TW201606969A - 用於半導體晶粒互連的雷射輔助接合 - Google Patents

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Abstract

本發明揭露了用於半導體晶粒互連的雷射輔助接合，並且可以，例如，包括在電路板上的電路圖案上形成焊劑，將半導體晶粒放置在半導體晶粒上的凸塊接觸焊劑之處的電路板上，並且藉由引導雷射束朝向所述半導體晶粒而回焊凸塊。所述雷射束可以揮發焊劑，並且製造凸塊與電路圖案之間的電連接。當雷射束被導向半導體晶粒時，夾具板可以被放置在半導體晶粒上。翹曲可以藉由施加壓力到夾具板而在半導體晶粒加熱或冷卻期間被減小。夾具桿可以從夾具板向外延伸，並且可以在施加壓力到夾具板期間與電路板相接觸。夾具板可以包括矽、碳化矽和玻璃之一種或多種。

Description

用於半導體晶粒互連的雷射輔助接合 【相關申請案的交叉參考】
本申請參考、主張並且宣告韓國專利申請案第10-2014-0105848號的優先權，申請日為2014年8月14日，其內容藉由參考方式整體地併入本文。
本揭示內容的某些實施例涉及半導體晶片封裝。更具體地，本揭示的某些實施例涉及用於半導體晶粒互連的雷射輔助接合。
一般來說，半導體封裝包括半導體晶粒、電連接到所述半導體晶粒的複數個引線以及膠封所述半導體晶粒和所述引線的膠封物。
一種利用凸塊來接合半導體晶粒(例如，在覆晶的配置中)和電路板的方法通常包括：提供半導體晶粒和電路板；噴射焊劑到電路板上；用於在焊劑上對準半導體晶粒的凸塊之晶粒附接；藉由將半導體晶粒和電路板放置在烘箱中並且在爐中施加範圍約240℃至約260℃的溫度而回焊凸塊；以及自爐移除半導體晶粒和電路板並且冷卻凸塊。
然而，在回焊製程中施加到所述電路板的回焊溫度(範圍從240℃至260℃)可能會導致在電路板中的廣泛的熱膨脹，相當大的收縮可能 會在冷卻製程中發生於電路板，裂縫會產生在作為半導體晶粒和電路板的連接區域的凸塊中，導致在半導體晶粒和電路板之間的電斷開。
在通過這樣的系統與如在本申請案中參照附圖的其餘部分 闡述之本發明比較，對於在領域中具有通常知識者而言，常規和傳統方法的進一步限制和缺點將變得更顯而易見。
對於半導體晶粒互連的雷射輔助接合，基本上如附圖所示及/或揭露於與所述至少一個附圖連接的描述，並在申請專利範圍中進行完整的闡述。
本發明內容的各種優點、態樣和新穎特徵，以及其實施例所示的細節，將從下面的描述和附圖而更充分地理解。
110‧‧‧半導體晶粒
111‧‧‧凸塊
115‧‧‧焊劑
120‧‧‧電路板
121‧‧‧電路圖案
130‧‧‧雷射發射系統
140‧‧‧焊料
150‧‧‧夾具板
151‧‧‧夾具桿
圖1A至1D是根據本揭示內容的示範性實施例之用於半導體晶粒互連的雷射輔助接合方法的概要圖，其示出了在基準單位(unit basis)上的中間製程步驟。
圖2A和2B是根據本揭示內容的示範性實施例之用於半導體晶粒互連的雷射輔助接合方法的概要圖，其示出了在基準帶(strip basis)上的中間製程步驟。
圖3A和3B是說明根據本揭示內容的示範性實施例之用於半導體晶粒互連的雷射輔助接合方法中的連接狀態的X射線透視圖以及橫截面圖。
圖4A和4B是說明根據本揭示內容的另一示範性實施例之用 於半導體晶粒互連的間接雷射輔助接合方法和直接雷射輔助接合方法的概要圖。
本揭示內容的某些態樣可以發現是在用於半導體晶粒互連的雷射輔助接合的方法，所述方法包括：在電路板上的電路圖案上形成焊劑；將半導體晶粒放置在所述半導體晶粒上的凸塊接觸所述焊劑之所述電路板上；以及藉由引導雷射束朝向所述半導體晶粒來回焊所述凸塊。所述雷射束可以揮發所述焊劑，以及製造在所述凸塊與所述電路圖案之間的電連接。夾具板可以放置在所述半導體晶粒上，所述雷射束導向所述半導體晶粒。所述夾具板的面積可以是大致等於所述半導體晶粒的面積。可以藉由施加壓力到所述夾具板來在所述半導體晶粒的加熱或冷卻期間減少翹曲。夾具桿可以從所述夾具板向外延伸，並且可以在施加壓力至所述夾具板期間與所述電路板接觸。所述夾具板可以包括矽、碳化矽和玻璃中的一個或多個。所述夾具板的厚度範圍可以為100至500微米。在所述半導體晶粒上的複數個凸塊可以利用所述雷射束來回焊。在所述半導體晶粒上的複數個凸塊可以藉由依序引導所述雷射束到個別凸塊來一次一個地回焊。所述雷射束可以藉由連續波雷射或脈衝雷射來產生。所述雷射束可以具有從0.1kW到2kW的能量範圍。所述雷射束可以是600至1000奈米波長的光。所述半導體晶粒的厚度可以為10微米至1000微米。複數個凸塊可以範圍從10微米到20微米的間距形成在所述半導體晶粒上。所述雷射束可以加熱鄰近所述凸塊的所述半導體晶粒到達攝氏200至350度的溫度範圍。所述雷射束可以加熱接近所述半導體晶粒的底表面之所述電路板的一部分到達攝氏150至200度 的溫度範圍，同時所述電路板的其他區域是在比攝氏100度還低的溫度。
本揭示內容的各種態樣可以許多不同的形式來實現，並且不應被解釋為限於在此闡述的示範性實施例。相反地，提供本揭示內容的實施例，使得本揭示內容將是透徹的和完整的，並且將本揭示內容的各種態樣傳達給本領域中具有通常知識者。下面的討論中，藉由提供其之各種實施例來介紹本發明的各種態樣。這樣的範例是非限制性的，並且因此本揭示內容的各種態樣的範圍不應必然地藉由所提供的範例的任何特定的特徵所限制。在下面的討論中，片語“例如”、“舉例”和“示範性”是非限制性的，並且一般等同於“以舉例的方式而非限制性”、“例如但不限於”等等。
在附圖中，為了清晰度的目的，層和區域的厚度被誇大了。這裡，相似的元件符號代表相似的元件。如本文所使用的，用語“及/或”包括相關所列的項目中的一個或多個的任意和所有組合。例如，片語“A及/或B”應理解為只有A、或者只有B、或者A和B。同樣地，片語“A、B及/或C”應該被理解為只有A、只有B、只有C、A和B、A和C、B和C或者所有的A和B和C。另外，在此使用的術語僅用於描述特定實施例的目的，並非意圖在本揭示內容的限制。如本文所用的，單數形式也意圖包括複數形式，除非上下文另外明確指出。將進一步理解的是，當用語“包括”、“包含”、“含有”及/或“具有”使用在本說明書中時，指定所陳述的特徵、數字、步驟、操作、元件及/或組件的存在，但不排除一個或多個其它特徵、數字、步驟、操作、元件、組件及/或其之組合的存在或附加。
應該理解的是，儘管用語第一、第二等可在本文中用於描述 各種構件、元件、區域、層及/或部分，但是這些構件、元件、區域、層及/或部分應並不受這些用語的限制。這些用語僅用於將一個構件、元件、區域、層及/或部分與另一個構件、元件、區域、層及/或部分區別。因此，例如，下面討論的第一構件、第一元件、第一區域、第一層及/或第一部分可以被稱為第二構件、第二元件、第二區域、第二層及/或第二部分，而不脫離本揭示的教導。
圖1A至1D是根據本揭示內容的示範性實施例之用於半導體晶粒互連的雷射輔助接合方法的概要圖，其示出了在基準單位上的中間製程步驟。
如圖1A至1D所示，根據本揭示內容的用於半導體晶粒互連的雷射輔助接合方法包括：提供半導體晶粒110和電路板120，在電路板120上對準半導體晶粒110和發射雷射束。
如圖1A所示，半導體晶粒110可以包括形成在其底表面上的複數個凸塊111，以及電路板120可以包括形成在其頂表面上的複數個電路圖案121。凸塊111可以包括焊料凸塊或具有形成在其底端處的焊料帽(solder cap)的銅柱，但本發明並不將凸塊111的類型或形狀限制成本文所示出的那樣。
所述半導體晶粒110可以是，例如，具有範圍從約10微米至約1000微米的厚度。如果半導體晶粒110的厚度小於約10微米，內部電子電路可能容易藉由雷射束損壞。如果半導體晶粒110的厚度大於約1000微米，雷射束的輸出能量可以增加，並且包括半導體晶粒110的半導體裝置的厚度晶粒可能會增加，這通常是不希望的。
此外，凸塊111可以範圍從約10微米到約200微米的間距形成在半導體晶粒110上，但本發明的態樣不限於此。
如圖1B所示，焊劑115(例如，揮發性焊劑)可以施加(例如，藉由噴射)到所述電路板120的電路圖案121，並且半導體晶粒110的凸塊111可以在焊劑115上定位及/或對準。在電路板120上的半導體晶粒110的對準可以藉由一般晶粒附著裝置來實現，但是本發明揭示內容的態樣不限於此。
如圖1C所示，一個或多個雷射束可以從雷射發射系統130發射到半導體晶粒110以揮發焊劑115而去除之並且回焊凸塊111，然後電連接到電路板120。隨著藉由雷射發射系統130射出的雷射束的結果，半導體晶粒110可以被加熱，並且來自加熱半導體晶粒110的熱可以被轉移到凸塊111。 最終，凸塊111可以被熔化，並且焊劑115被揮發而去除之。熔融的凸塊111因此電連接到電路基板120的電路圖案121。
雷射束可以是，例如，具有範圍從約0.1kW到約2kW的能量。如果雷射束的能量小於約0.1kW，凸塊111可能不被熔化，使得回焊製程不能進行。如果雷射束的能量大於約2kW，提供在半導體晶粒110中的電子電路和電路板120的電路圖案121可能由於雷射束而損壞。
雷射束可以是來自脈衝雷射或連續波雷射，但本發明揭露內容的態樣不限於此。此外，雷射發射系統130可以，例如，操作在空氣冷卻配置和水冷卻配置的任一者中。
當發射一個或多個雷射束時，所述半導體晶粒可以是，例如，具有範圍從約150℃至約400℃或從約200℃至約350℃的溫度。如果半導 體晶粒的溫度低於大約150℃，回焊製程可能不能夠執行，並且如果半導體晶粒的溫度高於400℃，提供在半導體晶粒中的內部電子電路可能被損壞。
雷射束可以是，例如，具有範圍從大約600奈米到大約1100奈米或從約760奈米到約1500奈米的波長，儘管波長可以延伸至1000微米。 因此，雷射束的波長可以是，例如，在紅外輻射的範圍內。如果雷射束的波長小於600奈米，雷射束可以具有相對大的能量，因此，提供在半導體晶粒中的電子電路可能被損壞。如果雷射束的波長大於約1100奈米，雷射束可以具有相對小的能量，並且回焊製程可能不能夠執行。在示範性配置中，單一雷射束可以用於回焊晶粒的所有的待回焊的導電凸塊。例如，這種單一雷射束可以被引導到整個晶粒、到整個晶粒的一部分、到在對應於各個相應的導電凸塊的晶粒上的位置等等。在另一個示範性配置中，可以利用複數個雷射束(例如，在不同的各個區域、在同一區域、在各自不同但部分重疊的區域、在對應於單個相應焊料凸塊的晶粒上的位置等等之處)來回焊晶粒的導電凸塊。
此外，所發射的雷射束的形狀可以是圓形、橢圓形、矩形、正方形或類似形狀。在雷射束被單獨地發射到每個凸塊111的示範性實施方式中，可以利用圓形的雷射束(例如，對應於圓形凸塊)，可以利用橢圓形的雷射束(例如，對應於橢圓形凸塊)等等。所發射的雷射束的面積可以等於或相似於個別凸塊111的面積。在雷射束被同時照射到複數個凸塊111之實施例情況下，可以使用矩形或方形的雷射束發射面積，其中雷射束的發射面積可以等於或相似於所有凸塊111的面積，等於或相似的晶粒110的面積等等。用來傳達能量到凸塊111的雷射束可以，例如，被聚焦以最大化轉 移到晶粒110(例如，到晶粒110的頂面)的能量，並且最終到凸塊111。
如上所述，根據本發明揭露內容，由於雷射束可以局部發射或引導到對應於半導體晶粒110的特定區域，而不是被全局地施加到電路板120的整個區域，則在回焊製程期間的熱膨脹以比以往的接合方法還小的程度發生在電路板120。
如圖1D所示，在回焊製程後，可以執行冷卻。在此階段，凸塊111可以被硬化，並且半導體晶粒110和電路板120可以是完全電連接。 此外，在冷卻期間，使用雷射束的熱膨脹可以被最小化，從而使收縮也可被最小化。
因此，在本揭示內容中，半導體晶粒110和電路板120可以藉由局部雷射發射來進行互連，從而最小化電路板120的熱膨脹和收縮，並且最終改善在半導體晶粒110和電路板120之間的電連接的可靠性。
另外，與使用以往的接合方法的回焊裝置相比，因為雷射發射系統可以是，例如，具有範圍從約2微米至約3微米的長度，需要用於接合半導體晶粒110和電路板120的空間可以被大大地減少，從而提高空間利用效率。
圖2A和2B是根據本揭示內容的示例性實施例之用於半導體晶粒互連的雷射輔助接合方法的概要圖，其示出了在基準帶上的中間製程步驟。
如圖2A所示，電路板120可以是帶狀的，包括多個單元，並且複數個半導體晶粒110可以預定的間隔被排列在帶狀的電路板120上。
如圖2B所示，雷射發射系統130可以被定位在每個半導體晶 粒110之上，以及雷射束發射到單個半導體晶粒110。在示範性的情形中，回焊製程可以在半導體晶粒110上局部執行。這裡，假定對應於雷射束發射面積的平面是大致為矩形的。但是請注意，如先前所解釋的，複數個雷射束可以被引導到單個晶粒(例如，在相應於凸塊的各自群體及/或個體各自凸塊的晶粒上的位置之處)。
當雷射束射出時，接近或對應於半導體晶粒110的底部之電路板120的區域可以具有範圍從大約150℃至大約200℃的溫度，同時不對應於半導體晶粒110的底部之電路板120的其他區域可以具有範圍為10℃至約100℃的溫度。例如，在晶粒覆蓋區的5%(或1%或10%)的晶粒長度內之電路板120的區域可以具有範圍從大約150℃至大約200℃的溫度，而在晶粒覆蓋區的5%(或10%或20%或50%)的晶粒長度之外的電路板120的另一區域可以具有範圍為10℃至約100℃的溫度。
不同於以往的接合方法，由於從雷射束所產生的熱能量可以只傳送到對應於半導體晶粒110之電路板120的局部區域，發生在電路板120的整個區域的熱膨脹及/或收縮能被最小化。
儘管電路板120可以被固定地定位，雷射發射系統130可以水平地移動，並且雷射束可以被發射到單個半導體晶粒110。或者，當雷射發射系統130可以被固定地定位，所述電路板120可以水平地移動，並且雷射束可以被發射到單個半導體晶粒110。進一步，電路板120可以水平移動，並且雷射發射系統130也可以是水平移動，即，電路板120和雷射發射系統130相對彼此來移動，並且雷射束可以被發射到單個半導體晶粒110。再者，例如，複數個晶粒(例如，在帶或晶圓上的一些或全部晶粒)中的每一個可以具 有各自的雷射發射系統130。
圖3A和3B是說明根據本揭示內容的實施例之用於半導體晶粒互連的雷射輔助接合方法中的互連狀態的X射線透視圖以及橫截面圖。
如圖3A和3B所示，例如銅柱的凸塊111可以形成在半導體晶粒110上，並且電路圖案121可以形成在電路板120上。凸塊111和電路圖案121可以藉由根據本公開揭露內容的示範性實施例之利用雷射輔助接合方法所熔化和冷卻之焊料140來互連。
在示範性場景中，焊料140可以藉由雷射輔助接合方法來熔化和冷卻，由此使用焊料140電連接半導體晶粒110和電路板120。
圖4A和4B是說明根據本揭示內容的另一示範性實施例之用於半導體晶粒互連的間接雷射輔助接合方法和直接雷射輔助接合方法的概要圖。
如圖4A所示，當發射雷射束時，具有對應於半導體晶粒110的頂表面的區域之夾具板150可以進一步被設置在半導體晶粒110上。夾具板150可以具有範圍從約100微米至大約500微米的厚度，但本發明並不將夾具板150的厚度限制成本文中所列。
為了增加施加到半導體晶粒110的壓力而不增加夾具板150的厚度，向外延伸並且安裝在電路板120上之複數個夾具桿151可以進一步沿著所述夾具板150的周邊來形成，使得複數個夾具桿151從矩形夾具板150的側邊向外延伸預定長度，並且可以被定位在電路板120上。
在此，夾具板150可以包括包含矽、碳化矽和玻璃的一種或多種材料，但不限於此。
如以上所述，在根據本揭示內容的另一示範性實施例的雷射輔助接合方法中，當半導體晶粒110是比較薄時，可能發生半導體晶粒110的翹曲，而半導體晶粒110的翹曲可以利用施加到夾具板150的壓力來避免。
此外，根據採用所述夾具板150的本揭示內容的示範性實施例，夾具板150可以首先藉由雷射束來加熱，並且從經加熱的夾具板150衍生的熱可以被轉移到半導體晶粒110(間接發射)。例如，雷射發射系統130中的一個或多個雷射束可以聚焦以最大化傳遞到夾具板150的熱量。因此，由於雷射束的直接發射而造成提供在半導體晶粒110中的電子電路的損壞的概率可以降低。圖4B示出了直接雷射輔助接合方法，其中，存在由於雷射束導致提供在半導體晶粒110中的電子電路可能容易損壞的風險。
本揭示內容提供了一種根據本揭示內容的各種示範性實施例的用於半導體晶粒互連的雷射輔助接合方法。本揭示內容的範圍不受這些示範性實施例限制。許多變化，不管是藉由說明書所明確規定或藉由說明書暗示，諸如結構、尺寸、材料的類型和製造製程的變化，可以鑑於本揭示內容而藉由本領域中具有通常知識者所實施。
本揭示內容提供了一種用於半導體晶粒互連的雷射輔助接合方法，這可以藉由通過局部雷射發射互連半導體晶片和電路板來最小化電路板的熱膨脹和熱收縮，從而改善了在半導體晶粒和電路板之間的電連接的可靠性。
本揭示內容還提供了一種用於半導體晶粒互連的雷射輔助接合方法，其可以使用用於局部發射雷射束的雷射發射系統來最小化接合空間，從而改善了空間利用效率。
根據本揭示內容的各個態樣，提供了一種雷射輔助接合方法，其包括：提供具有凸塊的半導體晶粒和具有電路圖案的電路板，施加(例如，噴射)焊劑到電路板的電路圖案並且在焊劑上定位半導體晶粒的凸塊，並且發射雷射束到半導體晶粒以揮發焊劑用以去除之以及回焊凸塊以電連接到電路板。
雷射束可以是，例如，具有範圍從0.1kW到2kW的能量。雷射束可以是，例如，脈衝雷射或連續波雷射。半導體晶粒可以是，例如，具有範圍從10微米至1000微米的厚度。凸塊可以，例如，範圍從10微米至200微米的間距形成在半導體晶粒上。當發射雷射束時，例如一般或恰好對應於半導體晶粒的底部(例如，在晶粒的橫向寬度的1%、5%或10%之內)之電路板的區域可以具有範圍從150℃至200℃的溫度，並且例如不一般或恰巧地對應於所述半導體晶粒的底部之電路板的其它區域可以具有範圍從10℃至100℃的溫度。
當雷射束射出時，具有一般或恰巧對應於所述半導體晶粒的頂表面(例如，在1%、5%或10%之內)之面積的夾具板可以被定位在所述半導體晶粒的頂表面上。夾具板可以是，例如，具有範圍為100微米到500微米的厚度。夾具板可以是，例如，包括選自矽、碳化矽和玻璃中的一種或多種材料。向外延伸並且安裝在電路板上的複數個夾具桿可以進一步沿著夾具板的周邊來形成。當發射雷射束時，半導體晶粒可以具有範圍從200℃至350℃的溫度，例如。雷射束可以具有範圍從700nm至1000nm的波長，例如，儘管波長可以延伸至1000微米。
如以上所述，在根據本揭示內容的實施例的用於半導體晶粒 互連的雷射輔助接合方法中，電路板的熱膨脹和熱收縮可以藉由通過局部雷射發射來互連半導體晶粒和電路板而最小化，從而改善了半導體晶粒和電路板之間的電連接的可靠性。
此外，根據本揭示內容的實施例，接合空間可以使用用於局部發射雷射束的雷射發射系統而最小化，從而提高空間利用效率。
本揭示內容提供了支持本揭示內容之示範性實施例。本揭示內容的範圍不受這些示範性實施例所限制。許多變化，不管是藉由說明書所明確規定或藉由說明書所暗示，諸如結構、尺寸、材料的類型和製造製程的變化，可以鑑於本揭示內容而藉由本領域中具有通常知識者所實施。
雖然本揭示內容的各個態樣參照某些支持實施例來描述，本領域中具有通常知識者會理解可以執行各種變化以及可以等效物取代，而不脫離本揭示內容的範圍。此外，許多修改可以做出特定的情形或材料以適應於本揭示內容的教導，而不脫離其範圍。因此，所意圖的是，本揭示內容並不限定於所公開的特定實施例，並且本揭示內容將包括落入所附申請專利範圍書的範疇內的所有實施例。
110‧‧‧半導體晶粒
111‧‧‧凸塊
120‧‧‧電路板
121‧‧‧電路圖案
130‧‧‧雷射發射系統

Claims (20)

  1. 一種用於製造半導體裝置的方法，所述方法包括：在電路板上的電路圖案上形成焊劑；將半導體晶粒放置在所述半導體晶粒上的凸塊接觸所述焊劑之所述電路板上；以及藉由引導雷射束朝向所述半導體晶粒來回焊所述凸塊，揮發所述焊劑，以及製造在所述凸塊與所述電路圖案之間的電連接。
  2. 如申請專利範圍第1項之方法，包括當所述雷射束導向所述半導體晶粒時，放置夾具板在所述半導體晶粒上。
  3. 如申請專利範圍第2項之方法，其中，所述夾具板的面積是大致等於所述半導體晶粒的面積。
  4. 如申請專利範圍第2項之方法，包含藉由施加壓力到所述夾具板而在所述半導體晶粒的加熱或冷卻期間減少翹曲。
  5. 如申請專利範圍第4項之方法，其中，夾具桿從所述夾具板向外延伸，並且在施加壓力至所述夾具板期間與所述電路板接觸。
  6. 如申請專利範圍第2項之方法，其中，所述夾具板包括矽、碳化矽，和玻璃中的一個或多個。
  7. 如申請專利範圍第2項之方法，其中，所述夾具板的厚度範圍為100至500微米。
  8. 如申請專利範圍第1項之方法，包括利用所述雷射束而回焊在所述半導體晶粒上的複數個凸塊。
  9. 如申請專利範圍第1項之方法，包括藉由依序引導所述雷射束到個別 凸塊來一次一個地回焊在所述半導體晶粒上的複數個凸塊。
  10. 如申請專利範圍第1項之方法，包括產生具有連續波雷射的所述雷射束。
  11. 如申請專利範圍第1項之方法，包括產生具有脈衝雷射的所述雷射束。
  12. 如申請專利範圍第1項之方法，其中，所述雷射束具有從0.1kW到2kW的能量範圍。
  13. 如申請專利範圍第1項之方法，其中，所述雷射束包括在600至1000奈米波長的光。
  14. 如申請專利範圍第1項之方法，其中，所述半導體晶粒的厚度為10微米至1000微米。
  15. 如申請專利範圍第1項之方法，其中，複數個凸塊以10微米到20微米的間距形成在所述半導體晶粒上。
  16. 如申請專利範圍第1項之方法，其中，所述雷射束加熱鄰近所述凸塊的所述半導體晶粒到達攝氏200至350度的溫度範圍。
  17. 如申請專利範圍第1項之方法，其中，所述雷射束加熱接近所述半導體晶粒的底表面之所述電路板的一部分到達攝氏150至200度的溫度範圍，同時所述電路板的其他區域是在比攝氏100度還低的溫度。
  18. 一種用於製造半導體裝置的方法，所述方法包括：在電路板面板的電路圖案上形成焊劑；將第一半導體晶粒放置在所述第一半導體晶粒上的第一凸塊接觸所述焊劑之所述電路板面板上； 將第二半導體晶粒放置在所述第二半導體晶粒上的第二凸塊接觸所述焊劑之所述電路板面板上；藉由至少部分地引導雷射束朝向所述第一半導體晶粒來回焊所述第一凸塊；以及在回焊所述第一凸塊之後，藉由至少部分地引導所述雷射束朝向所述第二半導體晶粒而回焊所述第二凸塊。
  19. 如申請專利範圍第18項之方法，包括當所述雷射束導向所述第一半導體晶粒時，將夾具板放置在所述第一半導體晶粒上，並且當所述雷射束導向所述第二半導體晶粒時，將所述夾具板放置在所述第二半導體晶粒上。
  20. 一種用於形成半導體裝置的方法，所述方法包括：在電路板上的電路圖案上形成焊劑；將半導體晶粒放置在所述半導體晶粒上的凸塊接觸在所述電路圖案上的複數個位置處的所述焊劑之所述電路板上；以及藉由引導紅外雷射束在所述半導體晶粒之處，揮發所述焊劑，以及製造在所述凸塊與所述電路圖案之間的電連接而回焊所述凸塊。
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