TW201509666A - 離型膜、成型體之製造方法、半導體零件及反射器零件 - Google Patents

離型膜、成型體之製造方法、半導體零件及反射器零件 Download PDF

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Abstract

本發明之離型膜於120℃下之MD方向及TD方向各者之熱收縮率為5%以上。

Description

離型膜、成型體之製造方法、半導體零件及反射器零件
本發明係關於一種離型膜、使用該離型膜之成型體之製造方法、及藉由該製造方法所獲得之半導體零件及反射器零件。
近年來，伴隨電子機器之高功能化及小型化、以及該等之迅速普及，作為組入其中之電子零件，要求大量且廉價地製造更小型之零件。其中，要求於電子零件之熱加工步驟中，可大量且生產性較高並且合理地生產更小之形狀之零件。例如，關於LED(Light Emitting Diode，發光二極體)零件，其封裝形態自更大型之炮彈型變遷為小型薄壁之反射器型，進而預想今後於基板上安裝大量之LED晶片後進行一次密封、單片化之包覆模製(overmold)型將逐漸佔據其主流。於此種狀況下，對於該等電子零件之熱加工步驟中所使用之離型膜，要求更高度之成型性、更高之離型性等更加高度之加工性。
先前，提出有將四氟乙烯-乙烯系共聚物之膜作為於印刷基板成型時所使用之離型膜(專利文獻1)。
亦提出有一種離型膜，其係包含含有4-甲基-1-戊烯含量為80質量%以上之聚合物之組合物者，且該組合物之熔點為170~240℃，半結晶化時間為70~220秒(專利文獻2)。
又，作為於印刷基板成型時所使用之離型膜，提出有於基礎膜上塗佈離型層而成之離型膜，該基礎膜係對將於乙烯系共聚物橡膠100質量份中混合聚乙烯系樹脂25~400質量份而成之樹脂組合物擠出 成型所獲得之膜照射游離輻射而使其交聯而成(專利文獻3)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2001-206913號公報
[專利文獻2]日本專利特開2006-70252號公報
[專利文獻3]日本專利特開2012-66447號公報
然而，上述任一種離型膜均未必可稱為充分者。
具體而言，專利文獻1之四氟乙烯-乙烯系共聚物之膜、或聚四氟乙烯(PTFE)、乙烯-四氟乙烯共聚物(ETFE)或聚醯亞胺之膜不會於成型溫度下熱收縮，故而於將膜設置於模具時，有夾帶皺褶而無法正確地再現模具之形狀之情況。
專利文獻2之離型膜由於成型時之膜之彈性模數過高，故而於電子構件之熱成型步驟中，有於成型品產生皺褶等而無法使離型膜充分地再現模具之形狀之情況。
關於專利文獻3之膜，亦由於在加熱成型時完全不收縮，故而於將膜設置於模具時，有產生皺褶等而無法充分地再現模具之形狀之情況。
如此，關於先前之離型膜，於通常之熱加工步驟中，離型膜缺乏柔軟性，又，膜無法適度地收縮，故而會產生無法將離型膜準確地貼附成模具之模具形狀，而於成型品產生皺褶等問題。
因此，本發明之目的在於提供一種可提高熱成型中之成型性之離型膜、使用該離型膜之成型體之製造方法、及藉由該製造方法所獲得之半導體零件及反射器零件。
本發明者等人為了達成上述課題而進行努力研究，結果完成本發明。即，本發明係如下所述。
[1]一種離型膜，其於120℃下之MD方向及TD方向各者之熱收縮率為5%以上。
[2]如[1]之離型膜，其於110℃下之MD方向及TD方向各者之熱收縮率為2%以上。
[3]如[1]或[2]之離型膜，其具備離型層、及基材層，且基材層包含聚烯烴樹脂，利用DSC所測得之基材層之熔點為128~210℃。
[4]如[3]之離型膜，其中基材層之聚烯烴樹脂經交聯，且於該離型膜於120℃下之MD方向及TD方向各者之應力-應變曲線中，無降伏點，且100%伸長荷重B相對於50%伸長荷重A之比B/A為1.5以上，120℃下之MD方向及TD方向各者之熱收縮力為0.40N/cm以下。
[5]如[3]或[4]之離型膜，其中離型層包含氟系化合物。
[6]如[3]至[5]中任一項之離型膜，其中基材層之聚烯烴樹脂藉由游離輻射而交聯。
[7]一種成型體之製造方法，其包括：將如[1]至[6]中任一項之離型膜固定於模具上之步驟；於模具上使離型膜收縮而將離型膜之皺褶去除之步驟；向模具供給樹脂，使樹脂成型之成型步驟；及將離型膜剝離之步驟。
[8]如[7]之成型體之製造方法，其進而包括將安裝有半導體晶片之基板配置於模具內之步驟，且於成型步驟中，利用樹脂將半導體晶片密封。
[9]如[7]之成型體之製造方法，其進而包括將引線框架配置於模具內之步驟，且於成型步驟中，於引線框架將樹脂成型。
[10]一種半導體零件，其係藉由如[8]之成型體之製造方法而製造。
[11]一種反射器零件，其係藉由如[9]之成型體之製造方法而製造。
本發明之離型膜藉由具有上述熱收縮率，而與先前相比可提高熱成型中之成型性。使用本發明之離型膜之成型體之製造方法於要求較高之生產性之成型體之製造中，無需模具之清掃步驟，並且可劃時代地減少離型膜之皺褶等不良，飛躍性地提高生產性。
以下，對本發明之實施形態進行詳細說明。再者，本發明並不限定於以下實施形態，可於其主旨之範圍內進行各種變形而實施。
於本實施形態之離型膜中，120℃下之MD方向(縱向，行進方向)及TD方向(橫向，寬度方向)各者之熱收縮率為5%以上。又，110℃下之MD方向及TD方向各者之熱收縮率較佳為2%以上。該熱收縮率可依據測定法ASTM D2732而測定。又，上述所謂「MD方向及TD方向各者之熱收縮率」，係與「MD方向及TD方向之熱收縮率之任一者」同義。
於熱收縮率於120℃下未達5%之情形時，於將膜設置於模具上而進行抽真空時，膜無法正確地追隨於模具，而於膜產生皺褶，於成型體亦產生皺褶。若熱收縮率為5%以上，則可無皺褶地將膜設置於模具，故而可充分地再現模具之形狀。
於120℃下之熱收縮率之下限值較佳為5%。上限值較佳為50%，更佳為30%，進而較佳為20%。該等下限值及上限值可自由組合而構成數值範圍。例如，該熱收縮率較佳為5~50%，更佳為5~30%，進而較佳為5~20%。若熱收縮率為50%以下，則於將膜設置於模具而進 行抽真空之步驟中，不易進一步產生不良情況。
於110℃下之熱收縮率為2%以上之情形時，於將膜設置於模具上而進行抽真空時，膜正確地追隨於模具，故而不易於膜產生皺褶，可更充分地再現模具之形狀。
110℃下之熱收縮率之下限值較佳為2%。上限值較佳為30%，更佳為20%，進而較佳為10%。該等下限值及上限值可自由組合而構成數值範圍。例如，該熱收縮率較佳為2~30%，更佳為2~20%，進而較佳為2~10%。若熱收縮率為30%以下，則於將膜設置於模具而進行抽真空之步驟中，不易進一步產生不良情況。
本實施形態之離型膜例如係具備離型層、及包含聚烯烴樹脂之基材層之至少兩層之多層離型膜，亦可具有包含離型層及基材層之兩層之構成。
利用DSC(Differential Scanning Calorimetry，示差掃描熱量測定)所測得之基材層之熔點(於具有複數個峰值之情形時，設為最大值)之下限值較佳為128℃。上限值較佳為210℃，更佳為160℃，進而較佳為150℃。該等下限值及上限值可自由組合而構成數值範圍。例如，該熔點較佳為128~210℃，更佳為128~160℃，進而較佳為128~150℃。若熔點為128℃以上，則於將膜設置於模具而進行抽真空之步驟中，不易產生不良情況。又，若熔點為210℃以下，則容易於成型溫度下產生適度之收縮，不易於成型體夾帶皺褶。
基材層例如包含聚烯烴樹脂作為主要之成分。所謂聚烯烴樹脂，係指以簡單之烯烴類或烯烴作為單元分子所合成之高分子。作為聚烯烴樹脂，可列舉：聚乙烯系樹脂、聚丙烯系樹脂、聚烯烴系聚合物合金、聚丁烯系樹脂、聚甲基戊烯樹脂等。
作為上述聚乙烯系樹脂，可列舉：聚乙烯、乙烯-α-烯烴共聚物等。
作為聚乙烯，可列舉：高密度聚乙烯、中密度聚乙烯、低密度聚乙烯、超低密度聚乙烯等。高密度聚乙烯可利用菲利普斯法、標準法、齊格勒法等通常公知之方法而製造。作為中密度聚乙烯，可列舉線性中密度聚乙烯等。作為低密度聚乙烯，可列舉線性低密度聚乙烯(LLDPE)、高壓法低密度聚乙烯等。再者，高壓法低密度聚乙烯係藉由所謂之高壓法(塊狀聚合法)而製造之低密度聚乙烯。作為超低密度聚乙烯，可列舉線性超低密度聚乙烯(VLDPE)等。
作為上述乙烯-α-烯烴共聚物，較佳為乙烯與碳數3~20之α-烯烴之共聚物，更佳為乙烯與碳數3~12之α-烯烴之共聚物。作為α-烯烴，可列舉：丙烯、1-丁烯、1-戊烯、1-己烯、1-辛烯、4-甲基-1-戊烯等，該等可使用1種或併用2種以上。
又，作為上述乙烯-α-烯烴共聚物，乙烯與選自丙烯共聚單體、丁烯共聚單體、己烯共聚單體及辛烯共聚單體中之至少1種共聚單體之共聚物通常獲取較為容易，故而可較佳地使用。
作為聚乙烯系樹脂，較佳為乙烯與α-烯烴(丙烯、1-丁烯、1-戊烯、1-己烯、1-辛烯、4-甲基-1-戊烯、3-甲基-1-戊烯、1-癸烯、1-十二烯、1-十四烯、1-十六烯、1-十八烯、1-二十烷等)之共聚物，亦可為乙烯與兩種α-烯烴(丙烯、1-丁烯、1-戊烯、1-己烯、1-辛烯、4-甲基-1-戊烯、3-甲基-1-戊烯、1-癸烯、1-十二烯、1-十四烯、1-十六烯、1-十八烯、1-二十烷等)之三元共聚物(例如，乙烯、丙烯、及其他α-烯烴之三元共聚物)。該等共聚物可為嵌段共聚物、無規共聚物等中之任一種形態。作為聚乙烯系樹脂，較佳為乙烯與丙烯之無規共聚物、乙烯與辛烯之無規共聚物、乙烯與丙烯與丁烯之無規共聚物。
聚乙烯系樹脂可使用單點系觸媒、多點系觸媒等公知之觸媒進行聚合。
就收縮性更優異之觀點而言，聚乙烯系樹脂之密度較佳為0.935 g/cm3以上，更佳為0.940g/cm3以上。藉由使用更高密度之聚乙烯系樹脂，可適度地抑制收縮性，提高離型膜之機械適性。
聚乙烯系樹脂之熔體流動速率(MFR，190℃，2.16kg)之下限值較佳為0.5g/10min，更佳為0.8g/10min，進而較佳為1.0g/10min。上限值較佳為30g/10min，更佳為25g/10min。該等下限值及上限值可自由組合而構成數值範圍。例如，就離型膜之加工性優異之觀點而言，該熔體流動速率較佳為0.5~30g/10min，更佳為0.8~30g/10min，進而較佳為1.0~25g/10min。
作為聚乙烯系樹脂，亦可使用以奈米級控制了結晶/非晶結構(形態)之聚乙烯系共聚物。
作為上述聚丙烯系樹脂，可較佳地使用聚丙烯、丙烯-α-烯烴共聚物等。再者，作為聚丙烯系樹脂，不包括屬於上述聚乙烯系樹脂之樹脂。
所謂丙烯-α-烯烴共聚物，係表示丙烯與α-烯烴之共聚物。丙烯-α-烯烴共聚物較佳為丙烯與碳數4~20之α-烯烴之共聚物，更佳為丙烯與碳數4~8之α-烯烴之共聚物。此處，作為碳數4~20之α-烯烴，可列舉：1-丁烯、1-戊烯、1-己烯、1-辛烯、4-甲基-1-戊烯、3-甲基-1-戊烯、1-癸烯、1-十二烯、1-十四烯、1-十六烯、1-十八烯、1-二十烷等，該等可使用1種或併用2種以上。
作為丙烯-α-烯烴共聚物，丙烯與選自乙烯共聚單體、丁烯共聚單體、己烯共聚單體及辛烯共聚單體中之至少1種共聚單體之共聚物通常獲取較為容易，故而可較佳地使用。
聚丙烯系樹脂可使用單點系觸媒、多點系觸媒等公知之觸媒進行聚合。
聚丙烯系樹脂之密度之下限值較佳為0.860g/cm3，更佳為0.870g/cm3。上限值較佳為0.920g/cm3，更佳為0.915g/cm3，進而較佳為 0.910g/cm3。該等下限值及上限值可自由組合而構成數值範圍。例如，就伸長性優異之觀點而言，較佳為0.860~0.920g/cm3，更佳為0.870~0.915g/cm3，進而較佳為0.870~0.910g/cm3。亦可將該等同種之聚丙烯單獨或混合使用。
聚丙烯系樹脂之熔體流動速率(MFR，230℃，2.16kg)之下限值較佳為0.3g/10min，更佳為0.5g/10min，進而較佳為0.8g/10min。上限值較佳為15g/10min，更佳為12g/10min，進而較佳為10g/10min。該等下限值及上限值可自由組合而構成數值範圍。例如，就離型膜之加工性優異之觀點而言，較佳為0.3~15g/10min，更佳為0.5~12g/10min，進而較佳為0.8~10g/10min。
作為聚丙烯系樹脂，亦可使用以奈米級控制了結晶/非晶結構(形態)之聚丙烯系共聚物。
作為聚丙烯系樹脂，可較佳地使用丙烯與丁烯、己烯、辛烯等α-烯烴之共聚物，或丙烯與丁烯、己烯、辛烯等α-烯烴之三元共聚物。該等共聚物可為嵌段共聚物、無規共聚物等中之任一種形態。
上述聚丙烯系樹脂不僅為利用如齊格勒-納塔觸媒之觸媒聚合而成之樹脂，亦可為利用茂金屬系觸媒等聚合而成之樹脂，亦可使用間規聚丙烯或等規聚丙烯等。
又，於基材層之基礎樹脂含有上述聚丙烯系樹脂之情形時，作為基礎樹脂，較佳為使用於聚丙烯系樹脂之總量中均勻微分散50質量%以下之高濃度之橡膠成分而成之樹脂。此處，作為橡膠成分，可列舉乙烯-丙烯橡膠成分(EPR)等。
聚丁烯系樹脂由於與聚丙烯系樹脂之相溶性尤其優異，故而以調整離型膜之硬度或韌性為目的，較佳為與聚丙烯系樹脂併用。再者，作為聚丁烯系樹脂，不包括屬於上述聚乙烯系樹脂及聚丙烯樹脂之樹脂。作為聚丁烯系樹脂，可較佳地使用如下高分子量之聚丁烯系 樹脂：其為結晶性，為丁烯與碳數5~8之烯烴系樹脂之共聚物，且構成聚丁烯系樹脂之全部單體中之丁烯之含量為70莫耳%以上。
聚丁烯系樹脂之熔體流動速率(MFR，190℃，2.16kg)較佳為0.1~10g/10min。又，維卡軟化點(Vicat softening point)較佳為40~100℃。此處，維卡軟化點係依據JIS K7206-1982所測得之值。
就柔軟性之觀點而言，基材層中之上述聚烯烴樹脂之含量以基材層整體作為基準較佳為50質量%以上，更佳為80質量%以上，進而較佳為90質量%以上。
基材層除上述聚烯烴樹脂以外，亦可進而包含公知之塑化劑、紫外線吸收劑、抗氧化劑、著色劑、抗靜電劑、石油樹脂、礦物油、各種界面活性劑、抗黏連劑、無機填料等任意之添加劑。上述添加劑之添加量以基材層整體作為基準通常為0.1~5質量%。
於本實施形態之離型膜中，較佳為如上所述之聚烯烴樹脂經交聯。此種離型膜於用於熱成型步驟中時，藉由交聯效果而具有優異之耐熱性，藉由進行雙軸延伸而容易賦予適度之伸長性與收縮性，故而模具追隨性更優異。又，此種離型膜可於塗佈等後加工中兼具優異之離型性。進而，藉由進行交聯，而即便於聚烯烴樹脂之熔點以上之熱成型步驟中，亦無聚烯烴樹脂熔融流動之情況。因此，不易產生開孔或斷膜等，可發揮前所未有之柔軟性，故而亦穩定地追隨於複雜之模具形狀，因此模具再現性更優異。
作為進行交聯之方法，可列舉：照射α射線、β射線、γ射線、中子射線、電子束等游離輻射之方法。藉由使用游離輻射，可根據游離輻射之照射條件而調整交聯成分(所謂之凝膠分率)，故而較佳。
所謂凝膠分率，係指根據下述運算式所求出之交聯度之比率。於使用游離輻射之交聯之情形時，交聯程度根據樹脂之種類、或進行照射時之環境而有所不同，但可利用游離輻射之照射密度、照射強度 控制為所需之凝膠分率。
尤其是，於使用聚烯烴樹脂時，於管理樹脂或照射溫度、濕度等照射條件之情形時，再現性相對良好，可使凝膠分率為某固定範圍。
例如，通常於低密度聚乙烯(LDPE)之情形時，自照射密度20kGy開始交聯，隨著照射密度升高，而凝膠分率升高。又，若照射密度超過200kGy，則有產生樹脂之劣化或分解等之情形，於確保物性之穩定性之意義上，控制所需之凝膠分率亦較為重要。
基材層之凝膠分率以離型膜整體之質量作為基準較佳為1~80質量%。於凝膠分率為1質量%以上之情形時，可獲得充分之交聯特性，即便於交聯前之聚烯烴樹脂之熔點以上之模具溫度下使用離型膜之情形時，亦可更有效地防止於膜開孔。又，若凝膠分率為80質量%以下，則作為離型膜之要求特性之熱收縮力較低，適度收縮，適度伸長，故而於設置於模具時，變得容易正確地追隨於模具形狀。凝膠分率較佳為1~70質量%，更佳為1~65質量%。
於本實施形態之離型膜中，上述包含聚烯烴樹脂之基材層可為單層構成，亦可為多層構成。又，關於基材層之各層之樹脂，亦視需要可為單一種類之樹脂，亦可藉由摻合等而製成混合樹脂。
本實施形態之離型膜之基材層之厚度較佳為5~2000μm，更佳為10~1500μm，進而較佳為15~800μm。若厚度為5μm以上，則就作業性優異之觀點而言，於接觸於某些角之情形時，於破裂或強度方面不易產生問題。又，若厚度為2000μm以下，則生產性提高，模具之形狀再現性變得更良好。
本實施形態之離型膜具備對成型材料(樹脂等)具有離型功能之離型層。離型層係設置於基材層之至少一面側。由於不僅進行與成型材料之間之剝離，亦進行與模具之間之剝離，故而離型膜較佳為於兩面 具有離型層。
具有離型功能之離型層亦可包含氟系化合物(含氟化合物)或聚矽氧系化合物等公知之化合物。亦可使用包含氟系化合物或聚矽氧系化合物之離型層。關於聚矽氧系化合物中與成型體之親和性良好之化合物，有損及離型性之情形，故而更佳為氟系化合物。
本實施形態之離型膜可分別具有各一層之基材層與離型層，但亦可具有複數層基材層，亦可具有複數層離型層。例如，本實施形態之離型膜亦可為依序積層有表層/核心層/離型層、或表層/核心層/表層/離型層者。此處，所謂「表層」，係指最外層，所謂「核心層」，係指最內層。又，本實施形態之離型膜亦可進而具備基材層以外之層。
較佳為於本實施形態之離型膜之MD方向及TD方向各者之應力-應變曲線(S-S曲線)中無降伏點(彈性極限)。應力-應變曲線係將縱軸設為荷重(N)、將橫軸設為伸長率(%)之曲線。應力-應變曲線係依據JIS K7127於120℃下進行測定。若不存在降伏點，則於將膜設置於模具上時，膜均勻地伸長，不易於成型體進而產生皺褶，故而較佳。
又，於上述應力-應變曲線中，120℃下之100%伸長荷重(100%伸長荷重)B相對於50%伸長荷重(伸長50%時之荷重)A之比(B/A)較佳為於MD方向及TD方向各者上為1.5以上。於該比為1.5以上之情形時，膜均勻地伸長，於將膜設置於模具上時，可更正確地再現模具之形狀。該比更佳為1.55以上，進而較佳為1.6以上。
本實施形態之離型膜於120℃下之MD方向及TD方向各者之熱收縮力較佳為0.40N/cm以下，更佳為0.30N/cm以下。熱收縮力係依據測定法ASTM D2838進行測定。於熱收縮力為0.40N/cm以下之情形時，於將膜設置於模具上而進行抽真空時，有熱收縮力相較於進行抽真空之力減弱之傾向，故而可更正確地追隨於模具，不易於膜進而產 生皺褶，亦不易於成型體進而產生皺褶。
以上，對本實施形態之離型膜進行了說明。繼而，對於本實施形態之離型膜之製造方法進行說明。但是，本發明並不僅限定於下述實施形態。
藉由數種擠出機使各層之使用原料熔融，藉由環模將各樹脂共擠出，獲得管狀之未延伸型坯。管狀型坯有自外側將冷卻介質設為水之情形，及自外側將冷卻介質設為水，進而自管狀型坯內側沿著內部有水流通之冷卻心軸，自管狀型坯之內外兩側進行冷卻固化，使其急冷固化之情形，可使用任一種方法。對該未延伸型坯照射游離輻射(電子束等)，實施交聯處理。
繼而，將經冷卻固化之管狀型坯引導至延伸機內，一面於80~250℃之間對延伸起點進行加熱，一面於設有速度差之輥間注入空氣，就延伸穩定性優異之觀點而言，於MD方向及TD方向各者上較佳為以2~10倍、更佳為以3~7倍之倍率進行延伸。所謂延伸起點，係指因氣泡之內壓而於TD方向上開始膨脹之位置。
作為本實施形態之膜之延伸方法，可列舉：單氣泡膨脹法、雙氣泡膨脹法、三氣泡膨脹法、拉幅機法等，就於MD方向及TD方向各者上均勻地收縮之觀點而言，較佳為膨脹法。如此形成基材層。
繼而，對該基材層賦予離型層。亦可於進行用以尺寸穩定化之熱定型、或電暈處理、電漿處理後，賦予離型層。離型層之賦予可使用公知之任一種方法進行。
作為離型層之賦予方法，例如可列舉：結構式CH2=C(R1)-COO(CH2)n1-Rf1(R1：氫原子或甲基，n1：0~4之整數，Rf1：碳數1~6之聚氟烷基或聚氟醚基)所表示之(甲基)丙烯酸酯或具有源自該(甲基)丙烯酸酯之結構單元之化合物、全氟聚醚(PFPE)系化合物、PVDF(Polyvinylidene Fluoride，聚偏二氟乙烯)、包含全氟烷基之氟系 樹脂之棒式塗佈等塗敷；矽油或聚矽氧系樹脂溶液之噴霧塗敷；於基材層混合藉由少量添加而對其表面賦予富聚矽氧之功能之添加劑或樹脂之方法；聚甲基戊烯膜之乾式層壓；藉由與聚甲基戊烯樹脂單獨成分、或經乾摻之層之共擠出之積層；藉由ETFE等氟系樹脂之共擠出之積層；藉由已膜化之ETFE等氟系樹脂膜之乾式層壓之積層等，只要根據成本方面、性能方面適當選擇即可。亦可進行與其他膜等之層壓。又，亦可藉由塗敷處理而積層離型層，並進行乾燥。於藉由塗敷而賦予離型層之情形時，就離型性更優異之觀點而言，較佳為結構式CH2=C(R1)-COO(CH2)n1-Rf1(R1：氫原子或甲基，n1：0~4之整數，Rf1：碳數1~6之聚氟烷基或聚氟醚基)所表示之(甲基)丙烯酸酯或具有源自該(甲基)丙烯酸酯之結構單元之化合物，更佳為結構式CH2=C(R2)-COO(CH2)2-Rf2(R2：氫原子或甲基，Rf2：碳數6之聚氟烷基)所表示之(甲基)丙烯酸酯或具有源自該(甲基)丙烯酸酯之結構單元之化合物。於藉由塗敷以外之方法、例如層壓而賦予離型層之情形時，較佳為由聚甲基戊烯樹脂形成離型層。
於藉由塗敷而賦予離型層之情形時，於使用該離型膜而成型光元件之步驟中，藉由將離型層轉印至成型體表面，而使光元件之光提取性優異。又，於光元件之製造步驟中，具有可高效率地製造此種成型體之特徵。
藉由利用如上所述之方法進行雙軸延伸，可提高熱收縮性或耐熱性、強度，又，藉由於後步驟中賦予離型層，可發揮作為離型膜之優異之性能。
繼而，對使用本實施形態之離型膜之成型體之製造方法進行說明。
本實施形態之離型膜於電子零件等之熱加工步驟中較為有用。此處，所謂電子零件等之熱加工步驟，係表示於IC(Integrated Circuit，積體電路)晶片或LED等之半導體密封時、多層印刷配線板製造時之成型加工時、積層熱壓時、印刷配線板製造時之覆蓋層貼附時、反射器樹脂向引線框架之成型加工時等，利用熱而進行接著、成型、固化等之步驟。
於該等步驟中，通常經由模具以熱之形式供給接著、成型、固化等所需之能量。此處，於經升溫之模具與成型材料(電子零件之熱成型步驟中所使用之接著、成型、固化等之樹脂、及其他基板樹脂等)之間介置離型膜。此時，由於防止模具與成型材料直接接觸，防止模具被樹脂污染，故而本實施形態之離型膜較為有用。
並且，本實施形態之離型膜於包含經交聯之聚烯烴樹脂之情形時，即便加工溫度為未交聯之聚烯烴樹脂之熔點以上，亦不會產生開孔等問題，容易發揮具有柔軟性且模具再現性良好之離型膜之功能。
於使用模具之熱加工之情形時，必須將離型膜無間隙地貼合於模具，再現性良好地成型模具形狀。為了轉記模具之形狀，必須使離型膜具有充分之伸長率，直至模具之角部無膜開孔之情況。為了於高溫之熱加工下發揮該性能，要求使離型膜充分地保有柔軟性、或即便樹脂熔解亦無如部分開孔之情況。作為容易實現該環境之方法，有使聚烯烴樹脂進行交聯之情況，藉由交聯，可於在高於未交聯之聚烯烴樹脂之熔點之溫度條件下之熱成型中，使用離型膜。
作為本實施形態之離型膜之用途，如上文所記載般，可例示：IC晶片或LED晶片等之半導體密封步驟、多層印刷配線板中之積層步驟、軟性配線板中之覆蓋層貼附步驟等，並無特別限定，作為尤佳之用途，可例示LED晶片之壓縮密封步驟用途。於LED晶片之壓縮密封步驟中，離型膜係抽真空地暫時固定於具有凹狀半球模腔之下部模具上。將LED安裝基板向下地設置於上部模具後，使上下模具之位置對準，以將LED晶片配置於各模腔中心部。將作為成型材料之密封樹脂 流入至模腔後，使上述上下模具閉合並進行加壓、加熱，藉此進行成型。作為密封樹脂，可列舉環氧系樹脂、聚矽氧系樹脂等，但並無特別限制。作為尤其要求耐熱性之高彈力系LED之密封樹脂，可較佳地使用聚矽氧系樹脂。於該情形時，較佳為使液狀之聚矽氧樹脂前驅物流入至模腔，於模具內藉由加熱進行硬化反應而進行成型，就生產性更優異之觀點而言，較佳為於模具中進行一次硬化反應後，進行開模並將離型膜剝離後，於烘箱等中進行二次硬化反應。
本實施形態之成型體之製造方法係使用上述離型膜之製造方法。本實施形態之成型體之製造方法例如包括：1)將離型膜固定於模具上之步驟；2)於模具上使上述膜收縮而將離型膜之皺褶去除之步驟；3)向模具供給樹脂，使樹脂成型之成型步驟；及4)將離型膜剝離之步驟。
本實施形態包括將離型膜固定於模具上之步驟。將離型膜固定於模具上之方法並無限制，例如可例示：藉由真空吸附成型面之周圍而將離型膜固定之方法；於模具配置固定銷，將離型膜固定於此之方法；及利用金屬製之平板固定成型面之周緣之方法。可單獨使用該等方法，亦可將複數種方法組合而使用。
本實施形態包括使固定於模具上之上述膜收縮而將離型膜之皺褶去除之步驟。使固定於模具上之膜收縮之方法並無限制，尤佳為藉由使用藉由加熱而收縮之離型膜，而於配置於模具上時，可藉由模具之熱而收縮從而將皺褶去除。
本實施形態包括向模具供給樹脂，使樹脂成型之成型步驟。向模具供給樹脂，使樹脂成型之方法並無特別限制，作為其成型法，可例示：壓縮成型、轉移成型、射出成型等。壓縮成型係將所計量之成型材料放入至經加熱之模具之凹部(模腔)，利用壓縮成型機進行加壓並使其硬化之方法。轉移成型係於柱塞內將暫且經加熱軟化之材料樹 脂自狹窄之材料之通道(澆口、澆道、流道等)壓入至經加熱之模腔中而使其硬化之方法。射出成型係於成型機內將經加熱而熔融之塑膠原料於高壓下壓入至模具內而使其硬化之方法。轉移成型與射出成型之不同在於：後者係於柱塞中投入僅1次份之材料。
成型所使用之樹脂並無特別限制，可為熱塑性樹脂，亦可為熱硬化性樹脂，但本實施形態中可尤佳地使用者係熱硬化性樹脂。於使用在室溫下為固形狀者作為熱硬化性樹脂之情形時，可藉由加熱至室溫以上而使其具有流動性。於使用在室溫下為液狀者之情形時，亦有不特別加熱而表現出流動性者，又，亦可藉由稍許之加熱而表現出較高之流動性。熱硬化性樹脂於融體狀態下通常分子量較低且黏度較低，故而無需較高之填充壓力，因而較佳。作為熱硬化性樹脂，可例示：環氧樹脂、聚矽氧樹脂、丙烯酸系樹脂等。
於本實施形態之成型體之製造方法中，可於模具內製造僅包含樹脂之成型體，亦可將埋入至樹脂成型體之金屬零件或基板零件等異種材料之零件預先設置於模具內，於其中填充樹脂而獲得與異種材料之一體成型體。又，於本實施形態之成型體之製造方法中，亦可利用模具內之加熱進行至暫時硬化，自模具取出後，利用烘箱等加熱裝置進行正式硬化，結束硬化反應。為了提高生產性，較佳為利用模具內之加熱進行至暫時硬化之方法。
本實施形態亦可包括將離型膜剝離之步驟。離型膜係自成型體及模具剝離。
本實施形態之成型體之製造方法較佳為包括將安裝有半導體晶片之基板配置於模具內之步驟，且於成型步驟中，利用樹脂將基板上之半導體晶片密封。藉由此種製造方法，可製造半導體零件。
將安裝有半導體晶片之基板配置於模具內之方法並無限制，例如可例示：利用真空吸附將上述基板固定於上模具之方法，或利用固 定治具將上述基板固定於上模具之方法等。再者，安裝半導體晶片之基板可為半導體晶圓或陶瓷基板、或金屬基礎基板等無機性基板，或亦可為環氧樹脂、氟樹脂等樹脂性基板。又，其安裝方法可例示：使用晶粒黏著材料將半導體晶片固定並利用打線接合而取得導通之安裝方法；或者於半導體晶片下表面形成凸塊並將其接合於基板後，利用底膠填充材料而謀求固定之方法等。作為半導體晶片，可例示：記憶、邏輯、或LED等之晶片，並無特別限制。
作為利用樹脂將基板上之半導體晶片密封之方法，可例示：於將安裝有上述半導體晶片之基板固定於上模具之情形時，於下模具準備對準上述晶片位置而雕刻有密封樹脂之形狀之凹部(模腔)，使上模具與下模具重合，於其空隙中流入樹脂而進行成型。
具體而言，使凸塊安裝有LED晶片之陶瓷基板真空吸附於上部模具，下模具係準備對準各LED晶片之位置而具有直徑2mm之凹狀半球模腔之下部模具。可例示：於下模具設置離型膜，利用抽真空而暫時固定於下部模具後，將液狀之聚矽氧樹脂流入至模腔上後，使上述上下模具閉合，於120℃×5分鐘左右之暫時硬化之加熱條件下，鎖模而進行壓縮成型等。該經暫時硬化之成型體可藉由於加熱至150℃之烘箱中進而加熱4小時左右而結束硬化反應後，進行單片化，而製造LED零件。藉此獲得之成型體可較佳地用作半導體零件。
於本實施形態之成型體之製造方法中，另一較佳之製造方法之特徵在於：進而包括將引線框架配置於模具內之步驟，且於成型步驟中，於引線框架將樹脂成型。藉由此種製造方法，可製造反射器零件。
所謂引線框架，係指支持固定半導體晶片，進行與外部配線之連接之金屬零件，且為金屬素材之薄板，通常以環形狀供給。引線框架之素材並無特別限制，可較佳地使用利用衝壓(壓製)或蝕刻等對銅 合金系素材、鐵合金系素材、其他機械強度、導電率、導熱率、耐腐蝕性等優異之金屬素材之薄板進行加工所製作者。又，亦可對該等金屬實施鍍敷處理，例如於LED用途中，為了提高光反射性，可較佳地使用實施有鍍銀者。
作為將引線框架配置於模具內之方法，可例示於特定位置形成孔，將其固定於模具之固定銷之方法等，但並不限制於該方法。
作為將樹脂成型之方法，可例示：準備對準上述引線框架之特定圖案而形成有凹部(模腔)之模具，將引線框架固定並以挾入形式使上模具與下模具重合，於其空隙中流入樹脂而進行成型。
將使用本實施形態之成型體之製造方法而製造LED反射器之例示於以下。可例示：首先，準備將反射器形狀雕刻為凹狀之上模具。於上模具固定離型膜，並將皺褶去除。將加工為特定形狀之引線框架配置於下模具，又，作為反射材，將對包含氧化鈦粒子之環氧樹脂組合物進行打錠而獲得之平板配置於模具缸體部，將上模具與下模具鎖模，利用活塞使該平板流入至模具內(轉移成型)。將該流入之環氧樹脂於模具內進行約150℃約2分鐘之加熱，進行成型。繼而，將上模具與下模具分開而將上述環氧樹脂組合物之暫時硬化物自模具內取出。使自模具取出之成型物進而進行約160℃2小時之加熱而正式硬化，結束硬化反應，藉此獲得與引線框架一體成型之環氧樹脂組合物之完全硬化物，利用該完全硬化物而可獲得成型之引線框架。
使用包含白色氧化鈦粒子之樹脂組合物而獲得之上述成型體可較佳地用作LED之反射器零件。
[實施例]
以下，列舉具體之實施例及比較例對本發明進行說明。但是，本發明並不僅限定於該等實施例。再者，本實施例中所使用之評價方法及測定方法如下所述。
<熔點>
使用PerkinElmer公司製造之DSC以下述6個階段進行測定。
1)於0℃下保持1分鐘、2)自0℃以10℃/分鐘升溫至200℃、3)於200℃下保持1分鐘、4)自200℃以10℃/分鐘降溫至0℃、5)於0℃下保持1分鐘、6)自0℃以10℃/分鐘升溫至200℃。
將上述階段中6)中之熱量峰值為最大之溫度規定為熔點。
<熱收縮率>
依據ASTM D2732，於110℃及120℃之溫度下收縮10分鐘，對MD方向(縱向)及TD方向(橫向)各者進行測定。
<應力-應變曲線測定(S-S測定)>
依據JIS K7127進行MD方向及TD方向各者之應力-應變曲線(縱軸：荷重(N)，橫軸：伸長率(%))之測定。關於測定，使用Yamato Scientific股份有限公司製造之Tensilon。於120℃、50%RH環境下，使用切割成10mm寬之長條之離型膜，於樣品長度100mm、夾頭間隔20mm、拉伸速度1000mm/min之條件下進行拉伸試驗。對MD方向、TD方向均求出50%伸長荷重與100%伸長荷重，求出下述之值X。
X=(100%伸長荷重)/(50%伸長荷重)
又，確認應力-應變曲線中之降伏點之有無。將於MD方向及TD方向之任一者均無降伏點之情形判斷為○，將有降伏點之情形判斷為×。
<熱收縮力>
依據ASTM D2838，於120℃下測定MD方向、TD方向之熱收縮力。測定係連續進行5分鐘，使用其最大值。
<凝膠分率>
於摺疊成袋狀之150目之不鏽鋼製金屬線網中封入僅剝去基材層所得之試樣100mg，於沸騰之對二甲苯中將試樣(離型膜)萃取12小時，求出根據下式所算出之不溶解部分之比率作為凝膠分率。將該凝膠分率用作膜之交聯度之標準。
凝膠分率(質量%)=(萃取後之試樣質量/萃取前之試樣質量)×100
<包覆模製型LED成型試驗>
於具有100個直徑2mm之凹狀半球模腔、及256個直徑1mm之凹狀半球模腔之加熱至120℃或130℃之下部模具上設置離型膜，利用抽真空暫時固定於下部模具。
{機械適性}
於抽真空步驟時，將於120℃與130℃任一溫度下膜均無皺褶地追隨於模具之情形判斷為「○」，將於120℃或130℃任一溫度下膜無皺褶地追隨於模具之情形判斷為「△」，將無論於120℃亦或130℃下均產生皺褶之情形判斷為「×」。
{成型性、離型性}
其後，將虛設基板向下地設置於上部模具後，以於各模腔中心部配置LED晶片之方式調整上部模具及下部模具之位置。於該狀態下使液狀之聚矽氧樹脂流入至模腔後，利用壓力鎖模而進行壓縮成型。其後，進行開模，按照下述基準確認成型性與離型性。作為密封樹脂之聚矽氧樹脂係使用作為二甲基聚矽氧型之聚矽氧樹脂之信越化學工業股份有限公司製造之KER-2500。
(成型性)
藉由顯微鏡觀察形成於金屬基礎基板上之密封各LED晶片之半球狀聚矽氧密封樹脂。將於所有所成型之聚矽氧密封樹脂表面上均不產生皺褶之情形設為◎，將僅於100個半球狀聚矽氧密封樹脂上完全不 產生皺褶之情形設為○，將形成有皺褶之密封樹脂為1個以上且未達10個之情形設為△，將形成有皺褶之密封樹脂為10個以上之情形設為×。
(與聚矽氧樹脂之離型性)
將於在成型體側未殘留離型膜之殘渣，膜與成型體完全剝離之狀態下開模之情形判斷為○。將於在成型體側黏附有離型膜之狀態下開模、或殘留有較多之離型膜之殘渣之情形判斷為×。
(與模具之離型性)
將開模後，自模具將膜剝離時，膜附著於模具而無法剝去之情形判斷為×，將膜輕易地剝去之情形判斷為○。
<關於LED包覆模製零件之製造之實施例>
準備具有100個直徑2mm之凹狀半球模腔之下部模具，加熱至120℃之溫度。於其上，設置如上所述製作之離型膜(實施例1)，利用抽真空暫時固定於下部模具，進而利用金屬板將周緣部固定。離型膜藉由熱而收縮。繼而，將打線接合安裝有100個LED晶片之金屬基礎基板(基板尺寸：100mm×100mm)向下地設置於上部模具後，以於各模腔中心部配置LED晶片之方式使上下模具之位置對齊。繼而，將液狀之聚矽氧樹脂(Dow Corning Toray製造之OE-6636)流入至模腔後，使上述上下模具閉合，於130℃×5分鐘之加熱條件下，利用3.0MPa之壓力鎖模而進行壓縮成型。開模後，取出成型體，利用150℃烘箱追加3小時而進行加熱，完成成型體。
反覆進行100次該製造，對於100片基板成型合計10000個半球透鏡，於樹脂透鏡部分完全未產生皺褶。
<LED用熱硬化反射器成型試驗>
準備具有100個縱5mm、橫5mm尺寸之反射器形狀凹狀模腔之上模具，加熱至120℃之溫度。於其上設置離型膜，利用抽真空暫時 固定於模具，進而利用金屬板將周緣部固定。離型膜藉由熱而收縮。繼而，將引線框架設置於模具。
注入於液狀之聚矽氧樹脂(Dow Corning Toray製造之OE-6636)中混合有10%氧化鈦粒子之樹脂，使上述上下模具閉合，於130℃×5分鐘之加熱條件下，進行轉移成型。開模後，取出成型體，利用150℃烘箱追加3小時而進行加熱，完成成型體。
反覆進行100次該製造，對於100片基板成型合計10000個反射器零件。將於所有反射器零件均完全未產生皺褶之狀態判斷為○，將形成有皺褶之樹脂為1個以上之情形判斷為×。
<軟性印刷基板離型試驗>
使用該離型膜，以如成為橡膠墊/離型膜/FPC(Flexible Print Circuit，可撓性印刷配線板)/離型膜/橡膠墊/熱板之順序之加壓構成，藉由壓製層壓機進行壓製。於壓製時，使熱板溫度升溫至120℃，於10MPa之加壓條件下，加壓3分鐘。其後，對壓製樣品，按照以下項目與基準進行評價。再者，下述評價係依據社團法人日本電子電路工業會(以下，簡稱為JPCA)之JPCA標準(設計指南手冊 單面及兩面軟性印刷配線版JPCA-DG02)，並按照如下之項目與基準進行。
(評價項目)
離型性：評價離型膜自FPC之離型性。具體而言，依據「JPCA標準7.5.7.1項表面之附著物」，藉由目視評價CL壓製層壓後之離型膜自FPC之剝離狀態。將評價樣品數設為各n=100而進行評價，將於FPC表面產生樹脂殘留者之個數未達評價樣品數之5%者設為合格。
◎：破裂產生率 未達3%
○：破裂產生率 3%以上且未達5%
×：破裂產生率 5%以上
[實施例1~18]
使用下述所示之樹脂，製作包含含有核心層及形成於其兩側之表層之基材層與離型層之離型膜(表層/核心層/表層/離型層)。
<所使用之樹脂>
LL1：乙烯-α-烯烴無規共聚物(Dow Chemical日本股份有限公司製造之dowlex2032，利用多點觸媒聚合而成者，α-烯烴：1-辛烯，熔體流動速率(230℃，2.16kg，以下相同)：2.0g/10min，密度：0.926g/cm3)
LL2：乙烯-α-烯烴無規共聚物(Ube-Maruzen Polyethylene股份有限公司製造之Umerit 1520F，熔體流動速率=2.0g/10min，密度=0.915g/cm3)
LL3：乙烯-α-烯烴無規共聚物(PrimePolymer股份有限公司製造之MORETEC 0278G，熔體流動速率=2.1g/10min，密度=0.939g/cm3)
LL4：乙烯-α-烯烴無規共聚物(Dow Chemical日本股份有限公司製造之ATTANE 4203，熔體流動速率=0.8g/10min，密度=0.905g/cm3)
LD1：高壓法低密度聚乙烯(旭化成化學股份有限公司製造之Suntec LD M2004，熔體流動速率=0.4g/10min，密度=0.921g/cm3)
LD2：高壓法低密度聚乙烯(旭化成化學股份有限公司製造之Suntec LD M2102，熔體流動速率=0.2g/10min，密度=0.921g/cm3)
LD3：高壓法低密度聚乙烯(Ube-Maruzen Polyethlene股份有限公司製造之UBE聚乙烯B028，熔體流動速率=0.4g/10min，密度=0.927g/cm3)
HD1：高密度聚乙烯(旭化成化學股份有限公司製造之CREOLEX QT6015，熔體流動速率=1.0g/10min，密度=0.958g/cm3)
HD2：高密度聚乙烯(旭化成化學股份有限公司製造之Suntec HD S3600，熔體流動速率=1.0g/10min，密度=0.954g/cm3)
HD3：高密度聚乙烯(旭化成化學股份有限公司製造之Suntec HD J240，熔體流動速率=5.5g/10min，密度=0.966g/cm3)
HD4：高密度聚乙烯(旭化成化學股份有限公司製造之Suntec HD S160S，熔體流動速率=0.8g/10min，密度=0.962g/cm3)
TPO：反應器TPO(PrimePolymer股份有限公司製造之PRIME TPO E-2900H，熔體流動速率=2.5g/10min)
EBC：乙烯-1-丁烯共聚物(三井化學股份有限公司製造之TAFMER A4085S，熔體流動速率=3.6g/10min，密度=0.88g/cm3)
塗佈劑1：氟系塗佈劑SFcoat SR-4000A(AGC Seimi Chemical股份有限公司製造)
塗佈劑2：氟系界面活性劑NOVEC FC-740(住友3M股份有限公司製造)
塗佈劑3：Top notch coat(含有矽烷偶合劑之有機矽氧烷)TN-1000(JSP股份有限公司製造)
塗佈劑4：全氟聚醚系塗佈劑
塗佈劑5：氟系塗佈劑RBX-HC1(NEOS股份有限公司製造)
塗佈劑6：聚矽氧塗佈劑KP-86(信越化學工業股份有限公司製造)
塗佈劑7：具有結構式CH2=C(CH3)-COO(CH2)2-C6F13所表示之源自甲基丙烯酸酯之結構單元之化合物
塗佈劑8：氟系塗佈劑SFcoat UT-B200A(AGC Seimi Chemical股份有限公司製造)
塗佈劑9：氟系塗佈劑SFcoat UT-DPN72A(AGC Seimi Chemical 股份有限公司製造)
塗佈劑10：氟系塗佈劑Obbligato PS305R(AGC Coat-Tech股份 有限公司製造)
塗佈劑11：氟系塗佈劑Obbligato PS308R(AGC Coat-Tech股份有限公司製造)
PMP(Polymethylpentene，聚甲基戊烯)膜：Opulent X-44B(厚度25μm)(Mitsui Chemicals Tohcello股份有限公司製造)
以表1、2所示之組合及混合比率(質量比)使用各樹脂，使用兩台擠出機自兩種3層之環狀模嘴，以表面(15%)/核心(70%)/表面(15%)之層配置(括號內為層厚之比率)熔融擠出為管狀，使用水冷環進行急冷，獲得管狀之延伸用原片。對所獲得之延伸用原片，以表1、2所示之照射線量照射於2000kV之加速電壓下加速之電子束而進行交聯處理。繼而，一面利用紅外線加熱器進行輻射加熱，一面使延伸用原片通過兩組夾輥間，藉由兩組夾輥之速度比使空氣注入至延伸用原片內，藉此使延伸用原片延伸，針對藉由延伸而形成之膜，利用空氣冷卻環對氣泡吹送冷風，藉此將其冷卻。其後，將膜摺疊，獲得包含表層/核心層(內層)/表層之基材層。將形成各層之樹脂之混合比率、基材層之合計厚度、照射線量記載於表1、2中。其後，作為後步驟，利用表1、2所示之塗佈劑進行塗敷而形成離型層，獲得離型膜。將所獲得之離型膜、及使用該離型膜所成型之成型體之評價結果示於表1、2。
[比較例1]
使用未交聯之乙烯-四氟乙烯共聚物(ETFE)之膜(旭硝子股份有限公司製造，LM-50)作為單層之基材層，進行與實施例相同之評價。將其結果示於表3。
[比較例2]
使用未交聯之4-甲基-1-戊烯之膜(Mitsui Chemicals Tohcello股份有限公司製造之X44B)作為單層之基材層，進行與實施例相同之評價。將其結果示於表3。
[比較例3]
對作為單層之基材層之未延伸之聚乙烯膜進行氟塗佈，進行與實施例相同之評價。將其結果示於表3。
[比較例4]
使用未延伸之聚丙烯膜(CPP膜)作為單層之基材層，進行與實施例相同之評價。將其結果示於表3。
由表1、2之結果可確認，實施例1~18中所獲得之離型膜具有適度之熱收縮性，於成型時可正確地追隨於模具，藉此可獲得良好之形之聚矽氧封裝。另一方面，由表3之結果可確認，比較例1~4中所獲得之離型膜於成型時未獲得適度之伸長，成為產生有皺褶之封裝。
[產業上之可利用性]
根據本發明之離型膜，於熱成型步驟時，可發揮優異之耐熱性、柔軟性、離型性。因此，尤其於電子零件之IC晶片或LED等半導體之密封步驟、多層印刷配線板製造時之成型加工步驟、積層熱壓步驟、進而印刷配線版製造時之覆蓋層貼附步驟等電子零件之熱加工中較為有用。又，於樹脂向引線框架之成型加工中亦較為有用。

Claims (11)

  1. 一種離型膜，其於120℃下之MD方向及TD方向各者之熱收縮率為5%以上。
  2. 如請求項1之離型膜，其於110℃下之MD方向及TD方向各者之熱收縮率為2%以上。
  3. 如請求項1或2之離型膜，其具備離型層、及基材層，且上述基材層包含聚烯烴樹脂，利用DSC所測得之上述基材層之熔點為128~210℃。
  4. 如請求項3之離型膜，其中上述基材層之上述聚烯烴樹脂經交聯，且於該離型膜於120℃下之MD方向及TD方向各者之應力-應變曲線中，無降伏點，且100%伸長荷重B相對於50%伸長荷重A之比B/A為1.5以上，120℃下之MD方向及TD方向各者之熱收縮力為0.40N/cm以下。
  5. 如請求項3或4之離型膜，其中上述離型層包含氟系化合物。
  6. 如請求項3至5中任一項之離型膜，其中上述基材層之上述聚烯烴樹脂藉由游離輻射而交聯。
  7. 一種成型體之製造方法，其包括：將如請求項1至6中任一項之離型膜固定於模具上之步驟；於上述模具上使上述離型膜收縮而將上述離型膜之皺褶去除之步驟；向上述模具供給樹脂，使上述樹脂成型之成型步驟；及將上述離型膜剝離之步驟。
  8. 如請求項7之成型體之製造方法，其進而包括將安裝有半導體晶 片之基板配置於上述模具內之步驟，且於上述成型步驟中，利用樹脂將上述半導體晶片密封。
  9. 如請求項7之成型體之製造方法，其進而包括將引線框架配置於上述模具內之步驟，且於上述成型步驟中，於上述引線框架將上述樹脂成型。
  10. 一種半導體零件，其係藉由如請求項8之成型體之製造方法而製造。
  11. 一種反射器零件，其係藉由如請求項9之成型體之製造方法而製造。
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