TW201416478A - 沉積有機材料之設備 - Google Patents

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TW201416478A
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Hak-Min Kim
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Abstract

在一種態樣中,提供一種材料沉積設備,其包含一處理腔室、一第一傳送軌道、一第二傳送軌道、至少一遮罩組合件、至少一基材組合件、以及至少一沉積源單元。該第一及第二傳送軌道可位於該處理腔室中,以及該第二傳送軌道可位於該第一傳送軌道上並與該第一傳送軌道留有間隔。

Description

沉積有機材料之設備
所述技術大致上係關於一種用於沉積一有機材料之設備。更具體而言,所述技術係關於一種用於沉積一有機材料之設備,其可使用一蒸發法在一基材上沉積該有機材料。
一種用於沉積一有機材料之設備係廣泛地使用於製造一有機電致發光顯示器裝置。該有機電致發光顯示器裝置可包含一陽極電極、一陰極電極、以及位於該陽極電極與該陰極電極之間的數個層,例如一電洞注入層、一電洞傳輸層、一有機發光層、一電子傳輸層、以及一電子注入層。該電洞注入層、該電洞傳輸層、該有機發光層、該電子傳輸層、以及該電子注入層可藉由在一基材上沉積一有機材料所形成。
一般而言,通常係使用一蒸發法在該基材上沉積該有機材料。根據該蒸發法,一沉積源單元可位於一腔室內以加熱並蒸發一有機材料,其中經該沉積源單元蒸發的該有機材料係沉積於該基材上。在一蒸發法中,該基材及一遮罩係位於該腔室內部,該遮罩會由於該基材與該遮罩的重量而變形。具體而言,隨著該基材的尺寸增加,該遮罩的變形會變得強烈。
本揭露提供一種沉積一有機材料之設備,其可有效地在一基材上沉積該有機材料。
一些具體實施態樣提供一種有機材料沉積設備,包括一處理腔室、一第一傳送軌道、一第二傳送軌道、至少一遮罩組合件、至少一基材組合件、以及至少一沉積源單元。
在一些具體實施態樣中,該第一與第二傳送軌道係位於該處理腔室內,以及該第二傳送軌道係位於該第一傳送軌道上並與該第一傳送軌道留有間隔。在一些具體實施態樣中,該遮罩組合件係與該第一傳送軌道結合並沿著該第一傳送軌道傳送,以及該基材組合件係與該基材及該第二傳送軌道結合並沿著該第二傳送軌道傳送。在一些具體實施態樣中,該沉積源單元係位於該處理腔室內並提供該有機材料至該遮罩組合件及該基材組合件。
在一些具體實施態樣中,其上形成有該基材之該基材組合件可與其上形成有該遮罩之該遮罩組合件留有間隔。在一些實施態樣中,即使該有機材料係在該基板上,由於來自該基材的重量未施加至該遮罩,該遮罩可避免產生變形。因此,藉由使用該有機材料沉積設備,該有機材料可輕易地沉積於一大型(large-scale)基材上。
在一些具體實施態樣中,彼此不同或相同之複數個沉積源單元、複數個遮罩組合件、及複數個基材組合件係位於一 個處理腔室中。在一些具體實施態樣中,該等有機材料可實質地且同時地沉積於該等位於基材組合件上之基材上。因此,可減少沉積該等有機材料於該等基材上所需要的處理時間,以及可簡化該有機材料沉積設備之組態。在一些具體實施態樣中,該等有機材料可彼此相同。在一些具體實施態樣中,該等有機材料可彼此不同。在一些具體實施態樣中,該遮罩組合件係包括:至少一遮罩;至少一遮罩框,與該至少一遮罩之一端點部分結合;以及至少一遮罩載體,與該至少一遮罩框及該第一傳送軌道結合,並配有一穿過其而形成之開口以曝露出該至少一遮罩而不曝露該至少一遮罩之端點部分,以及,各基材組合件係包含:一基材載體,與該基材之一端點部分及該第二傳送軌道結合,並配有一穿過其而形成之開口以曝露出該基材而不曝露該基材之該端點部分;以及一夾持構件,位於該基材載體上以夾持該基材之該端點部分。在一些具體實施態樣中,該設備包含多於一個的沉積源單元,其中至少二沉積源單元係經裝配以提供彼此不同的有機材料。在一些具體實施態樣中,各該遮罩組合件及該基材組合件係以與該等沉積源單元之數量相同的數量提供。在一些具體實施態樣中,該設備包含多於一個的遮罩,其中該等遮罩係以一對一之對應關係對應於該等遮罩組合件,以及該等遮罩之至少一者係一開放式遮罩,開口對應於該基材之一格區域(cell area)。在一些具體實施態樣中,該設備包含多於一個的遮罩,其中該等遮罩係以一對一之對應關係對應於該等遮罩組合件,以及該等遮罩之至少一者係 一圖案遮罩,其中一遮罩圖案係經形成以對應於該基材之一格區域。在一些具體實施態樣中,該設備包含多於一個的沉積源單元於該處理腔室中,其中該等沉積源單元中之至少二沉積源單元係提供相同之有機材料。在一些具體實施態樣中,各該遮罩組合件及基材組合件係以與該等沉積源單元之數量相同的數量提供。在一些具體實施態樣中,該設備包含多於一個的遮罩,其中該等遮罩係以一對一之對應關係對應於該等遮罩組合件,以及該等遮罩之至少一者係一開放式遮罩,開口對應於該基材之一格區域。在一些具體實施態樣中,該設備包含多於一個的遮罩,其中該等遮罩係以一對一之對應關係對應於該等遮罩組合件,以及該等遮罩之至少一者係一圖案遮罩,其中一遮罩圖案係經形成以對應於該基材之一格區域。
10、11‧‧‧遮罩組合件
20‧‧‧第一支架
21‧‧‧第二支架
25‧‧‧開口
30‧‧‧第一突出
50‧‧‧基材組合件
55‧‧‧開口
60‧‧‧第二突出
100、101、102、103‧‧‧有機材料沉積設備
C1‧‧‧第一輔助腔室
C2‧‧‧第二輔助腔室
CA1‧‧‧第一格區域
CA2‧‧‧第二格區域
CA3‧‧‧第三格區域
CK‧‧‧夾持構件
D1‧‧‧第一方向
D2‧‧‧第二方向
DR1‧‧‧入口部分
DR2‧‧‧出口部分
H1‧‧‧第一溝槽
H2‧‧‧第二溝槽
MC‧‧‧遮罩載體
MF‧‧‧遮罩框
MP1‧‧‧第一遮罩圖案
MP2‧‧‧第二遮罩圖案
MP3‧‧‧第三遮罩圖案
OM‧‧‧開放式遮罩
OP1‧‧‧第一開口
OP2‧‧‧第二開口
OP3‧‧‧第三開口
P1‧‧‧第一分隔牆
P2‧‧‧第二分隔牆
PC‧‧‧處理腔室
PM‧‧‧圖案化遮罩
RL1‧‧‧第一傳送軌道
RL2‧‧‧第二傳送軌道
S1‧‧‧第一沉積源單元
S2‧‧‧第二沉積源單元
S3‧‧‧第三沉積源單元
SB‧‧‧基材
SC‧‧‧基材載體
SR‧‧‧感應器
參考以下詳細的敘述並連結該等伴隨的圖式考慮,本揭露之以上及其他優點將立即變得顯著。
第1圖係表示根據本揭露之一示範性具體實施態樣之有機材料沉積設備的剖面圖;第2圖係表示第1圖所示處理腔室內之一部分的放大透視圖;第3A圖係表示第2圖所示遮罩組合件的分解透視圖;第3B圖係表示第2圖所示基材組合件的分解透視圖;第4圖係表示根據本揭露之另一示範性具體實施態 樣之有機材料沉積設備的剖面圖;第5圖係表示第4圖所示遮罩組合件的分解透視圖;第6圖係表示根據本揭露之另一示範性具體實施態樣之有機材料沉積設備的剖面圖;以及第7圖係表示根據本揭露之另一示範性具體實施態樣之有機材料沉積設備的剖面圖。
將理解者,當一元件或層被稱為「位於」另一元件或層「上」、「連接至」另一元件或層、或者「與」另一元件或層「結合」時,其可直接地位於另一元件或層上、連接至另一元件或層或者與另一元件或層結合,或者可有中介(intervening)元件或層存在。相反地,當一元件被稱為「直接地位於」另一元件或層「上」、「直接地連接至」另一元件或層、或者「直接地與」另一元件或層「結合」時,則沒有中介元件或層存在。全文中相似的符號係表示相似的元件。如本文中所使用者,術語「及/或」係包含表列關聯項目之一者或多者之任何及所有組合。
將理解者,雖然本文中術語第一、第二等可用於描述各式元件、組件、區域、層及/或區段,惟該等元件、組件、區域、層及/或區段不應被該等術語所侷限。該等術語係僅用於區別一個元件、組件、區域、層或區段與另一元件、組件、區域、層或區段。因此,在不偏離本發明之教示下,以下所討論之一第一元件、組件、區域、層或區段亦可被稱為一第二元件、組件、 區域、層或區段。
空間性相關的術語,如「在…之下(beneath)」、「在…下方(below)」、「下側的(lower)」、「在…上方(above)」、「上側的(upper)」等,可用於本文中以便於敘述,以描述如圖式所描繪之一元件或特徵與另一(或他等)元件或特徵之關係。將理解者,該等空間性相關的術語係欲包含圖式中所描繪的方位,亦包含裝置在使用或操作中之不同方位。舉例而言,若圖式中該裝置係經翻轉,經描述為「在」他等元件或特徵「下方」或「之下」之元件將被重新定位為「在」他等元件或特徵「上方」。因此,該示範性術語「在…下方」可包含上方方位及下方方位二者。此外該裝置可經定位(旋轉90度或在其他方位)並相應地解釋本文所用的空間性相關的描述。
本文中使用的專門用語係僅用於描述特定具體實施態樣之目的,並且不欲限制本具體實施態樣。如本文中所使用,除非內容清楚地指出不同,單數形式之「一(a)」、「一(an)」及「該(the)」亦欲包括該等之複數形式。將更理解者,當使用於此說明書中,術語「包括(includes)」及/或「包括(including)」係詳細指明經指定的特徵、整數、步驟、操作方式、元件、及/或組件,但並非排除一或多個其他特徵、整數、步驟、操作方式、元件、組件、及/或前述組合之存在或附加。
除非經另外定義,使用於本文中之所有術語(包括技術及科學術語)係具有同本發明所屬技術領域具通常知識者 所通常理解之相同意義。將更理解者,該等術語,如在通常使用之字典中所定義者,應被解釋為具有與在相關技術之背景中該等之意義相符合的意義,並且除非在本文中經明確定義,該等術語將不被解釋為一理想化或過度正式之意思。
以下,將參考所伴隨的圖式對本具體實施態樣進行更詳細的說明。
第1圖係表示根據本揭露之一示範性具體實施態樣之有機材料沉積設備的剖面圖,第2圖係表示第1圖所示處理腔室內之一部分的放大透視圖。
參考第1圖及第2圖,該有機材料沉積設備100係用於沉積一有機材料於一基材SB上。在一些具體實施態樣中,有機材料沉積設備100可用於製造一有機電致發光顯示器裝置。在一些具體實施態樣中,可使用有機材料沉積設備100使該有機材料沉積於基材SB上以形成一電洞注入層、一電洞傳輸層、一有機發光層、一電子注入層以及一電子傳輸層,以形成該有機電致發光顯示器裝置之畫素。
有機材料沉積設備100係包括一處理腔室PC、一第一沉積源單元S1、一第二沉積源單元S2、一第三沉積源單元S3、一第一傳送軌道RL1、一第二傳送軌道RL2、一第一輔助腔室C1、一第二輔助腔室C2、一遮罩組合件10、以及一基材組合件50。
在一些具體實施態樣中,處理腔室PC係提供一空 間,在其中實行一有機材料沉積程序以沉積來自該第一至第三沉積源單元S1、S2、及S3之有機材料於基材SB上。在一些具體實施態樣中,可使用一蒸發法作為該有機材料沉積程序,該蒸發法係蒸發要沉積於基材SB上的有機材料。在一些具體實施態樣中,處理腔室PC係維持一真空狀態。
處理腔室PC包括一入口部分DR1係穿過其一側而形成,以及一出口部分DR2係穿過其另一側而形成。在一些具體實施態樣中,遮罩組合件10與基材組合件50係通過入口部分DR1而進入處理腔室PC,以及在處理腔室PC內部之有機材料沉積程序完成後,遮罩組合件10與基材組合件50係通過出口部分DR2而離開處理腔室PC。
在一些具體實施態樣中,第一至第三沉積源單元S1至S3係蒸發該等有機材料並且提供該等經蒸發的有機材料至遮罩組合件10與基材組合件50。在一些具體實施態樣中,第一至第三沉積源單元S1至S3係位於處理腔室PC之一底端部分並經安排於一第一方向D1上從而彼此留有間隔。在一些具體實施態樣中,該等自第一至第三沉積源單元S1至S3蒸發的有機材料係沿著一第二方向D2朝遮罩組合件10與基材組合件50移動,第二方向D2係實質上垂直於第一方向D1。
此外,一第一分隔牆P1以及一第二分隔牆P2係位於處理腔室PC的底端部分。第一分隔牆P1係位於第一與第二沉積源單元S1與S2之間以及第二分隔牆P2係位於第二與第三沉積 源單元S2與S3之間。在一些具體實施態樣中,當該等有機材料移動至遮罩組合件10與基材組合件50時,由於第一與第二分隔牆P1與P2,來自第一至第三沉積源單元S1至S3之該等有機材料可防止與彼此混合。
在一些具體實施態樣中,第一至第三沉積源單元S1至S3可提供與彼此不同的有機材料。舉例而言,當有機材料沉積設備100係用於製造有機電致發光顯示器裝置時,第一沉積源單元S1可提供一形成該有機電致發光顯示器裝置之電洞注入層所需的有機材料,第二沉積源單元S2可提供一形成該有機電致發光顯示器裝置之電洞傳輸層所需的有機材料,以及第三沉積源單元S3可提供一形成該有機電致發光顯示器裝置之有機發光層所需的有機材料。
在一些具體實施態樣中,三個沉積源單元,意即,第一至第三沉積源單元S1至S3,係位於處理腔室PC內,但該等沉積源單元之數量不應被限制為三個。在一些具體實施態樣中,該等沉積源單元之數量可少於或多於三個。
在一些具體實施態樣中,第一輔助腔室C1係位於並鄰接於處理腔室PC之入口部分DR1,以及第二輔助腔室C2係位於並鄰接於處理腔室PC之出口部分DR2。因此,第一輔助腔室C1之內部係經由入口部分DR1連接至處理腔室PC之內部,以及第二輔助腔室C2之內部係經由出口部分DR2連接至處理腔室PC之內部。
在一些具體實施態樣中,遮罩組合件10與基材組合件50係在第一輔助腔室C1中等待以進入處理腔室PC,以及於其上施用該有機材料沉積程序之遮罩組合件10與基材組合件50係在第二輔助腔室C2中等待。
在一些具體實施態樣中,第一傳送軌道RL1係位於處理腔室PC中並在一第一方向D1上延伸以橫越處理腔室PC之內部。在一些具體實施態樣中,第一傳送軌道RL1係與遮罩組合件10結合以引導遮罩組合件10之移動。
在一些具體實施態樣中,第二傳送軌道RL2係位於處理腔室PC中第一傳送軌道RL1上並在一第一方向D1上延伸以實質上平行於第一傳送軌道RL1。在一些具體實施態樣中,第二傳送軌道RL2係與基材組合件50結合以引導基材組合件50之移動。
如上所述,該第一與第二輔助腔室C1與C2係位於處理腔室PC之二側,第一與第二傳送軌道RL1與RL2在穿過入口部分DR1與出口部分DR2之後可延伸至第一與第二輔助腔室C1與C2。在一些具體實施態樣中,遮罩組合件10與基材組合件50可藉由第一與第二傳送軌道RL1與RL2連續地傳送至第一輔助腔室C1、處理腔室PC、以及第二輔助腔室C2。
在一些具體實施態樣中,遮罩組合件10可以與第一至第三沉積源單元S1至S3之數量相同的數量提供。在此情形,由於該等遮罩組合件係具有相同的結構與功能,參考第3A 圖將僅對一個遮罩組合件進一步詳細描述,其他遮罩組合件的詳細描述將被省略。
第3A圖係表示第2圖所示遮罩組合件的分解透視圖。
參考第1圖、第2圖及第3A圖,遮罩組合件10包括一開放式遮罩OM、一遮罩載體MC、以及一遮罩框MF。在一些具體實施態樣中,開放式遮罩OM包括穿過其而形成之開口以一對一對應方式對應於基材SB之格區域,以及連接至其一端點部分之支架以加強其剛性。在一些具體實施態樣中,當基材SB係包括第一、第二、及第三格區域CA1、CA2及CA3時(參考第3B圖),開放式遮罩OM係包括第一、第二、及第三開口OP1、OP2及OP3分別對應於第一、第二、及第三格區域CA1、CA2及CA3。在一些具體實施態樣中,開放式遮罩OM係包括一第一支架20位於第一與第二開口OP1與OP2之間以及一第二支架21位於該第二與第三開口OP2與OP3之間。
遮罩框MF係具有一圍繞開放式遮罩OM之端點部分的形狀,並且與開放式遮罩OM之端點部分結合。在一些具體實施態樣中,開放式遮罩OM之端點部分係由遮罩框MF所支持,且因此可加強開放式遮罩OM之剛性。因此,開放式遮罩OM可輕易地操作。
在一些具體實施態樣中,遮罩載體MC可與遮罩框MF結合。在一些具體實施態樣中,遮罩載體MC包括一穿過其而 形成的開口25以對應於第一至第三開口OP1至OP3,以及遮罩框MF可經插入開口25以與遮罩載體MC結合。因此,當與開放式遮罩OM結合的遮罩框MF係與遮罩載體MC結合時,開放式遮罩OM係透過開口25而曝露出但不曝露開放式遮罩OM之端點部分。
在一些具體實施態樣中,遮罩載體MC可以第一傳送軌道RL1結合。在一些具體實施態樣中,遮罩載體MC包括第一溝槽H1形成於其二側沿著第一方向D1彼此相對,第一傳送軌道RL1之第一突出30係分別插入第一溝槽H1。在一些具體實施態樣中,遮罩載體MC可在第一方向D1上傳送,第一方向D1上形成有第一傳送軌道RL1與第一溝槽H1。
在一些具體實施態樣中,遮罩載體MC可使用一磁浮方法而沿著第一軌道RL1傳送。在一些具體實施態樣中,遮罩載體MC更包括一磁性構件(未示出)位於第一溝槽H1中,且第一突出30包括另一磁性構件與位於第一溝槽H1中的磁性構件合作產生一推斥力。
在一些具體實施態樣中,遮罩載體MC可經由一直線運動工具(例如一驅動輥、一驅動鏈等)沿著第一傳送軌道RL1傳送。舉例而言,在遮罩載體MC係藉由使用驅動輥傳送之情形,與第一突出30之上側表面接觸並藉由一驅動器(未示出)操作的傳送輥(未示出)係可位於第一溝槽H1中。
在一些具體實施態樣中,基材組合件50可以與第一至第三沉積源單元S1至S3之數量與遮罩組合件10之數量相同 的數量提供。在此情形,由於該等基材組合件係具有相同的結構與功能,因此參考第3B圖將僅詳細描述一個基材組合件,省略其他基材組合件的詳細描述。
第3B圖係表示第2圖所示基材組合件的分解透視圖。
參考第1圖、第2圖及第3B圖,基材組合件50包括基材SB、一基材載體SC、以及一夾持構件CK。在一些具體實施態樣中,當開放式遮罩OM係包括第一至第三開口OP1至OP3時,基材SB包括第一至第三格區域CA1至CA3分別對應第一至第三開口OP1至OP3。
在一些具體實施態樣中,基材載體SC係與基材SB結合。在一些具體實施態樣中,基材載體SC包括一穿過其而形成之開口55以曝露出基材SB之第一至第三格區域CA1至CA3,以及與基材SB之一端點部分結合但不與第一至第三格區域CA1至CA3結合。
在一些具體實施態樣中,夾持構件CK係位於基材載體SC上以夾持基材SB之端點部分。在一些具體實施態樣中,雖然基材SB可位於基材載體SC下以更接近第一沉積源單元S1,但如第2圖所示,藉由該夾持構件CK,基材SB可避免從基材載體SC分離。在一些具體實施態樣中,當處理腔室PC維持一真空狀態時,夾持構件CK可以一靜電法或一黏著法夾持基材SB。
在一些具體實施態樣中,基材載體SC可與第二傳送軌道RL2結合。在一些具體實施態樣中,基材載體SC包括第二溝 槽H2形成於其二側沿著第一方向D1彼此相對,第二傳送軌道RL2之第二突出60係分別插入第二溝槽H2。因此,基材載體SC可在該第一方向D1上傳送,第一方向D1上形成有第二傳送軌道RL2與第二溝槽H2。
在一些具體實施態樣中,基材載體SC可使用一磁浮方法而沿著第二傳輸軌道RL2傳送。在一些具體實施態樣中,基材載體SC更包括一磁性構件(未示出)位於第二溝槽H2中,且第二突出60包括另一磁性構件與位於第二溝槽H2中的磁性構件合作產生一推斥力。
在一些具體實施態樣中,基材載體SC可經由一直線運動工具(例如一驅動輥、一驅動鏈等)沿著第二傳送軌道RL2傳送。
在一些具體實施態樣中,有機材料沉積設備100更包括一感應器SR位於第一輔助腔室C1內。在一些具體實施態樣中,感應器SR係感應介於第一與第二傳送軌道RL1與RL2之間的一第一距離或介於遮罩組合件10與基材組合件50之間的一第二距離。因此,使用由感應器SR所提供之關於該第一與第二距離的資料,可避免遮罩組合件10及基材組合件50與彼此接觸。因此,可避免沉積於基材SB上之有機材料被刮傷或損毀。
在一些具體實施態樣中,第一至第三沉積源單元S1至S3提供與彼此不同的有機材料,且該等遮罩組合件與該等基材組合件以一對一之對應方式彼此對應並以一逐對方式排列,係沿 著第一方向D1在通過處理腔室PC之後在第一輔助腔室C1與第二輔助腔室C2之間傳送。因此,自第一沉積源單元S1提供的有機材料、自第二沉積源單元S2提供的有機材料、以及自第三沉積源單元S3提供的有機材料係相繼地沉積於位於各基材組合件之基材SB上。
在一些具體實施態樣中,在處理腔室PC中,自第一至第三沉積源單元S1至S3提供的該等不同的有機材料可依次地沉積於基材SB上。因此,沉積不同的有機材料於基材SB上之該有機材料沉積程序可輕易地實行,且該有機材料沉積程序係在處理腔室PC中相繼地或整體地實行。因此,可簡單化該有機材料沉積設備之組態。
第4圖係表示根據本揭露之另一示範性具體實施態樣之有機材料沉積設備的剖面圖,第5圖係表示第4圖所示遮罩組合件的分解透視圖。在第4圖及第5圖中,相同的參考符號係代表在第1圖、第2圖、第3A圖及第3B圖中相同的元件,且因此為了避免冗贅將省略該等相同元件之詳細說明。
參考第4圖及第5圖,係包括與第一至第三沉積源單元S1至S3之數量以及基材組合件50之數量相同的數量之一遮罩組合件11。在此,該等遮罩組合件係具有相同的結構與功能,因此僅將詳細描述一個遮罩組合件,其他的將予以省略。
在一些具體實施態樣中,遮罩組合件11包括一圖案化遮罩PM、一遮罩載體MC、以及一遮罩框MF。意即,遮罩組合 件11係包括圖案化遮罩PM取代第3A圖所示的開放式遮罩OP。
在一些具體實施態樣中,圖案化遮罩PM包括第一、第二、及第三遮罩圖案MP1、MP2及MP3以一對一對應方式對應於第3B圖所示的第一、第二、及第三格區域CA1、CA2及CA3,且第一、第二、及第三遮罩圖案MP1、MP2及MP3係各包括複數個穿過其而形成的精細開口。在一些具體實施態樣中,自該第一至第三沉積源單元S1至S3提供之該等有機材料係經由該第一至第三遮罩圖案MP1至MP3而沉積於基材SB上,使得當該等有機材料沉積於基材SB上時可藉由第一至第三遮罩圖案MP1至MP3而圖案化。
在一些具體實施態樣中,圖案化遮罩PM可為一具有第一至第三遮罩圖案MP1至MP3之金屬遮罩,例如,一精細金屬遮罩。
在一些具體實施態樣中,第一至第三沉積源單元S1至S3提供與彼此不同的有機材料,且該等遮罩組合件與該等基材組合件,以一對一之對應方式彼此對應並以一逐對方式排列,係沿著該第一方向D1在通過該處理腔室PC之後在第一輔助腔室C1與第二輔助腔室C2之間傳送。在一些具體實施態樣中,自第一沉積源單元S1提供的一第一有機材料、自第二沉積源單元S2提供的一第二有機材料、以及自第三沉積源單元S3提供的一第三有機材料係相繼地沉積於位於各基材組合件之基材SB上。在一些具體實施態樣中,當第一至第三有機材料沉積於基材SB上時可藉由位於遮罩組合件11上之圖案化遮罩PM而圖案化。
第6圖係表示根據本揭露之另一示範性具體實施態樣之有機材料沉積設備的剖面圖。在第6圖中,相同的參考符號係代表在第1圖、第2圖、第3A圖及第3B圖中相同的元件,因此將省略該等相同元件之詳細說明。
參考第6圖,不同於第1圖所示的有機材料沉積設備100,有機材料沉積設備102係包括多個沉積源單元提供相同的有機材料。在第6圖所示的具體實施態樣中,有機材料沉積設備102係包括三個第一沉積源單元S1,相繼地安排於第一方向D1上。
根據有機材料沉積設備102之組態,三個遮罩組合件10以一對一對應方式對應於三個基材組合件50並以一逐對方式排列,以及接著進入該處理腔室PC。在一些具體實施態樣中,該有機材料係可同時沉積於各個位於三個基材組合件50上之基材SB上,其中三個第一沉積源單元S1係各提供該有機材料。
第7圖係表示根據本揭露之另一示範性具體實施態樣之有機材料沉積設備的剖面圖。在第7圖中,相同的參考符號係代表在第1圖、第2圖、第3A圖及第3B圖中相同的元件,因此將省略該等相同元件之詳細說明。
參考第7圖,不同於第4圖所示的有機材料沉積設備101,有機材料沉積設備103係包括多個沉積源單元提供相同的有機材料。在第7圖所示的具體實施態樣中,有機材料沉積設備103係包括三個第一沉積源單元S1,相繼地安排於該第一方向D1上。
根據有機材料沉積設備103之組態,三個遮罩組合件11以一對一對應方式對應於三個基材組合件50並以一逐對方式排列,接著進入處理腔室PC。在一些具體實施態樣中,該有機材料係可同時沉積於各個位於三個基材組合件50上之基材SB,其中該三個第一沉積源單元S1係各提供該有機材料。在一些具體實施態樣中,當該有機材料沉積於基材SB上時,該有機材料係藉由各個位於三個遮罩組合件11上之圖案化遮罩PM而圖案化。
雖然描述了本具體實施態樣之示範性具體實施態樣,惟應理解者,在如下所主張的本具體實施態樣之精神與範疇內,本具體實施態樣不應被侷限於該等示範性具體實施態樣,本領域具通常知識者可對本具體實施態樣進行各式改變與修改。
10‧‧‧遮罩組合件
50‧‧‧基材組合件
100‧‧‧有機材料沉積設備
C1‧‧‧第一輔助腔室
C2‧‧‧第二輔助腔室
CK‧‧‧夾持構件
D1‧‧‧第一方向
D2‧‧‧第二方向
DR1‧‧‧入口部分
DR2‧‧‧出口部分
MC‧‧‧遮罩載體
OM‧‧‧開放式遮罩
P1‧‧‧第一分隔牆
P2‧‧‧第二分隔牆
PC‧‧‧處理腔室
RL1‧‧‧第一傳送軌道
RL2‧‧‧第二傳送軌道
S1‧‧‧第一沉積源單元
S2‧‧‧第二沉積源單元
S3‧‧‧第三沉積源單元
SB‧‧‧基材
SC‧‧‧基材載體
SR‧‧‧感應器

Claims (16)

  1. 一種沉積一有機材料於一基材上之設備,包含:一處理腔室;一第一傳送軌道,位於該處理腔室內;一第二傳送軌道,位於該處理腔室內之第一傳送軌道上,並與該第一傳送軌道留有間隔;至少一遮罩組合件,與該第一傳送軌道結合並沿著該第一傳送軌道傳送;至少一基材組合件,與該基材及該第二傳送軌道結合並沿著該第二傳送軌道傳送;以及至少一沉積源單元,位於該處理腔室內以提供該有機材料至該遮罩組合件及該基材組合件。
  2. 如請求項1所述之設備,其中該第一傳送軌道及該第二傳送軌道係在同一方向上延伸並實質上與彼此平行。
  3. 如請求項2所述之設備,其中該遮罩組合件係包括:至少一遮罩;至少一遮罩框,與該至少一遮罩之一端點部分結合;以及至少一遮罩載體,與該至少一遮罩框及該第一傳送軌道結合,並配有一穿過其而形成之開口以曝露出該至少一遮罩而不曝露該至少一遮罩之端點部分,以及,各基材組合件係包含: 一基材載體,與該基材之一端點部分及該第二傳送軌道結合,並配有一穿過其而形成之開口以曝露出該基材而不曝露該基材之該端點部分;以及一夾持構件,位於該基材載體上以夾持該基材之該端點部分。
  4. 如請求項3所述之設備,其係包含多於一個的沉積源單元,其中至少二沉積源單元係經裝配以提供彼此不同的有機材料。
  5. 如請求項4所述之設備,其中各該遮罩組合件及基材組合件係以與該等沉積源單元之數量相同的數量提供。
  6. 如請求項5所述之設備,其係包含多於一個的遮罩,其中該等遮罩係以一對一之對應關係對應於該等遮罩組合件,以及該等遮罩之至少一者係一開放式遮罩,開口對應於該基材之一格區域(cell area)。
  7. 如請求項5所述之設備,其係包含多於一個的遮罩,其中該等遮罩係以一對一之對應關係對應於該等遮罩組合件,以及該等遮罩之至少一者係一圖案遮罩,其中一遮罩圖案係經形成以對應於該基材之一格區域。
  8. 如請求項3所述之設備,其係包含多於一個的沉積源單元於該處理腔室中,其中該等沉積源單元中之至少二沉積源單元係提供相同之有機材料。
  9. 如請求項8所述之設備,其中各該遮罩組合件及基材組合件係以與該等沉積源單元之數量相同的數量提供。
  10. 如請求項9所述之設備,其係包含多於一個的遮罩,其中該等遮罩係以一對一之對應關係對應於該等遮罩組合件,以及該等遮罩之至少一者係一開放式遮罩,開口對應於該基材之一格區域。
  11. 如請求項9所述之設備,其係包含多於一個的遮罩,其中該等遮罩係以一對一之對應關係對應於該等遮罩組合件,以及該等遮罩之至少一者係一圖案遮罩,其中一遮罩圖案係經形成以對應於該基材之一格區域。
  12. 如請求項3所述之設備,其中該第一與第二傳送軌道係在一第一方向上延伸,該遮罩載體係包含一第一溝槽形成於該第一方向上並與該第一傳送軌道結合,以及該基材載體係包含一第二溝槽形成於該第一方向上並與該第二傳送軌道結合。
  13. 如請求項12所述之設備,其中該遮罩組合件係使用一磁浮方法而沿著該第一軌道傳送,且該基材組合件係使用該磁浮方法而沿著該第二軌道傳送。
  14. 如請求項1所述之設備,其更包含一感應器,以感應該第一傳送軌道與該第二傳送軌道之間的距離以及該遮罩組合件與該基材組合件之間的距離的至少一者。
  15. 如請求項1所述之設備,其更包含:。一第一輔助腔室,位於並鄰接該處理腔室之一入口部分;一第二輔助腔室,位於並鄰接該處理腔室之一出口部分,其中該第一輔助腔室係容納要進入該處理腔室之該遮罩組合件與該基材組合件,以及該第二輔助腔室係容納該遮罩組合件與該基材組合件,於該等組合件上沉積有該有機材料。
  16. 如請求項15所述之設備,其中各該第一與第二傳送軌道於分別通過該入口部分與該出口部分之後係延伸至該第一與第二輔助腔室。
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Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102441186B1 (ko) * 2015-08-28 2022-09-08 삼성전자주식회사 기판 이송 장치
JP6585191B2 (ja) * 2016-05-18 2019-10-02 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated キャリア又は基板を搬送するための装置及び方法
DE102016121375A1 (de) * 2016-11-08 2018-05-09 Aixtron Se Vorrichtung und Verfahren zur Halterung einer Maske in einer Planlage
CN109715846B (zh) * 2016-12-14 2024-07-23 应用材料公司 沉积系统
JP6602465B2 (ja) * 2017-02-24 2019-11-06 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 基板キャリア及びマスクキャリアの位置決め装置、基板キャリア及びマスクキャリアの搬送システム、並びにそのための方法
US20200083452A1 (en) * 2017-02-24 2020-03-12 Applied Materials, Inc. Apparatus for vacuum processing of a substrate, system for vacuum processing of a substrate, and method for transportation of a substrate carrier and a mask carrier in a vacuum chamber
WO2018166622A1 (en) * 2017-03-17 2018-09-20 Applied Materials, Inc. Methods of operating a vacuum processing system
CN109844163A (zh) * 2017-09-26 2019-06-04 应用材料公司 用于使掩蔽装置非接触地悬浮的方法
JP2020504229A (ja) * 2017-11-09 2020-02-06 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated 非接触方式での位置合わせのための方法及び装置
KR102591646B1 (ko) * 2018-06-29 2023-10-20 삼성디스플레이 주식회사 증착 장치 및 증착 장치의 마그넷 플레이트 얼라인 방법
CN110747445A (zh) * 2018-07-23 2020-02-04 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 镀膜设备及镀膜方法
WO2020025101A1 (en) * 2018-07-30 2020-02-06 Applied Materials, Inc. Apparatus with movable shield carrier
KR102618039B1 (ko) 2018-08-29 2023-12-27 삼성디스플레이 주식회사 마스크 조립체, 이를 포함한 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법
WO2024003603A1 (en) * 2022-07-01 2024-01-04 Applied Materials, Inc. Substrate processing system for processing of a plurality of substrates and method of processing a substrate in an in-line substrate processing system

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3494853A (en) * 1967-06-30 1970-02-10 Univ Minnesota Vacuum deposition apparatus including a programmed mask means having a closed feedback control system
US4096821A (en) * 1976-12-13 1978-06-27 Westinghouse Electric Corp. System for fabricating thin-film electronic components
EP0916184A2 (en) * 1997-06-03 1999-05-19 Koninklijke Philips Electronics N.V. Automatic gain control circuit, e.g. for use in a hard disk drive
JP4856308B2 (ja) * 2000-12-27 2012-01-18 キヤノンアネルバ株式会社 基板処理装置及び経由チャンバー
TW550672B (en) * 2001-02-21 2003-09-01 Semiconductor Energy Lab Method and apparatus for film deposition
CN101894779B (zh) * 2003-08-29 2013-05-01 交叉自动控制公司 用于半导体处理的方法和装置
KR100661908B1 (ko) * 2005-02-07 2006-12-28 세메스 주식회사 기판 처리 장치
JP4789551B2 (ja) * 2005-09-06 2011-10-12 株式会社半導体エネルギー研究所 有機el成膜装置

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