CN113248653B - 封装有机发光装置的组合物以及有机发光装置显示设备 - Google Patents
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Abstract
Description
相关申请的交叉引用
本申请案要求在韩国知识产权局于2020年2月13日申请的韩国专利申请案第10-2020-0017893号以及于2021年1月28日申请的韩国专利申请案第10-2021-0012678号的权益,所述申请案的全部公开内容以引用的方式并入本文中。
技术领域
本发明涉及一种用于封装有机发光装置的组合物以及一种包括由所述组合物制备的有机层的有机发光装置显示设备。更具体地说,本发明涉及一种用于封装有机发光装置的组合物以及一种包括由所述组合物制备的有机层的有机发光装置显示设备,所述组合物在固化之后降低等离子体蚀刻速率且在固化之后还降低介电常数(电容率,ε)。
背景技术
当外部水分、氧或类似物渗透时,有机发光装置容易受损且损失其功能,且可能降低可靠性。因此,应利用包含无机层和有机层的封装层来封装有机发光装置,所述有机层由用于封装有机发光装置的组合物形成。
同时,在有机发光装置显示设备中,除了封装层以外,各种显示装置分别额外层压在上部部分和下部部分上。然而,从显示装置发出的各种电波、静电波或电磁波不可避免地影响有机发光装置。有机发光装置可能发生故障或其功能可能因从这些显示装置发出的各种电波、静电波或电磁波而抵消。
因此,需要具有封装有机发光装置同时具有低介电常数以便甚至在额外装置堆叠在有机发光装置上时仍最小化效果的基本功能。
本发明的背景技术描述于韩国公开案第10-2016-0150255号中。
发明内容
本发明的一个目的是提供一种可在固化之后形成具有低介电常数的有机层的用于封装有机发光装置的组合物。
本发明的另一目的是提供一种可在固化之后形成具有极佳等离子体阻抗的有机层的用于封装有机发光装置的组合物。
本发明的一个方面是一种用于封装有机发光装置的组合物。
一种用于封装有机发光装置的组合物包括由下式1表示的化合物、非芳香族光固化单体以及引发剂:
[式1]
其中,A、B、C、D、E、F、X、Y、l、m、n、a以及b如用于实施以下发明的具体内容中所定义。
式1化合物可包括式1-1、式1-2以及式1-3中的一或多个:
[式1-1]
其中,E、F、X、Y、a以及b如式1中所定义,
[式1-2]
其中,E、F、X、Y、a以及b如式1中所定义,
R3为经取代或未经取代的C1到C20亚烷基,
[式1-3]
其中,E、F、X、Y、a以及b如式1中所定义,
R4为经取代或未经取代的C1到C20亚烷基。
非芳香族光固化单体可包含具有经取代或未经取代的C6到C30烷基的单(甲基)丙烯酸酯以及具有经取代或未经取代的C6到C30亚烷基的二(甲基)丙烯酸酯中的至少一个。
按固体含量计,组合物可包括约20重量%到约75重量%的式1化合物、约20重量%到约75重量%的非芳香族光固化单体以及约0.1重量%到约5重量%的引发剂。
组合物可进一步包括芳香族光固化单体,所述芳香族光固化单体包括芳香族单(甲基)丙烯酸酯和芳香族二(甲基)丙烯酸酯中的至少一个。
芳香族单(甲基)丙烯酸酯和芳香族二(甲基)丙烯酸酯中的至少一个可进一步包括硅。
芳香族二(甲基)丙烯酸酯可由下式6表示,
[式6]
其中,R15、R16、X1、X2、X3、X4、X5、X6、Y1、Y2以及n如用于实施以下发明的具体内容中所定义。
按固体含量计,组合物可包括约20重量%到约75重量%的式1化合物、约20重量%到约75重量%的非芳香族光固化单体、约0.1重量%到约5重量%的引发剂,以及约1重量%到约40重量%的芳香族光固化单体。
组合物中的总单官能光固化单体的含量与总光固化单体的含量的重量比可为约0.8或小于0.8。
在固化之后,组合物可在200千赫兹及25℃下具有约2.8或小于2.8的介电常数。
本发明的有机发光装置显示设备包含由本发明的用于封装有机发光装置的组合物形成的有机层。
附图说明
图1为根据本发明的一实施例的有机发光显示设备的横截面图。
图2为根据本发明的另一实施例的有机发光显示设备的横截面图。
[附图标号说明]
10:衬底;
20:有机发光装置;
30:阻挡叠层;
31:无机层;
32:有机层;
40:内部空间;
100、200:有机发光装置显示设备。
具体实施方式
将参考附图详细描述本发明,使得所属领域的技术人员可通过实例容易地实施本发明。本发明可以许多不同形式体现且不限于本文中所描述的实施例。在附图中,省略与描述无关的部分以便清晰地说明本发明,且贯穿本说明书,利用相同附图标号标示相同或类似组件。附图中的每一组件的长度和大小用于描述本发明,且本发明不限于附图中示出的组件的长度和大小。
如本文中所使用,“(甲基)丙烯酰基”意指丙烯酰基和/或甲基丙烯酰基。
在本说明书中,除非另外定义,否则“取代”可意指本发明的官能团的一或多个氢原子经以下取代:卤素(F、Cl、Br或I)、羟基、硝基、氰基、亚氨基(=NH、═NR,R为C1到C10烷基)、氨基(-NH2、-NH(R′)、-N(R″)(R″′)(其中,R′、R″以及R″′各自独立地为C1到C10烷基))、甲脒基、肼基或腙基、羧基、C1到C20烷基、C6到C30芳基、C3到C30环烷基、C1到C30杂芳基或C2到C30杂环烷基。
如本文中所使用,术语“芳基”是指其中环状取代基的所有元素均具有p-轨道且这些p-轨道形成共轭的官能团。芳基包含单环、非稠合多环或稠合多环官能团。此处,稠合意指碳原子分开相邻对的环形式。芳基还包含联苯基、三联苯基、四联苯基或两个或多于两个芳基经由ζ键连接的类似物。芳基可意指苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基、屈基等。
如本文中所使用,“亚烷氧基”可包含一或多个亚烷基与至少一个氧键联的所有官能团。举例来说,其可包含(亚烷基-氧)n-亚烷基、(亚烷基-氧-亚烷基)n-亚烷基、亚烷基-氧或-(氧-亚烷基)n-,其中n为1到10的整数。
在本说明书中,“X到Y”意指X或大于X以及Y或小于Y(X≤且≤Y)。
根据本发明的一实施例的用于封装有机发光装置的组合物(下文称为“组合物”)包含(A)由下式1表示的化合物、(B)非芳香族光固化单体以及(D)引发剂。因此,通过光固化本发明的组合物而形成的有机层具有相对于等离子体的低蚀刻速率,且由此具有极佳等离子体阻抗,从而延长有机发光装置的使用期限,且由于低介电常数,向有机层赋予绝缘性能,因此,有可能抑制电波、静电波或电磁波从无机层外部转移到有机照明装置,使得不损伤有机发光装置在封装层中的性能。
在一个实施例中,本发明的组合物可在固化之后具有约2.8或小于2.8、尤其约2.6到约2.8的介电常数。在这一范围内,可极好地实现有机发光装置的性能而不受外部静电或电力影响。
在一个实施例中,根据以下等式1,本发明的组合物可在固化之后具有约6.0%或小于6.0%、尤其约0%到约6.0%的等离子体蚀刻速率。在这一范围中,在无机层于有机层上形成期间,有机层并不受损,从而延长有机发光装置的使用期限。
[等式1]
等离子体对有机层的蚀刻速率(%)=[(T1-T2)/T1]×100
其中,T1表示有机层的初始厚度(单位:微米(μm)),所述有机层通过将组合物沉积在硅晶片上且在100毫瓦/平方厘米(mW/cm2)下以UV波长的光辐照组合物10秒以光固化所述组合物而获得,
T2表示在以下条件下于有机层上使用电感耦合等离子体(inductively coupledplasma,ICP)CVD(BMR技术公司(BMR Technology Co.,Ltd))利用ICP处理之后的有机层的厚度(单位:微米):ICP功率:2500瓦,RE功率:300瓦,DC偏压:200伏,Ar流速:50sccm,蚀刻时间:1分钟,压力:10毫托。
可通过FE-SEM(日立高新技术公司(Hitachi High Technologies Corporation))来测量有机层的厚度(或高度),但不限于此。
下文中,将详细描述本发明的一个实施例的组合物中的每一组分。
(A)式1化合物
本发明的组合物包括作为光固化单体的下式1的化合物。本发明的组合物可仅在其包括下式1的化合物以及组分(B)时达成本发明的介电常数和等离子体蚀刻速率:
[式1]
其中,
A、B、C以及D各自独立地为经取代或未经取代的C1到C20亚烷基、经取代或未经取代的C1到C20烷基醚基、经取代或未经取代的C1到C20仲氨基或叔氨基、经取代或未经取代的C6到C20亚芳基、经取代或未经取代的C7到C30芳基亚烷基或经取代或未经取代的C1到C20亚烷氧基;
E和F各自独立地为氢、经取代或未经取代的C1到C20烷基或经取代或未经取代的C6到C20芳基,
l、m以及n各自独立地为0或1,且l+m+n不为0,
Bl、Cm以及Dn能够各自独立地键联到A以形成经取代或未经取代的C1到C20亚烷基环,Cm和Dn能够各自独立地键联到Bl以形成经取代或未经取代的C1到C20亚烷基环,或
Dn能够键联到Cm以形成经取代或未经取代的C1到C20亚烷基环,
X和Y为下式2:
[式2]
(其中,*表示元素的键联位点,
R1为单键、经取代或未经取代的C1到C20亚烷基或经取代或未经取代的C6到C20亚芳基,且
R2为氢或甲基),且
a为0到5的整数,b为0到5的整数,且a+b为1到10的整数。
在上式1中,在l为0时,即,B0意指式1中不包含B,且在l为1时,即,Bl意指式1中包含B。在上式1中,在m为0时,即,C0意指式1中不包含C,且在m为1时,即,C1意指式1中包含C。在上式1中,在n为0时,即,D0意指式1中不包含D,且在其中n为1的情况下,D1意指式1中包含D。
优选地,a和b各自为0到2的整数,且a+b可以是1到4的整数。
优选地,A、B、C以及D可各自独立地为经取代或未经取代的C1到C10亚烷基。优选地,E和F可各自独立地为氢或经取代或未经取代的C1到C5烷基。
在一个实施例中,式1化合物可包括以下式1-1、式1-2以及式1-3中的一或多个:
[式1-1]
其中,E、F、X、Y、a以及b如式1中所定义,
[式1-2]
其中,E、F、X、Y、a以及b如式1中所定义,
R3为经取代或未经取代的C1到C20亚烷基。
[式1-3]
其中,E、F、X、Y、a以及b如式1中所定义,
R4为经取代或未经取代的C1到C20亚烷基。
举例来说,式1化合物可包含以下中的一或多个:(甲基)丙烯酸异冰片酯、包含(甲基)丙烯酸1-金刚烷酯和(甲基)丙烯酸2-金刚烷酯的(甲基)丙烯酸金刚烷酯、三环癸烷二甲醇二(甲基)丙烯酸酯以及(甲基)丙烯酸二环戊酯。
由于包含式1化合物以及组分(B)、组分(D)或组分(B)、组分(C)以及组分(D),因此应以相对于这些组分(B)、组分(C)以及组分(D)的预定量包含化合物。
在一个实施例中,按固体含量计,组合物中可包括20重量%到75重量%的式1化合物。在上述范围中,可达到本发明的等离子体蚀刻速率和介电常数。具体地说,按固体含量计,组合物中可包括例如以下量的式1化合物:约20重量%、21重量%、22重量%、23重量%、24重量%、25重量%、26重量%、27重量%、28重量%、29重量%、30重量%、31重量%、32重量%、33重量%、34重量%、35重量%、36重量%、37重量%、38重量%、39重量%、40重量%、41重量%、42重量%、43重量%、44重量%、45重量%、46重量%、47重量%、48重量%、49重量%、50重量%、51重量%、52重量%、53重量%、54重量%、55重量%、56重量%、57重量%、58重量%、59重量%、60重量%、61重量%、62重量%、63重量%、64重量%、65重量%、66重量%、67重量%、68重量%、69重量%、70重量%、71重量%、72重量%、73重量%、74重量%或75重量%,约20重量%到约70重量%、约30重量%到约70重量%以及约30重量%到约60重量%。
可利用所属领域的技术人员已知的常规方法来制备及使用式1化合物,或可使用市售材料。
(B)非芳香族光固化单体
非芳香族光固化单体与组分(A)经历固化反应以形成有机层。可包括适当含量范围的非芳香族光固化单体,从而有助于通过使得包含本发明范围的组分(A)来在固化本发明的组合物之后降低介电常数。非芳香族光固化单体不同于式1化合物。
在一个实施例中,按固体含量计,组合物中可包括介于约20重量%到约75重量%范围内的量的非芳香族光固化单体,例如约20重量%、21重量%、22重量%、23重量%、24重量%、25重量%、26重量%、27重量%、28重量%、29重量%、30重量%、31重量%、32重量%、33重量%、34重量%、35重量%、36重量%、37重量%、38重量%、39重量%、40重量%、41重量%、42重量%、43重量%、44重量%、45重量%、46重量%、47重量%、48重量%、49重量%、50重量%、51重量%、52重量%、53重量%、54重量%、55重量%、56重量%、57重量%、58重量%、59重量%、60重量%、61重量%、62重量%、63重量%、64重量%、65重量%、66重量%、67重量%、68重量%、69重量%、70重量%、71重量%、72重量%、73重量%、74重量%或75重量%,尤其约25重量%到约70重量%,或约25重量%到约65重量%。在上述范围内,组合物的光固化率增大,封装层的强度增大,且还可确保本发明的介电常数。
非芳香族光固化单体是指具有至少一个光固化官能团而不具有芳香族基的单体。非芳香族光固化单体不同于上式1的化合物。优选地,非芳香族光固化单体可包含具有一或两个(甲基)丙烯酸酯基的光固化单体。在包含具有一或两个(甲基)丙烯酸酯基的光固化单体以及组分(A)和组分(D)时,可容易地实现本发明的效果。
在一个实施例中,非芳香族光固化单体可以是单官能或双官能(甲基)丙烯酸酯。
举例来说,非芳香族光固化单体可包含具有经取代或未经取代的C6到C30烷基的单(甲基)丙烯酸酯以及具有经取代或未经取代的C6到C30亚烷基的二(甲基)丙烯酸酯中的一或多个。在这种情况下,亚烷基的碳原子数仅指除二(甲基)丙烯酸酯基中的碳原子之外的亚烷基本身中的碳原子。
举例来说,非芳香族光固化单体可由下式3表示:
[式3]
Z1-A-Z2
其中,
A为经取代或未经取代的C6到C30亚烷基,
Z1和Z2各自独立地为氢或式4,且
Z1和Z2中的至少一个由下式4表示:
[式4]
其中*为元素的键联位点,且R3为氢或甲基。
优选地,在式3中,A可以是未经取代或经C6到C10烷基取代的C12到C20亚烷基。因此,通过使用带有具有C12到C20亚烷基的长链亚烷基的二(甲基)丙烯酸酯,可能在与式1的化合物组合时进一步降低介电常数。
更具体地说,上式3的(甲基)丙烯酸酯可包含以下中的一或多个:(甲基)丙烯酸十四烷酯、包含(甲基)丙烯酸2-癸基十四烷酯和类似物的经取代(甲基)丙烯酸十四烷酯、癸二醇二(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸十一烷酯、十一烷二醇二(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸十二烷酯、十二烷二醇二(甲基)丙烯酸酯、十四烷二醇二(甲基)丙烯酸酯、二十醇(甲基)丙烯酸酯以及二十烷二醇二(甲基)丙烯酸酯。
在另一实施例中,除了上述通式3的单(甲基)丙烯酸酯和二(甲基)丙烯酸酯以外,非芳香族光固化单体可以是三官能或高于三官能(甲基)丙烯酸酯,且包含三(甲基)丙烯酸酯、四(甲基)丙烯酸酯以及六(甲基)丙烯酸酯中的一或多个。三(甲基)丙烯酸酯可包含C3到C20三醇、四醇、五醇或六醇的(甲基)丙烯酸酯,包含三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯以及二季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯。四(甲基)丙烯酸酯可包含C4到C20四醇、五醇或六醇的四(甲基)丙烯酸酯,包含季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯以及类似物。五(甲基)丙烯酸酯可进一步包含C4到C20五醇或六醇的五(甲基)丙烯酸酯,包含二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯以及类似物。六(甲基)丙烯酸酯可包含C4到C20六醇的六(甲基)丙烯酸酯,包含二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯以及类似物。
(D)引发剂
引发剂可包含但不限于能够执行光固化反应的常规光聚合引发剂。举例来说,光聚合引发剂可包含三嗪类引发剂、苯乙酮类引发剂、苯甲酮类引发剂、噻吨酮类引发剂、安息香类引发剂、磷类引发剂、肟类引发剂或其混合物。
磷类引发剂可以是二苯基(2,4,6-三甲基苯甲酰基)膦氧化物、苯甲基(二苯基)膦氧化物、双(2,4,6-三甲基苯甲酰基)苯基膦氧化物,或其混合物。举例来说,使用磷类引发剂可在本发明的组合物中在长波长UV下展示更好的引发性能。可含有单独引发剂或含有呈两个或多于两个类别的组合的引发剂。
按固体含量计,组合物中可包括介于约0.1重量%到约5重量%范围内的量的引发剂。在上述范围中,在暴露时可发生足够的光聚合,且可防止由于光聚合之后剩余的未反应引发剂引起的透射比降低。
本发明的组合物可进一步包括(C)芳香族光固化单体。
(C)芳香族光固化单体
由于包含芳香族光固化单体以及组分(A)、组分(B)以及组分(D),因此应以相对于组分(A)、组分(B)以及组分(D)的预定量包含所述芳香族光固化单体。
在一个实施例中,按固体含量计,组合物中可包括介于约1重量%到约40重量%范围内的量的芳香族光固化单体。在上述范围内,易于相对于上文所描述的组分(A)调整含量,且可容易地达到本发明的等离子体蚀刻速率和介电常数。具体地说,按固体含量计,组合物中可包括以下量的芳香族光固化单体:例如约1重量%、2重量%、3重量%、4重量%、5重量%、6重量%、7重量%、8重量%、9重量%、10重量%、11重量%、12重量%、13重量%、14重量%、15重量%、16重量%、17重量%、18重量%、19重量%、20重量%、21重量%、22重量%、23重量%、24重量%、25重量%、26重量%、27重量%、28重量%、29重量%、30重量%、31重量%、32重量%、33重量%、34重量%、35重量%、36重量%、37重量%、38重量%、39重量%或40重量%,约5重量%到约40重量%、约10重量%到约40重量%以及约20重量%到约40重量%。
芳香族光固化单体是指基本上由至少一个芳香族基组成且具有一或多个(具体地说,1个到6个)光固化官能团的单体。芳香族光固化单体不同于上式1的化合物。
具体地说,芳香族光固化单体可包含具有一个(甲基)丙烯酸酯基(芳香族单(甲基)丙烯酸酯)的光固化单体以及具有两个(甲基)丙烯酸酯基(芳香族二(甲基)丙烯酸酯)的光固化单体中的至少一个。
在一个实施例中,芳香族光固化单体可进一步包括硅。在进一步含有硅的情况下,可能存在与不含有硅的情况相比粘度较低的效果,这有利于在喷墨工艺中进行喷射,且与不含硅的芳香族光固化单体相比,在结合式1的化合物的情况下,介电常数降低。
在一个实施例中,硅可包含为硅氧烷(*-O-Si-O-*,其中*为元素的键联位点)。
芳香族单(甲基)丙烯酸酯可包含具有经取代或未经取代的芳香族基的单(甲基)丙烯酸酯。此处,术语“芳香族基”意指包含稠合形式或通过ζ键连接单环的形式的单环或多环芳香族基。举例来说,芳香族基可指以下中的一或多个:经取代或未经取代的C6到C50芳基、经取代或未经取代的C7到C50芳基烷基、经取代或未经取代的C3到C50杂芳基以及经取代或未经取代的C1到C50杂芳基烷基。具体地说,芳香族基可以是以下中的一或多个:苯基、联苯基、三联苯基、四联苯基、萘基、蒽基、菲基、屈基、联亚三苯基、并四苯基、芘基、苯并芘基、稠五苯基、蔻基、莪基、心环烯基(corannulenyl)、苯甲基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹喔啉基、吖啶基、喹唑啉基、噌啉基、酞嗪基、噻唑基、苯并噻唑基、异恶唑基、苯并异恶唑基、恶唑基、苯并恶唑基、吡唑基、吲唑基、咪唑基、苯并咪唑基、嘌呤基、噻吩基、苯并噻吩基、呋喃基、苯并呋喃基以及异苯并呋喃基。
举例来说,芳香族单(甲基)丙烯酸酯可由下式5表示为不含有硅的非硅类型:
[式5]
其中,
R13为氢或甲基,且s为0到10的整数,
R14为经取代或未经取代的C6到C50芳基或经取代或未经取代的C6到C50芳氧基。
举例来说,R14可以是苯基苯氧基乙基、苯氧基乙基、苯甲基、苯基、苯基苯氧基、苯氧基、苯乙基、苯丙基、苯丁基、甲基苯基乙基、丙基苯氧基乙基、甲氧基苯乙基、环己基苯乙基、氯苯乙基、溴苯乙基、甲基苯基、甲基乙基苯基、甲氧苯基、丙基苯基、环己基苯基、氯苯基、溴苯基、苯基苯基、联苯基、三联苯基、四联苯基、蒽基、萘基、联亚三苯基、甲基苯氧基、乙基苯氧基、甲基乙基苯氧基、甲氧基苯氧基、丙基苯氧基、环己基苯氧基、氯苯氧基、溴苯氧基、联苯氧基、三联苯氧基、四联苯氧基、蒽氧基、萘氧基或联亚三苯氧基。
具体地说,芳香族单(甲基)丙烯酸酯可包含但不限于以下中的至少一个:(甲基)丙烯酸2-苯基苯氧基乙酯、(甲基)丙烯酸苯氧基乙酯、(甲基)丙烯酸苯酯、(甲基)丙烯酸苯氧酯、(甲基)丙烯酸2-乙基苯氧酯、(甲基)丙烯酸苯甲酯、(甲基)丙烯酸2-苯乙酯、(甲基)丙烯酸3-苯丙酯、(甲基)丙烯酸4-苯丁酯、(甲基)丙烯酸2-(2-甲基苯基)乙酯、(甲基)丙烯酸2-(3-甲基苯基)乙酯、(甲基)丙烯酸2-(4-甲基苯基)乙酯、(甲基)丙烯酸2-(4-丙基苯基)乙酯、(甲基)丙烯酸2-(4-(1-甲基)乙基)苯基)乙酯、(甲基)丙烯酸2-(4-甲氧苯基)乙酯、(甲基)丙烯酸2-(4-环己基苯基)乙酯、(甲基)丙烯酸2-(2-氯苯基)乙酯、(甲基)丙烯酸2-(3-氯苯基)乙酯、(甲基)丙烯酸2-(4-氯苯基)乙酯、(甲基)丙烯酸2-(4-溴苯基)乙酯、(甲基)丙烯酸2-(3-苯基苯基)乙酯、(甲基)丙烯酸4-(联苯基-2-基氧基)丁酯、(甲基)丙烯酸3-(联苯基-2-基氧基)丁酯、(甲基)丙烯酸2-(联苯基-2-基氧基)丁酯、(甲基)丙烯酸1-(联苯基-2-基氧基)丁酯、(甲基)丙烯酸4-(联苯基-2-基氧基)丙酯、(甲基)丙烯酸3-(联苯基-2-基氧基)丙酯、(甲基)丙烯酸2-(联苯基-2-基氧基)丙酯、(甲基)丙烯酸1-(联苯基-2-基氧基)丙酯、(甲基)丙烯酸4-(联苯基-2-基氧基)乙酯、(甲基)丙烯酸3-(联苯基-2-基氧基)乙酯、(甲基)丙烯酸2-(联苯基-2-基氧基)乙酯、(甲基)丙烯酸1-(联苯基-2-基氧基)乙酯、(甲基)丙烯酸2-(4-苯甲基苯基)乙酯、(甲基)丙烯酸1-(4-苯甲基苯基)乙酯,或其结构异构体。也就是说,另外,本发明中提及的(甲基)丙烯酸酯仅为实例且不限于此,且此外,本发明包含具有构象异构体关系的所有丙烯酸酯。举例来说,虽然仅提及(甲基)丙烯酸2-苯乙酯作为本发明的实例,但本发明包含所有异构体,包含(甲基)丙烯酸3-苯乙酯和(甲基)丙烯酸4-苯乙酯。
具体地说,在式5中,s为1到5的整数,R14可以是经取代或未经取代的苯基苯氧基、经取代或未经取代的苯基苯硫醇、经取代或未经取代的联苯基苯氧基或经取代或未经取代的三联苯基苯氧基。在“经取代或未经取代”中,取代基可以是氘、C1到C10烷基、C1到C10烷氧基、C6到C18芳基、C3到C18杂芳基或硫醇基。
芳香族二(甲基)丙烯酸酯可包括进一步具有硅的二(甲基)丙烯酸酯。举例来说,芳香族二(甲基)丙烯酸酯可由下式6表示:
[式6]
其中,
R15和R16各自独立地为单键、经取代或未经取代的C1到C20亚烷基、经取代或未经取代的C1到C30亚烷基醚基、*-N(R′)-R″-*(*为元素的键联位点,R′为经取代及未经取代的C1到C30烷基,且R″为经取代或未经取代的C1到C20亚烷基)、经取代或未经取代的C6到C30亚芳基、经取代或未经取代的C7到C30芳基亚烷基,或*-O-R″-*(其中,*为元素的键联位点,且R″为经取代或未经取代的C1到C20亚烷基),
X1、X2、X3、X4、X5以及X6各自独立地为氢、经取代或未经取代的C1到C30烷基、经取代或未经取代的C1到C30烷基醚基、*-N(R')(R")(其中,*为元素的键联位点,R'和R"相同或不同且为氢或经取代或未经取代的C1到C30烷基)、经取代或未经取代的C1到C30烷基硫醚基、经取代或未经取代的C6到C30芳基,或经取代或未经取代的C7到C30芳基烷基,
X1、X2、X3、X4、X5以及X6中的至少一个为经取代或未经取代的C6到C30芳基,
Y1和Y2各自独立地由下式7表示:
[式7]
其中*为元素的键联位点,且R17为氢或甲基,
n为0到30的整数或n的平均值为0到30。
术语“单键”意指Si和Y1在无任何中间元素的情况下直接连接(Y1-Si),或Si和Y2在无任何中间元素的情况下直接连接(Si-Y2)。
具体地说,R15和R16可以是C1到C5亚烷基或单键。具体地说,X1、X2、X3、X4、X5以及X6可以是C1到C5烷基或C6到C10芳基,且X1、X2、X3、X4、X5以及X6中的至少一个可以是C6到C10芳基。更具体地说,X1、X2、X3、X4、X5以及X6为C1到C5烷基或C6到C10芳基,且X1、X2、X3、X4、X5以及X6中的一个、两个、三个或六个可以是C6到C10芳基。更具体地说,X1、X2、X3、X4、X5以及X6为甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、苯基或萘基,且X1、X2、X3、X4、X5以及X6中的一个、两个、三个或六个可以是苯基或萘基,且n可以是1到5的整数。
具体地说,芳香族二(甲基)丙烯酸酯可由下式6-1到式6-6中的任一个表示:
[式6-1]
[式6-2]
[式6-3]
[式6-4]
[式6-5]
[式6-6]
芳香族二(甲基)丙烯酸酯可通过常规方法制备,或可使用市售产品。举例来说,可通过使具有至少一个硅键联的芳基的硅氧烷化合物与扩展碳数的化合物(例如,烯丙醇)反应以及使(甲基)丙烯酰氯反应来制备芳香族二(甲基)丙烯酸酯,但不限于此。替代地,可通过使(甲基)丙烯酰氯与具有至少一个硅键联的芳基的硅氧烷化合物反应来制备硅类二(甲基)丙烯酸酯。
在一个实施例中,组合物中的总单官能光固化单体的含量(组合物中的单官能光固化单体的总量)与总光固化单体的含量(组合物中的光固化单体的总量)的重量比可为约0.8或小于0.8,例如约0、0.05、0.1、0.15、0.2、0.25、0.3、0.35、0.4、0.45、0.5、0.55、0.6、0.65、0.7、0.75或0.8,例如约0到约0.8、约0到约0.6、约0.55到约0.8。在上述范围内,有可能轻易地获得减小介电常数的效果,提高等离子体蚀刻速率,且改进固化率,例如确保固化。
本发明的组合物可通过混合组分(A)、组分(B)以及(D)或通过进一步混合组分(C)来形成。举例来说,本发明的组合物可以不包括溶剂的无溶剂类型形成。
本发明的组合物为光固化组合物,并且可通过在UV波长下于约10毫瓦/平方厘米到约500毫瓦/平方厘米下辐照约1秒到约50秒来光固化,以形成封装层。
本发明的组合物可进一步包括所属领域的技术人员已知的常规添加剂。添加剂可包含但不限于热稳定剂、抗氧化剂、UV吸收剂以及类似物。
本发明的组合物可在25±2℃(23℃到27℃)下具有约7厘泊到约50厘泊的粘度。在这一范围中,封装组合物的沉积可为可能的。
本发明的组合物可具有约85%或大于85%、尤其约90%到约100%的光固化率。在上述范围中,由组合物形成的有机层的膜强度极佳,且可延长装置使用期限。因此,由本发明的组合物形成的固化膜或有机层可具有约H或大于H(例如约H到约5H)的铅笔硬度。在上述范围中,由组合物形成的有机层的膜强度极佳,且可延长装置使用期限。
本发明的组合物可用以封装有机发光装置。具体地说,组合物可形成呈封装结构的有机层,在所述封装结构中,无机层与有机层依序地形成。
本发明的组合物还可用作装置的部件,尤其显示装置的部件,以用于封装装置的可能由于周围环境中的气体或液体(例如大气中的氧和/或水分,和/或水汽)以及处理期间使用的化学物质渗透到电子产品中而引起的劣化或变得有缺陷的部件。举例来说,装置的部件可以是(但不限于)照明装置、金属感应垫、微型激光器、电致变色装置、光致变色装置、微机电系统、太阳能电池、集成电路、电荷耦合装置、发光聚合物以及类似物。
本发明的有机发光装置显示设备可包含由本发明的一个实施例的用于封装有机发光装置的组合物形成的有机层。具体地说,有机发光装置显示设备可包含有机发光装置和阻挡叠层,所述阻挡叠层形成在有机发光装置上且包含无机层和有机层,且所述有机层可由本发明的实施例的用于封装有机发光装置的组合物形成。因此,可改进有机发光装置显示设备的可靠性。
现将参考图1描述本发明的实施例的有机发光装置显示设备。图1为本发明的实施例的有机发光装置显示设备的横截面图。
参考图1,有机发光装置显示设备100包含衬底10、形成在衬底10上的有机发光装置20以及形成在有机发光装置20上且包含无机层31和有机层32的阻挡叠层30,其中无机层31与有机发光装置20接触,且有机层32可由本发明实施例的用于封装有机发光装置的组合物形成。
衬底10不受特定限制,只要其为可在其上形成有机发光装置的衬底即可。举例来说,其可由例如透明玻璃、塑料薄片、硅或金属衬底等的材料制成。
有机发光装置显示装置中常规地使用有机发光装置20,且虽然图1中未示出,但包含第一电极、第二电极以及形成在第一电极与第二电极之间的有机发光膜,所述有机发光膜可以是空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层以及电子注入层依序堆叠的膜,但不限于此。
阻挡叠层30包含有机层和无机层,且构成有机层和无机层的组分彼此不同,使得可封装有机发光装置。
由于无机层具有与有机层的组分不同的组分,因此可补充有机层的效果。举例来说,无机层可以是金属、非金属、金属间化合物或合金、非金属化合物或合金、金属或非金属氧化物、金属或非金属氟化物、金属或非金属氮化物、金属或非金属碳化物、金属或非金属氮氧化物、金属或非金属硼化物、金属或非金属硼氧化物、金属或非金属硅化物,或其混合物。金属或非金属可以是(但不限于)硅(Si)、铝(Al)、硒(Se)、锌(Zn)、锑(Sb)、铟(In)、锗(Ge)、锡(Sn)、铋(Bi)、过渡金属、镧系金属或类似物。具体地说,无机层可以是AlOx、In2O3或SnO2,包含氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、ZnSe、ZnO、Sb2O3、Al2O3等。
无机层可在以下各项中沉积:等离子体工艺、例如溅镀的真空工艺、化学气相沉积、等离子体化学气相沉积、蒸镀、升华、电子回旋共振-等离子体气相沉积,以及其组合。
在有机层与无机层交替地沉积时,有可能确保无机层的平滑性质且防止无机层中的缺陷传播到另一无机层。
可通过对本发明实施例的用于封装有机发光装置的组合物进行涂覆、气相沉积、固化以及类似物的组合来形成有机层。举例来说,用于封装有机发光装置的组合物可涂覆到约1微米到约50微米的厚度,且通过在约10毫瓦/平方厘米到约500毫瓦/平方厘米下辐照约1秒到约50秒来固化。
阻挡叠层包括有机层和无机层,其中有机层和无机层的总数目不受限制。有机层和无机层的总数目可取决于对氧和/或水分和/或水汽和/或化学物质的渗透阻抗的水平而变化。举例来说,有机层和无机层的总数目可为10层或小于10层,例如2层到7层,具体地说,其可以是按无机层/有机层/无机层/有机层/无机层/有机层/无机层的顺序形成的7个层。
在阻挡叠层中,有机层和无机层可交替地沉积。这是由于上文所描述的组合物的物理性质对有机层产生的影响。因此,有机层和无机层可补充或增强装置的封装效果。
现将参考图2描述本发明的另一实施例的有机发光装置显示设备。图2为本发明的另一实施例的有机发光装置显示设备的横截面图。
参考图2,有机发光装置显示设备200包含衬底10、形成在衬底10上的有机发光装置20以及形成在有机发光装置20上且包含无机层31和有机层32的阻挡叠层30,其中无机层31封装容纳有机发光装置20的内部空间40,且有机层32可由本发明实施例的用于封装有机发光装置的组合物形成。除了无机层不与有机发光装置接触之外,其与根据本发明的一个实施例的有机发光装置显示设备基本上相同。
下文中,将参考本发明的优选实施例更详细地描述本发明的配置和操作。然而,应注意,这呈现为本发明的优选实例且不能理解为以任何方式限制本发明。
制备实例:式6-2的制备
将300毫升的乙酸乙酯放置在装备有冷却管和搅拌棒的1000毫升烧瓶中,向其中放置21克的3,3-二苯基-1,1,5,5-四甲基三硅氧烷和43克的烯丙醇(大井化学金属公司(DAEJUNG CHEMICALS&METALS CO.,LTD))且利用氮气吹扫30分钟,接着在碳黑粉末(奥德里奇(Aldrich))上添加72ppm的Pt,且将烧瓶中的温度升高到80℃并搅拌4小时。通过蒸馏去除残余溶剂。将71.5克的所获得化合物放置在300毫升的二氯甲烷中,添加39克的三乙胺,且缓慢地添加30.2克的甲基丙烯酰氯同时在0℃下搅拌。通过蒸馏去除残余溶剂,以获得HPLC纯度为96%的式6-2化合物。(1H NMR:δ7.52,m,6H;δ7.42,m,4H;δ6.25,d,2H;δ6.02,dd,2H;δ5.82,t,1H;δ5.59,d,2H;δ3.86,m,4H;δ1.52,m,4H;δ0.58,m,4H;δ0.04,m,12H)
实例和比较例中使用的组分的具体标准如下。
(A1)DCP-A(共荣社(Kyoeisha),三环癸烷二甲醇二丙烯酸酯)
(A2)丙烯酸异冰片酯(兴和(Kowa))
(A3)丙烯酸2-金刚烷酯(TCI)
(B1)1,12-十二烷二醇二丙烯酸酯(沙多玛(Sartomer))
(B2)丙烯酸2-癸基十四烷酯(共荣社)
(B3)三羟甲基丙烷三丙烯酸酯(韩农商业公司(HanNong Commercial Co.,Ltd.))
(B4)丙烯酸月桂酯(韩农商业公司)
(C1)丙烯酸2-苯基苯氧基乙酯(M1142,美源商业公司(Miwon Commercial Co.,Ltd.))
(C2)在制备实例中制备的式6-2
(D)引发剂:德牢固(Darocur)TPO(BASF)(磷引发剂)
实例1
通过以下来制备封装组合物:将48重量份的(A1)、29重量份的(B1)、20重量份的(C1)以及3重量份的(E)放置在125毫升棕色聚丙烯瓶中且使用震荡器将其在室温下混合3小时。
实例2到实例11
除了如表1所示(单位:重量份)改变实例1中的每一组分的含量之外,以与实例1相同的方式制备封装组合物。在下文表1中,“-”意指不含有对应组分。
比较例1到比较例6
除了如表2所示(单位:重量份)改变实例1中的每一组分的含量之外,以与实例1相同的方式制备封装组合物。在下表2中,“-”意指不含有对应组分。
测量实例和比较例中制备的组合物的以下物理性质,且结果展示于表1和表2中。
(1)粘度(单位:厘泊):使用粘度计LV DV-II Pro(博勒飞公司(BrookfieldCorporation)在24.8℃下以轴数(轴号)40测量实例和比较例的封装组合物的粘度。
(2)等离子体蚀刻速率(单位:%):封装组合物沉积在Si晶片上,且在100毫瓦/平方厘米下以UV波长的光辐照组合物10秒以光固化组合物,从而形成有机层。在光固化之后,测量有机层的初始厚度(T1,单位:微米)。在以下条件下使用ICP CVD(BMR技术)处理电感耦合等离子体的处理之后测量有机层的厚度(T2,单位:微米):ICP功率:2500瓦,RE功率:300瓦,DC偏压:200伏,Ar流速:50sccm,蚀刻时间:1分钟,压力:10毫托。通过以下等式1计算等离子体对有机层的蚀刻速率。通过FE-SEM日立高新技术公司来测量有机层的高度(厚度)。
[等式1]
等离子体对有机层的蚀刻速率(%)=[(T1-T2)/T1]×100
(3)光固化率(单位:%):使用FT-IR(尼高力(NICOLET)4700,赛默(Thermo))测量封装组合物的吸收峰值的强度在1635cm-1(C═C)和1720cm-1(C═O)附近。封装组合物通过喷射施加到玻璃衬底上,且通过在100毫瓦/平方厘米下辐照10秒来经UV固化,以获得20厘米×20厘米×3微米(宽度×长度×厚度)的样本。固化膜被分级,且使用FT-IR(尼高力4700,赛默)测量吸收峰值的强度在1635cm-1(C═C)附近及1720cm-1(C═O)周围。根据以下等式2计算光固化率。
[等式2]
光固化率(%)=|1-(A/B)|×100
其中,A为固化膜的1635cm-1附近的吸收峰值的强度与1720cm-1附近的吸收峰值的强度的比率,且
B为封装组合物的1635cm-1附近的吸收峰值的强度与1720cm-1附近的吸收峰值的强度的比率。
(4)介电常数(无单位):通过以下形成厚度为8微米的涂覆膜:将实例和比较例中的每一个的封装组合物在铬(Cr)板上施加到预定厚度,且在100毫瓦/平方厘米下以UV波长的光辐照涂覆膜10秒,以光固化涂覆膜。在将铝或银电极沉积在涂覆膜上之后,利用阻抗计(RDMS-200)在200千赫兹和25℃下测量介电常数。
(5)铅笔硬度(无单位):封装组合物被涂覆在玻璃衬底上,且通过在100毫瓦/平方厘米下光辐照10秒来UV固化,以获得有机层样本。测量有机层样本的铅笔硬度。使用三菱(Mitsubishi)的电铅笔硬度测试仪(CT-PC2)和6B-9H铅笔来进行铅笔硬度测量。样本上的铅笔负载为500克,铅笔拉伸角度为45°,且铅笔拉伸速度为48毫米/分钟。当在评估五次之后一次或多次产生刮痕时,使用具有下一较低铅笔硬度的铅笔执行测量,且在所有五次评估中没有刮痕时,获得最大铅笔硬度值。
[表1]
*比率:组合物中的总单官能光固化单体的含量(组合物中的单官能光固化单体的总量)与总光固化单体成分的含量(组合物中的光固化单体的总量)的重量比
[表2]
*比率:组合物中的总单官能光固化单体的含量(组合物中的单官能光固化单体的总量)与总光固化单体成分的含量(组合物中的光固化单体的总量)的重量比
如表1中所示,用于封装有机发光装置的组合物提供在固化之后具有低介电常数和良好等离子体阻抗的有机层。因此,本发明提供一种能够在固化之后形成具有低介电常数的有机层的用于封装有机发光装置的组合物。并且,本发明提供一种能够在固化之后形成等离子体阻抗极佳的有机层的用于封装有机发光装置的组合物。
另一方面,如表2中所示,并不包括本发明的式1化合物和非芳香族光固化单体中的任一个的比较例1到比较例6并不满足2.8或小于2.8的介电常数,且形成具有低等离子体阻抗的有机层。因此,并未获得本发明的效果。
应理解,所属领域的技术人员可以在不脱离本发明的精神和范围情况下进行各种修改、变化、更改以及等效实施例。
Claims (6)
1.一种用于封装有机发光装置的组合物,是由下式1表示的化合物、非芳香族光固化单体、芳香族光固化单体以及引发剂所组成:
[式1]
其中,
A、B、C以及D各自独立地为经取代或未经取代的C1到C20亚烷基、经取代或未经取代的C1到C20烷基醚基、经取代或未经取代的C1到C20仲氨基或叔氨基、经取代或未经取代的C6到C20亚芳基、经取代或未经取代的C7到C30芳基亚烷基或经取代或未经取代的C1到C20亚烷氧基;
E和F各自独立地为氢、经取代或未经取代的C1到C20烷基或经取代或未经取代的C6到C20芳基,
l、m以及n各自独立地为0或1,且l+m+n不为0,
Bl、Cm以及Dn能够各自独立地键联到A以形成经取代或未经取代的C1到C20亚烷基环,
Cm和Dn能够各自独立地键联到Bl以形成经取代或未经取代的C1到C20亚烷基环,或
Dn能够键联到Cm以形成经取代或未经取代的C1到C20亚烷基环,
X和Y为下式2:
[式2]
其中,*表示元素的键联位点,
R1为单键、经取代或未经取代的C1到C20亚烷基或经取代或未经取代的C6到C20亚芳基,且
R2为氢或甲基,且
a为0到5的整数,b为0到5的整数,且a+b为1到10的整数,
其中按固体含量计,所述组合物包括20重量%到75重量%的由式1表示的化合物、20重量%到75重量%的所述非芳香族光固化单体以及0.1重量%到5重量%的所述引发剂,
其中在固化之后,所述组合物在200千赫兹及25℃下具有2.8或小于2.8的介电常数,以及
其中所述组合物在23℃到27℃下具有7厘泊到50厘泊的粘度,
其中所述芳香族光固化单体由下式6表示:
[式6]
其中,
R15和R16各自独立地为单键、经取代或未经取代的C1到C20亚烷基、经取代或未经取代的C1到C30亚烷基醚基、*-N(R′)-R″-*,或*-O-R"-*,
*-N(R′)-R″-*中,*为元素的键联位点,R′为经取代或未经取代的C1到C30烷基,且R″为经取代或未经取代的C1到C20亚烷基,
*-O-R"-*中,*为元素的键联位点,且R"为经取代或未经取代的C1到C20亚烷基,
X1、X2、X3、X4、X5以及X6各自独立地为氢、经取代或未经取代的C1到C30烷基、经取代或未经取代的C1到C30烷基醚基、*-N(R')(R")、经取代或未经取代的C1到C30烷基硫醚基、经取代或未经取代的C6到C30芳基,或经取代或未经取代的C7到C30芳基烷基,
*-N(R')(R")中,*为元素的键联位点,R'和R"相同或不同且为氢或经取代或未经取代的C1到C30烷基,
X1、X2、X3、X4、X5以及X6中的一个或多个为经取代或未经取代的C6到C30芳基,
Y1和Y2各自独立地由下式7表示:
[式7]
其中,*为元素的键联位点,且R17为氢或甲基,且
n为0到30的整数或n的平均值为0到30。
3.根据权利要求1所述的用于封装有机发光装置的组合物,其中所述非芳香族光固化单体包括具有经取代或未经取代的C6到C30烷基的单(甲基)丙烯酸酯以及具有经取代或未经取代的C6到C30亚烷基的二(甲基)丙烯酸酯中的一个或多个。
4.根据权利要求1所述的用于封装有机发光装置的组合物,其中按固体含量计,所述组合物含有1重量%到40重量%的所述芳香族光固化单体。
5.根据权利要求1所述的用于封装有机发光装置的组合物,其中所述组合物中的总单官能光固化单体的含量与总光固化单体的含量的重量比为0.8或小于0.8。
6.一种有机发光装置显示设备,包括由如权利要求1到5中任一项所述的用于封装有机发光装置的组合物形成的有机层。
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