WO2021166560A1 - 離型フィルムおよび電子装置の製造方法 - Google Patents
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- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/60—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation
- H01L21/603—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation involving the application of pressure, e.g. thermo-compression bonding
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B37/00—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding
- B32B37/12—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by using adhesives
- B32B2037/1253—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by using adhesives curable adhesive
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B37/00—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding
- B32B37/14—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by the properties of the layers
- B32B37/26—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by the properties of the layers with at least one layer which influences the bonding during the lamination process, e.g. release layers or pressure equalising layers
- B32B2037/268—Release layers
Definitions
- the present invention relates to a method for manufacturing a release film and an electronic device.
- film-like adhesives such as Anisotropic Conductive Film (ACF) and Non Conductive Adhesive Film (NCF) are used in electronic devices.
- Adhesives such as ACF and NCF include thermosetting resins such as epoxy resins.
- a release film for preventing adhesion between the heat-pressurizing head portion and the electronic component between the heating-pressurizing head portion for heating and pressurizing and the electronic component is placed.
- Patent Document 1 Patent No. 6470461.
- Patent Document 1 when the crimping object is heat-crimped by the heat-pressurizing head, the crimping object and the heat-pressing head are supplied and arranged between the crimping object and the heat-pressurizing head.
- a heat-resistant release sheet that prevents sticking, and has a polyimide base material and a polytetrafluoroethylene (PTFE) layer arranged on one main surface of the polyimide base material, and constitutes the PTFE layer. Describes a heat-resistant mold release sheet having a number average molecular weight of 6 million or more and a peeling force required to peel the PTFE layer from the polyimide substrate of 0.5 N / 20 mm or more.
- TSV through silicon via
- electronic components such as semiconductor chips can be laminated to form a three-dimensional structure, so that it is possible to achieve a significantly higher density and smaller size than conventional devices.
- the heater is heated to a higher temperature than before so that heat is transferred to the underlying chip.
- the heater temperature is higher than before. Along with this, further heat resistance is required for the release film.
- the adhesive attached to the release film will fall off during the production line, causing contamination or stoppage of the production line and reducing the product yield.
- the detailed reason why a part of the adhesive adheres to the release film is not clear, but the following reasons can be considered.
- the release film is heated to 300 ° C. or higher. At this time, it is considered that the resin component constituting the adhesive is in a molten state, and the release layer of the release film is softened to be in a state close to the molten state. Then, a part of the melted adhesive and a part of the release layer close to the melted state are compatible with each other.
- the heat resistance of the release film can be improved.
- a heat-resistant resin such as polyimide for the support layer.
- the heat-resistant release film does not transfer heat well to the adhesive located between the two electronic components in the process of heat-pressing the electronic components with each other. It became clear that there were cases. Therefore, the heat-resistant release film was inferior in thermal conductivity to electronic components. That is, the present inventors have a good balance between the thermal conductivity to the electronic components and the releasability from the electronic components when the electronic components are heat-bonded to each other at a high temperature in the conventional release film. We found that there was room for improvement in terms of doing so.
- the present invention has been made in view of the above circumstances, and is a release film having an excellent balance between thermal conductivity to electronic components and releasability from electronic components when heat-bonding electronic components to each other at a high temperature. Is to provide.
- the present inventors have made extensive studies to achieve the above problems.
- the release film provided with the heat-resistant resin layer (A) and the release layer (B) containing the fluororesin, and the thickness of each layer and the total thickness are in a specific range, heats the electronic components to high temperatures.
- the heat conductivity to the electronic component and the releasability from the electronic component are excellent in the heat crimping with the above, and have reached the present invention.
- the following methods for manufacturing a release film and an electronic device are provided.
- a release film used for joining electronic components by heat crimping Heat-resistant resin layer (A) and A mold release layer (B) arranged on one surface of the heat-resistant resin layer (A) and containing a fluorine-based resin is provided.
- the thickness of the heat-resistant resin layer (A) is less than 25 ⁇ m.
- the thickness of the release layer (B) is 5 ⁇ m or less.
- the heat-resistant resin layer (A) is polyimide, polyetherimide, polyamideimide, polyamide, liquid crystal polymer, polyester, polycarbonate, modified polyphenylene ether, polyacetal, polyarylate, polysulfone, polyethersulfone, polyphenylene sulfide, polyether ether ketone, A release film containing one or more selected from the group consisting of vinylidene chloride resin, polybenzoimidazole, polybenzoxazole, polymethylpentene, silicone resin and crosslinked products thereof.
- the heat-resistant resin layer (A) release film storage modulus E ' is 1.0 ⁇ 10 8 Pa or more at 330 ° C. for.
- a method of manufacturing an electronic device including. [8] In the method for manufacturing an electronic device according to the above [7], A method for manufacturing an electronic device in which the thermosetting adhesive contains a non-conductive film. [9] In the method for manufacturing an electronic device according to the above [7] or [8].
- a method for manufacturing an electronic device in which the heating temperature of the heating head in the batch joining step is 300 ° C. or higher.
- the present invention it is possible to provide a release film having an excellent balance between thermal conductivity to electronic components and releasability from electronic components when electronic components are heat-bonded to each other at a high temperature.
- FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing an example of the structure of the release film 50 according to the embodiment of the present invention.
- the release film 50 is a release film used for joining electronic parts by heat-bonding, and is a heat-resistant resin layer (A) and a heat-resistant resin layer (A).
- the heat-resistant resin layer (A) has a thickness of less than 25 ⁇ m
- the release layer (B) has a thickness of the release layer (B). It is 5 ⁇ m or less, and the thickness of the release film is less than 25 ⁇ m.
- the present inventors have diligently studied in order to realize a release film having an excellent balance between thermal conductivity to electronic components and releasability from electronic components when heat-pressing electronic components with each other at a high temperature.
- the heat-resistant resin layer (A) and the release layer (B) containing the fluorine-based resin are provided and the thickness of each layer and the total thickness are within the above ranges, the electronic components are heat-bonded to each other.
- the adhesion of adhesives can be suppressed, the releasability can be improved, and the thermal conductivity to electronic components can be improved.
- the release film 50 according to the present embodiment is provided with the heat-resistant resin layer (A) to improve the heat resistance of the release film 50, and also contains the heat-resistant resin layer (A) and the fluororesin.
- the thickness of the layer (B) and the release film 50 can be made relatively thin, and as a result, the thermal conductivity of the release film 50 can be maintained well. That is, the release film 50 according to the present embodiment includes a heat-resistant resin layer (A) and a release layer (B) containing a fluororesin, and the thickness of each layer and the total thickness are within the above ranges.
- the total thickness of the release film 50 according to the present embodiment is less than 25 ⁇ m, but it is preferably 23 ⁇ m or less from the viewpoint of further improving the thermal conductivity to the electronic components when the electronic components are heat-bonded to each other at a high temperature. 22 ⁇ m or less is more preferable, 20 ⁇ m or less is further preferable, 18 ⁇ m or less is even more preferable, and 15 ⁇ m or less is even more preferable.
- the thickness of the entire release film 50 according to the present embodiment is preferably more than 5 ⁇ m, more preferably more than 8 ⁇ m, and even more preferably more than 10 ⁇ m. When the thickness of the heat-resistant resin layer (A) is at least the above lower limit value, the heat resistance, transportability, handleability, etc.
- the thickness of the heat-resistant resin layer (A) is at least the above lower limit value
- the heat resistance of the release film 50 is further improved, and when the electronic parts are heat-bonded to each other at a high temperature, the electronic parts are separated from the electronic parts.
- the releasability can be further improved.
- the release film 50 according to this embodiment is used for joining electronic components by heat crimping. More specifically, an adhesive such as ACF or NCF can be placed between the two electronic components to be used as a release film used in the step of heat-pressing the electronic components with each other. Further, the release film 50 according to the present embodiment can be suitably used as a release film used in the step of batch joining three or more electronic components.
- a step of batch-bonding three or more electronic components a multi-stage batch bonding process in which three or more electronic components are laminated by pre-bonding and then three or more electronic components are batch-bonded by post-bonding is performed.
- the release film 50 according to the present embodiment is not limited to electrical connection between electronic components using an adhesive such as ACF or NCF, and can be widely used for joining electronic components by heat crimping.
- the types of electronic components to be bonded are not particularly limited, but for example, semiconductor chips such as ICs, LSIs, discretes, light emitting diodes, and light receiving elements, semiconductor panels, semiconductor packages, interposers; various substrates such as metal substrates and glass substrates ( Electrodes may be provided on the substrate); various circuits such as a printed circuit board, TCP (Tape Carrier Package), and FPC (Flexible Printed Circuit) (ICs and the like may be provided on TCP and FPC). ); A transparent conductive layer such as an ITO (Indium Tin Oxide) layer; and the like.
- the release film 50 can also be used for joining electronic components in which a plurality of different electronic components are modularized.
- the heat-resistant resin layer (A) is a heat-resistant resin layer, and is a layer on the side heated by a heat source, that is, the side in contact with the heating and pressurizing head portion when the electronic components are joined by heat crimping.
- the heat-resistant resin layer (A) By providing the heat-resistant resin layer (A), the mechanical properties of the release film 50 can be improved, and the transportability and handleability of the release film 50 can be improved. Further, it is possible to suppress the softening of the release layer (B) when the electronic components are heat-bonded to each other, and as a result, a part of the melted adhesive and a part of the release layer (B) are compatible with each other. It is possible to prevent it from being stored.
- heat resistance means dimensional stability and thermal decomposition stability at high temperatures. That is, the better the heat resistance, the less likely it is that deformation, melting, decomposition, etc. such as expansion, contraction, softening, etc. at high temperature will occur.
- the heat-resistant resin layer (A) may be used alone or in combination of two or more.
- the heat-resistant resin layer (A) contains a heat-resistant resin.
- the heat-resistant resin layer means, for example, a layer containing a heat-resistant resin as a main component.
- the main component means the resin component contained most.
- the heat-resistant resin layer (A) is not particularly limited, and examples thereof include a resin film.
- the heat-resistant resin layer (A) contains a heat-resistant resin.
- the heat-resistant resin constituting the heat-resistant resin layer (A) include polyimide, polyetherimide, polyamideimide, polyamide, liquid crystal polymer, polyester, polycarbonate, modified polyphenylene ether, polyacetal, polyarylate, polysulfone, and polyethersulfone. , Polyphenylene sulfide, polyether ether ketone, vinylidene chloride resin, polybenzoimidazole, polybenzoxazole, polymethylpentene, silicone resin, crosslinked products thereof, and the like.
- one or more selected from polyimide, polyamide, polyetheretherketone and polyester are preferable, and polyimide is more preferable, from the viewpoint of excellent balance of heat resistance, mechanical strength, transparency, price and the like.
- the heat-resistant resin constituting the heat-resistant resin layer (A) preferably has a softening point, a glass transition temperature, or a melting point of 200 ° C. or higher, more preferably 220 ° C. or higher.
- the heat-resistant resin constituting the heat-resistant resin layer (A) preferably has neither a softening point, a glass transition temperature, nor a melting point, and more preferably has a decomposition temperature of 200 ° C. or higher, and decomposes. It is more preferable that the temperature is 220 ° C. or higher. When such a heat-resistant resin is used, the heat resistance of the heat-resistant resin layer (A) can be further improved.
- the storage elastic modulus E'of the heat-resistant resin layer (A) at 330 ° C. is determined from the viewpoint of further suppressing the adhesion of the adhesive when heat-bonding the electronic components to each other. It is preferably 1.0 ⁇ 10 8 Pa or more, more preferably 5.0 ⁇ 10 8 Pa or more, and further preferably 1.0 ⁇ 10 9 Pa or more. Further, in the release film 50 according to the present embodiment, the upper limit of the storage elastic modulus E'of the heat-resistant resin layer (A) at 330 ° C. is not particularly limited, but is, for example, 1.0 ⁇ 10 10 Pa or less.
- the storage elastic modulus E'of the heat-resistant resin layer (A) at 330 ° C. can be controlled within the above range by, for example, controlling the type and resin composition of the resin constituting the heat-resistant resin layer (A). ..
- the thickness of the heat-resistant resin layer (A) is less than 25 ⁇ m, but it is preferably less than 23 ⁇ m, preferably less than 20 ⁇ m, from the viewpoint of further improving the thermal conductivity to the electronic components when the electronic components are heat-bonded to each other at a high temperature. Is even more preferable, less than 18 ⁇ m is even more preferable, and less than 15 ⁇ m is even more preferable.
- the thickness of the heat-resistant resin layer (A) is preferably 5 ⁇ m or more, more preferably 8 ⁇ m or more, and further preferably 10 ⁇ m or more. When the thickness of the heat-resistant resin layer (A) is at least the above lower limit value, the heat resistance, transportability, handleability, etc. of the release film 50 can be improved.
- the heat resistance of the release film 50 is further improved, and when the electronic parts are heat-bonded to each other at a high temperature, the electronic parts are separated from the electronic parts.
- the releasability can be further improved.
- the heat-resistant resin layer (A) may be a single layer or two or more types of layers.
- the heat-resistant resin layer (A) may be surface-treated in order to improve the adhesiveness with other layers. Specifically, corona treatment, plasma treatment, undercoat treatment, primer coating treatment and the like may be performed.
- the release layer (B) is a layer having releasability, and is a layer arranged so as to face the electronic component when the electronic components are joined by heat crimping (that is, a layer arranged on the electronic component side). ), which is a layer provided for peeling the release film 50 from the electronic components after heat-pressing the electronic components with each other.
- the release layer (B) is not particularly limited, and examples thereof include a coating layer and a resin film.
- having releasability means, for example, a case where the contact angle with water is 80 ° or more.
- the release layer (B) contains a fluorine-based resin.
- the fluororesin according to the present embodiment is a resin containing one or more structures selected from the group consisting of a perfluoroalkyl group and a perfluoropolyether skeleton from the viewpoint of further improving the releasability. More preferred.
- the number average molecular weight of the fluororesin is preferably 100,000 or more, more preferably 200,000 or more, and more preferably 500,000 or more, from the viewpoint of suppressing the adhesion of the fluorine component to the surface of the electronic component and the releasability at high temperature. Even more preferably, 1 million or more is even more preferable.
- the upper limit of the number average molecular weight of the fluororesin is preferably less than 6 million, more preferably 5 million or less, further preferably 4.5 million or less, and even more preferably 4 million or less.
- a homogeneous release layer (B) can be formed when a dispersion liquid or solution of a fluororesin is formed.
- the number average molecular weight of the fluororesin is measured by differential scanning calorimetry (DSC) based on the method described in Suwa et al., Journal of Applied Polymer Science, vol. 17, pp. 3253-3257 (1973). be able to.
- fluororesin examples include PTFE (polytetrafluoroethylene), PVDF (polyfluorovinylidene), PCTFE (polychlorotrifluoroethylene), PVF (polyfluorovinyl), and PFA (tetrafluoroethylene).
- PTFE polytetrafluoroethylene
- PVDF polyfluorovinylidene
- PCTFE polychlorotrifluoroethylene
- PVF polyfluorovinyl
- PFA tetrafluoroethylene
- Perfluoroalkoxyethylene copolymer FEP (tetrafluoroethylene and hexafluoropropylene copolymer), ETFE (tetrafluoroethylene and ethylene copolymer), ECTFE (chlorotrifluoroethylene and ethylene) , A ternary copolymer of tetrafluoroethylene, hexafluoropropylene and vinylidene fluoride, one or more selected from fluororubber and the like.
- PTFE polytetrafluoroethylene
- FEP copolymer of tetrafluoroethylene and hexafluoropropylene
- PFA coweight of tetrafluoroethylene and perfluoroalkoxyethylene
- One or more fluororesins selected from the group consisting of (coalescence) are more preferable.
- the polytetrafluoroethylene include "Polyflon PTFE” manufactured by Daikin Industries, Ltd. and "Teflon (registered trademark) PTFE” manufactured by Mitsui-Kemers Fluoro Products.
- Examples of the copolymer of tetrafluoroethylene and hexafluoropropylene include "Neophron FEP” manufactured by Daikin Industries, Ltd. and “Teflon (registered trademark) FEP” manufactured by Mitsui-Kemers Fluoro Products. ..
- Examples of the copolymer of tetrafluoroethylene and perfluoroalkoxy alkane include "Neophron PFA” manufactured by Daikin Industries, Ltd., “Teflon (registered trademark) PFA” manufactured by Mitsui-Kemers Fluoro Products, etc. can.
- the fluorine-based resin according to this embodiment is bonded to a layer constituting a release film, which is in contact with a release layer (B) such as a heat-resistant resin layer (A) and a primer layer (P), at a temperature of less than 200 ° C. It is preferable to have a possible reactive group.
- a possible reactive group examples include a hydroxyl group, a carboxyl group, an amino group, a vinyl group, a styryl group, a (meth) acrylic group, and an epoxy group. Examples thereof include a mercapto group, an alkoxysilyl group and an isocyanate group.
- the alkoxysilyl group is preferable because it can increase the concentration of the fluorine-based resin on the surface of the release film.
- the alkoxysilyl group include a methoxysilyl group, an ethoxysilyl group, an isopropoxysilyl group and the like. From the viewpoint of reactivity, a methoxysilyl group and an ethoxysilyl group are preferable.
- the release layer (B) may contain a conductive material.
- a conductive material is not particularly limited, and examples thereof include carbon particles.
- the release layer (B) is preferably a fluorine-based coating layer from the viewpoint that the thickness of the release layer (B) can be reduced.
- the fluorine-based coating layer With the fluorine-based coating layer, the thickness of the release layer (B) can be reduced, so that the softening of the release layer (B) when the electronic components are heat-bonded to each other can be further suppressed, and as a result, the softening of the release layer (B) can be further suppressed. It is possible to further suppress that a part of the melted adhesive and a part of the release layer (B) are compatible with each other. This makes it possible to further suppress the adhesion of the adhesive when heat-bonding the electronic components to each other.
- the fluorine-based coating layer can be formed, for example, by applying a fluorine-based coating agent containing a fluorine-based resin to the heat-resistant resin layer (A) and drying it.
- the fluorine-based coating agent may be a latex of a fluorine-based resin or a solution of a fluorine-based resin.
- the thickness of the release layer (B) is 5 ⁇ m or less, but from the viewpoint of further improving the thermal conductivity to the electronic components when heat-bonding the electronic components to each other at a high temperature, and further suppressing the adhesion of the adhesive. From the viewpoint, it is preferably 4 ⁇ m or less, more preferably 3 ⁇ m or less.
- the lower limit of the thickness of the release layer (B) is not particularly limited, but is, for example, 0.01 ⁇ m or more.
- the release layer (B) may be a single layer or two or more types of layers. Further, the release layer (B) may be surface-treated in order to improve the adhesiveness with other layers. Specifically, corona treatment, plasma treatment, undercoat treatment, primer coating treatment and the like may be performed.
- the release film 50 has a lower layer of the release layer (B), that is, a release layer (B) and a heat-resistant resin layer from the viewpoint of improving the coatability and the release property of the release layer (B).
- a primer layer (P) may be provided between (A).
- the primer layer (P) preferably has a siloxane bond (—Si—O—), a precursor of a silane compound having a siloxane bond, or a silanol group.
- primer layer having a siloxane bond or silanol group examples include a silica film obtained by heating perhydropolysilazane (PHPS) in the air or a steam atmosphere, a silica film obtained by a sol-gel reaction of alkoxysilane, and the like. Can be mentioned.
- PHPS perhydropolysilazane
- the thickness of the primer layer (P) is, for example, 0.001 ⁇ m or more and 1 ⁇ m or less.
- the release film 50 according to the present embodiment has, for example, an adhesive layer, an uneven absorption layer, and an impact between the heat-resistant resin layer (A) and the release layer (B) as long as the effects of the present embodiment are not impaired. It may further have an absorption layer or the like.
- the method for producing the release film 50 according to the present embodiment is not particularly limited, and a generally known method for producing a laminated film can be adopted.
- the release film 50 according to the present embodiment is produced by using one of known production methods such as a coextrusion molding method, a laminating method, an extrusion coating method, and a coating method alone or in combination of two or more. be able to.
- an appropriate production method can be selected from the known production methods of the laminated film.
- the release film 50 according to the present embodiment can also be obtained by, for example, forming a primer layer (P) on the heat-resistant resin layer (A) and then coating the release layer (B).
- the method for forming the primer layer (P) and the release layer (B) is not particularly limited, and examples thereof include a method of applying and drying a compound solution forming each layer.
- the release film 50 according to this embodiment is used for joining electronic components by heat crimping. More specifically, the release film 50 according to the present embodiment is suitably used for manufacturing an electronic device in which a first electronic component and a second electronic component are bonded via a thermosetting adhesive. Can be done.
- the method for manufacturing an electronic device using the release film 50 according to the present embodiment is, for example, between a second electronic component arranged on the first electronic component via a heat-curable adhesive and a heating head. With the release film 50 arranged so that the release layer (B) side faces the second electronic component, the first electronic component is pressed by the heating head toward the first electronic component. And the step of electrically connecting the second electronic component by heat crimping is included.
- thermosetting adhesive for example, a film-like adhesive such as a known anisotropic conductive adhesive film or non-conductive adhesive film can be used. Further, a known anisotropic conductive adhesive paste or non-conductive adhesive paste may be used. Among these, a non-conductive adhesive film is preferable because a metal connection is preferably selected for the connection of electronic components. As the non-conductive adhesive film, for example, a known non-conductive adhesive film can be used.
- a method for manufacturing an electronic device when the release film 50 according to the present embodiment is used as a release film used in a step of batch joining three or more electronic components the following methods can be mentioned.
- a manufacturing method for manufacturing an electronic device in which three or more electronic parts are bonded via a thermosetting adhesive a laminate in which three or more electronic parts are laminated is prepared via a thermosetting adhesive.
- the release film 50 according to the present embodiment is arranged between the laminate and the heating head so that the release layer (B) side faces the laminate, and the laminate is subjected to the heating head.
- the electronic components may be temporarily bonded to each other by prebonding.
- the heating temperature of the heating head is, for example, less than 330 ° C.
- the time for pressing the laminate by the heating head is, for example, 1 second or less.
- the heating temperature of the heating head in the batch joining step is, for example, 300 ° C. or higher, preferably 330 ° C. or higher, in order to sufficiently join three or more electronic components in a batch.
- the time for pressing the laminated body by the heating head in the batch joining step is, for example, 5 seconds or more, preferably 8 seconds or more.
- the electronic components are not particularly limited, but for example, semiconductor chips such as ICs, LSIs, discretes, light emitting diodes, and light receiving elements, semiconductor panels, semiconductor packages, interposers; metal substrates and Various substrates such as glass substrates (electrodes may be provided on the substrate); Various circuits such as printed circuit boards, TCP (Tape Carrier Package), FPC (Flexible Printed Circuit) (ICs on TCP and FPC) Etc.); a transparent conductive layer such as an ITO (Indium Tin Oxide) layer; and the like.
- semiconductor chips such as ICs, LSIs, discretes, light emitting diodes, and light receiving elements, semiconductor panels, semiconductor packages, interposers; metal substrates and Various substrates such as glass substrates (electrodes may be provided on the substrate); Various circuits such as printed circuit boards, TCP (Tape Carrier Package), FPC (Flexible Printed Circuit) (ICs on TCP and FPC)
- A1 Polyimide film (manufactured by Toray DuPont Co., Ltd., product name: Kapton 50H, thickness: 12.5 ⁇ m, storage elastic modulus at 330 ° C. E': 1.8 ⁇ 10 9 Pa)
- A2 Polyimide film (manufactured by Toray DuPont Co., Ltd., product name: Kapton 100H, thickness: 25 ⁇ m, storage elastic modulus at 330 ° C.
- A3 polyimide film (Du Pont-Toray Co., Ltd., product name: Kapton 80EN, Product Name: Thickness: 20 [mu] m, storage elastic modulus E at 330 °C ': 6.1 ⁇ 10 8 Pa)
- the storage elastic modulus E'of the heat-resistant resin layer (A) at 330 ° C. was measured by the following method. Heat resistance using a solid viscoelasticity measuring device (RSA-3, manufactured by TA Instruments) under the conditions of frequency 1 Hz, heating rate 3 ° C / min, strain 0.05%, chuck distance 20 mm, and sample width 10 mm. The solid viscoelasticity of the sex resin layer (A) was measured, and the storage elastic modulus E'of the heat-resistant resin layer (A) at 330 ° C. was calculated.
- RSA-3 solid viscoelasticity measuring device
- B1 Polytetrafluoroethylene (PTFE) dispersion liquid 1 (manufactured by Daikin Corporation, product name: Polyfluon-D, number average molecular weight of PTFE: 3.4 million)
- B2 Polytetrafluoroethylene film (manufactured by Nitto Denko KK, product name: Nitoflon No. 900UL, number average molecular weight of PTFE: 7.5 million)
- the number average molecular weight of PTFE in B1 and B2 is determined by differential scanning calorimetry (DSC) based on the method described in Suwa et al., Journal of Applied Polymer Science, vol. 17, pp. 3253-3257 (1973). It was measured.
- the thickness of the release layer (B) was measured using a dial gauge, and the average value of three points at both ends and the center in the width direction of the film was adopted.
- Example 1 Polytetrafluoroethylene (PTFE) dispersion 1 was applied onto the heat-resistant resin layer (A1). Then, it was dried at a temperature of 100 ° C. for 5 minutes and then fired at 350 ° C. for 10 minutes to form a release layer (B1) having a thickness of 2.5 ⁇ m to obtain a release film.
- PTFE tetrafluoroethylene
- Example 2 A release film was obtained by the same operation as in Example 1 except that the release layer (B1) had a thickness of 5 ⁇ m.
- Example 3 A release film was obtained by the same operation as in Example 1 except that (A3) was used for the heat-resistant resin layer and the thickness of the release layer (B1) was 2.5 ⁇ m.
- Adhesive adhesion evaluation when heat-bonding electronic components to each other NCF (underfill insulating film described in Example 1 of JP-A-2018-22819) was adhered on a silicon wafer.
- the release films obtained in Examples and Comparative Examples were laminated on NCF, and the obtained laminate was pressed for 30 seconds under the conditions of 350 ° C. and a pressure bonding pressure of 0.6 MPa.
- the laminate was then cooled to room temperature and then the release film was stripped from the NCF.
- the surface of the release film was observed, and the presence or absence of NCF adhesion was evaluated according to the following criteria.
- the sizes of the release film and NCF are 1x5 cm and 1x1 cm, respectively.
- the film of the example has a higher temperature of the chip-shaped object than the release film of the comparative example, so that heat can be transferred to the chip-shaped object better. It was confirmed that it has excellent thermal conductivity.
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Abstract
電子部品の加熱圧着による接合に用いられる離型フィルムであって、耐熱性樹脂層（Ａ）と、耐熱性樹脂層（Ａ）の一面上に配置され、かつ、フッ素系樹脂を含む離型層（Ｂ）と、を備え、耐熱性樹脂層（Ａ）の厚みが２５μｍ未満であり、離型層（Ｂ）の厚みが５μｍ以下であり、上記離型フィルムの厚みが２５μｍ未満である離型フィルム。
Description
本発明は、離型フィルムおよび電子装置の製造方法に関する。
電子装置の製造工程には、異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Anisotropic Conductive Film）や非導電性接着フィルム（ＮＣＦ：Non Conductive Adhesive Film）等のフィルム状の接着剤を用いて、電子装置に用いられる各種の部品や部材（以下、電子部品とも呼ぶ。）同士を加熱圧着により電気的に接続する工程がある。
ＡＣＦやＮＣＦ等の接着剤は、例えばエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を含んでいる。２つの電子部品の間に接着剤を配置し、電子部品同士を加熱圧着すると、接着剤に含まれる熱硬化性樹脂が熱によって硬化して、電子部品同士を接合することができる。
ここで、電子部品同士を加熱圧着する工程では、加熱加圧するための加熱加圧ヘッド部と電子部品との間に、加熱加圧ヘッド部と電子部品との接着を防止するための離型フィルムが配置される。
ＡＣＦやＮＣＦ等の接着剤は、例えばエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を含んでいる。２つの電子部品の間に接着剤を配置し、電子部品同士を加熱圧着すると、接着剤に含まれる熱硬化性樹脂が熱によって硬化して、電子部品同士を接合することができる。
ここで、電子部品同士を加熱圧着する工程では、加熱加圧するための加熱加圧ヘッド部と電子部品との間に、加熱加圧ヘッド部と電子部品との接着を防止するための離型フィルムが配置される。
このような離型フィルムに関する技術としては、例えば、特許文献１（特許第６４７０４６１号）に記載のものが挙げられる。
特許文献１には、熱加圧ヘッドによる圧着対象物の熱圧着時に上記圧着対象物と上記熱加圧ヘッドとの間に供給及び配置されて、上記圧着対象物と上記熱加圧ヘッドとの固着を防ぐ耐熱離型シートであって、ポリイミド基材と、上記ポリイミド基材の一方の主面上に配置されたポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）層とを有し、上記ＰＴＦＥ層を構成するＰＴＦＥの数平均分子量が６００万以上であり、上記ポリイミド基材から上記ＰＴＦＥ層を剥離するのに要する剥離力が０．５Ｎ／２０ｍｍ以上である耐熱離型シートが記載されている。
ところで近年、半導体デバイスの高密度化および小型化が可能になるシリコン貫通電極（ＴＳＶ）技術が注目され、開発が進められている。本技術を用いることで、半導体チップ等の電子部品を積層し、３次元構造を形成することができるため、従来のデバイスに比べて、大幅な高密度化および小型化を達成することができる。
本技術では、複数の電子部品を積み上げた後に加熱圧着するため、下層のチップにまで熱が伝わるように、従来よりもヒーターを高温化している。特に、３以上の電子部品をプレボンディングにより積層し、次いで、ポストボンディングにより、積層した３以上の電子部品を一括接合する多段一括ボンディングプロセスにおいて、ヒーター温度は従来よりもさらに高温化している。それに伴い、離型フィルムにおいても、更なる耐熱性が要求されている。
本技術では、複数の電子部品を積み上げた後に加熱圧着するため、下層のチップにまで熱が伝わるように、従来よりもヒーターを高温化している。特に、３以上の電子部品をプレボンディングにより積層し、次いで、ポストボンディングにより、積層した３以上の電子部品を一括接合する多段一括ボンディングプロセスにおいて、ヒーター温度は従来よりもさらに高温化している。それに伴い、離型フィルムにおいても、更なる耐熱性が要求されている。
本発明者らの検討によれば、離型フィルムを介してヒーターにより電子部品同士を加熱圧着する場合、電子部品を構成する半導体や金属材料と離型フィルムが、高温になるほど剥離し難くなることが見出された。
従来、フッ素系樹脂フィルム等が、当該用途の離型フィルムとして使用されている。２つの電子部品の間にＡＣＦやＮＣＦ等の接着剤を配置して、高温下で電子部品同士を加熱圧着する場合、高温になるほど接着剤を構成する樹脂成分と、離型フィルムとが溶融して融着するため、接着剤の一部が離型フィルムに付着してしまう場合があることが明らかになった。
接着剤の一部が離型フィルムに付着してしまうと、離型フィルムに付着した接着剤が、製造ライン中に脱落し、製造ラインの汚染や停止が起こり、製品の歩留まりが低下してしまう懸念がある。
接着剤の一部が離型フィルムに付着してしまう詳細な理由は明らかではないが、以下の理由が考えられる。電子部品同士を加熱圧着する場合、例えば、離型フィルムは３００℃以上に加熱される。このとき、接着剤を構成する樹脂成分は溶融状態になっており、さらに離型フィルムの離型層が軟化して溶融状態に近い状態になっていると考えられる。そして、溶融した接着剤の一部と、溶融状態に近い離型層の一部とが相溶してしまう。これにより、電子部品から離型フィルムを剥離した際に、接着剤の一部が離型フィルムの離型層の表面に残ってしまい、その結果、接着剤の一部が離型フィルムに付着してしまうと考えられる。
従来、フッ素系樹脂フィルム等が、当該用途の離型フィルムとして使用されている。２つの電子部品の間にＡＣＦやＮＣＦ等の接着剤を配置して、高温下で電子部品同士を加熱圧着する場合、高温になるほど接着剤を構成する樹脂成分と、離型フィルムとが溶融して融着するため、接着剤の一部が離型フィルムに付着してしまう場合があることが明らかになった。
接着剤の一部が離型フィルムに付着してしまうと、離型フィルムに付着した接着剤が、製造ライン中に脱落し、製造ラインの汚染や停止が起こり、製品の歩留まりが低下してしまう懸念がある。
接着剤の一部が離型フィルムに付着してしまう詳細な理由は明らかではないが、以下の理由が考えられる。電子部品同士を加熱圧着する場合、例えば、離型フィルムは３００℃以上に加熱される。このとき、接着剤を構成する樹脂成分は溶融状態になっており、さらに離型フィルムの離型層が軟化して溶融状態に近い状態になっていると考えられる。そして、溶融した接着剤の一部と、溶融状態に近い離型層の一部とが相溶してしまう。これにより、電子部品から離型フィルムを剥離した際に、接着剤の一部が離型フィルムの離型層の表面に残ってしまい、その結果、接着剤の一部が離型フィルムに付着してしまうと考えられる。
一方、支持体層にポリイミド等の耐熱性樹脂を用いることにより、離型フィルムの耐熱性を向上させることができる。しかし、本発明者らの検討によれば、このような耐熱性離型フィルムは、電子部品同士を加熱圧着する工程において、２つの電子部品の間に位置する接着剤に熱を上手く伝えられない場合があることが明らかになった。よって、耐熱性離型フィルムは電子部品への熱伝導性に劣っていた。
すなわち、本発明者らは、従来の離型フィルムには、電子部品同士を高温で加熱圧着する際において、電子部品への熱伝導性と、電子部品からの離型性とのバランスを良好にするという観点において、改善の余地があることを見出した。
すなわち、本発明者らは、従来の離型フィルムには、電子部品同士を高温で加熱圧着する際において、電子部品への熱伝導性と、電子部品からの離型性とのバランスを良好にするという観点において、改善の余地があることを見出した。
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、電子部品同士を高温で加熱圧着する際において、電子部品への熱伝導性と電子部品からの離型性とのバランスに優れた離型フィルムを提供するものである。
本発明者らは、上記課題を達成するために鋭意検討を重ねた。その結果、耐熱性樹脂層（Ａ）と、フッ素系樹脂を含む離型層（Ｂ）とを備え、各層の厚みおよび全体の厚みが特定の範囲にある離型フィルムが、電子部品同士を高温で加熱圧着する際において、電子部品への熱伝導性と電子部品からの離型性とのバランスに優れることを見出し、本発明に至った。
本発明によれば、以下に示す離型フィルムおよび電子装置の製造方法が提供される。
［１］
電子部品の加熱圧着による接合に用いられる離型フィルムであって、
耐熱性樹脂層（Ａ）と、
上記耐熱性樹脂層（Ａ）の一面上に配置され、かつ、フッ素系樹脂を含む離型層（Ｂ）と、を備え、
上記耐熱性樹脂層（Ａ）の厚みが２５μｍ未満であり、
上記離型層（Ｂ）の厚みが５μｍ以下であり、
上記離型フィルムの厚みが２５μｍ未満である離型フィルム。
［２］
上記［１］に記載の離型フィルムにおいて、
上記耐熱性樹脂層（Ａ）がポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミドイミド、ポリアミド、液晶ポリマー、ポリエステル、ポリカーボネート、変性ポリフェニレンエーテル、ポリアセタール、ポリアリレート、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルエーテルケトン、塩化ビニリデン樹脂、ポリベンゾイミダゾール、ポリベンゾオキサゾール、ポリメチルペンテン、シリコーン樹脂およびこれらの架橋物からなる群から選択される一種または二種以上を含む離型フィルム。
［３］
上記［１］または［２］に記載の離型フィルムにおいて、
上記耐熱性樹脂層（Ａ）の３３０℃における貯蔵弾性率Ｅ’が１．０×１０８Ｐａ以上である離型フィルム。
［４］
上記［１］乃至［３］のいずれか一つに記載の離型フィルムにおいて、
上記フッ素系樹脂がパーフルオロアルキル基およびパーフルオロポリエーテル骨格からなる群から選択される一種または二種以上の構造を含む離型フィルム。
［５］
上記［１］乃至［４］のいずれか一つに記載の離型フィルムにおいて、
上記フッ素系樹脂がポリテトラフルオロエチレン、テトラフルオロエチレンとヘキサフルオロプロピレンとの共重合体、およびテトラフルオロエチレンとパーフルオロアルコキシエチレンとの共重合体からなる群から選択される一種または二種以上を含む離型フィルム。
［６］
上記［１］乃至［５］のいずれか一つに記載の離型フィルムにおいて、
３以上の電子部品を一括接合するために用いられる離型フィルム。
［７］
３以上の電子部品が熱硬化型接着剤を介して接合された電子装置を製造するための製造方法であって、
上記熱硬化型接着剤を介して、３以上の上記電子部品が積層された積層体を準備する準備工程と、
上記積層体と、加熱ヘッドとの間に、上記［１］乃至［６］のいずれか一つに記載の離型フィルムを上記離型層（Ｂ）側が上記積層体に向くように配置した状態で、上記加熱ヘッドにより上記積層体を押圧することにより、隣接する上記電子部品同士を加熱圧着により電気的に接続する一括接合工程と、
を含む電子装置の製造方法。
［８］
上記［７］に記載の電子装置の製造方法において、
上記熱硬化型接着剤が非導電性フィルムを含む電子装置の製造方法。
［９］
上記［７］または［８］に記載の電子装置の製造方法において、
上記一括接合工程における上記加熱ヘッドの加熱温度が３００℃以上である電子装置の製造方法。
電子部品の加熱圧着による接合に用いられる離型フィルムであって、
耐熱性樹脂層（Ａ）と、
上記耐熱性樹脂層（Ａ）の一面上に配置され、かつ、フッ素系樹脂を含む離型層（Ｂ）と、を備え、
上記耐熱性樹脂層（Ａ）の厚みが２５μｍ未満であり、
上記離型層（Ｂ）の厚みが５μｍ以下であり、
上記離型フィルムの厚みが２５μｍ未満である離型フィルム。
［２］
上記［１］に記載の離型フィルムにおいて、
上記耐熱性樹脂層（Ａ）がポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミドイミド、ポリアミド、液晶ポリマー、ポリエステル、ポリカーボネート、変性ポリフェニレンエーテル、ポリアセタール、ポリアリレート、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルエーテルケトン、塩化ビニリデン樹脂、ポリベンゾイミダゾール、ポリベンゾオキサゾール、ポリメチルペンテン、シリコーン樹脂およびこれらの架橋物からなる群から選択される一種または二種以上を含む離型フィルム。
［３］
上記［１］または［２］に記載の離型フィルムにおいて、
上記耐熱性樹脂層（Ａ）の３３０℃における貯蔵弾性率Ｅ’が１．０×１０８Ｐａ以上である離型フィルム。
［４］
上記［１］乃至［３］のいずれか一つに記載の離型フィルムにおいて、
上記フッ素系樹脂がパーフルオロアルキル基およびパーフルオロポリエーテル骨格からなる群から選択される一種または二種以上の構造を含む離型フィルム。
［５］
上記［１］乃至［４］のいずれか一つに記載の離型フィルムにおいて、
上記フッ素系樹脂がポリテトラフルオロエチレン、テトラフルオロエチレンとヘキサフルオロプロピレンとの共重合体、およびテトラフルオロエチレンとパーフルオロアルコキシエチレンとの共重合体からなる群から選択される一種または二種以上を含む離型フィルム。
［６］
上記［１］乃至［５］のいずれか一つに記載の離型フィルムにおいて、
３以上の電子部品を一括接合するために用いられる離型フィルム。
［７］
３以上の電子部品が熱硬化型接着剤を介して接合された電子装置を製造するための製造方法であって、
上記熱硬化型接着剤を介して、３以上の上記電子部品が積層された積層体を準備する準備工程と、
上記積層体と、加熱ヘッドとの間に、上記［１］乃至［６］のいずれか一つに記載の離型フィルムを上記離型層（Ｂ）側が上記積層体に向くように配置した状態で、上記加熱ヘッドにより上記積層体を押圧することにより、隣接する上記電子部品同士を加熱圧着により電気的に接続する一括接合工程と、
を含む電子装置の製造方法。
［８］
上記［７］に記載の電子装置の製造方法において、
上記熱硬化型接着剤が非導電性フィルムを含む電子装置の製造方法。
［９］
上記［７］または［８］に記載の電子装置の製造方法において、
上記一括接合工程における上記加熱ヘッドの加熱温度が３００℃以上である電子装置の製造方法。
本発明によれば、電子部品同士を高温で加熱圧着する際において、電子部品への熱伝導性と電子部品からの離型性とのバランスに優れた離型フィルムを提供することができる。
以下、本発明の実施形態について、図面を用いて説明する。なお、すべての図面において、同様な構成要素には共通の符号を付し、適宜説明を省略する。また、図は概略図であり、実際の寸法比率とは一致していない。また、数値範囲の「Ａ～Ｂ」は特に断りがなければ、Ａ以上Ｂ以下を表す。
１．離型フィルム
以下、本実施形態に係る離型フィルム５０について説明する。
図１は、本発明に係る実施形態の離型フィルム５０の構造の一例を模式的に示した断面図である。
以下、本実施形態に係る離型フィルム５０について説明する。
図１は、本発明に係る実施形態の離型フィルム５０の構造の一例を模式的に示した断面図である。
図１に示すように、本実施形態に係る離型フィルム５０は、電子部品の加熱圧着による接合に用いられる離型フィルムであって、耐熱性樹脂層（Ａ）と、耐熱性樹脂層（Ａ）の一面上に配置され、かつ、フッ素系樹脂を含む離型層（Ｂ）と、を備え、耐熱性樹脂層（Ａ）の厚みが２５μｍ未満であり、離型層（Ｂ）の厚みが５μｍ以下であり、上記離型フィルムの厚みが２５μｍ未満である。
本発明者らは、電子部品同士を高温で加熱圧着する際において、電子部品への熱伝導性と電子部品からの離型性とのバランスに優れた離型フィルムを実現するために、鋭意検討を重ねた。その結果、耐熱性樹脂層（Ａ）と、フッ素系樹脂を含む離型層（Ｂ）とを備え、各層の厚みおよび全体の厚みが上記範囲にあることにより、電子部品同士を加熱圧着する際に接着剤の付着を抑制でき、離型性を向上できるとともに、電子部品への熱伝導性が良好になることを初めて見出した。
本実施形態に係る離型フィルム５０は、耐熱性樹脂層（Ａ）を備えることにより、離型フィルム５０の耐熱性を向上させつつ、耐熱性樹脂層（Ａ）、フッ素系樹脂を含む離型層（Ｂ）および離型フィルム５０の厚みを相対的に薄くすることができ、その結果、離型フィルム５０の熱伝導性を良好に維持することができる。
すなわち、本実施形態に係る離型フィルム５０は、耐熱性樹脂層（Ａ）と、フッ素系樹脂を含む離型層（Ｂ）とを備え、各層の厚みおよび全体の厚みが上記範囲にあることにより、電子部品同士を高温で加熱圧着する際において、電子部品への熱伝導性と電子部品からの離型性とのバランスを良好にすることが可能となる。
本実施形態に係る離型フィルム５０は、耐熱性樹脂層（Ａ）を備えることにより、離型フィルム５０の耐熱性を向上させつつ、耐熱性樹脂層（Ａ）、フッ素系樹脂を含む離型層（Ｂ）および離型フィルム５０の厚みを相対的に薄くすることができ、その結果、離型フィルム５０の熱伝導性を良好に維持することができる。
すなわち、本実施形態に係る離型フィルム５０は、耐熱性樹脂層（Ａ）と、フッ素系樹脂を含む離型層（Ｂ）とを備え、各層の厚みおよび全体の厚みが上記範囲にあることにより、電子部品同士を高温で加熱圧着する際において、電子部品への熱伝導性と電子部品からの離型性とのバランスを良好にすることが可能となる。
本実施形態に係る離型フィルム５０全体の厚みは２５μｍ未満であるが、電子部品同士を高温で加熱圧着する際において電子部品への熱伝導性をより一層向上させる観点から、２３μｍ以下が好ましく、２２μｍ以下がより好ましく、２０μｍ以下がさらに好ましく、１８μｍ以下がさらにより好ましく、１５μｍ以下がさらにより好ましい。
また、本実施形態に係る離型フィルム５０全体の厚みは、好ましくは５μｍ超え、より好ましくは８μｍ超え、さらに好ましくは１０μｍ超えである。耐熱性樹脂層（Ａ）の厚みが上記下限値以上であることにより、離型フィルム５０の耐熱性、搬送性、ハンドリング性等を向上させることができる。さらに、耐熱性樹脂層（Ａ）の厚みが上記下限値以上であることにより、離型フィルム５０の耐熱性がより一層向上し、電子部品同士を高温で加熱圧着する際において、電子部品からの離型性をより一層良好にすることができる。
また、本実施形態に係る離型フィルム５０全体の厚みは、好ましくは５μｍ超え、より好ましくは８μｍ超え、さらに好ましくは１０μｍ超えである。耐熱性樹脂層（Ａ）の厚みが上記下限値以上であることにより、離型フィルム５０の耐熱性、搬送性、ハンドリング性等を向上させることができる。さらに、耐熱性樹脂層（Ａ）の厚みが上記下限値以上であることにより、離型フィルム５０の耐熱性がより一層向上し、電子部品同士を高温で加熱圧着する際において、電子部品からの離型性をより一層良好にすることができる。
本実施形態に係る離型フィルム５０は電子部品の加熱圧着による接合に用いられる。より具体的には、２つの電子部品の間にＡＣＦやＮＣＦ等の接着剤を配置して、電子部品同士を加熱圧着する工程で使用する離型フィルムとして用いることができる。さらに、本実施形態に係る離型フィルム５０は、３以上の電子部品を一括接合する工程で使用する離型フィルムとして好適に用いることができる。
ここで、３以上の電子部品を一括接合する工程としては、３以上の電子部品をプレボンディングにより積層し、次いで、ポストボンディングにより、積層した３以上の電子部品を一括接合する多段一括ボンディングプロセスが挙げられる。
ただし、本実施形態に係る離型フィルム５０は、ＡＣＦやＮＣＦ等の接着剤を用いた電子部品同士の電気的な接続に限定されず、加熱圧着による電子部品の接合に広く用いることができる。
ここで、３以上の電子部品を一括接合する工程としては、３以上の電子部品をプレボンディングにより積層し、次いで、ポストボンディングにより、積層した３以上の電子部品を一括接合する多段一括ボンディングプロセスが挙げられる。
ただし、本実施形態に係る離型フィルム５０は、ＡＣＦやＮＣＦ等の接着剤を用いた電子部品同士の電気的な接続に限定されず、加熱圧着による電子部品の接合に広く用いることができる。
接合する電子部品の種類は特に限定されないが、例えば、ＩＣ、ＬＳＩ、ディスクリート、発光ダイオード、受光素子等の半導体チップや半導体パネル、半導体パッケージ、インターポーザー；金属基板やガラス基板等の各種基板類（基板上に電極が設けられていてもよい）；プリント回路基板、ＴＣＰ（Tape Carrier Package）、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）等の各種回路類（ＴＣＰやＦＰＣ上にＩＣ等が設けられていてもよい）；ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）層等の透明導電層；等が挙げられる。
離型フィルム５０は、複数の異なる電子部品がモジュール化された電子部品の接合にも用いることができる。
離型フィルム５０は、複数の異なる電子部品がモジュール化された電子部品の接合にも用いることができる。
次に、本実施形態に係る離型フィルム５０を構成する各層について説明する。
＜耐熱性樹脂層（Ａ）＞
耐熱性樹脂層（Ａ）は耐熱性を有する樹脂層であり、電子部品同士を加熱圧着により接合する際に、熱源により加熱される側、すなわち加熱加圧ヘッド部と接する側の層である。
耐熱性樹脂層（Ａ）を備えることにより、離型フィルム５０の機械的特性が向上し、離型フィルム５０の搬送性やハンドリング性を向上させることができる。さらに、電子部品同士を加熱圧着する際の離型層（Ｂ）の軟化を抑制でき、その結果、溶融した接着剤の一部と、離型層（Ｂ）の一部とが相溶してしまうことを抑制することができる。
ここで、本実施形態において、耐熱性とは高温での寸法安定性や熱分解安定性を意味する。すなわち、耐熱性に優れるほど、高温における膨張や収縮、軟化等の変形や溶融、分解等が起き難いことを意味する。
耐熱性樹脂層（Ａ）は一種単独で用いてもよいし、二種以上を組み合わせて用いてもよい。
耐熱性樹脂層（Ａ）は耐熱性を有する樹脂層であり、電子部品同士を加熱圧着により接合する際に、熱源により加熱される側、すなわち加熱加圧ヘッド部と接する側の層である。
耐熱性樹脂層（Ａ）を備えることにより、離型フィルム５０の機械的特性が向上し、離型フィルム５０の搬送性やハンドリング性を向上させることができる。さらに、電子部品同士を加熱圧着する際の離型層（Ｂ）の軟化を抑制でき、その結果、溶融した接着剤の一部と、離型層（Ｂ）の一部とが相溶してしまうことを抑制することができる。
ここで、本実施形態において、耐熱性とは高温での寸法安定性や熱分解安定性を意味する。すなわち、耐熱性に優れるほど、高温における膨張や収縮、軟化等の変形や溶融、分解等が起き難いことを意味する。
耐熱性樹脂層（Ａ）は一種単独で用いてもよいし、二種以上を組み合わせて用いてもよい。
耐熱性樹脂層（Ａ）は耐熱性樹脂を含む。ここで、耐熱性樹脂層とは、例えば、主成分として耐熱性樹脂を含む層をいう。主成分とは、最も多く含まれる樹脂成分をいう。
耐熱性樹脂層（Ａ）は特に限定されないが、例えば、樹脂フィルムが挙げられる。
耐熱性樹脂層（Ａ）は特に限定されないが、例えば、樹脂フィルムが挙げられる。
耐熱性樹脂層（Ａ）は耐熱性樹脂を含む。耐熱性樹脂層（Ａ）を構成する耐熱性樹脂としては、例えば、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミドイミド、ポリアミド、液晶ポリマー、ポリエステル、ポリカーボネート、変性ポリフェニレンエーテル、ポリアセタール、ポリアリレート、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルエーテルケトン、塩化ビニリデン樹脂、ポリベンゾイミダゾール、ポリベンゾオキサゾール、ポリメチルペンテン、シリコーン樹脂およびこれらの架橋物等から選択される一種または二種以上の樹脂を挙げることができる。
これらの中でも、耐熱性や機械的強度、透明性、価格等のバランスに優れる観点から、ポリイミド、ポリアミド、ポリエーテルエーテルケトンおよびポリエステルから選択される一種または二種以上が好ましく、ポリイミドがより好ましい。
これらの中でも、耐熱性や機械的強度、透明性、価格等のバランスに優れる観点から、ポリイミド、ポリアミド、ポリエーテルエーテルケトンおよびポリエステルから選択される一種または二種以上が好ましく、ポリイミドがより好ましい。
耐熱性樹脂層（Ａ）を構成する耐熱性樹脂は軟化点、ガラス転移温度および融点のいずれかが２００℃以上であることが好ましく、２２０℃以上であることがより好ましい。あるいは耐熱性樹脂層（Ａ）を構成する耐熱性樹脂は軟化点、ガラス転移温度および融点のいずれも有さないものであることが好ましく、分解温度が２００℃以上であることがより好ましく、分解温度が２２０℃以上であることがさらに好ましい。
このような耐熱性樹脂を用いると、耐熱性樹脂層（Ａ）の耐熱性をより一層良好にすることができる。
このような耐熱性樹脂を用いると、耐熱性樹脂層（Ａ）の耐熱性をより一層良好にすることができる。
本実施形態に係る離型フィルム５０において、電子部品同士を加熱圧着する際の接着剤の付着をより一層抑制する観点から、耐熱性樹脂層（Ａ）の３３０℃における貯蔵弾性率Ｅ’は、好ましくは１．０×１０８Ｐａ以上、より好ましくは５．０×１０８Ｐａ以上、さらに好ましくは１．０×１０９Ｐａ以上である。
また、本実施形態に係る離型フィルム５０において、耐熱性樹脂層（Ａ）の３３０℃における貯蔵弾性率Ｅ’の上限は特に限定されないが、例えば、１．０×１０１０Ｐａ以下である。これにより、電子部品表面に形成された凹凸への追従性が向上し、電子部品と離型性フィルムとの間に隙間が生じてしまうことを抑制できる。その結果、電子部品同士を加熱圧着する際の電子部品への熱伝導性をより一層向上させることができる。
耐熱性樹脂層（Ａ）の３３０℃における貯蔵弾性率Ｅ’は、例えば、耐熱性樹脂層（Ａ）を構成する樹脂の種類や樹脂組成を制御することにより上記範囲内に制御することができる。
また、本実施形態に係る離型フィルム５０において、耐熱性樹脂層（Ａ）の３３０℃における貯蔵弾性率Ｅ’の上限は特に限定されないが、例えば、１．０×１０１０Ｐａ以下である。これにより、電子部品表面に形成された凹凸への追従性が向上し、電子部品と離型性フィルムとの間に隙間が生じてしまうことを抑制できる。その結果、電子部品同士を加熱圧着する際の電子部品への熱伝導性をより一層向上させることができる。
耐熱性樹脂層（Ａ）の３３０℃における貯蔵弾性率Ｅ’は、例えば、耐熱性樹脂層（Ａ）を構成する樹脂の種類や樹脂組成を制御することにより上記範囲内に制御することができる。
耐熱性樹脂層（Ａ）の厚さは２５μｍ未満であるが、電子部品同士を高温で加熱圧着する際において電子部品への熱伝導性をより一層向上させる観点から、２３μｍ未満が好ましく、２０μｍ未満がより好ましく、１８μｍ未満がさらに好ましく、１５μｍ未満がさらにより好ましい。
また、耐熱性樹脂層（Ａ）の厚みは、好ましくは５μｍ以上、より好ましくは８μｍ以上、さらに好ましくは１０μｍ以上である。耐熱性樹脂層（Ａ）の厚みが上記下限値以上であることにより、離型フィルム５０の耐熱性、搬送性、ハンドリング性等を向上させることができる。さらに、耐熱性樹脂層（Ａ）の厚みが上記下限値以上であることにより、離型フィルム５０の耐熱性がより一層向上し、電子部品同士を高温で加熱圧着する際において、電子部品からの離型性をより一層良好にすることができる。
また、耐熱性樹脂層（Ａ）の厚みは、好ましくは５μｍ以上、より好ましくは８μｍ以上、さらに好ましくは１０μｍ以上である。耐熱性樹脂層（Ａ）の厚みが上記下限値以上であることにより、離型フィルム５０の耐熱性、搬送性、ハンドリング性等を向上させることができる。さらに、耐熱性樹脂層（Ａ）の厚みが上記下限値以上であることにより、離型フィルム５０の耐熱性がより一層向上し、電子部品同士を高温で加熱圧着する際において、電子部品からの離型性をより一層良好にすることができる。
耐熱性樹脂層（Ａ）は、単層であっても、二種以上の層であってもよい。
耐熱性樹脂層（Ａ）は他の層との接着性を改良するために、表面処理を行ってもよい。具体的には、コロナ処理、プラズマ処理、アンダーコート処理、プライマーコート処理等を行ってもよい。
＜離型層（Ｂ）＞
離型層（Ｂ）は離型性を有する層であり、電子部品同士を加熱圧着により接合する際に、電子部品と対向するように配置される層（すなわち、電子部品側に配置される層）であり、電子部品同士の加熱圧着後に電子部品から離型フィルム５０を剥離するために設けられる層である。
離型層（Ｂ）は特に限定されないが、例えば、コーティング層や樹脂フィルム等が挙げられる。
ここで、本実施形態において、離型性を有するとは、例えば、水に対する接触角が８０°以上である場合をいう。
離型層（Ｂ）は離型性を有する層であり、電子部品同士を加熱圧着により接合する際に、電子部品と対向するように配置される層（すなわち、電子部品側に配置される層）であり、電子部品同士の加熱圧着後に電子部品から離型フィルム５０を剥離するために設けられる層である。
離型層（Ｂ）は特に限定されないが、例えば、コーティング層や樹脂フィルム等が挙げられる。
ここで、本実施形態において、離型性を有するとは、例えば、水に対する接触角が８０°以上である場合をいう。
離型層（Ｂ）は、フッ素系樹脂を含む。
本実施形態に係るフッ素系樹脂は、離型性をより一層良好にする観点から、パーフルオロアルキル基およびパーフルオロポリエーテル骨格からなる群から選択される一種または二種以上の構造を含む樹脂がより好ましい。
本実施形態に係るフッ素系樹脂は、離型性をより一層良好にする観点から、パーフルオロアルキル基およびパーフルオロポリエーテル骨格からなる群から選択される一種または二種以上の構造を含む樹脂がより好ましい。
フッ素系樹脂の数平均分子量は、電子部品表面へのフッ素成分の付着を抑制する観点や高温時における離型性の観点から、１０万以上が好ましく、２０万以上がより好ましく、５０万以上がさらに好ましく、１００万以上がさらにより好ましい。
また、フッ素系樹脂の数平均分子量の上限は６００万未満が好ましく、５００万以下がより好ましく、４５０万以下がさらに好ましく、４００万以下がさらにより好ましい。数平均分子量の上限が上記範囲にあると、フッ素系樹脂の分散液や溶液を製膜するときに均質な離型層（Ｂ）を形成できる点で好ましい。
フッ素系樹脂の数平均分子量は、Suwa et al., Journal of Applied Polymer Science, vol. 17, pp. 3253-3257 (1973) に記載の手法に基づいて、示差走査熱量分析（ＤＳＣ）により測定することができる。
また、フッ素系樹脂の数平均分子量の上限は６００万未満が好ましく、５００万以下がより好ましく、４５０万以下がさらに好ましく、４００万以下がさらにより好ましい。数平均分子量の上限が上記範囲にあると、フッ素系樹脂の分散液や溶液を製膜するときに均質な離型層（Ｂ）を形成できる点で好ましい。
フッ素系樹脂の数平均分子量は、Suwa et al., Journal of Applied Polymer Science, vol. 17, pp. 3253-3257 (1973) に記載の手法に基づいて、示差走査熱量分析（ＤＳＣ）により測定することができる。
本実施形態に係るフッ素系樹脂としては、例えば、ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）、ＰＶＤＦ（ポリフッ化ビニリデン）、ＰＣＴＦＥ（ポリクロロトリフルオロエチレン）、ＰＶＦ（ポリフッ化ビニル）、ＰＦＡ（テトラフルオロエチレンとパーフルオロアルコキシエチレンとの共重合体）、ＦＥＰ（テトラフルオロエチレンとヘキサフルオロプロピレンとの共重合体）、ＥＴＦＥ（テトラフルオロエチレンとエチレンとの共重合体）、ＥＣＴＦＥ（クロロトリフルオロエチレンとエチレンとの共重合体）、テトラフルオロエチレンとヘキサフルオロプロピレンとフッ化ビニリデンとの３元共重合体、フッ素ゴム等から選択される一種または二種以上を挙げることができる。
これらの中でも、離型性に優れる点から、ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）、ＦＥＰ（テトラフルオロエチレンとヘキサフルオロプロピレンとの共重合体）およびＰＦＡ（テトラフルオロエチレンとパーフルオロアルコキシエチレンとの共重合体）からなる群から選択される一種または二種以上のフッ素系樹脂がより好ましい。
ポリテトラフルオロエチレンとしては、例えば、ダイキン工業株式会社製「ポリフロンＰＴＦＥ」、三井・ケマーズフロロプロダクツ社製「テフロン（登録商標）ＰＴＦＥ」等を挙げることができる。
テトラフルオロエチレンとヘキサフルオロプロピレンとの共重合体としては、例えば、ダイキン工業株式会社製「ネオフロンＦＥＰ」、または三井・ケマーズフロロプロダクツ社製「テフロン（登録商標）ＦＥＰ」等を挙げることができる。
テトラフルオロエチレンとパーフルオロアルコキシエチレンとの共重合体としては、例えば、ダイキン工業株式会社製「ネオフロンＰＦＡ」、または三井・ケマーズフロロプロダクツ社製「テフロン（登録商標）ＰＦＡ」等を挙げることができる。
これらの中でも、離型性に優れる点から、ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）、ＦＥＰ（テトラフルオロエチレンとヘキサフルオロプロピレンとの共重合体）およびＰＦＡ（テトラフルオロエチレンとパーフルオロアルコキシエチレンとの共重合体）からなる群から選択される一種または二種以上のフッ素系樹脂がより好ましい。
ポリテトラフルオロエチレンとしては、例えば、ダイキン工業株式会社製「ポリフロンＰＴＦＥ」、三井・ケマーズフロロプロダクツ社製「テフロン（登録商標）ＰＴＦＥ」等を挙げることができる。
テトラフルオロエチレンとヘキサフルオロプロピレンとの共重合体としては、例えば、ダイキン工業株式会社製「ネオフロンＦＥＰ」、または三井・ケマーズフロロプロダクツ社製「テフロン（登録商標）ＦＥＰ」等を挙げることができる。
テトラフルオロエチレンとパーフルオロアルコキシエチレンとの共重合体としては、例えば、ダイキン工業株式会社製「ネオフロンＰＦＡ」、または三井・ケマーズフロロプロダクツ社製「テフロン（登録商標）ＰＦＡ」等を挙げることができる。
本実施形態に係るフッ素系樹脂は、耐熱性樹脂層（Ａ）およびプライマー層（Ｐ）等の離型層（Ｂ）と接する、離型フィルムを構成する層と２００℃未満の温度にて結合可能な反応基を有することが好ましい。離型層（Ｂ）と接する層と２００℃未満の温度にて結合可能な反応基としては、例えば、水酸基、カルボキシル基、アミノ基、ビニル基、スチリル基、（メタ）アクリル基、エポキシ基、メルカプト基、アルコキシシリル基、イソシアネート基等が挙げられる。中でもアルコキシシリル基が、離型フィルム表面のフッ素系樹脂の濃度を高めることができるため好ましい。
アルコキシシリル基としては、例えば、メトキシシリル基、エトキシシリル基、イソプロポキシシリル基等が挙げられる。反応性の観点から、メトキシシリル基、エトキシシリル基が好ましい。
アルコキシシリル基としては、例えば、メトキシシリル基、エトキシシリル基、イソプロポキシシリル基等が挙げられる。反応性の観点から、メトキシシリル基、エトキシシリル基が好ましい。
また、離型層（Ｂ）は、導電性材料を含んでもよい。これにより、電子部品同士を加熱圧着により接合する工程における離型フィルム５０への静電気の発生を抑制でき、電子部品の接合をより安定して行うことができる。導電性材料としては特に限定されないが、例えば、カーボン粒子等が挙げられる。
また、離型層（Ｂ）は、離型層（Ｂ）の厚みを薄くすることが可能な点から、フッ素系コーティング層であることが好ましい。フッ素系コーティング層であると、離型層（Ｂ）の厚みを薄くすることができるため、電子部品同士を加熱圧着する際の離型層（Ｂ）の軟化をより一層抑制でき、その結果、溶融した接着剤の一部と、離型層（Ｂ）の一部とが相溶してしまうことをより一層抑制することができる。これにより、電子部品同士を加熱圧着する際の接着剤の付着をより一層抑制することが可能となる。
フッ素系コーティング層は、例えば、フッ素系樹脂を含むフッ素系コーティング剤を耐熱性樹脂層（Ａ）に塗工して乾燥することにより形成することができる。また、フッ素系コーティング剤はフッ素系樹脂のラテックスであってもよいし、フッ素系樹脂の溶液であってもよい。
フッ素系コーティング層は、例えば、フッ素系樹脂を含むフッ素系コーティング剤を耐熱性樹脂層（Ａ）に塗工して乾燥することにより形成することができる。また、フッ素系コーティング剤はフッ素系樹脂のラテックスであってもよいし、フッ素系樹脂の溶液であってもよい。
離型層（Ｂ）の厚みは５μｍ以下であるが、電子部品同士を高温で加熱圧着する際において電子部品への熱伝導性をより一層向上させる観点や，接着剤の付着をより一層抑制する観点から、好ましくは４μｍ以下、より好ましくは３μｍ以下である。離型層（Ｂ）の厚みの下限は特に限定されないが、例えば、０．０１μｍ以上である。
離型層（Ｂ）は単層であっても、二種以上の層であってもよい。
また、離型層（Ｂ）は、他の層との接着性を改良するために、表面処理を行ってもよい。具体的には、コロナ処理、プラズマ処理、アンダーコート処理、プライマーコート処理等を行ってもよい。
また、離型層（Ｂ）は、他の層との接着性を改良するために、表面処理を行ってもよい。具体的には、コロナ処理、プラズマ処理、アンダーコート処理、プライマーコート処理等を行ってもよい。
＜プライマー層（Ｐ）＞
本実施形態に係る離型フィルム５０は、離型層（Ｂ）の塗布性および離型性を向上させる観点から、離型層（Ｂ）の下層すなわち離型層（Ｂ）と耐熱性樹脂層（Ａ）の間にプライマー層（Ｐ）を有してもよい。プライマー層（Ｐ）はシロキサン結合（－Ｓｉ－Ｏ－）やシロキサン結合を有するシラン系化合物の前駆体、またはシラノール基を有していることが好ましい。
シロキサン結合やシラノール基を有するプライマー層は、例えば、ペルヒドロポリシラザン（ＰＨＰＳ）を、大気中または、水蒸気雰囲気下で加熱して得られるシリカ膜や、アルコキシシランのゾルゲル反応により得られるシリカ膜等が挙げられる。
本実施形態に係る離型フィルム５０は、離型層（Ｂ）の塗布性および離型性を向上させる観点から、離型層（Ｂ）の下層すなわち離型層（Ｂ）と耐熱性樹脂層（Ａ）の間にプライマー層（Ｐ）を有してもよい。プライマー層（Ｐ）はシロキサン結合（－Ｓｉ－Ｏ－）やシロキサン結合を有するシラン系化合物の前駆体、またはシラノール基を有していることが好ましい。
シロキサン結合やシラノール基を有するプライマー層は、例えば、ペルヒドロポリシラザン（ＰＨＰＳ）を、大気中または、水蒸気雰囲気下で加熱して得られるシリカ膜や、アルコキシシランのゾルゲル反応により得られるシリカ膜等が挙げられる。
プライマー層（Ｐ）の厚さは、例えば０．００１μｍ以上１μｍ以下である。
＜その他の層＞
本実施形態に係る離型フィルム５０は、本実施形態の効果を損なわない範囲で、耐熱性樹脂層（Ａ）と離型層（Ｂ）との間に、例えば接着層や凹凸吸収層、衝撃吸収層等をさらに有してもよい。
本実施形態に係る離型フィルム５０は、本実施形態の効果を損なわない範囲で、耐熱性樹脂層（Ａ）と離型層（Ｂ）との間に、例えば接着層や凹凸吸収層、衝撃吸収層等をさらに有してもよい。
２．離型フィルム５０の製造方法
本実施形態に係る離型フィルム５０の製造方法は特に限定されず、一般的に公知の積層フィルムの製造方法を採用することができる。例えば、本実施形態に係る離型フィルム５０は、共押出成形法、ラミネート法、押出コーティング法、塗布法等の公知の製造方法を１種単独であるいは２種以上を組み合わせて用いることによって作製することができる。耐熱性樹脂層（Ａ）および離型層（Ｂ）の種類によって、公知の積層フィルムの製造方法から適切な製造方法を選択することができる。
さらに、本実施形態に係る離型フィルム５０は、例えば耐熱性樹脂層（Ａ）上にプライマー層（Ｐ）を形成後、離型層（Ｂ）をコーティングすることにより得ることもできる。プライマー層（Ｐ）および離型層（Ｂ）の形成法は特に限定されないが、各層を形成する化合物溶液を塗布乾燥する方法が挙げられる。
本実施形態に係る離型フィルム５０の製造方法は特に限定されず、一般的に公知の積層フィルムの製造方法を採用することができる。例えば、本実施形態に係る離型フィルム５０は、共押出成形法、ラミネート法、押出コーティング法、塗布法等の公知の製造方法を１種単独であるいは２種以上を組み合わせて用いることによって作製することができる。耐熱性樹脂層（Ａ）および離型層（Ｂ）の種類によって、公知の積層フィルムの製造方法から適切な製造方法を選択することができる。
さらに、本実施形態に係る離型フィルム５０は、例えば耐熱性樹脂層（Ａ）上にプライマー層（Ｐ）を形成後、離型層（Ｂ）をコーティングすることにより得ることもできる。プライマー層（Ｐ）および離型層（Ｂ）の形成法は特に限定されないが、各層を形成する化合物溶液を塗布乾燥する方法が挙げられる。
３．電子装置の製造方法
本実施形態に係る離型フィルム５０は、電子部品の加熱圧着による接合に用いられる。より具体的には、本実施形態に係る離型フィルム５０は、第１電子部品と第２電子部品とが熱硬化型接着剤を介して接合された電子装置を製造するために好適に用いることができる。
本実施形態に係る離型フィルム５０を用いた電子装置の製造方法は、例えば、熱硬化型接着剤を介して第１電子部品上に配置された第２電子部品と、加熱ヘッドとの間に、離型フィルム５０を離型層（Ｂ）側が第２電子部品に向くように配置した状態で、加熱ヘッドにより第２電子部品を第１電子部品に向けて押圧することにより、第１電子部品および第２電子部品を加熱圧着により電気的に接続する工程を含む。
熱硬化型接着剤としては、例えば、公知の異方性導電接着フィルムや非導電性接着フィルム等のフィルム状接着剤を用いることができる。また、公知の異方性導電接着剤ペーストや非導電性接着剤ペーストを用いてもよい。これらの中でも、電子部品の接続は金属接続が好適に選択されることから、非導電性接着フィルムが好ましい。非導電性接着フィルムとしては、例えば、公知の非導電性接着フィルムを用いることができる。
本実施形態に係る離型フィルム５０は、電子部品の加熱圧着による接合に用いられる。より具体的には、本実施形態に係る離型フィルム５０は、第１電子部品と第２電子部品とが熱硬化型接着剤を介して接合された電子装置を製造するために好適に用いることができる。
本実施形態に係る離型フィルム５０を用いた電子装置の製造方法は、例えば、熱硬化型接着剤を介して第１電子部品上に配置された第２電子部品と、加熱ヘッドとの間に、離型フィルム５０を離型層（Ｂ）側が第２電子部品に向くように配置した状態で、加熱ヘッドにより第２電子部品を第１電子部品に向けて押圧することにより、第１電子部品および第２電子部品を加熱圧着により電気的に接続する工程を含む。
熱硬化型接着剤としては、例えば、公知の異方性導電接着フィルムや非導電性接着フィルム等のフィルム状接着剤を用いることができる。また、公知の異方性導電接着剤ペーストや非導電性接着剤ペーストを用いてもよい。これらの中でも、電子部品の接続は金属接続が好適に選択されることから、非導電性接着フィルムが好ましい。非導電性接着フィルムとしては、例えば、公知の非導電性接着フィルムを用いることができる。
また、本実施形態に係る離型フィルム５０を、３以上の電子部品を一括接合する工程で使用する離型フィルムとして用いる場合の電子装置の製造方法としては、以下の方法が挙げられる。
３以上の電子部品が熱硬化型接着剤を介して接合された電子装置を製造するための製造方法は、熱硬化型接着剤を介して、３以上の電子部品が積層された積層体を準備する準備工程と、上記積層体と、加熱ヘッドとの間に、本実施形態に係る離型フィルム５０を離型層（Ｂ）側が積層体に向くように配置した状態で、加熱ヘッドにより積層体を押圧することにより、隣接する電子部品同士を加熱圧着により電気的に接続する一括接合工程と、を含む。
ここで、準備工程では、プレボンディングにより、電子部品同士を仮接着してもよい。この場合、加熱ヘッドの加熱温度は、例えば、３３０℃未満であり、加熱ヘッドにより積層体を押圧する時間は、例えば、１秒以下である。
また、一括接合工程では、３以上の電子部品を一括で十分に接合させるために、一括接合工程における加熱ヘッドの加熱温度は、例えば３００℃以上であり、３３０℃以上であることが好ましい。また、一括接合工程における加熱ヘッドにより積層体を押圧する時間は、例えば、５秒以上、好ましくは８秒以上である。
３以上の電子部品が熱硬化型接着剤を介して接合された電子装置を製造するための製造方法は、熱硬化型接着剤を介して、３以上の電子部品が積層された積層体を準備する準備工程と、上記積層体と、加熱ヘッドとの間に、本実施形態に係る離型フィルム５０を離型層（Ｂ）側が積層体に向くように配置した状態で、加熱ヘッドにより積層体を押圧することにより、隣接する電子部品同士を加熱圧着により電気的に接続する一括接合工程と、を含む。
ここで、準備工程では、プレボンディングにより、電子部品同士を仮接着してもよい。この場合、加熱ヘッドの加熱温度は、例えば、３３０℃未満であり、加熱ヘッドにより積層体を押圧する時間は、例えば、１秒以下である。
また、一括接合工程では、３以上の電子部品を一括で十分に接合させるために、一括接合工程における加熱ヘッドの加熱温度は、例えば３００℃以上であり、３３０℃以上であることが好ましい。また、一括接合工程における加熱ヘッドにより積層体を押圧する時間は、例えば、５秒以上、好ましくは８秒以上である。
電子部品（第１電子部品および第２電子部品）としては特に限定されないが、例えば、ＩＣ、ＬＳＩ、ディスクリート、発光ダイオード、受光素子等の半導体チップや半導体パネル、半導体パッケージ、インターポーザー；金属基板やガラス基板等の各種基板類（基板上に電極が設けられていてもよい）；プリント回路基板、ＴＣＰ（Tape Carrier Package）、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）等の各種回路類（ＴＣＰやＦＰＣ上にＩＣ等が設けられていてもよい）；ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）層等の透明導電層；等を挙げることができる。
以上、本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
以下、実施例により本発明を具体的に説明するが本発明はこれに限定されるものではない。
＜材料＞
離型フィルムの作製に用いた材料の詳細は以下の通りである。
離型フィルムの作製に用いた材料の詳細は以下の通りである。
（耐熱性樹脂層（Ａ））
Ａ１：ポリイミド製フィルム（東レ・デュポン株式会社製、製品名：カプトン５０Ｈ、厚み：１２．５μｍ、３３０℃における貯蔵弾性率Ｅ’： １．８×１０９Ｐａ）
Ａ２：ポリイミド製フィルム（東レ・デュポン株式会社製、製品名：カプトン１００Ｈ、厚み：２５μｍ、３３０℃における貯蔵弾性率Ｅ’： １．７×１０９Ｐａ）
Ａ３：ポリイミド製フィルム（東レ・デュポン株式会社製、製品名：カプトン８０ＥＮ、製品名：厚み：２０μｍ、３３０℃における貯蔵弾性率Ｅ’： ６．１×１０８Ｐａ）
耐熱性樹脂層（Ａ）の３３０℃における貯蔵弾性率Ｅ’は以下の方法で測定した。
固体粘弾性測定装置（ＲＳＡ－３、ＴＡインスツルメント社製）を用いて、周波数１Ｈｚ、昇温速度３℃／ｍｉｎ、ひずみ０．０５％、チャック間距離２０ｍｍ、サンプル幅１０ｍｍの条件で耐熱性樹脂層（Ａ）の固体粘弾性をそれぞれ測定し、耐熱性樹脂層（Ａ）の３３０℃における貯蔵弾性率Ｅ’をそれぞれ算出した。
Ａ１：ポリイミド製フィルム（東レ・デュポン株式会社製、製品名：カプトン５０Ｈ、厚み：１２．５μｍ、３３０℃における貯蔵弾性率Ｅ’： １．８×１０９Ｐａ）
Ａ２：ポリイミド製フィルム（東レ・デュポン株式会社製、製品名：カプトン１００Ｈ、厚み：２５μｍ、３３０℃における貯蔵弾性率Ｅ’： １．７×１０９Ｐａ）
Ａ３：ポリイミド製フィルム（東レ・デュポン株式会社製、製品名：カプトン８０ＥＮ、製品名：厚み：２０μｍ、３３０℃における貯蔵弾性率Ｅ’： ６．１×１０８Ｐａ）
耐熱性樹脂層（Ａ）の３３０℃における貯蔵弾性率Ｅ’は以下の方法で測定した。
固体粘弾性測定装置（ＲＳＡ－３、ＴＡインスツルメント社製）を用いて、周波数１Ｈｚ、昇温速度３℃／ｍｉｎ、ひずみ０．０５％、チャック間距離２０ｍｍ、サンプル幅１０ｍｍの条件で耐熱性樹脂層（Ａ）の固体粘弾性をそれぞれ測定し、耐熱性樹脂層（Ａ）の３３０℃における貯蔵弾性率Ｅ’をそれぞれ算出した。
（離型層（Ｂ））
Ｂ１：ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）分散液１（ダイキン社製、製品名：Ｐｏｌｙｆｌｕｏｎ－Ｄ、ＰＴＦＥの数平均分子量：３４０万）
Ｂ２：ポリテトラフルオロエチレンフィルム（日東電工社製、製品名：ニトフロンＮｏ．９００ＵＬ、ＰＴＦＥの数平均分子量：７５０万）
Ｂ１およびＢ２におけるＰＴＦＥの数平均分子量は、Suwa et al., Journal of Applied Polymer Science, vol. 17, pp. 3253-3257 (1973) に記載の手法に基づいて、示差走査熱量分析（ＤＳＣ）により測定した。
また、離型層（Ｂ）の厚みはダイヤルゲージを用いて測定し、フィルムの幅方向で両端部および中央部３点の平均値を採用した。
Ｂ１：ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）分散液１（ダイキン社製、製品名：Ｐｏｌｙｆｌｕｏｎ－Ｄ、ＰＴＦＥの数平均分子量：３４０万）
Ｂ２：ポリテトラフルオロエチレンフィルム（日東電工社製、製品名：ニトフロンＮｏ．９００ＵＬ、ＰＴＦＥの数平均分子量：７５０万）
Ｂ１およびＢ２におけるＰＴＦＥの数平均分子量は、Suwa et al., Journal of Applied Polymer Science, vol. 17, pp. 3253-3257 (1973) に記載の手法に基づいて、示差走査熱量分析（ＤＳＣ）により測定した。
また、離型層（Ｂ）の厚みはダイヤルゲージを用いて測定し、フィルムの幅方向で両端部および中央部３点の平均値を採用した。
［実施例１］
耐熱性樹脂層（Ａ１）上にポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）分散液１を塗布した。その後、１００℃の温度で５分乾燥させたのち、３５０℃で１０分焼成し、厚み２．５μｍの離型層（Ｂ１）を形成し、離型フィルムを得た。
耐熱性樹脂層（Ａ１）上にポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）分散液１を塗布した。その後、１００℃の温度で５分乾燥させたのち、３５０℃で１０分焼成し、厚み２．５μｍの離型層（Ｂ１）を形成し、離型フィルムを得た。
［実施例２］
離型層（Ｂ１）の厚みを５μｍとした以外は、実施例１と同様の操作で離型フィルムを得た。
離型層（Ｂ１）の厚みを５μｍとした以外は、実施例１と同様の操作で離型フィルムを得た。
［実施例３］
耐熱性樹脂層に（Ａ３）を使用し、離型層（Ｂ１）の厚みを２．５μｍとした以外は、実施例１と同様の操作で離型フィルムを得た。
耐熱性樹脂層に（Ａ３）を使用し、離型層（Ｂ１）の厚みを２．５μｍとした以外は、実施例１と同様の操作で離型フィルムを得た。
［比較例１］
市販のポリテトラフルオロエチレンフィルム（日東電工社製、製品名：ニトフロンＮｏ．９００ＵＬ、ＰＴＦＥの数平均分子量：７５０万、厚み３０μｍ）をそのまま用いた。
市販のポリテトラフルオロエチレンフィルム（日東電工社製、製品名：ニトフロンＮｏ．９００ＵＬ、ＰＴＦＥの数平均分子量：７５０万、厚み３０μｍ）をそのまま用いた。
［比較例２］
耐熱性樹脂層（Ａ２）上にポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）分散液１を塗布した。その後、１００℃の温度で５分乾燥させたのち、３５０℃で１０分焼成し、厚み１０μｍの離型層（Ｂ１）を形成し、離型フィルムを得た。
耐熱性樹脂層（Ａ２）上にポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）分散液１を塗布した。その後、１００℃の温度で５分乾燥させたのち、３５０℃で１０分焼成し、厚み１０μｍの離型層（Ｂ１）を形成し、離型フィルムを得た。
［比較例３］
耐熱性樹脂層（Ａ３）上にポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）分散液１を塗布した。その後、１００℃の温度で５分乾燥させたのち、３５０℃で１０分焼成し、厚み５μｍの離型層（Ｂ１）を形成し、離型フィルムを得た。
耐熱性樹脂層（Ａ３）上にポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）分散液１を塗布した。その後、１００℃の温度で５分乾燥させたのち、３５０℃で１０分焼成し、厚み５μｍの離型層（Ｂ１）を形成し、離型フィルムを得た。
＜評価＞
実施例および比較例で得られた離型フィルムについて以下の評価をおこなった。得られた結果を表１に示す。
実施例および比較例で得られた離型フィルムについて以下の評価をおこなった。得られた結果を表１に示す。
（１）電子部品同士を加熱圧着する際の接着剤の付着評価（離型性評価）
シリコンウェハ―上にＮＣＦ（特開２０１８－２２８１９号公報の実施例１に記載のアンダーフィル絶縁フィルム）を接着した。次いで、ＮＣＦ上に実施例および比較例で得られた離型フィルムを積層し、得られた積層体を３５０℃、圧着圧力０．６ＭＰａの条件で、３０秒間プレスした。次いで、積層体を室温まで冷却してから離型フィルムをＮＣＦから剥離した。次いで、離型フィルムの表面を観察し、ＮＣＦの付着の有無を以下の基準で評価した。なお、離型フィルムおよびＮＣＦのサイズはそれぞれ１ｘ５ｃｍ、１ｘ１ｃｍである。試験後にＮＣＦと接触した１ｘ１ｃｍの部位を観察した。
◎（非常に良い）：離型フィルムの表面にＮＣＦの接触痕がわずかに観察された以外は付着物が全く観察されなかった。
○（良い）：離型フィルムの表面にＮＣＦの接触痕が観察されたが、付着物は無かった。試験後もフィルムの表面は平滑であった。
×（悪い）：離型フィルムの表面に粉状０．５～２ｍｍの付着物が観察された。試験後のフィルムの試験部位に触れると付着物が脱落した。
シリコンウェハ―上にＮＣＦ（特開２０１８－２２８１９号公報の実施例１に記載のアンダーフィル絶縁フィルム）を接着した。次いで、ＮＣＦ上に実施例および比較例で得られた離型フィルムを積層し、得られた積層体を３５０℃、圧着圧力０．６ＭＰａの条件で、３０秒間プレスした。次いで、積層体を室温まで冷却してから離型フィルムをＮＣＦから剥離した。次いで、離型フィルムの表面を観察し、ＮＣＦの付着の有無を以下の基準で評価した。なお、離型フィルムおよびＮＣＦのサイズはそれぞれ１ｘ５ｃｍ、１ｘ１ｃｍである。試験後にＮＣＦと接触した１ｘ１ｃｍの部位を観察した。
◎（非常に良い）：離型フィルムの表面にＮＣＦの接触痕がわずかに観察された以外は付着物が全く観察されなかった。
○（良い）：離型フィルムの表面にＮＣＦの接触痕が観察されたが、付着物は無かった。試験後もフィルムの表面は平滑であった。
×（悪い）：離型フィルムの表面に粉状０．５～２ｍｍの付着物が観察された。試験後のフィルムの試験部位に触れると付着物が脱落した。
（２）実装用ボンダーを用いた熱伝導性試験
１０ｍｍ角のシリコンウェハと、高さ３μｍのバンプを有する１０ｍｍ角のチップ（ウォルツ社製）の間に熱電対を挟んだチップ形状物を、５０℃に熱したステージに置き、その上に離型フィルムを配置した。次に、３１０℃に設定した実装用ボンダーを用いて、荷重１０Ｎで離型フィルムを介してチップ形状物を加圧し、加圧開始から１５秒後のチップ形状物の温度を測定した。
１０ｍｍ角のシリコンウェハと、高さ３μｍのバンプを有する１０ｍｍ角のチップ（ウォルツ社製）の間に熱電対を挟んだチップ形状物を、５０℃に熱したステージに置き、その上に離型フィルムを配置した。次に、３１０℃に設定した実装用ボンダーを用いて、荷重１０Ｎで離型フィルムを介してチップ形状物を加圧し、加圧開始から１５秒後のチップ形状物の温度を測定した。
実装用ボンダーを用いた熱伝導性試験において、実施例のフィルムの方が、比較例の離型フィルムよりも、チップ形状物の温度が大きいためチップ形状物に熱を良好に伝えることができ、熱伝導性に優れることが確認された。
この出願は、２０２０年２月１９日に出願された日本出願特願２０２０－０２６３２９号を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。
Ａ 耐熱性樹脂層
Ｂ 離型層
５０ 離型フィルム
Ｂ 離型層
５０ 離型フィルム
Claims (9)
- 電子部品の加熱圧着による接合に用いられる離型フィルムであって、
耐熱性樹脂層（Ａ）と、
前記耐熱性樹脂層（Ａ）の一面上に配置され、かつ、フッ素系樹脂を含む離型層（Ｂ）と、を備え、
前記耐熱性樹脂層（Ａ）の厚みが２５μｍ未満であり、
前記離型層（Ｂ）の厚みが５μｍ以下であり、
前記離型フィルムの厚みが２５μｍ未満である離型フィルム。 - 請求項１に記載の離型フィルムにおいて、
前記耐熱性樹脂層（Ａ）がポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミドイミド、ポリアミド、液晶ポリマー、ポリエステル、ポリカーボネート、変性ポリフェニレンエーテル、ポリアセタール、ポリアリレート、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルエーテルケトン、塩化ビニリデン樹脂、ポリベンゾイミダゾール、ポリベンゾオキサゾール、ポリメチルペンテン、シリコーン樹脂およびこれらの架橋物からなる群から選択される一種または二種以上を含む離型フィルム。 - 請求項１または２に記載の離型フィルムにおいて、
前記耐熱性樹脂層（Ａ）の３３０℃における貯蔵弾性率Ｅ’が１．０×１０８Ｐａ以上である離型フィルム。 - 請求項１乃至３のいずれか一項に記載の離型フィルムにおいて、
前記フッ素系樹脂がパーフルオロアルキル基およびパーフルオロポリエーテル骨格からなる群から選択される一種または二種以上の構造を含む離型フィルム。 - 請求項１乃至４のいずれか一項に記載の離型フィルムにおいて、
前記フッ素系樹脂がポリテトラフルオロエチレン、テトラフルオロエチレンとヘキサフルオロプロピレンとの共重合体、およびテトラフルオロエチレンとパーフルオロアルコキシエチレンとの共重合体からなる群から選択される一種または二種以上を含む離型フィルム。 - 請求項１乃至５のいずれか一項に記載の離型フィルムにおいて、
３以上の電子部品を一括接合するために用いられる離型フィルム。 - ３以上の電子部品が熱硬化型接着剤を介して接合された電子装置を製造するための製造方法であって、
前記熱硬化型接着剤を介して、３以上の前記電子部品が積層された積層体を準備する準備工程と、
前記積層体と、加熱ヘッドとの間に、請求項１乃至６のいずれか一項に記載の離型フィルムを前記離型層（Ｂ）側が前記積層体に向くように配置した状態で、前記加熱ヘッドにより前記積層体を押圧することにより、隣接する前記電子部品同士を加熱圧着により電気的に接続する一括接合工程と、
を含む電子装置の製造方法。 - 請求項７に記載の電子装置の製造方法において、
前記熱硬化型接着剤が非導電性フィルムを含む電子装置の製造方法。 - 請求項７または８に記載の電子装置の製造方法において、
前記一括接合工程における前記加熱ヘッドの加熱温度が３００℃以上である電子装置の製造方法。
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