TW201700692A - 組成物 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種耐熱性、低逸氣性、剝離性均優異的組成物。 一種組成物，其含有下述(A)~(E)成分；(A)成分 數量平均分子量為1000以上的(甲基)丙烯酸酯；(B)成分 數量平均分子量小於1000的單官能(甲基)丙烯酸酯；(C)成分 數量平均分子量小於1000的多官能(甲基)丙烯酸酯；(D)成分 光自由基聚合起始劑；(E)成分 選自於氟系化合物、非自由基聚合性聚矽氧系化合物、烯烴系化合物之1種以上的賦予脫模性之化合物。

Description

組成物
本發明係關於一種耐熱性、低逸氣性、剝離性均優異的組成物之提供。
為了實現更進一步的高密度、大容量化，3次元的半導體安裝(mounting)係不可或缺。3次元安裝技術係指將1個半導體晶片薄型化，並且進一步將其藉由矽貫通電極(TSV；through silicon via)接線，同時積層為多層的半導體製作技術。為了將其實現，需要將形成半導體電路的基板藉由非電路形成面(也稱為「背面」)研削而薄型化，並且進一步在背面進行包含TSV之電極形成的步驟。以往在矽基板的背面研削步驟中，於研削面的相反側貼合背面保護膠帶，防止研削時之晶圓破損。但是，該膠帶於基材係使用有機樹脂薄膜，有柔軟性，另一方面強度或耐熱性不足，不適於進行TSV形成步驟或在背面之配線層形成步驟。
因此，有提出將半導體基板經由接著劑接合於矽、玻璃等之支撐體，藉此可充分承受背面研削、TSV或背面電極形成之步驟的系統。此時重要的是將基板接合於支撐體之際的接著劑層。其需要可將基板沒有縫隙 地接合於支撐體，盡可能承受之後的步驟之足夠的耐久性，且需要最後可將薄型晶圓自支撐體簡便地剝離。
作為接著劑的需要特性，可舉出適於塗布的黏度、在將矽薄化之際可承受研削．研磨之剪切接著力、可承受絕緣膜形成或回焊步驟之耐熱性、可承受薄型化或光阻步驟之耐化學性、可將晶圓自支撐體簡便地剝離之易剝離性、易清洗性。
作為接著劑與其剝離方法，有提出藉由對包含光吸收性物質的接著劑照射高強度的光，分解接著劑層，而自支撐體剝離接著劑層的技術(專利文獻1)、將熱熔融性的烴系化合物使用於接著劑，以加熱熔融狀態進行接合．剝離的技術(專利文獻2)。前者的技術需要雷射等之高價的裝置，而且，有每1片基板的處理時間變長等之問題。後者的技術由於僅以加熱進行控制而為簡便，另一方面，在超過200℃之高溫的熱安定性不足夠，因此應用範圍狹窄。
有揭露包含相對於藉由使用含有具有1個以上的(甲基)丙烯醯基之1種或2種以上的(甲基)丙烯酸酯而成之接著劑組成物將基材彼此貼合，使該接著劑組成物硬化而形成的接著體，照射中心波長為172nm或193nm之準分子光的步驟，且至少一方的基材相對於該準分子光為透過性的接著體之解體方法(專利文獻3)。但是，針對剝離方法不需要使用能量強的準分子光並沒有記載。
有揭露添加氟系化合物的丙烯酸系接著劑(專利文獻4~5)。但是，針對氟系化合物被限定為自由基 聚合性單體或寡聚物，且具有特定數量平均分子量的(甲基)丙烯酸酯，並沒有記載。
有揭露一種光硬化性樹脂組成物，特徵為含有1種以上之丙烯酸單體、聚合起始劑、及氟系界面活性劑，且在大氣中之表面張力為28mN/m以下(專利文獻6)。但是，沒有與數量平均分子量相關的記載。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2004-064040號公報
[專利文獻2]日本特開2006-328104號公報
[專利文獻3]國際公開第2011/158654號
[專利文獻4]日本特開2014-130853號公報
[專利文獻5]美國專利申請公開第2013/0084459號說明書
[專利文獻6]日本特開2015-054929號公報
本發明係為了解決例如耐熱性、低逸氣性、剝離性之提升的課題，進行各種探討的結果，進而完成。
亦即，本發明係如下述。
(1)一種組成物，其含有下述(A)~(E)成分；(A)成分 數量平均分子量為1000以上的(甲基)丙烯酸酯； (B)成分 數量平均分子量小於1000的單官能(甲基)丙烯酸酯；(C)成分 數量平均分子量小於1000的多官能(甲基)丙烯酸酯；(D)成分 光自由基聚合起始劑；(E)成分 選自於氟系化合物、非自由基聚合性聚矽氧系化合物、烯烴系化合物之1種以上的賦予脫模性之化合物。
(2)如1記載之組成物，其中(E)成分相對於(A)~(C)成分之合計100質量份係含有0.01~5質量份。
(3)如1或2記載之組成物，其中(E)成分的氟系化合物為氟系界面活性劑。
(4)如1或2記載之組成物，其中(E)成分的非自由基聚合性聚矽氧系化合物為非改質聚矽氧油及/或非反應性改質聚矽氧。
(5)如1或2記載之組成物，其中(E)成分的烯烴系化合物為選自於聚乙烯聚合物、聚丙烯聚合物、乙烯-丙烯共聚物之1種以上。
(6)如1至5中任一項記載之組成物，其中(A)成分為數量平均分子量為1000以上的多官能(甲基)丙烯酸酯。
(7)如1至6中任一項記載之組成物，其中(A)成分為異戊二烯聚合物之馬來酸酐加成物與(甲基)丙烯酸2-羥乙酯的酯化物寡聚物。
(8)如1至7中任一項記載之組成物，其中(B) 成分為選自於(B-1)具有環氧烷(alkylene oxide)鏈的苯氧基聚烷二醇單(甲基)丙烯酸酯、(B-2)具有直鏈狀或分支鏈狀之烷基的(甲基)丙烯酸烷酯、(B-3)具有脂環式烷基的單官能(甲基)丙烯酸酯、(B-4)具有1個(甲基)丙烯醯基的聚矽氧之1種以上。
(9)如1至8中任一項記載之組成物，其中(C)成分為選自於三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、二-三羥甲基丙烷四(甲基)丙烯酸酯、三環癸烷二甲醇二(甲基)丙烯酸酯之1種以上。
(10)如1至9中任一項記載之組成物，其中(A)~(C)成分之合計100質量份中，含有(A)成分30~80質量份、(B)成分19.99~65質量份、(C)成分0.01~50質量份。
(11)如1至10中任一項記載之組成物，其中(D)成分為選自於2-二甲胺基-2-(4-甲基-苯甲基)-1-(4-啉-4-基-苯基)-丁-1-酮、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙-1-酮之1種以上。
(12)如1至11中任一項記載之組成物，其中(D)成分為2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙-1-酮。
(13)如1至12中任一項記載之組成物，其中(D)成分相對於(A)~(C)成分之合計100質量份係含有0.5~4質量份。
(14)一種接著劑，其包含如1至13中任一項記載之組成物。
(15)一種硬化體，其係將如1至13中任一項記載之組成物硬化而得到。
(16)一種半導體製造用暫時固定接著劑，其包含如1至13中任一項記載之組成物。
(17)如16記載之半導體製造用暫時固定接著劑，其中(A)成分為數量平均分子量為1000以上的多官能(甲基)丙烯酸酯，(B)成分為選自於(B-1)具有環氧烷鏈的苯氧基聚烷二醇單(甲基)丙烯酸酯、(B-2)具有直鏈狀或分支鏈狀之烷基的(甲基)丙烯酸烷酯、(B-3)具有脂環式烷基的單官能(甲基)丙烯酸酯、(B-4)具有1個(甲基)丙烯醯基的聚矽氧之1種以上，(C)成分為選自於三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、二-三羥甲基丙烷四(甲基)丙烯酸酯、三環癸烷二甲醇二(甲基)丙烯酸酯之1種以上，(A)~(C)成分之合計100質量份中，含有(A)成分30~80質量份、(B)成分19.99~65質量份、(C)成分0.01~50質量份，(D)成分相對於(A)~(C)成分之合計100質量份係含有0.5~4質量份，(E)成分相對於(A)~(C)成分之合計100質量份係含有0.01~5質量份。
(18)一種接著體，其係使用如16或17記載之半導體製造用暫時固定接著劑而接著基材。
(19)如15記載之硬化體，其中加熱質量減少率成為1質量%的溫度為230℃以上。
(20)一種薄型晶圓之製造方法，其係使用如16或17記載之半導體製造用暫時固定接著劑。
(21)一種基材之暫時固定方法，其係使用如14記載之接著劑而接著基材，將基材暫時固定後，剝離基材。
(22)一種基材之暫時固定方法，其係使用如16記載 之半導體製造用暫時固定接著劑而接著基材，使半導體製造用暫時固定接著劑硬化，將基材暫時固定，並將暫時固定的基材加工後，將該加工的基材剝離。
根據本發明，例如，可得到耐熱性、低逸氣性、剝離性均優異的組成物。
[實施發明之形態]
以下說明本發明。多官能(甲基)丙烯酸酯係指具有2個以上之(甲基)丙烯醯基的化合物。單官能(甲基)丙烯酸酯係指具有1個(甲基)丙烯醯基的化合物。
(A)數量平均分子量為1000以上的(甲基)丙烯酸酯係指數量平均分子量為1000以上之具有1個以上的(甲基)丙烯醯基的化合物。作為(A)，可舉出寡聚物/聚合物等。作為(A)，較佳為選自於多官能(甲基)丙烯酸酯、單官能(甲基)丙烯酸酯之1種以上，更佳為多官能(甲基)丙烯酸酯。
作為(A)的多官能(甲基)丙烯酸酯，可舉出在寡聚物/聚合物之末端或側鏈經(甲基)丙烯醯化2個以上的多官能(甲基)丙烯酸酯寡聚物/聚合物等。
作為多官能(甲基)丙烯酸酯寡聚物/聚合物，可舉出1,2-聚丁二烯末端胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯(例如，日本曹達公司製「TE-2000」、「TEA-1000」)、前 述者的氫化物(例如，日本曹達公司製「TEAI-1000」)、1,4-聚丁二烯末端胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯(例如，大阪有機化學公司製「BAC-45」)、聚異戊二烯末端(甲基)丙烯酸酯、聚酯系胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯(例如，日本合成公司製「UV-2000B」、「UV-3000B」、「UV-7000B」、根上工業公司製「KHP-11」、「KHP-17」)、聚醚系胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯(例如，日本合成公司製「UV-3700B」、「UV-6100B」)、雙酚A型環氧(甲基)丙烯酸酯、異戊二烯聚合物的馬來酸酐加成物與(甲基)丙烯酸2-羥乙酯之酯化物寡聚物(例如，KURARAY公司製「UC-203」、「UC-102」等)等。
該等之中，從接著性、耐熱性及剝離性均優異的觀點，在分子內具有2個以上的(甲基)丙烯醯基，且具有二烯系或氫化的二烯系之骨架的多官能(甲基)丙烯酸酯寡聚物較佳。作為二烯系的骨架，可舉出聚丁二烯、聚異戊二烯等。作為氫化的二烯系之骨架，可舉出聚丁二烯的氫化物、聚異戊二烯的氫化物等。二烯系或氫化的二烯系之骨架中，聚異戊二烯較佳。在分子內具有2個以上的(甲基)丙烯醯基，且具有二烯系或氫化的二烯系之骨架的多官能(甲基)丙烯酸酯寡聚物中，異戊二烯聚合物的馬來酸酐加成物與(甲基)丙烯酸2-羥乙酯之酯化物寡聚物較佳。異戊二烯聚合物的馬來酸酐加成物與(甲基)丙烯酸2-羥乙酯之酯化物寡聚物的構造係以下述式(1)表示。
[式中，R表示氫原子或甲基，Y表示伸烷基。m、n為任意的正整數。官能基數1~10、分子量3000~50000較佳。]
Y為碳數1~5個的伸烷基較佳，伸乙基更佳。m為100~1500較佳。n為1~20較佳。
胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯係指藉由使多元醇化合物(以後以X表示)與有機聚異氰酸酯化合物(以後以Y表示)及(甲基)丙烯酸羥酯(以後以Z表示)反應(例如，聚縮合反應)而得到之在分子內具有胺基甲酸酯鍵的胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯。
作為(A)的(甲基)丙烯酸酯，也可舉出具有1個以上之(甲基)丙烯醯基的聚矽氧、巨單體等。
具有1個以上之(甲基)丙烯醯基的聚矽氧為在分子內具有1個以上之(甲基)丙烯醯基的聚有機矽氧烷。成為上述聚矽氧之基礎聚合物(base polymer)的聚矽氧，只要為主鏈包含矽氧烷鍵的聚矽氧烷即可，可舉出例如，全部的側鏈、末端為包含甲基的二甲基聚矽氧、在側鏈之一部分包含苯基的甲苯基聚矽氧、側鏈之一部 分為氫之甲基氫聚矽氧等。該等之中，二甲基聚矽氧較佳。(甲基)丙烯醯基的導入位置沒有特別限定，可在主鏈的單末端(單末端型)或雙末端(雙末端型)具有，亦可在側鏈(側鏈型)具有。該等之中，在雙末端具有(甲基)丙烯醯基的聚有機矽氧烷較佳。
巨單體係指在分子內具有1個以上之(甲基)丙烯醯基的聚合性聚合物/寡聚物。巨單體包含聚合物鏈部分與(甲基)丙烯醯基部分。(甲基)丙烯醯基部分，在前述前述聚合性聚合物/寡聚物中，在前述聚合物鏈之末端具有1個較佳。作為聚合物鏈部分，由選自於(甲基)丙烯酸烷酯、苯乙烯及其衍生物、(甲基)丙烯腈、乙酸乙烯酯、以及丁二烯之1種以上的單體形成之均聚物或共聚物等較佳。該等之中，(甲基)丙烯酸烷酯的均聚物較佳。(甲基)丙烯酸烷酯中，(甲基)丙烯酸丁酯較佳。(甲基)丙烯酸丁酯中，(甲基)丙烯酸正丁酯較佳。作為巨單體，可舉出末端甲基丙烯酸改質-聚-丙烯酸正丁酯巨單體(東亞合成公司製「AB-6」)等。「AB-6」其聚合物鏈部分為丙烯酸正丁酯的均聚物，數量平均分子量為6000，具有1個(甲基)丙烯醯基部分，且(甲基)丙烯醯基部分為甲基丙烯醯基。
(A)之(甲基)丙烯酸酯的數量平均分子量為1000以上較佳，5000以上更佳，6000以上特佳，10000最佳。(A)之(甲基)丙烯酸酯的數量平均分子量為200000以下較佳，100000以下更佳，60000以下特佳，40000以下最佳。
數量平均分子量係以下述的條件，使用四氫呋喃作為溶劑，並使用GPC系統，以市售的標準聚苯乙烯作成檢量線而求出。
流速：1.0ml/min
設定溫度：40℃管柱構成：TOSOH公司製「TSK guardcolumn MP(×L)」6.0mmID×4.0cm 1支、及TOSOH公司製「TSK-GELMULTIPOREHXL-M」7.8mmID×30.0cm(理論層數16,000層)2支、計3支(就全體而言理論層數32,000層)
樣本注入量：100μl(試料液濃度1mg/ml)
送液壓力：39kg/cm2
檢測器：RI檢測器
(A)之(甲基)丙烯酸酯的使用量，係(A)~(C)之合計100質量份中30~80質量份較佳，45~65質量份更佳。若為30質量份以上，則得到耐熱性及剝離性，若為80質量份以下，則得到硬化性。
(B)單官能(甲基)丙烯酸酯之數量平均分子量小於1000，900以下較佳，800以下更佳，700以下最佳。作為單官能(甲基)丙烯酸酯，單體較佳。
(B)中，較佳為選自於(B-1)具有環氧烷鏈的苯氧基聚烷二醇單(甲基)丙烯酸酯、(B-2)具有直鏈狀或分支鏈狀之烷基的(甲基)丙烯酸烷酯、(B-3)具有脂環式烷基的單官能(甲基)丙烯酸酯、(B-4)具有1個(甲基)丙烯醯基的聚矽氧之1種以上。
作為(B-1)具有環氧烷鏈的苯氧基聚烷二醇 單(甲基)丙烯酸酯，下述式(2)的(甲基)丙烯酸酯較佳。
R1為氫原子或甲基較佳，氫原子更佳。R2為碳數2~3之伸烷基較佳，碳數2的伸乙基更佳。R3為氫原子或碳數1~20之烷基較佳，碳數1~20之烷基更佳，碳數9之壬基最佳。n為1~15較佳，1~3更佳，1最佳。該等之(甲基)丙烯酸酯，可使用1種以上。
作為R3為壬基的(甲基)丙烯酸酯，可舉出壬酚環氧乙烷改質(甲基)丙烯酸酯、壬酚(環氧乙烷4莫耳改質)(甲基)丙烯酸酯、壬酚(環氧乙烷8莫耳改質)(甲基)丙烯酸酯、壬酚(環氧丙烷2.5莫耳改質)(甲基)丙烯酸酯等。
作為(B-2)具有直鏈狀或分支鏈狀之烷基的(甲基)丙烯酸烷酯，下述式(3)的(甲基)丙烯酸酯較佳。
式(3)Z-O-R4
R4為碳數5~20較佳，碳數8~18更佳，碳數10~16進一步較佳，碳數11~14進一步更佳，碳數12特佳。該等之(甲基)丙烯酸酯，可使用1種以上。
作為具有碳數5~20之烷基的(甲基)丙烯酸烷酯，可舉出(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸辛酯、( 甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸異癸酯、(甲基)丙烯酸硬脂酯、(甲基)丙烯酸異硬脂酯、(甲基)丙烯酸十二酯、(甲基)丙烯酸月桂酯、(甲基)丙烯酸十三酯、(甲基)丙烯酸十四酯、(甲基)丙烯酸十五酯、(甲基)丙烯酸十六酯、(甲基)丙烯酸十七酯、(甲基)丙烯酸十八酯、(甲基)丙烯酸十九酯、(甲基)丙烯酸二十酯等之具有直鏈或分支的烷基之(甲基)丙烯酸酯。該等之中，(甲基)丙烯酸月桂酯較佳。
作為(B-3)具有脂環式烷基的單官能(甲基)丙烯酸酯，可舉出(甲基)丙烯酸金剛烷酯、(甲基)丙烯酸二環戊烯酯、(甲基)丙烯酸異莰酯、(甲基)丙烯酸二環戊烯氧基乙酯、(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸1-(1-金剛烷基)-1-甲基乙酯。該等之中，從耐熱性之觀點，(甲基)丙烯酸1-金剛烷酯較佳。
(B-4)具有1個(甲基)丙烯醯基的聚矽氧為在分子內具有1個(甲基)丙烯醯基的聚有機矽氧烷。成為上述聚矽氧之基礎聚合物的聚矽氧，只要為主鏈包含矽氧烷鍵的聚矽氧烷即可，可舉出例如，全部的側鏈、末端為包含甲基的二甲基聚矽氧、在側鏈之一部分包含苯基的甲苯基聚矽氧、側鏈之一部分為氫之甲基氫聚矽氧等。該等之中，二甲基聚矽氧較佳。(甲基)丙烯醯基的導入位置沒有特別限定，可在主鏈的單末端(單末端型)具有，亦可在側鏈(側鏈型)具有。該等之中，在單末端具有(甲基)丙烯醯基的聚有機矽氧烷較佳。
(B)單官能(甲基)丙烯酸酯的使用量係(A)~(C)之合計100質量份中19.99~65質量份較佳，35~55質量份更佳。若為19.99質量份以上，則可得到良好的硬化性，若為65質量份以下，則耐熱性及剝離性不會下降。
(C)多官能(甲基)丙烯酸酯之數量平均分子量小於1000，900以下較佳，800以下更佳，700以下最佳。作為(C)多官能(甲基)丙烯酸酯，可舉出2官能(甲基)丙烯酸酯、3官能(甲基)丙烯酸酯、4官能以上的(甲基)丙烯酸酯等。
作為2官能(甲基)丙烯酸酯，可舉出1,3-金剛烷基二甲醇二(甲基)丙烯酸酯、三環癸烷二甲醇二(甲基)丙烯酸酯、1,3-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,9-壬二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、二(甲基)丙烯酸二環戊烷酯、新戊二醇改質三羥甲基丙烷二(甲基)丙烯酸酯、硬脂酸改質季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、2,2-雙(4-(甲基)丙烯醯氧基二乙氧苯基)丙烷、2,2-雙(4-(甲基)丙烯醯氧基丙氧苯基)丙烷、2,2-雙(4-(甲基)丙烯醯氧基四乙氧苯基)丙烷、二羥甲基-三環癸烷二(甲基)丙烯酸酯、1,10-癸二醇二(甲基)丙烯酸酯、異三聚氰酸環氧乙烷改質二(甲基)丙烯酸酯等。
作為3官能(甲基)丙烯酸酯，可舉出異三聚氰酸環氧乙烷改質三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、參[(甲基) 丙烯醯氧乙基]異三聚氰酸酯等。
作為4官能以上的(甲基)丙烯酸酯，可舉出二-三羥甲基丙烷四(甲基)丙烯酸酯、二羥甲基丙烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸乙氧酯、二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯等。
該等之中，較佳為選自於1,3-金剛烷基二甲醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、異三聚氰酸環氧乙烷改質二(甲基)丙烯酸酯、異三聚氰酸環氧乙烷改質三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二-三羥甲基丙烷四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、三環癸烷二甲醇二(甲基)丙烯酸酯之1種以上，更佳為選自於三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、二-三羥甲基丙烷四(甲基)丙烯酸酯、三環癸烷二甲醇二(甲基)丙烯酸酯之1種以上，最佳為三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯。
(C)多官能(甲基)丙烯酸酯的使用量係(A)~(C)之合計100質量份中0.01~50質量份較佳，0.1~10質量份更佳，1~5質量份最佳。若為0.01質量份以上，則得到良好的剝離性，若為50質量份以下，則耐熱性不會下降。
作為(D)光自由基聚合起始劑，從耐熱性及低逸氣性之觀點，較佳為包含2-羥基-1-{4-[4-(2-羥基-2-甲基-丙醯基)-苯甲基]-苯基}-2-甲基-丙-1-酮、2-苯甲基-2- 二甲胺基-1-(4-啉基苯基)丁酮-1、2-二甲胺基-2-(4-甲基-苯甲基)-1-(4-啉-4-基-苯基)-丁-1-酮、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙-1-酮、雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)苯基膦氧化物、2,4,6-三甲基苯甲醯基二苯基膦氧化物、氧基-苯基-乙酸2-[2-側氧基-2-苯基-乙醯氧基-乙氧基]-乙酯、氧基-苯基-乙酸2-[2-羥基-乙氧基]-乙酯的群組中之1種以上，更佳為選自於2-苯甲基-2-二甲胺基-1-(4-啉基苯基)丁酮-1、2-二甲胺基-2-(4-甲基-苯甲基)-1-(4-啉-4-基-苯基)-丁-1-酮、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙-1-酮、雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)苯基膦氧化物、2,4,6-三甲基苯甲醯基二苯基膦氧化物、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙-1-酮之1種以上，再更佳為選自於2-二甲胺基-2-(4-甲基-苯甲基)-1-(4-啉-4-基-苯基)-丁-1-酮、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙-1-酮之1種以上，最佳為2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙-1-酮。
(D)光自由基聚合起始劑的使用量，從硬化性、低逸氣性、耐熱性之觀點，相對於(A)~(C)之合計100質量份為0.5~4質量份較佳，1~3質量份更佳。光自由基聚合起始劑的使用量若為0.5質量份以上，則得到足夠的硬化性，若為4質量份以下，則低逸氣性及耐熱性均優異。
作為(E)賦予脫模性之化合物，較佳為選自於氟系化合物、非自由基聚合性聚矽氧系化合物及烯烴系化合物之1種以上的非自由基聚合性化合物，更佳為氟系化合物。亦可併用該等。
(E-1)氟系化合物係指具有氟的化合物。作為氟系化合物，可舉出氟系界面活性劑、氟系高分子等。該等之中，氟系界面活性劑較佳。作為氟系界面活性劑，具有全氟烷基的界面活性劑較佳。作為具有全氟烷基的界面活性劑，較佳為選自於具有全氟烷基的氟系寡聚物(例如，DIC公司製「F-553」)、具有全氟烷基的非自由基聚合性化合物之氟系化合物(例如，3M公司製「FC-4430」、AGC SEIMI CHEMICAL公司製「S-386」)之1種以上，更佳為具有全氟烷基的非自由基聚合性化合物之氟系化合物。具有全氟烷基的非自由基聚合性化合物之氟系化合物中，全氟烷磺酸及/或其鹽(例如，3M公司製「FC-4430」)較佳。
作為(E-2)非自由基聚合性聚矽氧系化合物，非自由基聚合性化合物較佳。作為聚矽氧系化合物，矽氧烷化合物較佳。作為非自由基聚合性化合物，較佳為選自於非改質聚矽氧油(非改質聚二甲基矽氧烷等，例如，信越化學公司製「KF-96-100cs」、「KF-96-1000cs」、「KF-96H-10000cs」)、以非自由基聚合性之官能基改質的非反應性改質聚矽氧(例如，信越化學公司製聚醚改質聚矽氧油「X-22-4515」、「X-22-2516」、信越化學公司製氟烷基改質聚矽氧油「FL-100-1000cs」、Momentive公司製聚環氧丙烷改質聚矽氧「TSF4446」)之1種以上。
作為(E-3)烯烴系化合物，數量平均分子量為1000~10000之非自由基聚合性烯烴系化合物較佳。非自 由基聚合性烯烴系化合物中，較佳為選自於聚乙烯聚合物、聚丙烯聚合物、乙烯-丙烯共聚物之1種以上，更佳為乙烯-丙烯共聚物。作為乙烯-丙烯共聚物，可舉出三井化學公司製「LUCANT HC-600」(黏度：14,000mPa．s)、三井化學公司製「LUCANT HC-2000」(黏度：89,000mPa．s)等。
(E)賦予脫模性之化合物的使用量相對於(A)~(C)之合計100質量份為0.01~5質量份較佳。關於氟系化合物，0.01~2質量份更佳，0.05~1質量份最佳。關於聚矽氧系化合物與烯烴系化合物，0.1~3質量份更佳。若為0.01質量份以上，則確保剝離性，若為5質量份以下，則得到良好的接著性，且不會變成未硬化。
本發明的組成物，為了維持暴露於高溫後的剝離性，亦可使用抗氧化劑。作為抗氧化劑，可舉出甲基氫醌、氫醌、2,2-亞甲基-雙(4-甲基-6-第三丁酚)、鄰苯二酚、氫醌單甲醚、單第三丁基氫醌、2,5-二第三丁基氫醌、p-苯醌、2,5-二苯基-p-苯醌、2,5-二第三丁基-p-苯醌、苦味酸、檸檬酸、酚噻(phenothiazine)、第三丁基鄰苯二酚、2-丁基-4-羥基苯甲醚、2,6-二第三丁基-p-甲酚及4-[[4,6-雙(辛硫基)-1,3,5-三-2-基]胺基]-2,6-二第三丁酚等。
抗氧化劑的使用量相對於(A)~(C)之合計100質量份為0.001~3質量份較佳。若為0.001質量份以上，則可確保暴露於高溫後的剝離性之維持，若為3質量份以下，則得到良好的接著性，且不會變成未硬化。
本發明的組成物，為了抑制製造上及使用時之發泡，亦可添加消泡劑。
本發明的組成物，在不損及本發明之目的之範圍，亦可使用一般使用的丙烯酸橡膠、胺基甲酸酯橡膠、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯橡膠等之各種彈性體、無機填料、溶劑、增量材、補強材、可塑劑、增黏劑、染料、顏料、阻燃劑、矽烷偶合劑及界面活性劑等之添加劑。
本發明的組成物可作為接著劑使用。本發明的接著劑可作為暫時固定接著劑使用。
使用本發明的組成物將基材彼此接著之際，以於波長365nm使能量成為1~20000mJ/cm2的範圍的方式照射可見光線或紫外線較佳。能量為1mJ/cm2以上時，得到足夠的接著性，20000mJ/cm2以下時，生產性佳，不易產生來自光自由基聚合起始劑之分解生成物，且也可抑制逸氣之產生。從生產性、接著性、逸氣性、易剝離性之觀點，2000~10000mJ/cm2的範圍更佳。
對於藉由本發明的組成物接著之基材，雖沒有特別限制，但至少一方的基材為透過光的透明基材較佳。作為透明基材，可舉出水晶、玻璃、石英、氟化鈣等之無機基材、塑膠等之有機基材等。該等之中，根據有通用性、得到很大的效果之理由，較佳為選自於玻璃、石英之1種以上。
本發明的組成物在一實施形態中為光硬化型，其硬化體可具有優異的耐熱性及剝離性。本發明的組成物之硬化體在一實施形態中即使於高溫暴露其逸氣量 也少，適合各種的光學零件或光學元件、電子零件之接合、密封、塗布。作為其例，可使用於暫時固定劑、接著劑、保護薄片、低雙折射性光學薄膜、層間應力緩和劑等，特別是適於如半導體製造程序之需要耐溶劑性、耐熱性、接著性等之各式各樣的耐久性之用途。
本發明的組成物之硬化體，可在室溫至高溫下使用。作為程序中的加熱溫度，較佳為在350℃以下，更佳為在300℃以下，最佳為在250℃以下使用。以使用本發明的組成物之暫時固定接著劑而接著的接著體，因為具有高剪切接著力，所以可承受薄化步驟等，且經絕緣膜形成等之加熱步驟後可輕易地剝離。在高溫使用時，本發明的組成物之硬化體可在例如較佳為200℃以上，更佳為250℃以上之高溫使用。
再者，本發明在一實施形態中，可藉由施加外力於利用接著劑將基材接著的接著體而剝離。例如，可藉由將刀具、薄片或鋼絲插入而剝離。
<薄型晶圓之製造方法>
本發明的薄型晶圓之製造方法，特徵為使用暫時固定接著劑作為具有半導體電路等之晶圓與支撐體之接著劑層。
本發明的薄型晶圓之製造方法具有下述(a)~(e)的步驟。
[步驟(a)]
步驟(a)為將在表面具有電路形成面及在背面具有電路非形成面的晶圓之前述電路形成面，經由接著劑接 合於支撐體之際，在前述支撐體或附有電路之晶圓上以旋轉塗布法塗布接著劑，與另一方的支撐體或附有電路之晶圓在真空下貼合的步驟。此時，亦可作成(E)賦予脫模性之化合物係溶解於適當的溶媒而作為第1劑，將包含(E)賦予脫模性之化合物以外的構成成分之接著劑作為第2劑，而在使用時混合第1劑與第2劑之2劑型的暫時固定劑。此時，例如，亦可在晶圓的電路形成面塗布第1劑，餾去溶媒，使包含賦予脫模性之化合物的剝離層形成，並於支撐體側塗布第2劑，貼合晶圓與支撐體而進行光硬化。
具有電路形成面及電路非形成面的晶圓係一方的面為電路形成面，另一方的面為電路非形成面的晶圓。可應用本發明的晶圓，通常為半導體晶圓。作為該半導體晶圓的例，不僅可舉出矽晶圓，亦可舉出鍺晶圓、鎵-砷晶圓、鎵-磷晶圓、鎵-砷-鋁晶圓等。該晶圓的厚度並沒有特別限制，但600~800μm較佳，625~775μm更佳。作為支撐體，例如，可使用透過光的透明基材。
[步驟(b)]
步驟(b)為使接著劑光硬化的步驟。前述晶圓加工體(積層體基板)形成後，以於波長365nm使能量成為1~20000mJ/cm2的範圍的方式照射可見光線或紫外線較佳。能量為1mJ/cm2以上時，得到足夠的接著性，20000mJ/cm2以下時，生產性佳，不易產生來自光自由基聚合起始劑之分解生成物，且也可抑制逸氣之產生。從生產性、接著性、逸氣性、易剝離性之觀點，2000~ 10000mJ/cm2的範圍更佳。
[步驟(c)]
步驟(c)為將與支撐體接合的晶圓之電路非形成面研削或研磨的步驟，亦即為將以步驟(a)貼合而得到的晶圓加工體之晶圓背面側研削，使該晶圓之厚度變薄的步驟。薄型化的晶圓之厚度為10~300μm較佳，30~100μm更佳。晶圓背面的研削加工之方式沒有特別限制，可採用習知的研削方式。研削較佳為對晶圓與砥石(鑽石等)一邊灑水冷卻一邊進行。
[步驟(d)]
步驟(d)為在將電路非形成面研削的晶圓加工體的電路非形成面，亦即在藉由背面研削而薄型化之晶圓加工體的電路非形成面實施加工的步驟。該步驟中，包含在晶圓水準使用之各式各樣的程序。可舉出例如，電極形成、金屬配線形成、保護膜形成等。更具體而言，可舉出用以形成電極等之金屬濺鍍、用以蝕刻金屬濺鍍層之濕式蝕刻、用以作為金屬配線形成之遮罩的光阻之塗布、曝光、及利用顯影的圖案之形成、光阻之剝離、乾式蝕刻、金屬電鍍之形成、用以TSV形成之矽蝕刻、矽表面之氧化膜形成等之以往習知的程序。
[步驟(e)]
步驟(e)為將以步驟(c)實施加工的晶圓自晶圓加工體剝離的步驟，亦即，對薄型化的晶圓實施各式各樣的加工後，在切割之前自晶圓加工體剝離的步驟。該剝離步驟，一般在室溫至60℃左右之相較低溫的條件下實施 ，將晶圓加工體的晶圓或支撐體之一方固定為水平，將另一方自水平方向以一定的角度舉起。
本發明中，可應用該剝離方法。此時，亦較佳為將晶圓加工體的晶圓或支撐體之一方固定為水平，插入刀具或以溶劑(例如，對稱三甲苯)使接著劑層之外周部膨潤而製造剝離的開端後，將另一方自水平方向以一定的角度舉起。該等之剝離方法，通常在室溫實施，但以上限90℃左右加溫也較佳。
(e)將實施加工的晶圓自支撐體剝離的步驟包含以下步驟較佳：(f)在實施加工的晶圓之晶圓面接著切割膠帶(dicing tape)的步驟、(g)將切割膠帶面真空吸附於吸附面的步驟、及(h)在吸附面的溫度為10~100℃之溫度範圍下，將前述支撐體自實施加工的前述晶圓剝離的步驟。若如前述地進行，則可將支撐體自實施加工的晶圓輕易地剝離，且可輕易地進行之後的切割步驟。
(e)在經過將實施加工的晶圓自支撐體剝離的步驟後，進行(i)除去殘留在剝離的晶圓之電路形成面的接著劑之步驟較佳。有因步驟(e)而在自支撐體剝離的晶圓之電路形成面殘留一部分接著劑的情況。剝離的支撐體係清洗並進行再利用較佳，但有接著劑殘渣黏附於支撐體表面的情況。作為除去接著劑殘渣的方法，可舉出使黏著膠帶附著於接著劑殘渣而朝180°的方向剝除的方法、浸漬於化學液的方法。
[實施例]
以下舉出實驗例，更詳細地說明本發明，但本發明並沒有限定於該等。
(實驗例)
只要沒有特別說明，均在23℃、濕度50%進行實驗。製備表1~3所示之組成的硬化性樹脂組成物，進行評價。
作為在實驗例記載的硬化性樹脂組成物中之各成分，係選擇以下的化合物。
作為(A)數量平均分子量為1000以上的(甲基)丙烯酸酯，係選擇以下的化合物。
(A-1)異戊二烯寡聚物(KURARAY公司製「UC-102」)(利用GPC的聚苯乙烯換算之數量平均分子量17000，異戊二烯聚合物的馬來酸酐加成物與甲基丙烯酸2-羥乙酯的酯化物寡聚物，在式(1)中Y為伸乙基、R為甲基)
(A-2)末端甲基丙烯酸改質-聚-丙烯酸正丁酯巨單體(東亞合成公司製「AB-6」，數量平均分子量6000)
(A-3)雙末端丙烯酸改質有機矽氧烷(信越化學公司製X-22-1602，數量平均分子量1200)
作為(B)數量平均分子量小於1000的單官能(甲基)丙烯酸酯，係選擇以下的化合物。
(B-1)壬酚環氧乙烷改質丙烯酸酯(東亞合成公司製「M-111」，構造為在式(2)中R1為氫原子、R2為伸乙基、R3為壬基、n為1)
(B-2)丙烯酸月桂酯(大阪有機公司製「LA」)
(B-3)甲基丙烯酸1-金剛烷酯(大阪有機公司製「ADMA」)
(B-4)單末端甲基丙烯酸改質聚有機矽氧烷(信越化學公司製「X-22-2475」，數量平均分子量420)
作為(C)數量平均分子量小於1000的多官能(甲基)丙烯酸酯，係選擇以下的化合物。
(C-1)三羥甲基丙烷三甲基丙烯酸酯(新中村化學公司製「TMPTM」)
(C-2)二-三羥甲基丙烷四甲基丙烯酸酯(新中村化學公司製「D-TMP」)
作為(D)光自由基聚合起始劑，係選擇以下的化合物。
(D-1)2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙-1-酮(BASF公司製「Irgacure651」、以下簡稱為「I-651」)
(D-2)2-二甲胺基-2-(4-甲基-苯甲基)-1-(4-啉-4-基-苯基)-丁-1-酮(BASF公司製「Irgacure379」、以下簡稱為「I-379」)
作為(E)賦予脫模性之化合物，係選擇以下的化合物。
(E-1)含氟寡聚物(DIC公司製「F-553」，包含全氟烷基)
(E-2)含全氟烷基的寡聚物(3M公司製「FC-4430」、2-(N-全氟丁基磺醯基-N-甲胺基)乙基=丙烯酸酯．聚(氧基烷二醇)=單丙烯酸酯．聚(氧基烷二醇)=二丙烯酸酯的共聚物)
(E-3)聚矽氧油(聚二甲基矽氧烷，信越化學公司製「KF-96-1000cs」)
(E-4)聚醚改質有機矽氧烷(信越化學公司製「X-22-2516」)
(E-4)氟烷基改質有機矽氧烷(信越化學公司製「FL-100-1000cs」)
(E-5)乙烯-丙烯共聚物(三井化學公司製「LUCANT HC-600」黏度：14,000mPa．s，數量平均分子量2700，以下簡稱為「HC-600」)
(E-6)乙烯-丙烯共聚物(三井化學公司製「LUCANT HC-2000」黏度：89,000mPa．s，平均分子量3800，以下簡稱為「HC-2000」)
(E-7)聚矽氧油(聚環氧丙烷改質聚矽氧、Momentive公司製「TSF4446」)
作為抗氧化劑，係選擇以下的化合物。
4-[[4,6-雙(辛硫基)-1,3,5-三-2-基]胺基]-2,6-二第三丁酚(BASF公司製「IRGANOX565」，以下簡稱為「IRGANOX565」)
作為其他的化合物，係選擇以下的化合物。
雙末端丙烯酸改質有機矽氧烷(信越化學公司製「X-22-2445」)
硬化體的加熱質量減少率(表的「硬化體之1%加熱質量減少溫度」)：將製作的樹脂組成物夾持於PET薄膜。將樹脂組成物利用黑光以365nm的波長之累計光量3000mJ/cm2的條件進行硬化，製作硬化體。將得到 的硬化體10mg，利用Bruker AXS公司製示差熱．熱質量同時測定裝置「TG-DTA2000SA」，在氮氣流下，自30℃以升溫速度10℃/分升溫直到350℃，測定得到的硬化體加熱質量減少率。呈示硬化體之1質量%加熱質量減少溫度。
從半導體製造的高溫程序適合性之觀點，加熱質量減少率成為1質量%之溫度為230℃以上較佳。
拉伸剪切接著強度(表之「接著強度」)：使用載玻片(25mm×75mm×厚度1.3mm)作為被黏著材，以將接著部位作為25mm×40mm製作的樹脂組成物貼合2片載玻片，利用黑光，以365nm的波長之累計光量3000mJ/cm2的條件進行硬化，製作拉伸剪切接著強度試驗片。製作的試驗片係依據JIS K 6850，使用萬能試驗機，在溫度23℃、濕度50%的環境下，以拉伸速度10mm/min測定拉伸剪切接著強度。
剝離．解體試驗(1)(表之「剝離性」)：以製作的樹脂組成物貼合4吋矽晶圓(直徑10mm×厚度0.47mm)與4吋玻璃晶圓(直徑10mm×厚度0.7mm)，利用黑光，以365nm的波長之累計光量3000mJ/cm2的條件進行硬化，製作剝離．解體試驗片。接著劑係塗布在貼合面的全面。黑光係自4吋玻璃晶圓表面進行照射。在得到的試驗體之間插入PET片，評價剝離性。將插入PET薄膜，小於5分而可剝離者定為優，5分以上小於15分而可剝離者定為可，無法插入PET薄膜或晶圓破裂而剝離困難者定為不佳。
剝離．解體試驗(2)(表之「剝離力」)：使用矽 晶圓(25mm×75mm×厚度0.725mm)作為被黏著材，以將接著部位作為5mm×75mm製作的樹脂組成物貼合矽晶圓與PET薄膜，利用黑光，以365nm的波長之累計光量3000mJ/cm2的條件進行硬化，製作剝離力試驗片。黑光係自PET薄膜表面進行照射。製作的試驗片係使用角度可變剝離裝置(協和界面科學公司製VERSATILE PEEL ANALYZER VPA-3)，在溫度23℃、濕度50%的環境下，以拉伸速度40mm/min、剝離角度15度來測定剝離強度。剝離強度越小則剝離性越大。
由表1~3的結果，可知本發明的樹脂組成物，其接著性、耐熱性及剝離性均優異。若未使用(A)，則未具有耐熱性(比較例1)。若未使用(B)，則未具有接著性(比較例2)。若未使用(C)，則未具有耐熱性與接著性(比較例3)。若未使用(E)，則未具有剝離性(比較例4)。未使用(E)而使用雙末端丙烯酸改質有機矽氧烷作為自由基聚合反應性化合物時，未具有剝離性(比較例5)。若(C) 的使用量為適當，則具有耐熱性、接著性、剝離性(實施例1~4)。
[產業上之可利用性]
本發明的組成物，由於在各種的電子零件、光學零件或光學元件之製造中，僅照射紫外線或可見光線而輕易地展現強的接著性，因此作業性、生產性均優異。本發明的組成物之硬化體，甚至在250℃之高溫，逸氣量也極少。因此，使用本發明的組成物而接著之各種的電子零件、光學零件、光學元件，即使於實施在如超過200℃之高溫的蒸鍍處理、或在高溫之烤漆噴塗(baking finish)的情況中也可應用。
除了IC或電阻、感應器等之電子零件以外，像感測器等之光學零件也變得應用於電路基板之表面安裝。該情況中係通過高溫之回焊。近年來，特別是伴隨焊料之無鉛化，回焊的溫度條件也變得嚴苛。在前述的生產步驟中，為了提高光學零件或光學元件之品質、或是為了提高生產性或生產良率，要求組成物之使用處可充分承受高溫加熱處理。使用本發明的組成物製造的光學零件或光學元件，因為可充分承受前述高溫加熱處理，所以在產業上非常有用。

Claims (22)

  1. 一種組成物，其含有下述(A)~(E)成分；(A)成分 數量平均分子量為1000以上的(甲基)丙烯酸酯；(B)成分 數量平均分子量小於1000的單官能(甲基)丙烯酸酯；(C)成分 數量平均分子量小於1000的多官能(甲基)丙烯酸酯；(D)成分 光自由基聚合起始劑；(E)成分 選自於氟系化合物、非自由基聚合性聚矽氧系化合物、烯烴系化合物之1種以上的賦予脫模性之化合物。
  2. 如請求項1之組成物，其中(E)成分相對於(A)~(C)成分之合計100質量份係含有0.01~5質量份。
  3. 如請求項1或2之組成物，其中(E)成分的氟系化合物為氟系界面活性劑。
  4. 如請求項1或2之組成物，其中(E)成分的非自由基聚合性聚矽氧系化合物為非改質聚矽氧油及/或非反應性改質聚矽氧。
  5. 如請求項1或2之組成物，其中(E)成分的烯烴系化合物為選自於聚乙烯聚合物、聚丙烯聚合物、乙烯-丙烯共聚物之1種以上。
  6. 如請求項1至5中任一項之組成物，其中(A)成分為數量平均分子量為1000以上的多官能(甲基)丙烯酸酯。
  7. 如請求項1至6中任一項之組成物，其中(A)成分為異戊 二烯聚合物之馬來酸酐加成物與(甲基)丙烯酸2-羥乙酯的酯化物寡聚物。
  8. 如請求項1至7中任一項之組成物，其中(B)成分為選自於(B-1)具有環氧烷(alkylene oxide)鏈的苯氧基聚烷二醇單(甲基)丙烯酸酯、(B-2)具有直鏈狀或分支鏈狀之烷基的(甲基)丙烯酸烷酯、(B-3)具有脂環式烷基的單官能(甲基)丙烯酸酯、(B-4)具有1個(甲基)丙烯醯基的聚矽氧之1種以上。
  9. 如請求項1至8中任一項之組成物，其中(C)成分為選自於三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、二-三羥甲基丙烷四(甲基)丙烯酸酯、三環癸烷二甲醇二(甲基)丙烯酸酯之1種以上。
  10. 如請求項1至9中任一項之組成物，其中(A)~(C)成分之合計100質量份中，含有(A)成分30~80質量份、(B)成分19.99~65質量份、(C)成分0.01~50質量份。
  11. 如請求項1至10中任一項之組成物，其中(D)成分為選自於2-二甲胺基-2-(4-甲基-苯甲基)-1-(4-啉-4-基-苯基)-丁-1-酮、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙-1-酮之1種以上。
  12. 如請求項1至11中任一項之組成物，其中(D)成分為2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙-1-酮。
  13. 如請求項1至12中任一項之組成物，其中(D)成分相對於(A)~(C)成分之合計100質量份係含有0.5~4質量份。
  14. 一種接著劑，其包含如請求項1至13中任一項之組成物。
  15. 一種硬化體，其係將如請求項1至13中任一項之組成物硬化而得到。
  16. 一種半導體製造用暫時固定接著劑，其包含如請求項1至13中任一項之組成物。
  17. 如請求項16之半導體製造用暫時固定接著劑，其中(A)成分為數量平均分子量為1000以上的多官能(甲基)丙烯酸酯，(B)成分為選自於(B-1)具有環氧烷鏈的苯氧基聚烷二醇單(甲基)丙烯酸酯、(B-2)具有直鏈狀或分支鏈狀之烷基的(甲基)丙烯酸烷酯、(B-3)具有脂環式烷基的單官能(甲基)丙烯酸酯、(B-4)具有1個(甲基)丙烯醯基的聚矽氧之1種以上，(C)成分為選自於三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、二-三羥甲基丙烷四(甲基)丙烯酸酯、三環癸烷二甲醇二(甲基)丙烯酸酯之1種以上，(A)~(C)成分之合計100質量份中，含有(A)成分30~80質量份、(B)成分19.99~65質量份、(C)成分0.01~50質量份，(D)成分相對於(A)~(C)成分之合計100質量份係含有0.5~4質量份，(E)成分相對於(A)~(C)成分之合計100質量份係含有0.01~5質量份。
  18. 一種接著體，其係使用如請求項16或17之半導體製造用暫時固定接著劑而接著基材。
  19. 如請求項15之硬化體，其加熱質量減少率成為1質量%的溫度為230℃以上。
  20. 一種薄型晶圓之製造方法，其係使用如請求項16或17之半導體製造用暫時固定接著劑。
  21. 一種基材之暫時固定方法，其係使用如請求項14之接 著劑而接著基材，將基材暫時固定後，剝離基材。
  22. 一種基材之暫時固定方法，其係使用如請求項16之半導體製造用暫時固定接著劑而接著基材，使半導體製造用暫時固定接著劑硬化，將基材暫時固定，並將暫時固定的基材加工後，將該加工的基材剝離。
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