TWI605087B - 有機發光二極體顯示器設備 - Google Patents

有機發光二極體顯示器設備 Download PDF

Info

Publication number
TWI605087B
TWI605087B TW105111567A TW105111567A TWI605087B TW I605087 B TWI605087 B TW I605087B TW 105111567 A TW105111567 A TW 105111567A TW 105111567 A TW105111567 A TW 105111567A TW I605087 B TWI605087 B TW I605087B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substituted
unsubstituted
meth
emitting diode
acrylate
Prior art date
Application number
TW105111567A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201700590A (zh
Inventor
李知娟
南成龍
高盛慜
金美善
金惠珍
崔美貞
Original Assignee
三星Ｓｄｉ股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 三星Ｓｄｉ股份有限公司 filed Critical 三星Ｓｄｉ股份有限公司
Publication of TW201700590A publication Critical patent/TW201700590A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI605087B publication Critical patent/TWI605087B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations
    • H10K59/8731—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H10K50/8445—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Description

有機發光二極體顯示器設備
本申請要求2015年6月19日在韓國智慧財產局提交的韓國專利申請案第10-2015-0087824號的權益，所述專利申請案以全文引用的方式並入本文中。
本發明涉及一種有機發光二極體顯示器設備。
有機發光二極體易因濕氣及/或氣體受損。有機發光二極體可能因濕氣而在金屬區域與發光層之間的界面遭受分層。有機發光二極體可能因金屬氧化而具有高電阻，並且在發光層中可能因濕氣及/或氧氣而遭受有機物質降解。有機發光二極體可能因通過在有機發光二極體內部或外部除氣而發光層或金屬區域發生氧化而遭受發光劣化。因此，有機發光二極體必須由能夠保護有機發光二極體免受濕氣及/或氣體的包封組成物包封。
有機發光二極體可以由具有多層結構的包封層包封，其中有機層和無機層一個在另一個上交替堆疊。有機層可以由電漿 沉積形成。然而，有機層可以由電漿進行蝕刻。有機層的蝕刻可能降低有機層的包封功能並且對無機層的形成造成不良影響。有機層中的每一者形成於兩個相鄰無機層之間。如果有機層呈現低電漿抗性，那麽可能難以形成無機層。因此，有機發光二極體的發光特性和可靠性可能遭受劣化。
包封層包含基底上的多個無機層。因此，包封層可能遭受無機層之間的略微提升及/或分層或基底與無機層之間的略微提升。因此，無機層不足以防止濕氣及/或氧氣滲透有機發光二極體。
韓國專利早期公開案第2011-0071039號中公開了本發明的背景技術。
本發明的一個方面提供一種包含展現高電漿抗性的有機層的有機發光二極體顯示器設備。
本發明的另一方面提供一種包含水蒸氣滲透性和氧氣滲透性顯著低的有機層的有機發光二極體顯示器設備。
本發明的另一方面提供一種包含展現優良透光度的有機層的有機發光二極體顯示器設備。
本發明的又一方面為提供一種有機發光二極體顯示器設備，所述顯示器設備包含能夠藉由保護有機發光二極體顯示器設備免受包括濕氣和氣體的圍繞而在運行時間內確保可靠性的有機層。
本發明的又一方面為提供一種有機發光二極體顯示器設備，其確保光提取效率以按低功率驅動有機發光二極體顯示器設 備。
根據本發明的一個方面，有機發光二極體顯示器設備包含：基底；安置於所述基底上的有機發光二極體；以及包封所述有機發光二極體的包封層，其中所述包封層具有兩個或多於兩個無機層和一或多個有機層一個在另一個上交替堆疊的結構，無機層中的每一者的厚度為40奈米到1000奈米並且折射率為1.41到2.0，有機層中的每一者的厚度為0.2微米到15微米並且折射率為1.4到1.65，所述有機層由包封組成物形成，且其中所述包封組成物包含：10重量%到70重量%的(A)非矽類二(甲基)丙烯酸酯、20重量%到70重量%的(B)矽類二(甲基)丙烯酸酯、5重量%到40重量%的(C)單(甲基)丙烯酸酯以及1重量%到10重量%的(D)起始劑，所述(B)矽類二(甲基)丙烯酸酯由式1表示： (其中R1、R2、R3、R4、X1、X2、X3、X4、X5、X6以及n與以下實施方式中所定義相同)。
本發明提供一種包含展現高電漿抗性的有機層的有機發光二極體顯示器設備。
本發明提供一種包含具有顯著低水蒸氣滲透性和氧氣滲透性的有機層的有機發光二極體顯示器設備。
本發明提供一種包含展現優良透光度的有機層的有機發光二極體顯示器設備。
本發明提供一種有機發光二極體顯示器設備，所述顯示器設備包含能夠藉由保護所述有機發光二極體顯示器設備免受包括濕氣和氣體的圍繞而在運行時間內確保可靠性的有機層。
本發明提供一種有機發光二極體顯示器設備，其確保光提取效率以按低功率驅動有機發光二極體顯示器設備。
本發明提供一種有機發光二極體顯示器設備，其中形成兩個相鄰無機層以彼此接觸以防止無機層之間或基底與無機層之間的略微提升及/或分層，由此抑制濕氣及/或氧氣經由其邊緣滲透到包封層中。
100‧‧‧有機發光二極管顯示器設備
110‧‧‧基底
120‧‧‧有機發光二極管
130‧‧‧包封層
130'‧‧‧包封層
131‧‧‧第一無機層
132‧‧‧第一有機層
133‧‧‧第二無機層
134‧‧‧第二有機層
135‧‧‧第三無機層
200‧‧‧有機發光二極管顯示器設備
圖1為根據本發明的一個實施例的有機發光二極體顯示器設備的截面視圖。
圖2為根據本發明的另一實施例的有機發光二極體顯示器設備的截面視圖。
下文將參照附圖詳細描述本發明的實施例。應理解，本發明不限於以下實施例且可以不同方式實施，且給出以下實施例是為了提供本發明的完整公開並且便於所屬領域的技術人員透徹理解本發明。應注意，附圖的比例並不是精確的，而且為了便於附圖中清楚地描述，有些尺寸，例如寬度、長度、厚度等，可能經過放大。此外，儘管為方便描述起見僅說明一部分組分，但對於所屬領 域的技術人員組分的其它部分可以變得顯而易見。此外，應瞭解，在不背離本發明的精神和範圍的情况下，本發明可以由所屬領域的技術人員以不同方式實施。
如本文所用，如“上”和“下”的空間上相對的術語為參照附圖定義的。因此，應瞭解，“上”與“下”可以互換使用。應瞭解，當將一個層稱為“在”另一層“上”時，這個層可以直接形成於另一層上或還可以存在插入層。因此，應瞭解，當將層稱為“直接在”另一層“上”時，其間不插入插入層。
如本文所用，術語“(甲基)丙烯醯基”是指丙烯醯基和/或甲基丙烯醯基。
除非另外說明，否則在本文中，術語“經取代的”意思是官能團中的至少一個氫原子經以下各者取代：鹵素原子(例如(F、Cl、Br或I)、羥基、硝基、氰基、亞氨基(=NH、=NR，R為C1到C10烷基))、氨基(-NH2、-NH(R')、-N(R")(R''')，R'、R"以及R'''各自獨立地為C1到C10烷基)、脒基、肼基、腙基、羧酸基、C1到C20烷基、C6到C30芳基、C3到C30環烷基、C3到C30雜芳基或C2到C30雜環烷基。
如本文所用，術語“芳基”是指環狀取代基的所有元素具有p軌道並且使這些p軌道共軛的官能團。芳基包含單環、非稠合多環或稠合多環官能團。此處，術語“稠合”意思是相鄰環共享一對碳原子。芳基還包含聯苯基(biphenyl group)、聯三苯基(terphenyl group)或聯四苯基(quaterphenyl group)，其中至少兩個芳基藉由σ鍵(sigma bond)彼此連接。芳基可以指苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基、2-乙基-1-苯並菲基(chrysenyl group)等。
如本文所用，術語“雜芳基”是指其中芳基含有1到3個由以下各者組成的族群中群組選出的雜原子的官能團：N、O、S、P以及Si，並且所述芳基中的其它原子為碳。雜芳基還包含至少兩個雜芳基藉由σ鍵直接連接的官能團。雜芳基還包含至少兩個雜芳基發生稠合的官能團。如果雜芳基發生稠合，那麽每一環可以包括1到3個如上文所述的雜原子。雜芳基可以指例如吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、噠嗪基、三嗪基、喹啉基、異喹啉基等。
更具體來說，C6到C30芳基及/或C3到C30雜芳基可以為經取代或未經取代的苯基、經取代或未經取代的萘基、經取代或未經取代的蒽基、經取代或未經取代的菲基、經取代或未經取代的稠四苯基、經取代或未經取代的芘基、經取代或未經取代的聯苯基、經取代或未經取代的對聯三苯基、經取代或未經取代的間聯三苯基、經取代或未經取代的2-乙基-1-苯並菲基、經取代或未經取代的三伸苯基、經取代或未經取代的伸苯基、經取代或未經取代的茚基、經取代或未經取代的呋喃基、經取代或未經取代的噻吩基、經取代或未經取代的吡咯基、經取代或未經取代的吡唑基、經取代或未經取代的咪唑基、經取代或未經取代的三唑基、經取代或未經取代的噁唑基、經取代或未經取代的噻唑基、經取代或未經取代的噁二唑基、經取代或未經取代的噻二唑基、經取代或未經取代的吡啶基、經取代或未經取代的嘧啶基、經取代或未經取代的吡嗪基、經取代或未經取代的三嗪基、經取代或未經取代的苯並呋喃基、經取代或未經取代的苯並噻吩基、經取代或未經取代的苯並咪唑基、經取代或未經取代的吲哚基、經取代或未經取代的喹啉基、經取代或未經取代的異喹啉基、經取代或未經取代的喹唑啉基、經取代或未 經取代的喹喔啉基、經取代或未經取代的萘啶基、經取代或未經取代的苯並噁嗪基、經取代或未經取代的苯並噻嗪基、經取代或未經取代的吖啶基、經取代或未經取代的啡嗪基、經取代或未經取代的啡噻嗪基、經取代或未經取代的啡噁嗪基、經取代或未經取代的二苯並呋喃基、經取代或未經取代的二苯並噻吩基或其組合，但不限於這些。
如本文所用，術語“歸因於電漿的有機層的蝕刻率”或“電漿蝕刻率”是指在以下程序之後由等式2計算的值：測量由將包封組成物沉積到預定厚度並且使所述組成物光固化所形成的有機層的初始高度T1(單位微米)，之後測量在以下條件下電漿處理後的有機層的高度T2(單位：微米)：電感耦合電漿(ICP)功率：2500瓦、射頻(RF)功率：300瓦、直流偏壓：200伏、Ar流量：50sccm、蝕刻時間：1分鐘以及壓力：10毫托。此處，有機層的初始高度(T1)可以在1微米到10微米的範圍內。藉由等式2計算的值與有機層的電漿抗性成反比。
<等式2>歸因於電漿的有機層的蝕刻率(%)=(T1-T2)/T1×100
如本文所用，術語“折射率”意思是藉由光譜橢率測量術(spectroscopic ellipsometry)關於有機層或無機層測量的值。
根據本發明的有機發光二極體顯示器設備包含基底；安置於所述基底上的有機發光二極體以及包封所述有機發光二極體的包封層，其中所述包封層具有兩個或多於兩個無機層和一或多個有機層一個在另一個上交替堆疊的結構，無機層中的每一者的厚度為40奈米到1000奈米並且折射率為1.41到2.0，有機層中 的每一者的厚度為0.2微米到15微米並且折射率為1.4到1.65，並且所述有機層可以由包封組成物形成。
根據本發明的包封組成物可以實現具有優良電漿抗性的有機層。因此，在根據本發明的有機發光二極體顯示器設備中，這類有機層形成於無機層之間以實現藉由阻斷無機層的缺陷阻斷外部濕氣和氧氣滲透同時使無機層平坦化的作用，由此實現厚度薄的包封層。
根據本發明的包封組成物可以實現展現顯著低水蒸氣滲透性和氧氣滲透性的有機層。因此，根據本發明的有機發光二極體顯示器設備可以進一步抑制外部濕氣和/或氧氣向有機發光二極體中的滲透同時改進在運行時間內有機發光二極體的可靠性。
無機層中的每一者的厚度可以為40奈米到1000奈米並且折射率為1.41到2.0。在這些範圍內，無機層可以阻斷外部濕氣和/或氧氣向有機發光二極體中的滲透同時確保光提取效率。具體來說，無機層中的每一者的厚度可以為100奈米到1000奈米並且折射率為1.41到1.8。在這些範圍內，無機層可以確保光提取效率同時展現透光度。
有機層中的每一者的厚度可以為0.2微米到15微米並且折射率為1.4到1.65。在這些範圍內，有機層可以實現阻斷外部濕氣和氧氣滲透的作用，並且可以藉由阻斷無機層的缺陷同時使無機層平坦化確保光提取效率，由此實現厚度薄的包封層。具體來說，有機層中的每一者的厚度可以為1微米到15微米，例如1微米、2微米、3微米、4微米、5微米、6微米、7微米、8微米、9微米或10微米，並且折射率為例如1.4、1.45、1.5、1.55或1.6。 在這些範圍內，有機層可以更高效地阻斷無機層的缺陷同時使無機層平坦化，並且可以確保進一步改進光提取效率同時展現透光度。
無機層和有機層可以具有相同或不同的折射率和/或相同或不同的厚度。
舉例來說，在根據本發明的有機發光二極體顯示器設備中，無機層包括第一無機層和第二無機層；有機層包括第一有機層；並且包封層包括一個在另一個上交替堆疊的所述第一無機層、所述第一有機層以及所述第二無機層。
包封層可以具有所述第一無機層和所述第二無機層在其邊緣依序堆疊的結構。在一個實施例中，第一無機層和第二無機層可以具有相同面積。在另一實施例中，第二無機層可以形成以包圍第一有機層。在其它實施例中，無機層可以具有相同面積或可以隨距所述有機發光二極體的距離增加而逐漸遞增的面積。
接下來，將參看圖1描述根據本發明的一個實施例的有機發光二極體顯示器設備。圖1為根據本發明的一個實施例的有機發光二極體顯示器設備的部分截面視圖。
參看圖1，根據一個實施例的有機發光二極體顯示器設備100包含基底110、有機發光二極體120以及包封層130，所述包封層可以包封所述有機發光二極體120。
基底110可以安置於有機發光二極體120和包封層130之下以支撑所述有機發光二極體120和所述包封層130。基底110可以包括其中形成有機發光二極體120的發光區域，和與不包括發光區域的區域對應的非發光區域。
基底110可以為玻璃基底、石英基底或透明塑料基底。透明塑料基底可以藉由為有機發光二極體顯示器設備提供彈性而用於彈性產品。透明塑料基底可以由以下各者中的至少一個形成：聚醯亞胺樹脂、丙烯酸樹脂、聚丙烯酸酯樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚醚樹脂、包括聚對苯二甲酸乙二酯的聚酯樹脂以及磺酸樹脂，但不限於這些。
有機發光二極體120可以形成於基底110的發光區域上，以驅動有機發光二極體顯示器設備。有機發光二極體為自發光裝置並且可以包括所屬領域中公開已知的典型結構。
具體來說，有機發光二極體可以具有其中陽極、電洞傳輸區域、發光層、電子傳輸區域以及陰極以這一次序依序堆疊的結構。電洞傳輸區域可以包括電洞注入層、電洞傳輸層以及電子阻擋層中的至少一者。電子傳輸區域可以包含電洞阻擋層、電子傳輸層以及電子注入層中的至少一者。光藉由在發光層中重組由陽極產生的電洞和由陰極產生的電子由發光層發出。陽極、電洞傳輸區域、發光層、電子傳輸區域以及陰極的細節為所屬領域的技術人員所熟知。
具體來說，陽極可以由具有高功函數的材料形成以使得電洞有效注入到發光層中。用於陽極的材料的實例可以包含金屬，如鎳、鉑、釩、鉻、銅、鋅以及金、其金屬合金；金屬氧化物，如氧化鋅、氧化銦、氧化銦錫以及氧化銦鋅，金屬和金屬氧化物的組合，如氧化鋅和鋁的組合；氧化鋅和銻的組合。陰極可以由具有低功函數的材料形成以允許電子容易注入到有機發光層中。用於陰極的材料的實例可以包含金屬，如鎂、鈣、鈉、鉀、鈦、銦、釔、 鋰、釓、鋁、銀、錫、鉛、銫、鋇或其金屬合金。
發光層可以包含所屬領域的技術人員已知的材料。舉例來說，發光層可以包含氟衍生物和金屬絡合物，但不限於這些。
電洞傳輸區域可以由如如下的材料形成：間-MTDATA(m-MTDATA)、TDATA、2-TNATA、NPB、β-NPB、TPD、螺-TPD(spiro-TPD)、螺-NPB(spiro-NPB)、α-NPB、TAPC、HMTPD、PEDOTT/PSS(聚(3,4-伸乙二氧基噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸酯))以及PANI/PSS(聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸酯))，但不限於這些。
在電子傳輸區域中，電洞阻擋層可以包含如下BCP和Bphen中的至少一者，但不限於這些。
電子傳輸層可以包含如上BCP和Bphen中的至少一者和如下Alq3、BAlq、TAZ、NTAZ、ET1以及ET2，但不限於這些。
電子注入層可以包含LiF、NaCl、CsF、Li2O以及BaO中的至少一者，但不限於這些。
包封層130可以直接形成於有機發光二極體120上以包封有機發光二極體120。在本文中，表達“直接形成於......上”意思 是包封層與有機發光二極體之間無黏合劑層、結合層和/或空氣層插入。
包封層130可以具有其中兩個或多於兩個無機層和一或多個有機層一個在另一個上交替堆疊的多層結構。圖1展示包括包封層的有機發光二極體顯示器設備，其中兩個無機層和一個有機層交替堆疊，總計為三層。具體來說，圖1展示包括包封層的有機發光二極體顯示器設備，其中第一無機層131、第一有機層132以及第二無機層133交替堆疊。在其它實施例中，包封層可以具有其它類型的多層結構，其中無機層和有機層交替堆疊，總計為5層到15層，具體來說，5層、6層或7層。舉例來說，在包封層包含總計5層的結構中，包封層可以包含一個在另一上交替堆疊的第一無機層、第一有機層、第二無機層、第二有機層以及第三無機層。在包封層包含總計7層的結構中，包封層可以包含一個在另一個上交替堆疊的第一無機層、第一有機層、第二無機層、第二有機層、第三無機層、第三有機層以及第四無機層。一般來說，包封層的最外層可以為無機層。在這一結構下，根據本發明的有機發光二極體顯示器設備可以在運行時間內確保可靠性。
舉例來說，在根據本發明的有機發光二極體顯示器設備中，無機層包含第一無機層和第二無機層；所述有機層包含第一有機層；並且所述包封層包含一個在另一個上交替堆疊的第一無機層、第一有機層以及第二無機層，其中所述第一無機層和所述第二無機層可以至少部分彼此接觸。在一些實施例中，包封層可以具有所述第一無機層和所述第二無機層在其邊緣依序堆疊的結構。此外，在根據本發明的有機發光二極體顯示器設備中，無機層和有機 層中的每一者可以具有隨距所述有機發光二極體的距離增加而逐漸遞增的面積。
在根據本發明的有機發光二極體顯示器設備中，所述無機層可以具有相同面積或隨距所述有機發光二極體120的距離增加而逐漸遞增的面積。
參看圖1，將更詳細描述無機層包含第一無機層131和第二無機層133並且有機層包含第一有機層132的包封層的結構。
第一無機層131和第二無機層133中的每一者具有與第一有機層132相比不同的組成，並且可以補償第一有機層132的影響。第一無機層131和第二無機層133中的每一者可以抑制氧氣或濕氣向有機發光二極體120中的滲透。
第一無機層131和第二無機層133中的每一者的厚度為40奈米到1000奈米並且折射率為1.41到2.0。在這些範圍內，無機層可以阻斷外部濕氣和/或氧氣向有機發光二極體中的滲透同時確保光提取效率。
第一無機層131形成以直接接觸有機發光二極體120和基底110。在這一結構下，第一無機層131可以抑制外部濕氣和/或氧氣向有機發光二極體120中滲透。如本文所用，表達“形成以直接接觸”意思是在有機發光二極體120與第一無機層131之間無黏合劑層、結合層和/或空氣層插入。
第二無機層133直接形成於第一有機層132上。第一有機層132具有高電漿抗性。因此，第二無機層133可以確保厚度均勻並且包封層130可以確保表面粗糙度均勻。
第二無機層133形成以至少部分接觸第一無機層131。因 此，包封層130可以具有第一無機層131和第二無機層133依序堆疊於基底110上的結構。在這一結構下，包封層130可以進一步抑制外部濕氣和/或氧氣向有機發光二極體120中滲透，同時進一步改進有機發光二極體120側表面的包封功能。此外，包封層130可以藉由防止第一無機層131與第二無機層133之間的略微提升和/或分層改良有機發光二極體120的可靠性。參看圖1，包封層130具有第一無機層131和第二無機層133依序堆疊於其邊緣的結構。
第二無機層133具有接觸第一無機層131的下表面。在這一結構下，第一無機層131與第二無機層133之間的接觸面積放大，由此進一步改進包封作用。或者，可以形成第二無機層133以在第二無機層133的邊緣(尤其第二無機層133的厚度部分或下表面)接觸第一無機層131。
第二無機層133圍繞第一有機層132並且依序堆疊於第一無機層131上。在這一結構中，第一無機層131具有與第二無機層133相同的面積。或者，第二無機層133可以形成以圍繞第一有機層132與第一無機層131。或者，無機層的面積可以隨距有機發光二極體120的距離增加而逐漸遞增。在這一結構下，包封層130可以抑制外部濕氣和/或氧氣向有機發光二極體120中滲透，同時進一步抑制第一無機層131與第二無機層133之間的分層和/或略微提升。
第一無機層131和第二無機層133中的每一者可以由具有優良透光率的無機材料形成。第一無機層131和第二無機層133可以由相同或不同的無機材料形成。具體來說，無機材料可以包含 金屬、非金屬、金屬間化合物或合金、非金屬間化合物或合金、金屬或非金屬的氧化物、金屬或非金屬的氟化物、金屬或非金屬的氮化物、金屬或非金屬的碳化物、金屬或非金屬的氮氧化物、金屬或非金屬的硼化物、金屬或非金屬的硼氧化物、金屬或非金屬的矽化物以及其混合物。金屬或非金屬可以包含矽(Si)、鋁(Al)、硒(Se)、鋅(Zn)、銻(Sb)、銦(In)、鍺(Ge)、錫(Sn)、鉍(Bi)、過渡金屬以及鑭系金屬，但不限於這些。具體來說，無機材料可以包含氧化矽(SiOx)、氮化矽(SiNx)、氮氧化矽(SiOxNy)、ZnSe、ZnO、Sb2O3、AlOx(包括Al2O3)、In2O3或SnO2。此處，x和y中的每一者在1到5的範圍內。
第一有機層132可以安置在界定於第一無機層131與第二無機層133之間的區域內。也就是說，第一有機層132可以由第一無機層131和第二無機層133完全圍繞。
第一有機層132的厚度可以為0.2微米到15微米並且折射率為1.4到1.65。在這些範圍內，第一有機層可以實現阻斷外部濕氣和氧氣滲透的作用，並且可以藉由阻斷無機層的缺陷同時使無機層平坦化確保光提取效率。
第一有機層132可以由根據本發明的包封組成物形成。因此，第一有機層132可以阻斷外部濕氣和氧氣。
圖1展示其中包封層130僅包含第一有機層132作為有機層的結構。在另一實施例中，包封層130可以更包含依序形成於第二無機層133上的第二有機層和第三無機層。在這個實施例中，第一有機層132和第二有機層可以具有相同的面積。或者，第二有機層可以具有與第一有機層相比較大的面積。也就是說，有機 層可以具有相同的面積或面積可以隨距有機發光二極體120的距離增加而逐漸遞增。
第一有機層132由根據本發明的實施例的包封組成物形成。因此，根據本發明的實施例的有機發光二極體顯示器設備100具有具有電漿抗性和平坦度的包封層，並且可以抑制外部濕氣和氧氣滲透。此外，在根據本發明的實施例的有機發光二極體顯示器設備100中，無機層中的每一者的厚度為40奈米到1000奈米並且折射率為1.41到2.0；有機層中的每一者的厚度為0.2微米到15微米並且折射率為1.4到1.65，並且有機層由根據本發明的實施例的包封組成物形成，由此更有效阻斷外部濕氣和氧氣向有機發光二極體顯示器設備中的滲透。
接下來，將描述根據本發明的實施例的包封組成物。
根據本發明的一個實施例的包封組成物包含：10重量%到70重量%的(A)非矽類二(甲基)丙烯酸酯；20重量%到70重量%的(B)矽類二(甲基)丙烯酸酯；5重量%到40重量%的(C)單(甲基)丙烯酸酯；以及1重量%到10重量%的(D)起始劑，其中所述(B)矽類二(甲基)丙烯酸酯可以由式1表示：
(其中下文將詳細描述R1、R2、R3、R4、X1、X2、X3、X4、X5、X6以及n)。
根據本發明的實施例的包封組成物可以包含(A)非矽類 二(甲基)丙烯酸酯、(B)由式1表示的矽類二(甲基)丙烯酸酯、(C)單(甲基)丙烯酸酯以及(D)起始劑。另外，根據實施例的包封組成物可以包含如上文所述特定量的(A)非矽類二(甲基)丙烯酸酯、(B)由式1表示的矽類二(甲基)丙烯酸酯、(C)單(甲基)丙烯酸酯以及(D)起始劑。因此，包封組成物可以呈現顯著改進的光固化率。此外，包封組成物可以實現在固化之後展現優良透光率、同時展現顯著高的電漿抗性的有機層。因此，根據實施例的包封組成物可以實現歸因於用於形成無機層的電漿的具有低蝕刻率的有機層，並且因此可以改進有機發光二極體的可靠性。
具體來說，根據實施例的包封組成物的光固化率可以為88%或大於88%，具體來說88%到99%、更具體來說90%到99%，例如90%、91%、92%、93%、94%、95%、96%、97%、98%或99%。另外，根據實施例的包封組成物在380奈米到700奈米的波長下固化後的透光率可以為93%，例如93.5%到100%、94.2%到100%、95%到99%、或96%到99%。此外，根據實施例的包封組成物的固化後的歸因於電漿的有機層的蝕刻率可以為20%或小於20%，例如0.1%、1%、2%、3%、4%、5%、6%、7%、8%、9%、10%、11%、12%、13%、14%、15%、16%、17%、18%、19%或20%。在光固化率、透光率以及歸因於電漿的有機層的蝕刻率的這些範圍內，根據實施例的包封組成物可以顯著改進有機發光二極體的可靠性。
在一個實施例中，包封組成物可以包含以(A)、(B)、(C)以及(D)的總重量計10重量%到50重量%的(A)非矽類二(甲基)丙烯酸酯、20重量%到70重量%的(B)矽類二(甲基)丙烯酸酯、5重量%到40重量%的(C)單(甲基)丙烯酸酯以及1重量% 到10重量%的(D)起始劑。
如本文所用，(A)非矽類二(甲基)丙烯酸酯、(B)矽類二(甲基)丙烯酸酯、(C)單(甲基)丙烯酸酯以及(D)起始劑為不同化合物。
在下文中，將更詳細描述(A)非矽類二(甲基)丙烯酸酯、(B)矽類二(甲基)丙烯酸酯、(C)單(甲基)丙烯酸酯以及(D)起始劑。
(A)非矽類二(甲基)丙烯酸酯
(A)非矽類二(甲基)丙烯酸酯為不包含矽(Si)並且具有兩個(甲基)丙烯酸酯基的光可固化單體。因此，包封組成物可以具有改進的光固化率和改進的固化後透光率。另外，(A)非矽類二(甲基)丙烯酸酯在25℃下具有低黏度，並且因此可以降低包封組成物的黏度。因此，包封組成物可以有助於使用如噴墨印刷等方法在有機發光二極體上或在包封有機發光二極體的無機層上形成有機層。
(A)非矽類二(甲基)丙烯酸酯為不含有芳香族基團的非芳香族非矽類二(甲基)丙烯酸酯，並且可以包含含經取代或未經取代的長鏈伸烷基的非矽類二(甲基)丙烯酸酯。在這種情况下，包封組成物有助於使用如沉積等方法在有機發光二極體上或在包封有機發光二極體的無機層上形成有機層。
具體來說，(A)非矽類二(甲基)丙烯酸酯可以為含經取代或未經取代的C1到C20伸烷基的二(甲基)丙烯酸酯。更具體來說，(A)非矽類二(甲基)丙烯酸酯可以包含(甲基)丙烯酸酯基之間具有未經取代的C1到C15伸烷基的二(甲基)丙烯酸酯。此處，伸烷基 中的碳原子數是指不包括二(甲基)丙烯酸酯基中存在的碳原子的僅在伸烷基中存在的碳原子的數量。
在一個實施例中，(A)非矽類二(甲基)丙烯酸酯可以由式2表示：
其中R3和R4各自獨立地為氫或甲基，並且R5為經取代或未經取代的C1到C20伸烷基。
因為根據本發明的包封組成物包含(A)由式2表示的非矽類二(甲基)丙烯酸酯，所以包封組成物可以呈現較高光固化率並且因其低黏度而更容易沉積。
舉例來說，式2中的R5可以為未經取代的C8到C12伸烷基。更具體來說，(A)非矽類二(甲基)丙烯酸酯可以包含辛二醇二(甲基)丙烯酸酯、壬二醇二(甲基)丙烯酸酯、癸二醇二(甲基)丙烯酸酯、十一烷二醇二(甲基)丙烯酸酯以及十二烷二醇二(甲基)丙烯酸酯中的至少一者。
(A)非矽類二(甲基)丙烯酸酯可以單獨使用或以組合形式用於包封組成物中。
(A)非矽類二(甲基)丙烯酸酯可以按(A)、(B)、(C)以及(D)的總重量計以10重量%到70重量%的量存在。舉例來說，按(A)、(B)、(C)以及(D)的總重量計，(A)非矽類二(甲基)丙烯酸酯可以以10重量%到50重量%，例如35重量%、36重 量%、37重量%、38重量%、39重量%、40重量%、41重量%、42重量%、43重量%、44重量%、45重量%、46重量%、47重量%或48重量%的量存在。在這一範圍內，包封組成物可以呈現改進的光固化率，並且可以實現展現高透光率和低電漿蝕刻率的有機層。
(B)矽類二(甲基)丙烯酸酯
(B)矽類二(甲基)丙烯酸酯包含至少一個連接到矽原子的經取代或未經取代的C6到C30芳基。因此，包封組成物可以實現具有極高電漿抗性，由此展現低電漿蝕刻率的有機層。
(B)矽類二(甲基)丙烯酸酯可以由式1表示：
其中R1和R2各自獨立地為單鍵、經取代或未經取代的C1到C20伸烷基、經取代或未經取代的C1到C30伸烷基醚、*-N(R')-(R")-*(*表示元素的結合位點，R'為氫或經取代或未經取代的C1到C30烷基，並且R"為經取代或未經取代的C1到C20伸烷基)、經取代或未經取代的C6到C30伸芳基、經取代或未經取代的C7到C30芳基伸烷基或*-(R')-O-**(*表示式1中O的結合位點，**表示式1中Si的結合位點，並且R'為經取代或未經取代的C1到C30伸烷基)；X1、X2、X3、X4、X5以及X6各自獨立地為氫、羥基、鹵素、氰基、經取代或未經取代的C1到C30烷基、經取代或未經取代的C1到C30雜環烷基、經取代或未經取代的C3到C30環烷基、經取 代或未經取代的C1到C30烷基醚基、*-N(R')-(R")-*(*表示元素的結合位點，並且R'和R"各自獨立地為氫或經取代或未經取代的C1到C30烷基)、經取代或未經取代的C1到C30硫化烷基(alkyl sulfide group)、經取代或未經取代的C6到C30芳基、經取代或未經取代的C2到C30雜芳基或經取代或未經取代的C7到C30芳基烷基；X1、X2、X3、X4、X5以及X6中的至少一者為經取代或未經取代的C6到C30芳基或經取代或未經取代的C2到C30雜芳基；R3和R4各自獨立地為氫或甲基；以及n為0到30的整數，或平均在0到30的範圍內。
術語“單鍵”意思是在式1中Si和O直接連接(Si-O)。
具體來說，在式1中，R1和R2可以各自獨立地為單鍵、經取代或未經取代的C1到C20伸烷基或經取代或未經取代的C1到C30伸烷基醚基(alkylene ether group)。具體來說，X1、X2、X3、X4、X5以及X6可以各自獨立地為氫、經取代或未經取代的C1到C30烷基、經取代或未經取代的C3到C30環烷基、經取代或未經取代的C1到C30烷基醚基、經取代或未經取代的C6到C30芳基、經取代或未經取代的C2到C30雜芳基、或經取代或未經取代的C7到C30芳基烷基；並且X1、X2、X3、X4、X5以及X6中的至少一者可以為經取代或未經取代的C6到C30芳基。
更具體來說，在式1中，R1和R2可以各自獨立地為單鍵或經取代或未經取代的C1到C20伸烷基。在這種情况下，包封組成物可以進一步降低電漿蝕刻率。
更具體來說，在式1中，X1、X2、X3、X4、X5以及X6可以各自獨立地為經取代或未經取代的C1到C10烷基、或經取代或 未經取代的C6到C10芳基；並且X1、X2、X3、X4、X5以及X6中的至少一者可以為經取代或未經取代的C6到C10芳基。更具體來說，X1、X2、X3、X4、X5以及X6可以各自獨立地為甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、苯基、聯苯基或萘基；並且X1、X2、X3、X4、X5以及X6中的一者、兩者、三者或六者可以為苯基或萘基。在這種情况下，包封組成物可以進一步降低電漿蝕刻率。
更具體來說，n為1到5的整數。在這種情况下，包封組成物可以進一步降低電漿蝕刻率。
更具體來說，(B)矽類二(甲基)丙烯酸酯可以由式3到式8中的任一者表示。
<式6>
(B)矽類二(甲基)丙烯酸酯可單獨使用或以其組合使用。
按(A)、(B)、(C)以及(D)的總重量計，(B)矽類二(甲基)丙烯酸酯可以以20重量%到70重量%的量存在。舉例來說，按(A)、(B)、(C)以及(D)的總重量計，(B)矽類二(甲基)丙烯酸酯可以以25重量%到45重量%，例如28重量%、29重量%、30重量%、31重量%、32重量%、33重量%、34重量%、35重量%、36重量%、37重量%、38重量%、39重量%、40重量%或41重量%的量存在。在這一範圍內，包封組成物可以呈現高光固化率。另外，包封組成物可以實現展現高透光率和低電漿蝕刻率的有機層。
(A)非矽類二(甲基)丙烯酸酯和由式1表示的(B)矽類二(甲基)丙烯酸酯可以按(A)、(B)、(C)以及(D)的總重量計以50重量%到90重量%，具體來說60重量%到90重量%的總量存在。在這一範圍內，包封組成物可以實現展現低電漿蝕刻率的有機層。
(A)非矽類二(甲基)丙烯酸酯和由式1表示的(B)矽類二(甲基)丙烯酸酯可以例如1：0.1到1：1、1：0.1到1：85、1：0.1到1：80、1：0.1到1：75、1：0.1到1：70、1：0.1到1：0.65、或1：0.1到1：0.6的重量比(A：B)存在。在這一範圍內，包封組成物可以實現展現進一步降低的電漿蝕刻率的有機層。
(B)矽類二(甲基)丙烯酸酯可以藉由典型方法製備。舉例來說，(B)矽類二(甲基)丙烯酸酯可以藉由使經取代或未經取代的C6到C30芳基或經取代或未經取代的C2到C30雜芳基連接到至少一個矽原子的矽氧烷化合物與擴展碳鏈的化合物(例如烯丙醇)反應，之後與(甲基)丙烯醯氯反應來製備，但不限於這些。或者，(B)矽類二(甲基)丙烯酸酯可以藉由使經取代或未經取代的C6到C30芳基或經取代或未經取代的C2到C30雜芳基連接到至少一個矽原子的矽氧烷化合物與(甲基)丙烯醯氯反應來製備，但不限於這些。
(C)單(甲基)丙烯酸酯
包封組成物中所包括的(C)單(甲基)丙烯酸酯可以增加包封組成物的光固化率。另外，(C)單(甲基)丙烯酸酯可以降低有機層的電漿蝕刻率，同時增加有機層的透光率。
(C)單(甲基)丙烯酸酯可以包含不含矽的非矽類單(甲基) 丙烯酸酯。具體來說，(C)單(甲基)丙烯酸酯可以包含含有芳香族基團的芳香族單(甲基)丙烯酸酯和不含芳香族基團的非芳香族單(甲基)丙烯酸酯中的至少一者。
(C)單(甲基)丙烯酸酯可以單獨使用或以其組合形式使用。(C)單(甲基)丙烯酸酯中的芳香族單(甲基)丙烯酸酯可以單獨使用或以其組合使用。(C)單(甲基)丙烯酸酯中的非芳香族單(甲基)丙烯酸酯可以單獨使用或以其組合使用。
在一個實施例中，(C)單(甲基)丙烯酸酯可以包含含芳香族基團的單(甲基)丙烯酸酯。因為如上文所述的含芳香族基團的單(甲基)丙烯酸酯與(B)矽類二(甲基)丙烯酸酯都含有芳香族基團，所以當一起使用含芳香族基團的單(甲基)丙烯酸酯和(B)矽類二(甲基)丙烯酸酯時呈現在包封組成物中進一步改進的相容性。因此，(C)單(甲基)丙烯酸酯可以呈現進一步改進的與(B)矽類二(甲基)丙烯酸酯的混溶性。在這種情况下，包封組成物可以具有改進的降低有機層的電漿蝕刻率的作用。
芳香族單(甲基)丙烯酸酯可以包含含經取代或未經取代的芳香族基團的單(甲基)丙烯酸酯。此處，術語“芳香族基團”是指單環芳香族基團或指包括稠合形式等或是指多個單環藉由σ鍵彼此連接的形式的多環芳香族基團。舉例來說，芳香族基團可以指經取代或未經取代的C6到C50芳基、經取代或未經取代的C7到C50芳基烷基、經取代或未經取代的C3到C50雜芳基以及經取代或未經取代的C3到C50雜芳基烷基中的至少一者。更具體來說，芳香族基團可以包含以下各者中的至少一者：苯基、聯苯基、聯三苯基、聯四苯基、萘基、蒽基、菲基、2-乙基-1-苯並菲基、三伸苯基、並 四苯基、芘基、苯並芘基、稠五苯基、蔻基、莪基、碗烯基、苯甲基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、三嗪基、喹啉基、異喹啉基、喹喔啉基、吖啶基、喹唑啉基、噌啉基、酞嗪基、噻唑基、苯並噻唑基、異噁唑基、苯並異噁唑基、噁唑基、苯並噁唑基、吡唑基、吲唑基、咪唑基、苯並咪唑基、嘌呤基、噻吩基、苯並噻吩基、呋喃基、苯並呋喃基以及異苯並呋喃基。
舉例來說，芳香族單(甲基)丙烯酸酯可以由式9表示：
其中R3為氫或甲基；s為0到10的整數；並且R6為經取代或未經取代的C6到C50芳基或經取代或未經取代的C6到C50芳氧基。
舉例來說，R6可以為苯基苯氧基乙基、苯氧基乙基、苯甲基、苯基、苯基苯氧基、苯氧基、苯乙基、苯丙基、苯丁基、甲基苯基乙基、丙基苯基乙基、甲氧基苯乙基、環己基苯乙基、氯苯乙基、溴苯乙基、甲基苯基、甲基乙基苯基、甲氧苯基、丙基苯基、環己基苯基、氯苯基、溴苯基、苯基苯基、聯苯基、聯三苯基、聯四苯基、蒽基、萘基、三伸苯基(triphenylenyl group)、甲基苯氧基、乙基苯氧基、甲基乙基苯氧基、甲氧基苯氧基、丙基苯氧基、環己基苯氧基、氯苯氧基、溴苯氧基、聯苯氧基、聯三苯氧基、聯四苯氧基、蒽氧基、萘氧基或三伸苯氧基。
具體來說，芳香族單(甲基)丙烯酸酯可以包含以下各者中的至少一者：(甲基)丙烯酸2-苯基苯氧基乙酯、(甲基)丙烯酸苯氧 基乙酯、(甲基)丙烯酸苯酯、(甲基)丙烯酸苯氧酯、(甲基)丙烯酸2-乙基苯氧酯、(甲基)丙烯酸苯甲酯、(甲基)丙烯酸2-苯乙酯、(甲基)丙烯酸3-苯丙酯、(甲基)丙烯酸4-苯丁酯、(甲基)丙烯酸2-(2-甲基苯基)乙酯、(甲基)丙烯酸2-(3-甲基苯基)乙酯、(甲基)丙烯酸2-(4-甲基苯基)乙酯、(甲基)丙烯酸2-(4-丙基苯基)乙酯、(甲基)丙烯酸2-(4-(1-甲基乙基)苯基)乙酯、(甲基)丙烯酸2-(4-甲氧苯基)乙酯、(甲基)丙烯酸2-(4-環己基苯基)乙酯、(甲基)丙烯酸2-(2-氯苯基)乙酯、(甲基)丙烯酸2-(3-氯苯基)乙酯、(甲基)丙烯酸2-(4-氯苯基)乙酯、(甲基)丙烯酸2-(4-溴苯基)乙酯、(甲基)丙烯酸2-(3-苯基苯基)乙酯、(甲基)丙烯酸4-(聯苯-2-基氧基)丁酯、(甲基)丙烯酸3-(聯苯-2-基氧基)丁酯、(甲基)丙烯酸2-(聯苯-2-基氧基)丁酯、(甲基)丙烯酸1-(聯苯-2-基氧基)丁酯、(甲基)丙烯酸4-(聯苯-2-基氧基)丙酯、(甲基)丙烯酸3-(聯苯-2-基氧基)丙酯、(甲基)丙烯酸2-(聯苯-2-基氧基)丙酯、(甲基)丙烯酸1-(聯苯-2-基氧基)丙酯、(甲基)丙烯酸4-(聯苯-2-基氧基)乙酯、(甲基)丙烯酸3-(聯苯-2-基氧基)乙酯、(甲基)丙烯酸2-(聯苯-2-基氧基)乙酯、(甲基)丙烯酸1-(聯苯-2-基氧基)乙酯、(甲基)丙烯酸2-(4-苯甲基苯基)乙酯、(甲基)丙烯酸1-(4-苯甲基苯基)乙酯以及其結構性異構體，但不限於這些。另外，應瞭解本文所述的(甲基)丙烯酸酯僅以舉例的方式提供並且本發明不限於這些。此外，根據本發明的(甲基)丙烯酸酯包含與結構性異構體對應的所有丙烯酸酯。舉例來說，儘管僅以舉例方式提及(甲基)丙烯酸2-苯乙酯，但根據本發明的(甲基)丙烯酸酯包含所有(甲基)丙烯酸3-苯乙酯和(甲基)丙烯酸4-苯酯。
非芳香族單(甲基)丙烯酸酯可以為含經取代或未經取代 的C1到C20烷基的單(甲基)丙烯酸酯。具體來說，非芳香族單(甲基)丙烯酸酯可以為含未經取代的直鏈C1到C20烷基的單(甲基)丙烯酸酯，更具體來說含未經取代的直鏈C10到C20烷基的單(甲基)丙烯酸酯。舉例來說，非芳香族單(甲基)丙烯酸酯可以包含以下各者中的至少一者：(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷酯、(甲基)丙烯酸十二烷酯、(甲基)丙烯酸十三烷酯、(甲基)丙烯酸十四烷酯、(甲基)丙烯酸十五烷酯、(甲基)丙烯酸十六烷酯、(甲基)丙烯酸十七烷酯、(甲基)丙烯酸十八烷酯、(甲基)丙烯酸十九烷酯以及(甲基)丙烯酸二十烷酯，但不限於這些。
(C)單(甲基)丙烯酸酯可以按(A)、(B)、(C)以及(D)的總重量計以5重量%到40重量%的量存在。舉例來說，(C)單(甲基)丙烯酸酯可以按(A)、(B)、(C)以及(D)的總重量計以5重量%到30重量%的量存在。在這一範圍內，包封組成物可以呈現高光固化率。另外，包封組成物可以實現展現高透光率和低電漿蝕刻率的有機層。
(D)起始劑
(D)起始劑允許藉由固化(A)非矽類二(甲基)丙烯酸酯、(B)矽類二(甲基)丙烯酸酯以及(C)單(甲基)丙烯酸酯形成有機層，並且可以包含(但不限於)任何典型光聚合起始劑。
(D)起始劑可以包含三嗪、苯乙酮、二苯甲酮、噻噸酮、安息香、磷以及肟起始劑中的至少一者，但不限於這些。舉例來說，磷起始劑可以包含二苯基(2,4,6-三甲基苯甲醯基)氧化膦、苯甲基(二苯基)氧化膦、雙(2,6-二甲氧基苯甲醯基)(2,4,4-三甲基苯基)氧化膦以及其混合物。舉例來說，在長波長的紫外光下在根據本發明 的組成物中磷起始劑可以呈現較好的起始性能。
在包封組成物中，(D)起始劑可以單獨使用或以其組合使用。
(D)起始劑可以按(A)、(B)、(C)以及(D)的總重量計以1重量%到10重量%的量存在。在這一範圍內，包封組成物允許在暴露於光下的足夠光聚合。另外，可以降低在光聚合之後剩餘的未反應起始劑，由此有機層可以呈現進一步改進的透光率。具體來說，(D)起始劑可以按(A)、(B)、(C)以及(D)的總重量計以2重量%、3重量%、4重量%或5重量%的量存在。
包封組成物可以由混合(A)非矽類二(甲基)丙烯酸酯、(B)矽類二(甲基)丙烯酸酯、(C)單(甲基)丙烯酸酯以及(D)起始劑形成。舉例來說，包封組成物可以不含溶劑的無溶劑組成物形式形成。舉例來說，當用於包封有機發光二極體的組成物為無溶劑組成物時，重量%是基於(A)非矽類二(甲基)丙烯酸酯、(B)矽類二(甲基)丙烯酸酯、(C)單(甲基)丙烯酸酯以及(D)起始劑的總重量。
包封組成物可以包含10重量%到50重量%的Si。在這一範圍內，組成物可以進一步降低有機層的電漿蝕刻率。
包封組成物在25℃±2℃(23℃到27℃)下的黏度可以為0厘泊(cPs)到200厘泊，具體來說100厘泊或小於100厘泊，更具體來說5厘泊到50厘泊、5厘泊到40厘泊、或5厘泊到30厘泊。在這一範圍內，包封組成物可以有助於形成有機層。在這一範圍內，有利的是在形成有機層時進行如沉積和噴墨印刷的方法。
包封組成物為光可固化組成物，並且可以藉由100毫瓦/ 平方厘米(mW/cm2)到500毫瓦/平方厘米的紫外線照射1秒到100秒來固化，但不限於這些。
包封組成物可以更包含熱穩定劑。
在下文中，將詳細地描述根據本發明的另一個實施例的包封組成物。
根據本發明的另一個實施例，包封組成物可以包含(A)非矽類二(甲基)丙烯酸酯、(B)矽類二(甲基)丙烯酸酯、(C)單(甲基)丙烯酸酯、(D)起始劑以及(E)熱穩定劑，其中(B)矽類二(甲基)丙烯酸酯可以由式1表示，且其中包封組成物可以按(A)、(B)、(C)以及(D)的總重量計包含：10重量%到70重量%的(A)非矽類二(甲基)丙烯酸酯；20重量%到70重量%的(B)矽類二(甲基)丙烯酸酯；5重量%到40重量%的(C)單(甲基)丙烯酸酯；以及1重量%到10重量%的(D)起始劑。
根據這一實施例的包封組成物可以抑制在室溫下的黏度變化。與不包含熱穩定劑的用於包封材料的組合物相比，根據這一實施例的包封組成物可以呈現較高透光率、較高光固化率以及較低電漿蝕刻率。除了熱穩定劑，根據這一實施例的包封組成物的組分與根據以上實施例的組成物的組分相同。因此，將在下文中僅詳細地描述熱穩定劑。
(E)熱穩定劑包含於用於包封的組成物中以抑制室溫下的黏度變化，並且可以包含任何典型熱穩定劑。在一些實施例中，(E)熱穩定劑可以為空間位阻酚系熱穩定劑。
具體來說，(E)熱穩定劑可以包含以下各者中的至少一者：季戊四醇-四[3-(3,5-二叔丁基-4-羥苯基)丙酸酯]、硬脂基-3- (3,5-二叔丁基-4-羥苯基)丙酸酯、1,3,5-三(2,6-二甲基-3-羥基-4-叔丁基苯甲基)異氰尿酸酯、1,3,5-三(3,5-二叔丁基-4-羥基苯甲基)異氰尿酸酯、1,3,5-三(2-羥乙基)異氰尿酸酯、季戊四醇-四[3-(3,5-二叔丁基羥苯基)丙酸酯]及三(4-叔丁基-3-羥基-2,6-二甲基苄基)異氰尿酸酯，但不限於這些。
(E)熱穩定劑可以按(A)、(B)、(C)以及(D)的總重量計以2,000ppm或小於2,000ppm，具體來說0.01ppm到2,000ppm，更具體來說100ppm到800ppm，或100ppm到750ppm的量存在。在這一範圍內，熱穩定劑可以進一步改進液體狀態下包封組成物的存儲穩定性和可加工性。
在一個實施例中，包封組成物可以包含(A)非矽類二(甲基)丙烯酸酯，其包含含C1到C20伸烷基的二(甲基)丙烯酸酯；(B)由式3到式8中的一者表示的矽類二(甲基)丙烯酸酯；(C)由式9表示的單(甲基)丙烯酸酯；(D)包括磷起始劑的起始劑；以及(E)熱穩定劑。
儘管圖1中未示出，但有機發光二極體顯示器設備100可以包含用於驅動有機發光二極體120的驅動電路。在一些實施例中，儘管圖1中未示出，但有機發光二極體顯示器設備可以更包含薄膜晶體管(TFT)層和基底110與有機發光二極體120之間的緩衝層。TFT層驅動有機發光二極體並且可以包含閘極線、數據線、驅動電力線、參比電力線以及電容器。
在一些實施例中，儘管圖1中未示出，但有機發光二極體顯示器設備可以更包含覆蓋包封層的結合層和結合到結合層以包封有機發光二極體的基底。所述結合層可以為透明結合薄膜。結 合層和基底可以由所屬領域的技術人員已知的典型材料形成。
接下來，將參看圖2描述根據本發明的另一個實施例的有機發光二極體顯示器設備。
參看圖2，根據這一實施例的有機發光二極體顯示器設備200包含基底110、有機發光二極體120以及包封層130'，所述包封層包封所述有機發光二極體120。
在根據這一實施例的有機發光二極體顯示器設備200中，包封層130'包含第一無機層131、第一有機層132、第二無機層133、第二有機層134以及第三無機層135。在這一實施例中，第二無機層133形成以接觸第三無機層135的至少一部分，並且第二有機層134安置在第二無機層133與第三無機層135之間的區域內。
接下來，將描述製造根據本發明的一個實施例的有機發光二極體顯示器設備的方法。
製造根據本發明的一個實施例的有機發光二極體顯示器設備的方法可以包含在基底上形成有機發光二極體，以及形成其中無機層和有機層交替形成於有機發光二極體上的包封層，其中有機層可以由本發明的實施例的包封組成物形成。
首先，有機發光二極體形成於基底上。具體來說，陰極形成於基底上；並且發光層和其它層藉由如真空沉積、濺鍍、電漿鍍覆以及離子鍍覆的乾式塗布或如旋轉塗布、浸漬以及流動塗布的濕式塗布形成於其上，之後在其上形成陽極，由此在基底上形成有機發光二極體。
無機層可以由包括以下各者的任何適合的真空方法形成：濺鍍、蒸發、升華、CVD、PECVD、ECR-PECVD(electron cyclotron resonance plasma enhanced chemical vapor deposition；電子回旋共振電漿增强式化學氣相沉積)以及其組合，但不限於這些。有機層可以由如沉積、旋轉塗布、印刷、噴墨印刷以及噴塗的任何方法形成，但不限於這些。
接下來，將參考一些實例更詳細描述本發明。應瞭解，提供這些實例僅為進行說明，並且這些實例不應以任何方式理解為限制本發明。
製備實例1
在1000毫升具有冷却管和攪拌棒的燒瓶中，放入300毫升乙酸乙酯、25克3-苯基-1,1,3,5,5-五甲基三矽氧烷(蓋勒斯特公司(Gelest Inc.))以及43克烯丙醇(大中化工與金屬有限公司(Daejung Chemicals & Materials Co.Ltd))，之後氮氣吹掃30分鐘。接下來，將72ppm鉑/碳黑粉末(奧德裏奇有限公司(Aldrich GmbH))添加到混合物中，之後將燒瓶加熱到80℃並且攪拌混合物4小時。藉由蒸餾去除剩餘溶劑，由此獲得化合物。依序將71.5克獲得的化合物和39克三乙胺添加到300毫升二氯甲烷中，之後緩慢添加34.3克丙烯醯氯，同時在0℃下攪拌混合物。藉由蒸餾去除剩餘溶劑，由此獲得由式3表示並且藉由HPLC確定的純度為97%的單體(分子量：522.85克/莫耳)。(1H NMR：δ7.61,m,3H；δ7.12,m,2H；δ6.25,d,2H；δ6.02,dd,2H；δ5.82,t,1H；δ5.59,d,2H；δ3.87,m,4H；δ1.54,m,4H；δ0.58,m,4H；δ0.02,m,15H)
<式3>
製備實例2
由式4表示的單體(分子量：584.92克/莫耳)以與製備實例1中相同的方式製備，但其中改用21克3,3-二苯基-1,1,5,5-四甲基三矽氧烷替代25克3-苯基-1,1,3,5,5-五甲基三矽氧烷並且用30.2克甲基丙烯醯氯替代34.3克丙烯醯氯。如由HPLC所確定獲得的單體的純度為96%。(1H NMR：δ7.52,m,6H；δ7.42,m,4H；δ6.25,d,2H；δ6.02,dd,2H；δ5.82,t,1H；δ5.59,d,2H；δ3.86,m,4H；δ1.52,m,4H；δ0.58,m,4H；δ0.04,m,12H)
製備實例3
由式5表示的單體(分子量：646.99克/莫耳)以與製備實例1相同的方式製備，但其中改用21克3,3-二苯基-1,1,5,5-四甲基三矽氧烷替代25克3-苯基-1,1,3,5,5-五甲基三矽氧烷。如由HPLC所確定獲得的單體的純度為94%。(1H NMR：δ7.61,m,6H；δ7.12,m,4H；δ6.25,d,2H；δ6.02,dd,2H；δ5.82,t,2H； δ3.87,m,4H；δ1.54,m,4H；δ0.58,m,4H；δ0.02,m,12H)。
<式5>
實例和比較例中所用的組分的詳情如下。
(A)非矽類二(甲基)丙烯酸酯：(A1)1,12-十二烷二醇二甲基丙烯酸酯(沙多瑪公司(Sartomer Co.,Ltd.))、(A2)1,10-癸二醇二甲基丙烯酸酯(新中村化學工業株式會社(Shin Nakamura Chemical Co.,Ltd.))。
(B)矽類二(甲基)丙烯酸酯：(B1)製備實例1的單體、(B2)製備實例2的單體、(B3)製備實例3的單體。
(C)單(甲基)丙烯酸酯：(C1)HRI-07(大林化學有限公司(Daelim Chemical Co.,Ltd.))、(C2)甲基苯甲酸苯甲酯(梯希愛有限公司(TCI Co.,Ltd.))、(C3)丙烯酸十二烷酯(奧德裏奇有限公司)。
(D)起始劑：德牢固(Darocur)TPO(巴斯夫有限公司(BASF GmbH))。
(E)熱穩定劑：艷佳諾(IRGANOX)1010(巴斯夫有限公司)。
(F)由式10表示的單體(X-22-164，分子量：460.78克/莫耳，信越株式會社(Shin-Etsu Co.,Ltd.)
<式10>
實例1
將47.8重量份的(A1)、28.7重量份的(B1)、19.2重量份的(C1)以及4.3重量份的(D)放入125毫升棕色聚丙烯瓶中，之後在室溫下使用震盪器混合3小時，由此製備包封組成物(25℃下的黏度：21厘泊)。
實例2到實例13和比較例1到比較例4
用於包封材料的組合物以與實例1相同的方式製備，但其中如表1中所列出改變(A)、(B)、(C)、(D)以及(E)的類別和/或量(單位：重量份)。
比較例5
包封組成物以與實例1相同的方式製備，但其中改用28.7重量份的(F)單體替代28.7重量份的製備實例1的(B1)單體。
如表1所列出，對用於實例和比較例中製備的包封材料的組合物中的每一者進行關於特性的評估。結果示於表1和表2中。
如表1中所示，根據本發明的包封組成物可以實現展現高光固化率、高透光率以及低電漿蝕刻率的有機層。
此外，甚至當實例和比較例的組合物具有如本文中所定義的類似折射率時，實例的組合物展示優於比較例的組合物的優良電漿抗性，由此改進有機發光二極體的耐久性和可靠性。
此外，實例的組合物展示優於比較例的組合物的優良的透光率，由此使有機發光二極體顯示器設備能夠實現更清晰的圖像質量。
相反，如表2中所示，包括根據本發明的範圍外的量的(A)、(B)和(C)的比較例1的包封組成物具有電漿蝕刻率高的問題。另外，不包含(B)和(C)中的任一者的比較例2到比較例4的包封組成物還具有電漿蝕刻率高的問題。此外，包括不含芳基的矽類二(甲基)丙烯酸酯的比較例5的包封組成物還具有電漿蝕刻率高的問題
<特性的評估>
(1)光固化率：關於在1635cm-1(C=C)和1720cm-1(C=O)附近的吸收峰的强度，使用FT-IR(尼科勒特(NICOLET)4700，熱電有限公司(Thermo Co.,Ltd.))對包封組成物進行測量。使用噴霧器將組成物塗布到玻璃基底，之後藉由以100毫瓦/平方厘米UV照射10秒進行UV固化，由此獲得大小為20cm×20cm×3μm(寬度×長度×厚度)的樣本。接著，將固化膜等分並且在1635cm-1(C=C)和1720cm-1(C=O)附近使用FT-IR(尼科勒特4700，熱電有限公司)測量固化膜的吸收峰的强度。藉由等式1計算光固化率：光固化率(%)=|1-(A/B)|×100(其中A為經固化的膜的1635cm-1附近的吸收峰强度與1720cm-1附近的吸收峰强度的比率；並且B為包封組成物的1635cm-1附近的吸收峰强度與1720cm-1附近的吸收峰强度的比率)。
(2)透光率：包封組成物經歷N2下的UV固化以形成 10微米厚的薄膜。接下來，使用拉姆達950(Lambda 950)(珀金埃爾默有限公司(Perkin Elmer Co.,Ltd.))量測550奈米可見光範圍中薄膜的透光率。
(3)電漿蝕刻率：將包封組成物塗布到預定厚度並且進行光固化以形成有機層，之後測量有機層的初始塗層高度(T1，1微米到10微米)。在以下條件下使有機層經歷電漿處理：ICP功率：2500瓦、RF功率：300瓦、直流偏壓：200伏、Ar流量：50sccm、蝕刻時間：1分鐘以及壓力：10毫托，之後測量有機層的高度(T2，單位：微米)。藉由方程式2計算有機層的電漿蝕刻率：歸因於電漿的有機層的蝕刻率(%)=(T1-T2)/T1×100
(4)折射率：使包封組成物以預定厚度沉積於玻璃板上並且經歷光固化以形成有機層。使用EC-400(J.A.烏蘭公司(J.A.WooLLAM Co.,Ltd.))關於有機層的塗層高度(T1，1微米到10微米)的量測中所用的樣本測量折射率，之後擬合於柯西模型(Cauchy model)中。在550奈米的波長下的折射率確定為代表性折射率。
應瞭解，所屬領域的技術人員可以進行各種修改、變化、更改以及等效實施例，而不脫離本發明的精神和範圍。
100‧‧‧有機發光二極管顯示器設備
110‧‧‧基底
120‧‧‧有機發光二極管
130‧‧‧包封層
131‧‧‧第一無機層
132‧‧‧第一有機層
133‧‧‧第二無機層

Claims (12)

  1. 一種有機發光二極體顯示器設備，包括：基底；安置於所述基底上的有機發光二極體；以及包封所述有機發光二極體的包封層，其中所述包封層具有兩個或多於兩個無機層和一或多個有機層一個在另一個上交替堆疊的結構，所述無機層中的每一者的厚度為40奈米到1000奈米並且折射率為1.41到2.0，所述有機層中的每一者的厚度為0.2微米到15微米並且折射率為1.4到1.65，所述有機層由包封組成物形成，以及其中所述包封組成物包括10重量%到70重量%的(A)非矽類二(甲基)丙烯酸酯、20重量%到70重量%的(B)矽類二(甲基)丙烯酸酯、5重量%到40重量%的(C)單(甲基)丙烯酸酯以及1重量%到10重量%的(D)起始劑，所述(B)矽類二(甲基)丙烯酸酯由式1表示： 其中R1和R2各自獨立地為單鍵；經取代或未經取代的C1到C20伸烷基；經取代或未經取代的C1到C30伸烷基醚基；*-N(R')-(R")-*，其中*表示元素的結合位點，R'為氫或經取代或未經取代的C1到C30烷基，並且R"為經取代或未經取代的C1到C20伸烷基；經取代或未經取代的C6到C30伸芳基；經取代或未經取代的C7到C30芳基伸烷基；或*-(R')-O-**，其中*表示式1 中氧的結合位點，**表示式1中矽的結合位點，並且R'為經取代或未經取代的C1到C30伸烷基；X1、X2、X3、X4、X5以及X6各自獨立地為氫；羥基；鹵素；氰基；經取代或未經取代的C1到C30烷基；經取代或未經取代的C1到C30雜環烷基；經取代或未經取代的C3到C30環烷基；經取代或未經取代的C1到C30烷基醚基；*-N(R')-(R")-*，其中*表示元素的結合位點，並且R'和R"各自獨立地為氫或經取代或未經取代的C1到C30烷基；經取代或未經取代的C1到C30硫化烷基；經取代或未經取代的C6到C30芳基；經取代或未經取代的C2到C30雜芳基或經取代或未經取代的C7到C30芳基烷基；X1、X2、X3、X4、X5以及X6中的至少一者為經取代或未經取代的C6到C30芳基或經取代或未經取代的C2到C30雜芳基；R3和R4各自獨立地為氫或甲基；以及n為0到30的整數，或平均在0到30的範圍內。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的有機發光二極體顯示器設備，其中所述無機層包括第一無機層和第二無機層；所述有機層包括第一有機層；所述包封層包括一個在另一個上交替堆疊的所述第一無機層、所述第一有機層以及所述第二無機層；並且所述第一無機層和所述第二無機層至少部分彼此接觸。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的有機發光二極體顯示器設備，其中所述包封層具有所述第一無機層和所述第二無機層在其邊緣依序堆疊的結構。
  4. 如申請專利範圍第2項所述的有機發光二極體顯示器設 備，其中所述第一無機層和所述第二無機層具有相同面積。
  5. 如申請專利範圍第2項所述的有機發光二極體顯示器設備，其中所述第二無機層形成以包圍所述第一有機層。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的有機發光二極體顯示器設備，其中所述多個無機層具有相同面積或具有隨距所述有機發光二極體的距離增加而逐漸遞增的面積。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的有機發光二極體顯示器設備，其中所述無機層包括氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、ZnSe、ZnO、Sb2O3、Al2O3、In2O3以及SnO2中的至少一者。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的有機發光二極體顯示器設備，其中在式1中，R1和R2各自獨立地為單鍵、經取代或未經取代的C1到C20伸烷基或經取代或未經取代的C1到C30伸烷基醚基；X1、X2、X3、X4、X5以及X6各自獨立地為氫、經取代或未經取代的C1到C30烷基、經取代或未經取代的C3到C30環烷基、經取代或未經取代的C1到C30烷基醚基、經取代或未經取代的C6到C30芳基、經取代或未經取代的C2到C30雜芳基或經取代或未經取代的C7到C30芳基烷基；並且X1、X2、X3、X4、X5以及X6中的至少一者為經取代或未經取代的C6到C30芳基。
  9. 如申請專利範圍第1項所述的有機發光二極體顯示器設備，其中所述(B)矽類二(甲基)丙烯酸酯由式3到式8中的一者表示：
  10. 如申請專利範圍第1項所述的有機發光二極體顯示器設備，其中所述(A)非矽類二(甲基)丙烯酸酯由式2表示： 其中R3和R4各自獨立地為氫或甲基，並且R5為經取代或未經取代的C1到C20伸烷基。
  11. 如申請專利範圍第1項所述的有機發光二極體顯示器設備，其中所述(C)單(甲基)丙烯酸酯包括芳香族單(甲基)丙烯酸酯以及非芳香族單(甲基)丙烯酸酯中的一者。
  12. 如申請專利範圍第1項所述的有機發光二極體顯示器設備，其中所述包封組成物更包括熱穩定劑。
TW105111567A 2015-06-19 2016-04-14 有機發光二極體顯示器設備 TWI605087B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150087824A KR101882559B1 (ko) 2015-06-19 2015-06-19 유기발광표시장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201700590A TW201700590A (zh) 2017-01-01
TWI605087B true TWI605087B (zh) 2017-11-11

Family

ID=57588454

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW105111567A TWI605087B (zh) 2015-06-19 2016-04-14 有機發光二極體顯示器設備

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9837633B2 (zh)
KR (1) KR101882559B1 (zh)
CN (1) CN106257682B (zh)
TW (1) TWI605087B (zh)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102392802B1 (ko) * 2017-06-30 2022-05-03 덕산네오룩스 주식회사 유기발광소자 봉지용 조성물 및 이를 포함하는 유기발광 표시장치
WO2019004764A1 (ko) * 2017-06-30 2019-01-03 덕산네오룩스 주식회사 유기발광소자 봉지용 조성물 및 이를 포함하는 유기발광 표시장치
KR102126045B1 (ko) * 2017-07-21 2020-06-23 삼성에스디아이 주식회사 유기발광소자 봉지용 조성물 및 이로부터 제조된 유기발광소자 표시장치
EP3537493A1 (en) 2018-03-09 2019-09-11 Samsung Display Co., Ltd Electronic apparatus
KR20210097129A (ko) 2018-11-30 2021-08-06 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 저 유전 상수 경화성 조성물
US20220306789A1 (en) 2019-05-03 2022-09-29 3M Innovative Properties Company Low dielectric constant curable compositions
CN111697160B (zh) * 2020-06-22 2022-11-29 云谷（固安）科技有限公司 显示面板及显示装置
WO2022059738A1 (ja) * 2020-09-18 2022-03-24 三井化学株式会社 表示素子用封止剤、その硬化物および表示装置
KR20220168666A (ko) * 2021-06-17 2022-12-26 삼성에스디아이 주식회사 유기발광소자 봉지용 조성물 및 이로부터 제조된 유기층을 포함하는 유기발광소자 표시장치
CN116030707A (zh) * 2021-10-26 2023-04-28 群创光电股份有限公司 显示装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100873080B1 (ko) 2007-05-10 2008-12-09 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 전계 발광표시장치
KR101633118B1 (ko) 2009-12-20 2016-06-23 엘지디스플레이 주식회사 유기발광소자의 실링방법
EP2383817A1 (en) * 2010-04-29 2011-11-02 Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Light-emitting device and method for manufacturing the same
KR20130101990A (ko) * 2012-03-06 2013-09-16 제일모직주식회사 광경화 조성물, 이를 포함하는 장벽층 및 이를 포함하는 봉지화된 장치
US20130236681A1 (en) * 2012-03-06 2013-09-12 Chang Min Lee Photocurable composition, barrier layer including the same, and encapsulated apparatus including the same
KR101526007B1 (ko) 2013-01-11 2015-06-04 제일모직주식회사 광경화 조성물, 이를 포함하는 장벽층 및 이를 포함하는 봉지화된 장치
JP2015050143A (ja) * 2013-09-04 2015-03-16 積水化学工業株式会社 有機エレクトロルミネッセンス表示素子用封止剤
KR102102908B1 (ko) * 2013-10-31 2020-04-21 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 및 이를 적용한 유기 발광 표시 장치
CN103943786B (zh) * 2013-12-27 2017-02-15 厦门天马微电子有限公司 一种有机发光器件、其制造方法及有机发光显示装置
US20150252125A1 (en) * 2014-03-10 2015-09-10 Cheil Industries Inc. Curable resin compositions and barrier stacks including the same

Also Published As

Publication number Publication date
TW201700590A (zh) 2017-01-01
CN106257682A (zh) 2016-12-28
US9837633B2 (en) 2017-12-05
KR20160150260A (ko) 2016-12-29
US20160372704A1 (en) 2016-12-22
CN106257682B (zh) 2019-07-23
KR101882559B1 (ko) 2018-08-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI605087B (zh) 有機發光二極體顯示器設備
US10319946B2 (en) Organic light emitting device encapsulating composition, and organic light emitting device display apparatus manufactured using same
US20230102431A1 (en) Composition for organic light emitting diode encapsulation and organic light emitting diode display manufactured therefrom
US20230203225A1 (en) Composition for encapsulating organic light emitting element and organic light emitting element display device manufactured therefrom
TWI588168B (zh) 有機發光二極體顯示器設備
KR102126059B1 (ko) 유기발광소자 봉지용 조성물의 블리딩 차단용 조성물 및 이로부터 제조된 장벽을 포함하는 유기발광소자 표시장치
KR101892335B1 (ko) 유기발광표시장치
TWI754832B (zh) 封裝有機發光二極體的組成物及有機發光二極體顯示器
KR102329621B1 (ko) 유기발광소자 봉지용 조성물 및 이를 포함하는 유기발광 표시장치
KR20160132440A (ko) 아닐린 유도체 및 그 이용
KR20160021181A (ko) 싸이오펜 유도체와 그 이용 및 싸이오펜 유도체의 제조 방법
US10193075B2 (en) Aniline derivative and use thereof
KR20150040217A (ko) 전하 수송성 바니시, 전하 수송성 박막 및 유기 일렉트로루미네센스 소자
KR20150040218A (ko) 전하 수송성 바니시, 전하 수송성 박막 및 유기 일렉트로루미네센스 소자
KR20200115815A (ko) 유기발광소자 봉지용 조성물 및 전자장치