TW201630735A - 透明導電性薄膜、透明導電性薄膜積層體及觸控面板 - Google Patents

透明導電性薄膜、透明導電性薄膜積層體及觸控面板 Download PDF

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Abstract

本發明提供一種於透明導電性薄膜貼合薄型玻璃基板而成之透明導電性薄膜積層體中，於加熱步驟後亦可抑制卷曲之產生、並可確保後續之步驟良率之透明導電性薄膜、透明導電性薄膜積層體及觸控面板。本發明中之透明導電性薄膜是於透明樹脂薄膜之一面側依序形成有第1硬化樹脂層、透明導電膜，於透明樹脂薄膜之另一面側形成有第2硬化樹脂層者；透明樹脂薄膜係由非晶質樹脂所構成，將透明導電性薄膜切割成50cm×50cm，透明導電膜朝下面，於130℃加熱90分鐘後之四角部之平均卷曲值A與中央部之卷曲值B之差(A-B)為5mm以上。

Description

透明導電性薄膜、透明導電性薄膜積層體及觸控面板
本發明是關於透明導電性薄膜、透明導電性薄膜積層體及觸控面板，尤其是於控制卷曲產生上為有用的技術。
背景技術
先前，作為液晶顯示器、有機電致發光顯示器、觸控面板等之基板，大多使用以玻璃作為基板。近年來，伴隨著顯示器之薄型化，對於透明性、表面平滑性、耐熱性等優異之玻璃基板之薄型化受到矚目。
另一方面，於靜電容式之觸控面板構造中，作為透明導電性薄膜之基材薄膜，大多使用聚對苯二甲酸乙二酯(PET)。然而，PET薄膜是延伸製膜，由於具有較高相位差，故難以使用於偏光板之下。因此，於專利文獻1中提出有一種透明導電性薄膜，其使用為非晶質樹脂之環烯烴系樹脂作為低相位差用基材薄膜。
於專利文獻2中揭示有一種透明導電性薄膜，其於聚碳酸酯或非晶質之聚烯烴薄膜上形成透明導電膜，作為可於液晶顯示器等的偏光板下使用之λ/4相位差薄膜；且 提出一種將該透明導電性薄膜積層於玻璃基板上之積層體、以及對可撓性保護玻璃整面賦予觸控面板功能之液晶顯示裝置。
將透明導電性薄膜貼合於薄型之玻璃基板，製成透明導電性薄膜積層體後，進行透明導電膜之結晶化或進行邊框佈線用之金屬佈線加工時，大多經由130℃以上之加熱步驟。此時由於玻璃基板較薄，故易受到加熱時之影響，且由於樹脂與玻璃之熱收縮率等不同，故積層體會卷曲、無法搬送至下一步驟，或金屬佈線之對準調整有困難、從而無法進行金屬佈線之加工，難以穩定且連續地進行生產。
先行技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本特開2013-114344號公報
專利文獻2：日本特開2014-137427號公報
發明概要
因此，本發明之目的在於提供一種於透明導電性薄膜貼合薄型玻璃基板而成之透明導電性薄膜積層體中，於加熱步驟後亦可抑制卷曲之產生、並可確保後續之步驟良率之透明導電性薄膜、透明導電性薄膜積層體及觸控面板。
本發明者們為解決上述問題而專心致力於研 究，結果發現：透明導電性薄膜積層體於透明導電膜朝上時會大幅地朝凹方向卷曲，故以透明導電性薄膜之透明導電膜朝下時預先大幅地朝凹方向卷曲之方式來設計透明導電性薄膜，因而可達成上述目的並完成本發明。
即，本發明之透明導電性薄膜，其特徵在於：其是於透明樹脂薄膜之一面側依序形成有第1硬化樹脂層、透明導電膜，於前述透明樹脂薄膜之另一面側形成有第2硬化樹脂層者；前述透明樹脂薄膜係由非晶質樹脂所構成，將前述透明導電性薄膜切割成50cm×50cm，使透明導電膜朝下面，於130℃加熱90分鐘後之四角部之平均卷曲值A與中央部之卷曲值B之差(A-B)為5mm以上。又，本發明中之各種物性值於不特別說明下，是藉由實施例等中所採用之方法而測定之值。
用以形成透明樹脂薄膜之非晶質樹脂，一般經由擠出步驟或鑄造製膜步驟而製膜，必定留下殘留應力，藉由加熱而發生收縮應力。另一方面，薄玻璃於130℃左右之加熱下收縮應力相當小。因此，於透明導電性薄膜貼合薄玻璃而成之透明導電性薄膜積層體，在透明導電性薄膜朝上加熱時會發生朝凹方向卷曲。又，於透明導電性薄膜中，由於作為無機物之透明導電膜與作為有機物之透明樹脂薄膜等之熱收縮率及線膨脹係數等不同，故藉由加熱而產生卷曲。因此，本發明中發現：藉由以使透明導電性薄膜之透明導電膜朝下時預先大幅地朝凹方向卷曲之方式進行設計，於貼合薄玻璃而成之透明導電性薄膜積層體中，可相 當地縮小加熱步驟後之卷曲發生。即，藉由將透明導電性薄膜切割成50cm×50cm，透明導電膜朝下面，使於130℃加熱90分鐘後之四角部之平均卷曲值A與中央部之卷曲值B之差(A-B)為5mm以上，可相互抵消先前之積層於玻璃基板之積層體所產生之收縮力與透明導電性薄膜所產生之收縮力，於與薄型玻璃基板貼合後之透明導電性薄膜積層體中可相當地縮小加熱步驟後之卷曲。藉此，可抑制因透明導電膜之結晶化或金屬佈線加工等而產生之加熱後卷曲，可穩定且連續地進行加工搬送，可確保後續的步驟良率。
本發明之透明導電性薄膜中，前述第1硬化樹脂層之厚度與前述第2硬化樹脂層之厚度均為2μm以下，前述第2硬化樹脂層之厚度係與前述第1硬化樹脂層之厚度相等或較其薄較佳。若第1硬化樹脂層之厚度與第2硬化樹脂層之厚度在如上述般薄之範圍，則可減少起因於硬化樹脂層之收縮力之影響，透明樹脂薄膜容易受到加熱時之影響，更容易產生卷曲。又，可以如下方式設計透明導電性薄膜，即：若使第2硬化樹脂層之厚度與前述第1硬化樹脂層之厚度相等或較其薄，透明樹脂薄膜進一步容易受到加熱時之影響，更容易產生卷曲。
本發明之透明導電性薄膜宜於前述第1硬化樹脂層與前述透明導電膜之間進一步具備1層以上之光學調整層。藉由光學調整層可控制折射率，故即使將透明導電膜圖案化時亦可減低圖案形成部與圖案開口部之反射率差，不易看到透明導電膜圖案，於觸控面板等顯示裝置中辨視 性變得良好。
藉由於光學調整層塗佈後讓薄膜通過退火步驟，可縮小MD方向與TD方向之基材熱收縮差調整及基材之收縮力，藉此可以卷曲量更容易產生之方式設計透明導電性薄膜。
本發明中之第2硬化樹脂層宜包含樹脂與粒子。藉此可更確實地實現能承受輥對輥製法之抗黏著性，可提高搬送容易性。
於本發明中之透明樹脂薄膜中，非晶質樹脂為環烯烴系樹脂，且其厚度為20~75μm，玻璃轉移溫度為130℃以上，於前述透明導電性薄膜中，較好的是於130℃加熱90分鐘後之熱收縮率於MD及TD方向上未達0.2%。由於透明樹脂薄膜之厚度位於相對較薄之範圍，故更易受到加熱時之影響，可以容易產生卷曲之方式設計透明導電性薄膜。又，藉由使用玻璃轉移溫度較高之環烯烴系樹脂，使用熱收縮率較小之透明導電性薄膜，可抑制加熱步驟後之過量的熱收縮，可以更高水準控制卷曲之產生。
本發明中之光學調整層宜包含黏合劑樹脂與微粒子，且其折射率為1.6~1.8，厚度為40~150nm。藉由於光學調整層包含微粒子，可容易地進行光學調整層本身之折射率之調整。又，藉由使光學調整層之厚度成為前述範圍，變得容易連續被膜，可確保透明性，並能以不會對卷曲產生造成大影響之方式進行控制。
本發明中之透明導電膜宜由銦錫複合氧化物 (ITO)所構成，且其厚度為10~35nm。藉此，可確保透明性，於觸控面板等中使用時亦可提升辨視性，並且可設計卷曲產生之方向或量。
本發明之透明導電性薄膜積層體宜為在前述透明導電性薄膜之與透明導電膜成相反之面側，經由黏著劑層積層有玻璃基板者。本發明之透明導電性薄膜，由於設計成將透明導電膜朝下時預先大幅地朝凹方向卷曲，故在貼合薄玻璃而成之透明導電性薄膜積層體中可抑制加熱步驟後之卷曲產生，可確保後續的步驟良率。
較好的是，將本發明之透明導電性薄膜積層體切割成210mm×260mm，使透明導電膜朝上面，使於130℃加熱90分鐘後之四角部之平均卷曲值A與中央部之卷曲值B之差(A-B)為2.0mm以下。藉此，加熱步驟後亦可抑制卷曲產生，可確保後續的步驟良率。
本發明之觸控面板宜使用前述透明導電性薄膜積層體而獲得。若使用前述透明導電性薄膜積層體，可抑制乾燥等之加熱步驟後之卷曲產生，故透明導電性薄膜積層體之加工搬送變得容易，作業效率提高。
1‧‧‧透明樹脂薄膜
2‧‧‧第1硬化樹脂層
3‧‧‧透明導電膜
4‧‧‧第2硬化樹脂層
5‧‧‧光學調整層
6‧‧‧玻璃基板
7‧‧‧黏著劑層
10‧‧‧透明導電性薄膜
圖1是本發明之一實施形態之透明導電性薄膜之模式剖面圖。
圖2是本發明之另一實施形態之透明導電性薄膜之模式剖面圖。
圖3是本發明之一實施形態之透明導電性薄膜積層體之模式剖面圖。
用以實施發明之形態
就本發明之透明導電性薄膜積層體之實施形態一面參照圖式一面說明如下。其中，於一部分或全部的圖式中省略不需說明之部分，且為容易說明而存在進行放大或縮小等後進行圖示之部分。表示上下等位置關係之用語是單純地為容易說明而使用，並沒有意圖限定本發明之構成。
<透明導電性薄膜及積層體之構造>
圖1是模式地顯示本發明之透明導電性薄膜之一實施形態之剖面圖，圖2是模式地顯示本發明之透明導電性薄膜之另一實施形態之剖面圖，圖3是模式地顯示本發明之透明導電性薄膜積層體之一實施形態之剖面圖。圖1~2所示之透明導電性薄膜10於透明樹脂薄膜1之一面側依序形成有第1硬化樹脂層2及透明導電膜3，於前述透明樹脂薄膜1之另一面側形成有第2硬化樹脂層4。如圖2所示，於前述第1硬化樹脂層2與前述透明導電膜3之間可進一步具備一層光學調整層5，亦可具備二層以上之光學調整層5。第1硬化樹脂層2與第2硬化樹脂層4包含作為抗黏著層或硬塗層而起作用之功能。又，如圖3所示，透明導電性薄膜積層體在透明導電性薄膜10之與透明導電膜3呈相反之面側，經由黏著劑層7積層玻璃基板6。
<透明導電性薄膜>
透明導電性薄膜於透明樹脂薄膜之一面側依序形成有第1硬化樹脂層及透明導電膜，於前述透明樹脂薄膜之另一面側形成有第2硬化樹脂層。於第1硬化樹脂層與透明導電膜之間可進一步包含一層以上之光學調整層。於透明導電性薄膜中，較好的是於130℃加熱90分鐘後時之MD及TD方向之熱收縮率為未達0.2%、較佳為0.2%以下、更佳為0.15%以下、尤佳為0.1%以下。下限值並無特別限制，但以0.01%以上為佳。藉此，成為加工性、透明性等優異之透明導電性薄膜，由於可控制乾燥等加熱步驟後之卷曲之產生量及方向，故透明導電性薄膜積層體之加工搬送變得容易。
將透明導電性薄膜切割成50cm×50cm，使透明導電膜朝下面，於130℃加熱90分鐘後之四角部之平均卷曲值A與中央部之卷曲值B之差(A-B)宜為5mm以上、較佳為8mm以上、更佳為10mm以上。上限值並無特別限制，但以50mm以下為佳、較佳為40mm以下、更佳為30mm以下。若如此較大地設定透明導電性薄膜之卷曲量，在與薄型玻璃基板貼合後之透明導電性薄膜積層體中可相當地縮小加熱步驟後之卷曲。藉此，可抑制因透明導電膜之結晶化或金屬佈線加工等所導致之加熱後卷曲，可穩定且連續地加工搬送，可確保後續之步驟良率。
(透明樹脂薄膜)
透明樹脂薄膜由非晶質樹脂形成，具有高透明性及低吸水性之特性。藉由採用非晶質樹脂可控制透明導電性薄 膜之光學特性。作為非晶質樹脂並無特別限定，但以透明性、機械強度、熱穩定性、水分截留性、等方性等優異者為佳，可列舉：聚碳酸酯、環烯烴、聚氯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯等丙烯酸系樹脂、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯苯乙烯共聚物、聚丙烯腈、聚丙烯腈苯乙烯共聚物、高抗衝擊聚苯乙烯(HIPS)、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯(ABS樹脂)、聚芳酯、聚碸、聚醚碸、聚苯醚等。由高透明性、低吸水性、耐熱性等觀點而言，較佳為環烯烴系樹脂或聚碳酸酯系樹脂等。
作為環烯烴系樹脂，只要為具有由環狀烯烴(環烯烴)所構成之單體的單元即可，並無特別限定。作為用於透明樹脂薄膜之環烯烴系樹脂，可為環烯烴聚合物(COP)或環烯烴共聚物(COC)之任一者。所謂環烯烴共聚物是指環狀烯烴與伸乙基等烯烴之共聚物、即非結晶性之環狀烯烴系樹脂。
作為上述環狀烯烴，存在有多環式之環狀烯烴與單環式之環狀烯烴。作為該多環式之環狀烯烴，可列舉：降冰片烯、甲基降冰片烯、二甲基降冰片烯、乙基降冰片烯、亞乙基降冰片烯、丁基降冰片烯、二環戊二烯、二氫二環戊二烯、甲基二環戊二烯、二甲基二環戊二烯、四環十二碳烯、甲基四環十二碳烯、二甲基環四-十二碳烯、三環戊二烯、四環戊二烯等。又，作為單環式之環狀烯烴，可列舉：環丁烯、環戊烯、環辛烯、環辛二烯、環辛三烯、環十二烷三烯等。
環烯烴系樹脂亦可以市售品之形式取得，例如可列舉：日本ZEON公司製「ZEONOR」、JSR公司製「ARTON」、Polyplastics公司製「TOPAS」、三井化學公司製「APEL」等。
聚碳酸酯系樹脂並無特別限定，例如可列舉：脂肪族聚碳酸酯、芳香族聚碳酸酯、脂肪族-芳香族聚碳酸酯等。具體而言，例如作為使用雙酚類之聚碳酸酯(PC)可列舉：雙酚A聚碳酸酯、分支雙酚A聚碳酸酯、發砲聚碳酸酯、共聚碳酸酯、嵌段共聚碳酸酯、聚酯碳酸酯、聚膦酸酯碳酸酯、二乙二醇雙烯丙基碳酸酯(CR-39)等。於聚碳酸酯系樹脂中亦包含有與雙酚A聚碳酸酯摻合物、聚酯摻合物、ABS摻合物、聚烯烴摻合物、苯乙烯-馬來酸酐共聚物摻合物等其他成分摻合者。作為聚碳酸酯樹脂之市售品，可列舉：惠和公司製「OPCON」、帝人公司製「PANLITE」、三菱氣體化學製「YUPILON」等。
於透明樹脂薄膜上，亦可對其表面預先實施濺鍍、電暈放電、火焰、紫外線照射、電子束照射、化學轉化、氧化等蝕刻處理或底漆處理，使與形成於透明樹脂薄膜上之硬化樹脂層或透明導電膜等之密著性提高。又，於形成硬化樹脂層或透明導電膜之前，亦可視需要藉由溶劑洗淨或超音波洗淨等將透明樹脂薄膜表面除塵、潔淨化。
透明樹脂薄膜之厚度宜於20~75μm之範圍內、較佳為25~70μm之範圍內、更佳為30~65μm之範圍內。若透明樹脂薄膜之厚度未達上述範圍之下限，機械強度不足、有 將薄膜基材製成滾筒狀連續地形成透明導電膜之操作變得困難之情形。另一方面，若厚度超過上述範圍之上限，則有不能提高透明導電膜之耐擦傷性及作為觸控面板用之點擊特性之情形。又，若厚度於上述範圍內，由於更容易受到加熱時之影響，故可設計成使透明導電性薄膜之透明導電膜朝下時預先大幅地朝凹方向卷曲，與薄玻璃貼合而製成透明導電性薄膜積層體時可抑制加熱步驟後產生卷曲。
上述透明樹脂薄膜之非晶質樹脂之玻璃轉移溫度(Tg)並無特別限定，較佳為130℃以上、更佳為150℃以上、尤佳為160℃以上。藉此，製成透明導電性薄膜積層體時可抑制乾燥等之加熱步驟後產生卷曲，故透明導電性薄膜積層體之加工搬送變容易。
形成透明樹脂薄膜之樹脂薄膜坯片(積層硬化樹脂層之前的實施加熱處理等前之薄膜)，其於130℃加熱90分鐘時之MD方向及TD方向之熱收縮率宜為0.3%以下，較佳為0.2%以下、更佳為0.1%以下。藉此，成為加工性、透明性、加熱時之尺寸穩定性等優異之透明樹脂薄膜。又，製成透明導電性薄膜積層體時可抑制乾燥等之加熱步驟後產生卷曲，故透明導電性薄膜積層體之加工搬送變容易。
上述透明樹脂薄膜容易製成面內方向之相位差(R0)為0nm~10nmm之低相位差薄膜或面內方向之相位差為80nm~150nm程度之λ/4薄膜，在與偏光板一同使用之情形時可使辨視性良好。再者，面內相位差(R0)是指於23℃下以波長589nm之光測定之相位差薄膜(層)面內之相位差值。
(硬化樹脂層)
硬化樹脂層包含形成於透明樹脂薄膜之一面側之第1硬化樹脂層與形成於另一面側之第2硬化樹脂層。以非晶質樹脂形成之透明樹脂薄膜因為在形成透明導電膜及透明導電膜之圖案化或朝電子機器搭載等之各步驟中容易產生傷痕，故如上所述在透明樹脂薄膜之兩面形成第1硬化樹脂層與第2硬化樹脂層。
硬化樹脂層是藉由使硬化型樹脂硬化而獲得之層。硬化樹脂層宜包含樹脂與粒子。作為所使用之樹脂，可無特別限制地使用作為硬化樹脂層形成後之皮膜具有充分的強度、且具有透明性者，可列舉：熱硬化型樹脂、紫外線硬化型樹脂、電子束硬化型樹脂、二液混合型樹脂等。此等中，以可藉由紫外線照射之硬化處理、以簡單的加工操作有效率地形成硬化樹脂層之紫外線硬化型樹脂為佳。
作為紫外線硬化型樹脂，可列舉：聚酯系、丙烯酸系、胺基甲酸酯系、醯胺系、聚矽氧系、環氧系等各種樹脂，包含紫外線硬化型之單體、寡聚物、聚合物等。較佳使用之紫外線硬化型樹脂為丙烯酸系樹脂或環氧系樹脂，更佳為丙烯酸系樹脂。
硬化樹脂層可包含粒子。藉由於硬化樹脂層添加粒子，可於硬化樹脂層之表面形成隆起，對透明導電性薄膜較佳地賦予抗黏著性。
作為上述粒子，可無特別限制地使用各種金屬氧化物、玻璃、塑膠等具有透明性者。例如可列舉：二氧化 矽、氧化鋁、氧化鈦、氧化鋯、氧化鈣等無機系粒子、由聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚胺基甲酸酯、丙烯酸系樹脂、丙烯酸-苯乙烯共聚物、苯代三聚氰胺、三聚氰胺、聚碳酸酯等各種聚合物所構成之交聯或未交聯之有機系粒子或聚矽氧系粒子等。前述粒子可適當地選擇使用一種或二種以上，但以有機系粒子為佳。由折射率之觀點來看，作為有機系粒子以丙烯酸系樹脂為佳。
粒子之眾數粒徑可考慮與硬化樹脂層之隆起之突出度或隆起以外之平坦區域之厚度之關係等而適當設定，並無特別限定。再者，由對透明導電性薄膜充分地賦予抗黏著性、且充分地抑制霧度之上升之觀點而言，粒子之眾數粒徑宜為0.5~5μm，較佳為1.0~2μm。又，於本說明書中所謂「眾數粒徑」是指表示粒子分佈之極大值之粒徑，使用流動式粒子影像分析裝置(Sysmex公司製、製品名「FPTA-3000S」)，於特定條件下(Sheath液：乙酸乙酯、測定模式：HPF測定、測定方式：總計數)進行測定，藉此而求得。測定試料使用將粒子以乙酸乙酯稀釋成1.0重量%，以超音波清洗機使其均勻地分散之試料。
粒子含量宜相對於樹脂固體成分100重量份為0.05~1.0重量份，較佳為0.1~0.5重量份，更佳為0.2~0.3重量份。若硬化樹脂層中之粒子含量較少，有難以形成足以對硬化樹脂層之表面賦予抗黏著性及易滑性之隆起之傾向。另一方面，若粒子含量過多，因粒子所引起之光散射而使透明導電性薄膜之霧度變高，有辨視性降低之傾向。又， 若粒子含量過多，有於形成硬化樹脂層時(塗佈溶液時)產生條紋，從而損及辨視性、或透明導電膜之電性特性變不均一之情形。
硬化樹脂層可藉由於透明樹脂薄膜上塗佈包含各硬化型樹脂與視需要添加之粒子、交聯劑、起始劑、增感劑等之樹脂組成物，於樹脂組成物包含溶劑時進行溶劑之乾燥、藉由應用熱、活性能量線或該兩者之任一者使之硬化而獲得。熱可使用空氣循環式烘箱或IR加熱器等周知方法，但並不限定於此等方法。作為活性能量線之例有紫外線、電子束、伽瑪射線等，但並無特別限定。
硬化樹脂層可使用上述材料，藉由溼式塗佈法(塗佈法)等而製膜。例如形成含有氧化錫之氧化銦(ITO)作為透明導電膜時，若作為基底層之硬化樹脂層之表面為平滑，亦可縮短透明導電膜之結晶化時間。由此觀點，硬化樹脂層宜藉由溼式塗佈法而製膜。
第1硬化樹脂層之厚度與第2硬化樹脂層之厚度皆宜為2μm以下、較佳為0.1μm~1.5μm、更佳為0.3μm~1.2μm。又，第2硬化樹脂層之厚度宜與第1硬化樹脂層之厚度相同或較其薄。即，第2硬化樹脂層之厚度宜為第1硬化樹脂層之厚度之10~100%、較佳為20~90%、更佳為30~80%。藉此，以輥對輥製法搬送時可防止透明樹脂薄膜受傷。又，若硬化樹脂層之厚度於前述範圍，可防止觸控面板等之辨視性惡化，且由於可設計成將透明導電性薄膜之透明導電膜朝下時預先大幅地朝凹方向卷曲，故在貼合 薄玻璃而製成透明導電性薄膜積層體時可抑制加熱步驟後之卷曲產生。
(透明導電膜)
透明導電膜可設置於透明樹脂薄膜上，但宜設置於透明樹脂薄膜之一面側所設置之第1硬化樹脂層上。透明導電膜之構成材料只要包含無機物即可，並無特別限定，宜使用選自於由銦、錫、鋅、鎵、銻、鈦、矽、鋯、鎂、鋁、金、銀、銅、鈀、鎢所構成之群中之至少一種金屬之金屬氧化物。於該金屬氧化物中，亦可視需要進一步包含上述群組中所示之金屬原子。例如宜使用含有氧化錫之氧化銦(ITO)、含有銻之氧化錫(ATO)等。
透明導電膜之厚度並無特別限制，在製成具有其表面電阻為1×103Ω/□以下之良好的導電性之連續被膜時，宜使厚度為10~35nm。若膜厚過厚，會招來透明性降低等，故較佳為15~35nm、更佳為20~30nm之範圍內。若透明導電膜之厚度未達10nm，膜表面之電阻變高且難以形成連續被膜。另一方面，若透明導電膜之厚度超過35nm，則有招來透明性降低等之情形。又，藉由將透明導電膜以前述厚度形成於第1硬化樹脂層上，可設計成將透明導電性薄膜之透明導電膜朝下時預先大幅地朝凹方向卷曲。
透明導電膜之形成方法並無特別限定，可採用先前周知之方法。具體而言，例如可例示真空蒸鍍法、濺鍍法、離子鍍敷法等乾式製程。又，亦可根據所需之膜厚而採用適合的方法。
透明導電膜可視需要實施加熱退火處理(例如大氣環境下，於80~150℃實施30~90分鐘左右)而結晶化。藉由使透明導電膜結晶化，而使透明導電膜低電阻化且透明性及耐久性提高。使非晶質之透明導電膜轉化成結晶質之方法並無特別限定，可使用空氣循環式烘箱或IR加熱器等。
關於「結晶質」之定義，是將於透明樹脂薄膜上形成有透明導電膜之透明導電性薄膜於20℃、濃度5重量%之鹽酸中浸漬15分鐘後，水洗、乾燥，以試驗機測定15mm間之端子間電阻，於端子間電阻不超過10kΩ時視為朝ITO膜之結晶質轉化完成。又，表面電阻值之測定可根據JIS K7194藉由4端子法而測定。
又，透明導電膜亦可藉由蝕刻等而圖案化。關於透明導電膜之圖案化，可使用先前周知之光微影技術進行。作為蝕刻液，宜使用酸。作為酸，例如可列舉：氯化氫、溴化氫、硫酸、硝酸、磷酸等無機酸、醋酸等有機酸及此等之混合物、以及其等之水溶液。例如於靜電容式之觸控面板或矩陣式之電阻膜方式之觸控面板所使用之透明導電性薄膜中，透明導電膜宜圖案化成條紋狀。又，藉由蝕刻將透明導電膜圖案化時，若先進行透明導電膜之結晶化，有難以藉由蝕刻進行圖案化之情形。因此，透明導電膜之退火處理宜於將透明導電膜圖案化後進行。
(光學調整層)
於第1硬化樹脂層與透明導電膜之間可進一步包含一層以上之光學調整層。光學調整層是用於提升透明導電性 薄膜之透過率，於將透明導電膜圖案化時可減低圖案殘留之圖案部與圖案不殘留之開口部之間的透過率差及反射率差，可獲得辨視性優異之透明導電性薄膜。
光學調整層宜包含黏合劑樹脂與微粒子。作為光學調整層所包含之黏合劑樹脂，可列舉：丙烯酸系樹脂、胺基甲酸酯系樹脂、三聚氰胺系樹脂、醇酸系樹脂、矽氧烷系聚合物、有機矽烷縮合物等，以包含丙烯酸系樹脂之紫外線硬化型樹脂為佳。
光學調整層之折射率宜為1.6~1.8、較佳為1.62~1.78、更佳為1.65~1.75。藉此，可減低透過率差及反射率差，可獲得辨視性優異之透明導電性薄膜。
光學調整層亦可具有平均粒徑為1nm~500nm之微粒子。光學調整層中之微粒子之含量宜為0.1重量%~90重量%。用於光學調整層中之微粒子之平均粒徑，如上所述宜為1nm~500nm之範圍、較佳為5nm~300nm。又，光學調整層中之微粒子之含量較佳為10重量%~80重量%、更佳為20重量%~70重量%。藉由於光學調整層中含有微粒子，可容易進行光學調整層本身之折射率調整。
作為形成微粒子之無機氧化物，例如可列舉：氧化矽(二氧化矽)、中空奈米二氧化矽、氧化鈦、氧化鋁、氧化鋅、氧化錫、氧化鋯、氧化鈮等微粒子。此等中，以氧化矽(二氧化矽)、氧化鈦、氧化鋁、氧化鋅、氧化錫、氧化鋯、氧化鈮之微粒子為佳，氧化鋯為較佳。此等可單獨使用一種，亦可併用二種以上。
光學調整層可含有其他無機物。作為無機物可列舉：NaF(1.3)、Na3AlF6(1.35)、LiF(1.36)、MgF2(1.38)、CaF2(1.4)、BaF2(1.3)、BaF2(1.3)、LaF3(1.55)、CeF(1.63)等(括弧內之數值表示折射率)。
光學調整層可使用上述材料，藉由溼式塗佈法、凹版塗佈法或硬塗法等塗佈法、真空蒸鍍法、濺鍍法、離子鍍敷法等而形成。例如，形成含有氧化錫之氧化銦(ITO)作為透明導電膜時，若作為基底層之樹脂層之表面為平滑，亦可縮短透明導電層之結晶化時間。由此觀點，樹脂層宜藉由溼式塗佈法而製膜。
光學調整層之厚度宜為40nm~150nm、較佳為50nm~130nm、更佳為70nm~120nm。若光學調整層之厚度過小，難以成為連續被膜。又，若光學調整層之厚度過大，則有透明導電性薄膜之透明性降低或容易產生裂紋之傾向。
(金屬佈線)
金屬佈線亦可於透明導電膜上形成金屬層後，藉由蝕刻而形成，但較佳為如下所述使用感光性金屬膠形成。即，金屬佈線是於將透明導電膜圖案化後，將後述之感光性導電膠塗佈於前述透明樹脂薄膜上或前述透明導電膜上，形成感光性金屬膠層，使光罩積層或靠近，經由光罩對感光性金屬膠層進行曝光，接著進行顯影，形成圖案後經由乾燥步驟而獲得。即，可藉由周知之光微影法等形成金屬佈線之圖案。
前述感光性導電膠宜包含金屬粉末等導電性粒子與感光性有機成分。作為金屬粉末之導電性粒子之材料，宜包含選自Ag、Au、Pd、Ni、Cu、Al及Pt之群之至少一種，較佳為Ag。金屬粉末之導電性粒子之體積平均粒徑宜為0.1μm~2.5μm。
作為金屬粉末以外之導電性粒子，可為以金屬被覆樹脂粒子表面之金屬被覆樹脂粒子。作為樹脂粒子之材料，雖然包含前述之粒子，但以丙烯酸系樹脂為佳。金屬被覆樹脂粒子是使樹脂粒子表面與矽烷偶合劑反應，進而以金屬被覆其表面而獲得。藉由使用矽烷偶合劑，可使樹脂成分之分散穩定化，形成均勻之金屬被覆樹脂粒子。
感光性導電膠進而亦可包含玻璃料。玻璃料宜體積平均粒徑為0.1μm~1.4μm、宜90%粒徑為1~2μm及最大尺寸為4.5μm以下。作為玻璃料之組成，並無特別限定，較佳為相對於整體以30重量%~70重量%之範圍調配Bi2O3。作為除Bi2O3以外亦可包含之氧化物，可包含SiO2、B2O3、ZrO2、Al2O3。宜為實質上不包含Na2O、K2O、Li2O之無鹼之玻璃料。
感光性有機成分宜包含感光性聚合物及/或感光性單體。作為感光性聚合物宜使用：選自(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯等具有碳-碳雙鍵之化合物之成分之聚合物，或者在由此等共聚物所構成之丙烯酸樹脂的側鏈或分子末端加成有光反應性基者等。作為較佳之光反應性基，可列舉：乙烯基、烯丙基、丙烯酸基、甲基丙烯酸基 等乙烯性不飽和基。感光性聚合物之含量宜為1~30重量%、2~30重量%。
作為感光性單體，可列舉：甲基丙烯酸丙烯酸酯、丙烯酸乙酯等(甲基)丙烯酸酯系單體、或γ-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、1-乙烯基-2-吡咯啶酮等，可使用一種或二種以上。
於感光性導電膠中，自光感度之方面而言，感光性有機成分宜相對於金屬粉末100重量份包含5~40重量%、較佳為10重量份~30重量份。又，本發明之感光性導電膠宜視需要使用光聚合起始劑、增感劑、聚合抑制劑、有機溶劑。
金屬層之厚度並無特別限制。例如藉由蝕刻等將金屬層之面內之一部份去除而形成圖案佈線之情形，適當地設定金屬層之厚度，以使形成後之圖案佈線具有期望之電阻值。因此，金屬層之厚度宜為0.01~200μm、較佳為0.05~100μm。若金屬層之厚度為上述範圍，圖案佈線之電阻不會變得過高，裝置之耗電力不會變大。又，金屬層之成膜之生產效率提升，成膜時之累計熱量變小，膜不易產生熱皺褶。
透明導電性薄膜為與顯示器組合使用之觸控面板用之透明導電性薄膜之情形，與顯示部分對應之部分藉由已圖案化之透明導電膜形成，由感光性導電膠製作之金屬佈線使用於非顯示部(例如周緣部)之佈線部分。透明導電膜亦可用於非顯示部，此時金屬佈線可形成於透明導電膜 上。
<透明導電性薄膜積層體>
透明導電性薄膜積層體係於前述透明導電性薄膜之與透明導電膜成相反之面側經由黏著劑層積層玻璃基板而形成。透明導電性薄膜積層體係將透明導電性薄膜積層體切割成210mm×260mm，使透明導電膜朝上面，於130℃加熱90分鐘後之四角部之平均卷曲值A與中央部之卷曲值B之差(A-B)宜為2.0mm以下、較佳為未達2.0mm、更佳為1.8mm以下。下限值並無特別限制，較佳為0.5mm以上。若如此抑制卷曲量，則於搬送透明導電性薄膜積層體時，可以空氣進行吸取，可連續地進行加工搬送。
(玻璃基板)
玻璃基板係於透明導電性薄膜之與透明導電膜成相反之面側經由黏著劑層積層透明導電性薄膜。作為形成玻璃基板之材料並無特別限定，但以透明性、表面平滑性、熱穩定性、水分阻斷性、等方性等優異者為佳，可列舉鈉鈣玻璃、硼矽玻璃等。此等玻璃可進行化學強化，亦可於表面形成防鹼溶出層。又，為提高與其他層之接著力，亦可將玻璃表面以矽烷偶合劑進行處理。
玻璃基板之厚度宜為0.1~1.5mm、較佳為0.3~1.0mm。若該厚度過薄，於加熱透明導電性薄膜積層體時，玻璃容易產生破損，另一方面若厚度過厚，則顯示器之薄型化變困難，可撓性降低。藉由將該範圍厚度之玻璃基板與設計成使透明導電膜朝下時預先朝凹方向大幅地卷 曲之透明導電性薄膜組合，而製作透明導電性薄膜積層體，可抑制加熱步驟後之卷曲產生。
(黏著劑層)
作為黏著劑層，只要具有透明性者即可，並無特別限制，可使用以下黏著劑。作為黏著劑，具體而言例如可適當地選擇使用以丙烯酸系聚合物、聚矽氧系聚合物、聚酯、聚胺基甲酸酯、聚醯胺、聚乙烯醚、乙酸乙烯酯/氯乙烯共聚物、改性聚烯烴、環氧系、氟系、天然橡膠、合成橡膠等橡膠系等之聚合物作為基礎聚合物者。特別是由光學透明性優異、表現適度的潤溼性、凝集性及接著性等黏著特性，耐候性及耐熱性等亦優異之方面而言，宜使用丙烯酸系黏著劑。
黏著劑層之形成方法並無特別限制，可列舉於剝離墊片塗佈黏著劑組成物，使之乾燥後，轉印於玻璃基板之方法(轉印法)、於玻璃基板直接塗佈、乾燥黏著劑組成物之方法(直接法)等。再者，於黏著劑中亦可視需要適當地使用黏著賦與劑、塑化劑、填充劑、抗氧化劑、紫外線吸收劑、矽烷偶合劑等。
黏著劑層之較佳厚度為5μm~100μm、更佳為10μm~50μm、更佳為15μm~35μm。
<觸控面板>
透明導電性薄膜積層體例如可適合應用作為靜電容方式、電阻膜方式等之觸控面板等電子機器之透明電極。又，本發明之透明導電性薄膜積層體由於積層於玻璃基板上， 故直接可適合應用作為觸控面板等電子機器之透明電極。
於形成觸控面板時，可使用前述透明導電性薄膜積層體而形成。於本發明中形成如下積層體，即於透明導電性薄膜之未形成有透明導電膜之側之面經由透明黏著劑層貼合玻璃基板而成者，玻璃基板可由一片基板所構成，亦可為二片以上基板之積層體(例如經由透明黏著劑層而積層者)。作為用於貼合透明導電性薄膜與基板之黏著劑層，如前所述，只要為具有透明性者，即可無特別限制地使用。
將上述透明導電性薄膜積層體用於形成觸控面板時，由於可抑制乾燥等加熱步驟後之卷曲之產生量或方向，故透明導電性薄膜積層體之搬送變容易，觸控面板形成時之處理性優異。因此，可高生產性地製造透明性及辨視性優異之觸控面板。若為觸控面板以外的用途，可使用於屏蔽自電子機器發出之電磁波或噪音之屏蔽用途。
<透明導電性薄膜積層體之製造方法>
本發明之透明導電性薄膜積層體之製造方法包含：準備於透明樹脂薄膜上形成有非晶質之透明導電膜之透明導電性薄膜之步驟；於透明導電性薄膜之與透明導電膜成相反之面側，經由黏著劑層積層玻璃基板之步驟；及將前述透明導電性薄膜積層體加熱加工之步驟。作為將透明導電性薄膜積層體加熱加工之步驟，例如可列舉：使透明導電膜結晶化之步驟、或使藉由感光性金屬膠層形成之金屬佈線乾燥之步驟等。成為透明導電性薄膜積層體之後，宜經 過如此之加熱加工步驟。藉此，由於透明導電性薄膜設計成使透明導電膜朝下時預先朝凹方向大幅地卷曲，故透明導電性薄膜積層體中可抑制卷曲之產生。
準備透明導電性薄膜之步驟中所使用之透明導電性薄膜，可於透明樹脂薄膜上形成硬化樹脂層、接著形成透明導電膜，抑或取得於透明樹脂薄膜上形成有硬化樹脂層之透明樹脂積層體、接著於硬化樹脂層上形成透明導電膜，抑或取得於透明樹脂薄膜上形成有硬化樹脂層及透明導電膜之透明導電性薄膜。亦可取得關於上述光學調整層亦預先形成之透明樹脂積層體來使用。
積層玻璃基板之步驟，可於離型基材形成黏著劑層，將黏著劑層轉印於玻璃基板，於透明導電性薄膜之第2硬化樹脂層之未形成有透明樹脂薄膜之側，經由黏著劑層積層玻璃基板，亦可於玻璃基板直接形成黏著劑層。又，亦可於透明導電性薄膜之與透明導電膜成相反之面側形成黏著劑層，積層玻璃基板。
為使透明導電膜之構成成分結晶化，投入至熱處理步驟。此加熱溫度例如宜於130℃以下之溫度進行，較佳為120℃以下，處理時間例如為15分鐘至180分鐘。然後，蝕刻透明導電膜，藉由圖案形成圖案部。本發明宜進而包含如下步驟，即：於將透明導電膜圖案化後，將前述感光性導電膠塗佈於前述透明樹脂薄膜上或前述透明導電膜上，形成感光性金屬膠層，使光罩積層或接近，經由該光罩對感光性金屬膠層進行曝光，或以網版印刷等得到金屬 佈線之步驟。前述乾燥步驟宜於130℃以下進行，較佳為120℃以下。用以使透明導電性薄膜積層體結晶化之熱處理、後續之蝕刻步驟、金屬佈線步驟，存在光罩或透明導電膜與金屬佈線之圖案化之對位等，故以單片步驟進行。此時，為進行對位而需要固定於吸附板之步驟，由於即使於上述溫度範圍進行乾燥亦可抑制卷曲之量及方向，故可進行固定於吸附板之步驟。
實施例
以下關於本發明，使用實施例詳細地進行說明，但本發明於不超過其旨趣之範圍內，並不限定於以下實施例。
[實施例1]
(包含球狀粒子之硬化性樹脂組成物之調製)
準備包含球狀粒子之硬化性樹脂組成物，其包含：紫外線硬化性樹脂組成物(DIC公司製 商品名「UNIDIC(註冊商標)RS29-120」)100重量份；及眾數粒徑為1.9μm之丙烯酸系球狀粒子(綜研化學公司製 商品名「MX-180TA」)0.3重量份。
(硬化樹脂層之形成)
將準備之包含球狀粒子之硬化性樹脂組成物以厚度35μm塗佈於玻璃轉移溫度為165℃之聚環烯烴薄膜(日本ZEON製 商品名「ZEONOR(註冊商標)」)之一面，形成塗佈層。接著，自形成有塗佈層之側對塗佈層照射紫外線，以厚度成為1.0μm之方式形成第2硬化樹脂層。於聚環烯烴 薄膜之另一面，除了未添加球狀粒子外，以與上述相同之方法以厚度成為1.0μm之方式形成第1硬化樹脂層。
(光學調整層之形成)
對兩面形成有硬化樹脂層之聚環烯烴薄膜之第1硬化樹脂層面側塗佈折射率1.62之含氧化鋯粒子之紫外線硬化型組成物(JSR公司製 商品名「OPSTAR Z7412」)作為光學調整層，形成塗佈層。接著，自形成有塗佈層之側對塗佈層照射紫外線，以厚度成為100nm之方式形成光學調整層。
(透明導電性薄膜之形成)
接著，將形成有光學調整層之聚環烯烴薄膜投入捲取式濺鍍裝置，於光學調整層之表面形成厚度27nm之非晶質之銦-錫氧化物層(組成：SnO2 10wt%)，形成透明導電膜。如此製成透明導電性薄膜。
(透明導電性薄膜積層體之形成)
藉由一般之溶液聚合，以丙烯酸丁酯/丙烯酸=100/6(重量比)獲得重量平均分子量60萬之丙烯酸系聚合物。相對於此丙烯酸系聚合物100重量份，添加6重量份之環氧系交聯劑(三菱瓦斯化學製 商品名「TETRAD-C(註冊商標)」)，製備丙烯酸系黏著劑。於厚度為0.4mm、切割成210mm×260mm之薄鈉玻璃上，塗佈前述所獲得之丙烯酸系黏著劑(乾燥後之厚度：20μm)後，以透明導電膜朝上之方式貼合透明導電性薄膜，製作透明導電性薄膜積層體。
[實施例2]
除了於實施例1中，使用厚度50μm之聚環烯烴薄膜(日 本ZEON製 商品名「ZEONOR(註冊商標)」)作為透明樹脂薄膜、使用第2硬化樹脂層所包含之球狀粒子之眾數粒徑為0.8μm者、以及將第2硬化樹脂層之厚度設為0.5μm以外，以與實施例1相同之方法製作透明導電性薄膜及透明導電性薄膜積層體。
[實施例3]
除了於實施例1中，於形成光學調整層後藉由輥對輥製法於150℃實施3分鐘退火處理後，形成透明導電膜外，以與實施例1相同之方法形成透明導電性薄膜及透明導電性薄膜積層體。
[實施例4]
除了於實施例1中，使用厚度50μm之聚環烯烴薄膜(日本ZEON製 商品名「ZEONOR(註冊商標)」)作為透明樹脂薄膜以外，以與實施例1相同之方法製作透明導電性薄膜及透明導電性薄膜積層體。
[實施例5]
除了於實施例3中，使用厚度50μm之聚環烯烴薄膜(日本ZEON製 商品名「ZEONOR(註冊商標)」)作為透明樹脂薄膜以外，以與實施例3相同之方法製作透明導電性薄膜及透明導電性薄膜積層體。
[比較例1]
除了於實施例1中，使用厚度50μm之聚環烯烴薄膜(日本ZEON製 商品名「ZEONOR(註冊商標)」)作為透明樹脂薄膜、及將第2硬化樹脂層之厚度設為3.0μm以外，以與實 施例1相同之方法製作透明導電性薄膜及透明導電性薄膜積層體。
[比較例2]
除了於實施例1中，使用厚度75μm之聚環烯烴薄膜(日本ZEON製 商品名「ZEONOR(註冊商標)」)作為透明樹脂薄膜以外，以與實施例1相同之方法製作透明導電性薄膜及透明導電性薄膜積層體。
[比較例3]
除了於實施例1中，使用厚度為50μm且玻璃轉移溫度為70℃之聚酯樹脂(PET)(三菱樹脂製 商品名「DIAFOIL(註冊商標)」)作為透明樹脂薄膜以外，以與實施例1相同之方法製作透明導電性薄膜及透明導電性薄膜積層體。
<評價>
(1)厚度之測定
關於具有1μm以上厚度者，以微規式厚度計(MITUTOYO公司製)對厚度進行測定。又，未達1μm之厚度或光學調整層之厚度(100nm)以瞬間分割測光系統(大塚電子公司製MCPD2000)進行測定。如ITO膜等厚度般之奈米尺寸之厚度係以FB-2000A(日立高科技股份有限公司製)製作剖面觀察用樣品，剖面TEM觀察使用HF-2000(日立高科技股份有限公司製)測定膜厚。將評價結果顯示於表1。
(2)透明導電性薄膜之卷曲值測定
將實施例及比較例所得之透明導電性薄膜切割成50cm×50cm尺寸。以ITO面朝下之狀態於130℃、加熱90分 鐘後，於室溫(23℃)放冷1小時。之後，以ITO面朝下之狀態將樣品放置於水平面上，分別測定4角部距水平面之高度，算出其平均值(卷曲值A)。又，測定中央部距水平面之高度(卷曲值B)。將卷曲值A減卷曲值B之值(A-B)作為卷曲量算出。評價之結果顯示於表1。
(3)透明導電性薄膜積層體之卷曲值測定
將實施例及比較例所得之透明導電性薄膜積層體切割成210mm×260mm×0.4mm尺寸。以ITO面朝上之狀態於130℃、加熱90分鐘後，於室溫(23℃)放冷1小時。之後，以ITO面朝上之狀態將樣品放置於水平面上，分別測定4角部距水平面之高度，算出其平均值(卷曲值A)。又，測定中央部距水平面之高度(卷曲值B)。將卷曲值A減卷曲值B之值(A-B)作為卷曲量算出。評價之結果顯示於表1。
(4)MD方向與TD方向之熱收縮率
透明導電性薄膜之長度方向(MD方向)及寬度方向(TD方向)之熱收縮率如下所述地算出。具體而言，將透明導電性薄膜切取寬度100mm、長度100mm(試驗片)，於4角部以交叉賦與傷痕，藉由CNC三維測定機(MITUTOYO股份有限公司製LEGEX774)測定交叉傷痕之中央部4點之MD方向與TD方向之加熱前長度(mm)。之後，放入烘箱，進行加熱處理(130℃、90分鐘)。於室溫下放冷1小時後，再度藉由CNC三維測定機測定4角部4點之MD方向與TD方向之加熱後長度(mm)，將其測定值代入下式，藉此求得MD方向與TD方向分別之熱收縮率。將評價之結果顯示於表1。熱收 縮率(%)=〔〔加熱前長度(mm)-加熱後長度(mm)〕/加熱前長度(mm)〕×100
(5)玻璃轉移溫度(Tg)之測定
玻璃轉移溫度(Tg)根據JIS K7121之規定而求得。
(結果及討論)
實施例1~5之透明導電性薄膜中，卷曲產生之方向在使透明導電膜朝下時為凹方向，卷曲產生量為7~28mm，產生較大卷曲，故於透明導電性薄膜積層體中，卷曲產生之方向在使透明導電膜朝上時為凹方向，卷曲產生量為1.1~2.0mm，可抑制卷曲產生。又，於比較例1~2之透明導電性薄膜中，卷曲產生之方向在使透明導電膜朝下時為凹方向，卷曲產生量為2~4mm小，故於透明導電性薄膜積層體中，在使透明導電膜朝上時為凹方向，卷曲產生量為2.5~4.3mm之較大卷曲。由上可知，透明導電性薄膜之卷曲量與透明導電性薄膜積層體後之翹曲存在相關，若於透明導電性薄膜產生5mm以上卷曲量，則可減低透明導電性薄膜積層體之卷曲量。又，比較例3之卷曲值雖然為無問題之值，但於基材使用PET薄膜，由於具有較高相位差，不能使用作為偏光板下之基材。
1‧‧‧透明樹脂薄膜
2‧‧‧第1硬化樹脂層
3‧‧‧透明導電膜
4‧‧‧第2硬化樹脂層
10‧‧‧透明導電性薄膜

Claims (10)

  1. 一種透明導電性薄膜，其是於透明樹脂薄膜之一面側依序形成有第1硬化樹脂層、透明導電膜，於前述透明樹脂薄膜之另一面側形成有第2硬化樹脂層者；前述透明樹脂薄膜係由非晶質樹脂所構成，將前述透明導電性薄膜切割成50cm×50cm，使透明導電膜朝下面，於130℃加熱90分鐘後之四角部之平均卷曲值A與中央部之卷曲值B之差(A-B)為5mm以上。
  2. 如請求項1之透明導電性薄膜，其中前述第1硬化樹脂層之厚度與前述第2硬化樹脂層之厚度均為2μm以下，前述第2硬化樹脂層之厚度係與前述第1硬化樹脂層之厚度相等或較其薄。
  3. 如請求項1之透明導電性薄膜，其中於前述第1硬化樹脂層與前述透明導電膜之間進一步具備1層以上之光學調整層。
  4. 如請求項1之透明導電性薄膜，其中前述第2硬化樹脂層包含樹脂與粒子。
  5. 如請求項1之透明導電性薄膜，其中於前述透明樹脂薄膜中，非晶質樹脂為環烯烴系樹脂，且其厚度為20~75μm，玻璃轉移溫度為130℃以上，於前述透明導電性薄膜中，於130℃加熱90分鐘後之熱收縮率於MD及TD方向上未達0.2%。
  6. 如請求項3之透明導電性薄膜，其中前述光學調整層包 含黏合劑樹脂與微粒子，且其折射率為1.6~1.8，厚度為40~150nm。
  7. 如請求項1至6中任一項之透明導電性薄膜，其中前述透明導電膜係由銦錫複合氧化物所構成，且其厚度為10~35nm。
  8. 一種透明導電性薄膜積層體，其係在如請求項1至7中任一項之透明導電性薄膜之與透明導電膜成相反之面側，經由黏著劑層積層有玻璃基板而成。
  9. 一種透明導電性薄膜積層體，其係將請求項8之透明導電性薄膜積層體切割成210mm×260mm，使透明導電膜朝上面，於130℃加熱90分鐘後之四角部之平均卷曲值A與中央部之卷曲值B之差(A-B)為2.0mm以下。
  10. 一種觸控面板，其係使用如請求項8或9之透明導電性薄膜積層體而獲得。
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