TW201635478A - 半導體裝置之製造方法 - Google Patents

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Ryoichi Shigematsu
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Renesas Electronics Corp
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Abstract

本發明係提供一種半導體裝置之製造方法，其能夠提高半導體裝置之可靠性，該方法具有在相鄰之2個密封體21之間置入具有與相鄰密封體21之間隔大致同等之寬度的治具25，而從連接於引線框架1之外框2的晶片墊懸吊引線支持部6將晶片墊懸吊引線4予以切斷之步驟。而且，在晶片墊懸吊引線4上形成有缺口5，該缺口5配置於與密封體21之邊21Y交叉之位置，在切斷晶片墊懸吊引線4之步驟中，在缺口5之部分切斷晶片墊懸吊引線4。

Description

半導體裝置之製造方法
本發明係關於一種半導體裝置之製造方法，且係關於一種適用於例如使用引線框架之樹脂密封型半導體裝置之有效的技術。
日本特開平5-315525號公報(專利文獻1)中揭示有下述構造：除了為方便所吸收濕氣中之水分釋放而使封模外周線7處之懸吊引線5保持寬廣寬度以外，又為防止晶片墊懸吊引線5切斷時之應力所導致之樹脂剝離及裂痕產生，而在封模外周線7之外側，在晶片墊懸吊引線5上設置貫通孔6。
又，在專利第2536184號公報(專利文獻2)中揭示有下述技術：除了利用懸吊引線13與引伸形輔助懸吊引線110來維持支持強度以外，又消除懸吊引線13切斷步驟中之樹脂損壞。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本特開平5-315525號公報
[專利文獻2]日本專利第2536184號公報
本申請案發明者研究安裝於SOP(小外型封裝)、SSOP(緊縮外型封裝)等之小型封裝的半導體裝置。此類小型封裝為減少成本，係使用各個半導體裝置形成區域呈行列狀多數配置之引線框架而製造。而 且，為增加引線框架中之半導體裝置之獲取數，在半導體晶片之樹脂密封步驟中使用「穿模方式」。然而，由於使用「穿模方式」係以接近方式配置密封半導體晶片之密封體，故在使複數個密封體單片化時之晶片墊懸吊引線切斷步驟中，無法使用在晶片墊懸吊引線之一面上抵接以沖切母模、在另一面上抵接以沖切刀具而切斷晶片墊懸吊引線之方法。亦即，相鄰之密封體之間不存在可置入沖切刀具及沖切母模兩者的空間。
因此，在本發明者研究之半導體裝置中，在切斷晶片墊懸吊引線之步驟中實施稱為「壓切」之方法。亦即，在晶片墊懸吊引線之一側支持密封體，而從另一側利用沖切刀具(治具)切斷晶片墊懸吊引線之方法。
然而，根據該方法，因晶片墊懸吊引線切斷時之應力會加諸密封體，故可知在晶片墊懸吊引線與密封體之介面的密封體上會產生裂痕，而降低半導體裝置之可靠性。亦即，由本發明者之研究而判明，由於從裂痕部分侵入水分等，從而產生在密封體中之半導體晶片上所形成之配線等腐蝕以致半導體裝置誤動作之問題。
本發明其他問題與新穎的特徵可由本說明書之記述及附圖而明確化。
本發明一實施形態即半導體裝置之製造方法具有：在相鄰之2個密封體之間置入具有與相鄰密封體之間隔大致同等之寬度的治具，而從連接於引線框架之外框的晶片墊懸吊引線支持部將晶片墊懸吊引線予以切斷之步驟。而且，在晶片墊懸吊引線上形成有缺口，該缺口配置於與密封體之邊交叉之位置，在切斷晶片墊懸吊引線之步驟中，在缺口之部分切斷晶片墊懸吊引線。
根據上述本發明一實施形態，能夠提高半導體裝置之可靠性。
1‧‧‧引線框架
1A‧‧‧引線框架
1B‧‧‧引線框架
1C‧‧‧引線框架
2‧‧‧外框
3‧‧‧晶片墊
4‧‧‧晶片墊懸吊引線
4a‧‧‧晶片墊懸吊引線之邊
4b‧‧‧晶片墊懸吊引線之邊
4c‧‧‧主面
4d‧‧‧背面
5‧‧‧缺口
5a‧‧‧缺口
5b‧‧‧缺口
5c‧‧‧溝槽
6‧‧‧晶片墊懸吊引線支持部
7‧‧‧連接條支持部
8‧‧‧引線
9‧‧‧連接條
10‧‧‧半導體晶片
11‧‧‧接合墊
12‧‧‧導線
13‧‧‧懸吊引線
15‧‧‧樹脂密封模具
16‧‧‧柱塞、樹脂填充部
17‧‧‧澆道部
18‧‧‧澆口部
19‧‧‧模腔部
20‧‧‧穿通閘門部
21‧‧‧密封體
21A‧‧‧主面
21B‧‧‧背面
21X‧‧‧密封體之邊
21Y‧‧‧密封體之邊
22‧‧‧澆口部樹脂體
25‧‧‧治具
26‧‧‧支持體、沖切母模(支持台)
F‧‧‧按壓力
S1‧‧‧步驟
S2‧‧‧步驟
S3‧‧‧步驟
S4‧‧‧步驟
S5‧‧‧步驟
S6‧‧‧步驟
S7‧‧‧步驟
UT‧‧‧單位半導體裝置形成區域
W‧‧‧間隔
W1‧‧‧相鄰之密封體之間隔
W2‧‧‧治具之寬度
X‧‧‧X方向
Y‧‧‧Y方向
圖1係顯示一實施形態即半導體裝置之製造步驟的製造流程圖。
圖2係一實施形態之半導體裝置之製造步驟中的平面圖。
圖3係接續圖2之半導體裝置之製造步驟中的平面圖。
圖4係一實施形態之半導體裝置之製造步驟中所使用之樹脂密封模具之平面圖。
圖5係接續圖3之半導體裝置之製造步驟中的平面圖。
圖6係接續圖5之半導體裝置之製造步驟中的平面圖。
圖7係接續圖6之半導體裝置之製造步驟中的平面圖。
圖8係接續圖6之半導體裝置之製造步驟中的剖面圖。
圖9(a)係接續圖7之半導體裝置之製造步驟中的剖面圖；圖9(b)係接續圖7之半導體裝置之製造步驟中的側視圖。
圖10係變化例1之半導體裝置之製造步驟中的平面圖。
圖11(a)係變化例2之半導體裝置之製造步驟中的平面圖；圖11(b)係變化例2之半導體裝置之製造步驟中的剖面圖。
圖12(a)係變化例3之半導體裝置之製造步驟中的平面圖；圖12(b)係變化例3之半導體裝置之製造步驟中的剖面圖。
(本申請案之記載形式‧基本用語‧用法之說明)
本申請案中，實施形態之記載係根據需要且為方便起見而分為複數個章節等記載，但除特別明示並非如此意味之情形以外，該等章節並非為相互獨立的單獨個體，而是與記載之先後無關，包含單一之例的各部分中之一者為另一者之一部分的細節或一部分或全部之變化例等。又，原則上省略對相同之部分的重複說明。另外，實施形態之各構成要件除特別明示並非如此意味之情形、理論上限定其數目之情 形、及根據上下文顯而易知並非如此之情形以外，並非為一定必需之要素。
同樣，實施形態等之記載中，針對材料、組成等，雖記載「X包含A」等，但除特別明示並非如此意味之情形及根據上下文顯而易知並非如此之情形以外，不排除包含除A以外之要件。例如，就成分而言係「包含以A為主要成分之X」等之含義。例如，雖記載「矽構件」等，但並不限定於純粹的矽，當然亦可為包含以SiGe(矽鍺)合金及以其他矽為主要成分之多元合金、及包含其他之添加物等之構件者。又，雖記載鍍金、銅層、鍍鎳等，但除特別明示並非如此意味之情形以外，係除純粹的物質以外亦包含分別以金、銅、鎳等為主要成分之構件者。
進而，提及特定之數值、數目時亦然，除特別明示並非如此意味之情形、理論上限定於該數目之情形、及根據上下文顯而易知並非如此之情形以外，可為超出該特定數值之數值，亦可為未達該特定數值之數值。
另外，在實施形態之各圖中，同一或相同之部分由同一或類似之符號或參照符號標記，原則上不進行重複說明。
另外，在附圖中反而有在圖示變複雜時或在與空隙之區別明確時，即便係剖面亦省略剖面線等之情形。與此關連，有在根據說明等已經明確時等，即便係平面上閉合之孔亦有省略背景輪廓線之情形。進而，存在為了明示既非剖面亦非空隙、或為了明示區域之邊界而附加剖面線或點圖案之情形。
(實施形態) <半導體裝置之製造方法>
使用圖1至圖9說明本實施形態之半導體裝置(半導體積體電路裝置)之製造方法。圖1係顯示本實施形態之半導體裝置之製造步驟的製 造流程圖。圖2至圖9係本實施形態之半導體裝置之製造步驟中的平面圖或剖面圖。在平面圖中，以紙面之橫向方向作為X方向，以縱向方向作為Y方向而進行說明。X方向與Y方向係相互正交之方向。
圖2顯示圖1所示之製造流程圖之「引線框架及半導體晶片之準備」步驟(S1)中的引線框架1之準備步驟。引線框架1在X方向及Y方向上具有呈行列狀配置之複數個單位半導體裝置形成區域UT。例如，單位半導體裝置形成區域UT在X方向上配置36列，在Y方向上配置7行，在引線框架1中配置252個單位元半導體裝置形成區域UT。
圖2中顯示構成1個群組之3個單位半導體裝置形成區域UT。亦即，在引線框架1之X方向上配置12個群組，配置在X方向上之12個群組在Y方向上配置為7行。構成1個群組之3個單位半導體裝置形成區域UT之周圍係由外框2包圍。在相鄰之單位半導體裝置形成區域UT之間，晶片墊懸吊引線支持部6及連接條支持部7係從沿X方向延伸之外框2沿Y方向延伸。
在單位半導體裝置形成區域UT之中心配置有用於搭載後述之半導體晶片的大致四邊形之晶片墊3。晶片墊懸吊引線4分別從晶片墊3之沿Y方向延伸之2個邊沿X方向延伸，晶片墊懸吊引線4連接於從引線框架1之外框2延伸之晶片墊懸吊引線支持部6。晶片墊懸吊引線4從晶片墊3以相同寬度朝晶片墊懸吊引線支持部6延伸，在連接於晶片墊懸吊引線支持部6之部分上具有缺口5。缺口5為大致半圓形，且形成有缺口5之部分(寬度狹窄部)的晶片墊懸吊引線4之寬度較連接於晶片墊3之部分的晶片墊懸吊引線4之寬度為狹窄(小)。又，形成有缺口5之部分的晶片墊懸吊引線4之寬度在晶片墊懸吊引線4之整個區域中最為狹窄(小)。進而，缺口5僅在沿X方向延伸之晶片墊懸吊引線4之2個邊4a及4b中的一邊4a上形成，而未在另一邊4b上形成。在圖2之X方向上2根晶片墊懸吊引線4係從晶片墊3沿相反方向延伸，在兩者之晶片 墊懸吊引線4上設置有上述之缺口5。另外，晶片墊懸吊引線4在X方向上從晶片墊懸吊引線支持部6沿左右延伸。
在Y方向上在晶片墊3之兩側分別配置有複數根引線8，複數根引線8沿Y方向延伸。各引線8之一端係沿晶片墊3之沿X方向延伸之2個邊而配置，另一端係連接於外框2。又，複數根引線8係連接於沿X方向延伸之連接條9，連接條9以其兩端連接於晶片墊懸吊引線支持部6與連接條支持部7。複數根引線8藉由連接條9相互連結，進而，連結於晶片墊懸吊引線支持部6及連接條支持部7。
引線框架由例如富銅之銅系材料或富鐵之鐵系材料形成。
次之，準備圖1所示之製造流程圖之「引線框架及半導體晶片之準備」步驟(S1)中的半導體晶片10。圖3中顯示平面圖，半導體晶片10包含具有大致長方體形狀之矽(Si)基板，在矽基板之大致四邊形的主面上形成有複數個半導體元件、複數個配線、及複數個接合墊11。亦即，在半導體晶片10之主面上形成有複數個半導體元件、複數個配線、及複數個接合墊。接合墊11經由配線而電性連接於半導體元件。
圖3顯示圖1所示之製造流程圖的「晶片接合」步驟(S2)及「打線接合」步驟(S3)。
首先，將半導體晶片10搭載於引線框架1之晶片墊3上，藉由未圖示之接著劑將半導體晶片10接著於晶片墊3。次之，利用導線12連接半導體晶片10之接合墊11與引線8之一端。通常，用1根導線12連接1個接合墊11與1根引線8，亦可使用2根導線12將2個接合墊11與1根引線8連接。可使用銅線或金線作為導線11。
圖4及圖5顯示圖1所示之製造流程圖之「樹脂密封」步驟(S4)。圖4係樹脂密封模具15之平面圖。在樹脂密封模具15上形成有柱塞(樹脂填充部)16、澆道部17、澆口部18、模腔部19、及穿通閘門部20，進而，穿通閘門部20之前連續連接有多個模腔部19及穿通閘門部20。 亦即，澆道部17上連接有串聯連接之複數個模腔部19。而且，1個柱塞16上連接有3行包含與澆道部17串聯連接之複數個模腔部之行。
注入柱塞16之密封樹脂(resin)經由澆道部17及澆口部18注入模腔部19中，進而，經由穿通閘門部20注入下一模腔部19中。而且，密封樹脂相繼地經由穿通閘門部20注入模腔部19中，模腔部注滿密封樹脂。密封樹脂包含例如環氧系樹脂。在X方向上，連通於柱塞16之第2個以後之模腔部19中被注入通過第1個模腔部19之密封樹脂。被注入第2個模腔部19中之密封樹脂經由第1個模腔部19而從柱塞16注入。此類密封樹脂之注入方式稱為「穿模」，其具有能夠增加可配置於樹脂密封模具15中之模腔部19之數目的特徵。換言之，能夠增加可配置於1個引線框架1中之單位半導體裝置形成區域UT之數目。
樹脂密封模具15由上模與下模構成，在上模與下模之間夾入完成「打線接合」步驟(S3)之引線框架1；圖3之半導體晶片10、晶片墊3、導線12、及引線8之一部分位於模腔部19。例如，柱塞在下模中形成，模腔部19在上模與下模之兩者中形成。澆道部17、澆口部18、及穿通閘門部20例如在下模中形成，亦可在上模與下模之兩者中形成。
圖5係已完成「樹脂密封」步驟(S4)之引線框架1之平面圖。密封體21覆蓋半導體晶片10、晶片墊3、晶片墊懸吊引線4、導線12、及引線8之一部分。沿X方向延伸之密封體21之2邊21X、21X較連接條9位於更靠近半導體晶片10側。進而，密封體21覆蓋晶片墊懸吊引線4，沿Y方向延伸之密封體21之2邊21Y、21Y與設置於晶片墊懸吊引線4之缺口5交叉。圖5中顯示有密封體21之外形線，該外形線顯示密封體21在上模與下模之貼合面之外形。換言之，係密封體21接觸之晶片墊懸吊引線4之上表面或下表面之外形。
另外，如圖5所示，在相鄰之密封體21之間或在密封體21之兩側形成有澆口部樹脂體22。澆口部樹脂體22在對應於圖4所示之澆口部 18或穿通閘門部20之位置形成。澆口部樹脂體22之樹脂厚度較模腔部21之樹脂厚度為薄。
圖6顯示圖1所示之製造流程圖之「引線分離」步驟(S5)。如圖6所示，切斷引線8之間、引線8與晶片墊懸吊引線支持部6之間、及引線8與連接條支持部7之間的連接條9。進而，分離引線8與外框2之間。若經過該「引線分離」步驟(S5)，則複數根引線8電性分離。此外，例如在連接條9之切斷中，可在引線框架1之上表面上直接抵接以沖切母模、在引線框架1之下表面上直接抵接以沖切刀具而切斷。
次之，雖未圖示，但實施圖1所示之製造流程圖之「引線成形」步驟(S6)。如圖9所示，以引線8之前端較密封體21之下表面位於更靠近下側之方式而使引線8之從密封體21露出的部分成形為鷗翼型(L字形)。
圖7顯示圖1所示之製造流程圖之「晶片墊懸吊引線切斷」步驟(S7)。在相鄰之密封體21之間放入治具(沖切刀具)25，且藉由按壓引線框架1之晶片墊懸吊引線支持部6而從晶片墊懸吊引線支持部6將晶片墊懸吊引線4予以分離(切斷)。
圖8顯示利用治具25切斷晶片墊懸吊引線4時之剖面圖。密封體21具有主面21A與背面21B。例如，主面21A對應於半導體晶片10之主面側。密封體21之背面21B側配置於支持體即沖切母模(支持台)26之上，藉由從密封體21之主面21A之側利用治具25以按壓力F按壓晶片墊懸吊引線支持部6，而從晶片墊懸吊引線支持部6將晶片墊懸吊引線4予以切斷(分離)。如圖8中所示之方法稱為「壓切」，即：從密封體21之主面側21A置入切斷用之治具25時，在背面側21B不支持晶片墊懸吊引線支持部6，而支持密封體21之背面21B之狀態下，從晶片墊懸吊引線支持部6將晶片墊懸吊引線4予以切斷之方法。
此處，相鄰之密封體21之間隔W1由於需要放入治具25，故需要 較治具25之寬度W2大(W1>W2)。又，亦考量治具25與密封體21之間隙以使用治具25不損傷密封體21之方式來設定密封體21之間隔W1。但，相鄰之密封體21之間隔W1狹窄至無法從密封體21之背面側21B壓抵與治具25相同之治具的程度。亦即，相鄰之密封體21之間隔W1較治具25之寬度W2之2倍為狹窄(小)(W1<2×W2)。
此外，如圖7所示，從晶片墊懸吊引線支持部6將晶片墊懸吊引線4予以切斷時，亦使用治具25從密封體21將澆口部樹脂體22予以切斷。亦即，在圖1所示之製造流程圖之「晶片墊懸吊引線切斷」步驟(S7)中，亦從密封體21除去澆口部樹脂體22。但，兩者亦可在不同之步驟中實施。藉由經過該「晶片墊懸吊引線切斷」步驟(S7)，能夠將半導體裝置單片化。
如圖7及圖8中所說明般，由於晶片墊懸吊引線4上設置有缺口5，故該部分用作為切口發揮作用，能夠在對應於缺口5之部分(寬度狹窄部)從晶片墊懸吊引線支持部6將晶片墊懸吊引線4予以切斷。亦即，能夠用小的應力從晶片墊懸吊引線支持部6將晶片墊懸吊引線4予以分離(切斷)。又，因密封體21之邊21Y與缺口5交叉，故晶片墊懸吊引線4沿邊21Y而被切斷。因此，在平面觀察下，晶片墊懸吊引線4可形成為未從邊21Y突出之構造。換言之，能夠降低晶片墊懸吊引線4之突出量。如此，由於能夠用小的按壓力切斷晶片墊懸吊引線4，故能夠防止密封體21上產生裂痕，而能夠防止(降低)水分朝密封體21內部之侵入，從而能夠提供高可靠性之半導體裝置。
圖9(a)係經單片化之半導體裝置之Y方向上的剖面圖；圖9(b)係X方向上之半導體裝置的側視圖。
如圖9(a)所示，半導體裝置具有半導體晶片10、晶片墊3、複數根引線8、複數根導線12、及密封體21。半導體晶片10由未圖示之接著劑接著在晶片墊3上，在半導體晶片10之主面上形成之複數個接合 墊11由導線12電性連接於引線8。晶片墊3、半導體晶片10、複數根導線12、及複數根引線8由密封體21密封。
圖9(b)所示之晶片墊懸吊引線4在密封體21之側面露出。在露出部，晶片墊懸吊引線4具有大致四邊形。此係意味著晶片墊懸吊引線4之平面形狀並非藉由蝕刻加工而係藉由沖切加工而加工形成。亦即，晶片墊懸吊引線4在厚度方向上具有2個平坦的側面。
<變化例1>
圖10係圖2所示之引線框架之變化例的平面圖。本變化例之引線框架與上述實施形態之引線框架1之缺口5之構造不同，但其他之部分相同，就此相同部分與上述實施形態賦予相同的符號，且省略其說明。圖10中，將變化例1之引線框架之符號標記為「1A」。另外，僅圖示相當於引線框架1A之單位半導體裝置形成區域UT之部分。
如圖10所示，從晶片墊3沿X方向延伸之晶片墊懸吊引線4具有2個邊4a及4b，在晶片墊懸吊引線4與晶片墊懸吊引線支持部6連接之部分上設置有2個缺口5a及5b。2個缺口5a及5b為大致半圓形，在邊4a上設置有缺口5a，而在邊4b上設置有缺口5b。2個缺口5a及5b在Y方向上配置於對應之位置，該部分(寬度狹窄部)之晶片墊懸吊引線4之寬度較連接於晶片墊3之部分的晶片墊懸吊引線4之寬度為狹窄(小)。當然，在X方向上從晶片墊部3延伸之2根晶片墊懸吊引線4上均形成有上述缺口5a及缺口5b。
另外，圖10中顯示密封體21之外形，與上述實施形態相同，沿Y方向延伸之密封體21之2邊21Y、21Y與缺口5a及缺口5b交叉。換言之，密封體21之2邊21Y、21Y與晶片墊懸吊引線4之寬度狹窄部交叉。
由於在晶片墊懸吊引線4之兩邊4a及4b上分別設置有缺口5a及缺口5b，故與上述實施形態相比，能夠用較小的應力切斷晶片墊懸吊引 線4，而能夠防止密封體21上產生裂痕。
<變化例2>
圖11(a)及圖11(b)係顯示圖2所示之引線框架之變化例的平面圖及剖面圖。本變化例之引線框架與上述實施形態之引線框架1之缺口5之構造不同，但其他之部分相同，就此相同部分與上述實施形態賦予相同的符號，且省略其說明。圖11(a)及圖11(b)中，將變化例1之引線框架之符號標記為「1B」。另外，僅圖示相當於引線框架1B之單位半導體裝置形成區域UT之部分。
如圖11(a)及圖11(b)所示，從晶片墊3沿X方向延伸之晶片墊懸吊引線4具有2個邊4a及4b，具有大致半圓形之剖面的溝槽5c在晶片墊懸吊引線4與晶片墊懸吊引線支持部6連接之部分上從邊4a以至邊4b整個均設置。另外，晶片墊懸吊引線4具有主面4c與背面4d，溝槽5c形成於主面4c。在溝槽5c之形成部的晶片墊懸吊引線4之壁厚較連接於晶片墊3之部分的晶片墊懸吊引線4之壁厚為薄(小)。在晶片墊懸吊引線4中，可將連接於晶片墊3之部分稱為「厚壁部」，將溝槽5c之形成部稱為「薄壁部」。當然，在X方向上從晶片墊3延伸之2根晶片墊懸吊引線4上均形成有上述溝槽5c。此外，溝槽5c之剖面構造亦可為V字型或U字型等。
另外，圖11(a)中顯示密封體21之外形，與上述實施形態相同，沿Y方向延伸之密封體21之2邊21Y、21Y與溝槽5c交叉。換言之，密封體21之2邊21Y、21Y與晶片墊懸吊引線4之薄壁部交叉。
由於在晶片墊懸吊引線4與晶片墊懸吊引線支持部6之邊界部分，在晶片墊懸吊引線4上形成有溝槽5c，故能夠用小的應力切斷晶片墊懸吊引線4，而能夠防止密封體21上產生裂痕。
<變化例3>
圖12(a)及圖12(b)係顯示圖2所示之引線框架之變化例的平面圖及 剖面圖。本變化例之引線框架與上述實施形態之引線框架1之缺口5之構造不同，但其他之部分相同，就此相同部分與上述實施形態賦予相同的符號，且省略其說明。圖12中，將變化例1之引線框架之符號標記為「1C」。另外，僅圖示相當於引線框架1C之單位半導體裝置形成區域UT之部分。變化例3之引線框架1C係變化例1與變化例2之組合構造。
如圖12(a)及圖12(b)所示，從晶片墊3沿X方向延伸之晶片墊懸吊引線4具有2個邊4a及4b，在晶片墊懸吊引線4與晶片墊懸吊引線支持部6連接之部分上設置有2個缺口5a及5b。2個缺口5a及5b為大致半圓形，在邊4a上設置有缺口5a，而在邊4b上設置有缺口5b。2個缺口5a及5b在Y方向上配置於對應之位置，該部分(寬度狹窄部)之晶片墊懸吊引線4之寬度較連接於晶片墊3之部分的晶片墊懸吊引線4之寬度為狹窄(小)。進而，具有大致半圓形之剖面的溝槽5c在晶片墊懸吊引線4與晶片墊懸吊引線支持部6連接之部分上從邊4a以至邊4b整個均設置。另外，晶片墊懸吊引線4具有主面4c與背面4d，溝槽5c形成於主面4c。在溝槽5c之形成部，晶片墊懸吊引線4的壁厚較連接於晶片墊3之部分的晶片墊懸吊引線4之壁厚為薄(小)。在晶片墊懸吊引線4中，可將連接於晶片墊3之部分稱為「厚壁部」，將溝槽5c之形成部稱為「薄壁部」。當然，在X方向上從晶片墊3延伸之2根晶片墊懸吊引線4上均形成有上述溝槽5c。此外，溝槽5c之剖面構造亦可為V字型或U字型等。又，溝槽5c與缺口5a及缺口5b配置於對應之位置。
另外，圖12(a)中顯示密封體21之外形，與上述實施形態相同，沿Y方向延伸之密封體21之2個邊21Y、21Y與缺口5a、缺口5b及溝槽5c交叉。換言之，密封體21之2邊21Y、21Y與晶片墊懸吊引線4之寬度狹窄部及薄壁部交叉。也可僅形成缺口5a或缺口5b中之一者。
因在晶片墊懸吊引線4之兩邊4a及4b上分別設置缺口5a及缺口 5b，進而，亦在形成有缺口5a及缺口5b之部分上形成有溝槽5c，故與上述實施形態相比，能夠用較小的應力切斷晶片墊懸吊引線4，而能夠防止密封體21上產生裂痕。
以上，基於實施形態具體地說明了本申請案發明者完成之發明，但本發明並不限定於前述實施形態，應了解可在不脫離本發明要旨之範圍內進行各種變更。
1‧‧‧引線框架
2‧‧‧外框
3‧‧‧晶片墊
4‧‧‧晶片墊懸吊引線
5‧‧‧缺口
6‧‧‧晶片墊懸吊引線支持部
7‧‧‧連接條支持部
10‧‧‧半導體晶片
11‧‧‧接合墊
12‧‧‧導線
21‧‧‧密封體
21Y‧‧‧密封體之邊
22‧‧‧澆口部樹脂體
25‧‧‧治具
X‧‧‧X方向
Y‧‧‧Y方向

Claims (15)

  1. 一種半導體裝置之製造方法，其具有下述步驟：(a)準備引線框架之步驟，該引線框架具有：沿第1方向延伸之外框、沿與前述第1方向正交之第2方向延伸且連接於前述外框之晶片墊懸吊引線支持部、在前述第1方向上從前述晶片墊懸吊引線支持部沿相反方向延伸之第1晶片墊懸吊引線及第2晶片墊懸吊引線、連接於前述第1晶片墊懸吊引線之第1晶片墊、連接於前述第2晶片墊懸吊引線之第2晶片墊、配置於前述第1晶片墊之周圍的複數根第1引線、及配置於前述第2晶片墊之周圍的複數根第2引線；(b)將在主面上具有複數個第1接合墊之第1半導體晶片搭載於前述第1晶片墊上，且將在主面上具有複數個第2接合墊之第2半導體晶片搭載於前述第2晶片墊上之步驟；(c)將前述複數個第1接合墊電性連接於前述複數根第1引線，且將前述複數個第2接合墊電性連接於前述複數根第2引線之步驟；(d)形成覆蓋前述第1半導體晶片、前述第1晶片墊、及前述第1晶片墊懸吊引線之第1密封體與覆蓋前述第2半導體晶片、前述第2晶片墊、及前述第2晶片墊懸吊引線之第2密封體之步驟；及(e)利用治具按壓位於前述第1密封體與前述第2密封體之間之前述晶片墊懸吊引線支持部，而從前述晶片墊懸吊引線支持部分離前述第1晶片墊懸吊引線及前述第2晶片墊懸吊引線之步驟；且前述第1密封體在平面觀察下外形為大致四邊形，且具有沿前述第2方向延伸之第1邊； 前述第2密封體在平面觀察下外形為大致四邊形，且具有沿前述第2方向延伸之第2邊；前述第1晶片墊懸吊引線具有第1寬度狹窄部，且前述第1密封體之前述第1邊與前述第1寬度狹窄部交叉；前述第2晶片墊懸吊引線具有第2寬度狹窄部，且前述第2密封體之前述第2邊與前述第2寬度狹窄部交叉。
  2. 如請求項1之半導體裝置之製造方法，其中前述第1方向之前述治具之寬度較前述第1密封體與前述第2密封體間之間隔為狹窄。
  3. 如請求項2之半導體裝置之製造方法，其中前述第1密封體與前述第2密封體間之間隔較前述第1方向之前述治具之寬度之2倍為狹窄。
  4. 如請求項1之半導體裝置之製造方法，其中前述第1寬度狹窄部之寬度較位於較前述第1寬度狹窄部更靠近前述第1晶片墊之位置的前述第1晶片墊懸吊引線之前述第2方向之寬度為狹窄。
  5. 如請求項1之半導體裝置之製造方法，其中前述第1晶片墊懸吊引線具有沿前述第1方向延伸之第3邊及第4邊，且在前述第1寬度狹窄部，在前述第3邊上形成有第1缺口。
  6. 如請求項5之半導體裝置之製造方法，其中在前述第1寬度狹窄部，在前述第4邊上形成有第2缺口。
  7. 如請求項1之半導體裝置之製造方法，其中前述步驟(d)具有下述步驟：(d-1)準備模具之步驟，該模具具有：柱塞、連通於前述柱塞之第1模腔部、及經由前述第1模腔部而連通於前述柱塞之第2模腔部；(d-2)在前述第1模腔部中配置前述第1半導體晶片及在前述第2 模腔部中配置前述第2半導體晶片之步驟；及(d-3)將密封樹脂注入前述柱塞，且以前述密封樹脂順次注滿前述第1模腔部及前述第2模腔部之步驟。
  8. 如請求項1之半導體裝置之製造方法，其中前述第1晶片墊懸吊引線在厚度方向上具有平坦的側面。
  9. 一種半導體裝置之製造方法，其具有下述步驟：(a)準備引線框架之步驟，該引線框架具有：沿第1方向延伸之外框、沿與前述第1方向正交之第2方向延伸且連接於前述外框之晶片墊懸吊引線支持部、在前述第1方向上從前述晶片墊懸吊引線支持部沿相反方向延伸之第1晶片墊懸吊引線及第2晶片墊懸吊引線、連接於前述第1晶片墊懸吊引線之第1晶片墊、連接於前述第2晶片墊懸吊引線之第2晶片墊、配置於前述第1晶片墊之周圍的複數根第1引線、及配置於前述第2晶片墊之周圍的複數根第2引線；(b)將在主面上具有複數個第1接合墊之第1半導體晶片搭載於前述第1晶片墊上，且將在主面上具有複數個第2接合墊之第2半導體晶片搭載於前述第2晶片墊上之步驟；(c)將前述複數個第1接合墊電性連接於前述複數根第1引線，且將前述複數個第2接合墊電性連接於前述複數根第2引線之步驟；(d)形成覆蓋前述第1半導體晶片、前述第1晶片墊、及前述第1晶片墊懸吊引線之第1密封體與覆蓋前述第2半導體晶片、前述第2晶片墊、及前述第2晶片墊懸吊引線之第2密封體之步驟；及(e)利用治具按壓位於前述第1密封體與前述第2密封體之間之前述晶片墊懸吊引線支持部，而從前述晶片墊懸吊引線支持部分離前述第1晶片墊懸吊引線及前述第2晶片墊懸吊引線之步 驟；且前述第1密封體在平面觀察下外形為大致四邊形，且具有沿前述第2方向延伸之第1邊；前述第2密封體在平面觀察下外形為大致四邊形，且具有沿前述第2方向延伸之第2邊；前述第1晶片墊懸吊引線具有第1薄壁部，且前述第1密封體之前述第1邊與前述第1薄壁部交叉；前述第2晶片墊懸吊引線具有第2薄壁部，且前述第2密封體之前述第2邊與前述第2薄壁部交叉。
  10. 如請求項9之半導體裝置之製造方法，其中前述第1薄壁部之厚度較位於較前述第1薄壁部更靠近前述第1晶片墊之位置的前述第1晶片墊懸吊引線之厚度為小。
  11. 如請求項10之半導體裝置之製造方法，其中在前述第1薄壁部，前述第1方向之前述第1晶片墊懸吊引線之剖面具有V字型之溝槽。
  12. 如請求項10之半導體裝置之製造方法，其中在前述第1薄壁部，前述第1方向之前述第1晶片墊懸吊引線之剖面具有半圓形之溝槽。
  13. 如請求項9之半導體裝置之製造方法，其中前述第1晶片墊懸吊引線在平面觀察下具有沿前述第1方向延伸之第3邊及第4邊，且在前述第1薄壁部，在前述第3邊上形成有第1缺口。
  14. 如請求項13之半導體裝置之製造方法，其中在前述第1薄壁部，在前述第4邊上形成有第2缺口。
  15. 如請求項9之半導體裝置之製造方法，其中，前述步驟(d)具有下述步驟：(d-1)準備模具之步驟，該模具具有：柱塞、連通於前述柱塞 之第1模腔部、及經由前述第1模腔部而連通於前述柱塞之第2模腔部；(d-2)在前述第1模腔部中配置前述第1半導體晶片及在前述第2模腔部中配置前述第2半導體晶片之步驟；及(d-3)將密封樹脂注入前述柱塞，且以前述密封樹脂順次注滿前述第1模腔部及前述第2模腔部之步驟。
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