TW201422684A - 含二氧化矽粒子之硬化性組合物與其硬化物,及使用彼等之半導體密封材 - Google Patents

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Abstract

本發明揭示一種硬化性組合物,其包含通式(1)所表示之矽氧烷化合物(A)、二氧化矽粒子(C)、及選自由鉑化合物、鈀化合物及銠化合物所組成之群中之至少一種金屬化合物(D)。由該硬化性組合物,可獲得具有優異之耐熱性與阻氣性,可於室溫(20℃)下進行灌注加工,且長時間於150℃以上之高溫下長時間不劣化之半導體密封材。□

Description

含二氧化矽粒子之硬化性組合物與其硬化物,及使用彼等之半導體密封材
本發明係關於一種含二氧化矽粒子之硬化性組合物與其硬化物,及使用其之半導體密封材。具體而言,關於一種要求耐熱性之密封材或接著劑例如功率半導體用密封材、要求透明性之光學構件用密封材、透鏡及光學用薄膜用途之硬化性組合物及其硬化物,尤其是關於一種發光二極體(Light Emitting Diode,以下簡稱為LED)或半導體雷射等密封材。
先前,LED等透明密封材使用環氧樹脂或聚矽氧樹脂。要求該等密封材有用以耐受動作中之LED之發熱之耐熱性、及長時間可靠性所需之阻氣性。再者,於本說明書中,所謂聚矽氧樹脂,係指具有藉由矽氧烷鍵所形成之主骨架之高分子化合物。
然而,先前之環氧樹脂作為半導體密封材用於高亮度LED或半導體雷射等高亮度發光元件之密封時存在如下情況:耐熱性不充分,於高溫下因由密封材之劣化所致之電流之洩漏或密封材之黃變而引起取出光量之下降。
與環氧樹脂相比,聚矽氧樹脂較少發生黃變。例如,於專利文獻1中,揭示有作為抗硫化性優異、且於光學用途中發光效率較高之加成硬化型聚矽氧樹脂組合物的含有以特定之甲基苯基矽氧烷為基礎之矽化合物之加成硬化型聚矽氧樹脂組合物、包括該組合物之光學元 件密封材、及藉由該光學元件密封材之硬化物密封光學元件之半導體裝置。又,於專利文獻2中,揭示有將具有高折射率之苯基改性聚有機矽氧烷作為基礎聚合物,但即便藉由加熱亦不產生龜裂、與基材之剝離的光學材料密封用硬化性組合物。然而,通常,聚矽氧樹脂存在氣體容易透過、因來自環境中之腐蝕性氣體之透過而LED之鍍銀電極及反射器容易變色、因水蒸氣之透過而密封材容易自LED組件剝離等問題。
藉由於密封材中添加二氧化矽等無機填充材,可實現阻氣性或機械強度之提昇。例如,於專利文獻3中,揭示有如下發光裝置:其特徵在於,其係利用樹脂密封LED者,且該密封樹脂係使如下硬化性組合物硬化所得之硬化物,該硬化性組合物含有(A)於1分子中具有2個以上之烯基、且於主鏈中具有全氟聚醚結構之直鏈狀聚氟化合物:100質量份、(B)於1分子中具有兩個以上之直接鍵結於矽原子上之氫原子的含氟有機氫矽氧烷:SiH基相對於(A)成分之烯基1莫耳為0.5~3.0莫耳之量、(C)鉑族金屬系觸媒:以鉑族金屬原子換算計為0.1~500ppm、(D)藉由BET(Brunauer-Emmett-Teller,布厄特)法測定之比表面積為50~400m2/g之二氧化矽粉末:0.01~10質量份。然而,有藉由向密封材中添加無機填充材而透明性及流動性受損等問題。
業界需要一種具有阻氣性、透明性及流動性、且具有即便於高溫下長時間使用亦不劣化之耐熱性的半導體用密封材。
先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1:日本專利特開2012-52035號公報
專利文獻2:日本專利特開2005-307015號公報
專利文獻3:日本專利特開2009-277887號公報
專利文獻4:日本專利特開2007-15991號公報
非專利文獻
非專利文獻1:Hasegawa et al., Chem. Lett., pp. 1319 (1988)
非專利文獻2:Journal of Organic Chemistry, vol. 692, pp1892-1897 (2007)、S. Varaprath
非專利文獻3:V. Sudarsanan et al., J. Org. Chem., pp1892 (2007)
非專利文獻4:M. A. Esteruelas, et al., Organometallics, pp3891 (2004)
非專利文獻5:Polymer Bulletin, vol. 37, pp705-710, 1996, K. Shintani
本發明之目的在於獲得一種具有優異之耐熱性與阻氣性、可於室溫(20℃)下進行灌注(填充樹脂)加工、即便於150℃以上之高溫下長時間使用亦不劣化之耐熱性密封材所使用的含二氧化矽粒子之硬化性組合物與其硬化物、以及使用其之透明之半導體密封材。
本發明包括以下之發明。
[技術方案1]
一種硬化性組合物,其包含通式(1)所表示之矽氧烷化合物(A)、
(式中,X分別獨立為通式X1或X2所表示之基,
X1之個數為1~8之整數,X2之個數為0~7之整數,X1與X2之個數之和為8,式中,R1~R4分別獨立為氫原子、碳數1~8之烷基、烯基或炔基、或碳數6~8之芳基,該等烴基中之氫原子之一部分可取代為氟原子,R5分別獨立為碳數1~18之烷基、烯基、炔基或碳數6~18之芳基,該等烴基中之氫原子之一部分可取代為氟原子,碳原子之一部分可取代為氧原子或氮原子,R6分別獨立為氫原子、乙烯基或烯丙基,m及n分別為1~4之整數,且3≦m+n)
二氧化矽粒子(C)、及選自由鉑化合物、鈀化合物及銠化合物所組成之群中之至少一種金屬化合物(D)。
[技術方案2]
如技術方案1之硬化性組合物,其中R5為選自由甲基、第三丁基、苯基、聯苯基、萘基、式(2)所表示之基、 [化3]
(式中,t為1~3之整數)
及式(3)所表示之基所組成之群中之至少一種基
(式中,u為1~3之整數)。
[技術方案3]
如技術方案1或技術方案2之硬化性組合物,其進而含有具有至少1個鍵結於矽原子上之氫原子或烯基之矽氧烷化合物(B)。
[技術方案4]
如技術方案3之硬化性組合物,其中矽氧烷化合物(B)為選自由通式(4)所表示之化合物(B1)、
(式中,R7為醚鍵、伸苯基 或通式(5)所表示之2價基,
(式中,R11及R12分別獨立為氫原子、碳數1~8之烷基、烯基或炔基、或碳數6~8之芳基,該等烴基之氫原子之一部分可取代為氟原子,r為1~100之整數)
該等基中之氫原子之一部分可取代為氟原子,R8及R9分別獨立為氫原子、碳數1~8之烷基、烯基或炔基、碳數6~8之芳基,R10為氫原子或乙烯基)
通式(6)所表示之矽氧烷化合物(B2)、
(式中,R13分別獨立為氫原子或乙烯基,R14分別獨立為氫原子、碳數1~8之烷基或碳數6~8之芳基,該等烴基中之氫原子之一部分可取代為氟,s為3~7之整數)
及通式(7)所表示之矽氧烷化合物(B3)所組成之群中之至少一種矽氧烷化合物, (R15R16R17SiO1/2)a(SiO4/2)b (7)
(式中,R15~R17分別獨立為氫原子、碳數1~8之烷基、乙烯基,該等基中之氫原子之一部分可取代為氟原子,R15~R17之中,至少兩個為氫原子或乙烯基,a及b為表示各矽氧烷單元之莫耳比之正數,且a+b=1,a為0.1~0.9,b為0.1~0.9)。
[技術方案5]
如技術方案1至4中任一項之硬化性組合物,其中二氧化矽粒子(C)為自膠體二氧化矽中蒸餾去除溶劑所得者。
[技術方案6]
如技術方案5之硬化性組合物,其中膠體二氧化矽所含之溶劑係希德布朗溶解度參數為12MPa1/2以上、25MPa1/2以下。
[技術方案7]
如技術方案1至6中任一項之硬化性組合物,其中二氧化矽粒子(C)為自下述矽化合物與膠體二氧化矽之混合物中蒸餾去除溶劑所得之二氧化矽粒子,該矽化合物為選自由通式(8)所表示之矽化合物(C1)、Si(OH)c(R18)d (8)
(式中,R18分別獨立為選自由甲基、乙基、苯基、氫原子、乙烯基、三氟甲基、三氟乙基、三氟丙基、式(9)所表示之基、
(式中,t為1~3之整數)
及式(10)所表示之基所組成之群中之至少一種基,
(式中,u為1~3之整數)
c為1~3之整數,d為1~3之整數,且c+d=4)通式(11)所表示之矽化合物(C2)、
(式中,R19~R24分別獨立為選自由甲基、乙基、苯基、氫原子、乙烯基、三氟甲基、三氟乙基、三氟丙基、式(12)所表示之基、
(式中,t為1~3之整數)
及式(13)所表示之基所組成之群中之至少一種基,
(式中,u為1~3之整數))
通式(14)所表示之矽化合物(C3)、Si(Cl)e(R25)f (14)
(式中,R25分別獨立為選自由甲基、乙基、苯基、氫原子、乙烯基、三氟甲基、三氟乙基、三氟丙基、式(14-1)所表示之基、
(式中,t為1~3之整數)
及式(15)所表示之基所組成之群中之至少一種基,
(式中,u為1~3之整數)
e為1~3之整數,f為1~3之整數,且e+f=4)
以及通式(16)所表示之矽化合物(C4)所組成之群中之至少一種矽化合物,Si(OR26)g(R27)h (16)
(式中,R26分別獨立為甲基、乙基,R27分別獨立為選自由甲基、乙基、苯基、氫原子、乙烯基、三氟甲基、三氟乙基、三氟丙基、式(17)所表示之基、
(式中,t為1~3之整數)
及式(18)所表示之基所組成之群中之至少一種基,
(式中,u為1~3之整數)
g為1~3之整數,h為1~3之整數,且c+d=4)。
[技術方案8]
一種硬化物,其係如技術方案1至7中任一項之硬化性組合物硬化而成。
[技術方案9]
一種半導體密封材,其含有如技術方案1至7中任一項之硬化性組合物。
本發明之硬化性組合物於60℃以下為液體,具有流動性,例如,可於室溫(20℃)進行灌注加工,可藉由加熱至50℃以上、300℃以下而獲得透明硬化物。該硬化物具有優異之阻氣性,且具有即便長時間曝露於150℃之高溫下亦無著色地維持較高之透明性之耐熱性,可用於半導體密封材。
本發明係含有選自由特定之矽氧烷化合物所組成之群中之至少一種矽氧烷化合物(A)、平均粒徑為1nm以上、400nm以下的二氧化矽粒子(C)、及選自由鉑化合物、鈀化合物、及銠化合物所組成之群中之至少一種金屬化合物(D)作為必須成分而成的包含二氧化矽粒子之硬化性組合物與其硬化物,及使用其之半導體密封材。
於本發明中,所謂二氧化矽,係指由二氧化矽(SiO2)構成之含有矽氧烷鍵之物質,所謂膠體二氧化矽,係指二氧化矽或其水合物之膠體,具有用以分散之溶劑。膠體二氧化矽(二氧化矽溶膠)包含溶劑使用醇、酮等有機溶劑之有機二氧化矽溶膠,較佳為有機二氧化矽溶膠。二氧化矽粒子係自膠體二氧化矽中蒸餾去除溶劑所得者。
又,於本發明中,烷基為-CnH2n+1所表示之基,伸烷基為-CnH2n-所表示之基,烯基為具有-CH=CH2之基,炔基為具有-C≡CH之基,烯丙基為具有-CH2-CH=CH2之基,及芳基為由芳香族烴衍生之基且於基中含有芳香族烴。
本發明之硬化性組合物具有流動性,其硬化物具有半導體密封材所需之優異之阻氣性、透明性及耐熱性。
於本發明之硬化性組合物中,矽氧烷化合物(A)顯示透明性與流動性,藉由進行硬化而顯示較高之耐熱性。又,矽氧烷化合物(A)可使二氧化矽粒子(C)均勻地分散而非使二氧化矽粒子(C)凝聚,具有即便二氧化矽粒子(C)之含有率較高亦顯示較高之流動性與透明性之性質。進而,作為二氧化矽粒子(C),較佳為使用使溶劑自作為二氧化矽或其水合物之膠體之膠體二氧化矽中蒸發去除即蒸餾去除所得的二氧化矽粒子。此時,藉由將膠體二氧化矽所含之溶劑之希德布朗溶解度參數設為12MPa1/2以上、25MPa1/2以下,而顯示優異之流動性與透明性。又,藉由將膠體二氧化矽所含之溶劑之希德布朗溶解度參數設為12MPa1/2以上、25MPa1/2以下,而硬化物顯示優異之阻氣性。
於本發明之硬化性組合物中,添加二氧化矽粒子(C)具有提高硬化性組合物硬化而成之硬化物之阻氣性的效果,如上所述,可與矽氧烷化合物(A)一併均勻地分散於溶劑中。藉由提高硬化性組合物中之二氧化矽粒子(C)之含有率,而硬化物顯示優異之阻氣性。
本發明之硬化性組合物(A)藉由進行加熱而引起Si-H基與Si-CH=CH2基等之鍵結反應,進行硬化。此時,為了使反應進行而獲得硬化物,作為組合物,使用選自由鉑化合物、鈀化合物及銠化合物所組成之群中之至少一種金屬化合物(D)。藉由金屬化合物(D)之作為硬化觸媒之作用而本發明之硬化性組合物硬化,獲得透明且即便於150℃之環境下長時間連續使用亦不劣化之耐熱性、透明性、阻氣性優異之硬化物。
進而於本發明之硬化性組合物中,矽氧烷化合物(B)於使本發明之組合物加熱硬化製成硬化物時具有促進硬化之作用,較佳為添加。本發明之含二氧化矽粒子之硬化性組合物與其硬化物,及使用其之半 導體密封材對要求高度之耐熱性之半導體密封材、例如對LED高亮度發光元件之密封材等有用。
以下,對本發明之硬化性組合物進行說明。
1. 硬化性組合物
本發明之硬化性組合物以上述通式(1)所表示之矽氧烷化合物(A)、平均粒徑為1nm以上、400nm以下之二氧化矽粒子(C)、及選自由鉑化合物、鈀化合物及銠化合物所組成之群中之至少一種金屬化合物(D)作為必須成分。
進而,較佳為含有選自由通式(4)所表示之矽氧烷化合物(B1)、通式(6)所表示之矽氧烷化合物(B2)、及通式(7)所表示之矽氧烷化合物(B3)所組成之群中之至少一種矽氧烷化合物。
以下,分成分對本發明之硬化性組合物進行說明。
2. 矽氧烷化合物(A)
矽氧烷化合物(A)係 由通式(1)表示。
(式中,X分別獨立為通式X1或X2所表示之基,[化18]
X1之個數為1~8之整數,X2之個數為0~7之整數,X1與X2之個數之和為8,式中,R1~R4分別獨立為氫原子、碳數1~8之烷基、烯基或炔基、或碳數6~8之芳基,該等烴基中之氫原子之一部分可取代為氟原子,R5分別獨立為碳數1~18之烷基、烯基、炔基或碳數6~18之芳基,該等烴基中之氫原子之一部分可取代為氟原子,碳原子之一部分可取代為氧原子或氮原子,R6分別獨立為氫原子、乙烯基或烯丙基,m及n分別為1~4之整數,且3≦m+n)
R6中之m為2或4之矽氧烷化合物(A)容易合成,m較佳為2或4。
為了對使本發明之硬化性組合物加熱硬化而成之硬化物給予於150℃以上之高溫下不劣化之耐熱性,矽氧烷化合物(A)中之R5較佳為選自由甲基、第三丁基、苯基、聯苯基、萘基、式(2)所表示之基、
(式中,t為1~3之整數)
及式(3)所表示之基所組成之群中之至少一種基。
(式中,u為1~3之整數)
於本發明之硬化性組合物進行硬化時,為了使硬化物獲得較高之耐熱性與阻氣性,R5較佳為苯基、式(2)所表示之基或式(3)所表示之基,更佳為式(2)所表示之基或式(3)所表示之基。藉由使用利用該矽氧烷化合物(A)之硬化性組合物,而該硬化性組合物硬化所得之硬化物可獲得透明性、優異之耐熱性及阻氣性。
2-1. 矽氧烷化合物(A)之合成
對矽氧烷化合物(A)之合成方法進行記載。
矽氧烷化合物(A)之合成可藉由在合成籠型矽氧烷化合物之前驅物後矽烷化、繼而氯化、最後使有機基加成而獲得。即依照前驅物之合成、繼而前驅物之矽烷化、繼而矽烷化前驅物之氯化、繼而有機基之加成之順序進行。
2-1-1. 前驅物之合成
最初,對用以獲得通式(1)所表示之矽氧烷化合物(A)之前驅物之合成進行說明。
具體而言,如以下之反應流程所示,藉由於氫氧化四級銨之水溶液中添加四烷氧基矽烷、例如四乙氧基矽烷(以下,存在稱作TEOS之情況),於室溫下攪拌,而獲得作為銨鹽之前驅物。
根據本反應,可獲得具有以矽氧烷鍵(-Si-O-)鍵結、且包括8個矽 原子、12個氧原子之籠型骨架之前驅物(非專利文獻1中記載)。
(RX及RY分別獨立為氫原子、碳數1~8之烷基、烯基、炔基或碳數6~8之芳基,該等烴基中之氫原子之一部分可取代為氟原子)
再者,具體而言,氫氧化四級銨可例示:四甲基銨、四乙基銨、四丙基銨、四丁基銨或膽鹼。其中,就以固體形式獲得、對作為用以獲得矽氧烷化合物(A)之下一反應之矽烷化中之反應溶劑之醇的溶解性優異之方面而言,較佳為使用膽鹼。
2-1-2. 矽氧烷化合物(A)之製造
依序對通式(1)所表示之矽氧烷化合物(A)(m=1、2≦n≦4)之製造方法進行說明。
<前驅物之矽烷化>
上述前驅物之矽烷化係藉由前驅物與矽烷化劑之反應而進行。矽烷化劑可列舉鹵化二烷基矽烷,例如氯二甲基矽烷、二矽氧烷,例如六甲基二矽氧烷。前驅物與氯二甲基矽烷之反應係記載於非專利文獻1,與二矽氧烷之反應係揭示於專利文獻4中。
<矽烷化前驅物之氯化>
上述矽烷化前驅物之氯化可使矽烷化前驅物與三氯異三聚氰酸反應、或於銠觸媒之存在下與六氯環己烷反應、或與氯氣反應而進行。例如,非專利文獻2中記載之氯化方法可無限制地使用,其中就副產物較少、於經濟性上較為實用而言,較佳為與三氯異三聚氰酸或氯氣反應。與作為矽烷化前驅物之三氯異三聚氰酸之反應係記載於非專利文獻3中,使用銠觸媒之與六氯環己烷之反應係記載於非專利文獻4中。
<有機基之加成>
繼而,如以下所示,藉由使氯化前驅物與矽烷氧基鋰化合物反應,可獲得通式(1)所表示之矽氧烷組合物(A)(m=1、2≦n≦4)。
繼而,依序對通式(1)所表示之矽氧烷化合物(A)(2≦m≦4、2≦n≦4)之製造方法進行說明。
<前驅物之矽烷化>
上述前驅物之矽烷化係藉由前驅物與矽烷化劑之反應而進行。矽烷化劑可列舉鹵化二烷基矽烷,例如氯二甲基矽烷、二矽氧烷,例如1,1,3,3-四甲基二矽氧烷,前驅物與氯二甲基矽烷之反應係記載於非專利文獻1中,與二矽氧烷之反應係記載於專利文獻4中。
<矽烷化前驅物之氯化>
上述矽烷化前驅物之氯化可使矽烷化前驅物與三氯異三聚氰酸反應、或於銠觸媒之存在下與六氯環己烷反應、或與氯氣反應而進行。例如,非專利文獻2中記載之氯化方法可無限制地使用,其中,就副產物較少、經濟性上較為實用之方面而言,較佳為與三氯異三聚氰酸或氯氣反應。與作為矽烷化前驅物之三氯異三聚氰酸之反應係記載於非專利文獻3中,使用銠觸媒之與六氯環己烷之反應係記載於非專利文獻4中。
<有機基之加成>
繼而,如以下所示,藉由使氯化前驅物與矽烷氧基鋰化合物反應,可獲得通式(1)所表示之矽氧烷組合物(A)(2≦m≦4、2≦n≦4)。
2-1-3. 矽氧烷化合物(A-1)之製造
依序對通式(1)所表示之矽氧烷化合物(A)所含之下述矽氧烷化合物(A-1)之合成方法進行說明。
如上述般,通式(1)所表示之矽氧烷化合物(A)中之m為1~4之整數,就合成之容易性而言,m=2或4。附帶說一下,矽氧烷化合物(A-1)係m為2之情形。
矽氧烷化合物之起始物質係RX及RY為甲基之上述前驅物。
<前驅物之矽烷化>
上述前驅物之矽烷化係藉由前驅物與矽烷化劑之反應而進行。矽烷化劑可列舉鹵化二烷基矽烷,例如氯二甲基矽烷、二矽氧烷,例如六甲基二矽氧烷,前驅物與氯二甲基矽烷之反應係記載於非專利文獻1中,與二矽氧烷之反應係記載於專利文獻4中。
具體而言,如以下之反應流程所示,藉由使前驅物、四甲基二乙烯基矽烷及四甲基矽烷之醇溶液於有機鹼之存在下反應,而將前驅物矽烷化,獲得將前驅物矽烷化而成之矽烷化前驅物。再者,於本反應中醇較佳為使用甲醇、乙醇或2-丙醇,有機鹼較佳為使用三乙胺或吡啶。又,於本反應中矽烷化前驅物中之X1與X2之比可藉由反應所使用之四甲基二乙烯基矽烷與四甲基矽烷之比而調整。
<矽烷化前驅物之氯化>
上述矽烷化前驅物之氯化可使矽烷化前驅物與三氯異三聚氰酸反應、或於銠觸媒之存在下與六氯環己烷反應、或與氯氣反應而進行。例如,非專利文獻2中記載之氯化方法可無限制地使用,其中, 就副產物較少、經濟性上較為實用之方面而言,較佳為與三氯異三聚氰酸或氯氣反應。與矽烷化前驅物之三氯異三聚氰酸之反應係記載於非專利文獻3中,使用銠觸媒之與六氯環己烷之反應係記載於非專利文獻4中。
具體而言,如以下之流程所示,藉由在有機溶劑中使三氯異三聚氰酸與矽烷化前驅物反應,可獲得氯化前驅物。有機溶劑較佳為使用作為氯系溶劑之二氯甲烷、氯仿或二氯乙烷、或四氫呋喃。
<有機基之加成>
對於上述氯化前驅物上加成有機基之方法進行說明。
例如,使有機金屬試劑與鹵代苯反應,將金屬原子與鹵素原子交換後,與上述氯化前驅物反應,藉此可獲得含有苯基之矽醇鹽化合物。
如以下之反應流程所示,使作為有機金屬試劑之正丁基鋰與溴苯反應獲得苯基鋰後,進而與六甲基環三矽氧烷反應,而獲得含有苯 基之矽烷氧基鋰化合物。
又,於使用三甲基矽烷醇或第三丁基二甲基矽烷醇等烷基矽烷醇之情形時,可使矽烷醇、與正丁基鋰等有機金屬試劑發生作用而於一階段反應中製備矽烷氧基鋰化合物。即如以下之反應式所示,藉由使三甲基矽烷醇與正丁基鋰反應,可獲得矽烷氧基鋰化合物。
繼而,如以下所示,藉由使氯化前驅物與含有苯基之矽烷氧基鋰化合物反應,可獲得作為通式(1)所表示之矽氧烷組合物(A)之一例的上述矽氧烷化合物(A-1)。
2-1-3. 矽氧烷化合物(A)之合成
對除矽氧烷化合物(A-1)以外之矽氧烷化合物之合成進行說明。
<前驅物之合成>
除上述矽氧烷化合物(A-1)中之<前驅物之合成>時所使用之二矽氧烷化合物、即1,3-二乙烯基四甲基二矽氧烷及1,1,3,3-四甲基二矽氧烷之混合物以外,亦可使用選自下述所示之二矽氧烷化合物群中之一種,或將選自下述所示之二矽氧烷化合物群中之兩種以上混合使用。
例如,可例示:1,1,3,3-四異丙基二矽氧烷、1,1,3,3-四苯基二矽氧烷、1,1,3,3-四乙烯基二矽氧烷、1,3-雙((丙烯醯氧基甲基)苯乙基)-四甲基二矽氧烷、1,3-雙(2-胺基乙基胺基甲基)四甲基二矽氧烷、1,3-雙(3-胺基丙基)四甲基二矽氧烷、雙((雙環庚烯基)乙基)四甲基二矽氧烷、1,3-雙(3-羧基丙基)四甲基二矽氧烷、雙(3-氯異丁基)四甲基二矽氧烷、1,3-雙(氯甲基)四甲基二矽氧烷、1,3-雙(氰基丙基)四甲基二矽 氧烷、雙(2-(3,4-環氧環己基)乙基)四甲基二矽氧烷、1,3-雙(縮水甘油氧基丙基)四甲基二矽氧烷、1,3-雙(羥基丁基)四甲基二矽氧烷、1,3-雙(羥基丙基)四甲基二矽氧烷、1,3-雙(甲基丙烯醯胺丙基)四甲基二矽氧烷、1,3-雙(3-甲基丙烯醯氧基-2-羥基丙氧基-丙基)四甲基二矽氧烷、1,3-雙(3-甲基丙烯醯氧基丙基)四甲基二矽氧烷、雙(甲氧基三伸乙氧基丙基)四甲基二矽氧烷、雙(九氟己基)四甲基二矽氧烷、雙(十三氟-1,1,2,2-四氫辛基)四甲基二矽氧烷、1,3-雙(三乙氧基矽烷基乙基)四甲基二矽氧烷、1,3-雙(三氟丙基)四甲基二矽氧烷、1,3-二烯丙基四甲基二矽氧烷、1,3-二氯-1,3-二苯基-1,3-二甲基二矽氧烷、1,3-二氯四甲基二矽氧烷、1,3-二氯四苯基二矽氧烷、1,3-二乙基四甲基二矽氧烷、1,3-二乙炔基四甲基二矽氧烷、1,3-二甲基四甲氧基二矽氧烷、1,3-二苯基四甲基二矽氧烷、1,3-二乙烯基-1,3-二甲基-1,3-二氯二矽氧烷、1,3-二乙烯基-1,3-二苯基-1,3-二甲基二矽氧烷、1,3-二乙烯基四乙氧基二矽氧烷、1,3-二乙烯基四苯基二矽氧烷、六乙基二矽氧烷、六甲基二矽氧烷、六苯基二矽氧烷、六乙烯基二矽氧烷、1,1,3,3-四環戊基二氯二矽氧烷、1,1,3,3-四乙氧基-1,3-二甲基二氯矽烷、1,3-四甲基-1,3-二乙氧基二矽氧烷、1,1,3,3-四苯基二甲基二矽氧烷、1,1,3,3-四乙烯基二甲基二矽氧烷(1,1,3,3-tetra vinyldimethyldi siloxane)、1-烯丙基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷、3-胺基丙基五甲基二矽氧烷或氯甲基五甲基二矽氧烷。較佳為1,3-二乙烯基四甲基二矽氧烷、1,1,3,3-四甲基二矽氧烷或六甲基二矽氧烷。
<前驅物之矽烷化>
又,除關於作為上述矽氧烷化合物(A-1)之合成中之<前驅物之矽烷化>中之矽烷化劑而具體地列舉之氯矽烷化合物之乙烯基二甲基氯矽烷及二甲基氯矽烷以外,矽烷化劑可例示:三甲基氯矽烷、甲基氯矽烷、環己烯基二甲基氯矽烷、烯丙基二甲基氯矽烷、 乙烯基二苯基氯矽烷、乙烯基甲基苯基氯矽烷、甲基苯基氯矽烷、二苯基氯矽烷、縮水甘油基二甲基氯矽烷或甲基丙烯醯氧基二甲基氯矽烷。較佳為乙烯基二甲基氯矽烷、二甲基氯矽烷或三甲基氯矽烷。
<有機物之加成>
又,如下述反應式所示,利用上述矽氧烷化合物(A-1)之合成中之<有機基之加成>所示之順序,將各個溴化物作為原料,衍生為矽烷氧基鋰化合物,使各個矽烷氧基鋰化合物與氯化前驅物反應,藉此,獲得含有以下之式(a)、(b)、(c)、(d)、(e)、(f)作為通式(1)之X1中之R5的矽氧烷化合物(A)。關於含有(h)或(i)等烷基之矽氧烷化合物(A),使烷基矽烷醇與正丁基鋰等有機金屬試劑等作用,衍生為矽烷氧基鋰化合物後,以與上述同樣之方式使氯化前驅物發揮作用而合成。
具體而言,於矽氧烷化合物(A)中,可獲得X1為以下之式(i)~(viii)所表示之化合物。
繼而,對上述矽烷氧基鋰化合物之合成過程進行詳細說明。
如以下之反應式所示,將用以於通式(1)所表示之矽氧烷化合物(A)中之X1中導入R5之R5之溴化物(Br-R5)作為起始物質,而獲得R5之鋰化物(Li-R5)。其後,使莫耳數x之R5之鋰化物(Li-R5)與莫耳數y之環狀矽氧烷反應,藉此獲得矽烷氧基鋰化合物。
如表1所示,藉由控制莫耳比(x:y)、環狀矽氧烷之矽氧烷單元數w,可將矽烷氧基鋰化合物之矽氧烷之單元數m控制為1或3。此種情況被記載於非專利文獻5中。
作為R5之溴化物(Br-R5)之R5,如上所述,可例示:苯基、聯苯基、萘基、三氟甲基苯基、二-三氟甲基苯基、單氟苯基或二氟苯基。作為R1、R2,可分別獨立地例示氫原子、甲基、異丙基、苯基、2-苯基丙基或3,3,3-三氟丙基。
如上所述,亦可根據以下之式所示之烷基矽烷醇與正丁基鋰之反應合成矽烷氧基鋰化合物。作為官能基Q之具體例,可列舉甲基、第三丁基基。作為R1、R2之具體例,可分別獨立地列舉氫原子、甲基、異丙基、苯基、2-苯基丙基或3,3,3-三氟丙基。
3. 二氧化矽粒子(C)
繼而,對於本發明之組合物中為必須成分之二氧化矽粒子(C)進行說明。
本發明之硬化性組合物含有平均粒徑為1nm以上、400nm以下 之二氧化矽粒子(C)作為成分,具有提高硬化時之硬化物之阻氣性之效果。
二氧化矽粒子(C)之平均粒徑較佳為1nm以上、400nm以下,若大於400nm,則硬化物之散射強度變大,會失去透明性,若小於1nm,則二氧化矽粒子(C)容易凝聚,會失去流動性與透明性。進而較佳為2nm以上、100nm以下。再者,於本說明書中,所謂平均粒徑,係指使用Zeta-potential and particle size analyzer(大塚電子股份有限公司製造)並藉由動的光散射法所測定之值。
二氧化矽粒子(C)之含有以質量比表示,較佳為矽氧烷化合物(A):二氧化矽粒子(C)=100:5~100:100,若二氧化矽粒子(C)少於5%,則硬化物缺乏阻氣性,若多於100%,則變得缺乏流動性,灌注加工變困難。進而較佳為10%以上、90%以下。
二氧化矽粒子(C)只要在上述平均粒徑之範圍內,且於塗佈時與矽氧烷化合物(A)一併均勻地分散於溶劑中即可,可例示自SiO2或作為其水合物之膠體之膠體二氧化矽中蒸餾去除溶劑所得之二氧化矽粒子、煙燻二氧化矽或溶融二氧化矽等二氧化矽粒子。該等二氧化矽粒子可單獨使用,亦可使用兩種以上。於本發明之硬化性組合物中,與矽氧烷化合物(A)一併均勻地分散於溶劑中或作為無溶劑之混合物而均勻地分散,為了簡便地獲得低黏度、二氧化矽高填充之組合物,較佳為採用自膠體二氧化矽中蒸餾去除溶劑所得之二氧化矽粒子。
為了獲得於矽氧烷化合物(A)中均勻地分散有1nm以上、400nm以下之二氧化矽粒子(C)之狀態,較佳為將膠體二氧化矽添加於矽氧烷化合物(A)中,充分攪拌以使混合溶液變均勻,並減壓去除溶劑。
膠體二氧化矽所含之溶劑較佳為希德布朗溶解度參數為12MPa1/2以上、25MPa1/2以下者,若小於12MPa1/2或大於25MPa1/2,則於矽氧烷化合物(A)中添加膠體二氧化矽時,根據矽氧烷化合物(A)與 二氧化矽粒子(C)之分子間相互作用之強度,二氧化矽粒子(C)彼此之相互作用較強,二氧化矽粒子(C)凝聚,而失去流動性與透明性。具體而言,可例示:環戊烷、環己烷、環庚烷、二甲基乙醯胺、二乙基醚、四氫呋喃、1,4-二烷、丙酮、酢酸乙基、乙腈、1-丙醇、2-丙醇、甲基乙基酮、甲苯、苯、二甲苯、環己烷、氯仿、氯苯、二氯甲烷、己烷、庚烷、辛烷、1-丁醇或2-丁醇。
較佳為2-丙醇、甲基乙基酮或甲苯。
進而較佳為16MPa1/2以上、20MPa1/2以下。該等溶劑可為單獨一種,或可為兩種以上。然而,於使用兩種以上之溶劑之情形時,若將各個溶劑之溶解度參數設為δn,且將體積分率設為,則混合溶劑之溶解度參數δM可利用
計算,若計算結果在12~25,則可使用任意溶劑。
又,關於上述膠體二氧化矽,於作為SiO2或其水合物之膠體之膠體二氧化矽(與二氧化矽溶膠同義)中,可為於溶劑中分散有醇、酮等有機溶劑之有機二氧化矽溶膠,於市售品,自日產化學工業股份有限公司製造之有機二氧化矽溶膠中可例示製品名IPA-ST(粒徑10~20nm)、IPA-ST-L(40~50nm)、IPA-ST-ZL(粒徑70~100nm)、IPA-ST-UP(40~100nm)、EAC-ST、MEK-ST(粒徑10~15nm)、MEK-ST-40、MEK-ST-L、MEK-ST-ZL、MEK-ST-UP、TOL-ST(粒徑10~15nm)。該等可單獨使用,或同時使用兩種以上。再者,膠體二氧化矽之粒徑取決於日產化學工業之規格。
二氧化矽粒子(C)採用使下述含矽化合物與膠體二氧化矽混合,將該混合物於25℃~120℃下攪拌10分鐘~60小時後,蒸餾去除溶劑所得的於二氧化矽粒子(C)表面結合有該等矽化合物者,含矽化合物係選自由 通式(8)所表示之矽化合物(C1)、Si(OH)c(R18)d (8)
(式中,R18分別獨立為選自由甲基、乙基、苯基、氫原子、乙烯基、三氟甲基、三氟乙基、三氟丙基、式(9)所表示之基、
(式中,t為1~3之整數)
式(10)所表示之基所組成之群中之至少一種基,
(式中,u為1~3之整數)
c為1~3之整數,d為1~3之整數,且c+d=4)
通式(11)所表示之矽化合物(C2)、
(式中,R19~R24分別獨立為選自由甲基、乙基、苯基、氫原子、乙烯基、三氟甲基、三氟乙基、三氟丙基、式(12)所表示之基、
(式中,t為1~3之整數)
及式(13)所表示之基所組成之群中之至少一種基,
(式中,u為1~3之整數))
通式(14)所表示之矽化合物(C3)、Si(Cl)e(R25)f (14)
(式中,R25分別獨立為選自由甲基、乙基、苯基、氫原子、乙烯基、三氟甲基、三氟乙基、三氟丙基、式(14-1)所表示之基、
(式中,t為1~3之整數)
及式(15)所表示之基所組成之群中之至少一種基,
(式中,u為1~3之整數)
e為1~3之整數,f為1~3之整數,且e+f=4)
及通式(16)所表示之矽化合物(C4)所組成之群中之至少一種含矽化合物。
Si(OR26)g(R27)h (16)
(式中,R26分別獨立為甲基、乙基,R27分別獨立為選自由甲基、乙基、苯基、氫原子、乙烯基、三氟甲基、三氟乙基、三氟丙基、式(17)所表示之基、
(式中,t為1~3之整數)
及式(18)所表示之基所組成之群中之至少一種基,
(式中,u為1~3之整數)
g為1~3之整數,h為1~3之整數,且c+d=4)
與矽氧烷化合物(A)一併於溶劑中容易均勻地分散,因而進而較佳。
通式(8)所表示之含矽化合物(C1)為具有一個以上之Si-OH基之化合物,可例示:二甲基苯基矽烷醇、三甲基矽烷醇、二甲基矽烷醇、二甲基乙烯基矽烷醇、甲基苯基矽烷醇、三氟甲基二甲基矽烷醇、三氟甲基甲基矽烷醇、對三氟甲基苯基二甲基矽烷醇、間三氟甲基苯基二甲基矽烷醇、對氟苯基二甲基矽烷醇或間氟苯基二甲基矽烷醇。該等化合物可單獨使用,又,亦可將兩種以上混合使用。其中,較佳為二甲基苯基矽烷醇、三甲基矽烷醇、二甲基乙烯基矽烷醇、二甲基矽烷醇、對三氟甲基苯基二甲基矽烷醇、間三氟甲基苯基二甲基矽烷醇。
通式(11)所表示之含矽化合物(C2)可例示:二矽氧烷化合物,六甲基二矽氧烷、1,3-二丁基四甲基二矽氧烷、1,3-二苯基四甲基二矽氧烷、1,3-二乙烯基四甲基二矽氧烷、四甲基二矽氧烷或六乙基二矽氧烷。該等化合物可單獨使用,又,亦可將兩種以上混合使用。其中,較佳為使用六甲基二矽氧烷、四甲基二矽氧烷。
通式(14)所表示之含矽化合物(C3)為氯矽烷化合物,可例示:二甲基苯基氯矽烷、三甲基氯矽烷、二甲基氯矽烷、二甲基乙烯基氯矽 烷、甲基三氯矽烷、苯基三氯矽烷、乙烯基三氯矽烷、三氯矽烷、二甲基二氯矽烷、二苯基二氯矽烷、二乙烯基二氯矽烷、甲基苯基二氯矽烷、甲基乙烯基二氯矽烷、苯基乙烯基二氯矽烷、甲基苯基氯矽烷、甲基二氯矽烷、苯基二氯矽烷、乙烯基二氯矽烷、三氟甲基二甲基氯矽烷、三氟甲基甲基二氯矽烷、三氟甲基甲基氯矽烷、三氟甲基三氯矽烷、對三氟甲基苯基二甲基氯矽烷、間三氟甲基苯基二甲基氯矽烷、對三氟甲基苯基甲基二氯矽烷、間三氟甲基苯基甲基二氯矽烷、對三氟甲基苯基三氯矽烷、間三氟甲基苯基三氯矽烷、對氟苯基二甲基氯矽烷、間氟苯基二甲基氯矽烷、對氟苯基甲基二氯矽烷、對氟苯基三氯矽烷、間氟苯基甲基二氯矽烷或間氟苯基三氯矽烷。該等化合物可單獨使用,又,亦可將兩種以上混合使用。其中,較佳為使用二甲基苯基氯矽烷、三甲基氯矽烷、二甲基氯矽烷、二甲基乙烯基氯矽烷、間三氟甲基苯基二甲基氯矽烷、對三氟甲基苯基二甲基氯矽烷。
通式(16)所表示之含矽化合物(C4)為烷氧基矽烷化合物,可例示:二甲基苯基甲氧基矽烷、三甲基甲氧基矽烷、二甲基甲氧基矽烷、二甲基乙烯基甲氧基矽烷、甲基三甲氧基矽烷、苯基三甲氧基矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、三甲氧基矽烷、二甲基二甲氧基矽烷、二苯基二甲氧基矽烷、二乙烯基二甲氧基矽烷、甲基苯基二甲氧基矽烷、甲基乙烯基二甲氧基矽烷、苯基乙烯基二甲氧基矽烷、甲基苯基甲氧基矽烷、甲基二甲氧基矽烷、苯基二甲氧基矽烷、乙烯基二甲氧基矽烷、三氟甲基二甲基甲氧基矽烷、三氟甲基甲基二甲氧基矽烷、三氟甲基甲基甲氧基矽烷、三氟甲基三甲氧基矽烷、對三氟甲基苯基二甲基甲氧基矽烷、間三氟甲基苯基二甲基甲氧基矽烷、對三氟甲基苯基甲基二甲氧基矽烷、間三氟甲基苯基甲基二甲氧基矽烷、對三氟甲基苯基三甲氧基矽烷、間三氟甲基苯基三甲氧基矽烷、對氟苯基二 甲基甲氧基矽烷、間氟苯基二甲基甲氧基矽烷、對氟苯基甲基二甲氧基矽烷、對氟苯基三甲氧基矽烷、間氟苯基甲基二甲氧基矽烷、間氟苯基三甲氧基矽烷、二甲基苯基乙氧基矽烷、三甲基乙氧基矽烷、二甲基乙氧基矽烷、二甲基乙烯基乙氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、苯基三乙氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、三乙氧基矽烷、二甲基二乙氧基矽烷、二苯基二乙氧基矽烷、二乙烯基二乙氧基矽烷、甲基苯基二乙氧基矽烷、甲基乙烯基二乙氧基矽烷、苯基乙烯基二乙氧基矽烷、甲基苯基乙氧基矽烷、甲基二乙氧基矽烷、苯基二乙氧基矽烷、乙烯基二乙氧基矽烷、三氟甲基二甲基乙氧基矽烷、三氟甲基甲基二乙氧基矽烷、三氟甲基甲基乙氧基矽烷、三氟甲基三乙氧基矽烷、對三氟甲基苯基二甲基乙氧基矽烷、間三氟甲基苯基二甲基乙氧基矽烷、對三氟甲基苯基甲基二乙氧基矽烷、間三氟甲基苯基甲基二乙氧基矽烷、對三氟甲基苯基三乙氧基矽烷、間三氟甲基苯基三乙氧基矽烷、對氟苯基二甲基乙氧基矽烷、間氟苯基二甲基氯矽烷、對氟苯基甲基二氯矽烷、對氟苯基三乙氧基矽烷、間氟苯基甲基二乙氧基矽烷或間氟苯基三乙氧基矽烷。該等化合物可單獨使用,又,亦可將兩種以上混合使用。其中,較佳為使用三甲基甲氧基矽烷、二甲基甲氧基矽烷、二甲基乙烯基甲氧基矽烷、二甲基苯基甲氧基矽烷、對三氟甲基苯基二甲基甲氧基矽烷或間三氟甲基苯基二甲基甲氧基矽烷。
4. 金屬化合物(D)
對本發明之組合物中必須之金屬化合物(D)進行說明。
為了獲得具有硬度及耐熱性之硬化物,金屬化合物(D)係於本發明之組合物中作為硬化觸媒而發揮作用。
金屬化合物(D)只要為具有促進硬化反應之觸媒作用者即可,可自由鉑化合物、鈀化合物及銠化合物所組成之群中選擇。具體而言,可例示:鉑-羰基乙烯基甲基錯合物、鉑-二乙烯基四甲基二矽氧烷錯 合物、鉑-環乙烯基甲基矽氧烷錯合物、或鉑-辛基醛錯合物等鉑化合物、含有鈀之鈀化合物、或含有銠之銠化合物。可單獨使用該等或併用兩種以上。於本發明之組合物中,就硬度、及硬化後硬化物之劣化較少及容易獲取之方面而言,較佳為採用鉑化合物。
於該等金屬化合物(D)中,尤其是鉑化合物具有作為硬化觸媒之作用。就可獲得較硬之硬化物、及組合物於灌注加工時容易處理之方面而言,以質量%表示,相對於矽氧烷化合物(A)100%,鉑化合物(D)之含有較佳為1.0%以下,更佳為0.00001%以上、1.0%以下。若少於0.00001%,則變得不會硬化,若多於1.0%,則存在硬化性組合物變得缺乏液穩定性,難以控制硬化反應,又,於硬化物中成為著色成分,硬化物之透明性受損之情況。進而較佳為0.0001%以上、0.05%以下。
5. 矽氧烷化合物(B)
對本發明之組合物所使用之矽氧烷化合物(B)進行說明。
矽氧烷化合物(B)具有於使本發明之組合物加熱硬化製成硬化物時促進硬化之作用。
於本發明之硬化性組合物中,除矽氧烷化合物(A)、平均粒徑為1nm以上、400nm以下之二氧化矽粒子(C)、及選自由鉑化合物、鈀化合物及銠化合物所組成之群中之至少一種金屬化合物(D)以外,亦可使用至少具有兩個鍵結於矽原子上之氫原子或烯基的矽氧烷化合物(B)。
相對於本發明之硬化性組合物中之矽氧烷化合物(A),以質量%表示,矽氧烷化合物(B)之含有較佳為1%以上、50%以下,若含有率少於1%,則即便進行加熱,亦無法促進硬化,若多於50%,則矽氧烷化合物(A)之含量較少,難以獲得硬化物即便長時間曝露於150℃以上之高溫下亦不劣化之耐熱性。進而較佳為2%以上、40%以下。
較佳為矽氧烷化合物(B)較佳為上述矽氧烷化合物(B1)、矽氧烷化合物(B2)、及矽氧烷化合物(B3),可分別單獨使用,亦可併用。
5-1. 矽氧烷化合物(B1)
矽氧烷化合物(B1)係由通式(4)表示。
(式中,R7為醚鍵、伸苯基、或通式(5)所表示之2價基,
(式中,R11及R12分別獨立為氫原子、碳數1~8之烷基、烯基或炔基、或碳數6~8之芳基,該等烴基之氫原子之一部分可取代為氟原子,r為1~100之整數)
該等基中之氫原子之一部分可取代為氟原子,R8及R9分別獨立為氫原子、碳數1~8之烷基、烯基或炔基、碳數6~8之芳基,R10為氫原子或乙烯基)
矽氧烷化合物(B1)較佳為於同一結構中含有兩個以上-Si-H基或- Si-CH=CH2基中之任一者的化合物,可例示:1,1,3,3-四甲基二矽氧烷、1,1,3,3-二乙烯基四甲基二矽氧烷、1,4-雙(二甲基矽烷基)苯、1,2-雙(二甲基矽烷基)苯、雙((對二甲基矽烷基)苯基)醚、1,4-雙(乙烯基二甲基矽烷基)苯、1,1,3,3,5,5-六甲基三矽氧烷、三(二甲基矽烷氧基)苯基矽烷、1,1,3,3-四異丙基二矽氧烷、四(二甲基矽烷基氧基)矽烷或1,5-二甲基-2,5-二矽己烷。較佳為1,1,3,3-四甲基二矽氧烷、1,1,3,3-二乙烯基四甲基二矽氧烷、1,4-雙(二甲基矽烷基)苯、1,2-雙(二甲基矽烷基)苯。
於市售品中,可例示:乙烯基末端聚二甲基矽氧烷(例如,Gelest公司製造、製品名DMS-V系列)、二苯基矽氧烷改性聚二甲基矽氧烷(例如,Gelest公司製造、製品名PDV系列)、三氟丙基改性聚二甲基矽氧烷(例如Gelest公司製造、製品名FMV、EDV系列)、乙烯基改性聚二甲基矽氧烷(Gelest公司製造、製品名VDT、VDS、VDV、VGM、VGP、VGF、VMS系列)、Si-H末端聚二甲基矽氧烷(Gelest公司製造、製品名DMS-H系列)、Si-H改性聚二甲基矽氧烷(Gelest公司製造、製品名HMS、HES系列)、或苯基改性聚二甲基矽氧烷(Gelest公司製造、製品名HDP、HPM系列)。該等化合物可單獨使用,或將兩種以上混合使用。
5-2. 矽氧烷化合物(B2)
矽氧烷化合物(B2)係由通式(6)表示。
(式(6)中,R13分別獨立為氫原子或乙烯基,R14分別獨立為氫原子、碳數1~8之烷基或碳數6~8之芳基,該等烴基之氫原子之一部分可取代為氟,s為3~7之整數)
矽氧烷化合物(B2)較佳為於同一結構中含有兩個以上-Si-H基或-Si-CH=CH2基中之任一者的化合物,可例示:1,3,5-三甲基環三矽氧烷、1,3,5,7-四甲基環四矽氧烷、1,3,5,7,9-五甲基環五矽氧烷、環三矽氧烷、環四矽氧烷、環五矽氧烷、1,3,5-三乙烯基1,3,5-三甲基環三矽氧烷、1,3,5,7-四乙烯基1,3,5,7-四甲基環四矽氧烷、1,3,5,7,9-五乙烯基1,3,5,7,9-五甲基環五矽氧烷、1,3,5-三苯基環三矽氧烷、1,3,5,7-四苯基環四矽氧烷、1,3,5,7,9-五苯基環五矽氧烷、甲基氫環矽氧烷((MeHSiO)3-5)、苯基氫環矽氧烷((PhHSiO)3-5)。該等化合物可單獨使用,或將兩種以上混合使用。較佳為1,3,5,7-四甲基環四矽氧烷、1,3,5,7,9-五甲基環五矽氧烷、1,3,5,7-四乙烯基1,3,5,7,9-四甲基環四矽氧烷、1,3,5,7,9-五乙烯基五甲基環五矽氧烷,甲基氫環矽氧烷((MeHSiO)3-5)、或苯基氫環矽氧烷((PhHSiO)3-5)。
5-3. 矽氧烷化合物(B3)
矽氧烷化合物(B3)係由通式(7)表示。
(R15R16R17SiO1/2)a(SiO4/2)b (7)
(式中,R15~R17分別獨立地氫原子、碳數1~8之烷基、乙烯基,該等基中之氫原子之一部分可取代為氟原子,a及b為表示各矽氧烷單元之莫耳比之正數,且a+b=1,a為0.1~0.9,b為0.1~0.9)。
矽氧烷化合物(B3)較佳為R15~R17為-H或-CH=CH2基,換言之,較佳為於同一之矽原子上鍵結有兩個以上之氫原子或乙烯基中之任一者的化合物,於市售品中,可例示Gelest公司製造之製品名Hydride Q Resin、HQM系列、CAS、68988-57-8。該等化合物可單獨使用,或 將兩種以上混合使用。
6. 硬化性組合物之硬化方法
本發明之硬化性組合物係藉由進行加熱而引起Si-H基與Si-CH=CH2基等之鍵結反應,進行硬化。為了使反應進行,組合物使用上述鉑、鈀或銠之化合物的金屬化合物,藉由該等金屬化合物之作為硬化觸媒之作用使組合物硬化,藉此獲得即便於150℃之環境下使用亦不會劣化之硬化物。
硬化即便於室溫下長時間放置亦可進行,但硬化溫度較佳為100℃以上、300℃以下,進而較佳為100℃以上、200℃以下。若硬化溫度低於100℃,則硬化物難以獲得硬度,雖然越提高溫度越進行硬化,但若硬化溫度高於300℃,則有產生龜裂之虞,並不實用。硬化時間較佳為0.5小時以上、10小時以下,進而較佳為1小時以上、4小時以下。若硬化時間短於0.5小時,則有效果不完全進行之虞,長於10小時之情況並不實用。
關於本發明之組合物之流動性,本發明之組合物於25℃下利用旋轉式黏度計測定之黏度為50Pa.s以下。於室溫(20℃)~60℃之範圍內可獲得流動性,於灌注加工等中容易處理。
實施例
以下,對本發明具體地進行說明,但本發明並不受該等實施例限定。再者,本實施例及比較例中獲得之矽氧烷化合物、組合物、及其硬化物之物性評價係利用以下所示之方法進行。
具體而言,合成上述矽氧烷化合物(A)之前驅物a,合成自前驅物(a)所衍生之矽烷化前驅物(a-1)~(a-4),繼而合成自矽烷化前驅物(a-1)~(a-4)所衍生之屬於矽氧烷化合物(A)之矽氧烷化合物(A-1)~(A-18)。
繼而,於該等矽氧烷化合物(A)中添加二氧化矽粒子(C)並進行攪 拌。於二氧化矽粒子(C)中使用膠體二氧化矽之情形時,於矽氧烷成分(A)中添加膠體二氧化矽並攪拌,其後進行減壓濃縮,將含有之溶劑蒸餾去除。繼而,添加金屬化合物(D),製備組合物,並評價流動性。進而,加熱該組合物製作硬化物,對該物性評價耐熱性、透明性、阻氣性。繼而於上述組合物中添加矽氧烷化合物(B1)或矽氧烷化合物(B2)或矽氧烷化合物(B3),製備組合物,並評價流動性。進而加熱該組合物製作硬化物,對其物性評價耐熱性、透明性、阻氣性。物性評價係利用以下所示之方法進行。
<NMR(核磁共振)測定>
使用共振頻率400MHz之核磁共振裝置(日本電子股份有限公司製造),進行1H-NMR、19F-NMR、29Si-NMR之測定。
<黏度測定>
使用旋轉黏度計(Brookfield Engineering Laboratories,Inc.製造、製品名DV-II+PRO」與溫度控制單元(Brookfield Engineering Laboratories,Inc.、製品名THERMOSEL)測定矽氧烷化合物(A)之25℃下之黏度。
<透明性>
使用紫外可見分光光度計(島津製作所股份有限公司製造之型號UV-3150),測定厚度2mm之硬化物之波長400nm下之透過率。
<阻氣性(阻水性)>
依據JIS Z 0208,於溫度40℃、相對濕度90%之條件下測定厚度2mm之硬化物之透濕度。
<流動性>
於25℃下,將組合物流入至模具中,調查組合物可否灌注成型。
<耐熱性>
將厚度2mm之硬化物於設定為150℃之爐(東京玻璃器械股份有限公司製造之型號FS-30P)保持200小時後,使用紫外可見分光光度計(島津製作所股份有限公司製造之型號UV-3150),測定波長400nm下之透過率。
[矽氧烷化合物(A)之合成]
最初,對本發明之組合物所使用之矽氧烷化合物(A)之合成進行說明。具體而言,依序對上述矽氧烷化合物(A)之前驅物(a)之合成、自前驅物(a)衍生之矽烷化前驅物(a-1)~(a-4)之合成、繼而自矽烷化前驅物(a-1)~(a-4)衍生之矽氧烷化合物(A-1)~(A-18)之合成進行說明。
1 前驅物(a)之合成
於具備溫度計及回流冷卻器之1L之燒瓶中選取四乙氧基矽烷200g(960mmol)及50質量%之氫氧化膽鹼水溶液233g(960mmol),於室溫(20℃)下攪拌12小時。攪拌結束後添加2-丙醇100g,進而攪拌30分鐘。冷卻至3℃,過濾分離析出之粗產物進行藉由2丙醇之沖洗後,進行乾燥,以白色粉末之形式並以產率62%獲得作為以下之式所表示之前驅物(a)之八(2-羥基乙基三甲基銨)倍半矽氧烷.36水合物151g。
以下,表示八(2-羥基乙基三甲基銨)倍半矽氧烷之結構式。
<NMR測定結果>
1H NMR(溶劑:重甲醇,基準物質:四甲基矽烷);δ3.23(s,9H), 3.48-3.51(m,2H),4.02-4.05(m,2H)
2 矽烷化前驅物之合成
繼而,使用矽烷化劑將上述前驅物(a)矽烷化,獲得矽烷化前驅物。改變矽烷化劑合成不同種類之矽烷化前驅物(a-1)~(a-4)。
2.1 前驅物(a)→矽烷化前驅物(a-1)
將上述前驅物(a)矽烷化,獲得矽烷化前驅物(a-1)。
即,於具備溫度計、回流冷卻器之1L燒瓶中添加甲苯350g、甲醇30g、作為矽烷化劑之四甲基二矽氧烷26.5g(198mmol)、四甲基二乙烯基二矽氧烷23.9g(198mmol),冷卻至3℃。繼而,一面攪拌一面花費30分鐘滴加69質量%之硝酸54.1g。攪拌30分鐘後,添加於甲醇100g中溶解有上述八(2-羥基乙基三甲基銨)倍半矽氧烷.36水合物100g(49.3mmol)之甲醇溶液,一面攪拌一面升溫至室溫,於室溫下攪拌12小時,進行矽烷化反應。攪拌結束後,去除水層,用潔淨水100g將有機層沖洗3次。用硫酸鎂10g乾燥有機層,將硫酸鎂過濾分離後進行減壓濃縮。用甲醇沖洗所得之粗產物並乾燥,以白色粉末之形式獲得以下之式所表示之矽烷化前驅物(B-1):四(氫二甲基矽烷氧基)四(乙烯基二甲基矽烷氧基)倍半矽氧烷46.0g(45.0mmol)。再者,產率為91%。X1與X2之比率以各自之個數之平均值計為X1:X2=4:4。
<NMR測定結果>
1H NMR(溶劑:氘氯仿,基準物質:四甲基矽烷);δ0.18-0.24(m,12H),4.70-4.72(m,1H),5.75-5.81(m,1H),5.93-5.96(m,1H),5.97-6.15(m,1H),
29Si NMR(溶劑:氘氯仿,基準物質:四甲基矽烷);δ0.9,-1.7,-108.7,-109.0
2.2 前驅物(a)→矽烷化前驅物(a-2)
將上述前驅物(a)矽烷化,獲得矽烷化前驅物(a-2)。
即,矽烷化劑使用四甲基二矽氧烷19.9g(149mmol)及四甲基二乙烯基二矽氧烷30.6g(248mmol),以與獲得上述矽烷化前驅物(b-1)之反應同樣之順序進行處理,將前驅物a矽烷化,獲得以下之式所表示之矽烷化前驅物(b-2):三(氫二甲基矽烷氧基)七(乙烯基二甲基矽烷氧基)倍半矽氧烷49.4g(43.0mmol)。再者,產率為87%。X1與X2之比率以各自之個數之平均值計為X1:X2=3:5。
<NMR測定結果>
1H NMR(溶劑:氘氯仿,基準物質:四甲基矽烷);δ0.18-0.24(m,36H),4.70-4.72(m,3H),5.75-5.81(m,5H),5.93-5.96(m,5H),5.97-6.15(m,5H),
29Si NMR(溶劑:氘氯仿,基準物質:四甲基矽烷);δ0.9,-1.7,-108.7,-109.0
2.3 前驅物(a)→矽氧烷化合物前驅物(a-3)
將上述前驅物(a)矽烷化,獲得矽烷化前驅物(a-3)。
即,矽烷化劑使用四苯基二矽氧烷39.8g(297mmol)及四甲基二乙烯基二矽氧烷15.3g(99mmol),以與獲得上述矽烷化前驅物(b-1)之反應同樣之順序進行處理,獲得以下之式所表示之矽氧烷化合物前驅物B-3:七(氫二苯基矽烷氧基)三(乙烯基二甲基矽烷氧基)倍半矽氧烷36.3g(21.0mmol)。再者,產率為43%。X1與X2之比率以各自之個數之平均值計為X1:X2=5:3。
2.4 前驅物(a)→矽氧烷化合物前驅物(a-4)
將上述前驅物(a)矽烷化,獲得矽烷化前驅物(a-4)。
即,矽烷化劑使用四甲基二矽氧烷53.0g(396mmol),以與獲得上述矽烷化前驅物(a-1)之反應同樣之順序進行處理,將前驅物(a)矽烷化,獲得以下之式所表示之矽氧烷化合物前驅物(a-4):八(氫二甲基矽烷氧基)倍半矽氧烷43.8g(43.0mmol)。再者,產率為87%。X1與X2之比率以各自之個數之平均值計為X1:X2=8:0。
以下,表示矽氧烷化合物前驅物(a-4)之結構式。
3 矽氧烷化合物(A)之合成
繼而,使用上述矽烷化前驅物(a-1)~(a-4)合成矽氧烷化合物(A-1)~(A-18)。將各個矽氧烷化合物之合成例示於以下。
3.1 矽烷化前驅物(a-1)→矽氧烷化合物(A-1)
於具備溫度計及回流冷卻器之300mL之燒瓶中添加四氫呋喃50.0g、上述矽烷化前驅物(a-1)11.2g(10.0mmol),一面攪拌一面冷卻至-78℃。繼而,於內溫達到-78℃後添加三氯異三聚氰酸3.41g(15.0mmol)。添加結束後於-78℃下攪拌30分鐘,其後一面攪拌一面升溫至室溫。將析出之不溶物過濾分離而獲得四氫呋喃溶液。
繼而,於具備溫度計、回流冷卻器之1L燒瓶中添加4-溴苯6.3g(40.0mmol)、二乙基醚50g,一面攪拌一面冷卻至-78℃。於內溫達到-78℃後用30分鐘滴加1.6mol/L丁基鋰己烷溶液28ml(45mmol)。滴加結束後攪拌30分鐘,其後添加六甲基環三矽氧烷29.6g(133mmol)。一面攪拌一面升溫至室溫,於室溫下攪拌12小時。
繼而,冷卻至3℃,於內溫達到3℃後,用10分鐘滴加上述四氫呋喃溶液。滴加結束後一面攪拌一面升溫至室溫,於室溫下攪拌2小時。攪拌結束後添加二異丙基醚50g、純水50g並攪拌30分鐘後,分離為2層。繼而,去除水層,將有機層用蒸留水50g沖洗3次。用硫酸鎂10g乾燥有機層,過濾分離硫酸鎂後,以150℃/0.1mmHg進行減壓濃縮,以無色透明之黏性物之形式並以產率82%獲得以下之式所表示之矽氧烷化合物(A-1)11.5g。X1與X2之比率以各自之個數之平均值計為X1:X2=4:4。進行矽氧烷化合物(A-1)之黏度測定之結果是黏度為900mPa.s。
<NMR測定結果>
1H NMR(溶劑:氘氯仿,基準物質:四甲基矽烷);δ-0.04-0.47(m,72H)5.66-6.24(m,12H),7.21-7.45(m,12H),7.47-7.69(m,8H)
3.2 矽烷化前驅物(a-2)→矽氧烷化合物(A-2)
除使用矽烷化前驅物(a-2)11.5g(10.0mmol),使用4-溴苯并環丁烯5.49g(30.0mmol)替代4-溴苯以外,以與獲得上述矽氧烷化合物(A-1)之反應同樣之順序進行處理,以產率80%獲得無色透明油狀之以下之式所表示之矽氧烷化合物(A-2)12.2g。X1與X2之比率以各自之個數之平均值計為X1:X2=3:5。進行黏度測定之結果是黏度為800mPa.s。
<NMR測定結果>
1H NMR(溶劑:氘氯仿,基準物質:四甲基矽烷);δ0.07-0.35(m,72H),5.75-6.08(m,12H),7.03(brs,8H),7.50(brs,8H)
19F NMR(溶劑:氘氯仿,基準物質:三氯氟甲烷);δ-112.2
3.3 矽烷化前驅物(a-1)→矽氧烷化合物(A-3)
除使用矽烷化前驅物(a-1)、11.2g(10.0mmol),使用4-溴三氟甲苯9.00g(40.0mmol)替代4-溴苯以外,以與獲得上述矽氧烷化合物(A-1)之反應相同之順序進行處理,以無色透明之黏性物之形式並以產率43%獲得以下之式所表示之矽氧烷化合(A-3)8.55g。X1與X2之比率以各自之個數之平均值計為X1:X2=4:4。進行黏度測定之結果是黏度為1100mPa.s。
<NMR測定結果>
1H NMR(溶劑:氘氯仿,基準物質:四甲基矽烷);δ-0.06-0.37(m,72H),5.72-6.14(m,12H),7.57-7.66(m,16H)
29Si NMR(溶劑:氘氯仿,基準物質:四甲基矽烷);δ0.93-1.70,-17.1,-109.3,-110.1
19F NMR(溶劑:氘氯仿,基準物質:三氯氟甲烷);δ-63.3
3.4 矽烷化前驅物(a-1)→矽氧烷化合物(A-4)
除使用矽烷化前驅物(a-1)11.2g(10.0mmol),使用3-溴三氟甲苯9.00g(40.0mmol)替代4-溴苯以外,以與獲得上述矽氧烷化合物(A-1)之反應同樣之順序進行處理,以無色透明之黏性物之形式並以產率35%獲得以下之式所表示之矽氧烷化合(A-4)7.06g。X1與X2之比率以各自之個數之平均值計為X1:X2=4:4。進行黏度測定之結果是黏度為1100mPa.s。
<NMR測定結果>
1H NMR(溶劑:氘氯仿,基準物質:四甲基矽烷);δ0.07-0.40(m,72H),5.73-6.12(m,12H),7.46(m,4H),7.60(m,4H),7.76(m,8H)
29Si NMR(溶劑:氘氯仿,基準物質:四甲基矽烷);δ0.7,-1.6,-17.2,-109.3,-110.2
19F NMR(溶劑:氘氯仿,基準物質:三氯氟甲烷);δ-63.1
3.5 矽烷化前驅物(a-1)→矽氧烷化合物(A-5)
除使用矽烷化前驅物(a-1)、11.2g(10.0mmol),且使用3,5-雙(三氟甲基)溴苯11.72g(40.0mmol)替代4-溴苯以外,以與獲得上述矽氧烷化合物(A-1)之反應同樣之順序進行處理,以無色透明之黏性物之形式並以產率83%獲得以下之式所表示之矽氧烷化合物(A-5)16.1g。X1與X2之比率以各自之個數之平均值計為X1:X2=4:4。進行黏度測定之結果是黏度為1000mPa.s。
<NMR測定結果>
1H NMR(溶劑:氘氯仿,基準物質:四甲基矽烷);δ-0.06-0.05(m,72H),5.58-6.21(m,12H),7.77-8.02(m,12H)
29Si NMR(溶劑:氘氯仿,基準物質:四甲基矽烷);δ8.4,-1.6,-16.4,-109.2,-110.0
19F NMR(溶劑:氘氯仿,基準物質:三氯氟甲烷);-63.3
3.6 矽烷化前驅物(a-1)→矽氧烷化合物(A-6)
使用上述矽烷化前驅物(a-1)11.2g(10.0mmol),使用3-三氟甲基溴苯9.00g(40.0mmol)替代4-溴苯,將六甲基環三矽氧烷變更為9.8g(44mmol),除此以外,以與獲得上述矽氧烷化合物(A-1)之反應同樣 之順序進行處理,以無色透明之黏性物之形式並以產率75%獲得以下之式所表示之矽氧烷化合物(A-6)18.7g。X1與X2之比率以各自之個數之平均值計為X1:X2=4:4。進行黏度測定之結果是黏度為3100mPa.s。
3.7 矽烷化前驅物(a-3)→矽氧烷化合物(A-7)
使用矽烷化前驅物(a-3)17.3g(10.0mmol),將三氯異三聚氰酸之量變更為2.79g(18.3mmol),使用4-溴聯苯基13.99g(60.0mmol)替代4-溴苯,除此以外,以與獲得上述矽氧烷化合物(A-1)之反應同樣之順序進行處理,以無色透明之黏性物之形式並以產率70%獲得以下之式所表示之矽氧烷化合物(A-7)25.2g。再者,X1與X2之比率以各自之個數之平均值計為X1:X2=5:3。進行黏度測定之結果是黏度為3800mPa.s。
3.8 矽烷化前驅物(a-1)→矽氧烷化合物(A-8)
矽氧烷化合物(A-8)之合成使用使市售之三甲基矽烷醇與正丁基鋰等有機金屬試劑等發揮作用,調整矽烷氧基鋰化合物,使氯化前驅物發揮作用之方法。
於具備溫度計及回流冷卻器之300mL之燒瓶中添加四氫呋喃50.0g、上述矽烷化前驅物(a-1)11.2g(10.0mmol),一面攪拌一面冷卻為-78℃。繼而,於內溫達到-78℃後添加三氯異三聚氰酸3.41g(15.0mmol)。添加結束後於-78℃下攪拌30分鐘後,一面攪拌一面升溫至室溫。將析出之不溶物過濾分離,獲得四氫呋喃溶液。
繼而,於具備溫度計、回流冷卻器之1L燒瓶中添加三甲基矽烷醇3.6g(40.0mmol)、二乙基醚50g,一面攪拌一面冷卻為-78℃。於內溫達到-78℃後用30分鐘滴加1.6mol/L丁基鋰己烷溶液25ml(40mmol)。
繼而,用10分鐘滴加上述四氫呋喃溶液。滴加結束後一面攪拌一面升溫至室溫,於室溫下攪拌2小時。攪拌結束後添加二異丙基醚50g、純水50g,攪拌30分鐘後,分離為2層。繼而,去除水層,用蒸 留水50g將有機層沖洗3次。用硫酸鎂10g將有機層乾燥,將硫酸鎂過濾分離後,以150℃/0.1mmHg進行減壓濃縮,以無色透明之黏性物之形式並以產率47%獲得以下之式所表示之矽氧烷化合物(A-8)6.90g。X1與X2之比率以各自之個數之平均值計為X1:X2=4:4。進行矽氧烷化合物(A-8)之黏度測定之結果是黏度為900mPa.s。
<NMR測定結果>
1H NMR(溶劑:氘氯仿,基準物質:四甲基矽烷);δ0.09(brs,60H),0.20(brs,24H),5.76-6.16(m,12H)
29Si NMR(溶劑:氘氯仿,基準物質:四甲基矽烷);δ15.5,7.7,-11.2,-101.9,-103.0
3.9 矽烷化前驅物(a-1)→矽氧烷化合物(A-9)
除使用第三丁基二甲基矽烷醇5.29g(40.0mmol)替代三甲基矽烷醇以外,以與獲得上述矽氧烷化合物(A-8)之反應同樣之順序進行處理,以產率44%獲得無色透明油狀之以下之式所表示之矽氧烷化合物(A-9)7.66g。X1與X2之比率以各自之個數之平均值計為X1:X2=4:4。進行黏度測定之結果是黏度為900mPa.s。
<NMR測定結果>
1H NMR(溶劑:氘氯仿,基準物質:四甲基矽烷);δ0.04-0.21(m,72H),0.86(s,36H),5.75-6.16(m,12H)
29Si NMR(溶劑:氘氯仿,基準物質:四甲基矽烷);δ11.0,0.3,-19.2,-109.2,-110.3
3.10 矽烷化前驅物(a-4)→矽氧烷化合物(A-10)
使用矽氧烷化合物前驅物(a-4)11.2g(10.0mmol),將三氯異三聚氰酸之量變更為2.79g(18.3mmol),除此以外,以與獲得上述矽氧烷化合物(A-1)之反應同樣之順序進行處理,以無色透明之黏性物之形式並以產率82%獲得以下之式所表示之矽氧烷化合物(A-10)11.3g。X1與X2之比率以各自之個數之平均值計為X1:X2=5:3。進行黏度測定之結果是黏度為800mPa.s。
3.11 矽氧烷化合物前驅物(a-4)→矽氧烷化合物(A-11)
除使用矽氧烷化合物前驅物(b-4)11.2g(10.0mmol),使用4-氟溴苯5.22g(40.0mmol)替代4-溴苯以外,以與獲得上述矽氧烷化合物(A-1)之反應同樣之順序進行處理,以無色透明之黏性物之形式並以產率80%獲得以下之式所表示之矽氧烷化合物(A-11)13.5g。X1與X2之比率以各自之個數之平均值計為X1:X2=4:4。進行黏度測定之結果是黏度為800mPa.s。
3.12 矽烷化前驅物(b-4)→矽氧烷化合物(A-12)
除使用矽烷化前驅物(b-4)11.2g(10.0mmol),使用4-溴三氟甲苯9.00g(40.0mmol)替代4-溴苯以外,以與獲得上述矽氧烷化合物(A-1)之反應同樣之順序進行處理,以無色透明之黏性物之形式並以產率85%以下之式所表示之矽氧烷化合物(A-12)16.1g。X1與X2之比率以各自之個數之平均值計為X1:X2=4:4。進行黏度測定之結果是黏度為800mPa.s。
3.13 矽烷化前驅物(a-4)→矽氧烷化合物(A-13)
除使用矽烷化前驅物(a-4)11.2g(10.0mmol),使用4-溴三氟甲苯9.00g(40.0mmol)替代4-溴苯以外,以與獲得上述矽氧烷化合物(A-1)之反應同樣之順序進行處理,以無色透明之黏性物之形式並以產率84%獲得以下之式所表示之矽氧烷化合物(A-13)15.9g。X1與X2之比率以各自之個數之平均值計為X1:X2=4:4。進行黏度測定之結果是黏度為800mPa.s。
3.14 矽烷化前驅物(a-4)→矽氧烷化合物(A-14)
使用矽烷化前驅物(a-4)10.2g(10.0mmol),使用3,5-雙(三氟甲基)溴苯12.9g(44.0mmol)替代4-溴苯,以與獲得上述矽氧烷化合物(A-1)之反應同樣之順序進行處理,以無色透明之黏性物之形式並以產率72%獲得以下之式所表示之矽氧烷化合物(A-14)13.2g。X1與X2之比率以各自之個數之平均值計為X1:X2=4:4。進行黏度測定之結果是黏度為900mPa.s。
3.15 矽烷化前驅物(a-4)→矽氧烷化合物(A-15)
使用矽氧烷化合物前驅物(b-4)10.2g(10.0mmol),將三氯異三聚氰酸之使用量變更為2.50g(11.0mmol),將六甲基環三矽氧烷之使用量變更為9.8g(44mmol),使用3-三氟甲基溴苯7.42g(33.0mmol)替代4-溴苯,除此以外,以與獲得上述矽氧烷化合物(A-1)之反應同樣之順序進行處理,以無色透明之黏性物之形式並以產率74%獲得以下之式所表示之矽氧烷化合物(A-15)14.9g。X1與X2之比率以各自之個數之平均值計為X1:X2=3:5。進行黏度測定之結果是黏度為2300mPa.s。
3.16 矽烷化前驅物(a-4)→矽氧烷化合物(A-16)
使用矽烷化前驅物(a-4)10.2g(10.0mmol),將三氯異三聚氰酸之使用量變更為1.67g(7.3mmol),將六甲基環三矽氧烷之使用量變更為4.9g(22mmol),使用4-溴聯苯基5.13g(22.0mmol)替代4-溴苯,除此以外,以與獲得上述矽氧烷化合物(A-1)之反應同樣之順序進行處理,以無色透明之黏性物之形式並以產率70%獲得以下之式所表示之 矽氧烷化合物(A-16)22.1g。X1與X2之比率以各自之個數之平均值計為X1:X2=3:5。進行黏度測定之結果是黏度為3900mPa.s。
3.17 矽烷化前驅物(a-4)→矽氧烷化合物(A-17)
除使用矽烷化前驅物(a-4)10.2g(10.0mmol)以外,以與和獲得上述矽氧烷化合物(A-8)之反應之合成例同樣之順序進行處理,以無色透明之黏性物之形式並以產率80%獲得以下之式所表示之矽氧烷化合物(A-17)11.0g。X1與X2之比率以各自之個數之平均值計為X1:X2=4:4。進行黏度測定之結果是黏度為1200mPa.s。
3.18 矽烷化前驅物(a-4)→矽氧烷化合物(A-18)
除使用矽烷化前驅物(a-4)10.2g(10.0mmol),使用第三丁基二甲基矽烷醇5.29g(40.0mmol)替代三甲基矽烷醇以外,以與獲得上述矽氧烷化合物(A-1)之反應同樣之順序進行處理,以無色透明之黏性物之形式並以產率82%獲得以下之式所表示之矽氧烷化合物(A-18)12.6g。X1與X2之比率以各自之個數之平均值計為X1:X2=4:4。進行黏度測定之結果是黏度為1200mPa.s。
[組合物之製作、硬化物之製作、及物性評價]
於合成之矽氧烷化合物(A-1)~(A-18)中添加二氧化矽粒子(C-1)~(C-3)並攪拌直至變均勻後,進行減壓濺飛濃縮,藉此蒸餾去除溶劑。
繼而,製備添加有金屬化合物(D-1)、(D-2)之組合物,使其加熱硬化而獲得硬化物。又,製備於上述組合物中添加有屬於上述矽氧烷化合物(B1)之矽氧烷化合物(B1-1)~(B1-5)、屬於矽氧烷化合物(B2)之矽氧烷化合物(B2-1)~(B2-4)、或屬於矽氧烷化合物(B3)之矽氧烷化合物(B3-1)、(B3-2)的組合物,使其加熱硬化而獲得硬化物。
所使用之化合物係示於表2。
繼而,組合物之調配係示於表3中實施例1~21。再者,調配比於()內用質量份或ppm表示。
所得之實施例1~21之硬化物均未觀察到發泡及龜裂,亦無凝膠特有之黏著性(觸黏性),具有透明性,外觀良好且容易處理。
關於實施例1~21之2mm厚之硬化物,於硬化後不久及於150℃下200小時耐熱性試驗後,進行使用紫外可見分光裝置之透明性評價。對相對於波長400nm之入射光之透光率進行測定之結果是硬化後不久及耐熱性試驗後透過率為85%以上,未見由連續加熱所致之透明性之劣化。又,亦未見產生發泡及龜裂。
關於實施例1~21之2mm厚之硬化物,於硬化後不久進行藉由阻 水性試驗之阻氣性試驗。透濕度為15(g/m2.24h)以下,具有較高之阻氣性。
[比較例1]
LED、光電二極體、光波導連接部及各種太陽電池之密封材係藉由將無溶劑型且由A液與B液所組成之二液型熱硬化型有機聚矽氧樹脂(信越化學工業股份有限公司製造,製品編號APS-1111(A/B))於室溫(20℃)下流入至聚四氟乙烯(以下,存在稱作PTFE之情況)製之模具中,於150℃之加熱爐內加熱1小時而獲得硬化物。該硬化物係透濕度為4(g/m2.24hr),但耐熱性於硬化後不久透光率為85%以上且透明,於150℃下200小時耐熱性試驗後,進行黃色著色失去透明性,為耐熱性與阻氣性不併存之密封材。
[比較例2]
LED、光電二極體、光波導連接部及各種太陽電池之密封材係藉由將無溶劑型且由A液與B液所組成之二液型熱硬化型有機聚矽氧樹脂(信越化學工業股份有限公司製造、製品編號KER2500(A/B))於室溫(20℃)下流入至PTFE製之模具內,於150℃之加熱爐內加熱1小時而獲得硬化物。該硬化物於硬化後不久及於150℃下200小時耐熱性試驗後透光率為85%以上,未見由連續加熱所致之透明性之劣化,但透濕度為33(g/m2.24h),為耐熱性與阻氣性不併存之密封材。
如此,可知本發明之組合物硬化而成之硬化物於硬化後不久及於150℃下加熱200小時後亦維持透明性,發泡及龜裂均未產生,進而阻氣性亦優異。再者,於除去金屬化合物(D-1)、(D-2)進行製備之情形時,組合物即便進行加熱,亦為黏性物,有觸黏性,無法獲得硬化物。

Claims (13)

  1. 一種硬化性組合物,其包含:由通式(1)所表示之矽氧烷化合物(A)、 (式中,X分別獨立為通式X1或X2所表示之基, X1之個數為1~8之整數,X2之個數為0~7之整數,X1與X2之個數之和為8,式中,R1~R4分別獨立為氫原子、碳數1~8之烷基、烯基或炔基、或碳數6~8之芳基,該等烴基中之氫原子之一部分可取 代為氟原子,R5分別獨立為碳數1~18之烷基、烯基、炔基或碳數6~18之芳基,該等烴基中之氫原子之一部分可取代為氟原子,碳原子之一部分可取代為氧原子或氮原子,R6分別獨立為氫原子、乙烯基或烯丙基,m及n分別為1~4之整數,且3≦m+n)二氧化矽粒子(C)、及選自由鉑化合物、鈀化合物及銠化合物所組成之群中之至少一種金屬化合物(D)。
  2. 如請求項1之硬化性組成物,其中R5係選自由甲基、第三丁基、苯基、聯苯基、萘基、式(2)所表示之基、 (式中,t為1~3之整數)及式(3)所表示之基所組成之群中之至少一種基, (式中,u為1~3之整數)。
  3. 如請求項1之硬化性組合物,其進而含有具有至少1個鍵結於矽 原子上之氫原子或烯基之矽氧烷化合物(B)。
  4. 如請求項2之硬化性組合物,其進而含有具有至少1個鍵結於矽原子上之氫原子或烯基之矽氧烷化合物(B)。
  5. 如請求項3之硬化性組合物,其中矽氧烷化合物(B)係選自由通式(4)所表示之化合物(B1)、 (式中,R7為醚鍵、伸苯基、或通式(5)所表示之2價基, (式中,R11及R12分別獨立為氫原子、碳數1~8之烷基、烯基或炔基、或碳數6~8之芳基,該等烴基之氫原子之一部分可取代為氟原子,r為1~100之整數)該等基中之氫原子之一部分可取代為氟原子,R8及R9分別獨立為氫原子、碳數1~8之烷基、烯基或炔基、碳數6~8之芳基,R10為氫原子或乙烯基) 通式(6)所表示之化合物(B2)、 (式(6)中,R13分別獨立為氫原子或乙烯基,R14分別獨立為氫原子、碳數1~8之烷基或碳數6~8之芳基,該等烴基中之氫原子之一部分可取代為氟,s為3~7之整數)及通式(7)所表示之矽氧烷化合物(B3)所組成之群中之至少一種矽氧烷化合物,(R15R16R17SiO1/2)a(SiO4/2)b (7)(式中,R15~R17分別獨立為氫原子、碳數1~8之烷基、乙烯基,該等基中之氫原子之一部分可取代為氟原子,R15~R17中,至少兩個為氫原子或乙烯基,a及b為表示各矽氧烷單元之莫耳比之正數,且a+b=1,a為0.1~0.9,b為0.1~0.9)。
  6. 如請求項4之硬化性組合物,其中矽氧烷化合物(B)為選自由通式(4)所表示之化合物(B1)、 (式中,R7為醚鍵、伸苯基、或通式(5)所表示之2價基, (式中,R11及R12分別獨立為氫原子、碳數1~8之烷基、烯基或炔基、或碳數6~8之芳基,該等烴基之氫原子之一部分可取代為氟原子,r為1~100之整數)該等基中之氫原子之一部分可取代為氟原子,R8及R9分別獨立為氫原子、碳數1~8之烷基、烯基或炔基、碳數6~8之芳基,R10為氫原子或乙烯基)通式(6)所表示之矽氧烷化合物(B2)、 (式(6)中,R13分別獨立為氫原子或乙烯基,R14分別獨立為氫原子、碳數1~8之烷基或碳數6~8之芳基,該等烴基中之氫原子之一部分可取代為氟,s為3~7之整數)及通式(7)所表示之矽氧烷化合物(B3)所組成之群中之至少一 種矽氧烷化合物,(R15R16R17SiO1/2)a(SiO4/2)b (7)(式中,R15~R17分別獨立為氫原子、碳數1~8之烷基、乙烯基,該等基中之氫原子之一部分可取代為氟原子,R15~R17之中,至少兩個為氫原子或乙烯基,a及b為表示各矽氧烷單元之莫耳比之正數,a+b=1、a為0.1~0.9,b為0.1~0.9)。
  7. 如請求項1至6中任一項之硬化性組合物,其中二氧化矽粒子(C)為自膠體二氧化矽中蒸餾去除溶劑所得者。
  8. 如請求項7之硬化性組合物,其中膠體二氧化矽所含之溶劑之希德布朗溶解度參數為12MPa1/2以上、25MPa1/2以下。
  9. 如請求項1至6中任一項之硬化性化合物,其中二氧化矽粒子(C)為自下述矽化合物與膠體二氧化矽之混合物中蒸餾去除溶劑所得之二氧化矽粒子,該矽化合物係選自由通式(8)所表示之矽化合物(C1)、Si(OH)c(R18)d (8)(式中,R18分別獨立為選自由甲基、乙基、苯基、氫原子、乙烯基、三氟甲基、三氟乙基、三氟丙基、式(9)所表示之基、 (式中,t為1~3之整數)及式(10)所表示之基所組成之群中之至少一種基, (式中,u為1~3之整數)c為1~3之整數,d為1~3之整數,且c+d=4)通式(11)所表示之矽化合物(C2)、 (式中,R19~R24分別獨立為選自由甲基、乙基、苯基、氫原子、乙烯基、三氟甲基、三氟乙基、三氟丙基、式(12)所表示之基、 (式中,t為1~3之整數) 及式(13)所表示之基所組成之群中之至少一種基, (式中,u為1~3之整數))通式(14-1)所表示之矽化合物(C3)、Si(Cl)e(R25)f (14)(式(14)中,R25分別獨立為甲基、乙基、苯基、氫原子、乙烯基、三氟甲基、三氟乙基、三氟丙基、式(14-1)所表示之基、 (式中,t為1~3之整數)及式(15)所表示之基所組成之群中之至少一種基, (式中,u為1~3之整數) e為1~3之整數,f為1~3之整數,且e+f=4)以及通式(16)所表示之矽化合物(C4)所組成之群中之至少一種矽化合物,Si(OR26)g(R27)h (16)(式中,R26分別獨立為甲基、乙基,R27分別獨立為選自由甲基、乙基、苯基、氫原子、乙烯基、三氟甲基、三氟乙基、三氟丙基、式(17)所表示之基、 (式中,t為1~3之整數)及式(18)所表示之基所組成之群中之至少一種基, (式中,u為1~3之整數)g為1~3之整數,h為1~3之整數,且c+d=4)。
  10. 如請求項7之硬化性組合物,其中二氧化矽粒子(C)為自下述矽化合物與膠體二氧化矽之混合物中蒸餾去除溶劑所得之二氧化矽 粒子,該矽化合物為選自由通式(8)所表示之矽化合物(C1)Si(OH)c(R18)d (8)(式中,R18分別獨立為選自由甲基、乙基、苯基、氫原子、乙烯基、三氟甲基、三氟乙基、三氟丙基、式(9)所表示之基、 (式中,t為1~3之整數)及式(10)所表示之基所組成之群中之至少一種基, (式中,u為1~3之整數)c為1~3之整數,d為1~3之整數,且c+d=4)通式(11)所表示之矽化合物(C2)、 (式中,R19~R24分別獨立為選自由甲基、乙基、苯基、氫原子、乙烯基、三氟甲基、三氟乙基、三氟丙基、式(12)所表示之基、 (式中,t為1~3之整數)及式(13)所表示之基所組成之群中之至少一種基 (式中,u為1~3之整數))通式(14-1)所表示之矽化合物(C3)、Si(Cl)e(R25)f (14)(式(14)中,R25分別獨立為選自由甲基、乙基、苯基、氫原子、乙烯基、三氟甲基、三氟乙基、三氟丙基、式(14-1)所表示之基、 (式中,t為1~3之整數)及式(15)所表示之基所組成之群中之至少一種基, (式中,u為1~3之整數)e為1~3之整數,f為1~3之整數,且e+f=4)以及通式(16)所表示之矽化合物(C4)所組成之群中之至少一種矽化合物,Si(OR26)g(R27)h (16)(式中,R26分別獨立為甲基、乙基,R27分別獨立為選自由甲基、乙基、苯基、氫原子、乙烯基、三氟甲基、三氟乙基、三氟丙基、式(17)所表示之基、 (式中,t為1~3之整數)及式(18)所表示之基所組成之群中之至少一種基, (式中,u為1~3之整數)g為1~3之整數,h為1~3之整數,且c+d=4)。
  11. 如請求項8之硬化性組合物,其中二氧化矽粒子(C)為自下述矽化合物與膠體二氧化矽之混合物中蒸餾去除溶劑所得之二氧化矽粒子,該矽化合物為選自由通式(8)所表示之矽化合物(C1)、Si(OH)c(R18)d (8)(式中,R18分別獨立為選自由甲基、乙基、苯基、氫原子、乙烯基、三氟甲基、三氟乙基、三氟丙基、式(9)所表示之基、 (式中,t為1~3之整數)及式(10)所表示之基所組成之群中之至少一種基, (式中,u為1~3之整數)c為1~3之整數,d為1~3之整數,且c+d=4) 通式(11)所表示之矽化合物(C2)、 (式中,R19~R24分別獨立為選自由甲基、乙基、苯基、氫原子、乙烯基、三氟甲基、三氟乙基、三氟丙基、式(12)所表示之基、 (式中,t為1~3之整數)及式(13)所表示之基所組成之群中之至少一種基, (式中,u為1~3之整數))通式(14-1)所表示之矽化合物(C3)、 Si(Cl)e(R25)f (14)(式(14)中,R25分別獨立為選自由甲基、乙基、苯基、氫原子、乙烯基、三氟甲基、三氟乙基、三氟丙基、式(14-1)所表示之基、 (式中,t為1~3之整數)及式(15)所表示之基所組成之群中之至少一種基, (式中,u為1~3之整數)e為1~3之整數,f為1~3之整數,且e+f=4)以及通式(16)所表示之矽化合物(C4)所組成之群中之至少一種矽化合物,Si(OR26)g(R27)h (16)(式中,R26分別獨立為甲基、乙基,R27分別獨立為選自由甲基、乙基、苯基、氫原子、乙烯基、三氟甲基、三氟乙基、三氟丙基、式(17)所表示之基、 (式中,t為1~3之整數)及式(18)所表示之基所組成之群中之至少一種基, (式中,u為1~3之整數)g為1~3之整數,h為1~3之整數,且c+d=4)。
  12. 一種硬化物,其係如請求項1至11中任一項之硬化性組合物硬化而成。
  13. 一種半導體密封材,其包含如請求項1至11中任一項之硬化性組合物。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI677536B (zh) * 2017-08-16 2019-11-21 日商旭化成股份有限公司 矽醇組成物、硬化物、接著劑、使矽醇組成物硬化之方法

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5858027B2 (ja) * 2013-03-07 2016-02-10 Jsr株式会社 硬化性組成物、硬化物および光半導体装置
JP7158100B2 (ja) * 2016-09-30 2022-10-21 日産化学株式会社 架橋性オルガノポリシロキサン組成物、その硬化物及びled装置
JP7176180B2 (ja) * 2017-11-10 2022-11-22 信越化学工業株式会社 付加硬化性液状シリコーンゴム組成物
JP7053514B2 (ja) * 2019-02-07 2022-04-12 信越化学工業株式会社 付加硬化型シリコーン樹脂組成物、該組成物の硬化物、及び光学素子
JP7388865B2 (ja) * 2019-10-08 2023-11-29 信越化学工業株式会社 付加硬化型シリコーン組成物、その硬化物、及び半導体装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11106658A (ja) * 1997-09-24 1999-04-20 Dow Corning Asia Kk 光学的に透明な水素シルセスキオキサン樹脂組成物、その製造方法及び酸化ケイ素膜
JP4826160B2 (ja) * 2005-07-28 2011-11-30 ナガセケムテックス株式会社 光素子封止用樹脂組成物
JP4935972B2 (ja) * 2005-12-21 2012-05-23 Jsr株式会社 光半導体封止用組成物、その製造法および光半導体封止材
JPWO2007119627A1 (ja) * 2006-04-10 2009-08-27 宇部興産株式会社 硬化性組成物、シルセスキオキサン硬化物、及びこれらの製造方法
US8399592B2 (en) * 2007-04-17 2013-03-19 Kaneka Corporation Polyhedral polysiloxane modified product and composition using the modified product
JP2009173760A (ja) * 2008-01-23 2009-08-06 Kaneka Corp 液状多面体構造ポリシロキサン系化合物および該化合物を用いた組成物と硬化物。
JP6011230B2 (ja) * 2011-10-25 2016-10-19 セントラル硝子株式会社 シロキサン系組成物およびその硬化物ならびにその用途

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI677536B (zh) * 2017-08-16 2019-11-21 日商旭化成股份有限公司 矽醇組成物、硬化物、接著劑、使矽醇組成物硬化之方法

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