TW201606735A - 電致發光顯示器面板及電子裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明揭示一種EL顯示器面板，其包括：一像素陣列區段，其中其光發射狀態係藉由一主動矩陣驅動系統來控制的EL顯示器元件係以一矩陣之一形式來配置；一第一寫入控制線驅動區段與一第二寫入控制線驅動區段，其經組態用以自該像素陣列區段的兩側驅動各寫入控制線；以及一第一電源線驅動區段與一第二電源線驅動區段，其經組態用以自該像素陣列區段的兩側驅動沿一水平線之一方向佈置之一電源線，該第一電源線驅動區段與該第二電源線驅動區段分別係配置於該第一寫入控制線驅動區段與該像素陣列區段之間及該第二寫入控制線驅動區段與該像素陣列區段之間。

Description

電致發光顯示器面板及電子裝置
本說明書中說明之本發明係關於藉由一主動矩陣驅動系統驅動與控制的一電致發光(EL)顯示器面板之一面板結構。順便提及，本說明書中建議之本發明具有作為包括該EL顯示器面板之一電子裝置的態樣。
本發明含有與2007年11月9日向日本專利局申請之日本專利申請案JP 2007-291471有關的標的，其全部內容以引用的方式併入本文中。
圖1顯示一主動矩陣驅動類型之一有機EL面板的典型電路區塊組態。如圖1所示，該有機EL面板1包括一像素陣列區段3、作為用於驅動該像素陣列區段3之一驅動電路的一寫入控制線驅動區段5及一水平選擇器7。順便提及，該像素陣列區段3具有一像素電路9，其係佈置於信號線DTL與寫入控制線WSL之每一交叉處。
一有機EL元件係一電流光發射元件。因此，該有機EL面板採取一驅動系統，其藉由控制流過對應於各像素之一有機EL元件的電流量來控制層次。圖2顯示此種類之像素電路9的最簡單電路組態之一者。此像素電路9包括一取樣電晶體T1、一驅動電晶體T2及一儲存電容器Cs。
該取樣電晶體T1係一薄膜電晶體，其用於控制對應於該對應像素之層次的一信號電壓Vsig至該儲存電容器Cs的寫入。該驅動電晶體T2係一薄膜電晶體，其用於基於依據藉由該儲存電容器Cs保持的信號電壓Vsig所決定之一閘極至源極電壓Vgs來將一驅動電流Ids供應至一有機EL元件OLED。在圖2之情況中，該取樣電晶體T1係藉由一n通道型薄膜電晶體形成，而該驅動電晶體T2係藉由一p通道型薄膜電晶體形成。
在圖2之情況中，該驅動電晶體T2之源極電極係連接至一電源線，一固定電位(電源電位Vcc)係施加至該電源線，並且該驅動電晶體T2一直在一飽和區域中運作。即，該驅動電晶體T2作為一恆定電流源運作，其以具有對應於該信號電壓Vsig之一量值的驅動電流來供應該有機EL元件OLED。此時，藉由以下等式給出驅動電流Ids。
Ids=k．μ．(Vgs-Vth)2/2
其中μ係該驅動電晶體T2之多數載子的遷移率，Vth係該驅動電晶體T2的臨限電壓，而k係藉由(W/L)‧Cox給出之一係數，其中W係通道寬度，L係通道長度，而Cox係每單位面積的閘極電容。
順便提及，已知在此組態之像素電路的情況中，該驅動電晶體T2之汲極電壓隨如圖3所示之有機EL元件的I-V特性之時間改變而改變。然而，因為該閘極至源極電壓Vgs係保持恆定，故供應至該有機EL元件的電流量不變，使得光發射照度可以係保持恆定。
以下係與採取一主動矩陣驅動系統的有機EL面板顯示器相關的文件。
日本專利特許公開案第2003-255856號
日本專利特許公開案第2003-271095號
日本專利特許公開案第2004-133240號
日本專利特許公開案第2004-029791號
日本專利特許公開案第2004-093682號
可能不能根據一種薄膜程序來採取圖2所示之電路組態。即，本薄膜程序可能不允許採取該p通道型薄膜電晶體。在此一情況中，以一n通道型薄膜電晶體來取代該驅動電晶體T2。
圖4顯示此種類之一像素電路的組態。在此情況中，一驅動電晶體T2之源極電極係連接至一有機EL元件OLED的陽極端子。然而，在此像素電路的情況中，閘極至源極電壓Vgs隨該有機EL元件之I-V特性的時間改變而變化。閘極至源極電壓Vgs之此變化改變一驅動電流量，並改變光發射照度。
此外，形成各像素電路的驅動電晶體T2之臨限值與遷移率在各像素中不同。該驅動電晶體T2之臨限值與遷移率的不同顯現為驅動電流值的變化，並因而在各像素中光發射照度係改變。
因此，在採取圖4所示之像素電路的情況中，需要建置一驅動方法，藉其一穩定的光發射特性係獲得而與該時間變化無關。同時，需要實現製造成本較低之一EL顯示器面板。
因此，本發明者等人建議一EL顯示器面板，其包括：一像素陣列區段，其中其光發射狀態係藉由一主動矩陣驅動系統來控制的EL顯示器元件係以一矩陣之一形式來配置；一第一寫入控制線驅動區段與一第二寫入控制線驅動區段，其經組態用以自該像素陣列區段的兩側驅動各寫入控制線；以及一第一電源線驅動區段與一第二電源線驅動區段，其經組態用以自該像素陣列區段的兩側驅動沿一水平線之一方向佈置之一電源線。
其合需要的原因係該第一電源線驅動區段與該第二電源線驅動區段分別係配置於該第一寫入控制線驅動區段與該像素陣列區段之間及該第二寫入控制線驅動區段與該像素陣列區段之間。
順便提及，需要位於形成該第一電源線驅動區段與該第二電源線驅動區段之一最後輸出級中之一輸出緩衝器電路係形成以使得一薄膜電晶體之通道長度的方向與一信號線平行。
此外，需要位於形成該第一電源線驅動區段與該第二電源線驅動區段之一最後輸出級中之一輸出緩衝器電路係形成以使得一薄膜電晶體之通道寬度大於一像素在一信號線之一方向上的長度。
藉由採取此等配置結構，可相對於一像素間距來增加形成該緩衝器電路的電晶體之大小。此外，可縮短該電源線與該電晶體之一主電極之間的佈線距離。因而，該緩衝器電路之電阻值係減小，使得可減低電源線電位與電阻之一波形的鈍性。
順便提及，需要該像素陣列區段內的寫入控制線與電源線係低電阻佈線。例如，需要該低電阻佈線係鋁、銅、金或此等金屬之一合金。藉由採取該低電阻佈線，可減低電源線電位與電阻之一波形的鈍性。
本發明者等人亦建議包括上面說明組態之一EL顯示器面板的電子裝置。
該電子裝置包括：上面說明組態之一EL顯示器面板；一系統控制區段，其經組態用以控制整個系統的操作；以及一操作輸入區段，其經組態用以接收至該系統控制區段之一操作輸入。
依據藉由本發明等人建議的本發明之一具體實施例，可藉由配置於該像素陣列區段兩側上的電源線驅動區段同時驅動用於將電流供應至各像素區域中之EL光發射元件的電源線。從而，甚至當該像素陣列區段之大小係增加並且用於驅動該電源線之一時間係縮短時，仍可減低該寫入控制線之波形的鈍性，並有效抑制陰影的發生。
此外，藉由比該等寫入控制線驅動區段更接近該像素陣列區段地配置該對電源線驅動區段，可使自該等電源線驅動區段之輸出端子 延伸的電源線之佈線長度短於其中該電源線驅動區段係配置於該等寫入控制線驅動區段之外側上的情況。
此外，藉由在該寫入控制線驅動區段之內側上配置該等電源線驅動區段，可減低該電源線與其他驅動區段之佈線三維地交叉的次數。通常，由於一程序，具有一相對較高電阻值的佈線係用作處於交叉部分處的佈線。因此減少三維交叉部分在減低該電源線驅動區段上之一負載中係有效的。
從而，可減小在白色顯示之時間該電源線中之一電壓降。此意味著在白色顯示之時間與在黑色顯示之時間的電壓降之間之差異的減低。因此，可獲得不僅無串擾而且還無陰影之均勻影像品質。
1‧‧‧有機EL面板
3‧‧‧像素陣列區段
5‧‧‧寫入控制線驅動區段
7‧‧‧水平選擇器
9‧‧‧像素電路
11‧‧‧有機EL面板
13‧‧‧支撐基板
15‧‧‧相對件
17‧‧‧FPC(撓性印刷電路)
21‧‧‧像素陣列區段
23‧‧‧寫入控制線驅動區段
25‧‧‧電源線驅動區段
27‧‧‧水平選擇器
29‧‧‧時序產生器
31‧‧‧像素電路
41‧‧‧電源線驅動區段
51‧‧‧像素電路
53‧‧‧偏移線驅動區段
61‧‧‧電子裝置
63‧‧‧有機EL面板
65‧‧‧系統控制區段
67‧‧‧操作輸入區段
71‧‧‧電視接收器
73‧‧‧前面板
75‧‧‧濾光玻璃
77‧‧‧顯示螢幕
81‧‧‧數位相機
83‧‧‧保護蓋
85‧‧‧影像讀取透鏡區段
87‧‧‧顯示螢幕
89‧‧‧控制開關
91‧‧‧快門按鈕
101‧‧‧攝錄影機
103‧‧‧主體
105‧‧‧影像讀取透鏡
107‧‧‧圖像拍攝開始/停止開關
109‧‧‧顯示螢幕
111‧‧‧可攜式電話
113‧‧‧上側外殼
115‧‧‧下側外殼
117‧‧‧耦合部分
119‧‧‧顯示螢幕
121‧‧‧輔助顯示螢幕
123‧‧‧圖像燈
125‧‧‧影像讀取透鏡
131‧‧‧筆記型電腦
133‧‧‧下側外殼
135‧‧‧上側外殼
137‧‧‧鍵盤
139‧‧‧顯示螢幕
231‧‧‧移位暫存器區段
233‧‧‧波形調整電路
235‧‧‧輸出緩衝器電路
251‧‧‧移位暫存器區段
253‧‧‧波形調整電路
255‧‧‧輸出緩衝器電路
257‧‧‧輸出緩衝器電路
Cel‧‧‧寄生電容
Cs‧‧‧儲存電容器
Din‧‧‧像素資料
DSL‧‧‧電源線
DTL‧‧‧信號線
OFSL‧‧‧偏移線
OLED‧‧‧有機EL元件
T1‧‧‧取樣電晶體
T2‧‧‧驅動電晶體
T3‧‧‧第二取樣電晶體
Vcc_ds‧‧‧電源佈線
Vcc_ws‧‧‧電源佈線
Vh‧‧‧電源佈線
V1‧‧‧電源佈線
Vss_ds‧‧‧電源佈線
Vss_ws‧‧‧電源佈線
WSL‧‧‧寫入控制線
圖1係說明一有機EL面板之一區塊組態的輔助圖；圖2係說明一像素電路與驅動電路之間之一連接關係的輔助圖；圖3係說明一有機EL元件之I-V特性之一時間變化的輔助圖；圖4係顯示一像素電路之另一範例的圖式；圖5係顯示一有機EL面板之外部組態之一範例的圖式；圖6係顯示該有機EL面板之系統組態之一範例的圖式；圖7係說明像素電路與驅動電路之間之一連接關係的輔助圖；圖8係顯示依據一具體實施例的一像素電路之組態之一範例的圖式；圖9A與9B係說明依據一寫入線上之位置關係發生的電位變化之間之一差異的輔助圖；圖10係顯示一寫入控制線驅動區段與一電源線驅動區段的內部組態之一範例的圖式；圖11係說明圖10中之一虛線區域之區段結構的輔助圖；圖12A、12B、12C、12D及12E係表示依據該具體實施例的驅動 操作之一範例的圖式；圖13係說明該像素電路的操作之一狀態的輔助圖；圖14係說明該像素電路的操作之一狀態的輔助圖；圖15係說明該像素電路的操作之一狀態的輔助圖；圖16係說明該像素電路的操作之一狀態的輔助圖；圖17係顯示源極電位隨時間流逝之變化的圖式；圖18係說明該像素電路的操作之一狀態的輔助圖；圖19係顯示其差異係由於遷移率之差異所致的隨時間流逝的變化之間之一差異的圖式；圖20係說明該像素電路的操作之一狀態的輔助圖；圖21係顯示依據另一具體實施例的一有機EL面板之組態之另一範例的圖式；圖22係說明像素電路與驅動電路之間之一連接關係的輔助圖；圖23係顯示依據該具體實施例的一像素電路之組態之一範例的圖式；圖24係顯示一寫入控制線驅動區段與一電源線驅動區段的內部組態之一範例的圖式；圖25係顯示一顯示的影像之一範例的圖式；圖26係顯示一顯示的影像之一範例的圖式；圖27係顯示一輸出緩衝器電路之電路組態之一範例的圖式；圖28係顯示在形成該輸出緩衝器電路之一最後級中的一反相器電路中採用之一水平類型布局圖案之一範例的圖式；圖29係顯示在形成該輸出緩衝器電路之一最後級中的一反相器電路中採用之一垂直類型布局圖案之一範例的圖式；圖30係說明一像素電路與驅動電路之間之另一連接關係的輔助圖； 圖31A、31B、31C、31D及31E係表示該像素電路之驅動操作之一範例的圖式；圖32係說明該像素電路的操作之一狀態的輔助圖；圖33係說明該像素電路的操作之一狀態的輔助圖；圖34係說明該像素電路的操作之一狀態的輔助圖；圖35係說明該像素電路的操作之一狀態的輔助圖；圖36係說明該像素電路的操作之一狀態的輔助圖；圖37係說明該像素電路的操作之一狀態的輔助圖；圖38係說明該像素電路的操作之一狀態的輔助圖；圖39係顯示一電子裝置之概念性組態之一範例的圖式；圖40係顯示一電子裝置之一產品之一範例的圖式；圖41A與41B係顯示一電子裝置之一產品之一範例的圖式；圖42係顯示一電子裝置之一產品之一範例的圖式；圖43A與43B係顯示一電子裝置之一產品之一範例的圖式；以及圖44係顯示一電子裝置之一產品之一範例的圖式。
下文中將說明其中本發明係應用於一主動矩陣驅動類型之一有機EL面板的情況。
順便提及，有關技術領域中的為人熟知或眾所周知的技術係應用於未明確在該等圖式中顯示或在本說明書中說明的部分。此外，下面要說明的具體實施例各係本發明之一具體實施例，並且本發明並不限於此等具體實施例。
(A)外部組態
順便提及，在本說明書中，不僅其中一像素陣列區段與一驅動電路係使用一相同半導體程序來形成於一相同基板上的顯示器面板而且其中作為一應用特定IC(integrated circuit；積體電路)製造之一驅動 電路(例如)係設置於其上形成一像素陣列區段之一基板上的顯示器面板將係稱為一有機EL面板。
圖5顯示一有機EL面板之外部組態的範例。該有機EL面板11具有一結構，其中一相對件15係層壓至一支撐基板13之一像素陣列區段形成區域。
該相對件15具有一結構，其中玻璃、塑膠膜或另一透明部件係用作一基底材料，並且一有機EL層、一保護膜及類似者係層壓至該基底材料之表面。
順便提及，該有機EL面板11具有一FPC(撓性印刷電路)17，其用於外部輸入或輸出一信號及類似者至該支撐基板13。
(B)第一具體實施例
(B-1)系統組態
下面將顯示該有機EL面板11的系統組態之一範例，其防止一驅動電晶體T2之特性的改變並且僅需要少量的形成一像素電路之元件。 順便提及，本具體實施例採用具有一較大螢幕大小之一有機EL面板。
圖6顯示該有機EL面板11之系統組態的範例。圖6所示之有機EL面板11包括一像素陣列區段21、作為針對該像素陣列區段21之驅動電路的寫入控制線驅動區段23與電源線驅動區段25、一水平選擇器27及一時序產生器29。
該像素陣列區段21具有一矩陣結構，其中一子像素係佈置於一信號線DTL與一寫入控制線WSL之各交叉位置處。順便提及，一子像素係形成一像素之一像素結構的最小單元。例如，作為一白色單元之一像素係藉由不同有機EL材料之三個子像素(R、G及B)來形成。
圖7顯示對應於子像素之像素電路31與各驅動電路之間的連接關係。圖8顯示在該第一具體實施例中建議的一像素電路31之一內部組 態。圖8所示之像素電路包括兩個n通道型薄膜電晶體T1與T2及一儲存電容器Cs。
同樣在此電路組態中，該寫入控制線驅動區段23係用以透過一寫入控制線WSL來實行對該取樣電晶體T1之斷開與閉合控制並從而控制一信號線電位至該儲存電容器Cs之寫入。順便提及，該寫入控制線驅動區段23係藉由具有若干輸出級之一移位暫存器來形成，該等輸出級之數目等於垂直解析度之值。
本具體實施例採用一系統，其中藉由一相同脈衝操作的兩個寫入控制線驅動區段23係配置於該像素陣列區段21之兩側上以同時自該像素陣列區段21之兩側來驅動一寫入控制線WSL。
當該有機EL面板11具有一較大螢幕大小時，如圖9A與9B所示，於遠離一寫入控制線驅動區段23之一位置處的寫入控制線WSL之電位的改變(圖9B)比於接近該寫入控制線驅動區段23之一位置處的寫入控制線WSL的電位改變(圖9A)更容易變鈍。此外，藉由該波形之變鈍所引起之一寫入時間差異使得正常信號電位寫入操作較為困難，並引起陰影。
另一方面，當該兩個寫入控制線驅動區段23係配置於該像素陣列區段21之兩側上時，藉由各個別寫入控制線驅動區段23驅動之一範圍係減半，並可最小化該寫入控制線WSL之電位變化的延遲與變鈍。
應注意，在該第一具體實施例中，比該電源線驅動區段25更接近該像素陣列區段21來佈置該寫入控制線驅動區段23。
該等電源線驅動區段25係用以在一二進制基礎上控制透過一電源線DSL連接至該驅動電晶體T2之一主電極的一電源線DSL並從而藉由與其他驅動電路連鎖之一操作來控制該像素電路內之操作。在此情況中，該操作不僅包括一有機EL元件之發射與非發射，還包括針對特性改變進行校正之一操作。在本具體實施例中，針對特性改變之校 正表示針對由於該驅動電晶體T2的臨限值之改變與遷移率之改變所致的均勻度之劣化的校正。
在本具體實施例中，提供該等電源線驅動區段25，其數目亦係兩個。該兩個電源線驅動區段25係配置於該像素陣列區段21之兩側上以同時自該像素陣列區段21之兩側來驅動一電源線DSL。此係因為當該有機EL面板11具有一較大螢幕大小時，於遠離一電源線驅動區段25之一位置處的電源線DSL之電位的變化傾向於變鈍，從而使正常時序控制較為困難。
另一方面，當該兩個電源線驅動區段25係配置於該像素陣列區段21之兩側上時，藉由各個別電源線驅動區段25驅動之一範圍係減半，並可最小化該電源線DSL之電位變化的延遲與變鈍。
應注意，在該第一具體實施例中，該電源線驅動區段25係佈置於該寫入控制線驅動區段23之外側上。
為進行參考，圖10顯示一寫入控制線驅動區段23與一電源線驅動區段25的電路組態之一範例。如圖10所示，該寫入控制線驅動區段23與該電源線驅動區段25具有一相同的基本組態。
明確地說，該寫入控制線驅動區段23包括一移位暫存器區段231、一波形調整電路233及一輸出緩衝器電路235。另一方面，該電源線驅動區段25包括一移位暫存器區段251、一波形調整電路253及一輸出緩衝器電路255。
圖10所示之一陰影圖案係用於驅動各部分之電源佈線。藉由"Vh"指示之電源佈線將一"H位準"之一電源電位供應至該等移位暫存器區段231與251及該等波形調整電路233與253。另一方面，藉由"V1"指示之電源佈線將一"L位準"之一電源電位供應至該等移位暫存器區段231與251及該等波形調整電路233與253。
藉由"Vcc_*(*係ws或ds)"指示之電源佈線將一"H位準"之一電源 電位供應至該等波形調整電路233與253及該等輸出緩衝器電路235與255。另一方面，藉由"Vss_*(*係ws或ds)"指示之電源佈線將一"L位準"之一電源電位供應至該等波形調整電路233與253及該等輸出緩衝器電路235與255。
在此情況中，該等移位暫存器區段231與251係藉由正反器級來形成，該等正反器級實行依據一時脈脈衝CK將一取樣脈衝SP依序傳送至下一級之一操作。該等正反器級之一者對應於一水平線之一級。
該等波形調整電路233與253調整在一時間軸之一方向上的脈衝寬度及脈衝高度。
該等輸出緩衝器電路235與255係藉由個別對應二進制電源電位來分別驅動該寫入控制線WSL與該電源線DSL的電路裝置。明確地說，該等輸出緩衝器電路235與255係藉由串聯連接一反相器電路之一級或更多級來形成。
順便提及，電源佈線之每一段皆係佈置以便與該水平線垂直。另一方面，藉由該等電源線驅動區段25驅動的電源線DSL各係與該水平線平行地配置。
因而，如圖11所示，該電源線DSL具有一佈線結構，其與該寫入控制線驅動區段23內的電源佈線三維地交叉。
針對電源的佈線基本上由鋁形成。然而，鋁需要一較大的膜厚度。因而，一般僅需要一較小膜厚度的諸如鉬或類似者之一金屬材料係用於三維交叉部分處。
因此，在圖6所示之有機EL面板11的情況中，該電源線DSL係形成為鋁與鉬的混和佈線。
順便提及，在具有圖6所示之結構的有機EL面板11的情況中，針對一電源線DSL形成總共四個三維交越點，在該像素陣列區段21之左側與右側上各具有兩個三維交越點。
水平選擇器27係用以將對應於像素資料Din之一信號電位Vsig或用於臨限值校正之一偏移電壓Vofs施加至一信號線DTL。該水平選擇器27包括具有其數目等於水平解析度之值的若干輸出級之一移位暫存器、對應於各輸出級之一閂鎖電路及一D/A(digital-to-analog；數位至類比)轉換器電路。
時序產生器29係用於產生驅動該寫入控制線WSL、該電源線DSL及該信號線DTL所必需之一時序脈衝的電路裝置。
(B-2)驅動操作之範例
圖12A、12B、12C、12D及12E表示圖8所示之像素電路的驅動操作之一範例。順便提及，在圖12A至12E中，藉由Vcc來表示施加至該電源線DSL的兩個電源電位之更高電位(發射電位)，並藉由Vss來表示更低電位(非發射電位)。
首先，圖13顯示在一發射狀態中該像素電路內的操作之狀況。此時，該取樣電晶體T1處於一關閉狀態。同時，該驅動電晶體T2在一飽和區域中運作，並且依據一閘極至源極電壓Vgs決定之一電流Ids流動(圖12A至12E(t1))。
接下來將說明在一非發射狀態中的操作之狀況。此時，該電源線DSL之電位自高電位Vcc改變至低電位Vss(圖12A至12E(t2))。此時，當該低電位Vss低於一臨限值Vthel與該有機EL元件之一陰極電位Vcath的和時，即當Vss<Vthel+Vcath時，該有機EL元件係淬熄。
順便提及，該驅動電晶體T2之源極電位Vs變得等於該電源線DSL之電位。即，該有機EL元件之陽極電位係充電至該低電位Vss。圖14顯示該像素電路內的操作之狀況。如圖14中之一虛線所示，此時，藉由該儲存電容器Cs保持之一電荷係取出至該電源線DSL。
然後，當該寫入控制線WSL係改變至一高電位並且該信號線DTL之電位已轉變至用於臨限值校正的偏移電位Vofs時，該驅動電晶體T2 之閘極電位係透過已實行一開啟操作的取樣電晶體T1改變至該偏移電位Vofs(圖12A至12E(t3))。
圖15顯示在此情況中該像素電路內的操作之狀況。此時，該驅動電晶體T2之閘極至源極電壓Vgs係藉由Vofs-Vss給出。此電壓係設定大於該驅動電晶體T2之臨限電壓Vth。此係因為不能實行臨限電壓校正操作，除非滿足Vofs-Vss>Vth。
接下來，該電源線DSL之電源電位係再次改變至高電位Vcc(圖12A至12E(t4))。因為該電源線DSL之電源電位係改變至該高電位Vcc，故該有機EL元件OLED之陽極電位Vel變成該驅動電晶體T2之源極電位Vs。
圖16藉由一等效電路來表示該有機EL元件OLED。即，圖16將該有機EL元件OLED顯示為一二極體與一寄生電容Cel。此時，只要滿足一關係VelVcat+Vthel(然而，認為該有機EL元件之洩漏電流明顯小於流過該驅動電晶體T2之驅動電流Ids)，流過該驅動電晶體T2之驅動電流Ids便係用以充電該儲存電容器Cs與該寄生電容Cel。
因此，如圖17所示，該有機EL元件OLED之陽極電位Vel隨時間的流逝而上升。即，該驅動電晶體T2之源極電位Vs開始隨固定於該偏移電位Vofs的驅動電晶體T2之閘極電位而上升。此操作係該臨限電壓校正操作。
該驅動電晶體T2之閘極至源極電壓Vgs最終收斂至該臨限電壓Vth。此時，滿足Vel=Vofs-VthVcat+Vthel。
當臨限值校正週期係結束時，該取樣電晶體T1係控制以再次關閉(圖12A至12E(t5))。
然後，在該信號線DTL之電位轉變至一信號電位Vsig所必需的時序之後，該取樣電晶體T1係受控制以再次處於一開啟狀態(圖12A至12E(t6))。圖18顯示在此情況中該像素電路內的操作之狀況。該信號 電位Vsig係依據該對應像素之層次值來給出。
此時，該驅動電晶體T2之閘極電位Vg轉變至該信號電位Vsig。同時，該驅動電晶體T2之源極電位Vs係藉由自該電源線DSL流向該儲存電容器Cs之一電流來隨時間升高。
此時，除非該驅動電晶體T2之源極電位Vs超過該臨限電壓Vthel與該有機EL元件之陰極電壓Vcat之和(認為該有機EL元件之洩漏電流明顯小於流過該驅動電晶體T2之電流)，否則藉由該驅動電晶體T2供應的驅動電流Ids係用以充電該儲存電容器Cs與該寄生電容Cel。
順便提及，因為已完成該驅動電晶體T2之臨限值校正操作，故藉由該驅動電晶體T2饋送的驅動電流Ids具有反映該驅動電晶體T2之遷移率μ之一值。明確地說，該驅動電晶體之遷移率μ愈高，流過該驅動電晶體的驅動電流Ids愈大，並且該源極電位Vs上升愈快。相反，該驅動電晶體之遷移率μ愈低，流過該驅動電晶體的驅動電流Ids愈小，並且該源極電位Vs上升愈慢(圖19)。
因此，依據該驅動電晶體T2之遷移率μ來校正藉由該儲存電容器Cs保持的電壓。即，該驅動電晶體T2之閘極至源極電壓Vgs係改變至針對該遷移率μ校正之一電壓。
最後，當該取樣電晶體T1係受控制以係切斷並從而該信號電位之寫入係結束時，該有機EL元件OLED之發射週期開始(圖12A至12E(t7))。圖20顯示在此情況中該像素電路內的操作之狀況。順便提及，該驅動電晶體T2之閘極至源極電壓Vgs係恆定的。因而，該驅動電晶體T2將一恆定電流Ids'供應至該有機EL元件。
藉此，該有機EL元件之陽極電位Vel上升至一電位Vx，該電流Ids'於該電位通過該有機EL元件。從而，該有機EL元件之光發射係開始。
同樣，在本具體實施例中建議的驅動電路之情況中，該有機EL 元件OLED之I-V特性隨著該發射週期變得更長而變化。
即，該驅動電晶體T2之源極電位Vs亦改變。然而，因為該驅動電晶體T2之閘極至源極電壓Vgs係藉由該儲存電容器Cs而保持恆定，故流過該有機EL元件OLED的電流量不變。因而，當採取本具體實施例中建議的像素電路與驅動系統時，可使對應於該信號電位Vsig的驅動電流Ids一直連續流動而與該有機EL元件OLED的I-V特性之變化無關。從而，可將該有機EL元件OLED的光發射照度保持於對應於該信號電位Vsig之一照度。
(B-3)概述
如上面所說明，藉由採取本具體實施例中說明的像素電路與驅動系統，甚至當該驅動電晶體T2係藉由一n通道型薄膜電晶體形成時，仍可實現在各像素中不具有照度改變之一有機EL面板。
此外，在本具體實施例中，該寫入控制線驅動區段23與該電源線驅動區段25係佈置於該像素陣列區段21的兩側上，使得可同時自兩側驅動與控制各寫入控制線WSL與各電源線DSL。
從而，甚至當該像素陣列區段21之大小係增加並且用於驅動該電源線DSL之一時間係縮短時，仍可減低該寫入控制線WSL之波形的鈍性，並有效抑制陰影的發生。
此外，雖然當自該螢幕之一側驅動該電源線DSL時該螢幕之兩端之間的電壓差不可避免得較大，但可藉由自該螢幕兩側驅動該電源線DSL來減小該電源線DSL上的電壓差。特定言之，因為該有機EL元件係一電流驅動元件，故該電源線DSL上的電壓差直接導致驅動電流(光發射照度)的差異。因而，藉由減小該電壓差，可減低在白色顯示之時間一電壓降之效應(即，串擾)。
如上面所說明，藉由採取本具體實施例，可實現一有機EL面板，其雖然僅使用n通道型薄膜電晶體但仍可提供一穩定的光發射特 性而與長期變化無關，並且同時使得該螢幕內的顯示品質之劣化難以察覺。
(C)第二具體實施例
(C-1)系統組態
下面將說明一面板結構，其可進一步改良具有一較大螢幕大小之一有機EL面板的顯示品質。
圖21顯示一有機EL面板11之系統組態的範例。順便提及，在圖21中，對應於圖6之該些部分的部分係藉由相同參考數字來識別。如圖21所示，一基本系統組態係相同的。明確地說，圖21所示之有機EL面板11亦包括一像素陣列區段21、作為針對該像素陣列區段21之驅動電路的寫入控制線驅動區段23與電源線驅動區段41、一水平選擇器27及一時序產生器29。
不同之處在於在該寫入控制線驅動區段23與該電源線驅動區段41之間的面板內之位置關係。
首先，在本具體實施例中，該寫入控制線驅動區段23與該電源線驅動區段41之間的位置關係係改變。明確地說，該電源線驅動區段41係比該寫入控制線驅動區段23更接近該像素陣列區段地佈置。
此外，在本具體實施例中，形成該電源線驅動區段41之一輸出緩衝器電路的大小係增加，並且一緩衝器部分之電阻值係減低。
圖22顯示對應於子像素之像素電路31與各驅動電路之間的連接關係。此外，圖23顯示一像素電路31之一內部組態。
此外，圖24顯示一寫入控制線驅動區段23與一電源線驅動區段41之間的佈線關係。如圖24所示，此次，藉由該寫入控制線驅動區段23驅動與控制的寫入控制線WSL係混合佈線，並且該等寫入控制線WSL於用於將驅動功率供應至該電源線驅動區段41的電源佈線處三維交叉。
另一方面，因為電源線DSL與用於供應驅動功率的電源佈線三維交叉的次數小於該第一具體實施例，故可單獨藉由一低電阻金屬來形成該等電源線DSL。在本具體實施例中，該等電源線DSL係藉由鋁來形成。
此外，因為該等驅動區段之位置關係係改變，故該等電源線DSL之佈線長度短於該第一具體實施例。因而，該等電源線DSL之佈線電阻低於該第一具體實施例。因此，與該第一具體實施例相比較，本具體實施例中建議的面板結構可減低串擾或陰影係視覺上辨識的機率。
另一方面，該第二具體實施例中的寫入控制線WSL之電阻值高於該第一具體實施例。因此，與該第一具體實施例相比較，一水平線上的一寫入時間差異之一最大值係增加。
然而，藉由該寫入時間差異引起的陰影並不係視覺上辨識，除非照度差異變為大約20%。因此，甚至當該等寫入控制線驅動區段23係佈置於該等電源線驅動區段41之外側上時，仍可藉由兩側驅動來抑制該寫入時間差異的問題。
另一方面，甚至當該照度差異係大約1%時，藉由該電源線DSL中之一電壓降引起的串擾仍係視覺上辨識。因而，能夠如該第二具體實施例減小該電源線DSL之佈線電阻具有較大技術效應。
各像素電路內的驅動電晶體T2在一飽和區域中運作。因而，甚至當該佈線電阻較低時，厄列(Early)效應仍存在。
因而，當如圖25所示一種影像係輸入至該有機EL面板11中時，在一白色顯示線之一電源線之一電壓降與一黑色視窗顯示線之一電源線之一電壓降之間一電位差異發生。
當該電位差異變得等於或多於該照度差異之1%時，一串擾係視覺上辨識。
串擾的發生取決於顯示線(水平線)之電源電壓降的數量之間的差 異。即，不僅該等電源線DSL之部分而且一輸出緩衝器電路257之輸出電阻值都對串擾的發生具有較大效應。
例如，當甚至即使該等電源線DSL之佈線電阻較低但該輸出緩衝器電路257仍具有一較高輸出電阻值時，如圖26所示在顯示黑色視窗之時間的一白色顯示線之照度係藉由該電壓降所降低，該電壓降係視覺上辨識為一串擾。
因此，在本具體實施例中建議其中該輸出緩衝器電路257之輸出電阻值係減低的電源線驅動區段41。
作為一範例，圖27顯示形成該電源線驅動區段41的輸出緩衝器電路257之一等效電路。假定如圖27所示，該輸出緩衝器電路257係藉由CMOS(complementary metal oxide semiconductor；互補金氧半導體)反相器電路之一二級連接來形成。
圖28顯示形成該輸出緩衝器電路257之一最後級的一CMOS反相器電路之一平面結構。
圖28中藉由虛線圍繞的區域分別對應於一p通道型薄膜電晶體與一n通道型薄膜電晶體。如圖28所示，該p通道型薄膜電晶體之大小大於該n通道型薄膜電晶體之大小。明確地說，該p通道型薄膜電晶體之大小係該n通道型薄膜電晶體之大小的1.5倍或更多且較佳的係大約10倍。此係要減低來自電源佈線Vcc之佈線電阻。
然而，該p通道型薄膜電晶體之大小的增加係實際上藉由一像素間距限制。此外，該像素間距係隨解析度的增加而減小。因此，一裝置有必要增加在一有限布局中該p通道型薄膜電晶體之大小。
一般而言，為了減低該輸出緩衝器電路257之輸出電阻，需要增加該p通道型薄膜電晶體之通道寬度。
因此，最後級中的CMOS反相器電路係形成為一水平類型，如圖28所示。即，該最後級中的CMOS反相器電路係形成以使得該p通道 型薄膜電晶體之通道長度的方向與一信號線平行(與一水平線之方向垂直)。此時，較佳的係，該p通道型薄膜電晶體係形成以使得該p通道型薄膜電晶體之通道寬度大於在該信號線之方向上一像素的長度。採取此結構致能大量電流流動並致能輸出電阻係對應減低。
此外，此水平類型之布局具有與如圖29所示之一垂直類型之一布局相比更短的一通道與電源佈線Vcc之間的距離之另一優點。在此情況中，該距離係藉由自該電源佈線Vcc至圖28與圖29所示之點A的長度給出。
顯然，在該水平類型之布局中，可使該電源佈線Vcc與該通道之間的長度更短。
(C-2)概述
如上面所說明，在本具體實施例中，藉由形成比該等寫入控制線驅動區段23更接近該像素陣列區段21的電源線驅動區段41，可縮短該等電源線DSL之佈線長度並簡化該佈線結構(減低三維交叉)，並減低該佈線電阻。
此外，藉由形成在該電源線驅動區段41中形成該輸出緩衝器電路257之最後級的反相器電路以使得該反相器電路之p通道型薄膜電晶體的通道之方向與該信號線DTL平行(採取該水平布局)，可減低該輸出緩衝器電路257內的佈線電阻。
因此，可減低包括該輸出緩衝器電路257之輸出級的電源線DSL之總體佈線電阻。因而，可實現甚至當考量厄列效應時仍使電源線DSL上之電源電壓降之間的差異小於該第一具體實施例的有機EL面板11，並因而使串擾更難以視覺上辨識。
即，可實現自其原則上預期高影像品質的有機EL面板11。
此外，該輸出緩衝器電路257之通道的方向與該信號線的方向平行。因而，亦可實現該有機EL面板11之一更窄圖框。
(D)其他具體實施例
(D-1)用於電源線DSL的佈線材料
在上面說明的第二具體實施例的情況中，該等電源線DSL係由鋁形成。
然而，在該第二具體實施例中，可針對該等電源線DSL使用鋁、銅、金及其合金。可使此等佈線材料之各佈線電阻值皆低於鉬之佈線電阻值。因而，此等材料有利於降低該等電源線DSL之電阻。
(D-2)像素電路之其他範例
在前述具體實施例中，該像素電路31包括兩個薄膜電晶體。因此，採取一驅動系統，其中透過該信號線DTL來施加針對臨限值校正之一參考電壓(下文中稱為一偏移電壓)Vofs。
然而，可佈置專用於控制施加該偏移電壓Vofs之時序的電晶體。
圖30顯示對應於修改之範例的一像素電路51之組態的範例。該像素電路51具有佈置於其中之一第二取樣電晶體T3。該第二取樣電晶體T3的主電極之一者係連接至一驅動電晶體T2之閘極電極。另一主電極係連接至供應一固定偏移電壓Vofs之一偏移線OFSL。
順便提及，該第二取樣電晶體T3係藉由偏移線驅動區段53來控制以係接通與切斷。
在本範例中，僅對應於各像素之一信號電位Vsig係施加至一信號線DTL。順便提及，圖30所示的偏移線驅動區段53與寫入控制線驅動區段23可彼此在位置關係上互換。
圖31A、31B、31C、31D及31E表示參考圖30說明之像素電路的驅動操作之一範例。順便提及，在圖31A至31E中，藉由Vcc來表示施加至一電源線DSL的兩個電源電位之更高電位(發射電位)，並藉由Vss來表示更低電位(非發射電位)。
首先，圖32顯示在一發射狀態中該像素電路內的操作之狀況。 此時，一取樣電晶體T1處於一關閉狀態。同時，該驅動電晶體T2在一飽和區域中運作，並且依據一閘極至源極電壓Vgs決定之一電流Ids流動(圖31A至31E(t1))。
接下來將說明在一非發射狀態中的操作之狀況。此時，該電源線DSL之電位自該高電位Vcc改變至該低電位Vss(圖31A至31E(t2))。此時，當該低電位Vss低於一臨限值Vthel與一有機EL元件之一陰極電位Vcath的和時，即當Vss<Vthel+Vcath時，該有機EL元件OLED係淬熄。
順便提及，該驅動電晶體T2之源極電位Vs變得等於該電源線DSL之電位。即，該有機EL元件之陽極電位係充電至該低電位Vss。圖33顯示該像素電路內的操作之狀況。如圖33中之一虛線所示，此時，藉由一儲存電容器Cs保持之一電荷係取出至該電源線DSL。
然後，該第二取樣電晶體T3係藉由該偏移線驅動區段53來控制以係接通。從而，該驅動電晶體T2之閘極電位係改變至該偏移電壓Vofs(圖31A至31E(t3))。
圖34顯示在此情況中該像素電路內的操作之狀況。此時，該驅動電晶體T2之閘極至源極電壓Vgs係藉由Vofs-Vss給出。此電壓係設定大於該驅動電晶體T2之臨限電壓Vth。此係因為不能實行臨限電壓校正操作，除非滿足Vofs-Vss>Vth。
接下來，該電源線DSL之電源電位係再次改變至高電位Vcc(圖31A至31E(t4))。因為該電源線DSL之電源電位係改變至該高電位Vcc，故該有機EL元件OLED之陽極電位係藉由該驅動電晶體T2之源極電位Vs給出。
圖35藉由一等效電路來表示該有機EL元件OLED。即，圖35將該有機EL元件OLED顯示為一二極體與一寄生電容Cel。此時，只要滿足一關係VelVcat+Vthel(然而，認為該有機EL元件之洩漏電流明顯 小於流過該驅動電晶體T2之驅動電流Ids)，流過該驅動電晶體T2之驅動電流Ids係用以充電該儲存電容器Cs與該寄生電容Cel。
因此，該有機EL元件OLED之陽極電位Vel隨時間的流逝而上升。即，該驅動電晶體T2之源極電位Vs開始隨固定於該偏移電位Vofs的驅動電晶體T2之閘極電位而上升。
該驅動電晶體T2之閘極至源極電壓Vgs最終收斂至該臨限電壓Vth。此時，滿足Vel=Vofs-VthVcat+Vthel。
當該臨限值校正週期係結束時，第二取樣電晶體T3係控制以再次關閉(圖31A至31E(t5))。圖36顯示在此情況中該像素電路內的操作之狀況。
然後，在該信號線DTL之電位轉變至一信號電位Vsig所必需的時序之後，該第一取樣電晶體T1係控制以處於一開啟狀態(圖31A至31E(t6))。圖37顯示在此情況中該像素電路內的操作之狀況。該信號電位Vsig係依據該對應像素之層次值來給出。
此時，該驅動電晶體T2之閘極電位Vg轉變至該信號電位Vsig。同時，該驅動電晶體T2之源極電位Vs係藉由自該電源線DSL流向該儲存電容器Cs之一電流來隨時間升高。
此時，除非該驅動電晶體T2之源極電位Vs超過該臨限電壓Vthel與該有機EL元件之陰極電壓Vcat之和(認為該有機EL元件之洩漏電流明顯小於流過該驅動電晶體T2之電流)，藉由該驅動電晶體T2供應的驅動電流Ids係用以充電該儲存電容器Cs與該寄生電容Cel。
順便提及，因為已完成該驅動電晶體T2之臨限值校正操作，故藉由該驅動電晶體T2讀送的驅動電流Ids具有反映該驅動電晶體T2之遷移率μ之一值。明確地說，該驅動電晶體之遷移率μ愈高，流過該驅動電晶體的驅動電流Ids愈大，並且該源極電位Vs上升愈快。相反，該驅動電晶體之遷移率μ愈低，流過該驅動電晶體的驅動電流Ids 愈小，並且該源極電位Vs上升愈慢。
因此，依據該驅動電晶體T2之遷移率μ來校正藉由該儲存電容器Cs保持的電壓。即，該驅動電晶體T2之閘極至源極電壓Vgs係改變至針對該遷移率μ校正之一電壓。
最後，當該第一取樣電晶體T1係控制以係切斷並從而該信號電位之寫入係結束時，該有機EL元件OLED之發射週期開始(圖31A至31E(t7))。圖38顯示在此情況中該像素電路內的操作之狀況。然而，該驅動電晶體T2之閘極至源極電壓Vgs係恆定的。因而，該驅動電晶體T2將一恆定電流Ids'供應至該有機EL元件。
藉此，該有機EL元件之陽極電位Vel上升至一電位Vx，該電流Ids'於該電位通過該有機EL元件。從而，該有機EL元件之光發射係開始。
同樣，在本具體實施例中建議的驅動電路之情況中，該有機EL元件OLED之I-V特性隨著該發射週期變得更長而變化。
即，該驅動電晶體T2之源極電位Vs亦改變。然而，因為該驅動電晶體T2之閘極至源極電壓Vgs係藉由該儲存電容器Cs而保持恆定，故流過該有機EL元件OLED的電流量不變。因而，當採取本具體實施例中建議的像素電路與驅動系統時，可使對應於該信號電位Vsig的驅動電流Ids一直連續流動而與該有機EL元件OLED的I-V特性之變化無關。從而，可將該有機EL元件OLED的光發射照度保持於對應於該信號電位Vsig之一照度。
(D-3)產品範例
(a)電子裝置
上面已藉由採取一有機EL面板作為一範例來說明本發明。然而，上面說明的有機EL面板亦係以其中該有機EL面板係設置於各種電子裝置中的產品形式來分配。下面將顯示在其他電子裝置中設置該 有機EL面板的範例。
圖39顯示一電子裝置61之概念性組態的範例。該電子裝置61包括如上面所說明之一有機EL面板63、一系統控制區段65及一操作輸入區段67。藉由該系統控制區段65實行的處理之說明根據該電子裝置61的產品形式而不同。該操作輸入區段67係一用於接收至該系統控制區段65之一操作輸入的裝置。例如，一開關、一按鈕或另一機械介面、一圖像介面或類似者係用作該操作輸入區段67。
應注意，該電子裝置61並不限於一特定領域中之一裝置，只要該電子裝置61具有顯示在該裝置內產生或外部輸入之一影像或視訊的功能。
圖40顯示作為另一電子裝置之一電視接收器的外觀之一範例。由一前面板73、一濾光玻璃75及類似者構成之一顯示螢幕77係佈置於該電視接收器71之一外殼的前表面上。該顯示螢幕77之部分對應於一具體實施例中說明的有機EL面板。
例如，採用一數位相機作為此類型之電子裝置61。圖41A與41B顯示該數位相機81之外觀的範例。圖41A顯示一前側(對象側)之外觀的範例。圖41B顯示一後側(照相者側)之外觀的範例。
該數位相機81包括一保護蓋83、一影像讀取透鏡區段85、一顯示螢幕87、一控制開關89及一快門按鈕91。在此等部分中，該顯示螢幕87之部分對應於一具體實施例中說明的有機EL面板。
例如，採用一攝錄影機作為此類型之電子裝置61。圖42顯示攝錄影機101之外觀的範例。
該攝錄影機101包括用於讀取在一主體103前面的一對象之一影像的影像讀取透鏡105、一圖像拍攝開始/停止開關107及一顯示螢幕109。在此等部分中，該顯示螢幕109之部分對應於一具體實施例中說明的有機EL面板。
例如，採用一可攜式終端裝置作為此類型之電子裝置61。圖43A與43B顯示作為一可攜式終端裝置的一可攜式電話111之外觀的範例。圖43A與43B所示之可攜式電話111屬於一折疊類型。圖43A顯示處於一打開狀態之一外殼的外觀之範例。圖43B顯示處於一折疊狀態之外殼的外觀之範例。
該可攜式電話111包括一上側外殼113、一下側外殼115、一耦合部分(在此範例中係一鉸鏈部分)117、一顯示螢幕119、一輔助顯示螢幕121、一圖像燈123及一影像讀取透鏡125。在此等部分中，該顯示螢幕119與該輔助顯示螢幕121之部分對應於一具體實施例中說明的有機EL面板。
例如，採用一電腦作為此類型之電子裝置61。圖44顯示一筆記型電腦131之外觀的範例。
該筆記型電腦131包括一下側外殼133、一上側外殼135、一鍵盤137及一顯示螢幕139。在此等部分中，該顯示螢幕139之部分對應於一具體實施例中說明的有機EL面板。
除此等範例以外，還採用一音訊再生裝置、一遊戲機、一電子書籍、一電子辭典及類似者作為該電子裝置61。
(D-4)其他顯示裝置範例
在上面說明的具體實施例中，本發明係應用於一有機EL面板。
然而，上面說明的驅動技術亦適用於其他EL顯示裝置。上面說明的驅動技術亦適用於(例如)其中配置LED之一顯示裝置與其中具有另一二極體結構之光發射元件係配置於一螢幕上之一顯示裝置。上面說明的驅動技術亦適用於(例如)一無機EL面板。
(D-5)其他
可考量前述具體實施例之修改的各種範例而不脫離本發明之精神。此外，可考量基於本說明書之說明而建立或組合的修改與應用之 各種範例。
23‧‧‧寫入控制線驅動區段
27‧‧‧水平選擇器
31‧‧‧像素電路
41‧‧‧電源線驅動區段
Cs‧‧‧儲存電容器
Din‧‧‧像素資料
DSL‧‧‧電源線
DTL‧‧‧信號線
OLED‧‧‧有機EL元件
T1‧‧‧取樣電晶體
T2‧‧‧驅動電晶體
WSL‧‧‧寫入控制線

Claims (22)

  1. 一種自發光顯示裝置，其包含：複數個像素電路，其經配置於一顯示區域中；複數個第一掃描線，其在一列方向上延伸；複數個信號線，其在一欄方向上延伸；以及一驅動電路系統，其經組態以驅動該等像素電路，其並包括經組態以控制該等第一掃描線之一寫入控制電路系統，其中該等像素電路之每一者包括：一發光元件；一第一取樣電晶體，其經組態以回應於經由該等掃描線中之相應一者所提供之一控制信號，而自該等信號線中之相應一者取樣一影像信號；一電容器，其包括一第一節點及一第二節點，並經組態以儲存相依於該影像信號之一電壓；一第二取樣電晶體，其經組態以將一偏移電壓提供至該電容器；及一驅動電晶體，其經組態以基於儲存於電容器中的該電壓控制用於該發光元件之一電流，其中該驅動電路系統經組態以藉由依序執行下列程序而驅動該等像素電路之一者：執行一第一程序以在一第一期間將該偏移電壓經由該第二取樣電晶體提供至該電容器；執行一第二程序以經由該第一取樣電晶體取樣該影像信號，並在一第二期間內藉由提供一電流穿過該驅動電晶體至該第二節點而增加該第二節點之一電壓，至少在該第二 期間內該第一節點之一電壓高於該第二節點之該電壓；及執行一第三程序，以在一第三期間內提供用於該發光元件之該電流，其中，在該第二程序中，當該第一取樣電晶體被來自該等掃描線中之相應該者所提供之該控制信號所開啟時，該第二節點之該電壓的增加係經組態以立即開始，且其中，該寫入控制電路系統包括一第一寫入控制電路及一第二寫入控制電路，其各別置於該顯示區域之一第一側以及與該第一側相對的該顯示區域之一第二側，該第一寫入控制電路及該第二寫入控制電路之兩者連接至該等第一掃描線之各別一者。
  2. 如請求項1之自發光顯示裝置，其中，在該第二程序中，該第二節點之該電壓的增加係經組態以持續到該第一取樣電晶體被來自該等掃描線中之相應該者所提供之該控制信號所關閉。
  3. 如請求項1之自發光顯示裝置，其中，在該第二程序被執行之前，該第一節點及該第二節點之間的一電壓被設定為大於零之一值。
  4. 如請求項3之自發光顯示裝置，其中，在該第一程序期間，該第一節點及該第二節點之間的該電壓被設定為與該偏移電壓相依之一值。
  5. 如請求項1之自發光顯示裝置，其中，在該第一取樣電晶體於該第二程序開始時被開啟之前，該驅動電路系統經組態以將與該影像信號相依之一電壓施加於該等信號線中之相應該者。
  6. 如請求項1之自發光顯示裝置，其進一步包含複數個電源控制 線，其在該列方向上延伸，其中該驅動電路系統進一步包括一電源供應控制電路系統，其經組態以藉由該等電源控制線中之相應一者控制用於該等像素電路之每一者之該驅動電晶體的電源供應。
  7. 如請求項6之自發光顯示裝置，其中該電源供應控制電路系統包括一第一電源供應控制電路及一第二電源供應控制電路，其各別置於該顯示區域之該第一側及該第二側。
  8. 如請求項7之自發光顯示裝置，其中該第一電源供應控制電路及該第二電源供應控制電路之兩者連接至該等電源控制線中之各別一者。
  9. 如請求項6之自發光顯示裝置，其中該電源供應控制電路系統經組態以供應脈衝信號至若干電源供應控制線，該等電源供應控制線之每一者連接至該等像素電路中之相應一者之該驅動電晶體之一電流節點。
  10. 如請求項1之自發光顯示裝置，其進一步包含複數個第二掃描線，其在該列方向上延伸，其中該驅動電路系統進一步包括一偏移控制電路系統，該偏移控制電路系統經組態以經由該等第二掃描線中之相應一者控制該等像素電路之每一者之該第二取樣電晶體。
  11. 如請求項10之自發光顯示裝置，其中該偏移控制電路系統包括一第一偏移控制電路及一第二偏移控制電路，其各別置於該顯示區域之該第一側及該第二側，且該第一偏移控制電路及該第二偏移控制電路之兩者連接至該等第二掃描線之各別一者。
  12. 一種自發光顯示裝置，其包含：複數個像素電路，其經配置於一顯示區域中； 複數個第一掃描線，其在一列方向上延伸；複數個信號線，其在一欄方向上延伸；以及一驅動電路系統，其經組態以驅動該等像素電路，其並包括經組態以控制該等第一掃描線之一寫入控制電路系統，其中該等像素電路之每一者包括：一發光元件；一第一取樣電晶體，其經組態以回應於經由該等掃描線中之相應一者所提供之一控制信號，而自該等信號線中之相應一者取樣一影像信號；一電容器，其包括一第一節點及一第二節點，並經組態以儲存相依於該影像信號之一電壓；一第二取樣電晶體，其經組態以將一偏移電壓提供至該電容器；及一驅動電晶體，其經組態以基於儲存於電容器中的該電壓控制用於該發光元件之一電流，其中該驅動電路系統經組態以藉由依序執行下列程序而驅動該等像素電路之一者：執行一第一程序以在一第一期間將該偏移電壓經由該第二取樣電晶體提供至該電容器；執行一第二程序以經由該第一取樣電晶體取樣該影像信號，並在一第二期間內藉由提供一電流穿過該驅動電晶體至該第二節點而增加該第二節點之一電壓，至少在該第二期間內該第一節點之一電壓高於該第二節點之該電壓；及執行一第三程序，以在一第三期間內提供用於該發光元件之該電流，其中，在該第一取樣電晶體於該第二程序開始時被開啟之 前，該驅動電路系統經組態以將與該影像信號相依之一電壓施加至該等信號線中之相應該者，且其中，該寫入控制電路系統包括一第一寫入控制電路及一第二寫入控制電路，其各別置於該顯示區域之一第一側以及與該第一側相對的該顯示區域之一第二側，該第一寫入控制電路及該第二寫入控制電路之兩者連接至該等第一掃描線之各別一者。
  13. 如請求項12之自發光顯示裝置，其中，在該第二程序中，該第二節點之該電壓的增加係經組態以持續到該第一取樣電晶體被來自該等掃描線中之相應該者所提供之該控制信號所關閉。
  14. 如請求項12之自發光顯示裝置，其中，在該第二程序被執行之前，該第一節點及該第二節點之間的一電壓被設定為大於零之一值。
  15. 如請求項14之自發光顯示裝置，其中，在該第一程序期間，該第一節點及該第二節點之間的該電壓被設定為與該偏移電壓相依之一值。
  16. 如請求項12之自發光顯示裝置，其進一步包含複數個電源控制線，其在該列方向上延伸，其中該驅動電路系統進一步包括一電源供應控制電路系統，其經組態以藉由該等電源控制線中之相應一者控制用於該等像素電路之每一者之該驅動電晶體的電源供應。
  17. 如請求項16之自發光顯示裝置，其中該電源供應控制電路系統包括一第一電源供應控制電路及一第二電源供應控制電路，其各別置於該顯示區域之該第一側及該第二側。
  18. 如請求項17之自發光顯示裝置，其中該第一電源供應控制電路 及該第二電源供應控制電路之兩者連接至該等電源控制線中之各別一者。
  19. 如請求項16之自發光顯示裝置，其中該電源供應控制電路系統經組態以供應脈衝信號至若干電源供應控制線，該等電源供應控制線之每一者連接至該等像素電路中之相應一者之該驅動電晶體之一電流節點。
  20. 一種自發光顯示裝置，其包含：複數個像素電路，其經配置於一顯示區域中；複數個第一掃描線，其在一列方向上延伸；複數個信號線，其在一欄方向上延伸；以及一驅動電路系統，其經組態以驅動該等像素電路，其並包括經組態以控制該等第一掃描線之一寫入控制電路系統，其中該等像素電路之每一者包括：一發光元件；一第一取樣電晶體，其經組態以回應於經由該等掃描線中之相應一者所提供之一控制信號，而自該等信號線中之相應一者取樣一影像信號；一電容器，其包括一第一節點及一第二節點，並經組態以儲存相依於該影像信號之一電壓；一第二取樣電晶體，其經組態以將一偏移電壓提供至該電容器；及一驅動電晶體，其經組態以基於儲存於電容器中的該電壓控制用於該發光元件之一電流，其中該驅動電路系統經組態以藉由依序執行下列程序而驅動該等像素電路之一者：執行一第一程序以在一第一期間將該偏移電壓經由該第 二取樣電晶體提供至該電容器；執行一第二程序以經由該第一取樣電晶體取樣該影像信號，並在一第二期間內藉由提供一電流穿過該驅動電晶體至該第二節點而增加該第二節點之一電壓，至少在該第二期間內該第一節點之一電壓高於該第二節點之該電壓；及執行一第三程序，以在一第三期間內提供用於該發光元件之該電流，其中，在該第二程序中，當該第一取樣電晶體被來自該等掃描線中之相應該者所提供之該控制信號所開啟時，該第二節點之該電壓的增加係經組態以立即開始，且其中該寫入控制電路系統經組態以從該顯示區域之兩側控制該等第一掃描線。
  21. 如請求項20之自發光顯示裝置，其進一步包含複數個電源控制線，其在該列方向上延伸，其中該驅動電路系統進一步包括一電源供應控制電路系統，其經組態以藉由該等電源控制線中之相應一者控制用於該等像素電路之每一者之該驅動電晶體的電源供應，且其中該電源供應控制電路系統經組態以從該顯示區域之兩側控制該等電源控制線。
  22. 如請求項20之自發光顯示裝置，其進一步包含複數個第二掃描線，其在該列方向上延伸，其中該驅動電路系統進一步包括一偏移控制電路系統，該偏移控制電路系統經組態以經由該等第二掃描線中之相應一者控制該等像素電路之每一者之該第二取樣電晶體，且其中該偏移控制電路系統經組態以從該顯示區域之兩側控制該等第二掃描線。
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