TWI504684B - 含鈦之光阻下層膜形成用組成物及圖案形成方法 - Google Patents
含鈦之光阻下層膜形成用組成物及圖案形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI504684B TWI504684B TW103108747A TW103108747A TWI504684B TW I504684 B TWI504684 B TW I504684B TW 103108747 A TW103108747 A TW 103108747A TW 103108747 A TW103108747 A TW 103108747A TW I504684 B TWI504684 B TW I504684B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- titanium
- film
- underlayer film
- pattern
- photoresist
- Prior art date
Links
- 239000010936 titanium Substances 0.000 title claims description 164
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 145
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 title claims description 145
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 91
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 88
- 238000000059 patterning Methods 0.000 title description 18
- 230000008569 process Effects 0.000 title description 5
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 177
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 95
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 77
- 150000003609 titanium compounds Chemical class 0.000 claims description 75
- -1 decane compound Chemical class 0.000 claims description 46
- DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N n-butylhexane Natural products CCCCCCCCCC DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 46
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 35
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 claims description 33
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 claims description 30
- 238000009833 condensation Methods 0.000 claims description 28
- 230000005494 condensation Effects 0.000 claims description 27
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 claims description 27
- 230000003301 hydrolyzing effect Effects 0.000 claims description 26
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 23
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 21
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 20
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 19
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 18
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 18
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 17
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 17
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 14
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 13
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 11
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 125000003158 alcohol group Chemical group 0.000 claims description 10
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 9
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 8
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims description 7
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 5
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 4
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 4
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 3
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 claims description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 3
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 3
- 238000002408 directed self-assembly Methods 0.000 claims description 2
- 238000001127 nanoimprint lithography Methods 0.000 claims description 2
- 150000003138 primary alcohols Chemical group 0.000 claims description 2
- 229910021480 group 4 element Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 claims 1
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 69
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 59
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 56
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 54
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 46
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 46
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 39
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 37
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 37
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 36
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 35
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 34
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 33
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 30
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 30
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 28
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 27
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- BTANRVKWQNVYAZ-UHFFFAOYSA-N butan-2-ol Chemical compound CCC(C)O BTANRVKWQNVYAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 22
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 20
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 18
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 18
- ISQINHMJILFLAQ-UHFFFAOYSA-N argon hydrofluoride Chemical compound F.[Ar] ISQINHMJILFLAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 16
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 16
- JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxypropan-2-ol Chemical compound CCOCC(C)O JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 239000002585 base Substances 0.000 description 15
- LDMRLRNXHLPZJN-UHFFFAOYSA-N 3-propoxypropan-1-ol Chemical compound CCCOCCCO LDMRLRNXHLPZJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000003377 acid catalyst Substances 0.000 description 14
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 13
- SKTCDJAMAYNROS-UHFFFAOYSA-N methoxycyclopentane Chemical compound COC1CCCC1 SKTCDJAMAYNROS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N monopropylene glycol Natural products CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- YEYKMVJDLWJFOA-UHFFFAOYSA-N 2-propoxyethanol Chemical compound CCCOCCO YEYKMVJDLWJFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- ZXEKIIBDNHEJCQ-UHFFFAOYSA-N isobutanol Chemical compound CC(C)CO ZXEKIIBDNHEJCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 12
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000011161 development Methods 0.000 description 11
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 11
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 10
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 10
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 10
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 10
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 10
- LEEANUDEDHYDTG-UHFFFAOYSA-N 1,2-dimethoxypropane Chemical compound COCC(C)OC LEEANUDEDHYDTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- LIPRQQHINVWJCH-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxypropan-2-yl acetate Chemical compound CCOCC(C)OC(C)=O LIPRQQHINVWJCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- APFRUMUZEFOCFO-UHFFFAOYSA-N 1-methoxybutan-1-ol Chemical compound CCCC(O)OC APFRUMUZEFOCFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N diglyme Chemical compound COCCOCCOC SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 9
- HMNZROFMBSUMAB-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxybutan-1-ol Chemical compound CCCC(O)OCC HMNZROFMBSUMAB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N Methanesulfonic acid Chemical compound CS(O)(=O)=O AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- NQRYJNQNLNOLGT-UHFFFAOYSA-N Piperidine Chemical compound C1CCNCC1 NQRYJNQNLNOLGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- YYVRSUMXFIIYRW-UHFFFAOYSA-N 1-propoxybutan-1-ol Chemical compound CCCOC(O)CCC YYVRSUMXFIIYRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- PFCHFHIRKBAQGU-UHFFFAOYSA-N 3-hexanone Chemical compound CCCC(=O)CC PFCHFHIRKBAQGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- XXRCUYVCPSWGCC-UHFFFAOYSA-N Ethyl pyruvate Chemical compound CCOC(=O)C(C)=O XXRCUYVCPSWGCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 7
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 7
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- BHXIWUJLHYHGSJ-UHFFFAOYSA-N ethyl 3-ethoxypropanoate Chemical compound CCOCCC(=O)OCC BHXIWUJLHYHGSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229940117360 ethyl pyruvate Drugs 0.000 description 7
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 7
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 7
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 7
- JAELLLITIZHOGQ-UHFFFAOYSA-N tert-butyl propanoate Chemical compound CCC(=O)OC(C)(C)C JAELLLITIZHOGQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N titanium(IV) isopropoxide Chemical compound CC(C)O[Ti](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N Ethylamine Chemical compound CCN QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- WMFOQBRAJBCJND-UHFFFAOYSA-M Lithium hydroxide Chemical compound [Li+].[OH-] WMFOQBRAJBCJND-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- RWRDLPDLKQPQOW-UHFFFAOYSA-N Pyrrolidine Chemical compound C1CCNC1 RWRDLPDLKQPQOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- MOQKXPVWJBBLIX-UHFFFAOYSA-N [O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[Ce+3].[Ce+3].[Ce+3].[Ce+3] Chemical compound [O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[Ce+3].[Ce+3].[Ce+3].[Ce+3] MOQKXPVWJBBLIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- JOHMIDKSSWOPIK-UHFFFAOYSA-M [O-2].[OH-].O.O.O.[Ce+3] Chemical compound [O-2].[OH-].O.O.O.[Ce+3] JOHMIDKSSWOPIK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N acetylacetone Chemical compound CC(=O)CC(C)=O YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- IJLXYZXVQZCNCL-UHFFFAOYSA-N cerium chloro hypochlorite Chemical compound [Ce].ClOCl IJLXYZXVQZCNCL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 description 6
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 6
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- WMOVHXAZOJBABW-UHFFFAOYSA-N tert-butyl acetate Chemical compound CC(=O)OC(C)(C)C WMOVHXAZOJBABW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- DVOKWRXNWTZRDW-UHFFFAOYSA-N [Ru].[Ru]=O Chemical compound [Ru].[Ru]=O DVOKWRXNWTZRDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 5
- BDJSOPWXYLFTNW-UHFFFAOYSA-N methyl 3-methoxypropanoate Chemical compound COCCC(=O)OC BDJSOPWXYLFTNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 235000013772 propylene glycol Nutrition 0.000 description 5
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- YRAJNWYBUCUFBD-UHFFFAOYSA-N 2,2,6,6-tetramethylheptane-3,5-dione Chemical compound CC(C)(C)C(=O)CC(=O)C(C)(C)C YRAJNWYBUCUFBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- SVTBMSDMJJWYQN-UHFFFAOYSA-N 2-methylpentane-2,4-diol Chemical compound CC(O)CC(C)(C)O SVTBMSDMJJWYQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N Butadiene Chemical compound C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N Dimethylamine Chemical compound CNC ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N Methylamine Chemical compound NC BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- JLTDJTHDQAWBAV-UHFFFAOYSA-N N,N-dimethylaniline Chemical compound CN(C)C1=CC=CC=C1 JLTDJTHDQAWBAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- JPCWAQIYCADHCI-UHFFFAOYSA-N O(O)O.[Ru] Chemical compound O(O)O.[Ru] JPCWAQIYCADHCI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PCBMYXLJUKBODW-UHFFFAOYSA-N [Ru].ClOCl Chemical compound [Ru].ClOCl PCBMYXLJUKBODW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IKWTVSLWAPBBKU-UHFFFAOYSA-N a1010_sial Chemical compound O=[As]O[As]=O IKWTVSLWAPBBKU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229960002594 arsenic trioxide Drugs 0.000 description 4
- HQABUPZFAYXKJW-UHFFFAOYSA-N butan-1-amine Chemical compound CCCCN HQABUPZFAYXKJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- PAFZNILMFXTMIY-UHFFFAOYSA-N cyclohexylamine Chemical compound NC1CCCCC1 PAFZNILMFXTMIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 4
- VKYKSIONXSXAKP-UHFFFAOYSA-N hexamethylenetetramine Chemical compound C1N(C2)CN3CN1CN2C3 VKYKSIONXSXAKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NAQMVNRVTILPCV-UHFFFAOYSA-N hexane-1,6-diamine Chemical compound NCCCCCCN NAQMVNRVTILPCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 4
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 4
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 4
- 229940098779 methanesulfonic acid Drugs 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 4
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical compound OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920005862 polyol Polymers 0.000 description 4
- 150000003077 polyols Chemical class 0.000 description 4
- WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N propylamine Chemical compound CCCN WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 4
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 4
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 4
- VDZOOKBUILJEDG-UHFFFAOYSA-M tetrabutylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC VDZOOKBUILJEDG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N trimethylamine Chemical compound CN(C)C GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PUPZLCDOIYMWBV-UHFFFAOYSA-N (+/-)-1,3-Butanediol Chemical compound CC(O)CCO PUPZLCDOIYMWBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ANBBCZAIOXDZPV-UHFFFAOYSA-N 1,1,1-trimethoxy-2-methyldecane Chemical compound CC(C(OC)(OC)OC)CCCCCCCC ANBBCZAIOXDZPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NCRNCSZWOOYBQF-UHFFFAOYSA-N 1,1-Dimethoxydecane Chemical compound CCCCCCCCCC(OC)OC NCRNCSZWOOYBQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GDDPLWAEEWIQKZ-UHFFFAOYSA-N 1,1-diethoxydecane Chemical compound CCCCCCCCCC(OCC)OCC GDDPLWAEEWIQKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- JEIHSRORUWXJGF-UHFFFAOYSA-N 1-[(2-methylpropan-2-yl)oxy]propan-2-yl acetate Chemical compound CC(=O)OC(C)COC(C)(C)C JEIHSRORUWXJGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UEEJHVSXFDXPFK-UHFFFAOYSA-N N-dimethylaminoethanol Chemical compound CN(C)CCO UEEJHVSXFDXPFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 235000011054 acetic acid Nutrition 0.000 description 3
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 3
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 3
- 150000001346 alkyl aryl ethers Chemical class 0.000 description 3
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 3
- GOLCXWYRSKYTSP-UHFFFAOYSA-N arsenic trioxide Inorganic materials O1[As]2O[As]1O2 GOLCXWYRSKYTSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YHWCPXVTRSHPNY-UHFFFAOYSA-N butan-1-olate;titanium(4+) Chemical compound [Ti+4].CCCC[O-].CCCC[O-].CCCC[O-].CCCC[O-] YHWCPXVTRSHPNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000004106 butoxy group Chemical group [*]OC([H])([H])C([H])([H])C(C([H])([H])[H])([H])[H] 0.000 description 3
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FYWVTSQYJIPZLW-UHFFFAOYSA-K diacetyloxygallanyl acetate Chemical compound [Ga+3].CC([O-])=O.CC([O-])=O.CC([O-])=O FYWVTSQYJIPZLW-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 3
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CRVGTESFCCXCTH-UHFFFAOYSA-N methyl diethanolamine Chemical compound OCCN(C)CCO CRVGTESFCCXCTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 125000002572 propoxy group Chemical group [*]OC([H])([H])C(C([H])([H])[H])([H])[H] 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 3
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 3
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 3
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OUFOVHYECRIREQ-UHFFFAOYSA-N 1,1-di(propan-2-yloxy)decane Chemical compound CCCCCCCCCC(OC(C)C)OC(C)C OUFOVHYECRIREQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DRXIQPRXJHWMJK-UHFFFAOYSA-N 1,1-dipropoxydecane Chemical compound CCCCCCCCCC(OCCC)OCCC DRXIQPRXJHWMJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RWNUSVWFHDHRCJ-UHFFFAOYSA-N 1-butoxypropan-2-ol Chemical compound CCCCOCC(C)O RWNUSVWFHDHRCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FUWDFGKRNIDKAE-UHFFFAOYSA-N 1-butoxypropan-2-yl acetate Chemical compound CCCCOCC(C)OC(C)=O FUWDFGKRNIDKAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NFDXQGNDWIPXQL-UHFFFAOYSA-N 1-cyclooctyldiazocane Chemical compound C1CCCCCCC1N1NCCCCCC1 NFDXQGNDWIPXQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LOLANUHFGPZTLQ-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxydecane Chemical compound CCCCCCCCCCOCC LOLANUHFGPZTLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AOPDRZXCEAKHHW-UHFFFAOYSA-N 1-pentoxypentane Chemical compound CCCCCOCCCCC AOPDRZXCEAKHHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HMBHAQMOBKLWRX-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydro-1,4-benzodioxine-3-carboxylic acid Chemical compound C1=CC=C2OC(C(=O)O)COC2=C1 HMBHAQMOBKLWRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyethoxy)ethanol Chemical compound COCCOCCO SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DJCYDDALXPHSHR-UHFFFAOYSA-N 2-(2-propoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCOCCOCCO DJCYDDALXPHSHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LJDSTRZHPWMDPG-UHFFFAOYSA-N 2-(butylamino)ethanol Chemical compound CCCCNCCO LJDSTRZHPWMDPG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LBLYYCQCTBFVLH-UHFFFAOYSA-N 2-Methylbenzenesulfonic acid Chemical compound CC1=CC=CC=C1S(O)(=O)=O LBLYYCQCTBFVLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JDSQBDGCMUXRBM-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-butoxypropoxy)propoxy]propan-1-ol Chemical compound CCCCOC(C)COC(C)COC(C)CO JDSQBDGCMUXRBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BSKHPKMHTQYZBB-UHFFFAOYSA-N 2-methylpyridine Chemical compound CC1=CC=CC=N1 BSKHPKMHTQYZBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WADSJYLPJPTMLN-UHFFFAOYSA-N 3-(cycloundecen-1-yl)-1,2-diazacycloundec-2-ene Chemical compound C1CCCCCCCCC=C1C1=NNCCCCCCCC1 WADSJYLPJPTMLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BMYNFMYTOJXKLE-UHFFFAOYSA-N 3-azaniumyl-2-hydroxypropanoate Chemical compound NCC(O)C(O)=O BMYNFMYTOJXKLE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NVVMHYYKCATJAN-UHFFFAOYSA-K 3-oxobutanoate;ruthenium(3+) Chemical compound [Ru+3].CC(=O)CC([O-])=O.CC(=O)CC([O-])=O.CC(=O)CC([O-])=O NVVMHYYKCATJAN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- WVYWICLMDOOCFB-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-2-pentanol Chemical compound CC(C)CC(C)O WVYWICLMDOOCFB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OARLQSXBBQCJJQ-UHFFFAOYSA-N C(C)O[Ru](OCC)=O Chemical compound C(C)O[Ru](OCC)=O OARLQSXBBQCJJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHOROQWKQRSSHY-UHFFFAOYSA-N C(CCC)C(C(OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C)CCCCCCCC Chemical compound C(CCC)C(C(OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C)CCCCCCCC MHOROQWKQRSSHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GHTQBJZRHNNLIS-UHFFFAOYSA-N C(CCC)C(C(OC)(OC)OC)CCCCCCCC Chemical compound C(CCC)C(C(OC)(OC)OC)CCCCCCCC GHTQBJZRHNNLIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JMBLCTYRAJLFSE-UHFFFAOYSA-N C(CCC)C(C(OCCC)(OCCC)OCCC)CCCCCCCC Chemical compound C(CCC)C(C(OCCC)(OCCC)OCCC)CCCCCCCC JMBLCTYRAJLFSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZPEHBXZZVJRGFV-UHFFFAOYSA-N CO[Ru](OCC)=O Chemical compound CO[Ru](OCC)=O ZPEHBXZZVJRGFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XBPCUCUWBYBCDP-UHFFFAOYSA-N Dicyclohexylamine Chemical compound C1CCCCC1NC1CCCCC1 XBPCUCUWBYBCDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N Fumaric acid Chemical compound OC(=O)\C=C\C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RRHGJUQNOFWUDK-UHFFFAOYSA-N Isoprene Chemical compound CC(=C)C=C RRHGJUQNOFWUDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910016006 MoSi Inorganic materials 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N Propylene oxide Chemical class CC1CO1 GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004541 SiN Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- XLHIHJISYGTYNA-UHFFFAOYSA-N [B].ClOCl Chemical compound [B].ClOCl XLHIHJISYGTYNA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WDJHALXBUFZDSR-UHFFFAOYSA-M acetoacetate Chemical compound CC(=O)CC([O-])=O WDJHALXBUFZDSR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000005073 adamantyl group Chemical group C12(CC3CC(CC(C1)C3)C2)* 0.000 description 2
- 239000005456 alcohol based solvent Substances 0.000 description 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- SRSXLGNVWSONIS-UHFFFAOYSA-N benzenesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 SRSXLGNVWSONIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940092714 benzenesulfonic acid Drugs 0.000 description 2
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052810 boron oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L calcium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Ca+2] AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000000920 calcium hydroxide Substances 0.000 description 2
- 229910001861 calcium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229940075419 choline hydroxide Drugs 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 150000004292 cyclic ethers Chemical class 0.000 description 2
- UCIYGNATMHQYCT-OWOJBTEDSA-N cyclodecene Chemical compound C1CCCC\C=C\CCC1 UCIYGNATMHQYCT-OWOJBTEDSA-N 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- ZQMIGQNCOMNODD-UHFFFAOYSA-N diacetyl peroxide Chemical compound CC(=O)OOC(C)=O ZQMIGQNCOMNODD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012973 diazabicyclooctane Substances 0.000 description 2
- TWXWPPKDQOWNSX-UHFFFAOYSA-N dicyclohexylmethanone Chemical compound C1CCCCC1C(=O)C1CCCCC1 TWXWPPKDQOWNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N diethylamine Chemical compound CCNCC HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol monoethyl ether Chemical compound CCOCCOCCO XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940075557 diethylene glycol monoethyl ether Drugs 0.000 description 2
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N dimethylselenoniopropionate Natural products CCC(O)=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N dipropylene glycol Chemical compound OCCCOCCCO SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LIWAQLJGPBVORC-UHFFFAOYSA-N ethylmethylamine Chemical compound CCNC LIWAQLJGPBVORC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004312 hexamethylene tetramine Substances 0.000 description 2
- 235000010299 hexamethylene tetramine Nutrition 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N lactic acid Chemical compound CC(O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 2
- PSHKMPUSSFXUIA-UHFFFAOYSA-N n,n-dimethylpyridin-2-amine Chemical compound CN(C)C1=CC=CC=N1 PSHKMPUSSFXUIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 2
- BHAAPTBBJKJZER-UHFFFAOYSA-N p-anisidine Chemical compound COC1=CC=C(N)C=C1 BHAAPTBBJKJZER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000005010 perfluoroalkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 238000005191 phase separation Methods 0.000 description 2
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 2
- 229960004838 phosphoric acid Drugs 0.000 description 2
- IVDFJHOHABJVEH-UHFFFAOYSA-N pinacol Chemical compound CC(C)(O)C(C)(C)O IVDFJHOHABJVEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- MWFQRZSKCBQYPH-UHFFFAOYSA-N tert-butyl acetate;propane-1,2-diol Chemical compound CC(O)CO.CC(=O)OC(C)(C)C MWFQRZSKCBQYPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003509 tertiary alcohols Chemical group 0.000 description 2
- LPSKDVINWQNWFE-UHFFFAOYSA-M tetrapropylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CCC[N+](CCC)(CCC)CCC LPSKDVINWQNWFE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IMFACGCPASFAPR-UHFFFAOYSA-N tributylamine Chemical compound CCCCN(CCCC)CCCC IMFACGCPASFAPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N triethylene glycol Chemical compound OCCOCCOCCO ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YFTHZRPMJXBUME-UHFFFAOYSA-N tripropylamine Chemical compound CCCN(CCC)CCC YFTHZRPMJXBUME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 2
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 2
- DNIAPMSPPWPWGF-VKHMYHEASA-N (+)-propylene glycol Chemical compound C[C@H](O)CO DNIAPMSPPWPWGF-VKHMYHEASA-N 0.000 description 1
- OTGGHZUEAWMAAK-UHFFFAOYSA-N (1,1-dimethoxy-1-phenyldecan-2-yl)benzene Chemical compound C1(=CC=CC=C1)C(C(OC)(OC)C1=CC=CC=C1)CCCCCCCC OTGGHZUEAWMAAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WMUAATXSLGPPEO-UHFFFAOYSA-N (1-cyclopentyl-1,1-dimethoxydecan-2-yl)cyclopentane Chemical compound C1(CCCC1)C(C(OC)(OC)C1CCCC1)CCCCCCCC WMUAATXSLGPPEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WDFZWSZNOFELJY-OLQVQODUSA-N (1R,6S)-7-oxabicyclo[4.1.0]hepta-2,4-diene Chemical compound C1=CC=C[C@H]2O[C@H]21 WDFZWSZNOFELJY-OLQVQODUSA-N 0.000 description 1
- DNIAPMSPPWPWGF-GSVOUGTGSA-N (R)-(-)-Propylene glycol Chemical compound C[C@@H](O)CO DNIAPMSPPWPWGF-GSVOUGTGSA-N 0.000 description 1
- WJMXTYZCTXTFJM-UHFFFAOYSA-N 1,1,1,2-tetraethoxydecane Chemical compound C(C)OC(C(OCC)(OCC)OCC)CCCCCCCC WJMXTYZCTXTFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AGGJWJFEEKIYOF-UHFFFAOYSA-N 1,1,1-triethoxydecane Chemical compound CCCCCCCCCC(OCC)(OCC)OCC AGGJWJFEEKIYOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CWZQYRJRRHYJOI-UHFFFAOYSA-N 1,1,1-trimethoxydecane Chemical compound CCCCCCCCCC(OC)(OC)OC CWZQYRJRRHYJOI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOQLEVINHZMRCG-UHFFFAOYSA-N 1,1,1-trimethoxynonane Chemical compound CCCCCCCCC(OC)(OC)OC ZOQLEVINHZMRCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(ethenyl)benzene;1-ethenyl-2-ethylbenzene;styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1.CCC1=CC=CC=C1C=C.C=CC1=CC=CC=C1C=C NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YPFDHNVEDLHUCE-UHFFFAOYSA-N 1,3-propanediol Substances OCCCO YPFDHNVEDLHUCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QYCGBAJADAGLLK-UHFFFAOYSA-N 1-(cyclohepten-1-yl)cycloheptene Chemical group C1CCCCC=C1C1=CCCCCC1 QYCGBAJADAGLLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- USVCRBGYQRVTNK-UHFFFAOYSA-N 1-Mercapto-2-propanone Chemical compound CC(=O)CS USVCRBGYQRVTNK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NHXCUKIHMLHWQT-UHFFFAOYSA-N 1-propoxydecane Chemical compound CCCCCCCCCCOCCC NHXCUKIHMLHWQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFQFKHLOJDUSSU-UHFFFAOYSA-N 2,2-dipropoxyethyl 3-oxobutanoate Chemical compound CCCOC(OCCC)COC(=O)CC(C)=O UFQFKHLOJDUSSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YYABQLHINCULIT-UHFFFAOYSA-N 2,4-dimethyloctane-2,4-diol Chemical compound CCCCC(C)(O)CC(C)(C)O YYABQLHINCULIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZWNMRZQYWRLGMM-UHFFFAOYSA-N 2,5-dimethylhexane-2,5-diol Chemical compound CC(C)(O)CCC(C)(C)O ZWNMRZQYWRLGMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MIJDSYMOBYNHOT-UHFFFAOYSA-N 2-(ethylamino)ethanol Chemical compound CCNCCO MIJDSYMOBYNHOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PTTPXKJBFFKCEK-UHFFFAOYSA-N 2-Methyl-4-heptanone Chemical compound CC(C)CC(=O)CC(C)C PTTPXKJBFFKCEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GVNHOISKXMSMPX-UHFFFAOYSA-N 2-[butyl(2-hydroxyethyl)amino]ethanol Chemical compound CCCCN(CCO)CCO GVNHOISKXMSMPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XHJGXOOOMKCJPP-UHFFFAOYSA-N 2-[tert-butyl(2-hydroxyethyl)amino]ethanol Chemical compound OCCN(C(C)(C)C)CCO XHJGXOOOMKCJPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BFSVOASYOCHEOV-UHFFFAOYSA-N 2-diethylaminoethanol Chemical compound CCN(CC)CCO BFSVOASYOCHEOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RHIJBENWMDYVJS-UHFFFAOYSA-N 2-ethyl-4,4-dipropoxybutanoic acid Chemical compound CCCOC(CC(CC)C(=O)O)OCCC RHIJBENWMDYVJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 1
- SYURNNNQIFDVCA-UHFFFAOYSA-N 2-propyloxirane Chemical compound CCCC1CO1 SYURNNNQIFDVCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLZOPXRUQYQQID-UHFFFAOYSA-N 3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)-1-[4-[2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]propan-1-one Chemical compound N1N=NC=2CN(CCC=21)CCC(=O)N1CCN(CC1)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F YLZOPXRUQYQQID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LBIHNTAFJVHBLJ-UHFFFAOYSA-N 3-(triethoxymethyl)undec-1-ene Chemical compound C(=C)C(C(OCC)(OCC)OCC)CCCCCCCC LBIHNTAFJVHBLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IIEWMRPKJCXTAD-UHFFFAOYSA-N 3-(trimethoxymethyl)undecane Chemical compound C(C)C(C(OC)(OC)OC)CCCCCCCC IIEWMRPKJCXTAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SYBYTAAJFKOIEJ-UHFFFAOYSA-N 3-Methylbutan-2-one Chemical compound CC(C)C(C)=O SYBYTAAJFKOIEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RPMYTAWDAZFCBO-UHFFFAOYSA-N 3-methylhexane-1,3-diol Chemical compound CCCC(C)(O)CCO RPMYTAWDAZFCBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GNPSQUCXOBDIDY-UHFFFAOYSA-N 4-(trimethoxymethyl)dodecane Chemical compound C(CCCCCCC)C(C(OC)(OC)OC)CCC GNPSQUCXOBDIDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910018125 Al-Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018520 Al—Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005711 Benzoic acid Substances 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical class [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YXFRBUCPZXPBFQ-UHFFFAOYSA-N C(=C)C(C(OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C)CCCCCCCC Chemical compound C(=C)C(C(OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C)CCCCCCCC YXFRBUCPZXPBFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JZHKIUBMQMDQRG-UHFFFAOYSA-N C(=C)C(C(OC)(OC)OC)CCCCCCCC Chemical compound C(=C)C(C(OC)(OC)OC)CCCCCCCC JZHKIUBMQMDQRG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGOSEIMZGBMYQK-UHFFFAOYSA-N C(=C)C(C(OCCC)(OCCC)OCCC)CCCCCCCC Chemical compound C(=C)C(C(OCCC)(OCCC)OCCC)CCCCCCCC VGOSEIMZGBMYQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGQMOKKPHXWEW-UHFFFAOYSA-N C(=CCCCC)C(C(OC)(OC)CC)CCCCCCCC Chemical compound C(=CCCCC)C(C(OC)(OC)CC)CCCCCCCC RYGQMOKKPHXWEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DLIQGSJDZXOTNN-UHFFFAOYSA-K C(C)(=O)[O-].[Ru+3].C(CC(=O)C)(=O)OOCCC.C(CC(=O)C)(=O)OOCCC.C(C)(=O)[O-].C(C)(=O)[O-] Chemical compound C(C)(=O)[O-].[Ru+3].C(CC(=O)C)(=O)OOCCC.C(CC(=O)C)(=O)OOCCC.C(C)(=O)[O-].C(C)(=O)[O-] DLIQGSJDZXOTNN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- GSNBVVATOWZQAH-UHFFFAOYSA-K C(C)(=O)[O-].[Ru+3].S(=O)(=O)(OOCCCC)CCS(=O)(=O)[O-].S(=O)(=O)(OOCCCC)CCS(=O)(=O)[O-] Chemical compound C(C)(=O)[O-].[Ru+3].S(=O)(=O)(OOCCCC)CCS(=O)(=O)[O-].S(=O)(=O)(OOCCCC)CCS(=O)(=O)[O-] GSNBVVATOWZQAH-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- INCXNZRBUXCNQX-UHFFFAOYSA-N C(C)(C)(C)C(C(OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C)CCCCCCCC Chemical compound C(C)(C)(C)C(C(OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C)CCCCCCCC INCXNZRBUXCNQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DXIHVAWZQXUNHG-UHFFFAOYSA-N C(C)(C)(C)C(C(OCC)(OCC)C(C)(C)C)CCCCCCCC Chemical compound C(C)(C)(C)C(C(OCC)(OCC)C(C)(C)C)CCCCCCCC DXIHVAWZQXUNHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VWFVNYYIDHXXBH-UHFFFAOYSA-N C(C)(C)(C)C(C(OCC)(OCC)OCC)CCCCCCCC Chemical compound C(C)(C)(C)C(C(OCC)(OCC)OCC)CCCCCCCC VWFVNYYIDHXXBH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WXZUSPNORNTSFK-UHFFFAOYSA-N C(C)(C)(C)C(C(OCCC)(OCCC)C(C)(C)C)CCCCCCCC Chemical compound C(C)(C)(C)C(C(OCCC)(OCCC)C(C)(C)C)CCCCCCCC WXZUSPNORNTSFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RWXBOQQLKCKCRP-UHFFFAOYSA-N C(C)(C)(C)C(C(OCCC)(OCCC)OCCC)CCCCCCCC Chemical compound C(C)(C)(C)C(C(OCCC)(OCCC)OCCC)CCCCCCCC RWXBOQQLKCKCRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WSLUPOUZKYPCOW-UHFFFAOYSA-N C(C)(C)C(C(OC(C)C)(OC(C)C)C(C)C)CCCCCCCC Chemical compound C(C)(C)C(C(OC(C)C)(OC(C)C)C(C)C)CCCCCCCC WSLUPOUZKYPCOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DAWHRUPVOJXDSC-UHFFFAOYSA-N C(C)(C)C(C(OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C)CCCCCCCC Chemical compound C(C)(C)C(C(OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C)CCCCCCCC DAWHRUPVOJXDSC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BNIOOHXVEYTDJT-UHFFFAOYSA-N C(C)(C)C(C(OC)(OC)C(C)C)CCCCCCCC Chemical compound C(C)(C)C(C(OC)(OC)C(C)C)CCCCCCCC BNIOOHXVEYTDJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QHZTWVUCCHJANV-UHFFFAOYSA-N C(C)(C)C(C(OC)(OC)OC)CCCCCCCC Chemical compound C(C)(C)C(C(OC)(OC)OC)CCCCCCCC QHZTWVUCCHJANV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AWDKVIUUINUYAI-UHFFFAOYSA-N C(C)(C)C(C(OCC)(OCC)OCC)CCCCCCCC Chemical compound C(C)(C)C(C(OCC)(OCC)OCC)CCCCCCCC AWDKVIUUINUYAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YMYPWDFQZIPRHR-UHFFFAOYSA-N C(C)(C)C(C(OCCC)(OCCC)OCCC)CCCCCCCC Chemical compound C(C)(C)C(C(OCCC)(OCCC)OCCC)CCCCCCCC YMYPWDFQZIPRHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GKSBXXGWDMEWKL-UHFFFAOYSA-L C(C)C(C(=O)[O-])CC.C(CCC)O[Al+2].C(C)C(C(=O)[O-])CC Chemical compound C(C)C(C(=O)[O-])CC.C(CCC)O[Al+2].C(C)C(C(=O)[O-])CC GKSBXXGWDMEWKL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- MMFKKAVICNYABB-UHFFFAOYSA-N C(C)C(C(OC(C)C)(OC(C)C)CC)CCCCCCCC Chemical compound C(C)C(C(OC(C)C)(OC(C)C)CC)CCCCCCCC MMFKKAVICNYABB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NKVKSPVATWBKJL-UHFFFAOYSA-N C(C)C(C(OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C)CCCCCCCC Chemical compound C(C)C(C(OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C)CCCCCCCC NKVKSPVATWBKJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XEPAKJGFUVCJOW-UHFFFAOYSA-N C(C)C(C(OCC)(OCC)CC)CCCCCCCC Chemical compound C(C)C(C(OCC)(OCC)CC)CCCCCCCC XEPAKJGFUVCJOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UEYMLSDWUUKDND-UHFFFAOYSA-N C(C)C(C(OCC)(OCC)OCC)CCCCCCCC Chemical compound C(C)C(C(OCC)(OCC)OCC)CCCCCCCC UEYMLSDWUUKDND-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GFPKWPNBGJZRKK-UHFFFAOYSA-N C(C)C(C(OCCC)(OCCC)CC)CCCCCCCC Chemical compound C(C)C(C(OCCC)(OCCC)CC)CCCCCCCC GFPKWPNBGJZRKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XSOACBZRHGOSSP-UHFFFAOYSA-N C(C)C(C(OCCC)(OCCC)OCCC)CCCCCCCC Chemical compound C(C)C(C(OCCC)(OCCC)OCCC)CCCCCCCC XSOACBZRHGOSSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AEJZCLLVFSSFJB-UHFFFAOYSA-N C(C1=CC=CC=C1)C(C(OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C)CCCCCCCC Chemical compound C(C1=CC=CC=C1)C(C(OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C)CCCCCCCC AEJZCLLVFSSFJB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- COAHPZIRHPWYGC-UHFFFAOYSA-N C(C1=CC=CC=C1)C(C(OC)(OC)OC)CCCCCCCC Chemical compound C(C1=CC=CC=C1)C(C(OC)(OC)OC)CCCCCCCC COAHPZIRHPWYGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JGIGQRYFNATFOU-UHFFFAOYSA-N C(C1=CC=CC=C1)C(C(OCC)(OCC)OCC)CCCCCCCC Chemical compound C(C1=CC=CC=C1)C(C(OCC)(OCC)OCC)CCCCCCCC JGIGQRYFNATFOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BGHYDPLZKOTERX-UHFFFAOYSA-N C(C1=CC=CC=C1)C(C(OCCC)(OCCC)OCCC)CCCCCCCC Chemical compound C(C1=CC=CC=C1)C(C(OCCC)(OCCC)OCCC)CCCCCCCC BGHYDPLZKOTERX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NCZNPBQOWVWCFK-UHFFFAOYSA-N C(CC)C(C(OC(C)C)(OC(C)C)CCC)CCCCCCCC Chemical compound C(CC)C(C(OC(C)C)(OC(C)C)CCC)CCCCCCCC NCZNPBQOWVWCFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AOHDYTGQOWQRLM-UHFFFAOYSA-N C(CC)C(C(OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C)CCCCCCCC Chemical compound C(CC)C(C(OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C)CCCCCCCC AOHDYTGQOWQRLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OFTCDOQQZMYUJW-UHFFFAOYSA-N C(CC)C(C(OC)(OC)CCC)CCCCCCCC Chemical compound C(CC)C(C(OC)(OC)CCC)CCCCCCCC OFTCDOQQZMYUJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XRNDMACZMJPCRX-UHFFFAOYSA-N C(CC)C(C(OCC)(OCC)OCC)CCCCCCCC Chemical compound C(CC)C(C(OCC)(OCC)OCC)CCCCCCCC XRNDMACZMJPCRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IDRQCNMLBGDDJS-UHFFFAOYSA-N C(CC)C(C(OCCC)(OCCC)CCC)CCCCCCCC Chemical compound C(CC)C(C(OCCC)(OCCC)CCC)CCCCCCCC IDRQCNMLBGDDJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BSIPEKSEKKFNJA-UHFFFAOYSA-N C(CC)C(C(OCCC)(OCCC)OCCC)CCCCCCCC Chemical compound C(CC)C(C(OCCC)(OCCC)OCCC)CCCCCCCC BSIPEKSEKKFNJA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLEWVXOQGJPRRS-UHFFFAOYSA-N C(CC)OCCO.C(CC)OCC(C)O Chemical compound C(CC)OCCO.C(CC)OCC(C)O ZLEWVXOQGJPRRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGCFYQZVUHSEHE-UHFFFAOYSA-N C(CCC)C(C(OC(C)C)(OC(C)C)CCCC)(CCCCCCCC)CCCC Chemical compound C(CCC)C(C(OC(C)C)(OC(C)C)CCCC)(CCCCCCCC)CCCC OGCFYQZVUHSEHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YJKSIKQHNMOIQI-UHFFFAOYSA-N C(CCC)C(C(OC)(OC)CCCC)(CCCCCCCC)CCCC Chemical compound C(CCC)C(C(OC)(OC)CCCC)(CCCCCCCC)CCCC YJKSIKQHNMOIQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KUTVCEZBZCPYSI-UHFFFAOYSA-N C(CCC)C(C(OCC)(OCC)CCCC)(CCCCCCCC)CCCC Chemical compound C(CCC)C(C(OCC)(OCC)CCCC)(CCCCCCCC)CCCC KUTVCEZBZCPYSI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FPYZFGNMCPBDBU-UHFFFAOYSA-N C(CCC)C(C(OCC)(OCC)OCC)CCCCCCCC Chemical compound C(CCC)C(C(OCC)(OCC)OCC)CCCCCCCC FPYZFGNMCPBDBU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HLGDFAYZEDBTBA-UHFFFAOYSA-N C(CCC)C(C(OCCC)(OCCC)CCCC)(CCCCCCCC)CCCC Chemical compound C(CCC)C(C(OCCC)(OCCC)CCCC)(CCCCCCCC)CCCC HLGDFAYZEDBTBA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HDICKWLBCJPQTL-UHFFFAOYSA-N C1(=CC=CC=C1)C(C(OC(C)C)(OC(C)C)C1=CC=CC=C1)CCCCCCCC Chemical compound C1(=CC=CC=C1)C(C(OC(C)C)(OC(C)C)C1=CC=CC=C1)CCCCCCCC HDICKWLBCJPQTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XELKFKOWDQPLDM-UHFFFAOYSA-N C1(=CC=CC=C1)C(C(OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C)CCCCCCCC Chemical compound C1(=CC=CC=C1)C(C(OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C)CCCCCCCC XELKFKOWDQPLDM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JSGRIFNBTXDZQU-UHFFFAOYSA-N C1(=CC=CC=C1)C(C(OC)(OC)OC)CCCCCCCC Chemical compound C1(=CC=CC=C1)C(C(OC)(OC)OC)CCCCCCCC JSGRIFNBTXDZQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WMAZOIVUIWQRKU-UHFFFAOYSA-N C1(=CC=CC=C1)C(C(OCC)(OCC)OCC)CCCCCCCC Chemical compound C1(=CC=CC=C1)C(C(OCC)(OCC)OCC)CCCCCCCC WMAZOIVUIWQRKU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFHLNUBVIOAEMX-UHFFFAOYSA-N C1(=CC=CC=C1)C(C(OCCC)(OCCC)C1=CC=CC=C1)CCCCCCCC Chemical compound C1(=CC=CC=C1)C(C(OCCC)(OCCC)C1=CC=CC=C1)CCCCCCCC LFHLNUBVIOAEMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BSZNKRRPHGLNQU-UHFFFAOYSA-N C1(=CC=CC=C1)C(C(OCCC)(OCCC)OCCC)CCCCCCCC Chemical compound C1(=CC=CC=C1)C(C(OCCC)(OCCC)OCCC)CCCCCCCC BSZNKRRPHGLNQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBHUYJPUGHEAOT-UHFFFAOYSA-N C1(=CC=CC=C1)CCC(C(OC)(OC)OC)CCCCCCCC Chemical compound C1(=CC=CC=C1)CCC(C(OC)(OC)OC)CCCCCCCC SBHUYJPUGHEAOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZGTWPVZLICCPGQ-UHFFFAOYSA-N C1(=CC=CC=C1)CCC(C(OCC)(OCC)OCC)CCCCCCCC Chemical compound C1(=CC=CC=C1)CCC(C(OCC)(OCC)OCC)CCCCCCCC ZGTWPVZLICCPGQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AEUQZGAROHQRMW-UHFFFAOYSA-N C1(=CC=CC=C1)CCC(C(OCCC)(OCCC)OCCC)CCCCCCCC Chemical compound C1(=CC=CC=C1)CCC(C(OCCC)(OCCC)OCCC)CCCCCCCC AEUQZGAROHQRMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JDRXSHNWPVFMRF-UHFFFAOYSA-N C1(=CCCCC1)C(C(OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C)CCCCCCCC Chemical compound C1(=CCCCC1)C(C(OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C)CCCCCCCC JDRXSHNWPVFMRF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CXVAGYHSZCTING-UHFFFAOYSA-N C1(=CCCCC1)C(C(OC)(OC)OC)CCCCCCCC Chemical compound C1(=CCCCC1)C(C(OC)(OC)OC)CCCCCCCC CXVAGYHSZCTING-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YBGIMONTTFWXOO-UHFFFAOYSA-N C1(=CCCCC1)C(C(OCC)(OCC)OCC)CCCCCCCC Chemical compound C1(=CCCCC1)C(C(OCC)(OCC)OCC)CCCCCCCC YBGIMONTTFWXOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PQPGLPXNZNKVMC-UHFFFAOYSA-N C1(=CCCCC1)C(C(OCCC)(OCCC)OCCC)CCCCCCCC Chemical compound C1(=CCCCC1)C(C(OCCC)(OCCC)OCCC)CCCCCCCC PQPGLPXNZNKVMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XOZRIJRGPOJNOP-UHFFFAOYSA-N C1(=CCCCC1)CCC(C(OC)(OC)OC)CCCCCCCC Chemical compound C1(=CCCCC1)CCC(C(OC)(OC)OC)CCCCCCCC XOZRIJRGPOJNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SWUAEYIHJGBSCM-UHFFFAOYSA-N C1(=CCCCC1)CCC(C(OCC)(OCC)OCC)CCCCCCCC Chemical compound C1(=CCCCC1)CCC(C(OCC)(OCC)OCC)CCCCCCCC SWUAEYIHJGBSCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FLNDUUYMTZBSNZ-UHFFFAOYSA-N C1(=CCCCC1)CCC(C(OCCC)(OCCC)OCCC)CCCCCCCC Chemical compound C1(=CCCCC1)CCC(C(OCCC)(OCCC)OCCC)CCCCCCCC FLNDUUYMTZBSNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IOPKTUGKSOEOAJ-UHFFFAOYSA-N C1(C=CC=C1)C(C(OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C)(CCCCCCCC)CCC Chemical compound C1(C=CC=C1)C(C(OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C)(CCCCCCCC)CCC IOPKTUGKSOEOAJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HGLKNUJJYXBJJN-UHFFFAOYSA-N C1(C=CC=C1)C(C(OC)(OC)OC)(CCCCCCCC)CCC Chemical compound C1(C=CC=C1)C(C(OC)(OC)OC)(CCCCCCCC)CCC HGLKNUJJYXBJJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AWJIGQPZYUCOMK-UHFFFAOYSA-N C1(C=CC=C1)C(C(OCC)(OCC)OCC)(CCCCCCCC)CCC Chemical compound C1(C=CC=C1)C(C(OCC)(OCC)OCC)(CCCCCCCC)CCC AWJIGQPZYUCOMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JJXKBPKINIIMON-UHFFFAOYSA-N C1(C=CC=C1)C(C(OCCC)(OCCC)OCCC)(CCCCCCCC)CCC Chemical compound C1(C=CC=C1)C(C(OCCC)(OCCC)OCCC)(CCCCCCCC)CCC JJXKBPKINIIMON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LDIQUOISKXBSRL-UHFFFAOYSA-N C1(CC1)C(C(OC(C)C)(OC(C)C)C1CC1)CCCCCCCC Chemical compound C1(CC1)C(C(OC(C)C)(OC(C)C)C1CC1)CCCCCCCC LDIQUOISKXBSRL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JUGXFUVPDRUKFY-UHFFFAOYSA-N C1(CC1)C(C(OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C)CCCCCCCC Chemical compound C1(CC1)C(C(OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C)CCCCCCCC JUGXFUVPDRUKFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PEXSEARSRGJBHT-UHFFFAOYSA-N C1(CC1)C(C(OC)(OC)OC)CCCCCCCC Chemical compound C1(CC1)C(C(OC)(OC)OC)CCCCCCCC PEXSEARSRGJBHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LPOXTJMVFGYABF-UHFFFAOYSA-N C1(CC1)C(C(OCC)(OCC)C1CC1)CCCCCCCC Chemical compound C1(CC1)C(C(OCC)(OCC)C1CC1)CCCCCCCC LPOXTJMVFGYABF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UJHHLZLDZWAQHR-UHFFFAOYSA-N C1(CC1)C(C(OCC)(OCC)OCC)CCCCCCCC Chemical compound C1(CC1)C(C(OCC)(OCC)OCC)CCCCCCCC UJHHLZLDZWAQHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MOBVFLLGGZPDGV-UHFFFAOYSA-N C1(CC1)C(C(OCCC)(OCCC)C1CC1)CCCCCCCC Chemical compound C1(CC1)C(C(OCCC)(OCCC)C1CC1)CCCCCCCC MOBVFLLGGZPDGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OOYCWSAGJRZZPK-UHFFFAOYSA-N C1(CC1)C(C(OCCC)(OCCC)OCCC)CCCCCCCC Chemical compound C1(CC1)C(C(OCCC)(OCCC)OCCC)CCCCCCCC OOYCWSAGJRZZPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CXWQVQRRQVJCCF-UHFFFAOYSA-N C1(CCC1)C(C(OC(C)C)(OC(C)C)C1CCC1)CCCCCCCC Chemical compound C1(CCC1)C(C(OC(C)C)(OC(C)C)C1CCC1)CCCCCCCC CXWQVQRRQVJCCF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IQBOKHIZFFTBGC-UHFFFAOYSA-N C1(CCC1)C(C(OC)(OC)C1CCC1)CCCCCCCC Chemical compound C1(CCC1)C(C(OC)(OC)C1CCC1)CCCCCCCC IQBOKHIZFFTBGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NVKFBCWGDSJFBW-UHFFFAOYSA-N C1(CCC1)C(C(OC)(OC)OC)CCCCCCCC Chemical compound C1(CCC1)C(C(OC)(OC)OC)CCCCCCCC NVKFBCWGDSJFBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UHSSWLQFADGAJU-UHFFFAOYSA-N C1(CCC1)C(C(OCC)(OCC)OCC)CCCCCCCC Chemical compound C1(CCC1)C(C(OCC)(OCC)OCC)CCCCCCCC UHSSWLQFADGAJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYBCNEAFJMCLTP-UHFFFAOYSA-N C1(CCC1)C(C(OCCC)(OCCC)C1CCC1)CCCCCCCC Chemical compound C1(CCC1)C(C(OCCC)(OCCC)C1CCC1)CCCCCCCC FYBCNEAFJMCLTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LYDUWNREVAAUOG-UHFFFAOYSA-N C1(CCC1)C(C(OCCC)(OCCC)OCCC)CCCCCCCC Chemical compound C1(CCC1)C(C(OCCC)(OCCC)OCCC)CCCCCCCC LYDUWNREVAAUOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PRGMGSNQQCBOCK-UHFFFAOYSA-N C1(CCCC1)C(C(OC(C)C)(OC(C)C)C1CCCC1)CCCCCCCC Chemical compound C1(CCCC1)C(C(OC(C)C)(OC(C)C)C1CCCC1)CCCCCCCC PRGMGSNQQCBOCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XQFGVNXNJAWKNU-UHFFFAOYSA-N C1(CCCC1)C(C(OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C)CCCCCCCC Chemical compound C1(CCCC1)C(C(OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C)CCCCCCCC XQFGVNXNJAWKNU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KICDFSWSEOEJQZ-UHFFFAOYSA-N C1(CCCC1)C(C(OC)(OC)OC)CCCCCCCC Chemical compound C1(CCCC1)C(C(OC)(OC)OC)CCCCCCCC KICDFSWSEOEJQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- INCDKSMMDMVUOH-UHFFFAOYSA-N C1(CCCC1)C(C(OCC)(OCC)C1CCCC1)CCCCCCCC Chemical compound C1(CCCC1)C(C(OCC)(OCC)C1CCCC1)CCCCCCCC INCDKSMMDMVUOH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYXCLMAULNDNEI-UHFFFAOYSA-N C1(CCCC1)C(C(OCC)(OCC)OCC)CCCCCCCC Chemical compound C1(CCCC1)C(C(OCC)(OCC)OCC)CCCCCCCC FYXCLMAULNDNEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HNKXOBLXBSTQHA-UHFFFAOYSA-N C1(CCCC1)C(C(OCCC)(OCCC)C1CCCC1)CCCCCCCC Chemical compound C1(CCCC1)C(C(OCCC)(OCCC)C1CCCC1)CCCCCCCC HNKXOBLXBSTQHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GFHBPDLVFKDEQQ-UHFFFAOYSA-N C1(CCCC1)C(C(OCCC)(OCCC)OCCC)CCCCCCCC Chemical compound C1(CCCC1)C(C(OCCC)(OCCC)OCCC)CCCCCCCC GFHBPDLVFKDEQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GFKSAHJSDHRTNK-UHFFFAOYSA-N C1(CCCCC1)C(C(OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C)CCCCCCCC Chemical compound C1(CCCCC1)C(C(OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C)CCCCCCCC GFKSAHJSDHRTNK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JWPHWFCPUQHFIZ-UHFFFAOYSA-N C1(CCCCC1)C(C(OC)(OC)C1CCCCC1)CCCCCCCC Chemical compound C1(CCCCC1)C(C(OC)(OC)C1CCCCC1)CCCCCCCC JWPHWFCPUQHFIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XGCSFAPCYMNGEJ-UHFFFAOYSA-N C1(CCCCC1)C(C(OC)(OC)OC)CCCCCCCC Chemical compound C1(CCCCC1)C(C(OC)(OC)OC)CCCCCCCC XGCSFAPCYMNGEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BSTTYKFEZPFBSB-UHFFFAOYSA-N C1(CCCCC1)C(C(OCC)(OCC)C1CCCCC1)CCCCCCCC Chemical compound C1(CCCCC1)C(C(OCC)(OCC)C1CCCCC1)CCCCCCCC BSTTYKFEZPFBSB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CKZRZYXNAOOMJD-UHFFFAOYSA-N C1(CCCCC1)C(C(OCC)(OCC)OCC)CCCCCCCC Chemical compound C1(CCCCC1)C(C(OCC)(OCC)OCC)CCCCCCCC CKZRZYXNAOOMJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YMVRVPUOWWBOJG-UHFFFAOYSA-N C1(CCCCC1)C(C(OCCC)(OCCC)OCCC)CCCCCCCC Chemical compound C1(CCCCC1)C(C(OCCC)(OCCC)OCCC)CCCCCCCC YMVRVPUOWWBOJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TZYOKQSTYTZPJM-UHFFFAOYSA-N C1(CCCCCCC1)C(C(OC(C)C)(OC(C)C)C1CCCCCCC1)CCCCCCCC Chemical compound C1(CCCCCCC1)C(C(OC(C)C)(OC(C)C)C1CCCCCCC1)CCCCCCCC TZYOKQSTYTZPJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YTJQRDMHNKQSSL-UHFFFAOYSA-N C1(CCCCCCC1)C(C(OC)(OC)C1CCCCCCC1)CCCCCCCC Chemical compound C1(CCCCCCC1)C(C(OC)(OC)C1CCCCCCC1)CCCCCCCC YTJQRDMHNKQSSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OWLPCLXWYQOXRD-UHFFFAOYSA-N C1(CCCCCCC1)C(C(OC)(OC)OC)CCCCCCCC Chemical compound C1(CCCCCCC1)C(C(OC)(OC)OC)CCCCCCCC OWLPCLXWYQOXRD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NQGPNJHSRLGXJO-UHFFFAOYSA-N C1(CCCCCCC1)C(C(OCC)(OCC)C1CCCCCCC1)CCCCCCCC Chemical compound C1(CCCCCCC1)C(C(OCC)(OCC)C1CCCCCCC1)CCCCCCCC NQGPNJHSRLGXJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NBXUZBBMYRABBY-UHFFFAOYSA-N C1(CCCCCCC1)C(C(OCC)(OCC)OCC)CCCCCCCC Chemical compound C1(CCCCCCC1)C(C(OCC)(OCC)OCC)CCCCCCCC NBXUZBBMYRABBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YXVUJQFRLRBJEB-UHFFFAOYSA-N C1(CCCCCCC1)C(C(OCCC)(OCCC)C1CCCCCCC1)CCCCCCCC Chemical compound C1(CCCCCCC1)C(C(OCCC)(OCCC)C1CCCCCCC1)CCCCCCCC YXVUJQFRLRBJEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GCLKFBHSZCNOGL-UHFFFAOYSA-N C12C(C=CC=C1)O2.[Sn] Chemical compound C12C(C=CC=C1)O2.[Sn] GCLKFBHSZCNOGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SKTNTGUOTGNHBN-UHFFFAOYSA-N CC(C(C1=CC=CC=C1)(OCC)C)CCCCCCCC Chemical compound CC(C(C1=CC=CC=C1)(OCC)C)CCCCCCCC SKTNTGUOTGNHBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FBMQYSPQUKHJNF-UHFFFAOYSA-N CC(C(OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C)CCCCCCCC Chemical compound CC(C(OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C)CCCCCCCC FBMQYSPQUKHJNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HVDALAZHBPIKLH-UHFFFAOYSA-N CC(C(OC)(C1=CC=CC=C1)C)CCCCCCCC Chemical compound CC(C(OC)(C1=CC=CC=C1)C)CCCCCCCC HVDALAZHBPIKLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKLVMJJLLOCOPC-UHFFFAOYSA-N CC(C(OC)(CC)C)CCCCCCCC Chemical compound CC(C(OC)(CC)C)CCCCCCCC DKLVMJJLLOCOPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CLUZBQRIRWETDG-UHFFFAOYSA-N CC(C(OC)(CC1=CC=CC=C1)C1=CC=CC=C1)(CCCCCCCC)C Chemical compound CC(C(OC)(CC1=CC=CC=C1)C1=CC=CC=C1)(CCCCCCCC)C CLUZBQRIRWETDG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XBBBBLWFHBTSCN-UHFFFAOYSA-N CC(C(OC)(CCC1=CC=CC=C1)C)CCCCCCCC Chemical compound CC(C(OC)(CCC1=CC=CC=C1)C)CCCCCCCC XBBBBLWFHBTSCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CGQUZJGQDZKSNG-UHFFFAOYSA-N CC(C(OC)(OC)C1=CC=CC=C1)CCCCCCCC Chemical compound CC(C(OC)(OC)C1=CC=CC=C1)CCCCCCCC CGQUZJGQDZKSNG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GGGZEAQPQFUYCJ-UHFFFAOYSA-N CC(C(OC)(OC)CC)CCCCCCCC Chemical compound CC(C(OC)(OC)CC)CCCCCCCC GGGZEAQPQFUYCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JNVOLYFERWTPLF-UHFFFAOYSA-N CC(C(OCC)(CC)C)CCCCCCCC Chemical compound CC(C(OCC)(CC)C)CCCCCCCC JNVOLYFERWTPLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DICVZRWKPZNFCJ-UHFFFAOYSA-N CC(C(OCC)(CC1=CC=CC=C1)C)CCCCCCCC Chemical compound CC(C(OCC)(CC1=CC=CC=C1)C)CCCCCCCC DICVZRWKPZNFCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HUWUYYFUWVFUFO-UHFFFAOYSA-N CC(C(OCC)(CCC1=CC=CC=C1)C)CCCCCCCC Chemical compound CC(C(OCC)(CCC1=CC=CC=C1)C)CCCCCCCC HUWUYYFUWVFUFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LNEJJQMNHUGXDW-UHFFFAOYSA-N CC(C(OCC)(OCC)C)CCCCCCCC Chemical compound CC(C(OCC)(OCC)C)CCCCCCCC LNEJJQMNHUGXDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LWRMRQUUHFZTNI-UHFFFAOYSA-N CC(C(OCC)(OCC)C1=CC=CC=C1)CCCCCCCC Chemical compound CC(C(OCC)(OCC)C1=CC=CC=C1)CCCCCCCC LWRMRQUUHFZTNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTBITDQOMQRBCU-UHFFFAOYSA-N CC(C(OCC)(OCC)CC)CCCCCCCC Chemical compound CC(C(OCC)(OCC)CC)CCCCCCCC QTBITDQOMQRBCU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AGXZVGXBNXCJMA-UHFFFAOYSA-N CC(C(OCCC)(OCCC)C)CCCCCCCC Chemical compound CC(C(OCCC)(OCCC)C)CCCCCCCC AGXZVGXBNXCJMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXEOJQGXZGUSRW-UHFFFAOYSA-N CC(C(OCCC)(OCCC)OCCC)CCCCCCCC Chemical compound CC(C(OCCC)(OCCC)OCCC)CCCCCCCC KXEOJQGXZGUSRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- COQYUAJAXLUAHF-UHFFFAOYSA-N CC(CCCCCCCCCOC)(C)C Chemical compound CC(CCCCCCCCCOC)(C)C COQYUAJAXLUAHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ICLWANDVDRTPBG-UHFFFAOYSA-N CC(CCCCCCCCCOCC)(C)C Chemical compound CC(CCCCCCCCCOCC)(C)C ICLWANDVDRTPBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004261 CaF 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- ACPUVNIGVWZMRX-UHFFFAOYSA-N Cl[As](Cl)(Cl)=O Chemical compound Cl[As](Cl)(Cl)=O ACPUVNIGVWZMRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010010071 Coma Diseases 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 description 1
- AQZGPSLYZOOYQP-UHFFFAOYSA-N Diisoamyl ether Chemical compound CC(C)CCOCCC(C)C AQZGPSLYZOOYQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N Ethylene oxide Chemical compound C1CO1 IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101000692259 Homo sapiens Phosphoprotein associated with glycosphingolipid-enriched microdomains 1 Proteins 0.000 description 1
- XOBKSJJDNFUZPF-UHFFFAOYSA-N Methoxyethane Chemical compound CCOC XOBKSJJDNFUZPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OPKOKAMJFNKNAS-UHFFFAOYSA-N N-methylethanolamine Chemical compound CNCCO OPKOKAMJFNKNAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100026066 Phosphoprotein associated with glycosphingolipid-enriched microdomains 1 Human genes 0.000 description 1
- 101000987219 Sus scrofa Pregnancy-associated glycoprotein 1 Proteins 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910008938 W—Si Inorganic materials 0.000 description 1
- DKOUXNIAYKMRFD-UHFFFAOYSA-N [O-2].C(C)C(C[Ti+3])CCCC.[O-2].[O-2].C(C)C(C[Ti+3])CCCC Chemical compound [O-2].C(C)C(C[Ti+3])CCCC.[O-2].[O-2].C(C)C(C[Ti+3])CCCC DKOUXNIAYKMRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NKXNNJNUNJFBAR-UHFFFAOYSA-N [O-2].C(C)O[Ti+3].[O-2].[O-2].C(C)O[Ti+3] Chemical compound [O-2].C(C)O[Ti+3].[O-2].[O-2].C(C)O[Ti+3] NKXNNJNUNJFBAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MFUQTNFRWUNXKN-UHFFFAOYSA-N [O-2].C1(CCCCC1)[Ti+3].[O-2].[O-2].C1(CCCCC1)[Ti+3] Chemical compound [O-2].C1(CCCCC1)[Ti+3].[O-2].[O-2].C1(CCCCC1)[Ti+3] MFUQTNFRWUNXKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WJQVSHCWVMJMEP-UHFFFAOYSA-N [O-2].CO[Ti+3].[O-2].[O-2].CO[Ti+3] Chemical compound [O-2].CO[Ti+3].[O-2].[O-2].CO[Ti+3] WJQVSHCWVMJMEP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LBSUBZREQQZXPC-UHFFFAOYSA-N [O-2].O1C(CCC1)[Ti+3].[O-2].[O-2].O1C(CCC1)[Ti+3] Chemical compound [O-2].O1C(CCC1)[Ti+3].[O-2].[O-2].O1C(CCC1)[Ti+3] LBSUBZREQQZXPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QUEDYRXQWSDKKG-UHFFFAOYSA-M [O-2].[O-2].[V+5].[OH-] Chemical compound [O-2].[O-2].[V+5].[OH-] QUEDYRXQWSDKKG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- NEVGLHITLLFEDP-UHFFFAOYSA-N [Ru].C(CC(=O)C)(=O)OCC(OCCC)OCCC Chemical compound [Ru].C(CC(=O)C)(=O)OCC(OCCC)OCCC NEVGLHITLLFEDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ROZSPJBPUVWBHW-UHFFFAOYSA-N [Ru]=O Chemical class [Ru]=O ROZSPJBPUVWBHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JWUIMIOWSYWXBQ-UHFFFAOYSA-N [Sn].O=S Chemical compound [Sn].O=S JWUIMIOWSYWXBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000218 acetic acid group Chemical group C(C)(=O)* 0.000 description 1
- NUPSHWCALHZGOV-UHFFFAOYSA-N acetic acid n-decyl ester Natural products CCCCCCCCCCOC(C)=O NUPSHWCALHZGOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N acetic acid trimethyl ester Natural products COC(C)=O KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 description 1
- 150000007933 aliphatic carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- LHIJANUOQQMGNT-UHFFFAOYSA-N aminoethylethanolamine Chemical compound NCCNCCO LHIJANUOQQMGNT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 1
- 229910000413 arsenic oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- RQPZNWPYLFFXCP-UHFFFAOYSA-L barium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Ba+2] RQPZNWPYLFFXCP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001863 barium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000010233 benzoic acid Nutrition 0.000 description 1
- 125000002619 bicyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 1
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 description 1
- CDQSJQSWAWPGKG-UHFFFAOYSA-N butane-1,1-diol Chemical compound CCCC(O)O CDQSJQSWAWPGKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BMRWNKZVCUKKSR-UHFFFAOYSA-N butane-1,2-diol Chemical compound CCC(O)CO BMRWNKZVCUKKSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OWBTYPJTUOEWEK-UHFFFAOYSA-N butane-2,3-diol Chemical compound CC(O)C(C)O OWBTYPJTUOEWEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000007810 chemical reaction solvent Substances 0.000 description 1
- XFVGXQSSXWIWIO-UHFFFAOYSA-N chloro hypochlorite;titanium Chemical compound [Ti].ClOCl XFVGXQSSXWIWIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000015165 citric acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 125000002933 cyclohexyloxy group Chemical group C1(CCCCC1)O* 0.000 description 1
- 125000001511 cyclopentyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001887 cyclopentyloxy group Chemical group C1(CCCC1)O* 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- RCJVRSBWZCNNQT-UHFFFAOYSA-N dichloridooxygen Chemical compound ClOCl RCJVRSBWZCNNQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940028356 diethylene glycol monobutyl ether Drugs 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- YWEUIGNSBFLMFL-UHFFFAOYSA-N diphosphonate Chemical compound O=P(=O)OP(=O)=O YWEUIGNSBFLMFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000004049 embossing Methods 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- WEIQRLLXVVSKIL-UHFFFAOYSA-N ethyl 2,2-diethyl-3-oxobutanoate Chemical compound CCOC(=O)C(CC)(CC)C(C)=O WEIQRLLXVVSKIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAYLNYINCPYISS-UHFFFAOYSA-N ethyl acetate;hexane Chemical compound CCCCCC.CCOC(C)=O OAYLNYINCPYISS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XYIBRDXRRQCHLP-UHFFFAOYSA-N ethyl acetoacetate Chemical compound CCOC(=O)CC(C)=O XYIBRDXRRQCHLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000001530 fumaric acid Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 1
- ALPJHXLZJQMRLE-UHFFFAOYSA-N hexaaluminum oxygen(2-) Chemical compound [O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[Al+3].[Al+3].[Al+3].[Al+3].[Al+3].[Al+3] ALPJHXLZJQMRLE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940051250 hexylene glycol Drugs 0.000 description 1
- 125000003707 hexyloxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000671 immersion lithography Methods 0.000 description 1
- 239000003456 ion exchange resin Substances 0.000 description 1
- 229920003303 ion-exchange polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004310 lactic acid Substances 0.000 description 1
- 235000014655 lactic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000011254 layer-forming composition Substances 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 1
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 1
- MESDRQXJKDVAML-UHFFFAOYSA-N oxo(propoxy)tin Chemical compound CCCO[Sn]=O MESDRQXJKDVAML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N oxolane-2,4-dione Chemical compound O=C1COC(=O)C1 JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHSXGLZHSWSLPF-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-) phenylaluminum(2+) Chemical compound [O-2].[Al+2]C1=CC=CC=C1 WHSXGLZHSWSLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AZCUJQOIQYJWQJ-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-) titanium(4+) trihydrate Chemical compound [O-2].[O-2].[Ti+4].O.O.O AZCUJQOIQYJWQJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 description 1
- WCVRQHFDJLLWFE-UHFFFAOYSA-N pentane-1,2-diol Chemical compound CCCC(O)CO WCVRQHFDJLLWFE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLMFDCKSFJWJTP-UHFFFAOYSA-N pentane-2,3-diol Chemical compound CCC(O)C(C)O XLMFDCKSFJWJTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MJKYCJBIICJHRD-UHFFFAOYSA-N pentane-2,4-dione;vanadium Chemical compound [V].CC(=O)CC(C)=O MJKYCJBIICJHRD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004115 pentoxy group Chemical group [*]OC([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C(C([H])([H])[H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000000951 phenoxy group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(O*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- DLYUQMMRRRQYAE-UHFFFAOYSA-N phosphorus pentoxide Inorganic materials O1P(O2)(=O)OP3(=O)OP1(=O)OP2(=O)O3 DLYUQMMRRRQYAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RKEWSXXUOLRFBX-UHFFFAOYSA-N pimavanserin Chemical compound C1=CC(OCC(C)C)=CC=C1CNC(=O)N(C1CCN(C)CC1)CC1=CC=C(F)C=C1 RKEWSXXUOLRFBX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229920000166 polytrimethylene carbonate Polymers 0.000 description 1
- GMDGXJQUWIQOLE-UHFFFAOYSA-N prop-2-enylborane Chemical compound BCC=C GMDGXJQUWIQOLE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019260 propionic acid Nutrition 0.000 description 1
- IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N quinbolone Chemical compound O([C@H]1CC[C@H]2[C@H]3[C@@H]([C@]4(C=CC(=O)C=C4CC3)C)CC[C@@]21C)C1=CCCC1 IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N 0.000 description 1
- 150000003304 ruthenium compounds Chemical class 0.000 description 1
- AOMVSYLFVGYGOW-UHFFFAOYSA-K ruthenium(3+) triphenoxide Chemical compound C1(=CC=CC=C1)[O-].[Ru+3].C1(=CC=CC=C1)[O-].C1(=CC=CC=C1)[O-] AOMVSYLFVGYGOW-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 150000003333 secondary alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 238000001338 self-assembly Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229930004725 sesquiterpene Natural products 0.000 description 1
- 150000004354 sesquiterpene derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 239000010421 standard material Substances 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 description 1
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 230000003685 thermal hair damage Effects 0.000 description 1
- 229940071127 thioglycolate Drugs 0.000 description 1
- 150000003608 titanium Chemical class 0.000 description 1
- GPMKKHIGAJLBMZ-UHFFFAOYSA-J titanium(4+);tetraacetate Chemical compound [Ti+4].CC([O-])=O.CC([O-])=O.CC([O-])=O.CC([O-])=O GPMKKHIGAJLBMZ-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 125000003944 tolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- DQWPFSLDHJDLRL-UHFFFAOYSA-N triethyl phosphate Chemical compound CCOP(=O)(OCC)OCC DQWPFSLDHJDLRL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BDZBKCUKTQZUTL-UHFFFAOYSA-N triethyl phosphite Chemical compound CCOP(OCC)OCC BDZBKCUKTQZUTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UAEJRRZPRZCUBE-UHFFFAOYSA-N trimethoxyalumane Chemical compound [Al+3].[O-]C.[O-]C.[O-]C UAEJRRZPRZCUBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WVLBCYQITXONBZ-UHFFFAOYSA-N trimethyl phosphate Chemical compound COP(=O)(OC)OC WVLBCYQITXONBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CYTQBVOFDCPGCX-UHFFFAOYSA-N trimethyl phosphite Chemical compound COP(OC)OC CYTQBVOFDCPGCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RXPQRKFMDQNODS-UHFFFAOYSA-N tripropyl phosphate Chemical compound CCCOP(=O)(OCCC)OCCC RXPQRKFMDQNODS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QOPBTFMUVTXWFF-UHFFFAOYSA-N tripropyl phosphite Chemical compound CCCOP(OCCC)OCCC QOPBTFMUVTXWFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/075—Silicon-containing compounds
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/095—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having more than one photosensitive layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31144—Etching the insulating layers by chemical or physical means using masks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D183/00—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/075—Silicon-containing compounds
- G03F7/0752—Silicon-containing compounds in non photosensitive layers or as additives, e.g. for dry lithography
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/094—Multilayer resist systems, e.g. planarising layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Architecture (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
Description
本發明係關於半導體元件等製造步驟中用於微細加工的多層光阻法所使用的含鈦之光阻下層膜形成用組成物、及使用了此組成物的圖案形成方法。
光阻圖案形成時使用之曝光光,1980年代廣泛使用以水銀燈之g射線(436nm)或i線(365nm)作為光源之光曝光。就為了更微細化之方法,將曝光光予以短波長化之方法據認為有效,於1990年代之64M位元(加工尺寸0.25μm以下)之DRAM(動態隨機存取記憶體)以後之量產處理,已將曝光光源從i線(365nm)替換為使用短波長之KrF準分子雷射(248nm)。但是於製造須要更微細之加工技術(加工尺寸0.2μm以下)之密集度256M及1G以上之DRAM時,需要更短波長的光源,約莫10年前開始,已有人認真探討使用氟化氬準分子雷射(193nm)的光微影。起初氟化氬微影應從180nm節點的元件製作開始適用,但因為KrF微影延用到130nm節點元件量產,所以氟化氬微影的正式適用是從90nm節點開始。再者,已與NA提高到0.9之透鏡組合進行65nm節點元件的量產。於以後的45nm節點元件,曝光波長之短波長化更為推進,候選者例如波長157nm之F2
微影。但是投影透鏡由於大量使用昂貴的CaF2
單晶,會造成掃描器之成本提高、由於軟式防護膠膜的耐久性極低而會伴隨導入硬式防護膠膜而改變光學系、光阻膜之蝕刻耐性低落等各種問題,故中止F2
微影的開發,並導入氟化氬浸潤微影。 於此氟化氬浸潤微影,係將折射率1.44的水以部分填滿的方式插入於投影透鏡與晶圓之間,藉此,可高速掃描,並利用NA1.3級的透鏡實施45nm節點元件的量產。
作為之後的32nm節點之微影技術,可舉例如:波長13.5nm之真空紫外光(EUV)微影為候選者。此技術的問題可舉例如雷射之高輸出化、光阻膜之高感度化、高解像度化、低線邊緣粗糙度(LER)化、無缺陷MoSi疊層遮罩、反射鏡之低色差化等,現狀為待克服的問題堆積如山。為32nm節點之另一候選者的高折射率浸潤微影,由於高折射率透鏡候選者的LUAG的穿透率低以及液體的折射率未能達到目標的1.8,所以已中止開發。如上,作為泛用技術的光曝光已逐漸地逼近來自光源波長的固有的解像度的極限。
為了獲得超越現有氟化氬浸潤曝光技術之極限解像度之加工尺寸的微細加工技術的開發正在加速。作為其中一技術,有人提案雙重圖案化技術。此雙重圖案化技術,係例如(1)以第1曝光與顯影形成線與間隔為1:3之間隔之第1光阻圖案,並以乾式蝕刻將下層硬遮罩加工,於其上再塗敷一層硬遮罩,而在第1曝光獲得之間隔部分利用光阻膜之第2曝光與顯影形成第2線圖案,然後將硬遮罩以乾式蝕刻進行加工,並交替地形成第1圖案與第2圖案。藉此能形成曝光圖案之一半節距之線與間隔圖案。又,(2)以第1曝光與顯影形成間隔與線為1:3之間隔之第1光阻圖案,以乾式蝕刻將下層硬遮罩進行加工,並於其上塗佈光阻膜而在殘留硬遮罩的部分以第2曝光形成圖案,將其作為遮罩,將硬遮罩以乾式蝕刻加工。均是進行2次乾蝕刻將硬遮罩加工,而形成曝光圖案的一半節距的圖案。但是(1)之方法須形成2次硬遮罩,(2)之方法只要形成1次硬遮罩但須形成比線圖案解像困難的溝圖案。
作為其他方法,有人提出: (3)使用偶極照明在正型光阻膜形成X方向的線圖案,並使光阻圖案硬化,再在其上塗佈一次光阻材料,以偶極照明將Y方向之線圖案曝光,利用格子狀線圖案的間隙形成孔圖案之方法(非專利文獻1)。再者,也有人提出:將光阻圖案、已有圖案轉印之有機硬遮罩或多晶矽膜等作為核圖案,將其周圍於低溫形成矽氧化膜後以乾蝕刻等去除核圖案之間隔件技術,以1次圖案曝光使節距成為一半的方法。
如上,僅用位在上層之光阻膜難以微細化,若不利用形成在光阻膜下層之硬遮罩,則無法成立微細化處理。在如此的狀況下,作為利用硬遮罩作為光阻下層膜之一方法,有:多層光阻法。此方法係在光阻上層膜與被加工基板之間,插入與光阻膜亦即與光阻上層膜的蝕刻選擇性相異之中間膜例如含矽之光阻下層膜,於光阻上層膜獲得圖案後,將上層光阻圖案作為蝕刻遮罩,將圖案轉印到光阻下層膜,再將光阻下層膜作為蝕刻遮罩,利用乾蝕刻將圖案轉印到被加工基板或成為間隔件處理用之核的膜的方法。
作為如此之多層光阻法使用之光阻下層膜之組成物,為人熟知的有含矽膜形成用組成物。例如:利用CVD所得之含矽之無機膜、SiO2
膜(專利文獻1等)、SiON膜(專利文獻2等),就利用旋轉塗佈獲得之膜,有:SOG(旋塗玻璃)膜(專利文獻3等)、交聯性倍半矽氧烷膜(專利文獻4等)等。
又,至今為止,已針對能於多層膜光阻法使用之光阻下層膜努力探討,並且提供了如專利文獻5或專利文獻6等所示之含矽之光阻下層膜形成用組成物。但是於近年之超過氟化氬浸潤微影之解像度極限的半導體元件製造處理有人提出前述雙重圖案化等複雜的處理,只使用習知型之有機膜與含矽膜變得難以建構用於微細化之合理處理。而,為了建構更合理的半導體元件製造處理,已有人探討含有對於現在實用化的有機膜或含矽膜分別有蝕刻選擇性且對於微細化之圖案有圖案密合性之成分的塗佈膜。
在如此的狀況下,作為對於有機膜或含矽膜有蝕刻選擇性的塗佈膜,已有含有各種金屬物質的光阻下層膜提出(專利文獻7~9)。例如:專利文獻7雖有對於使用了聚鈦氧烷之KrF曝光圖案化進行評價確認,但未對於利用氟化氬浸潤曝光所為之圖案化進行評價。專利文獻8未進行圖案化評價,故實際之圖案化性能不明。專利文獻9中,提出不僅含鈦還含鋯之光阻下層膜,但此亦同樣未進行圖案化評價,故實際性能不明。因此,該等塗佈膜對於微細化之圖案是否有密合性並不明確。
如上,須要兼顧對於習知之有機膜或含矽膜之蝕刻選擇性以及對於微細圖案之圖案密合性的塗佈膜。 【先前技術文獻】 【專利文獻】
【專利文獻1】日本特開平7-183194號公報 【專利文獻2】日本特開平7-181688號公報 【專利文獻3】日本特開2007-302873號公報 【專利文獻4】日本特表2005-520354號公報 【專利文獻5】日本專利4716037號公報 【專利文獻6】日本專利5038354號公報 【專利文獻7】日本特開平11-258813號公報 【專利文獻8】日本特開2006-251369號公報 【專利文獻9】日本特表2005-537502號公報 【非專利文獻】
【非專利文獻1】Proc. SPIE Vol. 5377 p255(2004)
【發明欲解決之課題】
本發明係有鑑於上述問題而生,目的在於提供一種含鈦之光阻下層膜形成用組成物,其係用於形成對於微細圖案之圖案密合性優異、對於習知之有機膜或含矽膜之蝕刻選擇性優異之含鈦之光阻下層膜。 【解決課題之方式】
為了解決上述課題,本發明提供一種含鈦之光阻下層膜形成用組成物,其含有(A)成分、(B)成分及作為溶劑之(D)成分; (A)成分係選自於下列通式(A-1)、(A-2)表示之鈦化合物、將該鈦化合物予以水解或縮合、或水解縮合而得之含鈦化合物中之1種以上 Ti(OR1A
)4
(A-1) Ti(OR1A
)4-na
(OR2A
O)na
(A-2) (式中,R1A
係具有0或1個羥基之碳數1~20之1價有機基,R2A
為具有0或1個羥基之碳數2~20之2價有機基,0<na≦4) (B)成分係選自於下列通式(B-1)、(B-2)表示之鈦化合物、將該鈦化合物予以水解或縮合、或水解縮合而得之含鈦化合物中之1種以上 Ti(OR1B
)4
(B-1) Ti(OR1B
)4-nb
(OR2B
O)nb
(B-2) (式中,R1B
係具有0或1個羥基之碳數1~20之1價有機基,R2B
係具有0或1個羥基之碳數2~20之2價有機基,R1A
與R1B
不同、或R2A
與R2B
不同、或兩方均不同,0<nb≦4。)。
若為如此之含鈦之光阻下層膜形成用組成物,能夠形成對於微細圖案之圖案密合性優異、對於習知之有機膜或含矽膜之蝕刻選擇性優異之含鈦之光阻下層膜。
其中,前述通式(A-2)表示之鈦化合物,宜為使下列通式(A-3)表示之2元或3元醇對於選自於前述通式(A-1)表示之鈦化合物、將該鈦化合物予以水解或縮合、或水解縮合而得之含鈦化合物中之1種以上作用而獲得者較佳。 R2A
(OH)2
(A-3) (式中,R2A
同前述。)
又,前述通式(B-2)表示之鈦化合物,宜為使下列通式(B-3)表示之2元或3元醇作用於選自於前述通式(B-1)表示之鈦化合物、將該鈦化合物予以水解或縮合、或水解縮合而得之含鈦化合物中之1種以上而獲得者較佳。 R2B
(OH)2
(B-3) (式中,R2B
同前述。)
若為如此的鈦化合物,能提高對於微細圖案之圖案密合性且能提高對於習知之有機膜或含矽膜之蝕刻選擇性。
再者,前述通式(A-3)表示之2元或3元醇宜包含1個以上之1級醇結構較佳。
若為如此之(A)成分,能更提高對於微細圖案之圖案密合性。
又,前述通式(B-3)表示之2元或3元醇宜不含1級醇結構。
若為如此之(B)成分,能更提高對於習知之有機膜或含矽膜之蝕刻選擇性。
此時前述(A)成分,宜為使前述通式(A-3)表示之2元或3元醇作用於選自於將前述通式(A-1)表示之鈦化合物予以水解或縮合、或水解縮合而得之含鈦化合物中之1種以上而獲得者較佳。
又,前述(B)成分,宜為使前述通式(B-3)表示之2元或3元醇作用於選自於將前述通式(B-1)表示之鈦化合物予以水解或縮合、或水解縮合而得之含鈦化合物中之1種以上而獲得者較佳。
若為如此之(A)成分及(B)成分,能進一步提高對於微細圖案之圖案密合性,且能更提高對於習知之有機膜或含矽膜之蝕刻選擇性。
再者,前述含鈦之光阻下層膜形成用組成物,宜含有(C)成分較佳,(C)成分係選自於1種以上之下列通式(C-1)表示之矽烷化合物、將該矽烷化合物予以水解或縮合、或水解縮合而得之含矽化合物中之1種以上較佳。 R1C c1
R2C c2
R3C c3
Si(OR0C
)(4-c1-c2-c3)
(C-1) (式中,R0C
為碳數1~6之烴基,R1C
、R2C
、R3C
為氫原子或碳數1~30之1價有機基。又,c1、c2、c3為0或1,1≦c1+c2+c3≦3)。
如上藉由更添加(C)成分,能使對於微細圖案之圖案密合性良好。
又,前述(C)成分,宜為將1種以上之前述通式(C-1)表示之矽烷化合物與1種以上之下列通式(C-2)表示之化合物予以水解或縮合、或水解縮合而得之含矽化合物較佳。 L(OR4C
)c4
(OR5C
)c5
(O)c6
(C-2) (式中,R4C
、R5C
為碳數1~30之有機基,c4、c5、c6為0以上之整數,c4+c5+2×c6為由L之種類決定的價數,L為周期表之III族、IV族、或V族之元素且排除碳。)
此時前述通式(C-2)中之L宜為硼、矽、鋁、鎵、釔、鍺、鋯、鉿、鉍、錫、磷、釩、砷、銻、鈮、及鉭中任一元素較佳。
若為如此之(C)成分,對於習知之有機膜或含矽膜之蝕刻選擇性能為良好。
又,前述通式(C-1)中之R1C
、R2C
、R3C
中之一者以上宜為具有經酸不穩定基取代之羥基或羧基之有機基較佳。
若為如此的(C)成分,能對於微細圖案之圖案密合性更良好。
再者,本發明提供一種圖案形成方法,係 在被加工體上使用塗佈型有機下層膜材料形成有機下層膜,在該有機下層膜之上使用前述含鈦之光阻下層膜形成用組成物形成含鈦之光阻下層膜,在該含鈦之光阻下層膜上使用光阻上層膜形成用組成物形成光阻上層膜,於該光阻上層膜形成圖案,將該已形成圖案之光阻上層膜作為遮罩而於前述含鈦之光阻下層膜以乾蝕刻轉印圖案,將該已轉印圖案之含鈦之光阻下層膜作為遮罩而於前述有機下層膜以乾蝕刻轉印圖案,再將該轉印有圖案之有機下層膜作為遮罩而於前述被加工體以乾蝕刻轉印圖案。
又,本發明提供一種圖案形成方法,係 在被加工體上以CVD法形成以碳作為主成分之有機硬遮罩,在該有機硬遮罩之上使用前述含鈦之光阻下層膜形成用組成物形成含鈦之光阻下層膜,在該含鈦之光阻下層膜上使用光阻上層膜形成用組成物形成光阻上層膜,於該光阻上層膜形成圖案,將該已形成圖案之光阻上層膜作為遮罩而於前述含鈦之光阻下層膜以乾蝕刻轉印圖案,將該已轉印圖案之含鈦之光阻下層膜作為遮罩而於前述有機硬遮罩以乾蝕刻轉印圖案,進一步將該已轉印圖案之有機硬遮罩作為遮罩而於前述被加工體以乾蝕刻轉印圖案。
若使用本發明之含鈦之光阻下層膜形成用組成物形成圖案,如上述,將有機下層膜或有機硬遮罩之組合最適化,藉此能不生尺寸變換差而將於光阻上層膜形成之圖案轉印形成在被加工體上。
在此,前述被加工體使用已形成一部分或全部半導體電路之半導體裝置基板、金屬膜、金屬碳化膜、金屬氧化膜、金屬氮化膜、金屬氧化碳化膜或金屬氧化氮化膜較佳。
再者,構成前述被加工體之金屬宜為矽、鈦、鎢、鉿、鋯、鉻、鍺、銅、鋁、銦、鎵、砷、鈀、鐵、鉭、銥、鉬或該等之合金較佳。
如上,本發明之圖案形成方法能將如上述被加工體加工並形成圖案。
又,作為前述光阻上層膜之圖案形成之方法,宜採用使用波長300nm以下之光或EUV光之微影法、電子束直接描繪法、定向自組裝法、及奈米壓印微影法中任一方法較佳。
藉由使用如此的方法,能於光阻上層膜形成微細圖案。 【發明之效果】
藉由使用本發明之含鈦之光阻下層膜形成用組成物,能形成對於上部所形成之微細圖案顯示良好圖案密合性且對於上部所形成之圖案與下部所形成之有機下層膜或有機硬遮罩兩方顯示高蝕刻選擇性之含鈦之光阻下層膜。又,若為如此之使用含鈦之光阻下層膜形成用組成物之圖案形成方法,能將光阻上層膜所形成之微細圖案依序蝕刻含鈦之光阻下層膜、有機下層膜或有機硬遮罩,能不生尺寸變換差而轉印圖案,最終能將有機下層膜或有機硬遮罩作為蝕刻遮罩而以高精度加工被加工體。
本案發明人等為了解決上述課題而努力探討,發現:由將含有之碳成分不同之2種以上之特定含鈦化合物作為構成成分之組成物獲得之塗佈膜,與微細圖案之光阻上層膜圖案的圖案密合性優異,且對於以往已知的有機膜或含矽膜的蝕刻選擇性也優良,乃完成本發明。
亦即本發明係關於一種含鈦之光阻下層膜形成用組成物,其含有(A)成分、(B)成分及作為溶劑之(D)成分; (A)成分係選自於下列通式(A-1)、(A-2)表示之鈦化合物、將該鈦化合物予以水解或縮合、或水解縮合而得之含鈦化合物中之1種以上 Ti(OR1A
)4
(A-1) Ti(OR1A
)4-na
(OR2A
O)na
(A-2) (式中,R1A
係具有0或1個羥基之碳數1~20之1價有機基,R2A
係具有0或1個羥基之碳數2~20之2價有機基,0<na≦4。) (B)成分係選自於下列通式(B-1)、(B-2)表示之鈦化合物、將該鈦化合物予以水解或縮合、或水解縮合而得之含鈦化合物中之1種以上 Ti(OR1B
)4
(B-1) Ti(OR1B
)4-nb
(OR2B
O)nb
(B-2) (式中,R1B
係具有0或1個羥基之碳數1~20之1價有機基,R2B
係具有0或1個羥基之碳數2~20之2價有機基,R1A
與R1B
不同、或R2A
與R2B
不同、或兩方均不同,0<nb≦4。)。
如此之含鈦之光阻下層膜形成用組成物藉由含有2種以上之含鈦化合物,能形成對於微細圖案之圖案密合性優異,且對於以往已知之有機膜或含矽膜有蝕刻選擇性之含鈦之光阻下層膜。
本案發明人等進一步為了獲得圖案密合性及蝕刻選擇性更優良的塗佈膜而努力探討,發現:在蝕刻選擇性優異之碳成分少的含鈦之光阻下層膜的表層部分集中存在含多量碳成分且密合性優異之含鈦膜的2層結構的塗佈膜對於上述課題最有效果。
如上,作為2層結構之塗佈膜之形成方法,例如日本特開2000-53921號公報揭示:若使用將能獲致含氟原子之低折射率硬化皮膜之化合物與能獲致較其的表面自由能量大的高折射率硬化皮膜之化合物作為構成成分之抗反射皮膜形成組成物,能形成可減少可見光反射之2層結構之抗反射膜的方法。其據認為係:在膜形成的階段,分子進行自我排列及集合使膜表面之自由能量成為最小,且利用相分離現象形成2層結構。此方法係以一次塗佈形成2層結構,兼顧反射率減低及生產性。但是聚合物之自由能量之差不適當時,不限於因相分離形成2層結構,常也會有產生於一相的基質中有另一相的分域點綴其中的所謂海島結構,為了形成2層結構之抗反射膜,須要找到理想的材料的組合。
例如:具有全氟烷基或矽氧烷之界面活性劑,為人熟知會浮在旋塗後之光阻膜表面並覆蓋表面。此係利用表面能量低之全氟烷基或矽氧烷配向在表面而安定化。就其實例,日本特開2007-297590號公報記載:若添加具-C(CF3
)2
OH結構之高分子化合物於光阻膜,會配向在膜表面。
本發明中,藉由對於當作光阻下層膜材料使用之含鈦膜形成用化合物加入具適當組成且表面能量低之第2含鈦化合物,可不形成海島結構,而是形成在碳成分少、蝕刻選擇性高之含鈦之光阻下層膜表層有碳成分多、圖案密合性良好之含鈦成分分布之2層結構。
亦即,本發明更提供一種含鈦之光阻下層膜形成用組成物,包含: 使前述通式(A-3)表示之含2元或3元之1級醇結構之醇作用於作為前述(A)成分之選自於將前述通式(A-1)表示之鈦化合物予以水解或縮合、或水解縮合而得之含鈦化合物中之1種以上而獲得者; 使前述通式(B-3)表示之不含2元或3元之1級醇結構之醇作用於作為前述(B)成分之選自於將前述通式(B-1)表示之鈦化合物予以水解或縮合、或水解縮合而得之含鈦化合物中之1種以上而獲得者;及 (D)成分,作為溶劑。
本發明製造之含鈦化合物於末端有機基含有的醇結構為1級醇的情形,在塗佈、成膜後完成塗佈膜之接觸角最高,隨其結構為2級醇、3級醇依序下降。亦即,帶有具1級醇結構之有機基的(A)成分的表面能量大,不帶有此結構之(B)成分的表面能量小,所以塗佈時會發生分離現象,能使(A)成分集中在塗佈膜表面。藉此,有機成分會集中在塗佈膜表面,能獲得與光阻上層膜之圖案密合性良好之塗佈膜。 以下針對各成分詳述,但本發明使用之成分不限於下列。
(A)成分及(B)成分 本發明之含鈦之光阻下層膜形成用組成物所含之(A)成分之原料,可列舉下列通式(A-1)表示之鈦化合物。 Ti(OR1A
)4
(A-1) (式中,R1A
為具有0或1個羥基之碳數1~20之1價有機基。)
又,本發明之含鈦之光阻下層膜形成用組成物所含之(B)成分之原料,可列舉下列通式(B-1)表示之鈦化合物。 Ti(OR1B
)4
(B-1) (式中,R1B
係具有0或1個羥基之碳數1~20之1價有機基,宜與R1A
不同較佳。)
上述通式(A-1)、(B-1)表示之鈦化合物,可列舉:甲氧化鈦、乙氧化鈦、丙氧化鈦、異丙氧化鈦、丁氧化鈦、戊氧化鈦、己氧化鈦、環戊氧化鈦、環己氧化鈦、烯丙氧化鈦、苯氧化鈦、甲氧基乙氧化鈦、乙氧基乙氧化鈦、2-乙基-1,3-己烷二酮酸鈦、2-乙基己氧化鈦、四氫呋喃基氧化鈦、雙(三乙醇胺)二異丙氧化鈦、二丙氧基雙乙基乙醯乙酸鈦、二丁氧基雙乙基乙醯乙酸酯鈦、二丙氧基雙2,4-戊烷二酮酸鈦、二丁氧基雙2,4-戊烷二酮酸鈦等,再者,該等鈦化合物也可於鍵結鈦原子之有機基具有0或1個羥基。
又,作為(A)成分之其他原料,可列舉下列通式(A-2)表示之鈦化合物。 Ti(OR1A
)4-na
(OR2A
O)na
(A-2) (式中,R1A
同前述,R2A
係具有0或1個羥基之碳數2~20之2價有機基,0<na≦4。)
上述通式(A-2)表示之鈦化合物,宜為對於選自於上述通式(A-1)表示之鈦化合物、將該鈦化合物予以水解或縮合、或水解縮合而得之含鈦化合物中之1種以上適量添加下列通式(A-3)表示之2元或3元醇,並於無觸媒或觸媒存在下於室溫或加熱條件下反應而得者較佳。 R2A
(OH)2
(A-3) (式中,R2A
同前述。)
再者,作為(B)成分之其他原料,可列舉下列通式(B-2)表示之鈦化合物。 Ti(OR1B
)4-nb
(OR2B
O)nb
(B-2) (式中,R1B
同前述,R2B
係具有0或1個羥基之碳數2~20之2價有機基,R1A
與R1B
不同、或R2A
與R2B
不同、或兩方均不同,0<nb≦4。)
又,上述通式(B-2)表示之鈦化合物,宜為對於選自於上述通式(B-1)表示之鈦化合物、將該鈦化合物予以水解或縮合、或水解縮合而得之含鈦化合物中之1種類以上添加下列通式(B-3)表示之2元或3元醇,於無觸媒或觸媒存在下、於室溫或加熱條件下反應而得者較佳。 R2B
(OH)2
(B-3) (式中,R2B
同前述。)
上述通式(A-3)、(B-3)表示之2元或3元醇可列舉如下。
【化1】
【化2】
【化3】
【化4】
【化5】
【化6】
其中,(A-3)表示之2元或3元醇宜為上述例示之中含1級醇結構者為較佳。尤佳者可列舉如下。 【化7】
又,作為(B-3)表示之2元或3元醇,宜為上述例示之中不含1級醇結構者為較佳。尤佳者可列舉以下者。 【化8】
上述方式獲得之上述通式(A-1)、(A-2)、(B-1)、及(B-2)表示之鈦化合物之比例,取決於添加之2元或3元醇與鈦化合物之莫耳比例,故可因應目的物之性能調整量比。
可藉將以此方式獲得之鈦化合物於無觸媒、酸或鹼觸媒存在下予以水解或縮合、或水解縮合以製造鈦化合物之水解物、縮合物、水解縮合物。
此時,酸觸媒可藉由使用選自於無機酸、脂肪族磺酸、芳香族磺酸、脂肪族羧酸及芳香族羧酸中之一種以上之化合物作為酸觸媒,以製造目的物。具體的酸觸媒可以列舉氟酸、鹽酸、氫溴酸、硫酸、硝酸、過氯酸、磷酸、甲烷磺酸、苯磺酸、甲苯磺酸、甲酸、乙酸、丙酸、草酸、丙二酸、馬來酸、富馬酸、苯甲酸等。觸媒之使用量,相對於鈦化合物1莫耳宜為10-6
~10莫耳,更佳為10-5
~5莫耳,又更佳為10-4
~1莫耳。
又,也可於鹼觸媒存在下將鈦化合物予以水解縮合。此時使用之鹼觸媒,可以列舉甲胺、乙胺、丙胺、丁胺、乙二胺、六亞甲基二胺、二甲胺、二乙胺、乙基甲胺、三甲胺、三乙胺、三丙胺、三丁胺、環己胺、二環己胺、單乙醇胺、二乙醇胺、二甲基單乙醇胺、單甲基二乙醇胺、三乙醇胺、二氮雜雙環辛烷、二氮雜雙環環壬烯、二氮雜雙環十一烯、六亞甲基四胺、苯胺、N,N-二甲基苯胺、吡啶、N,N-二甲基乙醇胺、N,N-二乙基乙醇胺、N-(β-胺基乙基)乙醇胺、N-甲基乙醇胺、N-甲基二乙醇胺、N-乙基乙醇胺、N-正丁基乙醇胺、N-正丁基二乙醇胺、N-第三丁基乙醇胺、N-第三丁基二乙醇胺、N,N-二甲胺基吡啶、吡咯、哌□、吡咯啶、哌啶、甲基吡啶、四甲基氫氧化銨、氫氧化膽鹼、四丙基氫氧化銨、四丁基氫氧化銨、氨、氫氧化鋰、氫氧化鈉、氫氧化鉀、氫氧化鋇、氫氧化鈣等。觸媒之使用量,相對於鈦化合物1莫耳宜為10-6
莫耳~10莫耳,更佳為10-5
莫耳~5莫耳,更佳為10-4
莫耳~1莫耳。
從該等鈦化合物利用水解或水解縮合獲得含鈦化合物時之水之量,宜為鍵結於含鈦化合物之水解性取代基每1莫耳添加為0.01~10莫耳,更佳為0.05~5莫耳,又更佳為添加0.1~3莫耳。10莫耳以下之添加量不會使反應使用之裝置變得過大,為經濟的,且無損含鈦化合物之安定性,故較理想。
操作方法係於觸媒水溶液中添加鈦化合物使水解縮合反應開始。此時也可在觸媒水溶液中添加有機溶劑,也可以將鈦化合物以有機溶劑稀釋,也可實施兩者。反應溫度宜為0~200℃,更佳為5~150℃。鈦化合物滴加時保持5~150℃之溫度,之後於20~150℃熟成之方法為較佳。
又,就其他反應操作,可以列舉於鈦化合物或含鈦化合物之有機溶劑中添加水或含水有機溶劑使水解反應開始之方法。此時,觸媒可添加到鈦化合物或含鈦化合物之有機溶劑中,也可添加到水或含水有機溶劑中。反應溫度宜為0~200℃,更佳為5~150℃。鈦化合物滴加時溫度保持5~150℃之後於20~150℃使其熟成之方法為較佳。
作為能添加到觸媒水溶液、或能稀釋含鈦化合物之有機溶劑,可列舉甲醇、乙醇、1-丙醇、2-丙醇、1-丁醇、2-丁醇、2-甲基-1-丙醇、丙酮、乙腈、四氫呋喃、甲苯、己烷、乙酸乙酯、環己酮、甲基戊酮、丁二醇單甲醚、丙二醇單甲醚、乙二醇單甲醚、丁二醇單乙醚、丙二醇單乙醚、乙二醇單乙醚、丙二醇二甲醚、二乙二醇二甲醚、丙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醇單乙醚乙酸酯、丙酮酸乙酯、乙酸丁酯、3-甲氧基丙酸甲酯、3-乙氧基丙酸乙酯、乙酸第三丁酯、丙酸第三丁酯、丙二醇單第三丁醚乙酸酯、γ-丁內酯、乙醯基丙酮、乙醯乙酸甲酯、乙醯乙酸乙酯、乙醯乙酸丙酯、乙醯乙酸丁酯、三甲基乙醯基乙酸甲酯、異丁醯基乙酸甲酯、己醯基乙酸甲酯、月桂醯基乙酸甲酯、1,2-乙烷二醇、1,2-丙二醇、1,2-丁二醇、1,2-戊二醇、2,3-丁二醇、2,3-戊二醇、甘油、二乙二醇、己二醇等及該等之混合物等為較佳。
又,有機溶劑之使用量,相對於含鈦化合物1莫耳宜為0~1,000ml,尤其0~500ml為較佳。有機溶劑之使用量若為1,000ml以下,反應容器不會變得過大,為經濟的。
之後視須要實施觸媒之中和反應,將水解縮合反應生成之醇減壓除去,獲得含鈦化合物水溶液。此時中和能使用之酸、鹼之量,宜為相對於觸媒使用之酸、鹼,為0.1~2當量,只要成為中性者即可,可為任意物質。
然後,宜將由含鈦化合物以水解縮合反應生成之醇等副生物去除較佳。此時將含鈦化合物加熱之溫度取決於添加之有機溶劑及反應產生之醇等的種類,較佳為0~200℃,更佳為10~150℃,又更佳為15~150℃。又,此時之減壓度取決於待除去之有機溶劑及醇等種類、排氣裝置、冷凝裝置及加熱溫度而異,較佳為大氣壓以下,更佳為絕對壓力80kPa以下,更佳為絕對壓力50kPa以下。難以正確了解此時除去之醇量,但將生成之醇等的約80質量%以上去除較理想。
作為加到含鈦化合物溶液之最終溶劑,理想者可列舉丁二醇單甲醚、丙二醇單甲醚、乙二醇單甲醚、丁二醇單乙醚、丙二醇單乙醚、乙二醇單乙醚、丁二醇單丙醚、丙二醇單丙醚、乙二醇單丙醚、乙二醇單丁醚、二乙二醇單甲醚、二乙二醇單乙醚、二乙二醇單丙醚、二乙二醇單丁醚、丙二醇單丁醚、1-丁醇、2-丁醇、2-甲基-1-丙醇、4-甲基-2-戊醇、丙酮、四氫呋喃、甲苯、己烷、乙酸乙酯、環己酮、甲基戊酮、丙二醇二甲醚、二乙二醇二甲醚、二戊醚、丙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醇單乙醚乙酸酯、丙酮酸乙酯、乙酸丁酯、3-甲氧基丙酸甲酯、3-乙氧基丙酸乙酯、乙酸第三丁酯、丙酸第三丁酯、丙二醇單第三丁醚乙酸酯、γ-丁內酯、甲基異丁酮、環戊基甲醚等。
獲得之含鈦化合物之分子量,不僅可藉由含鈦化合物之選擇,也可藉由水解縮合時之反應條件控制來調整,若使用質量平均分子量為100,000以下者,不生異物或塗佈斑,故較佳為100,000以下,更佳為200~50,000,更佳為300~30,000者。又,上述質量平均分子量相關之數據,係以RI作為檢測器、四氫呋喃作為溶離溶劑,以凝膠滲透層析(GPC),使用聚苯乙烯作為標準物質,以聚苯乙烯換算表示分子量。
藉由將如此之(A)成分及(B)成分用在本發明之含鈦之光阻下層膜形成用組成物,形成含鈦之光阻下層膜時,表層會集中存在(A)成分,下層會集中存在(B)成分,能成為兼顧對於微細圖案之圖案密合性及對於以往之有機膜或含矽膜之蝕刻選擇性的光阻下層膜。
(C)成分 本發明為了使光阻上層膜圖案與含鈦之光阻下層膜之間之密合性更良好,也可添加含矽化合物作為(C)成分。作為此含矽化合物之一原料,可列舉下列通式(C-1)表示之矽烷化合物。 R1C c1
R2C c2
R3C c3
Si(OR0C
)(4-c1-c2-c3)
(C-1) (式中,R0C
為碳數1~6之烴基,R1C
、R2C
、R3C
為氫原子或碳數1~30之1價有機基。又,c1、c2、c3為0或1,1≦c1+c2+c3≦3。)
作為上述通式(C-1)表示之矽烷化合物,可以列舉三甲氧基矽烷、三乙氧基矽烷、三丙氧基矽烷、三異丙氧基矽烷、甲基三甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、甲基三丙氧基矽烷、甲基三異丙氧基矽烷、乙基三甲氧基矽烷、乙基三乙氧基矽烷、乙基三丙氧基矽烷、乙基三異丙氧基矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、乙烯基三丙氧基矽烷、乙烯基三異丙氧基矽烷、丙基三甲氧基矽烷、丙基三乙氧基矽烷、丙基三丙氧基矽烷、丙基三異丙氧基矽烷、異丙基三甲氧基矽烷、異丙基三乙氧基矽烷、異丙基三丙氧基矽烷、異丙基三異丙氧基矽烷、丁基三甲氧基矽烷、丁基三乙氧基矽烷、丁基三丙氧基矽烷、丁基三異丙氧基矽烷、第二丁基三甲氧基矽烷、第二丁基三乙氧基矽烷、第二丁基三丙氧基矽烷、第二丁基三異丙氧基矽烷、第三丁基三甲氧基矽烷、第三丁基三乙氧基矽烷、第三丁基三丙氧基矽烷、第三丁基三異丙氧基矽烷、環丙基三甲氧基矽烷、環丙基三乙氧基矽烷、環丙基三丙氧基矽烷、環丙基三異丙氧基矽烷、環丁基三甲氧基矽烷、環丁基三乙氧基矽烷、環丁基三丙氧基矽烷、環丁基三異丙氧基矽烷、環戊基三甲氧基矽烷、環戊基三乙氧基矽烷、環戊基三丙氧基矽烷、環戊基三異丙氧基矽烷、環己基三甲氧基矽烷、環己基三乙氧基矽烷、環己基三丙氧基矽烷、環己基三異丙氧基矽烷、環己烯基三甲氧基矽烷、環己烯基三乙氧基矽烷、環己烯基三丙氧基矽烷、環己烯基三異丙氧基矽烷、環己烯基乙基三甲氧基矽烷、環己烯基乙基三乙氧基矽烷、環己烯基乙基三丙氧基矽烷、環己烯基乙基三異丙氧基矽烷、環辛基三甲氧基矽烷、環辛基三乙氧基矽烷、環辛基三丙氧基矽烷、環辛基三異丙氧基矽烷、環戊二烯基丙基三甲氧基矽烷、環戊二烯基丙基三乙氧基矽烷、環戊二烯基丙基三丙氧基矽烷、環戊二烯基丙基三異丙氧基矽烷、雙環庚烯基三甲氧基矽烷、雙環庚烯基三乙氧基矽烷、雙環庚烯基三丙氧基矽烷、雙環庚烯基三異丙氧基矽烷、雙環庚基三甲氧基矽烷、雙環庚基三乙氧基矽烷、雙環庚基三丙氧基矽烷、雙環庚基三異丙氧基矽烷、金剛烷基三甲氧基矽烷、金剛烷基三乙氧基矽烷、金剛烷基三丙氧基矽烷、金剛烷基三異丙氧基矽烷、苯基三甲氧基矽烷、苯基三乙氧基矽烷、苯基三丙氧基矽烷、苯基三異丙氧基矽烷、苄基三甲氧基矽烷、苄基三乙氧基矽烷、苄基三丙氧基矽烷、苄基三異丙氧基矽烷、甲苯基三甲氧基矽烷、甲苯基三乙氧基矽烷、甲苯基三丙氧基矽烷、甲苯基三異丙氧基矽烷、大茴香基三甲氧基矽烷、大茴香基三乙氧基矽烷、大茴香基三丙氧基矽烷、大茴香基三異丙氧基矽烷、苯乙基三甲氧基矽烷、苯乙基三乙氧基矽烷、苯乙基三丙氧基矽烷、苯乙基三異丙氧基矽烷、萘基三甲氧基矽烷、萘基三乙氧基矽烷、萘基三丙氧基矽烷、萘基三異丙氧基矽烷、二甲基二甲氧基矽烷、二甲基二乙氧基矽烷、甲基乙基二甲氧基矽烷、甲基乙基二乙氧基矽烷、二甲基二丙氧基矽烷、二甲基二異丙氧基矽烷、二乙基二甲氧基矽烷、二乙基二乙氧基矽烷、二乙基二丙氧基矽烷、二乙基二異丙氧基矽烷、二丙基二甲氧基矽烷、二丙基二乙氧基矽烷、二丙基二丙氧基矽烷、二丙基二異丙氧基矽烷、二異丙基二甲氧基矽烷、二異丙基二乙氧基矽烷、二異丙基二丙氧基矽烷、二異丙基二異丙氧基矽烷、二丁基二甲氧基矽烷、二丁基二乙氧基矽烷、二丁基二丙氧基矽烷、二丁基二異丙氧基矽烷、二第二丁基二甲氧基矽烷、二第二丁基二乙氧基矽烷、二第二丁基二丙氧基矽烷、二第二丁基二異丙氧基矽烷、二第三丁基二甲氧基矽烷、二第三丁基二乙氧基矽烷、二第三丁基二丙氧基矽烷、二第三丁基二異丙氧基矽烷、二環丙基二甲氧基矽烷、二環丙基二乙氧基矽烷、二環丙基二丙氧基矽烷、二環丙基二異丙氧基矽烷、二環丁基二甲氧基矽烷、二環丁基二乙氧基矽烷、二環丁基二丙氧基矽烷、二環丁基二異丙氧基矽烷、二環戊基二甲氧基矽烷、二環戊基二乙氧基矽烷、二環戊基二丙氧基矽烷、二環戊基二異丙氧基矽烷、二環己基二甲氧基矽烷、二環己基二乙氧基矽烷、二環己基二丙氧基矽烷、二環己基二異丙氧基矽烷、二環己烯基二甲氧基矽烷、二環己烯基二乙氧基矽烷、二環己烯基二丙氧基矽烷、二環己烯基二異丙氧基矽烷、二環己烯基乙基二甲氧基矽烷、二環己烯基乙基二乙氧基矽烷、二環己烯基乙基二丙氧基矽烷、二環己烯基乙基二異丙氧基矽烷、二環辛基二甲氧基矽烷、二環辛基二乙氧基矽烷、二環辛基二丙氧基矽烷、二環辛基二異丙氧基矽烷、二環戊二烯基丙基二甲氧基矽烷、二環戊二烯基丙基二乙氧基矽烷、二環戊二烯基丙基二丙氧基矽烷、二環戊二烯基丙基二異丙氧基矽烷、雙(雙環庚烯基)二甲氧基矽烷、雙(雙環庚烯基)二乙氧基矽烷、雙(雙環庚烯基)二丙氧基矽烷、雙(雙環庚烯基)二異丙氧基矽烷、雙(雙環庚基)二甲氧基矽烷、雙(雙環庚基)二乙氧基矽烷、雙(雙環庚基)二丙氧基矽烷、雙(雙環庚基)二異丙氧基矽烷、二金剛烷基二甲氧基矽烷、二金剛烷基二乙氧基矽烷、二金剛烷基二丙氧基矽烷、二金剛烷基二異丙氧基矽烷、二苯基二甲氧基矽烷、二苯基二乙氧基矽烷、甲基苯基二甲氧基矽烷、甲基苯基二乙氧基矽烷、二苯基二丙氧基矽烷、二苯基二異丙氧基矽烷、三甲基甲氧基矽烷、三甲基乙氧基矽烷、二甲基乙基甲氧基矽烷、二甲基乙基乙氧基矽烷、二甲基苯基甲氧基矽烷、二甲基苯基乙氧基矽烷、二甲基苄基甲氧基矽烷、二甲基苄基乙氧基矽烷、二甲基苯乙基甲氧基矽烷、二甲基苯乙基乙氧基矽烷等。
又,上述通式(C-1)表示之矽烷化合物,可使用在下列結構表示之有機基上具有為水解性基之經2個或3個酸不穩定基取代之羥基或羧基者。如此的水解性基,可列舉含甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基、環戊氧基、己氧基、環己氧基、苯氧基者,如此有機基,可列舉以下者。又,下式中,(Si)代表與Si之鍵結部位。
【化9】
【化10】
【化11】
【化12】
又,作為(C)成分之一原料,可列舉下列通式(C-2)表示之化合物。 L(OR4C
)c4
(OR5C
)c5
(O)c6
(C-2) (式中,R4C
、R5C
為碳數1~30之有機基,c4、c5、c6為0以上之整數,c4+c5+2×c6為依L之種類決定之價數,L為周期表之III族、IV族、或V族之元素且排除碳。)
此時上述通式(C-2)中之L宜為硼、矽、鋁、鎵、釔、鍺、鋯、鉿、鉍、錫、磷、釩、砷、銻、鈮、及鉭中之任一元素較佳。作為如此之化合物可列舉以下者。
L為硼的情形,可列舉甲氧化硼、乙氧化硼、丙氧化硼、丁氧化硼、戊氧化硼、己氧化硼、環戊氧化硼、環己氧化硼、烯丙氧化硼、苯氧化硼、甲氧化乙氧化硼、硼酸、氧化硼等
L為矽的情形,可列舉四甲氧基矽烷、四乙氧基矽烷、四丙氧基矽烷、四異丙氧基矽烷、四丁氧基矽烷、四苯氧基矽烷、四乙醯氧基矽烷等。
L為鋁的情形,可列舉甲醇鋁、乙氧化鋁、丙氧化鋁、丁氧化鋁、戊氧化鋁、己氧化鋁、環戊氧化鋁、環己氧化鋁、烯丙氧化鋁、苯氧化鋁、甲氧基乙氧化鋁、乙氧基乙氧化鋁、二丙氧基乙基乙醯乙酸鋁、二丁氧基乙基乙醯乙酸鋁、丙氧基雙乙基乙醯乙酸鋁、丁氧基雙乙基乙醯乙酸鋁、2,4-戊烷二酮酸鋁、2,2,6,6-四甲基-3,5-庚烷二酮酸鋁等。
L為鎵的情形,可列舉甲氧化鎵、乙氧化鎵、丙氧化鎵、丁氧化鎵、戊氧化鎵、己氧化鎵、環戊氧化鎵、環己氧化鎵、烯丙氧化鎵、苯氧化鎵、甲氧基乙氧化鎵、乙氧基乙氧化鎵、二丙氧基乙基乙醯乙酸鎵、二丁氧基乙基乙醯乙酸鎵、丙氧基雙乙基乙醯乙酸鎵、丁氧基雙乙基乙醯乙酸鎵、2,4-戊烷二酮酸鎵、2,2,6,6-四甲基-3,5-庚烷二酮酸鎵等。
L為釔的情形,可列舉甲氧化釔、乙氧化釔、丙氧化釔、丁氧化釔、戊氧化釔、己氧化釔、環戊氧化釔、環己氧化釔、烯丙氧化釔、苯氧化釔、甲氧基乙氧化釔、乙氧基乙氧化釔、二丙氧基乙基乙醯乙酸釔、二丁氧基乙基乙醯乙酸釔、丙氧基雙乙基乙醯乙酸釔、丁氧基雙乙基乙醯乙酸釔、2,4-戊烷二酮酸釔、2,2,6,6-四甲基-3,5-庚烷二酮酸釔等。
L為鍺的情形,可列舉甲氧化鍺、乙氧化鍺、丙氧化鍺、丁氧化鍺、戊氧化鍺、己氧化鍺、環戊氧化鍺、環己氧化鍺、烯丙氧化鍺、苯氧化鍺、甲氧基乙氧化鍺、乙氧基乙氧化鍺等。
L為鋯的情形,可列舉甲氧化鋯、乙氧化鋯、丙氧化鋯、丁氧化鋯、苯氧化鋯、二丁氧化雙(2、4-戊烷二酮酸) 鋯、二丙氧化雙(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚烷二酮酸)鋯等。
L為鉿的情形,可列舉甲氧化鉿、乙氧化鉿、丙氧化鉿、丁氧化鉿、戊氧化鉿、己氧化鉿、環戊氧化鉿、環己氧化鉿、烯丙氧化鉿、苯氧化鉿、甲氧基乙氧化鉿、乙氧基乙氧化鉿、二丙氧基雙乙基乙醯乙酸鉿、二丁氧基雙乙基乙醯乙酸鉿、二丙氧基雙2,4-戊烷二酮酸鉿、二丁氧基雙2,4-戊烷二酮酸鉿等。
L為鉍的情形,可列舉甲氧化鉍、乙氧化鉍、丙氧化鉍、丁氧化鉍、苯氧化鉍等。
L為錫的情形,可列舉甲氧化錫、乙氧化錫、丙氧化錫、丁氧化錫、苯氧化錫、甲氧化乙氧化錫、乙氧化乙氧化錫、2,4-戊烷二酮酸錫、2,2,6,6-四甲基-3,5-庚烷二酮酸錫等。
L為磷的情形,可列舉亞磷酸三甲酯、亞磷酸三乙酯、亞磷酸三丙酯、磷酸三甲酯、磷酸三乙酯、磷酸三丙酯、五氧化二磷等。
L為釩的情形,可列舉雙(2,4-戊烷二酮酸) 氧化釩、2,4-戊烷二酮酸釩、三丁氧化氧化釩、三丙氧化氧化釩等。
L為砷的情形,可列舉甲氧化砷、乙氧化砷、丙氧化砷、丁氧化砷、苯氧化砷等。
L為銻的情形,可列舉甲氧化銻、乙氧化銻、丙氧化銻、丁氧化銻、苯氧化銻、乙酸銻、丙酸銻等。
L為鈮的情形,可列舉甲氧化鈮、乙氧化鈮、丙氧化鈮、丁氧化鈮、苯氧基鈮等。
L為鉭的情形,可列舉甲氧化鉭、乙氧化鉭、丙氧化鉭、丁氧化鉭、苯氧化鉭等。
可選用如上表示之單體1種以上,於反應前或反應中混合並作為形成(C)成分的反應原料。
為(C)成分之含矽化合物,可藉由例如將單體使用選自無機酸、脂肪族磺酸及芳香族磺酸中之一種以上之化合物作為酸觸媒予以水解縮合以製造。 具體可使用之酸觸媒,可列舉氟酸、鹽酸、氫溴酸、硫酸、硝酸、過氯酸、磷酸、甲烷磺酸、苯磺酸、甲苯磺酸等。觸媒之使用量,相對於單體1莫耳宜為10-6
~10莫耳,更佳為10-5
~5莫耳,又更佳為10-4
~1莫耳。
從該等單體利用水解縮合獲得含矽化合物時之水之量,宜就鍵結於單體之水解性取代基每1莫耳添加0.01~100莫耳,更佳為0.05~50莫耳,又更佳為0.1~30莫耳。若添加100莫耳以下,反應使用之裝置不會過大,為經濟的。
就操作方法而言,可於觸媒水溶液添加單體並使水解縮合反應開始。此時可於觸媒水溶液加入有機溶劑,也可將單體以有機溶劑稀釋,也可進行兩者。反應溫度宜為0~100℃,更佳為5~80℃。單體滴加時保持溫度在5~80℃,之後於20~80℃熟化之方法為較佳。
作為能加到觸媒水溶液、或能將單體稀釋之有機溶劑,宜為甲醇、乙醇、1-丙醇、2-丙醇、1-丁醇、2-丁醇、2-甲基-1-丙醇、丙酮、乙腈、四氫呋喃、甲苯、己烷、乙酸乙酯、環己酮、甲基戊酮、丁二醇單甲醚、丙二醇單甲醚、乙二醇單甲醚、丁二醇單乙醚、丙二醇單乙醚、乙二醇單乙醚、丙二醇二甲醚、二乙二醇二甲醚、丙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醇單乙醚乙酸酯、丙酮酸乙酯、乙酸丁酯、3-甲氧基丙酸甲酯、3-乙氧基丙酸乙酯、乙酸第三丁酯、丙酸第三丁酯、丙二醇單第三丁醚乙酸酯、γ-丁內酯及該等之混合物等為較佳。
該等溶劑之中,水溶性者較理想。例如:甲醇、乙醇、1-丙醇、2-丙醇等醇類、乙二醇、丙二醇等多元醇、丁二醇單甲醚、丙二醇單甲醚、乙二醇單甲醚、丁二醇單乙醚、丙二醇單乙醚、乙二醇單乙醚、丁二醇單丙醚、丙二醇單丙醚、乙二醇單丙醚等多元醇縮合物衍生物、丙酮、乙腈、四氫呋喃等。其中沸點為100℃以下者特別理想。
又,有機溶劑之使用量相對於單體1莫耳宜為0~1,000ml,0~500ml為較佳。有機溶劑之使用量若為1,000ml以下,反應容器不會過大,為經濟的。
之後視須要進行觸媒之中和反應,將於水解縮合反應生成的醇予以減壓除去,獲得含矽化合物水溶液。此時能用在中和之鹼性物質之量,相對於作為觸媒使用之酸宜為0.1~2當量為較佳。此鹼性物質只要是在水中呈鹼性即可,可為任意物質。
然後,宜從含矽化合物將於水解縮合反應生成之醇等副生物去除較佳。此時將含矽化合物加熱之溫度取決於添加之有機溶劑及反應產生之醇等的種類,較佳為0~100℃,更佳為10~90℃,又更佳為15~80℃。此時之減壓度,取決於待除去之有機溶劑及醇等種類、排氣裝置、冷凝裝置及加熱溫度而異,較佳為大氣壓以下,更佳為絕對壓力80kPa以下,又更佳為絕對壓力50kPa以下。此時除去之醇量難以正確知道,但將生成之醇等的約80質量%以上去除較理想。
其次,也可從含矽化合物去除水解縮合使用之酸觸媒。去除酸觸媒之方法,係將水與含矽化合物混合,並將含矽化合物以有機溶劑萃取。此時使用之有機溶劑,宜為能溶解含矽化合物,且若與水混合會分成2層者較佳。例如甲醇、乙醇、1-丙醇、2-丙醇、1-丁醇、2-丁醇、2-甲基-1-丙醇、丙酮、四氫呋喃、甲苯、己烷、乙酸乙酯、環己酮、甲基戊酮、丁二醇單甲醚、丙二醇單甲醚、乙二醇單甲醚、丁二醇單乙醚、丙二醇單乙醚、乙二醇單乙醚、丁二醇單丙醚、丙二醇單丙醚、乙二醇單丙醚、丙二醇二甲醚、二乙二醇二甲醚、丙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醇單乙醚乙酸酯、丙酮酸乙酯、乙酸丁酯、3-甲氧基丙酸甲酯、3-乙氧基丙酸乙酯、乙酸第三丁酯、丙酸第三丁酯、丙二醇單第三丁醚乙酸酯、γ-丁內酯、甲基異丁酮、環戊基甲醚等及該等之混合物。
再者,水溶性有機溶劑與水難溶性有機溶劑之混合物也可使用。例如甲醇+乙酸乙酯、乙醇+乙酸乙酯、1-丙醇+乙酸乙酯、2-丙醇+乙酸乙酯、丁二醇單甲醚+乙酸乙酯、丙二醇單甲醚+乙酸乙酯、乙二醇單甲醚+乙酸乙酯、丁二醇單乙醚+乙酸乙酯、丙二醇單乙醚+乙酸乙酯、乙二醇單乙醚+乙酸乙酯、丁二醇單丙醚+乙酸乙酯、丙二醇單丙醚+乙酸乙酯、乙二醇單丙醚+乙酸乙酯、甲醇+甲基異丁酮、乙醇+甲基異丁酮、1-丙醇+甲基異丁酮、2-丙醇+甲基異丁酮、丙二醇單甲醚+甲基異丁酮、乙二醇單甲醚+甲基異丁酮、丙二醇單乙醚+甲基異丁酮、乙二醇單乙醚+甲基異丁酮、丙二醇單丙醚+甲基異丁酮、乙二醇單丙醚+甲基異丁酮、甲醇+環戊基甲醚、乙醇+環戊基甲醚、1-丙醇+環戊基甲醚、2-丙醇+環戊基甲醚、丙二醇單甲醚+環戊基甲醚、乙二醇單甲醚+環戊基甲醚、丙二醇單乙醚+環戊基甲醚、乙二醇單乙醚+環戊基甲醚、丙二醇單丙醚+環戊基甲醚、乙二醇單丙醚+環戊基甲醚、甲醇+丙二醇甲醚乙酸酯、乙醇+丙二醇甲醚乙酸酯、1-丙醇+丙二醇甲醚乙酸酯、2-丙醇+丙二醇甲醚乙酸酯、丙二醇單甲醚+丙二醇甲醚乙酸酯、乙二醇單甲醚+丙二醇甲醚乙酸酯、丙二醇單乙醚+丙二醇甲醚乙酸酯、乙二醇單乙醚+丙二醇甲醚乙酸酯、丙二醇單丙醚+丙二醇甲醚乙酸酯、乙二醇單丙醚+丙二醇甲醚乙酸酯等的組合較佳,但不限定於此等組合。
又,水溶性有機溶劑與水難溶性有機溶劑之混合比例可以適當選擇,相對於水難溶性有機溶劑100質量份,水溶性有機溶劑為0.1~1,000質量份較理想,更佳為1~500質量份,又更佳為2~100質量份。
然後也可以中性水洗滌。此中性水可使用通常稱為去離子水、超純水者。水量,相對於含矽化合物溶液1L較佳為0.01~100L,更佳為0.05~50L,又更佳為0.1~5L。洗滌方法,可將兩者裝於同一容器中,攪動混合後靜置並使水層分離即可。洗滌次數只要是1次以上即可,但即使洗10次也不會獲得相應於洗滌次數的效果,故較佳為1~5次的程度。 此外,去除酸觸媒的方法,可列舉利用離子交換樹脂的方法、利用環氧乙烷、環氧丙烷等環氧化合物中和後除去之方法。該等方法可以配合反應使用的酸觸媒適當選擇。
由於此時之水洗操作,含矽化合物的一部分會進入水層,有時獲得實質上與區分操作為同等的效果,所以水洗次數或洗滌水之量,評估觸媒去除效果及區分效果適當選擇即可。
又尚有酸觸媒殘留之含矽化合物、及已去除酸觸媒之含矽化合物溶液,均可添加最後的溶劑並於減壓進行溶劑交換而獲得含矽之化合物溶液。此時之溶劑交換之溫度,取決於待除去之反應溶劑或萃取溶劑之種類而不同,較佳為0~100℃,更佳為10~90℃,又更佳為15~80℃。又,此時之減壓度因應於待除去之萃取溶劑之種類、排氣裝置、冷凝裝置及加熱溫度而異,較佳為於大氣壓力以下,更佳為於絕對壓力80kPa以下,又更佳為絕對壓力50kPa以下。
此時,由於改變溶劑有時會使得含矽化合物變得不安定。此現象係由於最終的溶劑與含矽化合物的相容性而發生,為防止此現象,也可加入日本特開2009-126940號公報[0181]~[0182]段落記載之具有環狀醚作為取代基之1元或2元以上之醇作為安定劑。加入量,相對於溶劑交換前之溶液中之含矽化合物100質量份為0~25質量份,較佳為0~15質量份,更佳為0~5質量份,但添加時以0.5質量份以上為較佳。視需要,也可對於溶劑交換前之溶液加入具有環狀醚作為取代基之1價或2價以上之醇並進行溶劑交換操作。
含矽化合物,若濃縮到某個濃度以上,會進一步進行縮合反應,而有變成對於有機溶劑不能再溶解之狀態之虞,故宜事先使成為適當濃度之溶液狀態。又,若不會太稀,溶劑之量不會過大,有經濟性。此時之濃度,為0.1~20質量%較佳。
加入到含矽化合物溶液之最終溶劑,理想者為醇系溶劑,尤佳者為乙二醇、二乙二醇、三乙二醇、丙二醇、二丙二醇、丁二醇等單烷醚衍生物。具體而言,丁二醇單甲醚、丙二醇單甲醚、乙二醇單甲醚、丁二醇單乙醚、丙二醇單乙醚、乙二醇單乙醚、丁二醇單丙醚、丙二醇單丙醚、乙二醇單丙醚等為較佳。
該等溶劑只要是主成分即可,也可添加非醇系溶劑作為輔助溶劑。作為此輔助溶劑,可列舉丙酮、四氫呋喃、甲苯、己烷、乙酸乙酯、環己酮、甲基戊酮、丙二醇二甲醚、二乙二醇二甲醚、丙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醇單乙醚乙酸酯、丙酮酸乙酯、乙酸丁酯、3-甲氧基丙酸甲酯、3-乙氧基丙酸乙酯、乙酸第三丁酯、丙酸第三丁酯、丙二醇單第三丁醚乙酸酯、γ-丁內酯、甲基異丁基酮、環戊基甲醚等。
又,就使用酸觸媒之其他反應操作,係於單體或單體之有機溶液加入水或含水之有機溶劑並開始水解反應。此時,觸媒可添加到單體或單體之有機溶液中,也可添加到水或含水有機溶劑中。反應溫度為0~100℃,較佳為10~80℃。水滴加時宜加熱到10~50℃,之後升溫至20~80℃並使熟化之方法為較佳。
使用有機溶劑時,宜為水溶性者,可列舉甲醇、乙醇、1-丙醇、2-丙醇、1-丁醇、2-丁醇、2-甲基-1-丙醇、丙酮、四氫呋喃、乙腈、丁二醇單甲醚、丙二醇單甲醚、乙二醇單甲醚、丁二醇單乙醚、丙二醇單乙醚、乙二醇單乙醚、丁二醇單丙醚、丙二醇單丙醚、乙二醇單丙醚、丙二醇二甲醚、二乙二醇二甲醚、丙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醇單乙醚乙酸酯、丙二醇單丙醚等多元醇縮合物衍生物及該等之混合物等。
有機溶劑之使用量與前述量相同即可。獲得之反應混合物之後處理,與前述方法以同樣方式進行後處理,獲得含矽化合物。
含矽之化合物也可藉由將單體於鹼觸媒存在下進行水解縮合以製造。此時能使用之鹼觸媒,可列舉甲胺、乙胺、丙胺、丁胺、乙二胺、六亞甲基二胺、二甲胺、二乙胺、乙基甲胺、三甲胺、三乙胺、三丙胺、三丁胺、環己胺、二環己胺、單乙醇胺、二乙醇胺、二甲基單乙醇胺、單甲基二乙醇胺、三乙醇胺、二氮雜雙環辛烷、二氮雜雙環環壬烯、二氮雜雙環十一烯、六亞甲基四胺、苯胺、N,N-二甲基苯胺、吡啶、N,N-二甲胺基吡啶、吡咯、哌□、吡咯啶、哌啶、甲基吡啶、四甲基氫氧化銨、氫氧化膽鹼、四丙基氫氧化銨、四丁基氫氧化銨、氨、氫氧化鋰、氫氧化鈉、氫氧化鉀、氫氧化鋇、氫氧化鈣等。觸媒之使用量,相對於矽單體1莫耳宜為10-6
莫耳~10莫耳,更佳為10-5
莫耳~5莫耳,又更佳為10-4
莫耳~1莫耳。
由該等單體利用水解縮合獲得含矽化合物時之水量,宜就鍵結於單體之水解性取代基每1莫耳添加0.1~50莫耳較佳。50莫耳以下的話,反應使用之裝置不會過於龐大,有經濟性。
操作方法係於觸媒水溶液加入單體使水解縮合反應開始。此時,可於觸媒水溶液中加入有機溶劑,也可將單體以有機溶劑稀釋,也可進行兩者。反應溫度為0~100℃,較佳為5~80℃。單體滴加時宜保溫在5~80℃,之後於20~80℃熟化之方法為較佳。
能加入鹼觸媒水溶液或能將單體稀釋之有機溶劑,宜使用與在可加到酸觸媒水溶液所例示之有機溶劑為同樣者。又,有機溶劑之使用量,為了經濟地進行反應,相對於單體1莫耳使用0~1,000ml較佳。
之後,視需要進行觸媒之中和反應,將水解縮合反應生成之醇予以減壓除去,獲得反應混合物溶液。此時,中和可使用之酸性物質之量,相對於觸媒使用之鹼性物質,宜為0.1~2當量為較佳。該酸性物質只要是在水中呈酸性者即可,可為任意物質。
然後,宜從反應混合物將在水解縮合反應生成之醇等副生物利用減壓除去等予以去除較佳。此時將反應混合物加熱之溫度,取決於添加之有機溶劑以及在反應產生之醇之種類,但較佳為0~100℃,更佳為10~90℃,又更佳為15~80℃。又,此時之減壓度,取決於待除去之有機溶劑及醇之種類、排氣裝置、冷凝裝置及加熱溫度而異,較佳為大氣壓力以下,更佳為絕對壓力80kPa以下,又更佳為絕對壓力50kPa以下。此時難以正確測知除去的醇量,但宜將生成的醇的約80質量%以上去除較理想。
其次,為了將在水解縮合使用之觸媒除去,以有機溶劑萃取含矽化合物。此時使用之有機溶劑,宜為能溶解含矽化合物,且若與水混合會分離為2層者較佳。例如甲醇、乙醇、1-丙醇、2-丙醇、1-丁醇、2-丁醇、2-甲基-1-丙醇、丙酮、四氫呋喃、甲苯、己烷、乙酸乙酯、環己酮、甲基戊酮、丙二醇單甲醚、乙二醇單甲醚、丙二醇單乙醚、乙二醇單乙醚、丙二醇單丙醚、乙二醇單丙醚、丙二醇二甲醚、二乙二醇二甲醚、丙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醇單乙醚乙酸酯、丙酮酸乙酯、乙酸丁酯、3-甲氧基丙酸甲酯、3-乙氧基丙酸乙酯、乙酸第三丁酯、丙酸第三丁酯、丙二醇單第三丁醚乙酸酯、γ-丁內酯、甲基異丁酮、環戊基甲醚及該等之混合物。
其次為了將水解縮合使用之鹼觸媒除去,將含矽化合物以有機溶劑萃取。此時使用之有機溶劑,宜為能溶解含矽化合物且若與水混合會分離為2層者較佳。 再者,水溶性有機溶劑與水難溶性有機溶劑之混合物也可使用。
去除鹼觸媒時使用之有機溶劑之具體例,可以使用作為去除酸觸媒時使用者所具體例示之上述有機溶劑、或水溶性有機溶劑與水難性有機溶劑之混合物為同樣者。
又,水溶性有機溶劑與水難溶性有機溶劑之混合比例可適當選擇,相對於難溶性有機溶劑100質量份,水溶性有機溶劑0.1~1,000質量份較理想,更佳為1~500質量份,又更佳為2~100質量份。
然後以中性水洗滌。該水可使用通常稱為去離子水或超純水者。該水之量,相對於含矽化合物溶液1L,為0.01~100L,較佳為0.05~50L,更佳為0.1~5L。該洗滌之方法,可將兩者放入同一容器並擾動混合後靜置將水層分離即可。洗滌次數為1次以上即可,但由於即使洗滌10次以上也無法獲得相應於洗滌次數的效果,故較佳為1~5次左右。
在洗滌完畢之含矽化合物溶液中加入最終的溶劑,於減壓進行溶劑交換,以獲得含矽化合物溶液。此時之溶劑交換之溫度,取決於待除去之萃取溶劑之種類,較佳為0~100℃,更佳為10~90℃,又更佳為15~80℃。又,此時之減壓度取決於待除去之萃取溶劑之種類、排氣裝置、冷凝裝置及加熱溫度而異,較佳為大氣壓力以下,更佳為絕對壓力80kPa以下,又更佳為絕對壓力50kPa以下。
作為加到含矽化合物溶液之最終溶劑,理想者為醇系溶劑,尤佳為乙二醇、二乙二醇、三乙二醇等單烷醚、丙二醇、二丙二醇等單烷醚。具體而言,丙二醇單甲醚、乙二醇單甲醚、丙二醇單乙醚、乙二醇單乙醚、丙二醇單丙醚、乙二醇單丙醚等為較佳。
又,就另一反應操作而言,係在單體或單體之有機溶液中添加水或含水有機溶劑並使水解反應開始。此時之觸媒可添加到單體或單體之有機溶液中,也可添加到水或含水有機溶劑中。反應溫度為0~100℃,較佳為10~80℃。水滴加時宜採用加熱到10~50℃,之後升溫至20~80℃並使熟化之方法為較佳。
使用有機溶劑時,宜為水溶性者,可以列舉甲醇、乙醇、1-丙醇、2-丙醇、1-丁醇、2-丁醇、2-甲基-1-丙醇、丙酮、四氫呋喃、乙腈、丙二醇單甲醚、乙二醇單甲醚、丙二醇單乙醚、乙二醇單乙醚、丙二醇單丙醚、乙二醇單丙醚、丙二醇二甲醚、二乙二醇二甲醚、丙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醇單乙醚乙酸酯、丙二醇單丙醚等多元醇縮合物衍生物及該等之混合物等。
獲得之含矽化合物之分子量不僅可藉由單體之選擇,也可藉由控制聚合時之反應條件而調整,但若使用質量平均分子量超過100,000者,有時會發生異物或塗佈斑,較佳為100,000以下,更佳為200~50,000,再更佳為300~30,000者。又,本發明中關於上述質量平均分子量之數據,係以RI作為檢測器,使用四氫呋喃作為溶離溶劑,依凝膠滲透層析(GPC),以聚苯乙烯作為標準物質,以聚苯乙烯換算來表示分子量者。
藉由將如此之(C)成分加到本發明之含鈦之光阻下層膜形成用組成物,能使形成之含鈦之光阻下層膜對於微細圖案之圖案密合性更良好。
(D)成分 本發明之含鈦之光阻下層膜形成用組成物所含之為(D)成分之溶劑,只要能溶解上述(A)~(C)成分即不特別限定,宜為和製作上述(A)~(C)成分時最終加入之溶劑相同較佳。具體而言,丁二醇單甲醚、丙二醇單甲醚、乙二醇單甲醚、丁二醇單乙醚、丙二醇單乙醚、乙二醇單乙醚、丁二醇單丙醚、丙二醇單丙醚、乙二醇單丙醚、乙二醇單丁醚、二乙二醇單甲醚、二乙二醇單乙醚、二乙二醇單丙醚、二乙二醇單丁醚、丙二醇單丁醚、1-丁醇、2-丁醇、2-甲基-1-丙醇、4-甲基-2-戊醇、丙酮、四氫呋喃、甲苯、己烷、乙酸乙酯、環己酮、甲基戊酮、丙二醇二甲醚、二乙二醇二甲醚、二戊醚、丙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醇單乙醚乙酸酯、丙酮酸乙酯、乙酸丁酯、3-甲氧基丙酸甲酯、3-乙氧基丙酸乙酯、乙酸第三丁酯、丙酸第三丁酯、丙二醇單第三丁醚乙酸酯、γ-丁內酯、甲基異丁酮、環戊基甲醚等。
其他成分 本發明之含鈦之光阻下層膜形成用組成物也可更添加光酸產生劑。本發明使用之光酸產生劑,具體而言,可以添加日本特開2009-126940號公報之[0160]~[0179]段落記載之材料。
本發明之含鈦之光阻下層膜形成用組成物也可更添加熱酸產生劑。本發明使用之熱酸產生劑,具體而言,可添加日本特開2007-199653號公報之[0061]至[0085]段落記載之材料。
再者,本發明之含鈦之光阻下層膜形成用組成物視需要可添加界面活性劑。如此的界面活性劑,具體而言,可添加日本特開2009-126940號公報之[0129]段落記載之材料。
若為如此之含鈦之光阻下層膜形成用組成物,表層集中存在(A)成分、下層集中存在(B)成分,成為2層結構,能提供兼顧對於微細圖案之良好圖案密合性及對於習知之有機膜或含矽膜之更高蝕刻選擇性的含鈦之光阻下層膜。
圖案形成方法 使用了依上述方式製作之含鈦之光阻下層膜形成用組成物的本發明之圖案形成方法的一態樣,可列舉以下的圖案形成方法, 在被加工體上使用塗佈型有機下層膜材料形成有機下層膜,在該有機下層膜之上使用前述含鈦之光阻下層膜形成用組成物形成含鈦之光阻下層膜,在該含鈦之光阻下層膜上使用光阻上層膜形成用組成物形成光阻上層膜,於該光阻上層膜形成圖案,將該已形成圖案之光阻上層膜作為遮罩,對於前述含鈦之光阻下層膜轉印圖案,將該已轉印圖案之含鈦之光阻下層膜作為遮罩,對於前述有機下層膜轉印圖案,再將該轉印有圖案之有機下層膜作為遮罩,對於前述被加工體轉印圖案。
又,本發明之圖案形成方法之另一態樣,可提供以下的圖案形成方法:在被加工體上以CVD法形成以碳作為主成分之有機硬遮罩,在該有機硬遮罩之上使用前述含鈦之光阻下層膜形成用組成物形成含鈦之光阻下層膜,在該含鈦之光阻下層膜上使用光阻上層膜形成用組成物形成光阻上層膜,於該光阻上層膜形成圖案,將該已形成圖案之光阻上層膜作為遮罩對於前述含鈦之光阻下層膜轉印圖案,將該已轉印圖案之含鈦之光阻下層膜作為遮罩,對於前述有機硬遮罩轉印圖案,進一步將該已轉印圖案之有機硬遮罩作為遮罩,對於前述被加工體轉印圖案。
本發明之圖案形成方法使用之被加工體,可使用在半導體基板已形成作為被加工層(被加工部分)之金屬膜、金屬碳化膜、金屬氧化膜、金屬氮化膜、金屬氧化碳化膜及金屬氧化氮化膜任一者的膜者等。
半導體基板一般使用矽基板,但不特別限定,也可使用Si、非晶矽(α-Si)、p-Si、SiO2
、SiN、SiON、W、TiN、Al等和被加工層為不同的材質者。
作為構成被加工體之金屬,可使用矽、鈦、鎢、鉿、鋯、鉻、鍺、銅、鋁、銦、鎵、砷、鈀、鐵、鉭、銥、及鉬中之任一者、或該等之合金,可使用含有如此之金屬之被加工層,例如:Si、SiO2
、SiN、SiON、SiOC、p-Si、α-Si、TiN、WSi、BPSG、SOG、Cr、CrO、CrON、MoSi、W、W-Si、Al、Cu、Al-Si等及各種低介電膜及其蝕刻阻擋膜,通常可形成50~10,000nm,尤其100~5,000nm之厚度。
本發明之圖案形成方法中,可在在被加工體上形成有機下層膜、或有機硬遮罩。其中,有機下層膜可使用旋轉塗佈法等而由塗佈型有機下層膜材料形成,有機硬遮罩可以由以碳為主成分之有機硬遮罩之材料使用CVD法形成。作為如此之有機下層膜及有機硬遮罩不特別限定,宜為當光阻上層膜以曝光形成圖案時,展現充分抗反射膜機能者較佳。藉由形成如此的有機下層膜或有機硬遮罩,能不生尺寸變換差而將光阻上層膜形成之圖案轉印在被加工體上。
本發明之圖案形成方法使用之含鈦之光阻下層膜,可由前述含鈦之光阻下層膜形成用組成物使用旋塗法等在被加工體上製作。旋塗法的情形,於旋塗後使溶劑蒸發,為了防止與後述光阻上層膜混合,為了促進交聯反應宜實施烘烤。烘烤溫度宜在50~500℃之範圍內,烘烤時間宜為10~300秒之範圍內。又,雖取決於製造之元件之結構,為了減少對於元件的熱損害,於400℃以下進行尤佳。
又,本發明之圖案形成方法中,在光阻上層膜形成圖案之方法可以理想地使用利用波長300nm以下之光或EUV光之微影法、電子束直接描繪法、定向自組裝法及奈米壓印微影法中任一方法。藉由使用如此的方法,能在光阻上層膜上形成微細圖案。
光阻上層膜形成用組成物可因應在上述光阻上層膜形成圖案之方法適當選擇。例如:於使用300nm以下之光或EUV光實施微影時,光阻上層膜形成用組成物可使用化學增幅型之光阻膜材料。如此的光阻膜材料,例如:形成光阻膜並曝光後使用鹼顯影液溶解曝光部以藉此形成正型圖案者、使用由有機溶劑構成之顯影液將未曝光部溶解以形成負型圖案者。
又,當使用氟化氬準分子雷射光作為波長300nm以下之光實施微影時,光阻上層膜形成用組成物只要是通常之氟化氬準分子雷射光用光阻組成物均可使用。如此的氟化氬準分子雷射光用光阻組成物有多數可選,若將公知樹脂大致分類,有聚(甲基)丙烯酸系、COMA(CycloOlefinMaleicAnhydride)系、COMA-(甲基)丙烯酸混成系、ROMP(RingOpeningMethathesisPolymerization)系、聚降莰烯系等,其中,使用了聚(甲基)丙烯酸系樹脂之光阻組成物,由於在側鏈導入脂環族骨架能確保蝕刻耐性,故解像性能比其他樹脂系優良,較理想。
本發明之圖案形成方法由於光阻下層膜之圖案密合性優良,光阻上層膜即使形成微細圖案也不會發生圖案倒塌等,且對於有機膜或含矽膜之蝕刻選擇性優良,故藉由將有機下層膜或有機硬遮罩之組合最適化,能不發生尺寸變換差而轉印圖案。
又,本發明不限於上述例示之圖案形成方法,為了形成更微細之圖案,可使用如雙重圖案化之包括多次圖案化步驟的方法。例如:進行雙重圖案化時,宜進行將在有機下層膜或有機硬遮罩所形成之圖案上的含鈦之光阻下層膜的殘渣剝離的步驟較佳。
作為將本發明之含鈦之光阻下層膜剝離之方法,例如濕式剝離。如此之濕式剝離宜使用含過氧化氫之剝離液為較佳。此時,為了促進剝離,宜加入酸或鹼並調整pH。此pH調整劑可列舉鹽酸或硫酸等無機酸、乙酸、草酸、酒石酸、檸檬酸、乳酸等有機酸、氨、乙醇胺、四甲基氫氧化銨等含氮之鹼、EDTA(乙二胺4乙酸)等含氮之有機酸化合物等。
濕式剝離。較佳為準備0℃~80℃,更佳為5℃~60℃之剝離液,於其中浸泡欲處理之形成了被加工基板的矽晶圓即可。又,視須要可利用於表面噴塗剝離液、或邊旋轉晶圓邊塗佈剝離液等常法的程序,輕易地去除含鈦之光阻下層膜。
如上,把在有機下層膜或有機硬遮罩形成之圖案之上殘留的含鈦膜的殘渣予以濕式剝離,能不生損害地使被加工體,例如:形成了作為被加工層之金屬膜、金屬碳化膜、金屬氧化膜、金屬氮化膜、及金屬氧化氮化膜等露出。在如上露出之膜之上易實施下一加工處理。
如上,本發明能提供雙重圖案化等用以形成微細圖案之方法中的合理的處理。 【實施例】
以下舉合成例及實施例及比較例對於本發明具體説明,但本發明不限於該等記載。又,下列例中%代表質量%,分子量測定以GPC進行。
(A)成分之合成 [合成例A-I] 於四丁氧化鈦四聚物243g之1-丁醇(BOH)500g溶液中添加1,3-丙二醇90g,於室溫攪拌30分鐘。將此溶液於減壓下、50℃濃縮後進一步加熱到60℃,於減壓下繼續加熱到不再產生餾出物為止。於未見到餾出物的時點,加入丙二醇甲醚乙酸酯(以下PGMEA)1200g,於50℃、減壓下加熱直到無BOH餾出為止,獲得含鈦化合物[A-I]之PGMEA溶液1000g(化合物濃度17%)。測定其之聚苯乙烯換算分子量,結果為Mw=1,000。 然後,測定[A-I]之熱質量減少,結果,如圖1所示,常溫之質量為100%,加熱成為250℃時為87%(質量減少-13%)、成為800℃時為47%(質量減少-53%)。其中,於800℃之組成為:TiO2
為100%,由此計算於250℃之Ti含有率,成為: 47%/87%×47.87/(47.87+16.00×2)=33%。 因此可知:藉由於250℃熱分解,可得Ti含有率為33%之含鈦膜。
[合成例A-II] 於四丁氧化鈦四聚物243g之BOH500g溶液中添加1,3-丁二醇104g,於室溫攪拌30分鐘。將此溶液於減壓下以50℃濃縮後再加熱到60℃,於減壓下繼續加熱到無餾出物為止。於未見到餾出物的時點加入PGMEA 1200g,於50℃、減壓下加熱到無BOH餾出,獲得含鈦化合物[A-II]之PGMEA溶液1000g(化合物濃度18%)。測定其之聚苯乙烯換算分子量,結果為Mw=1,050。
(B)成分之合成 [合成例B-I] 於四異丙氧化鈦284g之2-丙醇(IPA)500g溶液,邊攪拌邊於室溫費時2小時滴加去離子水27g之IPA500g溶液。於獲得之溶液中添加2,4-二甲基-2,4-辛烷二醇180g,室溫攪拌30分鐘。將此溶液於減壓下、30℃濃縮後再加熱至達60℃,於減壓下繼續加熱到無餾出物出現。於未見到餾出物的時點,加入PGMEA 1200g,於40℃、減壓下加熱直到無IPA餾出,獲得含鈦化合物[B-I]之PGMEA溶液1000g(化合物濃度25%)。測定此聚苯乙烯換算分子量,結果為Mw=1,200。 然後,測定[B-I]之熱質量減少,如圖2所示,於常溫之質量為100%,因加熱成為250℃之時點為55%(質量減少-45%)、成為800℃之時點為41%(質量減少-59%)。其中,於800℃之組成為:TiO2
為100%,由此計算於250℃之Ti含有率的話,成為 41%/55%×47.87/(47.87+16.00×2)=45%。 因此可知:藉由於250℃熱分解,能獲得Ti含有率為45%之含鈦膜。
[合成例B-II] 於四異丙氧化鈦284g之IPA500g溶液中,邊攪拌邊於室溫費時2小時滴加去離子水27g之IPA500g溶液。於獲得之溶液中添加2-甲基-2,4-戊二醇120g,於室溫攪拌30分鐘。將此溶液於減壓下於30℃濃縮後,再加熱至60℃,於減壓下繼續加熱到無餾出物出現。於未見到餾出物的時點,加入PGMEA 1200g,於40℃、減壓下加熱直到無IPA餾出,獲得含鈦化合物[B-II]之PGMEA溶液1000g(化合物濃度20%)。測定其聚苯乙烯換算分子量,為Mw=1,100。
[合成例B-III] 於四丁氧化鈦340g之1-丁醇(BOH)500g溶液中,邊攪拌邊於室溫費時2小時滴加去離子水27g之BOH 500g溶液。於獲得之溶液中添加3─甲基-1,3-己二醇132g,於室溫攪拌30分鐘。將此溶液於減壓下於40℃濃縮後,再加熱至60℃,於減壓下繼續加熱直到不再出現餾出物。於未見到餾出物的時點,加入PGMEA 1200g,於50℃、減壓下加熱直到無BOH餾出,獲得含鈦化合物[B-III]之PGMEA溶液1000g(化合物濃度22%)。測定其聚苯乙烯換算分子量,結果為Mw=1,250。
[合成例B-IV] 於四丁氧化鈦四聚物243g之BOH500g溶液中添加頻那醇(pinacol) 130g,於室溫攪拌30分鐘。將此溶液於減壓下於40℃濃縮後,再加熱到60℃,於減壓下繼續加熱直到不再出現餾出物。於未見到餾出物的時點,加入PGMEA 1200g,於50℃、減壓下加熱直到無BOH餾出,獲得含鈦化合物[B-IV]之PGMEA溶液1000g(化合物濃度22%)。測定其之聚苯乙烯換算分子量,結果為Mw=1,150。
[合成例B-V] 於四丁氧化鈦四聚物243g之BOH500g溶液中添加2,5-二甲基-2,5-己二醇150g,於室溫攪拌30分鐘。將此溶液於減壓下、50℃濃縮後,再加熱到60℃,於減壓下繼續加熱直到不再出現餾出物。於未見到餾出物的時點,加入PGMEA 1200g,於50℃、減壓下加熱直到無BOH餾出,獲得含鈦化合物[B-V]之PGMEA溶液1000g(化合物濃度24%)。測定其之聚苯乙烯換算分子量,結果為Mw=1,100。
(C)成分之合成 [合成例C-I] 於甲醇200g、甲烷磺酸0.1g及去離子水60g之混合物中添加甲基三甲氧基矽烷68.1g,於40℃保持12小時使其水解縮合。反應結束後加入PGMEA200g,並將副生醇於減壓餾去。於其中加入乙酸乙酯1000ml及PGMEA300g並將水層分液。於殘留的有機層加入離子交換水100ml並攪拌、靜置、分液。重複此操作3次。將殘留的有機層以減壓濃縮,獲得含矽化合物C-I之PGMEA溶液170g(化合物濃度20%)。測定其之聚苯乙烯換算分子量,為Mw=2,500。
[合成例C-II] 於甲醇200g、甲烷磺酸0.1g及去離子水60g之混合物中添加甲基三甲氧基矽烷27.2g、四甲氧基矽烷22.8g及2-(4-第三丁氧基苯基)乙基三甲氧基矽烷44.8g之混合物,於40℃保持12小時使其水解縮合。反應結束後加入PGMEA200g,將副生醇以減壓餾去。於其中加入乙酸乙酯1000ml及PGMEA300g並將水層分液。於殘留的有機層中加入離子交換水100ml並攪拌、靜置、分液。重複此操作3次。將殘留的有機層以減壓濃縮,獲得含矽化合物C-II之PGMEA溶液280g(化合物濃度20%)。測定其之聚苯乙烯換算分子量,結果為Mw=2,400。
[實施例、比較例] 將上述合成例獲得之作為(A)成分之含鈦化合物(A-I)~(A-II)、作為(B)成分之含鈦化合物(B-I)~(B-V)、作為(C)成分之含矽化合物(C-I)~(C-II)、溶劑,以表1所示比例混合,以0.1μm之氟樹脂製濾器過濾,分別製得含鈦之光阻下層膜形成用組成物,各命為Sol.1~16。
【表1】
塗佈膜蝕刻試驗 在矽晶圓上旋轉塗佈含鈦之光阻下層膜形成用組成物Sol.1~16,於250℃加熱1分鐘成膜,製成膜厚35nm之含鈦之光阻下層膜Film1~16。再者,塗佈信越化學工業(股)製旋塗式碳膜ODL-50(碳含量80質量%)並於300℃加熱60秒,並塗佈膜厚200nm及旋塗式硬遮罩SHB-A940(矽含量43質量%),於250℃加熱60秒,以膜厚40nm形成膜。 該等膜以下列蝕刻條件(1)及(2)實施蝕刻試驗。其結果示於表2。
(1)以CHF3
/CF4
系氣體之蝕刻試驗 裝置:東京威力科創(股)製乾蝕刻裝置Telius SP 蝕刻條件(1): 腔室壓力 10Pa 上部/下部 RF功率 500W/300W CHF3
氣體流量 50ml/min CF4
氣體流量 150ml/min Ar氣體流量 100ml/min 處理時間 10sec
(2)以CO2
/N2
系氣體之蝕刻試驗 裝置:東京威力科創(股)製乾蝕刻裝置Telius SP 蝕刻條件(2): 腔室壓力 2Pa 上部/下部 RF功率 1000W/300W CO2
氣體流量 300ml/min N2
氣體流量 100ml/min Ar氣體流量 100ml/min 處理時間 15sec
【表2】
於任一組成,在使用CHF3
/CF4
系氣體之乾蝕刻速度均未見到差異。另一方面,解明:於使用了CO2
/N2
系氣體的乾蝕刻速度,僅由使帶有1級醇結構之2元醇作用成的含鈦化合物構成的Film15及Film16的蝕刻速度快,膜內殘留碳成分,蝕刻選擇性惡化。又,可知本發明之含鈦之光阻下層膜是對於含碳之硬遮罩材料ODL-50及含矽之硬遮罩材料SHB-A940的任一者都有蝕刻選擇性的材料。
正型顯影圖案化試驗 在矽晶圓上塗佈信越化學工業(股)製旋塗式碳膜ODL-50(碳含量80質量%)並於300℃加熱60秒,形成膜厚800nm的膜。於其上塗佈含鈦之光阻下層膜形成用組成物Sol.1~16,於250℃加熱60秒,製成膜厚35nm之含鈦之光阻下層膜Film1~16。然後,在該含鈦之光阻下層膜上塗佈表3記載之正顯影用氟化氬光阻溶液(PR-1),於110℃烘烤60秒,形成膜厚100nm之光阻層。再於光阻膜上塗佈表4記載之浸潤保護膜(TC-1),於90℃烘烤60秒,形成膜厚50nm之保護膜。其次將此等以氟化氬浸潤曝光裝置(Nikon(股)製;NSR-S610C,NA1.30、σ0.98/0.65、35度偶極偏光照明、6%半階調相位偏移遮罩)曝光,於100℃進行60秒烘烤(PEB),並以2.38質量%四甲基氫氧化銨(TMAH)水溶液顯影30秒,獲得50nm1:1之正型之線與間距圖案。然後,以日立先端科技(股)製電子顯微鏡(CG4000)測定圖案倒塌,以日立製作所(股)製電子顯微鏡(S-9380)測定剖面形狀。結果示於表5。
【表3】
氟化氬光阻聚合物:P1 分子量(Mw)=7,800 分散度(Mw/Mn)=1.78 【化13】酸產生劑:PAG1 【化14】鹼:Q1 【化15】
【表4】
保護膜聚合物:P2 分子量(Mw)=8,800 分散度(Mw/Mn)=1.69 【化16】
【表5】
如表5所示,於正顯影能獲得垂直形狀的剖面形狀且線寬直到50nm未有倒塌的圖案。
圖案蝕刻試驗 將上述圖案化試驗製作的光阻圖案作為遮罩,將含鈦之光阻下層膜之加工以條件(1)進行乾蝕刻,其次以條件(2)進行乾蝕刻,於旋塗式碳膜轉印圖案。以日立製作所(股)製電子顯微鏡(S-9380)確認獲得之旋塗式碳圖案之剖面形狀。結果示於表6。
(1)於CHF3
/CF4
系氣體之蝕刻試驗 裝置:東京威力科創(股)製乾蝕刻裝置Telius SP 蝕刻條件(1): 腔室壓力 10Pa 上部/下部 RF功率 500W/300W CHF3
氣體流量 50ml/min CF4
氣體流量 150ml/min Ar氣體流量 100ml/min 處理時間 30sec
(2)於CO2
/N2
系氣體之蝕刻試驗 裝置:東京威力科創(股)製乾蝕刻裝置Telius SP 蝕刻條件(2): 腔室壓力 2Pa 上部/下部 RF功率 1000W/300W CO2
氣體流量 300ml/min N2
氣體流量 100ml/min Ar氣體流量 100ml/min 處理時間 200sec
【表6】
如表6所示,本發明之含鈦之光阻下層膜係作用為硬遮罩,能於旋塗式碳膜轉印垂直形狀的剖面形狀的圖案。相對於此,僅由使帶有1級醇結構之2元醇作用而得之含鈦化合物構成之比較例2-1、比較例2-2,轉印在旋塗式碳膜的圖案成為推拔形狀的剖面形狀。
負型顯影圖案化試驗 在矽晶圓上以膜厚200nm形成信越化學工業(股)製旋塗式碳膜ODL-50(碳含量80質量%)。於其上塗佈含鈦之光阻下層膜形成用組成物Sol.13~14,於250℃加熱60秒,製成膜厚35nm之含鈦之光阻下層膜Film13~14。然後,在該光阻下層膜上塗佈表7記載之負顯影用氟化氬光阻溶液(PR-2),於100℃烘烤60秒,形成膜厚100nm之光阻層。再於光阻膜上塗佈表4記載之浸潤保護膜(TC-1),於90℃烘烤60秒,形成膜厚50nm之保護膜。其次,以氟化氬浸潤曝光裝置(Nikon(股)製;NSR-S610C,NA1.30、σ0.98/0.65、35度偶極偏光照明、6%半階調相位偏移遮罩)曝光,於100℃烘烤60秒(PEB),邊使顯影噴嘴以30rpm旋轉邊吐出作為顯影液之乙酸丁酯3秒,之後停止旋轉進行浸置顯影27秒,以二異戊醚淋洗後旋乾,於100℃烘烤20秒,使淋洗溶劑蒸發。利用此圖案化,獲得50nm1:1之負型之線與間距圖案。然後,以日立先端科技(股)製電子顯微鏡(CG4000)測定圖案倒塌,以日立製作所(股)製電子顯微鏡(S-9380)測定剖面形狀。結果示於表8。
【表7】
氟化氬光阻聚合物:P3 分子量(Mw)=8,600 分散度(Mw/Mn)=1.88 【化17】
【表8】
如表8所示,於負顯影也能獲得垂直形狀之剖面形狀且直到線寬為50nm不倒塌的圖案。
由上述結果可知:若為本發明之含鈦之光阻下層膜形成用組成物,2種以上之含鈦化合物分離為2層,藉此能形成對於微細圖案顯示良好的圖案密合性且對於有機硬遮罩顯示高蝕刻選擇性之含鈦之光阻下層膜。又,若為使用如此之含鈦之光阻下層膜形成用組成物之圖案形成方法,能將在光阻上層膜形成之微細圖案依序蝕刻含鈦之光阻下層膜、有機硬遮罩而不生尺寸變換差地轉印圖案。
又,本發明不限於上述實施形態。上述實施形態係為例示,若為與本發明之申請專利範圍記載之技術思想有實質上同一構成且發揮同樣作用效果者均包括在本發明之技術範圍。
無
圖1顯示本發明之(A)成分之合成例(A-I)之熱質量減少之變化圖。 圖2顯示本發明之(B)成分之合成例(B-I)之熱質量減少之變化圖。
Claims (16)
- 一種含鈦之光阻下層膜形成用組成物,包含(A)成分、(B)成分及作為溶劑之(D)成分,當(A)成分為選自於下列通式(A-1)表示之鈦化合物、將該鈦化合物予以水解或縮合、或水解縮合而得之含鈦化合物中之1種以上時,(B)成分為選自於下列通式(B-2)表示之鈦化合物、將該鈦化合物予以水解或縮合、或水解縮合而得之含鈦化合物中之1種以上;當(A)成分為選自於下列通式(A-2)表示之鈦化合物、將該鈦化合物予以水解或縮合、或水解縮合而得之含鈦化合物中之1種以上時,(B)成分為選自於下列通式(B-1)、及(B-2)表示之鈦化合物、將該鈦化合物予以水解或縮合、或水解縮合而得之含鈦化合物中之1種以上;Ti(OR1A )4 (A-1) Ti(OR1A )4-na (OR2A O)na (A-2)(式中,R1A 係具有0或1個羥基之碳數1~20之1價有機基,R2A 係具有0或1個羥基之碳數2~20之2價有機基,0<na≦4)Ti(OR1B )4 (B-1) Ti(OR1B )4-nb (OR2B O)nb (B-2)(式中,R1B 係具有0或1個羥基之碳數1~20之1價有機基,R2B 係具有0或1個羥基之碳數2~20之2價有機基,R1A 與R1B 不同、或R2A 與R2B 不同、或兩方都不同,0<nb≦4)。
- 如申請專利範圍第1項之含鈦之光阻下層膜形成用組成物,其中,該通式(A-2)表示之鈦化合物,係使下列通式(A-3)表示之2元或3元醇作用於選自該通式(A-1)表示之鈦化合物、將該鈦化合物予以水解或縮合、或水解縮合而得之含鈦化合物中之1種以上而獲得者;R2A (OH)2 (A-3)(式中,R2A 同前述)。
- 如申請專利範圍第1或2項之含鈦之光阻下層膜形成用組成物,其中,該通式(B-2)表示之鈦化合物係使下列通式(B-3)表示之2元或3元醇作用於選自於該通式(B-1)表示之鈦化合物、將該鈦化合物予以水解或縮合、或水解縮合而得之含鈦化合物中之1種以上而獲得者;R2B (OH)2 (B-3)(式中,R2B 同前述)。
- 如申請專利範圍第2項之含鈦之光阻下層膜形成用組成物,其中,該通式(A-3)表示之2元或3元醇含有1個以上之1級醇結構。
- 如申請專利範圍第3項之含鈦之光阻下層膜形成用組成物,其中,該通式(B-3)表示之2元或3元醇不含1級醇結構。
- 如申請專利範圍第2項之含鈦之光阻下層膜形成用組成物,其中,該(A)成分係使前述通式(A-3)表示之2元或3元醇作用於選自於將該通式(A-1)表示之鈦化合物予以水解或縮合、或水解縮合而得之含鈦化合物中之1種以上而獲得者。
- 如申請專利範圍第3項之含鈦之光阻下層膜形成用組成物,其中,前述(B)成分係使該通式(B-3)表示之2元或3元醇作用於選自將該通式(B-1)表示之鈦化合物予以水解或縮合、或水解縮合而得之含鈦化合物中之1種以上而獲得者。
- 如申請專利範圍第1或2項之含鈦之光阻下層膜形成用組成物,更含有(C)成分,該(C)成分係選自於1種以上之下列通式(C-1)表示之矽烷化合物、將該矽烷化合物予以水解或縮合、或水解縮合而得之含矽化合物中之1種以上;R1C c1 R2C c2 R3C c3 Si(OR0C )(4-c1-c2-c3) (C-1)(式中,R0C 為碳數1~6之烴基,R1C 、R2C 、R3C 為氫原子或碳數1~30之1價有機基;又,c1、c2、c3為0或1,1≦c1+c2+c3≦3)。
- 如申請專利範圍第8項之含鈦之光阻下層膜形成用組成物,其中,該(C)成分係將1種以上之前述通式(C-1)表示之矽烷化合物與1種以上之下列通式(C-2)表示之化合物予以水解或縮合、或水解縮合而得之含矽化合物L(OR4C )c4 (OR5C )c5 (O)c6 (C-2)(式中,R4C 、R5C 為碳數1~30之有機基,c4、c5、c6為0以上之整數,c4+c5+2×c6為依L之種類決定之價數,L為周期表之III族、IV族、或V族元素且排除碳)。
- 如申請專利範圍第9項之含鈦之光阻下層膜形成用組成物,其中,該通式(C-2)中之L為硼、矽、鋁、鎵、釔、鍺、鋯、鉿、鉍、錫、磷、釩、砷、銻、鈮、及鉭中之任一元素。
- 如申請專利範圍第8至10項中任一項之含鈦膜形成用組成物,其中,該式(C-1)中之R1C 、R2C 、R3C 中之一者以上為具有經酸不穩定基取代之羥基或羧基的有機基。
- 一種圖案形成方法,係:在被加工體上使用塗佈型有機下層膜材料形成有機下層膜,在該有機下層膜之上使用如申請專利範圍第1至11項中任一項之含鈦之光阻下層膜形成用組成物以形成含鈦之光阻下層膜,在該含鈦之光阻下層膜上使用光阻上層膜形成用組成物形成光阻上層膜,於該光阻上層膜形成圖案,將該已形成圖案之光阻上層膜作為遮罩,於該含鈦之光阻下層膜以乾蝕刻轉印圖案,將該已轉印圖案之含鈦之光阻下層膜作為遮罩,於該有機下層膜以乾蝕刻轉印圖案,再將該轉印有圖案之有機下層膜作為遮罩,於該被加工體以乾蝕刻轉印圖案。
- 一種圖案形成方法,係:在被加工體上以CVD法形成以碳作為主成分之有機硬遮罩,在該有機硬遮罩之上使用如申請專利範圍第1至11項中任一項之含鈦之光阻下層膜形成用組成物以形成含鈦之光阻下層膜,在該含鈦之光阻下層膜上使用光阻上層膜形成 用組成物以形成光阻上層膜,於該光阻上層膜形成圖案,將該已形成圖案之光阻上層膜作為遮罩而於該含鈦之光阻下層膜以乾蝕刻轉印圖案,將該已轉印圖案之含鈦之光阻下層膜作為遮罩而於該有機硬遮罩以乾蝕刻轉印圖案,進一步將該已轉印圖案之有機硬遮罩作為遮罩,於該被加工體以乾蝕刻轉印圖案。
- 如申請專利範圍第12或13項之圖案形成方法,其中,該被加工體具有已形成半導體電路之一部分或全部的半導體裝置基板、金屬膜、金屬碳化膜、金屬氧化膜、金屬氮化膜、金屬氧化碳化膜或金屬氧化氮化膜。
- 如申請專利範圍第12或13項之圖案形成方法,其中,構成該被加工體之金屬係矽、鈦、鎢、鉿、鋯、鉻、鍺、銅、鋁、銦、鎵、砷、鈀、鐵、鉭、銥、鉬或該等之合金。
- 如申請專利範圍第12或13項之圖案形成方法,其中,該光阻上層膜之圖案形成方法係使用利用波長300nm以下之光或EUV光之微影法、電子束直接描繪法、定向自組裝法、及奈米壓印微影法中任一方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013053752A JP5830048B2 (ja) | 2013-03-15 | 2013-03-15 | チタン含有レジスト下層膜形成用組成物及びパターン形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201443160A TW201443160A (zh) | 2014-11-16 |
TWI504684B true TWI504684B (zh) | 2015-10-21 |
Family
ID=51528966
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW103108747A TWI504684B (zh) | 2013-03-15 | 2014-03-12 | 含鈦之光阻下層膜形成用組成物及圖案形成方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9188866B2 (zh) |
JP (1) | JP5830048B2 (zh) |
KR (1) | KR101724792B1 (zh) |
TW (1) | TWI504684B (zh) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6189758B2 (ja) * | 2013-03-15 | 2017-08-30 | 信越化学工業株式会社 | チタン含有レジスト下層膜形成用組成物及びパターン形成方法 |
US9201305B2 (en) | 2013-06-28 | 2015-12-01 | Az Electronic Materials (Luxembourg) S.A.R.L. | Spin-on compositions of soluble metal oxide carboxylates and methods of their use |
US9296922B2 (en) * | 2013-08-30 | 2016-03-29 | Az Electronic Materials (Luxembourg) S.A.R.L. | Stable metal compounds as hardmasks and filling materials, their compositions and methods of use |
JP6119544B2 (ja) * | 2013-10-04 | 2017-04-26 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法 |
JP6378146B2 (ja) * | 2014-10-16 | 2018-08-22 | 信越化学工業株式会社 | 多層膜形成方法及びパターン形成方法 |
US9580623B2 (en) * | 2015-03-20 | 2017-02-28 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Patterning process using a boron phosphorus silicon glass film |
JP6502885B2 (ja) | 2015-05-18 | 2019-04-17 | 信越化学工業株式会社 | レジスト下層膜材料及びパターン形成方法 |
US9899218B2 (en) | 2015-06-04 | 2018-02-20 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Resist under layer film composition and patterning process |
JP7112023B2 (ja) * | 2016-10-04 | 2022-08-03 | 日産化学株式会社 | 溶剤置換法を用いたレジストパターン塗布用組成物の製造方法 |
CN111051570B (zh) | 2017-09-06 | 2022-05-10 | 默克专利股份有限公司 | 具有改善的热稳定性可用作硬掩膜的含旋涂式无机氧化物的组合物和填充材料 |
JP7024744B2 (ja) * | 2018-02-22 | 2022-02-24 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW201030467A (en) * | 2008-10-02 | 2010-08-16 | Shinetsu Chemical Co | Metal oxide-containing film-forming composition, metal oxide-containing film-formed substrate, and patterning process |
Family Cites Families (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5038354B1 (zh) | 1970-09-22 | 1975-12-09 | ||
US3831534A (en) | 1973-07-02 | 1974-08-27 | Koehler Dayton | Sewage treatment system |
JPH07181688A (ja) | 1993-12-24 | 1995-07-21 | Sony Corp | 多層レジストパターン形成方法 |
JPH07183194A (ja) | 1993-12-24 | 1995-07-21 | Sony Corp | 多層レジストパターン形成方法 |
US6169119B1 (en) * | 1997-02-14 | 2001-01-02 | Reliance Electric Technologies, Llc | Metal oxide sols and process for making the same |
JPH11258813A (ja) | 1998-03-13 | 1999-09-24 | Jsr Corp | 反射防止膜形成用組成物および反射防止膜 |
JP2000053921A (ja) | 1998-08-12 | 2000-02-22 | Sumitomo Chem Co Ltd | 反射防止被膜形成組成物 |
JP3502904B2 (ja) | 2000-05-11 | 2004-03-02 | 岐阜大学長 | チタン含有水溶液の製造方法 |
US7067346B2 (en) * | 2000-06-06 | 2006-06-27 | Simon Foster University | Titanium carboxylate films for use in semiconductor processing |
US7074640B2 (en) * | 2000-06-06 | 2006-07-11 | Simon Fraser University | Method of making barrier layers |
US6420088B1 (en) | 2000-06-23 | 2002-07-16 | International Business Machines Corporation | Antireflective silicon-containing compositions as hardmask layer |
CN1272252C (zh) * | 2001-07-27 | 2006-08-30 | 千代田化工建设株式会社 | 多孔4族金属氧化物及其制备方法 |
US6740469B2 (en) * | 2002-06-25 | 2004-05-25 | Brewer Science Inc. | Developer-soluble metal alkoxide coatings for microelectronic applications |
EP1521797A4 (en) | 2002-07-11 | 2006-12-20 | Ibm | ANTI-REFLECTIVE SILICONE-CONTAINING COMPOSITIONS AS A HARD MASK LAYER |
WO2004058986A2 (en) * | 2002-12-23 | 2004-07-15 | Immunex Corporation | Btl-ii nucleic acids, proteins, and antibodies |
JP4552132B2 (ja) | 2005-03-10 | 2010-09-29 | ラサ工業株式会社 | 多層レジスト中間層形成用塗布液及びこれを用いたパターン形成方法 |
JP4583237B2 (ja) | 2005-05-16 | 2010-11-17 | 東京応化工業株式会社 | 反射防止膜形成用組成物、および配線形成方法 |
JP4659678B2 (ja) | 2005-12-27 | 2011-03-30 | 信越化学工業株式会社 | フォトレジスト下層膜形成材料及びパターン形成方法 |
JP4842844B2 (ja) | 2006-04-04 | 2011-12-21 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法 |
US7771913B2 (en) | 2006-04-04 | 2010-08-10 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Resist composition and patterning process using the same |
JP4716037B2 (ja) | 2006-04-11 | 2011-07-06 | 信越化学工業株式会社 | ケイ素含有膜形成用組成物、ケイ素含有膜、ケイ素含有膜形成基板及びこれを用いたパターン形成方法 |
EP1845132B8 (en) | 2006-04-11 | 2009-04-01 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Silicon-containing film-forming composition, silicon-containing film, silicon-containing film-bearing substrate, and patterning method |
US8652750B2 (en) * | 2007-07-04 | 2014-02-18 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Silicon-containing film-forming composition, silicon-containing film, silicon-containing film-bearing substrate, and patterning method |
JP4793592B2 (ja) | 2007-11-22 | 2011-10-12 | 信越化学工業株式会社 | 金属酸化物含有膜形成用組成物、金属酸化物含有膜、金属酸化物含有膜形成基板及びこれを用いたパターン形成方法 |
JP5015892B2 (ja) * | 2008-10-02 | 2012-08-29 | 信越化学工業株式会社 | ケイ素含有膜形成用組成物、ケイ素含有膜形成基板及びパターン形成方法 |
JP5038354B2 (ja) | 2009-05-11 | 2012-10-03 | 信越化学工業株式会社 | ケイ素含有反射防止膜形成用組成物、ケイ素含有反射防止膜形成基板及びパターン形成方法 |
JP2012532213A (ja) * | 2009-07-02 | 2012-12-13 | ダウ コーニング コーポレーション | ポリヘテロシロキサンの調製方法 |
JP5399347B2 (ja) * | 2010-09-01 | 2014-01-29 | 信越化学工業株式会社 | ケイ素含有膜形成用組成物、ケイ素含有膜形成基板及びこれを用いたパターン形成方法 |
US8962091B2 (en) * | 2011-01-05 | 2015-02-24 | Dow Corning Corporation | Polyheterosilxoanes for high refractive index materials |
JP5650086B2 (ja) * | 2011-06-28 | 2015-01-07 | 信越化学工業株式会社 | レジスト下層膜形成用組成物、及びパターン形成方法 |
EP2735904A4 (en) * | 2011-07-20 | 2014-11-26 | Nissan Chemical Ind Ltd | THIN-LAYERING FOR LITHOGRAPHY WITH TITANIUM AND SILICON |
US8703386B2 (en) * | 2012-02-27 | 2014-04-22 | International Business Machines Corporation | Metal peroxo compounds with organic co-ligands for electron beam, deep UV and extreme UV photoresist applications |
JP6189758B2 (ja) * | 2013-03-15 | 2017-08-30 | 信越化学工業株式会社 | チタン含有レジスト下層膜形成用組成物及びパターン形成方法 |
-
2013
- 2013-03-15 JP JP2013053752A patent/JP5830048B2/ja active Active
-
2014
- 2014-02-06 US US14/174,513 patent/US9188866B2/en active Active
- 2014-03-10 KR KR1020140027581A patent/KR101724792B1/ko active IP Right Grant
- 2014-03-12 TW TW103108747A patent/TWI504684B/zh active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW201030467A (en) * | 2008-10-02 | 2010-08-16 | Shinetsu Chemical Co | Metal oxide-containing film-forming composition, metal oxide-containing film-formed substrate, and patterning process |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101724792B1 (ko) | 2017-04-07 |
JP2014178602A (ja) | 2014-09-25 |
JP5830048B2 (ja) | 2015-12-09 |
KR20140113380A (ko) | 2014-09-24 |
US20140273447A1 (en) | 2014-09-18 |
TW201443160A (zh) | 2014-11-16 |
US9188866B2 (en) | 2015-11-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI504685B (zh) | 含鈦之光阻下層膜形成用組成物及圖案形成方法 | |
TWI504684B (zh) | 含鈦之光阻下層膜形成用組成物及圖案形成方法 | |
TWI509027B (zh) | 含金屬氧化物之膜形成用組成物及圖案形成方法 | |
TWI523894B (zh) | 光阻下層膜形成用組成物及圖案形成方法 | |
TWI576668B (zh) | 含鈦之光阻下層膜形成用組成物及圖案形成方法 | |
TWI461852B (zh) | 光阻下層膜形成用組成物及圖案形成方法 | |
TWI465455B (zh) | 含矽之表面改質劑、含有此表面改質劑之光阻下層膜形成用組成物、及圖案形成方法 | |
TWI468869B (zh) | 含矽之表面改質劑、含有此表面改質劑之光阻下層膜形成用組成物、及圖案形成方法 | |
TWI453256B (zh) | 含矽之光阻下層膜形成用組成物及圖案形成方法 | |
TWI583751B (zh) | 塗布型含矽膜形成用組成物、基板及圖案形成方法 | |
TWI506377B (zh) | 含矽之光阻下層膜形成用組成物及圖案形成方法 | |
TWI515196B (zh) | 含有此熱交聯促進劑之含聚矽氧烷之光阻下層膜形成用組成物、及使用此組成物之圖案形成方法 | |
TWI476535B (zh) | 圖案形成方法 | |
TW201720874A (zh) | 含矽縮合物、含矽光阻下層膜形成用組成物及圖案形成方法 | |
TW201402588A (zh) | 矽化合物、含矽化合物、包含該含矽化合物之光阻下層膜形成用組成物及圖案形成方法 | |
TW201331718A (zh) | 含矽之光阻下層膜形成用組成物及圖案形成方法 | |
TWI524146B (zh) | 含矽之光阻下層膜形成用組成物及圖案形成方法 |