JP2959509B2 - 液晶表示装置 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置に関
し、特にアクティブマトリクス駆動を用いた液晶表示装
置に関する。
し、特にアクティブマトリクス駆動を用いた液晶表示装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図６は液晶表示装置の簡単な構成および
動作を示す模式的断面図であり、（ａ）は駆動電圧ＯＦ
Ｆの状態を示し、（ｂ）は駆動電圧ＯＮの状態を示す。
図中符号６２１、６３１はガラス基板、６２２、６３２
は偏光板、６２３、６３３は配向材料、６２４、６３４
は電極、６４０は液晶材料である。
動作を示す模式的断面図であり、（ａ）は駆動電圧ＯＦ
Ｆの状態を示し、（ｂ）は駆動電圧ＯＮの状態を示す。
図中符号６２１、６３１はガラス基板、６２２、６３２
は偏光板、６２３、６３３は配向材料、６２４、６３４
は電極、６４０は液晶材料である。
【０００３】液晶表示装置は、図６の符号６２１および
６３１に示すガラス基板上の片面に６２４および６３４
に示す電極を形成し、６２３および６３３に示す配向材
料を印刷した後、配向材料６２３側には紙面に平行方向
に、配向材料６３３側には紙面には垂直方向にラビング
を施し、電極側を内側にした２枚のガラス基板のサンド
イッチ構造とし、その間にＴＮ液晶材料６４０を充填す
ると、液晶分子の長軸がラビング方向に揃うように配向
し、両端の間では長軸方向が約９０°回転するように充
填される。ガラスの外側には６２２および６３２に示す
偏光板がその透過軸が互いに直交するよう貼り付けられ
ている。
６３１に示すガラス基板上の片面に６２４および６３４
に示す電極を形成し、６２３および６３３に示す配向材
料を印刷した後、配向材料６２３側には紙面に平行方向
に、配向材料６３３側には紙面には垂直方向にラビング
を施し、電極側を内側にした２枚のガラス基板のサンド
イッチ構造とし、その間にＴＮ液晶材料６４０を充填す
ると、液晶分子の長軸がラビング方向に揃うように配向
し、両端の間では長軸方向が約９０°回転するように充
填される。ガラスの外側には６２２および６３２に示す
偏光板がその透過軸が互いに直交するよう貼り付けられ
ている。
【０００４】図６（ａ）は液晶に電圧が加わらない状態
を示し、下方より入射した光は偏光板６２２にて紙面に
平行な偏光成分のみが透過し、液晶材料６４０にて偏光
方向を約９０°回転された後、偏光板６３２にて紙面に
垂直な偏光軸を持つ光として出射されることにより光は
透過する。
を示し、下方より入射した光は偏光板６２２にて紙面に
平行な偏光成分のみが透過し、液晶材料６４０にて偏光
方向を約９０°回転された後、偏光板６３２にて紙面に
垂直な偏光軸を持つ光として出射されることにより光は
透過する。
【０００５】ここで液晶の両端に電圧が加わるように電
極６２４および電極６３４に電位を供給すると液晶分子
は図６（ｂ）に示すように電界方向に長軸が揃うよう回
転する。この時偏光板６２２より入射した紙面に平行な
偏光成分を持つ光は、液晶材料６４０中にて偏光軸が回
転することがないので、紙面に垂直な方向に偏光軸を持
つ偏光板６３２に入射してもこの偏光板６３２は透過で
きない。
極６２４および電極６３４に電位を供給すると液晶分子
は図６（ｂ）に示すように電界方向に長軸が揃うよう回
転する。この時偏光板６２２より入射した紙面に平行な
偏光成分を持つ光は、液晶材料６４０中にて偏光軸が回
転することがないので、紙面に垂直な方向に偏光軸を持
つ偏光板６３２に入射してもこの偏光板６３２は透過で
きない。
【０００６】図７は図６の構成原理による単純マトリク
ス液晶表示装置の模式的平面図である。図中符号７１１
は表示パネル、７５１は走査電極駆動用ＩＣ、７６１は
信号電極駆動用ＩＣ、７５２−１〜７５２−ｎは走査配
線、７６２−１〜７６２−ｍは信号配線である。
ス液晶表示装置の模式的平面図である。図中符号７１１
は表示パネル、７５１は走査電極駆動用ＩＣ、７６１は
信号電極駆動用ＩＣ、７５２−１〜７５２−ｎは走査配
線、７６２−１〜７６２−ｍは信号配線である。
【０００７】７５２−１、７５２−２、・・・、７５２
−ｎとして示される走査配線の横ストライプおよび７６
２−１、７６２−２、・・・、７６２−ｍとして示され
る信号配線の縦ストライブの微細透明配線が上下ガラス
基板にそれぞれ形成され、その交点の電圧を制御するこ
とにより液晶材料を上下方向に回転させて表示を行う。
−ｎとして示される走査配線の横ストライプおよび７６
２−１、７６２−２、・・・、７６２−ｍとして示され
る信号配線の縦ストライブの微細透明配線が上下ガラス
基板にそれぞれ形成され、その交点の電圧を制御するこ
とにより液晶材料を上下方向に回転させて表示を行う。
【０００８】この方式の欠点としては走査線数の増加に
伴い各交点での液晶にかかる実効電圧が先端に行くにし
たがって下がることによって表示画素のコントラストが
低下するため、精細度の高い液晶表示装置には不向きで
あるという点と、応答速度が遅いという点にある。
伴い各交点での液晶にかかる実効電圧が先端に行くにし
たがって下がることによって表示画素のコントラストが
低下するため、精細度の高い液晶表示装置には不向きで
あるという点と、応答速度が遅いという点にある。
【０００９】この問題点を解決する手段として各画素に
スイッチング素子を持つアクティブマトリクス型液晶表
示装置が考案された。図８は従来の技術による一般的な
アクティブマトリクス型液晶表示装置の構成を示すブロ
ック図であり、図９は図８のアクティブマトリクス型
（逆スタガ型）液晶表示装置の構造図であり、（ａ）は
部分断面図、（ｂ）は部分斜視図である。
スイッチング素子を持つアクティブマトリクス型液晶表
示装置が考案された。図８は従来の技術による一般的な
アクティブマトリクス型液晶表示装置の構成を示すブロ
ック図であり、図９は図８のアクティブマトリクス型
（逆スタガ型）液晶表示装置の構造図であり、（ａ）は
部分断面図、（ｂ）は部分斜視図である。
【００１０】図中符号８１１は表示パネル、８２０はＴ
ＦＴ基板、８２１、８３１はガラス基板、８２２、８３
２は偏光板、８２３、８３３は配向材料、８２４は画素
電極、８２５は画素用スイッチング素子、８３０はＣＦ
基板、８３４は電極、８４０は液晶材料、８４１は表示
画素、８５１は走査電極駆動用ＩＣ、８５２は走査配
線、８５３−１〜８５３−ｎは走査配線入力端、８５４
−１〜８５４−ｎは走査配線終端、８５５は走査電極、
８５８は走査信号、８６１は信号電極駆動用ＩＣ、８６
２は信号配線、８６５は信号電極、８６８はデータ信号
である。
ＦＴ基板、８２１、８３１はガラス基板、８２２、８３
２は偏光板、８２３、８３３は配向材料、８２４は画素
電極、８２５は画素用スイッチング素子、８３０はＣＦ
基板、８３４は電極、８４０は液晶材料、８４１は表示
画素、８５１は走査電極駆動用ＩＣ、８５２は走査配
線、８５３−１〜８５３−ｎは走査配線入力端、８５４
−１〜８５４−ｎは走査配線終端、８５５は走査電極、
８５８は走査信号、８６１は信号電極駆動用ＩＣ、８６
２は信号配線、８６５は信号電極、８６８はデータ信号
である。
【００１１】また、図１０は走査電圧と信号電圧のタイ
ミングの関係を示すタイミングチャートであり、図中符
号１００１は走査電圧波形、１００２は入力端側波形、
１００３は終端側波形、１０１１は信号電圧波形、１０
１２はｎ−１ラインデータ、１０１３はｎラインデー
タ、１０１４はｎ＋１ラインデータ、１０２１は実行書
込時間、１０２２はオフセット時間である。
ミングの関係を示すタイミングチャートであり、図中符
号１００１は走査電圧波形、１００２は入力端側波形、
１００３は終端側波形、１０１１は信号電圧波形、１０
１２はｎ−１ラインデータ、１０１３はｎラインデー
タ、１０１４はｎ＋１ラインデータ、１０２１は実行書
込時間、１０２２はオフセット時間である。
【００１２】アクティブマトリクス表示装置は図８に示
すように、ガラス基板８２１に対して偏光板８２２、配
向材料８２３が設けられたＴＦＴ基板８２０に、走査配
線８５２と信号配線８６２とが格子状に配置され、各々
と接続する走査電極８５５と信号電極８６５との交点に
画素用スイッチング素子８２５を介して画素電極９２４
が設けられており、このＴＦＴ基板８２０に対向してガ
ラス基板８３１に対して偏光板８３２、配向材料８３
３、電極８３４が設けられたＣＦ基板８３０が間隙をお
いて配設され、両基板の間隙に液晶材料８４０が封止さ
れて表示パネル８１１が形成されている。走査配線８５
２と信号配線８６２にはそれぞれ走査電極駆動用ＩＣ８
５１と信号電極用ＩＣ８６１とが接続されている。
すように、ガラス基板８２１に対して偏光板８２２、配
向材料８２３が設けられたＴＦＴ基板８２０に、走査配
線８５２と信号配線８６２とが格子状に配置され、各々
と接続する走査電極８５５と信号電極８６５との交点に
画素用スイッチング素子８２５を介して画素電極９２４
が設けられており、このＴＦＴ基板８２０に対向してガ
ラス基板８３１に対して偏光板８３２、配向材料８３
３、電極８３４が設けられたＣＦ基板８３０が間隙をお
いて配設され、両基板の間隙に液晶材料８４０が封止さ
れて表示パネル８１１が形成されている。走査配線８５
２と信号配線８６２にはそれぞれ走査電極駆動用ＩＣ８
５１と信号電極用ＩＣ８６１とが接続されている。
【００１３】次に動作を説明する。走査電極駆動用ＩＣ
８５１よりまず１ライン目の走査配線入力端８５３−１
にＯＮ電圧が出力され、走査配線８５２を経由して１ラ
イン目の走査電極８５５につながるすべての画素用スイ
ッチング素子８２５がＯＮし、１ライン目の信号電極駆
動用ＩＣ８６１から信号配線８６２を経由し信号電極８
６５から画素用スイッチング素子８２５を通過して画素
電極８２４に至る回路が導通状態となるので、信号電圧
が加わった１ライン目の画素電極８２４に対応する表示
画素８４１にデータが書き込まれ、その後１ライン目の
走査電極駆動用ｌＣ８５１の出力がＯＦＦ電圧となって
画素用スイッチング素子８２５がＯＦＦし、信号電極８
６５と画素電極８２４が非導通状態となって表示画素８
４１への書き込みが終了する。
８５１よりまず１ライン目の走査配線入力端８５３−１
にＯＮ電圧が出力され、走査配線８５２を経由して１ラ
イン目の走査電極８５５につながるすべての画素用スイ
ッチング素子８２５がＯＮし、１ライン目の信号電極駆
動用ＩＣ８６１から信号配線８６２を経由し信号電極８
６５から画素用スイッチング素子８２５を通過して画素
電極８２４に至る回路が導通状態となるので、信号電圧
が加わった１ライン目の画素電極８２４に対応する表示
画素８４１にデータが書き込まれ、その後１ライン目の
走査電極駆動用ｌＣ８５１の出力がＯＦＦ電圧となって
画素用スイッチング素子８２５がＯＦＦし、信号電極８
６５と画素電極８２４が非導通状態となって表示画素８
４１への書き込みが終了する。
【００１４】１ライン目の走査出力がＯＦＦ電圧となる
と同時に、引続き走査電極駆動用ＩＣ８５１から２ライ
ン目にＯＮ電圧が出力され、この操作を最終ラインまで
繰り返して行うことで１画面の駆動が終了する。
と同時に、引続き走査電極駆動用ＩＣ８５１から２ライ
ン目にＯＮ電圧が出力され、この操作を最終ラインまで
繰り返して行うことで１画面の駆動が終了する。
【００１５】一般的な駆動では、走査電極の持つ抵抗お
よび寄生容量の影響により、図１０の走査電圧波形１０
０１は、走査配線入力端８５３−１〜８５３−ｎでは実
線で示す入力端側波形１００２のような矩形波であるも
のが、走査配線終端８５４−１〜８５４−ｎに近づくに
つれて図１０に点線で示す終端側波形１００３のような
鈍った波形となってしまう。この波形鈍りが生ずること
によって両側におけるスイッチング素子８２５のＯＮ／
ＯＦＦタイミングがずれ、スイッチング素子８２５がＯ
ＦＦするより早く信号電極８６５に次段の信号電圧が加
わることによって次段の信号が書き込まれるというエラ
ー書き込みといった問題が生じていた。
よび寄生容量の影響により、図１０の走査電圧波形１０
０１は、走査配線入力端８５３−１〜８５３−ｎでは実
線で示す入力端側波形１００２のような矩形波であるも
のが、走査配線終端８５４−１〜８５４−ｎに近づくに
つれて図１０に点線で示す終端側波形１００３のような
鈍った波形となってしまう。この波形鈍りが生ずること
によって両側におけるスイッチング素子８２５のＯＮ／
ＯＦＦタイミングがずれ、スイッチング素子８２５がＯ
ＦＦするより早く信号電極８６５に次段の信号電圧が加
わることによって次段の信号が書き込まれるというエラ
ー書き込みといった問題が生じていた。
【００１６】このような問題に対して、従来は配線幅の
拡大、配線膜厚増大、低比抵抗配線材への変更などによ
り配線抵抗を低減する策や、タイミングずれ分を図１０
の信号電圧波形１０１１に示すような信号電圧の入力タ
イミングに、オフセット時間１０２２を充分とることに
より走査電圧のＯＦＦタイミングが遅れても書き込み信
号が変化しないようにすることでエラー書き込みを防い
でいるが、このことにより、図１０の信号電圧波形１０
１１に示すように実効書込時間１０２１が減少すること
により終端側のスイッチング素子が書き込み時間内に書
き込み電圧に達することなくＯＦＦしたままで書き込み
が終了してしまうといった、書き込み不足や、上述の配
線幅の拡大により、画素内に占める配線部分の面積比率
が増えるために光が透過する開口部が減少するといった
問題が生じている。また、解像度が高く書き込み時間の
短い表示装置においては、エラー書き込みと書き込み不
足とを同時に防ぐことができずに表示品位の低下といっ
た問題が生じている。
拡大、配線膜厚増大、低比抵抗配線材への変更などによ
り配線抵抗を低減する策や、タイミングずれ分を図１０
の信号電圧波形１０１１に示すような信号電圧の入力タ
イミングに、オフセット時間１０２２を充分とることに
より走査電圧のＯＦＦタイミングが遅れても書き込み信
号が変化しないようにすることでエラー書き込みを防い
でいるが、このことにより、図１０の信号電圧波形１０
１１に示すように実効書込時間１０２１が減少すること
により終端側のスイッチング素子が書き込み時間内に書
き込み電圧に達することなくＯＦＦしたままで書き込み
が終了してしまうといった、書き込み不足や、上述の配
線幅の拡大により、画素内に占める配線部分の面積比率
が増えるために光が透過する開口部が減少するといった
問題が生じている。また、解像度が高く書き込み時間の
短い表示装置においては、エラー書き込みと書き込み不
足とを同時に防ぐことができずに表示品位の低下といっ
た問題が生じている。
【００１７】この問題を解決する方法として、図ｌｌに
示すような走査駆動電圧を両側より入力することで書き
込みを容易にする技術が特開平２−２２号公報に開示さ
れている。図１１は特開平２−２２号公報に開示された
従来技術の走査電圧波形鈍り改善回路のブロック図であ
り、図中符号１１１１は表示パネル、１１２５は画素用
スイッチング素子、１１４１は表示画素、１１５１、１
１５６は走査電極駆動用ＩＣ、１１５２は走査配線、１
１６１は信号電極駆動用ＩＣ、１１６２は信号配線であ
る。
示すような走査駆動電圧を両側より入力することで書き
込みを容易にする技術が特開平２−２２号公報に開示さ
れている。図１１は特開平２−２２号公報に開示された
従来技術の走査電圧波形鈍り改善回路のブロック図であ
り、図中符号１１１１は表示パネル、１１２５は画素用
スイッチング素子、１１４１は表示画素、１１５１、１
１５６は走査電極駆動用ＩＣ、１１５２は走査配線、１
１６１は信号電極駆動用ＩＣ、１１６２は信号配線であ
る。
【００１８】本公知技術では、図１１に示すように一本
の走査配線１１５２に対し、左右両側より二つの走査電
極駆動用ＩＣ１１５１、１１５６の出力が接続されて駆
動されることによって、片側駆動時において発生した最
遠端部における波形鈍りを抑えている。
の走査配線１１５２に対し、左右両側より二つの走査電
極駆動用ＩＣ１１５１、１１５６の出力が接続されて駆
動されることによって、片側駆動時において発生した最
遠端部における波形鈍りを抑えている。
【００１９】二つの走査駆動ＩＣで同一の走査配線を駆
動する場合、走査駆動用ＩＣの出力偏差により左右入力
電圧の不一致によるＩＣ間の貫通電流が懸念される。そ
れを解消する技術として図１２に示す公知例が特開平１
−２１３６２３号公報に開示されている。図１２は特開
平１−２１３６２３号公報に開示された従来技術の走査
電圧波形鈍り改善回路のブロック図であり、図中符号１
２１１は表示パネル、１２２５は画素用スイッチング素
子、１２４１は表示画素、１２５１は走査電極駆動用Ｉ
Ｃ、１２５２は走査配線、１２５７は接続基板、１２６
１は信号電極駆動用ＩＣ、１２６２は信号配線である。
動する場合、走査駆動用ＩＣの出力偏差により左右入力
電圧の不一致によるＩＣ間の貫通電流が懸念される。そ
れを解消する技術として図１２に示す公知例が特開平１
−２１３６２３号公報に開示されている。図１２は特開
平１−２１３６２３号公報に開示された従来技術の走査
電圧波形鈍り改善回路のブロック図であり、図中符号１
２１１は表示パネル、１２２５は画素用スイッチング素
子、１２４１は表示画素、１２５１は走査電極駆動用Ｉ
Ｃ、１２５２は走査配線、１２５７は接続基板、１２６
１は信号電極駆動用ＩＣ、１２６２は信号配線である。
【００２０】本公知技術では、走査電極駆動用ＩＣ１２
５１の出力を二本に分け一本は走査配線１２５２の一端
に直接接続し、もう一本は配線で表示パネル１２１１の
上下端を経由した後接続基板１２５７を経由して反対端
から走査配線１２５２の他端に接続することにより、同
一ＩＣの同一出力が両端から走査配線１２５２に加わる
こととなり、出力偏差により発生する問題は解消され
る。
５１の出力を二本に分け一本は走査配線１２５２の一端
に直接接続し、もう一本は配線で表示パネル１２１１の
上下端を経由した後接続基板１２５７を経由して反対端
から走査配線１２５２の他端に接続することにより、同
一ＩＣの同一出力が両端から走査配線１２５２に加わる
こととなり、出力偏差により発生する問題は解消され
る。
【００２１】しかしながら、上記の波形鈍り解消技術を
適応する場合、図１１の両側の別走査電極駆動ＩＣ１１
５１、１１５６の駆動による従来技術では、走査電極駆
動用ＩＣが片側駆動を行う場合の倍必要となり、また、
図１２の同一走査電極駆動用ＩＣ１２５１による両側駆
動では、引き回し用の走査配線と接続基板１２５７が増
える。従って従来のいずれの公知技術でも部品点数の増
加と組立作業時間が増加することによるコストアップが
問題となる。
適応する場合、図１１の両側の別走査電極駆動ＩＣ１１
５１、１１５６の駆動による従来技術では、走査電極駆
動用ＩＣが片側駆動を行う場合の倍必要となり、また、
図１２の同一走査電極駆動用ＩＣ１２５１による両側駆
動では、引き回し用の走査配線と接続基板１２５７が増
える。従って従来のいずれの公知技術でも部品点数の増
加と組立作業時間が増加することによるコストアップが
問題となる。
【００２２】
【発明が解決しようとする課題】第一の問題点は、従来
の技術においてエラー書き込みを防ごうとすると実効書
き込み時間と開口率が低下することである。また、高精
細な表示装置では書き込みエラーを解消しきれていない
ことである。
の技術においてエラー書き込みを防ごうとすると実効書
き込み時間と開口率が低下することである。また、高精
細な表示装置では書き込みエラーを解消しきれていない
ことである。
【００２３】その理由は、信号電圧入力にオフセットを
とるため１ラインに割り当てられた走査時間よりも実際
の書き込み時間が減少するからであり、また配線幅の拡
大により開口率も低下するからである。また、書き込み
時間の短い表示装置ではエラー書き込みに対して十分な
オフセット時間を取れないからである。
とるため１ラインに割り当てられた走査時間よりも実際
の書き込み時間が減少するからであり、また配線幅の拡
大により開口率も低下するからである。また、書き込み
時間の短い表示装置ではエラー書き込みに対して十分な
オフセット時間を取れないからである。
【００２４】第二の問題点は、従来の公知技術によって
第１の問題点の解決は可能ではあるが、両側駆動を行う
には片側駆動を行うよりも部品点数および組立作業数が
増えるため、コストアッブが生ずることである。
第１の問題点の解決は可能ではあるが、両側駆動を行う
には片側駆動を行うよりも部品点数および組立作業数が
増えるため、コストアッブが生ずることである。
【００２５】本発明の目的は、少ないコストアップで、
エラー書き込みの原因となる走査信号の立ち下がりの鈍
りを低減し、実効書き込み時間および開口率を増加する
方式を備えた液晶表示装置を提供することにある。
エラー書き込みの原因となる走査信号の立ち下がりの鈍
りを低減し、実効書き込み時間および開口率を増加する
方式を備えた液晶表示装置を提供することにある。
【００２６】
【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示装置
は、複数の走査配線と複数の信号配線とが互いに直交す
る方向に配設され、両配線の交差部に薄膜トランジスタ
（ＴＦＴ）からなるスイッチング素子を介して接続され
る複数の画素電極が設けられたＴＦＴ基板と、ＴＦＴ基
板に対向して配置されたＣＦ基板と、両基板の間隙に封
止された液晶材料とからなる表示パネルと、表示パネル
の複数の信号配線に接続された信号電極駆動ＩＣおよび
表示パネルの複数の走査配線の一端に接続された走査電
極駆動ＩＣとを含み構成される液晶表示装置において、
複数の走査配線の他に、最終の走査配線の次に走査され
薄膜トランジスタには接続されていない補助走査配線を
有し、かつ最終走査配線を含む複数の走査配線の他端
が、制御端子を後段の走査配線ないしは補助走査配線の
他端に接続された放電用スイッチング素子を介して非選
択時走査駆動電圧が印加された非選択時走査駆動電圧配
線に接続されている。
は、複数の走査配線と複数の信号配線とが互いに直交す
る方向に配設され、両配線の交差部に薄膜トランジスタ
（ＴＦＴ）からなるスイッチング素子を介して接続され
る複数の画素電極が設けられたＴＦＴ基板と、ＴＦＴ基
板に対向して配置されたＣＦ基板と、両基板の間隙に封
止された液晶材料とからなる表示パネルと、表示パネル
の複数の信号配線に接続された信号電極駆動ＩＣおよび
表示パネルの複数の走査配線の一端に接続された走査電
極駆動ＩＣとを含み構成される液晶表示装置において、
複数の走査配線の他に、最終の走査配線の次に走査され
薄膜トランジスタには接続されていない補助走査配線を
有し、かつ最終走査配線を含む複数の走査配線の他端
が、制御端子を後段の走査配線ないしは補助走査配線の
他端に接続された放電用スイッチング素子を介して非選
択時走査駆動電圧が印加された非選択時走査駆動電圧配
線に接続されている。
【００２７】放電用スイッチング素子がＴＦＴ基板上に
形成されたＴＦＴであり、該ＴＦＴ素子のゲート電極は
後段走査配線ないしは補助走査配線に接続され、ソース
／ドレイン電極が当該走査配線と非選択時走査駆動電圧
配線に接続されていてもよく、ＴＦＴの半導体層が多結
晶シリコンでもアモルファスシリコンからなっていても
よい。
形成されたＴＦＴであり、該ＴＦＴ素子のゲート電極は
後段走査配線ないしは補助走査配線に接続され、ソース
／ドレイン電極が当該走査配線と非選択時走査駆動電圧
配線に接続されていてもよく、ＴＦＴの半導体層が多結
晶シリコンでもアモルファスシリコンからなっていても
よい。
【００２８】また、放電用スイッチング素子がＭＯＳト
ランジスタであり、該トランジスタのソース電極が非選
択時走査電圧配線に接続され、ドレイン電極が当該走査
配線接続端子に接続され、ゲート配線が後段の走査配線
ないしは補助走査配線の接続端子に接続されている回路
構成のＭＯＳトランジスタアレイチップが、テープキャ
リアパッケージ（ＴＣＰ）にて走査電極駆動用ＩＣ接続
側と反対側の表示パネルに接続されていてもよい。
ランジスタであり、該トランジスタのソース電極が非選
択時走査電圧配線に接続され、ドレイン電極が当該走査
配線接続端子に接続され、ゲート配線が後段の走査配線
ないしは補助走査配線の接続端子に接続されている回路
構成のＭＯＳトランジスタアレイチップが、テープキャ
リアパッケージ（ＴＣＰ）にて走査電極駆動用ＩＣ接続
側と反対側の表示パネルに接続されていてもよい。
【００２９】他の態様では複数の走査配線の他に、最初
の走査配線の前に走査される第２の補助走査配線と最後
の走査配線の次に走査される第１の補助走査配線とを有
し、最初ないしは最終の走査配線を含む走査配線の他端
が、放電用スイッチング素子を介して非選択時走査駆動
電圧が印加された非選択時走査駆動電圧配線に接続され
ており、放電用スイッチング素子がＴＦＴ素子であり、
ＴＦＴ基板上に前記走査配線１本に対して放電用スイッ
チング素子が２個ずつ配設され、第１のスイッチング素
子のゲート電極は後段の走査配線ないしは第１の補助走
査配線に接続され、第２のスイッチング素子のゲート電
極は前段の走査配線ないしは第２の補助走査配線に接続
され、両スイッチング素子のソース／ドレイン電極はい
ずれも当該走査配線と非選択時走査駆動電圧配線に接続
されている。
の走査配線の前に走査される第２の補助走査配線と最後
の走査配線の次に走査される第１の補助走査配線とを有
し、最初ないしは最終の走査配線を含む走査配線の他端
が、放電用スイッチング素子を介して非選択時走査駆動
電圧が印加された非選択時走査駆動電圧配線に接続され
ており、放電用スイッチング素子がＴＦＴ素子であり、
ＴＦＴ基板上に前記走査配線１本に対して放電用スイッ
チング素子が２個ずつ配設され、第１のスイッチング素
子のゲート電極は後段の走査配線ないしは第１の補助走
査配線に接続され、第２のスイッチング素子のゲート電
極は前段の走査配線ないしは第２の補助走査配線に接続
され、両スイッチング素子のソース／ドレイン電極はい
ずれも当該走査配線と非選択時走査駆動電圧配線に接続
されている。
【００３０】上述のように、本発明の液晶表示装置は走
査配線と信号配線とが格子状に配置され、各配線の交点
にスイッチング素子を介して表示画素が設けられたアク
ティブマトリクス表示装置であって、走査電極駆動用Ｉ
Ｃ接続側とは反対の表示領域外に非選択時の走査電圧の
固定電位の配線を設け、走査配線の終端部と非選択時の
走査電圧配線をスイッチング素子にて接続し、当該走査
配線の次の走査が行われる走査配線によりスイッチング
素子のＯＮ／ＯＦＦ制御を行うように構成されている。
査配線と信号配線とが格子状に配置され、各配線の交点
にスイッチング素子を介して表示画素が設けられたアク
ティブマトリクス表示装置であって、走査電極駆動用Ｉ
Ｃ接続側とは反対の表示領域外に非選択時の走査電圧の
固定電位の配線を設け、走査配線の終端部と非選択時の
走査電圧配線をスイッチング素子にて接続し、当該走査
配線の次の走査が行われる走査配線によりスイッチング
素子のＯＮ／ＯＦＦ制御を行うように構成されている。
【００３１】走査電極駆動用ＩＣ接続端とは反対の走査
配線の終端に、その走査配線に対する走査駆動電圧ＯＦ
Ｆ時に、次の走査配線のＯＮレベルにより動作する放電
用スイッチング素子を接続し、次の走査配線のＯＮによ
って走査配線の終端をＯＦＦ電圧レベルに導通させるこ
とにより、走査配線のＯＦＦ時の立下がりを片側駆動で
ありながら両側駆動と同様に高速化することができる。
配線の終端に、その走査配線に対する走査駆動電圧ＯＦ
Ｆ時に、次の走査配線のＯＮレベルにより動作する放電
用スイッチング素子を接続し、次の走査配線のＯＮによ
って走査配線の終端をＯＦＦ電圧レベルに導通させるこ
とにより、走査配線のＯＦＦ時の立下がりを片側駆動で
ありながら両側駆動と同様に高速化することができる。
【００３２】また、放電用スイッチング素子および非選
択時走査駆動電圧電極を基板に表示パネルと同時工程に
て形成することによりコストアップは少ない。
択時走査駆動電圧電極を基板に表示パネルと同時工程に
て形成することによりコストアップは少ない。
【００３３】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。図１は本発明の第１の実施
の形態の液晶表示装置の回路構成を示すブロック図であ
り、図中符号１１１は表示パネル、１２５は画素用スイ
ッチング素子、１４１は表示画素、１５１は走査電極駆
動用ＩＣ、１５２−１〜１５２−ｎは走査配線、１５１
−ｎ＋１は放電用スイッチング素子の制御のみに使用さ
れる補助走査配線、１５８は走査信号、１６１は信号電
極駆動用ＩＣ、１６２は信号配線、１６８はデータ信
号、１７５−１〜１７５−ｎは放電用スイッチング素
子、１７８は非選択時走査電圧電源である。
て図面を参照して説明する。図１は本発明の第１の実施
の形態の液晶表示装置の回路構成を示すブロック図であ
り、図中符号１１１は表示パネル、１２５は画素用スイ
ッチング素子、１４１は表示画素、１５１は走査電極駆
動用ＩＣ、１５２−１〜１５２−ｎは走査配線、１５１
−ｎ＋１は放電用スイッチング素子の制御のみに使用さ
れる補助走査配線、１５８は走査信号、１６１は信号電
極駆動用ＩＣ、１６２は信号配線、１６８はデータ信
号、１７５−１〜１７５−ｎは放電用スイッチング素
子、１７８は非選択時走査電圧電源である。
【００３４】先ず本発明の第１の実施の形態の構成につ
いて説明する。図１に示されるように図８に示される従
来例のアクティブマトリックス型液晶表示装置では開放
されていた各走査配線１５２−１〜１５２−ｎの終端
が、駆動部に次の走査配線１５２−２〜１５２−ｎの分
岐された終端ならびに補助走査配線１５２−ｎ＋１の終
端が接続された放電用スイッチング素子１７５−１〜１
７５−ｎに接続されており、放電用スイッチング素子１
７５−１〜１７５−ｎの他端は非選択時走査電圧電源１
７８に接続されている。
いて説明する。図１に示されるように図８に示される従
来例のアクティブマトリックス型液晶表示装置では開放
されていた各走査配線１５２−１〜１５２−ｎの終端
が、駆動部に次の走査配線１５２−２〜１５２−ｎの分
岐された終端ならびに補助走査配線１５２−ｎ＋１の終
端が接続された放電用スイッチング素子１７５−１〜１
７５−ｎに接続されており、放電用スイッチング素子１
７５−１〜１７５−ｎの他端は非選択時走査電圧電源１
７８に接続されている。
【００３５】この実施の形態では、放電用スイッチング
素子１７５−１〜１７５−ｎとしては、多結晶シリコン
ＴＦＴトランジスタが用いられている。また、非選択時
走査電圧電源１７８は、走査電極駆動用ＩＣの非選択時
の走査電極駆動電圧と同じ電圧を放電用スイッチング素
子１７５−１〜１７５−ｎの接続端子に印加する。
素子１７５−１〜１７５−ｎとしては、多結晶シリコン
ＴＦＴトランジスタが用いられている。また、非選択時
走査電圧電源１７８は、走査電極駆動用ＩＣの非選択時
の走査電極駆動電圧と同じ電圧を放電用スイッチング素
子１７５−１〜１７５−ｎの接続端子に印加する。
【００３６】ここで、多結晶シリコンＴＦＴである放電
用スイッチング素子１７５−１ 〜１７５−ｎのトラン
ジスタサイズは、オン抵抗が数ｋΩ程度取れるようにな
っている。
用スイッチング素子１７５−１ 〜１７５−ｎのトラン
ジスタサイズは、オン抵抗が数ｋΩ程度取れるようにな
っている。
【００３７】最終ラインの放電用スイッチング素子１７
５−ｎに対しては１５２−ｎ＋１として示す補助走査配
線を追加し、最終走査配線１５２−ｎがＯＦＦする際に
ＯＮとなるようなダミーパルスを入力する。
５−ｎに対しては１５２−ｎ＋１として示す補助走査配
線を追加し、最終走査配線１５２−ｎがＯＦＦする際に
ＯＮとなるようなダミーパルスを入力する。
【００３８】また、図の下側からスキャンするものであ
れば上記の逆のライン順序で接続する。
れば上記の逆のライン順序で接続する。
【００３９】上記多結晶シリコンＴＦＴはアクティブ素
子基板をアモルファスシリコンＴＦＴで形成した後、放
電用トランジスタのみレーザーアニールを施すことによ
り多結晶化する製法と、画素用スイッチング素子である
トランジスタおよび放電用トランジスタを共に多結晶シ
リコンＴＦＴにて一体形成する製法との二通りがある。
子基板をアモルファスシリコンＴＦＴで形成した後、放
電用トランジスタのみレーザーアニールを施すことによ
り多結晶化する製法と、画素用スイッチング素子である
トランジスタおよび放電用トランジスタを共に多結晶シ
リコンＴＦＴにて一体形成する製法との二通りがある。
【００４０】次に本発明の第１の実施の形態の動作につ
いて図１および図２を参照して詳細に説明する。図２は
液晶表示装置の走査電圧のタイミングチャートであり、
図中符号２０１は走査配線終端部の画素用スイッチング
素子の走査駆動電圧、２０２は次の走査配線終端部の画
素用スイッチング素子の走査駆動電圧、２０３は放電用
スイッチング素子ＯＮのタイミイングである。
いて図１および図２を参照して詳細に説明する。図２は
液晶表示装置の走査電圧のタイミングチャートであり、
図中符号２０１は走査配線終端部の画素用スイッチング
素子の走査駆動電圧、２０２は次の走査配線終端部の画
素用スイッチング素子の走査駆動電圧、２０３は放電用
スイッチング素子ＯＮのタイミイングである。
【００４１】走査電極駆動用ＩＣ１５１接続端から最も
遠い画素用スイッチング素子１２５であるＴＦＴのゲー
トに印加される走査駆動電圧波形は、図２の符号２０１
に示すように、走査時に鈍った立ち上がり特性をもって
選択時電圧レベルまで昇圧し、走査終了後従来例では同
図に示すように立ち下がりはじめる。また、次のライン
の走査駆動電圧は図２の符号２０２に示すように立ち上
がり、本発明の実施の形態では、この電圧は前の走査配
線１５２の終端と非選択時走査電圧電源１７８とをつな
ぐ放電用スイッチング素子１７５であるＴＦＴのゲート
にも印加されているので、図２の鎖線２０３に示すタイ
ミングで放電用スイッチング素子１７５がＯＮ状態とな
り、前の走査配線１５２の終端の電圧が非選択時走査電
圧となるので前の走査配線１５２の走査駆動電圧のＯＦ
Ｆ時の電圧立下がりが図２の実線よりも大幅に改善され
る。
遠い画素用スイッチング素子１２５であるＴＦＴのゲー
トに印加される走査駆動電圧波形は、図２の符号２０１
に示すように、走査時に鈍った立ち上がり特性をもって
選択時電圧レベルまで昇圧し、走査終了後従来例では同
図に示すように立ち下がりはじめる。また、次のライン
の走査駆動電圧は図２の符号２０２に示すように立ち上
がり、本発明の実施の形態では、この電圧は前の走査配
線１５２の終端と非選択時走査電圧電源１７８とをつな
ぐ放電用スイッチング素子１７５であるＴＦＴのゲート
にも印加されているので、図２の鎖線２０３に示すタイ
ミングで放電用スイッチング素子１７５がＯＮ状態とな
り、前の走査配線１５２の終端の電圧が非選択時走査電
圧となるので前の走査配線１５２の走査駆動電圧のＯＦ
Ｆ時の電圧立下がりが図２の実線よりも大幅に改善され
る。
【００４２】図３は走査駆動電圧波形を比較するための
電圧のシミュレーション波形のチャートであり、（ａ）
は走査電極駆動用ＩＣ接続端における電圧波形、（ｂ）
は従来例における走査配線終端部の電圧波形、（ｃ）は
本発明の実施の形態の走査配線終端部の電圧波形であ
る。
電圧のシミュレーション波形のチャートであり、（ａ）
は走査電極駆動用ＩＣ接続端における電圧波形、（ｂ）
は従来例における走査配線終端部の電圧波形、（ｃ）は
本発明の実施の形態の走査配線終端部の電圧波形であ
る。
【００４３】図３（ｃ）に示す本発明の実施の形態であ
る放電用スイッチング素子を設けた走査配線終端部の電
圧波形は、図３（ｂ）に示す従来例と比較して、選択時
電圧に達する際には放電用スイッチング素子を付加しな
い従来例の電圧波形と同等であるが、従来例で問題とな
り信号電圧入力オフセットや両側駆動により対策の取ら
れたエラー書込みの原因となるＯＦＦ時の非選択時電圧
へ達する際の波形鈍りが改善されていることがわかる。
る放電用スイッチング素子を設けた走査配線終端部の電
圧波形は、図３（ｂ）に示す従来例と比較して、選択時
電圧に達する際には放電用スイッチング素子を付加しな
い従来例の電圧波形と同等であるが、従来例で問題とな
り信号電圧入力オフセットや両側駆動により対策の取ら
れたエラー書込みの原因となるＯＦＦ時の非選択時電圧
へ達する際の波形鈍りが改善されていることがわかる。
【００４４】次に本発明の第２の実施の形態の構成につ
いて説明する。本発明の第２の実施の形態においては第
１の実施の形態における放電用スイッチング素子として
アモルファスシリコンＴＦＴトランジスタを用いる。
いて説明する。本発明の第２の実施の形態においては第
１の実施の形態における放電用スイッチング素子として
アモルファスシリコンＴＦＴトランジスタを用いる。
【００４５】トランジスタサイズは多結晶シリコンＴＦ
Ｔに対してアモルファスシリコンＴＦＴは駆動能力が低
いので、トランジスタのＯＮ抵抗を低くするため放電用
アモルファスシリコンＴＦＴのトランジスタサイズを表
示パネルの外形寸法が許す限り画素用スイッチング素子
のトランジスタより大きくする必要がある。しかし、放
電用アモルファスシリコンＴＦＴは画素用アモルファス
シリコンＴＦＴと一体形成が可能であることからコスト
メリットが高い。動作については第１の実施の形態と同
じなので説明を省略する。
Ｔに対してアモルファスシリコンＴＦＴは駆動能力が低
いので、トランジスタのＯＮ抵抗を低くするため放電用
アモルファスシリコンＴＦＴのトランジスタサイズを表
示パネルの外形寸法が許す限り画素用スイッチング素子
のトランジスタより大きくする必要がある。しかし、放
電用アモルファスシリコンＴＦＴは画素用アモルファス
シリコンＴＦＴと一体形成が可能であることからコスト
メリットが高い。動作については第１の実施の形態と同
じなので説明を省略する。
【００４６】次に、本発明の第３の実施の形態の構成に
ついて図面を参照して詳細に説明する。図４は本発明の
第３の実施の形態の液晶表示装置の回路構成を示すブロ
ック図であり、図中符号４１１は表示パネル、４２５は
画素用スイッチング素子、４４１は表示画素、４５１は
走査電極駆動用ＩＣ、４５２−１〜４５２−ｎは走査配
線、４５１−ｎ＋１は放電用スイッチング素子の制御の
みに使用される補助走査配線、４６１は信号電極駆動用
ＩＣ、４６２は信号配線、４７１は放電回路、４７５−
１〜４７５−ｎは放電用スイッチング素子、４７８は非
選択時走査電圧配線である。
ついて図面を参照して詳細に説明する。図４は本発明の
第３の実施の形態の液晶表示装置の回路構成を示すブロ
ック図であり、図中符号４１１は表示パネル、４２５は
画素用スイッチング素子、４４１は表示画素、４５１は
走査電極駆動用ＩＣ、４５２−１〜４５２−ｎは走査配
線、４５１−ｎ＋１は放電用スイッチング素子の制御の
みに使用される補助走査配線、４６１は信号電極駆動用
ＩＣ、４６２は信号配線、４７１は放電回路、４７５−
１〜４７５−ｎは放電用スイッチング素子、４７８は非
選択時走査電圧配線である。
【００４７】本発明の第３の実施の形態では、放電用ス
イッチング素子４７５のトランジスタとしては単結晶シ
リコン基板上に形成されたＭＯＳトランジスタを用い
る。単結晶シリコン基板上に形成されたＭＯＳトランジ
スタアレイのチップはＴＣＰにて走査電極駆動用ＩＣ４
５１との接続端とは反対側の表示パネル１１１に接続さ
れ、走査電極駆動用ＩＣ４５１から配線で非選択時走査
電圧が供給される。
イッチング素子４７５のトランジスタとしては単結晶シ
リコン基板上に形成されたＭＯＳトランジスタを用い
る。単結晶シリコン基板上に形成されたＭＯＳトランジ
スタアレイのチップはＴＣＰにて走査電極駆動用ＩＣ４
５１との接続端とは反対側の表示パネル１１１に接続さ
れ、走査電極駆動用ＩＣ４５１から配線で非選択時走査
電圧が供給される。
【００４８】この方法では、ＭＯＳトランジスタアレイ
チップは、素子数が少ないため、低コストで作ることが
できるので、従来の両側駆動の技術に比べ低いコストで
製作することができる。動作については第１の実施の形
態と同じなので説明を省略する。
チップは、素子数が少ないため、低コストで作ることが
できるので、従来の両側駆動の技術に比べ低いコストで
製作することができる。動作については第１の実施の形
態と同じなので説明を省略する。
【００４９】次に、本発明の第４の実施の形態の構成に
ついて図面を参照して詳細に説明する。図５は本発明の
第４の実施の形態の液晶表示装置の回路構成を示すブロ
ック図であり、図中符号５１１は表示パネル、５２５は
画素用スイッチング素子、５４１は表示画素、５５１は
走査電極駆動用ＩＣ、５５２−１〜５５２−ｎは走査配
線、５５２−０は放電用スイッチング素子の制御のみに
使用される第２の補助走査配線、５５２−ｎ＋１は放電
用スイッチング素子の制御のみに使用される第１の補助
走査配線、５６１は信号電極駆動用ＩＣ、５６２は信号
配線、５７５、５７６は放電用スイッチング素子、５７
８は非選択時走査電圧電源である。
ついて図面を参照して詳細に説明する。図５は本発明の
第４の実施の形態の液晶表示装置の回路構成を示すブロ
ック図であり、図中符号５１１は表示パネル、５２５は
画素用スイッチング素子、５４１は表示画素、５５１は
走査電極駆動用ＩＣ、５５２−１〜５５２−ｎは走査配
線、５５２−０は放電用スイッチング素子の制御のみに
使用される第２の補助走査配線、５５２−ｎ＋１は放電
用スイッチング素子の制御のみに使用される第１の補助
走査配線、５６１は信号電極駆動用ＩＣ、５６２は信号
配線、５７５、５７６は放電用スイッチング素子、５７
８は非選択時走査電圧電源である。
【００５０】第４の実施の形態においては、放電用スイ
ッチング素子がＴＦＴ素子で、ＴＦＴ基板上に走査配線
１本に対し放電用スイッチング素子が２個ずつ形成さ
れ、第１の放電用スイッチング素子５７５であるＴＦＴ
のゲート電極が後段の各走査配線５５２−２〜５５２−
ｎと第１の補助走査配線５５２−ｎ＋１に接続され、ソ
ース／ドレイン電極は本走査配線５５２−１〜５５２−
ｎと非選択時走査駆動電圧電源５７８に接続されてお
り、第２の放電用スイッチング素子５７６であるＴＦＴ
素子のゲート電極は前段の各走査配線５５２−１〜５５
２−ｎ−１と第２の補助走査配線５５２−０に接続さ
れ、ソース／ドレイン電極は本走査配線５５２−１〜５
５２−ｎと非選択時走査駆動電圧電源５７８に接続され
ている。これによって、図５の上下両方向にスキャン対
応を必要とする表示パネル５１１においても第１の実施
の形態と同様の発明の効果を有する。
ッチング素子がＴＦＴ素子で、ＴＦＴ基板上に走査配線
１本に対し放電用スイッチング素子が２個ずつ形成さ
れ、第１の放電用スイッチング素子５７５であるＴＦＴ
のゲート電極が後段の各走査配線５５２−２〜５５２−
ｎと第１の補助走査配線５５２−ｎ＋１に接続され、ソ
ース／ドレイン電極は本走査配線５５２−１〜５５２−
ｎと非選択時走査駆動電圧電源５７８に接続されてお
り、第２の放電用スイッチング素子５７６であるＴＦＴ
素子のゲート電極は前段の各走査配線５５２−１〜５５
２−ｎ−１と第２の補助走査配線５５２−０に接続さ
れ、ソース／ドレイン電極は本走査配線５５２−１〜５
５２−ｎと非選択時走査駆動電圧電源５７８に接続され
ている。これによって、図５の上下両方向にスキャン対
応を必要とする表示パネル５１１においても第１の実施
の形態と同様の発明の効果を有する。
【００５１】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、放電用ス
イッチング素子を設けたことにより走査駆動電圧波形の
選択時電圧から非選択時電圧へ変化する際の波形鈍りを
改善できるという効果がある。
イッチング素子を設けたことにより走査駆動電圧波形の
選択時電圧から非選択時電圧へ変化する際の波形鈍りを
改善できるという効果がある。
【００５２】その理由は、走査電極駆動用ＩＣ接続端と
は反対側の表示パネル内に非選択時走査駆動電圧の入力
を受けた配線を形成し、この配線と走査配線とを次走査
配線によって制御されるスイッチング素子を介して接続
することにより、選択時電圧から非選択時電圧に変化す
る際の波形鈍りに関しては片側駆動のままで両側駆動と
同様の改善効果が得られるからである。
は反対側の表示パネル内に非選択時走査駆動電圧の入力
を受けた配線を形成し、この配線と走査配線とを次走査
配線によって制御されるスイッチング素子を介して接続
することにより、選択時電圧から非選択時電圧に変化す
る際の波形鈍りに関しては片側駆動のままで両側駆動と
同様の改善効果が得られるからである。
【００５３】また、放電用スイッチング素子および非選
択時走査駆動電圧電極を基板に表示パネルと同時工程に
て形成することによりコストアップが少ないという効果
がある。
択時走査駆動電圧電極を基板に表示パネルと同時工程に
て形成することによりコストアップが少ないという効果
がある。
【図１】本発明の第１の実施の形態の液晶表示装置の回
路構成を示すブロック図である。
路構成を示すブロック図である。
【図２】液晶表示装置の走査電圧のタイミングチャート
である。
である。
【図３】走査駆動電圧波形を比較するための電圧のシミ
ュレーション波形のチャートである。（ａ）は走査電極
駆動用ＩＣ接続端における電圧波形である。（ｂ）は従
来例における走査配線終端部の電圧波形である。（ｃ）
は本発明の実施の形態の走査配線終端部の電圧波形であ
る。
ュレーション波形のチャートである。（ａ）は走査電極
駆動用ＩＣ接続端における電圧波形である。（ｂ）は従
来例における走査配線終端部の電圧波形である。（ｃ）
は本発明の実施の形態の走査配線終端部の電圧波形であ
る。
【図４】本発明の第３の実施の形態の液晶表示装置の回
路構成を示すブロック図である。
路構成を示すブロック図である。
【図５】本発明の第４の実施の形態の液晶表示装置の回
路構成を示すブロック図である。
路構成を示すブロック図である。
【図６】液晶表示装置の簡単な構成および動作を示す模
式的断面図である。（ａ）は駆動電圧ＯＦＦの状態を示
す。（ｂ）は駆動電圧ＯＮの状態を示す。
式的断面図である。（ａ）は駆動電圧ＯＦＦの状態を示
す。（ｂ）は駆動電圧ＯＮの状態を示す。
【図７】図６の構成原理による単純マトリクス液晶表示
装置の模式的平面図である。
装置の模式的平面図である。
【図８】従来の技術による一般的なアクティブマトリク
ス型液晶表示装置の構成を示すブロック図である。
ス型液晶表示装置の構成を示すブロック図である。
【図９】図８のアクティブマトリクス型（逆スタガ型）
液晶表示装置の構造図である。（ａ）は部分断面図であ
る。（ｂ）は部分斜視図である。
液晶表示装置の構造図である。（ａ）は部分断面図であ
る。（ｂ）は部分斜視図である。
【図１０】走査電圧と信号電圧のタイミングの関係を示
すタイミングチャートである。
すタイミングチャートである。
【図１１】特開平２−２２号公報に開示された従来技術
の走査電圧波形鈍り改善回路のブロック図である。
の走査電圧波形鈍り改善回路のブロック図である。
【図１２】特開平１−２１３６２３号公報に開示された
従来技術の走査電圧波形鈍り改善回路のブロック図であ
る。
従来技術の走査電圧波形鈍り改善回路のブロック図であ
る。
１１１、４１１、５１１、７１１、８１１、１１１１、
１２１１ 表示パネル １２５、４２５、５２５、８２５、１１２５、１２２５
画素用スイッチング素子 １４１、４４１、５４１、８４１、１１４１、１２４１
表示画素 １５１、５５１、７５１、８５１、１１５１、１１５
６、１２５１ 走査電極駆動用ＩＣ １５２−１〜１５２−ｎ、４５２−１〜４５２−ｎ、５
５２−１〜５５２−ｎ、７５２−１〜７５２−ｎ、８５
２、１１５２、１２５２ 走査配線１５２−ｎ＋１、４５２−ｎ＋１ 補助走査配線 １５８、８５８ 走査信号 １６１、４６１、５６１、７６１、８６１、１１６１、
１２６１ 信号電極駆動用ＩＣ １６２、４６２、５６２、７６２−１〜７６２−ｍ、８
６２、１１６２、１２６２ 信号配線 １６８、８６８ データ信号 １７５−１〜１７５−ｎ、４７５−１〜４７５−ｎ、５
７５、５７６ 放電用スイッチング素子 １７８、４７８、５７８ 非選択時走査電圧電源 ２０１ 走査配線終端部の画素用スイッチング素子の
走査駆動電圧 ２０２ 次の走査配線終端部の画素用スイッチング素
子の走査駆動電圧 ２０３ 放電用スイッチング素子ＯＮのタイミイング ４７１ 放電回路５５２−０ 第２の補助走査配線 ５５２−ｎ＋１ 第１の補助走査配線 ６２１、６３１、８２１、８３１ ガラス基板 ６２２、６３２、８２２、８３２ 偏光板 ６２３、６３３、８２３、８３３ 配向材料 ６２４、６３４ 電極 ６４０、８４０ 液晶材料 ８２０ ＴＦＴ基板 ８２４ 画素電極 ８３０ ＣＦ基板 ８３４ 電極 ８５３−１〜８５３−ｎ 走査配線入力端 ８５４−１〜８５４−ｎ 走査配線終端 ８５５ 走査電極 ８６５ 信号電極 １００１ 走査電圧波形 １００２ 入力端側波形 １００３ 終端側波形 １０１１ 信号電圧波形 １０１２ ｎ−１ラインデータ １０１３ ｎラインデータ １０１４ ｎ＋１ラインデータ １０２１ 実行書込時間 １０２２ オフセット時間 １２５７ 接続基板
１２１１ 表示パネル １２５、４２５、５２５、８２５、１１２５、１２２５
画素用スイッチング素子 １４１、４４１、５４１、８４１、１１４１、１２４１
表示画素 １５１、５５１、７５１、８５１、１１５１、１１５
６、１２５１ 走査電極駆動用ＩＣ １５２−１〜１５２−ｎ、４５２−１〜４５２−ｎ、５
５２−１〜５５２−ｎ、７５２−１〜７５２−ｎ、８５
２、１１５２、１２５２ 走査配線１５２−ｎ＋１、４５２−ｎ＋１ 補助走査配線 １５８、８５８ 走査信号 １６１、４６１、５６１、７６１、８６１、１１６１、
１２６１ 信号電極駆動用ＩＣ １６２、４６２、５６２、７６２−１〜７６２−ｍ、８
６２、１１６２、１２６２ 信号配線 １６８、８６８ データ信号 １７５−１〜１７５−ｎ、４７５−１〜４７５−ｎ、５
７５、５７６ 放電用スイッチング素子 １７８、４７８、５７８ 非選択時走査電圧電源 ２０１ 走査配線終端部の画素用スイッチング素子の
走査駆動電圧 ２０２ 次の走査配線終端部の画素用スイッチング素
子の走査駆動電圧 ２０３ 放電用スイッチング素子ＯＮのタイミイング ４７１ 放電回路５５２−０ 第２の補助走査配線 ５５２−ｎ＋１ 第１の補助走査配線 ６２１、６３１、８２１、８３１ ガラス基板 ６２２、６３２、８２２、８３２ 偏光板 ６２３、６３３、８２３、８３３ 配向材料 ６２４、６３４ 電極 ６４０、８４０ 液晶材料 ８２０ ＴＦＴ基板 ８２４ 画素電極 ８３０ ＣＦ基板 ８３４ 電極 ８５３−１〜８５３−ｎ 走査配線入力端 ８５４−１〜８５４−ｎ 走査配線終端 ８５５ 走査電極 ８６５ 信号電極 １００１ 走査電圧波形 １００２ 入力端側波形 １００３ 終端側波形 １０１１ 信号電圧波形 １０１２ ｎ−１ラインデータ １０１３ ｎラインデータ １０１４ ｎ＋１ラインデータ １０２１ 実行書込時間 １０２２ オフセット時間 １２５７ 接続基板
Claims (6)
- 【請求項１】 複数の走査配線と複数の信号配線とが互
いに直交する方向に配設され、前記両配線の交差部に薄
膜トランジスタ（ＴＦＴ）からなるスイッチング素子を
介して接続される複数の画素電極が設けられたＴＦＴ基
板と、前記ＴＦＴ基板に対向して配置されたカラーフイ
ルタ（ＣＦ）基板と、前記両基板の間隙に封止された液
晶材料とからなる表示パネルと、前記表示パネルの複数
の信号配線に接続された信号電極駆動ＩＣおよび前記表
示パネルの複数の走査配線の一端に接続された走査電極
駆動ＩＣとを含み構成される液晶表示装置において、前記複数の走査配線の他に、最終の走査配線の次に走査
され前記薄膜トランジスタには接続されていない補助走
査配線を有し、かつ前記 最終走査配線を含む複数の走査
配線の他端が、制御端子を後段の走査配線ないしは補助
走査配線の他端に接続された放電用スイッチング素子を
介して非選択時走査駆動電圧が印加された非選択時走査
駆動電圧配線に接続されていることを特徴とする液晶表
示装置。 - 【請求項２】 前記放電用スイッチング素子が前記ＴＦ
Ｔ基板上に形成されたＴＦＴであり、該ＴＦＴ素子のゲ
ート電極は後段の走査配線ないしは補助走査配線に接続
され、ソース／ドレイン電極が当該走査配線と前記非選
択時走査駆動電圧配線に接続されていることを特徴とす
る請求項１に記載の液晶表示装置。 - 【請求項３】 前記放電用スイッチング素子のＴＦＴの
半導体層が多結晶シリコンおよびアモルファスシリコン
のいずれかからなることを特徴とする請求項２に記載の
液晶表示装置。 - 【請求項４】 最終走査配線に接続される前記放電用ス
イッチング素子の制御端子には、該最終走査配線の印加
パルスの終了時に立ち上がるダミーパルスを印加するこ
とを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。 - 【請求項５】 前記放電用スイッチング素子がＭＯＳト
ランジスタであり、該トランジスタのソース電極が前記
非選択時走査電圧配線に接続され、ドレイン電極が当該
走査配線接続端子に接続され、ゲート配線が後段の走査
配線ないしは補助走査配線の接続端子に接続されている
回路構成のＭＯＳトランジスタアレイチップが、テープ
キャリアパッケージ（ＴＣＰ）にて前記走査電極駆動用
ＩＣ接続側と反対側の前記表示パネルに接続されている
ことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。 - 【請求項６】 複数の走査配線と複数の信号配線とが互
いに直交する方向に配設され、前記両配線の交差部に薄
膜トランジスタ（ＴＦＴ）からなるスイッチング素子を
介して接続される複数の画素電極が設けられたＴＦＴ基
板と、前記ＴＦＴ基板に対向して配置されたカラーフイ
ルタ（ＣＦ）基板と、前記両基板の間隙に封止された液
晶材料とからなる表示パネルと、前記表示パネルの複数
の信号配線に接続された信号電極駆動ＩＣおよび前記表
示パネルの複数の走査配線の一端に接続された走査電極
駆動ＩＣとを含み構成される液晶表示装置において、前記複数の走査配線の他に、最初の走査配線の前に走査
される第２の補助走査配線と最後の走査配線の次に走査
される第１の補助走査配線とを有し、最初ないしは最終
の走査配線を含む 走査配線の他端が、放電用スイッチン
グ素子を介して非選択時走査駆動電圧が印加された非選
択時走査駆動電圧配線に接続されており、前記放電用ス
イッチング素子がＴＦＴ素子であり、前記ＴＦＴ基板上
に前記走査配線１本に対して前記放電用スイッチング素
子が２個ずつ配設され、第１のスイッチング素子のゲー
ト電極は後段の走査配線ないしは第１の補助走査配線に
接続され、第２のスイッチング素子のゲート電極は前段
の走査配線ないしは第２の補助走査配線に接続され、両
スイッチング素子のソース／ドレイン電極はいずれも当
該走査配線と前記非選択時走査駆動電圧配線に接続され
ていることを特徴とする液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5635697A JP2959509B2 (ja) | 1997-03-11 | 1997-03-11 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5635697A JP2959509B2 (ja) | 1997-03-11 | 1997-03-11 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10253940A JPH10253940A (ja) | 1998-09-25 |
| JP2959509B2 true JP2959509B2 (ja) | 1999-10-06 |
Family
ID=13024974
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5635697A Expired - Fee Related JP2959509B2 (ja) | 1997-03-11 | 1997-03-11 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| KR100759967B1 (ko) * | 2000-12-16 | 2007-09-18 | 삼성전자주식회사 | 플랫 패널 표시 장치 |
| KR100796787B1 (ko) * | 2001-01-04 | 2008-01-22 | 삼성전자주식회사 | 게이트 신호 지연 보상 액정 디스플레이 장치, 패널 및 방법 |
| KR100796298B1 (ko) * | 2002-08-30 | 2008-01-21 | 삼성전자주식회사 | 액정표시장치 |
| JP5078363B2 (ja) * | 2006-01-13 | 2012-11-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
| JP5055792B2 (ja) * | 2006-03-10 | 2012-10-24 | カシオ計算機株式会社 | マトリックス表示装置の駆動回路及びそれを備えたマトリックス表示装置 |
| JP4997795B2 (ja) * | 2006-03-10 | 2012-08-08 | カシオ計算機株式会社 | マトリックス表示装置の駆動回路及びそれを備えたマトリックス表示装置 |
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| JP2009116206A (ja) | 2007-11-09 | 2009-05-28 | Sony Corp | Ｅｌ表示パネル及び電子機器 |
| US9159286B2 (en) | 2009-12-18 | 2015-10-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display panel, liquid-crystal display device and drive method |
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| KR102001890B1 (ko) * | 2012-09-28 | 2019-07-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 |
| JP5682612B2 (ja) * | 2012-11-28 | 2015-03-11 | ソニー株式会社 | 表示装置 |
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| US9583063B2 (en) | 2013-09-12 | 2017-02-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| WO2015075844A1 (ja) | 2013-11-20 | 2015-05-28 | パナソニック液晶ディスプレイ株式会社 | 表示装置 |
| WO2015075845A1 (ja) | 2013-11-21 | 2015-05-28 | パナソニック液晶ディスプレイ株式会社 | 表示装置 |
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| CN115294911A (zh) * | 2022-08-12 | 2022-11-04 | 武汉华星光电技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
-
1997
- 1997-03-11 JP JP5635697A patent/JP2959509B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JPH10253940A (ja) | 1998-09-25 |
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