TW201631070A - 塗布型含矽膜形成用組成物、基板及圖案形成方法 - Google Patents

塗布型含矽膜形成用組成物、基板及圖案形成方法 Download PDF

Info

Publication number
TW201631070A
TW201631070A TW104132315A TW104132315A TW201631070A TW 201631070 A TW201631070 A TW 201631070A TW 104132315 A TW104132315 A TW 104132315A TW 104132315 A TW104132315 A TW 104132315A TW 201631070 A TW201631070 A TW 201631070A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
film
ruthenium
forming
containing film
group
Prior art date
Application number
TW104132315A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI583751B (zh
Inventor
橘誠一郎
種田義則
菊地里枝
荻原勤
Original Assignee
信越化學工業股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 信越化學工業股份有限公司 filed Critical 信越化學工業股份有限公司
Publication of TW201631070A publication Critical patent/TW201631070A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI583751B publication Critical patent/TWI583751B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/11—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having cover layers or intermediate layers, e.g. subbing layers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/48—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule in which at least two but not all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D183/00—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C09D183/10—Block or graft copolymers containing polysiloxane sequences
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/075—Silicon-containing compounds
    • G03F7/0752—Silicon-containing compounds in non photosensitive layers or as additives, e.g. for dry lithography
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02126—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02205—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition
    • H01L21/02208—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si
    • H01L21/02211—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound being a silane, e.g. disilane, methylsilane or chlorosilane
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02205—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition
    • H01L21/02208—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si
    • H01L21/02214—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound comprising silicon and oxygen
    • H01L21/02216—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound comprising silicon and oxygen the compound being a molecule comprising at least one silicon-oxygen bond and the compound having hydrogen or an organic group attached to the silicon or oxygen, e.g. a siloxane
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02282—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process liquid deposition, e.g. spin-coating, sol-gel techniques, spray coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
    • H01L21/0332—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their composition, e.g. multilayer masks, materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/308—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks
    • H01L21/3081—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks characterised by their composition, e.g. multilayer masks, materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31105—Etching inorganic layers
    • H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31144—Etching the insulating layers by chemical or physical means using masks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
    • H01L21/32139—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer using masks

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Architecture (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Paints Or Removers (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

本發明提供一種塗佈型含矽膜形成用組成物，其微細圖案密合性優異，能利用不損傷半導體基板或於圖案化步驟為必要的塗佈型有機膜或將碳作為主成分之CVD膜的剝離液而輕易地進行濕蝕刻。 一種塗佈型含矽膜形成用組成物，其特徵為：具有下列通式(1)表示之將矽酸作為骨架之結構中之1種以上、及下列通式(2)表示之將矽作為骨架之結構中之1種以上，且包括下列通式(2)表示之單位彼此之連結。 【化1】□【化2】□

Description

塗布型含矽膜形成用組成物、基板及圖案形成方法
本發明係關於能在半導體元件等製造步驟使用之塗佈型含矽膜形成用組成物、以該組成物形成了膜之基板、及使用前述組成物之圖案形成方法。
作為光阻圖案形成時使用之曝光光，1980年代廣泛使用將水銀燈之g射線(436nm)或i射線(365nm)作為光源的光曝光。就進一步微細化的方法，採用短曝光波長為有效方法，在1990年代之64M位元(加工尺寸0.25μm以下)DRAM(動態隨機存取記憶體)以後的量產處理，係利用短波長的KrF準分子雷射(248nm)代替i射線(365nm)作為曝光光源。
但是在製造須要更微細的加工技術(加工尺寸0.2μm以下)的密集度256M及1G以上的DRAM時，須要更短波長的光源，約莫10年前起開始已認真探討使用氟化氬準分子雷射(193nm)的光微影。起初氟化氬微影應從180nm節點的元件製作開始適用，但氟化氪準分子微影延用到130nm節點裝置量產，氟化氬微影的正式適用是自90nm節點開始。
再者，已進行和NA高達0.9的透鏡組合而量產65nm節點元件。在下一45nm節點元件，曝光波長的短波長化更為推進，候選者有波長157nm之F2 微影。但是投影透鏡大量使用昂貴的CaF2 單晶會導致曝光掃描機的成本升高、軟式防護膠片的耐久性極低而要導入硬式防護膠膜，因而伴隨伴光學系的變更，光阻膜之蝕刻耐性降低等各種問題，因而中止F2 微影的開發，並導入氟化氬浸潤微影。此氟化氬浸潤微影，係在投影透鏡與晶圓之間以部分填滿的方式插入折射率1.44的水。藉此能高速掃描，進而藉由使用NA1.3級的透鏡，能量產45nm節點元件。
作為之後的微細加工技術即32nm節點的微影技術，可列舉波長13.5nm之真空紫外光(EUV)微影技術為候選者。此技術的問題可列舉雷射之高輸出化、光阻膜之高感度化、高解像度化、低線邊緣粗糙度(LER)化、無缺陷MoSi疊層遮罩、反射鏡之低色差化等，現狀待克服的問題堆積如山。作為32nm節點的另一候選者已進行開發的高折射率浸潤微影，因為高折射率透鏡候選者LUAG的透射率低、液體折射率未達目標之1.8因而已中止了開發。如上，作為泛用技術使用的光曝光，已逐漸逼近來自光源波長的固有解像度的極限。
而為了獲得超越現有氟化氬浸潤曝光技術之極限解像度之加工尺寸的微細加工技術的開發正在加速。作為其中一技術，有人提出雙重圖案化技術。此雙重圖案化技術之一，有人提出例如：(1)以第1曝光與顯影形成線與間距為1：3之間隔之第1光阻圖案，以乾蝕刻形成下層硬遮罩，於其上再鋪設1層硬遮罩，而在第1曝光獲得之間距部分以光阻膜之第2曝光與顯影形成第2線圖案，然後將硬遮罩以乾蝕刻加工，而交替形成第1圖案與第2圖案之方法。藉此，能以曝光圖案的一半節距形成線與間距圖案。
又，有人提出：(2)以第1曝光與顯影形成線與間距為3：1之間隔之第1光阻圖案，以乾蝕刻形成下層硬遮罩，於其上塗佈光阻膜，並於殘留硬遮罩的部分利用第2曝光形成圖案，以此作為遮罩而將硬遮罩以乾蝕刻加工之方法。均是以2次乾蝕刻將硬遮罩予以加工，而能形成曝光圖案之一半節距的圖案。(1)之方法中，須形成2次硬遮罩，(2)的方法雖只要形成1次硬遮罩，但須形成比起線圖案更難解像的溝圖案。
作為其他方法，有人提出：(3)使用正型光阻膜，使用偶極照明形成X方向的線圖案，使光阻圖案硬化，於其上再一次塗佈光阻材料，以偶極照明將Y方向的線圖案曝光，並利用格子狀線圖案的間隙形成孔圖案之方法 (非專利文獻1)。再者，也有人提出：將光阻圖案、已圖案轉印之有機硬遮罩或多晶矽膜等作為核圖案，在其周圍以低溫形成矽氧化膜後，以乾蝕刻等去除核圖案的間隔件技術，而以1次圖案曝光使節距成為一半的方法。
如此，僅以上層光阻難以微細化，若不利用在光阻下層形成的硬遮罩，則無法成立微細化處理。在如此的狀況下，作為利用硬遮罩作為光阻下層膜的一方法，有多層光阻法。此方法，係使和光阻膜，亦即和上層光阻膜的蝕刻選擇性不同的中間膜，例如含矽光阻下層膜介隔在上層光阻膜與被加工基板之間，於上層光阻膜獲得圖案後，將上層光阻圖案作為乾蝕刻遮罩，利用乾蝕刻於光阻下層膜轉印圖案，再以光阻下層膜作為乾蝕刻遮罩，利用乾蝕刻於成為被加工基板或間隔件處理用之核的膜轉印圖案的方法。
本案發明人提出：在超越近年之氟化氬浸潤微影之解像度極限的半導體裝置製造步驟的圖案化步驟中使用的如專利文獻1或專利文獻2等所示之含矽光阻下層膜形成用組成物。但是因為原本是在超越氟化氬浸潤微影之解像度極限的非常難的步驟使用，故事實上不可能以100%的產率通過圖案化步驟，有時因上層光阻之塗佈異常或曝光時之異常等必須要重新實施上層光阻之塗佈。而且，若前述雙重圖案化步驟成為今後圖案化步驟的主流，預測圖案化步驟的難易度會提高，重作步驟之比率也會提高。
迄今為止的重作步驟，係將上層光阻以溶劑剝離後，將多層光阻下層膜全部以乾蝕刻除去、或是將含矽之光阻下層膜以含氟酸之剝離液等除去，所以有造成被加工基板損害的顧慮。
另一方面，為了提高半導體裝置之性能，在最先進的半導體裝置係使用3維電晶體或貫通配線等技術。為了形成如此的半導體裝置內的結構而使用的圖案化步驟中，也實施利用多層光阻法所為之圖案化。在如此的圖案化中，有時圖案形成後須要不損害該圖案而去除含矽之光阻下層膜的步驟，但是以往的含矽之光阻下層膜的主要構成元素與該圖案之主要構成元素均常為矽，即使欲將光阻下層膜予以選擇性地除去，但構成成分近似，利用使用乾蝕刻或使用氟酸系剝離液之濕蝕刻的任一方法均難以抑制該圖案損傷。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2007-302873號公報 [專利文獻2]日本特開2010-262230號公報 [專利文獻3]日本特開2009-126940號公報 [專利文獻4]日本特開2010-085893號公報 [專利文獻5]日本特開2010-085912號公報 [專利文獻6]日本特開2010-139764號公報 [非專利文獻]
[非專利文獻1]Proc. SPIE Vol. 5377 p255(2004)
[發明欲解決之課題]
如上述，若使用習知的含矽光阻下層膜，於圖案化之重作步驟、半導體結構之製造步驟，會有因乾蝕刻、氟酸系剝離液對於基板造成損害的問題。
本發明有鑑於上述問題，目的為提供一種塗佈型含矽膜形成用組成物，其用以形成含矽之光阻下層膜，該膜之微細圖案之密合性優異，能以對於半導體基板、圖案化步驟為必要之塗布型有機膜、以碳作為主成分之CVD膜不造成損害之剝離液輕易地濕蝕刻。  [解決課題之方式]
為了解決上述課題，本發明提供一種塗佈型含矽膜形成用組成物，具有下列通式(1)表示之將矽酸作為骨架之結構中之1種以上、及下列通式(2)表示之將矽作為骨架之結構中之1種以上，且含有下列通式(2)表示之單元彼此之連結。 【化1】【化2】(式中，R1 、R2 、R3 、R4 、R5 、R6 各為氫原子或碳數1~30之有機基，該有機基中之氫原子也可取代為鹵素原子。R7 、R8 、R9 、R10 、R11 、R12 為甲基、苯基、或羥基中之任一者。m10、m11、m12、m13為將矽酸作為骨架之結構中之莫耳分率，符合m10＋m11＋m12＋m13＝1、0≦m10≦0.3、0≦m11≦0.5、0≦m12≦0.7、0＜m13≦1。m20、m21、m22、m23為將矽作為骨架之結構中之莫耳分率，符合m20＋m21＋m22＋m23＝1、0≦m20≦1、0≦m21≦1、0≦m22≦1、0≦m23≦1。)
若為本發明之塗佈型含矽膜形成用組成物，可形成含矽膜，該含矽膜的微細圖案之密合性優異，能以對於半導體基板、圖案化步驟所必要之塗佈型有機膜、將碳作為主成分之CVD膜不造成損害的剝離液輕易地濕蝕刻且藉由以塗佈處理形成，能抑制微粒發生。尤其若導入經鹵素原子取代之有機基，剝離性提高。又，當構成上述通式(2)表示之將矽作為骨架之結構之單元彼此連結時，獲得之矽-矽鍵會在鹼性條件下開裂，能藉此導入改善鹼性藥液所為之剝離性。
又，前述塗佈型含矽膜形成用組成物宜含有：作為(A)成分之選自於含有下列通式(A-1-1)~(A-1-4)表示者中之1種以上之矽化合物及下列通式(A-2-1)表示之者中之1種以上之聚矽烷化合物之混合物之水解物、縮合物、或水解縮合物中之1種以上之聚合物，以及溶劑較佳。 R1 R2 R3 SiOR　　　　　(A-1-1) R4 R5 Si(OR)2 (A-1-2) R6 Si(OR)3 (A-1-3) Si(OR)4 (A-1-4) (式中，R為碳數1~6之烴基，R1 、R2 、R3 、R4 、R5 、R6 同前述。) (R7 R8 R9 Si)a1 (R10 R11 Si)a2 (R12 Si)a3 (Si)a4 (A-2-1) (式中，R7 、R8 、R9 、R10 、R11 、R12 同前述。a1、a2、a3、a4為莫耳分率，a1＋a2＋a3＋a4＝1、0≦a1≦1、0≦a2≦1、0≦a3≦1、0≦a4≦1。)
就(A)成分而言，藉由使用如此的矽化合物及聚矽烷化合物，能獲得含有如上述將矽酸作為骨架之結構、及將矽作為骨架之結構的塗佈型含矽膜形成用組成物。
再者，前述塗佈型含矽膜形成用組成物使用之前述(A-2-1)成分之重量平均分子量為1,000以下較佳。
重量平均分子量藉由為1,000以下，含有上述通式(A-2-1)表示之聚矽烷化合物之混合物之水解物、縮合物、或水解縮合物容易溶於塗佈型含矽膜形成用組成物中之溶劑成分，可防止成膜時發生微粒。
又，前述塗佈型含矽膜形成用組成物也可以含有作為(A)成分之選自含有下列通式(A-1-1)~(A-1-4)表示之者中之1種以上之矽化合物之混合物之水解物、縮合物、或水解縮合物中之1種以上之聚合物、作為(B)成分之下列通式(B-1)表示之者中之1種以上之聚矽烷化合物，以及溶劑。 R1 R2 R3 SiOR　　　　  (A-1-1) R4 R5 Si(OR)2 (A-1-2) R6 Si(OR)3 (A-1-3) Si(OR)4 (A-1-4) (式中，R為碳數1~6之烴基，R1 、R2 、R3 、R4 、R5 、R6 同前述。) (R7 R8 R9 Si)a1 (R10 R11 Si)a2 (R12 Si)a3 (Si)a4 (B-1) (式中，R7 、R8 、R9 、R10 、R11 、R12 同前述。a1、a2、a3、a4為莫耳分率，符合a1＋a2＋a3＋a4＝1、0≦a1≦1、0≦a2≦1、0≦a3≦1、0≦a4≦1。)
藉由使用如此的矽化合物作為(A)成分，並添加上述通式(B-1)表示之聚矽烷化合物作為(B)成分，能獲得具如上述將矽酸作為骨架之結構且含有將矽作為骨架之結構之塗佈型含矽膜形成用組成物。
再者，前述(B-1)成分之重量平均分子量為1,000以下較佳。
重量平均分子量藉由為1,000以下，上述(B-1)成分易溶於塗佈型含矽膜形成用組成物中之溶劑成分，可防止成膜時發生微粒。
再者，前述塗佈型含矽膜形成用組成物宜含有作為(C)成分之選自下列通式(C-1)表示之者中之1種以上之矽化合物、該矽化合物之水解物、縮合物、或水解縮合物中之1種以上較佳。 R1C c1 R2C c2 R3C c3 Si(OR0C )(4-c1-c2-c3) (C-1) (式中，R0C 為碳數1~6之烴基，R1C 、R2C 、R3C 各為氫原子或碳數1~30之1價有機基。又，c1、c2、c3為0或1，1≦c1＋c2＋c3≦3。)
藉由使用如此的(C)成分，當製成光阻下層膜使用時，可獲得成為和光阻圖案間之密合性更為改善，即使是微細圖案也不發生圖案崩塌之光阻下層膜之塗佈型含矽膜形成用組成物。
又，此時前述通式(C-1)中之R1C 、R2C 、R3C 中之1者以上宜為具有經酸不安定基取代之羥基或羧基的有機基較佳。
若為如此的(C)成分，對於微細圖案之圖案密合性能更良好。
又，前述(C)成分宜含有選自前述通式(A-1-1)~(A-1-4)表示之者中之1種以上之矽化合物及下列通式(C-2-1)~(C-2-6)表示之者中之1種以上之磷化合物之各自單獨、該等之混合物、該等之單獨或混合物之水解物、縮合物、或水解縮合物中之1種以上較佳。 PX3 (C-2-1) POX3 (C-2-2) P2 O5 (C-2-3) H(HPO3 )a5 OH　　　　  (C-2-4) R13 PX2 (C-2-5) R13 POX2 (C-2-6)  (式中，R13 各為氫原子或碳數1~30之有機基，該有機基中之氫原子也可取代為鹵素原子。X為鹵素原子、羥基、或碳數1~6之烷氧基，a5為1以上之整數。)
如此，(C)成分藉由含有矽化合物、磷化合物，對於微細圖案之圖案密合性能更為良好。
又，前述(C)成分宜含有選自前述通式(A-1-1)~(A-1-4)表示之者中之1種以上之矽化合物及下列通式(C-3-1)~(C-3-3)表示之者中之1種以上之硼化合物之各別單獨、該等之混合物、該等單獨或混合物之水解物、縮合物、或水解縮合物中之1種以上較佳。 BX3 (C-3-1) B2 O3 (C-3-2) R14 BX2 (C-3-3)  (式中，R14 各為氫原子或碳數1~30之有機基，且該有機基中之氫原子也可取代為鹵素原子。X為鹵素原子、羥基、或碳數1~6之烷氧基。)
如上，(C)成分藉由含有矽化合物、硼化合物，對於微細圖案之圖案密合性能更為良好。
再者，前述塗佈型含矽膜形成用組成物宜含有在1分子中具有2個以上之羥基或羧基之有機化合物較佳。
藉由含有如此的有機化合物，濕蝕刻時含矽膜之崩塌加快，容易剝離。
又，本發明提供一種基板，用於半導體之製造步驟，係將前述塗佈型含矽膜形成用組成物塗佈在被加工體上而形成了含矽膜。
又，此時，前述含矽膜可作為光阻下層膜、平坦化膜、絕緣膜中之至少1者的作用。
如上，本發明之塗佈型含矽膜形成用組成物藉由塗佈在被加工體上，可獲得成為光阻下層膜、平坦化膜、或絕緣膜之基板。
又，前述基板可為藉由將已形成一部分或全部半導體電路之半導體基板作為被加工體，在該半導體基板上將前述塗佈型含矽膜形成用組成物旋轉塗佈並煅燒，形成前述含矽膜。
使用本發明之塗佈型含矽膜形成用組成物，旋轉塗佈在已形成一部分或全部半導體電路之半導體基板上並煅燒，可於如此之基板上形成含矽膜。
又，本發明提供一種圖案形成方法，係在被加工體上使用塗佈型有機下層膜材料形成有機下層膜，在該有機下層膜之上使用前述塗佈型含矽膜形成用組成物形成含矽膜，在該含矽膜上形成上層光阻膜，於該上層光阻膜形成圖案，將該已形成圖案之前述上層光阻膜作為遮罩而利用蝕刻對於前述含矽膜進行圖案轉印，將該已轉印圖案之前述含矽膜作為遮罩，對於前述有機下層膜以蝕刻將圖案轉印，而形成用以加工前述被加工體之遮罩圖案。
再者，本發明提供一種圖案形成方法，係在被加工體上利用CVD法形成將碳作為主成分之硬遮罩，在前述硬遮罩之上使用前述塗佈型含矽膜形成用組成物形成含矽膜，在該含矽膜上形成上層光阻膜，並於該上層光阻膜形成圖案，將該已形成圖案之前述上層光阻膜作為遮罩，於前述含矽膜利用蝕刻將圖案轉印，將該已轉印圖案之前述含矽膜作為遮罩，於前述硬遮罩利用蝕刻將圖案轉印，而形成用以加工前述被加工體之遮罩圖案。
若使用本發明之塗佈型含矽膜形成用組成物形成圖案，如上述，藉由將塗佈型有機下層膜、將碳作為主成分之CVD膜之組合予以最適化，藉此可不生尺寸變換差而將在上層光阻膜形成之圖案轉印到被加工體上而形成圖案。
實施用以加工前述被加工體之遮罩圖案之步驟後，也可實施利用濕蝕刻去除前述含矽膜之步驟。
若使用本發明之塗佈型含矽膜形成用組成物形成圖案，能對於塗佈型有機下層膜、將碳作為主成分之CVD膜不造成損害地輕易地將含矽膜予以濕蝕刻。
又，前述濕蝕刻宜於鹼性溶液進行較佳。
由本發明之塗佈型含矽膜形成用組成物獲得之含矽膜具有在鹼性條件下會開裂之矽-矽鍵，當以鹼性溶液處理時，呈現特別良好的剝離性。
又，前述被加工體可為在已形成一部分或全部半導體電路之半導體基板製作了作為被加工層之金屬膜、非晶金屬膜、金屬碳化膜、金屬氧化膜、金屬氮化膜、金屬氧化碳化膜、或金屬氧化氮化膜中之任一膜者。
再者，構成前述被加工體之金屬宜含有矽、鈦、鎢、鉿、鋯、鉻、鍺、銅、鋁、銦、鎵、砷、鈀、鐵、鉭、銥、鉬、或該等之合金。
如上，本發明之圖案形成方法中，可將如上述被加工體予以加工而形成圖案。
又，於前述上層光阻膜形成圖案宜利用採用波長為300nm以下之光或EUV光之微影法、電子束直接描繪法、定向自組裝法、或奈米壓印微影法實施較佳。
藉由使用如此的方法，能在上層光阻膜上形成微細的圖案。 [發明之效果]
使用本發明之塗佈型含矽膜形成用組成物形成之塗佈型含矽膜，藉由作為光阻下層膜使用，能成為對於在其上形成之光阻圖案呈現良好密合性，於微細圖案也不發生圖案崩塌之光阻下層膜。再者，此塗佈型含矽膜對於形成在上部之光阻圖案與形成在下部之有機膜兩者呈現高蝕刻選擇性，故可將已形成之光阻圖案使用乾蝕刻處理轉印在基板。又，能以對於半導體基板及塗佈型有機下層膜、將碳作為主成分之CVD膜不造成損害的剝離液輕易地濕蝕刻，即使在重作步驟也能輕易地將含矽膜進行濕蝕刻。 又，若使用本發明之塗佈型含矽膜形成用組成物形成平坦化膜、絕緣膜，於成膜時能不發生微粒地形成含矽膜。 再者，若使用本發明之塗佈型含矽膜形成用組成物形成圖案，藉由將塗佈型有機下層膜、將碳作為主成分之CVD膜之組合予以最適化，能不生尺寸變換差地將以光阻形成之圖案形成在基板上。
如上述，若使用習知之含矽之光阻下層膜，在圖案化之重作步驟、半導體結構之製造步驟，會有乾蝕刻、氟酸系之剝離液對於基板造成損害的問題。
而尋求開發微細圖案之密合性優異，能以對於半導體基板或圖案化步驟中為必要之塗佈型有機膜或將碳作為主成分之CVD膜不造成損害之剝離液，例如於半導體製造處理一般使用之稱為SC(Standard Clean)1之含過氧化氫之氨水溶液或稱為SC2之含過氧化氫之鹽酸而輕易地濕蝕刻之用以形成含矽膜之塗佈型含矽膜形成用組成物。
本案發明人等為了解決上述課題而努力研究，結果發現：由包含含有將矽作為骨架之結構(聚矽烷結構)之含矽化合物之組成物獲得之塗佈膜，能以鹼性溶液SC1輕易除去，乃完成本發明。
在迄今的關於含矽之光阻下層膜的先前技術，就含有硼或磷、更含有有機交聯劑者，已有揭示於專利文獻3~6的技術。但是該先前技術中未提及關於如本發明所示之聚矽烷結構，進而未提及藉由組合有機交聯劑以展現濕蝕刻性能。
以下針對本發明之實施形態説明，但本發明不限定於此等。又，本說明書中，Me代表甲基、Et代表乙基、Bu代表丁基、Ac代表乙醯基。
本發明係一種塗佈型含矽膜形成用組成物，具有下列通式(1)表示之將矽酸作為骨架之結構中之1種以上、及下列通式(2)表示之將矽作為骨架之結構中之1種以上且含有下列通式(2)表示之單元彼此之連結。在此，「含有下列通式(2)表示之單元彼此之連結」，係指含有下列通式(2)表示之任1種以上之單元彼此連結所形成之矽-矽鍵。 【化3】【化4】(式中，R1 、R2 、R3 、R4 、R5 、R6 各為氫原子或碳數1~30之有機基，該有機基中之氫原子也可取代為鹵素原子。R7 、R8 、R9 、R10 、R11 、R12 為甲基、苯基、或羥基中之任一者。m10、m11、m12、m13係將矽酸作為骨架之結構中之莫耳分率，m10＋m11＋m12＋m13＝1、0≦m10≦0.3、0≦m11≦0.5、0≦m12≦0.7、0＜m13≦1。m20、m21、m22、m23係將矽作為骨架之結構中之莫耳分率，m20＋m21＋m22＋m23＝1、0≦m20≦1、0≦m21≦1、0≦m22≦1、0≦m23≦1。)
上述通式(1)中，R1 、R2 、R3 、R4 、R5 、R6 各為氫原子或碳數1~30之有機基，該有機基中之氫原子也可取代為鹵素原子，鹵素原子宜為氟原子或氯原子較佳。若導入如此之經鹵素原子取代之有機基，由本發明之塗佈型含矽膜形成用組成物獲得之含矽膜之剝離性提高。
上述通式(1)中之m10、m11、m12、m13係將矽酸作為骨架之結構中之莫耳分率，m10＋m11＋m12＋m13＝1、0≦m10≦0.3、0≦m11≦0.5、0≦m12≦0.7、0＜m13≦1。 將矽酸作為骨架之結構中之SiO2 為必要單元。又，各單元若為如此的比率，能獲得有良好乾蝕刻耐性、圖案密合性、及濕蝕刻性能且均衡性良好的塗佈型含矽膜形成用組成物。
上述通式(2)中之m20、m21、m22、m23係將矽作為骨架之結構中之莫耳分率，m20＋m21＋m22＋m23＝1、0≦m20≦1、0≦m21≦1、0≦m22≦1、0≦m23≦1。 該等單元係將矽作為骨架之結構之構成單元，該結構可為線狀、分支狀、環狀中之任一結構。
若為如此的塗佈型含矽膜形成用組成物，則可形成微細圖案之密合性優異，且能以對於半導體基板、圖案化步驟所必要之塗佈型有機膜、將碳作為主成分之CVD膜不造成損害的剝離液輕易地濕蝕刻之含矽膜。尤其本發明之含矽膜形成用組成物具有在鹼性溶液中會開裂之矽-矽鍵，故可提供以鹼性溶液之剝離性優異之含矽膜。
[(A)成分] 構成本發明之塗佈型含矽膜形成用組成物之(A)成分，宜為選自包含下列通式(A-1-1)~(A-1-4)表示之者中之1種以上之矽化合物及下列通式(A-2-1)表示之者中之1種以上之聚矽烷化合物之混合物之水解物、縮合物、或水解縮合物中的1種以上之聚合物較佳。 R1 R2 R3 SiOR　　　 　　(A-1-1) R4 R5 Si(OR)2 (A-1-2) R6 Si(OR)3 (A-1-3) Si(OR)4 (A-1-4) (式中，R為碳數1~6之烴基，R1 、R2 、R3 、R4 、R5 、R6 同前述。) (R7 R8 R9 Si)a1 (R10 R11 Si)a2 (R12 Si)a3 (Si)a4 (A-2-1) (式中，R7 、R8 、R9 、R10 、R11 、R12 同前述。a1、a2、a3、a4為莫耳分率，a1＋a2＋a3＋a4＝1、0≦a1≦1、0≦a2≦1、0≦a3≦1、0≦a4≦1。)
[矽化合物] 可作為(A)成分使用之矽化合物可列舉下列通式(A-1-1)表示者。 R1 R2 R3 SiOR　　　　　(A-1-1) (式中，R為碳數1~6之烴基，R1 、R2 、R3 各為氫原子或碳數1~30之有機基，且該有機基中之氫原子也可取代為鹵素原子。)
上述通式(A-1-1)表示之矽化合物宜為三甲基甲氧基矽烷、三甲基乙氧基矽烷、二甲基乙基甲氧基矽烷、二甲基乙基乙氧基矽烷、二甲基苯基甲氧基矽烷、二甲基苯基乙氧基矽烷、二甲基苄基甲氧基矽烷、二甲基苄基乙氧基矽烷、二甲基苯乙基甲氧基矽烷、二甲基苯乙基乙氧基矽烷等為較佳。
可作為(A)成分使用之矽化合物可以列舉下列通式(A-1-2)表示者。 R4 R5 Si(OR)2 (A-1-2) (式中，R為碳數1~6之烴基，R4 、R5 各為氫原子或碳數1~30之有機基，且該有機基中之氫原子也可取代為鹵素原子。) 上述通式(A-1-2)表示之矽化合物宜為二甲基二甲氧基矽烷、二甲基二乙氧基矽烷、二甲基二丙氧基矽烷、二甲基二異丙氧基矽烷、甲基乙基二甲氧基矽烷、甲基乙基二乙氧基矽烷、二乙基二甲氧基矽烷、二乙基二乙氧基矽烷、二乙基二丙氧基矽烷、二乙基二異丙氧基矽烷、二丙基二甲氧基矽烷、二丙基二乙氧基矽烷、二丙基二丙氧基矽烷、二丙基二異丙氧基矽烷、二異丙基二甲氧基矽烷、二異丙基二乙氧基矽烷、二異丙基二丙氧基矽烷、二異丙基二異丙氧基矽烷、二丁基二甲氧基矽烷、二丁基二乙氧基矽烷、二丁基二丙氧基矽烷、二丁基二異丙氧基矽烷、二第二丁基二甲氧基矽烷、二第二丁基二乙氧基矽烷、二第二丁基二丙氧基矽烷、二第二丁基二異丙氧基矽烷、二第三丁基二甲氧基矽烷、二第三丁基二乙氧基矽烷、二第三丁基二丙氧基矽烷、二第三丁基二異丙氧基矽烷、二環丙基二甲氧基矽烷、二環丙基二乙氧基矽烷、二環丙基二丙氧基矽烷、二環丙基二異丙氧基矽烷、二環丁基二甲氧基矽烷、二環丁基二乙氧基矽烷、二環丁基二丙氧基矽烷、二環丁基二異丙氧基矽烷、二環戊基二甲氧基矽烷、二環戊基二乙氧基矽烷、二環戊基二丙氧基矽烷、二環戊基二異丙氧基矽烷、二環己基二甲氧基矽烷、二環己基二乙氧基矽烷、二環己基二丙氧基矽烷、二環己基二異丙氧基矽烷、二環己烯基二甲氧基矽烷、二環己烯基二乙氧基矽烷、二環己烯基二丙氧基矽烷、二環己烯基二異丙氧基矽烷、二環己烯基乙基二甲氧基矽烷、二環己烯基乙基二乙氧基矽烷、二環己烯基乙基二丙氧基矽烷、二環己烯基乙基二異丙氧基矽烷、二環辛基二甲氧基矽烷、二環辛基二乙氧基矽烷、二環辛基二丙氧基矽烷、二環辛基二異丙氧基矽烷、二環戊二烯基丙基二甲氧基矽烷、二環戊二烯基丙基二乙氧基矽烷、二環戊二烯基丙基二丙氧基矽烷、二環戊二烯基丙基二異丙氧基矽烷、雙(雙環庚烯基)二甲氧基矽烷、雙(雙環庚烯基)二乙氧基矽烷、雙(雙環庚烯基)二丙氧基矽烷、雙(雙環庚烯基)二異丙氧基矽烷、雙(雙環庚基)二甲氧基矽烷、雙(雙環庚基)二乙氧基矽烷、雙(雙環庚基)二丙氧基矽烷、雙(雙環庚基)二異丙氧基矽烷、二金剛烷基二甲氧基矽烷、二金剛烷基二乙氧基矽烷、二金剛烷基二丙氧基矽烷、二金剛烷基二異丙氧基矽烷、二苯基二甲氧基矽烷、二苯基二乙氧基矽烷、甲基苯基二甲氧基矽烷、甲基苯基二乙氧基矽烷、二苯基二丙氧基矽烷、二苯基二異丙氧基矽烷等較佳。
可作為(A)成分使用之矽化合物可以列舉下列通式(A-1-3)表示者。 R6 Si(OR)3 (A-1-3) (式中，R為碳數1~6之烴基，R6 為氫原子或碳數1~30之有機基，該有機基中之氫原子也可取代為鹵素原子。) 上述通式(A-1-3)表示之矽化合物宜為三甲氧基矽烷、三乙氧基矽烷、三丙氧基矽烷、三異丙氧基矽烷、甲基三甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、甲基三丙氧基矽烷、甲基三異丙氧基矽烷、乙基三甲氧基矽烷、乙基三乙氧基矽烷、乙基三丙氧基矽烷、乙基三異丙氧基矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、乙烯基三丙氧基矽烷、乙烯基三異丙氧基矽烷、丙基三甲氧基矽烷、丙基三乙氧基矽烷、丙基三丙氧基矽烷、丙基三異丙氧基矽烷、異丙基三甲氧基矽烷、異丙基三乙氧基矽烷、異丙基三丙氧基矽烷、異丙基三異丙氧基矽烷、丁基三甲氧基矽烷、丁基三乙氧基矽烷、丁基三丙氧基矽烷、丁基三異丙氧基矽烷、第二丁基三甲氧基矽烷、第二丁基三乙氧基矽烷、第二丁基三丙氧基矽烷、第二丁基三異丙氧基矽烷、第三丁基三甲氧基矽烷、第三丁基三乙氧基矽烷、第三丁基三丙氧基矽烷、第三丁基三異丙氧基矽烷、異丁基三甲氧基矽烷、異丁基三乙氧基矽烷、烯丙基三甲氧基矽烷、烯丙基三乙氧基矽烷、環丙基三甲氧基矽烷、環丙基三乙氧基矽烷、環丙基三丙氧基矽烷、環丙基三異丙氧基矽烷、環丁基三甲氧基矽烷、環丁基三乙氧基矽烷、環丁基三丙氧基矽烷、環丁基三異丙氧基矽烷、環戊基三甲氧基矽烷、環戊基三乙氧基矽烷、環戊基三丙氧基矽烷、環戊基三異丙氧基矽烷、環己基三甲氧基矽烷、環己基三乙氧基矽烷、環己基三丙氧基矽烷、環己基三異丙氧基矽烷、環己烯基三甲氧基矽烷、環己烯基三乙氧基矽烷、環己烯基三丙氧基矽烷、環己烯基三異丙氧基矽烷、環己烯基乙基三甲氧基矽烷、環己烯基乙基三乙氧基矽烷、環己烯基乙基三丙氧基矽烷、環己烯基乙基三異丙氧基矽烷、環辛基三甲氧基矽烷、環辛基三乙氧基矽烷、環辛基三丙氧基矽烷、環辛基三異丙氧基矽烷、環戊二烯基丙基三甲氧基矽烷、環戊二烯基丙基三乙氧基矽烷、環戊二烯基丙基三丙氧基矽烷、環戊二烯基丙基三異丙氧基矽烷、雙環庚烯基三甲氧基矽烷、雙環庚烯基三乙氧基矽烷、雙環庚烯基三丙氧基矽烷、雙環庚烯基三異丙氧基矽烷、雙環庚基三甲氧基矽烷、雙環庚基三乙氧基矽烷、雙環庚基三丙氧基矽烷、雙環庚基三異丙氧基矽烷、金剛烷基三甲氧基矽烷、金剛烷基三乙氧基矽烷、金剛烷基三丙氧基矽烷、金剛烷基三異丙氧基矽烷、苯基三甲氧基矽烷、苯基三乙氧基矽烷、苯基三丙氧基矽烷、苯基三異丙氧基矽烷、苄基三甲氧基矽烷、苄基三乙氧基矽烷、苄基三丙氧基矽烷、苄基三異丙氧基矽烷、大茴香基三甲氧基矽烷、大茴香基三乙氧基矽烷、大茴香基三丙氧基矽烷、大茴香基三異丙氧基矽烷、甲苯基三甲氧基矽烷、甲苯基三乙氧基矽烷、甲苯基三丙氧基矽烷、甲苯基三異丙氧基矽烷、苯乙基三甲氧基矽烷、苯乙基三乙氧基矽烷、苯乙基三丙氧基矽烷、苯乙基三異丙氧基矽烷、苯甲醯氧基甲基三甲氧基矽烷、苯甲醯氧基甲基三乙氧基矽烷、苯甲醯氧基甲基三丙氧基矽烷、苯甲醯氧基甲基三丁氧基矽烷、苯甲醯氧基丙基三甲氧基矽烷、苯甲醯氧基丙基三乙氧基矽烷、苯甲醯氧基丙基三丙氧基矽烷、苯甲醯氧基丙基三丁氧基矽烷、萘基三甲氧基矽烷、萘基三乙氧基矽烷、萘基三丙氧基矽烷、萘基三異丙氧基矽烷等為較佳。
再者，R1 、R2 、R3 、R4 、R5 、R6 代表之有機基之中，就該有機基之氫原子取代為鹵素原子者可列舉如下。
【化5】
【化6】
【化7】
【化8】
【化9】
【化10】
【化11】
【化12】
【化13】
可作為(A)成分使用之矽化合物可列舉下列通式(A-1-4)表示者。 Si(OR)4 (A-1-4) (式中，R為碳數1~6之烴基。) 上述通式(A-1-4)表示之矽化合物宜為四甲氧基矽烷、四乙氧基矽烷、四丙氧基矽烷、四異丙氧基矽烷等為較佳。
作為上述通式(A-1-1)~(A-1-4)表示之矽化合物宜為四甲氧基矽烷、四乙氧基矽烷、甲基三甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、乙基三甲氧基矽烷、乙基三乙氧基矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、丙基三甲氧基矽烷、丙基三乙氧基矽烷、異丙基三甲氧基矽烷、異丙基三乙氧基矽烷、丁基三甲氧基矽烷、丁基三乙氧基矽烷、異丁基三甲氧基矽烷、異丁基三乙氧基矽烷、烯丙基三甲氧基矽烷、烯丙基三乙氧基矽烷、環戊基三甲氧基矽烷、環戊基三乙氧基矽烷、環己基三甲氧基矽烷、環己基三乙氧基矽烷、環己烯基三甲氧基矽烷、環己烯基三乙氧基矽烷、苯基三甲氧基矽烷、苯基三乙氧基矽烷、苄基三甲氧基矽烷、苄基三乙氧基矽烷、甲苯基三甲氧基矽烷、甲苯基三乙氧基矽烷、大茴香基三甲氧基矽烷、大茴香基三乙氧基矽烷、苯乙基三甲氧基矽烷、苯乙基三乙氧基矽烷、二甲基二甲氧基矽烷、二甲基二乙氧基矽烷、二乙基二甲氧基矽烷、二乙基二乙氧基矽烷、甲基乙基二甲氧基矽烷、甲基乙基二乙氧基矽烷、二丙基二甲氧基矽烷、二丁基二甲氧基矽烷、甲基苯基二甲氧基矽烷、甲基苯基二乙氧基矽烷、三甲基甲氧基矽烷、二甲基乙基甲氧基矽烷、二甲基苯基甲氧基矽烷、二甲基苄基甲氧基矽烷、二甲基苯乙基甲氧基矽烷等尤佳。
上述R1 、R2 、R3 、R4 、R5 、R6 表示之有機基之另一例可列舉有1個以上的碳氧雙鍵之有機基。具體而言，例如具選自於由環氧基、酯基、烷氧基、羥基構成之群組中之1者以上之基之有機基。例如下列通式(3)表示者。
｛U-Q1 -(S1 )v1 -Q2 -｝u -(T)v2 -Q3 -(S2 )v3 -Q4 -　　　　　(3) (式中，U為氫原子、羥基、 【化14】碳數1~4之烷氧基、碳數1~6之烷基羰氧基、或碳數1~6之烷基羰基，Q1 與Q2 與Q3 與Q4 各自獨立地為-Cq H(2q-p) Up -(式中，U同前述，p為0~3之整數，q為0~10之整數(惟q＝0代表單鍵)。)，u為0~3之整數，S1 與S2 各自獨立地表示-O-、-CO-、-OCO-、-COO-或-OCOO-。v1、v2、v3各自獨立地表示0或1。同時， T表示由也可以含有雜原子之脂環或芳香環構成之2價基，T之也可以含有氧原子等雜原子之脂環或芳香環之例如下所示。T中之Q2 與Q3 鍵結之位置不特別限定，可考慮立體要因導致之反應性、反應使用之市售試藥之取得性等而適當選擇。)
【化15】
通式(3)中之有1個以上的碳-氧單鍵或碳-氧雙鍵之有機基之理想例可列舉如下。又，下式中，(Si)係為了顯示和Si之鍵結部位而記載。
【化16】
【化17】
【化18】
【化19】
又，R1 、R2 、R3 、R4 、R5 、R6 之有機基，例如可使用包括含矽-矽鍵之有機基。具體而言可列舉如下。
【化20】
[聚矽烷化合物] 可作為(A)成分使用之聚矽烷化合物可列舉下列通式(A-2-1)表示者。 (R7 R8 R9 Si)a1 (R10 R11 Si)a2 (R12 Si)a3 (Si)a4 (A-2-1) (式中，R7 、R8 、R9 、R10 、R11 、R12 為甲基、苯基、或羥基中之任一者。a1、a2、a3、a4為莫耳分率，a1＋a2＋a3＋a4＝1、0≦a1≦1、0≦a2≦1、0≦a3≦1、0≦a4≦1。)
上述通式(A-2-1)表示之聚矽烷化合物可使用大阪氣體化學製之Ogsol SI-10-10(聚甲基苯基矽烷)、SI-10-20(聚甲基苯基矽烷)、SI-20-10(聚苯基矽烷)、SI-20-10改(聚苯基矽烷)、SI-30-10(環狀聚二苯基矽烷)等。又，也可將此等化合物於鹼性條件下反應而低分子量化後使用。
尤其，上述(A-2-1)成分之重量平均分子量為1,000以下較佳。重量平均分子量藉由為1,000以下，含有上述通式(A-2-1)表示之聚矽烷化合物之混合物之水解物、縮合物、或水解縮合物容易溶於塗佈型含矽膜形成用組成物中之溶劑成分，可防止成膜時發生微粒。
在此，上述鹼條件下之反應使用之溶劑有各種選擇，可從例如：苯、甲苯、二甲苯等烴系溶劑、丙二醇單甲醚、丙二醇單乙醚等二醇系溶劑、二乙醚、二異丙醚、二丁醚、四氫呋喃、1,4-二烷等醚系溶劑、丙酮、甲乙酮、甲基異丁酮、甲基戊酮、環戊酮、環己酮等酮系溶劑、乙醇、異丙醇、丁醇等醇系溶劑選用1種以上。
又，添加之鹼有各種選擇，可使用例如：氫氧化鈉、氫氧化鉀、氫氧化鋇、氨、氫氧化四甲基銨、碳酸鈉、碳酸氫鈉、碳酸鉀、氫化鋰、氫化鈉、氫化鉀、氫化鈣等無機鹼類、甲基鋰、正丁基鋰、氯化甲基鎂、溴化乙基鎂等烷基金屬類、甲醇鈉、乙醇鈉、第三丁醇鉀等醇鹽類、三乙胺、二異丙基乙胺、N,N-二甲基苯胺、吡啶、4-二甲胺基吡啶、二氮雜雙環十一烯(DBU)等有機鹼類。反應溫度宜為-50℃~溶劑之沸點左右，室溫~100℃又更佳。
藉由將上述中之1種以上之矽化合物含有上述中之1種以上之聚矽烷化合物之混合物(單體)予以水解、縮合、或水解縮合，可合成成為塗佈型含矽膜形成用組成物之(A)成分的含矽化合物(聚合物)。
獲得上述(A)成分之水解、縮合、或水解縮合反應可使用選自無機酸、脂肪族磺酸、及芳香族磺酸中之1種以上之化合物作為酸觸媒。此時使用之酸觸媒，例如氟酸、鹽酸、氫溴酸、硫酸、硝酸、過氯酸、磷酸、甲磺酸、苯磺酸、甲苯磺酸等。觸媒之使用量相對於單體1莫耳為10-6 ~10莫耳，更佳為10-5 ~5莫耳，更佳為10-4 ~1莫耳。
將該等單體進行水解縮合並合成聚合物時，水量宜為鍵結於單體之水解性取代基每1莫耳為0.01~100莫耳較理想，更佳為0.05~50莫耳，又更佳為添加0.1~30莫耳。添加量藉由為100莫耳以下，反應使用之裝置不會變得過大，為有經濟性。
操作方法可於觸媒水溶液添加單體而使水解縮合反應開始。此時，可以於觸媒水溶液中添加有機溶劑，也可以將單體以有機溶劑稀釋，也可兩者均進行。反應溫度為0~100℃較理想，更佳為5~80℃。單體滴加時保持溫度為5~80℃，之後於20~80℃使其熟成之方法為較佳。
可添加到觸媒水溶液、或可以將單體稀釋之有機溶劑，宜為：甲醇、乙醇、1-丙醇、2-丙醇、1-丁醇、2-丁醇、2-甲基-1-丙醇、丙酮、乙腈、四氫呋喃、甲苯、己烷、乙酸乙酯、環己酮、甲基戊酮、丁二醇單甲醚、丙二醇單甲醚、乙二醇單甲醚、丁二醇單乙醚、丙二醇單乙醚、乙二醇單乙醚、丙二醇二甲醚、二乙二醇二甲醚、丙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醇單乙醚乙酸酯、丙酮酸乙酯、乙酸丁酯、3-甲氧基丙酸甲酯、3-乙氧基丙酸乙酯、乙酸第三丁酯、丙酸第三丁酯、丙二醇單第三丁醚乙酸酯、γ-丁內酯、及該等之混合物等為較佳。
該等溶劑之中較理想者為水溶性溶劑。例如：甲醇、乙醇、1-丙醇、2-丙醇等醇類、乙二醇、丙二醇等多元醇、丁二醇單甲醚、丙二醇單甲醚、乙二醇單甲醚、丁二醇單乙醚、丙二醇單乙醚、乙二醇單乙醚、丁二醇單丙醚、丙二醇單丙醚、乙二醇單丙醚等多元醇縮合物衍生物、丙酮、乙腈、四氫呋喃等。其中特別理想者為沸點100℃以下的溶劑。
又，有機溶劑之使用量相對於單體1莫耳宜為0~1,000mL，尤其0~500mL較佳。有機溶劑之使用量若為1,000mL以下，反應容器不會變得過大，為有經濟性的。
之後視須要進行觸媒之中和反應，並將於水解縮合反應生成之醇減壓除去，獲得反應混合物水溶液。此時中和能使用之鹼性物質之量宜相對於觸媒使用之酸為0.1~2當量較佳。此鹼性物質只要是在水中呈鹼性者即可，可以為任意物質。
然後，宜從反應混合物將在水解縮合反應生成之醇等副生物去除較佳。此時將反應混合物加熱之溫度取決於添加之有機溶劑及在反應產生之醇等的種類，較佳為0~100℃，更佳為10~90℃，又更佳為15~80℃。又，此時之減壓度取決於待除去之有機溶劑及醇等的種類、排氣裝置、冷凝裝置、及加熱溫度而異，較佳為大氣壓以下，更佳為絕對壓力80kPa以下，又更佳為絕對壓力50kPa以下。此時除去之醇量難以正確地得知，但宜將生成之醇等的約80質量%以上去除較理想。
然後，也可以從反應混合物將水解縮合使用之酸觸媒除去。作為去除酸觸媒之方法，係將水與聚合物混合並以有機溶劑萃取聚合物。此時使用之有機溶劑宜為能溶解聚合物，且若與水混合則會分離為2層者較佳。例如甲醇、乙醇、1-丙醇、2-丙醇、1-丁醇、2-丁醇、2-甲基-1-丙醇、丙酮、四氫呋喃、甲苯、己烷、乙酸乙酯、環己酮、甲基戊酮、丁二醇單甲醚、丙二醇單甲醚、乙二醇單甲醚、丁二醇單乙醚、丙二醇單乙醚、乙二醇單乙醚、丁二醇單丙醚、丙二醇單丙醚、乙二醇單丙醚、丙二醇二甲醚、二乙二醇二甲醚、丙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醇單乙醚乙酸酯、丙酮酸乙酯、乙酸丁酯、3-甲氧基丙酸甲酯、3-乙氧基丙酸乙酯、乙酸第三丁酯、丙酸第三丁酯、丙二醇單第三丁醚乙酸酯、γ-丁內酯、甲基異丁酮、環戊基甲醚等、及該等之混合物。
再者，也可以使用水溶性有機溶劑與水難溶性有機溶劑之混合物。例如甲醇+乙酸乙酯、乙醇+乙酸乙酯、1-丙醇+乙酸乙酯、2-丙醇+乙酸乙酯、丁二醇單甲醚+乙酸乙酯、丙二醇單甲醚+乙酸乙酯、乙二醇單甲醚+乙酸乙酯、丁二醇單乙醚+乙酸乙酯、丙二醇單乙醚+乙酸乙酯、乙二醇單乙醚+乙酸乙酯、丁二醇單丙醚+乙酸乙酯、丙二醇單丙醚+乙酸乙酯、乙二醇單丙醚+乙酸乙酯、甲醇+甲基異丁酮、乙醇+甲基異丁酮、1-丙醇+甲基異丁酮、2-丙醇+甲基異丁酮、丙二醇單甲醚+甲基異丁酮、乙二醇單甲醚+甲基異丁酮、丙二醇單乙醚+甲基異丁酮、乙二醇單乙醚+甲基異丁酮、丙二醇單丙醚+甲基異丁酮、乙二醇單丙醚+甲基異丁酮、甲醇+環戊基甲醚、乙醇+環戊基甲醚、1-丙醇+環戊基甲醚、2-丙醇+環戊基甲醚、丙二醇單甲醚+環戊基甲醚、乙二醇單甲醚+環戊基甲醚、丙二醇單乙醚+環戊基甲醚、乙二醇單乙醚+環戊基甲醚、丙二醇單丙醚+環戊基甲醚、乙二醇單丙醚+環戊基甲醚、甲醇+丙二醇甲醚乙酸酯、乙醇+丙二醇甲醚乙酸酯、1-丙醇+丙二醇甲醚乙酸酯、2-丙醇+丙二醇甲醚乙酸酯、丙二醇單甲醚+丙二醇甲醚乙酸酯、乙二醇單甲醚+丙二醇甲醚乙酸酯、丙二醇單乙醚+丙二醇甲醚乙酸酯、乙二醇單乙醚+丙二醇甲醚乙酸酯、丙二醇單丙醚+丙二醇甲醚乙酸酯、乙二醇單丙醚+丙二醇甲醚乙酸酯等組合較佳，但組合不限於此等。
又，水溶性有機溶劑與水難溶性有機溶劑之混合比例可適當選定，相對於水難溶性有機溶劑100質量份，水溶性有機溶劑宜為0.1~1,000質量份，更佳為1~500質量份，又更佳為2~100質量份。
然後可以用中性水進行洗滌。此水可使用通常稱為去離子水、超純水者。水量相對於聚合物溶液1L為0.01~100L較理想，更佳為0.05~50L，又更佳為0.1~5L。洗滌方法可為將兩者裝入同一容器並攪動後靜置使水層分離。洗滌次數可以為1次以上，但即使洗滌10次以上仍不會獲得相應洗滌次數的效果，故較佳為1~5次左右。
藉由此時的水洗操作，聚合物之一部分會進入水層，有實獲得實質上和分級操作同等效果，故水洗次數、洗滌水之量可考量觸媒除去效果與分級效果適當選擇。
此外去除酸觸媒之方法可列舉利用離子交換樹脂所為之方法、以環氧乙烷、環氧丙烷等環氧化合物中和後除去之方法。該等方法可以配合反應使用之酸觸媒適當選擇。
有酸觸媒殘留之聚合物及已去除酸觸媒之聚合物溶液，均可藉由添加最終溶劑並於減壓進行溶劑交換以獲得聚合物溶液。此時之溶劑交換之溫度，取決於待除去之反應溶劑、萃取溶劑之種類，較佳為0~100℃，更佳為10~90℃，又更佳為15~80℃。又，此時之減壓度取決於待除去之萃取溶劑之種類、排氣裝置、冷凝裝置、及加熱溫度而異，較佳為大氣壓以下，更佳為絕對壓力80kPa以下，更佳為絕對壓力50kPa以下。
此時，有時因為溶劑改變會造成聚合物不安定。此現象係因為最終溶劑與聚合物之相容性而發生，為了予以防止，可以添加具有環狀醚作為取代基之1元或2元以上之醇、或醚化合物作為安定劑。添加之量宜相對於溶劑交換前之溶液中之聚合物100質量份為0~25質量份較理想，更佳為0~15質量份，又更佳為0~5質量份，添加時為0.5質量份以上為較佳。若有必要，可以於溶劑交換前之溶液添加安定劑並進行溶劑交換操作。
又，聚合物之濃度宜為0.1~20質量%較佳。藉由為如此之濃度，聚合物之縮合反應不會進行而變成不可再溶於有機溶劑之狀態。又，藉由為如此之濃度，溶劑之量為適量，故有經濟性。
添加到聚合物之最終溶劑宜為醇系溶劑，尤佳為乙二醇、二乙二醇、三乙二醇、丙二醇、二丙二醇、丁二醇等單烷醚衍生物。具體而言，丁二醇單甲醚、丙二醇單甲醚、乙二醇單甲醚、丁二醇單乙醚、丙二醇單乙醚、乙二醇單乙醚、丁二醇單丙醚、丙二醇單丙醚、乙二醇單丙醚等為較佳。
該等溶劑只要是主成分即可，也可以添加非醇系溶劑作為輔助溶劑。此輔助溶劑，例如丙酮、四氫呋喃、甲苯、己烷、乙酸乙酯、環己酮、甲基戊酮、丙二醇二甲醚、二乙二醇二甲醚、丙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醇單乙醚乙酸酯、丙酮酸乙酯、乙酸丁酯、3-甲氧基丙酸甲酯、3-乙氧基丙酸乙酯、乙酸第三丁酯、丙酸第三丁酯、丙二醇單第三丁醚乙酸酯、γ-丁內酯、甲基異丁酮、環戊基甲醚等。
又，就其他反應操作而言，也可以於單體或單體之有機溶液添加水或含水有機溶劑，使水解反應開始。此時酸觸媒可添加到單體或單體之有機溶液，也可添加到水或含水有機溶劑。反應溫度為0~100℃較理想，更佳為10~80℃。水滴加時加熱到10~50℃，且之後升溫到20~80℃使其熟成之方法較理想。
使用有機溶劑時，宜為水溶性者較理想，具體而言可列舉甲醇、乙醇、1-丙醇、2-丙醇、1-丁醇、2-丁醇、2-甲基-1-丙醇、丙酮、四氫呋喃、乙腈、丁二醇單甲醚、丙二醇單甲醚、乙二醇單甲醚、丁二醇單乙醚、丙二醇單乙醚、乙二醇單乙醚、丁二醇單丙醚、丙二醇單丙醚、乙二醇單丙醚、丙二醇二甲醚、二乙二醇二甲醚、丙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醇單乙醚乙酸酯、丙二醇單丙醚等多元醇縮合物衍生物及該等之混合物等。
此時有機溶劑之使用量可和上述量相同。可將獲得之反應混合物以和上述同樣的方法進行後處理並獲得聚合物。
又，為了合成聚合物之水解、縮合或水解縮合反應也可使用鹼性觸媒進行。此時使用之鹼性觸媒可列舉：甲胺、乙胺、丙胺、丁胺、乙二胺、六亞甲基二胺、二甲胺、二乙胺、乙基甲胺、三甲胺、三乙胺、三丙胺、三丁胺、環己胺、二環己胺、單乙醇胺、二乙醇胺、二甲基單乙醇胺、單甲基二乙醇胺、三乙醇胺、二氮雜雙環辛烷、二氮雜雙環環壬烯、二氮雜雙環十一烯、六亞甲基四胺、苯胺、N,N-二甲基苯胺、吡啶、N,N-二甲胺基吡啶、吡咯、哌、吡咯啶、哌啶、甲基吡啶、四甲基氫氧化銨、氫氧化膽鹼、四丙基氫氧化銨、四丁基氫氧化銨、氨、氫氧化鋰、氫氧化鈉、氫氧化鉀、氫氧化鋇、氫氧化鈣等。觸媒之使用量可和使用上述酸觸媒時為同樣的量。
從該等單體獲得聚合物時之水之量，宜鍵結於單體之水解性取代基每1莫耳添加0.1~50莫耳較佳。添加量藉由為50莫耳以下，反應使用之裝置不會變得過大，為有經濟性的。
反應之操作方法可和使用上述酸觸媒時為同樣的方法。
能添加到觸媒水溶液、或能將單體稀釋的有機溶劑，宜為和使用上述酸觸媒時為同樣者較理想。又，有機溶劑之使用量宜相對於單體1莫耳為0~1,000mL為較佳。藉由為如此之量，反應容器不會過大，為有經濟性的。
之後若有必要，則進行觸媒之中和反應，將水解縮合反應生成之醇予以減壓除去，獲得反應混合物水溶液。此時中和能使用之酸性物質之量宜相對於觸媒使用之鹼性物質為0.1~2當量較佳。此酸性物質只要是在水中呈酸性者即可，可以為任意物質。
然後，從反應混合物將水解縮合反應生成之醇等副生物去除較佳。此時，將反應混合物加熱之溫度及減壓度可以和使用上述酸觸媒時為同樣的溫度及減壓度。
然後，也可從反應混合物將水解縮合使用的鹼性觸媒除去。去除鹼性觸媒時使用之有機溶劑可以和使用上述酸觸媒時為同樣者。 又，可以使用和使用上述酸觸媒時為同樣之水溶性有機溶劑與水難溶性有機溶劑之混合物將鹼性觸媒除去。又，水溶性有機溶劑與水難溶性有機溶劑と之混合比例也可使用和使用上述酸觸媒時為同樣的比例。
然後，也可利用中性水洗滌。洗滌方法可使用和使用上述酸觸媒時為同樣的方法。
可藉由於洗滌完畢的聚合物加入最終溶劑，於減壓進行溶劑交換以獲得聚合物溶液。溶劑交換之溫度及減壓度可為和使用上述酸觸媒時為同樣的溫度及減壓度。
又，此時，可以和使用上述酸觸媒時同樣添加具有環狀醚作為取代基之1元或2元以上之醇、或醚化合物作為安定劑。又，聚合物溶液宜事先調成0.1~20質量%之濃度較佳。
宜加到聚合物之最終溶劑為醇系溶劑，尤佳為乙二醇、二乙二醇、三乙二醇等單烷醚、丙二醇、二丙二醇等單烷醚。具體而言，丙二醇單甲醚、乙二醇單甲醚、丙二醇單乙醚、乙二醇單乙醚、丙二醇單丙醚、乙二醇單丙醚等較佳。
該等溶劑只要是主成分即可，也可添加非醇系溶劑作為輔助溶劑。此輔助溶劑可使用和使用上述酸觸媒時為同樣的輔助溶劑。
又，就其他反應操作而言，也可於單體或單體之有機溶液添加水或含水有機溶劑並使水解反應開始。此時，鹼性觸媒可添加到單體或單體之有機溶液，也可添加到水或含水有機溶劑。反應溫度宜為0~100℃較理想，更佳為10~80℃。水滴加時宜加熱到10~50℃，之後升溫到20~80℃並使其熟成之方法較佳。
使用有機溶劑時，水溶性溶劑較理想，具體而言可列舉甲醇、乙醇、1-丙醇、2-丙醇、1-丁醇、2-丁醇、2-甲基-1-丙醇、丙酮、四氫呋喃、乙腈、丙二醇單甲醚、乙二醇單甲醚、丙二醇單乙醚、乙二醇單乙醚、丙二醇單丙醚、乙二醇單丙醚、丙二醇二甲醚、二乙二醇二甲醚、丙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醇單乙醚乙酸酯、丙二醇單丙醚等多元醇縮合物衍生物及該等之混合物等。
此時有機溶劑之使用量可以和上述量為同樣。將獲得之反應混合物以和上述為同樣之方法進行後處理，可獲得聚合物。
如上述反應獲得之聚合物之分子量，不只可藉由單體選擇，也可藉由聚合時之反應條件控制以調整。獲得之聚合物之分子量不特別限定，重量平均分子量為100,000以下較理想，更佳為200~50,000，又更佳為300~30,000。藉由使用重量平均分子量為100,000以下者，可抑制發生異物、塗布斑。又，關於上述重量平均分子量之數據係利用RI作為檢測器、使用四氫呋喃作為溶離溶劑，以凝膠滲透層析(GPC)，以聚苯乙烯作為標準物質，以聚苯乙烯換算表示分子量。
又，本發明之塗佈型含矽膜形成用組成物也可包括：作為(A)成分之選自含有上述通式(A-1-1)~(A-1-4)表示之者中之1種以上之矽化合物之混合物之水解物、縮合物、或水解縮合物中之1種以上之聚合物、作為(B)成分之下列通式(B-1)表示之者中之1種以上之聚矽烷化合物，及溶劑。 (R7 R8 R9 Si)a1 (R10 R11 Si)a2 (R12 Si)a3 (Si)a4 (B-1) (式中，R7 、R8 、R9 、R10 、R11 、R12 、a1、a2、a3、a4同上述。)
成為上述塗佈型含矽膜形成用組成物之(A)成分之含矽化合物(聚合物)可藉由將含有上述中之1種以上之矽化合物之混合物(單體)予以水解、縮合、或水解縮合而合成。
獲得上述(A)成分之水解、縮合、或水解縮合反應可依和前述同樣的方法進行。
[(B)成分] 作為構成本發明之塗佈型含矽膜形成用組成物之(B)成分可使用下列通式(B-1)表示之聚矽烷化合物。 (R7 R8 R9 Si)a1 (R10 R11 Si)a2 (R12 Si)a3 (Si)a4 (B-1)
作為上述通式(B-1)表示之聚矽烷化合物，可和上述通式(A-2-1)表示之聚矽烷化合物同使用大阪氣體化學製之Ogsol SI-10-10(聚甲基苯基矽烷)、SI-10-20(聚甲基苯基矽烷)、SI-20-10(聚苯基矽烷)、SI-20-10改(聚苯基矽烷)、SI-30-10(環狀聚二苯基矽烷)等。又，也可將此等化合物於鹼性條件下反應而低分子量化後使用。於鹼性條件下之反應之詳情如前述。
尤其上述(B-1)成分之重量平均分子量為1,000以下較佳。重量平均分子量藉由為1,000以下，上述通式(B-1)表示之聚矽烷化合物容易溶於塗佈型含矽膜形成用組成物中之溶劑成分，可防止成膜時發生微粒。
[(C)成分] 本發明之塗佈型含矽膜形成用組成物宜更含有作為(C)成分之選自下列通式(C-1)表示之者中之1種以上之矽化合物、該矽化合物の水解物、縮合物、或水解縮合物中1種以上較佳。 R1C c1 R2C c2 R3C c3 Si(OR0C )(4-c1-c2-c3) (C-1) (式中，R0C 為碳數1~6之烴基，R1C 、R2C 、R3C 各為氫原子或碳數1~30之1價有機基。又，c1、c2、c3為0或1，1≦c1+c2+c3≦3。)
通式(C-1)表示之矽化合物可列舉和上述(A)成分中之通式(A-1-1)~(A-1-3)表示之矽化合物之具體例為同樣者。
又，通式(C-1)中之R1C 、R2C 、R3C 中之1者以上宜為具有經酸不安定基取代之羥基或羧基的有機基較佳。
如此的通式(C-1)表示之化合物可使用下列結構表示之在矽上具有2個或3個甲氧基、乙氧基、丙氧基或丁氧基作為水解性基的化合物者。又，下列結構式中中，(Si)係為了代表和Si之鍵結部位而記載。
【化21】
【化22】
【化23】
【化24】
藉由使用如此的(C)成分，可獲得作為光阻下層膜使用時，和光阻圖案之密合性更改善，於微細圖案也不發生圖案崩塌之成為光阻下層膜之塗佈型含矽膜形成用組成物。
又，上述(C)成分宜含有選自於上述通式(A-1-1)~(A-1-4)表示之者中之1種以上之矽化合物及下列通式(C-2-1)~(C-2-6)表示之者中之1種以上之磷化合物之各自單獨、該等之混合物、該等之單獨或混合物之水解物、縮合物、或水解縮合物中之1種以上較佳。 PX3 (C-2-1) POX3 (C-2-2) P2 O5 (C-2-3) H(HPO3 )a5 OH　　　    (C-2-4) R13 PX2 (C-2-5) R13 POX2 (C-2-6) (式中，R13 各為氫原子或碳數1~30之有機基，該有機基中之氫原子也可以取代為鹵素原子。X為鹵素原子、羥基、或碳數1~6之烷氧基，a5為1以上之整數。)
[磷化合物] 可作為(C)成分使用之磷化合物可列舉下列通式(C-2-1)表示者。 PX3 (C-2-1) (式中，X為鹵素原子、羥基、或碳數1~6之烷氧基。) 上述通式(C-2-1)表示之磷化合物宜為三氯化磷、三溴化磷、亞磷酸、亞磷酸三甲酯、亞磷酸三乙酯、亞磷酸三丙酯等為較佳。
可作為(C)成分使用之磷化合物可列舉下列通式(C-2-2)表示者。 POX3 (C-2-2) (式中，X為鹵素原子、羥基、或碳數1~6之烷氧基。) 上述通式(C-2-2)表示之磷化合物宜為氧基三氯化磷、氧基三溴化磷、磷酸、磷酸三甲酯、磷酸三乙酯、磷酸三丙酯等為較佳。
可作為(C)成分使用之磷化合物可列舉下列通式(C-2-3)、(C-2-4)表示者。 P2 O5 (C-2-3) H(HPO3 )a5 OH　　　　     (C-2-4) (式中，a5為1以上之整數。) 上述通式(C-2-3)表示之五氧化二磷、上述通式(C-2-4)表示之聚磷酸、聚磷酸酯等可作為磷化合物使用。
可作為(C)成分使用之磷化合物可列舉下列通式(C-2-5)表示者。 R13 PX2 (C-2-5) (式中，R13 為氫原子或碳數1~30之有機基，該有機基中之氫原子也可取代為鹵素原子。X為鹵素原子、羥基、或碳數1~6之烷氧基。) 作為上述通式(C-2-5)表示之磷化合物宜為CH3 PCl2 、C2 H5 PCl2 、CH3 OPCl2 等較佳。
可作為(C)成分使用之磷化合物可列舉下列通式(C-2-6)表示者。 R13 POX2 (C-2-6) (式中，R13 為氫原子或碳數1~30之有機基，該有機基中之氫原子也可取代為鹵素原子。X為鹵素原子、羥基、或碳數1~6之烷氧基。) 上述通式(C-2-6)表示之磷化合物宜為HPO(OCH3 )2 、HPO(OC2 H5 )2 、CH3 PO(OH)2 、CH3 PO(OCH3 )2 、CH3 POCl2 、C6 H5 PO(OH)2 、C6 H5 POCl2 、C6 H5 CH2 PO(OC2 H5 )2 等為較佳。
如上，藉由(C)成分含有矽化合物、磷化合物，對於微細圖案之圖案密合性更良好。
又，上述(C)成分宜含有選自於上述通式(A-1-1)~(A-1-4)表示之者中之1種以上之矽化合物及下列通式(C-3-1)~(C-3-3)表示之者中之1種以上之硼化合物之各別單獨、該等之混合物、該等之單獨或混合物之水解物、縮合物、或水解縮合物中之1種以上較佳。 BX3 (C-3-1) B2 O3 (C-3-2) R14 BX2 (C-3-3)  (式中，R14 各為氫原子或碳數1~30之有機基，且該有機基中之氫原子也可取代為鹵素原子。X為鹵素原子、羥基、或碳數1~6之烷氧基。)
[硼化合物] 能作為(C)成分使用之硼化合物可列舉下列通式(C-3-1)表示者。 BX3 (C-3-1) (式中，X為鹵素原子、羥基、或碳數1~6之烷氧基。) 上述通式(C-3-1)表示之硼化合物宜為三氟化硼、三氯化硼、硼酸、硼酸三甲基、硼酸三乙酯、硼酸三丙酯、硼酸三丁酯、硼酸三戊酯、硼酸三己酯、硼酸三環戊酯、硼酸三環己酯、硼酸三烯丙酯、硼酸三苯酯、硼酸乙基二甲酯等較佳。
可作為(C)成分使用之硼化合物可列舉下列通式(C-3-2)表示者。 B2 O3 (C-3-2) 上述通式(C-3-2)表示之氧化硼可作為硼化合物使用。
可作為(C)成分使用之硼化合物可列舉下列通式(C-3-3)表示者。 R14 BX2 (C-3-3) (式中，R14 為氫原子或碳數1~30之有機基，有機基中之氫原子也可取代為鹵素原子。X為鹵素原子、羥基、或碳數1~6之烷氧基。) 上述通式(C-3-3)表示之硼化合物宜為C6 H5 B(OH)2 、CH3 B(OC3 H7 )2 、CH3 B(OH)2 、C6 H11 B(OH)2 等為較佳。
如此，藉由(C)成分含有矽化合物、硼化合物，對於微細圖案之圖案密合性更良好。
又，(C)成分之水解、縮合、或水解縮合反應也可以和上述(A)成分之水解、縮合、或水解縮合反應以同樣方法進行。
再者，本發明之塗佈型含矽膜形成用組成物宜包括於1分子中具2個以上之羥基或羧基之有機化合物較佳。如此的有機化合物可列舉下列所示之化合物。
【化25】
【化26】
【化27】
又，上述結構式中之Y為氫原子、甲基、或羥基甲基，R15 為亞甲基、羰基、或伸苯基，n為3以上未達100之整數。na表示1~3之自然數，nb表示1以上之自然數，nc表示2~4之自然數，nd表示2以上之自然數。 上述結構式可能存在鏡像異構物(enantiomer)或非鏡像異構物(diastereomer)，但是各結構式代表該等立體異構物全部。該等立體異構物可以單獨使用，也可以混合物的形式使用。
上述有機化合物可以單獨使用1種或組合使用2種以上。其添加量宜相對於上述(A)成分之聚合物100質量份為0.001~50質量份，更佳為0.01~30質量份。 藉由添加如此之有機化合物，濕蝕刻時含矽膜之崩塌加快，容易剝離。
[其他添加劑] 本發明之塗佈型含矽膜形成用組成物中也可以添加熱交聯促進劑。本發明之塗佈型含矽膜形成用組成物可使用之熱交聯促進劑，具體而言可列舉在日本特開2007-302873號公報記載之熱交聯促進劑。又，上述熱交聯促進劑可以單獨使用1種或組合使用2種以上。又，熱交聯促進劑之添加量宜相對於上述(A)成分之聚合物100質量份為0.01~50質量份，更佳為0.1~40質量份。
本發明之塗佈型含矽膜形成用組成物中，為了使安定性改善，也可以添加碳數為1~30之1元或2元以上之有機酸。此時添加之酸可以列舉甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、戊酸、己酸、庚酸、辛酸、壬酸、癸酸、油酸、硬脂酸、亞油酸、亞麻酸、苯甲酸、鄰苯二甲酸、間苯二甲酸、對苯二甲酸、水楊酸、三氟乙酸、單氯乙酸、二氯乙酸、三氯乙酸、草酸、丙二酸、甲基丙二酸、乙基丙二酸、丙基丙二酸、丁基丙二酸、二甲基丙二酸、二乙基丙二酸、琥珀酸、甲基琥珀酸、戊二酸、己二酸、衣康酸、馬來酸、富馬酸、檸康酸、檸檬酸等。該等之中尤其草酸、馬來酸、甲酸、乙酸、丙酸、檸檬酸等為較佳。又，為了保持安定性，也可混用2種以上之酸。添加量宜相對於組成物所含之矽100質量份為0.001~25質量份較理想，更佳為0.01~15質量份，又更佳為0.1~5質量份。或可摻合上述有機酸，使換算為組成物之pH較佳為0≦pH≦7，更佳為0.3≦pH≦6.5，更佳為0.5≦pH≦6。
又，本發明之塗佈型含矽膜形成用組成物中，也可以添加具有環狀醚作為取代基之1元或2元以上之醇、或醚化合物作為安定劑。藉由添加安定劑，能使聚合物之安定性改善。本發明之塗佈型含矽膜形成用組成物可使用之安定劑，具體而言可列舉日本特開2009-126940號公報(0180)~(0184)段落記載之安定劑。
本發明之塗佈型含矽膜形成用組成物也可以添加水。藉由添加水，聚合物會水合，故微影性能提高。塗佈型含矽膜形成用組成物之溶劑成分之水之含有率宜超過0質量%且未達50質量%較理想，更佳為0.3~30質量%，又更佳為0.5~20質量%。含水之全部溶劑之使用量，相對於(A)成分之聚合物100質量份為100~100,000質量份較理想，更佳為200~50,000質量份。藉由為如此之添加量，能使微影性能改善，且塗布膜之均勻性不易惡化，故可抑制出現眼孔(eye hole)。
本發明之塗佈型含矽膜形成用組成物中也可以添加光酸產生劑。本發明之塗佈型含矽膜形成用組成物可使用之光酸產生劑，具體而言可列舉日本特開2009-126940號公報(0160)~(0179)段落記載之光酸產生劑。
本發明之塗佈型含矽膜形成用組成物中視需要也可添加界面活性劑。本發明之塗佈型含矽膜形成用組成物可使用之界面活性劑，具體而言可列舉日本特開2009-126940號公報(0185)段落記載之界面活性劑。
本發明之塗佈型含矽膜形成用組成物中，視需要可添加磷酸鹽化合物、硼酸鹽化合物作為熱交聯促進劑。如此之磷酸鹽化合物，例如磷酸銨、磷酸四甲基銨、磷酸四丁基銨等銨鹽、磷酸三苯基鋶等鋶鹽。又，如此之硼酸鹽化合物，例如硼酸銨、硼酸四甲基銨、硼酸四丁基銨等銨鹽、硼酸三苯基鋶等鋶鹽。
可使用如上述化合物獲得本發明之塗佈型含矽膜形成用組成物。本發明之塗佈型含矽膜形成用組成物之理想形態之一例可列舉具有如下述結構者。 【化28】(式中，m1、m2、m3為組成物中之莫耳分率，m1+m2+m3＝1、0.5＜m1＜1、0＜m2＜0.3、0≦m3＜0.4。又，m10、m11、m12、m13、m20、m21、m22、m23同上述。m30、m31、m32、m33為將碳作為骨架之結構中之元素組成比率，m30+m31+m32+m33＝1、0＜m30≦0.4、0＜m31≦0.6、0＜m32≦0.2、0≦m33≦0.1。又，R1 、R2 、R3 、R4 、R5 、R6 、R7 、R8 、R9 、R10 、R11 、R12 同上述。)
如上述，若為本發明之塗佈型含矽膜形成用組成物，可成為形成微細圖案之密合性優異，能以對於半導體基板、圖案化步驟為必要之塗布型有機膜、將碳作為主成分之CVD膜不造成損害之剝離液輕易地濕蝕刻之含矽膜之塗佈型含矽膜形成用組成物。
[基板] 又，本發明提供一種基板，係用於半導體之製造步驟之基板，係將上述塗佈型含矽膜形成用組成物塗佈於被加工體上而形成含矽膜。
又，此時本發明之塗佈型含矽膜形成用組成物塗佈於被加工體上而形成的含矽膜可作為光阻下層膜、平坦化膜、絕緣膜中之至少一者的作用。
使用本發明之塗佈型含矽膜形成用組成物形成之含矽膜，微細圖案之密合性優異，能以對於半導體基板、圖案化步驟所必要之塗布型有機膜、將碳作為主成分之CVD膜無損害之剝離液輕易地濕蝕刻，故適合作為光阻下層膜。
又，使用本發明之塗佈型含矽膜形成用組成物形成之含矽膜，能以不發生微粒地形成膜，且藉由熱處理能輕易地平坦化，故適合作為平坦化膜。
又，使用本發明之塗佈型含矽膜形成用組成物形成之含矽膜，藉由為塗布型，能不發生微粒地成膜，也適合作為絕緣膜。
又，上述含矽膜，係以將已形成一部分或全部半導體電路的半導體基板作為被加工體，在半導體基板上將塗佈型含矽膜形成用組成物進行旋轉塗布並煅燒以形成。
[圖案形成方法] 本發明可藉由以下方式形成圖案：在被加工體上使用塗布型有機下層膜材料形成有機下層膜，在該有機下層膜之上使用本發明之塗佈型含矽膜形成用組成物形成含矽膜，並在該含矽膜上形成上層光阻膜，在該上層光阻膜形成圖案，將該已形成圖案之上層光阻膜作為遮罩，以蝕刻對於含矽膜進行圖案轉印，將該已轉印圖案之含矽膜作為遮罩，以蝕刻對於前述有機下層膜進行圖案轉印，形成用以加工被加工體之遮罩圖案，藉此形成圖案。
再者，本發明也可藉由以下方式形成圖案：於被加工體上以CVD法形成將碳作為主成分之硬遮罩，於此硬遮罩之上使用本發明之塗佈型含矽膜形成用組成物形成含矽膜，在該含矽膜上形成上層光阻膜，在該上層光阻膜形成圖案，將該已形成圖案之上層光阻膜作為遮罩，以蝕刻對於含矽膜進行圖案轉印，將該已轉印圖案之含矽膜作為遮罩，以蝕刻對於前述硬遮罩進行圖案轉印，以形成為了加工被加工體之遮罩圖案，藉此形成圖案。
又，本發明之圖案形成方法使用之被加工體可為在已形成一部分或全部半導體電路的半導體基板將作為被加工層之金屬膜、非晶金屬膜、金屬碳化膜、金屬氧化膜、金屬氮化膜、金屬氧化碳化膜、或金屬氧化氮化膜中之任一者予以製膜而得者。
半導體基板一般使用矽基板，但並無特別限定，也可以使用Si、非晶矽(α-Si)、p-Si、SiO2 、SiN、SiON、W、TiN、Al等和被加工層為不同的材質。
構成被加工體的金屬可使用矽、鈦、鎢、鉿、鋯、鉻、鍺、銅、鋁、銦、鎵、砷、鈀、鐵、鉭、銥、鉬中之任一者、或該等的合金。含有如此之金屬之被加工層，例如： Si、SiO2 、SiN、SiON、SiOC、p-Si、α-Si、TiN、WSi、BPSG、SOG、Cr、CrO、CrON、MoSi、W、Al、Cu、Al-Si等及各種低介電膜、及其蝕刻阻擋膜，膜厚宜為50~10,000nm較理想，100~5,000nm更理想。
本發明之圖案形成方法，可於被加工體上形成有機下層膜、或將碳作為主成分之硬遮罩。其中，有機下層膜可以由塗布型有機下層膜材料使用旋轉塗布法等形成，將碳作為主成分之硬遮罩可以由將碳作為主成分之有機硬遮罩之材料使用CVD法形成。如此之塗布型有機下層膜及將碳作為主成分之CVD膜不特別限定，當上層光阻膜利用曝光形成圖案時，宜為展現充分抗反射膜機能者較佳。藉由形成如此之塗布型有機下層膜或將碳作為主成分之CVD膜，能不生尺寸變換差地將已於上層光阻膜形成之圖案轉印在被加工體上。
本發明之圖案形成方法使用之含矽膜可以由塗布型含矽膜形成用組成物以和光阻膜(上層光阻膜)同樣方式以旋塗法等製作於被加工體上。旋塗後使溶劑蒸發，為了防止和上層光阻膜混合，或為了促進交聯反應，宜進行烘烤。烘烤溫度為50~500℃之範圍內較理想，加熱時間為10~300秒之範圍內為較佳。尤佳的溫度範圍取決於製造之器件之結構，但為了減少對於器件的熱損害，400℃以下為較佳。
又，於上述上層光阻膜形成圖案宜採用使用波長300nm以下之光或EUV光之微影法、電子束直接描繪法、定向自組裝法、或奈米壓印微影法進行較佳。藉由使用如此之方法，能夠在上層光阻膜上形成微細的圖案。
上層光阻膜形成用組成物可因應於上述上層光阻膜形成圖案之方法適當選擇。例如：當使用300nm以下之光或EUV光進行微影時，上層光阻膜形成用組成物可使用化學增幅型之光阻膜材料。如此之光阻膜材料可列舉：於形成光阻膜並進行曝光後，使用鹼顯影液將曝光部溶解以形成正型圖案的材料、使用由有機溶劑構成之顯影液將未曝光部溶解以形成負型圖案的材料。
又，使用氟化氬準分子雷射光作為波長300nm以下之光而進行微影時，上層光阻膜形成用組成物只要是通常之氟化氬準分子雷射光用光阻組成物均可使用。如此之氟化氬準分子雷射光用光阻組成物已有多數候選者為公知，若將公知之樹脂大致分類，有：聚(甲基)丙烯酸系、COMA(CycloOlefinMaleicAnhydride)系、COMA-(甲基)丙烯酸基混成系、ROMP(RingOpeningMetathesisPolymerization)系、聚降莰烯系等，其中，使用了聚(甲基)丙烯酸系樹脂之光阻組成物藉由在側鏈導入脂環族骨架，可確保蝕刻耐性，故解像性能比其他樹脂系更優良，可理想地使用。
本發明之圖案形成方法因為光阻下層膜之圖案密合性優良，即使上層光阻膜形成微細圖案也不會發生圖案崩塌等，且對於有機膜、含矽膜之蝕刻選擇性優良，所以藉由將塗布型有機下層膜、將碳作為主成分之CVD膜之組合予以最適化，能不生尺寸變換差地進行圖案轉印。
實施形成用以加工前述被加工體之遮罩圖案之步驟後，也可進行利用濕蝕刻去除前述含矽膜之步驟。
將上述含矽膜濕蝕刻時，宜使用含有過氧化氫之剝離液較佳。此時為了促進剝離，加入酸或鹼而調整pH更理想。此pH調整劑可列舉鹽酸、硫酸等無機酸、乙酸、草酸、酒石酸、檸檬酸、乳酸等有機酸、氨、乙醇胺、氫氧化四甲基銨等含氮鹼性化合物、EDTA(乙二胺4乙酸)等含氮之有機酸化合物等。
由本發明之塗布型含矽膜形成用組成物獲得之含矽膜具有在鹼性條件下會開裂之矽-矽鍵，於鹼性條件下之剝離性特別優異。理想的剝離液可列舉SC1。
濕蝕刻係準備0℃~80℃，較佳為5℃~60℃之剝離液，於其中浸入欲處理之被加工基板已形成之矽晶圓即可。又，若有必要，可利用對於表面噴灑剝離液、邊旋轉晶圓邊塗佈剝離液等習知方法之程序輕易地去除含矽膜。
如上，若使用本發明之塗佈型含矽膜形成用組成物形成圖案，能對於塗布型有機下層膜、將碳作為主成分之CVD膜不造成損害地輕易地對於含矽膜進行濕蝕刻。 【實施例】
以下舉製備例、合成例、實施例、及比較例對於本發明具體説明，但本發明不限於該等記載。又，下例中，%代表質量%，分子量測定利用GPC。GPC測定之檢測採用RI，溶離溶劑採用四氫呋喃，求出聚苯乙烯換算之分子量。
聚矽烷化合物之製備  [製備例(X1)] 使大阪氣體化學製之Ogsol SI-10-20(Mw1,900)10.0g溶於四氫呋喃100.0g，加入三乙胺6.0g與超純水16.0g。使此溶液於回流下反應7小時後，加入丙二醇單乙醚(PGEE)375g並於減壓下濃縮，獲得聚矽烷化合物(X1)之PGEE溶液91.3g(聚合物濃度11%)。Mw為980。
[製備例(X2)] 使大阪氣體化學製之Ogsol SI-20-10(Mw1,300)10.0g溶於四氫呋喃100.0g，加入29%氨水2.0g與超純水6.0g。使此溶液於回流下反應6.5小時後，加入丙二醇單乙醚(PGEE)250g，於減壓下濃縮，獲得聚矽烷化合物(X2)之PGEE溶液70.3g(聚合物濃度15%)。Mw為870。
[製備例(X3)] 使大阪氣體化學製之Ogsol SI-20-10改(Mw1,400)10.0g溶於四氫呋喃100.0g，加入三乙胺6.0g與超純水16.0g。使此溶液於回流下反應12小時後，加入丙二醇單乙醚(PGEE)250g，於減壓下濃縮，獲得聚矽烷化合物(X3)之PGEE溶液71.3g(聚合物濃度14%)。Mw為830。
以下彙整製備例(X1)~(X3)之摻合量於表1。 【表1】
[合成例(A1)] 於PGEE120g、70%硝酸1g及去離子水60g之混合物中添加甲基三甲氧基矽烷(M1)17.0g、苯基三甲氧基矽烷(M2)5.0g、四甲氧基矽烷(M5)45.7g、及聚矽烷化合物(X1)之PGEE溶液54.6g之混合物，於40℃保持12小時使其水解縮合。反應結束後加入PGEE300g，將副生醇及過量的水減壓餾去，獲得聚合物(A1)之PGEE溶液300g(聚合物濃度12%)。Mw為3,000。
[合成例(A2)] 於PGEE80g、70%硝酸1g及去離子水60g之混合物中添加甲基三甲氧基矽烷(M1)17.0g、苯基三甲氧基矽烷(M2)5.0g、四甲氧基矽烷(M5)45.7g、及聚矽烷化合物(X3)之PGEE溶液43.6g之混合物，於40℃保持12小時使其水解縮合。反應結束後加入PGEE300g，將副生醇及過量的水減壓餾去，獲得聚合物(A2)之PGEE溶液320g(聚合物濃度11%)。Mw為2,900。
[合成例(A3)] 於PGEE100g、70%硝酸1g及去離子水60g之混合物中添加甲基三甲氧基矽烷(M1)17.0g、4-氟苯基三甲氧基矽烷(M3)5.4g、四甲氧基矽烷(M5)49.5g、及聚矽烷化合物(X2)之PGEE溶液20.4g之混合物，於40℃保持12小時使其水解縮合。反應結束後加入PGEE300g，將副生醇及過量的水減壓餾去，獲得聚合物(A3)之PGEE溶液310g(聚合物濃度11%)。Mw為2,700。
[合成例(A4)] 於PGEE70g、70%硝酸1g及去離子水60g之混合物中添加4-氯苯基三甲氧基矽烷(M4)5.8g、四甲氧基矽烷(M5)64.7g、及聚矽烷化合物(X1)之PGEE溶液54.6g之混合物，於40℃保持12小時使其水解縮合。反應結束後加入PGEE300g，將副生醇及過量的水減壓餾去，獲得聚合物(A4)之PGEE溶液300g(聚合物濃度12%)。Mw為3,500。
[合成例(A5)] 於PGEE80g、70%硝酸1g、及去離子水60g之混合物中加入甲基三甲氧基矽烷(M1)13.6g、苯基三甲氧基矽烷(M2)5.0g、四甲氧基矽烷(M5)45.7g、2-乙醯氧基-1,1,1-三氟-2-(三氟甲基)丁基三甲氧基矽烷(M6)9.3g、及聚矽烷化合物(X3)之PGEE溶液43.6g之混合物，於40℃保持12小時使其水解縮合。反應結束後加入PGEE300g，將副生醇及過量的水減壓餾去，獲得聚合物(A5)之PGEE溶液310g(聚合物濃度13%)。Mw為3,000。
[合成例(A6)] 於PGEE120g、70%硝酸1g及去離子水60g之混合物中添加甲基三甲氧基矽烷(M1)17.0g、苯基三甲氧基矽烷(M2)5.0g、及四甲氧基矽烷(M5)53.3g之混合物，於40℃保持12小時使其水解縮合。反應結束後加入PGEE300g，將副生醇及過量的水減壓餾去，獲得聚合物(A6)之PGEE溶液300g(聚合物濃度11%)。Mw為2,900。
以下彙整合成例(A1)~(A6)之摻合量於表2。 【表2】
(C)成分之合成 [合成例(C1)] 於甲醇120g、甲烷磺酸1g、及去離子水60g之混合物中添加甲基三甲氧基矽烷(M1)34.1g及硼酸三甲基(M11)26.0g之混合物，於40℃保持12小時使其水解縮合。反應結束後加入PGEE300g，將副生醇及過量的水減壓餾去，獲得聚合物(C1)之PGEE溶液300g(聚合物濃度13%)。測定此聚合物之聚苯乙烯換算分子量，結果為Mw＝3,200。
[合成例(C2)] 於甲醇120g、甲烷磺酸1g、及去離子水60g之混合物中添加苯基三甲氧基矽烷(M2)9.9g、甲基三甲氧基矽烷(M1)54.5g、及磷酸三丁酯(M7)12.5g之混合物，於40℃保持12小時使其水解縮合。反應結束後加入PGEE300g，將副生醇及過量的水減壓餾去，獲得聚合物(C2)之PGEE溶液310g(聚合物濃度12%)。測定此聚合物之聚苯乙烯換算分子量，結果為Mw＝3,500。
[合成例(C3)] 於甲醇120g、甲烷磺酸1g、及去離子水60g之混合物中添加甲基三甲氧基矽烷(M1)61.3g及四甲氧基矽烷(M5)7.6g之混合物，於40℃保持12小時使其水解縮合。反應結束後加入PGEE300g，將副生醇及過量的水減壓餾去，獲得聚合物(C3)之PGEE溶液300g(聚合物濃度11%)。測定此聚合物之聚苯乙烯換算分子量，結果為Mw＝3,500。
[合成例(C4)] 於甲醇120g、甲烷磺酸1g、及去離子水60g之混合物中添加甲基三甲氧基矽烷(M1)34.1g及4-第三丁氧基苯基三甲氧基矽烷(M8)67.6g之混合物，於24小時保持40℃使其水解縮合。反應結束後加入PGEE500g，將副生醇及過量的水減壓餾去，獲得聚合物(C4)之PGEE溶液570g(聚合物濃度12%)。測定此聚合物之聚苯乙烯換算分子量，結果為Mw＝2,700。
[合成例(C5)~(C11)] 以和合成例(C4)同樣的條件，使用下表3所示之單體分別獲得聚合物(C5)~(C11)之PGEE溶液。
以下彙整合成例(C1)~(C11)之摻合量於表3。 【表3】
以下揭示合成例(A1)~(A6)、(C1)~(C11)使用之化合物之結構式。 【化29】
[實施例及比較例] 上述製備例及合成例獲得之作為(A)成分之聚合物(A1)~(A6)、作為(B)成分之聚矽烷化合物(X1)~(X3)、作為(C)成分之聚合物(C1)~(C11)、添加劑、及溶劑依表4所示之比例混合，以0.1μm之氟樹脂製濾器過濾，分別製備成塗佈型含矽膜形成用組成物溶液，各命為Sol.1~19。(A)成分、(B)成分、(C)成分之摻合比基於固體成分換算値。
【表4】
上述表4中之添加物使用以下者。 TPSH2 PO4 ：磷酸單(三苯基鋶) TPSH2 BO3 ：硼酸單(三苯基鋶) TPSMA　　 ：馬來酸單(三苯基鋶) TPSNO3 ：硝酸三苯基鋶 QMANO3 ：硝酸四甲基銨 TPSNf　　   ：九氟丁磺酸三苯基鋶 TEAOH        ：三乙醇胺 PEOL　        ：季戊四醇 TMOL　       ：三羥甲基乙烷 SORBOL      ：山梨醇 XYTOL        ：木糖醇
[塗佈膜濕蝕刻試驗] 在矽晶圓上旋轉塗佈塗佈型含矽膜形成用組成物溶液Sol.1~19，於240℃進行160秒加熱成膜，形成膜厚35nm之含矽膜Film1~19。將該等含矽膜在含有0.6%氨之1%過氧化氫水(以下稱為氨過水)中於65℃浸漬10分鐘，以JA Woollam公司製M-2000高速分光橢圓偏光儀測定殘留的膜厚。其結果示於下表5。
【表5】
如上述表5所示，使用本發明之塗佈型含矽膜形成用組成物形成之含矽膜Film1~17以氨過水處理後之膜厚為2埃以下，可充分除去。另一方面，針對不含將矽作為骨架之結構之Film18、19，經氨過水處理後之膜厚為50埃以上，未能充分除去。
[利用正型顯影所為之圖案化試驗] 在矽晶圓上以膜厚200nm形成信越化學工業(股)製旋塗式碳膜ODL-50(碳含量80質量%)。於其上塗佈塗佈型含矽膜形成用組成物溶液Sol.1~17，於240℃加熱60秒，形成膜厚35nm之含矽膜Film1~17。
然後於含矽膜上塗佈下表6記載之正型顯影用氟化氬光阻溶液(PR-1)。於110℃烘烤60秒，形成膜厚100nm之光阻膜。再於光阻膜上塗佈下表7記載之浸潤保護膜(TC-1)，於90℃烘烤60秒，形成膜厚50nm之保護膜。 其次將此等以氟化氬浸潤曝光裝置(Nikon(股) 製；NSR-S610C，NA1.30、σ0.98/0.65、35度偶極偏光照明、6%半階調相位偏移遮罩)曝光，於100℃烘烤60秒(PEB)，以2.38質量%四甲基氫氧化銨(TMAH)水溶液顯示30秒，獲得43nm1：1之正型之線與間距圖案。 對於以此方式獲得之基板，以日立製作所(股)製電子顯微鏡(S-9380)觀測剖面形狀，以日立先端科技(股)製電子顯微鏡(CG4000)觀測圖案崩塌。
上述正型顯影所為之圖案化試驗使用之正型顯影用氟化氬光阻溶液(PR-1)之組成示於下表6。 【表6】
上述表6所示之氟化氬光阻聚合物1之分子量、分散度、及結構式如以下所示。 氟化氬光阻聚合物1：分子量(Mw)＝7,800 分散度(Mw/Mn)＝1.78 【化30】上述表6所示之酸產生劑：PAG1之結構式如以下所示。 【化31】上述表6所示之鹼：Quencher之結構式如以下所示。 【化32】
上述正型顯影所為之圖案化試驗使用之浸潤保護膜(TC-1)之組成如以下表7所示。 【表7】
上述表7所示之保護膜聚合物之分子量、分散度、及結構式如以下所示。 保護膜聚合物：分子量(Mw)＝8,800 分散度(Mw/Mn)＝1.69 【化33】
觀測上述正型顯影所為之圖案化試驗獲得之基板之剖面形狀及圖案崩塌之結果示於下表8。 【表8】
如上述表8所示，使用利用本發明之塗佈型含矽膜形成用組成物形成之含矽膜作為光阻下層膜之基板，於正型顯影可獲得垂直形狀之光阻剖面。又，未觀測到如此的基板有圖案崩塌。
[利用負型顯影所為之圖案化試驗] 在矽晶圓上以膜厚200nm形成信越化學工業(股)製旋塗式碳膜ODL-50(碳含量80質量%)。於其上塗佈塗佈型含矽膜形成用組成物溶液Sol.2、4、5、10、16、17，於240℃加熱60秒，形成膜厚35nm之含矽膜Film2、4、5、10、16、17。
然後，於含矽膜上塗佈下表9記載之負型顯影用氟化氬光阻溶液(PR-2)，於100℃烘烤60秒，形成膜厚100nm之光阻膜。再於光阻膜上塗佈上述表7記載之浸潤保護膜(TC-1)，於90℃烘烤60秒，形成膜厚50nm之保護膜。 然後將此等以氟化氬浸潤曝光裝置(Nikon(股)製；NSR-S610C，NA1.30、σ0.98/0.65、35度偶極偏光照明、6%半階調相位偏移遮罩)曝光，於100℃烘烤60秒(PEB)。然後，邊以30rpm使其旋轉邊從顯影噴嘴吐出作為顯影液之乙酸丁酯3秒，之後停止旋轉，進行浸置顯影27秒，以二異戊醚淋洗後旋乾，於100℃烘烤20秒，使淋洗溶劑蒸發。藉由此圖案化，獲得43nm1：1之負型之線與間距圖案。 對於以此方式獲得之基板，以日立製作所(股)製電子顯微鏡(S-4700)觀測剖面形狀，以日立先端科技(股)製電子顯微鏡(CG4000)觀測圖案崩塌。
上述負型顯影所為之圖案化試驗使用之負型顯影用氟化氬光阻溶液(PR-2)之組成如下表9。 【表9】
上述表9所示之氟化氬光阻聚合物2之分子量、分散度、及結構式如以下所示。 氟化氬光阻聚合物2：分子量(Mw)＝8,600 分散度(Mw/Mn)＝1.88 【化34】上述表9所示之酸產生劑：PAG2之結構式如以下所示。 【化35】又，上述表9所示之鹼：Quencher使用和前述正型顯影所為之圖案化試驗之PR-1使用者為相同者。
觀測上述負型顯影所為之圖案化試驗獲得之基板之剖面形狀及圖案崩塌，結果如下表10。 【表10】
如上述表10，即使於負型顯影，使用由本發明之塗佈型含矽膜形成用組成物獲得之含矽膜作為光阻下層膜之基板仍可獲得垂直形狀之光阻剖面。又，未觀測到如此的基板有圖案崩塌。
由以上可知：若為使用本發明之塗佈型含矽膜形成用組成物形成之塗佈型含矽膜，能以對於塗佈型有機下層膜、將碳作為主成分之CVD膜不造成損害的SC1(氨過水)等剝離液輕易地濕蝕刻。又，可知：藉由使用本發明之塗佈型含矽膜形成用組成物形成之塗佈型含矽膜作為光阻下層膜，可成為對於其上形成之光阻圖案呈現良好的密合性，且於微細圖案也不發生圖案崩塌之光阻下層膜。
又，本發明不限於上述實施形態。上述實施形態為例示，和本發明之申請專利範圍記載之技術思想有實質上同一構成且發揮同樣作用效果者皆包括在本發明之技術範圍。
無

Claims (20)

  1. 一種塗佈型含矽膜形成用組成物，其特徵為：具有下列通式(1)表示之將矽酸作為骨架之結構中之1種以上、及下列通式(2)表示之將矽作為骨架之結構中之1種以上，且包括下列通式(2)表示之單元彼此之連結； 【化1】【化2】式中，R1 、R2 、R3 、R4 、R5 、R6 各為氫原子或碳數1~30之有機基，且該有機基中之氫原子也可取代為鹵素原子；R7 、R8 、R9 、R10 、R11 、R12 為甲基、苯基、或羥基中之任一者；m10、m11、m12、m13為將矽酸作為骨架之結構中之莫耳分率，m10+m11+m12+m13＝1、0≦m10≦0.3、0≦m11≦0.5、0≦m12≦0.7、0＜m13≦1。m20、m21、m22、m23為將矽作為骨架之結構中之莫耳分率，m20+m21+m22+m23＝1、0≦m20≦1、0≦m21≦1、0≦m22≦1、0≦m23≦1。
  2. 如申請專利範圍第1項之塗佈型含矽膜形成用組成物，其中，該塗佈型含矽膜形成用組成物含有： 作為(A)成分之選自於含有下列通式(A-1-1)~(A-1-4)表示之者中之1種以上之矽化合物及下列通式(A-2-1)表示之者中之1種以上之聚矽烷化合物之混合物之水解物、縮合物、或水解縮合物中之1種以上之聚合物；及 溶劑； R1 R2 R3 SiOR　　　　　  (A-1-1) R4 R5 Si(OR)2 (A-1-2) R6 Si(OR)3 (A-1-3) Si(OR)4 (A-1-4) 式中，R為碳數1~6之烴基，R1 、R2 、R3 、R4 、R5 、R6 同前述； (R7 R8 R9 Si)a1 (R10 R11 Si)a2 (R12 Si)a3 (Si)a4 (A-2-1) 式中，R7 、R8 、R9 、R10 、R11 、R12 同前述；a1、a2、a3、a4為莫耳分率，a1+a2+a3+a4＝1、0≦a1≦1、0≦a2≦1、0≦a3≦1、0≦a4≦1。
  3. 如申請專利範圍第2項之塗佈型含矽膜形成用組成物，其中，該(A-2-1)成分之重量平均分子量為1,000以下。
  4. 如申請專利範圍第1項之塗佈型含矽膜形成用組成物，其中，該塗佈型含矽膜形成用組成物含有： 作為(A)成分之選自於含有下列通式(A-1-1)~(A-1-4)表示之者中之1種以上之矽化合物之混合物之水解物、縮合物、或水解縮合物中之1種以上之聚合物；及 作為(B)成分下列通式(B-1)表示之者中之1種以上之聚矽烷化合物；及 溶劑； R1 R2 R3 SiOR　　　　　  (A-1-1) R4 R5 Si(OR)2 (A-1-2) R6 Si(OR)3 (A-1-3) Si(OR)4 (A-1-4) 式中，R為碳數1~6之烴基，R1 、R2 、R3 、R4 、R5 、R6 同前述； (R7 R8 R9 Si)a1 (R10 R11 Si)a2 (R12 Si)a3 (Si)a4 (B-1) 式中，R7 、R8 、R9 、R10 、R11 、R12 同前述；a1、a2、a3、a4為莫耳分率，a1+a2+a3+a4＝1、0≦a1≦1、0≦a2≦1、0≦a3≦1、0≦a4≦1。
  5. 如申請專利範圍第4項之塗佈型含矽膜形成用組成物，其中，該(B-1)成分之重量平均分子量為1,000以下。
  6. 如申請專利範圍第2至5項中任一項之塗佈型含矽膜形成用組成物，更包含作為(C)成分之選自下列通式(C-1)表示之者中之1種以上之矽化合物、該矽化合物之水解物、縮合物、或水解縮合物中之1種以上； R1C c1 R2C c2 R3C c3 Si(OR0C )(4-c1-c2-c3) (C-1) 式中，R0C 為碳數1~6之烴基，R1C 、R2C 、R3C 各為氫原子或碳數1~30之1價有機基；又，c1、c2、c3為0或1，1≦c1+c2+c3≦3。
  7. 如申請專利範圍第6項之塗佈型含矽膜形成用組成物，其中，該通式(C-1)中之R1C 、R2C 、R3C 中之1者以上為具有經酸不安定基取代之羥基或羧基的有機基。
  8. 如申請專利範圍第6項之塗佈型含矽膜形成用組成物，其中，該(C)成分含有選自於該通式(A-1-1)~(A-1-4)表示之者中之1種以上之矽化合物及下列通式(C-2-1)~(C-2-6)表示之者中之1種以上之磷化合物之各自單獨、該等之混合物、該等單獨或混合物之水解物、縮合物、或水解縮合物中之1種以上； PX3 (C-2-1) POX3 (C-2-2) P2 O5 (C-2-3) H(HPO3 )a5 OH　　　　(C-2-4) R13 PX2 (C-2-5) R13 POX2 (C-2-6) 式中，R13 各為氫原子或碳數1~30之有機基，且該有機基中之氫原子也可取代為鹵素原子；X為鹵素原子、羥基、或碳數1~6之烷氧基，a5為1以上之整數。
  9. 如申請專利範圍第6項之塗佈型含矽膜形成用組成物，其中，該(C)成分含有選自該通式(A-1-1)~(A-1-4)表示之者中之1種以上之矽化合物及下列通式(C-3-1)~(C-3-3)表示之者中之1種以上之硼化合物之各自單獨、該等之混合物、該等單獨或混合物之水解物、縮合物、或水解縮合物中之1種以上； BX3 (C-3-1) B2 O3 (C-3-2) R14 BX2 (C-3-3) 式中，R14 各為氫原子或碳數1~30之有機基，且該有機基中之氫原子也可取代為鹵素原子；X為鹵素原子、羥基、或碳數1~6之烷氧基。
  10. 如申請專利範圍第1至5項中任一項之塗佈型含矽膜形成用組成物，更包括在1分子中具有2個以上之羥基或羧基之有機化合物。
  11. 一種基板，使用於半導體之製造步驟，其特徵為：係將如申請專利範圍第1至10項中任一項之塗佈型含矽膜形成用組成物塗佈於被加工體上而形成了含矽膜者。
  12. 如申請專利範圍第11項之基板，其中，該含矽膜係作為光阻下層膜、平坦化膜、絕緣膜中之至少一者的作用。
  13. 如申請專利範圍第11或12項之基板，其中，該被加工體係已形成一部分或全部半導體電路之半導體基板，且在該半導體基板上藉由旋轉塗佈該塗佈型含矽膜形成用組成物並煅燒而形成了該含矽膜。
  14. 一種圖案形成方法，其特徵為：在被加工體上使用塗佈型有機下層膜材料形成有機下層膜，在該有機下層膜之上使用如申請專利範圍第1至10項中任一項之塗佈型含矽膜形成用組成物形成含矽膜，並在該含矽膜上形成上層光阻膜，在該上層光阻膜形成圖案，將該已形成圖案之該上層光阻膜作為遮罩而對於該含矽膜利用蝕刻進行圖案轉印，將該已形成圖案之該含矽膜作為遮罩而對於該有機下層膜利用蝕刻進行圖案轉印，形成用以加工該被加工體之遮罩圖案。
  15. 一種圖案形成方法，係在被加工體上利用CVD法形成將碳作為主成分之硬遮罩，於該硬遮罩之上使用如申請專利範圍第1至10項中任一項之塗佈型含矽膜形成用組成物形成含矽膜，在該含矽膜上形成上層光阻膜，於該上層光阻膜形成圖案，並將該已形成圖案之該上層光阻膜作為遮罩而對於該含矽膜利用蝕刻進行圖案轉印，將該已轉印圖案之該含矽膜作為遮罩而對於該硬遮罩利用蝕刻進行圖案轉印，而形成用以加工該被加工體之遮罩圖案。
  16. 如申請專利範圍第14或15項之圖案形成方法，於實施形成用以加工該被加工體之遮罩圖案之步驟後，實施利用濕蝕刻去除該含矽膜之步驟。
  17. 如申請專利範圍第16項之圖案形成方法，其中，該濕蝕刻係於鹼性溶液中進行。
  18. 如申請專利範圍第14或15項之圖案形成方法，其中，該被加工體係於已形成一部分或全部半導體電路之半導體基板製作了作為被加工層之金屬膜、非晶金屬膜、金屬碳化膜、金屬氧化膜、金屬氮化膜、金屬氧化碳化膜、或金屬氧化氮化膜任一膜者。
  19. 如申請專利範圍第18項之圖案形成方法，其中，構成該被加工體之金屬包括矽、鈦、鎢、鉿、鋯、鉻、鍺、銅、鋁、銦、鎵、砷、鈀、鐵、鉭、銥、鉬、或該等之合金。
  20. 如申請專利範圍第14或15項之圖案形成方法，其中，該上層光阻膜之圖案形成係利用採用波長為300nm以下之光或EUV光之微影法、電子束直接描繪法、定向自組裝法、或奈米壓印微影法進行。
TW104132315A 2014-10-03 2015-10-01 塗布型含矽膜形成用組成物、基板及圖案形成方法 TWI583751B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014204512A JP6250513B2 (ja) 2014-10-03 2014-10-03 塗布型ケイ素含有膜形成用組成物、基板、及びパターン形成方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201631070A true TW201631070A (zh) 2016-09-01
TWI583751B TWI583751B (zh) 2017-05-21

Family

ID=55632359

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW104132315A TWI583751B (zh) 2014-10-03 2015-10-01 塗布型含矽膜形成用組成物、基板及圖案形成方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9880470B2 (zh)
JP (1) JP6250513B2 (zh)
KR (1) KR102037091B1 (zh)
TW (1) TWI583751B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI774719B (zh) * 2016-12-28 2022-08-21 日商東京應化工業股份有限公司 圖型形成方法及聚矽烷樹脂前驅物之製造方法

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6250514B2 (ja) * 2014-10-03 2017-12-20 信越化学工業株式会社 塗布型ｂｐｓｇ膜形成用組成物、基板、及びパターン形成方法
KR102035434B1 (ko) 2015-07-09 2019-10-22 도쿄 오카 고교 가부시키가이샤 규소 함유 수지 조성물
JP6603115B2 (ja) * 2015-11-27 2019-11-06 信越化学工業株式会社 ケイ素含有縮合物、ケイ素含有レジスト下層膜形成用組成物、及びパターン形成方法
US10114288B2 (en) 2016-09-01 2018-10-30 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Silicon-containing underlayers
US10007184B2 (en) 2016-09-01 2018-06-26 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Silicon-containing underlayers
JP6999408B2 (ja) 2016-12-28 2022-02-04 東京応化工業株式会社 樹脂組成物、樹脂組成物の製造方法、膜形成方法及び硬化物
WO2018155377A1 (ja) * 2017-02-24 2018-08-30 Jsr株式会社 レジストプロセス用膜形成材料、パターン形成方法及びポリシロキサン
KR102240647B1 (ko) * 2017-03-28 2021-04-15 주식회사 이엔에프테크놀로지 실리콘 질화막 식각 조성물
KR102240654B1 (ko) * 2017-03-28 2021-04-15 주식회사 이엔에프테크놀로지 실리콘 질화막 식각 조성물
WO2018182307A1 (ko) * 2017-03-28 2018-10-04 주식회사 이엔에프테크놀로지 실리콘 질화막 식각 조성물
JP7208590B2 (ja) * 2017-03-31 2023-01-19 日産化学株式会社 カルボニル構造を有するシリコン含有レジスト下層膜形成組成物
US10514605B2 (en) 2017-08-04 2019-12-24 International Business Machines Corporation Resist multilayer film-attached substrate and patterning process
US11042090B2 (en) 2017-08-04 2021-06-22 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Composition for forming organic film
KR102374206B1 (ko) 2017-12-05 2022-03-14 삼성전자주식회사 반도체 장치 제조 방법
KR102084164B1 (ko) * 2018-03-06 2020-05-27 에스케이씨 주식회사 반도체 공정용 조성물 및 반도체 공정
KR20200132864A (ko) * 2018-03-19 2020-11-25 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 보호된 페놀기와 질산을 포함하는 실리콘함유 레지스트 하층막 형성 조성물
US20220100092A1 (en) * 2018-12-27 2022-03-31 Nissan Chemical Corporation Film forming composition
JPWO2021166567A1 (zh) * 2020-02-19 2021-08-26
KR20220161306A (ko) * 2020-03-27 2022-12-06 제이에스알 가부시끼가이샤 전자선 또는 극단 자외선 리소그래피용 레지스트 하층막 형성 조성물, 전자선 또는 극단 자외선 리소그래피용 레지스트 하층막 및 반도체 기판의 제조 방법

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5362341A (en) 1976-11-13 1978-06-03 Kubota Ltd Consturction of installing flat lattice
JPS5444305A (en) 1977-09-16 1979-04-07 Kouzou Hirose Method of construction of concrete retaining wall and front and rear type frame brace supportin device and fittings and parallel longitudinal girder
JPS5534258A (en) 1978-09-01 1980-03-10 Tokyo Denshi Kagaku Kabushiki Coating solution for forming silica film
JPS5534276A (en) * 1978-09-04 1980-03-10 Tokyo Denshi Kagaku Kabushiki Preparation of coating liquid for silica-based film formation
JPS6449037A (en) * 1987-08-19 1989-02-23 Mitsubishi Electric Corp Process for forming minute pattern
JPH09208704A (ja) * 1996-01-31 1997-08-12 Toshiba Corp 有機ケイ素高分子材料及び着色部材の製造方法
JPH11152338A (ja) * 1997-11-25 1999-06-08 Kyocera Corp ポリシラン化合物、感光体ならびに画像形成装置
JP2004198726A (ja) * 2002-12-18 2004-07-15 Nippon Paint Co Ltd ケイ素化合物薄膜のパターニング方法
JP2006023706A (ja) * 2004-06-10 2006-01-26 Koyo Matsukawa 感光性樹脂組成物、これを用いた薄膜パターン形成方法、電子機器用保護膜及び液晶表示素子
JP2006139083A (ja) * 2004-11-12 2006-06-01 Sekisui Chem Co Ltd 感光性樹脂組成物、薄膜パターン形成方法及び電子機器用絶縁膜
JP4716037B2 (ja) 2006-04-11 2011-07-06 信越化学工業株式会社 ケイ素含有膜形成用組成物、ケイ素含有膜、ケイ素含有膜形成基板及びこれを用いたパターン形成方法
EP1845132B8 (en) * 2006-04-11 2009-04-01 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Silicon-containing film-forming composition, silicon-containing film, silicon-containing film-bearing substrate, and patterning method
JP4831330B2 (ja) * 2006-08-28 2011-12-07 日産化学工業株式会社 ポリカルボシランを含むレジスト下層膜形成組成物
US7939422B2 (en) * 2006-12-07 2011-05-10 Applied Materials, Inc. Methods of thin film process
JP2009031525A (ja) * 2007-07-26 2009-02-12 Osaka Gas Co Ltd カラーフィルターの製造方法
US7871926B2 (en) * 2007-10-22 2011-01-18 Applied Materials, Inc. Methods and systems for forming at least one dielectric layer
JP4793592B2 (ja) 2007-11-22 2011-10-12 信越化学工業株式会社 金属酸化物含有膜形成用組成物、金属酸化物含有膜、金属酸化物含有膜形成基板及びこれを用いたパターン形成方法
JP5015891B2 (ja) 2008-10-02 2012-08-29 信越化学工業株式会社 金属酸化物含有膜形成用組成物、金属酸化物含有膜形成基板及びパターン形成方法
JP5015892B2 (ja) * 2008-10-02 2012-08-29 信越化学工業株式会社 ケイ素含有膜形成用組成物、ケイ素含有膜形成基板及びパターン形成方法
JP4790786B2 (ja) 2008-12-11 2011-10-12 信越化学工業株式会社 塗布型ケイ素含有膜の剥離方法
JP5038354B2 (ja) * 2009-05-11 2012-10-03 信越化学工業株式会社 ケイ素含有反射防止膜形成用組成物、ケイ素含有反射防止膜形成基板及びパターン形成方法
JP5518772B2 (ja) * 2011-03-15 2014-06-11 信越化学工業株式会社 パターン形成方法
JP5798102B2 (ja) 2011-11-29 2015-10-21 信越化学工業株式会社 ケイ素含有レジスト下層膜形成用組成物及びパターン形成方法
JP6250514B2 (ja) * 2014-10-03 2017-12-20 信越化学工業株式会社 塗布型ｂｐｓｇ膜形成用組成物、基板、及びパターン形成方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI774719B (zh) * 2016-12-28 2022-08-21 日商東京應化工業股份有限公司 圖型形成方法及聚矽烷樹脂前驅物之製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US9880470B2 (en) 2018-01-30
JP2016074772A (ja) 2016-05-12
KR20160040436A (ko) 2016-04-14
TWI583751B (zh) 2017-05-21
JP6250513B2 (ja) 2017-12-20
KR102037091B1 (ko) 2019-10-28
US20160096977A1 (en) 2016-04-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI583751B (zh) 塗布型含矽膜形成用組成物、基板及圖案形成方法
TWI567033B (zh) 塗布型bpsg膜形成用組成物、基板及圖案形成方法
TWI531627B (zh) 塗佈型硼磷矽玻璃膜形成用組成物、具有以該組成物形成之膜的基板、及利用該組成物之圖案形成方法
TWI596434B (zh) 圖案形成方法
TWI465455B (zh) 含矽之表面改質劑、含有此表面改質劑之光阻下層膜形成用組成物、及圖案形成方法
TWI465456B (zh) 矽化合物、含矽化合物、包含該含矽化合物之光阻下層膜形成用組成物及圖案形成方法
TWI468869B (zh) 含矽之表面改質劑、含有此表面改質劑之光阻下層膜形成用組成物、及圖案形成方法
TWI461852B (zh) 光阻下層膜形成用組成物及圖案形成方法
TWI506377B (zh) 含矽之光阻下層膜形成用組成物及圖案形成方法
TWI523894B (zh) 光阻下層膜形成用組成物及圖案形成方法
TWI576668B (zh) 含鈦之光阻下層膜形成用組成物及圖案形成方法
TWI457710B (zh) 含矽之光阻下層膜形成用組成物及圖案形成方法
TW201720874A (zh) 含矽縮合物、含矽光阻下層膜形成用組成物及圖案形成方法
TWI504684B (zh) 含鈦之光阻下層膜形成用組成物及圖案形成方法
TW201403243A (zh) 圖案形成方法
TW201443161A (zh) 含鈦之光阻下層膜形成用組成物及圖案形成方法
TWI524146B (zh) 含矽之光阻下層膜形成用組成物及圖案形成方法