甲酸酐或馬來酸酐。
亦可藉由使利用所述多元酸酐而調整了酸價的環氧羧酸酯化合物所具有的羧基、與(甲基)丙烯酸縮水甘油酯等具有不飽和雙鍵的化合物反應，來調整環氧羧酸酯化合物所具有的反應性不飽和雙鍵的量。
亦可藉由使環氧羧酸酯化合物所具有的羥基與二異氰酸酯化合物反應來進行胺基甲酸酯化。作為二異氰酸酯化合物，例如可列舉：六亞甲基二異氰酸酯、四甲基二甲苯二異氰酸酯、萘-1,5-二異氰酸酯、聯甲苯胺二異氰酸酯、三甲基六亞甲基二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯、烯丙基氰二異氰酸酯或降冰片烷二異氰酸酯。
為了使樹脂層A作為鹼可溶性的光阻劑而發揮功能，樹脂（a）的酸價較佳為50 mgKOH/g～250 mgKOH/g，為了進一步提高圖案加工性，樹脂（a）的酸價更佳為60 mgKOH/g～150 mgKOH/g。再者，樹脂（a）的酸價可依據JIS K 0070（1992）而進行測定。
於將利用本發明的製造方法而製造的導電圖案形成構件設為觸控面板的構成要素的情況下，樹脂層A的可見光透射率較佳為80%以上。
積層於樹脂層A上的透明電極層B並非為整個面平坦的層，而為利用樹脂層A的作為光阻劑的功能進行了圖案加工的任意形狀的圖案。即，透明電極層並非完全遮掩樹脂層A，於透明電極層B的未形成圖案的部位中，成為樹脂層A露出的狀態。
透明電極層B僅包含導電成分，或者含有導電成分。作為構成透明電極層B的導電成分，例如可列舉：銦、錫、鋅、鎵、銻、鈦、鋯、鎂、鋁、金、銀、銅、鈀或鎢或者該些金屬的氧化物或碳奈米管。更具體而言，例如可列舉：銦錫氧化物（以下稱為「ITO」）、銦鋅氧化物、氧化銦-氧化鋅複合氧化物、鋁鋅氧化物、鎵鋅氧化物、氟鋅氧化物、氟銦氧化物、銻錫氧化物或氟錫氧化物。其中，較佳為導電性及可見光透射性高、且價格方面亦有利的ITO或纖維狀的銀（以下稱為「銀纖維」），更佳為與後述的導電圖案C的連接可靠性高的銀纖維。
作為進行圖案加工之前的透明電極層的形成方法，例如可列舉：真空蒸鍍法、濺鍍法、離子鍍法或塗佈法。
為了兼顧良好的導電性及可見光透射性，透明電極層B的厚度較佳為0.01 μm～1.5 μm。另外，就與樹脂層A同樣的理由而言，透明電極層B的可見光透射率較佳為80%以上。
塗佈於樹脂層A及透明電極層B的表面的組成物C含有導電性粒子及具有雙鍵與羧基的樹脂（c）（以下稱為「樹脂（c）」）。
作為組成物C所含有的導電性粒子，可列舉：銀、金、銅、鉑、鉛、錫、鎳、鋁、鎢、鉬、鉻、鈦或銦或者該些金屬的合金，較佳為導電性高的銀、金或銅，更佳為穩定性高且價格方面亦有利的銀。
作為導電性粒子的形狀，作為長軸長除以短軸長而得的值的縱橫比較佳為1.0～3.0，更佳為1.0～2.0。若導電性粒子的縱橫比為1.0以上，則可進一步提高導電性粒子彼此的接觸概率。另一方面，若導電性粒子的縱橫比為2.0以下，則於後述的曝光步驟中不易遮蔽曝光光，顯影範圍變廣。導電性粒子的縱橫比可藉由如下方式來確定，即，利用掃描式電子顯微鏡（Scanning Electron Microscope，SEM）或穿透式電子顯微鏡（Transmission Electron Microscope，TEM）觀察導電性粒子，隨機選擇100個導電性粒子的一次粒子，測定各自的長軸長及短軸長，根據兩者的平均值來求出縱橫比。
導電性粒子的粒徑較佳為0.3 μm～2.0 μm，更佳為0.5 μm～1.5 μm。若將組成物C塗佈於樹脂層A上，則因組成物C所含有的成分而導致樹脂層A膨潤，導電性粒子進入樹脂層A中，容易產生殘渣。此處，若導電性粒子的粒徑為0.3 μm以上，則進入至樹脂層A中的導電性粒子於後述的顯影步驟中容易露出，能夠將其沖刷掉，其結果為耐離子遷移性提高。另一方面，若導電性粒子的粒徑為2.0 μm以下，則所得的導電圖案C的平直度變高。為了獲得所述般的殘渣抑制效果，於本發明的導電圖案形成構件的製造方法中，粒徑0.3 μm～2.0 μm的粒子於組成物C所含有的導電性粒子中所佔的比例需要為80%以上，較佳為90%以上。
導電性粒子的粒徑可藉由如下方式來算出，即，利用電子顯微鏡觀察導電性粒子，隨機選擇20個導電性粒子的一次粒子，測定各自的最大寬度，求出該些的平均值。另外，可利用電子顯微鏡觀察導電性粒子，隨機選擇100個導電性粒子的一次粒子，測定各自的最大寬度，根據最大寬度處於0.3 μm～2.0 μm的範圍的一次粒子的比例來確定粒徑0.3 μm～2.0 μm的粒子於組成物C所含有的導電性粒子中所佔的比例。
另外，關於導電圖案C所含有的導電性粒子的粒徑，可對將所採取的導電圖案C溶解於四氫呋喃（tetrahydrofuran）（以下稱為「THF」），並回收沈降的導電性粒子，使用箱式烘箱於70℃下乾燥10分鐘而成者，與所述同樣地算出所述粒徑。
導電性粒子於組成物C的固體成分中所佔的比例較佳為60質量%～95質量%。若導電性粒子的比例為60質量%以上，則可提高導電性粒子彼此的接觸概率，從而使所得的導電圖案C的電阻值穩定化。另一方面，若導電性粒子的比例為95質量%以下，則於後述的曝光步驟中不易遮蔽曝光光，顯影範圍變廣。此處，所謂固體成分，是指除溶劑以外的組成物C的總成分。
作為組成物C所含有的樹脂（c），例如可列舉丙烯酸系共聚物或環氧羧酸酯化合物。為了提高所得的導電圖案C的密接性，較佳為環氧羧酸酯化合物。
具有雙鍵與羧基的丙烯酸系共聚物可藉由將丙烯酸系單體及具有羧基與不飽和雙鍵的不飽和酸作為共聚合成分進行共聚合而獲得。作為不飽和酸，例如可列舉：AA、甲基丙烯酸、衣康酸、丁烯酸、馬來酸、富馬酸或乙酸乙烯酯或者該些的酸酐。藉由用作共聚合成分的不飽和酸的多少，可調整所得的丙烯酸系共聚物的酸價。
樹脂（c）的酸價較佳為與樹脂（a）同樣。另外，樹脂（c）的酸價可與樹脂（a）同樣地進行測定。
組成物C亦可含有光聚合起始劑。作為光聚合起始劑，例如可列舉：1,2-辛二酮-1-[4-(苯硫基)-2-(O-苯甲醯基肟)]、2,4,6-三甲基苯甲醯基-二苯基-氧化膦、雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)-苯基氧化膦、乙酮-1-[9-乙基-6-2(2-甲基苯甲醯基)-9H-咔唑-3-基]-1-(O-乙醯基肟)、二苯甲酮、鄰苯甲醯基苯甲酸甲酯、4,4'-雙(二甲基胺基)二苯甲酮、4,4'-雙(二乙基胺基)二苯甲酮、4,4'-二氯二苯甲酮、4-苯甲醯基-4'-甲基二苯基酮、二苄基酮、茀酮、2,2'-二乙氧基苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2-羥基-2-甲基苯丙酮、對第三丁基二氯苯乙酮、硫雜蒽酮、2-甲基硫雜蒽酮、2-氯硫雜蒽酮、2-異丙基硫雜蒽酮、二乙基硫雜蒽酮、苯偶醯（benzil）、苯偶醯二甲基縮酮、苄基-β-甲氧基乙基縮醛、安息香、安息香甲醚、安息香丁醚、蒽醌（anthraquinone）、2-第三丁基蒽醌、2-戊基蒽醌、β-氯蒽醌、蒽酮（anthrone）、苯并蒽酮、二苯并環庚酮（dibenzosuberone）、亞甲基蒽酮、4-疊氮基亞苄基苯乙酮、2,6-雙(對疊氮基亞苄基)環己酮、6-雙(對疊氮基亞苄基)-4-甲基環己酮、1-苯基-1,2-丁二酮-2-(O-甲氧基羰基)肟、1-苯基-丙二酮-2-(O-乙氧基羰基)肟、1-苯基-丙二酮-2-(O-苯甲醯基)肟、1,3-二苯基-丙三酮-2-(O-乙氧基羰基)肟、1-苯基-3-乙氧基-丙三酮-2-(O-苯甲醯基)肟、米其勒酮、2-甲基-[4-(甲硫基)苯基]-2-嗎啉基-1-丙酮、萘磺醯氯、喹啉磺醯氯、N-苯硫基吖啶酮、4,4'-偶氮雙異丁腈、二苯二硫醚、苯并噻唑二硫醚、三苯基膦、樟腦醌、2,4-二乙基硫雜蒽酮、異丙基硫雜蒽酮、四溴化碳、三溴苯基碸、過氧化安息香、曙紅、或者亞甲藍等光還原性色素與抗壞血酸或三乙醇胺等還原劑的組合，較佳為光感度高的肟酯系化合物。
相對於樹脂（c）100質量份，光聚合起始劑的添加量較佳為0.05質量份～30質量份。若光聚合起始劑的添加量為0.05質量份以上，則曝光部的硬化密度增加，可提高顯影後的殘膜率。另一方面，若光聚合起始劑的添加量為30質量份以下，則可抑制塗佈組成物C而得的塗佈膜C的上部的由光聚合起始劑引起的過剩的光吸收。其結果為抑制由所得的導電圖案C成為倒錐形狀引起的與樹脂層A的密接性降低。
組成物C亦可與光聚合起始劑一併而含有增感劑。
作為增感劑，例如可列舉：2,4-二乙基硫雜蒽酮、異丙基硫雜蒽酮、2,3-雙(4-二乙基胺基亞苄基)環戊酮、2,6-雙(4-二甲基胺基亞苄基)環己酮、2,6-雙(4-二甲基胺基亞苄基)-4-甲基環己酮、米其勒酮、4,4-雙(二乙基胺基)二苯甲酮、4,4-雙(二甲基胺基)查耳酮、4,4-雙(二乙基胺基)查耳酮、對二甲基胺基苯亞烯丙基二氫茚酮、對二甲基胺基亞苄基二氫茚酮、2-(對二甲基胺基苯基伸乙烯基)異萘并噻唑、1,3-雙(4-二甲基胺基苯基伸乙烯基)異萘并噻唑、1,3-雙(4-二甲基胺基亞苄基)丙酮、1,3-羰基雙(4-二乙基胺基亞苄基)丙酮、3,3-羰基雙(7-二乙基胺基香豆素)、N-苯基-N-乙基乙醇胺、N-苯基乙醇胺、N-甲苯基二乙醇胺、二甲基胺基苯甲酸異戊酯、二乙基胺基苯甲酸異戊酯、3-苯基-5-苯甲醯基硫代四唑或1-苯基-5-乙氧基羰基硫代四唑。
相對於樹脂（c）100質量份，增感劑的添加量較佳為0.05質量份～10質量份。若增感劑的添加量為0.05質量份以上，則光感度提高。另一方面，若增感劑的添加量為10質量份以下，則可抑制塗佈導電膏而得的塗佈膜C上部的過剩的光吸收。其結果為抑制由所製造的導電圖案C成為倒錐形狀引起的與樹脂層A的密接性降低。
組成物C亦可含有溶劑。作為溶劑，較佳為樹脂（c）的溶解性高、且不易產生由溶劑的揮發引起的塗佈不均的沸點200℃以上的醇系溶劑。作為沸點200℃以上的醇系溶劑，例如可列舉：二乙二醇、三乙二醇、1,3-丁二醇、甘油、苄醇、二丙二醇、1,4-丁二醇、辛二醇、2,2,4-三甲基-1,3-戊二醇單異丁酸酯、乙二醇單-2-乙基己醚、2,4-二乙基-1,5-戊二醇、2-丁基-2-乙基-1,3-丙二醇、3,5,5-三甲基-1-己醇、異癸醇、異十三烷醇或乙二醇單己醚。
相對於樹脂（c）100質量份，溶劑的添加量較佳為10質量份～200質量份。若溶劑的添加量為10質量份以上，則容易將組成物C的塗佈膜的膜厚控制為均勻。另一方面，若溶劑的添加量為200質量份以下，則可抑制於組成物C的保管中所產生的導電性粒子的沈降。
組成物C亦可含有環氧樹脂。作為環氧樹脂，例如可列舉：乙二醇改質環氧樹脂、雙酚A型環氧樹脂、氫化雙酚A型環氧樹脂、溴化環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、酚醛清漆型環氧樹脂、脂環式環氧樹脂、縮水甘油胺型環氧樹脂、縮水甘油醚型環氧樹脂或雜環式環氧樹脂。為了提高所得的導電圖案C對樹脂層A的密接性，較佳為雙酚A型環氧樹脂或氫化雙酚A型環氧樹脂，更佳為曝光光的透射性高的氫化雙酚A型環氧樹脂。
相對於樹脂（c）100質量份，環氧樹脂的添加量為0.05質量份～20質量份若環氧樹脂的添加量為0.05質量份以上，則可提高所得的導電圖案C與樹脂層A的密接性。另一方面，若環氧樹脂的添加量為20質量份以下，則曝光膜C於顯影液中的溶解性變得良好。
作為塗佈組成物C的方法，例如可列舉：使用旋轉器的旋轉塗佈、噴霧塗佈、輥塗、網版印刷或使用刮刀塗佈機、模塗佈機、壓光塗佈機、彎月形塗佈機或者棒塗機的塗佈。
本發明的導電圖案形成構件的製造方法所包括的乾燥步驟為對塗佈膜C進行乾燥而獲得乾燥膜C的步驟。
所得的乾燥膜C的膜厚較佳為1 μm～20 μm。乾燥膜C的膜厚可使用觸針式階差計（例如沙福康（Surfcom）（註冊商標）1400；東京精密（股）製造）來測定。更具體而言，可利用觸針式階差計（關鍵尺寸：1 mm，掃描速度：0.3 mm/sec）分別測定隨機選擇的三個位置的膜厚，將該些膜厚的平均值設為乾燥膜C的膜厚。
作為對塗佈膜C進行乾燥的方法，例如可列舉利用箱式烘箱、加熱板或紅外線等的加熱乾燥或者真空乾燥。加熱的溫度較佳為50℃～80℃，更佳為60℃～80℃。若加熱的溫度為50℃以上，則乾燥膜C所含有的溶劑等的量充分地變少，顯影範圍變廣。另一方面，若加熱的溫度為80℃以下，則樹脂層A不易膨潤，進入至樹脂層A中的導電性粒子減少，藉此不易產生顯影步驟中的殘渣。再者，加熱的時間較佳為1分鐘～數小時。此處，所謂加熱的溫度，是指K熱電偶中測定基板表面而得的溫度。
本發明的導電圖案形成構件的製造方法所包括的曝光步驟為對塗佈膜C進行曝光而獲得乾燥膜C的步驟。
作為曝光光源，例如可列舉：高壓水銀燈、超高壓水銀燈或者發出i射線（365 nm）、h射線（405 nm）或g射線（436 nm）的發光二極體（Light Emitting Diode，LED）。作為曝光方法，例如可列舉真空吸附曝光、近接式曝光、投影式曝光或直接掃描曝光。
本發明的導電圖案形成構件的製造方法所包括的顯影步驟為對曝光膜C進行顯影並溶解去除未曝光部而獲得所需的圖案C的步驟。
作為進行鹼顯影時的顯影液，例如可列舉：氫氧化四甲基銨、二乙醇胺、二乙基胺基乙醇、氫氧化鈉、氫氧化鉀、碳酸鈉、碳酸鉀、三乙胺、二乙胺、甲胺、二甲胺、乙酸二甲基胺基乙酯、二甲基胺基乙醇、甲基丙烯酸二甲基胺基乙酯、環己胺、乙二胺或己二胺的水溶液。亦可於該些的水溶液中添加N-甲基-2-吡咯啶酮、N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、二甲基亞碸或γ-丁內酯等極性溶媒，甲醇、乙醇或異丙醇等醇類，乳酸乙酯或丙二醇單甲醚乙酸酯等酯類，環戊酮、環己酮、異丁基酮或甲基異丁基酮等酮類或者界面活性劑。
作為進行有機顯影時的顯影液，例如可列舉：N-甲基-2-吡咯啶酮、N-乙醯基-2-吡咯啶酮、N,N-二甲基乙醯胺、N,N-二甲基甲醯胺、二甲基亞碸或六甲基磷醯三胺等極性溶媒或者該些極性溶媒與甲醇、乙醇、異丙醇、二甲苯、水、甲基卡必醇或乙基卡必醇的混合溶液。
作為顯影的方法，例如可列舉：一面使基材靜置或旋轉一面將顯影液噴霧至曝光膜C的表面的方法、藉由輸送機使基材於配置有多個噴出顯影液的噴嘴的顯影槽中通過的方法、浸漬於顯影液中的方法、或者一面將基材浸漬於顯影液中一面施加超音波的方法。就大面積地進行均勻顯影的觀點而言，較佳為藉由輸送機使基材於顯影槽中通過的顯影。於該情況下，自噴嘴噴出的顯影液的壓力較佳為0.02 MPa～0.2 MPa。若顯影液的壓力為0.02 MPa以上，則容易藉由噴出的力來將進入至樹脂層A中的導電性粒子去除。另一方面，若顯影液的壓力為0.2 MPa以下，則所得的圖案C相對於樹脂層A的密接性不易惡化。亦可對顯影步驟中所得的圖案C實施利用淋洗液的淋洗處理。此處，作為淋洗液，例如可列舉：水、或者於水中加入有乙醇或異丙醇等醇類或者乳酸乙酯或丙二醇單甲醚乙酸酯等酯類而成的水溶液。
本發明的導電圖案形成構件的製造方法所包括的固化步驟為對圖案C進行固化而獲得導電圖案C的步驟。
固化的溫度較佳為100℃～300℃，更佳為120℃～180℃。若固化的溫度小於100℃，則樹脂（c）的體積收縮量不會變大，所得的導電圖案C的比電阻不會充分低。另一方面，若固化的溫度超過300℃，則無法於耐熱性低的基材等上形成導電圖案。
作為固化的方法，例如可列舉：利用烘箱、惰性烘箱或加熱板的加熱乾燥，利用紫外線燈、紅外線加熱器、鹵素加熱器或氙閃光燈等的電磁波、或微波的加熱乾燥，或者真空乾燥。藉由加熱，所得的導電圖案C的硬度變高，可抑制由與其他構件的接觸引起的缺陷或剝落等，進而可提高與樹脂層A的密接性。
為了進一步提高耐離子遷移性，樹脂層A的酸價SA與導電圖案C的有機成分酸價SC的差（SA-SC的值）較佳為20 mgKOH/g～150 mgKOH/g，更佳為30 mgKOH/g～100 mgKOH/g，進而佳為40 mgKOH/g～90 mgKOH/g。所得的導電圖案C因具有羧基的樹脂（c）而吸濕性高，受其影響容易產生以導電性粒子為起點的離子遷移現象。然而，若SA-SC的值為20 mgKOH/g以上，則樹脂層A優先吸濕水分，因此抑制導電圖案C的吸濕，其結果為可提高導電圖案形成構件的耐離子遷移性。另一方面，若SA-SC的值為150 mgKOH/g以下，則可增加樹脂層A與導電圖案C所分別含有的樹脂（a）及樹脂（c）的羧基彼此的氫鍵結量，從而可提高樹脂層A與導電圖案C的密接性。
將所採取的1質量份的樹脂層A溶解於100質量份的THF中，以酚酞溶液作為指示劑並藉由0.1 mol/L氫氧化鉀溶液滴定該溶液，從而可算出SA的值。
關於SC的值，首先，將所採取的1質量份的導電圖案C溶解於10質量份的THF中，藉由過濾器等去除導電粒子後，以酚酞溶液作為指示劑並藉由0.1 mol/L氫氧化鉀溶液滴定該溶液，從而可算出導電圖案C的酸價。 再者，於組成物C中含有環氧樹脂的情況下，於固化步驟中與羧基進行反應，從而可降低導電圖案C的有機成分酸價。
出於抑制遷移的目的，本發明的導電圖案形成構件可由具有苯并三唑系化合物或異冰片基骨架的OCA（Optical Clear Adhesive）層D被覆。
作為苯并三唑系化合物，可列舉：1H-苯并三唑（1,2,3-苯并三唑）、4-甲基苯并三唑、5-甲基苯并三唑、苯并三唑-1-甲胺、4-甲基苯并三唑-1-甲胺、5-甲基苯并三唑-1-甲胺、N-甲基苯并三唑-1-甲胺、N-乙基苯并三唑-1-甲胺、N,N-二甲基苯并三唑-1-甲胺、N,N-二乙基苯并三唑-1-甲胺、N,N-二丙基苯并三唑-1-甲胺、N,N-二丁基苯并三唑-1-甲胺、N,N-二己基苯并三唑-1-甲胺、N,N-二辛基苯并三唑-1-甲胺、N,N-二甲基-4-苯并三唑-1-甲胺、N,N-二甲基-5-苯并三唑-1-甲胺、N,N-二乙基-4-苯并三唑-1-甲胺、N,N-二乙基-5-苯并三唑-1-甲胺、N,N-二丙基-4-苯并三唑-1-甲胺、N,N-二丙基-5-苯并三唑-1-甲胺、N,N-二丁基-4-苯并三唑-1-甲胺、N,N-二丁基-5-苯并三唑-1-甲胺、N,N-二己基-4-苯并三唑-1-甲胺、N,N-二己基-5-苯并三唑-1-甲胺等。
作為具有異冰片基骨架的化合物，可列舉：乙酸異冰片酯、丙烯酸異冰片酯、甲基丙烯酸異冰片酯、異冰片基環己醇等，亦可含有該些化合物作為丙烯酸共聚物的構成成分的一種。
用以形成OCA層D的OCA材料可藉由將含有所述化合物的黏接劑塗敷於經脫模處理的基材上並進行乾燥而獲得。可藉由利用熱層壓機等對所得的OCA材料進行熱壓接來形成OCA層D。
本發明的觸控面板包括利用本發明的製造方法而製造的導電圖案形成構件。更具體而言，利用本發明的製造方法而製造的導電圖案形成構件可較佳地用作觸控面板用的構件。作為觸控面板的方式，例如可列舉：電阻膜式、光學式、電磁感應式或靜電電容式，由於靜電電容式觸控面板要求特別微細的配線，故可更佳地使用本發明的導電圖案形成構件。於具備利用本發明的製造方法而製造的導電圖案C作為其周圍配線，且該周圍配線為50 μm間距（配線寬度+配線間寬度）以下的觸控面板中，可使邊緣寬度變細，且可擴大可視區。 [實施例]
以下列舉實施例及比較例來對本發明進行詳細說明，但本發明的態樣並不限定於該些。
各實施例及比較例中使用的材料如下所示。
[樹脂（a）] （合成例1） 共聚合比率（質量基準）：EA/甲基丙烯酸2-乙基己酯（methacrylic acid 2-ethylhexyl）（以下稱為「2-EHMA」）/BA/N-羥甲基丙烯醯胺（N-methylolacrylamide）（以下稱為「MAA」）/AA=20/40/20/5/15 於氮氣環境的反應容器中，投入150 g的二乙二醇單乙醚乙酸酯（diethyleneglycol monoethylether acetate）（以下稱為「DMEA」），使用油浴升溫至80℃為止。花1小時向其中滴加包含20 g的EA、40 g的2-EHMA、20 g的BA、5 g的MAA、15 g的AA、0.8 g的2,2'-偶氮雙異丁腈及10 g的DMEA的混合物。滴加結束後，進而進行6小時聚合反應。然後，添加1 g的對苯二酚單甲醚，停止聚合反應。藉由利用甲醇將所得的反應溶液純化而去除未反應的雜質，進而進行24小時真空乾燥，藉此獲得樹脂（a-1）。所得的樹脂（a-1）的酸價為103 mgKOH/g。
（合成例2） 共聚合比率（質量基準）：EA/2-EHMA/BA/MAA/AA=20/20/20/15/25 於氮氣環境的反應容器中，投入150 g的DMEA，使用油浴升溫至80℃為止。花1小時向其中滴加包含20 g的EA、20 g的2-EHMA、20 g的BA、5 g的MAA、25 g的AA、0.8 g的2,2'-偶氮雙異丁腈及10 g的DMEA的混合物。滴加結束後，進而進行6小時聚合反應。然後，添加1 g的對苯二酚單甲醚，停止聚合反應。藉由利用甲醇將所得的反應溶液純化而去除未反應的雜質，進而進行24小時真空乾燥，藉此獲得樹脂（a-2）。所得的樹脂（a-2）的酸價為153 mgKOH/g。
（合成例3） 共聚合比率（質量基準）：EA/2-EHMA/BA/MAA/AA=30/20/10/25/15 於氮氣環境的反應容器中，投入150 g的DMEA，使用油浴升溫至80℃為止。花1小時向其中滴加包含30 g的EA、20 g的2-EHMA、10 g的BA、25 g的MAA、15 g的AA、0.8 g的2,2'-偶氮雙異丁腈及10 g的DMEA的混合物。滴加結束後，進而進行6小時聚合反應。然後，添加1 g的對苯二酚單甲醚，停止聚合反應。藉由利用甲醇將所得的反應溶液純化而去除未反應的雜質，進而進行24小時真空乾燥，藉此獲得樹脂（a-3）。所得的樹脂（a-3）的酸價為101 mgKOH/g。
（合成例4） 共聚合比率（質量基準）：EA/2-EHMA/BA/甲基丙烯酸縮水甘油酯（glycidyl methacrylate）（以下稱為「GMA」）/AA=20/40/20/5/15 於氮氣環境的反應容器中，投入150 g的DMEA，使用油浴升溫至80℃為止。花1小時向其中滴加包含20 g的EA、40 g的2-EHMA、20 g的BA、15 g的AA、0.8 g的2,2'-偶氮雙異丁腈及10 g的DMEA的混合物。滴加結束後，進而進行6小時聚合反應。然後，添加1 g的對苯二酚單甲醚，停止聚合反應。繼而，花0.5小時滴加包含5 g的GMA、1 g的三乙基苄基氯化銨及10 g的DMEA的混合物。滴加結束後，進而進行2小時加成反應。藉由利用甲醇將所得的反應溶液純化而去除未反應的雜質，進而進行24小時真空乾燥，藉此獲得樹脂（a-4）。所得的樹脂（a-4）的酸價為107 mgKOH/g。 [樹脂（c）] （合成例5） 共聚合比率（質量基準）：EA/2-EHMA/苯乙烯（styrene）（以下稱為「St」）/甲基丙烯酸縮水甘油酯（以下稱為「GMA」）/AA=20/40/25/5/10 於氮氣環境的反應容器中，投入150 g的DMEA，使用油浴升溫至80℃為止。花1小時向其中滴加包含20 g的EA、40 g的2-EHMA、25 g的St、10 g的AA、0.8 g的2,2'-偶氮雙異丁腈及10 g的DMEA的混合物。滴加結束後，進而進行6小時聚合反應。然後，添加1 g的對苯二酚單甲醚，停止聚合反應。繼而，花0.5小時滴加包含5 g的GMA、1 g的三乙基苄基氯化銨及10 g的DMEA的混合物。滴加結束後，進而進行2小時加成反應。藉由利用甲醇將所得的反應溶液純化而去除未反應的雜質，進而進行24小時真空乾燥，藉此獲得樹脂（c-1）。所得的樹脂（c-1）的酸價為73 mgKOH/g。
（合成例6） 共聚合比率（質量基準）：環氧乙烷改質雙酚A二丙烯酸酯（FA-324A；日立化成工業（股）製造）/EA/GMA/AA=60/20/5/15 於氮氣環境的反應容器中，投入150 g的DMEA，使用油浴升溫至80℃為止。花1小時向其中滴加包含60 g的環氧乙烷改質雙酚A二丙烯酸酯、20 g的EA、15 g的AA、0.8 g的2,2'-偶氮雙異丁腈及10 g的DMEA的混合物。滴加結束後，進而進行6小時聚合反應。然後，添加1 g的對苯二酚單甲醚，停止聚合反應。繼而，花0.5小時滴加包含5 g的GMA、1 g的三乙基苄基氯化銨及10 g的DMEA的混合物。滴加結束後，進而進行2小時加成反應。藉由利用甲醇將所得的反應溶液純化而去除未反應的雜質，進而進行24小時真空乾燥，藉此獲得樹脂（c-2）。所得的樹脂（c-2）的酸價為104 mgKOH/g。
（合成例7） 於氮氣環境的反應溶液中投入492.1 g的卡必醇乙酸酯、860.0 g的EOCN-103S（日本化藥（股）製造；甲酚酚醛清漆型環氧樹脂；環氧當量：215.0 g/當量）、288.3 g的AA、4.92 g的2,6-二-第三丁基對甲酚及4.92 g的三苯基膦，於98℃的溫度下進行反應直至反應液的酸價成為0.5 mgKOH/g以下為止，從而獲得環氧羧酸酯化合物。繼而，向該反應液中投入169.8 g的卡必醇乙酸酯及201.6 g的四氫鄰苯二甲酸酐，於95℃下進行4小時反應，從而獲得樹脂（c-3）。所得的樹脂（c-3）的酸價為104 mgKOH/g。
（合成例8） 於氮氣環境的反應容器中投入368.0 g的RE-310S（日本化藥（股）製造；環氧當量：184.0 g/當量）、141.2 g的AA、1.02 g的對苯二酚單甲醚及1.53 g的三苯基膦，於98℃的溫度下進行反應直至反應液的酸價成為0.5 mgKOH/g以下為止，從而獲得環氧羧酸酯化合物。然後，向該反應溶液中加入755.5 g的卡必醇乙酸酯、268.3 g的2,2-雙(二羥甲基)-丙酸、1.08 g的2-甲基對苯二酚及140.3 g的螺甘油，升溫至45℃。以反應溫度不超過65℃的方式向該溶液中緩慢滴加485.2 g的三甲基六亞甲基二異氰酸酯。滴加結束後，使反應溫度上升至80℃，利用紅外吸收光譜測定法進行6小時反應直至2250 cm-1 附近的吸收消失為止，從而獲得樹脂（c-4）。所得的樹脂（c-4）的酸價為80.0 mgKOH/g。
（合成例9） 於氮氣環境的反應容器中投入300 g的代那科（Denacol）EX-203（長瀨化成（Nagase Chemtex）（股）製造）的丙烯酸加成物（分子量：368）、500 g的DMEA、0.5 g的2-甲基對苯二酚及200 g的2,2-雙(羥基甲基)丙酸，升溫至45℃。以反應溫度不超過50℃的方式向該溶液中緩慢滴加201.3 g的甲苯二異氰酸酯。滴加結束後，使反應溫度上升至80℃，利用紅外吸收光譜測定法進行6小時反應直至2250 cm-1 附近的吸收消失為止。向該溶液中加入120 g的GMA，升溫至95℃而進行6小時反應，從而獲得樹脂（c-5）。所得的化合物（c-5）的酸價為83 mgKOH/g。
[光聚合起始劑] ・豔佳固（IRGACURE）（註冊商標）OXE-01（以下稱為「OXE-01」；日本汽巴（Ciba Japan）（股）製造） ・豔佳固（IRGACURE）（註冊商標）369（以下稱為「IC-369」；日本汽巴（Ciba Japan）（股）製造） [單體] ・萊特丙烯酸酯（Light Acrylate）MPD-A（以下稱為「MPD-A」；共榮社化學（股）製造） [醇系溶劑] ・二乙二醇（以下稱為「DEG」） [環氧樹脂] ・jER（註冊商標）828（以下稱為「828」；三菱化學（股）製造） ・jER（註冊商標）YX-8000（以下稱為「YX-8000」；三菱化學（股）製造） [透明電極材料] ・ITO（氧化銦97質量%、氧化錫3質量%） ・銀纖維（線徑5 nm、線長5 μm） [OCA（d）] （合成例10） 於氮氣環境的反應容器中投入150 g的乙酸乙酯，使用油浴升溫至80℃為止。花1小時向其中滴加包含50.0 g的EA、10.0 g的丙烯酸2-羥基乙酯、0.8 g的2,2'-偶氮雙異丁腈及10 g的乙酸乙酯的混合物。滴加結束後，進而進行6小時聚合反應。然後，添加1 g的對苯二酚單甲醚，停止聚合反應。 其次，向所述丙烯酸共聚物溶液中添加1 g的1,2,3-苯并三唑，以樹脂固體成分成為30%的方式利用乙酸乙酯進行稀釋，朝所述溶液中添加1.2 g的多耐德（Duranate）P301-75E（旭化成（股）製造；固體成分為75%），將所得者以乾燥後的厚度成為25 μm的方式塗敷於對單面進行了脫模處理的50 μm的PET膜上，於75℃下乾燥5分鐘，藉此獲得OCA（d-1）。
（合成例11） 於氮氣環境的反應容器中投入150 g的乙酸乙酯，使用油浴升溫至80℃為止。花1小時向其中滴加包含50.0 g的甲基丙烯酸異冰片酯、10.0 g的丙烯酸2-羥基乙酯、0.8 g的2,2'-偶氮雙異丁腈及10 g的乙酸乙酯的混合物。滴加結束後，進而進行6小時聚合反應。然後，添加1 g的對苯二酚單甲醚，停止聚合反應。 其次，利用乙酸乙酯以樹脂固體成分成為30%的方式對所述丙烯酸共聚物溶液進行稀釋，朝所述溶液中添加1.2 g的多耐德（Duranate）P301-75E（旭化成（股）製造；固體成分為75%），將所得者以乾燥後的厚度成為25 μm的方式塗敷於對單面進行了脫模處理的50 μm的PET膜上，於75℃下乾燥5分鐘，藉此獲得OCA（d-2）。
（合成例12） 於氮氣環境的反應容器中投入150 g的乙酸乙酯，使用油浴升溫至80℃為止。花1小時向其中滴加包含50.0 g的甲基丙烯酸異冰片酯、10.0 g的丙烯酸2-羥基乙酯、0.8 g的2,2'-偶氮雙異丁腈及10 g的乙酸乙酯的混合物。滴加結束後，進而進行6小時聚合反應。然後，添加1 g的對苯二酚單甲醚，停止聚合反應。 其次，向所述丙烯酸共聚物溶液中添加1 g的1,2,3-苯并三唑，以樹脂固體成分成為30%的方式利用乙酸乙酯進行稀釋，朝所述溶液中添加1.2 g的多耐德（Duranate）P301-75E（旭化成（股）製造；固體成分為75%），將所得者以乾燥後的厚度成為25 μm的方式塗敷於對單面進行了脫模處理的50 μm的PET膜上，於75℃下乾燥5分鐘，藉此獲得OCA（d-3）。
（實施例1） ＜樹脂層A的形成＞ 作為基材，準備厚度30 μm的雙軸延伸聚對苯二甲酸乙二酯膜。於基材的單面上塗佈將樹脂（a-1）、MPD-A及OXE-01分別以100：50：1的比例混合而成的組成物A1，進行熱處理及乾燥，從而形成厚度為4 μm的樹脂層A1。 ＜透明電極層B的形成＞ 使用具備ITO燒結體靶的濺鍍裝置，於樹脂層A的表面形成包含ITO的厚度22 nm的ITO薄膜。 ＜ITO薄膜的圖案加工＞ 使光罩密接於ITO薄膜，利用具有超高壓水銀燈的曝光機以200 mJ/cm2 的曝光量對樹脂層A1及ITO薄膜進行曝光，進而於不經由光罩而以200 mJ/cm2 的曝光量對樹脂層A1及ITO薄膜進行全面曝光的曝光後，藉由30℃的1質量%碳酸鈉水溶液進行30秒鐘噴霧顯影，從而於樹脂層A1上形成經圖案加工的透明電極層B1。 ＜組成物C的製備＞ 於100 mL潔淨瓶中放入10.0 g的化合物（C-1）、2.0 g的IC-369及5.0 g的二乙二醇，利用自轉-公轉真空混合機「去泡攪拌太郎」（註冊商標）ARE-310（新基（Thinky）（股）製造）進行混合，從而獲得17.0 g的樹脂溶液C1（固體成分為70.1質量%）。 將所得的17.0 g的樹脂溶液C1、68.0 g的銀粒子混合，使用三輥磨機（艾卡特（EXAKT）M-50；艾卡特（EXAKT）公司製造）進行混煉，從而獲得85.0 g的組成物C1。 ＜導電圖案形成構件的製造＞ 利用網版印刷機將組成物C1以乾燥膜C1的膜厚成為5 μm的方式塗佈於樹脂層A1及經圖案加工的透明電極層B1的表面，於70℃下乾燥10分鐘後，經由規定的光罩，利用具有超高壓水銀燈的曝光機以300 mJ/cm2 的曝光量進行曝光，並以0.1 MPa的壓力噴霧顯影0.2質量%碳酸鈉水溶液30秒鐘後，於140℃下進行60分鐘固化，從而製造導電圖案形成構件1。
導電圖案形成構件1的樹脂層A1的酸價SA為98 mgKOH/g，導電圖案C1的有機成分酸價SC為55 mgKOH/g，SA-SC的值為43 mgKOH/g。 ＜殘渣的評價＞ 對形成有圖3所示的導電圖案C1的導電圖案形成構件1，使用NDH-7000SP（日本電色工業（股）製造）並依據JIS K7361-1來測定未曝光部分的總光線透射率T。另一方面，同樣地測定未塗佈組成物C的部位的（樹脂層A單獨的）總光線透射率T0 ，算出T相對於T0 的降低率，基於以下的判斷基準來判斷良/不良的劃分。將結果示於表2。 降低率為10%以下：良 降低率超過10%：不良 ＜耐離子遷移性的評價＞ 將形成有圖2所示的導電圖案C1的導電圖案形成構件1投入至85℃、85%RH的高溫高濕槽中，自端子部施加直流電（Direct Current，DC）5V的電壓，確認電阻值急劇降低3位數的短路時間。利用共計10個的導電圖案形成構件1重複該評價，將該些的平均值設為耐離子遷移性的值。將結果示於表2。
（實施例2～實施例14） 透明電極層B於為銀纖維的情況下利用下述方法來形成，除此以外，利用與實施例1同樣的方法來製造表1所示的條件的導電圖案形成構件，並進行與實施例1同樣的評價。將結果示於表2。 ＜透明電極層B的形成＞ 將銀纖維的水分散液（固體成分為0.2質量%）塗佈於樹脂層A2上，於100℃下乾燥5分鐘，形成包含厚度1.0 μm的銀纖維薄膜。 ＜銀纖維薄膜的圖案加工＞ 使光罩密接於銀纖維薄膜，利用具有超高壓水銀燈的曝光機以200 mJ/cm2 的曝光量對樹脂層A2及銀纖維薄膜進行曝光，進而於不經由光罩而以200 mJ/cm2 的曝光量對樹脂層A2及銀纖維薄膜進行全面曝光的曝光後，以30℃的1質量%碳酸鈉水溶液進行30秒鐘噴霧顯影，從而於樹脂層A2上形成經圖案加工的透明電極層B2。 （實施例15） 利用與實施例1同樣的方法來製造導電圖案形成構件。 ＜OCA層D的形成＞ 將OCA（d-1）以80℃、壓接壓力0.5 MPa的條件層壓於樹脂層A1、及經圖案加工的透明電極層B1、導電圖案C1的表面，分別製造圖5所示的積層構件6、及圖6所示的積層構件7。 對積層構件6及積層構件7進行與實施例1同樣的評價。將結果示於表2。 （實施例16～實施例17） 利用與實施例15同樣的方法來製造表1所示的導電圖案形成構件，並進行與實施例1同樣的評價。將結果示於表2。
（比較例1～比較例3） 利用與實施例1或實施例2同樣的方法來製造表1所示的條件的導電圖案形成構件，並進行與實施例1同樣的評價。將結果示於表2。
判明：於實施例1～實施例17中均可製造殘渣得到充分抑制且耐離子遷移性優異的導電圖案形成構件。
[表1] [表1]
[表2] [產業上之可利用性]
藉由本發明的製造方法而製造的導電圖案形成構件可較佳地用作觸控面板的構成要素。
1‧‧‧透明電極層B
2‧‧‧導電圖案C
3‧‧‧層A
4‧‧‧支撑體
5‧‧‧端子部
6‧‧‧乾燥膜C的曝光區域
7‧‧‧乾燥膜C的未曝光部區域
8‧‧‧塗佈膜C的印刷區域
9‧‧‧OCA層D
圖1為表示導電圖案形成構件的剖面的概略圖。 圖2為耐離子遷移性的評價中使用的導電圖案的概略圖。 圖3為殘渣的評價中使用的導電圖案的概略圖。 圖4為表示將OCA層積層的導電圖案形成構件的剖面的概略圖。 圖5為將OCA層積層的耐離子遷移性的評價中使用的導電圖案的概略圖。
1‧‧‧透明電極層B
2‧‧‧導電圖案C
3‧‧‧層A
4‧‧‧支撐體

Claims (15)

  1. 一種導電圖案形成構件的製造方法，其包括： 塗佈步驟，將含有導電性粒子、及具有雙鍵與羧基的樹脂（c）的組成物C塗佈於形成於基材上的包含具有羧基的樹脂（a）的層A以及透明電極層B的表面，獲得塗佈膜C； 乾燥步驟，對所述塗佈膜C進行乾燥而獲得乾燥膜C； 曝光步驟，對所述乾燥膜C進行曝光而獲得曝光膜C； 顯影步驟，對所述曝光膜C進行顯影而獲得圖案C；以及 固化步驟，對所述圖案C進行固化而獲得導電圖案C，且 粒徑0.3 μm～2.0 μm的粒子於所述導電性粒子中所佔的比例為80%以上。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的導電圖案形成構件的製造方法，其中粒徑0.5 μm～1.5 μm的粒子於所述導電性粒子中所佔的比例為80%以上。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的導電圖案形成構件的製造方法，其中所述組成物C進而含有光聚合起始劑。
  4. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的導電圖案形成構件的製造方法，其中所述具有雙鍵與羧基的樹脂（c）為酸價為50 mgKOH/g～250 mgKOH/g的丙烯酸系樹脂。
  5. 如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述的導電圖案形成構件的製造方法，其中所述透明電極層B含有銀，且所述組成物C含有銀粒子作為所述導電性粒子。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的導電圖案形成構件的製造方法，其中所述透明電極層B所含有的銀為纖維狀。
  7. 如申請專利範圍第1項至第6項中任一項所述的導電圖案形成構件的製造方法，其中所述組成物C含有沸點200℃以上的醇系溶劑。
  8. 如申請專利範圍第1項至第7項中任一項所述的導電圖案形成構件的製造方法，其中所述乾燥步驟的溫度為50℃～80℃。
  9. 如申請專利範圍第1項至第8項中任一項所述的導電圖案形成構件的製造方法，其中所述顯影步驟的顯影壓力為0.02 MPa～0.2 MPa。
  10. 如申請專利範圍第1項至第9項中任一項所述的導電圖案形成構件的製造方法，其中所述組成物C含有環氧樹脂。
  11. 如申請專利範圍第1項至第10項中任一項所述的導電圖案形成構件的製造方法，其中所述包含具有羧基的樹脂（a）的層A的酸價SA、與所述導電圖案C的有機成分酸價SC的差為20 mgKOH/g～150 mgKOH/g。
  12. 一種導電圖案形成構件，其為利用如申請專利範圍第1項至第11項中任一項所述的導電圖案形成構件的製造方法而得的導電圖案形成構件，且所述導電圖案C含有具有胺基甲酸酯鍵的化合物。
  13. 一種導電圖案形成構件，其為利用如申請專利範圍第1項至第11項中任一項所述的導電圖案形成構件的製造方法而得的導電圖案形成構件或如申請專利範圍第12項所述的導電圖案形成構件，且所述導電圖案C含有具有環己烷骨架的化合物。
  14. 一種導電圖案形成構件，其為利用如申請專利範圍第1項至第11項中任一項所述的導電圖案形成構件的製造方法而得的導電圖案形成構件或如申請專利範圍第12項或第13項所述的導電圖案形成構件，且所述層A、所述透明電極層B、及積層於導電圖案C上的光學透明膠層D含有異冰片基骨架。
  15. 一種導電圖案形成構件，其為利用如申請專利範圍第1項至第11項中任一項所述的導電圖案形成構件的製造方法而得的導電圖案形成構件或如申請專利範圍第12項、第13項或第14項所述的導電圖案形成構件，且所述層D含有苯并三唑系化合物。
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