TW201615347A - 切斷裝置及切斷方法 - Google Patents

切斷裝置及切斷方法 Download PDF

Info

Publication number
TW201615347A
TW201615347A TW104126197A TW104126197A TW201615347A TW 201615347 A TW201615347 A TW 201615347A TW 104126197 A TW104126197 A TW 104126197A TW 104126197 A TW104126197 A TW 104126197A TW 201615347 A TW201615347 A TW 201615347A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
cutting
cleaning
washing
cut
substrate
Prior art date
Application number
TW104126197A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI593002B (zh
Inventor
Hajime Watanabe
Yudai Takamori
Kanji Ishibashi
Original Assignee
Towa Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Towa Corp filed Critical Towa Corp
Publication of TW201615347A publication Critical patent/TW201615347A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI593002B publication Critical patent/TWI593002B/zh

Links

Abstract

在切斷裝置中,確實地去除附著在切斷後基板的表面上的污垢。 在切斷裝置中,在洗淨機構10設置擦洗機構12、噴洗機構13與乾燥機構14。擦洗機構12能夠驅動,並在擦洗機構12的前端部安裝海綿構件22。向海綿構件22供給洗淨水。使放置有切斷後基板9的切斷用工作台4在洗淨機構10的下方直線移動,藉由擦洗機構與噴洗機構洗淨切斷後基板。藉由包含洗淨水的海綿構件物理擦除附著在切斷後基板的表面上的切屑與樹脂渣等。藉由從噴洗機構13噴射出的洗淨水26去除切屑與樹脂渣等。藉由組合由擦洗機構進行的洗淨與由噴洗機構進行的洗淨,能夠實現有效的洗淨。

Description

切斷裝置及切斷方法
本發明係關於一種藉由切斷被切斷物來製造經單片化的複數個製品的切斷裝置及切斷方法。
將由印刷基板與引線框等構成的基板虛擬性地劃分為格子狀的複數個區域,並且在各個區域中安裝晶片狀的元件(例如,半導體晶片)之後,對基板整體進行樹脂封裝的基板稱作封裝完畢基板。封裝完畢基板具有基板側的表面與樹脂側的表面。藉由使用旋轉刃等的切斷機構而切斷封裝完畢基板,並按各個區域單位單片化而成的為製品。
習知以來,使用切斷裝置並藉由旋轉刃等切斷機構而切斷封裝完畢基板的規定區域。首先,將封裝完畢基板放置並吸附到切斷用工作台上。接著,對封裝完畢基板進行對準(對位)。藉由進行對準,設定用於劃分複數個區域的虛擬性的切斷線的位置。接著,使吸附封裝完畢基板後的切斷用工作台與切斷機構相對地移動。向封裝完畢基板的切斷部位噴射切削水,並且藉由切斷機構沿設定在封裝完畢基板上的切斷線切斷封裝完畢基板。藉由切斷封裝完畢基板而製造經單片化的製品。
作為樹脂封裝的技術,使用壓縮成型、傳遞成型等樹脂成型 技術。在對積體電路(IC,Integrated Circuit)等半導體進行樹脂封裝時,使用例如在熱硬化性的環氧樹脂中添加作為著色劑具有導電性的碳粒的樹脂材料。因此,使用添加碳粒的黑色的樹脂材料來樹脂封裝IC。另一方面,使用例如矽樹脂或環氧樹脂等具有熱硬化性且將光線透過的透明的液狀樹脂來樹脂封裝發光二極體(LED,Light Emitting Diode)等光半導體元件。因此,對LED來說,使透明樹脂的表面為沒有污垢與傷痕等的清潔的狀態,以不會妨礙光的透射很重要。
另外,近年來伴隨基板的大型化與薄膜化,切斷封裝完畢基板的距離變得非常長。如果切斷的距離長,則因切斷而產生的切屑與樹脂渣等的量增多,切屑與樹脂渣等易於沿切斷後基板(經單片化的複數個製品)的表面或切斷部附著。因此,去除附著到切斷後基板的表面或切斷部的切屑與樹脂渣等的污染(污染物),以使切斷後基板的表面為清潔的狀態很重要。
作為提高用於去除污染的力的切割裝置,提出有如下切割裝置:“一種切割裝置,具有:工件工作台,用於搭載工件且沿X方向加工進給,並且(略)旋轉θ;以及旋轉刀片,(略)沿Y方向轉位進給,藉由所述旋轉刀片進行工件的(略)切斷加工,在所述切割裝置中設置有用於將混入有高壓氣體的液體以大於工件直徑的寬度線狀地噴射的噴射構件,所述噴射構件在(略)工件的加工進給行程的一端中,被配置在能夠將所述液體噴射到工件上的位置”(例如,參照專利文獻1的第[0007]段及圖2至圖5)。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2006-073828號公報
然而,在專利文獻1中公開的現有的切割裝置中產生如下問題。如專利文獻1的圖2所示,作為高壓氣體A的經加壓的空氣等被供給到與噴射構件4相連的供給管5中,並且作為洗淨水B的純水或自來水被供給到供給管6中。噴射構件4為圓柱狀或方柱狀的外形,設置在其側面的複數個噴射口4A、4A、…直線狀地且以超過工件直徑的寬度朝向傾斜方向或正下方形成。
根據這種裝置的結構,由於從供給管6供給的洗淨水B藉由從供給管5供給的高壓氣體A而增加流速,從而去除殘留在工件上表面的污染的力增大,因此能夠去除現有的噴射構件無法去除的污染。然而,僅藉由噴射加入有高壓氣體的液體的洗淨,難以完全去除沿工件表面與加工槽附著的污染。特別是,在LED等光半導體元件中,強烈希望使其為沒有污垢與傷痕等的清潔的表面狀態。
本發明解決上述的問題,其目的在於提供一種能夠確實地去除切斷後基板的表面的污垢與異物等的切斷裝置及切斷方法。
為了解決上述的課題,本發明之切斷裝置具備:工作台,供放置被切斷物;切斷機構,用於切斷所述被切斷物;第一移動機構,用於 使所述工作台與所述切斷機構相對地移動;以及洗淨機構,用於洗淨集合體的至少一個表面,所述集合體被設置在所述工作台的上方且具有所述被切斷物經單片化而形成的複數個製品,其特徵在於,具備:擦洗機構,被設置於所述洗淨機構且相對於所述被切斷物相對地進退;洗淨構件,被設置於所述擦洗機構的下部;洗淨水供給機構,用於對所述洗淨構件供給洗淨水;以及第二移動機構,用於使所述工作台與所述洗淨機構相對地移動;藉由使所述擦洗機構與所述被切斷物靠近而使所述洗淨構件與所述一個表面接觸並使所述工作台與所述洗淨機構相對地移動,由此在所述洗淨構件中所包含的所述洗淨水被供給到所述一個表面上的狀態下洗淨一個表面。
本發明之切斷裝置具有如下態樣:所述洗淨構件至少具有所述集合體的寬度尺寸以上的長度。
另外,本發明之切斷裝置具有如下態樣:所述洗淨構件具有氨基甲酸乙酯海綿或PVA海綿。
另外,本發明之切斷裝置具有如下態樣:所述工作台與所述洗淨機構被相對地移動複數次。
另外,本發明之切斷裝置具有如下態樣:具備噴洗機構,所述噴洗機構被設置於所述洗淨機構且藉由朝向所述一個表面至少噴射液體而洗淨所述一個表面。
另外,本發明之切斷裝置具有如下態樣:所述噴洗機構具有用於將氣體與所述液體混合噴射的雙流體噴嘴。
另外,本發明之切斷裝置具有如下態樣:具備乾燥機構,所述乾燥機構被設置於所述洗淨機構且藉由朝向所述一個表面噴射氣體而使所述一個表面乾燥。
另外,本發明之切斷裝置具有如下態樣:所述被切斷物為封裝完畢基板。
另外,本發明之切斷裝置具有如下態樣:所述被切斷物為在分別對應所述複數個製品的複數個區域中內含功能元件的基板。
為了解決上述的課題,本發明之切斷方法包括:將被切斷物放置在工作台上的步驟;使用於切斷所述被切斷物的切斷機構與所述工作台相對地移動的步驟;形成集合體的步驟,所述集合體具有藉由使用所述切斷機構來切斷所述被切斷物而單片化的複數個製品;以及藉由設置在所述工作台的上方的洗淨機構洗淨所述集合體的至少一個表面的步驟,其特徵在於,洗淨所述一個表面的步驟包括:使設置在所述洗淨機構的擦洗機構與所述工作台相對地移動的步驟;對設置在所述擦洗機構的下部的洗淨構件供給洗淨水的步驟;藉由使所述洗淨構件靠近所述被切斷物而使所述洗淨構件與所述一個表面接觸的步驟;以及在使所述洗淨構件與所述一個表面接觸的狀態下使所述洗淨構件與所述工作台相對地移動的步驟;在使所述洗淨構件與所述工作台相對地移動的步驟中,藉由將所述洗 淨構件中所包含的所述洗淨水供給到所述一個表面上來洗淨所述一個表面。
另外,本發明之切斷方法具有如下態樣:所述洗淨構件至少具有所述集合體的寬度尺寸以上的長度。
另外,本發明之切斷方法具有如下態樣:所述洗淨構件具有氨基甲酸乙酯海綿或PVA海綿。
另外,本發明之切斷方法具有如下態樣:在使所述洗淨構件與所述工作台相對地移動的步驟中,使所述洗淨機構與所述工作台相對地移動複數次。
另外,本發明之切斷方法具有如下態樣:進一步包括藉由從設置在所述洗淨機構的噴洗機構朝向所述一個表面至少噴射液體,從而使用所述液體來洗淨所述一個表面的步驟。
另外,本發明之切斷方法具有如下態樣:在使用所述液體來洗淨所述一個表面的步驟中,從所述噴洗機構朝向所述一個表面混合噴射氣體與所述液體。
另外,本發明之切斷方法具有如下態樣:進一步包括藉由從設置在所述洗淨機構的乾燥機構朝向所述一個表面噴射氣體而使所述一個表面乾燥的步驟。
另外,本發明之切斷方法具有如下態樣:所述被切斷物為封裝完畢基板。
另外,本發明之切斷方法具有如下態樣:所述被切斷物為在分別對應所述複數個製品的複數個區域中內含功能 元件的基板。
根據本發明,在切斷裝置中具備:工作台,供放置被切斷物;切斷機構,用於切斷所述被切斷物;第一移動機構,用於使工作台與切斷機構相對地移動;以及洗淨機構,用於洗淨集合體的至少一個表面,該集合體被設置在工作台的上方且具有所述被切斷物經單片化而形成的複數個製品。在洗淨機構中具備:擦洗機構,相對於被切斷物相對地進退;洗淨構件,被設置在擦洗機構的下部;洗淨水供給機構,用於對洗淨構件供給洗淨水;以及第二移動機構,用於使工作台與洗淨機構相對地移動。藉由使擦洗機構靠近被切斷物來使洗淨構件與一個表面接觸並使工作台與洗淨機構相對地移動。藉由由洗淨構件進行的物理性的洗淨能夠確實地去除一個表面上的污垢與異物等,能夠使經單片化的複數個製品的表面為無污染的清潔的狀態。
1‧‧‧切斷裝置
2‧‧‧基板供給機構
3‧‧‧封裝完畢基板(被切斷物)
4‧‧‧切斷用工作台(工作台)
5‧‧‧移動機構(第一移動機構、第二移動機構)
6‧‧‧旋轉機構(第一移動機構、第二移動機構)
7A、7B‧‧‧心軸
8A、8B‧‧‧旋轉刃(切斷手段)
9‧‧‧切斷後基板(具有複數個區域的集合體)
10‧‧‧洗淨機構
11‧‧‧洗淨機構
12‧‧‧擦洗機構
13、13A、13B‧‧‧噴洗機構
14‧‧‧乾燥機構
15‧‧‧洗淨輥
16‧‧‧檢查用載台
17‧‧‧檢查用照相機
18‧‧‧轉位台
19‧‧‧移送機構
20‧‧‧良品用托盤
21‧‧‧不良品用托盤
22‧‧‧海綿構件(洗淨構件)
23‧‧‧洗淨水供給機構
24‧‧‧洗淨水
25‧‧‧洗淨水供給通道
26、26A、26B‧‧‧洗淨水(液體)
27‧‧‧氣體
28‧‧‧海綿構件(洗淨構件)
29‧‧‧噴射孔
30‧‧‧供給孔
A‧‧‧基板供給單元
B‧‧‧基板切斷單元
C‧‧‧檢查單元
D‧‧‧收容單元
P‧‧‧製品
CTL‧‧‧控制部
G1、G2、G3、G4‧‧‧由複數個製品的列構成的集合體
S1‧‧‧待機位置
S2‧‧‧洗淨位置
S3‧‧‧停止位置
圖1是表示在本發明之切斷裝置的實施例1中切斷裝置的大致結構的俯視圖。
圖2的(a)至(c)是分別表示圖1所示的切斷裝置中的洗淨機構的態樣的概略剖面圖。
圖3是表示藉由圖2的(a)所示的洗淨機構洗淨切斷後基板的狀態的概觀圖,圖3的(a)是概要俯視圖,圖3的(b)是概略剖面圖。
圖4的(a)至(d)是表示在本發明之切斷裝置的實施例2中,使用擦洗機構與噴洗機構沿一個方向洗淨切斷後基板的過程的概略剖面圖。
圖5的(a)至(d)是表示在實施例2中,使用擦洗機構與噴洗機構沿與一個方向相反的方向洗淨切斷後基板的過程的概略剖面圖。
圖6的(a)至(d)是表示在本發明之切斷裝置的實施例3中,使用擦洗機構沿一個方向與與一個方向相反的方向洗淨切斷後基板的過程的概略剖面圖。
圖7的(a)至(d)是表示在實施例3中,使用噴洗機構沿一個方向與與一個方向相反的方向洗淨切斷後基板的過程的概略剖面圖。
圖8的(a)至(d)是表示在本發明之切斷裝置的實施例4中,使用複數個噴洗機構與擦洗機構沿一個方向與與一個方向相反的方向洗淨切斷後基板的過程的概略剖面圖。
如圖3所示,在切斷裝置中,在洗淨機構10設置擦洗機構12、噴洗機構13與乾燥機構14。擦洗機構12能夠沿上下驅動,並在擦洗機構12的前端部安裝海綿構件22。從洗淨水供給機構經由洗淨水供給通道向海綿構件22供給洗淨水。使放置有切斷後基板9的切斷用工作台4在洗淨機構10的下方直線移動,以藉由擦洗機構12與噴洗機構13而洗淨切斷後基板9的表面。藉由包含洗淨水的海綿構件22物理擦除附著或粘著在切斷後基板9的表面上的切屑與樹脂渣等。藉由從噴洗機構13噴射出的洗淨水26而去除切屑與樹脂渣等。藉由組合由擦洗機構12進行的物理性的洗淨 與由噴洗機構13進行的液體洗淨,能夠進行有效的洗淨。因此,能夠使經單片化的複數個製品P的表面為無污染的清潔的狀態。
(實施例1)
參照圖1至圖3,對本發明之切斷裝置的實施例1進行說明。對本申請檔中的任一張圖,為了易於理解均進行適當省略或誇張以示意性地描繪。對於相同的結構要素使用相同的附圖標記,並適當省略說明。
如圖1所示,切斷裝置1為使被切斷物單片化為複數個製品的裝置。切斷裝置1具備分別作為結構要素的基板供給單元A、基板切斷單元B、檢查單元C與收容單元D。相對於其它結構要素,各結構要素(各單元A至D)分別能夠裝卸且能夠交換。
在基板供給單元A設置有基板供給機構2。相當於被切斷物的封裝完畢基板3從基板供給機構2搬出,並藉由移送機構(未圖示)被移送到基板切斷單元B中。封裝完畢基板3具有使基板側的表面朝上地移送的情況與使樹脂側的表面朝上地移送的情況。例如,使基板側的表面朝上地移送球柵陣列封裝(BGA,Ball Grid Array Package)方式的封裝完畢基板。另一方面,使樹脂側的表面朝上地移送如LED那樣藉由使用透明的樹脂材料而樹脂封裝的封裝完畢基板的情況較多。在圖1中,對切斷LED經樹脂封裝而成的封裝完畢基板3的情況進行說明。因此,使樹脂側的表面朝上地移送封裝完畢基板3。
圖1所示的切斷裝置1為單工位元台方式的切斷裝置。因此,在基板切斷單元B設置有一個切斷用工作台4。切斷用工作台4能夠藉 由移動機構5沿圖中的Y方向移動,並且能夠藉由旋轉機構6沿θ方向轉動。在切斷用工作台4上放置並吸附有封裝完畢基板3。此外,對分別具有細長列狀的形狀的、內含複數個接觸式圖像感測器(Contact Image Sensor)、複數個熱敏列印頭(Thermal Print Head)等的陶瓷基板(ceramic substrate)與印刷基板(printed wiring board)等進行單片化時,也可以省略旋轉機構6。
在基板切斷單元B設置有作為切斷手段的兩個心軸7A、7B。切斷裝置1為設置有兩個心軸7A、7B的雙心軸結構的切斷裝置。兩個心軸7A、7B能夠獨立地沿X方向移動。在兩個心軸7A、7B上分別設置有旋轉刃8A、8B。藉由這些旋轉刃8A、8B分別在包括Y方向與Z方向的面內進行旋轉而切斷封裝完畢基板3。
在各心軸7A、7B上設置有例如朝向被加工點噴射切削水以抑制因高速旋轉的旋轉刃8A、8B而產生的摩擦熱的切削水供給用噴嘴(未圖示)。藉由使切斷用工作台4與心軸7A、7B相對地移動而切斷封裝完畢基板3。在圖1中,示出了藉由固定心軸7A、7B並使切斷用工作台4沿Y方向移動而切斷封裝完畢基板3的情況。
在基板切斷單元B設置有用於洗淨由切斷封裝完畢基板3來經單片化的複數個製品P構成的集合體即切斷後基板9的一個表面(在圖1中樹脂側的表面)的洗淨機構10與用於洗淨另一個表面(在圖1中基板側的表面)的洗淨機構11。
在洗淨機構10中一體地設置有擦洗機構12、噴洗機構13與乾燥機構14。切斷用工作台4藉由移動機構5在洗淨機構10的下方沿Y方向直線往復移動。藉由切斷用工作台4在洗淨機構10的下方直線往復移 動,由此利用擦洗機構12或噴洗機構13洗淨切斷後基板9的樹脂側的表面(被洗淨表面),並利用乾燥機構14進行乾燥。具有擦洗機構12、噴洗機構13與乾燥機構14的洗淨機構10一體地移動。
在洗淨機構11中設置有能夠以Y方向為軸旋轉的洗淨輥15。在洗淨基板側的表面的洗淨機構11的上方配置有切斷後基板9。藉由運送機構(未圖示)吸附並固定切斷後基板9的樹脂側的表面。換言之,切斷後基板9使基板側的表面朝下地被固定於運送機構。運送機構能夠沿X方向或Z方向移動。藉由運送機構下降並沿X方向往復移動,從而利用洗淨輥15洗淨切斷後基板9的基板側的表面。
在檢查單元C設置有檢查用載台16。切斷後基板9被移栽在檢查用載台16上。檢查用載台16被構成為能夠沿X方向移動,並且能夠以Y方向為軸旋轉。經單片化的複數個製品P藉由檢查用照相機17檢查樹脂側的表面與基板側的表面,並且被篩選為良品與不良品。已檢查的切斷後基板9被移栽在轉位台18上。在檢查單元C設置有用於向托盤移送被配置在轉位元台18上的複數個製品P的複數個移送機構19。
在收容單元D設置有用於收容良品的良品用托盤20與用於收容不良品的不良品用托盤21。被篩選為良品與不良品的製品P藉由移送機構19被收容到各托盤20、21中。在圖1中,僅表示了一個各托盤20、21,但在複數個收容單元D內可設置各托盤20、21。
此外,在本實施例中,將藉由設定切斷裝置1的動作與切斷條件、洗淨條件等來進行控制的控制部CTL設置在基板供給單元A內。不限於此,還可以將控制部CTL設置在其它單元內。
如圖2的(a)所示,洗淨機構10一體地具備擦洗機構12、噴洗機構13與乾燥機構14。擦洗機構12能夠藉由驅動機構(未圖示)沿上下驅動。在擦洗機構12的前端部安裝有作為洗淨構件的塊狀的海綿構件22。在洗淨機構10中設置有用於從洗淨水供給機構23向海綿構件22的根部(在圖2的(a)中為上部)直接供給洗淨水24(在圖2的(a)中用虛線箭頭表示)的洗淨水供給通道25。洗淨水供給通道25設置有一個或複數個。較佳地,遍及海綿構件22的長度方向(X方向)的整體,洗淨水供給通道25大量供給洗淨水24。
使擦洗機構12從洗淨機構10的規定位置下降,從而使大量包含洗淨水24的海綿構件22與切斷後基板9(參照圖1)的表面接觸。具體而言,在大量供給的洗淨水24從海綿構件22的前端部(在圖2的(a)中為下部)的表面擠壓出的狀態下,使海綿構件22與切斷後基板9(參照圖1)的表面接觸。由此,洗淨切斷後基板9的表面。作為海綿構件22,較佳使用具有優異的吸水能力及保水性與小的氣孔直徑的氨基甲酸乙酯海綿或PVA(聚乙烯醇,polyvinyl alcohol)海綿。
噴洗機構13為由被固定於洗淨機構10的單流體或雙流體構成的噴嘴。在單流體噴嘴的情況下,從噴嘴的前端朝向切斷後基板9噴射洗淨水26。作為洗淨水26,較佳使用純水、碳酸水與臭氧水等。在雙流體噴嘴的情況下,壓縮空氣或氮氣等氣體被供給到洗淨水26中。混合有氣體的洗淨水26成為微細的霧狀粒子並朝向切斷後基板9噴射。另外,還可以藉由在從噴洗機構13噴射出的洗淨水26中施加超聲波來進行噴射。
乾燥機構14為被固定於洗淨機構10的乾燥機構。藉由從乾 燥機構14朝向切斷後基板9吹拂壓縮空氣或氮氣等氣體27,從而使切斷後基板9的表面乾燥。
此外,各個擦洗機構12(特別是海綿構件22)、噴洗機構13與乾燥機構14具有使由沿切斷後基板9的寬度方向排列的複數個製品P構成的集合體一併洗淨或乾燥的長度即可。在圖1與圖2中,該長度為沿X方向的長度。上述的寬度方向可以是切斷後基板9的長度方向或寬度方向中的任一方向。較佳各個擦洗機構12(特別是海綿構件22)、噴洗機構13與乾燥機構14具有使由沿切斷後基板9的長度方向排列的複數個製品P構成的集合體一併洗淨或乾燥的長度。
在圖2的(b)中示出了洗淨機構10的變型例。與圖2的(a)的不同之處在於,使用能夠以X方向為軸旋轉的輥狀的海綿構件28,來作為擦洗機構12中的海綿構件。與圖2的(a)相同,在洗淨機構10中設置有用於向海綿構件28供給洗淨水24的洗淨水供給通道25。使海綿構件28旋轉的同時,使大量包含洗淨水24的海綿構件28與切斷後基板9的表面接觸。由此,從海綿構件28擠壓出的洗淨水24洗淨切斷後基板9的表面。也可以藉由使軸旋轉驅動而使海綿構件28旋轉。還可以藉由與海綿構件28接觸的切斷後基板9以軸為從動軸移動而使海綿構件28旋轉。
在圖2的(c)中示出了洗淨機構10的另一變型例。與圖2的(a)、(b)的不同之處在於,在洗淨機構10中,設置有兩個噴洗機構13A、13B。在兩個噴洗機構13A、13B之間設置有擦洗機構12。與圖2的(a)相同,作為噴洗機構13A、13B使用單流體噴嘴或雙流體噴嘴。
如圖3的(a)、(b)所示,由切斷封裝完畢基板3來經單片 化的複數個製品P構成的切斷後基板9被放置在切斷用工作台4上。較佳將切斷後基板9的長度方向與擦洗機構12、噴洗機構13及乾燥機構14分別延伸的方向對準為相同的方向(在圖中為X方向)。切斷後基板9在長度方向上具有十個製品P、在寬度方向上具有四個製品P。在切斷後基板9中,將由沿長度方向排列的十個製品P的列構成的集合體從靠近洗淨機構10的一側(在圖中為左側)依次分別稱為集合體G1、G2、G3、G4。因此,切斷後基板9由集合體G1、G2、G3、G4構成,所述集合體由複數個製品P構成。當切斷用工作台4通過洗淨機構10的下方時,分別藉由擦洗機構12、噴洗機構13與乾燥機構14中的任一機構洗淨或乾燥作為一個整體的集合體G1、G2、G3、G4。
在洗淨機構10中,在擦洗機構12中安裝有具有沿X方向與集合體G1、G2、G3、G4接觸的長度的塊狀的海綿構件22。在噴洗機構13中設置有複數個朝向下方(-Z方向)或斜下方噴射洗淨水28的噴射孔29,該噴射孔29沿X方向均等地分離配置。在乾燥機構14中設置有複數個例如將由壓縮空氣構成的氣體27供給到下方(-Z方向)的供給孔30,該供給孔30沿X方向均等地分離配置。因此,切斷用工作台4通過洗淨機構10的下方,由此能夠使被放置在切斷用工作台4上的切斷後基板9(集合體G1、G2、G3、G4)均等地洗淨及乾燥。
參照圖3的(a)、(b),對藉由洗淨機構10洗淨切斷後基板9的表面(在圖中為上表面)的動作進行說明。使用移動機構5,使切斷用工作台4在作為Y方向的規定位置的待機位置S1、洗淨位置S2與停止位置S3之間往復移動。首先,在洗淨機構10中,經由洗淨水供給通道25(參照 圖2)向安裝在擦洗機構12上的海綿構件22供給洗淨水24。接著,使擦洗機構12從洗淨機構10的規定位置下降,並使擦洗機構12(海綿構件22)停止在能夠洗淨切斷後基板9的表面的位置。接著,使切斷用工作台4從待機位置S1朝向洗淨位置S2沿-Y方向移動。在洗淨位置S2中,使放置在切斷用工作台4上的切斷後基板9與包含洗淨水24的海綿構件22接觸。
在使包含洗淨水24的海綿構件22與切斷後基板9接觸的狀態下,使切斷用工作台4沿-Y方向(換言之直線)移動。由此,在從海綿構件22的表面朝向切斷後基板9的表面中的待洗淨的部分直接供給洗淨水24的狀態下,藉由物理性的力擦拭切斷後基板9的表面。換言之,在朝向切斷後基板9的表面中的海綿構件22所接觸的部分直接供給從海綿構件22的表面擠壓出的洗淨水24的狀態下,海綿構件22藉由物理性的力擦拭切斷後基板9的表面(關於這一點,在其它實施例中也相同)。因此,能夠擦除附著或粘著在切斷後基板9的表面上的切屑與樹脂渣等。
接著,藉由從海綿構件22的表面擠壓出的洗淨水24與從噴洗機構13噴射出的洗淨水26去除被海綿構件22擦除的切屑與樹脂渣等。在洗淨機構10中,藉由組合由擦洗機構12進行的物理性的洗淨與由噴洗機構13進行的流體洗淨,能夠有效地去除附著或粘著在切斷後基板9的表面上的切屑與樹脂渣等污染。藉由使用從噴洗機構13噴射出的洗淨水26,能夠更有效地去除污染。另外,由於海綿構件22中使用的氨基甲酸乙酯海綿或PVA海綿在供水後的狀態下柔軟性與彈力性優異,因此在擦拭切斷後基板9的表面時能夠防止損傷其表面。
在洗淨位置S2中洗淨切斷後基板9之後,使切斷用工作台 4進一步沿-Y方向移動並停止在停止位置S3。停止由噴洗機構13進行的洗淨水26的噴射。使擦洗機構12上升,並與擦洗時的位置相比停止在規定的待機位置。藉由目前為止的步驟,完成一次洗淨。由目前為止的步驟進行的洗淨為使切斷後基板9沿-Y方向僅直線移動一次的單程的洗淨。
接著,將切斷用工作台4從停止位置S3返回到待機位置S1。還可以反復進行複數次包括由擦洗機構12進行的洗淨與由噴洗機構13進行的洗淨的單程的洗淨。在藉由由擦洗機構12進行的洗淨或由噴洗機構13進行的洗淨而洗淨完切斷後基板9之後,藉由乾燥機構14使切斷後基板9的表面乾燥。關於藉由乾燥機構14使洗淨完的切斷後基板9的表面乾燥的步驟,在其它實施例中也相同。
根據本實施例,在切斷裝置1中,在洗淨機構10中設置擦洗機構12、噴洗機構13與乾燥機構14。擦洗機構12能夠沿上下驅動,並在擦洗機構12的前端部安裝海綿構件22來作為洗淨構件。從洗淨水供給機構23(參照圖2的(a))經由洗淨水供給通道25,向海綿構件22供給洗淨水24。使放置有由經單片化的複數個製品P構成的切斷後基板9的切斷用工作台4在洗淨機構10的下方直線移動,以藉由擦洗機構12與噴洗機構13洗淨切斷後基板9的表面。藉由包含洗淨水24的海綿構件22物理擦除附著或粘著在切斷後基板9的表面上的切屑與樹脂渣等。除了從海綿構件22的表面擠壓出的洗淨水24之外,藉由從噴洗機構13噴射出的洗淨水26,去除被擦除的切屑與樹脂渣等。藉由組合由擦洗機構12進行的物理性的洗淨與由噴洗機構13進行的液體洗淨,能夠進行有效的洗淨。因此,能夠使經單片化的複數個製品P的表面為無污染的清潔的狀態,從而能夠提高製 品的品質。另外,由於藉由包含洗淨水24且柔軟並具有彈力性的海綿構件22洗淨切斷後基板9的表面,因此在擦拭複數個製品P的表面時能夠防止損傷這些表面。
另外,根據本實施例,藉由組合由擦洗機構12進行的物理性的洗淨與由噴洗機構13進行的流體洗淨的複合洗淨,能夠確實地去除以往難以去除的、粘著在切斷後基板9的表面上的污染。因此,能夠廢止或削減如下操作:與藉由用於降低污染的以往所進行的切斷而得到的製品(IC製品或LED製品等)吻合地變更切斷條件或洗淨水的流量等。因此,第一、在本實施例之切斷裝置1中,藉由使用洗淨機構10,能夠提高生產效率。第二、由於在相同的洗淨機構中進行洗淨步驟與乾燥步驟,因此能夠提高生產效率。此外,第三、由於能夠確實地去除污染,因此能夠提高製品的品質。關於這三種效果,在其它實施例中也相同。
(實施例2)
參照圖4至圖5,對本發明之切斷裝置的實施例2進行說明。如圖4的(a)所示,切斷後基板9具有由複數個製品P的列構成的集合體G1、G2、G3、G4(參照圖3的(a))。在待機位置S1中,從靠近洗淨位置S2的位置起依次排列集合體G1、G2、G3、G4。首先,在洗淨機構10中,向海綿構件22供給洗淨水24(參照圖2的(a))。使擦洗機構12下降至規定位置。使切斷用工作台4從待機位置S1朝向洗淨位置S2沿-Y方向移動。
接著,如圖4的(b)所示,使放置在切斷用工作台4上的切斷後基板9中的、左端的集合體G1與海綿構件22接觸。使切斷用工作 台4進一步沿-Y方向直線移動,藉由包含洗淨水24的海綿構件22從圖4的(b)中的左側朝向右側物理擦拭集合體G1的表面。由此,沿著從集合體G1朝向集合體G4的方向擦除附著在集合體G1的表面上的切屑與樹脂渣等。開始由噴洗機構13進行的洗淨水26的噴射。
接著,如圖4的(c)所示,在洗淨位置S2中,使切斷用工作台4進一步沿-Y方向直線移動。藉由包含洗淨水24的海綿構件22,沿著從集合體G1朝向集合體G4的方向依次擦拭集合體G2、G3、G4的表面。與此並行地,從集合體G1依次開始由噴洗機構13進行的洗淨。藉由從噴洗機構13噴射出的洗淨水26去除被海綿構件22擦除的切屑與樹脂渣等。因此,按集合體G1、G2、G3、G4的順序,藉由擦洗機構12與噴洗機構13連續洗淨被放置在切斷用工作台4上的切斷後基板9。
接著,如圖4的(d)所示,使切斷用工作台4停止在停止位置S3。停止由噴洗機構13進行的洗淨水26的噴射。使擦洗機構12上升,並停止在與擦洗時的位置相比更上方的規定的待機位置。將切斷用工作台4從停止位置S3返回到待機位置S1。
接著,如圖5的(a)所示,在待機位置S1中,使用旋轉機構6使切斷用工作台4旋轉180度。由此,切斷後基板9從靠近洗淨位置S2的位置起按集合體G4、G3、G2、G1的順序排列。在洗淨機構10中,向海綿構件22供給洗淨水24。使擦洗機構12下降至規定位置。之後,使切斷用工作台4從待機位置S1朝向洗淨位置S2沿-Y方向移動。
接著,如圖5的(b)所示,使放置在切斷用工作台4上的切斷後基板9中的、左端的集合體G4與海綿構件22接觸。使切斷用工作 台4進一步沿-Y方向直線移動,藉由包含洗淨水24的海綿構件22從圖5的(b)中的左側朝向右側物理擦拭集合體G4的表面。由此,沿與圖4所示的方向180度不同的方向擦除附著在集合體G4的表面上的切屑與樹脂渣等。換言之,沿著從集合體G4朝向集合體G1的方向擦除附著在集合體G4的表面上的切屑與樹脂渣等。開始由噴洗機構13進行的洗淨水26的噴射。
接著,如圖5的(c)所示,在洗淨位置S2中,使切斷用工作台4進一步沿-Y方向直線移動。藉由包含洗淨水24的海綿構件22,沿著從集合體G4朝向集合體G1的方向依次擦拭集合體G3、G2、G1的表面。與此並行地,從集合體G4依次開始由噴洗機構13進行的洗淨。藉由從噴洗機構13噴射出的洗淨水26去除被海綿構件22擦除的切屑與樹脂渣等。因此,按集合體G4、G3、G2、G1的順序,藉由擦洗機構12與噴洗機構13連續洗淨被放置在切斷用工作台4上的切斷後基板9。藉由圖5所示的步驟,能夠去除在圖4所示的步驟中無法去除的切屑等(例如,附著在圖4中的集合體G4的右上角(圖5中的集合體G4的左上角)上的切屑等)。
接著,如圖5的(d)所示,使切斷用工作台4停止在停止位置S3。停止由噴洗機構13進行的洗淨水26的噴射。使擦洗機構12上升,並停止在洗淨機構10的規定位置。將切斷用工作台4從停止位置S3返回到待機位置S1。在待機位置S1中,使用旋轉機構6使切斷用工作台4旋轉180度。由此,將放置在切斷用工作台4上的切斷後基板9再次從靠近洗淨位置S2的位置起按集合體G1、G2、G3、G4的順序排列。藉由目前為止的步驟,完成一次往復洗淨。也可以藉由一次往復洗淨完成洗淨。還可以複數次往復地反復進行同樣的洗淨。
根據本實施例,在切斷裝置1中,首先按集合體G1、G2、G3、G4的順序,藉由擦洗機構12與噴洗機構13連續洗淨被放置在切斷用工作台4上的切斷後基板9。藉由包含洗淨水24的海綿構件22擦拭切斷後基板9的表面,以擦除附著在表面上的切屑與樹脂渣等。藉由由噴洗機構13進行的洗淨,去除被擦除的切屑與樹脂渣等。此外,使切斷用工作台4旋轉180度,按集合體G4、G3、G2、G1的順序,藉由擦洗機構12與噴洗機構13連續洗淨。藉由沿作為相反方向的兩個方向直線性地分別洗淨切斷後基板9,能夠確實地去除牢固地附著在切斷部的周邊等的切屑與樹脂渣等。藉由一次往復或複數次往復進行這種洗淨,能夠使經單片化的複數個製品P的表面為無污染的清潔的狀態。
(實施例3)
參照圖6至圖7,對本發明之切斷裝置的實施例3進行說明。如圖6的(a)所示,與實施例2相同,在待機位置S1中,從靠近洗淨位置S2的位置起依次排列集合體G1、G2、G3、G4。首先,向海綿構件22供給洗淨水24。使擦洗機構12下降至規定位置。使切斷用工作台4從待機位置S1朝向洗淨位置S2沿-Y方向移動。
接著,如圖6的(b)所示,使放置在切斷用工作台4上的切斷後基板9中的、左端的集合體G1與海綿構件22接觸。使切斷用工作台4進一步沿-Y方向直線移動,藉由包含洗淨水24的海綿構件22從圖6的(b)中的左側朝向右側物理擦拭集合體G1的表面。由此,沿著從集合體G1朝向集合體G4的方向擦除附著在集合體G1的表面上的切屑與樹脂 渣等。接著,藉由包含洗淨水24的海綿構件22按集合體G2、G3、G4的順序進行洗淨。在這種情況下,不進行由噴洗機構13進行的洗淨,使切斷用工作台4進一步沿-Y方向移動,並停止在停止位置S3。
接著,如圖6的(c)所示,這次使切斷用工作台4從停止位置S3朝向洗淨位置S2沿+Y方向直線移動。在洗淨位置S2中,不進行由噴洗機構13進行的洗淨,藉由包含洗淨水24的海綿構件22按集合體G4、G3、G2、G1的順序進行洗淨。換言之,沿與圖6的(b)所示的方向180度不同的方向(從集合體G4朝向集合體G1的方向)擦除附著在集合體G4、G3、G2、G1的表面上的切屑與樹脂渣等。
接著,如圖6的(d)所示,使切斷用工作台4進一步沿+Y方向移動,並停止在待機位置S1。使擦洗機構12上升,並停止在與擦洗時的位置相比更上方的規定的待機位置。藉由目前為止的步驟,完成由擦洗機構12進行的一次往復洗淨。也可以藉由一次往復洗淨完成由擦洗機構12進行的洗淨。還可以複數次往復地反復進行這種由擦洗機構12進行的洗淨。
如圖7的(a)所示,在結束由擦洗機構12進行的洗淨之後,切斷後基板9從靠近洗淨位置S2的位置起按集合體G1、G2、G3、G4的順序直接排列。接著,在將擦洗機構12保持在上方的待機位置的狀態下,使切斷用工作台4從待機位置S1朝向洗淨位置S2沿-Y方向移動。
接著,如圖7的(b)所示,開始由噴洗機構13進行的洗淨水26的噴射。使切斷用工作台4進一步沿-Y方向直線移動,藉由從噴洗機構13噴射出的洗淨水26按集合體G1、G2、G3、G4的順序進行洗淨。藉由由該噴洗機構13進行的洗淨,去除被擦洗機構12擦除的切屑與樹脂渣 等。使切斷用工作台4進一步沿-Y方向移動,並停止在停止位置S3。
接著,如圖7的(c)所示,使切斷用工作台4從停止位置S3朝向洗淨位置S2沿+Y方向移動。在洗淨位置S2中,藉由從噴洗機構13噴射出的洗淨水26按集合體G4、G3、G2、G1的順序進行洗淨。藉由由噴洗機構13進行的洗淨,去除被擦洗機構12擦除的切屑與樹脂渣等。
接著,如圖7的(d)所示,使切斷用工作台4沿+Y方向移動,並停止在待機位置S1。停止由噴洗機構13進行的洗淨水26的噴射。藉由目前為止的步驟,完成由噴洗機構13進行的一次往復洗淨。也可以藉由一次往復洗淨完成由噴洗機構13進行的洗淨。還可以複數次往復地反復進行由噴洗機構13進行的同樣的洗淨。
根據本實施例,在切斷裝置1中,藉由使切斷用工作台4從待機位置S1向停止位置S3移動,從而首先按集合體G1、G2、G3、G4的順序,藉由擦洗機構12洗淨切斷後基板9。接著,藉由使切斷用工作台4從停止位置S3向待機位置S1移動,從而按集合體G4、G3、G2、G1的順序,藉由擦洗機構12洗淨切斷後基板9。沿相反方向的兩個方向分別一次往復或複數次往復進行由擦洗機構12進行的洗淨。由此,能夠確實地擦除牢固地附著在切斷部的周邊等的切屑與樹脂渣等。在由擦洗機構12進行的洗淨結束之後,一次往復或複數次往復進行由噴洗機構13進行的洗淨。藉由由噴洗機構13進行的洗淨,去除藉由由擦洗機構12進行的洗淨被擦除的切屑與樹脂渣等。藉由進行這種洗淨,能夠使經單片化的複數個製品P的表面為無污染的清潔的狀態。
(實施例4)
參照圖8,對本發明之切斷裝置的實施例4進行說明。與實施例1至3的不同之處在於,如圖2的(c)所示,在洗淨機構10中設置有兩個噴洗機構13A、13B,並且在噴洗機構13A、13B之間設置有擦洗機構12。如圖8的(a)所示,在待機位置S1中,放置在切斷用工作台4上的切斷後基板9從靠近洗淨位置S2的位置起按集合體G1、G2、G3、G4的順序排列。首先,向海綿構件22供給洗淨水24。使擦洗機構12下降至規定位置。使切斷用工作台4從待機位置S1朝向洗淨位置S2沿-Y方向移動。
接著,如圖8的(b)所示,從噴洗機構13A、13B噴射洗淨水26A、26B。在洗淨位置S2中,首先按噴洗機構13A、擦洗機構12、噴洗機構13B的順序洗淨被放置在切斷用工作台4上的切斷後基板9中的集合體G1。此外,使切斷用工作台4沿-Y方向直線移動,分別藉由噴洗機構13A、擦洗機構12、噴洗機構13B依次洗淨集合體G2、G3、G4。使切斷用工作台4進一步沿-Y方向移動,並停止在停止位置S3。
接著,如圖8的(c)所示,這次使切斷用工作台4從停止位置S3朝向洗淨位置S2沿+Y方向移動。在洗淨位置S2中,按噴洗機構13B、擦洗機構12、噴洗機構13A的順序,沿與圖8的(b)所示的方向180度不同的方向洗淨集合體G4。使切斷用工作台4進一步沿+Y方向直線移動,按噴洗機構13B、擦洗機構12、噴洗機構13A的順序,沿與圖8的(b)所示的方向180度不同的方向依次洗淨集合體G3、G2、G1。
接著,如圖8的(d)所示,使切斷用工作台4進一步沿+Y方向移動,並停止在待機位置S1。停止由噴洗機構13A、13B進行的洗淨 水26A、26B的噴射。使擦洗機構12上升,並停止在上方的規定的待機位置。藉由目前為止的步驟,完成一次往復洗淨。也可以複數次往復地反復進行同樣的洗淨。
根據本實施例,在切斷裝置1中,在洗淨機構10中設置有兩個噴洗機構13A、13B,並且在它們之間設置有擦洗機構12。在切斷裝置1中,使切斷用工作台4從待機位置S1向停止位置S3以及從停止位置S3向待機位置S1直線往復移動,沿180度不同的兩個方向洗淨切斷後基板9。不論沿哪個方向直線移動時,也按噴洗機構、擦洗機構、噴洗機構的順序洗淨切斷後基板9。因此,能夠藉由噴洗機構13A、13B中的任一機構去除藉由由擦洗機構12進行的洗淨被擦除的切屑與樹脂渣等。藉由進行這種洗淨,能夠使經單片化的複數個製品P的表面為無污染的清潔的狀態。
此外,在各實施例中,能夠藉由將使切斷用工作台4移動的速度、使切斷用工作台4藉由洗淨機構10的下方的次數、向安裝在擦洗機構12中的海綿構件22供給的洗淨水24的流量與從噴洗機構13噴射出的洗淨水26的流量等設定為最佳,來洗淨切斷後基板9。
在各實施例中,將切斷用工作台4的長度方向、換言之切斷後基板9的長度方向配置為與設置在洗淨機構10中的擦洗機構12、噴洗機構13與乾燥機構14分別延伸的方向(X方向)平行。不限於此,也可以將切斷用工作台4的寬度方向、換言之切斷後基板9的寬度方向配置為與擦洗機構12、噴洗機構13與乾燥機構14分別延伸的方向(X方向)平行。
另外,在各實施例中,示出了藉由使切斷用工作台9往復移動而沿一個方向或兩個方向洗淨切斷後基板9的情況。不限於此,還可以 使切斷用工作台4旋轉90度,沿相互正交的四個方向直線性地分別洗淨切斷後基板9。藉由進行這種洗淨,能夠使經單片化的複數個製品P的表面為無污染的、更清潔的狀態。
另外,在各實施例中,示出了藉由在擦洗機構12的前端安裝塊狀的海綿構件22來洗淨切斷後基板9的情況。不限於此,還可以藉由在擦洗機構12安裝如圖2的(b)所示的輥狀的海綿構件28來洗淨切斷後基板9。
另外,在各實施例中,對洗淨機構10一體地具備擦洗機構12、噴洗機構13與乾燥機構14的例進行了說明。不限於此,第一、還可以分別設置擦洗機構12、噴洗機構13與乾燥機構14這三個結構要素。在這種情況下,較佳使擦洗機構12與噴洗機構13一體地移動。第二、還可以一體地設置三個結構要素中的兩個結構要素,並另行設置其它結構要素。在這種情況下,較佳一體地設置擦洗機構12與噴洗機構13。
另外,在各實施例中,對切斷用工作台4藉由通用的移動機構5在洗淨機構10的下方沿Y方向移動,並且相對於旋轉機構6沿Y方向移動且沿θ方向轉動的例進行了說明。不限於此,只需切斷用工作台4與洗淨機構10相對地移動即可。該相對移動為直線移動,並且可以是沿一個方向移動的情況與往復移動的情況中的任一種。當採用相對移動為直線移動的結構時,被切斷物所具有的被洗淨面中的所有部分在相同條件下被海綿構件22擦拭。因此,該結構實現所謂被切斷物所具有的被洗淨面中的所有部分被均等地洗淨與乾燥的效果。
此外,該相對移動為旋轉移動(包括不滿一次的旋轉),並 且可以是沿一個方向移動的情況與往復移動的情況中的任一種。當採用相對移動為旋轉移動的結構時,有可能發生在旋轉中心附近被切斷物難以被洗淨的不良情況。作為針對該不良情況的對策,還可以組合直線移動與旋轉移動來作為相對移動。
還可以設置與作為第一移動機構的移動機構5不同的第二移動機構,藉由該移動機構使切斷用工作台4與洗淨機構10相對地移動(例如,使洗淨機構10移動)。即使在採用該結構的情況下,也與使各實施例中所說明的第一移動機構與第二移動機構為通用的移動機構5的結構相同地,能夠一併洗淨或乾燥集合體。
另外,在各實施例中,對擦洗機構12藉由驅動機構沿上下驅動的例進行了說明。不限於此,還可以在擦洗機構12設置旋轉軸,並藉由驅動機構使擦洗機構12圍繞旋轉軸旋轉。由此,海綿構件22、28能夠相對於切斷後基板9進退。具體而言,能夠使海綿構件22、28靠近並接觸切斷後基板9,並能夠使海綿構件22、28離開並遠離切斷後基板9。
另外,在各實施例中,對從洗淨水供給通道25向海綿構件22、28的上部供給洗淨水24的例進行了說明。不限於此,第一、還可以從海綿構件22、28的側方向海綿構件22、28供給洗淨水24。在該情況下,較佳設置沿圖2中的X方向延伸的洗淨水24的供給機構,並從該供給機構向海綿構件22、28的下部供給洗淨水24。第二、還可以使用同樣的供給機構,從海綿構件22、28的側方向海綿構件22、28與切斷後基板9的表面所接觸的部分附近中的切斷後基板9的表面供給洗淨水24。在包括各實施例的任何情況下,從供給機構對海綿構件22、28直接供給洗淨水24,或者直 接供給在切斷後基板9的表面中反射後的洗淨水24。在包括各實施例的任何情況下,包含被直接供給的洗淨水24的海綿構件22、28與切斷後基板9(參照圖3)的表面接觸。因此,藉由從海綿構件22、28擠壓出的洗淨水24有效地洗淨切斷後基板9的表面。
另外,在各實施例中,示出了切斷作為被切斷物包括晶片狀的元件的封裝完畢基板3的情況。不限於此,在藉由切斷作為除封裝完畢基板3以外的被切斷物的下述被切斷物來單片化的情況下能夠適用本發明。第一為對由矽、化合物半導體構成且內含電路元件、MEMS(微機電系統,Micro Electro Mechanical Systems)等功能元件的半導體晶片(semiconductor wafer)進行單片化的情況。第二為藉由對內含電阻、電容器、感測器與表面彈性波設備等功能元件的陶瓷基板與玻璃基板等進行單片化,來製造晶片電阻、晶片電容器與晶片型感測器與表面彈性波設備等製品的情況。在這兩種情況下,半導體晶片與陶瓷基板等相當於內含分別對應複數個區域的功能元件的基板。第三為藉由對樹脂成型品進行單片化,來製造透鏡、光學模組與導光板等光學構件的情況。第四為藉由對樹脂成型品進行單片化,來製造一般的成型製品的情況。第五為製造用作各種電子設備的罩的玻璃板的情況。在包括上述的五種情況的各種情況下,能夠適用目前為止說明的內容。
較佳地,當對實質上具有圓形形狀的半導體晶片等進行單片化時,各個擦洗機構12(特別是海綿構件22)、噴洗機構13與乾燥機構14具有針對包括由複數個製品P構成的集合體的寬度方向(即直徑方向)的區域且該區域以上的範圍使集合體一併洗淨或乾燥的長度。
另外,在各實施例中,示出了使用旋轉刃8A、8B來作為切斷手段的情況。不限於此,作為切斷手段,除旋轉刃8A、8B以外,還可以使用鋼絲鋸、帶鋸、噴砂、水射流、在以細柱狀噴射的噴射水中行進的鐳射等。
本發明並不限定於上述的各實施例,在不脫離本發明的主旨的範圍內,可按照需要,任意且適當組合而進行變更,或選擇性地採用。
4‧‧‧切斷用工作台(工作台)
5‧‧‧移動機構(第一移動機構、第二移動機構)
6‧‧‧旋轉機構(第一移動機構、第二移動機構)
9‧‧‧切斷後基板(具有複數個區域的集合體)
10‧‧‧洗淨機構
12‧‧‧擦洗機構
13‧‧‧噴洗機構
14‧‧‧乾燥機構
22‧‧‧海綿構件(洗淨構件)
26‧‧‧洗淨水(液體)
27‧‧‧氣體
29‧‧‧噴射孔
30‧‧‧供給孔
G1、G2、G3、G4‧‧‧由複數個製品的列構成的集合體
S1‧‧‧待機位置
S2‧‧‧洗淨位置
S3‧‧‧停止位置

Claims (18)

  1. 一種切斷裝置,具備:工作台,供放置被切斷物;切斷機構,用於切斷該被切斷物;第一移動機構,用於使該工作台與該切斷機構相對地移動;以及洗淨機構,用於洗淨集合體的至少一個表面,該集合體被設置在該工作台的上方且具有該被切斷物經單片化而形成的複數個製品,其特徵在於,具備:擦洗機構,被設置於該洗淨機構且相對於該被切斷物相對地進退;洗淨構件,被設置於該擦洗機構的下部;洗淨水供給機構,用於對該洗淨構件供給洗淨水;以及第二移動機構,用於使該工作台與該洗淨機構相對地移動;藉由使該擦洗機構與該被切斷物靠近而使該洗淨構件與該一個表面接觸並使該工作台與該洗淨機構相對地移動,以在該洗淨構件中所包含的該洗淨水被供給到該一個表面上的狀態下洗淨該一個表面。
  2. 如申請專利範圍第1項之切斷裝置,其中,該洗淨構件至少具有該集合體的寬度尺寸以上的長度。
  3. 如申請專利範圍第1項之切斷裝置,其中,該洗淨構件具有氨基甲酸乙酯海綿或PVA海綿。
  4. 如申請專利範圍第1項之切斷裝置,其中,該工作台與該洗淨機構被相對地移動複數次。
  5. 如申請專利範圍第1項之切斷裝置,其中,具備噴洗機構,其設置於該洗淨機構且藉由朝向該一個表面至少噴射液體而洗淨該一個表面。
  6. 如申請專利範圍第5項之切斷裝置,其中,該噴洗機構具有用於將氣體與該液體混合噴射的雙流體噴嘴。
  7. 如申請專利範圍第1項之切斷裝置,其中,具備乾燥機構,其設置於該洗淨機構且藉由朝向該一個表面噴射氣體而使該一個表面乾燥。
  8. 如申請專利範圍第1~7項中任一項之切斷裝置,其中,該被切斷物為封裝完畢基板。
  9. 如申請專利範圍第1~7項中任一項之切斷裝置,其中,該被切斷物為在分別對應該複數個製品的複數個區域中內含功能元件的基板。
  10. 一種切斷方法,包括:將被切斷物放置在工作台上的步驟;使用於切斷該被切斷物的切斷機構與該工作台相對地移動的步驟;形成集合體的步驟,該集合體具有藉由使用該切斷機構來切斷該被切斷物而單片化的複數個製品;以及藉由設置在該工作台的上方的洗淨機構洗淨該集合體的至少一個表面的步驟,其特徵在於:洗淨該一個表面的步驟包括:使設置在該洗淨機構的擦洗機構與該工作台相對地移動的步驟;對設置在該擦洗機構的下部的洗淨構件供給洗淨水的步驟;藉由使該洗淨構件靠近該被切斷物而使該洗淨構件與該一個表面接觸的步驟;以及在使該洗淨構件與該一個表面接觸的狀態下使該洗淨構件與該工作台相對地移動的步驟; 在使該洗淨構件與該工作台相對地移動的步驟中,藉由將該洗淨構件中所包含的該洗淨水供給到該一個表面上來洗淨該一個表面。
  11. 如申請專利範圍第10項之切斷方法,其中,該洗淨構件至少具有該集合體的寬度尺寸以上的長度。
  12. 如申請專利範圍第10項之切斷方法,其中,該洗淨構件具有氨基甲酸乙酯海綿或PVA海綿。
  13. 如申請專利範圍第10項之切斷方法,其中,在使該洗淨構件與該工作台相對地移動的步驟中,使該洗淨機構與該工作台相對地移動複數次。
  14. 如申請專利範圍第10項之切斷方法,其中,進一步包括藉由從設置在該洗淨機構的噴洗機構朝向該一個表面至少噴射液體,從而使用該液體來洗淨該一個表面的步驟。
  15. 如申請專利範圍第14項之切斷方法,其中,在使用該液體來洗淨該一個表面的步驟中,從該噴洗機構朝向該一個表面混合噴射氣體與該液體。
  16. 如申請專利範圍第14項之切斷方法,其中,進一步包括藉由從設置在該洗淨機構的乾燥機構朝向該一個表面噴射氣體而使該一個表面乾燥的步驟。
  17. 如申請專利範圍第10~16項中任一項之切斷方法,其中,該被切斷物為封裝完畢基板。
  18. 如申請專利範圍第10~16項中任一項之切斷方法,其中,該被切斷物為在分別對應該複數個製品的複數個區域中內含功能元件 的基板。
TW104126197A 2014-10-22 2015-08-12 Cutting device and cutting method TWI593002B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014215266A JP2016082195A (ja) 2014-10-22 2014-10-22 切断装置及び切断方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201615347A true TW201615347A (zh) 2016-05-01
TWI593002B TWI593002B (zh) 2017-07-21

Family

ID=55831103

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW104126197A TWI593002B (zh) 2014-10-22 2015-08-12 Cutting device and cutting method

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP2016082195A (zh)
KR (1) KR101793337B1 (zh)
CN (1) CN105551996B (zh)
TW (1) TWI593002B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108655966A (zh) * 2017-03-28 2018-10-16 东和株式会社 树脂结合剂砂轮、树脂结合剂砂轮的制造方法及加工装置
TWI752191B (zh) * 2017-04-21 2022-01-11 日商迪思科股份有限公司 切削裝置

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6973922B2 (ja) * 2017-09-08 2021-12-01 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP6990588B2 (ja) * 2018-01-05 2022-01-12 株式会社ディスコ 切削装置
JP7161411B2 (ja) * 2019-01-15 2022-10-26 株式会社ディスコ 乾燥機構
JP7154195B2 (ja) * 2019-07-26 2022-10-17 Towa株式会社 切断装置及び切断品の製造方法
JP7444410B2 (ja) * 2019-12-26 2024-03-06 ヤマハロボティクスホールディングス株式会社 半導体チップ洗浄方法及び半導体チップ洗浄装置
JP7394712B2 (ja) * 2020-06-24 2023-12-08 Towa株式会社 切断装置及び切断品の製造方法
JPWO2022091451A1 (zh) * 2020-10-26 2022-05-05
KR102617780B1 (ko) * 2020-11-19 2023-12-26 세메스 주식회사 반도체 스트립 절단 및 분류 설비에서 공기 분사 장치

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5487168A (en) * 1977-12-23 1979-07-11 Hitachi Ltd Manufacture for semiconductor device and its unit
TW353784B (en) * 1996-11-19 1999-03-01 Tokyo Electron Ltd Apparatus and method for washing substrate
JP2000288490A (ja) * 1999-04-01 2000-10-17 Furontekku:Kk ウェット処理装置
JP3990073B2 (ja) * 1999-06-17 2007-10-10 株式会社荏原製作所 基板洗浄装置及び基板洗浄方法
JP2001077057A (ja) * 1999-09-06 2001-03-23 Disco Abrasive Syst Ltd Csp基板分割装置
JP2002043267A (ja) * 2000-07-21 2002-02-08 Ebara Corp 基板洗浄装置、基板洗浄方法及び基板処理装置
JP4079205B2 (ja) * 2000-08-29 2008-04-23 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄装置及び基板洗浄方法
JP2003209089A (ja) * 2002-01-17 2003-07-25 Sony Corp ウェハの洗浄方法、洗浄装置およびダイシング装置
US7766566B2 (en) * 2005-08-03 2010-08-03 Tokyo Electron Limited Developing treatment apparatus and developing treatment method
JP2007194367A (ja) * 2006-01-18 2007-08-02 Tokyo Seimitsu Co Ltd 洗浄装置及び該洗浄装置を備えるダイシング装置
JP2009218397A (ja) * 2008-03-11 2009-09-24 Towa Corp 基板の切断方法及び装置
JP5156459B2 (ja) * 2008-04-09 2013-03-06 Towa株式会社 基板の切断方法及び装置
JP5325003B2 (ja) * 2009-04-16 2013-10-23 株式会社ディスコ 研削装置
JP5866227B2 (ja) * 2012-02-23 2016-02-17 株式会社荏原製作所 基板洗浄方法
JP6265702B2 (ja) * 2012-12-06 2018-01-24 株式会社荏原製作所 基板洗浄装置及び基板洗浄方法
JP6172957B2 (ja) * 2013-02-04 2017-08-02 株式会社ディスコ 洗浄装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108655966A (zh) * 2017-03-28 2018-10-16 东和株式会社 树脂结合剂砂轮、树脂结合剂砂轮的制造方法及加工装置
TWI752191B (zh) * 2017-04-21 2022-01-11 日商迪思科股份有限公司 切削裝置

Also Published As

Publication number Publication date
CN105551996B (zh) 2019-01-25
TWI593002B (zh) 2017-07-21
JP2016082195A (ja) 2016-05-16
CN105551996A (zh) 2016-05-04
KR101793337B1 (ko) 2017-11-20
KR20160047397A (ko) 2016-05-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI593002B (zh) Cutting device and cutting method
KR102214510B1 (ko) 기판 씨닝 장치, 이를 이용한 기판의 씨닝 방법, 및 반도체 패키지의 제조 방법
KR101733290B1 (ko) 절단 장치 및 절단 방법
JP2014143322A (ja) 洗浄装置、及び、洗浄方法
JP6612206B2 (ja) 切断装置
JP4309084B2 (ja) ダイシング装置
TWI641037B (zh) Cutting device and cutting method
KR20130076007A (ko) 반도체 칩 패키지 세정 장치
CN112309893B (zh) 切断装置及切断品的制造方法
JP2003209089A (ja) ウェハの洗浄方法、洗浄装置およびダイシング装置
JP2013055149A (ja) 研削装置
JP4721968B2 (ja) スピンナ洗浄装置
JP2019096759A (ja) 洗浄方法、洗浄装置
KR100910695B1 (ko) 반도체 자재 크리닝 시스템과 그 방법
JP4292329B2 (ja) 電子部品の切断装置
JP4315788B2 (ja) 半導体装置の製造方法及び製造装置
KR102244566B1 (ko) 반도체 패키지 세정 장치
JP7062411B2 (ja) 端面清掃方法、及び、切削装置
KR101029058B1 (ko) 워터젯 싱귤레이션 장치의 클리닝 장치
JP2008284407A (ja) 加工装置
TWM573893U (zh) 清洗裝置
KR20170093067A (ko) 패키지 기판의 가공 방법
JP7165494B2 (ja) 洗浄装置
JP2005152817A (ja) 洗浄装置及び半導体装置の製造装置
KR102300625B1 (ko) 반도체 패키지 건조 장치