TW201539150A - 射束曝光裝置 - Google Patents

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Koichi Kajiyama
Shin Ishikawa
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Kazushige Hashimoto
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V Technology Co Ltd
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Abstract

本發明的課題為在使複數個光束的射束之間微小偏向之射束曝光裝置中均勻地進行複數個光束的微小偏向。射束曝光裝置(1)具備：光出射部(2)，從複數個光出射位置(2a)出射光束(Lb)；掃描部(3)；聚光光學系統(4)，將光束Lb的光點聚光於被曝光面(Ex)；及微小偏向部(5)，使複數個光束(Lb)微小偏向，以曝光複數個光束(Lb)的射束之間。聚光光學系統(4)具備：第1微透鏡陣列(41)，配置於光出射部(2a)與微小偏向部(5)之間，並具備與光出射位置(2a)對應之複數個微透鏡(41M)；及第2微透鏡陣列(42)，配置於微小偏向部(5)與被曝光面(Ex)之間，並具備與光出射位置(2a)對應之複數個微透鏡(42M)。

Description

射束曝光裝置
本發明係有關一種射束曝光裝置者。
作為藉由使光點直徑微細化之雷射光束等光束對二維平面進行曝光之方法之一，已知有藉由電流計鏡或多角鏡等射束掃描裝置沿一方向主掃描一條光束，並且使被曝光面沿與主掃描方向交叉之副掃描方向移動之射束掃描曝光。該射束掃描曝光中，以高密度曝光大面積時，若欲縮短曝光處理時間，則需使射束掃描裝置高速旋轉，此時的驅動源或射束掃描裝置本身的振動對光學系統帶來惡劣影響之情況令人擔憂。
作為基於光束之二維曝光的另一方法，已知有沿一方向並排配置複數個出射光束之光源陣列，並使被曝光面沿與該排列方向交叉之方向移動之多光束曝光。該多光束曝光中，縮小複數個光源的配置間隔方面亦有限，因此為了進行光束之間的曝光，需進行使光源陣列沿著其排列方向位移之反覆曝光，此時的光源陣列的位移需要高位置精度。
與此相對，已知在前述多光束曝光中，在光源陣列本身保持固定之狀態下使複數個光束微小偏向，以進行光束之間的曝光者(參照下述專利文獻1)。該現有技術中，具備：光源部，沿一方向隔開既定間隔而配置，並出射複數個光束；掃描部，掃描被複數個光束曝光之被曝光面；成像光學系統，將從光源部被出射之光束成像於被曝光 面；及微小偏向部，使複數個光束統一微小偏向，以曝光複數個光束的射束之間。其中，作為微小偏向部，使用聲光元件或電光元件等。
[先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本專利公開2001-305449號公報
前述具備微小偏向部之多光束曝光裝置中，使光源固定而僅使光束微小偏向，因此能夠避免驅動源的振動引起之惡劣影響和使光源位移時的位置精度的問題，並且，藉由增加光束的數量而縮短光束之間的間隔，能夠縮短光束的微小偏向距離，由此能夠相應地提高基於微小偏向之掃描速度，對於大面積且高密度的曝光亦能夠縮短曝光處理時間。
然而，現有多光束曝光裝置具備將光源的光出射位置成像於被曝光面之光學系統，藉由大徑的準直透鏡對沿一方向隔開既定間隔配置之複數個光束進行聚光，並通過微小偏向部導引至成像透鏡。因此，作為微小偏向部使用聲光元件或電光原件時，通過大徑準直透鏡的周邊部份之光束與通過中心部份之光束中在入射到微小偏向部時的入射角上產生差異，產生在偏向特性具有入射角依存性之微小偏向部中無法使複數個光束均勻地進行微小偏向之問題。
本發明係將解決該種問題作為課題之一例者。亦即，本發明的目的為，在使用聲光元件或電光元件等微小偏向部來使複數個光束的射束之間微小偏向之射束曝光裝置中，藉由均勻地進行複數個光束的微小偏向，能夠進行高精度的射束曝光等。
為了實現該種目的，依本發明之射束曝光裝置係說明書中記載 之幾種發明中具備以下構成者。
一種射束曝光裝置，其特徵在於具備：光出射部，其自沿一方向隔開特定間隔配置之複數個光出射位置出射光束；掃描部，其將藉由複數個光束曝光之被曝光面與前述光出射部的一者或兩者朝向與前述一方向交叉之另一方向相對移動；聚光光學系統，其將前述光出射部所出射之光束的光點聚光於被曝光面；及微小偏向部，其將複數個光束微小偏向，以曝光複數個光束的射束之間；且前述聚光光學系統具備：第1微透鏡陣列，其配置於前述光出射部與前述微小偏向部之間，並具備與前述光出射部的光出射位置對應之複數個微透鏡；及第2微透鏡陣列，其配置於前述微小偏向部與前述被曝光面之間，並具備與前述光出射部的光出射位置對應之複數個微透鏡。
依該種光束曝光裝置，將光出射部所出射之光束的光點聚光於被曝光面之聚光光學系統具備具有與光出射部的光出射位置對應之複數個微透鏡之第1微透鏡陣列及第2微透鏡陣列，在第1微透鏡陣列與第2微透鏡陣列之間設置有微小偏向部，因此能夠使入射到微小偏向部之複數個光束的入射角度均勻。藉此，即使在使用偏向特性具有入射角依存性之微小偏向部時，亦能夠使複數個光束均勻地微小偏向。
1‧‧‧射束曝光裝置
2‧‧‧光出射部
2a‧‧‧光出射位置
2f‧‧‧(光出射位置的)像
3‧‧‧掃描部
4‧‧‧聚光光學系統
5‧‧‧微小偏向部
6‧‧‧補正光學構件
10‧‧‧基板
11‧‧‧基板支撐部
41‧‧‧第1微透鏡陣列
41M‧‧‧微透鏡
42‧‧‧第2微透鏡陣列
42M‧‧‧微透鏡
43‧‧‧投影光學系統
43a‧‧‧投影透鏡
43s‧‧‧光圈
44‧‧‧中繼透鏡系統
44a、44b‧‧‧透鏡
44c‧‧‧無焦透鏡系統
44s‧‧‧光圈
44x‧‧‧光軸
D‧‧‧衍射面
Df、Dfe‧‧‧(衍射面的)像
Ex‧‧‧被曝光面
Lb‧‧‧光束
Ls‧‧‧光點
圖1係表示本發明的一實施形態之射束曝光裝置的整體構成之說明圖(圖1(a)係側視之說明圖，圖1(b)係俯視之說明圖)。
圖2係表示本發明的一實施形態之射束曝光裝置之聚光光學系統的構成例之說明圖(圖2(a)係從光出射部至微小偏向部的近前之光學系統，圖2(b)係從微小偏向部至被曝光面之光學系統)。
圖3係表示本發明的一實施形態之射束曝光裝置的聚光光學系統之中繼透鏡系統的構成例之說明圖(圖3(a)係從Y方向觀察之圖，圖 3(b)係從X方向觀察之圖)。
圖4係表示本發明的一實施形態之射束曝光裝置之微小偏向部的具體構成例之說明圖。
圖5係表示本發明的實施形態之射束曝光裝置之聚光光學系統的具體例之說明圖。
圖6係表示本發明的實施形態之射束曝光裝置之聚光光學系統的具體例之說明圖。
圖7係表示本發明的實施形態之射束曝光裝置之聚光光學系統的具體例之說明圖。
以下，參照圖示說明對本發明的實施形態。圖1係表示本發明的實施形態之射束曝光裝置的整體構成之說明圖((a)係側視之說明圖，(b)係俯視之說明圖)。射束曝光裝置1具備光出射部2、掃描部3、聚光光學系統4及微小偏向部5。
光出射部2係從沿一方向(圖示的例子中為X方向)隔開既定間隔配置之複數個光出射位置2a出射光束Lb者，能夠藉由LD陣列等光源或光纖陣列、微鏡陣列等構成。
掃描部3係使被複數個光束Lb曝光之被曝光面Ex與光出射部2的其中之一或雙方朝向與光出射位置2a的排列方向(圖示的例子中為X方向)交叉之另一方向(圖示的例子中為Y方向)相對移動者。圖示的例子中，藉由使支撐具有被曝光面Ex之基板10之基板支撐部11移動之基板移動台構成掃描部3，但是並不限於此，還能夠藉由使光出射部2移動之光出射部移動台構成掃描部。
聚光光學系統4係將光出射部2所出射之光束Lb的光點Ls聚光於被曝光面Ex者。聚光光學系統4例如包含將光出射部2的光出射位置2a的像成像於被曝光面Ex上之成像光學系統。
微小偏向部5係使複數個光束Lb微小偏向(參照箭頭P)以曝光複數個光束Lb的射束之間者。微小偏向部5能夠藉由聲光元件或電光元件構成。微小偏向部5藉由使複數個光束Lb例如向圖示之X方向微小偏向，進行彌補被曝光面Ex的複數個光束Lb之間之掃描曝光。
該種射束曝光裝置1係例如藉由使被曝光面Ex相對於已固定之光出射部2沿箭頭S方向(Y方向)移動(掃描)而平面曝光被曝光面Ex者，藉由複數個光束Lb之間的微小偏向(參照箭頭P)執行與被曝光面Ex的移動方向(箭頭S方向)交叉之方向的光束Lb的掃描，藉此實現曝光處理時間的縮短化。
圖2係表示射束曝光裝置之聚光光學系統的構成例之說明圖((a)係從光出射部至微小偏向部近前之光學系統，(b)係從微小偏向部至被曝光面之光學系統)。如(a)所示，在光出射部2與微小偏向部5之間配置有第1微透鏡陣列41。第1微透鏡陣列41具備與光出射部2的光出射位置2a對應之微透鏡41M，光出射部2之複數個光出射位置2a與複數個微透鏡41M構成為一一對應。
如(b)所示，在微小偏向部5與被曝光面Ex之間配置有第2微透鏡陣列42。第2微透鏡陣列42係具備與光出射部2的光出射位置2a對應之微透鏡42M，並將複數個光束Lb個別地聚光於被曝光面Ex者。其中，光出射部2之複數個光出射位置2a與複數個微透鏡42M構成為一一對應。
並且，圖示的(a)所示之例子中，在光出射部2與微小偏向部5之間具備在第1微透鏡陣列41的後方形成光出射位置2a的像2f之投影光學系統43。投影光學系統43可以為將光出射位置2a的像2f放大形成之放大投影光學系統，亦可以為將光出射位置2a的像2f縮小形成之縮小投影光學系統，還可以為等倍投影光學系統。圖2(a)所示之例子中，將第1微透鏡陣列41之微透鏡41M的間隔設為大於光出射位置2a的間 隔，作為投影光學系統43採用放大投影光學系統。
並且，圖示的(b)所示之例子中，在微小偏向部5與被曝光面Ex之間具備中繼透鏡系統44。該中繼透鏡系統44包含在第2微透鏡陣列42的附近形成微小偏向部(聲光元件)5的衍射面D的像Df之成像光學系統。
具備該種聚光光學系統4及微小偏向部5之射束曝光裝置1具備具有與光出射部2的光出射位置2a對應之複數個微透鏡41M、42M之第1微透鏡陣列41及第2微透鏡陣列42，且在第1微透鏡陣列41與第2微透鏡陣列42之間設置有例如由聲光元件構成之微小偏向部5，因此能夠使入射到微小偏向部5之複數個光束Lb的入射角度均勻。藉此，即使在使用偏向特性具有入射角依存性之微小偏向部5時，亦能夠使複數個光束Lb均勻地微小偏向。
並且，聚光光學系統4具備在第1微透鏡陣列41的後方形成光出射位置2a的像2f之投影光學系統43，因此即使在光出射部2的光出射位置2a的間距與微透鏡41M的間距不同時，亦能夠藉由放大或縮小投影光學系統43的倍率，精度良好地對準兩個間距。藉此，能夠緩和製造第1微透鏡陣列41時的尺寸上的束縛。
第1微透鏡陣列41係例如將由此出射之光設為平行光並入射到微小偏向部5之準直透鏡為較佳。藉由將複數個光束Lb設為平行光並入射到微小偏向部5，能夠使微小偏向部5的偏向功能均勻化，並能夠消除曝光位置的變形。此時，藉由在微透鏡41M的焦點位置形成光出射位置2a的像2f，能夠從微透鏡41M出射平行光，藉由使用前述投影光學系統43，能夠精度良好地將像2f的位置與微透鏡41M的焦點位置對準。
並且，聚光光學系統4具備在第2微透鏡陣列42的附近形成例如由聲光元件構成之微小偏向部5的衍射面D的像Df之中繼透鏡系統 44，因此即使在微小偏向部5的偏向角較大時，藉由使像Df的位置靠近各微透鏡42M，亦能夠有效地將被偏向之光引入微透鏡42M內。藉此，能夠以較低損失將從光出射位置2a出射之光束Lb聚光於被曝光面Ex上。
圖3係表示聚光光學系統之中繼透鏡系統的構成例之說明圖((a)係從Y方向觀察之圖，(b)係從X方向觀察之圖)。在此，使用在不同焦點距離之2個透鏡44a、44b之間插入有透鏡曲率在正交之方向上不同之無焦透鏡系統44c之變形中繼透鏡。此處所示之中繼透鏡系統44整體的倍率能夠依個別透鏡的焦點距離(透鏡面的曲率)適當設定。圖示的例子中，由4個單透鏡構成中繼透鏡系統44，但是亦可將中繼透鏡系統設為由4個以上的複數個透鏡構成之光學系統。藉由如圖示的例子那樣插入無焦透鏡系統44c，能夠獨立調整光束Lb的掃描方向(圖示的X方向)及與其正交之方向(圖示的Y方向)的光點位置。如在此所示之變形透鏡系統亦可以在前述投影光學系統43中採用。
圖4係表示微小偏向部的具體構成例之說明圖。圖示的例子中，藉由設為使作為聲光元件之微小偏向部5的光出射面5B相對於光入射面5A傾斜之棱鏡構造，使向微小偏向部5的入射光L1與出射光(一次衍射光)L2平行。藉由設為該種微小偏向部5的構成，無需使中繼透鏡系統44的光軸相對於入射光L1傾斜，就能夠簡單地進行整個裝置的組裝和調整。
圖5係表示本發明的實施形態之射束曝光裝置之聚光光學系統的具體例之說明圖。對於與前述說明共同之部位標註相同符號並省略重複說明。圖示的例子中，在光出射部2的前段配置投影光學系統43及第1微透鏡陣列41，透射第1微透鏡陣列41之光束Lb入射到微小偏向部5。並且，在微小偏向部5的前段配置中繼透鏡系統44及第2微透鏡陣列42，使藉由第2微透鏡陣列42聚光之射束光點Ls形成於被曝光面Ex 上。
其中，投影光學系統43藉由光圈43s及投影透鏡43a構成，將光出射部2的各光出射位置2a的像2f形成於第1微透鏡陣列41之各微透鏡41M的焦點位置。微透鏡41M係準直透鏡，將從此處出射之平行光入射到微小偏向部5。
中繼透鏡系統44藉由透鏡44a、44b及插入到它們之間之光圈44s構成，將作為聲光元件之微小偏向部5的衍射面D的像Df形成於第2微透鏡陣列42的附近。圖中，以實線表示透射微小偏向部5之光，以虛線表示中繼透鏡系統44的共軛關係。通過微小偏向部5的衍射面D上的1點而向不同角度出射之光在形成於第2微透鏡陣列42附近之像Df上的相交於一點，從此處再次以不同角度入射到微透鏡42M。
圖6表示圖5所示之例子的改良例。對於與前述說明共同之部位標註相同符號並部份省略重複說明。圖5所示之例子中，使用聲光元件作為微小偏向部5，有可能產生衍射面D的像Df變成相對於第2微透鏡陣列42的光軸42x傾斜之狀態之現象。如此，衍射面D的像Df相對於第2微透鏡陣列42的光軸42x傾斜時，形成於像Df上之光束的偏向支點與第2微透鏡42M之間的距離在每個個別的第2微透鏡42M中均不同，射束偏向的振幅較大時，產生一部份射束不進入第2微透鏡42M之情況，或產生通過第2微透鏡42M之後的射束的角度在每個個別的第2微透鏡42M中均不同之情況。
與此相對，圖6所示之改良例中，在微小偏向部5與中繼透鏡系統44之間配置有衍射面D的像Dfe與第2微透鏡陣列42的光軸42x垂直之補正光學構件6。該補正光學構件6能夠藉由具有相對於第2微透鏡陣列42的排列方向傾斜之光出射面之棱鏡構成。藉由配備該種補正光學構件6，能夠無損失地使偏向射束入射到第2微透鏡42M，並且能夠使射束光點Ls均勻。
圖7係表示本發明的實施形態之射束曝光裝置之聚光光學系統的具體例之說明圖。對於與前述說明共同之部份標註相同符號，並省略重複說明。圖示的例子中，使用電光元件作為微小偏向部5。使用電光元件作為微小偏向部5時，能夠以施加零電壓(零偏向角)為中心進行射束偏向，由於射束的偏向角微小，因此不使用前述補正光學構件6就能夠有效地使偏向射束入射到第2微透鏡42M。
以上說明之本發明的實施形態之射束曝光裝置1中，藉由曝光複數個光束Lb及其光束Lb之間之微小偏向，能夠縮短曝光處理時間，並能夠使用聲光元件均勻地進行此時的微小偏向，因此能夠進行高精度的二維曝光。
以上，參照圖示詳述了對本發明的實施形態，但具體構成並不限定於該些實施形態，即使有不脫離本發明宗旨之範圍的設計變更等，亦包含於本發明。並且，只要其目的及構成等中沒有特別的矛盾或問題，則上述各實施形態能夠挪用彼此的技術並進行組合。
2‧‧‧光出射部
2a‧‧‧光出射位置
2f‧‧‧(光出射位置的)像
5‧‧‧微小偏向部
41‧‧‧第1微透鏡陣列
41M‧‧‧微透鏡
42‧‧‧第2微透鏡陣列
42M‧‧‧微透鏡
43‧‧‧投影光學系統
44‧‧‧中繼透鏡系統
D‧‧‧衍射面
Df‧‧‧(衍射面的)像
Ex‧‧‧被曝光面

Claims (9)

  1. 一種射束曝光裝置，其特徵在於具備：光出射部，其自沿一方向隔開特定間隔配置之複數個光出射位置出射光束；掃描部，其將藉由複數個光束曝光之被曝光面與前述光出射部的一者或兩者朝向與前述一方向交叉之另一方向相對移動；聚光光學系統，其將前述光出射部所出射之光束的光點聚光於被曝光面；及微小偏向部，其將複數個光束微小偏向，以曝光複數個光束的射束之間；且前述聚光光學系統具備：第1微透鏡陣列，其配置於前述光出射部與前述微小偏向部之間，並具備與前述光出射部的光出射位置對應之複數個微透鏡；及第2微透鏡陣列，其配置於前述微小偏向部與前述被曝光面之間，並具備與前述光出射部的光出射位置對應之複數個微透鏡。
  2. 如請求項1之射束曝光裝置，其中前述第1微透鏡陣列將前述複數個光束分別設為平行光而入射至前述微小偏向部，前述第2微透鏡陣列將前述複數個光束個別地聚光於前述被曝光面。
  3. 如請求項1之射束曝光裝置，其具備於前述第1微透鏡陣列之後方形成前述光出射部之光出射位置之像的投影光學系統。
  4. 如請求項2之射束曝光裝置，其中前述射束曝光裝置具備於前述第1微透鏡陣列的後方形成前述光出射部的光出射位置的像之投影光學系統。
  5. 如請求項3之射束曝光裝置，其中前述投影光學系統係放大投影光學系統。
  6. 如請求項4之射束曝光裝置，其中前述投影光學系統係放大投影光學系統。
  7. 如請求項1至6中任一項之射束曝光裝置，其中前述微小偏向部包含聲光元件。
  8. 如請求項7之射束曝光裝置，其具備於前述第2微透鏡陣列之附近形成前述微小偏向部之繞射面之像的中繼透鏡系統。
  9. 如請求項8之射束曝光裝置，其中於前述微小偏向部與前述中繼透鏡系統之間，配置有使前述繞射面之像相對於前述第2微透鏡陣列之光軸垂直之修正光學構件。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019096637A (ja) * 2017-11-17 2019-06-20 株式会社小糸製作所 レーザー光源ユニット
CN109917544A (zh) * 2019-03-19 2019-06-21 北京遥感设备研究所 一种透射式扫描稳像光学系统

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1997034171A2 (en) * 1996-02-28 1997-09-18 Johnson Kenneth C Microlens scanner for microlithography and wide-field confocal microscopy
US6204875B1 (en) * 1998-10-07 2001-03-20 Barco Graphics, Nv Method and apparatus for light modulation and exposure at high exposure levels with high resolution
US6961200B2 (en) * 1999-07-27 2005-11-01 Quantum Corporation Optical servo track identification on tape storage media
JP4330762B2 (ja) 2000-04-21 2009-09-16 富士フイルム株式会社 マルチビーム露光装置
US20020126479A1 (en) * 2001-03-08 2002-09-12 Ball Semiconductor, Inc. High power incoherent light source with laser array
US20020171047A1 (en) * 2001-03-28 2002-11-21 Chan Kin Foeng Integrated laser diode array and applications
US20030091277A1 (en) * 2001-11-15 2003-05-15 Wenhui Mei Flattened laser scanning system
JP2004038051A (ja) * 2002-07-08 2004-02-05 Fuji Photo Film Co Ltd 露光用レーザー光源
US6894292B2 (en) * 2002-08-02 2005-05-17 Massachusetts Institute Of Technology System and method for maskless lithography using an array of sources and an array of focusing elements
JP2005007530A (ja) * 2003-06-19 2005-01-13 Fuji Photo Film Co Ltd 光ピンセット装置
US6967711B2 (en) * 2004-03-09 2005-11-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2005277153A (ja) * 2004-03-25 2005-10-06 Fuji Photo Film Co Ltd 画像露光装置
US7116404B2 (en) * 2004-06-30 2006-10-03 Asml Netherlands B.V Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7864293B2 (en) * 2005-01-25 2011-01-04 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and producing method of microdevice
EP1844366B1 (en) * 2005-01-31 2008-11-26 Olympus Corporation Illumination optical apparatus and optical apparatus
US8122846B2 (en) * 2005-10-26 2012-02-28 Micronic Mydata AB Platforms, apparatuses, systems and methods for processing and analyzing substrates
US7683300B2 (en) * 2006-10-17 2010-03-23 Asml Netherlands B.V. Using an interferometer as a high speed variable attenuator
DE102006059818B4 (de) * 2006-12-11 2017-09-14 Kleo Ag Belichtungsanlage
JP2010014797A (ja) * 2008-07-01 2010-01-21 Nsk Ltd マスクレス露光装置
JP2010123724A (ja) * 2008-11-19 2010-06-03 Nikon Corp 光学特性計測方法及び装置、並びに露光装置
JP2010262000A (ja) * 2009-04-30 2010-11-18 Orc Mfg Co Ltd 描画装置
JP5747303B2 (ja) * 2010-11-12 2015-07-15 株式会社ブイ・テクノロジー 露光装置
WO2012136434A2 (en) * 2011-04-08 2012-10-11 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, programmable patterning device and lithographic method

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