JP2000129427A - 透明導電積層体の製造方法 - Google Patents
透明導電積層体の製造方法Info
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- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
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- Photovoltaic Devices (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 良好なエッチング特性を有する透明導電積層
体を与える製造方法を提供する。 【解決手段】 Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏを主成分とするターゲッ
トを用いた、ＤＣマグネトロンスパッタリング法による
透明導電積層体の製造方法において、不活性ガスと水分
を含む反応性ガスとからなる雰囲気における、不活性ガ
スに対する酸素と水分との合計分圧比が０．０３〜０．
００１の範囲であり、かつ水分の分圧に対する酸素の分
圧比が０〜１０の範囲である雰囲気中で、含有する溶媒
量が５重量％以下である高分子フィルムの上に製膜する
ことを特徴とする透明導電積層体の製造方法。
体を与える製造方法を提供する。 【解決手段】 Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏを主成分とするターゲッ
トを用いた、ＤＣマグネトロンスパッタリング法による
透明導電積層体の製造方法において、不活性ガスと水分
を含む反応性ガスとからなる雰囲気における、不活性ガ
スに対する酸素と水分との合計分圧比が０．０３〜０．
００１の範囲であり、かつ水分の分圧に対する酸素の分
圧比が０〜１０の範囲である雰囲気中で、含有する溶媒
量が５重量％以下である高分子フィルムの上に製膜する
ことを特徴とする透明導電積層体の製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は透明導電積層体の製
造方法に関し、特に高分子透明フィルムの上に透明導電
膜を設けてなるタイプの、エッチング特性が良好な透明
導電積層体の製造方法に関する。
造方法に関し、特に高分子透明フィルムの上に透明導電
膜を設けてなるタイプの、エッチング特性が良好な透明
導電積層体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】各種表示素子或いは薄膜太陽電池の電極
部には、可視光線透過率が高く、低抵抗な特性を有する
透明導電膜が欠かせない。また、近年の携帯移動端末の
急激な小型化・軽量化に伴って、透明電極基板にも、よ
り軽量の部材が要求されている。そのため、基板材料と
しては、ガラスに比べてより軽量な透明高分子材料にＩ
ｎ−Ｓｎ−Ｏを主成分とする膜（以下ＩＴＯ膜と記す）
を積層した透明導電性フィルムが使用されつつある。
部には、可視光線透過率が高く、低抵抗な特性を有する
透明導電膜が欠かせない。また、近年の携帯移動端末の
急激な小型化・軽量化に伴って、透明電極基板にも、よ
り軽量の部材が要求されている。そのため、基板材料と
しては、ガラスに比べてより軽量な透明高分子材料にＩ
ｎ−Ｓｎ−Ｏを主成分とする膜（以下ＩＴＯ膜と記す）
を積層した透明導電性フィルムが使用されつつある。
【０００３】ＩＴＯ膜をガラス及び／または高分子フィ
ルムに形成するためには、ＤＣマグネトロンスパッタリ
ング、ＲＦマグネトロンスパッタリング、真空蒸着法、
イオンプレーティング法が用いられている。現在は、Ｉ
ＴＯターゲットをスパッタリングし、ＩＴＯ膜を形成す
る方法が主流になっている。これは、スパッタリング法
が比較的容易に、比抵抗が低く平滑性の高い膜を形成す
ることができるためである。
ルムに形成するためには、ＤＣマグネトロンスパッタリ
ング、ＲＦマグネトロンスパッタリング、真空蒸着法、
イオンプレーティング法が用いられている。現在は、Ｉ
ＴＯターゲットをスパッタリングし、ＩＴＯ膜を形成す
る方法が主流になっている。これは、スパッタリング法
が比較的容易に、比抵抗が低く平滑性の高い膜を形成す
ることができるためである。
【０００４】高分子フィルム上に積層されたＩＴＯ膜も
ガラス基板上に積層されたＩＴＯ膜同様、電極として加
工される場合においては、エッチング処理を伴う。エッ
チング時における非晶部のエッチング速度は、結晶部の
エッチング速度に比して１００倍程度速い（表面技術第
４３巻４０頁（１９９２年））ため、結晶部の多いＩＴ
Ｏ膜では、エッチング後に結晶部が残渣として残ってし
まい、ＩＴＯ膜のパターニング特性が悪いということが
明らかにされている。一方、液晶表示素子の大面積化・
高精細化に伴い、電極加工においては、線幅の細さが要
求されている。このためには、ＩＴＯ膜の抵抗を低下さ
せることはもとより、エッチング加工特性に優れたＩＴ
Ｏ膜が必要とされている。
ガラス基板上に積層されたＩＴＯ膜同様、電極として加
工される場合においては、エッチング処理を伴う。エッ
チング時における非晶部のエッチング速度は、結晶部の
エッチング速度に比して１００倍程度速い（表面技術第
４３巻４０頁（１９９２年））ため、結晶部の多いＩＴ
Ｏ膜では、エッチング後に結晶部が残渣として残ってし
まい、ＩＴＯ膜のパターニング特性が悪いということが
明らかにされている。一方、液晶表示素子の大面積化・
高精細化に伴い、電極加工においては、線幅の細さが要
求されている。このためには、ＩＴＯ膜の抵抗を低下さ
せることはもとより、エッチング加工特性に優れたＩＴ
Ｏ膜が必要とされている。
【０００５】スパッタリング法により成膜されたＩＴＯ
膜の結晶部と非晶部は、成膜温度によっては、それらが
混在した状態となる。特に、成膜温度が２００℃以下の
場合、その傾向は顕著になる。このように結晶部と非晶
部が混在したＩＴＯ膜においてパターニング特性を向上
させるには、いかにしてＩＴＯ膜に非晶部のみを形成す
るかという問題を内在している。また、そのための成膜
制御技術が必要である。
膜の結晶部と非晶部は、成膜温度によっては、それらが
混在した状態となる。特に、成膜温度が２００℃以下の
場合、その傾向は顕著になる。このように結晶部と非晶
部が混在したＩＴＯ膜においてパターニング特性を向上
させるには、いかにしてＩＴＯ膜に非晶部のみを形成す
るかという問題を内在している。また、そのための成膜
制御技術が必要である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】一般に、結晶部を低減
した膜を形成するためには、成膜温度を室温乃至２００
℃程度にするという方法が取られている。しかし、ＩＴ
Ｏ膜の結晶部の低減は、成膜温度の低温化によってのみ
実現されるとは限らない。低温成膜においても、結晶部
と非晶部が混在したＩＴＯ膜が形成されてしまう。従っ
て、エッチング特性向上のためには、結晶部を極力低減
させる必要があり、それを実現するためには成膜温度の
制御のみでは対応できない。そこで、例えば混合ガスと
して不活性ガスに酸素及び水素を添加して結晶部を制御
するような手法が提案されている（特開平９−５０７１
２号公報）。しかしながら工業的なプロセスを考慮した
場合、爆発性の危険を伴う水素をプロセスに導入するこ
とは、安全の面から望ましいとは言い難い。また、比抵
抗を低減させるためではあるが、不活性ガスに酸素及び
水分を添加するという手法が提案されている（特開平２
−１６３３６３号公報）。しかし、雰囲気を制御すると
いう観点において、厳密性を欠いている。
した膜を形成するためには、成膜温度を室温乃至２００
℃程度にするという方法が取られている。しかし、ＩＴ
Ｏ膜の結晶部の低減は、成膜温度の低温化によってのみ
実現されるとは限らない。低温成膜においても、結晶部
と非晶部が混在したＩＴＯ膜が形成されてしまう。従っ
て、エッチング特性向上のためには、結晶部を極力低減
させる必要があり、それを実現するためには成膜温度の
制御のみでは対応できない。そこで、例えば混合ガスと
して不活性ガスに酸素及び水素を添加して結晶部を制御
するような手法が提案されている（特開平９−５０７１
２号公報）。しかしながら工業的なプロセスを考慮した
場合、爆発性の危険を伴う水素をプロセスに導入するこ
とは、安全の面から望ましいとは言い難い。また、比抵
抗を低減させるためではあるが、不活性ガスに酸素及び
水分を添加するという手法が提案されている（特開平２
−１６３３６３号公報）。しかし、雰囲気を制御すると
いう観点において、厳密性を欠いている。
【０００７】そこで、本発明では、製膜雰囲気の制御及
び用いる高分子フィルムに主眼を置き、雰囲気制御を通
じてエッチング特性の優れた、即ち、膜中の結晶部を低
減したＩＴＯ膜を製造する方法を提供するものである。
び用いる高分子フィルムに主眼を置き、雰囲気制御を通
じてエッチング特性の優れた、即ち、膜中の結晶部を低
減したＩＴＯ膜を製造する方法を提供するものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明における高分子フ
ィルム上へのＩＴＯ膜製造方法は、反応性ガスとして水
分及び酸素を不活性ガスに添加し、特定の高分子フィル
ム上に連続成膜することにより、ＩＴＯ膜の結晶化度を
制御する方法を提供する。
ィルム上へのＩＴＯ膜製造方法は、反応性ガスとして水
分及び酸素を不活性ガスに添加し、特定の高分子フィル
ム上に連続成膜することにより、ＩＴＯ膜の結晶化度を
制御する方法を提供する。
【０００９】すなわち本発明は、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏを主成
分とするターゲットを用いた、ＤＣマグネトロンスパッ
タリング法による透明導電積層体の製造方法において、
不活性ガスと水分を含む反応性ガスとからなる雰囲気に
おける、不活性ガスに対する酸素と水分との合計分圧比
が０．０３〜０．００１の範囲であり、かつ水分の分圧
に対する酸素の分圧比が０〜１０の範囲である雰囲気中
で、含有する溶媒量が５重量％以下である高分子フィル
ムの上に製膜することを特徴とする透明導電積層体の製
造方法である。
分とするターゲットを用いた、ＤＣマグネトロンスパッ
タリング法による透明導電積層体の製造方法において、
不活性ガスと水分を含む反応性ガスとからなる雰囲気に
おける、不活性ガスに対する酸素と水分との合計分圧比
が０．０３〜０．００１の範囲であり、かつ水分の分圧
に対する酸素の分圧比が０〜１０の範囲である雰囲気中
で、含有する溶媒量が５重量％以下である高分子フィル
ムの上に製膜することを特徴とする透明導電積層体の製
造方法である。
【００１０】具体的には、反応ガスとして導入する水分
と酸素について、水分の分圧に対する酸素の分圧比を０
〜１０の範囲内で所望の値となるように制御し、膜形成
を行うことを特徴としている。さらに、不活性ガスに対
する酸素及び水分の分圧比を０．０３〜０．００１の範
囲で所望の値となるように制御し膜形成を行うことを特
徴としている。さらにまた、フィルム中の含有溶媒量が
特定量以下の高分子フィルムを用いることを特徴として
いる。
と酸素について、水分の分圧に対する酸素の分圧比を０
〜１０の範囲内で所望の値となるように制御し、膜形成
を行うことを特徴としている。さらに、不活性ガスに対
する酸素及び水分の分圧比を０．０３〜０．００１の範
囲で所望の値となるように制御し膜形成を行うことを特
徴としている。さらにまた、フィルム中の含有溶媒量が
特定量以下の高分子フィルムを用いることを特徴として
いる。
【００１１】より好ましい態様は、上記製膜時におい
て、背圧を５×１０-5Ｔｏｒｒ以下とした後、水分を導
入し、ついで酸素及び不活性ガスを導入した雰囲気中で
製膜することを特徴とする上記透明導電積層体の製造方
法である。
て、背圧を５×１０-5Ｔｏｒｒ以下とした後、水分を導
入し、ついで酸素及び不活性ガスを導入した雰囲気中で
製膜することを特徴とする上記透明導電積層体の製造方
法である。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明において、本発明者らは真
空装置における背圧すなわち製膜時の所望の雰囲気とす
る前の真空槽内の雰囲気圧力は、1．0×１０-8Ｔｏｒｒ
程度までであれば、真空装置内の水分の分圧を意味して
いる点を見出した。つまり、背圧が５×１０-5Ｔｏｒｒ
のときは、雰囲気中に予め水分を５×１０-5Ｔｏｒｒ含
んだ状態であるということを意味している。従って、成
膜中のチャンバー内のガス種としては、不活性ガス（Ａ
ｒなど）及び反応ガスとして導入している酸素、そして
水分が存在していると考えることができる。
空装置における背圧すなわち製膜時の所望の雰囲気とす
る前の真空槽内の雰囲気圧力は、1．0×１０-8Ｔｏｒｒ
程度までであれば、真空装置内の水分の分圧を意味して
いる点を見出した。つまり、背圧が５×１０-5Ｔｏｒｒ
のときは、雰囲気中に予め水分を５×１０-5Ｔｏｒｒ含
んだ状態であるということを意味している。従って、成
膜中のチャンバー内のガス種としては、不活性ガス（Ａ
ｒなど）及び反応ガスとして導入している酸素、そして
水分が存在していると考えることができる。
【００１３】発明者らは背圧が水分を意味することに着
目し、背圧のもたらす水分以外に、外部からも積極的に
反応ガス中に導入することを鋭意検討した結果、背圧、
酸素及び水分の分圧比を制御することで、ＩＴＯ膜の結
晶部を任意に制御できることを明らかにした。
目し、背圧のもたらす水分以外に、外部からも積極的に
反応ガス中に導入することを鋭意検討した結果、背圧、
酸素及び水分の分圧比を制御することで、ＩＴＯ膜の結
晶部を任意に制御できることを明らかにした。
【００１４】反応ガスとして酸素のみを用いた場合、形
成されたＩＴＯ膜の結晶構造は、酸化インジウムのｂｉ
ｘｂｉｔｅ結晶サイトにおいて、部分的にＳｎが置換し
た状態にある。この中で、Ｉｎ或いはＳｎの入らないサ
イトが存在すると、そのサイトはOの静電的反発力によ
って、あたかも中心にＩｎ或いはＳｎが存在しているよ
うに秩序性を保ってしまい結晶部が形成される。一方、
反応ガス中に水分を添加した場合、水はプラズマ中にて
水素と酸素に分解されていると考えられる。このうち、
酸素の効果は、反応がスとして添加している酸素と同様
であるが、水素は、Ｉｎ或いはＳｎの入るべきサイトに
入り込み、その電荷を緩和し、静電的反発力を抑制す
る。Ｉｎ或いはＳｎに比して原子半径の小さな水素が、
O間に入ることにより構造が乱れ、結晶部は抑制され
る。
成されたＩＴＯ膜の結晶構造は、酸化インジウムのｂｉ
ｘｂｉｔｅ結晶サイトにおいて、部分的にＳｎが置換し
た状態にある。この中で、Ｉｎ或いはＳｎの入らないサ
イトが存在すると、そのサイトはOの静電的反発力によ
って、あたかも中心にＩｎ或いはＳｎが存在しているよ
うに秩序性を保ってしまい結晶部が形成される。一方、
反応ガス中に水分を添加した場合、水はプラズマ中にて
水素と酸素に分解されていると考えられる。このうち、
酸素の効果は、反応がスとして添加している酸素と同様
であるが、水素は、Ｉｎ或いはＳｎの入るべきサイトに
入り込み、その電荷を緩和し、静電的反発力を抑制す
る。Ｉｎ或いはＳｎに比して原子半径の小さな水素が、
O間に入ることにより構造が乱れ、結晶部は抑制され
る。
【００１５】本発明においては、反応性ＤＣマグネトロ
ンスパッタリングにおいて形成されたＩＴＯ膜の（２２
２）面に由来するＸ線回折強度を計測することにより、
結晶部の量を評価した。
ンスパッタリングにおいて形成されたＩＴＯ膜の（２２
２）面に由来するＸ線回折強度を計測することにより、
結晶部の量を評価した。
【００１６】線回折強度はＲｉｇａｋｕ社製Ｒｏｔａｆ
ｌｅｘ ＲＵ−３００において、ブラッグ−ブレンター
ノの光学配置によって測定した。光源にはＣｕＫα線
（波長：１．５４１Å）を５０ｋＶ、２００ｍＡのパワ
ーで用い、発散スリット１°、受光スリット１°及び散
乱スリット０．１５°を光学系として採用した。また、
グラファイトのモノクロメーターも使用した。ＩＴＯ膜
の（２２２）面からの回折線は、ＣｕＫα線を使用した
場合、およそ３０．５°（２θ）の位置に表われる。Ｉ
ＴＯ膜の（２２２）面からのＸ線回折強度は２９〜３２
°（２θ）の領域を０．０２°刻みで観測し、１刻みあ
たり２秒をかけた。
ｌｅｘ ＲＵ−３００において、ブラッグ−ブレンター
ノの光学配置によって測定した。光源にはＣｕＫα線
（波長：１．５４１Å）を５０ｋＶ、２００ｍＡのパワ
ーで用い、発散スリット１°、受光スリット１°及び散
乱スリット０．１５°を光学系として採用した。また、
グラファイトのモノクロメーターも使用した。ＩＴＯ膜
の（２２２）面からの回折線は、ＣｕＫα線を使用した
場合、およそ３０．５°（２θ）の位置に表われる。Ｉ
ＴＯ膜の（２２２）面からのＸ線回折強度は２９〜３２
°（２θ）の領域を０．０２°刻みで観測し、１刻みあ
たり２秒をかけた。
【００１７】こうして、得られたＸ線回折図形より求め
た（２２２）面からのＸ線回折強度を、そのＩＴＯ膜の
膜厚で規格化し、１０００Åあたりの強度に換算した値
をＩ２２２と定義した。
た（２２２）面からのＸ線回折強度を、そのＩＴＯ膜の
膜厚で規格化し、１０００Åあたりの強度に換算した値
をＩ２２２と定義した。
【００１８】膜室の背圧は電離真空計にて測定を行っ
た。反応ガスは不活性ガスに酸素を混合したガスボンベ
（高千穂化学工業株式会社）から導入した。酸素の分圧
は、酸素と不活性ガスの混合比及びガス流量と排気速度
から計算して求めた。水分はあらかじめ減圧しておいた
水タンクより、バリアブルリークバルブ（アネルバ
（株）製）を通じて成膜室に直接導入した。水分の分圧
はバリアブルリークバルブの開口率に比例し、酸素と不
活性ガスを導入する直前に、電離真空計にて測定した。
た。反応ガスは不活性ガスに酸素を混合したガスボンベ
（高千穂化学工業株式会社）から導入した。酸素の分圧
は、酸素と不活性ガスの混合比及びガス流量と排気速度
から計算して求めた。水分はあらかじめ減圧しておいた
水タンクより、バリアブルリークバルブ（アネルバ
（株）製）を通じて成膜室に直接導入した。水分の分圧
はバリアブルリークバルブの開口率に比例し、酸素と不
活性ガスを導入する直前に、電離真空計にて測定した。
【００１９】真空槽に導入する不活性ガス分圧に対す
る、酸素ガス分圧と水分圧の和は０．０３〜０．００１
の範囲である。酸素ガス分圧と水分圧の和が不活性ガス
分圧に対して０．０３を超えると、形成されるＩＴＯ膜
の化学量論比を超える程度に酸素がＩＴＯ膜中に供給さ
れる。その結果抵抗値が実用性を持たない値となってし
まう。一方、酸素ガス分圧と水分圧の和が不活性ガス分
圧に対して０．００１を下回ると、形成されるＩＴＯ膜
の透過率が著しく悪化してしまう。酸素ガス分圧と水分
圧の和が不活性ガス分圧に対して、０．０３〜０．００
１の範囲であれば、エッチング特性以外の特性において
は、ＩＴＯ膜の諸特性が著しく悪化することはない。よ
り好ましくは不活性ガス分圧に対する、酸素ガス分圧と
水分圧の和の比は０．０２〜０．００５の範囲である。
る、酸素ガス分圧と水分圧の和は０．０３〜０．００１
の範囲である。酸素ガス分圧と水分圧の和が不活性ガス
分圧に対して０．０３を超えると、形成されるＩＴＯ膜
の化学量論比を超える程度に酸素がＩＴＯ膜中に供給さ
れる。その結果抵抗値が実用性を持たない値となってし
まう。一方、酸素ガス分圧と水分圧の和が不活性ガス分
圧に対して０．００１を下回ると、形成されるＩＴＯ膜
の透過率が著しく悪化してしまう。酸素ガス分圧と水分
圧の和が不活性ガス分圧に対して、０．０３〜０．００
１の範囲であれば、エッチング特性以外の特性において
は、ＩＴＯ膜の諸特性が著しく悪化することはない。よ
り好ましくは不活性ガス分圧に対する、酸素ガス分圧と
水分圧の和の比は０．０２〜０．００５の範囲である。
【００２０】水分圧に対する酸素分圧が０〜１０の範囲
に入っていれば、膜中に水に由来するプロトンが効率的
に取り込まれ、ＩＴＯ膜の構造に乱れを生じさせ、全体
を非晶質とすることができる。水分圧に対する酸素分圧
が１０を超えると、ＩＴＯ膜が著しく結晶質となってし
まう。これに対して、水分圧に対する酸素分圧が０とい
うのは、ＡｒのみでＩＴＯ膜を形成することを意味して
いるが、水分のみの成膜においてでも、不活性ガス分圧
に対して、０．０３〜０．００１の範囲の分圧比であれ
ば、良好な膜質のＩＴＯ膜を得ることができる。より好
ましくは水分圧に対する酸素分圧の比は０．０２〜０．
００５の範囲である。
に入っていれば、膜中に水に由来するプロトンが効率的
に取り込まれ、ＩＴＯ膜の構造に乱れを生じさせ、全体
を非晶質とすることができる。水分圧に対する酸素分圧
が１０を超えると、ＩＴＯ膜が著しく結晶質となってし
まう。これに対して、水分圧に対する酸素分圧が０とい
うのは、ＡｒのみでＩＴＯ膜を形成することを意味して
いるが、水分のみの成膜においてでも、不活性ガス分圧
に対して、０．０３〜０．００１の範囲の分圧比であれ
ば、良好な膜質のＩＴＯ膜を得ることができる。より好
ましくは水分圧に対する酸素分圧の比は０．０２〜０．
００５の範囲である。
【００２１】高分子フィルムとしては、透明性に秀でて
いることが重要であり、例えばポリカーボネイト、ガラ
ス転移温度の高いポリカーボネイト、ポリエーテルスル
ホン、ポリアリレート等からなるフィルムが望ましい。
いることが重要であり、例えばポリカーボネイト、ガラ
ス転移温度の高いポリカーボネイト、ポリエーテルスル
ホン、ポリアリレート等からなるフィルムが望ましい。
【００２２】上記高分子フィルムは、溶融製膜法、溶液
製膜法等いずれの方法で製造されたものでよいが、溶液
法を用いると、残留溶媒としてかかる高分子フィルム中
に少量存在することができ、さらに得られるフィルムの
透明性が優れるので好ましい。かかる溶液法で用いる溶
媒としては、メチルクロライド、ジオキソラン等の沸点
が１００℃以下の低沸点化合物を用いるのが好ましい。
かかる溶媒は、フィルム中に残留溶媒として存在する
が、本発明によれば、驚くべきことにかかる残留溶媒量
が５重量％以下である高分子フィルムを用いて、製膜中
の雰囲気を制御することにより、結晶性を制御し、透明
性とエッチング特性が良好な透明導電積層体を得ること
ができる。これらの溶媒は沸点が低いために１０-3Ｔｏ
ｒｒ程度の圧力において高分子フィルム中から実質的に
すべて抜けるため、真空槽の到達真空度を５×１０-5Ｔ
ｏｒｒ以下にすることによって、最終的には十分に取り
除くことができるが、真空到達時間を遅延させ歩留まり
の向上の妨げにもなる。また溶媒量は５重量％より多い
と、エッチング特性が不十分となり、またＩＴＯ膜とフ
ィルムとの界面における密着性にも影響を及ぼすことが
ある。さらに残留溶媒はより望ましくは０．１重量％以
下０．００１重量％以上がよい。
製膜法等いずれの方法で製造されたものでよいが、溶液
法を用いると、残留溶媒としてかかる高分子フィルム中
に少量存在することができ、さらに得られるフィルムの
透明性が優れるので好ましい。かかる溶液法で用いる溶
媒としては、メチルクロライド、ジオキソラン等の沸点
が１００℃以下の低沸点化合物を用いるのが好ましい。
かかる溶媒は、フィルム中に残留溶媒として存在する
が、本発明によれば、驚くべきことにかかる残留溶媒量
が５重量％以下である高分子フィルムを用いて、製膜中
の雰囲気を制御することにより、結晶性を制御し、透明
性とエッチング特性が良好な透明導電積層体を得ること
ができる。これらの溶媒は沸点が低いために１０-3Ｔｏ
ｒｒ程度の圧力において高分子フィルム中から実質的に
すべて抜けるため、真空槽の到達真空度を５×１０-5Ｔ
ｏｒｒ以下にすることによって、最終的には十分に取り
除くことができるが、真空到達時間を遅延させ歩留まり
の向上の妨げにもなる。また溶媒量は５重量％より多い
と、エッチング特性が不十分となり、またＩＴＯ膜とフ
ィルムとの界面における密着性にも影響を及ぼすことが
ある。さらに残留溶媒はより望ましくは０．１重量％以
下０．００１重量％以上がよい。
【００２３】本発明においては、高分子フィルムとして
は、ポリカーボネイトフィルムが特に好ましい。フィル
ムの膜厚としては０．０１〜０．４ｍｍ、好ましくは
０．１〜０．４ｍｍである。生産性を考慮すると、ポリ
カーボネイトは薄いものが望まれるが、実際の使用形態
より０．１ｍｍ程度のものが望ましい。また、０．４ｍ
ｍ程度の厚みであれば、連続成膜が可能であるので、シ
ート状の基板を必要とするときには、高分子基板の厚み
が０．４ｍｍであっても構わない。
は、ポリカーボネイトフィルムが特に好ましい。フィル
ムの膜厚としては０．０１〜０．４ｍｍ、好ましくは
０．１〜０．４ｍｍである。生産性を考慮すると、ポリ
カーボネイトは薄いものが望まれるが、実際の使用形態
より０．１ｍｍ程度のものが望ましい。また、０．４ｍ
ｍ程度の厚みであれば、連続成膜が可能であるので、シ
ート状の基板を必要とするときには、高分子基板の厚み
が０．４ｍｍであっても構わない。
【００２４】上記高分子フィルムの少なくとも片面には
少なくとも１層以上からなるコーティング層が設けてあ
っても良い。コーティング層は、ガスバリア性を向上さ
せるため、および／またはＩＴＯと高分子フィルムとの
接着性を向上させることを目的として設けるものであ
り、有機材料および／または無機材料を用いることがで
きる。
少なくとも１層以上からなるコーティング層が設けてあ
っても良い。コーティング層は、ガスバリア性を向上さ
せるため、および／またはＩＴＯと高分子フィルムとの
接着性を向上させることを目的として設けるものであ
り、有機材料および／または無機材料を用いることがで
きる。
【００２５】本発明によれば、比抵抗が１×１０-3Ω・
ｃｍ以下で１×１０-4Ω・ｃｍ以上の範囲にある電気的
特性のＩＴＯ膜を得ることができる。そして、このよう
な電気的特性を持ったＩＴＯ膜において、Ｉ２２２とし
ては０以上、１０００以下程度を示すＩＴＯ膜がエッチ
ング特性の観点より望ましいＩＴＯ膜である。
ｃｍ以下で１×１０-4Ω・ｃｍ以上の範囲にある電気的
特性のＩＴＯ膜を得ることができる。そして、このよう
な電気的特性を持ったＩＴＯ膜において、Ｉ２２２とし
ては０以上、１０００以下程度を示すＩＴＯ膜がエッチ
ング特性の観点より望ましいＩＴＯ膜である。
【００２６】本発明におけるエッチング特性は、水：濃
塩酸：４０％ＦｅＣｌ3を８１：８：７重量％で混合し
たエッチング液を３０℃に加温し、その中にＩＴＯ膜を
積層した試料を浸し、膜の除去を目視によって評価し
た。また、１分以内にＩＴＯ膜が除去できることを、良
好なエッチング特性と呼ぶ。
塩酸：４０％ＦｅＣｌ3を８１：８：７重量％で混合し
たエッチング液を３０℃に加温し、その中にＩＴＯ膜を
積層した試料を浸し、膜の除去を目視によって評価し
た。また、１分以内にＩＴＯ膜が除去できることを、良
好なエッチング特性と呼ぶ。
【００２７】ＤＣマグネトロンスパッタリングに用いる
不活性ガスはＡｒを用いるのが一般的であるが、Ｎｅ、
Ｋｒ、Ｘｅを用いることもできる。
不活性ガスはＡｒを用いるのが一般的であるが、Ｎｅ、
Ｋｒ、Ｘｅを用いることもできる。
【００２８】
【実施例】［実施例１］ＩＴＯ膜は、巻き取り式ＤＣマ
グネトロンスパッタリング装置において、残留溶媒（メ
チレンクロライド）が０．１重量％で厚さが０．１ｍｍ
のポリカーボネイトフィルム上に、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏから
なり、Ｓｎの酸化物を５重量％含む焼結ターゲットに１
Ｗ／ｃｍ2の直流電力を投じることで形成した。フィル
ムを導入した状態で、真空槽内の背圧は３．０×１０-6
Ｔｏｒｒであった。導入水分圧は真空ゲージにて読み取
ったところ２×１０-5Ｔｏｒｒであった。残留水分及び
導入した水分の分圧の和は２．３×１０-5Ｔｏｒｒとな
る。また、成膜中、水分は連続的に導入しつづけた。成
膜時の真空槽内の圧力は不活性ガス、水分、酸素の各分
圧の和であるが、真空ゲージで調べたところ３ｍＴｏｒ
ｒであった。酸素Ａｒ混合ボンベから供給した酸素ガス
の分圧は４．４×１０-6Ｔｏｒｒであった。フィルムの
搬送速度は、ＩＴＯ膜厚が１３００Å程度になるように
調整した。水分圧に対する酸素分圧の比が、０．２であ
る反応ガス組成であり、不活性ガス分圧に対する酸素ガ
ス及び水分の分圧和の比は０．０１であった。この条件
で形成したＩＴＯ膜のＩ２２２は３７０であった。ま
た、エッチング特性は良好であった。比抵抗は６．６×
１０-4Ω・cmであった。
グネトロンスパッタリング装置において、残留溶媒（メ
チレンクロライド）が０．１重量％で厚さが０．１ｍｍ
のポリカーボネイトフィルム上に、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏから
なり、Ｓｎの酸化物を５重量％含む焼結ターゲットに１
Ｗ／ｃｍ2の直流電力を投じることで形成した。フィル
ムを導入した状態で、真空槽内の背圧は３．０×１０-6
Ｔｏｒｒであった。導入水分圧は真空ゲージにて読み取
ったところ２×１０-5Ｔｏｒｒであった。残留水分及び
導入した水分の分圧の和は２．３×１０-5Ｔｏｒｒとな
る。また、成膜中、水分は連続的に導入しつづけた。成
膜時の真空槽内の圧力は不活性ガス、水分、酸素の各分
圧の和であるが、真空ゲージで調べたところ３ｍＴｏｒ
ｒであった。酸素Ａｒ混合ボンベから供給した酸素ガス
の分圧は４．４×１０-6Ｔｏｒｒであった。フィルムの
搬送速度は、ＩＴＯ膜厚が１３００Å程度になるように
調整した。水分圧に対する酸素分圧の比が、０．２であ
る反応ガス組成であり、不活性ガス分圧に対する酸素ガ
ス及び水分の分圧和の比は０．０１であった。この条件
で形成したＩＴＯ膜のＩ２２２は３７０であった。ま
た、エッチング特性は良好であった。比抵抗は６．６×
１０-4Ω・cmであった。
【００２９】［実施例２］ＩＴＯ膜は、巻き取り式ＤＣ
マグネトロンスパッタリング装置において、残留溶媒
（メチレンクロライド）が０．１重量％で厚さが０．１
ｍｍのポリカーボネイトフィルム上に、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏ
からなり、Ｓｎの酸化物を５重量％含む焼結ターゲット
に１Ｗ／ｃｍ2の直流電力を投じることで形成した。フ
ィルムを導入した状態で、真空槽内の背圧は３．０×１
０-6Ｔｏｒｒであった。導入水分圧は真空ゲージにて読
み取ったところ２×１０-6Ｔｏｒｒであった。残留水分
及び導入した水分の分圧の和は５．０×１０-6Ｔｏｒｒ
となる。また、成膜中、水分は連続的に導入しつづけ
た。成膜時の真空槽内の圧力は不活性ガス、水分、酸素
の各分圧の和であるが、真空ゲージで調べたところ３ｍ
Ｔｏｒｒであった。酸素Ａｒ混合ボンベから供給した酸
素ガスの分圧は１．５×１０-5Ｔｏｒｒであった。基板
フィルムの搬送速度は、ＩＴＯ膜厚が１３００Å程度に
なるように調整した。水分圧に対する酸素分圧の比が、
３である反応ガス組成であり、不活性ガス分圧に対する
酸素ガス及び水分の分圧和の比は０．００７であった。
この条件で形成したＩＴＯ膜のＩ２２２は６００であっ
た。また、エッチング特性は良好であった。比抵抗は
７．２×１０-4Ω・cmであった。
マグネトロンスパッタリング装置において、残留溶媒
（メチレンクロライド）が０．１重量％で厚さが０．１
ｍｍのポリカーボネイトフィルム上に、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏ
からなり、Ｓｎの酸化物を５重量％含む焼結ターゲット
に１Ｗ／ｃｍ2の直流電力を投じることで形成した。フ
ィルムを導入した状態で、真空槽内の背圧は３．０×１
０-6Ｔｏｒｒであった。導入水分圧は真空ゲージにて読
み取ったところ２×１０-6Ｔｏｒｒであった。残留水分
及び導入した水分の分圧の和は５．０×１０-6Ｔｏｒｒ
となる。また、成膜中、水分は連続的に導入しつづけ
た。成膜時の真空槽内の圧力は不活性ガス、水分、酸素
の各分圧の和であるが、真空ゲージで調べたところ３ｍ
Ｔｏｒｒであった。酸素Ａｒ混合ボンベから供給した酸
素ガスの分圧は１．５×１０-5Ｔｏｒｒであった。基板
フィルムの搬送速度は、ＩＴＯ膜厚が１３００Å程度に
なるように調整した。水分圧に対する酸素分圧の比が、
３である反応ガス組成であり、不活性ガス分圧に対する
酸素ガス及び水分の分圧和の比は０．００７であった。
この条件で形成したＩＴＯ膜のＩ２２２は６００であっ
た。また、エッチング特性は良好であった。比抵抗は
７．２×１０-4Ω・cmであった。
【００３０】［実施例３］ＩＴＯ膜は、巻き取り式ＤＣ
マグネトロンスパッタリング装置において、残留溶媒
（メチレンクロライド）が０．１重量％で厚さが０．１
ｍｍのポリカーボネイトフィルム上に、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏ
からなり、Ｓｎの酸化物を５重量％含む焼結ターゲット
に１Ｗ／ｃｍ2の直流電力を投じることで形成した。フ
ィルムを導入した状態で、真空槽内の背圧は１．０×１
０-5Ｔｏｒｒであった。水分は外部から導入はしなかっ
た。水分の分圧は１．０×１０-5Ｔｏｒｒとなる。成膜
中においても水分は導入しなかった。成膜時の真空槽内
の圧力は不活性ガス、水分、酸素の各分圧の和である
が、真空ゲージで調べたところ３ｍＴｏｒｒであった。
酸素Ａｒ混合ボンベから供給した酸素ガスの分圧は１．
５×１０-5Ｔｏｒｒであった。基板フィルムの搬送速度
は、ＩＴＯ膜厚が１３００Å程度になるように調整し
た。水分圧に対する酸素分圧の比が、１．５である反応
ガス組成であり、不活性ガス分圧に対する酸素ガス及び
水分の分圧和の比は０．００８であった。この条件で形
成したＩＴＯ膜のＩ２２２は３００であった。また、エ
ッチング特性は良好であった。比抵抗は７．０×１０-4
Ω・cmであった。
マグネトロンスパッタリング装置において、残留溶媒
（メチレンクロライド）が０．１重量％で厚さが０．１
ｍｍのポリカーボネイトフィルム上に、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏ
からなり、Ｓｎの酸化物を５重量％含む焼結ターゲット
に１Ｗ／ｃｍ2の直流電力を投じることで形成した。フ
ィルムを導入した状態で、真空槽内の背圧は１．０×１
０-5Ｔｏｒｒであった。水分は外部から導入はしなかっ
た。水分の分圧は１．０×１０-5Ｔｏｒｒとなる。成膜
中においても水分は導入しなかった。成膜時の真空槽内
の圧力は不活性ガス、水分、酸素の各分圧の和である
が、真空ゲージで調べたところ３ｍＴｏｒｒであった。
酸素Ａｒ混合ボンベから供給した酸素ガスの分圧は１．
５×１０-5Ｔｏｒｒであった。基板フィルムの搬送速度
は、ＩＴＯ膜厚が１３００Å程度になるように調整し
た。水分圧に対する酸素分圧の比が、１．５である反応
ガス組成であり、不活性ガス分圧に対する酸素ガス及び
水分の分圧和の比は０．００８であった。この条件で形
成したＩＴＯ膜のＩ２２２は３００であった。また、エ
ッチング特性は良好であった。比抵抗は７．０×１０-4
Ω・cmであった。
【００３１】［実施例４］ＩＴＯ膜は、巻き取り式ＤＣ
マグネトロンスパッタリング装置において、残留溶媒
（メチレンクロライド）が０．５重量％で厚さが０．１
ｍｍのポリカーボネイトフィルム上に、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏ
からなり、Ｓｎの酸化物を５重量％含む焼結ターゲット
に１Ｗ／ｃｍ2の直流電力を投じることで形成した。フ
ィルムを導入した状態で、真空槽内の背圧は４．６×１
０-6Ｔｏｒｒであった。導入水分圧は真空ゲージにて読
み取ったところ１．３×１０-6Ｔｏｒｒであった。残留
水分及び導入した水分の分圧の和は５．９×１０-6Ｔｏ
ｒｒとなる。また、成膜中、水分は連続的に導入しつづ
けた。成膜時の真空槽内の圧力は不活性ガス、水分、酸
素の各分圧の和であるが、真空ゲージで調べたところ３
ｍＴｏｒｒであった。酸素Ａｒ混合ボンベから供給した
酸素ガスの分圧は１．８×１０-5Ｔｏｒｒであった。フ
ィルムの搬送速度は、ＩＴＯ膜厚が１３００Å程度にな
るように調整した。水分圧に対する酸素分圧の比が、３
である反応ガス組成であり、不活性ガス分圧に対する酸
素ガス及び水分の分圧和の比は０．００８であった。こ
の条件で形成したＩＴＯ膜のＩ２２２は３９０であっ
た。また、エッチング特性は良好であった。比抵抗は
６．２×１０-4Ω・cmであった。残留溶媒による膜の剥
離は起こらなかった。
マグネトロンスパッタリング装置において、残留溶媒
（メチレンクロライド）が０．５重量％で厚さが０．１
ｍｍのポリカーボネイトフィルム上に、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏ
からなり、Ｓｎの酸化物を５重量％含む焼結ターゲット
に１Ｗ／ｃｍ2の直流電力を投じることで形成した。フ
ィルムを導入した状態で、真空槽内の背圧は４．６×１
０-6Ｔｏｒｒであった。導入水分圧は真空ゲージにて読
み取ったところ１．３×１０-6Ｔｏｒｒであった。残留
水分及び導入した水分の分圧の和は５．９×１０-6Ｔｏ
ｒｒとなる。また、成膜中、水分は連続的に導入しつづ
けた。成膜時の真空槽内の圧力は不活性ガス、水分、酸
素の各分圧の和であるが、真空ゲージで調べたところ３
ｍＴｏｒｒであった。酸素Ａｒ混合ボンベから供給した
酸素ガスの分圧は１．８×１０-5Ｔｏｒｒであった。フ
ィルムの搬送速度は、ＩＴＯ膜厚が１３００Å程度にな
るように調整した。水分圧に対する酸素分圧の比が、３
である反応ガス組成であり、不活性ガス分圧に対する酸
素ガス及び水分の分圧和の比は０．００８であった。こ
の条件で形成したＩＴＯ膜のＩ２２２は３９０であっ
た。また、エッチング特性は良好であった。比抵抗は
６．２×１０-4Ω・cmであった。残留溶媒による膜の剥
離は起こらなかった。
【００３２】［比較例１］ＩＴＯ膜は、巻き取り式ＤＣ
マグネトロンスパッタリング装置において、残留溶媒
（メチレンクロライド）が０．１重量％で厚さが０．１
ｍｍのポリカーボネイトフィルム上に、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏ
からなり、Ｓｎの酸化物を５重量％含む焼結ターゲット
に１Ｗ／ｃｍ2の直流電力を投じることで形成した。フ
ィルムを導入した状態で、真空槽内の背圧は３．０×１
０-6Ｔｏｒｒであった。水分は外部から導入しなかっ
た。残留水分の分圧は３．０×１０-6Ｔｏｒｒとなる。
成膜中においても水分は導入しなかった。成膜時の真空
槽内の圧力は不活性ガス、水分、酸素の各分圧の和であ
るが、真空ゲージで調べたところ３ｍＴｏｒｒであっ
た。酸素Ａｒ混合ボンベから供給した酸素ガスの分圧は
３．８×１０-5Ｔｏｒｒであった。基板フィルムの搬送
速度は、ＩＴＯ膜厚が１３００Å程度になるように調整
した。水分圧に対する酸素分圧の比が、１３である反応
ガス組成であり、不活性ガス分圧に対する酸素ガス及び
水分の分圧和の比は０．０１であった。この条件で形成
したＩＴＯ膜のＩ２２２は１０９０であった。エッチン
グ特性は良好でなかった。比抵抗は１．５×１０-3Ω・
ｃｍであった。エッチングの観点からも、比抵抗の観点
からも好ましい膜は形成できなかった。
マグネトロンスパッタリング装置において、残留溶媒
（メチレンクロライド）が０．１重量％で厚さが０．１
ｍｍのポリカーボネイトフィルム上に、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏ
からなり、Ｓｎの酸化物を５重量％含む焼結ターゲット
に１Ｗ／ｃｍ2の直流電力を投じることで形成した。フ
ィルムを導入した状態で、真空槽内の背圧は３．０×１
０-6Ｔｏｒｒであった。水分は外部から導入しなかっ
た。残留水分の分圧は３．０×１０-6Ｔｏｒｒとなる。
成膜中においても水分は導入しなかった。成膜時の真空
槽内の圧力は不活性ガス、水分、酸素の各分圧の和であ
るが、真空ゲージで調べたところ３ｍＴｏｒｒであっ
た。酸素Ａｒ混合ボンベから供給した酸素ガスの分圧は
３．８×１０-5Ｔｏｒｒであった。基板フィルムの搬送
速度は、ＩＴＯ膜厚が１３００Å程度になるように調整
した。水分圧に対する酸素分圧の比が、１３である反応
ガス組成であり、不活性ガス分圧に対する酸素ガス及び
水分の分圧和の比は０．０１であった。この条件で形成
したＩＴＯ膜のＩ２２２は１０９０であった。エッチン
グ特性は良好でなかった。比抵抗は１．５×１０-3Ω・
ｃｍであった。エッチングの観点からも、比抵抗の観点
からも好ましい膜は形成できなかった。
【００３３】［比較例２］ＩＴＯ膜は、巻き取り式ＤＣ
マグネトロンスパッタリング装置において、残留溶媒
（メチレンクロライド）が０．１重量％で厚さが０．１
ｍｍのポリカーボネイトフィルム上に、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏ
からなり、Ｓｎの酸化物を５重量％含む焼結ターゲット
に１Ｗ／ｃｍ2の直流電力を投じることで形成した。フ
ィルムを導入した状態で、真空槽内の背圧は６．０×１
０-5Ｔｏｒｒであった。水分の分圧は６．０×１０-5Ｔ
ｏｒｒとなる。成膜中においても水分は導入しなかっ
た。成膜時の真空槽内の圧力は不活性ガス、水分、酸素
の各分圧の和であるが、真空ゲージで調べたところ３ｍ
Ｔｏｒｒであった。酸素Ａｒ混合ボンベから供給した酸
素ガスの分圧は３．８×１０-5Ｔｏｒｒであった。基板
フィルムの搬送速度は、ＩＴＯ膜厚が１３００Å程度に
なるように調整した。水分圧に対する酸素分圧の比が、
０．６である反応ガス組成であり、不活性ガス分圧に対
する酸素ガス及び水分の分圧和の比は０．０４であっ
た。この条件で形成したＩＴＯ膜のＩ２２２は０であっ
た。エッチング特性は良好であった。しかし、比抵抗値
は２．５×１０-3Ω・ｃｍとなってしまい実用性を喪失
した。
マグネトロンスパッタリング装置において、残留溶媒
（メチレンクロライド）が０．１重量％で厚さが０．１
ｍｍのポリカーボネイトフィルム上に、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏ
からなり、Ｓｎの酸化物を５重量％含む焼結ターゲット
に１Ｗ／ｃｍ2の直流電力を投じることで形成した。フ
ィルムを導入した状態で、真空槽内の背圧は６．０×１
０-5Ｔｏｒｒであった。水分の分圧は６．０×１０-5Ｔ
ｏｒｒとなる。成膜中においても水分は導入しなかっ
た。成膜時の真空槽内の圧力は不活性ガス、水分、酸素
の各分圧の和であるが、真空ゲージで調べたところ３ｍ
Ｔｏｒｒであった。酸素Ａｒ混合ボンベから供給した酸
素ガスの分圧は３．８×１０-5Ｔｏｒｒであった。基板
フィルムの搬送速度は、ＩＴＯ膜厚が１３００Å程度に
なるように調整した。水分圧に対する酸素分圧の比が、
０．６である反応ガス組成であり、不活性ガス分圧に対
する酸素ガス及び水分の分圧和の比は０．０４であっ
た。この条件で形成したＩＴＯ膜のＩ２２２は０であっ
た。エッチング特性は良好であった。しかし、比抵抗値
は２．５×１０-3Ω・ｃｍとなってしまい実用性を喪失
した。
【００３４】［比較例３］ＩＴＯ膜は、巻き取り式ＤＣ
マグネトロンスパッタリング装置において、残留溶媒メ
チレンクロライド）が７．５重量％で厚さが０．１ｍｍ
のポリカーボネイトフィルム上に、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏから
なり、Ｓｎの酸化物を５重量％含む焼結ターゲットに１
Ｗ／ｃｍ2の直流電力を投じることで形成した。フィル
ムを導入した状態で、真空槽内の背圧は３．０×１０-6
Ｔｏｒｒであった。導入水分圧は真空ゲージにて読み取
ったところ２．０×１０-5Ｔｏｒｒであった。残留水分
及び導入した水分の分圧の和は２．３×１０-6Ｔｏｒｒ
となる。また、成膜中、水分は連続的に導入しつづけ
た。成膜時の真空槽内の圧力は不活性ガス、水分、酸素
の各分圧の和であるが、真空ゲージで調べたところ３ｍ
Ｔｏｒｒであった。酸素Ａｒ混合ボンベから供給した酸
素ガスの分圧は４．４×１０-6Ｔｏｒｒであった。基板
フィルムの搬送速度は、ＩＴＯ膜厚が１３００Å程度に
なるように調整した。水分圧に対する酸素分圧の比が、
０．２である反応ガス組成であり、不活性ガス分圧に対
する酸素ガス及び水分の分圧和の比は０．０１であっ
た。この条件で形成したＩＴＯ膜のＩ２２２は３００で
あった。比抵抗は７．５×１０-4Ω・cmであった。しか
し、真空槽内の背圧が３．０×１０−６Ｔｏｒｒに到達
するために、実施例１に比較して５倍程度の時間がかか
り、排気系への負荷が非常に大きくなる。さらに、密着
性が悪く剥離が容易に起こってしまい、実用上不適であ
った。エッチング特性は十分ではなかった。
マグネトロンスパッタリング装置において、残留溶媒メ
チレンクロライド）が７．５重量％で厚さが０．１ｍｍ
のポリカーボネイトフィルム上に、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏから
なり、Ｓｎの酸化物を５重量％含む焼結ターゲットに１
Ｗ／ｃｍ2の直流電力を投じることで形成した。フィル
ムを導入した状態で、真空槽内の背圧は３．０×１０-6
Ｔｏｒｒであった。導入水分圧は真空ゲージにて読み取
ったところ２．０×１０-5Ｔｏｒｒであった。残留水分
及び導入した水分の分圧の和は２．３×１０-6Ｔｏｒｒ
となる。また、成膜中、水分は連続的に導入しつづけ
た。成膜時の真空槽内の圧力は不活性ガス、水分、酸素
の各分圧の和であるが、真空ゲージで調べたところ３ｍ
Ｔｏｒｒであった。酸素Ａｒ混合ボンベから供給した酸
素ガスの分圧は４．４×１０-6Ｔｏｒｒであった。基板
フィルムの搬送速度は、ＩＴＯ膜厚が１３００Å程度に
なるように調整した。水分圧に対する酸素分圧の比が、
０．２である反応ガス組成であり、不活性ガス分圧に対
する酸素ガス及び水分の分圧和の比は０．０１であっ
た。この条件で形成したＩＴＯ膜のＩ２２２は３００で
あった。比抵抗は７．５×１０-4Ω・cmであった。しか
し、真空槽内の背圧が３．０×１０−６Ｔｏｒｒに到達
するために、実施例１に比較して５倍程度の時間がかか
り、排気系への負荷が非常に大きくなる。さらに、密着
性が悪く剥離が容易に起こってしまい、実用上不適であ
った。エッチング特性は十分ではなかった。
【００３５】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、不活性ガ
スに、反応ガスとして水分と必要に応じて酸素とを用
い、それらの分圧比を０〜１０の範囲で制御することに
より、Ｉ２２２を１０００以下に制御することができ
る。また、本発明により形成したＩＴＯ膜は良好なエッ
チング特性を有する。このように得られた透明導電積層
体は、液晶表示装置用、タッチパネル用等の透明電極基
板に特に有用である。
スに、反応ガスとして水分と必要に応じて酸素とを用
い、それらの分圧比を０〜１０の範囲で制御することに
より、Ｉ２２２を１０００以下に制御することができ
る。また、本発明により形成したＩＴＯ膜は良好なエッ
チング特性を有する。このように得られた透明導電積層
体は、液晶表示装置用、タッチパネル用等の透明電極基
板に特に有用である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 坪井 誠治 東京都日野市旭が丘４丁目３番２号 帝人 株式会社東京研究センター内 (72)発明者 谷田部 俊明 東京都日野市旭が丘４丁目３番２号 帝人 株式会社東京研究センター内 Ｆターム(参考） 4K029 AA11 AA25 BA50 BC09 CA06 DC05 DC34 DC39 EA01 EA03 EA05 5F051 BA15 CB15 CB27 CB29 FA04 GA05 5G323 BA02 BB05
Claims (7)
- 【請求項１】 Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏを主成分とするターゲッ
トを用いた、ＤＣマグネトロンスパッタリング法による
透明導電積層体の製造方法において、不活性ガスと水分
を含む反応性ガスとからなる雰囲気における、不活性ガ
スに対する酸素と水分との合計分圧比が０．０３〜０．
００１の範囲であり、かつ水分の分圧に対する酸素の分
圧比が０〜１０の範囲である雰囲気中で、含有する溶媒
量が５重量％以下である高分子フィルムの上に製膜する
ことを特徴とする透明導電積層体の製造方法。 - 【請求項２】 背圧を５×１０-5Ｔｏｒｒ以下とした
後、水分を導入し、ついで酸素及び不活性ガスを導入し
た雰囲気中で製膜することを特徴とする請求項1記載の
透明導電積層体の製造方法。 - 【請求項３】 雰囲気中に存在する水分は、製膜中随時
添加されることを特徴とする請求項1または２記載の透
明導電積層体の製造方法。 - 【請求項４】 高分子フィルムは、溶液製膜法により製
造されたものである請求項1〜３のいずれかに記載の透
明導電積層体の製造方法。 - 【請求項５】 高分子フィルムの膜厚が０．４ｍｍ以下
であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載
の透明導電積層体の製造方法。 - 【請求項６】 高分子フィルムの少なくとも片面に少な
くとも１層以上のコーティング層が設けられていること
を特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の透明導電
積層体の製造方法。 - 【請求項７】 コーティング層が有機材料及び／または
無機材料からなる請求項６に記載の透明導電積層体の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10297946A JP2000129427A (ja) | 1998-10-20 | 1998-10-20 | 透明導電積層体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10297946A JP2000129427A (ja) | 1998-10-20 | 1998-10-20 | 透明導電積層体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000129427A true JP2000129427A (ja) | 2000-05-09 |
Family
ID=17853146
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10297946A Pending JP2000129427A (ja) | 1998-10-20 | 1998-10-20 | 透明導電積層体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000129427A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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