JPS5890751A - リ−ドフレ−ムの製法 - Google Patents
リ−ドフレ−ムの製法Info
- Publication number
- JPS5890751A JPS5890751A JP57198960A JP19896082A JPS5890751A JP S5890751 A JPS5890751 A JP S5890751A JP 57198960 A JP57198960 A JP 57198960A JP 19896082 A JP19896082 A JP 19896082A JP S5890751 A JPS5890751 A JP S5890751A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- tab
- metal plate
- frame
- mold
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/40—Leadframes
- H10W70/421—Shapes or dispositions
- H10W70/424—Cross-sectional shapes
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、レジンモールド型半導体装置に用いられるリ
ードフレームの製法に関するものである。
ードフレームの製法に関するものである。
一般に半導体集積回路装置用リードフレームとして、半
導体素子を取り付けるタブリードを有するリードフレー
ムが広く用いられている。この種のリードフレームを用
いてレジンモールド型半導体装置を製造する場合、素子
をタブリードに取り付け、これをモールドしたあと、第
１図に示すように外観形状をよくするためタブリード１
をモールド部２から突出させないようにしてリードフレ
ーム外枠から切り離す、いわゆるピンチオフと称する工
程が行なわれている。この場合先端を鋭利番こした三角
形断面の一対の三角刃３をタブリード番ミクいこませて
タブリードをリードフレームから切断分離している。
導体素子を取り付けるタブリードを有するリードフレー
ムが広く用いられている。この種のリードフレームを用
いてレジンモールド型半導体装置を製造する場合、素子
をタブリードに取り付け、これをモールドしたあと、第
１図に示すように外観形状をよくするためタブリード１
をモールド部２から突出させないようにしてリードフレ
ーム外枠から切り離す、いわゆるピンチオフと称する工
程が行なわれている。この場合先端を鋭利番こした三角
形断面の一対の三角刃３をタブリード番ミクいこませて
タブリードをリードフレームから切断分離している。
しかし、このようにして切断する場合、前記三角刃の先
端は鋭利なため、すぐ摩耗してしまい、長時間の使用に
耐えられないものである。
端は鋭利なため、すぐ摩耗してしまい、長時間の使用に
耐えられないものである。
マタ、三角刃に位置ずれを生じると、モールド部に刃力
弓１つ掛かり、モールド部を破損させ耐湿性を低下させ
ることもある。
弓１つ掛かり、モールド部を破損させ耐湿性を低下させ
ることもある。
さらに、モールド外縁から離れた位置で切り込みを入れ
るとタブリードの切れ残二〇が生じ外観が損われる。こ
のようにビンチオ７エ程は多くの問題を有する作業であ
った。
るとタブリードの切れ残二〇が生じ外観が損われる。こ
のようにビンチオ７エ程は多くの問題を有する作業であ
った。
したがって、本発明は上記の問題を解決するためになさ
れたもので、その目的はビンチオ７エ程を廃止するため
のり−ｌ″７レームの製法を提供することにある。
れたもので、その目的はビンチオ７エ程を廃止するため
のり−ｌ″７レームの製法を提供することにある。
また、本発明の他の目的は半導体装置の外観不良を防止
するためのリードフレームの製法を提供することにある
。
するためのリードフレームの製法を提供することにある
。
さらにまた、本発明の他の目的は、モールドレジン部
のリードフレームの製法を提供することにある。
このような目的を′達成するために本発明は、薄い平担
な金属板を用意し、その金属板の半導体素子を取り付け
るタブ部を含むタブリード、グムリード、連繋部ならび
に他のリード部を形成するべき部分においては前記金属
板両面を前記金属板の腐食液で浸されない物質で被覆し
、前記タブリードの一部に溝を形成すべき部分において
は上記金属板の片面のみを上記物質で被覆して腐食処理
することを特徴とするものである。以下図面により本発
明の詳細な説明する。
な金属板を用意し、その金属板の半導体素子を取り付け
るタブ部を含むタブリード、グムリード、連繋部ならび
に他のリード部を形成するべき部分においては前記金属
板両面を前記金属板の腐食液で浸されない物質で被覆し
、前記タブリードの一部に溝を形成すべき部分において
は上記金属板の片面のみを上記物質で被覆して腐食処理
することを特徴とするものである。以下図面により本発
明の詳細な説明する。
第２図は、本発明を実施して得られたり一１′フレーム
のユニットの一実施例を示す。同図において、リードフ
レーム４は帯状の薄い（例えば厚さ０．２５ｍｍ）平担
なリン青銅板をエツチングにより所望の形状に形成した
もので枠状となっている。
のユニットの一実施例を示す。同図において、リードフ
レーム４は帯状の薄い（例えば厚さ０．２５ｍｍ）平担
なリン青銅板をエツチングにより所望の形状に形成した
もので枠状となっている。
そして、この枠の中央には横方向に伸びる細いタブリー
ド１が形成され、このタブリード１の中央部には半導体
素子５を取り付ける矩形のタブ部６が形成されている。
ド１が形成され、このタブリード１の中央部には半導体
素子５を取り付ける矩形のタブ部６が形成されている。
また、前記タブリード１に平行に細長のダムリード７が
形成され、タブリード１およびダムリード７の両端はそ
れぞれ縦枠８に一体的に連繋されている。さらに、これ
らダムリード７と上枠９あるいは下枠１０との開に亘っ
て外部リード１１がほぼ等間隔に７本設けられている。
形成され、タブリード１およびダムリード７の両端はそ
れぞれ縦枠８に一体的に連繋されている。さらに、これ
らダムリード７と上枠９あるいは下枠１０との開に亘っ
て外部リード１１がほぼ等間隔に７本設けられている。
一方、前記外部リード１１が一体的に連繋されているダ
ムリード７から前記タブ部６に向かってほぼ放射状に伸
びるようにそれぞれ内部リード１２が形成される。また
、これら内部リード１２の各先端部は他の内部リード１
２あるいはタブリード１およびタブ部４とは接しないよ
うに形成されでいる。
ムリード７から前記タブ部６に向かってほぼ放射状に伸
びるようにそれぞれ内部リード１２が形成される。また
、これら内部リード１２の各先端部は他の内部リード１
２あるいはタブリード１およびタブ部４とは接しないよ
うに形成されでいる。
さらに、前記タブリード１の両端部における一表面【こ
は縦枠８に平行に溝１３が第２図で示すように形成され
ている。この溝１３は、前記リン青銅板をエツチングし
て所望形状のリードフレームを形成するとき同時に、ま
たはリードフレームを形成したあと、新たに片面のみエ
ツチングして形成する。前者の場合は、薄い平担な金属
板を用意し、その金属板の前記タブ部６を含むタブリー
ド１、ダムリード７．縦枠８と上枠９および下枠１０と
からなる連繋部ならびに外部リード１１．内部リード１
２を形成すべ外部分は、前記金属板の腐食液で浸されな
い物質′で両面を被覆し、前記タブリードの溝１３を形
成すべき部分の金属板表面は片面のみを前記物質で被覆
し、さらにその他の部分の金属板表面は露出させた状態
で、上記金属板を腐食液に浸漬することにより溝１３を
有する所望形状のリードフレームを形成することができ
る。また、後者の場合は、前記のタブリード１゜ダムリ
ード７、連繋部ならびに外部リード１１゜内部リード１
２を形成すべき部分の金属板表面の両面を前記物質で被
覆し、その他の部分の金属板表面は露出させた状態で、
上記金属板を腐食液に浸漬して所望形状のリードフレー
ムを形成したあとさらに、このリードフレームの前記溝
１３を形成すべき部分のタブリードの一表面を除く全表
面を前記腐食液に浸されない物質で被覆した状態で、前
記リードフレームを腐食液に浸漬することにより溝１１
を形成することができる。このようにして形成する溝部
の深さはリードフレームの板厚の半分程度に形成するこ
とが望ましい。
は縦枠８に平行に溝１３が第２図で示すように形成され
ている。この溝１３は、前記リン青銅板をエツチングし
て所望形状のリードフレームを形成するとき同時に、ま
たはリードフレームを形成したあと、新たに片面のみエ
ツチングして形成する。前者の場合は、薄い平担な金属
板を用意し、その金属板の前記タブ部６を含むタブリー
ド１、ダムリード７．縦枠８と上枠９および下枠１０と
からなる連繋部ならびに外部リード１１．内部リード１
２を形成すべ外部分は、前記金属板の腐食液で浸されな
い物質′で両面を被覆し、前記タブリードの溝１３を形
成すべき部分の金属板表面は片面のみを前記物質で被覆
し、さらにその他の部分の金属板表面は露出させた状態
で、上記金属板を腐食液に浸漬することにより溝１３を
有する所望形状のリードフレームを形成することができ
る。また、後者の場合は、前記のタブリード１゜ダムリ
ード７、連繋部ならびに外部リード１１゜内部リード１
２を形成すべき部分の金属板表面の両面を前記物質で被
覆し、その他の部分の金属板表面は露出させた状態で、
上記金属板を腐食液に浸漬して所望形状のリードフレー
ムを形成したあとさらに、このリードフレームの前記溝
１３を形成すべき部分のタブリードの一表面を除く全表
面を前記腐食液に浸されない物質で被覆した状態で、前
記リードフレームを腐食液に浸漬することにより溝１１
を形成することができる。このようにして形成する溝部
の深さはリードフレームの板厚の半分程度に形成するこ
とが望ましい。
このようにして形成されたリードフレームのタブ部６に
半導体素子を金−シリコン共晶等の接着技術によって取
り付け、半導体素子の電極と内部リード１２とをワイヤ
ボンディング技術により金またはアルミニウム等の金属
細線で接続する。
半導体素子を金−シリコン共晶等の接着技術によって取
り付け、半導体素子の電極と内部リード１２とをワイヤ
ボンディング技術により金またはアルミニウム等の金属
細線で接続する。
次に、このようにリードフレームに組立てられた半導体
素子を保護するために、第２図および第３図の鎖線で示
すように、前記溝の部分までレジンでモールドする。す
なわち、タブリード１については前記溝１３にモールド
レジン部２の外縁が沿うようにモールドする。
素子を保護するために、第２図および第３図の鎖線で示
すように、前記溝の部分までレジンでモールドする。す
なわち、タブリード１については前記溝１３にモールド
レジン部２の外縁が沿うようにモールドする。
次に、モールドされたり一ド７レームから半導体装置を
完成品としてとり出すために、タブリード１を曲記溝の
部分で縦枠８からせん断すると同時に、ダムリード７の
不要部を切断する。この作業は第４図に示すような上型
１４と下型１５とからなる一対の切断型を使用しておこ
なうことができる。下型１３には半導体装置のモールド
レジン部２を収容するような四部が形成されている。こ
の四部にモールドレジン部２が入るように、かつ上枠９
および下枠１０を、スプリング１６を介して下型に支持
された平担な金属板１７に密着させるようにしてモール
ドの終了したリードフレームを下型にのせる。このよう
にして前記リードフレームを下型にのせたあと、上型を
下降させる。上枠７および下枠８は下型の前記金属板１
７と上型。
完成品としてとり出すために、タブリード１を曲記溝の
部分で縦枠８からせん断すると同時に、ダムリード７の
不要部を切断する。この作業は第４図に示すような上型
１４と下型１５とからなる一対の切断型を使用しておこ
なうことができる。下型１３には半導体装置のモールド
レジン部２を収容するような四部が形成されている。こ
の四部にモールドレジン部２が入るように、かつ上枠９
および下枠１０を、スプリング１６を介して下型に支持
された平担な金属板１７に密着させるようにしてモール
ドの終了したリードフレームを下型にのせる。このよう
にして前記リードフレームを下型にのせたあと、上型を
下降させる。上枠７および下枠８は下型の前記金属板１
７と上型。
【ごスプリングを介して支持されている押え板１８とに
よりクランプされ、さらに上型を下降させると、ダムリ
ード７の不要部が上型と下型とに設けられた一対の切断
刃１９により切断されると同時に、タブリード１は上型
に設けられた切断刃２０により溝部１８のところで加圧
されるために、顔部において縦枠８からせん断分離され
る。
よりクランプされ、さらに上型を下降させると、ダムリ
ード７の不要部が上型と下型とに設けられた一対の切断
刃１９により切断されると同時に、タブリード１は上型
に設けられた切断刃２０により溝部１８のところで加圧
されるために、顔部において縦枠８からせん断分離され
る。
以上のように本発明によれば、従来のように先・端の鋭
利な三角刃を使用したピンチオフによる切断をなくする
ことができるので、三角刃の摩耗による作業能率の低下
を防ぐことかで外、特に大量に切断処理するさいに作業
能率が者しく改善されるという効果が得られる。また、
タブリードは、予めモールドレジン部外縁に沿うように
形成した溝部のところでせん断されることになるので、
モールドレノ２部に切断刃が引っ掛かり、モールドレノ
ン部を破損させ耐湿性を低下させることも防止でとるの
で、完成品歩留が著しく向上する。また、タブリードの
切れ残りもなくなり、外観が損われるということもなく
なる。
利な三角刃を使用したピンチオフによる切断をなくする
ことができるので、三角刃の摩耗による作業能率の低下
を防ぐことかで外、特に大量に切断処理するさいに作業
能率が者しく改善されるという効果が得られる。また、
タブリードは、予めモールドレジン部外縁に沿うように
形成した溝部のところでせん断されることになるので、
モールドレノ２部に切断刃が引っ掛かり、モールドレノ
ン部を破損させ耐湿性を低下させることも防止でとるの
で、完成品歩留が著しく向上する。また、タブリードの
切れ残りもなくなり、外観が損われるということもなく
なる。
なお、ダムリードの不要部が切断され、タブ）ノルドが
縦枠６からせん断された時点では、半導体装置は上梓お
よび下枠で支持されているので、次に別の切断成形型を
使用して上梓および下枠を切断すると同時に外部リード
１１を所定部分より折曲げて、完成された半導体装置と
してとり出すことができる。
縦枠６からせん断された時点では、半導体装置は上梓お
よび下枠で支持されているので、次に別の切断成形型を
使用して上梓および下枠を切断すると同時に外部リード
１１を所定部分より折曲げて、完成された半導体装置と
してとり出すことができる。
第１図は従来のタブリードの切断を示す断面図。
第２図は本発明によるリードフレームの一実施例を示す
平面図、第３図は第２図Ａ−Ａ’線に沿う断面を示す断
面図、第４図は本発明によるタブリードのせん断および
ダムリードの不要部切断の一実施例を示す断面図である
。 １−一一一タブリード、２−−−−モールドレジン部。 ３−−−−三角刃、４−−−−リードフレーム、５−−
−一半導体素子、６−−−−タブ部、７−−−−ダムリ
ード、８−−−一縦枠 ｇ−−−一上枠、１ｏ−−−−
下枠、１１−−−−外部リード、１２−−−一内部す−
ド、１３−−−−溝。 １４−−−一切断型（上型）、１５−−−一切断型（下
型）。 １６−−−−スプリング、１７−−−−金属板、１８−
−−−押え板、１９−−−一切断刀、２０−−−−切断
刃。 ８ 第 １ 図 第 ３ 図 第 ４ 図 ／２
平面図、第３図は第２図Ａ−Ａ’線に沿う断面を示す断
面図、第４図は本発明によるタブリードのせん断および
ダムリードの不要部切断の一実施例を示す断面図である
。 １−一一一タブリード、２−−−−モールドレジン部。 ３−−−−三角刃、４−−−−リードフレーム、５−−
−一半導体素子、６−−−−タブ部、７−−−−ダムリ
ード、８−−−一縦枠 ｇ−−−一上枠、１ｏ−−−−
下枠、１１−−−−外部リード、１２−−−一内部す−
ド、１３−−−−溝。 １４−−−一切断型（上型）、１５−−−一切断型（下
型）。 １６−−−−スプリング、１７−−−−金属板、１８−
−−−押え板、１９−−−一切断刀、２０−−−−切断
刃。 ８ 第 １ 図 第 ３ 図 第 ４ 図 ／２
Claims (1)
- 薄い平担な金属板を用意し、その金属板の半導体素子を
取１）付けるタブ部を含むタブリード、ダムリード、連
細部ならびに他のリード部を形成するべき部分において
は前記金属板両面を前記金属板の腐食液で浸されない物
質で被覆し、前記タブリードの一部に溝を形成すべき部
分においては上記金属板の片面のみを上記物質で被覆し
て腐食処理することを特徴とするリードフレームの製法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57198960A JPS5890751A (ja) | 1982-11-15 | 1982-11-15 | リ−ドフレ−ムの製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57198960A JPS5890751A (ja) | 1982-11-15 | 1982-11-15 | リ−ドフレ−ムの製法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50058587A Division JPS51134569A (en) | 1975-05-19 | 1975-05-19 | Semiconductor unit manufacturing process, lead frame used in the semi- conductor and its manufacturing process |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5890751A true JPS5890751A (ja) | 1983-05-30 |
Family
ID=16399793
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57198960A Pending JPS5890751A (ja) | 1982-11-15 | 1982-11-15 | リ−ドフレ−ムの製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5890751A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS591290U (ja) * | 1982-06-24 | 1984-01-06 | オンキヨー株式会社 | マイクロホン付ヘツドホ−ン |
| EP1517371A3 (en) * | 1996-03-07 | 2006-07-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd | Electronic component, method for making the same, and lead frame and mold assembly for use therein |
| JP2016127067A (ja) * | 2014-12-26 | 2016-07-11 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5034476A (ja) * | 1973-07-30 | 1975-04-02 | ||
| JPS5037362A (ja) * | 1973-08-06 | 1975-04-08 |
-
1982
- 1982-11-15 JP JP57198960A patent/JPS5890751A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5034476A (ja) * | 1973-07-30 | 1975-04-02 | ||
| JPS5037362A (ja) * | 1973-08-06 | 1975-04-08 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS591290U (ja) * | 1982-06-24 | 1984-01-06 | オンキヨー株式会社 | マイクロホン付ヘツドホ−ン |
| EP1517371A3 (en) * | 1996-03-07 | 2006-07-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd | Electronic component, method for making the same, and lead frame and mold assembly for use therein |
| JP2016127067A (ja) * | 2014-12-26 | 2016-07-11 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
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