JP6353636B2 - 酸化チタン膜の除去方法および除去装置 - Google Patents
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- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 72
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 70
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 21
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 239
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 92
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 84
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 82
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 55
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 55
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 55
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 41
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 38
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 19
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 18
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 11
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 7
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 3
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 96
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 48
- 239000011550 stock solution Substances 0.000 description 35
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 29
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 26
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N n-(2,4-dichloro-5-propan-2-yloxyphenyl)acetamide Chemical compound CC(C)OC1=CC(NC(C)=O)=C(Cl)C=C1Cl QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 11
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 10
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 7
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N Butyric acid Chemical compound CCCC(O)=O FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N valeric acid Chemical compound CCCCC(O)=O NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N dimethylselenoniopropionate Natural products CCC(O)=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hcl hcl Chemical compound Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000012864 cross contamination Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical group 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012433 hydrogen halide Substances 0.000 description 1
- 229910000039 hydrogen halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001147 pentyl group Chemical group C(CCCC)* 0.000 description 1
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 1
- 235000019260 propionic acid Nutrition 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N quinbolone Chemical compound O([C@H]1CC[C@H]2[C@H]3[C@@H]([C@]4(C=CC(=O)C=C4CC3)C)CC[C@@]21C)C1=CCCC1 IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N 0.000 description 1
- 229940005605 valeric acid Drugs 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31105—Etching inorganic layers
- H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
- H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
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Description
本発明は、シリコン基板に存在する酸化チタン膜を除去する酸化チタン膜の除去方法および除去装置に関する。
半導体デバイスの製造過程において、エッチングマスクとして用いられるハードマスクの材料としてＴｉＯ２膜が用いられている。ＴｉＯ２膜は、他の膜（ＳｉやＳｉＯ２、有機膜等）との選択比が良好であることから、新規のハードマスク材料として優位性を有している。
シリコン基板上にＴｉＯ２膜を成膜する際には、枚葉成膜やバッチ式成膜が行われるが、バッチ式成膜の場合にはシリコン基板の裏面にも成膜されてしまい、裏面に形成されたＴｉＯ２膜を除去する必要がある。また、ハードマスクとしてＴｉＯ２膜を形成した後にエッチングに供すると、シリコン基板の端部にチタンや酸素を含有する膜が再付着することがある。
基板端部に再付着したチタンや酸素を含有する膜、および基板裏面のＴｉＯ２膜（以下、両者を酸化チタン膜と総称する）が付着したまま次工程を行うと、工程間のクロスコンタミネーション等の不都合が生じるため、付着した酸化チタン膜を除去する必要がある。シリコン基板にダメージを与えずに酸化チタン膜を除去する手法としては、薬液としてフッ酸（ＨＦ）を用いてウェット洗浄することが検討されており、特許文献１にはフッ酸（ＨＦ）または緩衝フッ酸（ＢＨＦ）を用いて酸化チタン膜を除去することが記載されている。
しかし、ＴｉＯ２膜はフッ酸によりエッチングされるものの、エッチングレートレートが極めて遅く、実用的でないことが判明した。
セラミック材料の分析においては、ＴｉＯ２試料の分解方法として、フッ酸と硝酸の混合液、フッ酸と硫酸の混合液を用いているが、２５０℃程度の高温処理またはマイクロ波による処理を併用する必要があるため、半導体装置への適用を考慮すると、ハード面の構築が困難である。また、フッ酸と硝酸の混合液はシリコンをエッチングし、その反応性はＴｉＯ２よりも高いため、シリコン基板上の膜除去に適用することが困難である。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、シリコン基板に存在する酸化チタン膜を、シリコン基板にダメージを与えることなく、低温でかつ高速で除去することができる酸化チタン膜の除去方法および除去装置を提供することを課題とする。
本発明者らは、上記課題を解決するために種々検討を重ねた。その結果、フッ酸と塩酸等の非酸化性の酸との混合水溶液、またはフッ酸と有機酸との混合水溶液により、シリコン基板に存在する酸化チタン膜を、シリコン基板にダメージを与えることなく、低温でかつ高速で除去することができることを見出した。
これらの混合水溶液により上記効果が得られる理由は以下のように推測される。
フッ酸と塩酸等の非酸化性の酸との混合水溶液の場合、フッ酸は弱酸でありフッ酸溶液のｐＨは２〜３程度であるが、塩酸等の非酸化性の酸を添加することで混合水溶液のｐＨがより低下し、ｐＨが低いほどＴｉＯ２中のイオン化するＴｉの存在比率が高くなる。そのため、フッ酸とＴｉＯ２との反応により安定的にＴｉイオンが生成し、ＴｉＯ２のエッチングレートが向上するものと考えられる。
一方、フッ酸と有機酸との混合水溶液の場合、フッ酸単独の水溶液よりもフッ酸の電離度が低下する。すなわち、有機酸を混合することにより水溶液中の［ＨＦ］濃度が上昇する。したがって、フッ酸と有機酸との混合水溶液によりＴｉＯ２のエッチングレートが上昇するのは、ＴｉＯ２のエッチングは未解離のＨＦにより進行するためと考えられる。
本発明はこのような知見に基づいてなされたものである。
フッ酸と塩酸等の非酸化性の酸との混合水溶液の場合、フッ酸は弱酸でありフッ酸溶液のｐＨは２〜３程度であるが、塩酸等の非酸化性の酸を添加することで混合水溶液のｐＨがより低下し、ｐＨが低いほどＴｉＯ２中のイオン化するＴｉの存在比率が高くなる。そのため、フッ酸とＴｉＯ２との反応により安定的にＴｉイオンが生成し、ＴｉＯ２のエッチングレートが向上するものと考えられる。
一方、フッ酸と有機酸との混合水溶液の場合、フッ酸単独の水溶液よりもフッ酸の電離度が低下する。すなわち、有機酸を混合することにより水溶液中の［ＨＦ］濃度が上昇する。したがって、フッ酸と有機酸との混合水溶液によりＴｉＯ２のエッチングレートが上昇するのは、ＴｉＯ２のエッチングは未解離のＨＦにより進行するためと考えられる。
本発明はこのような知見に基づいてなされたものである。
すなわち、第１の観点では、シリコン基板上に存在する酸化チタン膜を除去する酸化チタン膜の除去方法であって、酸化チタン膜が存在するシリコン基板を準備することと、フッ酸と、フッ酸のｐＨを下げイオン化したチタンの存在比率を高くするための非酸化性の酸とを含み、前記非酸化性の酸の添加によりｐＨ＜０となり、かつ、フッ酸の濃度が１〜３０質量％、非酸化性の酸の濃度が２〜３０質量％の範囲とした第１の混合水溶液を前記酸化チタン膜に接触させることと、前記第１の混合水溶液と前記酸化チタン膜との反応により前記酸化チタン膜を前記シリコン基板から除去することとを有することを特徴とする酸化チタン膜の除去方法を提供する。
本発明の第２の観点では、シリコン基板上に存在する酸化チタン膜を除去する酸化チタン膜の除去装置であって、前記シリコン基板を回転可能に保持する保持機構と、前記保持機構を回転させる回転機構と、フッ酸と、フッ酸のｐＨを下げイオン化したチタンの存在比率を高くするための非酸化性の酸とを含み、前記非酸化性の酸の添加によりｐＨ＜０となり、かつ、フッ酸の濃度が１〜３０質量％、非酸化性の酸の濃度が２〜３０質量％の範囲とした第１の混合水溶液を供給するための液供給部と、前記液供給部からの前記第１の混合水溶液を前記保持機構に保持されたシリコン基板に吐出するノズルとを具備し、前記ノズルから吐出された前記第１の混合水溶液を前記シリコン基板に存在する前記酸化チタン膜に接触させて前記酸化チタン膜を除去することを特徴とする酸化チタン膜の除去装置を提供する。
上記第１の観点および第２の観点において、前記酸化チタン膜は、シリコン基板に付着したもの、またはシリコン基板の裏面全面に形成されたものであることが好適である。前記非酸化性の酸は、塩酸、硫酸、およびリン酸からなる群から選択されたもの、特に塩酸が好ましい。前記第１の混合水溶液の温度は、室温〜１００℃であることが好ましい。前記第１の観点において、前記シリコン基板を回転させながら、前記シリコン基板に前記第１の混合水溶液を供給することが好ましい。
本発明の第３の観点では、コンピュータ上で動作し、酸化チタン膜の除去装置を制御するためのプログラムが記憶された記憶媒体であって、前記プログラムは、実行時に、上記第１の観点の酸化チタン膜の除去方法が行われるように、コンピュータに前記酸化チタン膜の除去装置を制御させることを特徴とする記憶媒体を提供する。
本発明によれば、シリコン基板上の酸化チタン膜に、フッ酸と非酸化性の酸とを含む混合水溶液、またはフッ酸と有機酸とを含む混合水溶液を接触させることにより、シリコン基板に付着した酸化チタン膜を、シリコン基板にダメージを与えることなく低温かつ高速で除去することができる。
以下、添付図面を参照して本発明の実施形態について説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係る酸化チタン膜の除去方法を実施するための酸化チタン膜の除去装置を示す断面図である。
図１は、本発明の一実施形態に係る酸化チタン膜の除去方法を実施するための酸化チタン膜の除去装置を示す断面図である。
この酸化チタン膜の除去装置１は、チャンバ２を有し、このチャンバ２の中には、裏面にＴｉＯ２膜１０が形成された基板Ｗが収容される。基板Ｗとしてはシリコン基板（シリコンウエハ）が用いられる。なお、基板Ｗは、端部にチタンや酸素を含有する膜が再付着したものであってもよい。
また、酸化チタン膜の除去装置１は、基板Ｗを水平状態で真空吸着により吸着保持するためのスピンチャック３を有しており、このスピンチャック３は、モータ４により回転可能となっている。また、チャンバ２内には、スピンチャック３に保持された基板Ｗを覆うようにカップ５が設けられている。カップ５の底部には、排気および排液のための排気・排液管６が、チャンバ２の下方へ延びるように設けられている。チャンバ２の側壁には、基板Ｗを搬入出するための搬入出口７が設けられている。基板Ｗは、ＴｉＯ２膜１０が形成された裏面が上になるようにスピンチャック３に保持される。
スピンチャック３に保持された基板Ｗの上方には、基板Ｗの裏面に形成されたＴｉＯ２膜１０を除去するための液体を吐出するためのノズル１１が設けられている。ノズル１１は駆動機構（図示せず）により水平方向および上下方向に移動可能となっている。図示するように、基板Ｗの裏面全面にＴｉＯ２膜１０が形成されている場合には、基板Ｗの上方の基板Ｗの中心に対応する位置にノズル１１をセットする。なお、基板端部に再付着したチタンや酸素を含有する膜を除去する場合には、その付着の状況に応じた位置にノズル１１をセットすればよい。
ノズル１１には液体供給配管１２が接続されており、この液体供給配管１２には、液体供給部１４から、ＴｉＯ２膜１０を除去するための液体として、フッ酸（ＨＦ）と非酸化性の酸（例えば塩酸（ＨＣｌ））との混合水溶液、またはフッ酸（ＨＦ）と有機酸（例えば酢酸）との混合水溶液が供給されるようになっている。
液体供給部１４は、フッ酸（ＨＦ）、非酸化性の酸または有機酸、および純水（ＤＩＷ）のそれぞれを供給する供給源と、これらの混合比を調節するためのバルブシステムや流量制御システムを有している。なお、非酸化性の酸と有機酸の両方を含有した混合水溶液であってもよい。
また、酸化チタン膜の除去装置１は、制御部２０を有している。制御部２０は、コントローラ２１と、ユーザーインターフェース２２と、記憶部２３とを有している。コントローラ２１は、酸化チタン膜の除去装置１の各構成部、例えばモータ４、ノズルの駆動機構、液体供給部１４のバルブシステムや流量制御システム等を制御するマイクロプロセッサ（コンピュータ）を有している。ユーザーインターフェース２２は、オペレータが酸化チタン膜の除去装置１を管理するためにコマンド等の入力操作を行うキーボードや、酸化チタン膜の除去装置１の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等からなっている。また、記憶部２３には、酸化チタン膜の除去装置１の各構成部の制御対象を制御するための制御プログラムや、酸化チタン膜の除去装置１に所定の処理を行わせるためのプログラムすなわちレシピが格納されている。レシピは記憶部２３の中の記憶媒体に記憶されている。記憶媒体は、ハードディスクのような固定的なものであってもよいし、ＣＤＲＯＭ、ＤＶＤ、フラッシュメモリ等の可搬性のものであってもよい。また、他の装置から、例えば専用回線を介してレシピを適宜伝送させるようにしてもよい。そして、必要に応じて、ユーザーインターフェース２２からの指示等にて任意のレシピを記憶部２３から呼び出してコントローラ２１に実行させることで、コントローラ２１の制御下で、所定の処理が行われる。
次に、このような酸化チタン膜の除去装置１により基板Ｗに存在する酸化チタン膜を除去する方法について説明する。
まず、チャンバ２に、裏面にＴｉＯ２膜１０が形成された基板Ｗを搬入し、裏面を上にした状態でスピンチャック３に保持させる。基板Ｗは、例えば、バッチ式成膜でＴｉＯ２膜を形成し、裏面に不所望なＴｉＯ２膜１０が形成されたものであり、この不所望なＴｉＯ２膜１０を除去する。なお、基板Ｗが、例えばＴｉＯ２膜をエッチングすることにより、その端部にチタンや酸素を含有する膜が再付着したものであり、再付着した付着物を除去するものであってもよい。その場合には、その付着状況により、裏面を上にしても表面を上にしてもよい。
次いで、ノズル１１を基板Ｗの上方の基板Ｗの中心に対応する位置にセットし、モータ４によりスピンチャック３とともに基板Ｗを回転させながら、液体供給部１４からＴｉＯ２膜１０を除去するための液体として、フッ酸（ＨＦ）と非酸化性の酸との混合水溶液、またはフッ酸と有機酸との混合水溶液を液体供給配管１２およびノズル１１を介して基板Ｗの上面に供給する。
基板Ｗの上面に供給された混合水溶液は、遠心力で基板Ｗの外方に広がり、ＴｉＯ２膜１０と反応する。この際の混合水溶液とＴｉＯ２膜１０との反応により、ＴｉＯ２膜１０が基板Ｗから除去される。
このように、フッ酸（ＨＦ）と非酸化性の酸との混合水溶液、またはフッ酸（ＨＦ）と有機酸との混合水溶液をＴｉＯ２膜１０に作用させると、基板Ｗを構成するシリコンにダメージを与えることなくＴｉＯ２膜１０のみを低温かつ高速でエッチング除去することができる。基板端部に再付着したチタンや酸素を含有する膜の場合も、ＴｉＯ２膜１０と同様、フッ酸（ＨＦ）と非酸化性の酸との混合水溶液、またはフッ酸（ＨＦ）と有機酸との混合水溶液によりシリコンにダメージを与えることなく除去することができる。
これらの混合水溶液により上記効果が得られる理由は以下のように推測される。
フッ酸（ＨＦ）と非酸化性の酸との混合水溶液の場合、フッ酸は弱酸でありフッ酸溶液のｐＨは２〜３程度であるが、塩酸等の非酸化性の酸を添加することで混合水溶液のｐＨがより低下する。図２はＴｉのｐＨ−酸化還元電位図である。Ｈ２Ｏの存在下では、図２の２本の斜め破線の間の領域をとる。図２に示すように、ｐＨが低くなるほどイオン化したＴｉ（ＴｉＯ＋＋）の存在比率が高くなり、ｐＨ＜０になるとほぼ全部がＴｉＯ＋＋となる。つまり、ｐＨが低いほど安定的にイオン化することを示している。したがって、フッ酸に非酸化性の酸を添加してｐＨを低下させた混合溶液は、フッ酸とＴｉＯ２との反応により安定的にＴｉイオンが生成し、ＴｉＯ２のエッチングレートが向上するものと考えられる。このときｐＨ＜０であることが好ましい。また、非酸化性の酸の場合は、酸化性の酸である硝酸と異なり、フッ酸との混合水溶液はシリコンをほとんどエッチングしない。
フッ酸（ＨＦ）と非酸化性の酸との混合水溶液の場合、フッ酸は弱酸でありフッ酸溶液のｐＨは２〜３程度であるが、塩酸等の非酸化性の酸を添加することで混合水溶液のｐＨがより低下する。図２はＴｉのｐＨ−酸化還元電位図である。Ｈ２Ｏの存在下では、図２の２本の斜め破線の間の領域をとる。図２に示すように、ｐＨが低くなるほどイオン化したＴｉ（ＴｉＯ＋＋）の存在比率が高くなり、ｐＨ＜０になるとほぼ全部がＴｉＯ＋＋となる。つまり、ｐＨが低いほど安定的にイオン化することを示している。したがって、フッ酸に非酸化性の酸を添加してｐＨを低下させた混合溶液は、フッ酸とＴｉＯ２との反応により安定的にＴｉイオンが生成し、ＴｉＯ２のエッチングレートが向上するものと考えられる。このときｐＨ＜０であることが好ましい。また、非酸化性の酸の場合は、酸化性の酸である硝酸と異なり、フッ酸との混合水溶液はシリコンをほとんどエッチングしない。
一方、フッ酸と有機酸との混合水溶液の場合、ＩｎＰとＨＣｌとの反応メカニズムに類似しているものと考えられる。図３は、純水で希釈したＨＣｌ溶液と有機酸である酢酸で希釈したＨＣｌ溶液に対するＩｎＰの反応性を示している（出典：J.Electrochem.Soc.,131,1984 pp2643）。この図では、酢酸で希釈したＨＣｌ溶液のほうが低いＨＣｌ濃度でエッチングが進行することを示している。Ｉｎ−Ｐのボンドは未解離のＨＣｌが直接切断する反応であるため、酢酸希釈はハロゲン化水素の電離度を低下させる効果があるとしている。つまり、酢酸で希釈することにより、ＨＣｌの電離度が低下する結果、ＨＣｌが多く残存し、ＩｎＰのエッチングがより進行する。ＨＦによるＴｉＯ２膜のエッチングも同様のメカニズムが想定され、有機酸を添加することにより、ＨＦの電離が抑制されて［ＨＦ］濃度が増加し、ＴｉＯ２のエッチングが進行するものと考えられる。
フッ酸（ＨＦ）と有機酸との混合水溶液は基板Ｗを構成するシリコンに対して濡れ性が高いことから、処理効率および処理の均一性を高く維持することができる。これは、本実施形態のように基板Ｗを回転させながら薬液を供給する手法を採る場合には、基板に対する薬液の濡れ性が高いほど処理効率が向上し、かつ均一に処理することが可能であるからである。混合水溶液の濡れ性は、これらの比率により調整することができる。
なお、混合水溶液中のフッ酸は原液が５０％水溶液であるため、混合液中にはその分の純水が不可避的に含まれることとなる。また、代表的な非酸化性の酸である塩酸（ＨＣｌ）は原液が３５％水溶液であるから、ＨＣｌを用いるときにはさらに純水の量が増加する。
非酸化性の酸としては、塩酸（ＨＣｌ）が好適であるが、その他に硫酸（Ｈ２ＳＯ４）やリン酸（Ｈ３ＰＯ４）等を挙げることができる。フッ酸（ＨＦ）と非酸化性の酸との混合水溶液を用いる場合には、上述したように、水溶液のｐＨを０より小さくなるように調整することが好ましい。
有機酸としては、カルボン酸、スルホン酸、フェノール類を挙げることができるが、これらの中ではカルボン酸が好ましい。カルボン酸は、一般式：Ｒ−ＣＯＯＨ（Ｒは水素、又は直鎖もしくは分枝鎖状のＣ１〜Ｃ２０のアルキル基もしくはアルケニル基、好ましくはメチル、エテル、プロピル、ブチル、ペンチル又はヘキシル）で表すことができる。カルボン酸としては、蟻酸（ＨＣＯＯＨ）、シュウ酸（（ＣＯＯＨ）２）、酢酸（ＣＨ３ＣＯＯＨ）、プロピオン酸（ＣＨ３ＣＨ２ＣＯＯＨ）、酪酸（ＣＨ３（ＣＨ２）２ＣＯＯＨ）、吉草酸（ＣＨ３（ＣＨ２）３ＣＯＯＨ）などを挙げることができる。これらの中では、蟻酸（ＨＣＯＯＨ）、シュウ酸（（ＣＯＯＨ）２）、酢酸（ＣＨ３ＣＯＯＨ）が好ましく、酢酸（ＣＨ３ＣＯＯＨ）が特に好ましい。有機酸はフッ酸と異なり、原液濃度は１００％に近い、例えば酢酸では原液濃度が９９％である。
フッ酸と非酸化性の酸との混合水溶液、およびフッ酸と有機酸との混合水溶液の温度は室温〜１００℃（例えば５０℃）であることが好ましい。これらの混合水溶液は、このような低温で十分にＴｉＯ２膜を除去することができ、フッ酸／硝酸の混合液、フッ酸／硫酸／硝酸の混合液を用いた場合のように高温にする必要はない。
実際に、これらの混合水溶液がＴｉＯ２膜除去に対して有効であることを確認した実験結果を示す。ここでは、３種類のフッ酸水溶液（フッ酸原液：純水を質量比で３：７、２：８、１：９としたもの）、フッ酸および硝酸の混合水溶液（フッ酸原液：硝酸原液：純水を質量比で１：７：２としたもの）、フッ酸と塩酸との混合水溶液（フッ酸原液：塩酸原液：純水を質量比で１：７：２としたもの）、フッ酸と酢酸との混合水溶液（フッ酸原液：酢酸原液を質量比で１：９としたもの）について、シリコン基板上のＴｉＯ２膜をエッチングした。ここでは水溶液の温度を５５℃とした。その際のＴｉＯ２膜のエッチングレートおよびシリコンのエッチング量を図４に示す。図４に示すように、フッ酸単独の水溶液の場合、フッ酸濃度によらずＴｉＯ２膜のエッチングレートは小さいが、フッ酸および硝酸の混合水溶液、フッ酸と塩酸との混合水溶液、フッ酸と酢酸との混合水溶液を用いた場合、ＴｉＯ２膜のエッチングレートは極めて大きくなる。しかし、フッ酸および硝酸の混合水溶液では、シリコンがエッチングされてしまう。これに対して、フッ酸と塩酸との混合水溶液、フッ酸と酢酸との混合水溶液では、シリコンをほとんどエッチングせずにＴｉＯ２膜のみをエッチングすることができることがわかる。なお、ここで用いた原液濃度は、フッ酸：５０％、硝酸：６８％、塩酸：３５％、酢酸：９９％である。
次に、フッ酸と塩酸との混合水溶液中の塩酸濃度、およびフッ酸と酢酸との混合水溶液中の酢酸濃度のＴｉＯ２膜エッチングレートに対する依存性について試験した結果を図５に示す。ここでは、フッ酸と塩酸との混合水溶液２種類（フッ酸原液：塩酸原液：純水を質量比で１：７：２としたもの（ｐＨ≒−０．８）、および１：０．７：８．３としたもの（ｐＨ≒０．８））と、フッ酸と酢酸との混合水溶液３種類（フッ酸原液：酢酸原液：純水を質量比で１：１：８としたもの、１：４．５：４．５としたもの、およびフッ酸原液：酢酸原液を質量比で１：９としたもの）を用いてＴｉＯ２膜をエッチングした。比較のため、フッ酸水溶液（フッ酸原液：純水を質量比で１：９としたもの）を用いたＴｉＯ２膜のエッチングも行った。なお、ここでは水溶液の温度を５５℃とした。
図５に示すように、フッ酸と塩酸との混合水溶液では、フッ酸原液：塩酸原液：純水を質量比で１：０．７：８．３としたもの（ｐＨ≒０．８）では、フッ酸溶液と同等程度のエッチング量であるが、フッ酸原液：塩酸原液：純水の質量比が１：１：８程度以上ではより良好なエッチングレートが得られると予測される。ｐＨを見るとｐＨ≒０．８ではエッチングレートが小さく、フッ酸原液：塩酸原液：純水を質量比で１：７：２としてｐＨ≒−０．８とすることによりエッチング量が著しく上昇していることから、ｐＨ＜０となるように塩酸を添加することが好ましいことがわかる。したがって、塩酸を添加する場合には、塩酸添加量の代わりにｐＨで規定してもよい。
また、フッ酸と酢酸との混合水溶液の場合には、フッ酸原液：酢酸原液：純水を質量比で１：１：８（酢酸：１０質量％）としたものでもフッ酸水溶液の場合よりも多少エッチングレートが高くなるが、フッ酸原液：酢酸原液：純水＝１：４．５：４．５（酢酸：４５質量％）以上の酢酸量でエッチング量の上昇が大きくなっていることから、酢酸が４０質量％以上が好ましい。酢酸の代わりに蟻酸を用いた場合にも同様の結果が得られた。
以上の結果から、フッ酸と塩酸（非酸化性の酸）との混合水溶液を用いた場合には、フッ酸（ＨＦ）および塩酸（ＨＣｌ）の濃度は、フッ酸（ＨＦ）：１〜３０質量％、塩酸（ＨＣｌ）：２〜３０質量％であることが好ましい。他の非酸化性の酸も同様である。残部は純水であるが、上述したように、フッ酸の原液は５０％水溶液、塩酸の原液は３５％水溶液であるため、原液の純水の量を考慮して比率を決定する必要がある。例えば、塩酸を３０質量％とした場合は、原液中の純水量は５５．７質量％となり、残りの１４．３質量％をフッ酸原液および必要に応じて純水で調整する。
また、フッ酸と有機酸（酢酸）との混合水溶液を用いた場合には、フッ酸および有機酸の濃度は、フッ酸（ＨＦ）：１〜３０質量％、有機酸：４０〜９８質量％であることが好ましい。残部は純水であるが、フッ酸の原液は上述したように５０％水溶液であるため、例えばフッ酸（ＨＦ）を上限の３０質量％にした場合には、純水が３０質量％となり、有機酸がほぼ４０質量％となる。フッ酸（ＨＦ）および有機酸の原液のみを用い、別個に純水（ＤＩＷ）を添加しない場合には、純水はほぼ１〜３０質量％の範囲となる。
以上のように、本実施形態によれば、裏面にＴｉＯ２膜１０が形成されたシリコン基板Ｗに、フッ酸と非酸化性の酸との混合水溶液、またはフッ酸と有機酸との混合水溶液を供給することにより、ＴｉＯ２膜１０をシリコン基板Ｗから除去する。これにより、シリコン基板Ｗの裏面に形成されたＴｉＯ２膜１０を、シリコン基板Ｗにダメージを与えることなく高速かつ低温で除去することができる。また、基板端部に再付着したチタンや酸素を含有する膜の場合も、フッ酸と非酸化性の酸との混合水溶液、またはフッ酸と有機酸との混合水溶液を供給することにより、同様にシリコン基板Ｗにダメージを与えることなく低温かつ高速で除去することができる。
なお、本発明は上記実施形態に限定されることなく種々変形可能である。例えば、上記実施形態では、基板をスピンチャックに保持させて、基板の上方に配置されたノズルから混合液を供給する場合について示したが、これに限らず、ノズルを基板の裏面側に設けたり、基板の外側に設ける等、酸化チタン膜の付着状況により適宜な装置構成を採用すればよい。
１；酸化チタン膜の除去装置
２；チャンバ
３；スピンチャック
４；モータ
５；カップ
６；排気・排液管
７；搬入出口
１１；ノズル
１２；液体供給配管
１４；液体供給部
２０；制御部
２１；コントローラ
２２；ユーザーインターフェース
２３；記憶部
Ｗ；基板（シリコン基板）
２；チャンバ
３；スピンチャック
４；モータ
５；カップ
６；排気・排液管
７；搬入出口
１１；ノズル
１２；液体供給配管
１４；液体供給部
２０；制御部
２１；コントローラ
２２；ユーザーインターフェース
２３；記憶部
Ｗ；基板（シリコン基板）
Claims (10)
- シリコン基板上に存在する酸化チタン膜を除去する酸化チタン膜の除去方法であって、
酸化チタン膜が存在するシリコン基板を準備することと、
フッ酸と、フッ酸のｐＨを下げイオン化したチタンの存在比率を高くするための非酸化性の酸とを含み、前記非酸化性の酸の添加によりｐＨ＜０となり、かつ、フッ酸の濃度が１〜３０質量％、非酸化性の酸の濃度が２〜３０質量％の範囲とした第１の混合水溶液を前記酸化チタン膜に接触させることと、
前記第１の混合水溶液と前記酸化チタン膜との反応により前記酸化チタン膜を前記シリコン基板から除去することと
を有することを特徴とする酸化チタン膜の除去方法。 - 前記酸化チタン膜は、シリコン基板に付着したもの、またはシリコン基板の裏面全面に形成されたものであることを特徴とする請求項１に記載の酸化チタン膜の除去方法。
- 前記非酸化性の酸は、塩酸、硫酸、およびリン酸からなる群から選択されたものであることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の酸化チタン膜の除去方法。
- 前記第１の混合水溶液の温度は、室温〜１００℃であることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の酸化チタン膜の除去方法。
- 前記シリコン基板を回転させながら、前記シリコン基板に前記第１または第２の混合水溶液を供給することを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の酸化チタン膜の除去方法。
- シリコン基板上に存在する酸化チタン膜を除去する酸化チタン膜の除去装置であって、
前記シリコン基板を回転可能に保持する保持機構と、
前記保持機構を回転させる回転機構と、
フッ酸と、フッ酸のｐＨを下げイオン化したチタンの存在比率を高くするための非酸化性の酸とを含み、前記非酸化性の酸の添加によりｐＨ＜０となり、かつ、フッ酸の濃度が１〜３０質量％、非酸化性の酸の濃度が２〜３０質量％の範囲とした第１の混合水溶液を供給するための液供給部と、
前記液供給部からの前記第１の混合水溶液を前記保持機構に保持されたシリコン基板に吐出するノズルとを具備し、
前記ノズルから吐出された前記第１の混合水溶液を前記シリコン基板に存在する前記酸化チタン膜に接触させて前記酸化チタン膜を除去することを特徴とする酸化チタン膜の除去装置。 - 前記酸化チタン膜は、シリコン基板に付着したもの、またはシリコン基板の裏面全面に形成されたものであることを特徴とする請求項６に記載の酸化チタン膜の除去装置。
- 前記非酸化性の酸は、塩酸、硫酸、およびリン酸からなる群から選択されたものであることを特徴とする請求項６または請求項７に記載の酸化チタン膜の除去装置。
- 前記液供給部は、前記第１の混合水溶液の温度を室温〜１００℃の温度で供給することを特徴とする請求項６から請求項８のいずれか１項に記載の酸化チタン膜の除去装置。
- コンピュータ上で動作し、酸化チタン膜の除去装置を制御するためのプログラムが記憶された記憶媒体であって、前記プログラムは、実行時に、請求項１から請求項５のいずれかの酸化チタン膜の除去方法が行われるように、コンピュータに前記酸化チタン膜の除去装置を制御させることを特徴とする記憶媒体。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013130936A JP6353636B2 (ja) | 2013-06-21 | 2013-06-21 | 酸化チタン膜の除去方法および除去装置 |
| PCT/JP2014/060319 WO2014203600A1 (ja) | 2013-06-21 | 2014-04-09 | 酸化チタン膜の除去方法および除去装置 |
| US14/900,600 US20160148818A1 (en) | 2013-06-21 | 2014-04-09 | Titanium oxide film removal method and apparatus |
| KR1020167000393A KR101792444B1 (ko) | 2013-06-21 | 2014-04-09 | 산화 티탄막의 제거 방법 및 제거 장치 |
| TW103120509A TWI620811B (zh) | 2013-06-21 | 2014-06-13 | Titanium oxide film removal method and removal device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013130936A JP6353636B2 (ja) | 2013-06-21 | 2013-06-21 | 酸化チタン膜の除去方法および除去装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2018080507A Division JP2018121077A (ja) | 2018-04-19 | 2018-04-19 | 酸化チタン膜の除去方法および除去装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2015005661A JP2015005661A (ja) | 2015-01-08 |
| JP6353636B2 true JP6353636B2 (ja) | 2018-07-04 |
Family
ID=52104344
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2013130936A Active JP6353636B2 (ja) | 2013-06-21 | 2013-06-21 | 酸化チタン膜の除去方法および除去装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20160148818A1 (ja) |
| JP (1) | JP6353636B2 (ja) |
| KR (1) | KR101792444B1 (ja) |
| TW (1) | TWI620811B (ja) |
| WO (1) | WO2014203600A1 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US12051589B2 (en) | 2016-06-28 | 2024-07-30 | Lam Research Corporation | Tin oxide thin film spacers in semiconductor device manufacturing |
| SG10201801132VA (en) | 2017-02-13 | 2018-09-27 | Lam Res Corp | Method to create air gaps |
| US10546748B2 (en) | 2017-02-17 | 2020-01-28 | Lam Research Corporation | Tin oxide films in semiconductor device manufacturing |
| WO2019182872A1 (en) * | 2018-03-19 | 2019-09-26 | Lam Research Corporation | Chamfer-less via integration scheme |
| JP7142461B2 (ja) * | 2018-05-14 | 2022-09-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、基板処理装置および基板処理システム |
| US10985028B1 (en) * | 2019-10-18 | 2021-04-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor devices and methods of manufacturing |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0924164A3 (en) * | 1997-12-18 | 2000-01-05 | Hoya Corporation | Methods for producing oxides or composites thereof |
| JP3614039B2 (ja) * | 1999-06-10 | 2005-01-26 | 三菱住友シリコン株式会社 | シリコンウェーハのエッチング液の補給方法 |
| JP2001015477A (ja) * | 1999-06-28 | 2001-01-19 | Toshiba Corp | 基板処理方法及び基板処理装置 |
| KR100363092B1 (ko) * | 2000-06-27 | 2002-12-05 | 삼성전자 주식회사 | 강유전체막의 손상층을 제거하기 위한 세정액 및 이를이용한 세정방법 |
| US6692976B1 (en) * | 2000-08-31 | 2004-02-17 | Agilent Technologies, Inc. | Post-etch cleaning treatment |
| US6897085B2 (en) * | 2003-01-21 | 2005-05-24 | Spheral Solar Power, Inc. | Method of fabricating an optical concentrator for a photovoltaic solar cell |
| JP4362714B2 (ja) * | 2003-03-26 | 2009-11-11 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 高誘電率薄膜エッチング剤組成物及びエッチング方法 |
| JP4463600B2 (ja) * | 2003-03-26 | 2010-05-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 評価方法 |
| US20040188385A1 (en) * | 2003-03-26 | 2004-09-30 | Kenji Yamada | Etching agent composition for thin films having high permittivity and process for etching |
| WO2005019499A1 (ja) * | 2003-08-20 | 2005-03-03 | Daikin Industries, Ltd. | 金属変質層の除去液及び金属変質層の除去方法 |
| US8372757B2 (en) * | 2003-10-20 | 2013-02-12 | Novellus Systems, Inc. | Wet etching methods for copper removal and planarization in semiconductor processing |
| JP2006165023A (ja) * | 2004-12-02 | 2006-06-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子デバイスの製造方法 |
| JP4910680B2 (ja) * | 2005-12-22 | 2012-04-04 | 東ソー株式会社 | 半導体製造装置洗浄用組成物及びそれを用いた洗浄方法 |
| JP4642001B2 (ja) * | 2006-10-24 | 2011-03-02 | 関東化学株式会社 | フォトレジスト残渣及びポリマー残渣除去液組成物 |
| KR101492467B1 (ko) | 2008-08-20 | 2015-02-11 | 에이씨엠 리서치 (상하이) 인코포레이티드 | 베리어층 제거 방법 및 장치 |
-
2013
- 2013-06-21 JP JP2013130936A patent/JP6353636B2/ja active Active
-
2014
- 2014-04-09 KR KR1020167000393A patent/KR101792444B1/ko active IP Right Grant
- 2014-04-09 US US14/900,600 patent/US20160148818A1/en not_active Abandoned
- 2014-04-09 WO PCT/JP2014/060319 patent/WO2014203600A1/ja active Application Filing
- 2014-06-13 TW TW103120509A patent/TWI620811B/zh active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20160021809A (ko) | 2016-02-26 |
| US20160148818A1 (en) | 2016-05-26 |
| WO2014203600A1 (ja) | 2014-12-24 |
| TW201518477A (zh) | 2015-05-16 |
| TWI620811B (zh) | 2018-04-11 |
| JP2015005661A (ja) | 2015-01-08 |
| KR101792444B1 (ko) | 2017-11-01 |
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| Date | Code | Title | Description |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170110 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Request for written amendment filed |
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|
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|
| A521 | Request for written amendment filed |
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| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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