TW201436682A - 印刷電路板之製造方法與印刷電路板 - Google Patents

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Hiroaki Tsuyoshi
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Mitsui Mining & Smelting Co
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Abstract

本案發明之課題係以提供一種:即使在利用有底導通孔層間連接設置在厚度為薄的絕緣層兩面之金屬箔層的情況下,也可以在抑制兩面金屬包護層疊體的彎翹、孔徑或孔形狀的偏差情況下,進行良好的層間連接之印制電路板之製造方法與印刷電路板為課題。為了解決上述課題,本案發明係提供一種印刷電路板之製造方法與印刷電路板,其特徵在於包括:導通孔形成步驟,其為對於在200μm以下的絕緣層兩面分別從該絕緣層側依序包括金屬箔層及厚度15μm以下的載體箔之兩面金屬包護層疊體,在單面側的載體箔表面照射雷射,形成以另一面側的金屬箔層為底部之有底導通孔;及載體箔剝離步驟,其為在有底導通孔形成後,從各金屬箔層的表面剝離各載體箔。

Description

印刷電路板之製造方法與印刷電路板
本案發明係有關一種使用在絕緣層兩面包括金屬箔層之兩面金屬包護層疊體,並利用有底導通孔層間連接兩金屬箔層之印刷電路板之製造方法與該印刷電路板。
習知以來,進行著使用在絕緣層兩面貼合金屬箔之兩面金屬包護層疊板製造印刷電路板。設置在絕緣層兩面之金屬箔中係利用蝕刻加工等形成布線電路。再者,此等兩層係利用有底導通孔或是貫穿孔等層間連接。其中,在利用有底導通孔進行層間連接的情況下,利用雷射加工等形成貫穿單面側的金屬箔層與絕緣層,並以另一面側的金屬箔層為底部之非貫穿孔。此時當在另一面側之金屬箔層也直接照射雷射時,會有在金屬箔層上形成孔的情況。為此,對於成品率佳地形成有底導通孔為困難的。
因此,在記載於專利文獻1(日本特許公開公報:特開2003-8203號公報)的方法中,進行著在另一面側的金屬箔層接合保護金屬板,並在有底導通孔形成後再拆下保護金屬板。根據專利文獻1,藉由採用該方法,即使將二氧化碳雷射直接照射到另一面側的金屬箔層的情況下,利用保護金屬板可以使熱能擴散。為此,即使在使用將厚度3μm~5μm之薄金屬 箔貼合在絕緣層兩面之兩面金屬包護層疊板的情況,也不會在另一面側的金屬箔層形成孔,而可以提升成品率。
然而,在製造上述兩面金屬包護層疊體時,其係為在絕緣層兩面層疊金屬箔,並利用熱壓成型使絕緣層熔融硬化。由於絕緣層與金屬材料之熱膨脹係數不同,藉由在該熱壓成型時所施加的熱能及壓力,在絕緣層與金屬箔層之界面會產生應力。其中,在記載於上述專利文獻1的方法中,於製造兩面金屬包護層疊體時,採用在絕緣層兩面貼合分別包括保護金屬板的金屬箔層後,再拆下單面側的保護金屬板之方法。當拆下單面側的保護金屬板時,因為會失去絕緣層的兩面側之應力平衡,在絕緣層厚度為薄的情況(例如200μm以下),會發生所謂彎翹的可能性為高。當在兩面金屬包護層疊體發生彎翹時,在面內形成有複數個有底導通孔的情況,由於在孔徑或孔形狀產生偏差,即使在另一面側設有保護金屬板恐怕反而使成品率降低。
因此,本案發明係以提供一種:即使在利用有底導通孔層間連接設置在厚度為薄的絕緣層兩面之金屬箔層的情況下,也可以在抑制兩面金屬包護層疊體的彎翹、孔徑或孔形狀的偏差情況下,進行良好的層間連接之印刷電路板之製造方法與印刷電路板為課題。
本案發明者等係在進行深入研究的結果,藉由採 用以下的印刷電路板之製造方法與利用該製造方法所得到之印刷電路板,可以達成上述課題。
關於本案發明之印刷電路板之製造方法,其特徵在於包括:導通孔形成步驟,其為對於在厚度200μm以下的絕緣層兩面分別從該絕緣層側依序包括金屬箔層及厚度15μm以下的載體箔之兩面金屬包護層疊體,在單面側的載體箔表面照射雷射,形成以另一面側的金屬箔層為底部之有底導通孔;及載體箔剝離步驟,其為在有底導通孔形成後,從各金屬箔層的表面剝離各載體箔。
在關於本案發明之印刷電路板之製造方法,其中,在前述導通孔形成步驟之前,包括:至少在前述單面側的載體箔表面施予黑色氧化處理之黑色氧化處理步驟為佳。
在關於本案發明之印刷電路板之製造方法,其中,前述金屬箔層的厚度為7μm以下為佳。
在關於本案發明之印刷電路板之製造方法,其中,前述兩面金屬包護層疊體係在前述載體箔與前述金屬箔層之間包括接合界面層為佳。
在關於本案發明之印刷電路板之製造方法,其中,前述接合界面層為利用有機劑所形成之有機接合界面層為佳。
在關於本案發明之印刷電路板之製造方法,其中,在前述導通孔形成步驟及前述載體箔剝離步驟之間,包括:電鍍步驟為佳,其為在有底導通孔內施予用以圖謀單面的金屬箔層與另一面金屬箔層的導通之層間連接用的電鍍處理。
關於本案發明之印刷電路板,其特徵在於:利用上述記載之印刷電路板之製造方法所得到。
根據本案發明,採用:在導通孔形成步驟中,對於在絕緣層兩面分別從該絕緣層側依序包括金屬箔層及厚度15μm以下的載體箔之兩面金屬包護層疊體,在單面側的載體箔表面照射雷射,形成以另一面側的金屬箔層為底部之有底導通孔,之後,在載體箔剝離步驟中剝離載體箔之方法。如此一來,在本案發明中,在透過金屬箔層將載體箔設置在絕緣層兩面的狀態下,藉由進行導通孔形成步驟,與在剝離單面側的載體箔後形成導通孔的情況不同,可以防止發生在絕緣層兩面側之應力的不均勻。為此,即使在絕緣層厚度為薄的情況下,也可以防止在該兩面金屬包護層疊體發生彎翹。又,利用設置在兩面之載體箔增加其厚度,也可以提升兩面金屬包護層疊體的剛性。藉由此等,由於可以對於平坦沒有彎翹的兩面金屬包護層疊體形成有底導通孔,因此即使在兩面金屬包護層疊體的面內形成複數個有底導通孔的情況下,也可以防止在孔徑或孔形狀產生偏差。再者,由於可以將根據雷射照射而堆積在孔周圍之濺片在載體箔剝離步驟中與載體箔一起剝離,可以使孔周圍變平坦。
10‧‧‧(附兩面載體箔之)兩面覆銅層疊體
11‧‧‧絕緣層
12‧‧‧金屬箔層
12a‧‧‧單面側的金屬箔層
12b‧‧‧另一面側的金屬箔層
13‧‧‧載體箔
13a‧‧‧單面側的載體箔
13b‧‧‧另一面側的載體箔
20‧‧‧有底導通孔
21‧‧‧底部
22‧‧‧電鍍皮膜
圖1為用以說明有關本案發明之印刷電路板之製造方法的步驟例之模式圖。
圖2為用以說明有關本案發明之印刷電路板之製造方法的其他步驟例之模式圖。
圖3為形成在比較例1的兩面覆銅層疊體之各有底導通孔的表面觀察照片。
圖4為在形成有底導通孔後,將載體箔撕下後之實施例的兩面覆銅層疊體的表面觀察照片。
圖5為在形成有底導通孔後之比較例1的兩面覆銅層疊體的表面觀察照片。
以下,說明關於本案發明之印刷電路板之製造方法與印刷電路板的實施形態。
1.印刷電路板之製造方法
首先,一邊參照圖1一邊說明關於本案發明之印刷電路板之製造方法的實施形態。關於本案發明之印刷電路板之製造方法,其特徵在於包括:導通孔形成步驟,其為對於在絕緣層11兩面分別從該絕緣層11側依序包括金屬箔層12及厚度15μm以下的載體箔13之兩面金屬包護層疊體10(參照圖1(a)),在單面側的載體箔13(13a)表面照射雷射,形成以另一面側的金屬箔層12(12b)為底部21之有底導通孔20(參照圖1(b));及載體箔剝離步驟,其為在有底導通孔20形成後,從各金屬箔層12的表面剝離各載體箔13。在本實施形態中,除了此等步驟之外,也針對在導通孔形成步驟前進行之兩面金屬包護層疊體10之製造步驟與黑色氧化處理步驟、及在導通孔形成步驟後進行之電鍍步驟等一併說明。以下,依照處理順序進行說明。又, 圖1為用以說明各步驟之模式圖,各層的厚度係與實際層厚的比例有所不同。又,在圖1中,針對施加於各層之表面處理層(粗化處理層、黑色氧化處理層等)則省略顯示(對於圖2亦同)。
1-1.兩面金屬包護層疊體10之製造步驟
針對兩面金屬包護層疊體10之製造步驟進行說明。在該製造步驟中,製造提供給導通孔形成步驟用之兩面金屬包護層疊體10。其中,兩面金屬包護層疊體10係意指在絕緣層11兩面層疊金屬箔層12之層疊體,尤其是在導通孔形成步驟所用之兩面金屬包護層疊體10係意指在金屬箔層12表面分別層疊厚度15μm以下的載體箔13之附載體箔之兩面金屬包護層疊體10。首先,針對在該製造步驟中所製造的兩面金屬包護層疊體10之層構成進行說明。
(1)絕緣層11
在本實施形態中,絕緣層11只要是由滿足印刷電路板所要求的絕緣特性之絕緣性材料構成之層,沒有特定的限定。具體而言,該絕緣層11為將紙、或、玻璃布等使其浸漬有絕緣性樹脂(環氧樹脂、氰酸酯樹脂、雙馬來醯亞胺-三嗪樹脂(BT樹脂)、聚苯醚樹脂、酚樹脂)的片材重疊必要張數之預浸體等絕緣樹脂基材亦可,由環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂或聚酯樹脂等絕緣樹脂構成之絕緣樹脂層亦可,沒有特定的限定。又,從提升絕緣性的觀點看來在絕緣樹脂層中含有由二氧化矽、氧化鋁等各種無機粒子構成之填料粒子等亦可。
又,在本案發明中,其特徵在於:絕緣層11的厚度為200μm以下。即使在絕緣層11的厚度為超過200μm的情 況也可以適用關於本案發明之方法。然而,在該情況,由於兩面金屬包護層疊體10的厚度為厚,而難以發生該兩面金屬包護層疊體10的彎翹等,因此適用關於本案發明之方法的必要性為低。換言之,關於本案發明之方法係可以適用於製造絕緣層11的厚度為200μm以下之薄印刷電路板時。又,從印刷電路板之薄型化的要求看來,該絕緣層11的厚度以100μm以下為佳,60μm以下為更佳。若是採用關於本案發明的方法。即使在製造包括60μm以下的絕緣層11之兩面印刷電路板時,在其製造過程中也可以防止發生兩面金屬包護層疊體10的彎翹。
(2)金屬箔層12
金屬箔層12只要是由具有導電性之金屬箔構成之層,沒有特別的限定,可以是由銅箔、鋁箔、鎳箔、鈷箔、金箔、白金箔等各種金屬箔或是此等的合金箔等構成之層。此等各種金屬箔之任一個雖然是都適用,但是從易於取得、而且價格低廉的觀點看來,使用銅箔、鋁箔、鎳箔或此等之合金箔等為佳。再者,從電阻率為低、根據蝕刻等之電路形成時的加工性為優的觀點看來,可以適用銅箔或銅合金箔。
又,構成金屬箔層12之此等金屬箔為軋延箔、電解箔之任一個皆可,但是以電解箔為更佳。若是電解箔的,可以藉由在載體箔13的表面以達到特定厚度的方式析出金屬而得到。為此,其係因為藉由在絕緣層11貼合從載體箔13表面析出的金屬箔,而易於製造在兩面包括載體箔13之兩面金屬包護層疊體10。
金屬箔層12的厚度係以7μm以下為佳。當金屬箔 層12的厚度為7μm以下時,可以利用更佳的蝕刻因子形成電路間距為窄之高精密的電路。又,在構成厚度為如此薄的金屬箔層12方面,由於大多是使用包括對於金屬箔設成可自由剝離的載體箔13之附載體箔金屬箔的情況,在適用後述的方法時,除了載體箔13不必另外準備保護金屬板,從資源保護的觀點看來為佳。
在金屬箔層12與絕緣層11之界面中,在金屬箔層12的表面施予粗化處理亦可。藉由對於已施加粗化處理之金屬箔層12貼合構成絕緣層11之絕緣樹脂基材等,可以使金屬箔層12與絕緣層11達到良好的密接。為了利用更良好的蝕刻因子形成更高精密的電路,在金屬箔層12的表面沒有施加粗化處理為佳。在該情況,為了提升未施加粗化處理之金屬箔層12與絕緣層11之密接性,而在該金屬箔層12的表面設置底劑樹脂層,透過該底劑樹脂層將該金屬箔層12貼合在絕緣層11為更佳。
(3)載體箔13
載體箔13是為了提升厚度為薄之金屬箔層的處理性,而用來作為支撐金屬箔的支撐體之箔。在製造兩面金屬包護層疊體10時,如上述所示,從易製造的觀點看來雖然是使用附載體箔金屬箔,但是在本案發明中,尤其是可以使用:對於金屬箔使載體箔13設置為能夠利用手作業可自由剝離之所謂可剝離型之附載體箔金屬箔。
雖然對於構成載體箔13的材料沒有特定限定,但是可以使用例如銅箔、銅合金箔、鋁箔、在鋁箔表面設有銅或 鋅等金屬電鍍層之複合金屬箔、不鏽鋼箔等。在此等箔之中,尤其是可以使用銅箔來作為載體箔13。若是由銅箔構成的載體箔13,在從該金屬箔層12將該載體箔13剝離後,因為易於以此為銅原料再利用,因此從資源保護的觀點看來為佳。
在本案發明中,其特徵在於:載體箔13的厚度為15μm以下。尤其是,當在雷射照射側(單面側)之載體箔13的厚度太厚時,必須增加形成導通孔時之雷射的輸出、或是射擊數,因為對於形成導通孔為困難而不適合。又,從資源保護的觀點亦同,載體箔13的厚度為薄者為佳。從該觀點看來,載體箔13的厚度以13μm以下為更佳。
然而,當載體箔13的厚度太薄時,在雷射照射時無法充分擴散熱能,而在另一面側的金屬箔層12(12b)也形成貫通孔的可能性為高。因此,從該觀點看來,至少設置在另一面側的金屬箔層12(12b)之載體箔13的厚度以5μm以上為佳,7μm以上為更佳。又,當載體箔13的厚度未滿5μm時,難以達成所謂支撐極薄的金屬箔,提升該金屬箔的處理性之載體箔13本來的機能,而不適合。
本來,設置在雷射照射側之載體箔13的厚度為薄者為佳,設置在另一面側之載體箔13的厚度為厚者為佳。然而,在防止該兩面金屬包護層疊體10的彎翹之觀點中,將設置在單面側之載體箔13厚度與設置在另一面側之載體箔13厚度之差為2μm以下為佳,以1μm以下為更佳,兩者厚度相等為最佳。在該電兩金屬包護層疊體10中,藉由使兩載體箔13的厚度之差為小、或是使兩載體箔13的厚度相等,可以防止 該兩面金屬包護層疊體10本身的彎翹。
但是,在導通孔形成步驟中照射雷射時各載體箔13的厚度為15μm以下即可,在兩面金屬包護層疊體10之製造步驟中,將超過15μm的載體箔13暫時性設置在金屬箔層12亦可。即,在用於製造兩面金屬包護層疊體10時之附載體箔金屬箔本身,使載體箔13的厚度超過15μm亦可。在將包括厚度超過15μm的載體箔之附載體箔金屬箔與絕緣層11貼合之情況下,之後在導通孔形成步驟前(在進行黑色氧化處理的情況下為黑色氧化處理前),使其厚度成為15μm以下的方式,利用半蝕刻等將載體箔13的厚度變薄即可。
(4)接合界面層
在本案發明中,於該兩面金屬包護層疊體10中,於上述載體箔13與上述金屬箔層12之間,包括:可從前述金屬箔層12自由剝離地接合前述載體箔13之接合界面層為佳。但是,在圖1中省略接合界面層的顯示。
接合界面層係可以使載體箔13利用手作業就容易從金屬箔層12撕下,同時在直至剝離之間具有適當的密接強度。作為接合界面層而言,只要是可以將載體箔13與金屬箔層12以上述之適當的密接強度進行密接之層,沒有特別的限定,但是利用例如含氮化合物、含硫化合物、羧酸類等有機劑所形成之有機接合界面層為佳。
作為這樣的含氮化合物,可以舉例如鄰-三唑類、胺基三唑類、咪唑類、此等鹽、或誘導體等。尤其是可以舉例鄰-三唑類之羧基苯并三唑、胺基三唑類之3-胺基-1H-1,2,4- 三唑、三唑誘導體之N’-N’-雙(苯并三唑甲基)尿素。可以使用此等的任一種以上而形成由含氮化合物構成之有機接合界面層。
作為形成有機接合界面層之含硫化合物,可以舉例如噻唑、巰基苯并噻唑、二苯并烯丙基二硫化物、巰基苯并噻唑之環己胺鹽、巰基苯并噻唑之二環己胺鹽、硫氰酸及2-苯并咪唑硫醇等。在使用含硫化合物形成有機接合界面層的情況下,此等之中尤其是使用巰基苯并噻唑及硫氰酸為佳。
作為形成有機接合界面層之羧酸類,可以舉例如高分子量羧酸。尤其是可以舉例一元羧酸。尤其是在使用羧酸類的情況下,使用長鏈烴之一元羧酸之脂肪酸為佳。脂肪酸雖然是飽和脂肪酸,但尤其是使用油酸、亞油酸等不飽和脂肪酸為佳。
接合界面層係不限於使用上述有機劑所形成之有機接合界面層,使用金屬或金屬氧化物等無機材料所形成的無機接合界面層亦可。作為金屬或金屬氧化物等,具體而言可以舉例鉻、鎳、鉬、鉭、釩、鎢、鈷、或此等氧化物等。然而,當與此等之無機接合界面層比較時,由於在採用有機接合界面層者可以使載體箔13的物理性撕下特性穩定,因此採用有機接合界面層為佳。
接合界面層的厚度係以100nm以下為佳,50nm以下為更佳。所謂可剝離型之附載體箔金屬箔一般都是在載體箔13的表面設置接合界面層,並利用電解等手法在接合界面層上析出金屬而形成金屬箔。此時,當接合界面層的厚度超過 100nm時,尤其是有機系的接合界面層的情況,難以在接合界面層上形成金屬箔,同時也會使載體箔13與金屬箔的密接強度降低。因此,接合界面層的厚度係以100nm以下為佳。只要是可以形成厚度均勻的接合界面層,可以不限定接合界面層厚度的下限值。然而,當未滿1nm時,要以均勻的厚度形成接合界面層為困難的,在厚度方面會造成偏差。為此,接合界面層的厚度以1nm以上為佳,2nm以上為更佳。
又,在該兩面金屬包護層疊體10中,在載體箔13與接合界面層之間、或是接合界面層與金屬箔層12之間設置耐熱金屬層(未圖示)亦可。接著,將該兩面金屬包護層疊體10形成為在絕緣層11的兩面分別從絕緣層11側依序包括金屬箔層12/接合界面層/耐熱金屬層/載體箔13、或是金屬箔層12/耐熱金屬層/接合界面層/載體箔13之層構成的層疊體為佳。
(5)兩面金屬包護層疊體10之製造方法
在該兩面金屬包護層疊體10之製造步驟中,只要是對於絕緣層11可以得到在金屬箔層12的外側包括載體箔13之上述兩面金屬包護層疊體10,該製造方法沒有特別的限定。例如,可以在所謂B平台之上述絕緣樹脂基材、或是在上述絕緣樹脂層的兩面分別層疊附載體箔金屬箔的金屬箔側,並利用加熱加壓而得到在作為絕緣層11之絕緣樹脂基材或絕緣樹脂層的兩面分別以該順序層疊金屬箔層12、載體箔13之上述兩面金屬包護層疊體10。此時,作為附載體箔金屬箔,使用包括載體箔之附樹脂層金屬箔、或是附接著劑層金屬箔亦可,其具體的層疊步驟係沒有任何限定。
1-2.黑色氧化處理步驟
其次,針對黑色氧化處理步驟進行說明。在本案發明中,在導通孔形成步驟之前,對於上述兩面金屬包護層疊體10的表面,即載體箔13的表面進行施加黑色氧化處理(黑化處理)之黑色氧化處理步驟為佳。載體箔13係如上述所示,其為由金屬箔構成之箔。為此,在將雷射光照射在載體箔13的表面時,雷射光會反射,而使雷射光初期吸收效率差,導通孔的形成速度變慢。因此,在進行導通孔形成步驟之前,對於載體箔13的表面施加黑色氧化處理(黑化處理)為佳。藉由施加該黑色氧化處理,可以使載體箔13的表面粗化,同時黑色化、或褐色化。藉此,可以提升載體箔13表面之雷射光的初期吸收效率,並且在下個步驟也就是導通孔形成步驟中,藉由雷射加工可以有效地形成有底導通孔20。
黑色氧化處理的方法,沒有特別的限定,可以採用:與在多層印刷電路板的層疊步驟等中作為用以提升接著性之前處理等所進行的黑色氧化處理相同的方法。藉由將在兩面包括上述載體箔13之兩面金屬包護層疊體10以一定時間浸漬在黑色氧化處理溶液中,而在載體箔13的表面形成氧化亞銅被膜、氧化銅被膜、或是氧化亞銅與氧化銅的混合被膜。此時,由於在載體箔13的表面形成氧化亞銅微粒或氧化銅微粒,而使載體箔13粗化,與此同時也使載體箔13的表面藉由氧化亞銅或氧化銅而呈黑色或褐色。之後,施予還原處理,施加將氧化銅還原為銅之還原黑色氧化處理亦可。
1-3.導通孔形成步驟
在導通孔形成步驟中,如上述所示,對於在絕緣層11兩面設置具有厚度15μm以下的載體箔13之金屬箔層12的兩面金屬包護層疊體10,在單面側的載體箔13(13a)表面照射雷射,形成以另一面側的金屬箔層12(12b)為底部21之有底導通孔20。
在該步驟中所形成之有底導通孔20的孔徑係以40μm~150μm為佳。在本案發明中,如上述所示,由於是使用厚度為薄的金屬箔層12製造具有微細電路圖案之印刷電路板,因此有底導通孔20的孔徑為小的話可以得到電路密度高的布線電路。
在該步驟所使用的雷射種類係沒有特別的限定,可以使用二氧化碳雷射、氬雷射、準分子雷射、YGA雷射等。又雷射的照射條件可以在考量該兩面金屬包護層疊體10的厚度、絕緣層11等的材質而形成適當、合宜的條件。
在本案發明中,採用:即使在對於雷射所照射之側(單面側)的金屬箔層12也設置載體箔13之後,對於該兩面金屬包護層疊體10在單面側的載體箔13(13a)表面照射雷射,形成以另一面側的金屬箔層12(12b)為底部21之有底導通孔20,之後,在後述的載體箔剝離步驟中將載體箔13剝離之方法。即,不只是在成為底部21之另一面側的金屬箔層12(12b)表面,藉由在雷射所照射的單面側之金屬箔層12(12a)表面也設置載體箔13(13a),即使在該兩面金屬包護層疊體10的厚度(但是排除載體箔13的厚度)為薄的情況,也可以防止在該兩面金屬包護層疊體10發生彎翹情況。又,由於利用設置在兩面 的載體箔13而使其厚度增加,因此也可以提升兩面金屬包護層疊體10的剛性。藉由此等,由於可以對於在平坦沒有彎翹狀態之兩面金屬包護層疊體10形成有底導通孔20,因此即使在兩面金屬包護層疊體10的面內形成複數個有底導通孔20的情況下,也可以防止在該孔徑或孔形狀產生偏差。又,由於可以將根據雷射照射而堆積在孔(20)周圍的濺片在載體箔剝離步驟中與載體箔13一起剝離,因此可以使孔周圍變平坦。
1-4.電鍍步驟
在形成有底導通孔後,為了圖謀單面側的金屬箔層12(12a)與另一面側的金屬箔層12(12b)之導通,而在有底導通孔20內施加層間連接用的電鍍處理,形成電鍍皮膜22為佳。在該電鍍處理時,只要是可以圖謀單面側的金屬箔層12(12a)與另一面側的金屬箔層12(12b)之導通,電鍍析出哪種金屬都可,但是從電氣連接之信賴性的觀點看來,一般都是進行銅電鍍或銅合金電鍍為佳。
在該電鍍步驟中,例如利用除膠渣處理等除去有底導通孔20內的殘留樹脂,並依據常規在進行無電解銅電鍍後,進行電解銅電鍍,而在有底導電孔20內形成必要厚度的電鍍層。此時,進行:配合有底導通孔20的孔壁面23而使電鍍皮膜22形成為有一定厚度之所謂共形電鍍亦可,進行:在有底導通孔20的孔內部填充電鍍析出的金屬之所謂填充電鍍亦可。又,在圖1中,其為例示對於有底導通孔20施予填充電鍍的情況。
又,該電鍍步驟只要是在導通孔形成步驟之後, 如後述所示,在載體箔剝離步驟之後進行亦可。又,在本案發明中該電鍍步驟為任意的步驟,只要是可以圖謀單面側的金屬箔層12(12a)與另一面側的金屬箔層12(12b)之導通,不一定要設置電鍍步驟。例如藉由在有底導通孔20內填充導電糊料,圖謀單面側的金屬箔層12(12a)與另一面側的金屬箔層12(12b)之導通亦可。
1-5.載體箔剝離步驟
在該載體箔剝離步驟中,從各金屬箔層12的表面剝離設置在上述兩面金屬包護層疊體10的兩面之各載體箔13。藉此,由於可以將根據雷射照射而堆積在有底導通孔20的孔周圍之濺片與載體箔13一起剝離,因此可以使孔周圍變平坦。又,如本實施形態所示,若是在上述電鍍步驟後再進行該載體箔剝離步驟的話,可以與載體箔13一起將形成在載體箔13上之電鍍皮膜22一起剝離。即使在電鍍步驟之後剝離載體箔13,有底導通孔20內的電鍍皮膜22係被留下而可以圖謀單面側的金屬箔層12(12a)與另一面側的金屬箔層12(12b)之導通。
其中,在通常的手法中,其係為在剝離載體箔13後,進行用以圖謀層間連接之電鍍步驟。在該情況,由於在金屬箔層12的表面也形成電鍍被膜,而使導體層的厚度僅增加電鍍皮膜的部份而變厚。又,在金屬箔層12的表面電鍍析出的情況,由於在面內之電鍍析出速度發生偏差,而對於電鍍被膜的厚度發生不均。為此,在根據蝕刻形成布線電路時,必須將過蝕刻量變多。對於此點,若是在電鍍步驟之後進行載體箔剝離步驟的話,由於金屬箔層12本身就成為導體層,其厚度也均勻, 由於可以使過蝕刻量變少,因此可以利用如設計的電路寬度形成電路圖案。在利用減去法形成布線電路時,從可以利用良好的蝕刻因子得到微細的布線電路之觀點看來,如該實施形態所示,在電鍍步驟之後進行載體箔剝離步驟為佳。
1-6.配線電路形成步驟
在配線電路形成步驟中,對於在撕下上述載體箔13後的兩面金屬包護層疊體10,例如藉由在金屬箔層12形成與應形成配線電路對應的光阻圖案,並施加蝕刻等既知的方法,可以形成布線電路。
又,在上述說明之印刷電路板之製造方法係為本案發明的一態樣,在不脫離本案發明之宗旨的範圍內當然可以適當變更。在本案發明中,只要是在上述導通孔形成步驟之後,進行載體箔剝離步驟,對於進行其他步驟的順序、在此等步驟前後所進行的處理種類都沒有特別限定,因應製造印刷電路板所要求的電氣特性等,可以適當施予各種處理。例如,如圖2所示,在(a)導通孔形成步驟之後,進行(b)載體箔剝離步驟,之後再進行(c)電鍍步驟亦可。在該情況,可以在金屬箔層12(12a)的表面也形成電鍍皮膜22。
又,在上述兩面金屬包護層疊體10的製造步驟中,在將包括厚度超過15μm的載體箔之附載體箔金屬箔貼合在絕緣層11的情況下,雖然說明了在導通孔形成步驟之前,只要利用半蝕刻等將其厚度變成15μm以下的方式使載體箔13的厚度變薄即可,但是不限於該情況,即使在將包括厚度為15μm以下的載體箔之附載體箔金屬箔貼合在絕緣層11的情況 亦同,在上述範圍內,當然也可以利用相同手法將載體箔13的厚度變成希望的厚度之方式削減其厚度。
2.印刷電路板
其次,針對關於本案發明之印刷電路板進行說明。關於本案發明之印刷電路板為利用上述之印刷電路板之製造方法所得到者,如圖1(d)或圖2(c)所示,只要是將在兩面包括載體箔13的狀態下形成有底導通孔20之後,並藉由剝離載體箔13所得到之3層構造包含在層構成者(包含形成電路圖案者),任何的構成皆可。例如,其為兩面印刷電路板亦可,對於形成有配線圖案之該兩面金屬包護層疊體10進一步層疊增建層之多層印刷電路板亦可。
其次,顯示實施例與比較例以具體說明本案發明。但是,本案發明係不限於以下的實施例。
實施例
在實施例中,準備:透過使用羧基苯并三唑之有機接合界面層,將厚度3μm的銅箔(12)可自由剝離地設置在厚度12μm的載體銅箔(13)之附載體箔銅箔。將該附載體箔銅箔的銅箔側作為貼合面,對於該表面進行粗化處理。再者,在厚度50μm的預浸體(絕緣層11)的兩面分別層疊該附載體箔銅箔,並藉由加熱加壓,而得到在兩面包括載體箔(13)之兩面覆銅層疊體(10)。準備:將該兩面覆銅層疊體裁切成150mm×150mm的尺寸,並在載體箔表面已施予黑色氧化處理者。
[比較例]
[比較例1]
作為比較例1的試料,在施予黑色氧化處理前,除了從銅箔的表面撕下照射雷射側的載體箔之外,其他與實施例相同,得到只在另一面側包括載體箔之兩面覆銅層疊體。
[比較例2]
作為比較例2的試料,在黑色氧化處理前,除了在其兩面中將載體箔從銅箔表面撕下之外,其他與實施例相同,得到不包括載體箔之兩面覆銅層疊體。
[評估]
1.評估方法
(1)彎翹量
測量利用上述本實施例與比較例(比較例1及比較例2)所得到之各兩面覆銅層疊體之常態時的彎翹量。彎翹量的測量係如以下進行。首先,將各兩面覆銅層疊體載置在平坦的觀察台。再者,在各兩面覆銅層疊體的4角(左上、左下、右上、右下),利用常規測量觀察台與兩面覆銅層疊體之間的分開距離,將該測量值作為彎翹量。
又,測量將利用本實施例與比較例所得到之各兩面覆銅層疊體載置在雷射照射台時之吸附時的彎翹量。由於在雷射照射台中形成有無數個孔,並透過各孔使試料吸附為與雷射照射台密合,因此載置在雷射照射台的情況下之4角的彎翹量係比載置在上述觀察台所測量的值更小。為此,吸附時的彎翹量係使用具有自動對焦機構的CCD攝影機進行如下所示的測量。首先,以在試料中心進行調焦時的焦點位置為基準,並成為0mm。其次,分別將CCD攝影機移動到試料的4角,分 別求出4角的焦點位置。求出試料4角的各焦點位置與試料中心的焦點位置之高度方向差,並將其作為各自的彎翹量。
(2)貫穿孔的有無
使用利用上述實施例所得到之各兩面覆銅層疊體,並利用三菱電機股份有限公司製之二氧化碳雷射,以光束徑153μm、脈衝寬度10μs、雷射脈衝能量18.5mJ,從各兩面覆銅層疊體的單面側1射擊照射雷射脈衝光束,之後,對於能量密度2MW/cm2、3MW/cm2、4MW/cm2,使脈衝寬度變更為3μs、5μs、7μs,形成121孔之頂徑74μm的有底導通孔,並觀察對於另一面側銅箔層之貫穿孔的有無,求出貫穿孔形成比例(%)。同樣,分別使用複數個利用上述比較例所得到之各兩面覆銅層疊體,並利用上述二氧化碳雷射,以光束徑115μm、脈衝寬度8μs、雷射脈衝能量6.2mJ,對於各兩面覆銅層疊體分別1射擊照射雷射脈衝光束,之後對於能量密度2MW/cm2、3MW/cm2、4MW/cm2,使脈衝寬度變更為3μs、5μs、7μs,分別形成121孔之頂徑75.2μm的導通孔,並觀察對於另一面側銅箔層之貫穿孔的有無,求出貫穿孔形成比例(%)。又,雷射照射條件在實施例與比較例不同是因為實施例的兩面覆銅層疊體為在雷射照射側之面也設置載體箔,因此若是不將雷射輸出變得比在雷射照射側之面沒有設置載體箔的比較例之兩面覆銅層疊體更高的話,則無法形成有底導通孔。
(3)孔徑及形成的偏差
使用上述二氧化碳脈衝雷射,並分別根據上述的條件,從利用本實施例與比較例1所得到之各兩面覆銅層疊體的單面 側,在各兩面覆銅層疊體的4角與中央部分別照射雷射脈衝光束,形成以另一面側的銅箔層為底部之有底導通孔。再者,測量各有底導通孔的孔徑,同時觀察孔的形狀,評估孔徑及形狀的偏差。
(4)有底導通孔之頂部形狀
其次,觀察:對於實施例之兩面覆銅層疊體形成有底導通孔之後,在除去載體箔後之有底導通孔的頂部形狀、與形成在比較例1的兩面覆銅層疊體之有底導通孔的頂部形狀。
2.評估結果
(1)彎翹量
分別在表1顯示本實施例、比較例1及比較例2之兩面覆銅層疊體的4角彎翹量。如表1所示,確定:對於本實施例1及比較例2的兩面覆銅層疊體沒有發生彎翹,只在另一面包括載體箔之比較例1的兩面覆銅層疊體中發生彎翹。此係認為是因為根據從在兩面包括載體箔之兩面覆銅層疊體只剝離單面側的載體箔,而使絕緣層的兩面中之應力失去平衡。
(2)貫穿孔的有無
對於實施例、比較例1及比較例2之兩面覆銅層疊體,將利用雷射加工形成上述有底導通孔時之貫穿孔形成比例(%)分別顯示在表2。如表2所示,確定:沒有載體箔之比較例2的兩面覆銅層疊體在使雷射輸出增大的情況下,形成貫穿孔的比例極高,對於如此薄的兩面覆銅層疊體而言要成品率佳地形成有底導通孔為困難的。一方面,確定:在另一面側包括載體箔之本實施例及比較例1的兩面覆銅層疊體中,即使將雷射輸出增大抑制貫穿孔形成的效果為高,藉由在另一面側設置載體箔,使該載體箔具有作為散熱器的機能,而可以抑制在另一面側的銅箔層形成貫穿孔。
其中,當參照表2時,本實施例之兩面覆銅層疊體的貫穿孔形成比例比比較例1的兩面覆銅層疊體稍微高。然而,在對於本實施例之兩面覆銅層疊體形成有底導通孔時所採用的雷射照射條件與對於比較例之兩面覆銅層疊體形成有底導通孔時所採用的雷射照射條件相比,使雷射輸出更高。為此,雖然無法簡單地比較兩者,但是認為:藉由進行對於實施例的兩面覆銅層疊體之雷射照射條件的檢討,會使貫穿孔形成比例降低。因此,認為:無論雷射照射側之面的載體箔之有無,藉由在另一面側設置載體箔,可以有效地降低貫穿孔形成比例。
(3)孔徑及孔形狀的偏差
在表3分別顯示利用本實施例及比較例1所得到的兩面覆銅層疊體之形成在4角與中央的有底導通孔之孔徑。如表3所示,確定:形成在利用本實施例所得到的兩面覆銅層疊體之有底導通孔的孔徑偏差與利用比較例1所得到的兩面覆銅層疊體比較時為小。又,確定:形成在兩面覆銅層疊體的中央之有底導通孔的孔徑與形成在各4角之有底導通孔的孔徑之差則是當彎翹量越大時就變大。又,圖3為形成在比較例1的兩面覆銅層疊體之各有底導通孔的表面觀察照片。如圖3(c)所示,可以確認:對於形成在彎翹量為0之兩面覆銅層疊板的中央部之有底導通孔的頂部形狀為大約圓形而言,形成在彎翹量為大處(左上(a)及左下(d))之有底導通孔的頂部形狀則產生歪斜。一方面,確定:本實施例之兩面覆銅層疊體之彎翹量為小,即使是形成在四角的有底導通孔也是大約呈現圓形,孔徑及孔形狀的偏差為小,顯示與圖3(c)所示之孔形狀大約相同的孔形狀。
(4)有底導通孔的頂部形狀
圖4為在形成有底導通孔後之撕下載體箔後之本實施例的兩面覆銅層疊體的表面觀察照片。圖5為在形成有底導通孔後之比較例1的兩面覆銅層疊體的表面觀察照片。當比較圖4與圖5時可以明確得知,確定:對於在比較例1之兩面覆銅層疊體中根據雷射照射而在孔周圍堆積濺片而言,在本實施例之兩面覆銅層疊體中因為堆積在該孔周圍的濺片可以與載體箔一起剝離,因此孔周圍變平坦。
產業上的可利用性
根據本案發明,藉由不只是在成為有底導通孔的底部之另一面側的金屬箔層表面,在雷射所照射的單面側之金屬箔層表面也設置載體箔,可以使根據各層的線膨係數之差而在單面側與另一面側產生的應力之差變小。為此,即使在兩面金屬包護層疊體的厚度(但是排除載體箔的厚度)為薄的情況,也可以防止在該兩面金屬包護層疊體發生彎翹。又利用包括在兩面的載體箔而使其厚度增加,可以提升兩面金屬包護層疊體的剛性。藉由此等,對於平坦沒有彎翹狀態的兩面金屬包護層疊體而言,由於可以形成有底導通孔,因此即使在兩面金屬包 護層疊體的面內形成複數個有底導通孔,也可以防止在孔徑或孔形狀產生偏差。又,根據雷射照射時所產生的應力或熱能的影響,在形成有底導通孔時可以防止在兩面金屬包護層疊體發生彎翹。再者,由於可以將根據雷射照射而堆積在孔周圍的濺片在載體箔剝離步驟中與載體箔一起剝離,因此可以使孔周圍變平坦。因此,本案發明係可以適用於製造厚度為薄之兩面印刷電路板時。
10‧‧‧(附兩面載體箔之)兩面覆銅層疊體
11‧‧‧絕緣層
12‧‧‧金屬箔層
12a‧‧‧單面側的金屬箔層
12b‧‧‧另一面側的金屬箔層
13‧‧‧載體箔
13a‧‧‧單面側的載體箔
13b‧‧‧另一面側的載體箔
20‧‧‧有底導通孔
21‧‧‧底部
22‧‧‧電鍍皮膜
23‧‧‧孔壁面

Claims (7)

  1. 一種印刷電路板之製造方法,其特徵在於包括:導通孔形成步驟,其為對於在厚度200μm以下的絕緣層兩面分別從該絕緣層側依序包括金屬箔層及厚度15μm以下的載體箔之兩面金屬包護層疊體,在單面側的載體箔表面照射雷射,形成以另一面側的金屬箔層為底部之有底導通孔;及載體箔剝離步驟,其為在有底導通孔形成後,從各金屬箔層的表面剝離各載體箔。
  2. 如申請專利範圍第1項之印刷電路板之製造方法,其中,在前述導通孔形成步驟之前,包括:至少在前述單面側的載體箔表面施予黑色氧化處理之黑色氧化處理步驟。
  3. 如申請專利範圍第1項之印刷電路板之製造方法,其中,前述金屬箔層的厚度為7μm以下。
  4. 如申請專利範圍第1項之印刷電路板之製造方法,其中,前述兩面金屬包護層疊體係在前述載體箔與前述金屬箔層之間包括接合界面層。
  5. 如申請專利範圍第4項之印刷電路板之製造方法,其中,前述接合界面層為利用有機劑所形成之有機接合界面層。
  6. 如申請專利範圍第1項之印刷電路板之製造方法,其中,在前述導通孔形成步驟及前述載體箔剝離步驟之間,包括:電鍍步驟,其為在有底導通孔內施予用以圖謀單面的金屬箔層與另一面金屬箔層的導通之層間連接用的電鍍處理。
  7. 一種印刷電路板,其特徵在於:利用申請專利範圍第1項之印刷電路板之製造方法所得到。
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