TW201518466A - 透明導電膜用之附黏著劑層之偏光膜、積層體及圖像顯示裝置 - Google Patents

透明導電膜用之附黏著劑層之偏光膜、積層體及圖像顯示裝置 Download PDF

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Abstract

本發明之目的在於提供一種透明導電膜用之附黏著劑層之偏光膜，其即便於積層於透明導電膜上之情形時，亦可抑制上述透明導電膜之劣化。另外，本發明之目的亦在於提供一種將具有透明導電膜之基材與上述透明導電膜用之附黏著劑層之偏光膜貼合而成之積層體、使用上述積層體之圖像顯示裝置。一種透明導電膜用之附黏著劑層之偏光膜，其特徵在於，其係黏著劑層積層於碘系偏光膜之至少單面之附黏著劑層之偏光膜，且上述碘系偏光膜係於含有1~14重量%之碘及/或碘離子、且厚度為2~40μm之碘系偏光元件之至少單面具有於60℃、90%R.H.之條件下之透濕度為1000g/(m2．24h)以下之透明保護膜之碘系偏光膜，上述黏著劑層之於60℃、90%R.H.之條件下之飽和水分率為3.5重量%以下。

Description

透明導電膜用之附黏著劑層之偏光膜、積層體及圖像顯示裝置
本發明係關於一種透明導電膜用之附黏著劑層之偏光膜。另外，本發明係關於一種將上述透明導電膜用之附黏著劑層之偏光膜與具有透明導電膜之構件貼合而成之積層體、使用上述積層體之圖像顯示裝置。
近年來，氧化銦錫(ITO)薄膜等透明導電膜被廣泛用於各種用途中。例如，已知上述透明導電膜形成於使用板內切換(IPS)方式等之液晶單元之液晶顯示裝置之構成液晶單元之透明基板之與液晶層相接觸側之相反側，製成抗靜電層。另外，於透明樹脂膜上形成有上述透明導電膜之透明導電性膜被用於觸控面板之電極基板，例如，將於手機或便攜式音樂播放器等中使用之液晶顯示裝置、或圖像顯示裝置與該觸控面板組合使用之輸入裝置廣泛普及起來。
對於該等使用透明導電膜之液晶顯示裝置、或圖像顯示裝置，近年來，輕量化、薄型化之要求強烈，亦期望針對該液晶顯示裝置等中使用之偏光膜之薄型化、輕量化，對薄型偏光膜之製造方法進行各種研究。
作為薄型偏光膜之製法，例如，已知有將形成於具有某種程度之厚度之樹脂基材之較薄之聚乙烯醇(PVA)系聚合物層與樹脂基材一體化，於該狀態下進行單軸延伸，藉此於樹脂基材上將薄型偏光膜製膜之方法(例如，參照專利文獻1)，或者以特定之延伸倍率將於基材 膜之一個面形成有包含PVA樹脂之樹脂層而成之積層膜進行自由端縱向單軸延伸，獲得延伸膜，用二色性色素將該延伸膜染色而形成薄型偏光元件之方法等(例如，參照專利文獻2)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利第4691205號說明書
[專利文獻2]日本專利第5048120號說明書
於以抗靜電層用途使用透明導電膜之情形時，於具有該抗靜電層之液晶單元上積層附黏著劑層之偏光膜，將包含透明導電膜之抗靜電層及偏光膜經由黏著劑層而加以貼合。另外，於以觸控面板之電極用途使用透明導電膜之情形時，有時將上述電極用透明導電膜與附黏著劑層之偏光膜加以貼合。
專利文獻1、2中獲得之薄型化偏光膜均為用透明保護膜保護偏光元件之單面之單面保護之偏光膜，於使該偏光膜貼合於附透明導電膜之液晶單元等之情形時，偏光元件與透明導電膜經由黏著劑而加以貼合。已知若於單面保護之碘系偏光元件之偏光元件面經由黏著劑層而貼合透明導電膜，則微量之碘自碘系偏光元件向黏著劑層中滲出，其到達至透明導電膜，使透明導電膜劣化(腐蝕)。若透明導電膜劣化，則例如於以抗靜電層用途使用透明導電膜之情形時，於液晶面板中發生靜電不均，抗靜電性能降低。另外，於以觸控面板之電極用途使用透明導電膜之情形時，由電極之劣化導致電阻值增大，發生感知不良等誤動作、或發生觸控面板之靈敏度之降低等各種問題。
作為偏光膜之薄型化之方法，除了如專利文獻1、2中記載般之將偏光元件本身薄型化之方法、或僅於偏光元件之單面積層透明保護 膜之方法以外，亦有使透明保護膜之厚度變薄之方法。即便為於偏光元件之雙面具有透明保護膜之雙面保護偏光膜，於使用上述薄膜化之透明保護膜作為透明保護膜之情形時，亦有時發生碘自碘系偏光元件向黏著劑中滲出而使透明導電膜劣化之現象。已知特別是於具有高透濕度之薄膜化透明保護膜中，容易發生上述現象。
因此，本發明之目的在於提供一種透明導電膜用之附黏著劑層之偏光膜，其即便於積層於透明導電膜上之情形時，亦可抑制上述透明導電膜之劣化。另外，本發明之目的亦在於提供一種使上述透明導電膜用之附黏著劑層之偏光膜與具有透明導電膜之構件貼合而成之積層體、使用上述積層體之圖像顯示裝置。
本發明者等人為了解決上述課題而進行潛心研究，結果發現，藉由控制黏著劑層之水分率、透明保護膜之透濕度，可達成上述目的，從而完成本發明。
即，本發明係關於一種透明導電膜用之附黏著劑層之偏光膜，其特徵在於，其係黏著劑層積層於碘系偏光膜之至少單面之附黏著劑層之偏光膜，且上述碘系偏光膜係於含有1~14重量%之碘及/或碘離子、且厚度為2~40μm之碘系偏光元件之至少單面具有於60℃、90%R.H.之條件下之透濕度為1000g/(m2．24h)以下之透明保護膜之碘系偏光膜，上述黏著劑層之於60℃、90%R.H.之條件下之飽和水分率為3.5重量%以下。此處，「含有碘及/或碘離子之碘系偏光元件」係指含有碘之碘系偏光元件、含有碘離子之碘系偏光元件、含有碘及碘離子兩者之碘系偏光元件，於本發明中無論何者均可較佳地使用。
上述碘系偏光元件之偏光元件厚度(μm)乘以碘含量(重量%)之值較佳為10~80重量%．μm。
上述碘系偏光膜係僅於上述碘系偏光元件之單側具有透明保護膜之單面保護偏光膜，且上述黏著劑層可與上述單面保護偏光膜之不具有透明保護膜之面接觸。
上述透明導電膜較佳為由氧化銦錫形成，上述氧化銦錫較佳為非晶性之氧化銦錫。
另外，本發明係關於一種積層體，其特徵在於，將上述透明導電膜用之附黏著劑層之偏光膜與具有透明導電膜之透明導電性構件以使上述透明導電膜用之附黏著劑層之偏光膜之黏著劑層與上述構件之透明導電膜接觸之方式貼合而成。
本發明係關於一種圖像顯示裝置，其特徵在於，其使用上述積層體。於上述圖像顯示裝置中，上述具有透明導電膜之透明導電性構件可為包含透明導電膜及液晶單元之構件，或者上述具有透明導電膜之透明導電性構件係具有透明導電膜之透明導電性膜，且可使用上述積層體作為觸控面板。
已知與該透明導電膜接觸之黏著劑層中之水分率越多則由碘導致之透明導電膜之劣化越容易進行。因此，本發明藉由控制作為與黏著劑層水分率相關之因素之黏著劑層本身之水分率(組成起因)、或保護膜之透濕度，即便於將透明導電膜積層於透明導電膜用之附黏著劑層之偏光膜之黏著劑層之情形時，亦可抑制透明導電膜之劣化。
1.透明導電膜用之附黏著劑層之偏光膜
本發明之透明導電膜用之附黏著劑層之偏光膜係於碘系偏光膜之至少單面積層有黏著劑層者，其特徵在於，
上述碘系偏光膜係於含有1~14重量%之碘及/或碘離子、且厚度為2~40μm之碘系偏光元件之至少單面具有於60℃、90%R.H.之條件下之透濕度為1000g/(m2．24h)以下之透明保護膜之碘系偏光膜，
上述黏著劑層之於60℃、90%R.H.之條件下之飽和水分率為3.5重量%以下。
(1)碘系偏光膜
於本發明中使用之碘系偏光膜係於含有1~14重量%之碘及/或碘離子、且厚度為2~40μm之碘系偏光元件之至少單面具有於60℃、90%R.H.之條件下之透濕度為600g/(m2．24h)以下之透明保護膜者。於本發明中，可為於碘系偏光元件之單面具有透明保護膜之單面保護偏光膜，亦可為於碘系偏光元件之雙面具有透明保護膜之雙面保護偏光膜，於使用單面保護偏光膜之情形時，本發明之效果顯著。另外，即便為雙面保護偏光膜，於與黏著劑層接觸之側之透明保護膜之厚度較薄(例如，25μm以下)之情形時，本發明之效果亦顯著。再者，於偏光膜為單面保護偏光膜之情形時，可將黏著劑層直接設置於不具有上述透明保護膜之側之偏光元件表面。
另外，本發明中使用之碘系偏光元件之碘及/或碘離子之含量(以下，有時亦稱為碘含量)於偏光元件中為1~14重量%，可為2~12重量%，亦可為4~11重量%。於碘含量未達1重量%之情形時，自碘系偏光元件向透明導電膜轉移之碘量較少，因此不發生透明導電膜之劣化，但作為偏光元件之偏光特性不充分。另外，於碘含量超過14重量%之情形時，透明導電膜之劣化較大，產生靜電不均、或屏蔽性能變差。另外，於碘系偏光元件為後述之薄型偏光元件之情形時，碘含量較佳為4~12重量%，更佳為4~11重量%。
就本發明之透明導電膜用之附黏著劑層之偏光膜而言，於碘系偏光元件之碘含量較高之情形時，亦可抑制於該透明導電膜用之附黏 著劑層之偏光膜之黏著劑層上積層有透明導電膜時之透明導電膜之由碘導致之劣化。其結果為，於將該偏光膜裝入至液晶面板時，能夠不產生靜電不均，使屏蔽性能有效地發揮。由於碘系偏光元件中之碘自黏著劑中通過並到達至透明導電膜而導致產生透明導電膜之劣化，但已知黏著劑層中之水分率越多則該由碘導致之劣化越容易進行。於本發明中，如後所述，藉由控制作為與黏著劑層之水分率有關之因素之黏著劑本身之水分率(組成起因)、或保護膜之透濕度，可抑制透明導電膜之由碘導致之劣化。
碘系偏光元件之厚度為2~40μm，較佳為2~25μm，更佳為3~10μm。若碘系偏光元件之厚度大於40μm，則碘系偏光元件中所含之碘之量相應地變多，透明導電膜之劣化變重。另外，厚度為10μm以下之薄型之碘系偏光元件，其厚度不均較少，視認性優異，另外尺寸變化較少，因此耐久性優異，進而作為偏光膜之厚度亦可實現薄型化，就該方面而言較佳。
作為碘系偏光元件，若為含有1~14重量%之碘及/或碘離子之偏光元件且具有2~40μm之厚度，則任何碘系偏光元件均可使用，但可列舉例如使碘吸附於聚乙烯醇(PVA)系膜、部分甲醛化PVA系膜、乙烯．乙酸乙烯酯共聚物系部分皂化膜等親水性高分子膜並進行單軸延伸而成之碘系偏光元件等。該等之中，較佳為包含PVA系膜及碘之偏光元件。
例如，用碘將PVA系膜染色並進行單軸延伸之偏光元件可藉由將PVA浸漬於碘之水溶液而進行染色，延伸至原始長度之3~7倍藉此來製作。亦可根據需要浸漬於可含有硼酸或硫酸鋅、氯化鋅等之碘化鉀等之水溶液。亦可根據需要於染色前將PVA系膜浸漬於水來進行水洗。藉由對PVA系膜進行水洗可清洗PVA系膜表面之污垢、或抗黏連劑，此外藉由使PVA系膜膨潤亦具有防止染色之不均等不均勻之效 果。延伸可於用碘染色之後進行，亦可一面進行染色一面延伸，又可於延伸後用碘進行染色。亦可於硼酸、或碘化鉀等之水溶液或水浴中進行延伸。
另外，作為厚度為10μm以下之薄型碘系偏光元件，可代表性地列舉日本專利特開昭51-069644號公報、或日本專利特開2000-338329號公報、或國際公開第2010/100917號手冊、國際公開第2010/100917號手冊、或日本專利4751481號說明書、或日本專利特開2012-073563號公報中記載之薄型偏光膜。該等薄型偏光膜可藉由包括將PVA系樹脂層與延伸用樹脂基材於積層體之狀態下延伸之步驟及染色之步驟之製法來獲得。若為該製法，則即便PVA系樹脂層較薄，藉由支持於延伸用樹脂基材，亦能不出現延伸導致之斷裂等不良狀況而進行延伸。
作為上述薄型偏光膜，就即便於包括在積層體之狀態下延伸之步驟及染色之步驟之製法之中，亦能夠高倍率地延伸從而能使偏光性能提高之方面而言，較佳為國際公開第2010/100917號手冊、國際公開第2010/100917號手冊、或日本專利4751481號說明書或日本專利特開2012-073563號公報中記載之藉由包括於硼酸水溶液中延伸之步驟之製法獲得之薄型偏光膜，特別較佳為日本專利4751481號說明書、或日本專利特開2012-073563號公報中記載之藉由包括於硼酸水溶液中延伸之前輔助地進行空中延伸之步驟之製法獲得之薄型偏光膜。
另外，上述碘系偏光元件之碘濃度乘以厚度之值較佳為10~80重量%．μm，更佳為15~70重量%．μm，進而較佳為18~50重量%．μm。若該數值為10重量%．μm以下，則自碘系偏光元件向透明導電膜轉移之碘量較少，因此不發生透明導電膜之劣化，但有時作為偏光元件之偏光特性不充分，若該數值超過80重量%．μm，則有透明導電膜之劣化變大之傾向。
於上述碘系偏光元件之單面或雙面設置之透明保護膜於60℃、 90%R.H.之條件下之透濕度為1000g/(m2．24h)以下，較佳為700g/(m2．24h)以下，更佳為500g/(m2．24h)以下，進而較佳為300g/(m2．24h)以下，最佳為150g/(m2．24h)以下。若透明保護膜之透濕度大於上述範圍，則通過透明保護膜而浸入之水分量變多，黏著劑層中之水分率上升，因此使具有該黏著劑層之黏著型光學膜貼合於透明導電膜之情形時，易發生透明導電膜之由碘導致之劣化。另外，將該偏光膜裝入至具有透明導電膜之液晶面板之情形時，發生靜電不均、或屏蔽性能變差，因此不佳。另外，透明保護膜之透濕度越低則越有效，下限值並無特別限定。就透明保護膜之透濕度之測定方法而言，可藉由實施例中記載之方法進行。
作為形成於上述碘系偏光元件之單面或雙面設置之透明保護膜之材料，較佳為透明性、機械強度、熱穩定性、隔水性、各向同性等優異之材料。例如，可列舉聚對苯二甲酸乙二酯、或聚萘二甲酸乙二酯等聚酯系聚合物；二乙醯纖維素、或三乙醯纖維素等纖維素系聚合物；聚甲基丙烯酸甲酯等丙烯酸系聚合物；聚苯乙烯、或丙烯腈．苯乙烯共聚物(AS樹脂)等苯乙烯系聚合物；聚碳酸酯系聚合物等。另外，作為形成上述透明保護膜之聚合物之例，亦可列舉聚乙烯、聚丙烯、具有環系或降冰片烯結構之聚烯烴、乙烯．丙烯共聚物等聚烯烴系聚合物；氯乙烯系聚合物；尼龍、或芳香族聚醯胺等醯胺系聚合物；醯亞胺系聚合物、碸系聚合物、聚醚碸系聚合物、聚醚醚酮系聚合物、聚苯硫醚系聚合物、乙烯醇系聚合物、偏二氯乙烯系聚合物、乙烯丁醛系聚合物、丙烯酸酯系聚合物、聚甲醛系聚合物、環氧系聚合物或上述聚合物之摻合物等。透明保護膜亦可作為丙烯酸系、胺基甲酸酯系、丙烯酸胺基甲酸酯系、環氧系、矽酮系等熱固型、紫外線硬化型之樹脂之硬化層來形成。
透明保護膜之厚度可適當決定，但一般就強度或操作性等作業 性；薄膜性等方面而言較佳為1~500μm左右，更佳為1~300μm左右，進而較佳為5~200μm左右，進而較佳為5~200μm左右，特別較佳為10~80μm左右。
透明保護膜之透濕度不僅受透明保護膜之材質之影響，而且亦很大程度上受到厚度之影響，因此其由材質與厚度之平衡決定。透明保護膜之厚度越薄則透濕度變得越高，越厚則透濕度變得越低。另外，亦可於透明保護膜表面塗佈透濕度較低之材料來調整透濕度。例如，藉由塗覆透濕度較低之丙烯酸系之塗層材料可獲得具有特定之透濕度之透明保護膜。再者，於塗佈透濕度較低之材料之情形時，其厚度並無特別限定，但可列舉例如5~30μm左右。
上述碘系偏光元件與透明保護膜通常經由水系接著劑等密著。作為水系接著劑，可例示異氰酸酯系接著劑、聚乙烯醇系接著劑、明膠系接著劑、乙烯系乳膠系、水系聚胺基甲酸酯、水系聚酯等。除上述以外，作為偏光元件與透明保護膜之接著劑，可列舉紫外線硬化型接著劑、電子束硬化型接著劑等。電子束硬化型偏光膜用接著劑對上述各種透明保護膜顯示出適宜之接著性。另外，可使本發明中使用之接著劑中含有金屬化合物填料。
可對上述透明保護膜之不與碘系偏光元件接著之面實施硬質塗層或防反射處理、或以抗黏連、擴散或防眩光為目的之處理。
(2)黏著劑層
本發明中使用之黏著劑層只要於60℃、90%R.H之條件下之飽和水分率為3.5重量%以下即可，其組成並無特別限定。黏著劑層之飽和水分率較佳為0~2重量%，更佳為0~1.5重量%，進而較佳為0~1.0重量%，特別較佳為0~0.5重量%以下。若黏著劑層之飽和水分率超過3.5重量%，則該黏著劑層中所含之水分量較多，於使具有該黏著劑層之偏光膜與透明導電膜貼合之情形時，容易發生透明導電膜之由碘 導致之劣化。
本發明中之黏著劑層較佳為由包含基礎聚合物及交聯劑之黏著劑組合物形成。可將該黏著劑組合物製成丙烯酸系、合成橡膠系、橡膠系、矽酮系等之黏著劑等，但就透明性、耐熱性等之觀點而言，較佳為以(甲基)丙烯酸系聚合物為基礎聚合物之丙烯酸系黏著劑。
成為丙烯酸系黏著劑之基礎聚合物之(甲基)丙烯酸系聚合物較佳為將包含具有碳數2~14之烷基之(甲基)丙烯酸酯之單體成分聚合而獲得，更佳為將包含具有碳數2~14之烷基之(甲基)丙烯酸酯作為主要單體之單體成分聚合而獲得。此處，相對於構成(甲基)丙烯酸系聚合物之全部單體成分，主要單體較佳為60重量%以上，更佳為70重量%以上。再者，(甲基)丙烯酸酯係指丙烯酸酯及/或甲基丙烯酸酯，本發明之(甲基)表示同樣之意思。
作為上述具有碳數2~14之烷基之(甲基)丙烯酸酯，可列舉例如(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸第三丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸正壬酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸正癸酯、(甲基)丙烯酸異癸酯、(甲基)丙烯酸正十二烷基酯、(甲基)丙烯酸正十三烷基酯、(甲基)丙烯酸正十四烷基酯等，該等可單獨使用一種或將兩種以上混合使用。該等之中，具有碳數4~14之烷基之(甲基)丙烯酸酯由於疏水性之性質更強，因此更佳。
於上述單體成分中，可含有除了具有碳數2~14之烷基之(甲基)丙烯酸系酸酯以外之其他聚合性單體。作為上述其他聚合性單體，只要具有(甲基)丙烯醯基或乙烯基等不飽和雙鍵所涉及之聚合性之官能基，則無特別限制，可列舉例如含羥基之單體、含羧基之單體等。
作為含羥基之單體，可無特別限制地使用帶有具有(甲基)丙烯醯 基或乙烯基等不飽和雙鍵之聚合性之官能基、且具有羥基之單體。作為含羥基之單體，可列舉例如(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥基月桂基酯、(甲基)丙烯酸(4-羥基甲基環己基)甲酯等，該等可將1種單獨使用或將兩種以上混合使用。含羥基之單體具有提高與透明導電膜(特別是ITO)之密著性之效果，因此較佳。該等之中，側鏈之碳數為4以上之含羥基之丙烯酸系單體由於提高與透明導電膜之密著力之效果較高，疏水性之性質更強，因此較佳。
含羥基之單體之含量於單體成分中較佳為10重量%以下，更佳為0~5重量%，進而較佳為0.1~2重量%。另外，於本發明中，特別是藉由在上述範圍內使用側鏈之碳數為4以上之含羥基之丙烯酸系單體含量，可調整黏著劑組合物之親水性，其結果是，可調整由該黏著劑組合物形成之黏著劑層之飽和水分率，因此較佳。
作為含羧基之單體，可無特別限制地使用帶有具有(甲基)丙烯醯基或乙烯基等不飽和雙鍵之聚合性之官能基、且具有羧基之單體。作為含羧基之單體，可列舉例如丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧基乙酯、(甲基)丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、馬來酸、富馬酸、巴豆酸等，該等可單獨或組合使用。
含羧基之單體之含量於單體成分中較佳為5重量%以下。於含羧基之單體於單體成分中超過5重量%之情形時，有黏著劑組合物之親水性上升，由該黏著劑組合物形成之黏著劑層之水分率提高之傾向，因此不佳。
作為其他共聚單體，只要具有(甲基)丙烯醯基或乙烯基等不飽和雙鍵所涉及之聚合性之官能基則無特別限制，可列舉例如(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸冰片酯、(甲基)丙烯酸異冰片酯等(甲基)丙 烯酸脂環式烴酯；例如，(甲基)丙烯酸苯酯等(甲基)丙烯酸芳基酯；例如，乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯等乙烯酯類；例如，苯乙烯等苯乙烯系單體；例如，(甲基)丙烯酸縮水甘油酯、(甲基)丙烯酸甲基縮水甘油酯等含環氧基之單體；例如，丙烯醯胺、二乙基丙烯醯胺、丙烯醯嗎啉(ACMO)、N-乙烯基吡咯烷酮(NVP)等含醯胺基之單體；例如，(甲基)丙烯酸N,N-二甲基胺基乙酯、(甲基)丙烯酸N,N-二甲基胺基丙酯等含胺基之單體；例如，N-乙烯基吡咯烷酮、N-乙烯基-ε-己內醯胺、甲基乙烯基吡咯烷酮等環狀含氮單體；例如，(甲基)丙烯酸甲氧基乙酯、(甲基)丙烯酸乙氧基乙酯等含烷氧基之單體；例如，丙烯腈、甲基丙烯腈等含氰基之單體；例如，異氰酸2-甲基丙烯醯氧基乙酯等官能性單體；例如，乙烯、丙烯、異戊二烯、丁二烯、異丁烯等烯烴系單體；例如，乙烯醚等乙烯醚系單體；例如，氯乙烯等含鹵原子之單體；N-乙烯基羧醯胺類等。
另外，作為共聚性單體，可列舉例如N-環己基馬來醯亞胺、N-異丙基馬來醯亞胺、N-月桂基馬來醯亞胺、N-苯基馬來醯亞胺等馬來醯亞胺系單體；例如，N-甲基衣康醯亞胺、N-乙基衣康醯亞胺、N-丁基衣康醯亞胺、N-辛基衣康醯亞胺、N-2-乙基己基衣康醯亞胺、N-環己基衣康醯亞胺、N-月桂基衣康醯亞胺等衣康醯亞胺系單體；例如，N-(甲基)丙烯醯氧基亞甲基琥珀醯亞胺、N-(甲基)丙烯醯基-6-氧六亞甲基琥珀醯亞胺、N-(甲基)丙烯醯基-8-氧八亞甲基琥珀醯亞胺等琥珀醯亞胺系單體；例如，苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯醯胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯醯胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯、(甲基)丙烯醯氧基萘磺酸等含磺酸基之單體。
另外，作為共聚性單體，可列舉例如(甲基)丙烯酸聚乙二醇酯、(甲基)丙烯酸聚丙二醇酯、(甲基)丙烯酸甲氧基乙二醇酯、(甲基)丙烯酸甲氧基聚丙二醇酯等二醇系丙烯酸酯單體；除此以外，例如， (甲基)丙烯酸四氫糠酯、或含氟(甲基)丙烯酸酯等含有雜環、或鹵原子之丙烯酸酯系單體等。
進而，作為共聚性單體，可使用多官能性單體。作為多官能性單體，可列舉具有2個以上(甲基)丙烯醯基、乙烯基等不飽和雙鍵之化合物等。可列舉例如乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、二乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四乙二醇二(甲基)丙烯酸酯等(單或聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯；或丙二醇二(甲基)丙烯酸酯等(單或聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯等(單或聚)伸烷基二醇二(甲基)丙烯酸酯，除此以外，新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯等(甲基)丙烯酸與多元醇之酯化物；二乙烯苯等多官能乙烯化合物；(甲基)丙烯酸烯丙酯、(甲基)丙烯酸乙烯酯等具有反應性之不飽和雙鍵之化合物等。另外，作為多官能性單體，亦可使用於聚酯、環氧、胺基甲酸酯等之骨架中加成2個以上作為與單體成分同樣之官能基之(甲基)丙烯醯基、乙烯基等不飽和雙鍵之聚酯(甲基)丙烯酸酯、環氧(甲基)丙烯酸酯、胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯等。
除了含羥基之單體、含羧基之單體以外之共聚單體之比例於單體成分中較佳為40重量%以下，更佳為0~30重量%，進而較佳為0~10重量%。然而，含醯胺基之單體、含胺基之單體有時會提高黏著劑組合物之親水性，因此該等分別於單體成分中較佳為10重量%以下，更佳為8重量%以下。
本發明中使用之(甲基)丙烯酸系聚合物之重量平均分子量較佳為120萬~300萬之範圍，更佳為120萬~270萬，進而較佳為120萬~250萬。若重量平均分子量小於120萬，則有於耐熱性方面不佳之情況。 另外，若重量平均分子量小於120萬，則存在黏著劑組合物中低分子量成分變多，該低分子量成分自黏著劑層滲出從而損害透明性之情況。另外使用重量平均分子量小於120萬之(甲基)丙烯酸系聚合物而獲得之黏著劑層存在耐溶劑性、或力學特性較差之情況。另外，若重量平均分子量變得大於300萬，則為了調整至用於塗敷之黏度而需要大量之稀釋溶劑，就成本之觀點而言不佳。另外，藉由重量平均分子量在上述範圍內，就耐腐蝕性、耐久性之觀點而言亦較佳。上述重量平均分子量係指藉由GPC(凝膠滲透色譜法)進行測定，由聚苯乙烯換算算出之值。
此種之(甲基)丙烯酸系聚合物之製造可適當選擇溶液聚合、塊狀聚合、乳化聚合、各種自由基聚合等公知之製造方法，並無特別限定，但於本發明中，就黏著劑層之水分率之觀點而言較佳為溶液聚合。另外，所得之(甲基)丙烯酸系聚合物可為無規共聚物、嵌段共聚物、接枝共聚物等之任一種。
於溶液聚合中，作為聚合溶劑，可使用例如乙酸乙酯、甲苯等。作為具體之溶液聚合例，於氮氣等惰性氣體氣流下，添加聚合起始劑，通常於50~70℃左右進行5~30小時左右，於該反應條件下進行反應。
自由基聚合中所用之聚合起始劑、鏈轉移劑、乳化劑等可無特別限定地適當選擇使用。再者，(甲基)丙烯酸系聚合物之重量平均分子量可根據聚合起始劑、鏈轉移劑之使用量、反應條件來控制，可根據該等之種類調整其適宜之使用量。
作為聚合起始劑，可列舉例如：2,2'-偶氮雙異丁腈、2,2'-偶氮雙(2-脒基丙烷)二鹽酸鹽、2,2'-偶氮雙[2-(5-甲基-2-咪唑啉-2-基)丙烷]二鹽酸鹽、2,2'-偶氮雙(2-甲基丙脒)二硫酸鹽、2,2'-偶氮雙(N,N'-二亞甲基異丁基脒)、2,2'-偶氮雙[N-(2-羧基乙基)-2-甲基丙脒]水合物(商品 名：VA-057，和光純藥工業(股)製造)等偶氮系起始劑；過硫酸鉀、過硫酸銨等過硫酸鹽；過氧化二碳酸二(2-乙基己基)酯、過氧化二碳酸二(4-第三丁基環己基)酯、過氧化二碳酸二第二丁酯、過氧化新癸酸第三丁酯、過氧化新戊酸第三己酯、過氧化新戊酸第三丁酯、過氧化二月桂醯、過氧化二正辛醯、過氧化-2-乙基己酸1,1,3,3-四甲基丁酯、過氧化二(4-甲基苯甲醯)、過氧化二苯甲醯、過氧化異丁酸第三丁酯、1,1-二(第三己基過氧化)環己烷、第三丁基過氧化氫、過氧化氫等過氧化物系起始劑；過硫酸鹽與亞硫酸氫鈉之組合、過氧化物與抗壞血酸鈉之組合等過氧化物與還原劑組合而成之氧化還原系起始劑等，但並不限定於該等。
上述聚合起始劑可單獨使用，亦可混合使用兩種以上，相對於形成上述(甲基)丙烯酸系聚合物之單體成分100重量份，其作為整體之含量較佳為0.005~1重量份左右。
作為鏈轉移劑，可列舉例如：月桂基硫醇、縮水甘油基硫醇、巰基乙酸、2-巰基乙醇、巰基乙酸、巰基乙酸2-乙基己酯、2,3-二巰基-1-丙醇等。鏈轉移劑可單獨使用，亦可混合使用兩種以上，相對於單體成分之總量100重量份，其作為整體之含量為0.1重量份左右以下。
於本發明中使用之黏著劑組合物中，為了使於高溫多濕條件下之密著性提高，可添加各種矽烷偶合劑。作為矽烷偶合劑，可使用具有任意之適當之官能基之矽烷偶合劑。作為官能基，可列舉例如乙烯基、環氧基、胺基、巰基、(甲基)丙烯醯氧基、乙醯乙醯基、異氰酸酯基、苯乙烯基、聚硫醚基等。具體而言，可列舉例如乙烯基三乙氧基矽烷、乙烯基三丙氧基矽烷、乙烯基三異丙氧基矽烷、乙烯基三丁氧基矽烷等含乙烯基之矽烷偶合劑；γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基三乙氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基甲基二 乙氧基矽烷、2-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷等含環氧基之矽烷偶合劑；γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-β-(胺基乙基)-γ-胺基丙基甲基二甲氧基矽烷、N-(2-胺基乙基)3-胺基丙基甲基二甲氧基矽烷、γ-三乙氧基甲矽烷基-N-(1,3-二甲基亞丁基)丙基胺、N-苯基-γ-胺基丙基三甲氧基矽烷等含胺基之矽烷偶合劑；γ-巰基丙基甲基二甲氧基矽烷等含巰基之矽烷偶合劑；對苯乙烯基三甲氧基矽烷等含苯乙烯基之矽烷偶合劑；γ-丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、γ-甲基丙烯醯氧基丙基三乙氧基矽烷等含(甲基)丙烯酸基之矽烷偶合劑；3-異氰酸酯基丙基三乙氧基矽烷等含異氰酸酯基之矽烷偶合劑；雙(三乙氧基甲矽烷基丙基)四硫化物等含多硫基之矽烷偶合劑等。
上述矽烷偶合劑可單獨使用，又可將兩種以上混合使用，但相對於上述基礎聚合物(固體成分)100重量份，其作為整體之含量較佳為1重量份以下，更佳為0.01~1重量份，進而較佳為0.02~0.8重量份。若矽烷偶合劑之調配量超過1重量份，則產生未反應之偶合劑成分，就耐久性方面而言不佳。
再者，上述矽烷偶合劑於可藉由自由基聚合與上述單體成分共聚之情形時，可將該矽烷偶合劑作為上述單體成分使用。相對於上述基礎聚合物(固體成分)100重量份，其比例較佳0.005~0.7重量份。
進而，藉由於本發明中使用之黏著劑組合物中添加交聯劑，可賦予與黏著劑之耐久性有關之凝聚力，因此較佳。
作為交聯劑，使用多官能性之化合物，可列舉有機系交聯劑、或多官能性金屬螯合物。作為有機系交聯劑，可列舉環氧系交聯劑、異氰酸酯系交聯劑、碳二亞胺系交聯劑、亞胺系交聯劑、噁唑啉系交聯劑、氮丙啶系交聯劑、過氧化物系交聯劑等。多官能性金屬螯合物為多價金屬原子與有機化合物進行共價鍵結或配位鍵結而成之化合物。作為多價金屬原子，可列舉Al、Cr、Zr、Co、Cu、Fe、Ni、V、 Zn、In、Ca、Mg、Mn、Y、Ce、Sr、Ba、Mo、La、Sn、Ti等。作為進行共價鍵結或者配位鍵結之有機化合物中之原子，可列舉氧原子等，作為有機化合物，可列舉烷基酯、醇化合物、羧酸化合物、醚化合物、酮化合物等。該等交聯劑可將1種單獨使用或2種以上組合使用。該等之中，較佳為過氧化物系交聯劑、異氰酸酯系交聯劑，更佳為將該等組合使用。
異氰酸酯系交聯劑係指於1分子中具有2個以上異氰酸酯基(包括對異氰酸酯基用封端劑或多聚物化等暫時保護之異氰酸酯再生型官能基)之化合物。
作為異氰酸酯系交聯劑，可列舉甲苯二異氰酸酯、二甲苯二異氰酸酯等芳香族異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯等脂環族異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯等脂肪族異氰酸酯等。
更具體而言，可列舉例如丁烯二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯等低級脂肪族聚異氰酸酯類；環戊烯二異氰酸酯、環己烯二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯等脂環族異氰酸酯類；2,4-甲苯二異氰酸酯、4,4'-二苯基甲烷二異氰酸酯、苯二甲基二異氰酸酯、聚亞甲基聚苯基異氰酸酯等芳香族二異氰酸酯類；三羥甲基丙烷/甲苯二異氰酸酯3聚物加成物(商品名：CORONATE L，日本聚胺酯工業(股)製造)、三羥甲基丙烷/六亞甲基二異氰酸酯3聚物加成物(商品名：CORONATE HL，日本聚胺酯工業(股)製造)、六亞甲基二異氰酸酯之異氰脲酸酯體(商品名：CORONATE HX，日本聚胺酯工業(股)製造)等異氰酸酯加成物；苯二甲基二異氰酸酯之三羥甲基丙烷加成物(商品名：D110N，三井化學(股)製造)、六亞甲基二異氰酸酯之三羥甲基丙烷加成物(商品名：D160N，三井化學(股)製造)；聚醚聚異氰酸酯、聚酯聚異氰酸酯、以及該等與各種多元醇之加成物、用異氰脲酸酯鍵、縮二脲鍵、脲基甲酸酯鍵等多官能化之聚異氰酸酯等。該等之 中，使用脂肪族異氰酸酯之反應速度較快，因此較佳。
作為過氧化物系交聯劑，可使用各種過氧化物。作為過氧化物，可列舉過氧化二碳酸二(2-乙基己基)酯、過氧化二碳酸二(4-第三丁基環己基)酯、過氧化二碳酸二第二丁酯、過氧化新癸酸第三丁酯、過氧化新戊酸第三己酯、過氧化新戊酸第三丁酯、過氧化二月桂醯、過氧化二正辛醯、過氧化異丁酸1,1,3,3-四甲基丁酯、過氧化2-乙基己酸1,1,3,3-四甲基丁酯、過氧化二(4-甲基苯甲醯)、過氧化二苯甲醯、過氧化異丁酸第三丁酯等。該等之中，特別較佳使用交聯反應效率優異之過氧化二碳酸二(4-第三丁基環己基)酯、過氧化二月桂醯、過氧化二苯甲醯。
黏著劑組合物中之交聯劑之調配比例並無特別限定，但通常相對於上述基礎聚合物(固體成分)100重量份以(固體成分)10重量份左右以下之比例調配交聯劑。上述交聯劑之調配比例較佳為0.01~10重量份，更佳為0.01~5重量份左右。另外，特別是於使用過氧化物系交聯劑之情形時，相對於基礎聚合物(固體成分)100重量份，較佳為0.05~1重量份左右，更佳為0.06~0.5重量份。
進而，於本發明中使用之黏著劑組合物中亦可於不脫離本發明之目的之範圍內根據需要適當使用黏度調節劑、剝離調節劑、增黏劑、增塑劑、軟化劑、包含玻璃纖維、玻璃珠、金屬粉、其他無機粉末等之填充劑、顏料、著色劑(顏料、染料等)、pH調整劑(酸或鹼)、抗氧化劑、紫外線吸收劑等各種添加劑。
(3)透明導電膜用之附黏著劑層之偏光膜
本發明之透明導電膜用之附黏著劑層之偏光膜可藉由於上述碘系偏光膜之至少一個面形成黏著劑層而獲得。
上述黏著劑層之形成方法並無特別限定，但可為於各種基材上塗佈上述黏著劑組合物，利用熱烘箱等乾燥器進行乾燥，使溶劑等揮 散而形成黏著劑層，於上述碘系偏光膜上轉印該黏著劑層之方法，亦可於上述碘系偏光膜上直接塗佈上述黏著劑組合物，形成黏著劑層。
作為上述基材，並無特別限定，可列舉例如脫模膜、透明樹脂膜基材等各種基材。
作為對上述基材、或偏光膜之塗佈方法，可使用各種方法。具體而言，可列舉例如噴注式塗佈、輥式塗佈、接觸輥塗佈、凹版塗佈、反轉塗佈、輥刷、噴塗、浸漬輥塗佈、棒塗、刮刀塗佈、氣刀塗佈、淋塗、模唇塗佈、利用模縫塗佈機等之擠出塗佈法等方法。
乾燥條件(溫度、時間)並無特別限定，可根據黏著劑組合物之組成、濃度等適當設定，但例如以80~170℃左右，較佳為90~200℃，進行1~60分鐘，較佳為進行2~30分鐘。
黏著劑層之厚度(乾燥後)例如較佳為5~100μm，更佳為7~70μm，進而較佳為10~50μm。於黏著劑層之厚度未達7μm時，則有變得缺乏對被接著體之密著性、於高溫、高溫多濕下之耐久性不充分之傾向。另一方面，於黏著劑層之厚度超過70μm之情形時，於形成黏著劑層時之黏著劑組合物之塗佈、乾燥時未充分澈底地乾燥、殘留氣泡，或者有於黏著劑層之面產生厚度不均從而外觀上之問題變得易顯現之傾向。
作為上述脫模膜之構成材料，可列舉例如聚乙烯、聚丙烯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚酯膜等樹脂膜、紙、布、不織布等多孔質材料、網狀物、發泡片、金屬箔及該等之層壓體等適當之薄片體等，但就表面平滑性優異之方面而言較佳使用樹脂膜。
作為該樹脂膜，可列舉例如聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚丁烯膜、聚丁二烯膜、聚甲基戊烯膜、聚氯乙烯膜、氯乙烯共聚物膜、聚對苯二甲酸乙二酯膜、聚對苯二甲酸丁二酯膜、聚胺基甲酸酯膜、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物膜等。
上述脫模膜之厚度通常為5~200μm，較佳5~100μm左右。可根據需要對上述脫模膜實施利用矽酮系、氟系、長鏈烷基系或脂肪醯胺系之脫模劑、二氧化矽粉等之脫模及防污處理、或實施塗佈型、混練型、蒸鍍型等抗靜電處理。特別是可藉由適當地對上述脫模膜之表面進行矽酮處理、長鏈烷基處理、氟處理等剝離處理，而更提高自上述黏著劑層之剝離性。
作為上述透明樹脂膜基材，並無特別限制，可使用具有透明性之各種樹脂膜。該樹脂膜由1層之膜形成。例如，作為其材料，可列舉聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯等聚酯系樹脂、乙酸酯系樹脂、聚醚碸系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、聚醯胺系樹脂、聚醯亞胺系樹脂、聚烯烴系樹脂、(甲基)丙烯酸系樹脂、聚氯乙烯系樹脂、聚偏二氯乙烯系樹脂、聚苯乙烯系樹脂、聚乙烯醇系樹脂、聚丙烯酸酯系樹脂、聚苯硫醚系樹脂等。該等之中特別較佳為聚酯系樹脂、聚醯亞胺系樹脂及聚醚碸系樹脂。
上述膜基材之厚度較佳為15~200μm。
另外，於碘系偏光膜與黏著劑層之間可具有增黏層。形成增黏層之材料並無特別限定，但可列舉例如各種聚合物類、金屬氧化物之溶膠、二氧化矽溶膠等。該等之中，特別較佳使用聚合物類。上述聚合物類之使用形態可為溶劑可溶型、水分散型、水溶解型之任一種。
作為上述聚合物類，可列舉例如聚胺基甲酸酯系樹脂、聚酯系樹脂、丙烯酸系樹脂、聚醚系樹脂、纖維素系樹脂、聚乙烯醇系樹脂、聚乙烯基吡咯烷酮、聚苯乙烯系樹脂等。該等之中，特別較佳為聚胺基甲酸酯系樹脂、聚酯系樹脂、丙烯酸系樹脂。可於該等樹脂中適當地調配交聯劑。可將該等其他之黏合劑成分根據其用途適當地使用1種或兩種以上。增黏層之厚度並無特別限定，但較佳為5~300nm。
作為上述增黏層之形成方法，並無特別限定，可藉由通常公知之方法進行。另外，於形成增黏層時，可對上述碘系偏光膜實施活化處理。活化處理可採用各種方法，可採用例如電暈處理、低壓UV處理、電漿處理等。
向碘系偏光膜上之增黏層上形成黏著劑層之方法如上所述。
另外，於本發明之透明導電膜用之附黏著劑層之偏光膜之黏著劑層露出之情形時，於供於實用前可用脫模膜(隔膜)保護黏著劑層。作為脫模膜，可列舉上述脫模膜。於製作上述黏著劑層時使用脫模膜作為基材之情形時，藉由使脫模膜上之黏著劑層與碘系偏光膜加以貼合，該脫模膜可作為透明導電膜用之附黏著劑層之偏光膜之黏著劑層之脫模膜使用，於步驟方面可簡化。
2.積層體
本發明之積層體之特徵在於，將上述透明導電膜用之附黏著劑層之偏光膜與具有透明導電膜之構件以使上述透明導電膜用之附黏著劑層之偏光膜之黏著劑層與上述具有透明導電膜之構件之透明導電膜接觸之方式貼合而成。
上述透明導電膜用之附黏著劑層之偏光膜可使用上述之偏光膜。
作為具有透明導電膜之構件，並無特別限定，可使用公知之構件，但可列舉於透明膜等透明基材上具有透明導電膜之構件、具有透明導電膜及液晶單元之構件。
作為透明基材，只要具有透明性即可，可列舉例如包含樹脂膜、或玻璃等之基材(例如，片狀、或膜狀、板狀之基材等)等，特別較佳為樹脂膜。透明基材之厚度並無特別限定，但較佳為10~200μm左右，更佳為15~150μm左右。
作為上述樹脂膜之材料，並無特別限制，但可列舉具有透明性 之各種塑膠材料。例如，作為其材料，可列舉聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯等聚酯系樹脂、乙酸酯系樹脂、聚醚碸系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、聚醯胺系樹脂、聚醯亞胺系樹脂、聚烯烴系樹脂、(甲基)丙烯酸系樹脂、聚氯乙烯系樹脂、聚偏二氯乙烯系樹脂、聚苯乙烯系樹脂、聚乙烯醇系樹脂、聚丙烯酸酯系樹脂、聚苯硫醚系樹脂等。該等之中特別較佳為聚酯系樹脂、聚醯亞胺系樹脂及聚醚碸系樹脂。
另外，可對上述透明基材之表面預先實施濺鍍、電暈放電、火焰、紫外線照射、電子束照射、化學處理、氧化等蝕刻處理或底塗處理，使於其上設置之透明導電膜對上述透明基材之密著性提高。另外，於設置透明導電膜之前，可根據需要藉由溶劑清洗、或超音波清洗等進行除塵、清潔化。
作為上述透明導電膜之構成材料並無特別限定，可使用選自由銦、錫、鋅、鎵、銻、鈦、矽、鋯、鎂、鋁、金、銀、銅、鈀、鎢所組成之群中之至少1種金屬之金屬氧化物。該金屬氧化物中亦可根據需要含有上述群中所示之金屬原子。例如，較佳使用含有氧化錫之氧化銦(ITO)、含有銻之氧化錫等，特別較佳使用ITO。作為ITO，較佳含有氧化銦80~99重量%及氧化錫1~20重量%。
另外，作為上述ITO，可列舉結晶性之ITO、非晶性(無定形)之ITO。結晶性ITO可藉由於濺鍍時置於高溫，或對非晶性ITO進而加熱來獲得。於非晶性ITO中顯著發生上述由碘導致之劣化，因此本發明之透明導電膜用之附黏著劑層之偏光膜於非晶性之ITO中特別有效。
上述透明導電膜之厚度並無特別限制，但較佳設為7nm以上，更佳設為12~60nm，進而較佳設為18~45nm。於透明導電膜之厚度未達7nm時則有容易引起由碘導致之透明導電膜之劣化、透明導電膜之電阻值之變化變大之傾向。另一方面，於超過60nm之情形時，有 透明導電膜之生產率降低，成本亦上升，以及光學特性亦降低之傾向。
作為上述透明導電膜之形成方法並無特別限定，可採用先前公知之方法。具體而言，可例示例如真空蒸鍍法、濺鍍法、離子鍍法。另外，亦可根據所需膜厚採用適當之方法。
作為具有上述透明導電膜之基材之厚度，可列舉15~200μm。進而，就薄膜化之觀點而言較佳為15~150μm，更佳為15~50μm。於具有上述透明導電膜之基材以電阻膜方式使用之情形時，可列舉例如100~200μm之厚度。另外於以靜電容量方式使用之情形時，例如較佳為15~100μm之厚度，特別是伴隨著近年之薄膜化之進一步要求，更佳為15~50μm之厚度，進而較佳為20~50μm之厚度。
另外，可於透明導電膜與透明基材之間根據需要設置下塗層、防低聚物層等。
另外，作為具有透明導電膜及液晶單元之構件，可列舉於各種液晶顯示裝置等之圖像顯示裝置中所用之包括基板(例如，玻璃基板等)/液晶層/基板之構成之液晶單元之該基板之不與液晶層接觸之一側具有透明導電膜之構件。另外，於液晶單元上設置彩色濾光片基板之情形時，於該彩色濾光片上可具有透明導電膜。於液晶單元之基板上形成透明導電膜之方法與上述相同。
使本發明之透明導電膜用之附黏著劑層之偏光膜與透明導電膜貼合時之透明導電膜之電阻值變化率較佳為未達400%，較佳為200%以下，更佳為150%以下，進而較佳為120%以下。就靜電不均對策、或屏蔽功能之觀點而言，電阻值變化率較佳為未達400%，於感測器用途之情形時，較佳為10~20%。關於透明導電膜之電阻值變化率，可藉由實施例中記載之方法進行測定。
3.圖像顯示裝置
於構成具備輸入裝置(觸控面板等)之圖像顯示裝置(液晶顯示裝置、有機EL(電致發光)顯示裝置、PDP(電漿顯示面板)、電子紙等)、輸入裝置(觸控面板等)等設備之基材(構件)或該等設備中所用之基材(構件)之製造中較佳使用本發明之積層體，但特別是能於觸控面板用之光學基材之製造中較佳使用本發明之積層體。
對本發明之積層體實施裁切、抗蝕劑印刷、蝕刻、銀墨印刷等處理而獲得之透明導電性膜可作為光學器件用基材(光學構件)使用。作為光學器件用基材，只要為具有光學特性之基材則無特別限定，可列舉例如構成圖像顯示裝置(液晶顯示裝置、有機EL(電致發光)顯示裝置、PDP(電漿顯示面板)、電子紙等)、輸入裝置(觸控面板等)等設備之基材(構件)或該等設備中所用之基材(構件)。
另外，本發明之透明導電膜用之附黏著劑層之偏光膜如上所述，即便於透明導電膜積層於該透明導電膜用之附黏著劑層之偏光膜之黏著劑層之情形時，亦可抑制透明導電膜之劣化，能抑制透明導電膜之表面電阻上升。因此，若為具有透明導電膜用之附黏著劑層之偏光膜之黏著劑層與透明導電膜接觸之構成之圖像顯示裝置，則較佳使用本發明之透明導電膜用之附黏著劑層之偏光膜。例如，可將本發明之透明導電膜用之附黏著劑層之偏光膜與具有透明導電膜之液晶面板以上述透明導電膜用之附黏著劑層之偏光膜之黏著劑層與上述液晶面板之透明導電膜接觸之方式加以貼合，製成圖像顯示裝置。
另外，關於觸控面板，無論電阻膜方式、或靜電容量方式之類之觸控面板等方式、或於液晶單元之上玻璃基板上形成包含透明導電膜之電極之On-Cell型觸控面板、或於液晶單元內部置入包含透明導電膜之電極之形式之In-Cell型觸控面板等之構成等均可使用。
實施例
以下，利用實施例對本發明加以詳細說明，但本發明只要不超 出其主旨則不限定於以下之實施例。另外，各例中，份、%均為重量基準，以下無特殊規定之室溫放置條件均為23℃、65%R.H.。
<偏光元件中之碘含量>
按照以下之順序測定偏光元件中之碘含量(碘及/或碘離子之含量)。1)對複數個含有特定量之碘化鉀之偏光元件測定螢光X射線強度，推導出碘含量與螢光X射線強度之關係式。2)就碘含量而言，測定未知之碘系偏光元件之螢光X射線，利用上述關係式由其數值計算出碘量。
<透明保護膜之透濕度之測定>
基於JISZ0208之透濕度試驗(透濕杯法)進行測定。將切斷為直徑60mm之透明保護膜置於投入約15g之氯化鈣之透濕杯中，放入60℃、90%R.H.之恆溫機中，放置24小時之後，測定氯化鈣之重量增加，藉此求出透濕度(g/(m2．24h))。
<丙烯酸系聚合物之重量平均分子量(Mw)之測定>
藉由GPC(凝膠滲透色譜法)測定製作之丙烯酸系聚合物之重量平均分子量。
裝置：東曹公司製造，HLC-8220GPC
管柱：
樣品管柱；東曹公司製造，TSK guard column Super HZ-H
(1根)+TSK gel Super HZM-H(2根)
參考管柱；東曹公司製造，TSK gel Super H-RC(1根)
流量：0.6mL/min
注入量：10μL
管柱溫度：40℃
溶離液：THF
注入試料濃度：0.2重量%
檢測器：示差折射計
再者，藉由聚苯乙烯換算算出重量平均分子量。
製造例1(偏光膜(1)之製作)
於速度比不同之輥之間，一面於30℃、0.3%濃度之碘溶液中將厚度80μm之聚乙烯醇膜染色1分鐘，一面延伸至3倍。之後，一面於60℃、包含4%濃度之硼酸、10%濃度之碘化鉀之水溶液中浸漬0.5分鐘，一面使綜合延伸倍率延伸至6倍。繼而，藉由於30℃、包含1.5%濃度之碘化鉀之水溶液中浸漬10秒鐘而清洗之後，於50℃下乾燥4分鐘，獲得厚度25μm、碘含量2.3重量%之偏光元件(A-1)。對該偏光元件(A-1)之單面塗佈PVA系樹脂水溶液，貼合厚度40μm之丙烯酸系膜(透濕度：250g/(m2．24h))而製作偏光膜(1)。獲得之偏光膜(1)之透射率為43%。
製造例2(偏光膜(2)之製作)
以偏光膜之透射率成為40%之方式調整製造例1之各種溶液之濃度、浸漬時間等，除此以外以與製造例1同樣之方式，獲得厚度25μm、碘含量3.1重量%之偏光元件(A-2)。對該偏光元件(A-2)之單面塗佈PVA系樹脂水溶液，貼合厚度40μm之丙烯酸系膜(透濕度：250g/(m2．24h))而製作偏光膜(2)。獲得之偏光膜(2)之透射率為40%。
製造例3(偏光膜(3)之製作)
對熱塑性樹脂基材(長條狀之非晶質聚對苯二甲酸乙二酯膜，厚度：100μm，吸水率：0.60重量%，Tg：80℃)之單面實施電暈處理，於60℃下對該電暈處理面塗佈聚合度4200、皂化度99.2莫耳%之聚乙烯醇之水溶液並使其乾燥，形成厚度10μm之PVA系樹脂層，製作積層體。
將獲得之積層體於120℃之烘箱內在周速不同之輥之間於縱方向(長度方向)進行自由端單軸延伸(空中輔助延伸)至2.0倍，繼而，使積 層體浸漬於液溫30℃之不溶化浴(相對於水100重量份，調配4重量份硼酸而獲得之硼酸水溶液)30秒鐘(不溶化處理)。
使不溶化處理後之積層體浸漬於液溫30℃之染色浴(相對於水100重量份，調配0.2重量份碘，調配1.0重量份碘化鉀而獲得之碘水溶液)60秒鐘(染色處理)，繼而，使其浸漬於液溫30℃之交聯浴(相對於水100重量份，調配3重量份碘化鉀、調配3重量份硼酸而獲得之硼酸水溶液)30秒鐘(交聯處理)。
之後，一面使積層體浸漬於液溫70℃之硼酸水溶液(相對於水100重量份，調配4重量份硼酸、調配5重量份碘化鉀而獲得之水溶液)，一面以在周速不同之輥之間在縱方向(長度方向)以總延伸倍率達到5.5倍之方式進行單軸延伸(水中延伸)，繼而，使積層體浸漬於液溫30℃之清洗浴(相對於水100重量份，調配4重量份碘化鉀而獲得之水溶液)(清洗處理)。
藉由上述一系列之處理，獲得樹脂基材上包含厚度5μm、碘含量8重量%之偏光元件(B-1)之光學膜積層體。
繼而，對獲得之光學膜積層體之偏光元件(B-1)之單面塗佈PVA系樹脂水溶液，積層厚度40μm之丙烯酸系膜(透濕度：250g/(m2．24h))，於維持在60℃之烘箱中加熱5分鐘，剝離熱塑性樹脂基材，製作偏光膜(3)。獲得之偏光膜(3)之透射率為43%。
製造例4(偏光膜(4)之製作)
以偏光膜之透射率為40%之方式調整製造例3之各種溶液之濃度、浸漬時間等，除此以外以與製造例3同樣之方式，獲得厚度5μm、碘含量11重量%之偏光元件(B-2)。對該偏光元件(B-2)之單面塗佈PVA系樹脂水溶液，積層厚度40μm之丙烯酸系膜(透濕度：250g/(m2．24h))，於維持在60℃之烘箱中加熱5分鐘，剝離熱塑性樹脂基材，製作偏光膜(4)。獲得之偏光膜(4)之透射率為40%。
製造例5(偏光膜(5)之製作)
以偏光膜之透射率為45%之方式調整製造例3之各種溶液之濃度、浸漬時間等，除此以外以與製造例3同樣之方式，獲得厚度5μm、碘含量5重量%之偏光元件(B-3)。對該偏光元件(B-3)之單面塗佈PVA系樹脂水溶液，積層厚度40μm之丙烯酸系膜(透濕度：250g/(m2．24h))，於維持在60℃之烘箱中加熱5分鐘，剝離熱塑性樹脂基材，製作偏光膜(5)。獲得之偏光膜(5)之透射率為45%。
製造例6(偏光膜(6)之製作)
將製造例3之透明保護膜自厚度40μm之丙烯酸系膜(透濕度：250g/(m2．24h))變更為厚度40μm之環烯烴聚合物(COP)系膜(透濕度：10g/(m2．24h)，除此以外以與製造例3同樣之方式，獲得偏光膜(6)。獲得之偏光膜(6)之透射率為43%。
製造例7(偏光膜(7)之製作)
將製造例3之透明保護膜自厚度40μm之丙烯酸系膜(透濕度：250g/(m2．24h))變更為對厚度40μm之皂化處理過之三乙醯纖維素膜薄層塗敷丙烯酸系聚合物而成之膜(TAC-HC，丙烯酸系塗敷膜之厚度：10μm，透濕度：700g/(m2．24h))，除此以外以與製造例3同樣之方式，獲得偏光膜(7)。獲得之偏光膜(7)之透射率為43%。
製造例8(偏光膜(8)之製作)
將製造例3之透明保護膜自厚度40μm之丙烯酸系膜(透濕度：250g/(m2．24h))變更為厚度20μm之丙烯酸系膜(透濕度：470g/(m2．24h))，除此以外以與製造例3同樣之方式，獲得偏光膜(8)。獲得之偏光膜(8)之透射率為43%。
製造例9(偏光膜(9)之製作)
將製造例4之透明保護膜自厚度40μm之丙烯酸系膜(透濕度：250g/(m2．24h))變更為厚度40μm之皂化處理過之三乙醯纖維素膜(透濕 度：1200g/(m2．24h))，除此以外以與製造例4同樣之方式，獲得偏光膜(9)。獲得之偏光膜(9)之透射率為40%。
製造例10(偏光膜(10)之製作)
以偏光膜之透射率為38%之方式調整製造例3之各種溶液之濃度、浸漬時間等，除此以外以與製造例3同樣之方式，獲得厚度5μm、碘含量15重量%之偏光元件(B-4)。對該偏光元件(B-4)之單面貼合厚度40μm之丙烯酸系膜(透濕度：250g/(m2．24h))而製作偏光膜(10)。獲得之偏光膜(10)之透射率為38%。
製造例1~10中獲得之偏光膜(1)~(10)如下所述。
實施例1 (丙烯酸系黏著劑組合物之製備)
於具備冷凝管、氮導入管、溫度計及攪拌裝置之反應容器中，與乙酸乙酯一起加入丙烯酸丁酯84.95重量份、丙烯酸0.05重量份、丙烯酸4-羥基丁酯5重量份、N-乙烯基-2-吡咯烷酮10重量份及相對於單體(固體成分)100份為0.1份之作為起始劑之AIBN，於氮氣氣流下，於55℃下使其反應7小時後，於其反應液中加入乙酸乙酯，獲得含有重 量平均分子量160萬之丙烯酸系聚合物之溶液(固體成分濃度30重量%)。作為交聯劑，相對於上述丙烯酸系聚合物溶液之固體成分100份調配過氧化二苯甲醯(商品名：Nyper BMT，日本油脂(股)製造)0.2重量份作為過氧化物，三羥甲基丙烷苯二甲基二異氰酸酯(商品名：Takenate D110N，三井化學(股)製造)0.1份作為異氰酸酯系交聯劑，矽烷偶合劑(商品名：KBM403，信越化學工業(股)製造)0.08份，獲得丙烯酸系黏著劑組合物(1)。
(附黏著劑層之偏光膜之製作)
用噴注式塗佈機將上述丙烯酸系黏著劑組合物(1)均勻塗敷於用矽酮系剝離劑處理過之聚對苯二甲酸乙二酯膜(基材)之表面，用155℃之空氣循環式恆溫烘箱乾燥2分鐘，於基材之表面形成厚度20μm之黏著劑層。繼而，使形成有黏著劑層之隔膜轉移黏著於製造例1中獲得之偏光膜(1)之不具有透明保護膜之面(偏光元件面)，製作附黏著劑層之偏光膜。獲得之黏著劑層之水分率為1.3重量%。
實施例2 (丙烯酸系黏著劑組合物之製備)
在具備冷凝管、氮導入管、溫度計及攪拌裝置之反應容器中，與乙酸乙酯一起加入丙烯酸丁酯99份、丙烯酸4-羥基丁酯1份及相對於單體(固體成分)100份為0.1份之作為起始劑之AIBN，於氮氣氣流下，於60℃下使其反應7小時之後，於其反應液中加入乙酸乙酯，獲得含有重量平均分子量160萬之丙烯酸系聚合物之溶液(固體成分濃度30重量%)。作為交聯劑，相對於上述丙烯酸系聚合物溶液之固體成分100份調配三羥甲基丙烷苯二甲基二異氰酸酯(商品名：Takenate D110N，三井化學(股)製造)0.1份、過氧化二苯甲醯0.3份、作為矽烷偶合劑之γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷(商品名：KBM-403，信越化學工業(股)製造)0.075份、作為酚系抗氧化劑之季戊四醇四[3- (3,5-二-第三丁基-4-羥基苯基)丙酸酯(IRGANAOX 1010，BASF日本(股)製造)0.3份，獲得丙烯酸系黏著劑組合物(2)。
(附黏著劑層之偏光膜之製作)
於實施例1之(附黏著劑層之偏光膜之製作)中，將上述丙烯酸系黏著劑組合物(1)變更為丙烯酸系黏著劑組合物(2)，除此以外，以與實施例1同樣之方式，製作附黏著劑層之偏光膜。獲得之黏著劑層之水分率為0.7重量%。
實施例3 (丙烯酸系黏著劑組合物之製備)
於具備冷凝管、氮導入管、溫度計及攪拌裝置之反應容器中，與乙酸乙酯一起加入丙烯酸2-乙基己酯99.9份、丙烯酸6-羥基己酯0.1份及相對於單體(固體成分)100份為0.1份之作為起始劑之AIBN，於氮氣氣流下，於60℃下使其反應7小時之後，於其反應液中加入乙酸乙酯，獲得含有重量平均分子量180萬之丙烯酸系聚合物之溶液(固體成分濃度30重量%)。作為交聯劑，相對於上述丙烯酸系聚合物溶液之固體成分100份，調配三羥甲基丙烷/甲苯二異氰酸酯之加合物(商品名：CORONATE L，日本聚胺酯工業(股)製造)0.1份、二月桂酸二辛基錫系交聯促進劑(商品名：EMBILIZER OL-1，東京精細化工(Tokyo Fine Chemical)(股)製造)0.03份、作為矽烷偶合劑之γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷(商品名：KBM-403，信越化學工業(股)製造)0.01份，獲得丙烯酸系黏著劑組合物(3)。
(附黏著劑層之偏光膜之製作)
於實施例1之(附黏著劑層之偏光膜之製作)中，將上述丙烯酸系黏著劑組合物(1)變更為丙烯酸系黏著劑組合物(3)，除此以外，以與實施例1同樣之方式，製作附黏著劑層之偏光膜。獲得之黏著劑層之水分率為0.3重量%。
實施例4~7
於實施例1之(附黏著劑層之偏光膜之製作)中，將偏光膜(1)變更為製造例2~5中獲得之偏光膜(2)~(5)，除此以外，以與實施例1同樣之方式，製作附黏著劑層之偏光膜。獲得之黏著劑層之水分率均為1.3重量%。
實施例8 (丙烯酸系黏著劑組合物之製備)
於具備冷凝管、氮導入管、溫度計及攪拌裝置之反應容器中，與乙酸乙酯一起加入丙烯酸丁酯84.95重量份、丙烯酸0.05重量份、丙烯酸羥基乙酯5重量份、N-乙烯基-2-吡咯烷酮10重量份及相對於單體(固體成分)100份為0.1份之作為起始劑之AIBN，於氮氣氣流下，於55℃下使其反應7小時之後，於其反應液中加入乙酸乙酯，獲得含有重量平均分子量160萬之丙烯酸系聚合物之溶液(固體成分濃度30重量%)。作為交聯劑，相對於上述丙烯酸系聚合物溶液之固體成分100份，調配作為過氧化物之過氧化二苯甲醯(商品名：Nyper BMT，日本油脂(股)製造)0.2重量份、作為異氰酸酯系交聯劑之三羥甲基丙烷苯二甲基二異氰酸酯(商品名：Takenate D110N，三井化學(股)製造)0.1份、矽烷偶合劑(商品名：KBM403，信越化學工業(股)製造)0.08份，獲得丙烯酸系黏著劑組合物(4)。
(附黏著劑層之偏光膜之製作)
於實施例1之(附黏著劑層之偏光膜之製作)中，將上述丙烯酸系黏著劑組合物(1)變更為丙烯酸系黏著劑組合物(4)，將偏光膜(1)變更為製造例3中獲得之偏光膜(3)，除此以外，以與實施例1同樣之方式，製作附黏著劑層之偏光膜。獲得之黏著劑層之水分率為1.3重量%。
實施例9
於實施例2之(附黏著劑層之偏光膜之製作)中，將偏光膜(1)變更為製造例3中獲得之偏光膜(3)，除此以外，以與實施例2同樣之方式，製作附黏著劑層之偏光膜。獲得之黏著劑層之水分率為0.7重量%。
實施例10
於實施例3之(附黏著劑層之偏光膜之製作)中，將偏光膜(1)變更為製造例3中獲得之偏光膜(3)，除此以外，以與實施例3同樣之方式，製作附黏著劑層之偏光膜。獲得之黏著劑層之水分率為0.3重量%。
實施例11
於實施例2之(附黏著劑層之偏光膜之製作)中，將偏光膜(1)變更為製造例4中獲得之偏光膜(4)，除此以外，以與實施例2同樣之方式，製作附黏著劑層之偏光膜。獲得之黏著劑層之水分率為0.7重量%。
實施例12~14
於實施例1之(附黏著劑層之偏光膜之製作)中，將偏光膜(1)變更為製造例6~8中獲得之偏光膜(6)~(8)，除此以外，以與實施例1同樣之方式，製作附黏著劑層之偏光膜。獲得之黏著劑層之水分率均為1.3重量%。
實施例15 (於UV聚合中使用之單體成分之製備)
將丙烯酸2-乙基己酯61重量份、N-乙烯基-2-吡咯烷酮14重量份、兩種光聚合起始劑(商品名：Irgacure 184，BASF公司製造)0.05重量份及光聚合起始劑(商品名：Irgacure 651，BASF公司製造)0.05重量份投入至4口燒瓶而製備單體混合物。繼而，藉由將上述單體混合物於氮氣氣氛下暴露於紫外線而使其部分光聚合，獲得聚合率約10重量 %之部分聚合物(丙烯酸系聚合物漿料)。
於獲得之丙烯酸系聚合物漿料總量(75.1重量份)中添加丙烯酸2-羥基乙酯(2HEA)3重量份、丙烯酸4-羥基丁酯(HBA)22重量份、二季戊四醇五丙烯酸酯(商品名：KAYARAD DPHA，日本化藥(股)製造)0.12重量份之後，將該等均勻混合而製備單體成分。
(利用UV聚合之黏著劑層之製作)
繼而，於對單面用矽酮進行剝離處理之厚度38μm之聚酯膜(商品名：Diafoil MRF，三菱樹脂(股)製造)之剝離處理面以最終厚度為20μm之方式塗佈上述中製備之單體成分而形成塗佈層。繼而，於塗佈之單體成分之表面將對單面用矽酮剝離處理之厚度38μm之聚酯膜(商品名：Diafoil MRE，三菱樹脂(股)製造)以該膜之剝離處理面為塗佈層側之方式覆蓋。藉此，將單體成分之塗佈層與氧氣隔絕。使用化學發光燈(Chemical light lamp)(東芝(股)製造))對具有如此方式獲得之塗佈層之片照射照度5mW/cm2(用於約350nm具有最大靈敏度之拓普康UVR-T1測定)之紫外線360秒鐘，使塗佈層硬化而形成黏著劑層，製作黏著片。於黏著劑層之雙面覆蓋之聚酯膜作為剝離襯墊(隔膜)起作用。
(附黏著劑層之偏光膜之製作)
僅單面剝離上述黏著劑層之隔膜，使形成有黏著劑層之隔膜轉移黏著於製造例3中獲得之偏光膜(3)之不具有透明保護膜之面(偏光元件面)，製作附黏著劑層之偏光膜。獲得之黏著劑層之水分率為3.1重量%。
比較例1
於實施例1之(附黏著劑層之偏光膜之製作)中，將偏光膜(1)變更為製造例9中獲得之偏光膜(9)，除此以外，以與實施例1同樣之方式，製作附黏著劑層之偏光膜。獲得之黏著劑層之水分率為1.3重量 %。
比較例2 (乳液型丙烯酸系黏著劑組合物之製備)
於容器中加入丙烯酸丁酯780份、甲基丙烯酸甲酯200份及丙烯酸20份並加以混合，獲得單體混合物。繼而，相對於以上述比例製備之單體混合物1000份，加入作為反應性界面活性劑之aqualon HS-10(第一工業製藥(股)製造)30份、離子交換水635份，使用高速攪拌機(特殊機化工業(股)製造)，於5分鐘、6000(rpm)下攪拌，製備單體乳液。
繼而，於具備冷凝管、氮導入管、溫度計、滴液漏斗及攪拌翼之反應容器中，投入藉由上述製備之單體乳液中之200份及離子交換水515.9份，繼而，將反應容器用氮氣充分置換之後，添加過硫酸銨0.6份，一面攪拌一面於60℃下聚合1小時。繼而，將反應容器保持於60℃，用3小時於其中滴加剩下之單體乳液，之後，聚合3小時，獲得固體成分濃度46.2%之聚合物乳液。繼而，將上述聚合物乳液冷卻至室溫之後，於其中添加濃度10%之氨水而將pH值調整至8，且將固體成分調整至45.6%，獲得此種乳液型丙烯酸系黏著劑。
(附黏著劑層之偏光膜之製作)
藉由模縫塗佈機以乾燥後之厚度為20μm之方式於脫模膜(商品名：Diafoil MRF-38，聚對苯二甲酸乙二酯基材，三菱化學聚酯(三菱化學聚酯)(股)製造)上塗佈上述乳液型丙烯酸系黏著劑之後，於120℃下乾燥5分鐘，形成黏著劑層。繼而，使形成有黏著劑層之隔膜轉移黏著於製造例4中獲得之偏光膜(4)之不具有透明保護膜之面(偏光元件面)，製作附黏著劑層之偏光膜。獲得之黏著劑層之水分率為5.0重量%。
(附黏著劑層之偏光膜之製作)
於實施例1之(附黏著劑層之偏光膜之製作)中，將上述丙烯酸系黏著劑組合物(1)變更為丙烯酸系黏著劑組合物(5)，將偏光膜(1)變更為製造例4中獲得之偏光膜(4)，除此以外，以與實施例1同樣之方式，製作附黏著劑層之偏光膜。獲得之黏著劑層之水分率為3.2重量%。
比較例3
於實施例1之(附黏著劑層之偏光膜之製作)中，將偏光膜(1)變更為製造例10中獲得之偏光膜(10)，除此以外，以與實施例1同樣之方式，製作附黏著劑層之偏光膜。獲得之黏著劑層之水分率為1.3重量%。
關於實施例及比較例中獲得之附黏著劑層之偏光膜，進行以下之ITO玻璃劣化試驗。將其結果示於表2。
<黏著劑層之飽和水分率之測定方法>
自實施例及比較例中製作之附黏著劑層之偏光膜之黏著劑層採集約50mg之樣品。使用水分吸脫附測定裝置(IGA-Sorp，Hiden公司製)，測定將該樣品於100℃、1小時之條件下完全除去了水分之狀態之重量(W1)，繼而，於23℃、0%R.H.下放置2小時，於23℃、55%R.H.下放置5小時，於60℃、90%R.H.下放置5小時，於23℃、55%R.H.下放置5小時，觀察重量變化。於無樣品之重量變化之時間點(飽和之狀態)，測定其重量(W2)。利用下式，測定飽和水分率。
<ITO玻璃劣化試驗> (具有結晶性ITO層及非晶性ITO之被接著體之製作)
於無鹼玻璃之一個面藉由濺鍍法形成ITO膜，製作具有結晶化ITO薄膜之被接著體及具有非晶化ITO膜之被接著體。於使各個被接著體與附黏著劑層之偏光膜貼合前進行140℃、30分鐘之加熱處理。結晶性ITO薄膜之Sn比率為10重量%。非晶性ITO薄膜之Sn比率為3重量%。再者，ITO薄膜之Sn比率之算出方法如上所述。
(電阻值之變化率之測定)
將具有上述ITO薄膜之被接著體切斷為25mm×25mm，以黏著劑層與ITO薄膜接觸之方式使將實施例及比較例中獲得之附黏著劑層之偏光膜切斷為15mm×15mm之偏光膜貼合於該ITO薄膜上之中央部，之後於50℃、5atm之條件下置於高壓釜15分鐘後，將所得物作為耐腐蝕性之測定樣品。使用後述之測定裝置測定獲得之測定用樣品，將其作為「初始電阻值」。之後，將測定用樣品投入至溫度60℃、90%R.H.之環境中500小時後測定之值作為「濕熱後之電阻值」。再者，使用Accent Optical Technologies公司製造之HL5500PC進行上述電阻值之測定。由如上測定之「初始電阻值」及「濕熱後之電阻值」根據下式算出電阻值變化率，按以下之評價基準進行評價。
1：電阻變化率為120%以下
2：電阻變化率超過120%且為150%以下
3：電阻變化率超過150%且為200%以下
4：電阻變化率超過200%且為300%以下
5：電阻變化率超過300%且未達400%
6：電阻變化率為400%以上
再者，於表2中表示測定中使用之ITO之種類。
<耐久性試驗>
剝離於實施例、比較例中獲得之附黏著劑層之偏光膜樣品之隔膜，使其貼合於形成有非晶ITO之玻璃之ITO面，於50℃、5atm下進行15分鐘之高壓釜處理之後，投入至80℃之加熱烘箱及60℃/90%R.H.之恆溫恆濕機。以目視觀察500小時後之偏光膜之剝離及發泡，藉由以下之評價基準進行評價。
○：完全未觀察到剝離或發泡。
△：觀察到以目視無法確認到之輕微剝離或發泡。
×：觀察到明顯之剝離或發泡。
表2中之碘含量為偏光元件中之碘及/或碘離子之含量(重量%)。

Claims (9)

  1. 一種透明導電膜用之附黏著劑層之偏光膜，其特徵在於，其為黏著劑層積層於碘系偏光膜之至少單面之附黏著劑層之偏光膜，且上述碘系偏光膜為於含有1~14重量%之碘及/或碘離子、且厚度為2~40μm之碘系偏光元件之至少單面具有於60℃、90%R.H.之條件下之透濕度為1000g/(m2．24h)以下之透明保護膜的碘系偏光膜，上述黏著劑層之60℃、90%R.H.之條件下之飽和水分率為3.5重量%以下。
  2. 如請求項1之透明導電膜用之附黏著劑層之偏光膜，其中上述碘系偏光元件之偏光元件厚度(μm)乘以碘含量(重量%)之值為10~80重量%．μm。
  3. 如請求項1或2之透明導電膜用之附黏著劑層之偏光膜，其中上述碘系偏光膜為僅於上述碘系偏光元件之單側具有透明保護膜之單面保護偏光膜，且上述黏著劑層與上述單面保護偏光膜之不具有透明保護膜之面接觸。
  4. 如請求項1至3中任一項之透明導電膜用之附黏著劑層之偏光膜，其中上述透明導電膜由氧化銦錫形成。
  5. 如請求項4之透明導電膜用之附黏著劑層之偏光膜，其中上述氧化銦錫為非晶性之氧化銦錫。
  6. 一種積層體，其特徵在於，將如請求項1至5中任一項之透明導電膜用之附黏著劑層之偏光膜與具有透明導電膜之透明導電性構件以使上述透明導電膜用之附黏著劑層之偏光膜之黏著劑層與上述構件之透明導電膜接觸之方式貼合而成。
  7. 一種圖像顯示裝置，其特徵在於，其使用如請求項6之積層體。
  8. 如請求項7之圖像顯示裝置，其中上述具有透明導電膜之透明導電性構件為包含透明導電膜及液晶單元之構件。
  9. 如請求項7之圖像顯示裝置，其中上述具有透明導電膜之透明導電性構件為具有透明導電膜之透明導電性膜，且上述圖像顯示裝置使用上述積層體作為觸控面板。
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