TWI822136B - 用於三維測距系統的線陣投影器 - Google Patents

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Abstract

一種線陣投影器,包含:一光源陣列、一透鏡與一繞射式微透鏡陣列。該光源陣列包含複數個光源,並且用於發射光束。其中,該複數個光源沿著一第一方向排列。該透鏡用以對光束進行準直。該繞射式微透鏡陣列用於對準直後的光束進行繞射,從而投射出一照明圖樣。其中,該繞射式微透鏡陣列相對於一第一方向的透鏡間距,大於該繞射式微透鏡陣列相對於一第二方向的透鏡間距。其中,該照明圖案由該複數個光源投射出的多個點陣圖樣重疊而成,且該照明圖樣包含沿該第一方向的多道線狀光圖樣。

Description

用於三維測距系統的線陣投影器
本發明關於三維光學測距,尤其一種用於三維光學測距系統的線陣投影器。
一般來說,基於飛時測距(Time-of-Flight,ToF)技術的三維光學距離測量,通常倚賴於泛光照明器(flood illuminator)與圖像感測器來進行物體或形體的距離量測。然而,由於泛光照明器的光能較弱,其有效投射距離很短。有鑑於此,本領域需要一種能夠提供高光能照明圖樣,且擁有較長投射距離的圖樣投影器來進行光學測距。
如上所述,本發明目的在於提供一種用於三維光學測距系統的規則狀線陣投影器(Line pattern projector)。本發明的實施例透過結合光源陣列、透鏡以及繞射式微透鏡陣列,從而產生具有規則分佈的線狀光圖樣的照明圖樣。本發明的實施例使光源陣列的不同光源所產生的點陣圖樣重疊,從而形成具有多道線狀光圖樣的照明圖樣。
本發明之一實施例提供一種線陣投影器,該線陣投影器包含:一光源陣列、一透鏡與一繞射式微透鏡陣列。該光源陣列包含複數個光源,並且用 於發射光束。其中,該複數個光源沿著一第一方向排列。該透鏡用以對光束進行準直。該繞射式微透鏡陣列用於對準直後的光束進行繞射,從而投射出一照明圖樣。其中,該繞射式微透鏡陣列相對於一第一方向的透鏡間距,大於該繞射式微透鏡陣列相對於一第二方向的透鏡間距。其中,該照明圖案由該複數個光源投射出的多個點陣圖樣重疊而成,且該照明圖樣包含沿該第一方向的多道線狀光圖樣。
本發明之一實施例提供一種光學測距系統,該光學測距系統包含:一泛光照明器、一線陣投影器以及一圖像擷取裝置。該泛光照明器包含至少一光源與一漫射器,並且用於投射一第一照明圖樣。該線陣投影器用以投射一第二照明圖樣,並且包含:一光源陣列、一透鏡與一繞射式微透鏡陣列。該光源陣列包含複數個光源,並且用於發射光束。其中,該複數個光源沿著一第一方向排列。該透鏡用以對光束進行準直。該繞射式微透鏡陣列用於對準直後的光束進行繞射,從而投射出該第二照明圖樣。其中,該繞射式微透鏡陣列相對於一第一方向的透鏡間距,大於該繞射式微透鏡陣列相對於一第二方向的透鏡間距。其中,該第二照明圖案由該複數個光源投射出的多個點陣圖樣重疊而成,且該第二照明圖樣包含沿該第一方向的多道線狀光圖樣。該圖像擷取裝置用以擷取該些照明圖樣遇到一物體後反射的圖像。
1:光學測距系統
10:基板
100:點陣投影器
120、220、420:光源陣列
120_1~120_4、420_1~420_4:光源
140、440:透鏡
160:繞射單元
260:漫射器
200:泛光照明器
300:圖像擷取裝置
400:線陣投影器
460:繞射式微透鏡陣列
第1圖繪示本發明實施例的光學測距系統的架構示意圖。
第2圖繪示本發明實施例的點陣投影器和泛光照明器的實施方式。
第3圖繪示本發明實施例的點陣投影器的詳細架構圖。
第4A圖~第4E圖繪示本發明實施例如何透過重疊點陣圖樣來構成照明圖樣。
第5A圖~第5E圖繪示本發明實施例如何透過交錯點陣圖樣來構成照明圖樣
第6A圖~第6B圖繪示本發明不同實施例中的光源陣列佈局如何影響照明圖樣中的光點分佈。
第7圖繪示本發明不同實施例中的光源陣列、微透鏡陣列的佈局以交錯類型如何影響照明圖樣中的光點分佈。
第8圖繪示本發明實施例的線陣投影器的詳細架構圖。
第9圖繪示本發明實施例如何產生線狀光圖樣。
第10圖繪示本發明實施例的線陣投影器中使用的繞射式微透鏡陣列的輪廓。
第11A圖繪示本發明實施例中由單個光源產生的照明圖樣。
第11B圖繪示本發明實施例中由沿著同一方向排列的多個光源產生的照明圖樣。
在以下內文中,描述了許多具體細節以提供閱讀者對本發明實施例的透徹理解。然而,本領域的技術人士應能理解,如何在缺少一個或多個具體細節的情況下,或者利用其他方法、元件或材料等來實現本發明。在其他情況下,眾所皆知的結構、材料或操作不會被示出或詳細描述,從而避免模糊本發明的核心概念。
說明書中提到的「一實施例」意味著該實施例所描述的特定特徵、結構或特性可能被包含於本發明的至少一個實施例中。因此,本說明書中各處出現的「在一實施例中」不一定意味著同一個實施例。此外,前述的特定特徵、結構或特性可以以任何合適的形式在一個或多個實施例中結合。
請參考第1圖,該圖繪示本發明實施例的光學測距系統1的架構圖。如圖所示,光學測距系統1包括點陣投影器(dot pattern projector)100、泛光照明器(flood illuminator)200和圖像擷取裝置300。點陣投影器100和泛光照明器200均被用於將高光能照明圖樣(illumination pattern)投射至圖像擷取裝置300的視場(field of view,FOV)內的物體上。在本發明的不同實施例中,點陣投影器100和泛光照明器200可以依序或者同時投射出不同類型的照明圖樣。第2圖繪示了點陣投影器100和泛光照明器200的可能設置態樣。如圖所示,點陣投影器100(其包括光源120、準直透鏡140、繞射單元160,並且用於投射點狀照明圖樣)和泛光照明器200(其包括光源220和繞射單元260,並投射泛光照明圖樣)共用同一基板。點陣投影器100和泛光照明器200可能使用各自獨立的繞射單元160和260,兩者均設置在同一共用基板10上。點陣投影器100的繞射單元160可以是設置在共用基板10上的微透鏡陣列(microlens array,MLA)或繞射式光學單元(diffractive optical unit,DOE)。泛光照明器200的繞射單元260亦可以是設置在共用基板10上的微透鏡陣列或光學繞射單元。將兩個不同的繞射單元相鄰排布,且設置在同一個基板上的優點是可以降低製程複雜度。進一步來說,點陣投影器100和泛光照明器200的蝕刻或模具翻轉(mold reversal)可以一同進行,這將降低成本,並減少組裝時間。
圖像擷取裝置300可以包括(但不限於)聚焦透鏡、濾光片和圖像感測器(如,互補式金屬氧化物半導體(complementary metal-oxide semiconductor,CMOS)式圖像感測器,或感光耦合元件(charge-coupled device,CCD)式圖像感測器)。圖像擷取裝置300用以擷取照明圖樣被物體反射後的圖像。根據由圖像擷取裝置300擷取到的圖像,可以計算出物體的深度資訊。
第3圖繪示本發明實施例的點陣投影器100的架構圖。如圖所示,點陣投影器100包括光源陣列120、透鏡140和繞射單元160。光源陣列120用於發射光束,並包括多個光源120_1-120_N,其中光源120_1-120_N排列成一組陣列。在本發明的不同實施例中,光源120_1-120_N可能是第6A圖所示的規則分佈(regularly distributed),又或者是六角密排分佈(hexagonally distributed)。請注意,圖示中的光源120_1-120_N的數目僅作說明之用,隨著需求不同,本發明其他實施例中的光源陣列120可能包含有數目更多或更少的光源。另外,在較佳的實施例中,光源120_1-120_N可以是垂直共振腔面射型雷射(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser,VCSEL),並且兩相鄰光源之間具有相等的光源間距D_L。
透鏡140用於將光源陣列120發出的光束準直(collimated)。較佳地,光源陣列120與透鏡140的光學中心之間的距離,等於透鏡140的有效焦距D_EFL。據此,通過透鏡140的光束可以更加收聚,從而使點陣投影器100投射出的照明圖樣中的光點,具有更小的尺寸和更高的對比度。再者,繞射單元160用於對光束進行繞射,從而投射出具有規則分佈的光點的照明圖樣(如圖3所示)。在本發明的各種實施例中,繞射單元160可以是繞射式光學元件或微透鏡陣列。
另外,泛光照明器200可能包括光源和漫射器(diffuser),並且使用繞射式光學元件或微透鏡陣列作為漫射器。在一實施例中,若繞射式光學元件被用作為點陣投影器100中的繞射單元160,則泛光照明器200也會使用繞射式光學元件作為其中的漫射器。另一方面,若是微透鏡陣列被用作為點陣投影器100中的繞射單元160,則泛光照明器200也會使用微透鏡陣列作為其中的漫射器。當微透鏡陣列被用作為繞射單元160時,微透鏡陣列160包含多個平凸 (Plano-convex)微透鏡。並且,微透鏡陣列160中相鄰的單元透鏡之間的透鏡間距為D_M。當繞射式光學元件被用作為繞射單元160時,繞射式光學元件160中相鄰光學單元之間的單元間距是D_E。在較佳實施例中,微透鏡陣列160的透鏡間距D_M或繞射式光學元件160的單元間距D_E可以大於10μm,這在製造上相對容易。
光源120_1-120_N投射出的光點分佈可以根據各項參數來決定。在一實施例中,假設單個光源投射出的點陣圖樣中,零階繞射的光點和m階繞射的光點之間的扇出角(fan-out angle)為θm,並且此光源發射出的光束波長為λ,微透鏡陣列160的透鏡間距為D_M,則這些參數之間會有如下關係:D_M×sinθ m =;其中m是繞射階數。並且根據上式可知,點陣圖樣的零階繞射光點與一階繞射光點之間的扇出角θ1為:
Figure 111123351-A0305-02-0009-1
另外,如第3圖所示,與位於透鏡140光軸上的光源120_1所投射出的點陣圖樣(圖樣A)相比,不在透鏡140光軸上的光源120_2所投射出的點陣圖樣(圖樣B),將在垂直方向上平移。而在本發明的各種實施例中,由點陣投影器100所投射的照明圖樣實質上由不同光源投射出的點陣圖樣進行重疊或交錯而形成。
請參考第4A圖~第4E圖,進一步了解本發明實施例中,不同光源產生的不同點陣圖樣如何以重疊的形式構成照明圖樣。在此實施例中,光源陣列120是由光源120_1~120_4組成的2x2陣列。第4B圖和第4C圖分別繪示,位在透鏡 140的光軸上的光源120_1~120_2所產生的點陣圖樣,而第4D圖和第4E圖則分別繪示,不在透鏡140的光軸上的光源120_3~120_4所產生的點陣圖樣。其中,光源120_3~120_4的準直光束將與透鏡140的光軸之間存在一個偏離角α,且偏差角α可以通過以下方式確定:
Figure 111123351-A0305-02-0010-2
(D_L是兩相鄰光源之間的間距;D_EFL是透鏡140的有效焦距)。因此,與光源120_1~120_2所投射出的點陣圖樣相比,由光源120_3~120_4投影出的點陣圖樣將在垂直方向上平移。
為了使點陣圖樣可以準確地重疊,必須滿足:sinα=sinθ 1;亦即,光源的準直光束與光軸之間的偏離角α,需與零階繞射光點和一階繞射光點之間的扇出角θ1相同。如果光源間距D_L、有效焦距D_EFL和透鏡間距D_M(當繞射單元160為微透鏡陣列)或單元間距D_E(如果繞射單元160為繞射式光學單元)得到良好的控制,從而滿足sin α=sin θ時,則點陣圖樣可以在垂直或水平方向上恰好平移一單位的點距D_P(即,點陣圖樣中相鄰光點之間的距離),如此一來便可構成重疊型照明圖樣。
請參閱第5A圖~第5E圖,進一步了解本發明實施例中,不同光源產生的不同點陣圖樣如何以交錯的形式構成照明圖樣。在此實施例中,光源陣列120是由光源120_1~120_4組成的2x2陣列。第5B圖和第5C圖分別繪示,位在透鏡140的光軸上的光源120_1~120_2所產生的點陣圖樣,而第5D圖和第5E圖則分別繪示,不在透鏡140的光軸上的光源120_3~120_4所產生的點陣圖樣。其中,光 源120_3~120_4的準直光束將與透鏡140的光軸之間存在一個偏離角α,且偏差角α可以通過以下方式確定:
Figure 111123351-A0305-02-0011-3
為了使點陣圖樣可以準確地重疊,必須滿足:N×sinα=sinθ;其中,交錯係數N將決定點陣圖樣如何交錯。在N為1的情況下,點陣圖樣會在垂直或水平方向上相互偏移一個單位的點距D_P,從而形成如第4A圖所示的重疊型照明圖樣。在N為2的情況下,點陣圖樣會在垂直或水平方向上相互偏移1/2個單位的點距D_P,從而形成如第5A圖所示的交錯型照明圖樣。在N為3的情況下,點陣圖樣會在垂直或水平方向上相互偏移1/3個單位的點距D_P,從而形成交錯型照明圖樣。
綜上所述,繞射單元160的透鏡間距D_M(當繞射單元160是微透鏡陣列)或者繞射單元160的單元間距D_E(當繞射單元160是繞射式光學單元)可以決定扇出角θ,此值影響單一光源投射出的點陣圖樣中的光點分佈(例如,光點密度)。此外,光源間距D_L與透鏡140的有效焦距D_EFL則可決定扇出角θ,其影響點陣圖樣彼此間的偏移。
假設有效焦距D_EFL為2mm,光源間距為30μm,繞射單元160的透鏡間距D_M(如果繞射單元160為微透鏡陣列)或繞射單元160的單元間距D_E(如果繞射單元160為繞射式光學單元)可以由下式決定:
Figure 111123351-A0305-02-0011-4
;或
Figure 111123351-A0305-02-0012-5
因此,繞射單元160的透鏡間距D_M或者單元間距D_E在N=1(即,重疊型)時約為62.7μm,當N=2(即,交錯型)時約為31.3μm。此外,為了實現足以覆蓋:60°(水平)x 40°(垂直)的感興趣區域(filed of interest,FOI)的照明圖樣,可以通過以下方式確定照明圖樣的尺寸:
Figure 111123351-A0305-02-0012-6
;以及
Figure 111123351-A0305-02-0012-33
其中,θmH為(60°/2),θmV為(40°/2)。因此,在重疊型照明圖樣(N=1)中,水平方向的繞射階數mH為±33,垂直方向的繞射階數mV為±22。在交錯型照明圖樣(N=2)中,水平方向的繞射階數mH為±16,垂直方向的繞射階數mV為±11。因此,照明圖樣中的總光點數可以由下式確定:N 2×(2|m H |+1)×(2|m V |+1)。
在N=1、mH=±33和mV=±22的情況下,總光點數將在3015左右,而在N=2、mH=±16和mV=±11的情況下,總光點數將在3036左右。由此可見,透過交錯係數N與透鏡間距D_M(或單元間距D_M)的調配,可以在固定的FOI中提供數量接近的光點。因此,本發明顯著地提高了繞射單元160的設計和製造上的彈性。
第6A圖和第6B圖分別繪示了本發明實施例中,光源陣列120的不同佈局方式和它們所對應的照明圖樣。如圖所示,照明圖樣中的光點分佈保留了光源陣列120中的光源佈局型式。第7圖繪示出不同光源佈局、不同微透鏡陣列的單位透鏡佈局方式和不同交錯類型的所得到的照明圖樣。
除了上述的點陣投影器之外,本發明在部分實施例中還藉由於線陣投影器來產生用於三維測距的照明圖樣。請參考第8圖,該圖繪示了線陣投影器(Line Pattern Projector)400,其可用於投影由多個線狀光圖樣組成的照明圖樣。如圖所示,線陣投影器400包括光源陣列420、透鏡440和繞射式MLA(diffractive microlens array)460。光源陣列420被用於發射光束,並且包含成線狀排列的多個光源420_1~420_4。請注意,光源陣列420中包含的光源數量可能會根據不同的需求而有所變化。在本發明的各種實施例中,單一光源陣列中可能具有更多或更少的光源。較佳地,光源420_1~420_4中的每一者可以是垂直共振腔面射型雷射(VCSEL),且兩相鄰光源之間具有相等的間距。透鏡440用於對光源陣列420發出的光束進行準直。較佳地,光源陣列420與透鏡440的光心之間的距離,可能與透鏡440的有效焦距相等。通過透鏡440,可以使光束更加集中,從而令線陣投影器400所投射出的照明圖樣中的線狀光圖樣更細更清晰,並具有更高的對比度。如第9圖所示,光源陣列420中的光源420_1~420_4可產生點陣圖樣。這些點陣圖樣可以在水平方向上重疊,從而形成具有多道線狀光圖樣的照明圖樣。
如上所述,線陣投影器400的照明圖樣是通過將光源420_1~420_4投影出的點陣圖樣,在水平方向上進行略微偏移而產生的。為了實現這一點,繞射式MLA 460具有如第10圖所示的輪廓(profile)。在一個實施例中,繞射式MLA460相對於水平方向的透鏡間距(lens pitch,即中心到中心距離)可以是60μm,繞射式MLA 460相對於垂直方向的透鏡間距可以是20μm,繞射式MLA 460在透鏡凸面(convex surface)的最大下垂高度(sag height)可以是33.69um左右,繞射式MLA 460的最大坡度(slope)可以是73度左右。在上述實施例中,光源420_1~420_4沿水平方向排列,且繞射式MLA 460在水平方向上的透鏡間距大於在垂直方向上 的透鏡間距,使得光源420_1~420_4投射出的點陣圖樣可以在水平方向略微偏移,並在水平方向重疊,以至於最終在水平方向形成多道線狀圖樣。
第11A圖繪示單一光源產生的照明圖樣。如前所述,繞射式MLA 460的透鏡間距在水平方向上更寬。因此,點陣圖樣在於水平方向的扇出角會更小,使得點陣圖樣在水平方向上的偏移更小。第11B圖繪示沿水平方向排列的光源,所產生的照明圖樣。由於光源沿水平方向排列,導致點陣圖樣在水平方向上產生更多重疊。
在部分實施例中,光源420_1~420_4可以沿垂直方向排列,並且繞射式MLA 460在垂直方向上的透鏡間距,比繞射式MLA 460在水平方向上的透鏡間距更寬,使得光源420_1~420_4投射出的點陣圖樣在垂直方向上發生輕微偏移,進而在垂直方向上重疊,最終形成多道垂直方向上的線狀光圖樣。在本發明的部分實施例中,光源420_1~420_4可以沿一第一方向排列,並且繞射式MLA 460在該第一方向上的透鏡間距,比繞射式MLA 460在一第二方向上的透鏡間距寬,使得光源420_1~420_4投射出的點陣圖樣在該第一方向上發生輕微偏移,進而在該第一方向上重疊,最終在該第一方向上形成多道線狀光圖樣。
類似於點陣投影器100,線陣投影器400可在光學測距系統中與泛光照明器200結合使用,用於將圖樣投射到物體上,以供圖像擷取裝置300獲取深度資訊。此外,線陣投影器400和泛光照明器200可以共用同一基板。線陣投影器400和泛光照明器200可以使用單獨的繞射單元460和260,這些繞射單源都設置在共用基板上。亦即,線陣投影器400的繞射式MLA 460(其為微透鏡陣列),設置在泛光照明器200的繞射單元260(也是微透鏡陣列)所設置的共用基板上。共 用同一基板,並且鄰近地設置兩個繞射單元的優點在於降低製程的複雜度。如此一來,線陣投影器400與泛光照明器200的蝕刻或模具翻轉可以一併完成,從而降低成本並減少組裝時間。
總結來說,本發明實施例提供一種點陣投影器和一種線陣投影器,旨在用於三維光學測距系統。本發明的點陣投影器或線陣投影器,可與光學測距系統中的泛光照明器配合使用,從而提供高功率的照明圖樣和相當長的投影距離。泛光照明器的漫射器,以及點陣投影器或線陣投影器的繞射單元都可以用相同類型的光學元件(例如,都是MLA或DOE)來實現,從而簡化了光學測距系統的製造。此外,本發明實施例讓光源陣列中不同光源所產生的點陣圖樣重疊或交錯,使得點陣投影器的元件參數可以有較大的調整範圍。這有效地提升了點陣投影器在設計和製造上的靈活性。此外,由於線陣投影器產生的照明圖樣中線狀光圖樣是透過點陣圖樣的偏移和重疊所產生,因此可以更好地提升線狀照明圖樣的亮度均勻性。以上所述僅為本發明之較佳實施例,凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化與修飾,皆應屬本發明之涵蓋範圍。
400:線陣投影器
420:光源陣列
420_1、420_2、420_3、420_4:光源
440:透鏡
460:繞射式微透鏡陣列

Claims (9)

  1. 一種線陣投影器,包含:一光源陣列,包含複數個光源,用於發射光束,其中該複數個光源沿著一第一方向排列;一透鏡,用以對光束進行準直;以及一繞射式微透鏡陣列,用於對準直後的光束進行繞射,從而投射出一照明圖樣,其中該繞射式微透鏡陣列相對於該第一方向的透鏡間距(lens pitch),大於該繞射式微透鏡陣列相對於一第二方向的透鏡間距;其中,該照明圖案由該複數個光源投射出的點陣圖樣重疊而成,且該照明圖樣包含沿該第一方向的多道線狀光圖樣;並且,該照明圖樣僅在該第一方向上呈現該多道線狀光圖樣。
  2. 如請求項1所述的線陣投影器,其中該些光源中的每一者為一垂直共振腔面射型雷射(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser,VCSEL)。
  3. 如請求項1所述的線陣投影器,其中該複數個光源中的相鄰光源之間的一光源間距為固定。
  4. 如請求項1所述的線陣投影器,其中該繞射式微透鏡陣列的最大下垂高度(sag height)約為33.69um,且該繞射式微透鏡陣列的最大坡度(slope)約為73度。
  5. 如請求項1所述的線陣投影器,其中該第一方向垂直於該第二方向。
  6. 如請求項1所述的線陣投影器,其中該第一方向為水平方向,該第二方向為垂直方向。
  7. 一種光學測距系統,包含:一泛光照明器,包含至少一光源與一漫射器(diffuser),用於投射一第一照明圖樣;一線陣投影器,用以投射一第二照明圖樣,包含:一光源陣列,包含複數個光源,用於發射光束,其中該複數個光源沿著一第一方向排列;一透鏡,用以對光束進行準直;以及一繞射式微透鏡陣列,用於對準直後的光束進行繞射,從而投射出該第二照明圖樣,其中該繞射式微透鏡陣列相對於該第一方向的透鏡間距(lens pitch),大於該繞射式微透鏡陣列相對於一第二方向的透鏡間距,其中,該第二照明圖案由該複數個光源投射出的點陣圖樣重疊而成,且該第二照明圖樣包含沿該第一方向的多道線狀光圖樣;並且,該第二照明圖樣僅在該第一方向上呈現該多道線狀光圖樣;一圖像擷取裝置,用以擷取該些照明圖樣遇到一物體的反射的圖像。
  8. 如請求項7所述的光學測距系統,其中該漫射器為一微透鏡陣列。
  9. 如請求項7所述的光學測距系統,其中該漫射器為一繞射式光學元件(diffractive optical elements)。
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