TW201518477A - 氧化鈦膜之去除方法及去除裝置 - Google Patents

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Abstract

一邊使存在有氧化鈦膜(10)之矽基板(W)保持於旋轉夾盤(3)，且使旋轉夾盤(3)與矽基板(W)旋轉，一邊對矽基板(W)供給包含有氫氟酸與非氧化性之酸的第1混合水溶液或包含有氫氟酸與有機酸的第2混合水溶液。藉此，使第1或第2混合水溶液接觸於氧化鈦膜(10)，並藉由第1或第2混合水溶液與氧化鈦膜(10)的化學反應去除氧化鈦膜(10)。

Description

氧化鈦膜之去除方法及去除裝置
本發明，係關於去除存在於矽基板之氧化鈦膜的氧化鈦膜之去除方法及去除裝置。
在半導體元件之製造過程中，使用TiO2膜作為硬掩模之材料，該硬掩模之材料係被使用作為蝕刻遮罩。TiO2膜，係因為與其他膜(Si或SiO2、有機膜等)的選擇比良好，因此，作為新硬掩模材料而具有優位性。
在矽基板上形成TiO2膜時，雖係進行單片成膜或批式成膜，但在批式成膜的情況下，亦會被成膜在矽基板的背面，故有必要去除形成於背面的TiO2膜。又，當作為硬掩模而形成TiO2膜之後再使用於蝕刻時，有含有鈦或氧氣之膜再附著於矽基板之端部的情形。
當以附著有含有再附著於基板端部之鈦或氧氣的膜及基板背面之TiO2膜(下述，將兩者總稱為氧化鈦膜)的狀態進行下個工程時，由於在工程間會發生交叉污染等問題，因此，必需去除已附著的氧化鈦膜。作為不會對矽基板造成損傷而去除氧化鈦膜的手法，係有研究探 討使用氫氟酸(HF)作為藥液予以進行濕式洗淨，且在專利文獻1中記載有使用氫氟酸(HF)或緩衝氫氟酸(BHF)來去除氧化鈦膜之內容。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2012-500480號公報
但是，雖然TiO2膜係藉由氫氟酸予以蝕刻，但卻發現了蝕刻速率非常慢且不實用。
在陶瓷材料之分析中，作為TiO2試料之分解方法，雖使用氫氟酸與硝酸之混合液、氫氟酸與硫酸之混合液，但，必需同時使用250℃左右之高溫處理或微波所致之處理。因此，當考慮對半導體裝置之應用時，在硬體面上將難以架設。又，氫氟酸與硝酸之混合液係對矽進行蝕刻，且其反應性高於TiO2，因此，難以應用於去除矽基板上的膜。
因此，本發明之目的，係提供一種不會對矽基板造成損傷而能夠以低溫且高速去除存在於矽基板之氧化鈦膜的氧化鈦膜之去除方法及去除裝置。
亦即，根據本發明之第1觀點，提供一種具 有下述步驟的氧化鈦膜之去除方法，其步驟包括：準備存在有氧化鈦膜之矽基板的步驟；使包含有氫氟酸與非氧化性之酸的第1混合水溶液或包含氫氟酸與有機酸之第2混合水溶液接觸於前述氧化鈦膜的步驟；及藉由前述第1或第2混合水溶液與前述氧化鈦膜之反應，從前述基板去除前述氧化鈦膜的步驟。
在上述第1觀點中，適合於前述氧化鈦膜附著於矽基板者，或形成於矽基板之背面全面者的情況。作為前述非氧化性之酸，係從由鹽酸、硫酸及磷酸所構成之群組予以選擇者，特別是鹽酸為較佳。又，作為前述有機酸，係從由乙酸、甲酸及草酸所構成之群組予以選擇者，特別是乙酸為較佳。
前述第1混合水溶液，係氫氟酸之濃度為1~30質量%、非氧化性之酸的濃度為2~30質量%之範圍為較佳。又，前述第2混合水溶液，係氫氟酸之濃度為1~30質量%、有機酸之濃度為40~98質量%之範圍為較佳。前述第1或第2混合水溶液之溫度，係室溫~100℃為較佳。
一邊使前述矽基板旋轉，一邊對前述矽基板供給前述前述第1或第2混合水溶液為較佳。
根據本發明之第2觀點，提供一種去除存在於矽基板之氧化鈦膜的氧化鈦膜之去除裝置，該氧化鈦膜之去除裝置，係具備有：保持機構，可旋轉地保持前述矽基板；旋轉機構，使前述保持機構旋轉；液供給部，用於 供給包含氫氟酸與非氧化性之酸的第1混合水溶液或包含氫氟酸與有機酸的第2混合水溶液；及噴嘴，對被保持於前述保持機構的矽基板吐出來自前述液供給部的前述第1或第2混合水溶液，且使從前述噴嘴吐出的前述第1或第2混合水溶液接觸於存在於前述矽基板的前述氧化鈦膜，從而去除前述氧化鈦膜。
根據本發明之第3觀點，提供一種在電腦上進行動作，且記憶有用於控制氧化鈦膜之去除裝置之程式的記憶媒體，前述程式，係在執行時以進行具有下述步驟之氧化鈦膜之去除方法的方式，於電腦控制前述氧化鈦膜之去除裝置，其步驟係包含：準備存在有氧化鈦膜之矽基板的步驟；使包含有氫氟酸與非氧化性之酸的第1混合水溶液或包含有氫氟酸與有機酸的第2混合水溶液接觸於前述氧化鈦膜的步驟；及藉由前述第1或第2混合水溶液與前述氧化鈦膜之反應，從前述矽基板去除前述氧化鈦膜的步驟。
根據本發明，以使包含有氫氟酸與非氧化性之酸的第1混合水溶液或包含有氫氟酸與有機酸的第2混合水溶液接觸於存在於矽基板之氧化鈦膜的方式，不對矽基板造成損傷而能夠以低溫且高速去除氧化鈦膜。
1‧‧‧氧化鈦膜之去除裝裝置
2‧‧‧腔室
3‧‧‧旋轉夾盤
4‧‧‧馬達
5‧‧‧罩杯
6‧‧‧排氣/排液管
7‧‧‧搬入搬出口
11‧‧‧噴嘴
12‧‧‧液體供給配管
14‧‧‧液體供給部
20‧‧‧控制部
21‧‧‧控制器
22‧‧‧使用者介面
23‧‧‧記憶部
W‧‧‧基板(矽基板)
[圖1]表示用於實施本發明之一實施形態之氧化鈦膜 之去除方法的氧化鈦膜之去除裝置的剖面圖。
[圖2]Ti之pH-氧化還原電位圖。
[圖3]表示對於以純水所稀釋之HCl溶液與以屬於有機酸之乙酸所稀釋之HCl溶液之InP之反應性的圖。
[圖4]表示使用包含有氫氟酸之各種水溶液來對矽基板上之氧化鈦膜進行蝕刻時之氧化鈦之蝕刻速率及矽之蝕刻量的圖。
[圖5]表示使用氫氟酸與鹽酸之混合水溶液及氫氟酸與乙酸之混合水溶液，且分別使鹽酸之濃度及乙酸之濃度改變時之氧化鈦之蝕刻速率的圖。
本案發明者，係為了解決上述課題，而多次進行各種評估。其結果，發現了藉由氫氟酸與鹽酸等之非氧化性之酸的混合水溶液或氫氟酸與有機酸的混合水溶液，不會對矽基板造成損傷而能夠以低溫且高速去除存在於矽基板的氧化鈦膜。
藉由該些混合水溶液而可得到上述效果之理由，係推測如下述。
於氫氟酸與鹽酸等之非氧化性之酸的混合水溶液之情況下，雖然氫氟酸為弱酸且氫氟酸溶液之pH為2~3左右，但藉由添加鹽酸等之非氧化性的酸，會使混合水溶液的pH更下降，且pH越低則TiO2中之離子化之Ti的存在比率變得越高。因此，可認為係藉由氫氟酸與TiO2之反 應，Ti離子會穩定地生成，而TiO2之蝕刻速率會提高。
另一方面，於氫氟酸與有機酸之混合水溶液的情況下，相較於單一氫氟酸之水溶液，氫氟酸之電離度較為下降。亦即，以混合有機酸的方式，會使水溶液中的[HF]濃度上升。因此，藉由氫氟酸與有機酸之混合水溶液使TiO2的蝕刻速率上升，可認為係因為TiO2之蝕刻是藉由未解離的HF來予以進行。
本發明，係根據像這樣的見解而進行研究者。
以下，參閱添加圖式說明本發明之實施形態。
圖1，係表示用於實施本發明之一實施形態之氧化鈦膜之去除方法的氧化鈦膜之去除裝置的剖面圖。
該氧化鈦膜之去除裝置1，係具有腔室2，在該腔室2中收容有基板W，該基板W係在背面形成有TiO2膜10。作為基板W，係使用矽基板(矽晶圓)。另外，基板W，係亦可為在端部再附著有包含鈦或氧氣之膜者。
又，氧化鈦膜之去除裝置1，係具有用於在水平狀態下藉由真空吸附來吸附保持基板W的旋轉夾盤3，該旋轉夾盤3係可藉由馬達4進行旋轉。又，在腔室2內，以包覆被保持於旋轉夾盤3之基板W的方式，設有罩杯5。在罩杯5之底部，以延伸至腔室2之下方的方式，設有用於排氣及排液之排氣/排液管6。在腔室2之側壁，設有用於搬入搬出基板W之搬入搬出口7。基板 W，係以使形成有TiO2膜10之背面呈朝上的方式，被保持於旋轉夾盤3。
在被保持於旋轉夾盤3之基板W的上方，係設有用於吐出液體的噴嘴11，該液體係用於去除被形成於基板W之背面的TiO2膜10。噴嘴11，係可藉由驅動機構(未圖示)在水平方向及上下方向移動。如圖所示，在基板W之背面全面形成有TiO2膜10時，係在與基板W之上方之基板W之中心對應的位置裝設噴嘴11。另外，在去除含有再附著於基板端部之鈦或氧氣之膜時，係只要在因應於其附著之狀態的位置裝設噴嘴11即可。
在噴嘴11，連接有液體供給配管12，在該液體供給配管12，係從液體供給部14供給作為用於去除TiO2膜10之液體如氫氟酸(HF)與非氧化性之酸(例如鹽酸(HCl))的混合水溶液、或氫氟酸(HF)與有機酸(例如乙酸)的混合水溶液。
液體供給部14，係具有：供給源，分別供給氫氟酸(HF)、非氧化性之酸或有機酸、及純水(DIW)；及閥系統或流量控制系統，用於調節該些之混合比。另外，亦可為含有非氧化性之酸與有機酸兩者的混合水溶液。
又，氧化鈦膜之去除裝置1，係具有控制部20。控制部20，係具有：控制器21；使用者介面22；及記憶部23。控制器21，係具有控制氧化鈦膜之去除裝置1之各構成部，例如馬達4、噴嘴之驅動機構、液體供給 部14之閥系統或流量控制系統等的微處理器(電腦)。使用者介面22，係由鍵盤或顯示器等所形成，該鍵盤係操作者為了管理氧化鈦膜之去除裝置1而進行指令等的輸入操作，該顯示器係對氧化鈦膜之去除裝置1的運轉狀況進行可視化並加以顯示。又，在記憶部23，係儲存有用於控制氧化鈦膜之去除裝置1之各構成部之控制對象的控制程式，或用於使預定處理執行於氧化鈦膜之去除裝置1的程式亦即處理程式。處理程式，係被記憶於記憶部23中的記憶媒體。記憶媒體，係亦可為如硬碟般之固定者，亦可為CDROM、DVD、快閃記憶體等可攜式者。又，亦可從其他裝置例如經由專用回線來適當地傳送處理程式。且，因應所需，可藉由來自使用者介面22之指示等，由記憶部23呼叫任意的處理程式並於控制器21執行，藉此，在控制器21的控制下，進行預定處理。
接下來，說明藉由像這樣的氧化鈦膜之去除裝置1去除存在於基板W之氧化鈦膜的方法。
首先，將在背面形成有TiO2膜10的基板W搬入至腔室2，且以使背面呈朝上的狀態保持於旋轉夾盤3。基板W，係例如以批式成膜形成TiO2膜，且在背面形成有不期望之TiO2膜10者，並去除該不期望的TiO2膜10。另外，基板W，係以對例如TiO2膜進行蝕刻的方式，在其端部再附著含有鈦或氧氣之膜者，且亦可為去除已再附著之附著物者。在其情況下，藉由其附著狀況，亦可使背面呈朝上，或使表面呈朝上。
接下來，在基板W上方之對應於基板W之中心的位置裝設噴嘴11，且藉由馬達4一邊使旋轉夾盤3與基板W旋轉，一邊從液體供給部14經由液體供給配管12及噴嘴11，對基板W之上面供給作為用於去除TiO2膜10之液體(氫氟酸(HF)與非氧化性之酸的混合水溶液或氫氟酸與有機酸的混合水溶液)。
被供給至基板W之上面的混合水溶液，係以離心力被擴散至基板W之外方，且與TiO2膜10產生反應。藉由此時之混合水溶液與TiO2膜10的反應，從基板W去除TiO2膜10。
如此一來，當使氫氟酸(HF)與非氧化性之酸的混合水溶液或氫氟酸(HF)與有機酸的混合水溶液作用於TiO2膜10時，則不會對構成基板W的矽造成損傷，而能夠以低溫且高速僅對TiO2膜10進行蝕刻去除。在含有已再附著於基板端部之鈦或氧氣之膜的情況下，亦與TiO2膜10相同，藉由氫氟酸(HF)與非氧化性之酸的混合水溶液或氫氟酸(HF)與有機酸的混合水溶液，不會對矽造成損傷而能夠進行去除。
藉由該些混合水溶液而可得到上述效果之理由，係推測如下述。
於氫氟酸(HF)與非氧化性之酸的混合水溶液之情況下，雖然氫氟酸為弱酸且氫氟酸溶液之pH為2~3左右，但以添加鹽酸等之非氧化性之酸的方式，會使混合水溶液的pH更下降。圖2，係Ti之pH-氧化還原電位圖。 存在有H2O的情況下，取得圖2之2條斜虛線之間的區域。如圖2所示，當pH越低則已離子化之Ti(TiO++)的存在比率越高，當pH<0則大致全部形成為TiO++。亦即，表示pH越低則越穩定進行離子化。因此，將非氧化性之酸添加至氫氟酸而使pH下降的混合溶液，可認為係藉由氫氟酸與TiO2之反應，Ti離子會穩定地生成，而TiO2的蝕刻速率會提升。此時，pH<0為較佳。又，於非氧化性之酸的情況下，係與屬於氧化性之酸的硝酸不同，且與氫氟酸之混合水溶液是幾乎不會對矽進行蝕刻。
另一方面，可認為係在氫氟酸與有機酸之混合水溶液的情況下，類似於InP與HCl之反應機制者。圖3，係表示對於以純水所稀釋之HCl溶液與以屬於有機酸之乙酸所稀釋之HCl溶液之InP的反應性(出處：J.Electrochem.Soc.,131,1984 pp2643)。在該圖中，係表示以乙酸所稀釋之HCl溶液者是以較低的HCl濃度進行蝕刻。由於In-P之接合係直接切斷未解離之HCl的反應，因此，乙酸稀釋具有使鹵化氫之電離度下降之效果。亦即，藉由以乙酸進行稀釋的方式，造成HCl之電離度下降之結果，會殘留許多HCl，而更加進行InP之蝕刻。假定HF所致之TiO2膜的蝕刻亦為相同機制，可認為係藉由添加有機酸，抑制HF之電離而使[HF]濃度增加，從而進行TiO2之蝕刻。
因為氫氟酸(HF)與有機酸之混合水溶液相對於構成基板W之矽，浸濕性較高，因此，可高度維持 處理效率及處理之均一性。這是因為如本實施形態所示，在採取一邊使基板W旋轉一邊供給藥液的手法時，相對於基板之藥液的浸濕性越高處理效率越提升，且可均勻地進行處理。混合水溶液之浸濕性，係可藉由該些之比率來加以調整。
另外，由於混合水溶液中之氫氟酸係原液為50%水溶液，因此，在混合液中不可避免地包含有其部分之純水。又，由於作為代表之非氧化性之酸的鹽酸(HCl)，係原液為35%水溶液，因此，使用HCl時純水的量會更增加。
作為非氧化性之酸，雖然鹽酸(HCl)為最合適，但，除此之外，可列舉硫酸(H2SO4)或磷酸(H3PO4)等。在使用氫氟酸(HF)與非氧化性之酸的混合水溶液時，係如上述，將水溶液之pH調整成小於0為較佳。
作為有機酸，雖可列舉出羧酸、磺酸、酚類，但在該些中羧酸為較佳。羧酸，係能夠以一般式：R-COOH(R係氫、或直鏈或分枝鏈狀之C1~C20的烷基或烯基，較佳為甲基、乙基、丙基、丁基、戊基或已基)來予以表示。作為羧酸，可列舉出甲酸(HCOOH)、草酸((COOH)2)、乙酸(CH3COOH)、丙酸(CH3CH2COOH)、丁酸(CH3(CH2)2COOH)、戊酸(CH3(CH2)3COOH)等。在該些中，甲酸(HCOOH)、草酸((COOH)2)、乙酸(CH3COOH)為較佳，乙酸(CH3COOH)為特佳。有機 酸係與氫氟酸不同，且原液濃度係接近100%，例如在乙酸中，原液濃度為99%。
氫氟酸與非氧化性之酸之混合水溶液及氫氟酸與有機酸之混合水溶液的溫度，係室溫~100℃(例如50℃)為較佳。該些混合水溶液，能夠以像這樣的低溫來充分地去除TiO2膜，且不需要像在如使用氫氟酸/硝酸之混合液、氫氟酸/硫酸/硝酸之混合液時設成為高溫。
表示實際上，確認了該些混合水溶液對於去除TiO2膜為有效之實驗結果。在此，係針對3種類之氫氟酸水溶液(將氫氟酸原液：純水以質量比設成為3：7、2：8、1：9者)、氫氟酸及硝酸之混合水溶液(將氫氟酸原液：硝酸原液：純水以質量比設成為1：7：2者)、氫氟酸與鹽酸之混合水溶液(將氫氟酸原液：鹽酸原液：純水以質量比設成為1：7：2者)、氫氟酸與乙酸之混合水溶液(將氫氟酸原液：乙酸原液以質量比設成為1：9者)，將矽基板上之TiO2膜進行蝕刻。在此，將水溶液之溫度設為55℃。在圖4中表示此時之TiO2膜之蝕刻速率及矽的蝕刻量。如圖4所示，於單一氫氟酸之水溶液的情況下，雖不受限於氫氟酸濃度，且TiO2膜之蝕刻速率較小，但，在使用氫氟酸及硝酸之混合水溶液、氫氟酸與鹽酸之混合水溶液、氫氟酸與乙酸之混合水溶液時，TiO2膜之蝕刻速率會變得非常大。但是，在氫氟酸及硝酸之混合水溶液中，會導致矽被蝕刻。對此，已知在氫氟酸與鹽酸之混合水溶液、氫氟酸與乙酸之混合水溶液中，幾 乎不會對矽進行蝕刻而能夠僅對TiO2膜進行蝕刻。另外，在此所使用的原液濃度，係氫氟酸：50%、硝酸：68%、鹽酸：35%、乙酸：99%。
接下來，在圖5表示氫氟酸與鹽酸之混合水溶液中的鹽酸濃度及氫氟酸與乙酸之混合水溶液中的乙酸濃度相對於TiO2膜蝕刻速率的相關性而予以進行試驗的結果。在此，係使用氫氟酸與鹽酸之混合水溶液2種類(將氫氟酸原液：鹽酸原液：純水以質量比設成為1：7：2者(pH≒-0.8)、及設成為1：0.7：8.3者(pH≒0.8))、氫氟酸和乙酸之混合水溶液3種類(將氫氟酸原液：乙酸原液：純水以質量比設成為1：1：8者、設成為1：4.5：4.5者及將氫氟酸原液：乙酸原液以質量比設成為1：9者)，對TiO2膜進行蝕刻。為了進行比較，亦進行使用了氫氟酸水溶液(將氫氟酸原液：純水以質量比設成為1：9者)之TiO2膜的蝕刻。另外，在此係將水溶液之溫度設成為55℃。
如圖5所示，關於氫氟酸與鹽酸之混合水溶液，在將氫氟酸原液：鹽酸原液：純水以質量比設成為1：0.7：8.3者(pH≒0.8)，雖係有與氫氟酸溶液同等程度的蝕刻量，但，預測在氫氟酸原液：鹽酸原液：純水之質量比為1：1：8左右以上，可得到更良好的蝕刻速率。觀看pH時，pH≒0.8係蝕刻速率較小，且藉由將氫氟酸原液：鹽酸原液：純水以質量比設成為1：7：2並設成為pH≒-0.8，蝕刻量會明顯上升，由此可知，以使pH<0而 添加鹽酸為較佳。因此，在添加鹽酸的情況下，代替鹽酸添加量，亦可以pH來進行規定。
又，於氫氟酸與乙酸之混合水溶液的情況下，即使將氫氟酸原液：乙酸原液：純水以質量比設成為1：1：8(乙酸：10質量%)者，亦比於氫氟酸水溶液時蝕刻速率雖稍微提高，但從以氫氟酸原液：乙酸原液：純水=1：4.5：4.5(乙酸：45質量%)以上的乙酸量而使蝕刻量之上升變大來看，乙酸為40質量%以上為較佳。在使用甲酸替代乙酸的情況下，亦可得到相同結果。
由上述結果可知，在使用氫氟酸與鹽酸(非氧化性的酸)之混合水溶液的情況下，氫氟酸(HF)及鹽酸(HCl)的濃度，係氫氟酸(HF)：1~30質量%、鹽酸(HCl)：2~30質量%為較佳。其他之非氧化的酸亦相同。剩餘部分雖係純水，但如上述，由於氫氟酸之原液為50%水溶液、鹽酸之原液為35%水溶液，因此，必須考慮原液之純水的量而加以決定比率。例如，將鹽酸設成30質量%的情況下，原液中之純水量變成為55.7質量%，且以氫氟酸原液及因應所需以純水來調整剩餘的14.3質量%。
又，在使用氫氟酸與有機酸(乙酸)的混合水溶液時，氫氟酸及有機酸的濃度，係氫氟酸(HF)：1~30質量%、有機酸：40~98質量%為較佳。剩餘部分雖為純水，但由於氫氟酸之原液係如上述為50%水溶液，因此，例如在將氫氟酸(HF)設成為上限之30質量%時， 純水變成為30質量%，有機酸大致變成為40質量%。在僅使用氫氟酸(HF)及有機酸之原液，而不個別添加純水(DIW)時，純水係大致變成為1~30質量%之範圍。
如上述，根據本實施形態，以對矽基板W(在背面形成有TiO2膜10)供給氫氟酸與非氧化性之酸之混合水溶液或氫氟酸與有機酸之混合水溶液的方式，從矽基板W去除TiO2膜10。藉此，不會對矽基板W造成損傷，而能夠以高速且低溫去除形成於矽基板W之背面的TiO2膜10。又，含有已再附著於基板端部之鈦或氧氣之膜的情況下，亦以供給氫氟酸與非氧化性之酸之混合水溶液或氫氟酸與有機酸之混合水溶液的方式，相同地不會對矽基板W造成損傷，而能夠以低溫且高速地進行去除。
上述，雖說明了本發明之實施形態，但本發明並不限定於上述實施形態，可進行各種變形。例如，在上述實施形態中，雖表示了使基板保持於旋轉夾盤，並從配置於基板上方的噴嘴供給混合液的情況，但，並不限於此，只要將噴嘴設置在基板之背面側、設置在基板之外側等，依據氧化鈦膜之附著狀況而採用適當的裝置即可。
1‧‧‧氧化鈦膜之去除裝裝置
2‧‧‧腔室
3‧‧‧旋轉夾盤
4‧‧‧馬達
5‧‧‧罩杯
6‧‧‧排氣/排液管
7‧‧‧搬入搬出口
10‧‧‧TiO2膜
11‧‧‧噴嘴
12‧‧‧液體供給配管
14‧‧‧液體供給部
20‧‧‧控制部
21‧‧‧控制器
22‧‧‧使用者介面
23‧‧‧記憶部
W‧‧‧基板(矽基板)

Claims (15)

  1. 一種氧化鈦膜之去除方法，係具有：準備存在有氧化鈦膜之矽基板的步驟；使包含有氫氟酸與非氧化性之酸的第1混合水溶液或包含有氫氟酸與有機酸的第2混合水溶液接觸於前述氧化鈦膜之步驟；藉由前述第1或第2混合水溶液與前述氧化鈦膜之反應，從前述矽基板去除前述氧化鈦膜的步驟。
  2. 如申請專利範圍第1項之氧化鈦膜之去除方法，其中，前述氧化鈦膜，係附著於矽基板者，或形成於矽基板之背面全面者。
  3. 如申請專利範圍第1項之氧化鈦膜之去除方法，其中，前述非氧化性之酸，係從由鹽酸、硫酸及磷酸所構成之群組予以選擇者。
  4. 如申請專利範圍第1項之氧化鈦膜之去除方法，其中，前述有機酸，係從由乙酸、甲酸及草酸所構成之群組予以選擇者。
  5. 如申請專利範圍第1項之氧化鈦膜之去除方法，其中，前述第1混合水溶液，係氫氟酸之濃度為1~30質量%，非氧化性的酸之濃度為2~30質量%之範圍。
  6. 如申請專利範圍第1項之氧化鈦膜之去除方法，其中，前述第2混合水溶液，係氫氟酸之濃度為1~30質量%，有機酸之濃度為40~98質量%之範圍。
  7. 如申請專利範圍第1項之氧化鈦膜之去除方法，其中，前述第1或第2混合水溶液的溫度，係室溫~100℃。
  8. 如申請專利範圍第1項之氧化鈦膜之去除方法，其中，一邊使前述矽基板旋轉，一邊對前述矽基板供給前述第1或第2混合水溶液。
  9. 一種氧化鈦膜之去除裝置，係去除存在於矽基板之氧化鈦膜的氧化鈦膜之去除裝置，係具備有：保持機構，可旋轉地保持前述矽基板；旋轉機構，使前述保持機構旋轉；液供給部，用於供給包含有氫氟酸與非氧化性之酸的第1混合水溶液或包含有氫氟酸與有機酸的第2混合水溶液；及噴嘴，對被保持於前述保持機構的矽基板吐出來自前述液供給部的前述第1或第2混合水溶液，使從前述噴嘴吐出的前述第1或第2混合水溶液接觸於存在於前述矽基板的前述氧化鈦膜，從而去除前述氧化鈦膜。
  10. 如申請專利範圍第9項之氧化鈦膜之去除裝置， 其中，前述非氧化性之酸，係從由鹽酸、硫酸及磷酸所構成之群組予以選擇者。
  11. 如申請專利範圍第9項之氧化鈦膜之去除裝置，其中，前述有機酸，係從由乙酸、甲酸及草酸所構成之群組予以選擇者。
  12. 如申請專利範圍第9項之氧化鈦膜之去除裝置，其中，前述液供給部，係將前述第1混合水溶液之氫氟酸的濃度設成為1~30質量%，且將非氧化性的酸之濃度設成為2~30質量%之範圍，而供給前述第1混合水溶液。
  13. 如申請專利範圍第9項之氧化鈦膜之去除裝置，其中，前述液供給部，係將前述第2混合水溶液之氫氟酸的濃度設成為1~30質量%，且將有機酸之濃度設成為40~98質量%之範圍，而供給前述第2混合水溶液。
  14. 如申請專利範圍第9項之氧化鈦膜之去除裝置，其中，前述液供給部，係以室溫~100℃之溫度供給前述第1或第2混合水溶液。
  15. 一種記憶媒體，係在電腦上進行動作，且記憶有用於控制氧化鈦膜之去除裝置的程式之記憶媒體，其特徵係，前述程式，係在執行時以進行具有下述步驟之氧化鈦 膜之去除方法的方式，於電腦控制前述氧化鈦膜之去除裝置，其步驟係包含：準備存在有氧化鈦膜之矽基板的步驟；使包含有氫氟酸與非氧化性之酸的第1混合水溶液或包含有氫氟酸與有機酸的第2混合水溶液接觸於前述氧化鈦膜的步驟；及藉由前述第1或第2混合水溶液與前述氧化鈦膜之反應，從前述矽基板去除前述氧化鈦膜的步驟。
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