JP2013224009A - 光透過性導電性フィルム、その製造方法及びその用途 - Google Patents
光透過性導電性フィルム、その製造方法及びその用途 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013224009A JP2013224009A JP2012267495A JP2012267495A JP2013224009A JP 2013224009 A JP2013224009 A JP 2013224009A JP 2012267495 A JP2012267495 A JP 2012267495A JP 2012267495 A JP2012267495 A JP 2012267495A JP 2013224009 A JP2013224009 A JP 2013224009A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- light
- light transmissive
- conductive film
- optical adjustment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 6
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 104
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 94
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 69
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 33
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 17
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 15
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 40
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 6
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 claims description 3
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 50
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 48
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 16
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 232
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 18
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 14
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 14
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 13
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 11
- 239000012789 electroconductive film Substances 0.000 description 8
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 7
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 5
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 2
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 241000252073 Anguilliformes Species 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 1
- 229930182556 Polyacetal Natural products 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- 229920001328 Polyvinylidene chloride Polymers 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000180 alkyd Polymers 0.000 description 1
- 125000005376 alkyl siloxane group Chemical group 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005430 electron energy loss spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001938 gadolinium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940075613 gadolinium oxide Drugs 0.000 description 1
- CMIHHWBVHJVIGI-UHFFFAOYSA-N gadolinium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Gd+3].[Gd+3] CMIHHWBVHJVIGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930192419 itoside Natural products 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 1
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 229920001709 polysilazane Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 239000005033 polyvinylidene chloride Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Position Input By Displaying (AREA)
Abstract
【解決手段】前記光学調整層(B)が、ジルコニアを含有し、かつ厚さ0.5〜3μmであり;かつ
薄膜法によるXRD測定において、ジルコニアに由来する2θ=28°付近のピーク、及び酸化インジウムに由来する(222)面のピークを示す
ことを特徴とする、光透過性導電性フィルム。
【選択図】図1
Description
項1
(A)光透過性支持層;
(B)光学調整層;及び
(C)酸化インジウムを含有する光透過性導電層
を含有し、
前記光学調整層(B)が、前記光透過性支持層(A)の少なくとも一方の面に、直接又は一以上の他の層を介して配置されており、かつ
前記光透過性導電層(C)が、前記光透過性支持層(A)の少なくとも一方の面に、少なくとも光学調整層(B)を介して配置されている光透過性導電性フィルムであって:
前記光学調整層(B)が、ジルコニアを含有し、かつ厚さ0.4〜3μmであり;かつ
薄膜法によるXRD測定において、ジルコニアに由来する2θ=28°付近のピーク、及び酸化インジウムに由来する(222)面のピークを示す
ことを特徴とする、光透過性導電性フィルム。
項2
薄膜法によるXRD測定において、ジルコニアに由来する2θ=28°付近のピークの、酸化インジウムに由来する(222)面のピークに対する比が1.2〜12である、項1に記載の光透過性導電性フィルム。
項3
前記ジルコニアの平均粒子径が、10〜40nmである、項1又は2のいずれかに記載の光透過性導電性フィルム。
項4
前記光透過性導電層(C)が、酸化インジウムを含有する層を大気中90〜160℃で10〜120分間加熱することにより得られうる、項1〜3のいずれかに記載の光透過性導電性フィルム。
項5
光透過性導電層(C)が、酸化インジウムスズを含有する、項1〜4のいずれかに記載の光透過性導電性フィルム。
項6
項1〜5のいずれかに記載の光透過性導電性フィルムを含有する、タッチパネル。
本発明の光透過性導電性フィルムは、
(A)光透過性支持層;
(B)光学調整層;及び
(C)酸化インジウムを含有する光透過性導電層
を含有し、
前記光学調整層(B)が、前記光透過性支持層(A)の少なくとも一方の面に、直接又は一以上の他の層を介して配置されており、かつ
前記光透過性導電層(C)が、前記光透過性支持層(A)の少なくとも一方の面に、少なくとも光学調整層(B)を介して配置されている光透過性導電性フィルムであって:
前記光学調整層(B)が、ジルコニアを含有し、かつ厚さ0.4〜3μmであり;かつ
薄膜法によるXRD測定において、ジルコニアに由来する2θ=28°付近のピーク、及び酸化インジウムに由来する(222)面のピークを示す
ことを特徴とする、光透過性導電性フィルム
である。
以下の各層についての説明箇所において特に明記されていない限り、本発明において、各層の厚さは、市販の反射分光膜厚計(大塚電子、FE−3000(製品名)、又はその同等品)を用いて求める。又は、代替的に、市販の透過型電子顕微鏡を用いた観察により求めてもよい。具体的には、ミクロトーム又はフォーカスイオンビームなどを用いて光透過性導電性フィルムをフィルム面に対して垂直方向に薄く切断し、その断面を観察する。
本発明において光透過性支持層とは、光透過性導電層を含有する光透過性導電性フィルムにおいて、光透過性導電層を含有する層を支持する役割を果たすものをいう。光透過性支持層(A)としては、特に限定されないが、例えば、タッチパネル用光透過性導電性フィルムにおいて、光透過性支持層として通常用いられるものを用いることができる。
本発明の光透過性導電性フィルムは、光透過性支持層(A)の少なくとも一方の面に、直接又は一以上の他の層を介して光学調整層(B)が配置されている。光学調整層(B)は、好ましくは光透過性支持層(A)の面に、直接配置されている。
このような構成を採ることにより、屈折率の異なる二層間に光学干渉作用が生じ、これにより光透過性導電性フィルムの透過率が向上するので好ましい。
また、ジルコニア粒子と他の粒子との区別がつかない場合は、EDXやEELSにより、粒子の元素分析を行い、ジルコニア粒子を特定する。
光透過性導電層(C)は、酸化インジウムを含有する。光透過性導電層(C)は、酸化インジウムに加えてドーパントをさらに含有していてもよい。ドーパントとしては特に限定されないが、例えば、スズ酸化物、亜鉛酸化物、セリウム酸化物、ガドリニウム酸化物、シリコン酸化物及びチタン酸化物等が挙げられる。光透過性導電層(C)は酸化インジウムに加えて、ドーパントとしてこれらを単独で含有していてもよいし、複数種を含有していてもよい。光透過性導電層(C)としては、現状では酸化インジウムスズ(tin−dopedindium oxide(ITO))を含有する層を好ましい一例として挙げることができるが、必要に応じて他のドーパントを含有する酸化インジウムを含有する層を用いることもできる。
光透過性導電層(C)は、上記の各種酸化インジウムスズのうちいずれか単独を含有するものであってもよいし、複数種を含有するものであってもよい。
本発明の光透過性導電性フィルムは、光透過性支持層(A)の光透過性導電層(C)が配置されている面に、直接又は一以上の他の層を介してアンダーコート層(D)が配置されていてもよい。アンダーコート層(D)が配置されている場合、少なくとも一方の前記光透過性導電層(C)が、少なくとも前記アンダーコート層(D)及び光学調整層(B)を介して前記光透過性支持層(A)の前記面に配置されている。この場合、少なくとも一方の前記光透過性導電層(C)が、前記アンダーコート層(D)に隣接して配置されていてもよい。また、この場合、アンダーコート層(D)は通常、光学調整層(B)よりも光透過性導電層(C)に近い側に配置されている。
本発明の光透過性導電性フィルムは、光透過性支持層(A)の光学調整層(B)及び光透過性導電層(C)が配置されている側の面に、アンダーコート層(D)及び少なくとも1種のその他の層(E)からなる群より選択される少なくとも1種の層がさらに配置されていてもよい。
本発明の光透過性導電性フィルムは、タッチパネルのために好ましく用いられる。本発明の光透過性導電性フィルムは、特に、静電容量型タッチパネルのためにより好ましく用いられる。抵抗膜方式タッチパネルの製造のために用いられる光透過性導電性フィルムは一般に表面抵抗率(シート抵抗)が100〜1,000Ω/sq程度は必要であるとされる。これに対して静電容量型タッチパネルの製造のために用いられる光透過性導電性フィルムは一般に表面抵抗率が低いほうが有利である。本発明の光透過性導電性フィルムは、抵抗率が低減されており、これにより、静電容量型タッチパネルの製造のために好ましく用いられる。静電容量型タッチパネルについて詳細は、2で説明する通りである。
本発明の静電容量型タッチパネルは、本発明の光透過性導電性フィルムを含み、さらに必要に応じてその他の部材を含んでなる。
(1)保護層
(2)本発明の光透過性導電性フィルム(Y軸方向)
(3)絶縁層
(4)本発明の光透過性導電性フィルム(X軸方向)
(5)ガラス
本発明の静電容量型タッチパネルは、特に限定されないが、例えば、上記(1)〜(5)、並びに必要に応じてその他の部材を通常の方法に従って組み合わせることにより製造することができる。
本発明の光透過性導電性フィルムは、それぞれの層について説明した通りそれぞれの層を配置することにより製造することができる。例えば、光透過性支持層(A)の光透過性導電層(C)が配置されている側の面に、下層側から順次配置させてもよいが、配置の順番は特に限定されない。例えば、最初に光透過性支持層(A)ではない層(例えば、光透過性導電層(C))の一方の面に他の層を配置させてもよい。あるいは、一方で2種以上の層を互いに隣接するように配置させることにより1種の複合層を得てから、又はそれと同時に、他方で同様に2種以上の層を互いに隣接するように配置させることにより1種の複合層を得て、これらの2種の複合層をさらに互いに隣接するように配置させてもよい。
厚さ125μmのPET樹脂基材上に平均粒子径が20nmのジルコニア粒子を含むアクリレート系樹脂の光学調整層を厚さ0.5μmとなるように形成した。
平均粒子径が20nmのジルコニア粒子を含むアクリレート系樹脂の光学調整層を厚さ1.5μmとなるように形成した。それ以外は、実施例1と同様とし、本発明の光透過性導電性フィルムを得た。XRDによる評価の結果、ジルコニアに由来する2θ=28°付近のピークの、酸化インジウムに由来する(222)面のピークに対する比は2.8であった。
平均粒子径が20nmのジルコニア粒子を含むアクリレート系樹脂の光学調整層を厚さ2.8μmとなるように形成した。それ以外は、実施例1と同様とし、本発明の光透過性導電性フィルムを得た。XRDによる評価の結果、ジルコニアに由来する2θ=28°付近のピークの、酸化インジウムに由来する(222)面のピークに対する比は5.5であった。
チャンバー内に導入するガスの内、スパッタリング処理における酸素分圧を4.5×10−3Paにした以外は実施例2と同様とし、本発明の光透過性導電性フィルムを得た。XRDによる評価の結果、ジルコニアに由来する2θ=28°付近のピークの、酸化インジウムに由来する(222)面のピークに対する比は3.6であった。
チャンバー内に導入するガスの内、スパッタリング処理における酸素分圧を4.5×10−3Paにした以外は実施例3と同様とし、本発明の光透過性導電性フィルムを得た。XRDによる評価の結果、ジルコニアに由来する2θ=28°付近のピークの、酸化インジウムに由来する(222)面のピークに対する比は7.4であった。
チャンバー内に導入するガスの内、スパッタリング処理における酸素分圧を3.2×10−3Paにした以外は実施例3と同様とし、本発明の光透過性導電性フィルムを得た。XRDによる評価の結果、ジルコニアに由来する2θ=28°付近のピークの、酸化インジウムに由来する(222)面のピークに対する比は10.4であった。
チャンバー内に導入するガスの内、スパッタリング処理における酸素分圧を3.2×10−3Paにした以外は実施例1と同様とし、本発明の光透過性導電性フィルムを得た。XRDによる評価の結果、ジルコニアに由来する2θ=28°付近のピークの、酸化インジウムに由来する(222)面のピークに対する比は2.2であった。
平均粒子径が40nmのジルコニア粒子を含むアクリレート系樹脂の光学調整層を厚さ2.8μmとなるように形成した以外は実施例6と同様とし、本発明の光透過性導電性フィルムを得た。XRDによる評価の結果、ジルコニアに由来する2θ=28°付近のピークの、酸化インジウムに由来する(222)面のピークに対する比は14.7であった。
平均粒子径が30nmのジルコニア粒子を含むアクリレート系樹脂の光学調整層を厚さ2.8μmとなるように形成した以外は実施例6と同様とし、本発明の光透過性導電性フィルムを得た。XRDによる評価の結果、ジルコニアに由来する2θ=28°付近のピークの、酸化インジウムに由来する(222)面のピークに対する比は12.4であった。
平均粒子径が15nmのジルコニア粒子を含むアクリレート系樹脂の光学調整層を厚さ2.8μmとなるように形成した以外は実施例6と同様とし、本発明の光透過性導電性フィルムを得た。XRDによる評価の結果、ジルコニアに由来する2θ=28°付近のピークの、酸化インジウムに由来する(222)面のピークに対する比は9.3であった。
平均粒子径が20nmのジルコニア粒子を含むアクリレート系樹脂の光学調整層を厚さ0.2μmとなるように形成した。それ以外は、実施例1と同様とし、光透過性導電性フィルムを得た。XRDによる評価の結果、ジルコニアに由来するピークが検出されなかった。
平均粒子径が20nmのジルコニア粒子を含むアクリレート系樹脂の光学調整層を厚さ5.0μmとなるように形成した。それ以外は、実施例1と同様とし、光透過性導電性フィルムを得た。XRDによる評価の結果、ジルコニアに由来する2θ=28°付近のピークの、酸化インジウムに由来する(222)面のピークに対する比は17.1であった。
チャンバー内に導入するガスの内、スパッタリング処理における酸素分圧を2.8×10−3Paにした以外は実施例3と同様とし、光透過性導電性フィルムを得た。XRDによる評価の結果、酸化インジウムに由来する(222)面のピークが検出されなかった。
その後、0.5MのKOH溶液に浸漬しながら10分間超音波処理し、水洗することによりITOのくし型パターンフィルムを得た。白色の紙および黒色の紙の上にくし型パターンフィルムを置き、それぞれITOパターンのエッジにおける視認性を確認した。
11 光透過性支持層(A)
12 光学調整層(B)
13 光透過性導電層(C)
14 アンダーコート層(D)
Claims (5)
- (A)光透過性支持層;
(B)光学調整層;及び
(C)酸化インジウムスズを含有する光透過性導電層
を含有し、
前記光学調整層(B)が、前記光透過性支持層(A)の少なくとも一方の面に、直接又は一以上の他の層を介して配置されており、かつ
前記光透過性導電層(C)が、前記光透過性支持層(A)の少なくとも一方の面に、少なくとも光学調整層(B)を介して配置されている光透過性導電性フィルムであって:
前記光学調整層(B)が、ジルコニアを含有し、かつ厚さ0.4〜3μmであり;かつ
薄膜法によるXRD測定において、ジルコニアに由来する2θ=28°付近のピーク、及び酸化インジウムスズに由来する(222)面のピークを示す
ことを特徴とする、光透過性導電性フィルム。 - 薄膜法によるXRD測定において、ジルコニアに由来する2θ=28°付近のピークの、酸化インジウムスズに由来する(222)面のピークに対する比が1.2〜12である、請求項1に記載の光透過性導電性フィルム。
- 前記ジルコニアの平均粒子径が、10〜40nmである、請求項1又は2のいずれかに記載の光透過性導電性フィルム。
- 前記光透過性導電層(C)が、酸化インジウムスズを含有する層を大気中90〜160℃で10〜120分間加熱することにより得られうる、請求項1〜3のいずれかに記載の光透過性導電性フィルム。
- 請求項1〜4のいずれかに記載の光透過性導電性フィルムを含有する、タッチパネル。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012267495A JP5926170B2 (ja) | 2012-03-23 | 2012-12-06 | 光透過性導電性フィルム、その製造方法及びその用途 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012067061 | 2012-03-23 | ||
JP2012067061 | 2012-03-23 | ||
JP2012267495A JP5926170B2 (ja) | 2012-03-23 | 2012-12-06 | 光透過性導電性フィルム、その製造方法及びその用途 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014244991A Division JP5987045B2 (ja) | 2012-03-23 | 2014-12-03 | 光透過性導電性フィルム、その製造方法及びその用途 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013224009A true JP2013224009A (ja) | 2013-10-31 |
JP2013224009A5 JP2013224009A5 (ja) | 2015-01-22 |
JP5926170B2 JP5926170B2 (ja) | 2016-05-25 |
Family
ID=49594430
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012267495A Active JP5926170B2 (ja) | 2012-03-23 | 2012-12-06 | 光透過性導電性フィルム、その製造方法及びその用途 |
JP2014244991A Active JP5987045B2 (ja) | 2012-03-23 | 2014-12-03 | 光透過性導電性フィルム、その製造方法及びその用途 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014244991A Active JP5987045B2 (ja) | 2012-03-23 | 2014-12-03 | 光透過性導電性フィルム、その製造方法及びその用途 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (2) | JP5926170B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6553950B2 (ja) * | 2015-05-27 | 2019-07-31 | 日東電工株式会社 | 透明導電性フィルムおよびその製造方法 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000129427A (ja) * | 1998-10-20 | 2000-05-09 | Teijin Ltd | 透明導電積層体の製造方法 |
JP2000238178A (ja) * | 1999-02-24 | 2000-09-05 | Teijin Ltd | 透明導電積層体 |
WO2005052956A1 (ja) * | 2003-11-28 | 2005-06-09 | Teijin Limited | 透明導電性積層体及びそれを用いた透明タッチパネル |
WO2010114056A1 (ja) * | 2009-03-31 | 2010-10-07 | 帝人株式会社 | 透明導電性積層体及び透明タッチパネル |
JP2011236294A (ja) * | 2010-05-07 | 2011-11-24 | Ksm Kk | 硬化性組成物 |
WO2012005271A1 (ja) * | 2010-07-09 | 2012-01-12 | Jnc株式会社 | 透明導電性フィルムおよび製造方法 |
JP2013012356A (ja) * | 2011-06-28 | 2013-01-17 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | 光学シートおよび光学シートの製造方法 |
JP2013115162A (ja) * | 2011-11-28 | 2013-06-10 | Toray Ind Inc | 電界効果型トランジスタ。 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2415597A4 (en) * | 2009-03-31 | 2014-12-31 | Teijin Ltd | TRANSPARENT CONDUCTIVE LAMINATE AND TRANSPARENT TOUCH PANEL |
JP5516089B2 (ja) * | 2010-06-01 | 2014-06-11 | 王子ホールディングス株式会社 | 導電性シート、タッチパネル用導電性積層体、及びタッチパネル |
-
2012
- 2012-12-06 JP JP2012267495A patent/JP5926170B2/ja active Active
-
2014
- 2014-12-03 JP JP2014244991A patent/JP5987045B2/ja active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000129427A (ja) * | 1998-10-20 | 2000-05-09 | Teijin Ltd | 透明導電積層体の製造方法 |
JP2000238178A (ja) * | 1999-02-24 | 2000-09-05 | Teijin Ltd | 透明導電積層体 |
WO2005052956A1 (ja) * | 2003-11-28 | 2005-06-09 | Teijin Limited | 透明導電性積層体及びそれを用いた透明タッチパネル |
WO2010114056A1 (ja) * | 2009-03-31 | 2010-10-07 | 帝人株式会社 | 透明導電性積層体及び透明タッチパネル |
JP2011236294A (ja) * | 2010-05-07 | 2011-11-24 | Ksm Kk | 硬化性組成物 |
WO2012005271A1 (ja) * | 2010-07-09 | 2012-01-12 | Jnc株式会社 | 透明導電性フィルムおよび製造方法 |
JP2013012356A (ja) * | 2011-06-28 | 2013-01-17 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | 光学シートおよび光学シートの製造方法 |
JP2013115162A (ja) * | 2011-11-28 | 2013-06-10 | Toray Ind Inc | 電界効果型トランジスタ。 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5926170B2 (ja) | 2016-05-25 |
JP2015097092A (ja) | 2015-05-21 |
JP5987045B2 (ja) | 2016-09-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5425351B1 (ja) | 光透過性導電性フィルム、その製造方法及びその用途 | |
KR101227752B1 (ko) | 투명 도전성 필름, 그 제조 방법 및 그것을 구비한 터치 패널 | |
KR101269316B1 (ko) | 투명 도전성 필름의 제조 방법 | |
JP6106756B2 (ja) | 透明導電性基材及び透明導電性基材の製造方法 | |
JP6010078B2 (ja) | 光透過性導電性フィルム、その製造方法及びその用途 | |
WO2014156889A1 (ja) | 積層フィルム及びそのフィルムロール、並びにそれから得られうる光透過性導電性フィルム及びそれを利用したタッチパネル | |
JP5986981B2 (ja) | 光透過性導電性フィルム及びそれを有する静電容量型タッチパネル | |
JP5987045B2 (ja) | 光透過性導電性フィルム、その製造方法及びその用途 | |
KR20130071427A (ko) | 투명 도전성기재 | |
JP7378937B2 (ja) | 光透過性導電フィルム | |
JP7378938B2 (ja) | 光透過性導電フィルム | |
JP5564145B1 (ja) | 光透過性導電性フィルム、その製造方法及びその用途 | |
JP2015038842A (ja) | 光透過性導電性フィルム及びそれを有する静電容量型タッチパネル | |
JP6666688B2 (ja) | 光透過性導電性フィルム、およびハードコート付き光透過性フィルム | |
JP6637286B2 (ja) | 光透過性導電性フィルム、およびハードコート付き光透過性フィルム | |
JP2015196258A (ja) | 導電性フィルム、その製造方法及びそれを含有するタッチパネル | |
JP2014067711A (ja) | 光透過性導電性フィルム及びそれを有する静電容量型タッチパネル | |
JP2016182814A (ja) | 光透過性導電性フィルム及びその評価方法 | |
JP2015165493A (ja) | 光透過性導電性フィルムの製造方法及びその光透過性導電性フィルム、並びにその光透過性導電性フィルムを含有するタッチパネル |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140903 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141203 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150529 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150630 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150826 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160202 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160310 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160329 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160421 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5926170 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |