TW201640461A - 傳送路 - Google Patents

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TW201640461A
TW201640461A TW105109915A TW105109915A TW201640461A TW 201640461 A TW201640461 A TW 201640461A TW 105109915 A TW105109915 A TW 105109915A TW 105109915 A TW105109915 A TW 105109915A TW 201640461 A TW201640461 A TW 201640461A
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    • G08—SIGNALLING
    • G08C—TRANSMISSION SYSTEMS FOR MEASURED VALUES, CONTROL OR SIMILAR SIGNALS
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    • H05K1/02—Details
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    • H05K1/025—Impedance arrangements, e.g. impedance matching, reduction of parasitic impedance
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    • H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits

Abstract

本揭示之傳送路具備第1線路、具有較第1線路之特性阻抗高之特性阻抗之第2線路、及第3線路。上述傳送路傳送與第1線路、第2線路、及第3線路之信號之組合相應之符號。

Description

傳送路
本揭示係關於一種傳送信號之傳送路。
隨著近年之電子機器之高功能化及多功能化，於電子機器搭載有半導體晶片、感測器、顯示元件等各種元件。於該等之元件間，進行許多的資料之交換，其資料量根據電子機器之高功能化及多功能化而增多。因此，屢次使用例如以數Gbps可發送接收資料之高速介面，而進行資料之交換。
關於進一步提高傳送容量之方法，揭示有各種技術。例如，於專利文獻1、2中，揭示有使用3條傳送路而傳送3個差動信號之通信系統。
且說，於通信系統中，期望通信品質較高。為了提高通信品質，必須適切地形成例如傳送路之配線模式。例如，於專利文獻3中，揭示有差動傳送路之配線圖案。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開平06-261092號公報
[專利文獻2]美國專利第8064535號說明書
[專利文獻3]日本專利特開2006-128618號公報
如此，於通信系統中，期望通信品質較高，且進而期待通信品 質之提高。
因此，可期望提供可提高通信品質之傳送路。
本揭示之一實施形態之第1傳送路具備第1線路、第2線路、及第3線路。第2線路係具有較第1線路之特性阻抗高之特性阻抗者。上述第1傳送路係傳送與上述第1線路、上述第2線路、及上述第3線路之信號之組合相應之符號者。
本揭示之一實施形態之第2傳送路具備第1線路、第2線路、及第3線路。第1線路係形成於第1層者。第2線路係形成於第2層者。第3線路係形成於第1層者。上述第2傳送路係傳送與第1線路、第2線路、及第3線路之信號之組合相應之符號者。
本揭示之一實施形態之第3傳送路具備第1三合一線路、與第2三合一線路。第1三合一線路係包含3條線路，且傳送與信號之組合相應之第1符號者。第2三合一線路係包含3條線路，且傳送與信號之組合相應之第2符號者。於上述第1三合一線路之3條線路中之2條線路之間，配置有上述第2三合一線路之3條線路中之1條。
於本揭示之一實施形態之第1傳送路中，設置有第1線路、第2線路、及第3線路，且傳送與該等線路之信號之組合相應之符號。該第2線路之特性阻抗係較第1線路之特性阻抗高者。
於本揭示之一實施形態之第2傳送路中，設置有第1線路、第2線路、及第3線路，且傳送與該等線路之信號之組合相應之符號。第1線路及第3線路係形成於第1層、且第2線路係形成於第2層。
於本揭示之一實施形態之第3傳送路中，設置有第1三合一線路及第2三合一線路。且，於第1三合一線路中，傳送與3條線路之信號之組合相應之第1符號，且於第2三合一線路中，傳送與3條線路之信號之組合相應之第2符號。於第1三合一線路之3條線路中之2條線路之間，配置有第2三合一線路之3條線路中之一條。
根據本揭示之一實施形態之第1傳送路，可將第2線路之特性阻抗設為高於第1線路之特性阻抗，故可提高通信品質。
根據本揭示之一實施形態之第2傳送路，可將第1線路及第3線路形成於第1層，且可將第2線路形成於第2層，故可提高通信品質。
根據本揭示之一實施形態之第3傳送路，可於第1三合一線路之3條線路中之2條線路之間，配置第2三合一線路之3條線路中之1條，故可提高通信品質。
另，此處所記載之效果並非完全限定者，亦可為本揭示中所記載之任一效果。
1‧‧‧通信系統
2‧‧‧通信系統
3‧‧‧通信系統
10‧‧‧發送裝置
11‧‧‧時脈產生部
12‧‧‧處理部
20‧‧‧發送部
21‧‧‧串聯器
22‧‧‧串聯器
23‧‧‧串聯器
25‧‧‧信號產生部
26‧‧‧正反器
27‧‧‧輸出部
28‧‧‧驅動器控制部
30‧‧‧接收裝置
32‧‧‧處理部
40‧‧‧接收部
43‧‧‧時脈產生部
44‧‧‧正反器
45‧‧‧正反器
46‧‧‧信號產生部
50‧‧‧發送裝置
51‧‧‧延遲部
52‧‧‧延遲部
53‧‧‧延遲部
91‧‧‧電晶體
92‧‧‧電阻元件
93‧‧‧電阻元件
94‧‧‧電晶體
100‧‧‧傳送路
101‧‧‧導電層
102‧‧‧介電層
103‧‧‧導電層
120‧‧‧傳送路
140‧‧‧傳送路
201‧‧‧發送部
202‧‧‧發送部
203‧‧‧發送部
300‧‧‧智慧型電話
310‧‧‧應用處理器
311‧‧‧CPU
312‧‧‧記憶體控制部
313‧‧‧電源控制部
314‧‧‧外部介面
315‧‧‧GPU
316‧‧‧媒體處理部
317‧‧‧顯示器控制部
318‧‧‧MIPI介面
319‧‧‧系統匯流排
401‧‧‧接收部
402‧‧‧接收部
403‧‧‧接收部
410‧‧‧影像感測器
411‧‧‧感測部
412‧‧‧ISP
413‧‧‧JPEG編碼器
414‧‧‧CPU
415‧‧‧RAM
416‧‧‧ROM
417‧‧‧電源控制部
418‧‧‧I2C介面
419‧‧‧MIPI介面
420‧‧‧系統匯流排
501‧‧‧配憶體
502‧‧‧無線通信部
504‧‧‧顯示器
800‧‧‧傳送路
802‧‧‧介電層
803‧‧‧導電層
820‧‧‧傳送路
1E‧‧‧通信系統
1F‧‧‧通信系統
2A‧‧‧通信系統
3A‧‧‧通信系統
3B‧‧‧通信系統
3C‧‧‧通信系統
3D‧‧‧通信系統
10E‧‧‧發送裝置
12E‧‧‧處理部
30E‧‧‧接收裝置
29A‧‧‧驅動部
29B‧‧‧驅動部
29C‧‧‧驅動部
32E‧‧‧處理部
41A‧‧‧電阻元件
41B‧‧‧電阻元件
41C‧‧‧電阻元件
42A‧‧‧放大器
42B‧‧‧放大器
42C‧‧‧放大器
50D‧‧‧發送裝置
51D‧‧‧延遲部
52D‧‧‧延遲部
53D‧‧‧延遲部
54D‧‧‧處理部
55D‧‧‧資料產生部
56D‧‧‧接收部
57D‧‧‧控制部
60D‧‧‧接收裝置
64D‧‧‧處理部
65D‧‧‧資料比較部
66D‧‧‧發送部
100B‧‧‧傳送路
100C‧‧‧傳送路
100D‧‧‧傳送路
100E‧‧‧傳送路
110A‧‧‧線路
110A1~110A3‧‧‧線路
110B‧‧‧線路
110B1~110B3‧‧‧線路
110C‧‧‧線路
110C1~110C3‧‧‧線路
120A‧‧‧傳送路
120B‧‧‧傳送路
130A‧‧‧線路
130A1~130A3‧‧‧線路
130B‧‧‧線路
130B1~130B3‧‧‧線路
130C‧‧‧線路
130C1~130C3‧‧‧線路
140A‧‧‧傳送路
140B‧‧‧傳送路
140C‧‧‧傳送路
150A1~150A3‧‧‧線路
150B1~150B3‧‧‧線路
150C1~150C3‧‧‧線路
160F‧‧‧傳送路
170A1~170A3‧‧‧線路
170B1~170B3‧‧‧線路
170C1~170C3‧‧‧線路
291A~295A‧‧‧驅動器
291B~295B‧‧‧驅動器
291C~295C‧‧‧驅動器
810A‧‧‧線路
810B‧‧‧線路
810C‧‧‧線路
830A‧‧‧線路
830B‧‧‧線路
830C‧‧‧線路
AB‧‧‧差分
BC‧‧‧差分
CA‧‧‧差分
CTL‧‧‧控制信號
d1‧‧‧距離
d2‧‧‧距離
D1‧‧‧符號信號
D2‧‧‧符號信號
D3‧‧‧符號信號
GL‧‧‧線路
GL1‧‧‧線路
GL2‧‧‧線路
Iin‧‧‧電流
INF‧‧‧比較結果資訊
P‧‧‧間隔
PD‧‧‧相位差
PD1‧‧‧相位差
PD2‧‧‧相位差
PD1A~PD5A‧‧‧控制信號
PD1B~PD5B‧‧‧控制信號
PD1C~PD5C‧‧‧控制信號
PU1A~PU5A‧‧‧控制信號
PU1B~PU5B‧‧‧控制信號
PU1C~PU5C‧‧‧控制信號
RxCK‧‧‧時脈信號
RxCK1~RxCK3‧‧‧時脈信號
RxF‧‧‧轉變信號
RxF1~RxF3‧‧‧轉變信號
RxR‧‧‧轉變信號
RxR1~RxR3‧‧‧轉變信號
RxP‧‧‧轉變信號
RxP1~RxP3‧‧‧轉變信號
SIGA‧‧‧信號
SIGA1~SIGA3‧‧‧信號
SIGB‧‧‧信號
SIGB1~SIGB3‧‧‧信號
SIGC‧‧‧信號
SIGC1~SIGC3‧‧‧信號
TinA‧‧‧輸入端子
TinB‧‧‧輸入端子
TinC‧‧‧輸入端子
ToutA‧‧‧輸出端子
ToutB‧‧‧輸出端子
ToutC‧‧‧輸出端子
Tx1‧‧‧符號信號
Tx2‧‧‧符號信號
Tx3‧‧‧符號信號
TxCK‧‧‧時脈信號
TxF0~TxF6‧‧‧轉變信號
TxF9‧‧‧轉變信號
TxF10~TxF16‧‧‧轉變信號
TxF20~TxF26‧‧‧轉變信號
TxF30~TxF36‧‧‧轉變信號
TxR0~TxR6‧‧‧轉變信號
TxR9‧‧‧轉變信號
TxR10~TxR16‧‧‧轉變信號
TxR20~TxR26‧‧‧轉變信號
TxR30~TxR36‧‧‧轉變信號
TxP0~TxP6‧‧‧轉變信號
TxP9‧‧‧轉變信號
TxP10~TxP16‧‧‧轉變信號
TxP20~TxP26‧‧‧轉變信號
TxP30~TxP36‧‧‧轉變信號
UI‧‧‧單元間隔
V1‧‧‧電壓
VH‧‧‧高位準電壓
VM‧‧‧中位準電壓
VL‧‧‧低位準電壓
WA‧‧‧寬度
WA1~WA3‧‧‧寬度
WB‧‧‧寬度
WB1~WB3‧‧‧寬度
WC‧‧‧寬度
WC1~WC3‧‧‧寬度
WAB1‧‧‧特性
WAB2‧‧‧特性
WAB3‧‧‧特性
WAB4‧‧‧特性
WAC1‧‧‧特性
WAC2‧‧‧特性
WAC3‧‧‧特性
WAC4‧‧‧特性
WP‧‧‧介電層之線路之附近部分
+x‧‧‧符號
-x‧‧‧符號
+y‧‧‧符號
-y‧‧‧符號
+z‧‧‧符號
-z‧‧‧符號
圖1係表示本發明揭示之一實施形態之通信系統之一構成例之方塊圖。
圖2係表示圖1所示之通信系統所發送接收之信號之電壓狀態之說明圖。
圖3係表示圖1所示之通信系統所發送接收之符號之轉變之說明圖。
圖4係表示圖1所示之發送部之一構成例之方塊圖。
圖5係表示圖4所示之輸出部之一動作例之表。
圖6係表示圖4所示之輸出部之一構成例之方塊圖。
圖7係表示圖6所示之驅動器之一構成例之電路圖。
圖8係表示圖1所示之接收部之一構成例之方塊圖。
圖9係表示圖1所示之通信系統所發送接收之信號之一例之波形圖。
圖10係表示圖8所示之接收部之接收動作之一例之說明圖。
圖11係表示第1實施形態之傳送路之一構成例之剖視圖。
圖12係表示圖11所示之傳送路之一特性例之特性圖。
圖13係表示圖11所示之傳送路之其他特性例之特性圖。
圖14係表示比較例之傳送路之一特性例之特性圖。
圖15係表示比較例之傳送路之其他特性例之特性圖。
圖16係表示第1實施形態之變化例之傳送路之一構成例之剖視圖。
圖17係表示第1實施形態之其他變化例之傳送路之一構成例之剖視圖。
圖18係表示第1實施形態之其他變化例之傳送路之一構成例之剖視圖。
圖19係表示第1實施形態之其他變化例之通信系統之一構成例之方塊圖。
圖20係表示圖19所示之傳送路之一構成例之說明圖。
圖21係表示圖20所示之傳送路之一特性例之表。
圖22係表示圖19所示之傳送路之其他特性例之表。
圖23係表示第1實施形態之其他變化例之傳送路之一構成例之說明圖。
圖24係表示第2實施形態之傳送路之一構成例之剖視圖。
圖25係表示第2實施形態之變化例之通信系統之一構成例之方塊圖。
圖26係表示圖25所示之傳送路之一構成例之剖視圖。
圖27係表示第2實施形態之其他變化例之傳送路之一構成例之剖視圖。
圖28係表示第3實施形態之通信系統之一構成例之方塊圖。
圖29係表示圖28所示之通信系統之一動作例之示意圖。
圖30係表示第3實施形態之變化例之通信系統之一構成例之方塊圖。
圖31係表示圖30所示之通信系統之一動作例之示意圖。
圖32係表示第3實施形態之其他變化例之通信系統之一構成例之方塊圖。
圖33係表示圖32所示之通信系統之一動作例之示意圖。
圖34係表示第3實施形態之其他變化例之通信系統之一構成例之方塊圖。
圖35係表示圖34所示之通信系統之一動作例之示意圖。
圖36係表示第3實施形態之其他變化例之通信系統之一構成例之方塊圖。
圖37係表示應用一實施形態之通信系統之智慧型電話之外觀構成之立體圖。
圖38係表示應用一實施形態之通信系統之應用處理器之一構成例之方塊圖。
圖39係表示應用一實施形態之通信系統之影像感測器之一構成例之方塊圖。
圖40係表示變化例之傳送路之一構成例之剖視圖。
圖41係表示其他之變化例之傳送路之一構成例之剖視圖。
以下，對本揭示之實施形態，參照圖式詳細地說明。另，說明係以以下順序進行。
1.第1實施形態
2.第2實施形態
3.第3實施形態
4.應用例
<1.第1實施形態>
[構成例]
圖1係表示具備第1實施形態之傳送路之通信系統之一構成例者。通信系統1係使用具有3個電壓位準之信號而進行通信者。
通信系統1具備發送裝置10、傳送路100、及接收裝置30。發送裝置10具有3個輸出端子ToutA、ToutB、及ToutC，傳送路100具有線路110A、110B、及110C，接收裝置30具有3個輸入端子TinA、TinB、及TinC。然後，發送裝置10之輸出端子ToutA及接收裝置30之輸入端子TinA係經由線路110A彼此連接，發送裝置10之輸出端子ToutB及接收裝置30之輸入端子TinB係經由線路110B彼此連接，發送裝置10之輸出端子ToutC及接收裝置30之輸入端子TinC係經由線路110C彼此連接。線路110A~110C之特性阻抗於該例中為約50[Ω]。具體而言，如後述般，將線路110B之特性阻抗設為高於線路110A、110C之特性阻抗。藉此，於通信系統1中，如後述般，可提高通信品質。
發送裝置10自輸出端子ToutA輸出信號SIGA，自輸出端子ToutB輸出信號SIGB，自輸出端子ToutC輸出信號SIGC。且，接收裝置30經由輸入端子TinA接收信號SIGA，經由輸入端子TinB接收信號SIGB，經由輸入端子TinC接收信號SIGC。信號SIGA、SIGB、SIGC係分別於3個電壓位準(高位準電壓VH、中位準電壓VM、及低位準電壓VL)之間轉變者。
圖2係表示信號SIGA、SIGB、SIGC之電壓狀態者。發送裝置10使用3個信號SIGA、SIGB、及SIGC，發送6個符號“+x”、“-x”、“+y”、“-y”、“+z”、“-z”。例如，於發送符號“+x”之情形時，發送裝置10將信號SIGA設為高位準電壓VH，將信號SIGB設為低位準電壓VL，將信號SIGC設為中位準電壓VM。於發送符號“-x”之情形時，發送裝置10將信號SIGA設為低位準電壓VL，將信號SIGB設為高位準電壓VH，將信號SIGC設為中位準電壓VM。於發送符號“+y”之情形時，發送裝置10將信號SIGA設為中位準電壓VM，將信 號SIGB設為高位準電壓VH，將信號SIGC設為低位準電壓VL。於發送符號“-y”之情形時，發送裝置10將信號SIGA設為中位準電壓VM，將信號SIGB設為低位準電壓VL，將信號SIGC設為高位準電壓VH。於發送符號“+z”之情形時，發送裝置10將信號SIGA設為低位準電壓VL，將信號SIGB設為中位準電壓VM，將信號SIGC設為高位準電壓VH。於發送符號“-z”之情形時，發送裝置10將信號SIGA設為高位準電壓VH，將信號SIGB設為中位準電壓VM，將信號SIGC設為低位準電壓VL。
傳送路100使用此種信號SIGA、SIGB、SIGC，傳遞符號之序列。具體而言，傳送路100係線路110A傳遞信號SIGA，線路110B傳遞信號SIGB，線路110C傳遞信號SIGC，藉此傳遞符號之序列。即，3條線路110A、110B、110C係作為傳遞符號之序列之1個三合一線路發揮功能。
(發送裝置10)
發送裝置10係如圖1所示般，具有時脈產生部11、處理部12、及發送部20。
時脈產生部11係產生時脈信號TxCK者。時脈信號TxCK之頻率為例如2.5[GHz]。時脈產生部11藉由例如PLL(Phase Locked Loop：鎖相迴路)構成，且基於例如自發送裝置10之外部供給之參考時脈(未圖示)而產生時脈信號TxCK。然後，時脈產生部11將該時脈信號TxCK供給至處理部12及發送部20。
處理部12係藉由進行特定之處理，產生轉變信號TxF0~TxF6、TxR0~TxR6、TxP0~TxP6者。此處，1組轉變信號TxF0、TxR0、TxP0係表示發送裝置10所發送之符號之序列之符號之轉變者。同樣地，1組轉變信號TxF1、TxR1、TxP1係表示符號之轉變，1組轉變信號TxF2、TxR2、TxP2係表示符號之轉變，1組轉變信號TxF3、 TxR3、TxP3係表示符號之轉變，1組轉變信號TxF4、TxR4、TxP4係表示符號之轉變，1組轉變信號TxF5、TxR5、TxP5係表示符號之轉變，1組轉變信號TxF6、TxR6、TxP6係表示符號之轉變者。即，處理部12係產生7組轉變信號者。以下，作為表示轉變信號TxF0~TxF6中之任意一個者而適當使用轉變信號TxF，作為表示轉變信號TxR0~TxR6之中任意一個者而適當使用轉變信號TxR，作為表示轉變信號TxP0~TxP6之中任意一個者而適當使用轉變信號TxP。
圖3係表示轉變信號TxF、TxR、TxP與符號之轉變之關係者。標註於各轉變之3位之數值係將轉變信號TxF、TxR、TxP之值以該順序表示者。
轉變信號TxF(Flip：翻轉)係於“+x”與“-x”之間使符號轉變、於“+y”與“-y”之間使符號轉變、於“+z”與“-z”之間使符號轉變者。具體而言，於轉變信號TxF為“1”之情形時，以變更符號之極性之方式(例如自“+x”向“-x”)轉變，於轉變信號TxF為“0”之情形時，不進行此種轉變。
轉變信號TxR(Rotation：旋轉)、TxP(Polarity：極性)係於轉變信號TxF為“0”之情形時，於“+x”與“-x”以外之間、“+y”與“-y”以外之間、及“+z”與“-z”以外之間使符號轉變者。具體而言，於轉變信號TxR、TxP為“1”、“0”之情形時，保持符號之極性不變，於圖3中順時針(例如自“+x”向“+y”)轉變，轉變信號TxR、TxP為“1”、“1”之情形時，變更符號之極性，且於圖3中順時針(例如自“+x”向“-y”)轉變。又，於轉變信號TxR、TxP為“0”、“0”之情形時，保持符號之極性不變，於圖3中逆時針(例如自“+x”向“+z”)轉變，於轉變信號TxR、TxP為“0”、“1”之情形時，變更符號之極性，且於圖3中逆時針(例如自“+x”向“-z”)轉變。
處理部12產生7組此種轉變信號TxF、TxR、TxP。然後，處理部 12將該7組轉變信號TxF、TxR、TxP(轉變信號TxF0~TxF6、TxR0~TxR6、TxP0~TxP6)供給至發送部20。
發送部20係基於轉變信號TxF0~TxF6、TxR0~TxR6、TxP0~TxP6而產生信號SIGA、SIGB、SIGC者。
圖4係表示發送部20之一構成例者。發送部20具有串聯器21~23、發送符號產生部24、及輸出部27。
串聯器21係基於轉變信號TxF0~TxF6及時脈信號TxCK，將轉變信號TxF0~TxF6以該順序串聯化，而產生轉變信號TxF9者。串聯器22係基於轉變信號TxR0~TxR6及時脈信號TxCK，將轉變信號TxR0~TxR6以該順序串聯化，而產生轉變信號TxR9者。串聯器23係基於轉變信號TxP0~TxP6及時脈信號TxCK，將轉變信號TxP0~TxP6以該順序串聯化，而產生轉變信號TxP9者。
發送符號產生部24係基於轉變信號TxF9、TxR9、TxP9及時脈信號TxCK，產生符號信號Tx1、Tx2、Tx3者。發送符號產生部24具有信號產生部25、及正反器26。
信號產生部25係基於轉變信號TxF9、TxR9、TxP9及符號信號D1、D2、D3，產生符號信號Tx1、Tx2、Tx3者。具體而言，信號產生部25係基於符號信號D1、D2、D3所示之符號(轉變前之符號)、與轉變信號TxF9、TxR9、TxP9，而如圖3所示般求得轉變後之符號，作為符號信號Tx1、Tx2、Tx3而輸出。
正反器26基於時脈信號TxCK而對符號信號Tx1、Tx2、Tx3進行採樣，將其結果作為符號信號D1、D2、D3而分別輸出者。
輸出部27係基於符號信號Tx1、Tx2、Tx3及時脈信號TxCK，而產生信號SIGA、SIGB、SIGC者。
圖5係表示輸出部27之一動作例者。輸出部27係於例如符號信號Tx1、Tx2、Tx3為“1”、“0”、“0”之情形時，將信號SIGA設為 高位準電壓VH，信號SIGB設為低位準電壓VL，信號SIGC設為中位準電壓VM。即，輸出部27產生符號“+x”。又，於例如符號信號Tx1、Tx2、Tx3為“0”、“1”、“1”之情形時，將信號SIGA設為低位準電壓VL，信號SIGB設為高位準電壓VH，信號SIGC設為中位準電壓VM。即，輸出部27產生符號“-x”。又，於例如符號信號Tx1、Tx2、Tx3為“0”、“1”、“0”之情形時，將信號SIGA設為中位準電壓VM，信號SIGB設為高位準電壓VH，信號SIGC設為低位準電壓VL。即，輸出部27產生符號“+y”。又，於例如符號信號Tx1、Tx2、Tx3為“1”、“0”、“1”之情形時，將信號SIGA設為中位準電壓VM，信號SIGB設為低位準電壓VL，信號SIGC設為高位準電壓VH。即，輸出部27產生符號“-y”。又，於例如符號信號Tx1、Tx2、Tx3為“0”、“0”、“1”之情形時，將信號SIGA設為低位準電壓VL，信號SIGB設為中位準電壓VM，信號SIGC設為高位準電壓VH。即，輸出部27產生符號“+z”。又，於例如符號信號Tx1、Tx2、Tx3為“1”、“1”、“0”之情形時，將信號SIGA設為高位準電壓VH，信號SIGB設為中位準電壓VM，信號SIGC設為低位準電壓VL。即，輸出部27產生符號“-z”。
圖6係表示輸出部27之一構成例者。輸出部27具有驅動器控制部28、及驅動部29A、29B、29C。
驅動器控制部28係基於符號信號Tx1、Tx2、Tx3及時脈信號TxCK，而產生控制信號PU1A~PU5A、PD1A~PD5A、PU1B~PU5B、PD1B~PD5B、PU1C~PU5C、PD1C~PD5C者。然後，驅動器控制部28將控制信號PU1A~PU5A、與PD1A~PD5A供給至驅動部29A，將控制信號PU1B~PU5B、與PD1B~PD5B供給至驅動部29B，將控制信號PU1C~PU5C、與PD1C~PD5C供給至驅動部29C。
驅動部29A係基於控制信號PU1A~PU5A、與PD1A~PD5A，產 生信號SIGA者。驅動部29A係於該例中，具有5個驅動器291A~295A。驅動器291A~295A係基於供給至正輸入端子之信號及供給至負輸入端子之信號，設定輸出端子ToutA之電壓者。將控制信號PU1A供給至驅動器291A之正輸入端子，將控制信號PD1A供給至負輸入端子，且將輸出端子連接於發送裝置10之輸出端子ToutA。將控制信號PU2A供給至驅動器292A之正輸入端子，將控制信號PD2A供給至負輸入端子，且將輸出端子連接於發送裝置10之輸出端子ToutA。將控制信號PU3A供給至驅動器293A之正輸入端子，將控制信號PD3A供給至負輸入端子，且將輸出端子連接於發送裝置10之輸出端子ToutA。將控制信號PU4A供給至驅動器294A之正輸入端子，將控制信號PD4A供給至負輸入端子，且將輸出端子連接於發送裝置10之輸出端子ToutA。將控制信號PU5A供給至驅動器295A之正輸入端子，將控制信號PD5A供給至負輸入端子，且將輸出端子連接於發送裝置10之輸出端子ToutA。如此，將驅動器291A~295A之輸出端子彼此連接，且連接於輸出端子ToutA。
驅動部29B係基於控制信號PU1B~PU5B、與PD1B~PD5B，產生信號SIGB者。驅動部29B係於該例中，具有5個驅動器291B~295B。將信號PU1B供給至驅動器291B之正輸入端子，將信號PD1B供給至負輸入端子，且將輸出端子連接於發送裝置10之輸出端子ToutB。關於驅動器292B~295B亦相同。如此，將驅動器291B~295B之輸出端子彼此連接，且連接於輸出端子ToutB。
驅動部29C係基於控制信號PU1C~PU5C、與PD1C~PD5C，產生信號SIGC者。驅動部29C係於該例中，具有5個驅動器291C~295C。將信號PU1C供給至驅動器291C之正輸入端子，將信號PD1C供給至負輸入端子，且將輸出端子連接於發送裝置10之輸出端子ToutC。關於驅動器292C~295C亦相同。如此，將驅動器291C~295C 之輸出端子彼此連接，且連接於輸出端子ToutC。
圖7係表示驅動器291A之一構成例者。另，關於驅動器292A~295A、291B~295B、及291C~295C亦相同。驅動器291A具有電晶體91、94、與電阻元件92、93。電晶體91、94於該例中，係為N通道MOS(Metal Oxide Semiconductor：金屬氧化物半導體)型之FET(Field Effect Transistor：場效電晶體)。電晶體91之閘極係與驅動器291A之正輸入端子對應者，且供給有控制信號PU1A，將電壓V1供給至汲極，將源極連接於電阻元件92之一端。電晶體94之閘極係與驅動器291A之負輸入端子對應者，且供給有控制信號PD1A，汲極係連接於電阻元件93之一端，且源極係接地。電阻元件92之一端係連接於電晶體91之源極，且另一端係連接於電阻元件93之另一端及發送裝置10之輸出端子ToutA。電阻元件93之一端係連接於電晶體94之汲極，且另一端係連接於電阻元件92之另一端及發送裝置10之輸出端子ToutA。於該例中，電晶體91之接通電阻、與電阻元件92之電阻值之和為200[Ω]左右，同樣地，電晶體94之接通電阻、與電阻元件93之電阻值之和為200[Ω]左右。
藉由該構成，驅動器控制部28使用控制信號PU1A~PU5A、與PD1A~PD5A，將輸出端子ToutA之電壓設定為3個電壓(高位準電壓VH、低位準電壓VL、及中位準電壓VM)中之1者。具體而言，於例如將輸出端子ToutA之電壓設定為高位準電壓VH之情形時，將控制信號PU1A~PU5A中之例如4個設為“1”，且將剩餘之1個及控制信號PD1A~PD5A設定為“0”。藉此，於驅動部29A中，閘極中被供給有“1”之4個電晶體91成為接通狀態。其結果，信號SIGA成為高位準電壓VH，且驅動部29A之輸出終端電阻成為約50[Ω]。又，於例如將輸出端子ToutA之電壓設定為低位準電壓VL之情形時，將控制信號PD1A~PD5A中之例如4個設為“1”，且將剩餘之1個及控制信號 PU1A~PU5A設定為“0”。藉此，於驅動部29A中，閘極中被供給有“1”之4個電晶體94成為接通狀態。其結果，信號SIGA成為低位準電壓VL，且驅動部29A之輸出終端電阻成為約50[Ω]。又，於將輸出端子ToutA之電壓設定為中位準電壓VM之情形時，將控制信號PU1A~PU5A中之例如2個設為“1”，且將剩餘設為“0”，將控制信號PD1A~PD5A中之例如2個設為“1”，且將剩餘設為“0”。藉此，於驅動部29A中，閘極中被供給有“1”之2個電晶體91及2個電晶體94成為接通狀態，且實現戴維寧(Thevenin)終端。其結果，信號SIGA成為中位準電壓VM，且驅動部29A之輸出終端電阻成為約50[Ω]。如此，驅動器控制部28使用控制信號PU1A~PU5A、與PD1A~PD5A，將輸出端子ToutA之電壓設定為3個電壓中之1個。
(接收裝置40)
如圖1所示般，接收裝置30具有接收部40、及處理部32。
接收部40係接收信號SIGA、SIGB、SIGC，且基於該信號SIGA、SIGB、SIGC，產生轉變信號RxF、RxR、RxP及時脈信號RxCK者。
圖8係表示接收部40之一構成例者。接收部40具有電阻元件41A、41B、41C、放大器42A、42B、42C、時脈產生部43、正反器44、45、及信號產生部46。
電阻元件41A、41B、41C係作為通信系統1之終端電阻發揮功能者。電阻元件41A之一端係連接於輸入端子TinA，且供給有信號SIGA，另一端係連接於抵抗元件41B、41C之另一端。抵抗元件41B之一端係連接於輸入端子TinB，且供給有信號SIGB，另一端連接於電阻元件41A、41C之另一端。電阻元件41C之一端係連接於輸入端子TinC，且供給有信號SIGC，另一端連接於電阻元件41A、41B之另一端。
放大器42A、42B、42C係分別將與正輸入端子之信號與負輸入端 子之信號之差分相應之信號輸出者。放大器42A之正輸入端子係連接於放大器42C之負輸入端子及電阻元件41A之一端，且供給有信號SIGA，負輸入端子係連接於放大器42B之正輸入端子及電阻元件41B之一端，且供給有信號SIGB。放大器42B之正輸入端子係連接於放大器42A之負輸入端子及電阻元件41B之一端，且供給有信號SIGB，負輸入端子係連接於放大器42C之正輸入端子及電阻元件41C之一端，且供給有信號SIGC。放大器42C之正輸入端子係連接於放大器42B之負輸入端子及電阻元件41C之一端，且供給有信號SIGC，負輸入端子係連接於放大器42A之正輸入端子及電阻元件41A，且供給有信號SIGA。
藉由該構成，放大器42A將與信號SIGA與信號SIGB之差分AB(SIGA-SIGB)相應之信號輸出，放大器42B將信號SIGB與信號SIGC之差分BC(SIGB-SIGC)相應之信號輸出，放大器42C將與信號SIGC與信號SIGA之差分CA(SIGC-SIGA)相應之信號輸出。
圖9係表示接收部40接收之信號SIGA~SIGC之一例者。於該例中，接收部40係將6個符號“+x”“-y”“-z”“+z”“+y”“-x”按該序進行接收。此時，信號SIGA之電壓係以VH、VM、VH、VL、VM、VL之方式變化，信號SIGB之電壓係以VL、VL、VM、VM、VH、VH之方式變化，信號SIGC之電壓係以VM、VH、VL、VH、VL、VM之方式變化。據此，差分AB、BC、CA再次變化。例如，差分AB係以+2△V、+△V、+△V、-△V、-△V、-2△V之方式變化，差分BC係以-△V、-2△V、+△V、-△V、+2△V、+△V之方式變化，差分CA係以-△V、+△V、-2△V、+2△V、-△V、+△V之方式變化。此處，△V係3個電壓(高位準電壓VH、中位準電壓VM、及低位準電壓VL)中之相鄰2個電壓之差。
圖10係表示於接收部接收符號“+x”之情形之、放大器42A、 42B、42C之一動作例者。於該例中，信號SIGA之電壓為高位準電壓VH，信號SIGB之電壓為低位準電壓VL，信號SIGC之電壓為中位準電壓VM。於該情形時，以輸入端子TinA、電阻元件41A、電阻元件41B、及輸入端子TinB之順序使電流Iin流動。然後，對放大器42A之正輸入端子供給高位準電壓VH，且對負輸入端子供給低位準電壓VL，由於差分AB成為正，故放大器42A輸出“1”。又，對放大器42B之正輸入端子供給低位準電壓VL，且對負輸入端子供給中位準電壓VM，由於差分BC成為負，故放大器42B輸出“0”。又，對放大器42C之正輸入端子供給中位準電壓VM，且對負輸入端子供給高位準電壓VH，由於差分CA成為負，故放大器42C輸出“0”。
時脈產生部43係基於放大器42A、42B、42C之輸出信號，而產生時脈信號RxCK者。
正反器44係使放大器42A、42B、42C之輸出信號延遲時脈信號RxCK之1時脈量，且分別輸出者。正反器45係使正反器44之3個輸出信號延遲時脈信號RxCK之1時脈量，且分別輸出者。
信號產生部46係基於正反器44、45之輸出信號、及時脈信號RxCK，產生轉變信號RxF、RxR、RxP者。該轉變信號RxF、RxR、RxP係與發送裝置10之轉變信號TxF9、TxR9、TxP9分別對應者，且為表示符號之轉變者。信號產生部46基於正反器44之輸出信號所示之符號、與正反器45之輸出信號所示之符號，特定符號之轉變(圖3)，且產生轉變信號RxF、RxR、RxP。
處理部32(圖1)係基於轉變信號RxF、RxR、RxP及時脈信號RxCK，進行特定之處理者。
(傳送路100)
圖11係表示傳送路100之一構成例者。傳送路100係由所謂之帶狀線路構成者。傳送路100除了線路110A~110C以外，具有導電層 101、介電層102、及導電層103。
導電層101、103係例如由金屬構成者，於該例中接地。介電層102係由介電質構成者。介電層102之相對介電常數Er係於該例中為“4.3”。於傳送路100中，導電層101、介電層102、及導電層103係以該序積層。
線路110A、110B、110C係設置於在介電層102內，自導電層101算起為距離d1之位置，即自導電層103算起為距離d2之位置。距離d1係於該例中為0.06[mm]，且距離d2係於該例中為0.1[mm]。線路110A、110B、110C係以寬度WA、WB、WC形成，且以間隔P按該序並列設置。寬度WA、WB、WC係於該例中，為0.05[mm]，間隔P係於該例中，為0.75[mm]。
於傳送路100中，將線路110B之特性阻抗設為與線路110A、110C之特性阻抗相比更高。具體而言，例如，可將線路110B之電阻值設為高於線路110A、110C之電阻值。此時，亦可例如使用較高電阻率之材料形成線路110B。又，亦可藉由於線路110B混合雜質，而將線路110B之電阻值設為較高。藉此，於通信系統1中係如後述般，可提高通信品質。
此處，線路110A係與本揭示之第1傳送路之「第1線路」之一具體例對應，線路110B係與本揭示之第1傳送路之「第2線路」之一具體例對應，線路110C係與本揭示之第1傳送路之「第3線路」之一具體例對應。
[動作及作用]
接著，對實施形態之通信系統1之動作及作用進行說明。
(整體動作概要)
首先，參照圖1，對通信系統1之整體動作概要進行說明。發送裝置10之時脈產生部11產生時脈信號TxCK。處理部12藉由進行特定 之處理，產生轉變信號TxF0~TxF6、TxR0~TxR6、及TxP0~TxP6。發送部20基於轉變信號TxF0~TxF6、TxR0~TxR6、及TxP0~TxP6，產生信號SIGA、SIGB、SIGC。傳送路100傳遞信號SIGA、SIGB、SIGC。接收裝置30之接收部40接收信號SIGA、SIGB、SIGC，且基於該信號SIGA、SIGB、SIGC，產生轉變信號RxF、RxR、RxP及時脈信號RxCK。處理部32基於轉變信號RxF、RxR、RxP及時脈信號RxCK，進行特定之處理。
(關於傳送路100)
於傳送路100中，將線路110B之特性阻抗設為與線路110A、110C之特性阻抗相比較高。藉此，可於通信系統1中，提高通信品質。以下，詳細說明。
圖12係表示傳送路100之差動插入損耗特性之一例者。圖12之橫軸係表示頻率，縱軸係表示S參數Sdd21。特性WAC1係表示線路110A、110C之差動插入損耗特性，特性WAB1係表示線路110A、110B之差動插入損耗特性。另，線路110B、110C之差動插入損耗特性係與線路110A、110B之差動插入損耗特性(特性WAB1)為相同程度。於傳送路100中，與後述之比較例之情形相比，可使線路110A、110B之差動插入損耗特性(特性WAB1)、與線路110A、110C之差動插入損耗特性(特性WAC1)彼此接近，且可減少差動插入損耗。
圖13係表示傳送路100之差動反射特性之一例者。圖13之橫軸係表示頻率，縱軸係表示S參數Sdd11。特性WAC2係表示線路110A、110C之差動反射特性，且特性WAB2係表示線路110A、110B之差動反射特性。另，線路110B、110C之差動反射特性係與線路110A、110B之差動反射特性為相同程度。於傳送路100中，與後述之比較例之情形相比，可改善線路110A、110B之差動反射特性(特性WAB2)。
(比較例)
其次，對比較例之傳送路100R進行說明。傳送路100R係與本實施形態之情形(圖11)相同，具有線路110RA、110RB、110RC。於傳送路100R中，與本實施形態之傳送路100不同，將線路110RA、110RB、110RC之特性阻抗設為彼此相等。
圖14係表示傳送路100R之差動插入損耗特性之一例者。特性WAC3係表示線路110RA、110RC之差動插入損耗特性，特性WAB3係表示線路110RA、110RB之差動插入損耗特性。於傳送路100R中，與本實施形態之傳送路100之情形(圖12)相比，線路110RA、110RB之差動插入損耗特性(特性WAB3)、與線路110RA、110RC之差動插入損耗特性(特性WAC3)之差稍大。又，於傳送路100R中，與傳送路100之情形(圖12)相比，S參數Sdd21之值較低。即，於傳送路100R中，與傳送路100相比，差動插入損耗特性更大。
圖15係表示傳送路100R之差動反射特性之一例者。特性WAC4係表示線路110RA、110RC之差動反射特性，特性WAB4係表示線路110RA、110RB之差動反射特性。於傳送路100R中，與本實施形態之傳送路100之情形(圖13)相比，線路110RA、110RB之S參數Sdd11之值更高。即，於傳送路100RA中，與傳送路100相比，線路110RA、110RB之差動反射特性(特性WAB4)變差。
如此，於傳送路100及傳送路100R中，為了並列設置3條線路，線路間之距離彼此不同。具體而言，例如於傳送路100R中，線路110RA與線路110RB之間之距離與線路110RA與線路110RC之間之距離相比更短。同樣地，線路110RB與線路110RC之間之距離與線路110RA與線路110RC之間之距離相比更短。因此，於將線路110RA、110RB、110RC之特性阻抗設為彼此相等之情形時，線路110RA、110RC之差動阻抗、與線路110RA、110RB之差動阻抗之差變大，同樣地，線路110RA、110RC之差動阻抗、與線路110RB、110RC之差動 阻抗之差變大。其結果，於傳送路100R中，如圖14所示般，線路110RA、110RB之差動插入損耗特性(特性WAB3)成為與線路110RA、110RC之差動插入損耗特性(特性WAC3)相比變差，且如圖15所示般，線路110RA、110RB之差動反射特性(特性WAB4)變差。於此種情形時，有差動信號之開孔變窄，通信品質下降之虞。
另一方面，於本實施形態之傳送路100中，將線路110B之特性阻抗設為與線路110A、110C之特性阻抗相比更高，故可使線路110A、110B之差動阻抗、與線路110B、110C之差動阻抗、與線路110A、110C之差動阻抗彼此接近。於傳送路100中，如此，可提高差動阻抗之對稱性，故可如圖12所示般，減少差動插入損耗，且可如圖13所示般，改善線路110A、110B之差動反射特性(特性WAB2)。其結果，可使差動信號之開孔變寬，且可提高通信品質。
[效果]
如以上般，於本實施形態中，將3條線路中之中央之線路之特性阻抗設為與其他之線路之特性阻抗相比更高，故可提高通信品質。
[變化例1-1]
於上述實施形態中，將線路110B之電阻值設為較線路110A、110C之電阻值高。此時，亦可例如取代使用較高之電阻率之材料形成線路110B，使用較低電阻率之材料形成線路110A、110C。如此，亦可將線路110B之特性阻抗設為與線路110A、110C之特性阻抗相比更高，故可提高通信品質。
[變化例1-2]
於上述實施形態中，將線路110B之電阻值設為較線路110A、110C之電阻值高，但並非限定於此者。亦可代替此，例如，如圖16所示之傳送路100B般，將於介電層102之線路110B之附近部分WP之介電常數設為較低。又，例如，亦可將介電層102之線路110A之附近部 分之介電常數設為較高，且將於介電層102之線路110C之附近部分之介電常數設為較高。如此，亦可將線路110B之特性阻抗設為與線路110A、110C之特性阻抗相比較高，故可提高通信品質。
[變化例1-3]
於上述實施形態中，將線路110A之寬度WA、線路110B之寬度WB、及線路110C之寬度WC設為彼此相等，但並非限定於此者。亦可代替此，例如，亦可如圖17所示之傳送路100C般，將3條線路中之中央之線路(線路110B2)之寬度WB設為較其他之線路之寬度WA、WC窄。於該例中，寬度WB為0.03[mm]，寬度WA、WC為0.05[mm]。又，間隔P為0.085[mm]。如此，亦可將線路110B2之特性阻抗設為與線路110A、110C之特性阻抗相比更高，故可提高通信品質。
[變化例1-4]
於上述實施形態中，導電層101、103係以覆蓋3條線路110A、110B、110C之方式設置，但並非限定於此者，亦可代替此，例如，如圖18所示之傳送路100D般，於與線路110A對向之區域及與線路110C對向之區域中形成導電層103，且於與線路110B對向之區域不形成導電層。可將與線路110B對向之未形成導電層之區域之寬度W0設為例如0.1[mm]。
[變化例1-5]
於上述實施形態中，於發送裝置10設置1個發送部20，且於接收裝置30設置1個接收部40，但並非限定於此，亦可於發送裝置設置複數個發送部，且於接收裝置設置複數個接收部。以下，對本變化例之通信系統1E詳細地進行說明。
圖19係表示通信系統1E之一構成例者。通信系統1E具備發送裝置10E、傳送路100E、及接收裝置30E。
發送裝置10E具有處理部12E、3個發送部201~203。處理部12E 係藉由進行特定之處理，產生轉變信號TxF10~TxF16、TxR10~TxR16、TxP10~TxP16、TxF20~TxF26、TxR20~TxR26、TxP20~TxP26、TxF30~TxF36、TxR30~TxR36、TxP30~TxP36者。發送部201係與上述實施形態之發送部20相同，為基於轉變信號TxF10~TxF16、TxR10~TxR16、TxP10~TxP16，產生信號SIGA1、SIGB1、SIGC1者。發送部202係與上述實施形態之發送部20相同，為基於轉變信號TxF20~TxF26、TxR20~TxR26、TxP20~TxP26，產生信號SIGA2、SIGB2、SIGC2者。發送部203係與上述實施形態之發送部20相同，為基於轉變信號TxF30~TxF36、TxR30~TxR36、TxP30~TxP36，產生信號SIGA3、SIGB3、SIGC3者。
傳送路100E具有線路110A1、110B1、110C1、線路110A2、110B2、110C2、及線路110A3、110B3、110C3。線路110A1係傳遞信號SIGA1者，線路110B1係傳遞信號SIGB1者，線路110C1係傳遞信號SIGC1者。即，線路110A1、110B1、110C1構成1個三合一線路。同樣地，線路110A2係傳遞信號SIGA2者，線路110B2係傳遞信號SIGB2者，線路110C2係傳遞信號SIGC2者。即，線路110A2、110B2、110C2構成1個三合一線路。線路110A3係傳遞信號SIGA3者，線路110B3係傳遞信號SIGB3者，線路110C3係傳遞信號SIGC3者。即，線路110A3、110B3、110C3構成1個三合一線路。
接收裝置30E具有3個接收部401~403、與處理部32E。接收部401係與上述實施形態之接收部40相同，為基於信號SIGA1、SIGB1、SIGC1，產生轉變信號RxF1、RxR1、RxP1及時脈信號RxCK1者。同樣地，接收部402係基於信號SIGA2、SIGB2、SIGC2，產生轉變信號RxF2、RxR2、RxP2及時脈信號RxCK2者。接收部403係基於信號SIGA3、SIGB3、SIGC3，產生轉變信號RxF3、RxR3、RxP3及時脈信號RxCK3者。處理部32E係基於轉變信號RxF1、RxR1、RxP1及時脈 信號RxCK1、轉變信號RxF2、RxR2、RxP2及時脈信號RxCK2、以及轉變信號RxF3、RxR3、RxP3及時脈信號RxCK3，進行特定之處理者。
圖20係表示傳送路100E之一構成例者。於傳送例100E中，與上述實施形態之傳送路100(圖11)相同，於介電層102內，線路110A1、110B1、110C1、110A2、110B2、110C2、110A3、110B3、110C3係以間隔P按該序並列設置。線路110A1之寬度WA1、線路110C1之寬度WC1、線路110B2之寬度WB2、線路110A3之寬度WA3、及線路110C3之寬度WC3例如為0.03[mm]。又，線路110B1之寬度WB1、線路110A2之寬度WA2、線路110C2之寬度WC2、及線路110B3之寬度WB3例如為0.05[mm]。間隔P例如為0.085[mm]。如此，於傳送路100E中，交替配置較粗之線路與較細之線路。
圖21係表示線路110A1、110B1、110C1之差動插入損耗特性之一例者。“線路110A1/線路110B1”之列之各數值係表示線路110A1、110B1之S參數Sdd21之值。同樣地，“線路110B1/線路110C1”之列之各數值係表示線路110B1、110C1之S參數Sdd21之值，“線路110A1/線路110C1”之列之各數值係表示線路110A1、110C1之S參數Sdd21之值。括號內之值係表示於將整體之線路之寬度設為彼此相等之情形之差動插入損耗特性之一例者。於該比較例中，將整體之線路之寬度設為0.05[mm]，且將間隔設為0.075[mm]。
另，於圖21中，表示線路110A1、110B1、110C1之差動插入損耗特性之一例，但線路110A3、110B3、110C3之差動插入損耗特性亦相同。
圖22係表示線路110A2、110B2、110C2之差動插入損耗特性之一例者。“線路110A2/線路110B2”之列之各數值係表示線路110A2、110B2之S參數Sdd21之值。同樣地，“線路110B2/線路110C2”之列之 各數值係表示線路110B2、110C2之S參數Sdd21之值，“線路110A2/線路110C2”之列之各數值係表示線路110A2、110C2之S參數Sdd21之值。括號內之值係與圖21相同，表示於將整體之線路之寬度設為彼此相等之情形之差動插入損耗特性之一例者。
如圖21、22所示般，於本變化例中，可將差動插入損耗於例如2.5[GHz]中改善0.3~0.5dB左右。藉此，於通信系統1E中，可提高通信品質。
[變化例1-6]
於上述實施形態中，將三合一線路所包含之3條線路形成於相同之層，但並非限定於此者。以下，對本變化例之通信系統1F詳細進行說明。
如圖19所示般，通信系統1F具備傳送路160F。傳送路160F具有線路170A1、170B1、170C1、線路170A2、170B2、170C2、及線路170A3、170B3、170C3。
圖23係表示傳送路160F之一構成例者。於傳送路160F中，於介電層102內，線路170A1、170B1、170C1係以該序形成於彼此不同之層。線路170A1與線路170B1係對向配置，且線路170B1與線路170C1係對向配置。同樣地，於傳送路160F中，於介電層102內，線路170A2、170B2、170C2係以該序形成於彼此不同之層。線路170A2與線路170B2係對向配置，且線路170B2與線路170C2係對向配置。同樣地，於傳送路160F中，於介電層102內，線路170A3、170B3、170C3係以該序形成於彼此不同之層。線路170A3與線路170B3係對向配置，且線路170B3與線路170C3係對向配置。線路170A1、170A2、170A3係形成於相同之層，線路170B1、170B2、170B3係形成於相同之層，線路170C1、170C2、170C3係形成於相同之層。
於傳送路160F中，將構成1個三合一線路之3條線路配置於彼此 不同之層。藉此，例如，線路170B1係配置於與線路170A1、C1不同，且自導電層101與導電層103之任一者均遠離之位置。同樣地，線路170B2係配置於與線路170A2、C2不同，且自導電層101與導電層103之任一者均遠離之位置，線路170B3係配置於與線路170A3、C3不同，且自導電層101與導電層103之任一者均遠離之位置。藉此，可將線路170B1之特性阻抗設為高於線路170A1、170C1之特性阻抗，將線路170B2之特性阻抗設為高於線路170A2、170C2之特性阻抗，將線路170B3之特性阻抗設為高於線路170A3、170C3之特性阻抗。其結果，於通信系統1F中，可提高通信品質。
[其他之變化例]
又，亦可組合該等之變化例中之2個以上。
<2.第2實施形態>
其次，就第2實施形態之通信系統2進行說明。本實施形態係將複數條線路形成於2層者。另，對與上述第1實施形態之通信系統1實質相同之構成部分標註相同之符號，且適當省略說明。
如圖1所示般，通信系統2具備傳送路120。傳送路120具有線路130A、130B、130C。於傳送路120中，與上述第1實施形態之傳送路100不同，將線路130A、130B、130C之特性阻抗設為彼此大致相等。
圖24係表示傳送路120之一構成例者。線路130A、130C係設置於介電層102內，自導電層101算起為距離d11之位置。線路130B係設置於介電層102內，自導電層103算起為距離d13之位置。形成有線路130A、130C之層、與形成有線路130B之層離開距離d12。即，線路110B係設置於與線路110A、110C不同之層。於該例中，距離d11為0.06[mm]，距離d12為0.06[mm]，距離d13為0.06[mm]。又，於該例中，線路130A之寬度WA、線路130B之寬度WB、及線路130C之寬度WC為0.05[mm]。傳送路120之面內之線路130A、130B、130C之間隔P 於該例中為0.025[mm]。
此處，線路130A係與本揭示之第2傳送路之「第1線路」之一具體例對應，線路130B係與本揭示之第2傳送路之「第2線路」之一具體例對應，線路130C係與本揭示之第2傳送路之「第3線路」之一具體例對應。
如此，於傳送路120中，可將相鄰之線路形成於彼此不同之層，故可使線路間之距離變寬。藉此，可使線路130A、130B之差動阻抗、線路130B、130C之差動阻抗、及線路130A、130C之差動阻抗彼此接近。如此，可於傳送路120中提高差動阻抗之對稱性，故可提高通信品質。
又，於傳送路120中，如此，將相鄰之線路形成於彼此不同之層，故可縮小傳送路120之面內之線路130A、130B、130C之間隔P。其結果，可於傳送路120削減配線面積。
如以上般，於本實施形態中，可將相鄰之電路形成於彼此不同之層，故可提高通信品質，且可削減配線面積。
[變化例2-1]
於上述實施形態中，於發送裝置10設置1個發送部20，且於接收裝置30設置1個接收部40，但並非限定於此，亦可與變化例1-5之情形(圖19)相同，於發送裝置設置複數個發送部，且於接收裝置設置複數個接收部。以下，對本變化例之通信系統2A詳細進行說明。
圖25係表示通信系統2A之一構成例者。通信系統2A具備發送裝置10E、傳送路120A、及接收裝置30E。傳送路120A具有線路130A1、130B1、130C1、線路130A2、130B2、130C2、線路130A3、130B3、130C3、及線路GL。線路130A1係傳遞信號SIGA1者，線路130B1係傳遞信號SIGB1者，線路130C1係傳遞信號SIGC1者。即，線路130A1、130B1、130C1構成1個三合一線路。同樣地，線路130A2 係傳遞信號SIGA2者，線路130B2係傳遞信號SIGB2者，線路130C2係傳遞信號SIGC2者。即，線路130A2、130B2、130C2構成1個三合一線路。線路130A3係傳遞信號SIGA3者，線路130B3係傳遞信號SIGB3者，線路130C3係傳遞信號SIGC3者。即，線路130A3、130B3、130C3構成1個三合一線路。線路GL係接地。
圖26係表示傳送路120A之一構成例者。線路130A1、130B2、130B3、130C1、GL係於介電層102內之第1層，按該序並列設置。又，線路130A2、130A3、130B1、130C2、130C3係於介電層102之第2層，以該序並列設置。線路130A1與線路130A2係對向配置，線路130B2與線路130A3係對向配置，線路130B3與線路130B1係對向配置，線路130C1與線路130C2係對向配置，線路GL與線路130C3係對向配置。
於傳送路120A中，構成1個三合一線路之3條線路係以於相同之層內以彼此不相鄰之方式配置。例如，於傳送路120A中，將線路130A1、130B1、130C1以於相同之層內彼此不相鄰之方式配置。具體而言，於傳送路120A之面內，將線路130A1、130B1、130C1以該序配置，且將線路130B1配置於與線路130A1、130C1不同之層。同樣地，將線路130A2、130B2、130C2以於相同層內彼此不相鄰之方式配置，將線路130A3、130B3、130C3以於相同層內彼此不相鄰之方式配置。
如此，於傳送路120A中，例如，將線路130A1、130B1、130C1以於相同之層內彼此不相鄰之方式配置。藉此，可將線路130A1、130B1之差動阻抗、線路130B1、130C1之差動阻抗、及線路130A1、130C1之差動阻抗彼此接近。如此，於傳送路120A中，可提高差動阻抗之對稱性，故可提高通信品質。關於線路130A2、130B2、130C2亦相同，關於線路130A3、130B3、130C3亦相同。
另，線路之配置並非限定於傳送路120A之例，亦可代替此，例如，如圖27所示之傳送路120B般配置線路。於該傳送路120B中，例如，將線路130C1配置於與線路130A1、130B1不同之層。又，例如，於傳送路120B之面內，將線路130B2、130A2、130C2按該序配置。即便如此配置，亦可將線路130A1、130B1、130C1設為於相同層內彼此不相鄰，將線路130A2、130B2、130C2設為於相同層內彼此不相鄰，將線路130A3、130B3、130C3設為於相同層內彼此不相鄰。藉此，於傳送路120B中，可提高差動阻抗之對稱性，故可提高通信品質。
<3.第3實施形態>
其次，對第3實施形態之通信系統3進行說明。本實施形態係具有3個發送部及3個接收部者。另，對與上述第1實施形態之通信系統1實質相同之構成部分標註相同符號，且適當省略說明。
圖28係表示通信系統3之一構成例者。通信系統3具備發送裝置50、與傳送路140。
發送裝置50具有延遲部51、52、53。延遲部51係將時脈信號TxCK延遲，且將經延遲之時脈信號供給至發送部201者。延遲部52係將時脈信號TxCK延遲，且將經延遲之時脈信號供給至發送部202者。延遲部53係將時脈信號TxCK延遲，且將經延遲之時脈信號供給至發送部203者。於該例中，將延遲部51、53之延遲量設定為大於延遲部52之延遲量之值。
傳送路140具有線路150A1、150B1、150C1、線路150A2、150B2、150C2、線路150A3、150B3、150C3、及線路GL1、GL2。線路150A1係傳遞信號SIGA1者，線路150B1係傳遞信號SIGB1者，線路150C1係傳遞信號SIGC1者。即，線路150A1、150B1、150C1構成1個三合一線路。同樣地，線路150A2係傳遞信號SIGA2者，線路150B2 係傳遞信號SIGB2者，線路150C2係傳遞信號SIGC2者。即，線路150A2、150B2、150C2構成1個三合一線路。線路150A3係傳遞信號SIGA3者，線路150B3係傳遞信號SIGB3者，線路150C3係傳遞信號SIGC3者。即，線路150A3、150B3、150C3構成1個三合一線路。線路GL1、GL2係接地。該等之線路係與第1實施形態之傳送路100(圖11)相同，彼此形成於相同之層。於傳送路140中，線路150A1、GL1、150A3、150A2、150B3、150B2、150B1、150C2、150C1、GL2、150C3係按該序並列設置。
此處，線路150A1、150B1、150C1係與本揭示之第3傳送路之「第1三合一線路」之一具體例對應，線路150A2、150B2、150C2係與本揭示之第3傳送路之「第2三合一線路」之一具體例對應。
於傳送路140中，構成1個三合一線路之3條線路係以彼此不相鄰之方式設置。具體而言，於傳送路140中，線路150A1、150B1、150C1係以彼此不相鄰之方式設置。藉此，可使線路150A1、150B1之差動阻抗、線路150B1、150C1之差動阻抗、及線路150A1、150C1之差動阻抗彼此接近。同樣地，於傳送路140中，線路150A2、150B2、150C2係以彼此不相鄰之方式設置。藉此，可使線路150A2、150B2之差動阻抗、線路150B2、150C2之差動阻抗、及線路150A2、150C2之差動阻抗彼此接近。同樣地，於傳送路140中，線路150A3、150B3、150C3係以彼此不相鄰之方式設置。藉此，可使線路150A3、150B3之差動阻抗、線路150B3、150C3之差動阻抗、及線路150A3、150C3之差動阻抗彼此接近。其結果，於傳送路140中，可提高差動阻抗之對稱性，故可提高通信品質。
如圖28所示般，例如，線路150A1、150B1、150C1中之、線路150B1係與線路150B2、150C2相鄰，線路150C1係與線路150C2相鄰。又，線路150A2、150B2、150C2中之、線路150A2係與線路 150A3、150B3相鄰，線路150B2係與線路150B3、150B1相鄰，線路150C2係與線路150B1、150C1相鄰。又，線路150A3、150B3、150C3中之、線路150A3係與線路150A2相鄰，線路150B3係與線路150A2、150B2相鄰。如此，於相鄰之線路間，有產生串擾之虞。因此，於通信裝置3中，設置延遲部51~53，於三合一線路間，使信號之轉變時序錯開。藉此，於通信裝置3中，可抑制相鄰之線路間之因串擾所致之通信品質之下降。
圖29係模式性表示信號之相位者。於該例中，僅使信號SIGA1、SIGB1、SIGC1、SIGA3、SIGB3、SIGC3之相位較信號SIGA2、SIGB2、SIGC2之相位延遲相位差PD。此處，可將相位差PD設定為例如單元間隔UI之一半左右。
於通信系統3中，如圖29所示般，可於三合一線路間，使信號之轉變時序錯開。其結果，於通信系統3中，即使相鄰之線路間產生串擾，亦可使轉變時序錯開，故可減少開孔變窄之虞，可抑制通信品質之下降。
如以上般，於本實施形態中，構成1個三合一線路之3條線路係以不相鄰之方式設置，故可提高通信品質。
於本實施形態中，於三合一線路間、將信號之轉變時序以彼此錯開之方式設置，故可抑制通信品質之下降。
[變化例3-1]
於上述實施形態中，設置接地之線路GL1、GL2，但並非限定於此者。以下，舉出若干之例，而對本變化例詳細地進行說明。
圖30係表示本變化例之通信系統3A之一構成例者。通信系統3A具備傳送路140A。傳送路140A具有線路150A1、150B1、150C1、線路150A2、150B2、150C2、及線路150A3、150B3、150C3。即，傳送路140A係與上述實施形態之傳送路140(圖28)不同，且不具有接地之 線路者。於傳送路140A中，線路150A1、150A2、150A3、150B1、150B2、150B3、150C1、150C2、150C3係以該序並列設置。如此，於傳送路140A中，構成1個三合一線路之3條線路彼此不相鄰。
圖31係模式性表示通信系統3A之信號之相位者。於該例中，使信號SIGA2、SIGB2、SIGC2之相位較信號SIGA1、SIGB1、SIGC1之相位延遲相位差PD1，且使信號SIGA3、SIGB3、SIGC3之相位較信號SIGA2、SIGB2、SIGC2之相位延遲相位差PD2。此處，可將相位差PD1、PD2設定為例如單元間隔UI之1/3左右。
圖32係表示本變化例之其他通信系統3B之一構成例者。圖33係模式性表示通信系統3B之信號之相位者。通信系統3B具備傳送路140B。於傳送路140B中，線路150A1、150A3、150A2、150B1、150B2、150B3、150C2、150C1、150C3係以該序並列設置。於該例中，如圖33所示般，使信號SIGA3、SIGB3、SIGC3之相位較信號SIGA2、SIGB2、SIGC2之相位延遲相位差PD1，且使信號SIGA1、SIGB1、SIGC1之相位較信號SIGA3、SIGB3、SIGC3之相位延遲相位差PD2。
圖34係表示本變化例之其他通信系統3C之一構成例者。圖35係模式性表示通信系統3C之信號之相位者。通信系統3C具備傳送路140C。於傳送路140C中，線路150A1、150A3、150A2、150B3、150B2、150B1、150C2、150C1、150C3係以該序並列設置。於該例中，如圖35所示般，使信號SIGA3、SIGB3、SIGC3之相位較信號SIGA2、SIGB2、SIGC2之相位延遲相位差PD1，且使信號SIGA1、SIGB1、SIGC1之相位較信號SIGA3、SIGB3、SIGC3之相位延遲相位差PD2。
[變化例3-2]
於上述實施形態中，延遲部51~53將時脈信號TxCK延遲特定 量，但並非限定於此者，亦可調整延遲部51~53之延遲量。以下，對本變化例之通信系統3D詳細進行說明。
圖36係表示本變化例之通信系統3D之一構成例者。通信系統3D具備發送裝置50D、傳送路140、及接收裝置60D。
發送裝置50D具有處理部54D、接收部56D、控制部57D、及延遲部51D~53D。
處理部54D係與處理部12E相同，藉由進行特定之處理，產生轉變信號TxF10~TxF16、TxR10~TxR16、TxP10~TxP16、TxF20~TxF26、TxR20~TxR26、TxP20~TxP26、TxF30~TxF36、TxR30~TxR36、TxP30~TxP36者。處理部54D具有資料產生部55D。資料產生部55D係於校準模式中，產生校準用之資料(轉變信號)者。藉由該構成，處理部54D將於校準模式中，資料產生部55D產生之資料，作為轉變信號TxF10~TxF16、TxR10~TxR16、TxP10~TxP16、TxF20~TxF26、TxR20~TxR26、TxP20~TxP26、TxF30~TxF36、TxR30~TxR36、TxP30~TxP36輸出。
接收部56D係接收自接收裝置60D供給之控制信號CTL，且將包含於該控制信號CTL之比較結果資訊INF(後述)供給至控制部57D者。控制部57D係基於比較結果資訊INF，設定延遲部51D~53D之各者之延遲量者。延遲部51D~53D係使時脈信號TxCK分別延遲與來自控制部57D之指示相應之延遲量者。
接收裝置60D具有處理部64D、及發送部66D。處理部64D係與處理部32E相同，基於轉變信號RxF1、RxR1、RxP1及時脈信號RxCK1、轉變信號RxF2、RxR2、RxP2及時脈信號RxCK2、以及轉變信號RxF3、RxR3、RxP3及時脈信號RxCK3，進行特定之處理者。處理部64D具有資料比較部65D。資料比較部65D係於校準模式中，將轉變信號RxF1、RxR1、RxP1、RxF2、RxR2、RxP2、RxF3、RxR3、 RxP3與特定之資料(轉變信號)比較，藉此產生比較結果資訊INF者。該特定之資料係與資料產生部55D產生之校準用之資料對應者。發送部66D係基於比較結果資訊INF產生控制信號CTL，且將該控制信號CTL相對於發送裝置50D發送者。
於通信系統3D中，於校準模式中，首先，發送裝置50D之資料產生部55D產生校準用之資料(轉變信號)。控制部57D設定延遲部51D~53D之延遲量，且延遲部51D~53D將時脈信號TxCK分別延遲與來自控制部57D之指示相應之延遲量。發送部201基於自延遲部51D供給之時脈信號產生信號SIGA1、SIGB1、SIGC1，發送部202基於自延遲部52D供給之時脈信號產生信號SIGA2、SIGB2、SIGC2，基於自延遲部53D供給之時脈信號產生信號SIGA3、SIGB3、SIGC3。
然後，接收裝置60D之接收部401基於信號SIGA1、SIGB1、SIGC1產生轉變信號RxF1、RxR1、RxP1及時脈信號RxCK1，接收部402基於信號SIGA2、SIGB2、SIGC2產生轉變信號RxF2、RxR2、RxP2及時脈信號RxCK2，接收部403基於信號SIGA3、SIGB3、SIGC3產生轉變信號RxF3、RxR3、RxP3及時脈信號RxCK3。資料比較部65D藉由將轉變信號RxF1、RxR1、RxP1、RxF2、RxR2、RxP2、RxF3、RxR3、RxP3與特定之資料(轉變信號)比較，產生比較結果資訊INF。發送部66D基於比較結果資訊INF產生控制信號CTL，且將該控制信號CTL相對於發送裝置50D發送。
然後，發送裝置50D之接收部56D接收自接收裝置60D供給之控制信號CTL，且將該控制信號CTL所包含之比較結果資訊INF供給至控制部57D。控制部57D使延遲部51D~53D之延遲量依序變化，且依序取得比較結果資訊INF。然後，控制部57D分別取得可正常地進行通信之、延遲部51D~53D之延遲量之範圍。具體而言，例如，著眼於延遲部51D~53D中之2個延遲部，使延遲量之設定自偏斜成為最大 之設定向偏斜成為最小之設定依序變化，藉此取得可正常地進行通信之延遲量之範圍。然後，控制部57D基於如此取得之延遲量之範圍，以動作餘裕成為較大之方式，決定延遲量。具體而言，例如，可基於可正常地進行通信之延遲量之範圍之中心值，決定延遲量。
[變化例3-3]
於上述實施形態中，將相鄰之線路之信號之轉變時序彼此錯開，但並非限定於此者。例如，於即使相鄰之線路之信號之轉變時序大致一致，通信品質亦不下降之情形時，亦可不使轉變時序彼此錯開。
<4.應用例>
接著，對上述實施形態及變化例中說明之通信系統之應用例進行說明。
圖37係表示應用上述實施形態等之通信系統之智慧型電話300(多功能可攜式電話)之外觀者。於該智慧型電話300搭載有各種元件，且於該等之元件間進行資料之交換之通信系統中，應用上述實施形態等之通信系統。
圖38係表示使用於智慧型電話300之應用處理器310之一構成例者。應用處理器310具有CPU(Central Processing Unit：中央處理單元)311、記憶體控制部312、電源控制部313、外部介面314、GPU(Graphics Processing Unit：圖形處理單元)315、媒體處理部316、顯示器控制部317、及MIPI(Mobile Industry Processor Interface：行動產業處理器介面)介面318。CPU311、記憶體控制部312、電源控制部313、外部介面314、GPU315、媒體處理部316、及顯示器控制部317係於該例中，連接於系統匯流排319，且可經由該系統匯流排319，彼此進行資料之交換。
CPU311係按照程式，處理以智慧型電話300處理之各種資訊者。 記憶體控制部312係控制CPU311進行資訊處理時使用之記憶體501者。電源控制部313係控制智慧型電話300之電源者。
外部介面314係用以與外部裝置通信之介面，於該例中，與無線通信部502及影像感測器410連接。無線通信部502係可攜式電話之與基站進行無線通信者，且例如包含基頻部、RF(Radio Frequency：射頻)前端部等而構成。影像感測器410係取得圖像者，且例如包含CMOS感測器而構成。
GPU315係進行圖像處理者。媒體處理部316係處理聲音、或文字、或圖形等資訊者。顯示器控制部317係經由MIPI介面318，控制顯示器504者。MIPI介面318係將圖像信號發送至顯示器504者。作為圖像信號，可使用例如YUV格式或RGB格式等之信號。於該MIPI介面318與顯示器504之間之通信系統，應用例如上述實施形態等之通信系統。
圖39係表示影像感測器410之一構成例者。影像感測器410具有感測部411、ISP(Image Signal Processor：影像信號處理器)412、JPEG(Joint Photographic Experts Group：聯合圖像專家組)編碼器413、CPU414、RAM(Random Access Memory：隨機存取記憶體)415、ROM(Read Only Memory：唯讀記憶體)416、電源控制部417、I2C(Inter-Integrated Circuit：內部積體電路)介面418、及MIPI介面419。該等之各區塊係於該例中，連接於系統匯流排420，且可經由該系統匯流排420，彼此進行資料之交換。
感測部411係取得圖像者，且係例如由CMOS感測器構成者。ISP412係對於感測部411取得之圖像進行特定之處理者。JPEG編碼器413係將ISP412處理之圖像進行編碼而產生JPEG格式之圖像者。CPU414係按照程式而控制影像感測器410之各區塊者。RAM415係於CPU414進行資訊處理時使用之記憶體。ROM416係將於CPU414中執 行之程式進行記憶者。電源控制部417係控制影像感測器410之電源者。I2C介面418係自應用處理器310接收控制信號者。又，雖未圖示，但影像感測器410自應用處理器310，除了控制信號以外亦接收時脈信號。具體而言，影像感測器410係以可基於各種頻率之時脈信號而動作之方式構成。MIPI介面419係將圖像信號發送至應用處理器310者。作為圖像信號，可使用例如YUV格式或RGB格式等之信號。對該MIPI介面419與應用處理器310之間之通信系統，應用例如上述實施形態等之通信系統。
以上，舉出若干之實施形態及變化例、以及對電子機器之應用例而說明本技術，但本技術並非限定於該等之實施形態，可進行各種變化。
例如，於上述之各實施形態中，由帶狀線路構成傳送路，但並非限定於此者，亦可代替此，例如，如圖40、41所示般，藉由微帶狀線路構成傳送路。圖40係表示本變化例之傳送路800之一構成例者，且為與傳送路100(圖11)對應者。傳送路800具有介電層802、導電層803、及線路810A、810B、810C。介電層802及導電層803係積層。而且，線路810A、810B、810C係形成於介電層802之表面。圖41係表示本變化例之其他之傳送路820之一構成例者，且係與傳送路120(圖24)對應者。傳送路820具有線路830A、830B、830C。線路830A、830C係形成於介電層802之表面，且線路830B係形成於介電層802內。
又，例如，於上述各實施形態等中，於將輸出端子ToutA之電壓設定為中位準電壓VM之情形時，將控制信號PU1A~PU5A中之例如2個設為“1”，且將剩餘設為“0”，將控制信號PD1A~PD5A中之例如2個設為“1”，且將剩餘設為“0”，但並非限定於此者。亦可代替其，例如，將控制信號PU1A~PU5A、PD1A~PD5A之全部設為“0”。藉此，於驅動部29A中，5個電晶體91及5個電晶體94成為斷 開狀態，且輸出阻抗成為高阻抗。此時，輸出端子ToutA之電壓係藉由接收部40之電阻元件41A~41C，設定為中位準電壓VM。
另，本技術可設置為如下之構成。
(1)一種傳送路，其具備：第1線路；第2線路，其具有較上述第1線路之特性阻抗高之特性阻抗；及第3線路；且傳送與上述第1線路、上述第2線路、及上述第3線路之信號之組合相應之符號。
(2)如上述(1)之傳送路，其中將上述第1線路、上述第2線路、及上述第3線路彼此於相同之層中按該序配置，且上述第2線路之特性阻抗較上述第3線路之特性阻抗高。
(3)如上述(1)或(2)之傳送路，其中上述第2線路係使用具有較上述第1線路高之電阻率之材料而形成。
(4)如上述(1)至(3)中任一者之傳送路，其中上述第2線路含有較上述第1線路多之雜質。
(5)如上述(1)至(4)中任一者之傳送路，其中上述第2線路之寬度較上述第1線路之寬度窄。
(6)如上述(1)至(5)中任一者之傳送路，其具備：介電層；第1導電層；及第2導電層；且上述第1導電層、上述介電層、及上述第2導電層係按該序積層，且上述第1線路、上述第2線路、及上述第3線路係形成於上述介電層內。
(7)如上述(6)之傳送路，其中上述第1導電層係形成於與上述第1線路對應之區域、及與上述第3線路對應之區域。
(8)如上述(1)至(5)中任一者之傳送路，其具備：介電層；及導電層；且上述導電層及上述介電層係積層，且上述第1線路、上述第2線路、及上述第3線路係形成於上述介電層之、與設有上述導電層之面相反之面。
(9)如上述(6)至(8)中任一者之傳送路，其中上述第2線路之附近之上述介電層之介電常數較上述第1線路之附近之上述介電層之介電常數低。
(10)如上述(1)之傳送路，其具備：介電層；第1導電層；及第2導電層；且上述第1導電層、上述介電層、及上述第2導電層係按該序積層，且上述第1線路、上述第2線路、及上述第3線路係於上述介電層內之彼此不同之層中按該序配置，且上述第2線路之特性阻抗較上述第3線路之特性阻抗高。
(11)一種傳送路，其具備：第1線路，其形成於第1層；第2線路，其形成於第2層；及第3線路，其形成於上述第1層；且傳送與上述第1線路、上述第2線路、及上述第3線路之信號之組合相應之符號。
(12)如上述(11)之傳送路，其中於與各層之積層方向交叉之面中，上述第2線路係配置於上述第1線路及上述第3線路之間。
(13)如上述(12)之傳送路，其進而具備第4線路、第5線路、及第6線路，且上述第5線路係形成於上述第1層，上述第4線路及上述第6線路係形成於上述第2層，上述第1線路係與上述第4線路對向，上述第2線路係與上述第5線路對向，上述第3線路係與上述第6線路對向。
(14)一種傳送路，其具備：第1三合一線路，其包含3條線路，且傳送與信號之組合相應之第1符號；及第2三合一線路，其包含3條線路，且傳送與信號之組合相應之第2符號；且於上述第1三合一線路之3條線路中之2條線路之間，配置有上述第2三合一線路之3條線路中之1條。
(15)如上述(14)之傳送路，其中上述第1三合一線路之3條線路係以彼此不相鄰之方式配置。
(16)如上述(14)或(15)之傳送路，其中上述第1三合一線路傳遞之信號之第1轉變時序係與上述第2三合一線路傳遞之信號之第2轉變時序彼此不同。
(17)一種通信系統，具備：發送裝置；接收裝置；及傳送路，其自上述發送裝置向上述接收裝置傳遞信號，且上述傳送路具有： 第1線路；第2線路，其具有較上述第1線路之特性阻抗高之特性阻抗；及第3線路；且上述傳送路傳送與上述第1線路、上述第2線路、及上述第3線路之信號之組合相應之符號。
(18)一種通信系統，具備：發送裝置；接收裝置；及傳送路，其自上述發送裝置向上述接收裝置傳遞信號；且上述傳送路具有：第1線路，其形成於第1層；第2線路，其形成於第2層；及第3線路，其形成於上述第1層；且上述傳送路傳送與上述第1線路、上述第2線路、及上述第3線路之信號之組合相應之符號。
(19)一種通信系統，具備：發送裝置；接收裝置；及傳送路，其自上述發送裝置向上述接收裝置傳遞信號；且上述傳送路具有：第1三合一線路，其包含3條線路，且傳送與信號之組合相應之第1符號；與第2三合一線路，其包含3條線路，且傳送與信號之組合相應之第2符號；且於上述第1三合一線路之3條線路中之2條線路之間，配置上述第2三合一線路之3條線路中之1條。
(20)如上述(19)之通信系統，其中上述發送裝置具有：第1相位調整部，其調整上述第1三合一線路之3條線路之信號之相位；及第2相位調整部，其調整上述第2三合一線路之3條線路之信號之相位。
(21)如上述(20)之通信系統，其中上述發送裝置進而具有控制部，該控制部發送包含特定之資料模式之信號，且基於上述接收裝置之包含上述特定之資料模式之信號之接收結果，控制上述第1相位調整部及上述第2相位調整部。
本申請案係主張基於在日本國專利局中於2015年5月13日申請之日本專利申請案第2015-97930號之優先權者，且該案之全部內容以引用之方式併入本申請案中。
若為本領域技術人員，則可根據設計需要或其他要因而想到各種修正、組合、次組合及變更；但，應理解為，該等亦包含於添加之申請專利範圍及其均等物之範圍內。
100‧‧‧傳送路
101‧‧‧導電層
102‧‧‧介電層
103‧‧‧導電層
110A‧‧‧線路
110B‧‧‧線路
110C‧‧‧線路
d1‧‧‧距離
d2‧‧‧距離
P‧‧‧間隔
WA‧‧‧寬度
WB‧‧‧寬度
WC‧‧‧寬度

Claims (16)

  1. 一種傳送路，其包含：第1線路；第2線路，其具有較上述第1線路之特性阻抗高之特性阻抗；及第3線路；且傳送與上述第1線路、上述第2線路、及上述第3線路之信號之組合相應之符號。
  2. 如請求項1之傳送路，其中將上述第1線路、上述第2線路、及上述第3線路彼此於相同之層中按該序配置，且上述第2線路之特性阻抗較上述第3線路之特性阻抗高。
  3. 如請求項1之傳送路，其中上述第2線路係使用具有較上述第1線路高之電阻率之材料而形成。
  4. 如請求項1之傳送路，其中上述第2線路含有較上述第1線路多之雜質。
  5. 如請求項1之傳送路，其中上述第2線路之寬度較上述第1線路之寬度窄。
  6. 如請求項1之傳送路，其包含：介電層；第1導電層；及第2導電層；且上述第1導電層、上述介電層、及上述第2導電層係按該序積層，且上述第1線路、上述第2線路、及上述第3線路係形成於上述介電層內。
  7. 如請求項6之傳送路，其中上述第1導電層係形成於與上述第1線路對應之區域、及與上述第3線路對應之區域。
  8. 如請求項1之傳送路，其包含：介電層；及導電層；且上述導電層及上述介電層係積層，且上述第1線路、上述第2線路、及上述第3線路係形成於上述介電層之與設有上述導電層之面相反之面。
  9. 如請求項6之傳送路，其中上述第2線路之附近之上述介電層之介電常數，較上述第1線路之附近之上述介電層之介電常數低。
  10. 如請求項1之傳送路，其包含：介電層；第1導電層；及第2導電層；且上述第1導電層、上述介電層、及上述第2導電層係按該序積層，且上述第1線路、上述第2線路、及上述第3線路，係於上述介電層內之彼此不同之層按該序配置，且上述第2線路之特性阻抗，較上述第3線路之特性阻抗高。
  11. 一種傳送路，其包含：第1線路，其形成於第1層；第2線路，其形成於第2層；及第3線路，其形成於上述第1層；且傳送與上述第1線路、上述第2線路、及上述第3線路之信號之組合相應之符號。
  12. 如請求項11之傳送路，其中於與各層之積層方向交叉之面中，上 述第2線路係配置於上述第1線路及上述第3線路之間。
  13. 如請求項12之傳送路，其進而包含第4線路、第5線路、及第6線路，且上述第5線路係形成於上述第1層，且上述第4線路及上述第6線路係形成於上述第2層，且上述第1線路係與上述第4線路對向，且上述第2線路係與上述第5線路對向，且上述第3線路係與上述第6線路對向。
  14. 一種傳送路，其包含：第1三合一線路，其包含3條線路，且傳送與信號之組合相應之第1符號；及第2三合一線路，其包含3條線路，且傳送與信號之組合相應之第2符號，且於上述第1三合一線路之3條線路中之2條線路之間，配置有上述第2三合一線路之3條線路中之1條。
  15. 如請求項14之傳送路，其中上述第1三合一線路之3條線路，係以彼此不相鄰之方式配置。
  16. 如請求項14之傳送路，其中上述第1三合一線路傳遞之信號之第1轉變時序，係與上述第2三合一線路傳遞之信號之第2轉變時序彼此不同。
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