TW202130677A - 封裝有機發光裝置的組成物以及有機發光裝置顯示設備 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種用於封裝有機發光裝置的組成物，包括由式1表示的化合物、非芳香族光固化單體以及起始劑，以及一種包括由組成物形成的有機層的有機發光裝置顯示設備。所述組成物在固化之後降低電漿蝕刻速率且在固化之後還降低介電常數。
Description
本發明涉及一種用於封裝有機發光裝置的組成物以及一種包括由所述組成物製備的有機層的有機發光裝置顯示設備。更具體地說，本發明涉及一種用於封裝有機發光裝置的組成物以及一種包括由所述組成物製備的有機層的有機發光裝置顯示設備，所述組成物在固化之後降低電漿蝕刻速率且在固化之後還降低介電常數（電容率，ε）。
[相關申請的交叉引用]
本申請案要求在韓國知識產權局於2020年2月13日申請的韓國專利申請案第10-2020-0017893號以及於2021年1月28日申請的韓國專利申請案第10-2021-0012678號的權益，所述申請案的全部公開內容以引用的方式併入本文中。
當外部水分、氧或類似物滲透時，有機發光裝置容易受損且損失其功能，且可能降低可靠性。因此，應利用包含無機層和有機層的封裝層來封裝有機發光裝置，所述有機層由用於封裝有機發光裝置的組成物形成。
同時，在有機發光裝置顯示設備中，除了封裝層以外，各種顯示裝置分別額外層壓在上部部分和下部部分上。然而，從顯示裝置發出的各種電波、靜電波或電磁波不可避免地影響有機發光裝置。有機發光裝置可能發生故障或其功能可能因從這些顯示裝置發出的各種電波、靜電波或電磁波而抵消。
因此，需要具有封裝有機發光裝置同時具有低介電常數以便甚至在額外裝置堆疊在有機發光裝置上時仍最小化效果的基本功能。
本發明的背景技術描述於韓國公開案第10-2016-0150255號中。
本發明的一個目的是提供一種可在固化之後形成具有低介電常數的有機層的用於封裝有機發光裝置的組成物。
本發明的另一目的是提供一種可在固化之後形成具有極佳電漿阻抗的有機層的用於封裝有機發光裝置的組成物。
本發明的一個方面是一種用於封裝有機發光裝置的組成物。
一種用於封裝有機發光裝置的組成物包括由下式1表示的化合物、非芳香族光固化單體以及起始劑：
[式1]
其中，A、B、C、D、E、F、X、Y、l、m、n、a以及b如用於實施以下發明的具體內容中所定義。
式1化合物可包括式1-1、式1-2以及式1-3中的一或多個：
[式1-1]
其中，E、F、X、Y、a以及b如式1中所定義，
[式1-2]
其中，E、F、X、Y、a以及b如式1中所定義，
R3
為經取代或未經取代的C1
到C20
伸烷基，
[式1-3]
其中，E、F、X、Y、a以及b如式1中所定義，
R4
為經取代或未經取代的C1
到C20
伸烷基。
非芳香族光固化單體可包含具有經取代或未經取代的C6
到C30
烷基的單(甲基)丙烯酸酯以及具有經取代或未經取代的C6
到C30
伸烷基的二(甲基)丙烯酸酯中的至少一個。
按固體含量計，組成物可包括約20重量%到約75重量%的式1化合物、約20重量%到約75重量%的非芳香族光固化單體以及約0.1重量%到約5重量%的起始劑。
組成物可進一步包括芳香族光固化單體，所述芳香族光固化單體包括芳香族單(甲基)丙烯酸酯和芳香族二(甲基)丙烯酸酯中的至少一個。
芳香族單(甲基)丙烯酸酯和芳香族二(甲基)丙烯酸酯中的至少一個可進一步包括矽。
芳香族二(甲基)丙烯酸酯可由下式6表示，
[式6]
其中，R15
、R16
、X1
、X2
、X3
、X4
、X5
、X6
、Y1
、Y2
以及n如用於實施以下發明的具體內容中所定義。
按固體含量計，組成物可包括約20重量%到約75重量%的式1化合物、約20重量%到約75重量%的非芳香族光固化單體、約0.1重量%到約5重量%的起始劑，以及約1重量%到約40重量%的芳香族光固化單體。
組成物中的總單官能光固化單體的含量與總光固化單體的含量的重量比可為約0.8或小於0.8。
在固化之後，組成物可在200千赫茲及25℃下具有約2.8或小於2.8的介電常數。
本發明的有機發光裝置顯示設備包含由本發明的用於封裝有機發光裝置的組成物形成的有機層。
將參考附圖詳細描述本發明，使得所屬領域的技術人員可通過實例容易地實施本發明。本發明可以許多不同形式體現且不限於本文中所描述的實施例。在圖式中，省略與描述無關的部分以便清晰地說明本發明，且貫穿本說明書，利用相同附圖標號標示相同或類似組件。圖式中的每一組件的長度和大小用於描述本發明，且本發明不限於圖式中示出的組件的長度和大小。
如本文中所使用，「(甲基)丙烯醯基」意指丙烯醯基和/或甲基丙烯醯基。
在本說明書中，除非另外定義，否則「取代」可意指本發明的官能團的一或多個氫原子經以下取代：鹵素（F、Cl、Br或I）、羥基、硝基、氰基、亞氨基（=NH、=NR，R為C1
到C10
烷基）、氨基（-NH2
、-NH(R')、-N(R")(R''')（其中，R'、R"以及R'''各自獨立地為C1
到C10
烷基））、甲脒基、肼基或腙基、羧基、C1
到C20
烷基、C6
到C30
芳基、C3
到C30
環烷基、C1
到C30
雜芳基或C2
到C30
雜環烷基。
如本文中所使用，術語「芳基」是指其中環狀取代基的所有元素均具有p-軌道且這些p-軌道形成共軛的官能團。芳基包含單環、非稠合多環或稠合多環官能團。此處，稠合意指碳原子分開相鄰對的環形式。芳基還包含聯苯基、三聯苯基、四聯苯基或兩個或多於兩個芳基經由σ鍵連接的類似物。芳基可意指苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基、屈基等。
如本文中所使用，「伸烷氧基」可包含一或多個伸烷基與至少一個氧鍵聯的所有官能團。舉例來說，其可包含(伸烷基-氧)n
-伸烷基、(伸烷基-氧-伸烷基)n
-伸烷基、伸烷基-氧或-(氧-伸烷基)n
-，其中n為1到10的整數。
在本說明書中，「X到Y」意指X或大於X以及Y或小於Y（X≤且≤Y）。
根據本發明的一實施例的用於封裝有機發光裝置的組成物（下文稱為「組成物」）包含（A）由下式1表示的化合物、（B）非芳香族光固化單體以及（D）起始劑。因此，通過光固化本發明的組成物而形成的有機層具有相對於電漿的低蝕刻速率，且由此具有極佳電漿阻抗，從而延長有機發光裝置的使用期限，且由於低介電常數，向有機層賦予絕緣性能，因此，有可能抑制電波、靜電波或電磁波從無機層外部轉移到有機照明裝置，使得不損傷有機發光裝置在封裝層中的性能。
在一個實施例中，本發明的組成物可在固化之後具有約2.8或小於2.8、尤其約2.6到約2.8的介電常數。在這一範圍內，可極好地實現有機發光裝置的性能而不受外部靜電或電力影響。
在一個實施例中，根據以下等式1，本發明的組成物可在固化之後具有約6.0%或小於6.0%、尤其約0%到約6.0%的電漿蝕刻速率。在這一範圍中，在無機層於有機層上形成期間，有機層並不受損，從而延長有機發光裝置的使用期限。
[等式1]
電漿對有機層的蝕刻速率（%）= [(T1-T2)/T1] × 100
其中，T1表示有機層的初始厚度（單位：微米（μm）），所述有機層通過將組成物沉積在矽晶圓上且在100毫瓦/平方公分（mW/cm2
）下以UV波長的光輻照（irradiate）組成物10秒以光固化所述組成物而獲得，
T2表示在以下條件下於有機層上使用電感耦合電漿（inductively coupled plasma，ICP）CVD（BMR技術公司（BMR Technology Co., Ltd））利用ICP處理之後的有機層的厚度（單位：微米）：ICP功率：2500瓦，RE功率：300瓦，DC偏壓：200伏特，Ar流速：50 sccm，蝕刻時間：1分鐘，壓力：10毫托。
可通過FE-SEM（日立高新技術公司（Hitachi High Technologies Corporation））來測量有機層的厚度（或高度），但不限於此。
下文中，將詳細描述本發明的一個實施例的組成物中的每一組分。
（A）式1化合物
本發明的組成物包括作為光固化單體的下式1的化合物。本發明的組成物可僅在其包括下式1的化合物以及組分（B）時達成本發明的介電常數和電漿蝕刻速率：
[式1]
其中，
A、B、C以及D各自獨立地為經取代或未經取代的C1
到C20
伸烷基、經取代或未經取代的C1
到C20
烷基醚基、經取代或未經取代的C1
到C20
仲氨基或叔氨基、經取代或未經取代的C6
到C20
伸芳基、經取代或未經取代的C7
到C30
芳基伸烷基或經取代或未經取代的C1
到C20
伸烷氧基；
E和F各自獨立地為氫、經取代或未經取代的C1
到C20
烷基或經取代或未經取代的C6
到C20
芳基，
l、m以及n各自獨立地為0或1，且l+m+n不為0，
Bl
、Cm
以及Dn
能夠各自獨立地鍵聯到A以形成經取代或未經取代的C1
到C20
伸烷基環，
Cm
和Dn
能夠各自獨立地鍵聯到Bl
以形成經取代或未經取代的C1
到C20
伸烷基環，或
Dn
能夠鍵聯到Cm
以形成經取代或未經取代的C1
到C20
伸烷基環，
X和Y為下式2：
[式2]
（其中，*表示元素的鍵聯位點，
R1
為單鍵、經取代或未經取代的C1
到C20
伸烷基或經取代或未經取代的C6
到C20
伸芳基，且
R2
為氫或甲基），且
a為0到5的整數，b為0到5的整數，且a+b為1到10的整數。
在上式1中，在l為0時，即，B0
意指式1中不包含B，且在l為1時，即，Bl
意指式1中包含B。在上式1中，在m為0時，即，C0
意指式1中不包含C，且在m為1時，即，C1
意指式1中包含C。在上式1中，在n為0時，即，D0
意指式1中不包含D，且在其中n為1的情況下，D1
意指式1中包含D。
優選地，a和b各自為0到2的整數，且a+b可以是1到4的整數。
優選地，A、B、C以及D可各自獨立地為經取代或未經取代的C1
到C10
伸烷基。優選地，E和F可各自獨立地為氫或經取代或未經取代的C1
到C5
烷基。
在一個實施例中，式1化合物可包括以下式1-1、式1-2以及式1-3中的一或多個：
[式1-1]
其中，E、F、X、Y、a以及b如式1中所定義，
[式1-2]
其中，E、F、X、Y、a以及b如式1中所定義，
R3
為經取代或未經取代的C1
到C20
伸烷基。
[式1-3]
其中，E、F、X、Y、a以及b如式1中所定義，
R4
為經取代或未經取代的C1
到C20
伸烷基。
舉例來說，式1化合物可包含以下中的一或多個：(甲基)丙烯酸異冰片酯、包含(甲基)丙烯酸1-金剛烷酯和(甲基)丙烯酸2-金剛烷酯的(甲基)丙烯酸金剛烷酯、三環癸烷二甲醇二(甲基)丙烯酸酯以及(甲基)丙烯酸二環戊酯。
由於包含式1化合物以及組分（B）、組分（D）或組分（B）、組分（C）以及組分（D），因此應以相對於這些組分（B）、組分（C）以及組分（D）的預定量包含化合物。
在一個實施例中，按固體含量計，組成物中可包括20重量%到75重量%的式1化合物。在上述範圍中，可達到本發明的電漿蝕刻速率和介電常數。具體地說，按固體含量計，組成物中可包括例如以下量的式1化合物：約20重量%、21重量%、22重量%、23重量%、24重量%、25重量%、26重量%、27重量%、28重量%、29重量%、30重量%、31重量%、32重量%、33重量%、34重量%、35重量%、36重量%、37重量%、38重量%、39重量%、40重量%、41重量%、42重量%、43重量%、44重量%、45重量%、46重量%、47重量%、48重量%、49重量%、50重量%、51重量%、52重量%、53重量%、54重量%、55重量%、56重量%、57重量%、58重量%、59重量%、60重量%、61重量%、62重量%、63重量%、64重量%、65重量%、66重量%、67重量%、68重量%、69重量%、70重量%、71重量%、72重量%、73重量%、74重量%或75重量%，約20重量%到約70重量%、約30重量%到約70重量%以及約30重量%到約60重量%。
可利用所屬領域的技術人員已知的常規方法來製備及使用式1化合物，或可使用市售材料。
（B）非芳香族光固化單體
非芳香族光固化單體與組分（A）經歷固化反應以形成有機層。可包括適當含量範圍的非芳香族光固化單體，從而有助於通過使得包含本發明範圍的組分（A）來在固化本發明的組成物之後降低介電常數。非芳香族光固化單體不同於式1化合物。
在一個實施例中，按固體含量計，組成物中可包括介於約20重量%到約75重量%範圍內的量的非芳香族光固化單體，例如約20重量%、21重量%、22重量%、23重量%、24重量%、25重量%、26重量%、27重量%、28重量%、29重量%、30重量%、31重量%、32重量%、33重量%、34重量%、35重量%、36重量%、37重量%、38重量%、39重量%、40重量%、41重量%、42重量%、43重量%、44重量%、45重量%、46重量%、47重量%、48重量%、49重量%、50重量%、51重量%、52重量%、53重量%、54重量%、55重量%、56重量%、57重量%、58重量%、59重量%、60重量%、61重量%、62重量%、63重量%、64重量%、65重量%、66重量%、67重量%、68重量%、69重量%、70重量%、71重量%、72重量%、73重量%、74重量%或75重量%，尤其約25重量%到約70重量%，或約25重量%到約65重量%。在上述範圍內，組成物的光固化率增大，封裝層的強度增大，且還可確保本發明的介電常數。
非芳香族光固化單體是指具有至少一個光固化官能團而不具有芳香族基的單體。非芳香族光固化單體不同於上式1的化合物。優選地，非芳香族光固化單體可包含具有一或兩個(甲基)丙烯酸酯基的光固化單體。在包含具有一或兩個(甲基)丙烯酸酯基的光固化單體以及組分（A）和組分（D）時，可容易地實現本發明的效果。
在一個實施例中，非芳香族光固化單體可以是單官能或雙官能(甲基)丙烯酸酯。
舉例來說，非芳香族光固化單體可包含具有經取代或未經取代的C6
到C30
烷基的單(甲基)丙烯酸酯以及具有經取代或未經取代的C6
到C30
伸烷基的二(甲基)丙烯酸酯中的一或多個。在這種情況下，伸烷基的碳原子數僅指除二(甲基)丙烯酸酯基中的碳原子之外的伸烷基本身中的碳原子。
舉例來說，非芳香族光固化單體可由下式3表示：
[式3]
其中，
A為經取代或未經取代的C6
到C30
伸烷基，
Z1
和Z2
各自獨立地為氫或式4，且
Z1
和Z2
中的至少一個由下式4表示：
[式4]
其中*為元素的鍵聯位點，且R3
為氫或甲基。
優選地，在式3中，A可以是未經取代或經C6
到C10
烷基取代的C12
到C20
伸烷基。因此，通過使用帶有具有C12
到C20
伸烷基的長鏈伸烷基的二(甲基)丙烯酸酯，可能在與式1的化合物組合時進一步降低介電常數。
更具體地說，上式3的(甲基)丙烯酸酯可包含以下中的一或多個：(甲基)丙烯酸十四烷酯、包含(甲基)丙烯酸2-癸基十四烷酯和類似物的經取代(甲基)丙烯酸十四烷酯、癸二醇二(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸十一烷酯、十一烷二醇二(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸十二烷酯、十二烷二醇二(甲基)丙烯酸酯、十四烷二醇二(甲基)丙烯酸酯、二十醇(甲基)丙烯酸酯以及二十烷二醇二(甲基)丙烯酸酯。
在另一實施例中，除了上述通式3的單(甲基)丙烯酸酯和二(甲基)丙烯酸酯以外，非芳香族光固化單體可以是三官能或高於三官能(甲基)丙烯酸酯，且包含三(甲基)丙烯酸酯、四(甲基)丙烯酸酯以及六(甲基)丙烯酸酯中的一或多個。三(甲基)丙烯酸酯可包含C3
到C20
三醇、四醇、五醇或六醇的(甲基)丙烯酸酯，包含三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯以及二季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯。四(甲基)丙烯酸酯可包含C4
到C20
四醇、五醇或六醇的四(甲基)丙烯酸酯，包含季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯以及類似物。五(甲基)丙烯酸酯可進一步包含C4
到C20
五醇或六醇的五(甲基)丙烯酸酯，包含二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯以及類似物。六(甲基)丙烯酸酯可包含C4
到C20
六醇的六(甲基)丙烯酸酯，包含二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯以及類似物。
（D）起始劑
起始劑可包含但不限於能夠執行光固化反應的常規光聚合起始劑。舉例來說，光聚合起始劑可包含三嗪類起始劑、苯乙酮類起始劑、苯甲酮類起始劑、噻噸酮類起始劑、安息香類起始劑、磷類起始劑、肟類起始劑或其混合物。
磷類起始劑可以是二苯基(2,4,6-三甲基苯甲醯基)膦氧化物、苯甲基(二苯基)膦氧化物、雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)苯基膦氧化物，或其混合物。舉例來說，使用磷類起始劑可在本發明的組成物中在長波長UV下展示更好的引發性能。可含有單獨起始劑或含有呈兩個或多於兩個類別的組合的起始劑。
按固體含量計，組成物中可包括介於約0.1重量%到約5重量%範圍內的量的起始劑。在上述範圍中，在暴露時可發生足夠的光聚合，且可防止由於光聚合之後剩餘的未反應起始劑引起的透射比降低。
本發明的組成物可進一步包括（C）芳香族光固化單體。
（C）芳香族光固化單體
由於包含芳香族光固化單體以及組分（A）、組分（B）以及組分（D），因此應以相對於組分（A）、組分（B）以及組分（D）的預定量包含所述芳香族光固化單體。
在一個實施例中，按固體含量計，組成物中可包括介於約1重量%到約40重量%範圍內的量的芳香族光固化單體。在上述範圍內，易於相對於上文所描述的組分（A）調整含量，且可容易地達到本發明的電漿蝕刻速率和介電常數。具體地說，按固體含量計，組成物中可包括以下量的芳香族光固化單體：例如約1重量%、2重量%、3重量%、4重量%、5重量%、6重量%、7重量%、8重量%、9重量%、10重量%、11重量%、12重量%、13重量%、14重量%、15重量%、16重量%、17重量%、18重量%、19重量%、20重量%、21重量%、22重量%、23重量%、24重量%、25重量%、26重量%、27重量%、28重量%、29重量%、30重量%、31重量%、32重量%、33重量%、34重量%、35重量%、36重量%、37重量%、38重量%、39重量%或40重量%，約5重量%到約40重量%、約10重量%到約40重量%以及約20重量%到約40重量%。
芳香族光固化單體是指基本上由至少一個芳香族基組成且具有一或多個（具體地說，1個到6個）光固化官能團的單體。芳香族光固化單體不同於上式1的化合物。
具體地說，芳香族光固化單體可包含具有一個(甲基)丙烯酸酯基（芳香族單(甲基)丙烯酸酯）的光固化單體以及具有兩個(甲基)丙烯酸酯基（芳香族二(甲基)丙烯酸酯）的光固化單體中的至少一個。
在一個實施例中，芳香族光固化單體可進一步包括矽。在進一步含有矽的情況下，可能存在與不含有矽的情況相比黏度較低的效果，這有利於在噴墨製程中進行噴射，且與不含矽的芳香族光固化單體相比，在結合式1的化合物的情況下，介電常數降低。
在一個實施例中，矽可包含為矽氧烷（*-O-Si-O-*，其中*為元素的鍵聯位點）。
芳香族單(甲基)丙烯酸酯可包含具有經取代或未經取代的芳香族基的單(甲基)丙烯酸酯。此處，術語「芳香族基」意指包含稠合形式或通過σ鍵連接單環的形式的單環或多環芳香族基。舉例來說，芳香族基可指以下中的一或多個：經取代或未經取代的C6
到C50
芳基、經取代或未經取代的C7
到C50
芳基烷基、經取代或未經取代的C3
到C50
雜芳基以及經取代或未經取代的C1
到C50
雜芳基烷基。具體地說，芳香族基可以是以下中的一或多個：苯基、聯苯基、三聯苯基、四聯苯基、萘基、蒽基、菲基、屈基、聯伸三苯基、並四苯基、芘基、苯並芘基、稠五苯基、蔻基、莪基、心環烯基（corannulenyl）、苯甲基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、三嗪基、喹啉基、異喹啉基、喹喔啉基、吖啶基、喹唑啉基、噌啉基、酞嗪基、噻唑基、苯並噻唑基、異惡唑基、苯並異惡唑基、惡唑基、苯並惡唑基、吡唑基、吲唑基、咪唑基、苯並咪唑基、嘌呤基、噻吩基、苯並噻吩基、呋喃基、苯並呋喃基以及異苯並呋喃基。
舉例來說，芳香族單(甲基)丙烯酸酯可由下式5表示為不含有矽的非矽類型：
[式5]
其中，
R13
為氫或甲基，且s為0到10的整數，
R14
為經取代或未經取代的C6
到C50
芳基或經取代或未經取代的C6
到C50
芳氧基。
舉例來說，R14
可以是苯基苯氧基乙基、苯氧基乙基、苯甲基、苯基、苯基苯氧基、苯氧基、苯乙基、苯丙基、苯丁基、甲基苯基乙基、丙基苯氧基乙基、甲氧基苯乙基、環己基苯乙基、氯苯乙基、溴苯乙基、甲基苯基、甲基乙基苯基、甲氧苯基、丙基苯基、環己基苯基、氯苯基、溴苯基、苯基苯基、聯苯基、三聯苯基、四聯苯基、蒽基、萘基、聯伸三苯基、甲基苯氧基、乙基苯氧基、甲基乙基苯氧基、甲氧基苯氧基、丙基苯氧基、環己基苯氧基、氯苯氧基、溴苯氧基、聯苯氧基、三聯苯氧基、四聯苯氧基、蒽氧基、萘氧基或聯伸三苯氧基。
具體地說，芳香族單(甲基)丙烯酸酯可包含但不限於以下中的至少一個：(甲基)丙烯酸2-苯基苯氧基乙酯、(甲基)丙烯酸苯氧基乙酯、(甲基)丙烯酸苯酯、(甲基)丙烯酸苯氧酯、(甲基)丙烯酸2-乙基苯氧酯、(甲基)丙烯酸苯甲酯、(甲基)丙烯酸2-苯乙酯、(甲基)丙烯酸3-苯丙酯、(甲基)丙烯酸4-苯丁酯、(甲基)丙烯酸2-(2-甲基苯基)乙酯、(甲基)丙烯酸2-(3-甲基苯基)乙酯、(甲基)丙烯酸2-(4-甲基苯基)乙酯、(甲基)丙烯酸2-(4-丙基苯基)乙酯、(甲基)丙烯酸2-(4-(1-甲基)乙基)苯基)乙酯、(甲基)丙烯酸2-(4-甲氧苯基)乙酯、(甲基)丙烯酸2-(4-環己基苯基)乙酯、(甲基)丙烯酸2-(2-氯苯基)乙酯、(甲基)丙烯酸2-(3-氯苯基)乙酯、(甲基)丙烯酸2-(4-氯苯基)乙酯、(甲基)丙烯酸2-(4-溴苯基)乙酯、(甲基)丙烯酸2-(3-苯基苯基)乙酯、(甲基)丙烯酸4-(聯苯基-2-基氧基)丁酯、(甲基)丙烯酸3-(聯苯基-2-基氧基)丁酯、(甲基)丙烯酸2-(聯苯基-2-基氧基)丁酯、(甲基)丙烯酸1-(聯苯基-2-基氧基)丁酯、(甲基)丙烯酸4-(聯苯基-2-基氧基)丙酯、(甲基)丙烯酸3-(聯苯基-2-基氧基)丙酯、(甲基)丙烯酸2-(聯苯基-2-基氧基)丙酯、(甲基)丙烯酸1-(聯苯基-2-基氧基)丙酯、(甲基)丙烯酸4-(聯苯基-2-基氧基)乙酯、(甲基)丙烯酸3-(聯苯基-2-基氧基)乙酯、(甲基)丙烯酸2-(聯苯基-2-基氧基)乙酯、(甲基)丙烯酸1-(聯苯基-2-基氧基)乙酯、(甲基)丙烯酸2-(4-苯甲基苯基)乙酯、(甲基)丙烯酸1-(4-苯甲基苯基)乙酯，或其結構異構體。也就是說，另外，本發明中提及的(甲基)丙烯酸酯僅為實例且不限於此，且此外，本發明包含具有構象異構體關係的所有丙烯酸酯。舉例來說，雖然僅提及(甲基)丙烯酸2-苯乙酯作為本發明的實例，但本發明包含所有異構體，包含(甲基)丙烯酸3-苯乙酯和(甲基)丙烯酸4-苯乙酯。
具體地說，在式5中，s為1到5的整數，R14
可以是經取代或未經取代的苯基苯氧基、經取代或未經取代的苯基苯硫醇、經取代或未經取代的聯苯基苯氧基或經取代或未經取代的三聯苯基苯氧基。在「經取代或未經取代」中，取代基可以是氘、C1
到C10
烷基、C1
到C10
烷氧基、C6
到C18
芳基、C3
到C18
雜芳基或硫醇基。
芳香族二(甲基)丙烯酸酯可包括進一步具有矽的二(甲基)丙烯酸酯。舉例來說，芳香族二(甲基)丙烯酸酯可由下式6表示：
[式6]
其中，
R15
和R16
各自獨立地為單鍵、經取代或未經取代的C1
到C20
伸烷基、經取代或未經取代的C1
到C30
伸烷基醚基、*-N(R')- R"-*（*為元素的鍵聯位點，R'為經取代及未經取代的C1
到C30
烷基，且R"為經取代或未經取代的C1
到C20
伸烷基）、經取代或未經取代的C6
到C30
伸芳基、經取代或未經取代的C7
到C30
芳基伸烷基，或*-O-R"-*（其中，*為元素的鍵聯位點，且R"為經取代或未經取代的C1
到C20
伸烷基），
X1
、X2
、X3
、X4
、X5
以及X6
各自獨立地為氫、經取代或未經取代的C1
到C30
烷基、經取代或未經取代的C1
到C30
烷基醚基、*-N(R')(R")（其中，*為元素的鍵聯位點，R'和R"相同或不同且為氫或經取代或未經取代的C1
到C30
烷基）、經取代或未經取代的C1
到C30
烷基硫醚基、經取代或未經取代的C6
到C30
芳基，或經取代或未經取代的C7
到C30
芳基烷基，
X1
、X2
、X3
、X4
、X5
以及X6
中的至少一個為經取代或未經取代的C6
到C30
芳基，
Y1
和Y2
各自獨立地由下式7表示：
[式7]
其中*為元素的鍵聯位點，且R17
為氫或甲基，
n為0到30的整數或n的平均值為0到30。
術語「單鍵」意指Si和Y1
在無任何中間元素的情況下直接連接（Y1
-Si），或Si和Y2
在無任何中間元素的情況下直接連接（Si-Y2
）。
具體地說，R15
和R16
可以是C1
到C5
伸烷基或單鍵。具體地說，X1
、X2
、X3
、X4
、X5
以及X6
可以是C1
到C5
烷基或C6
到C10
芳基，且X1
、X2
、X3
、X4
、X5
以及X6
中的至少一個可以是C6
到C10
芳基。更具體地說，X1
、X2
、X3
、X4
、X5
以及X6
為C1
到C5
烷基或C6
到C10
芳基，且X1
、X2
、X3
、X4
、X5
以及X6
中的一個、兩個、三個或六個可以是C6
到C10
芳基。更具體地說，X1
、X2
、X3
、X4
、X5
以及X6
為甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、苯基或萘基，且X1
、X2
、X3
、X4
、X5
以及X6
中的一個、兩個、三個或六個可以是苯基或萘基，且n可以是1到5的整數。
具體地說，芳香族二(甲基)丙烯酸酯可由下式6-1到式6-6中的任一個表示：
[式6-1]
[式6-2]
[式6-3]
[式6-4]
[式6-5]
[式6-6]
。
芳香族二(甲基)丙烯酸酯可通過常規方法製備，或可使用市售產品。舉例來說，可通過使具有至少一個矽鍵聯的芳基的矽氧烷化合物與擴展碳數的化合物（例如，烯丙醇）反應以及使(甲基)丙烯醯氯反應來製備芳香族二(甲基)丙烯酸酯，但不限於此。替代地，可通過使(甲基)丙烯醯氯與具有至少一個矽鍵聯的芳基的矽氧烷化合物反應來製備矽類二(甲基)丙烯酸酯。
在一個實施例中，組成物中的總單官能光固化單體的含量（組成物中的單官能光固化單體的總量）與總光固化單體的含量（組成物中的光固化單體的總量）的重量比可為約0.8或小於0.8，例如約0、0.05、0.1、0.15、0.2、0.25、0.3、0.35、0.4、0.45、0.5、0.55、0.6、0.65、0.7、0.75或0.8，例如約0到約0.8、約0到約0.6、約0.55到約0.8。在上述範圍內，有可能輕易地獲得減小介電常數的效果，提高電漿蝕刻速率，且改進固化率，例如確保固化。
本發明的組成物可通過混合組分（A）、組分（B）以及（D）或通過進一步混合組分（C）來形成。舉例來說，本發明的組成物可以不包括溶劑的無溶劑類型形成。
本發明的組成物為光固化組成物，並且可通過在UV波長下於約10毫瓦/平方公分到約500毫瓦/平方公分下輻照約1秒到約50秒來光固化，以形成封裝層。
本發明的組成物可進一步包括所屬領域的技術人員已知的常規添加劑。添加劑可包含但不限於熱穩定劑、抗氧化劑、UV吸收劑以及類似物。
本發明的組成物可在25±2℃（23℃到27℃）下具有約7厘泊到約50厘泊的黏度。在這一範圍中，封裝組成物的沉積可為可能的。
本發明的組成物可具有約85%或大於85%、尤其約90%到約100%的光固化率。在上述範圍中，由組成物形成的有機層的膜強度極佳，且可延長裝置使用期限。因此，由本發明的組成物形成的固化膜或有機層可具有約H或大於H（例如約H到約5H）的鉛筆硬度。在上述範圍中，由組成物形成的有機層的膜強度極佳，且可延長裝置使用期限。
本發明的組成物可用以封裝有機發光裝置。具體地說，組成物可形成呈封裝結構的有機層，在所述封裝結構中，無機層與有機層依序地形成。
本發明的組成物還可用作裝置的部件，尤其顯示裝置的部件，以用於封裝裝置的可能由於周圍環境中的氣體或液體（例如大氣中的氧和/或水分，和/或水汽）以及處理期間使用的化學物質滲透到電子產品中而引起的劣化或變得有缺陷的部件。舉例來說，裝置的部件可以是（但不限於）照明裝置、金屬感應墊、微型雷射器、電致變色裝置、光致變色裝置、微機電系統、太陽能電池、積體電路、電荷耦合裝置、發光聚合物以及類似物。
本發明的有機發光裝置顯示設備可包含由本發明的一個實施例的用於封裝有機發光裝置的組成物形成的有機層。具體地說，有機發光裝置顯示設備可包含有機發光裝置和阻擋疊層，所述阻擋疊層形成在有機發光裝置上且包含無機層和有機層，且所述有機層可由本發明的實施例的用於封裝有機發光裝置的組成物形成。因此，可改進有機發光裝置顯示設備的可靠性。
現將參考圖1描述本發明的實施例的有機發光裝置顯示設備。圖1為本發明的實施例的有機發光裝置顯示設備的橫截面圖。
參考圖1，有機發光裝置顯示設備100包含基底10、形成在基底10上的有機發光裝置20以及形成在有機發光裝置20上且包含無機層31和有機層32的阻擋疊層30，其中無機層31與有機發光裝置20接觸，且有機層32可由本發明實施例的用於封裝有機發光裝置的組成物形成。
基底10不受特定限制，只要其為可在其上形成有機發光裝置的基底即可。舉例來說，其可由例如透明玻璃、塑料薄片、矽或金屬基底等的材料製成。
有機發光裝置顯示裝置中常規地使用有機發光裝置20，且雖然圖1中未繪示，但包含第一電極、第二電極以及形成在第一電極與第二電極之間的有機發光膜，所述有機發光膜可以是空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層以及電子注入層依序堆疊的膜，但不限於此。
阻擋疊層30包含有機層和無機層，且構成有機層和無機層的組分彼此不同，使得可封裝有機發光裝置。
由於無機層具有與有機層的組分不同的組分，因此可補充有機層的效果。舉例來說，無機層可以是金屬、非金屬、金屬間化合物或合金、非金屬化合物或合金、金屬或非金屬氧化物、金屬或非金屬氟化物、金屬或非金屬氮化物、金屬或非金屬碳化物、金屬或非金屬氮氧化物、金屬或非金屬硼化物、金屬或非金屬硼氧化物、金屬或非金屬矽化物，或其混合物。金屬或非金屬可以是（但不限於）矽（Si）、鋁（Al）、硒（Se）、鋅（Zn）、銻（Sb）、銦（In）、鍺（Ge）、錫（Sn）、鉍（Bi）、過渡金屬、鑭系金屬或類似物。具體地說，無機層可以是AlOx
、In2
O3
或SnO2
，包含氧化矽（SiOx
）、氮化矽（SiNx
）、氮氧化矽（SiOx
Ny
）、ZnSe、ZnO、Sb2
O3 、
Al2
O3
等。
無機層可在以下各項中沉積：電漿製程、例如濺鍍的真空製程、化學氣相沉積、電漿化學氣相沉積、蒸鍍、昇華、電子回旋共振-電漿氣相沉積，以及其組合。
在有機層與無機層交替地沉積時，有可能確保無機層的平滑性質且防止無機層中的缺陷傳播到另一無機層。
可通過對本發明實施例的用於封裝有機發光裝置的組成物進行塗覆、氣相沉積、固化以及類似物的組合來形成有機層。舉例來說，用於封裝有機發光裝置的組成物可塗覆到約1微米到約50微米的厚度，且通過在約10毫瓦/平方公分到約500毫瓦/平方公分下輻照約1秒到約50秒來固化。
阻擋疊層包括有機層和無機層，其中有機層和無機層的總數目不受限制。有機層和無機層的總數目可取決於對氧和/或水分和/或水汽和/或化學物質的滲透阻抗的水平而變化。舉例來說，有機層和無機層的總數目可為10層或小於10層，例如2層到7層，具體地說，其可以是按無機層/有機層/無機層/有機層/無機層/有機層/無機層的順序形成的7個層。
在阻擋疊層中，有機層和無機層可交替地沉積。這是由於上文所描述的組成物的物理性質對有機層產生的影響。因此，有機層和無機層可補充或增強裝置的封裝效果。
現將參考圖2描述本發明的另一實施例的有機發光裝置顯示設備。圖2為本發明的另一實施例的有機發光裝置顯示設備的橫截面圖。
參考圖2，有機發光裝置顯示設備200包含基底10、形成在基底10上的有機發光裝置20以及形成在有機發光裝置20上且包含無機層31和有機層32的阻擋疊層30，其中無機層31封裝容納有機發光裝置20的內部空間40，且有機層32可由本發明實施例的用於封裝有機發光裝置的組成物形成。除了無機層不與有機發光裝置接觸之外，其與根據本發明的一個實施例的有機發光裝置顯示設備基本上相同。
下文中，將參考本發明的優選實施例更詳細地描述本發明的配置和操作。然而，應注意，這呈現為本發明的優選實例且不能理解為以任何方式限制本發明。製備實例 ： 式 6-2 的製備
將300毫升的乙酸乙酯放置在裝備有冷卻管和攪拌棒的1000毫升燒瓶中，向其中放置21克的3,3-二苯基-1,1,5,5-四甲基三矽氧烷和43克的烯丙醇（大井化學金屬公司（DAEJUNG CHEMICALS & METALS CO.,LTD））且利用氮氣吹掃30分鐘，接著在碳黑粉末（奧德裡奇（Aldrich））上添加72 ppm的Pt，且將燒瓶中的溫度升高到80℃並攪拌4小時。通過蒸餾去除殘餘溶劑。將71.5克的所獲得化合物放置在300毫升的二氯甲烷中，添加39克的三乙胺，且緩慢地添加30.2克的甲基丙烯醯氯同時在0℃下攪拌。通過蒸餾去除殘餘溶劑，以獲得HPLC純度為96%的式6-2化合物。（1
H NMR: δ 7.52, m, 6H; δ 7.42, m, 4H; δ 6.25, d, 2H; δ 6.02, dd, 2H; δ 5.82, t, 1H; δ 5.59, d, 2H; δ 3.86, m, 4H; δ 1.52, m, 4H; δ 0.58, m, 4H; δ 0.04, m, 12H）
實例和比較例中使用的組分的具體標準如下。
（A1）DCP-A（共榮社（Kyoeisha），三環癸烷二甲醇二丙烯酸酯）
（A2）丙烯酸異冰片酯（興和（Kowa））
（A3）丙烯酸2-金剛烷酯（TCI）
（B1）1,12-十二烷二醇二丙烯酸酯（沙多瑪（Sartomer））
（B2）丙烯酸2-癸基十四烷酯（共榮社）
（B3）三羥甲基丙烷三丙烯酸酯（韓農商業公司（HanNong Commercial Co.,Ltd.））
（B4）丙烯酸月桂酯（韓農商業公司）
（C1）丙烯酸2-苯基苯氧基乙酯（M1142，美源商業公司（Miwon Commercial Co.,Ltd.））
（C2）在製備實例中製備的式6-2
（D）起始劑：德牢固（Darocur）TPO（BASF）（磷起始劑）實例 1
通過以下來製備封裝組成物：將48重量份的（A1）、29重量份的（B1）、20重量份的（C1）以及3重量份的（E）放置在125毫升棕色聚丙烯瓶中且使用震盪器將其在室溫下混合3小時。實例 2 到實例 11
除了如表1所示（單位：重量份）改變實例1中的每一組分的含量之外，以與實例1相同的方式製備封裝組成物。在下文表1中，「-」意指不含有對應組分。比較例 1 到比較例 6
除了如表2所示（單位：重量份）改變實例1中的每一組分的含量之外，以與實例1相同的方式製備封裝組成物。在下表2中，「-」意指不含有對應組分。
測量實例和比較例中製備的組成物的以下物理性質，且結果展示於表1和表2中。
（1）黏度（單位：厘泊）：使用黏度計LV DV-II Pro（博勒飛公司（Brookfield Corporation）在24.8℃下以軸數（軸號）40測量實例和比較例的封裝組成物的黏度。
（2）電漿蝕刻速率（單位：%）：封裝組成物沉積在Si晶圓上，且在100毫瓦/平方公分下以UV波長的光輻照組成物10秒以光固化組成物，從而形成有機層。在光固化之後，測量有機層的初始厚度（T1，單位：微米）。在以下條件下使用ICP CVD（BMR技術）處理電感耦合電漿的處理之後測量有機層的厚度（T2，單位：微米）：ICP功率：2500瓦，RE功率：300瓦，DC偏壓：200伏特，Ar流速：50 sccm，蝕刻時間：1分鐘，壓力：10毫托。通過以下等式1計算電漿對有機層的蝕刻速率。通過FE-SEM日立高新技術公司來測量有機層的高度（厚度）。
[等式1]
電漿對有機層的蝕刻速率（%）= [(T1-T2)/T1] × 100
（3）光固化率（單位：%）：使用FT-IR（尼高力（NICOLET）4700，賽默（Thermo））測量封裝組成物的吸收峰值的強度在1635 cm-1
（C═C）和1720 cm-1
（C═O）附近。封裝組成物通過噴射施加到玻璃基底上，且通過在100毫瓦/平方公分下輻照10秒來經UV固化，以獲得20公分×20公分×3微米（寬度×長度×厚度）的樣本。固化膜被分級，且使用FT-IR（尼高力4700，賽默）測量吸收峰值的強度在1635 cm-1
（C═C）附近及1720 cm-1
（C═O）周圍。根據以下等式2計算光固化率。
[等式2]
光固化率（%）= |1-(A/B)| × 100
其中，A為固化膜的1635 cm-1
附近的吸收峰值的強度與1720 cm-1
附近的吸收峰值的強度的比率，且
B為封裝組成物的1635 cm-1
附近的吸收峰值的強度與1720 cm-1
附近的吸收峰值的強度的比率。
（4）介電常數（無單位）：通過以下形成厚度為8微米的塗覆膜：將實例和比較例中的每一個的封裝組成物在鉻（Cr）板上施加到預定厚度，且在100毫瓦/平方公分下以UV波長的光輻照塗覆膜10秒，以光固化塗覆膜。在將鋁或銀電極沉積在塗覆膜上之後，利用阻抗計（RDMS-200）在200千赫茲和25℃下測量介電常數。
（5）鉛筆硬度（無單位）：封裝組成物被塗覆在玻璃基底上，且通過在100毫瓦/平方公分下光輻照10秒來UV固化，以獲得有機層樣本。測量有機層樣本的鉛筆硬度。使用三菱（Mitsubishi）的電鉛筆硬度測試儀（CT-PC2）和6B-9H鉛筆來進行鉛筆硬度測量。樣本上的鉛筆負載為500克，鉛筆拉伸角度為45°，且鉛筆拉伸速度為48毫米/分鐘。當在評估五次之後一次或多次產生刮痕時，使用具有下一較低鉛筆硬度的鉛筆執行測量，且在所有五次評估中沒有刮痕時，獲得最大鉛筆硬度值。
[表1]
| 實例 | ||||||||||||
| 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | ||
| A | A1 | 48 | - | - | 48 | - | - | 21 | 20 | - | 30 | - |
| A2 | - | 48 | - | - | 48 | 38 | 38 | - | 38 | - | 20 | |
| A3 | - | - | 48 | - | - | - | - | - | - | - | - | |
| B | B1 | 29 | 29 | 29 | 29 | 29 | 21 | - | 38 | 20 | 67 | - |
| B2 | - | - | - | - | - | 38 | 38 | 39 | 39 | - | 39 | |
| C | C1 | 20 | 20 | 20 | - | - | - | - | - | - | - | - |
| C2 | - | - | - | 20 | 20 | - | - | - | - | - | 38 | |
| D | 3 | 3 | 3 | 3 | 3 | 3 | 3 | 3 | 3 | 3 | 3 | |
| 比率 | 0.206 | 0.701 | 0.701 | 0 | 0.495 | 0.784 | 0.784 | 0.402 | 0.794 | 0 | 0.608 | |
| 黏度 | 32.1 | 35.2 | 36.5 | 41.2 | 42.6 | 12 | 17.6 | 19.2 | 12.5 | 20.2 | 30.0 | |
| 電漿蝕刻速率 | 5.8 | 5.9 | 5.7 | 5.6 | 6.0 | 6.0 | 5.9 | 5.7 | 5.5 | 5.7 | 5.9 | |
| 光固化率 | 92.4 | 92.1 | 93.5 | 94.1 | 93.7 | 92.5 | 93.2 | 91.2 | 92.7 | 94.3 | 91.1 | |
| 介電常數 | 2.75 | 2.72 | 2.77 | 2.68 | 2.67 | 2.62 | 2.61 | 2.7 | 2.6 | 2.8 | 2.6 | |
| 鉛筆硬度 | 5H | 3H | 3H | 5H | 2H | 2H | H | 4H | H | 5H | 2H |
*比率：組成物中的總單官能光固化單體的含量（組成物中的單官能光固化單體的總量）與總光固化單體成分的含量（組成物中的光固化單體的總量）的重量比。
[表2]
| 比較例 | |||||||
| 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | ||
| A | A1 | - | 48 | - | - | - | 40 |
| A2 | - | - | - | - | - | 57 | |
| A3 | - | - | - | - | - | - | |
| B | B1 | 63 | - | 97 | - | - | - |
| B2 | - | - | - | 87 | - | - | |
| B3 | - | - | - | 10 | 47 | - | |
| B4 | - | - | - | - | 50 | - | |
| C | C1 | 34 | 49 | - | - | - | - |
| C2 | - | - | - | - | - | - | |
| D | 3 | 3 | 3 | 3 | 3 | 3 | |
| 比率 | 0.351 | 0.505 | 0 | 0.897 | 0.515 | 0.588 | |
| 黏度 | 21.1 | 45.5 | 12.5 | 20 | 14 | 25 | |
| 電漿蝕刻速率 | 6.1 | 7.2 | 8.2 | 8.1 | 8.7 | 6.3 | |
| 光固化率 | 92.1 | 92.1 | 87.5 | 85.5 | 84.5 | 91.1 | |
| 介電常數 | 3.0 | 3.10 | 3.05 | 2.8 | 3.2 | 3.2 | |
| 鉛筆硬度 | 3H | 5H | 2H | 3B | 3B | B |
*比率：組成物中的總單官能光固化單體的含量（組成物中的單官能光固化單體的總量）與總光固化單體成分的含量（組成物中的光固化單體的總量）的重量比。
如表1中所示，用於封裝有機發光裝置的組成物提供在固化之後具有低介電常數和良好電漿阻抗的有機層。因此，本發明提供一種能夠在固化之後形成具有低介電常數的有機層的用於封裝有機發光裝置的組成物。並且，本發明提供一種能夠在固化之後形成電漿阻抗極佳的有機層的用於封裝有機發光裝置的組成物。
另一方面，如表2中所示，並不包括本發明的式1化合物和非芳香族光固化單體中的任一個的比較例1到比較例6並不滿足2.8或小於2.8的介電常數，且形成具有低電漿阻抗的有機層。因此，並未獲得本發明的效果。
應理解，所屬領域的技術人員可以在不脫離本發明的精神和範圍情況下進行各種修改、變化、更改以及等效實施例。
10:基底
20:有機發光裝置
30:阻擋疊層
31:無機層
32:有機層
40:內部空間
100、200:有機發光裝置顯示設備
圖1為根據本發明的一實施例的有機發光顯示設備的橫截面圖。
圖2為根據本發明的另一實施例的有機發光顯示設備的橫截面圖。
10:基底
20:有機發光裝置
30:阻擋疊層
31:無機層
32:有機層
100:有機發光裝置顯示設備
Claims (11)
- 一種用於封裝有機發光裝置的組成物，包括由下式1表示的化合物、非芳香族光固化單體以及起始劑： [式1]其中， A、B、C以及D各自獨立地為經取代或未經取代的C1 到C20 伸烷基、經取代或未經取代的C1 到C20 烷基醚基、經取代或未經取代的C1 到C20 仲氨基或叔氨基、經取代或未經取代的C6 到C20 伸芳基、經取代或未經取代的C7 到C30 芳基伸烷基或經取代或未經取代的C1 到C20 伸烷氧基； E和F各自獨立地為氫、經取代或未經取代的C1 到C20 烷基或經取代或未經取代的C6 到C20 芳基， l、m以及n各自獨立地為0或1，且l+m+n不為0， Bl 、Cm 以及Dn 能夠各自獨立地鍵聯到A以形成經取代或未經取代的C1 到C20 伸烷基環， Cm 和Dn 能夠各自獨立地鍵聯到Bl 以形成經取代或未經取代的C1 到C20 伸烷基環，或 Dn 能夠鍵聯到Cm 以形成經取代或未經取代的C1 到C20 伸烷基環， X和Y為下式2： [式2]
其中，*表示元素的鍵聯位點， R1 為單鍵、經取代或未經取代的C1 到C20 伸烷基或經取代或未經取代的C6 到C20 伸芳基，且 R2 為氫或甲基，且 a為0到5的整數，b為0到5的整數，且a+b為1到10的整數。
- 如請求項1所述的用於封裝有機發光裝置的組成物，其中式1的化合物包括以下式1-1、式1-2以及式1-3中的一個或多個： [式1-1]其中，E、F、X、Y、a以及b如式1中所定義， [式1-2]
其中，E、F、X、Y、a以及b如式1中所定義， R3 為經取代或未經取代的C1 到C20 伸烷基，且 [式1-3]
其中，E、F、X、Y、a以及b如式1中所定義， R4 為經取代或未經取代的C1 到C20 伸烷基。
- 如請求項1所述的用於封裝有機發光裝置的組成物，其中所述非芳香族光固化單體包括具有經取代或未經取代的C6 到C30 烷基的單(甲基)丙烯酸酯以及具有經取代或未經取代的C6 到C30 伸烷基的二(甲基)丙烯酸酯中的一個或多個。
- 如請求項1所述的用於封裝有機發光裝置的組成物，其中按固體含量計，所述組成物包括20重量%到75重量%的由式1表示的化合物、20重量%到75重量%的所述非芳香族光固化單體以及0.1重量%到5重量%的所述起始劑。
- 如請求項1所述的用於封裝有機發光裝置的組成物，其中所述組成物進一步包括芳香族光固化單體，所述芳香族光固化單體包括芳香族單(甲基)丙烯酸酯和芳香族二(甲基)丙烯酸酯中的一個或多個。
- 如請求項5所述的用於封裝有機發光裝置的組成物，其中所述芳香族單(甲基)丙烯酸酯和所述芳香族二(甲基)丙烯酸酯中的一個或多個進一步包括矽。
- 如請求項5所述的用於封裝有機發光裝置的組成物，其中所述芳香族二(甲基)丙烯酸酯由下式6表示： [式6]其中， R15 和R16 各自獨立地為單鍵、經取代或未經取代的C1 到C20 伸烷基、經取代或未經取代的C1 到C30 伸烷基醚基、*-N(R')-R"-*、經取代或未經取代的C6 到C30 伸芳基、經取代或未經取代的C7 到C30 芳基伸烷基，或*-O-R"-*， *-N(R')-R"-*中，*為元素的鍵聯位點，R'為經取代或未經取代的C1 到C30 烷基，且R"為經取代或未經取代的C1 到C20 伸烷基， *-O-R"-*中，*為元素的鍵聯位點，且R"為經取代或未經取代的C1 到C20 伸烷基， X1 、X2 、X3 、X4 、X5 以及X6 各自獨立地為氫、經取代或未經取代的C1 到C30 烷基、經取代或未經取代的C1 到C30 烷基醚基、*-N(R')(R")、經取代或未經取代的C1 到C30 烷基硫醚基、經取代或未經取代的C6 到C30 芳基，或經取代或未經取代的C7 到C30 芳基烷基， *-N(R')(R")中，*為元素的鍵聯位點，R'和R"相同或不同且為氫或經取代或未經取代的C1 到C30 烷基， X1 、X2 、X3 、X4 、X5 以及X6 中的一個或多個為經取代或未經取代的C6 到C30 芳基， Y1 和Y2 各自獨立地由下式7表示： [式7]
其中，*為元素的鍵聯位點，且R17 為氫或甲基，且 n為0到30的整數或n的平均值為0到30。
- 如請求項5所述的用於封裝有機發光裝置的組成物，其中按固體含量計，所述組成物含有20重量%到75重量%的由式1表示的化合物、20重量%到75重量%的所述非芳香族光固化單體、0.1重量%到5重量%的所述起始劑，以及1重量%到40重量%的所述芳香族光固化單體。
- 如請求項1所述的用於封裝有機發光裝置的組成物，其中所述組成物中的總單官能光固化單體的含量與總光固化單體的含量的重量比為0.8或小於0.8。
- 如請求項1所述的用於封裝有機發光裝置的組成物，其中在固化之後，所述組成物在200千赫茲及25℃下具有2.8或小於2.8的介電常數。
- 一種有機發光裝置顯示設備，包括由請求項1到請求項10中任一項所述的用於封裝有機發光裝置的組成物形成的有機層。
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