TW201420358A - 透光性導電性膜、其製造方法及其用途 - Google Patents
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Abstract
本發明之課題在於提供一種具有優良的蝕刻性且含有(A)透光性支撐層及(B)含有氧化銦之透光性導電層的透光性導電性膜。作為其解決手段，提供一種透光性導電性膜，其含有(A)含有高分子樹脂之透光性支撐層、及(B)含有氧化銦之透光性導電層，上述透光性導電層(B)直接或隔著一層以上之其他層而配置於上述透光性支撐層(A)之至少其中一面；該透光性導電性膜之特徵在於：由(Ibα-Ibα-0.025°)/(Iaα-Iaα-0.025°)表示之函數f(α)之平均值為0.08~5.00。
Description
本發明係關於一種透光性導電性膜、其製造方法及其用途。
作為搭載於觸控面板之透光性導電性膜，多使用下述之透光性導電性膜：於由聚酯等構成之透光性支撐層之至少一面，直接或隔著其他層配置有含有氧化銦之透光性導電層。
於將透光性導電性膜成形(所謂圖案化)為例如格子狀等之電極時，一旦配置透光性導電性膜之後，藉由化學處理僅對規定的區域將膜除去，即進行所謂蝕刻處理，結果，形成想要之形狀的電極。因此，難以藉由蝕刻處理進行蝕刻、或者容易過度地被蝕刻的透光性導電性膜，存在難以圖案化為想要之形狀等問題。
因此，作為搭載於觸控面板之透光性導電性膜，要求為容易藉由蝕刻處理而成形為所欲形狀之特性(所謂蝕刻性)優良的透光性導電性膜。
至目前為止，嘗試藉由控制含有氧化銦之透光性導電層的結晶性，而提供蝕刻性優良的透光性導電性膜(專利文獻1及2)。
[專利文獻1]日本特開2000-129427號公報
[專利文獻2]日本特許4269587號公報
本發明之課題在於提供一種具有優良的蝕刻性，且含有(A)含有高分子樹脂之透光性支撐層及(B)含有氧化銦之透光性導電層的透光性導電性膜。
本發明人等經反復潛心研究後，新發現於利用薄膜法之XRD測定中，聚酯之繞射強度與氧化銦之繞射強度具有特定關係之透光性導電性膜能解決上述問題。本發明係基於該新的見解進一步藉由反復進行各種研究而完成者，如下述。
項1
一種透光性導電性膜，其含有：(A)含有高分子樹脂之透光性支撐層、及(B)含有氧化銦之透光性導電層，該透光性導電層(B)直接或隔著一層以上之其他層配置於該透光性支撐層(A)之至少其中一面；該透光性導電性膜之特徵在於：由(Ibα-Ibα-0.025°)/(Iaα-Iaα-0.025°)表示之函數f(α)之平均值為0.08~5.00，(其中，α係由αmin+n×0.025°(n=1、2、3、……)表示的變數(其中，αmin係於0.100°以上之範圍內，在薄膜法XRD測定中可確認到(222)面之峰的最小入射角)，滿足下式(I)及(II)，
Iaα係入射角α之薄膜法XRD測定中源自高分子樹脂的2θ=26°附近的峰值強度，且Ibα係入射角α之薄膜法XRD測定中源自氧化銦的(222)面的峰值強度)。
項2
如項1之透光性導電性膜，其中，該透光性支撐層(A)之厚度為20~200μm。
項3
如項1或2之透光性導電性膜，其中，上述高分子樹脂為聚對酞酸乙二酯或聚碳酸酯。
項4
如項1至3中任一項之透光性導電性膜，其中，透光性導電層(B)之厚度為15~30nm。
項5
如項1至4中任一項之透光性導電性膜，其可藉由在大氣中以90~160℃加熱10~120分鐘而獲得。
項6
如項1至5中任一項之透光性導電性膜，其中，透光性導電層(B)含有將3~10%之SnO2添加於氧化銦而可獲得的氧化銦錫。
項7
一種觸控面板，其含有如項1至6中任一項之透光性導電性膜。
根據本發明，能提供一種具有優良蝕刻性，且含有(A)透光性支撐層及(B)含有氧化銦之透光性導電層的透光性導電性膜。
1‧‧‧透光性導電性膜
11‧‧‧透光性支撐層(A)
12‧‧‧透光性導電層(B)
13‧‧‧底塗層(C)
14‧‧‧硬塗層(D)
圖1係表示本發明之透光性導電性膜(透光性導電層(B)鄰接配置於透光性支撐層(A)之單面)的剖面圖。
圖2係表示本發明之透光性導電性膜(透光性導電層(B)鄰接配置於透光性支撐層(A)之雙面)的剖面圖。
圖3係將源自高分子樹脂之繞射強度作為橫軸，且將源自氧化銦之繞射強度作為縱軸，針對以彼此相差0.025°之連續的三種X射線入射角(α-0.025°、α°、α+0.025°)而分別測定出的源自高分子樹脂之繞射強度Ia及源自氧化銦之繞射強度Ib，分別作圖而得之圖表的一例。
圖4係函數f(α)之圖表的一例。
圖5係表示本發明之透光性導電性膜(於透光性支撐層(A)之單面依序彼此鄰接地配置有底塗層(C)及透光性導電層(B))的剖面圖。
圖6係表示本發明之透光性導電性膜(於透光性支撐層(A)之雙面依序彼此鄰接地配置有底塗層(C)及透光性導電層(B))的剖面圖。
圖7係表示本發明之透光性導電性膜(於透光性支撐層(A)之單面依序彼此鄰接地配置有硬塗層(D)、底塗層(C)及透光性導電層(B))的剖面圖。
圖8係表示本發明之透光性導電性膜(於透光性支撐層(A)之其中一
面依序彼此鄰接地配置有硬塗層(D)、底塗層(C)及透光性導電層(B)，且於另一面直接配置有另一硬塗層(D))的剖面圖。
圖9係表示本發明之透光性導電性膜(於透光性支撐層(A)之雙面依序彼此鄰接地配置有硬塗層(D)、底塗層(C)及透光性導電層(B))的剖面圖。
1. 透光性導電性膜本發明之透光性導電性膜含有：(A)含有高分子樹脂之透光性支撐層、及(B)含有氧化銦之透光性導電層，上述透光性導電層(B)直接或隔著一層以上之其他層配置於上述透光性支撐層(A)之至少其中一面；該透光性導電性膜之特徵在於：由(Ibα-Ibα-0.025°)/(Iaα-Iaα-0.025°)表示之函數f(α)之平均值為0.08~5.00，(其中，α係由αmin+n×0.025°(n=1、2、3、……)表示的變數(其中，αmin係於0.100°以上之範圍內，在薄膜法XRD測定中可確認到(222)面之峰的最小入射角)，滿足下式(I)及(II)，
Iaα係入射角α之薄膜法XRD測定中源自高分子樹脂的2θ=26°附近的峰值強度，且Ibα係入射角α之薄膜法XRD測定中源自氧化銦的(222)面的峰值強度)。
本發明中，「透光性」係指具有使光透射之性質(translucent)。「透光性」包含透明(transparent)。所謂「透光性」，係指例如總光線透射率為80%以上，較佳為85%以上，更佳為87%以上的性質。本發明中，總光線透射率係使用能見度計(hazemeter)(日本電色公司製造，商品名：NDH-2000，或者其同等品)，基於JIS-K-7105而測定。
本說明書中，當提及配置於透光性支撐層(A)之其中一面之多層中的兩層的相對位置關係時，有時，以透光性支撐層(A)為基準，將與透光性支撐層(A)之距離較遠的一邊之層稱為「上層」或「位於上方」等，而將與透光性支撐層(A)之距離較近的另一邊之層稱為「下層」或「位於下方」等。
圖1表示本發明之透光性導電性膜之一態樣。於該態樣，於透光性支撐層(A)之單面彼此鄰接地配置有透光性導電層(B)。有時將此種透光性導電性膜稱作「單面透光性導電性膜」。
圖2表示本發明之透光性導電性膜的另一態樣。該態樣，於透光性支撐層(A)之雙面彼此鄰接地配置有透光性導電層(B)。有時，將此種透光性導電性膜稱作「雙面透光性導電性膜」。
1.1 透光性支撐層(A)
本發明中，透光性支撐層係指於含有透光性導電層之透光性導電性膜
中，發揮支撐含有透光性導電層之層的作用者。作為透光性支撐層(A)，並無特別限定，例如，可使用觸控面板用透光性導電性膜中通常被用作透光性支撐層者。
透光性支撐層(A)含有高分子樹脂。作為高分子樹脂，並無特別限定，可列舉例如聚酯及聚碳酸酯(PC)等。作為高分子樹脂，較佳可列舉聚對酞酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)及PC等。作為高分子樹脂，尤佳為PET及PC。透光性支撐層(A)亦可含有二種以上的高分子樹脂。
透光性支撐層(A)亦可進而含有其他成分。透光性支撐層(A)中，除了一種以上的高分子樹脂以外，亦可進而含有二種以上的其他成分。
透光性支撐層(A)之厚度並無特別限定，較佳為20~200μm，更佳為25~200μm，再更佳為30~190μm，進而再更佳為50~150μm。透光性支撐層之厚度係使用厚度測定儀(尼康股份有限公司製造之DIGIMICRO MF501+MFC-101或其同等品)進行計量。
1.2 透光性導電層(B)
透光性導電層(B)含有氧化銦，亦可含有作為摻雜物之錫氧化物及/或鋅氧化物等。作為透光性導電層(B)，較佳為氧化銦錫(tin-doped indium oxide(ITO))。
透光性導電層(B)之素材並無特別限定，可列舉例如氧化銦、氧化鋅、氧化錫及氧化鈦等。作為透光性導電層(B)，自兼顧透明性及導電性方面而言，較佳為包含氧化銦中摻有摻雜物者的透光性導電層。
透光性導電層(B)亦可為由在氧化銦中摻有摻雜物者構成的透光性導電層。作為摻雜物，並無特別限定，可列舉例如氧化錫及氧化鋅以及其等之混合物等。
當使用氧化銦中摻有氧化錫者作為透光性導電層(B)之素材時，較佳為氧化銦(III)(In2O3)中摻有氧化錫(IV)(SnO2)者(tin-doped indium oxide；ITO)。此時，作為SnO2之添加量，並無特別限定，可列舉例如1~15重量%，較佳為2~10重量%，更佳為3~8重量%等。而且，亦可將於摻雜物之總量不超過下述數值範圍之範圍內向氧化銦錫中進而加入有其他摻雜物者用作透光性導電層(B)之素材。作為下述中之其他摻雜物，並無特別限定，可列舉例如硒等。
透光性導電層(B)可由上述各種素材中之任一者單獨構成，亦可由多種構成。
透光性導電層(B)並無特別限定，可為晶體或非晶體，或者其等之混合體。
透光性導電層(B)係直接或隔著一層以上之其他層配置於透光性支撐層(A)之至少其中一面。
透光性導電層(B)經由加熱處理而結晶化。隨著結晶化程度之發展，可使函數f(α)之值增加。換言之，於加熱處理之前，預先求出函數f(α)之平均值，根據需要進行加熱處理，藉此調整結晶化之程度，而可調整函數f(α)之值。
作為透光性導電層(B)，較佳於薄膜法XRD測定中，與其他峰相比，(222)面之峰最強。
透光性導電層(B)之厚度為15~30nm，較佳為16~28nm，更佳為17~25nm。
透光性導電層(B)之厚度係以如下方法測定。利用穿透式電子顯微鏡觀察進行測定。具體而言，利用切片機或聚焦離子束等對透光性導電性膜沿垂直於膜面之方向較薄地切斷，對其剖面進行觀察。
透光性導電層(B)之形成方法可使用濕式及乾式中之任一種。
作為透光性導電層(B)之形成方法，並無特別限定，可列舉例如離子鍍法、濺鍍法、真空蒸鍍法、CVD法、及脈衝雷射沈積法等。作為形成透光性導電層(B)之方法，較佳為濺鍍法。
為了得到於利用薄膜法進行入射角α之XRD測定中，高分子樹脂之繞射強度與氧化銦之繞射強度具有特定關係的本發明之透光性導電性膜，雖並無特別限定，但當利用濺鍍法形成透光性導電層(B)時，例如可適當調整氧分壓、作為基底之層的平均表面粗糙度(Ra)、水導入之分壓、成膜溫度及透光性導電層(B)之厚度的平衡性。
1.3 函數f(α)
本發明之透光性導電性膜之特徵在於，函數f(α)之平均值為0.08~5.00。
函數f(α)係由(Ibα-Ibα-0.025°)/(Iaα-Iaα-0.025°)
表示。
其中，
Iaα係入射角α之薄膜法XRD測定中源自高分子樹脂的2θ=26°附近的峰值強度，且Ibα係入射角α之薄膜法XRD測定中源自氧化銦的(222)面之峰值強度。
Iaα-0.025°係較入射角α小0.025°的X射線入射角之薄膜法XRD測定中源自高分子樹脂之2θ=26°附近的峰值強度，且Ibα-0.025°係較入射角α小0.025°之X射線入射角的薄膜法XRD測定中源自氧化銦之(222)面之峰值強度。
亦即，函數f(α)係以下述方式獲得。根據以相差0.025°的兩個X射線入射角所測定出之兩個X射線繞射圖案，獲得兩個源自高分子樹脂之繞射強度及兩個源自氧化銦之繞射強度。將源自高分子樹脂之繞射強度設為橫軸、且將源自氧化銦之繞射強度設為縱軸，分別對由以相差0.025°的兩個X射線入射角分別測定出之源自高分子樹脂之繞射強度及源自氧化銦之繞射強度所決定的兩個坐標進行作圖。函數f(α)係該兩點連成之直線的傾斜度(圖3)。
其中，α係由αmin+n×0.025°(n=1、2、3、……)
表示之變數(其中，αmin係於0.100°以上之範圍內，在薄膜法XRD測定中可確認到(222)面之峰的最小入射角)，滿足下式(I)及(II)。
總之，函數f(α)之平均值係指α為αmin+1×0.025°、αmin+2×0.025°、αmin+3×0.025°、……時f(α)分別可取的各數值之平均值。
另外，α之最小值，係於0.100°以上之範圍內，在薄膜法XRD測定中可確認到(222)面之峰的最小入射角αmin加上1×0.025°後所得者。
本發明中，「可確認到(222)面之峰」意指能由一般的方法確認，亦即，表示當已藉由背景處理去除背景時能確認到峰。與此相應的是如下等情況：於2θ為28°~34°之繞射圖案中，當以28°~29°及32°~34°之分佈為基礎進行背景處理時，源自(222)面之繞射強度強於背景。於上述範圍內，於產生來自他物質之繞射時，為了避免該繞射，可適當地變更作為基礎的範圍，進行背景處理。更具體而言，所謂「可確認到(222)面之峰」，係指上文中，與繞射圖案之前後之繞射圖案之傾向相比，(222)面之繞射強度較強。上文中，例如亦可與前後2.0°之繞射圖案之傾向進行比較。上文中，較佳為與前後1.5°之繞射圖案之傾向進行比較，更佳為與前後1°之繞射圖案之傾向進行比較。
而且，α的最大值係滿足f(α)0.7×f(α-0.025°)之最大值、及0.600°中的任一較小的值。其中，當兩者相同時，將該值作為α的最大值。將源自高分子樹脂之繞射強度設為橫軸，且將源自氧化銦之繞射強度設為縱軸，對根據由以位於該範圍內之各個入射角所測定出的各個X射線繞射圖案而獲得之源自高分子樹脂之繞射強度及源自氧化銦之繞射強度所決定的各個坐標進行作圖，圖中之各個點大致保持線型性(圖3)。
另外，圖4係表示由虛線框包圍之點彼此滿足上述式(I)及(II)，自左起所作之第4個點相對於自左起所作之第3個點不滿足f(α)
0.7×f(α-0.025°)的關係時之一例。
另外，於上文中之所有計算中，計算至小數點以後3位為止，對小數點以後之3位進行四捨五入。
X射線繞射係使用理學股份有限公司製造之薄膜評價用資料水平型X射線繞射裝置SmartLab或者其同等品，以薄膜法進行測定。使用平行光束光學配置，光源係以40kV、30mA之功率使用CuKa射線(波長：1.5418Å)。入射側狹縫系統係使用索勒狹縫5.0°、高度控制狹縫10mm、入射狹縫0.1mm，受光側狹縫係使用平行狹縫分析儀(PSA)0.114deg.。檢測器係使用閃爍計數器。試料台係使用多孔吸附試料架，以試料不會產生凹凸之程度對試料進行吸附固定。當無法強力地將捲曲吸附固定時，利用膠帶等對試料之端部進行輔助性固定，予以吸附固定。步距角及測定速度係適當地調整為能識別X射線繞射圖案的程度。作為一例，步距角及測定速度較佳為步距角0.02°、測定速度1.5°/min。測定範圍係於20°~35°內測定。
測定係於X射線之入射角為0.1~0.6°之範圍內自低角側起依序以0.025°為單位進行變更而分別進行測定。另外，因繞射線之強度會根據試料之固定狀態而有所不同，故而，試料係一直固定於試料台上直至一系列測定結束為止。無需使所得之X射線繞射圖案單色化，各峰值強度亦可使用去除背景後所得的值。試料係使用利用鼓風乾燥器等於大氣環境中在150℃下進行加熱處理1小時後所得者。
本發明中，各層之厚度係藉由穿透式電子顯微鏡進行觀察而求出。具體而言，使用切片機或聚焦離子束等對透光性導電性膜沿垂直於膜面之方向較薄地切斷，觀察其剖面。
1.4 底塗層(C)
本發明之透光性導電性膜中，可進而含有底塗層(C)，且至少一個透光性導電層(B)至少隔著底塗層(C)而配置於透光性支撐層(A)之面。
透光性導電層(B)亦可鄰接於底塗層(C)而配置。
圖5中表示本發明之單面透光性導電性膜的一態樣。該態樣下，底塗層(C)及透光性導電層(B)依序彼此鄰接地配置於透光性支撐層(A)之其中一面。
圖6中表示本發明之雙面透光性導電性膜的一態樣。該態樣下，底塗層(C)及透光性導電層(B)依序彼此鄰接地配置於透光性支撐層(A)之兩面。
底塗層(C)之素材並無特別限定，亦可為例如具有介電性者。作為底塗層(C)之素材並無特別限定，可列舉例如氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、碳化矽、矽烷醇、烷基矽氧及其縮合物、聚矽氧烷、倍半矽氧烷、聚矽氮烷、氧化鈮(V)等。底塗層(C)可由其中之任一者單獨構成，亦可由多種構成。
作為底塗層(C)，較佳為含有SiOx(x=1.0~2.0)之層。底塗層(C)亦可為由SiOx(x=1.0~2.0)構成之層。
底塗層(C)亦可配置有一層。或者將兩層以上彼此鄰接地、或者隔著其他層而彼此相隔地配置。底塗層(C)較佳由兩層以上彼此鄰接地配置。於例如三層彼此鄰接地配置時，較佳為，於中間配置由SiO2構成之底塗層(d-2)，且配置夾著該底塗層(d-2)且任一者均由SiOx(x=1.0~2.0)構成之底塗層(d-1)及(d-3)。
底塗層(C)之每一層之厚度並無特別限定，可列舉例如5~50nm等。當將兩層以上彼此鄰接地配置時，只要彼此鄰接之所有底塗層(C)的合計厚度處於上述範圍內即可。
底塗層(C)之厚度係以如下方式測定。利用穿透式電子顯微鏡進行觀察而求出。具體而言，使用切片機或聚焦離子束等，將透光性導電性膜垂直於膜面較薄地切斷，觀察其剖面。
而且，底塗層(C)亦包含為了賦予底塗層之下側之層與上側之層的密合性等之每單位面積的附著量少且藉由穿透式電子顯微鏡觀察無法確認其成為層者。此情況下，底塗層(C)之厚度係使用螢光X射線分析(XRF)裝置測定基於構成底塗層之物質的強度，且根據預先作成之校正曲線算出附著量，並使用塊體之密度而求出。
關於底塗層(C)之折射率，只要本發明之透光性導電性膜可用作觸控面板用透光性導電性膜，則並無特別限定，較佳為例如1.4~1.5。
關於配置底塗層(C)之方法，可為濕式及乾式中之任一種，並無特別限定，濕式可列舉例如溶膠-凝膠法、微粒子分散液、塗布膠體溶液之方法等。
作為配置底塗層(C)之方法，乾式可列舉例如使用濺鍍法、離子鍍法、真空蒸鍍法、化學氣相沈積法及脈衝雷射沈積法而積層於鄰接的層上之方法等。
1.5 硬塗層(D)
本發明之透光性導電性膜亦可進而含有硬塗層(D)。
於本發明之透光性導電性膜含有硬塗層(D)的情況時，至
少一層透光性導電層(B)至少隔著硬塗層(D)配置於透光性支撐層(A)之面。
圖7表示含有硬塗層(D)之本發明之單面透光性導電性膜的一態樣。該態樣下，於透光性支撐層(A)之一面依序彼此鄰接地配置有硬塗層(D)、底塗層(C)及透光性導電層(B)。
圖8表示含有硬塗層(D)之本發明之單面透光性導電性膜的另一態樣。該態樣下，於透光性支撐層(A)之一面依序彼此鄰接地配置有硬塗層(D)、底塗層(C)及透光性導電層(B)，且於透光性支撐層(A)之另一面直接配置有另一硬塗層(D)。
圖9表示含有硬塗層(D)之本發明之雙面透光性導電性膜的一態樣。該態樣下，於透光性支撐層(A)之兩面，依序彼此鄰接地配置有硬塗層(D)、底塗層(C)及透光性導電層(B)。
作為硬塗層(D)並無特別限定，可使用例如於觸控面板用透光性導電生膜中通常被用作硬塗層者。
硬塗層(D)之素材並無特別限定，可列舉例如丙烯酸系樹脂、聚矽氧系樹脂、胺基甲酸酯系樹脂、三聚氰胺系樹脂及醇酸系樹脂等。而且，硬塗層中，除了所例示之上述素材之外，亦可含有包含矽、鈮或氧化鋯等的填料。
硬塗層(D)之每一層之厚度並無特別限定，可列舉例如0.1~3μm、0.2~2μm、及0.3~1μm等。當將兩層以上彼此鄰接地配置時，只要彼此鄰接之所有硬塗層(D)的合計厚度處於上述範圍內即可。前文列舉之例示中，後示者優於前示者。硬塗層(D)之厚度係以如下方式測定。
利用穿透式電子顯微鏡進行觀察而求出。具體而言，利用切片機或聚焦離子束等，將透光性導電性膜垂直於膜面較薄地切斷，觀察其剖面。
作為配置硬塗層(D)之方法，並無特別限定，可列舉例如塗布於膜上且利用熱進行硬化的方法、利用紫外線或電子束等活性能量線進行硬化的方法等。自生產性方面考慮，較佳為利用紫外線進行硬化的方法。
本發明之透光性導電性膜較佳不含硬塗層(D)，或者即便含有，其厚度亦僅為0.3~1μm程度。
1.6 其他層(E)
本發明之透光性導電性膜中，於透光性支撐層(A)之至少其中一面，除了配置有透光性導電層(B)，亦可進而配置有選自由底塗層(C)、硬塗層(D)及與其等不同之至少1種其他層(E)組成之群中的至少1種層。
作為其他層(E)並無特別限定，可列舉例如接著層等。
接著層，係指被配置於兩層之間與該兩層彼此鄰接，且係用於將該兩層間彼此接著而配置的層。作為接著層，並無特別限定，可使用例如於觸控面板用透光性導電性膜中通常被用作接著層者。接著層可由其中之任一者單獨構成，亦可由多種構成。
而且，亦可於透光性導電層上形成含有銅、鎳、銀或鉻等的無機物層。此時，因存在上述無機物層，故有時無法進行XRD測定，此時，亦可利用含有硫酸鹽、氯化物、銨鹽或氫氧化物等之酸性水溶液或鹼性水溶液除去無機物層，適當地洗淨之後進行XRD測定。
1.7 本發明之透光性導電性膜之用途
本發明之透光性導電性膜的蝕刻性優良，因此容易進行透光性導電層(B)之圖案化。
因此，本發明之透光性導電性膜適於將透光性導電層(B)圖案化之後再使用的用途。
圖案化之方法並無特別限定，可例如以如下方法進行。首先，將抗蝕劑(用於保護層免受蝕刻液影響之保護膜)塗布於透光性導電層上欲保留的區域。塗布之方式雖亦取決於抗蝕劑之種類，但可利用網版印刷進行，當使用光阻劑時，以如下方式進行。使用旋轉塗布機或狹縫塗布機等將光阻劑塗布於透光性導電層上欲保留之區域，局部地照射光或電子束而使光阻劑之溶解性僅於該部分產生變化，之後，除去溶解性相對變低的部分(將此稱為顯影)。藉此，成為抗蝕劑僅存在於透光性導電層上欲保留區域的狀態。繼而，使蝕刻液作用於透光性導電層，選擇性地使透光性導電層中未受抗蝕劑保護之區域溶解，最後將該溶解物除去，藉此形成圖案。
由圖案化而形成之圖案的形狀並無特別限定，通常為條紋狀或鑽石狀。藉由將兩塊已圖案化為條紋狀之透光性導電性膜以條紋方向正交之方式重疊，可形成格子狀圖案。
作為將透光性導電層(B)圖案化後再使用之用途，並無特別限定，可列舉例如觸控面板、電子紙及太陽電池等。關於觸控面板之詳情，係如2中之說明所述。
2. 本發明之觸控面板
本發明之觸控面板含有本發明之透光性導電性膜，進一步根據需要而
含有其他構件而成。
作為本發明之觸控面板之具體構成例，可列舉如下構成。另外，將保護層(1)側朝向操作畫面側、將玻璃(5)側朝向操作畫面之相反側而使用。
(1)保護層
(2)本發明之透光性導電性膜(Y軸方向)
(3)絕緣層
(4)本發明之透光性導電性膜(X軸方向)
(5)玻璃
本發明之觸控面板並無特別限定，例如可藉由將上述(1)~(5)、及根據必要而使用之其他構件按照通常的方法加以組合而製造。
3. 本發明之透光性導電性膜之製造方法
本發明之透光性導電性膜之製造方法分別含有於透光性支撐層(A)之至少其中一面配置透光性導電層(B)的步驟。
本發明之透光性導電性膜之製造方法亦可分別含有如下步驟：於透光性支撐層(A)之至少其中一面，除了配置透光性導電層(B)之外，亦分別配置選自由底塗層(C)、硬塗層(D)及與其等不同之至少1種其他層(E)組成之群組中選擇的至少1種層。
上文中，配置各層之步驟係如針對各個層所作之說明。關於各個層之配置順序，並無特別限定。例如，亦可於透光性支撐層(A)之至少其中一面自透光性支撐層(A)側起依序配置。
或者，例如，亦可最初於並非透光性支撐層(A)之層(例如透光性導
電層(B))之其中一面配置其他層。或者，一方面藉由將兩種以上的層以彼此鄰接之方式配置而獲得1種複合層，之後或與此同時，另一方面同樣藉由將兩種以上的層以彼此鄰接之方式配置而獲得1種複合層，進而將該等兩種複合層以彼此鄰接之方式配置。
[實施例]
以下，利用實施例對本發明進行更詳細的說明，但本發明並不限於該等實施例。
實施例1
於厚度為125μm之PET樹脂基材上形成20nm之SiO2層，進而，成膜16nm的氧化銦錫。具體而言，作為靶材，使用由氧化銦：95重量%及氧化錫：5重量%構成之燒結體材料，利用DC磁控濺鍍法，形成SiO2層，於其上形成透光性導電層。於大氣中進行加熱處理，最後獲得本發明之透光性導電性膜。
透光性導電層係以如下方式形成。對腔室內進行真空排氣直至達到3.0×10-4Pa以下之後，向該腔室內導入氧氣及氬氣，使氧分壓達到4.5×10-3Pa，將腔室內壓力設為0.2~0.3Pa，將成膜溫度設為50℃而進行濺鍍處理。
其後，利用XRD對在大氣中以150℃進行加熱處理60分鐘後所得者進行評價。函數f(α)之平均值為1.07。而且，基礎層之表面粗糙度(Ra)為1.4nm。
另外，於所有實施例及比較例中，利用薄膜法進行之XRD測定及基礎層之表面粗糙度(Ra)係以如下方式進行。X射線繞射係使用
理學股份有限公司製造之薄膜評價用資料水平型X射線繞射裝置SmartLab且利用薄膜法而進行測定。使用平行光束光學配置，光源係以40kV、30mA之功率而使用CuKa射線(波長：1.5418Å)。入射側狹縫系統係使用索勒狹縫5.0°、高度控制狹縫10mm、入射狹縫0.1mm，受光側狹縫係使用平行狹縫分析儀(PSA)0.114deg.。檢測器係使用閃爍計數器。試料台係使用多孔吸附試料架，以試料不會產生凹凸之程度對試料進行吸附固定。步距角及測定速度分別設為步距角0.02°、測定速度1.5°/min，測定範圍係於20°~35°內測定。
XRD測定係於X射線之入射角為0.1~0.6°之範圍內自低角側起依序以0.025°為單位進行變更而分別測定。另外，因繞射線之強度會根據試料之固定狀態而有所不同，故而，試料係一直固定於試料台上直至一系列測定結束為止。而且，所得之X射線繞射圖案未單色化。
根據X射線繞射圖案求出入射角α下之源自PET樹脂之2θ=26°附近的峰值強度及源自氧化銦錫之(222)面之峰值強度，且求出本發明之函數f(α)之平均值。
基礎層之表面粗糙度(Ra)係藉由準備未成膜有透光性導電層之試料、使用原子力顯微鏡(島津製作所股份有限公司，SPM-9700)，以規定的接觸模式對於1μm見方的測定面，利用探針(奧林巴斯公司製造之OMCL-TR800-PSA-1彈簧常數0.15N/m)進行掃描而獲得的、相對於平均線之絕對偏差的平均值。
實施例2
於厚度為125μm之PET樹脂基材上形成20nm的SiO2層，且成膜22nm
之氧化銦錫。除此以外，與實施例1同樣地獲得本發明之透光性導電性膜。XRD之評價結果，函數f(α)之平均值為2.86。
實施例3
於厚度為125μm之PET樹脂基材上形成20nm的SiO2層，且成膜28nm之氧化銦錫。除此以外，與實施例1同樣地獲得本發明之透光性導電性膜。XRD之評價結果，函數f(α)之平均值為4.15。
比較例1
於厚度為125μm之PET樹脂基材上形成20nm的SiO2層，且成膜34nm之氧化銦錫。除此以外，與實施例1同樣地獲得本發明之透光性導電性膜。XRD之評價結果，函數f(α)之平均值為5.26。
實施例4
於厚度為125μm之PET樹脂基材上形成10nm之SiO2層，進而，成膜22nm之氧化銦錫。具體而言，作為靶材，使用由氧化銦：95重量%及氧化錫：5重量%構成之燒結體材料，利用DC磁控濺鍍法，形成SiO2層，於其上形成透光性導電層。於大氣中進行加熱處理，最後獲得本發明之透光性導電性膜。
透光性導電層係以如下方式形成。對腔室內進行真空排氣直至達到3.0×10-4Pa以下之後，向該腔室內導入氧氣、水及氬氣，使氧分壓達到4.5×10-3Pa且使水分壓達到2.0×10-4Pa，將腔室內壓力設為0.2~0.3Pa，將成膜溫度設為50℃而進行濺鍍處理。其後，利用XRD對在大氣中以150℃進行加熱處理60分鐘後所得者進行評價。函數f(α)之平均值為1.54。而且，基礎層之Ra為1.4nm。
實施例5
透光性導電層係以如下方式形成。對腔室內進行真空排氣直至達到3.0×10-4Pa以下之後，向該腔室內導入氧氣、水及氬氣，使氧分壓達到4.5×10-3Pa且使水分壓達到3.0×10-3Pa，將腔室內壓力設為0.2~0.3Pa，將成膜溫度設為50℃而進行濺鍍處理。除此以外，與實施例4同樣地獲得本發明之透光性導電性膜。XRD之評價結果，函數f(α)之平均值為0.25。
實施例6
透光性導電層之成膜溫度係設為80℃。除此以外，利用與實施例5相同的製法獲得本發明之透光性導電性膜。XRD之評價結果，函數f(α)之平均值為0.87。
實施例7
於成膜為透光性導電層時，不對基材進行加熱。除此以外，利用與實施例5相同的製法獲得本發明之透光性導電性膜。XRD之評價結果，函數f(α)之平均值為0.15。
比較例2
透光性導電層係以如下方式形成。對腔室內進行真空排氣直至達到3.0×10-4Pa以下之後，向該腔室內內導入氧氣、水及氬氣，使氧分壓達到4.5×10-3Pa且使水分壓達到2.0×10-2Pa，將腔室內壓力設為0.2~0.3Pa，將成膜溫度設為50℃而進行濺鍍處理。除此以外，利用與實施例4相同的製法獲得本發明之透光性導電性膜。
XRD之評價結果，未發現源自氧化銦之(222)面的繞射。
實施例8
於厚度為100μm之PET樹脂基材上形成20nm的SiO2層，進而，成膜22nm之氧化銦錫。具體而言，作為靶材，使用由氧化銦：95重量%及氧化錫：5重量%構成之燒結體材料，利用DC磁控濺鍍法，形成SiO2層，於其上形成透光性導電層。於大氣中進行加熱處理，最後獲得本發明之透光性導電性膜。
此時，調整SiO2成膜時之濺鍍電力，使基礎層之表面粗糙度(Ra)成為0.7nm。除此之外，與實施例2同樣地獲得本發明之透光性導電性膜。XRD之評價結果，函數f(α)之平均值為1.63。
實施例9
調整SiO2成膜時之濺鍍電力，使基礎層之表面粗糙度(Ra)成為2.5nm。除此之外，與實施例2同樣地獲得本發明之透光性導電性膜。XRD之評價結果，函數f(α)之平均值為3.65。
實施例10
調整SiO2成膜時之濺鍍電力，使基礎層之表面粗糙度(Ra)成為3.6nm。而且，於成膜透光性導電層時，未對基材進行加熱。除此之外，與實施例2同樣地獲得本發明之透光性導電性膜。XRD之評價結果為，函數f(α)之平均值為3.78。
實施例11
調整SiO2成膜時之濺鍍電力，使基礎層之表面粗糙度(Ra)成為3.6nm。除此之外，與實施例2同樣地獲得本發明之透光性導電性膜。XRD之評價結果，函數f(α)之平均值為4.55。
實施例12
調整SiO2成膜時之濺鍍電力，使基礎層之表面粗糙度(Ra)成為4.2nm。而且，作為靶材，使用由氧化銦：91重量%及氧化錫：9重量%構成之燒結體材料。除此之外，與實施例10同樣地獲得本發明之透光性導電性膜。XRD之評價結果，函數f(α)之平均值為4.77。
比較例3
調整SiO2成膜時之濺鍍電力，使基礎層之表面粗糙度(Ra)成為4.2nm。除此之外，與實施例2同樣地獲得本發明之透光性導電性膜。XRD之評價結果，函數f(α)之平均值為8.46。
實施例13
於成膜透光性導電層時導入氧氣及氬氣，使腔室內之氧分壓達到3.2×10-3Pa。除此之外，與實施例2同樣地獲得本發明之透光性導電性膜。XRD之評價結果，函數f(α)之平均值為1.39。
實施例14
於成膜透光性導電層時導入氧氣及氬氣，使腔室內之氧分壓達到5.4×10-3Pa。除此之外，與實施例2同樣地獲得本發明之透光性導電性膜。XRD之評價結果，函數f(α)之平均值為3.82。
實施例15
作為靶材，使用由氧化銦：92重量%及氧化錫：8重量%構成之燒結體材料。除此之外，與實施例2同樣地獲得本發明之透光性導電性膜。XRD之評價結果，函數f(α)之平均值為2.38。
實施例16
透光性導電層係以如下方式形成。對腔室內進行真空排氣直至達到3.0
×10-4Pa以下之後，向該腔室內導入氧氣、水及氬氣，使氧分壓達到4.5×10-3Pa且使水分壓達到1.0×10-4Pa，將腔室內壓力設為0.2~0.3Pa，將成膜溫度設為50℃而進行濺鍍處理。除此之外，與實施例4同樣地獲得本發明之透光性導電性膜。XRD之評價結果，函數f(α)之平均值為1.86。
實施例17
將水分壓設為7.0×10-4Pa，除此之外與實施例16同樣地獲得本發明之透光性導電性膜。XRD之評價結果，函數f(α)之平均值為1.02。
實施例18
調整SiO2成膜時之濺鍍電力，使基礎層之表面粗糙度(Ra)成為0.3nm，除此之外，與實施例2同樣地獲得本發明之透光性導電性膜。XRD之評價結果，函數f(α)之平均值為1.40。
實施例19
調整SiO2成膜時之濺鍍電力，使基礎層之表面粗糙度(Ra)成為0.5nm，除此之外，與實施例2同樣地獲得本發明之透光性導電性膜。XRD之評價結果，函數f(α)之平均值為1.46。
實施例20
調整SiO2成膜時之濺鍍電力，使基礎層之表面粗糙度(Ra)成為2.5nm，進而於PET樹脂基材上形成20nm的SiO2，除此之外，與實施例16同樣地獲得本發明之透光性導電性膜。XRD之評價結果，函數f(α)之平均值為3.65。
實施例21
將氧分壓設為4.0×10-3Pa，除此之外，與實施例2同樣地獲得本發明之
透光性導電性膜。XRD之評價結果，函數f(α)之平均值為2.33。
實施例22
將氧分壓設為4.9×10-3Pa，除此之外，與實施例2同樣地獲得本發明之透光性導電性膜。XRD之評價結果，函數f(α)之平均值為2.98。
比較例4
於成膜透光性導電層時導入氧氣及氬氣，使腔室內之氧分壓達到6.6×10-3Pa。除此之外，與實施例2同樣地獲得本發明之透光性導電性膜。XRD之評價結果，函數f(α)之平均值為6.16。
比較例5
於厚度為125μm之PET樹脂基材上形成20nm的SiO2層，且成膜10nm的氧化銦錫。除此之外，與實施例1同樣地獲得本發明之透光性導電性膜。XRD之評價結果，未發現源自氧化銦之(222)面的繞射。
蝕刻特性之評價係以如下方式進行。將透光性導電性膜浸漬於20%的鹽酸中，求出直至無法計量出表面電阻時為止的時間。透光性導電性膜係以於10秒~90秒範圍內以10秒間隔設定浸漬時間，且將無法計量出表面電阻時的時間作為蝕刻處理完成時間。
蝕刻處理完成時間為40秒、50秒時評價為「◎」，為30秒、60秒、70秒時評價為「○」，為20秒、80秒時評價為「△」，為10秒、90秒及其以上時評價為「×」。
針對所有實施例及比較例之各者，將函數f(α)之平均值及蝕刻特性之評價結果一併示於表1中。另外，表中之「222NG」係表示即便於0.100°以上之範圍內以0.025°為單位改變入射角而進行測定，亦未發現
源自氧化銦之(222)面之繞射的情況。
[表1]
根據表1之結果可知，蝕刻特性之評價結果係，當函數f(α)之平均值為0.08~5.00時為「△」或更佳的結果，當為0.2~4.00時為「○」或更佳的結果，當為1.5~3.00時為「◎」。
另外，「ITO(%)」係表示靶中所含之氧化銦以外的雜質即氧化錫的濃度。例如，當為「5%」時，表示係使用氧化銦：95重量%及氧化錫：5重量%的靶。
ITO之膜厚係利用穿透式電子顯微鏡進行觀察而求出。具體而言，係藉由使用聚焦離子束對於透光性導電性膜沿垂直於膜面之方向較薄地切斷，且觀察其剖面而求出。
1‧‧‧透光性導電性膜
11‧‧‧透光性支撐層(A)
12‧‧‧透光性導電層(B)
Claims (7)
- 一種透光性導電性膜，其含有：(A)含有高分子樹脂之透光性支撐層、及(B)含有氧化銦之透光性導電層，該透光性導電層(B)直接或隔著一層以上之其他層配置於該透光性支撐層(A)之至少其中一面；該透光性導電性膜之特徵在於：由(Ibα-Ibα-0.025°)/(Iaα-Iaα-0.025°)表示之函數f(α)之平均值為0.08~5.00，(其中，α係由αmin+n×0.025°(n=1、2、3、……)表示的變數(其中，αmin係於0.100°以上之範圍內，在薄膜法XRD測定中可確認到(222)面之峰的最小入射角)，滿足下式(I)及(II)，α≦0.600°……(I) f(α)≧0.7×f(α-0.025°)……(II)Iaα係入射角α之薄膜法XRD測定中源自聚酯的2θ=26°附近的峰值強度，且Ibα係入射角α之薄膜法XRD測定中源自氧化銦的(222)面的峰值強度)。
- 如申請專利範圍第1項之透光性導電性膜，其中，該透光性支撐層(A)之厚度為20~200μm。
- 如申請專利範圍第1或2項之透光性導電性膜，其中，該高分子樹脂為聚對酞酸乙二酯或聚碳酸酯。
- 如申請專利範圍第1至3項中任一項之透光性導電性膜，其中，透光性導電層(B)之厚度為15~30nm。
- 如申請專利範圍第1至4項中任一項之透光性導電性膜，其可藉由在大氣中以90~160℃加熱10~120分鐘而獲得。
- 如申請專利範圍第1至5項中任一項之透光性導電性膜，其中，透光性導電層(B)含有將3~10%之SnO2添加於氧化銦而可獲得的氧化銦錫。
- 一種觸控面板，其含有申請專利範圍第1至6項中任一項之透光性導電性膜。
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