TW201544516A - 用於封裝有機發光二極體元件的組成物及使用其製備的有機發光二極體顯示器 - Google Patents

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Abstract

本發明公開一種用於封裝有機發光二極體的組成物以及一種使用其製造的有機發光二極體顯示器。所述用於封裝的組成物包括：10 wt%至70 wt%的（A）非矽基二（甲基）丙烯酸酯；20 wt% 至70 wt%的（B）矽基二（甲基）丙烯酸酯；5 wt%至40 wt%的（C）單（甲基）丙烯酸酯；以及1 wt%至10 wt%的（D）引發劑，其中（B）矽基二（甲基）丙烯酸酯由式1所表示。

Description

用於封裝有機發光二極體元件的組成物及使用其製備的有機發光二極體顯示器
本發明是有關一種用於封裝有機發光二極體元件的組成物及使用所述組成物製備的有機發光二極體顯示器。
有機發光二極體顯示器是一種經由電致發光而發射光的發射型顯示器， 且有機發光二極體顯示器包括有機發光二極體。有機發光二極體的發光特性會在與外部水分或氧氣接觸之後遭受劣化。因此， 必需以用於封裝的組成物來封裝有機發光二極體。有機發光二極體被封裝成多層結構， 在所述多層結構中， 依序地形成無機阻擋層和有機阻擋層。在此， 無機阻擋層是藉由電漿沈積而形成， 電漿沈積可能使無機阻擋層被電漿蝕刻。當有機阻擋層被蝕刻時， 有機阻擋層的封裝功能會被破壞。因此， 有機發光二極體的發光特性和可靠性會遭受劣化。
在韓國專利公開第2011-0071039號中揭露了一種先前技術的實例。
[技術問題]
本發明的一個方面提供一種用於封裝有機發光二極體的組成物，所述組成物可實現一種具有高電漿抗性以提高有機發光二極體的可靠性之有機阻擋層。
本發明的另一個方面提供一種用於封裝有機發光二極體的組成物，所述組成物可實現一種展現高透光度以及高光固化率的有機阻擋層。
本發明的又一個方面提供一種用於封裝有機發光二極體的組成物，所述組成物可藉由使用例如是沈積、噴墨印刷等方法來促進形成有機阻擋層。
[技術解決方案]
根據本發明的一個方面，用於封裝有機發光二極體的組成物可包括：10 wt %至70 wt%的（A）非矽基二（甲基）丙烯酸酯；20 wt%至70 wt%的（B）矽基二（甲基）丙烯酸酯；5 wt%至40 wt%的（C）單（甲基）丙烯酸酯；以及1 wt%至10 wt%的（D）引發劑，其中（B）矽基二（甲基）丙烯酸酯可由式1表示： ＜式1＞其中R1 、R2 、R3 、R4 、X1 、X2 、X3 、X4 、X5 、X6 以及n在以下詳細描述中所描述。
根據本發明的另一個方面，有機發光二極體顯示器可包括：有機發光二極體；以及形成在有機發光二極體上並且包括無機阻擋層與有機阻擋層的阻擋疊層，其中有機阻擋層可由根據本發明的用於封裝有機發光二極體的組成物來形成。
[有益效果]
本發明提供一種用於封裝有機發光二極體的組成物，其中組成物可實現展現電漿抗性的有機阻擋層。因此，有機發光二極體展現提升的可靠性。
本發明提供一種用於封裝有機發光二極體的組成物，其中組成物展現高光固化率。因此，有機阻擋層展現提升的透光度。
此外，本發明提供一種用於封裝有機發光二極體的組成物，其中組成物藉由使用例如是沈積、噴墨印刷等方法來促進形成有機阻擋層。
將參考附圖詳細描述本發明的實施例。應理解， 本發明不限於以下實施例並且可以按不同方式實施。在圖式中， 為清楚起見將省略與描述無關的部分。在本說明書通篇中， 相似元件將由相似圖式元件符號表示。
如本文所用，術語“（甲基）丙烯酸酯（（meth）acryl）”是指丙烯酸酯（acryl）和/或甲基丙烯酸酯（methacryl）。
除非另外說明，否則如本文所用的術語“經取代的”意指官能團中的至少一者氫原子被鹵素（例如是F、Cl、Br或I）、羥基、硝基、氰基、亞胺基（=NH、=NR，其中R是C1到C10烷基）、胺基（-NH2 、-NH（R'）、-N（R"）（R"'），其中R'、R"和R"'各自獨立地是C1到C10烷基）、脒基（amidino group）、肼基（hydrazine group）、腙基（hydrazone group）、羧基、C1 到C20 烷基、C6 到C30 芳基、C3 到C30 環烷基、C3 到C30 雜芳基或C2 到C30 雜環烷基取代。
如本文所用，術語“芳基”是指環式取代基的所有元素具有p軌域且這些p軌域形成共軛的官能團。所述芳基包括單環的、非稠合多環的以及稠合多環的官能團。在此，術語“稠合”意指一對碳原子是由連續的環共有。所述芳基也包括聯苯基（biphenyl group）、聯三苯基（terphenyl group）、聯四苯基（quaterphenyl group）等，其中至少兩個芳基經由σ鍵（sigma bond）而互相連接。所述芳基可指苯基、萘基（naphthyl group）、蒽基（anthracenyl group）、菲基（phenanthrenyl group）、芘基（pyrenyl group）、䓛基（chrysenyl group）等。
如本文所用，術語“雜芳基”是指芳基包含1個至3個選自N、O、S、P與Si所組成的群組中的雜原子且在芳基中的其他原子為碳的官能團。所述雜芳基也包括至少兩個雜芳基由σ鍵直接連接的基團。所述雜芳基也包括至少兩個雜芳基互相稠合的基團。如果雜芳基為稠合的，每一個環可包括如上所述的1個至3個雜原子。舉例來說，雜芳基可指吡啶基（pyridinyl group）、嘧啶基（pyrimidinyl group）、吡嗪基（pyrazinyl group）、噠嗪基（pyridazinyl group）、三嗪基（triazinyl group）、喹啉基（quinolinyl group）、異喹啉基（isoquinolinyl group）等。
更具體而言，C6 至C30 芳基及/或C3 至C30 雜芳基可以是經取代或未經取代的苯基、經取代或未經取代的萘基、經取代或未經取代的蒽基、經取代或未經取代的菲基（phenanthryl group）、經取代或未經取代的稠四苯基（naphthacenyl group）、經取代或未經取代的芘基、經取代或未經取代的聯苯基、經取代或未經取代的對聯三苯基、經取代或未經取代的間聯三苯基、經取代或未經取代的䓛基、經取代或未經取代的聯伸三苯基（triphenylenyl group）、經取代或未經取代的伸苯基（phenylenyl group）、經取代或未經取代的茚基（indenyl group）、經取代或未經取代的呋喃基（furanyl group）、經取代或未經取代的噻吩基（thiophenyl group）、經取代或未經取代的吡咯基（pyrrolyl group）、經取代或未經取代的吡唑基（pyrazolyl group）、經取代或未經取代的咪唑基（imidazolyl group）、經取代或未經取代的三唑基（triazolyl group）、經取代或未經取代的噁唑基（oxazolyl group）、經取代或未經取代的噻唑基（thiazolyl group）、經取代或未經取代的噁二唑基（oxadiazolyl group）、經取代或未經取代的噻二唑基（thiadiazolyl group）、經取代或未經取代的吡啶基（pyridyl group）、經取代或未經取代的嘧啶基、經取代或未經取代的吡嗪基、經取代或未經取代的三嗪基、經取代或未經取代的苯並呋喃基（benzofuranyl group）、經取代或未經取代的苯並苯硫基（benzothiophenyl group）、經取代或未經取代的苯並咪唑基（benzimidazolyl group）、經取代或未經取代的吲哚基（indolyl group）、經取代或未經取代的喹啉基、經取代或未經取代的異喹啉基、經取代或未經取代的喹唑啉基（quinazolinyl group）、經取代或未經取代的喹噁啉基（quinoxalinyl group）、經取代或未經取代的萘啶基（naphthyridinyl group）、經取代或未經取代的苯並噁嗪基（benzoxazinyl group）、經取代或未經取代的苯並噻嗪基（benzothiazinyl group）、經取代或未經取代的吖啶基（acridinyl group）、經取代或未經取代的啡嗪基（phenazinyl group）、經取代或未經取代的啡噻嗪基（phenothiazinyl group）、經取代或未經取代的啡噁嗪基（phenoxazinyl group）、經取代或未經取代的二苯並呋喃基（dibenzofuranyl group）、經取代或未經取代的二苯并噻吩基（dibenzothiophenyl group）或其組合，但不限於此。
如本文所用，術語“用於封裝有機發光二極體的組成物”可縮短為“用於封裝的組成物”。
如本文所用，術語“起因於電漿的有機阻擋層的蝕刻率”以及術語“電漿蝕刻率”是指在下列步驟之後由方程式2所計算的值：測量有機阻擋層（藉由沈積用於封裝有機發光二極體的組成物至預定之厚度以及光固化此組成物來形成有機阻擋層）的初始高度（T1，單位：µm），在感應耦合電漿（ICP）功率為2500 W、射頻（RF）功率為300 W、直流偏壓為200 V、Ar流速為50 sccm、蝕刻時間為1分鐘以及壓力為10毫托的條件下進行電漿處理後，接著測量有機阻擋層的高度（T2，單位：µm）。在此，有機阻擋層的初始高度（T1）的範圍可以是1 µm至10 µm。由方程式2所計算的值可以評估有機阻擋層的電漿抗性。方程式2的低值意指有機阻擋層的優異的電漿抗性。
＜方程式2＞ 有機阻擋層的電漿蝕刻率（%）= {（T1-T2）/T1}×100
以下，將更加詳細描述根據本發明一實施例之用於封裝有機發光二極體的組成物。
根據本發明的一實施例，用於封裝有機發光二極體的組成物可包括：10 wt %至70 wt%的（A）非矽基二（甲基）丙烯酸酯；20 wt%至70 wt%的（B）矽基二（甲基）丙烯酸酯；5 wt%至40 wt%的（C）單（甲基）丙烯酸酯；以及1 wt%至10 wt%的（D）引發劑，其中（B）矽基二（甲基）丙烯酸酯可由式1表示： ＜式1＞其中R1 、R2 、R3 、R4 、X1 、X2 、X3 、X4 、X5 、X6 以及n在以下詳細描述中所描述。
根據本發明的實施例，用於封裝的組成物可包括（A）非矽基二（甲基）丙烯酸酯、由式1表示的（B）矽基二（甲基）丙烯酸酯、（C）單（甲基）丙烯酸酯以及（D）引發劑。此外，根據實施例的用於封裝的組成物包括如上所述分別在特定量的（A）非矽基二（甲基）丙烯酸酯、由式1表示的（B）矽基二（甲基）丙烯酸酯、（C）單（甲基）丙烯酸酯以及（D）引發劑。因此，根據實施例的用於封裝的組成物可展現顯著提高的光固化率。再者，根據此實施例的用於封裝的組成物可實現在光固化後展現優異透光度以及展現顯著高電漿抗性的有機阻擋層。因此，根據此實施例的用於封裝的組成物可實現具有低的起因於用以形成無機阻擋層之電漿的蝕刻速率的有機阻擋層，並且結果可提升有機發光二極體的可靠性。
特定言之，根據實施例的用於封裝有機發光二極體的組成物可具有88%以上的光固化率，舉例來說，88%至99%。此外，根據實施例的用於封裝有機發光二極體的組成物在固化後具有93%以上的透光度（在380 nm至700 nm的波長下），舉例來說，93.5%至100%。再者，在固化有機阻擋層之後，根據實施例的用於封裝的組成物可具有20%以下的電漿蝕刻率，舉例來說，17%以下，舉例來說，0.1%至20%。在這些有機阻擋層的光固化率、透光度與電漿蝕刻率的範圍內，根據實施例的用於封裝的組成物可顯著提升有機發光二極體的可靠性。
在一實施例中，基於（A）、（B）、（C）及（D）的總重量，用於封裝有機發光二極體的組成物可包括10 wt%至50 wt%的（A）非矽基二（甲基）丙烯酸酯、20 wt%至70 wt%的（B）矽基二（甲基）丙烯酸酯、5 wt%至40 wt%的（C）單（甲基）丙烯酸酯以及1 wt%至10 wt%的（D）引發劑。
如本文所用，（A）非矽基二（甲基）丙烯酸酯、（B）矽基二（甲基）丙烯酸酯、（C）單（甲基）丙烯酸酯以及（D）引發劑為不同的化合物。
以下，將更加詳細描述（A）非矽基二（甲基）丙烯酸酯、（B）矽基二（甲基）丙烯酸酯、（C）單（甲基）丙烯酸酯以及（D）引發劑。
（A）非矽基二（甲基）丙烯酸酯
（A）非矽基二（甲基）丙烯酸酯為一種不包括矽但具有兩個（甲基）丙烯酸酯基的光可固化單體。因此，用於封裝的組成物可具有提升的光固化率及在固化後可具有提升的透光度。此外，（A）非矽基二（甲基）丙烯酸酯在25°C下具有低黏性，且因此可降低用於封裝的組成物的黏性。因此，用於封裝的組成物可有助於在有機發光二極體上或在封裝有機發光二極體的無機阻擋層上藉由使用例如是噴墨印刷等方法來形成有機阻擋層。
（A）非矽基二（甲基）丙烯酸酯為非芳香族（不包含芳香族基團）的非矽基二（甲基）丙烯酸酯，並且可包括含經取代或未經取代的長鏈伸烷基的非矽基二（甲基）丙烯酸酯。在此情況下，用於封裝的組成物有助於在有機發光二極體上或在封裝有機發光二極體的無機阻擋層上藉由使用例如是沈積等方法來形成有機阻擋層。
特定言之，（A）非矽基二（甲基）丙烯酸酯可以是含經取代或未經取代的C1 至C20 伸烷基的二（甲基）丙烯酸酯。更具體而言，（A）非矽基二（甲基）丙烯酸酯可包括在（甲基）丙烯酸酯基之間具有未經取代的C1 至C15 伸烷基的二（甲基）丙烯酸酯。在此，伸烷基的碳原子數目是指僅存在伸烷基中的碳原子數目（排除存在於二（甲基）丙烯酸酯基中的碳原子數目）。
在一實施例中，（A）非矽基二（甲基）丙烯酸酯可由式2來表示：
＜式2＞其中R3 及R4 各自獨立地是氫或甲基；以及R5 為經取代或未經取代的C1 至C20 的伸烷基。
因為根據本發明的用於封裝有機發光二極體的組成物包括由式2所表示的（A）非矽基二（甲基）丙烯酸酯，因此組成物可展現較高的光固化率以及由於其低黏性而可以更容易沈積。
舉例來說，在式2中的R5 可以是未經取代的C8 至C12 伸烷基。更具體而言，（A）非矽基二（甲基）丙烯酸酯可包括二（甲基）丙烯酸辛二醇酯（octanediol di（meth）acrylate）、二（甲基）丙烯酸壬二醇酯（nonanediol di（meth）acrylate）、二（甲基）丙烯酸癸二醇酯（decanediol di（meth）acrylate）、二（甲基）丙烯酸十一烷二醇酯（undecanediol di（meth）acrylate）以及二（甲基）丙烯酸十二烷二醇酯（dodecanediol di（meth）acrylate）中的至少一個。
在用於封裝的組成物中可單獨使用或組合使用（A）非矽基二（甲基）丙烯酸酯。
基於（A）、（B）、（C）及（D）的總重量，（A）非矽基二（甲基）丙烯酸酯可以10 wt%至70 wt%的量存在。舉例來說，基於（A）、（B）、（C）及（D）的總重量，（A）非矽基二（甲基）丙烯酸酯可以10 wt% 至50 wt%或35 wt%至48 wt%的量存在。在此範圍內，用於封裝的組成物可展現提升的光固化率，以及可實現展現高透光度以及低電漿蝕刻率的有機阻擋層。
（B）矽基二（甲基）丙烯酸酯
（B）矽基二（甲基）丙烯酸酯包括至少一個與矽原子連接的經取代或未經取代的C6 至C30 芳基或經取代或未經取代的C2 至C30 雜芳基。因此，用於封裝的組成物可實現具有非常高電漿抗性以及因此展現低電漿蝕刻率的有機阻擋層。
（B）矽基二（甲基）丙烯酸酯可由式1所表示：其中R1 與R2 各自獨立地是單鍵、經取代或未經取代的C1 至C20 伸烷基、經取代或未經取代的C1 至C30 伸烷基醚基、*-N（R'）-（R"）-*（*表示元素的鍵結位置，R'為氫或經取代或未經取代的C1 至C30 烷基，且R"為經取代或未經取代的C1 至C20 伸烷基）、經取代或未經取代的C6 至C30 伸芳基、經取代或未經取代的C7 至C30 伸芳基烷基或*-（R'）-O-**（在此，*表示在式1中O的鍵結位置，**表示在式1中Si的鍵結位置以及R'為經取代或未經取代的C1 至C30 伸烷基）； X1 、X2 、X3 、X4 、X5 及X6 各自獨立地是氫、羥基、鹵素、氰基、經取代或未經取代的C1 至C30 烷基、經取代或未經取代的C1 至C30 雜環烷基、經取代或未經取代的C3 至C30 環烷基、經取代或未經取代的C1 至C30 烷基醚基、*-N（R'）-（R"）-*（*表示元素的鍵結位置，且R'及R"各自獨立地是氫或經取代或未經取代的C1 至C30 烷基）、經取代或未經取代的C1 至C30 硫化烷基、經取代或未經取代的C6 至C30 芳基、經取代或未經取代的C2 至C30 雜芳基或經取代或未經取代的C7 至C30 芳烷基； X1 、X2 、X3 、X4 、X5 及X6 中的至少一個為經取代或未經取代的C6 至C30 芳基或經取代或未經取代的C2 至C30 雜芳基； R3 與R4 各自獨立地是氫或甲基；以及 n為0至30的整數，或平均在0至30的範圍內。
術語“單鍵”意指Si和O為直接連接（Si-O）。
特定言之，R1 與R2 可各自獨立是單鍵、經取代或未經取代的C1 至C20 伸烷基或經取代或未經取代的C1 至C30 伸烷基醚基。特定言之，X1 、X2 、X3 、X4 、X5 及X6 可各自獨立是氫、經取代或未經取代的C1 至C30 烷基、經取代或未經取代的C3 至C30 環烷基、經取代或未經取代的C1 至C30 烷基醚基、經取代或未經取代的C6 至C30 芳基、經取代或未經取代的C2 至C30 雜芳基或經取代或未經取代的C7 至C30 芳烷基；以及X1 、X2 、X3 、X4 、X5 及X6 中至少一個可以是經取代或未經取代的C6 至C30 芳基。
更具體而言，R1 與R2 可獨立是單鍵或經取代或未經取代的C1 至C20 伸烷基。在此情況下，用於封裝的組成物可展現更加降低的電漿蝕刻率。
更具體而言，X1 、X2 、X3 、X4 、X5 及X6 可各自獨立是經取代或未經取代的C1 至C10 烷基或經取代或未經取代的C6 至C10 芳基；以及X1 、X2 、X3 、X4 、X5 及X6 中至少一個可以是或未經取代的C6 至C10 芳基。更具體而言，X1 、X2 、X3 、X4 、X5 及X6 可各自獨立是甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、苯基、聯苯基或萘基；X1 、X2 、X3 、X4 、X5 及X6 中的一者、二者、三者或六者可以是苯基或萘基。在此情況下，用於封裝的組成物可展現更加降低的電漿蝕刻率。
更具體而言，n為1至5的整數。在此情況下，用於封裝的組成物可展現更加降低的電漿蝕刻率。
更具體而言，（B）矽基二（甲基）丙烯酸酯可由式3至式8中任一個來表示。 ＜ 式3＞＜式4＞＜式5＞＜式6＞＜式7＞＜式8＞
可單獨使用或組合使用（B）矽基二（甲基）丙烯酸酯。
基於（A）、（B）、（C）及（D）的總重量，（B）矽基二（甲基）丙烯酸酯可以20 wt%至70 wt%的量存在。舉例來說，基於（A）、（B）、（C）及（D）的總重量，（B）矽基二（甲基）丙烯酸酯可以25 wt%至45 wt%的量存在。在此範圍內，用於封裝的組成物可展現高光固化率。此外，在此範圍內，有機阻擋層可展現高透光度以及低電漿蝕刻率。
基於（A）、（B）、（C）及（D）的總重量，（A）非矽基二（甲基）丙烯酸酯以及（B）矽基二（甲基）丙烯酸酯可以50 wt%至90 wt%的總量存在，特別是60 wt%至90 wt%。在此範圍內，用於封裝的組成物可實現展現低電漿蝕刻率的有機阻擋層。
（B）矽基二（甲基）丙烯酸酯可藉由傳統方法來製備。舉例來說，（B）矽基二（甲基）丙烯酸酯可藉由以下步驟來製備：將矽氧烷化合物（其中經取代或未經取代的C6 至C30 芳基或經取代或未經取代的C2 至C30 雜芳基連接至少一個矽原子）與延伸碳鏈的化合物（例如，烯丙醇）反應，接著與（甲基）丙烯醯氯反應，但不限於此。或者，（B）矽基二（甲基）丙烯酸酯可藉由將矽氧烷化合物（其中經取代或未經取代的C6 至C30 芳基或經取代或未經取代的C2 至C30 雜芳基連接至少一個矽原子）與（甲基）丙烯醯氯反應來製備，但不限於此。
（C）單（甲基）丙烯酸酯
（C）單（甲基）丙烯酸酯包含在用於封裝有機發光二極體的組成物中且可增加用於封裝的組成物的光固化率。此外，（C）單（甲基）丙烯酸酯可降低有機阻擋層的電漿蝕刻率，並同時增加有機阻擋層的透光度。
（C）單（甲基）丙烯酸酯可包括不含矽的非矽基單（甲基）丙烯酸酯。
（C）單（甲基）丙烯酸酯可包括含有芳香族基團之芳香族的單（甲基）丙烯酸酯以及不含有芳香族基團之非芳香族的單（甲基）丙烯酸酯。
可單獨使用或組合使用（C）單（甲基）丙烯酸酯。可單獨使用或組合使用在（C）單（甲基）丙烯酸酯中的芳香族的單（甲基）丙烯酸酯。可單獨使用或組合使用在（C）單（甲基）丙烯酸酯中的非芳香族的單（甲基）丙烯酸酯。
在一實施例中，（C）單（甲基）丙烯酸酯可包括含有芳香族基團的單（甲基）丙烯酸酯。由於含有芳香族基團的單（甲基）丙烯酸酯與如上述的（B）矽基二（甲基）丙烯酸酯兩者都包含芳香族基團，因此當一起使用時，在用於封裝有機發光二極體的組成物中，含有芳香族基團的單（甲基）丙烯酸酯以及（B）矽基二（甲基）丙烯酸酯展現更加提升的相容度。因此，（C）單（甲基）丙烯酸酯與（B）矽基二（甲基）丙烯酸酯可展現更加提升的互溶性。在此情況下，用於封裝的組成物對於降低有機阻擋層的電漿蝕刻率可具有提升的效果。
芳香族的單（甲基）丙烯酸酯可包括經取代或未經取代之含有芳香族基團的單（甲基）丙烯酸酯。在此，術語"芳香族基團"是指包括單環的、稠合等型式的多環芳香族基團，或是指藉由σ鍵相互連接單環之型式。舉例來說，芳香族基團可指經取代或未經取代的C6 至C50 芳基、經取代或未經取代的C7 至C50 芳烷基、經取代或未經取代的C3 至C50 雜芳基以及經取代或未經取代的C3 至C50 雜芳烷基中的至少一個。更具體而言，芳香族基團可包括苯基、聯苯基、聯三苯基、聯四苯基、萘基、蒽基、菲基、䓛基、聯伸三苯基、並四苯基（tetracenyl）、芘基、苯并芘基（benzopyrenyl）、稠五苯基（pentacenyl）、蔻基（coronenyl）、莪基（ovalenyl）、心環烯基（corannulenyl）、苯甲基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、三嗪基、喹啉基、異喹啉基、喹噁啉基、吖啶基、喹唑啉基、噌啉基（cinnolinyl）、酞嗪基（phthalazinyl）、噻唑基、苯并噻唑基（benzothiazolyl）、異噁唑基（isoxazolyl）、苯并異噁唑基（benzisoxazolyl）、噁唑基、苯并噁唑基（benzoxazolyl）、吡唑基、吲唑基（indazolyl）、咪唑基、苯并咪唑基（benzimidazolyl）、嘌呤基（purinyl）、噻吩基、苯并噻吩基（benzothiophenyl group）、呋喃基、苯並呋喃基以及異苯並呋喃基中的至少一個。
舉例來說，芳香族的單（甲基）丙烯酸酯可由式9來表示：其中R3 為氫或甲基；s為0至10的整數；以及R6 為經取代或未經取代的C6 至C50 芳基或經取代或未經取代的C6 至C50 芳氧基（aryloxy group）。
舉例來說，R6 可以是苯基苯氧基乙基（phenylphenoxyethyl）、苯氧基乙基（phenoxyethyl）、苯甲基、苯基、苯基苯氧基（phenylphenoxy）、苯氧基、苯基乙基（phenylethyl）、苯基丙基（phenylpropyl）、苯基丁基（phenylbutyl）、甲基苯基乙基（methylphenylethyl）、丙基苯基乙基（propylphenylethyl）、甲氧苯基乙基（methoxyphenylethyl）、環己基苯基乙基（cyclohexylphenylethyl）、氯苯基乙基（chlorophenylethyl）、溴苯基乙基（bromophenylethyl）、甲基苯基（methylphenyl）、甲基乙基苯基（methylethylphenyl）、甲氧苯基（methoxyphenyl）、丙基苯基（propylphenyl）、環己基苯基（cyclohexylphenyl）、氯苯基（chlorophenyl）、溴苯基（bromophenyl）、苯基苯基（phenylphenyl）、聯苯基、聯三苯基、聯四苯基、蒽基、萘基、聯伸三苯基、甲基苯氧基（methylphenoxy）、乙基苯氧基（ethylphenoxy）、甲基乙基苯氧基（methylethylphenoxy）、甲氧苯氧基（methoxyphenyloxy）、丙基苯氧基（propylphenoxy）、環己基苯氧基（cyclohexylphenoxy）、氯苯氧基（chlorophenoxy）、溴苯氧基（bromophenoxy）、聯苯氧基（biphenyloxy）、聯三苯氧基（terphenyloxy）、聯四苯氧基（quaterphenyloxy）、蒽氧基（anthracenyloxy）、萘氧基（naphthalenyloxy）或聯伸三苯氧基。
特定言之，芳香族的單（甲基）丙烯酸酯可包括（甲基）丙烯酸-2-苯基苯氧基乙酯（2-phenylphenoxyethyl （meth）acrylate）、（甲基）丙烯酸苯氧基乙酯（phenoxyethyl （meth）acrylate）、（甲基）丙烯酸苯酯（phenyl（meth）acrylate）、（甲基）丙烯酸苯氧酯（phenoxy（meth）acrylate）、（甲基）丙烯酸-2-乙基苯氧酯（2-ethylphenoxy（meth）acrylate）、（甲基）丙烯酸苄酯（benzyl（meth）acrylate）、（甲基）丙烯酸-2-苯基乙酯（2-phenylethyl（meth）acrylate）、（甲基）丙烯酸-3-苯基丙酯（3-phenylpropyl（meth）acrylate）、（甲基）丙烯酸-4-苯基丁酯（4-phenylbutyl（meth）acrylate）、（甲基）丙烯酸-2-2-甲基苯基乙酯（2-（2-methylphenyl）ethyl（meth）acrylate）、（甲基）丙烯酸-2-3-甲基苯基乙酯（2-（3-methylphenyl）ethyl （meth）acrylate）、（甲基）丙烯酸-2-（4-甲基苯基）乙酯（2-（4-methylphenyl）ethyl（meth）acrylate）、（甲基）丙烯酸-2-4-丙基苯基乙酯（2-（4-propylphenyl）ethyl（meth）acrylate）、（甲基）丙烯酸-2-（4-（1-甲基乙基）苯基）乙酯（2-（4-（1-methylethyl）phenyl）ethyl （meth）acrylate）、甲基丙烯酸-2-（4-甲氧基苯基）乙酯（2-（4-methoxyphenyl）ethyl（meth）acrylate）、（甲基）丙烯酸-2-（4-環己基苯基）乙酯（2-（4-cyclohexylphenyl）ethyl（meth）acrylate）、（甲基）丙烯酸-2-（2-氯苯基）乙酯（2-（2-chlorophenyl）ethyl（meth）acrylate）、（甲基）丙烯酸-2-（3-氯苯基）乙酯（2-（3-chlorophenyl）ethyl（meth）acrylate）、（甲基）丙烯酸-2-（4-氯苯基乙酯）（2-（4-chlorophenyl）ethyl（meth）acrylate）、（甲基）丙烯酸-2-（4-溴苯基）乙酯（2-（4-bromophenyl）ethyl（meth）acrylate）、（甲基）丙烯酸-2-（3-苯基苯基）乙酯（2-（3-phenylphenyl）ethyl（meth）acrylate）、（甲基）丙烯酸-4-（聯苯基-2-基氧基）丁酯（4-（biphenyl-2-yloxy）butyl（meth）acrylate）、（甲基）丙烯酸-3-（聯苯基-2-基氧基）丁酯（3-（biphenyl-2-yloxy）butyl （meth）acrylate）、（甲基）丙烯酸-2-（聯苯基-2-基氧基）丁酯（2-（biphenyl-2-yloxy）butyl（meth）acrylate）、（甲基）丙烯酸-2-（聯苯基-2-基氧基）丁酯（1-（biphenyl -2-yloxy）butyl（meth）acrylate）、（甲基）丙烯酸-4-（聯苯基-2-基氧基）丙酯（4-（biphenyl-2-yloxy）propyl（meth）acrylate）、（甲基）丙烯酸-3-（聯苯基-2-基氧基）丙酯（3-（biphenyl-2-yloxy）propyl（meth）acrylate）、（甲基）丙烯酸-2-（聯苯基-2-基氧基）丙酯（2-（biphenyl-2-yloxy）propyl （meth）acrylate）、（甲基）丙烯酸-1-（聯苯基-2-基氧基）丙酯（1-（biphenyl-2-yloxy）propyl（meth）acrylate）、（甲基）丙烯酸-4-（聯苯基-2-基氧基）乙酯（4-（biphenyl-2-yloxy）ethyl（meth）acrylate）、（甲基）丙烯酸-3-（聯苯基-2-基氧基）乙酯（3-（biphenyl-2-yloxy）ethyl（meth）acrylate）、（甲基）丙烯酸-2-（聯苯基-2-基氧基）乙酯（2-（biphenyl-2-yloxy）ethyl（meth）acrylate）、（甲基）丙烯酸-1-（聯苯基-2-基氧基）乙酯（1-（biphenyl-2-yloxy）ethyl（meth）acrylate）、（甲基）丙烯酸-2-（4苄基苯基）乙酯（2-（4-benzylphenyl）ethyl（meth）acrylate）、（甲基）丙烯酸-1-（4苄基苯基）乙酯（1-（4-benzylphenyl）ethyl（meth）acrylate）以及其結構異構物中至少一個，但本發明不限於此。此外，應理解的是，僅透過實例的方式來提供本文所闡述之（甲基）丙烯酸酯，且本發明不限於此。再者，根據本發明的（甲基）丙烯酸酯包括所有對應於結構異構物的丙烯酸酯。舉例來說，雖然（甲基）丙烯酸-2-苯基乙酯是以實例的方式來闡述，但（甲基）丙烯酸-3-苯基乙酯以及（甲基）丙烯酸-4-苯基乙酯也全部包括在本發明中。
非芳香族的單（甲基）丙烯酸酯可以是含有經取代或未經取代之C1 至C20 烷基的單（甲基）丙烯酸酯。特定言之，非芳香族的單（甲基）丙烯酸酯可以是含有未經取代之直鏈C1 至C20 烷基的單（甲基）丙烯酸酯，更具體來說可以是含有未經取代之直鏈C10 至C20 烷基的單（甲基）丙烯酸酯。舉例來說，非芳香族的單（甲基）丙烯酸酯可包括（甲基）丙烯酸癸酯（decyl（meth）acrylate）、（甲基）丙烯酸十一酯（undecyl（meth）acrylate）、（甲基）丙烯酸十二酯（lauryl（meth）acrylate）、（甲基）丙烯酸十三酯（tridecyl（meth）acrylate）、（甲基）丙烯酸十四酯（tetradecyl（meth）acrylate）、（甲基）丙烯酸十五酯（pentadecyl（meth）acrylate）、（甲基）丙烯酸十六酯（hexadecyl（meth）acrylate）、（甲基）丙烯酸十七酯（heptadecyl（meth）acrylate）、（甲基）丙烯酸十八酯（octadecyl（meth）acrylate）、（甲基）丙烯酸十九酯（nonadecyl（meth）acrylate）以及（甲基）丙烯酸二十酯（arachidyl（meth）acrylate）中至少一個，但不限於此。
基於（A）、（B）、（C）及（D）的總重量，（C）單（甲基）丙烯酸酯可以5 wt%至40 wt%的量存在。舉例來說，基於（A）、（B）、（C）及（D）的總重量，（C）單（甲基）丙烯酸酯可以5 wt%至30 wt%的量存在。在此範圍內，用於封裝的組成物可展現高光固化率。此外，有機阻擋層可展現高透光度以及低電漿蝕刻率。
（D）引發劑
（D）引發劑允許藉由固化（A）非矽基二（甲基）丙烯酸酯、（B）矽基二（甲基）丙烯酸酯及（C）單（甲基）丙烯酸酯來形成有機阻擋層，以及（D）引發劑可包括任何典型的光聚合引發劑，但不限於這些引發劑。
（D）引發劑可包括三嗪（triazine）、苯乙酮（acetophenone）、二苯甲酮（benzophenone）、噻噸酮（thioxanthone）、安息香（benzoin）、磷以及肟引發劑中至少一個，但不限於此。舉例來說，磷引發劑可包括二苯基（2,4,6-三甲基苯甲醯基）氧化膦（diphenyl（2,4,6-trimethylbenzoyl）phosphine oxide）、苄基（二苯基）氧化膦（benzyl（diphenyl）phosphine oxide）、雙(2,6-二甲氧基苯甲醯基)-（2,4,4-三甲基-戊基）氧化膦（bis（2,6-dimethoxybenzoyl）（2,4,4-trimethylpentyl）phosphine oxide）及其混合物。舉例來說，在根據本發明的組成物中，在具有長波長的UV光下，磷引發劑可展現較佳的引發性能。
可單獨使用或組合使用（D）引發劑。
基於（A）、（B）、（C）及（D）的總重量，（D）引發劑可以1 wt%至10 wt%的量存在。在此範圍內，用於封裝的組成物允許在曝露光照下充分光聚合。此外，可減少在光聚合後所殘留的未反應引發劑，因此有機阻擋層可展現更提升的透光度。特定言之，基於（A）、（B）、（C）及（D）的總重量，（D）引發劑可以2 wt%至5 wt%的量存在。
可藉由混合（A）非矽基二（甲基）丙烯酸酯、（B）矽基二（甲基）丙烯酸酯、（C）單（甲基）丙烯酸酯以及（D）引發劑來形成用於封裝有機發光二極體的組成物。舉例來說，用於封裝有機發光二極體的組成物可形成為不含溶劑的無溶劑組成物。舉例來說，當用於封裝有機發光二極體的組成物為無溶劑組成物時，wt%是基於（A）非矽基二（甲基）丙烯酸酯、（B）矽基二（甲基）丙烯酸酯、（C）單（甲基）丙烯酸酯以及（D）引發劑的總重量。
用於封裝有機發光二極體的組成物可包括10 wt%至50 wt%的矽。在此範圍內，用於封裝的組成物可更加降低有機阻擋層的電漿蝕刻率。
在25°C±2°C下（23°C至27°C），用於封裝有機發光二極體的組成物可具有0 cPs至200 cPs的黏度，具體來說100 cPs 以下，更具體來說5 cPs至50 cPs、5 cPs至40 cPs或5 cPs至30 cPs。在此範圍內，用於封裝有機發光二極體的組成物可助於形成有機阻擋層。在此範圍內，有利於執行形成有機阻擋層的方法（例如是沈積及噴墨印刷）。
用於封裝有機發光二極體的組成物為光固化組成物，且可藉由以100 mW/cm2 至500 mW/cm2 UV照射1秒至100秒來固化，但不限於此。
用於封裝有機發光二極體的組成物可用於封裝有機發光二極體。特定言之，所述組成物可在無機阻擋層與有機阻擋層依序地形成之封裝結構中形成有機阻擋層。舉例來說，用於封裝的組成物可藉由使用例如是沈積及噴墨印刷的方法來形成有機阻擋層，但不限於此。
用於封裝有機發光二極體的組成物還可使用於封裝設備的部件，尤其是顯示器的部件，所述部件會因為周遭環境中的氣體或液體（例如電子加工的化學品以及大氣中的氧氣及/或水分及/或水蒸氣）的滲透而遭受品質降低或劣化。舉例來說，用於封裝的組成物也可使用在設備部件的封裝結構中，例如是發光裝置、金屬感應墊、微盤雷射器、電致變色裝置、光致變色裝置、微機電系統、太陽能電池、積體電路、電荷耦合裝置、發光聚合物以及發光二極體，但不限於此。
以下，將詳細描述根據本發明另一實施例之用於封裝有機發光二極體的組成物。
根據本發明的另一實施例，用於封裝有機發光二極體的組成物可包括（A）非矽基二（甲基）丙烯酸酯、（B）矽基二（甲基）丙烯酸酯、（C）單（甲基）丙烯酸酯、（D）引發劑以及（E）熱穩定劑，其中（B）矽基二（甲基）丙烯酸酯可由式1來表示，且基於（A）、（B）、（C）及（D）的總重量，用於封裝的組成物可包括：10 wt%至70 wt%的（A）非矽基二（甲基）丙烯酸酯；20 wt%至70 wt%的（B）矽基二（甲基）丙烯酸酯；5 wt% 至40 wt%的（C）單（甲基）丙烯酸酯；以及1 wt%至10 wt%的（D）引發劑。
根據此實施例之用於封裝有機發光二極體的組成物在室溫下可抑制黏度變化。根據本發明的此實施例之用於封裝的組成物比不包含熱穩定劑之用於封裝的組成物可展現較高透光度、較高光固化率以及較低電漿蝕刻率。根據此實施例之用於封裝有機發光二極體的組成物與根據上述不包括熱穩定劑之實施例的組成物相同。因此，在以下將僅詳細說明熱穩定劑。
（E）熱穩定劑包括在用於封裝的組成物中，以在室溫下抑制黏度變化，且（E）熱穩定劑可包括任何典型的熱穩定劑。（E）熱穩定劑可以是位阻酚系（sterically hindered phenolic）熱穩定劑。
特定言之，（E）熱穩定劑可包括季戊四醇四[3-（3,5-二第三丁基-4-羥基苯基）丙酸酯]（pentaerythritol tetrakis[3-（3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl）propionate]）、硬脂基-3-（3,5-二第三丁基-4-羥基苯基）丙酸酯（stearyl-3-（3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenyl）propionate）、1,3,5-三（2,6-二甲基-3-羥基-4-第三丁基苄基）三聚異氰酸酯（1,3,5-tris（2,6-dimethyl-3-hydroxy-4-t-butylbenzyl）isocyanurate）、1,3,5-三（3,5-二第三丁基-4-羥基苄基）三聚異氰酸酯（1,3,5-tris（3,5-di-t-butyl-4-hydroxybenzyl）isocyanurate）、1,3,5-三（2-羥乙基）三聚異氰酸酯（1,3,5-tris（2-hydroxyethyl）isocyanurate）、季戊四醇四[3-（3,5-二第三丁基羥基苯基）丙酸酯]（pentaerythritol tetrakis[3-（3,5-di-t-butylhydroxyphenyl）propionate]）以及三（4-第三丁基-3-羥基-2,6-二甲基苄基）三聚異氰酸酯（tris（4-t-butyl-3-hydroxy-2,6-dimethylbenzyl）isocyanurate）中至少一個，但不限於此。
基於（A）、（B）、（C）及（D）的總重量，（E）熱穩定劑可以2,000 ppm以下的量存在，具體來說0.01 ppm至2,000 ppm，更具體來說100 ppm至800 ppm。在此範圍內，所述熱穩定劑可更加提升用於封裝的組成物在液體狀態下的儲存穩定性及加工性。
根據本發明之有機發光二極體顯示器可包括由根據本發明實施例之用於封裝有機發光二極體的組成物所形成的有機阻擋層。特定言之，有機發光二極體顯示器可包括有機發光二極體以及形成在有機發光二極體上且包括無機阻擋層及有機阻擋層的阻擋疊層，其中有機阻擋層可由根據本發明實施例之用於封裝有機發光二極體的組成物來形成。因此，有機發光二極體顯示器可展現優異的可靠性。
在根據本發明之有機發光二極體顯示器中，可藉由使用噴墨印刷或沈積的用於封裝有機發光二極體的組成物來形成有機阻擋層。
以下，根據本發明一實施例之有機發光二極體顯示器將參照圖1來詳細描述。圖1為根據本發明一實施例之有機發光二極體顯示器的截面視圖。
參照圖1，根據本發明一實施例之有機發光二極體顯示器100可包括基底10、形成在基底10上的有機發光二極體20以及形成在有機發光二極體20上且包括無機阻擋層31及有機阻擋層32之阻擋疊層30，其中無機阻擋層31可與有機發光二極體20接觸，並且有機阻擋層32可由根據本發明實施例之用於封裝有機發光二極體的組成物來形成。
基底10可以為任何的基底，只要可以在基底上形成有機發光二極體即可。舉例來說，基底10可以由例如是透明玻璃、塑膠片材以及矽或金屬基底等材料形成。
有機發光二極體20可以是常用於有機發光二極體顯示器中的有機發光二極體，並且雖然在圖1中未示出，但是可以包含第一電極、第二電極以及形成於所述第一電極與所述第二電極之間的有機發光層。有機發光層可以具有其中電洞注入層、電洞傳輸層、發光層、電子傳輸層以及電子注入層依次堆疊的結構，但不限於此。
阻擋疊層30包含有機阻擋層和無機阻擋層。因為有機阻擋層和無機阻擋層各自包括不同組分，因此有機阻擋層和無機阻擋層各自可實現封裝有機發光二極體的功能。
無機阻擋層所包含的組分不同於有機阻擋層的組分，且因此可補充有機阻擋層的影響。無機阻擋層可以由展現優異透光度和優異水分及/或氧氣阻擋特性的無機材料所形成。舉例來說，無機阻擋層可包括選自以下所組成之群組中的至少一個：金屬、非金屬、介金屬化合物或合金、介非金屬（inter-nonmetallic）化合物或合金、金屬的氧化物或非金屬的氧化物、金屬的氟化物或非金屬的氟化物、金屬的氮化物或非金屬的氮化物、金屬的碳化物或非金屬的碳化物、金屬的硼化物或非金屬的硼化物、金屬的硼氧化物或非金屬的硼氧化物、金屬的矽化物或非金屬的矽化物以及其組合。金屬或非金屬可以包含矽（Si）、鋁（Al）、硒（Se）、鋅（Zn）、銻（Sb）、銦（In）、鍺（Ge）、錫（Sn）、鉍（Bi）、過渡金屬以及鑭系金屬，但不限於此。具體來說，無機阻擋層可包括氧化矽（SiOx ）、氮化矽（SiNx ）、氮氧化矽（SiOx Ny ）、硒化鋅（ZnSe）、氧化鋅（ZnO）、三氧化二銻（Sb2 O3 ）、包含三氧化二鋁（Al2 O3 ）的氧化鋁（AlOx ）、氧化銦（In2 O3 ）或氧化錫（SnO2 ）。
無機阻擋層可以通過電漿製程或真空製程來沈積，例如濺鍍、化學氣相沈積、電漿增強式化學氣相沈積、蒸鍍、昇華、電子迴旋共振-電漿增強式化學氣相沈積或其組合。
交替地沈積有機阻擋層和無機阻擋層，因此確保無機阻擋層的平滑特性，同時防止一個無機阻擋層的缺陷擴散到其它無機阻擋層。
可將根據本發明實施例之用於封裝的組成物沈積、噴墨印刷、網版印刷、旋轉塗佈、刮刀塗佈、固化或其組合來形成有機阻擋層。舉例來說，可將用於封裝的組成物塗佈至1 µm至50 µm的厚度，接著經由在10 mW/cm2 至500 mW/cm2 下照射1秒至100秒來固化。
阻擋疊層包含任何數目的有機阻擋層和無機阻擋層。有機阻擋層和無機阻擋層的組合可以隨對氧氣、水分、水蒸汽及/或化學品的滲透抗性程度而變化。舉例來說，有機阻擋層和無機阻擋層的總數目可以是10層以下，例如2層至7層。具體來說，7層之阻擋疊層可按無機阻擋層/有機阻擋層/無機阻擋層/有機阻擋層/無機阻擋層/有機阻擋層/無機阻擋層的順序來形成。
在阻擋疊層中，有機阻擋層和無機阻擋層可以交替地沈積。這是因為上述組成物由於其特性而對有機阻擋層具有影響。因此，有機阻擋層和無機阻擋層可以補充或強化設備部件的封裝。
以下，將參照圖2來詳細描述根據本發明另一實施例之有機發光二極體顯示器。圖2為根據本發明另一實施例之有機發光二極體顯示器的截面視圖。
參照圖2，根據此實施例之有機發光二極體顯示器200可包括基底10、形成在基底10上的有機發光二極體20以及形成在有機發光二極體20上且包括無機阻擋層31及有機阻擋層32的阻擋疊層30，其中無機阻擋層31封裝容納有機發光二極體20的內部空間40，且有機阻擋層32可由根據本發明實施例之用於封裝有機發光二極體的組成物來形成。除了無機阻擋層不鄰接有機發光二極體之外，根據此實施例之有機發光二極體顯示器與根據上述實施例的有機發光二極體顯示器大致相同。
接著，將參照一些實例來更加詳細地說明本發明。應理解的是，這些實例僅是為了說明而提供的，且不以任何方式來理解為限制本發明。
製備實例 1
在1000 ml具有冷卻管和攪拌器的燒瓶中，放入300 ml乙酸乙酯、25 g 3-苯基-1,1,3,5,5-五甲基三矽氧烷（蓋勒斯特公司（Gelest, Inc.））以及43 g烯丙醇（大中化工與金屬有限公司（Daejung Chemicals and Materials Co., Ltd.）），接著氮氣吹掃30分鐘。之後，將72 ppm鉑/碳黑粉末（奧德里奇股份有限公司（Aldrich GmbH））加入混合物中，接著加熱燒瓶至80℃，然後攪拌混合物4小時。藉由蒸餾去除殘留溶劑。將71.5 g所得化合物以及39 g三乙胺加入到300 ml二氯甲烷中，接著緩慢地加入34.3 g丙烯醯氯，同時在0℃下攪拌組成物。藉由蒸餾去除殘留溶劑，由此得到由式3所表示的單體，所得單體（分子量：522.85 g/mol）具有如藉由HPLC所測定之97%的純度。 （1H NMR: δ7.61, m, 3H; δ7.12, m, 2H; δ6.25, d, 2H; δ6.02, dd, 2H; δ5.82, t, 1H; δ5.59, d, 2H; δ3.87, m, 4H; δ1.54, m, 4H; δ0.58, m, 4H; δ0.02, m, 15H） ＜式3＞
製備實例 2
除了使用21 g 3,3-二苯基-1,1,5,5-四甲基三矽氧烷以取代25 g 3-苯基-1,1,3,5,5-五甲基三矽氧烷和使用30.2 g甲基丙烯醯氯以取代34.3 g丙烯醯氯之外，以與製備實例1中相同之方法來製備由式4所表示之單體（分子量：584.92 g/mol）。所得到的單體具有如藉由HPLC所測定之96%的純度。 （1H NMR：δ7.52, m, 6H； δ7.42, m, 4H； δ6.25, d, 2H；δ6.02, dd, 2H；δ5.82, t, 1H；δ5.59, d, 2H；δ3.86, m, 4H；δ1.52, m, 4H；δ0.58, m, 4H；δ0.04, m, 12H） ＜式4＞
製備實例 3
除了使用21 g 3,3-二苯基-1,1,5,5-四甲基三矽氧烷以取代25 g 3-苯基-1,1,3,5,5-五甲基三矽氧烷之外，以與製備實例1中相同的方式製備由式5表示的單體（分子量：646.99 g/mol）。所得單體具有如藉由HPLC所測定之94%的純度。 （1H NMR： δ7.61, m, 6H； δ7.12, m, 4H； δ6.25, d, 2H；δ6.02, dd, 2H；δ5.82, t, 2H；δ3.87, m, 4H；δ1.54, m, 4H；δ0.58, m, 4H；δ0.02, m, 12H） ＜式5＞
實例和比較例中所用的組分詳情如下。 （A）非矽基二（甲基）丙烯酸酯：（A1）1,12-二甲基丙烯酸十二烷二醇酯（沙多瑪股份有限公司（Sartomer Co., Ltd.））、（A2） 1,10-二甲基丙烯酸癸二醇酯（新中村化學工業股份有限公司（Shin Nakamura Chemical Co., Ltd.））。 （B）矽基二（甲基）丙烯酸酯：（B1）製備實例1的單體、（B2）製備實例2的單體、（B3）製備實例3的單體。 （C）單（甲基）丙烯酸酯：（C1）HRI-07（大林化工股份有限公司（Daelim Chemical Co., Ltd.））、（C2）甲基丙烯酸芐酯（benzyl methacrylate）（日本東京化成工業股份有限公司（TCI Co., Ltd.））、（C3）甲基丙烯酸十二酯（lauryl acrylate）（奧德里奇股份有限公司（Aldrich GmbH））。     （D）引發劑：德牢固（Darocur）TPO （巴斯夫股份有限公司（BASF GmbH））。 （E）熱穩定劑：IRGANOX 1010 （巴斯夫股份公司（BASF GmbH））。     （F）由式10所表示的單體（X-22-164，信越股份有限公司（Shin-Etsu Co., Ltd.），分子量：460.78 g/mol）。     ＜式10＞
實例 1
在125 ml棕色聚丙烯瓶中，放入47.8重量份（A1）、28.7重量份（B1）、19.2重量份（C1）以及4.3重量份（D），接著藉由使用振盪器在室溫下混合3小時，進而製備出用於封裝的組成物（在25℃下的黏度：21 cPs）。
實例 2 至實例 13 以及比較例 1 至比較例 4
除了將（A）、（B）、（C）、（D）及（E）的量及/或種類改變成如表1（單位：重量份）中所示之外，以與實例1中相同方式來製備用於封裝的組成物。
比較例 5
除了使用28.7重量份（F）單體以取代28.7重量份製備實例1的（B1）單體之外，以與實例1中相同的方式來製備用於封裝的組成物。
關於表1中所列的特性評估在實例和比較例中製備的用於封裝之組成物中的每一個。結果表示在表1及表2中。
如表1中所示，根據本發明之用於封裝有機發光二極體的組成物可以實現展現高光固化率、高透光度以及低電漿蝕刻率的有機阻擋層。
反之，如表2中所示，比較例1的用於封裝的組成物（所包含之（A）、（B）及（C）的量在根據本發明之範圍外）具有高電漿蝕刻率的問題。此外，比較例2至比較例4之用於封裝的組成物（不包含（B）及（C）中任何一個）也具有高電漿蝕刻率的問題。再者，比較例5之用於封裝的組成物（包含不含芳基之矽基二（甲基）丙烯酸酯）也具有高電漿蝕刻率的問題。
＜特性評估＞
（1）光固化率：關於在1635 cm-1 （C=C）和1720 cm-1 （C=O）附近的吸收峰的強度，使用FT-IR（尼高力（NICOLET）4700，熱電有限公司（Thermo Co., Ltd.））對用於封裝的組成物進行測量。使用噴霧器將組成物塗佈在玻璃基底上，接著通過以100 mW/cm2 UV照射10秒進行UV固化，由此獲得大小為20 cm×20 cm×3 µm（寬度×長度×厚度）的樣本。隨後，使用FT-IR（尼高力4700，熱電有限公司（Thermo Co., Ltd.）），在1635 cm-1 （C=C）和1720 cm-1 （C=O）附近測量固化膜的吸收峰的強度。藉由方程式1計算光固化率： 光固化率（%）=|1-(A/B)|×100 （其中A是針對固化膜在1635 cm-1 附近的吸收峰的強度與在1720 cm-1 附近的吸收峰的強度的比率；並且B是針對用於封裝的組成物在1635 cm-1 附近的吸收峰的強度與在1720 cm-1 附近的吸收峰的強度的比率）。
（2）透光率：用於封裝的組成物在N2 下經歷UV固化以形成10 µm厚的膜。接著，在膜上使用λ950（珀金埃爾默股份有限公司（Perkin Elmer Co., Ltd.））測量在550 nm的可見光範圍中的透光度。
（3）電漿蝕刻率：將用於封裝的組成物塗佈至預定厚度並且光固化以形成有機阻擋層，接著測量有機阻擋層的初始塗佈高度（T1，1µm至10µm）。使有機阻擋層在ICP功率為2500 W、RF功率為300 W、直流偏壓為200 V、Ar流速為50 sccm、蝕刻時間為1分鐘以及壓力為10毫托的條件下經歷電漿處理，接著測量有機阻擋層的高度（T2，單位：µm）。藉由方程式2來計算有機阻擋層的電漿蝕刻率：     有機阻擋層的電漿蝕刻率（%）={ (T1-T2)/T1}×100
應理解，本領域的技術人員可以在不脫離本發明的精神和範圍的情況下做出各種修改、變化、更改和等效實施例。
10‧‧‧基底
20‧‧‧有機發光二極體
30‧‧‧阻擋疊層
31‧‧‧無機阻擋層
32‧‧‧有機阻擋層
40‧‧‧內部空間
100、200‧‧‧有機發光二極體顯示器
圖1 是根據本發明的一個實施例的有機發光二極體顯示器的截面視圖。.
圖2是根據本發明的另一個實施例的有機發光二極體顯示器的截面視圖。
10‧‧‧基底
20‧‧‧有機發光二極體
30‧‧‧阻擋疊層
31‧‧‧無機阻擋層
32‧‧‧有機阻擋層
100‧‧‧有機發光二極體顯示器

Claims (14)

  1. 一種用於封裝有機發光二極體的組成物，包括：     10 wt %至70 wt%的（A）非矽基二（甲基）丙烯酸酯；     20 wt %至70 wt%的（B）矽基二（甲基）丙烯酸酯；     5 wt%至40 wt%的（C）單（甲基）丙烯酸酯；以及     1 wt%至10 wt%的（D）引發劑， 其中所述（B）矽基二（甲基）丙烯酸酯可由式1表示： ＜式1＞其中R1 與R2 各自獨立地是單鍵；經取代或未經取代的C1 至C20 伸烷基；經取代或未經取代的C1 至C30 伸烷基醚基；*-N（R'）-（R"）-*，*表示元素的鍵結位置，R'為氫或經取代或未經取代的C1 至C30 烷基，且R"為經取代或未經取代的C1 至C20 伸烷基；經取代或未經取代的C6 至C30 伸芳基；經取代或未經取代的C7 至C30 伸芳基烷基；或*-（R'）-O-**，*表示在式1中O的鍵結位置，**表示在式1中Si的鍵結位置，以及R'為經取代或未經取代的C1 至C30 伸烷基；     X1 、X2 、X3 、X4 、X5 及X6 各自獨立地是氫；羥基；鹵素；氰基；經取代或未經取代的C1 至C30 烷基；經取代或未經取代的C1 至C30 雜環烷基；經取代或未經取代的C3 至C30 環烷基；經取代或未經取代的C1 至C30 烷基醚基；*-N（R'）-（R"）-*，*表示元素的鍵結位置，且R'及R"各自獨立地是氫或經取代或未經取代的C1 至C30 烷基；經取代或未經取代的C1 至C30 硫化烷基；經取代或未經取代的C6 至C30 芳基；經取代或未經取代的C2 至C30 雜芳基；或經取代或未經取代的C7 至C30 芳烷基；     X1 、X2 、X3 、X4 、X5 及X6 中的至少一個為經取代或未經取代的C6 至C30 芳基或經取代或未經取代的C2 至C30 雜芳基；     R3 與R4 各自獨立地是氫或甲基；以及     n為0至30的整數，或平均在0至30的範圍內。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的用於封裝有機發光二極體的組成物，基於（A）、（B）、（C）及（D）的總重量，所述用於封裝有機發光二極體的組成物包括：     10 wt%至50 wt%的（A）非矽基二（甲基）丙烯酸酯；     20 wt%至70 wt%的（B）矽基二（甲基）丙烯酸酯；     5 wt%至40 wt%的（C）單（甲基）丙烯酸酯；以及     1 wt%至10 wt%的（D）引發劑。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的用於封裝有機發光二極體的組成物，其中R1 與R2 是單鍵、經取代或未經取代的C1 至C20 伸烷基或經取代或未經取代的C1 至C30 伸烷基醚基；     X1 、X2 、X3 、X4 、X5 及X6 各自獨立是氫、經取代或未經取代的C1 至C30 烷基、經取代或未經取代的C3 至C30 環烷基、經取代或未經取代的C1 至C30 烷基醚基、經取代或未經取代的C6 至C30 芳基、經取代或未經取代的C2 至C30 雜芳基或經取代或未經取代的C7 至C30 芳烷基；以及     X1 、X2 、X3 、X4 、X5 及X6 中至少一個是經取代或未經取代的C6 至C30 芳基。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的用於封裝有機發光二極體的組成物，其中所述（B）矽基二（甲基）丙烯酸酯由式3至式8中任一個來表示：     ＜ 式3＞＜式4＞＜式5＞＜式6＞＜式7＞＜式8＞。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的用於封裝有機發光二極體的組成物，其中所述（A）非矽基二（甲基）丙烯酸酯由式2來表示：     ＜式2＞其中R3 及R4 各自獨立地是氫或甲基；以及     R5 為經取代或未經取代的C1 至C20 的伸烷基。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的用於封裝有機發光二極體的組成物，其中所述（C）單（甲基）丙烯酸酯為非矽基單（甲基）丙烯酸酯。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的用於封裝有機發光二極體的組成物，其中所述（C）單（甲基）丙烯酸酯包括芳香族的單（甲基）丙烯酸酯。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的用於封裝有機發光二極體的組成物，其中所述（C）單（甲基）丙烯酸酯包括非芳香族的單（甲基）丙烯酸酯。
  9. 如申請專利範圍第1項所述的用於封裝有機發光二極體的組成物，更包括：熱穩定劑。
  10. 如申請專利範圍第9項所述的用於封裝有機發光二極體的組成物，其中基於（A）、（B）、（C）及（D）的總重量，所述熱穩定劑以0.01 ppm至2,000 ppm的量存在。
  11. 如申請專利範圍第9項所述的用於封裝有機發光二極體的組成物，其中所述（A）非矽基二（甲基）丙烯酸酯包括含C1 至C20 伸烷基的二（甲基）丙烯酸酯；     （B）矽基二（甲基）丙烯酸酯由式3至式8中任一個來表示：     ＜ 式3＞＜式4＞＜式5＞＜式6＞＜式7＞＜式8＞；     所述（C）單（甲基）丙烯酸酯由式9所表示：     ＜式9＞其中R3 為氫或甲基；s為0至10的整數；以及R6 為經取代或未經取代的C6 至C50 芳基或經取代或未經取代的C6 至C50 芳氧基；以及     所述（D）引發劑包括磷引發劑。
  12. 如申請專利範圍第1項所述的用於封裝有機發光二極體的組成物，其中所述用於封裝有機發光二極體的組成物在25°C±2°C下具有5 cPs至50 cPs的黏度。
  13. 一種有機發光二極體顯示器，包括：     有機發光二極體；以及     阻擋疊層，形成於有機發光二極體上以及包括無機阻擋層以及有機阻擋層，     其中所述有機阻擋層由如申請專利範圍第1項至第12項中任一項所述的用於封裝有機發光二極體的組成物所形成。
  14. 如申請專利範圍第13項所述的顯示器，其中所述有機阻擋層由使用噴墨印刷或沈積用於封裝的組成物來形成。
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