JP7208590B2 - カルボニル構造を有するシリコン含有レジスト下層膜形成組成物 - Google Patents
カルボニル構造を有するシリコン含有レジスト下層膜形成組成物 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7208590B2 JP7208590B2 JP2019509407A JP2019509407A JP7208590B2 JP 7208590 B2 JP7208590 B2 JP 7208590B2 JP 2019509407 A JP2019509407 A JP 2019509407A JP 2019509407 A JP2019509407 A JP 2019509407A JP 7208590 B2 JP7208590 B2 JP 7208590B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- formula
- underlayer film
- resist
- integer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
- H01L21/0276—Photolithographic processes using an anti-reflective coating
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/11—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having cover layers or intermediate layers, e.g. subbing layers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/075—Silicon-containing compounds
- G03F7/0757—Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/04—Polysiloxanes
- C08G77/22—Polysiloxanes containing silicon bound to organic groups containing atoms other than carbon, hydrogen and oxygen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D183/00—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers
- C09D183/04—Polysiloxanes
- C09D183/06—Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D183/00—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers
- C09D183/16—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers in which all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/80—Etching
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0042—Photosensitive materials with inorganic or organometallic light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. inorganic resists
- G03F7/0043—Chalcogenides; Silicon, germanium, arsenic or derivatives thereof; Metals, oxides or alloys thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/075—Silicon-containing compounds
- G03F7/0752—Silicon-containing compounds in non photosensitive layers or as additives, e.g. for dry lithography
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
- G03F7/2014—Contact or film exposure of light sensitive plates such as lithographic plates or circuit boards, e.g. in a vacuum frame
- G03F7/2016—Contact mask being integral part of the photosensitive element and subject to destructive removal during post-exposure processing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
- H01L21/266—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation using masks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/308—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/04—Polysiloxanes
- C08G77/14—Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/80—Siloxanes having aromatic substituents, e.g. phenyl side groups
Description
第2観点として、カルボニル基含有官能基を含む単位構造が、環状酸無水物基、環状ジエステル基、又はジエステル基を含む単位構造である第1観点に記載のシリコン含有レジスト下層膜形成組成物、
第3観点として、上記ポリシロキサンが、下記式(1)で表されるシランを含む加水分解性シランの加水分解縮合物である第1観点に記載のシリコン含有レジスト下層膜形成組成物、
式(1):
式(1)中R2はアルキル基、アリール基、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン化アリール基、アルケニル基、又はエポキシ基、アクリロイル基、メタクリロイル基、メルカプト基、アミノ基、もしくはシアノ基を有する有機基で且つSi-C結合によりケイ素原子と結合しているものである。
式(1)中R3はアルコキシ基、アシルオキシ基、又はハロゲン原子を示す。aは1の整数を示し、bは0又は1の整数を示し、a+bは1又は2の整数を示す。]
第4観点として、上記ポリシロキサンが、更にアミド基含有有機基を含む単位構造を含む第1観点又は第2観点に記載のシリコン含有レジスト下層膜形成組成物、
第5観点として、アミド基が、スルホンアミド基、又はジアリルイソシアヌレート基である第4観点に記載のシリコン含有レジスト下層膜形成組成物、
第6観点として、上記ポリシロキサンが、上記式(1)で表されるシラン及び下記式(2)で表されるシランを含む加水分解性シランの共加水分解縮合物である第1観点に記載のシリコン含有レジスト下層膜形成組成物、
式(2):
式(2)中R5はアルキル基、アリール基、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン化アリール基、アルケニル基、又はエポキシ基、アクリロイル基、メタクリロイル基、メルカプト基、アミノ基、もしくはシアノ基を有する有機基で且つSi-C結合によりケイ素原子と結合しているものである。
式(2)中R6はアルコキシ基、アシルオキシ基、又はハロゲン原子を示す。aは1の整数を示し、bは0又は1の整数を示し、a+bは1又は2の整数を示す。※は直接または連結基を通じてシリコン原子との結合部位である。]、
第7観点として、上記ポリシロキサンが、上記式(1)で表されるシランと上記式(2)で表されるシランとその他のシランを含む加水分解性シランの共加水分解縮合物であり、その他のシランが式(3)で表されるシラン及び式(4)で表されるシランからなる群より選ばれた少なくとも1種のシランである請求項1に記載のシリコン含有レジスト下層膜形成組成物、
第8観点として、更に光酸発生剤を含む第1観点乃至第7観点のいずれか一つに記載のシリコン含有レジスト下層膜形成組成物、
第9観点として、更に金属酸化物を含む第1観点乃至第8観点のいずれか一つに記載のシリコン含有レジスト下層膜形成組成物、
第10観点として、上記過酸化水素を含む薬液が、アンモニアと過酸化水素を含む水溶液、塩酸と過酸化水素を含む水溶液、硫酸と過酸化水素を含む水溶液、又は弗酸と過酸化水素を含む水溶液である第1観点乃至第9観点のいずれか一つに記載のシリコン含有レジスト下層膜形成組成物、
第11観点として、第1観点乃至第10観点のいずれか一つに記載のレジスト下層膜形成組成物を半導体基板上に塗布し焼成することによって得られるレジスト下層膜の製造方法、
第12観点として、第1観点乃至第10観点のいずれか一つに記載のレジスト下層膜形成組成物を半導体基板上に塗布し、焼成しレジスト下層膜を形成する工程、前記下層膜の上にレジスト用組成物を塗布しレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、露光後にレジストを現像しレジストパターンを得る工程、レジストパターンによりレジスト下層膜をエッチングする工程、及びパターン化されたレジストとレジスト下層膜により半導体基板を加工する工程、マスク層を過酸化水素を含む薬液で除去する工程を含む半導体装置の製造方法、
第13観点として、半導体基板上に有機下層膜を形成する工程、その上に第1観点乃至第10観点のいずれか一つに記載のレジスト下層膜形成組成物を塗布し焼成しレジスト下層膜を形成する工程、前記レジスト下層膜の上にレジスト用組成物を塗布しレジスト層を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、露光後にレジストを現像しレジストパターンを得る工程、レジストパターンによりレジスト下層膜をエッチングする工程、パターン化されたレジスト下層膜により有機下層膜をエッチングする工程、及びパターン化された有機下層膜により半導体基板を加工する工程、マスク層を過酸化水素を含む薬液で除去する工程を含む半導体装置の製造方法、
第14観点として、上記基板の加工が、エッチング、又はイオン注入である第12観点又は第13観点に記載の半導体装置の製造方法、及び
第15観点として、マスク層が、レジスト又はレジスト下層膜を含む有機下層膜である第12観点乃至第13観点のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法である。
加水分解縮合物を得る際に加水分解が完全に完了しない部分加水分解物やシラン化合物が加水分解縮合物に混合されて、その混合物を用いることもできる。この縮合物はポリシロキサン構造を有するポリマーである。
式中R1は上記式(1-1)、式(1-2)、式(1-3)、式(1-4)、式(1-5)、又は式(1-6)を含む有機基であり、且つSi-C結合によりケイ素原子と結合しているものである。
式(1-4)、式(1-5)、式(1-6)中で、T11、T15、及びT18はアルキレン基、環状アルキレン基、アルケニレン基、アリーレン基、イオウ原子、酸素原子、オキシカルボニル基、アミド基、2級アミノ基、又はそれらの組み合わせであり、T12、T13、T14、T16、T17、T19及びT20はそれぞれ水素原子又はアルキル基であり、T21はアルキレン基である。
またこれらのフッ素、塩素、臭素、又はヨウ素等のハロゲン原子が置換した有機基が挙げられる。
加水分解し縮合させる際に触媒を用いることができる。
式(D-3):
式(D-4):
式(D-5):
式(D-6):
また、ホスホニウム塩としては、式(D-7):
また、スルホニウム塩としては、式(D-8):
酸発生剤としては、熱酸発生剤や光酸発生剤が挙げられる。
光酸発生剤は、レジストの露光時に酸を生ずる。そのため、下層膜の酸性度の調整ができる。これは、下層膜の酸性度を上層のレジストとの酸性度に合わせるための一方法である。また、下層膜の酸性度の調整によって、上層に形成されるレジストのパターン形状の調整ができる。
基板の加工後にマスク層が過酸化水素を含む薬液で除去する工程を経て半導体装置が製造される。マスク層はレジスト又はレジスト下層膜を含む有機下層膜である。
テトラエトキシシラン20.0g、フェニルトリメトキシシラン1.5g、5-(トリエトキシシリル)ヘキサヒドロ-4,7-メタノイソベンゾフラン-1,3-ジオン14.6g、アセトン54.2gを300mlのフラスコに入れ、混合溶液をマグネチックスターラーにて撹拌しながら0.01M塩酸水溶液9.7gを混合溶液に滴下した。添加後、85℃に調整されたオイルバスにフラスコを移し、240分間、還流させた。その後、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート72gを加え、アセトン、メタノール、エタノール、水を減圧留去し、濃縮して加水分解縮合物(ポリマー)水溶液を得た。さらにプロピレングリコールモノエチルエーテルを加え、プロピレングリコールモノエチルエーテル80%プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート20%の溶媒比率として140℃における固形残物換算で13質量パーセントとなるように調整した。得られたポリマーは式(3-1)に相当し、GPCによる重量平均分子量はポリスチレン換算でMw1500であった。
テトラエトキシシラン20.0g、フェニルトリメトキシシラン1.5g、5-(トリエトキシシリル)ヘキサヒドロ-4,7-メタノイソベンゾフラン-1,3-ジオン14.6g、アセトン54.2gを300mlのフラスコに入れ、混合溶液をマグネチックスターラーにて撹拌しながら0.01M塩酸水溶液9.7gを混合溶液に滴下した。添加後、85℃に調整されたオイルバスにフラスコを移し、240分間、還流させた。その後、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート72gを加え、アセトン、メタノール、エタノール、水を減圧留去し、濃縮して加水分解縮合物(ポリマー)水溶液を得た。さらにプロピレングリコールモノメチルエーテルを加え、140℃における固形残物換算で13質量パーセントとなるように調整した。得られたポリマーは式(3-1)に相当し、GPCによる重量平均分子量はポリスチレン換算でMw1500であった。
テトラエトキシシラン19.3g、フェニルトリメトキシシラン1.4g、2,2,5-トリメチル-5-(3-(トリエトキシシリル)プロピル)-1,3-ジオキサン-4,6-ジオン15.5g、アセトン54.4gを300mlのフラスコに入れ、混合溶液をマグネチックスターラーにて撹拌しながら0.01M塩酸水溶液9.4gを混合溶液に滴下した。添加後、85℃に調整されたオイルバスにフラスコを移し、240分間、還流させた。その後、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート72gを加え、アセトン、メタノール、エタノール、水を減圧留去し、濃縮して加水分解縮合物(ポリマー)水溶液を得た。さらにプロピレングリコールモノエチルエーテルアセテートを加え、プロピレングリコールモノエチルエーテル80%プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート20%の溶媒比率として140℃における固形残物換算で13質量パーセントとなるように調整した。得られたポリマーは式(3-2)に相当し、GPCによる重量平均分子量はポリスチレン換算でMw1500であった。
テトラエトキシシラン18.2g、フェニルトリメトキシシラン1.3g、ジターシャルブチル2-(3-(トリエトキシシリル)プロピル)マロネート16.9g、アセトン54.4gを300mlのフラスコに入れ、混合溶液をマグネチックスターラーにて撹拌しながら0.01M塩酸水溶液8.8gを混合溶液に滴下した。添加後、85℃に調整されたオイルバスにフラスコを移し、240分間、還流させた。その後、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート72gを加え、アセトン、メタノール、エタノール、水を減圧留去し、濃縮して加水分解縮合物(ポリマー)水溶液を得た。さらにプロピレングリコールモノエチルエーテルを加え、プロピレングリコールモノエチルエーテル80%プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート20%の溶媒比率として140℃における固形残物換算で13質量パーセントとなるように調整した。得られたポリマーは式(3-3)に相当し、GPCによる重量平均分子量はポリスチレン換算でMw1500であった。
テトラエトキシシラン20.6g、フェニルトリメトキシシラン1.5g、3-(3-(トリエトキシシリル)プロピル)ジヒドロフラン-2,5-ジオン13.9g、アセトン54.0gを300mlのフラスコに入れ、混合溶液をマグネチックスターラーにて撹拌しながら0.01M塩酸水溶液10.0gを混合溶液に滴下した。添加後、85℃に調整されたオイルバスにフラスコを移し、240分間、還流させた。その後、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート72gを加え、アセトン、メタノール、エタノール、水を減圧留去し、濃縮して加水分解縮合物(ポリマー)水溶液を得た。さらにプロピレングリコールモノエチルエーテルを加え、プロピレングリコールモノエチルエーテル80%プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート20%の溶媒比率として140℃における固形残物換算で13質量パーセントとなるように調整した。得られたポリマーは式(3-4)に相当し、GPCによる重量平均分子量はポリスチレン換算でMw1500であった。
テトラエトキシシラン24.1g、フェニルトリメトキシシラン1.6g、トリエトキシメチルシラン4.42g、5-(トリエトキシシリル)ヘキサヒドロ-4,7-メタノイソベンゾフラン-1,3-ジオン5.4g、アセトン53.4gを300mlのフラスコに入れ、混合溶液をマグネチックスターラーにて撹拌しながら0.01M塩酸水溶液11.0gを混合溶液に滴下した。添加後、85℃に調整されたオイルバスにフラスコを移し、240分間、還流させた。その後、プロピレングリコールモノメチルエーテル72gを加え、アセトン、メタノール、エタノール、水を減圧留去し、濃縮して加水分解縮合物(ポリマー)水溶液を得た。さらにプロピレングリコールモノメチルエーテルを加え、140℃における固形残物換算で13質量パーセントとなるように調整した。得られたポリマーは式(3-5)に相当し、GPCによる重量平均分子量はポリスチレン換算でMw1500であった。
テトラエトキシシラン12.1g、フェニルトリメトキシシラン1.3g、2,2,5-トリメチル-5-(3-(トリエトキシシリル)プロピル)-1,3-ジオキサン-4,6-ジオン23.4g、アセトン55.2gを300mlのフラスコに入れ、混合溶液をマグネチックスターラーにて撹拌しながら0.01M塩酸水溶液8.0gを混合溶液に滴下した。添加後、85℃に調整されたオイルバスにフラスコを移し、240分間、還流させた。その後、プロピレングリコールモノメチルエーテル74gを加え、アセトン、メタノール、エタノール、水を減圧留去し、濃縮して加水分解縮合物(ポリマー)水溶液を得た。さらにプロピレングリコールモノメチルエーテルを加え、140℃における固形残物換算で13質量パーセントとなるように調整した。得られたポリマーは式(3-2)に相当し、GPCによる重量平均分子量はポリスチレン換算でMw1500であった。
テトラエトキシシラン19.5g、5-(トリエトキシシリル)ヘキサヒドロ-4,7-メタノイソベンゾフラン-1,3-ジオン14.2g、フェニルスルホニルアミドプロピルトリエトキシシラン2.6g、アセトン54.3gを300mlのフラスコに入れ、混合溶液をマグネチックスターラーにて撹拌しながら0.01M塩酸水溶液9.5gを混合溶液に滴下した。添加後、85℃に調整されたオイルバスにフラスコを移し、240分間、還流させた。その後、プロピレングリコールモノメチルエーテル72gを加え、アセトン、メタノール、エタノール、水を減圧留去し、濃縮して加水分解縮合物(ポリマー)水溶液を得た。さらにプロピレングリコールモノメチルエーテルを加え、140℃における固形残物換算で13質量パーセントとなるように調整した。得られたポリマーは式(3-6)に相当し、GPCによる重量平均分子量はポリスチレン換算でMw1500であった。
テトラエトキシシラン17.2g、5-(トリエトキシシリル)ヘキサヒドロ-4,7-メタノイソベンゾフラン-1,3-ジオン13.6g、ジアリルイソシアネートプロピルトリエトキシシラン5.7g、アセトン54.7gを300mlのフラスコに入れ、混合溶液をマグネチックスターラーにて撹拌しながら0.01M塩酸水溶液8.9gを混合溶液に滴下した。添加後、85℃に調整されたオイルバスにフラスコを移し、240分間、還流させた。その後、プロピレングリコールモノメチルエーテル72gを加え、アセトン、メタノール、エタノール、水を減圧留去し、濃縮して加水分解縮合物(ポリマー)水溶液を得た。さらにプロピレングリコールモノメチルエーテルを加え、140℃における固形残物換算で13質量パーセントとなるように調整した。得られたポリマーは式(3-7)に相当し、GPCによる重量平均分子量はポリスチレン換算でMw1500であった。
テトラエトキシシラン24.1g、フェニルトリメトキシシラン1.8g、トリエトキシメチルシラン9.5g、アセトン53.0gを300mlのフラスコに入れ、混合溶液をマグネチックスターラーにて撹拌しながら0.01M塩酸水溶液11.7gを混合溶液に滴下した。添加後、85℃に調整されたオイルバスにフラスコを移し、240分間、還流させた。その後、プロピレングリコールモノメチルエーテル70gを加え、アセトン、メタノール、エタノール、水を減圧留去し、濃縮して加水分解縮合物(ポリマー)水溶液を得た。さらにプロピレングリコールモノメチルエーテルを加え、140℃における固形残物換算で13質量パーセントとなるように調整した。得られたポリマーは式(4-1)に相当し、GPCによる重量平均分子量はポリスチレン換算でMw1400であった。
上記合成例1乃至合成例9、比較合成例1で得られたケイ素含有ポリマー、酸、溶媒を表1に示す割合で混合し、0.1μmのフッ素樹脂製のフィルターで濾過することによって、ポリマー含有塗布液をそれぞれ調製した。表1中のポリマーの添加割合はポリマー溶液の添加量ではなく、ポリマー自体の添加量を示した。
窒素下、100mL四口フラスコにカルバゾール(6.69g、0.040mol、東京化成工業(株)製)、9-フルオレノン(7.28g、0.040mol、東京化成工業(株)製)、パラトルエンスルホン酸一水和物(0.76g、0.0040mol、東京化成工業(株)製)を加え、1,4-ジオキサン(6.69g、関東化学(株)製)を仕込み撹拌し、100℃まで昇温し溶解させ重合を開始した。24時間後60℃まで放冷後、クロロホルム(34g、関東化学(株)製)を加え希釈し、メタノール(168g、関東化学(株)製)へ再沈殿させた。得られた沈殿物をろ過し、減圧乾燥機で80℃、24時間乾燥し、目的とするポリマー(式(5-1)、以下PCzFLと略す)9.37gを得た。
1H-NMR(400MHz,DMSO-d6):δ7.03-7.55(br,12H),δ7.61-8.10(br,4H),δ11.18(br,1H)
PCzFLのGPCによるポリスチレン換算で測定される重量平均分子量Mwは2800、多分散度Mw/Mnは1.77であった。
得られた樹脂20gに、架橋剤としてテトラメトキシメチルグリコールウリル(三井サイテック(株)製、商品名パウダーリンク1174)3.0g、触媒としてピリジニウムパラトルエンスルホネート0.30g、界面活性剤としてメガファックR-30(大日本インキ化学(株)製、商品名)0.06gを混合し、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート88gに溶解させ溶液とした。その後、孔径0.10μmのポリエチレン製ミクロフィルターを用いて濾過し、更に、孔径0.05μmのポリエチレン製ミクロフィルターを用いて濾過して、多層膜によるリソグラフィープロセスに用いる有機下層膜(A層)形成組成物の溶液を調製した。
<レジストパターニング評価:アルカリ現像を行うPTD工程を経由した評価>
上記式で得られた有機下層膜(A層)形成組成物をシリコンウエハー上に塗布し、ホットプレート上で240℃、60秒間ベークし、膜厚200nmの有機下層膜(A層)を得た。その上に、実施例3,実施例4,実施例6乃至実施例10、比較例1で得られたSi含有レジスト下層膜(B層)形成組成物を塗布し、ホットプレート上で180℃、60秒間ベークし、Si含有レジスト下層膜(B層)を得た。Si含有レジスト下層膜(B層)の膜厚は40nmであった。
B層の上に市販のArF用レジスト溶液(JSR(株)製、商品名:AR2772JN)をスピナーによりそれぞれ塗布し、ホットプレート上で110℃にて1分間加熱し、膜厚120nmのフォトレジスト膜(C層)を形成した。
(株)ニコン製NSR-S307Eスキャナー(波長193nm、NA、σ:0.85、0.93/0.85)を用い、現像後にフォトレジストのライン幅及びそのライン間の幅が0.062μm、すなわち0.062μmのラインアンドスペース(L/S)=1/1のデンスラインが形成されるように設定されたマスクにそれぞれを通して露光を行った。その後、ホットプレート上100℃で60秒間ベークし、冷却後、2.38%アルカリ水溶液を用いて60秒現像し、レジスト下層膜(B層)上にポジ型のパターンを形成した。得られたフォトレジストパターンについて、大きなパターン剥がれやアンダーカット、ライン底部の太り(フッティング)が発生しないものを良好として評価した。
<レジストパターニング評価:溶剤現像を行うNTD工程を経由した評価>
上記式で得られた有機下層膜(A層)形成組成物をシリコンウエハー上に塗布し、ホットプレート上で240℃で60秒間ベークし、膜厚200nmの有機下層膜(A層)を得た。その上に、実施例1乃至実施例7、比較例1で得られたSi含有レジスト下層膜(B層)形成組成物を塗布し、ホットプレート上で180℃で60秒間ベークし、Si含有レジスト下層膜(B層)を得た。Si含有レジスト下層膜(B層)の膜厚は40nmであった。
B層の上に市販のフォトレジスト溶液(富士フイルム(株)製、商品名FAiRS-9521NT05)をスピナーによりそれぞれ塗布し、ホットプレート上で100℃にて1分間加熱し、膜厚85nmのフォトレジスト膜(C層)を形成した。
(株)ニコン製NSR-S307Eスキャナー(波長193nm、NA、σ:0.85、0.93/0.85)を用い、現像後にフォトレジストのライン幅及びそのライン間の幅が0.062μm、すなわち0.062μmのラインアンドスペース(L/S)=1/1のデンスラインが形成されるように設定されたマスクにそれぞれを通して露光を行った。その後、ホットプレート上100℃で60秒間ベークし、冷却後、2.38%アルカリ水溶液を用いて60秒現像し、レジスト下層膜(B層)上にポジ型のパターンを形成した。得られたフォトレジストパターンについて、大きなパターン剥がれやアンダーカット、ライン底部の太り(フッティング)が発生しないものを良好として評価した。
実施例1乃至実施例10、比較例1で調製したSi含有塗布液をスピナーを用い、シリコンウェハー上に塗布した。ホットプレート上で180℃1分間加熱し、Si含有レジスト下層膜をそれぞれ形成した。その後、60℃に調整したSC-1薬液(28%アンモニア水/33%過酸化水素水/水=1/1/40)をSi含有レジスト下層膜上に3分間塗布、1分間水リンス、さらに30秒スピン乾燥し、溶剤塗布前後での膜厚の変化の有無を評価した。膜厚変化が90%以上のものを「良好」、膜厚変化が90%以下のものを「溶解せず」とした。
実施例1乃至実施例10、比較例1で調製したSi含有塗布液をスピナーを用い、シリコンウェハー上に塗布した。ホットプレート上で180℃1分間加熱し、Si含有レジスト下層膜をそれぞれ形成した。その後、サムコ製ドライエッチャー(RIE-10NR)を用いて、酸素エッチングを5秒行った。その後、60℃に調整したSC-1薬液(28%アンモニア水/33%過酸化水素水/水=1/1/40)をSi含有レジスト下層膜上に3分間塗布、1分間水リンス、さらに30秒スピン乾燥し、溶剤塗布前後での膜厚の変化の有無を評価した。膜厚変化が90%以上のものを「良好」、膜厚変化が90%以下のものを「溶解せず」とした。
Claims (11)
- レジスト下層膜の製造方法であって、下記式(1):
れぞれ環状アルキレン基を示す。nは1又は2の整数を示す。T11、T15、及びT18はアルキレン基、環状アルキレン基、アルケニレン基、アリーレン基、イオウ原子、酸素原子、オキシカルボニル基、アミド基、2級アミノ基、又はそれらの組み合わせを示し、T12、T13、T14、T16、T17、T19及びT20はそれぞれ水素原子又はアルキル基を示し、T21はアルキレン基を示す。※は直接または連結基を通じてシリコン原子との結合部位である。)を含む有機基であり、且つSi-C結合によりケイ素原子と結合しているものである。
式(1)中R2はアルキル基、アリール基、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン化アリール基、アルケニル基、又はエポキシ基、アクリロイル基、メタクリロイル基、メルカプト基、アミノ基、もしくはシアノ基を有する有機基で且つSi-C結合によりケイ素原子と結合しているものである。
式(1)中R3はアルコキシ基、アシルオキシ基、又はハロゲン原子を示す。aは1の整数を示し、bは0又は1の整数を示し、a+bは1又は2の整数を示す。]で表されるシランを含む加水分解性シランの加水分解縮合物であるポリシロキサンからなるポリマーを含むシリコン含有レジスト下層膜形成組成物を半導体基板上に塗布する工程、並びに
該組成物を焼成し、リソグラフィープロセスでパターンを下層に転写した後に過酸化水素を含む薬液でマスク層の除去を行う工程において該マスク層として使用されるシリコン含有レジスト下層膜を形成する工程
を含み、前記ポリシロキサンが、更にアミド基含有有機基を含む単位構造を含む、方法。 - アミド基が、スルホンアミド基、又はジアリルイソシアヌレート基である請求項1に記載の方法。
- 前記ポリシロキサンが、前記式(1)で表されるシラン及び下記式(2)で表されるシランを含む加水分解性シランの共加水分解縮合物である請求項1に記載の方法。
式(2):
式(2)中R5はアルキル基、アリール基、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン化アリール基、アルケニル基、又はエポキシ基、アクリロイル基、メタクリロイル基、メルカプト基、アミノ基、もしくはシアノ基を有する有機基で且つSi-C結合によりケイ素原子と結合しているものである。
式(2)中R6はアルコキシ基、アシルオキシ基、又はハロゲン原子を示す。aは1の整数を示し、bは0又は1の整数を示し、a+bは1又は2の整数を示す。※は直接または連結基を通じてシリコン原子との結合部位である。] - 前記ポリシロキサンが、前記式(1)で表されるシランと前記式(2)で表されるシランとその他のシランを含む加水分解性シランの共加水分解縮合物であり、その他のシランが式(3)で表されるシラン及び式(4)で表されるシランからなる群より選ばれた少なくとも1種のシランである請求項1に記載の方法。
- 更に光酸発生剤を含む請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の方法。
- 更に金属酸化物を含む請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載の方法。
- 前記過酸化水素を含む薬液が、アンモニアと過酸化水素を含む水溶液、塩酸と過酸化水素を含む水溶液、硫酸と過酸化水素を含む水溶液、又は弗酸と過酸化水素を含む水溶液である請求項1乃至請求項6のいずれか1項に記載の方法。
- 下記式(1):
式(1)中R2はアルキル基、アリール基、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン化アリール基、アルケニル基、又はエポキシ基、アクリロイル基、メタクリロイル基、メルカプト基、アミノ基、もしくはシアノ基を有する有機基で且つSi-C結合によりケイ素原子と結合しているものである。
式(1)中R3はアルコキシ基、アシルオキシ基、又はハロゲン原子を示す。aは1の整数を示し、bは0又は1の整数を示し、a+bは1又は2の整数を示す。]で表されるシランを含む加水分解性シランの加水分解縮合物であるポリシロキサンからなるポリマーを含む組成物を半導体基板上に塗布し、焼成しレジスト下層膜を形成する工程、前記下層膜の上にレジスト用組成物を塗布しレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、露光後にレジストを現像しレジストパターンを得る工程、レジストパターンによりレジスト下層膜をエッチングする工程、及びパターン化されたレジストとレジスト下層膜により半導体基板を加工する工程、マスク層を過酸化水素を含む薬液で除去する工程を含み、前記ポリシロキサンが、更にアミド基含有有機基を含む単位構造を含む、半導体装置の製造方法。 - 半導体基板上に有機下層膜を形成する工程、その上に下記式(1):
式(1)中R2はアルキル基、アリール基、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン化アリール基、アルケニル基、又はエポキシ基、アクリロイル基、メタクリロイル基、メルカプト基、アミノ基、もしくはシアノ基を有する有機基で且つSi-C結合によりケイ素原子と結合しているものである。
式(1)中R3はアルコキシ基、アシルオキシ基、又はハロゲン原子を示す。aは1の整数を示し、bは0又は1の整数を示し、a+bは1又は2の整数を示す。]で表されるシランを含む加水分解性シランの加水分解縮合物であるポリシロキサンからなるポリマーを含む組成物を塗布し焼成しレジスト下層膜を形成する工程、前記レジスト下層膜の上にレジスト用組成物を塗布しレジスト層を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、露光後にレジストを現像しレジストパターンを得る工程、レジストパターンによりレジスト下層膜をエッチングする工程、パターン化されたレジスト下層膜により有機下層膜をエッチングする工程、及びパターン化された有機下層膜により半導体基板を加工する工程、マスク層を過酸化水素を含む薬液で除去する工程を含み、前記ポリシロキサンが、更にアミド基含有有機基を含む単位構造を含む、半導体装置の製造方法。 - 前記基板の加工が、エッチング、又はイオン注入である請求項8又は請求項9に記載の半導体装置の製造方法。
- マスク層が、レジスト又はレジスト下層膜を含む有機下層膜である請求項8又は請求項9に記載の半導体装置の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017072076 | 2017-03-31 | ||
JP2017072076 | 2017-03-31 | ||
PCT/JP2018/013879 WO2018181989A1 (ja) | 2017-03-31 | 2018-03-30 | カルボニル構造を有するシリコン含有レジスト下層膜形成組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2018181989A1 JPWO2018181989A1 (ja) | 2020-02-06 |
JP7208590B2 true JP7208590B2 (ja) | 2023-01-19 |
Family
ID=63676226
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019509407A Active JP7208590B2 (ja) | 2017-03-31 | 2018-03-30 | カルボニル構造を有するシリコン含有レジスト下層膜形成組成物 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20200041906A1 (ja) |
JP (1) | JP7208590B2 (ja) |
KR (1) | KR102577038B1 (ja) |
CN (1) | CN110494807A (ja) |
TW (1) | TW201900735A (ja) |
WO (1) | WO2018181989A1 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7282667B2 (ja) * | 2019-01-22 | 2023-05-29 | 信越化学工業株式会社 | ケイ素含有レジスト下層膜形成用組成物及びパターン形成方法 |
JP7307004B2 (ja) * | 2019-04-26 | 2023-07-11 | 信越化学工業株式会社 | ケイ素含有レジスト下層膜形成用組成物及びパターン形成方法 |
WO2021221171A1 (ja) | 2020-04-30 | 2021-11-04 | 日産化学株式会社 | レジスト下層膜形成用組成物 |
CN116547343A (zh) | 2020-11-27 | 2023-08-04 | 日产化学株式会社 | 含有硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物 |
JPWO2022210901A1 (ja) * | 2021-03-31 | 2022-10-06 | ||
US20230012705A1 (en) * | 2021-07-16 | 2023-01-19 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Humidity control or aqueous treatment for euv metallic resist |
JPWO2023074777A1 (ja) * | 2021-10-28 | 2023-05-04 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014069329A1 (ja) | 2012-10-31 | 2014-05-08 | 日産化学工業株式会社 | エステル基を有するシリコン含有レジスト下層膜形成組成物 |
WO2016009965A1 (ja) | 2014-07-15 | 2016-01-21 | 日産化学工業株式会社 | 脂肪族多環構造含有有機基を有するシリコン含有レジスト下層膜形成組成物 |
WO2016009939A1 (ja) | 2014-07-15 | 2016-01-21 | 日産化学工業株式会社 | ハロゲン化スルホニルアルキル基を有するシリコン含有レジスト下層膜形成組成物 |
JP2016074772A (ja) | 2014-10-03 | 2016-05-12 | 信越化学工業株式会社 | 塗布型ケイ素含有膜形成用組成物、基板、及びパターン形成方法 |
WO2016080217A1 (ja) | 2014-11-19 | 2016-05-26 | 日産化学工業株式会社 | 湿式除去が可能なシリコン含有レジスト下層膜形成組成物 |
WO2016093172A1 (ja) | 2014-12-08 | 2016-06-16 | 日産化学工業株式会社 | ハロゲン含有カルボン酸アミド基を有する加水分解性シランを含むリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物 |
JP2017020000A (ja) | 2015-06-15 | 2017-01-26 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーRohm and Haas Electronic Materials LLC | 湿式剥離性シリコン含有反射防止剤 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4369203B2 (ja) | 2003-03-24 | 2009-11-18 | 信越化学工業株式会社 | 反射防止膜材料、反射防止膜を有する基板及びパターン形成方法 |
CN100351309C (zh) * | 2003-07-30 | 2007-11-28 | 日产化学工业株式会社 | 含有具有被保护的羧基的化合物的形成光刻用下层膜的组合物 |
US7320855B2 (en) | 2004-11-03 | 2008-01-22 | International Business Machines Corporation | Silicon containing TARC/barrier layer |
JP4638380B2 (ja) | 2006-01-27 | 2011-02-23 | 信越化学工業株式会社 | 反射防止膜材料、反射防止膜を有する基板及びパターン形成方法 |
KR101579266B1 (ko) * | 2008-01-11 | 2016-01-04 | 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 | 우레아기를 가지는 실리콘 함유 레지스트 하층막 형성 조성물 |
EP2479615B1 (en) * | 2009-09-16 | 2014-04-23 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Silicon-containing composition having sulfonamide group for forming resist underlayer film |
KR102182360B1 (ko) * | 2012-12-19 | 2020-11-24 | 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 | 환상 디에스테르기를 갖는 실리콘 함유 레지스트 하층막 형성 조성물 |
US8759220B1 (en) * | 2013-02-28 | 2014-06-24 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Patterning process |
-
2018
- 2018-03-30 US US16/499,533 patent/US20200041906A1/en active Pending
- 2018-03-30 CN CN201880023369.0A patent/CN110494807A/zh active Pending
- 2018-03-30 TW TW107111382A patent/TW201900735A/zh unknown
- 2018-03-30 KR KR1020197031759A patent/KR102577038B1/ko active IP Right Grant
- 2018-03-30 JP JP2019509407A patent/JP7208590B2/ja active Active
- 2018-03-30 WO PCT/JP2018/013879 patent/WO2018181989A1/ja active Application Filing
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014069329A1 (ja) | 2012-10-31 | 2014-05-08 | 日産化学工業株式会社 | エステル基を有するシリコン含有レジスト下層膜形成組成物 |
WO2016009965A1 (ja) | 2014-07-15 | 2016-01-21 | 日産化学工業株式会社 | 脂肪族多環構造含有有機基を有するシリコン含有レジスト下層膜形成組成物 |
WO2016009939A1 (ja) | 2014-07-15 | 2016-01-21 | 日産化学工業株式会社 | ハロゲン化スルホニルアルキル基を有するシリコン含有レジスト下層膜形成組成物 |
JP2016074772A (ja) | 2014-10-03 | 2016-05-12 | 信越化学工業株式会社 | 塗布型ケイ素含有膜形成用組成物、基板、及びパターン形成方法 |
WO2016080217A1 (ja) | 2014-11-19 | 2016-05-26 | 日産化学工業株式会社 | 湿式除去が可能なシリコン含有レジスト下層膜形成組成物 |
WO2016093172A1 (ja) | 2014-12-08 | 2016-06-16 | 日産化学工業株式会社 | ハロゲン含有カルボン酸アミド基を有する加水分解性シランを含むリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物 |
JP2017020000A (ja) | 2015-06-15 | 2017-01-26 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーRohm and Haas Electronic Materials LLC | 湿式剥離性シリコン含有反射防止剤 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN110494807A (zh) | 2019-11-22 |
US20200041906A1 (en) | 2020-02-06 |
WO2018181989A1 (ja) | 2018-10-04 |
JPWO2018181989A1 (ja) | 2020-02-06 |
KR20190135026A (ko) | 2019-12-05 |
TW201900735A (zh) | 2019-01-01 |
KR102577038B1 (ko) | 2023-09-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6319580B2 (ja) | スルホン酸オニウム塩を含有するケイ素含有euvレジスト下層膜形成組成物 | |
KR102439087B1 (ko) | 습식제거가 가능한 실리콘함유 레지스트 하층막 형성 조성물 | |
JP6436301B2 (ja) | エステル基を有するシリコン含有レジスト下層膜形成組成物 | |
JP7208590B2 (ja) | カルボニル構造を有するシリコン含有レジスト下層膜形成組成物 | |
JP6217940B2 (ja) | 環状ジエステル基を有するシリコン含有レジスト下層膜形成組成物 | |
JP6902350B2 (ja) | 脂肪族多環構造含有有機基を有するシリコン含有レジスト下層膜形成組成物 | |
JP6597980B2 (ja) | ハロゲン化スルホニルアルキル基を有するシリコン含有レジスト下層膜形成組成物 | |
JP6882724B2 (ja) | フェニル基含有クロモファーを有するシラン化合物 | |
JP6694162B2 (ja) | ハロゲン含有カルボン酸アミド基を有する加水分解性シランを含むリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物 | |
WO2013022099A1 (ja) | スルホン構造を有するシリコン含有レジスト下層膜形成組成物 | |
KR102426422B1 (ko) | 카보네이트 골격을 가지는 가수분해성 실란을 포함하는 리소그래피용 레지스트 하층막 형성 조성물 | |
JP2023175872A (ja) | 保護されたフェノール基と硝酸を含むシリコン含有レジスト下層膜形成組成物 | |
US20220155688A1 (en) | Alkaline developer soluable silicon-containing resist underlayer film-forming composition |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20201214 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220112 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20220308 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220426 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220817 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220826 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20221207 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20221220 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 7208590 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |