CN104428844A - 透光性导电膜及含有透光性导电膜的触摸板 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种具有优异的蚀刻性的含有(A)透光性支持层及(B)含有氧化铟的透光性导电层的透光性导电膜。作为其解决方法，提供一种透光性导电膜，其含有：(A)含有高分子树脂的透光性支持层、及(B)含有氧化铟的透光性导电层，所述透光性导电层(B)直接或隔着一层上的其它层设置于所述透光性支持层(A)的至少一面上，其特征在于，由(Ibα-Ibα-0.025°)/(Iaα-Iaα-0.025°)表示的函数f(α)的平均值为0.08～5.00。

Description

透光性导电膜及含有透光性导电膜的触摸板
技术领域
本发明涉及透光性导电膜、其制造方法及其用途。
背景技术
作为搭载于触摸板的透光性导电膜，大多使用下述透光性导电膜，在由聚酯等构成的透光性支持层的至少一面直接或隔着其它层设置有含有氧化铟的透光性导电层。
将透光性导电膜成形为例如格子状等的电极(所谓形成图案)时，设置透光性导电膜后，通过化学药品处理仅将规定区域的膜去除，即进行所谓蚀刻处理，结果，形成希望形状的电极。因此，难以通过蚀刻处理进行蚀刻或容易过度蚀刻的透光性导电膜存在难以形成为希望形状的图案等问题。
因此，对于搭载于触摸板的透光性导电膜，要求容易通过蚀刻处理成形为希望的形状这一特性(所谓蚀刻性)优异的透光性导电膜。
迄今为止，尝试通过控制含有氧化铟的透光性导电层的结晶性，提供蚀刻性优异的透光性导电膜(专利文献1及2)。
专利文献1:日本特开2000-129427号公报
专利文献2:日本专利4269587号公报
发明内容
本发明的技术问题在于，提供一种具有优异蚀刻性的透光性导电膜，其含有(A)含有高分子树脂的透光性支持层及(B)含有氧化铟的透光性导电层。
本发明人经反复潜心研究，首次发现在利用薄膜法的XRD测定中，聚酯的衍射强度和氧化铟的衍射强度表现出指定关系的透光性导电膜可以解决所述技术问题。本发明基于该新的见解，进一步通过反复进行各种研究而完成，下面阐述。
第一项：
一种透光性导电膜，包含：
(A)含有高分子树脂的透光性支持层；及
(B)含有氧化铟的透光性导电层，
所述透光性导电层(B)直接或隔着一层以上的其它层设置于所述透光性支持层(A)的至少一面上，其中，
由(Ibα－Ibα－0.025°)/(Iaα－Iaα－0.025°)表示的函数f(α)的平均值为0.08～5.00，
式中，α是由αmin+n×0.025°(n＝1、2、3、…)表示的变量，
αmin是在0.100°以上的范围内，在薄膜法XRD测定中可确认到(222)面的峰的最小入射角，
α满足下式(I)及(II)，
α≤0.600°····(I)
f(α)≥0.7×f(α－0.025°)····(II)
Iaα是在入射角为α的薄膜法XRD测定中来自聚酯的2θ＝26°附近的峰强度，且，
Ibα是在入射角为α的薄膜法XRD测定中来自氧化铟的(222)面的峰强度。
第二项：
如第一项所述的透光性导电膜，其中，所述透光性支持层(A)的厚度为20～200μm。
第三项：
如第一或第二项所述的透光性导电膜，其中，所述高分子树脂是聚对苯二甲酸乙二醇酯或聚碳酸酯。
第四项：
如第一～第三项中任一项所述的透光性导电膜，其中，透光性导电层(B)的厚度为15～30nm。
第五项：
如第一～第四项中任一项所述的透光性导电膜，其通过在大气中于90～160℃下加热10～120分钟而得到。
第六项：
如第一～第五项中任一项所述的透光性导电膜，其中，透光性导电层(B)含有将3～10％的SnO2添加到氧化铟中而得到的氧化铟锡。
第七项：
一种触摸板，其含有第一～第六项中任一项所述的透光性导电膜。
发明效果
根据本发明，可以提供一种具有优异的蚀刻性，且包含(A)透光性支持层及(B)含有氧化铟的透光性导电层的透光性导电膜。
附图说明
图1是表示在透光性支持层(A)的单面邻接设置有透光性导电层(B)的本发明的透光性导电膜的剖面图；
图2是表示在透光性支持层(A)的两面邻接设置有透光性导电层(B)的本发明的透光性导电膜的剖面图；
图3是将源自高分子树脂的衍射强度作为横轴，且将源自氧化铟的衍射强度作为纵轴时，分别对以相互相差0.025°的连续三种X射线入射角(α-0.025°、α°、α+0.025°)分别测定的源自高分子树脂的衍射强度Ia及源自氧化铟的衍射强度Ib进行标绘而得到的坐标图的一个例子；
图4是函数f(α)的坐标图的一个例子；
图5是表示在透光性支持层(A)的单面依次相互邻接地设置有底涂层(C)及透光性导电层(B)的本发明的透光性导电膜的剖面图；
图6是表示在透光性支持层(A)的两面依次相互邻接地设置有底涂层(C)及透光性导电层(B)的本发明的透光性导电膜的剖面图；
图7是表示在透光性支持层(A)的单面依次相互邻接地设置有硬涂层(D)、底涂层(C)及透光性导电层(B)的本发明的透光性导电膜的剖面图；
图8是表示在透光性支持层(A)的一面依次相互邻接地设置有硬涂层(D)、底涂层(C)及透光性导电层(B)，在另一面直接设置有另一硬涂层(D)的本发明的透光性导电膜的剖面图；
图9是表示在透光性支持层(A)的两面依次相互邻接地设置有硬涂层(D)、底涂层(C)及透光性导电层(B)的本发明的透光性导电膜的剖面图。
具体实施方式
1、透光性导电膜
本发明的透光性导电膜包含：
(A)含有高分子树脂的透光性支持层；及
(B)含有氧化铟的透光性导电层，
所述透光性导电层(B)直接或隔着一层以上的其它层设置于所述透光性支持层(A)的至少一面上，其中，
由(Ibα－Ibα－0.025°)/(Iaα－Iaα－0.025°)表示的函数f(α)的平均值为0.08～5.00，
式中，α是由αmin+n×0.025°(n＝1、2、3、···)表示的变量，
αmin是在0.100°以上的范围内，在薄膜法XRD测定中可确认到(222)面的峰的最小入射角，
α满足下式(I)及(II)，
α≤0.600°····(I)
f(α)≥0.7×f(α－0.025°)····(II)
Iaα是在入射角为α的薄膜法XRD测定中来自高分子树脂的2θ＝26°附近的峰强度，且，
Ibα是在入射角为α的薄膜法XRD测定中来自氧化铟的(222)面的峰强度。
本发明中所谓“透光性”是指具有使光透过的性质(translucent)。“透光性”包括透明(transparent)。所谓“透光性”是说例如总光线透过率为80％以上，优选85％以上，更优选87％以上的性质。本发明中，总光线透过率是使用雾度仪(日本电色公司制造，商品名：NDH-2000，或其同等品)，基于JIS-K-7105进行测定。
在本说明书中，说到设置于透光性支持层(A)一面的多层中的两层的相对位置关系时，有时以透光性支持层(A)为基准，将距透光性支持层(A)的距离远的一层称为“上层”或“位于上方”等，将距透光性支持层(A)的距离近的另一层称为“下层”或“位于下方”等。
图1表示本发明的透光性导电膜的一个实施方式。在该实施方式中，在透光性支持层(A)的单面上相互邻接地设置透光性导电层(B)。有时将这种透光性导电膜称为“单面透光性导电膜”。
图2表示本发明的透光性导电膜的另一个实施方式。在该实施方式中，在透光性支持层(A)的两面上相互邻接地设置透光性导电层(B)。有时将这种透光性导电膜称为“两面透光性导电膜”。
1.1透光性支持层(A)
本发明中，透光性支持层是指下述层：其在含有透光性导电层的透光性导电膜中，起到支持包括透光性导电层在内的层的作用。作为透光性支持层(A)没有特别限定，例如，可以使用在触摸板用透光性导电膜中通常作为透光性支持层使用的层。
透光性支持层(A)含有高分子树脂。作为高分子树脂没有特别限定，例如，可以列举，聚酯及聚碳酸酯(PC)等。作为高分子树脂可以优选列举：聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)及PC等。作为高分子树脂特别优选PET及PC。透光性支持层(A)也可以含有两种以上的高分子树脂。
透光性支持层(A)还可以含有其它成分。透光性支持层(A)可以不仅含有一种以上的高分子树脂，而且还可以含有两种以上的其它成分。
透光性支持层(A)的厚度没有特别限定，只要是20～200μm即可，优选25～200μm，更优选30～190μm，进一步优选50～150μm。透光性支持层的厚度使用厚度测定机(株式会社尼康社制造的DIGIMICRO MF501+MFC 101或其类似品)进行计量。
1.2透光性导电层(B)
透光性导电层(B)含有氧化铟，还可以含锡氧化物及/或锌氧化物等作为掺杂剂。透光性导电层(B)优选氧化铟锡(tin-doped indiumoxide(ITO))。
透光性导电层(B)的材料没有特别限定，例如，可以列举，氧化铟、氧化锌、氧化锡及氧化钛等。作为透光性导电层(B)，按照兼顾透明性和导电性的点而言，优选含有在氧化铟中掺杂掺杂剂而得到的物质的透光性导电层。透光性导电层(B)可以是由在氧化铟中掺杂掺杂剂而得到的物质构成的透光性导电层。作为掺杂剂没有特别限定，例如，可以列举，氧化锡及氧化锌及其混合物等。
透光性导电层(B)的材料使用在氧化铟中掺杂氧化锡而得到的物质时，优选在氧化铟(III)(In2O3)中掺杂氧化锡(IV)(SnO2)而得到的物质(tin-dopedindiumoxide；ITO)。该情况下，SnO2的添加量没有特别限定，例如，可以列举，1～15重量％，优选2～10重量％，更优选3～8重量％等。另外，在掺杂剂的总量在不超过上述数值范围的范围内，还可以使用在氧化铟锡中再添加其它掺杂剂而得到的物质作为透光性导电层(B)的材料。上述中作为其它掺杂剂没有特别限定，例如，可以列举硒等。
透光性导电层(B)可以是由上述各种材料中任一种单独构成的层，也可以是由多种构成的层。
透光性导电层(B)没有特别地限定，可以是晶体或非晶体、或其混合体。
透光性导电层(B)直接或隔着一层以上的其它层设置于透光性支持层(A)的至少一面上。
透光性导电层(B)通过加热处理而结晶化。随着结晶化程度的发展，可使函数f(α)的值增加。换句话说，在加热处理前预先求出函数f(α)的平均值，根据需要进行加热处理，由此通过调整结晶化的程度，可以调整函数f(α)的值。
透光性导电层(B)优选在薄膜法XRD测定中(222)面的峰值与其它峰值相比最大。
透光性导电层(B)的厚度为15～30nm，优选16～28nm，更优选17～25nm。
透光性导电层(B)的厚度如下测定。通过透射型电子显微镜观察进行测定。具体而言，使用切片机或聚焦离子束等将透光性导电膜沿与膜面垂直方向薄薄地切断，观察其剖面。
形成透光性导电层(B)的方法可以是湿式及干式的任一种。
作为形成透光性导电层(B)的方法没有特别限定，例如，可以列举，离子镀法、溅射法、真空蒸镀法、CVD法及脉冲激光沉积法等。作为形成透光性导电层(B)的方法优选溅射法。
为了得到在利用薄膜法进行的入射角为α的XRD测定中，高分子树脂的衍射强度和氧化铟的衍射强度表现出指定关系的本发明的透光性导电膜，虽然没有特别限定，但在利用溅射法形成透光性导电层(B)时，例如适当调整氧分压、形成基底的层的平均表面粗糙度(Ra)、水导入的分压、成膜温度及透光性导电层(B)的厚度的平衡即可。
1.3函数f(α)
本发明的透光性导电膜的特征在于，函数f(α)的平均值为0.08～5.00。
函数f(α)用
(Ibα-Ibα-0.025°)/(Iaα-Iaα-0.025°)表示。
其中，
Iaα是在入射角为α的薄膜法XRD测定中源自高分子树脂的2θ＝26°附近的峰强度，且
Ibα是在入射角为α的薄膜法XRD测定中源自氧化铟的(222)面的峰强度。
Iaα-0.025是在比入射角α小0.025°的X射线入射角的薄膜法XRD测定中源自高分子树脂的2θ＝26°附近的峰强度，且
Ibα-0.025°是比入射角α小0.025°的X射线入射角的薄膜法XRD测定中源自氧化铟的(222)面的峰强度。
即，函数f(α)如下获得。根据以相差0.025°的两个X射线入射角测定的两个X射线衍射图案，得到两个源自高分子树脂的衍射强度及两个源自氧化铟的衍射强度。将源自高分子树脂的衍射强度作为横轴，将源自氧化铟的衍射强度作为纵轴，分别标绘以相差0.025°的两个X射线入射角分别测定的源自高分子树脂的衍射强度及源自氧化铟的衍射强度所确定的两个坐标。函数f(α)是连结该两点的直线的斜率(图3)。
其中，α是用
αmin+n×0.025°(n＝1、2、3、…)表示的变量，
(其中，αmin是在0.100°以上的范围内，在薄膜法XRD测定中可确认到(222)面的峰的最小入射角)
满足下式(I)及(II)。
α≤0.600°……(I)
f(α)≥0.7×f(α-0.025°)……(II)
总之，函数f(α)的平均值是在α分别为αmin+1×0.025°、αmin+2×0.025°、αmin+3×0.025°…时f(α)可取到的各数值的平均值。
另外，α的最小值是在0.100°以上的范围内，在薄膜法XRD测定中可以确认到(222)面的峰的最小入射角αmin加上1×0.025°得到的值。
本发明中，所谓“可以确认到(222)面的峰值”，是用一般的方法可以确认到的意思，即表示通过本底处理扣除本底时可以确认到峰的意思。例如，在2θ为28°～34°的衍射图案中，以28°～29°及32°～34°的分布图为基础进行本底处理时，符合源于(222)面的衍射强度比本底强等。在上述范围，出现来自其它物质的衍射时，只要适当变更作为基础的范围进行本底处理，从而避开该衍射即可。所谓“可以确认到(222)面的峰值”，更具体而言，表示在上述方法中与衍射图案前后的衍射图案的倾向比较，(222)面的衍射强度强的情况。上述中，例如，可以与前后2.0°的衍射图案的倾向进行比较。在上述中，优选与前后1.5°的衍射图案的倾向进行比较，更优选与前后1°的衍射图案的倾向进行比较。
另外，α的最大值是满足f(α)≥0.7×f(α-0.025°)的最大值和0.600°中的任一小值。其中，两者相同的情况下，将该值作为α的最大值。将源于高分子树脂的衍射强度作为横轴，且将源于氧化铟的衍射强度作为纵轴，对由源于高分子树脂的衍射强度及源于氧化铟的衍射强度确定的各坐标进行标绘而得到的各个点大致保持线性(图3)，所述源于高分子树脂的衍射强度及源于氧化铟的衍射强度是由处于该范围内的各入射角测定的各X射线衍射图案而得到的。
另外，图4表示用虚线框包围的点之间满足上述式(I)及(II)，左数第四位所标绘的点与左数第三位所标绘的点不满足f(α)≥0.7×f(α-0.025°)的关系的情况的一个例子。
另外，在上述中的所有计算中，计算至小数点以后3位，将小数点以后3位进行四舍五入。
X射线衍射使用株式会社理学制造的薄膜评价用资料水平型X射线衍射装置Smart Lab或其类似品，利用薄膜法进行测定。使用平行光束光学设置，光源以40kV、30mA的功率使用CuKα射线(波长：)。入射侧狭缝系统使用日光狭缝5.0°、高度控制狭缝10mm、入射狭缝0.1mm，受光侧狭缝使用平行狭缝分析器(PSA)0.114deg.。检测器使用闪烁计数器。试样台使用多孔质吸附试样座，将试样吸附固定成试样不产生凹凸的程度。在卷曲无法强力地吸附固定的情况下，将试样的端部用胶粘带等辅助固定，进行吸附固定。步距间隔及测定速度适当调整至可以识别X射线衍射图案的程度。作为一个例子，步距间隔及测定速度优选为步距间隔为0.02°，测定速度为1.5°/min。测定范围在20°～35°进行测定。
测定是在X射线的入射角为0.1～0.6°的范围内从低角度侧起，依次以0.025°为单位变化，分别进行测定。另外，由于衍射线的强度根据试样的固定状态不同而有所不同，因此试样一直固定在试样台上，直至一系列的测定结束。对于所得的X射线衍射图案，无需进行单色化，各峰强度可以使用减去本底的值。试样使用利用送风干燥器等在大气气氛中在150℃下进行1小时加热处理过的试样。
本发明中，各层的厚度根据透射型电子显微镜观察而求出。具体而言，使用切片机或聚焦离子束等将透光性导电膜沿与膜面垂直的方向薄薄地切断，观察其截面。
1.4底涂层(C)
本发明的透光性导电膜还含有底涂层(C)，且至少一层透光性导电层(B)至少经由底涂层(C)设置于透光性支持层(A)的面上。
透光性导电层(B)可以邻接设置于底涂层(C)上。
图5表示本发明的单面透光性导电膜的一个实施方式。该实施方式中，在透光性支持层(A)的一面，依次互相邻接地设置有底涂层(C)及透光性导电层(B)。
图6表示本发明的两面透光性导电膜的一个实施方式。该实施方式中，在透光性支持层(A)的两面，依次互相邻接地设置有底涂层(C)及透光性导电层(B)。
底涂层(C)的材料没有特别限定，例如，可以是具有介电性的物质。作为底涂层(C)的材料没有特别限定，例如可举出：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、烷氧基硅、烷基硅氧烷及其缩合物、聚硅氧烷、倍半硅氧烷、聚硅氮烷、氧化铌(V)等。底涂层(C)可以是由它们中的任一种单独构成的层，也可以是由多种构成的层。
作为底涂层(C)，优选含有SiOx(x＝1.0～2.0)的层。底涂层(C)也可以是由SiOx(x＝1.0～2.0)构成的层。
底涂层(C)可以设置一层。或者也可以是两层以上相互邻接或经由其它层相互隔开设置。优选底涂层(C)两层以上相互邻接设置。例如，在三层相互邻接设置的情况下，优选在中间设置由SiO2构成的底涂层(d-2)，并且夹着该底涂层(d-2)设置均由SiOx(x＝1.0～2.0)构成的底涂层(d-1)及(d-3)。
底涂层(C)的每一层的厚度没有特别限定，例如可举出5～50nm等。两层以上相互邻接设置的情况，相互邻接的所有底涂层(C)的总厚度在上述范围内即可。
底涂层(C)的厚度如下进行测定。根据透射型电子显微镜观察而求出。具体而言，使用切片机或聚焦离子束等将透光性导电膜沿着与膜面垂直的方向薄薄地切断，观察其截面。
另外，底涂层(C)也包括下述层：其用于对位于底涂层下侧的层和位于上侧的层之间赋予密合性等，单位面积的附着量很少，以至于无法利用透射型电子显微镜观察确认为层。该情况下，底涂层(C)的厚度使用萤光X射线分析(XRF)装置测定基于构成底涂层的物质的强度，基于预先制作的校准曲线计算附着量，使用体积密度求出。
底涂层(C)的折射率，没有特别限定，只要本发明的透光性导电膜可以用作触摸板用透光性导电膜即可，例如，优选1.4～1.5。
设置底涂层(C)的方法没有特别限定，可以是湿式及干式的任一种，作为湿式，例如可举出：溶胶-凝胶法、涂布微粒子分散液、胶体溶液的方法等。
作为设置底涂层(C)的方法，就干式法而言，例如可举出通过溅射法、离子镀法、真空蒸镀法、化学气相沉积法及脉冲激光沉积法而叠层于邻接的层上的方法等。
1.5硬涂层(D)
本发明的透光性导电膜还可以含有硬涂层(D)。
本发明的透光性导电膜含有硬涂层(D)的情况下，至少一层透光性导电层(B)至少隔着硬涂层(D)设置于透光性支持层(A)的面上。
图7表示含有硬涂层(D)的本发明的单面透光性导电膜的一个实施方式。该实施方式中，在透光性支持层(A)的一面上，依次相互邻接地设置有硬涂层(D)、底涂层(C)及透光性导电层(B)。
图8表示含有硬涂层(D)的本发明的单面透光性导电膜另一实施方式。在该实施方式中，在透光性支持层(A)的一面上，依次相互邻接地设置有硬涂层(D)、底涂层(C)及透光性导电层(B)，在透光性支持层(A)的另一面，直接设置有另外的硬涂层(D)。
图9表示含有硬涂层(D)的本发明的两面透光性导电膜的一个实施方式。该实施方式中，在透光性支持层(A)的两面上，依次相互邻接地设置有硬涂层(D)、底涂层(C)及透光性导电层(B)。
作为硬涂层(D)，没有特别限定，例如，可以使用在触摸板用透光性导电膜中通常作为硬涂层使用的层。
硬涂层(D)的材料没有特别限定，例如可举出：丙烯酸类树脂、有机硅类树脂、聚氨酯类树脂、三聚氰胺类树脂及醇酸树脂等。另外，硬涂层除含有例示的上述材料以外，还可以含有包含硅、铌或氧化锆等的填料。
硬涂层(D)的每一层厚度没有特别限定，例如可举出：0.1～3μm、0.2～2μm、及0.3～1μm等。两层以上相互邻接设置的情况下，相互邻接的全部硬涂层(D)的总厚度为上述范围内即可。在上述列举的范围中，后者优于前者。硬涂层(D)的厚度如下进行测定。通过透射型电子显微镜观察而求出。具体而言，使用切片机或聚焦离子束等将透光性导电膜沿着与膜面垂直的方向薄薄地切断，观察其截面。
作为设置硬涂层(D)的方法，没有特别限定，例如可举出：涂布于膜上并通过加热进行固化的方法、利用紫外线或电子线等活性能量线进行固化的方法等。在生产率方面，优选通过紫外线进行固化的方法。
本发明的透光性导电膜优选不含硬涂层(D)，或即使含有，其厚度也在0.3～1μm左右。
1.6其它层(E)
本发明的透光性导电膜在透光性支持层(A)的至少一面，除透光性导电层(B)外，还可以进一步设置选自底涂层(C)、硬涂层(D)及与这些层不同的至少一种其它层(E)的至少一种层。
作为其它层(E)，没有特别限定，例如可举出粘接层等。
所谓粘接层是在两层之间与该两层相互邻接设置，为了将该两层间相互粘接而设置的层。作为粘接层，没有特别限定，例如，可以使用在触摸板用透光性导电膜中通常作为粘接层使用的层。粘接层可以由这些层中的任一种单独构成的层，也可以由多种构成。
另外，也可以在透光性导电层上形成含有铜、镍、银或铬等的无机物层。这时，有时可能会因上述无机物层的存在而无法进行XRD测定，但该情况下，可通过含有硫酸盐、氯化物、铵盐或氢氧化物等的酸水溶液或碱水溶液将无机物层去除，并适当清洗后进行XRD测定。
1.7本发明的透光性导电膜的用途
本发明的透光性导电膜的蚀刻性优异，因此，易于形成透光性导电层(B)的图案。
因此，本发明的透光性导电膜适于将透光性导电层(B)形成图案之后使用的用途。
形成图案的方法没有特别限定，例如如下进行。首先，将抗蚀剂(对层进行保护使其不被蚀刻液腐蚀的保护膜)涂布于透光性导电层上的希望保留下来的区域。涂布方法虽然取决于抗蚀剂的种类，但可通过丝网印刷进行涂布，如果是使用光致抗蚀剂的情况，则如下进行。在透光性导电层上的希望保留下来的区域使用旋转涂料器或狭缝涂料器等涂布光致抗蚀剂，局部照射光或电子线，使光致抗蚀剂的溶解性仅在该部分发生变化，然后去除溶解性相对低的部分(将此称为显影)。这样，形成仅在透光性导电层上的希望保留下来的区域上存在抗蚀剂的状态。进而，使蚀刻液作用在透光性导电层上，将透光性导电层中未用抗蚀剂保护的区域选择性地进行溶解，最后，通过将该溶解物去除而形成图案。
通过“形成图案”而形成的图案的形状没有特别限定，通常为条纹状或金刚石状。通过将形成为条纹状图案的两片透光性导电膜以条纹方向垂直的方式重合，可以形成格子状的图案。
作为形成了透光性导电层(B)的图案之后使用的用途，没有特别限定，例如可举出触摸板、电子纸及太阳能电池等。对于触摸板，详细情况如以下2的说明。
2、本发明的触摸板
本发明的触摸板包含本发明的透光性导电膜，根据需要还可以包含其它部件。
作为本发明的触摸板的具体结构例，举出如下结构。需要说明的是，使用时，使保护层(1)侧朝向操作画面侧、使玻璃(5)侧朝向与操作画面相反的一侧。
(1)保护层
(2)本发明的透光性导电膜(Y轴方向)
(3)绝缘层
(4)本发明的透光性导电膜(X轴方向)
(5)玻璃
本发明的触摸板没有特别限定，例如，可以通过将上述(1)～(5)、及根据需要按照通常的方法组合其它部件而制造。
3、本发明的透光性导电膜的制造方法
本发明的透光性导电膜的制造方法分别包括在透光性支持层(A)的至少一面上设置透光性导电层(B)的工序。
本发明的透光性导电膜的制造方法还可以分别包括如下工序：在透光性支持层(A)的至少一面上，除设置透光性导电层(B)以外，分别设置选自底涂层(C)、硬涂层(D)及与这些层不同的至少一种其它层(E)中的至少1种层。
上述方法中，设置各层的工序按照对各层进行的说明来进行。对于设置各层的顺序没有特别地限定。例如，可以在透光性支持层(A)的至少一面，从透光性支持层(A)侧起依次设置。
或者，例如，可以首先在透光性支持层(A)以外的层(例如，透光性导电层(B))的一面设置其它层。或者，一方面，使两种以上的层相互邻接地设置，得到1种复合层之后，或者与此同时，另一方面，同样地使两种以上的层相互邻接地设置，得到1种复合层，再将这两种复合层相互邻接地设置在一起。
实施例
以下，举出实施例进一步详细地说明本发明，但本发明不只限定于这些实施例。
实施例1
在厚度125μm的PET树脂基材上形成20nm的SiO2层，再形成16nm的氧化铟锡膜。具体而言，使用由氧化铟：95重量％及氧化锡：5重量％构成的烧结体材料作为靶材，通过DC磁控溅射法形成SiO2层，在其上形成透光性导电层。在大气中进行加热处理，最终得到本发明的透光性导电膜。
透光性导电层如下形成。将腔室内进行真空排气直至3.0×10-4Pa以下，然后向该腔室内导入氧气及氩气，使氧分压达到4.5×10-3Pa，腔室内压力为0.2～0.3Pa，成膜温度设定为50℃进行溅射处理。
其后，利用XRD对在大气中150℃下进行了60分钟加热处理的膜进行评价。函数f(α)的平均值为1.07。另外，基底层的表面粗糙度(Ra)为1.4nm。
另外，在全部的实施例及比较例中，采用薄膜法进行的XRD测定及基底层的表面粗糙度(Ra)测定如下进行。X射线衍射使用株式会社理学制造的薄膜评价用资料水平型X射线衍射装置SmartLab，用薄膜法进行测定。使用平行光束光学设置，光源以40kV、30mA的功率使用CuKα射线(波长：)。入射侧狭缝系统使用日光狭缝5.0°、高度控制狭缝10mm、入射狭缝0.1mm，受光侧狭缝使用平行狭缝分析仪(PSA)0.114deg.。检测器使用闪烁计数器。试样台使用多孔质吸附试样座，将试样吸附固定为试样不产生凹凸的程度。步距间隔及测定速度设定为步距间隔0.02°、测定速度1.5°/min，在测定范围20°～35°内进行测定。
XRD测定是在X射线的入射角为0.1～0.6°的范围内从低角度侧开始，依次以0.025°为单位进行变更，分别进行测定。另外，由于衍射线的强度根据试样的固定状态而有所不同，因此试样一直固定在试样台上直至一系列的测定结束。另外，所得的X射线衍射图案未单色化。
根据X射线衍射图案求出入射角为α下的源自PET树脂的2θ＝26°附近的峰强度和源自氧化铟锡的(222)面的峰强度，求出本发明的函数f(α)的平均值。
基底层的表面粗糙度(Ra)是如下得到的值：准备未形成透光性导电层的试样，使用原子间力显微镜(株式会社岛津制作所，SPM-9700)，在指定的接触模式下，用探针(OLYMPUS社制造的OMCL-TR800-PSA-1，弹簧常数0.15N/m)对1μm见方的测定面进行扫描，对得到的距离平均线的绝对偏差进行平均后的值。
实施例2
在厚度125μm的PET树脂基材上形成20nm的SiO2层，形成22nm氧化铟锡膜。除此之外，与实施例1一样地操作，得到本发明的透光性导电膜。采用XRD进行评价的结果是，函数f(α)的平均值为2.86。
实施例3
在厚度125μm的PET树脂基材上形成20nm的SiO2层，形成28nm氧化铟锡膜。除此以外，与实施例1同样地操作，得到本发明的透光性导电膜。采用XRD进行评价的结果是，函数f(α)的平均值为4.15。
比较例1
在厚度125μm的PET树脂基材上形成20nm的SiO2层，形成34nm的氧化铟锡膜。除此之外，与实施例1同样地操作，得到本发明的透光性导电膜。采用XRD进行评价的结果是，函数f(α)的平均值为5.26。
实施例4
在厚度125μm的PET树脂基材上形成10nm的SiO2层，再形成22nm的氧化铟锡膜。具体而言，作为靶材，使用由氧化铟：95重量％及氧化锡：5重量％构成的烧结体材料，通过DC磁控溅射法，形成SiO2层，在其上形成透光性导电层。在大气中进行加热处理，最终得到本发明的透光性导电膜。
透光性导电层如下形成。将腔室内进行真空排气，直至达到3.0×10-4Pa以下后，向该腔室内导入氧气、水及氩气，以使氧分压成为4.5×10-3Pa及水分压为2.0×10-4Pa，将腔室内压力设定为0.2～0.3Pa、将成膜温度设定为50℃进行溅射处理。其后，利用XRD对在大气中150℃下进行60分钟加热处理过的膜进行评价。函数f(α)的平均值为1.54。另外，基底层的Ra为1.4nm。
实施例5
透光性导电层如下形成。将腔室内进行真空排气，直至达到3.0×10-4Pa以下后，向该腔室内导入氧气、水及氩气，以使氧分压为4.5×10-3Pa及水分压为3.0×10-3Pa，将腔室内压力设定为0.2～0.3Pa，将成膜温度设定为50℃进行溅射处理。除此以外，与实施例4同样地操作，得到本发明的透光性导电膜。采用XRD进行评价的结果是，函数f(α)的平均值为0.25。
实施例6
将透光性导电层的成膜温度设定为80℃。除此以外，利用与实施例5同样的制法，得到本发明的透光性导电膜。采用XRD进行评价的结果是，函数f(α)的平均值为0.87。
实施例7
在成膜透光性导电层时，不进行基材的加热。除此以外，利用与实施例5同样的制法，得到本发明的透光性导电膜。采用XRD进行评价的结果是，函数f(α)的平均值为0.15。
比较例2
透光性导电层如下形成。将腔室内进行真空排气，直至达到3.0×10-4Pa以下后，向该腔室内导入氧气、水及氩气，以使氧分压为4.5×10-3Pa及水分压为2.0×10-2Pa，将腔室内压力设定为0.2～0.3Pa，将成膜温度设定为50℃进行溅射处理。除此以外，利用与实施例4同样的制法，得到本发明的透光性导电膜。
采用XRD进行评价的结果是，未发现源自氧化铟的(222)面的衍射。
实施例8
在厚度100μm的PET树脂基材上形成20nm的SiO2层，再形成22nm的氧化铟锡膜。具体而言，使用由氧化铟：95重量％及氧化锡：5重量％构成的烧结体材料作为靶材，通过DC磁控溅射法形成SiO2层，在其上形成透光性导电层。在大气中进行加热处理，最终得到本发明的透光性导电膜。
这时，调整SiO2成膜时的溅射电力，使基底层的表面粗糙度(Ra)为0.7nm。除此以外，与实施例2同样地操作，得到本发明的透光性导电膜。采用XRD进行评价的结果是，函数f(α)的平均值是1.63。
实施例9
调整SiO2成膜时的溅射电力，使基底层的表面粗糙度(Ra)为2.5nm。除此以外，与实施例2同样地操作，得到本发明的透光性导电膜。采用XRD进行评价的结果是，函数f(α)的平均值为3.65。
实施例10
调整SiO2成膜时的溅射电力，使基底层的表面粗糙度(Ra)为3.6nm。另外，在成膜透光性导电层时，不对基材进行加热。除此以外，与实施例2同样地操作，得到本发明的透光性导电膜。采用XRD进行评价的结果是，函数f(α)的平均值为3.78。
实施例11
调整SiO2成膜时的溅射电力，使基底层的表面粗糙度(Ra)为3.6nm。除此以外，与实施例2同样地操作，得到本发明的透光性导电膜。采用XRD进行评价的结果是，函数f(α)的平均值为4.55。
实施例12
调整SiO2成膜时的溅射电力，使基底层的表面粗糙度(Ra)为4.2nm。另外，使用由氧化铟：91重量％及氧化锡：9重量％构成的烧结体材料作为靶材。除此以外，与实施例10同样地操作，得到本发明的透光性导电膜。采用XRD进行评价的结果是，函数f(α)的平均值为4.77。
比较例3
调整SiO2成膜时的溅射电力，使基底层的表面粗糙度(Ra)为4.2nm。除此以外，与实施例2同样地操作，得到本发明的透光性导电膜。采用XRD进行评价的结果是，函数f(α)的平均值为8.46。
实施例13
在透光性导电层成膜时导入氧气及氩气，使腔室内的氧分压成为3.2×10-3Pa。除此以外，与实施例2同样地操作，得到本发明的透光性导电膜。采用XRD进行评价的结果是，函数f(α)的平均值为1.39。
实施例14
在透光性导电层成膜时导入氧气及氩气，使腔室内的氧分压成为5.4×10-3Pa。除此以外，与实施例2同样地操作，得到本发明的透光性导电膜。采用XRD进行评价的结果是，函数f(α)的平均值为3.82。
实施例15
使用由氧化铟：92重量％及氧化锡：8重量％构成的烧结体材料作为靶材。除此以外，与实施例2同样地操作，得到本发明的透光性导电膜。采用XRD进行评价的结果是，函数f(α)的平均值为2.38。
实施例16
透光性导电层如下形成。将腔室内进行真空排气，直至达到3.0×10-4Pa以下后，向该腔室内导入氧气、水及氩气，使氧分压为4.5×10-3Pa及水分压为1.0×10-4Pa，将腔室内压力设定为0.2～0.3Pa，将成膜温度设定为50℃进行溅射处理。除此以外，与实施例4同样地操作，得到本发明的透光性导电膜。采用XRD进行评价的结果是，函数f(α)的平均值为1.86。
实施例17
除水分压为7.0×10-4Pa外，与实施例16同样地操作，得到本发明的透光性导电膜。采用XRD进行评价的结果是，函数f(α)的平均值为1.02。
实施例18
除调整SiO2成膜时的溅射电力，使基底层的表面粗糙度(Ra)为0.3nm以外，与实施例2同样地操作，得到本发明的透光性导电膜。采用XRD进行评价的结果是，函数f(α)的平均值为1.40。
实施例19
除调整SiO2成膜时的溅射电力，使基底层的表面粗糙度(Ra)为0.5nm外，与实施例2同样地操作，得到本发明的透光性导电膜。采用XRD进行评价的结果是，函数f(α)的平均值为1.46。
实施例20
调整SiO2成膜时的溅射电力，使基底层的表面粗糙度(Ra)为2.5nm，进一步在PET树脂基材上形成20nm的SiO2，除此以外，与实施例16同样地操作，得到本发明的透光性导电膜。采用XRD进行评价的结果是，函数f(α)的平均值为3.65。
实施例21
除氧分压为4.0×10-3Pa以外，与实施例2同样地操作，得到本发明的透光性导电膜。采用XRD进行评价的结果是，函数f(α)的平均值为2.33。
实施例22
除氧分压为4.9×10-3Pa以外，与实施例2同样地操作，得到本发明的透光性导电膜。采用XRD进行评价的结果是，函数f(α)的平均值为2.98。
比较例4
在成膜透光性导电层时，导入氧气和氩气，使腔室内的氧分压成为6.6×10-3Pa。除此以外，与实施例2同样地操作，得到本发明的透光性导电膜。采用XRD进行评价的结果是，函数f(α)的平均值为6.16。
比较例5
在厚度125μm的PET树脂基材上形成20nm的SiO2层，形成10nm的氧化铟锡膜。除此以外，与实施例1同样地操作，得到本发明的透光性导电膜。采用XRD进行评价的结果是，未发现源自氧化铟的(222)面的衍射。
蚀刻特性的评价如下进行。将透光性导电膜浸渍于20％盐酸中，求出直到无法计量表面电阻的时间。透光性导电膜的浸渍时间在10秒～90秒内以10秒为间隔进行设定，将无法计量表面电阻的时间作为蚀刻处理完成时间。
将蚀刻处理完成时间为40秒、50秒时评价为“◎”，将30秒、60秒、70秒时评价为“○”，将20秒、80秒时评价为“△”，将10秒、90秒及其以上评价为“×”。
对于全部实施例及比较例，将函数f(α)的平均值及蚀刻特性的评价结果等一并示于表1。另外，表中的“222NG”表示在0.100°以上的范围，以0.025°为单位改变入射角同时进行测定时，未发现源自氧化铟的(222)面的衍射的情况。
根据表1的结果可知，蚀刻特性的评价结果在函数f(α)的平均值处于0.08～5.00时为“△”或更好的结果，处于0.2～4.00时为“○”或更好的结果，处于1.5～3.00时为“◎”。
另外，“ITO(％)”表示靶中所含的氧化铟以外的杂质即氧化锡的浓度。例如，存在“5％”表示使用了氧化铟：95重量％及氧化锡：5重量％的靶。
ITO的膜厚通过透射型电子显微镜观察而求出。具体而言，使用聚焦离子束，将透光性导电膜沿与膜面垂直方向较薄地切断，根据其截面的观察而求出。
符号说明
1  透光性导电膜
11 透光性支持层(A)
12 透光性导电层(B)
13 底涂层(C)
14 硬涂层(D)

Claims (7)

1.一种透光性导电膜，其包含：
(A)含有高分子树脂的透光性支持层；及
(B)含有氧化铟的透光性导电层，
所述透光性导电层(B)直接或隔着一层以上的其它层设置于所述透光性支持层(A)的至少一面上，其中，
由(Ibα－Ibα－0.025°)/(Iaα－Iaα－0.025°)表示的函数f(α)的平均值为0.08～5.00，
式中，α是由αmin+n×0.025°(n＝1、2、3、···)表示的变量，
αmin是在0.100°以上的范围内，在薄膜法XRD测定中可确认到(222)面的峰的最小入射角，
α满足下式(I)及(II)，
α≤0.600°      ····(I)
f(α)≥0.7×f(α－0.025°)····(II)
Iaα是在入射角为α的薄膜法XRD测定中来自聚酯的2θ＝26°附近的峰强度，且，
Ibα是在入射角为α的薄膜法XRD测定中来自氧化铟的(222)面的峰强度。
2.如权利要求1所述的透光性导电膜，其中，
所述透光性支持层(A)的厚度为20～200μm。
3.如权利要求1或2所述的透光性导电膜，其中，
所述高分子树脂为聚对苯二甲酸乙二醇脂或聚碳酸酯。
4.如权利要求1～3中任一项所述的透光性导电膜，其中，
透光性导电层(B)的厚度为15～30nm。
5.如权利要求1～4中任一项所述的透光性导电膜，其通过在大气中于90～160℃下加热10～120分钟而得到。
6.如权利要求1～5中任一项所述的透光性导电膜，其中，
透光性导电层(B)含有将3～10％的SnO2添加到氧化铟中而得到的氧化铟锡。
7.一种触摸板，其包含权利要求1～6中任一项所述的透光性导电膜。
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