CN109844163A - 用于使掩蔽装置非接触地悬浮的方法 - Google Patents

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Abstract

一种方法包括使掩模组件(200)非接触地悬浮。所述掩模组件包括载体(210)和由所述载体支持的掩蔽装置(20)。所述方法包括在使掩模组件非接触地悬浮时控制载体的形状。

Description

用于使掩蔽装置非接触地悬浮的方法
技术领域
本文描述的实施方式涉及掩蔽装置的非接触式悬浮，更具体地涉及一种用于掩蔽基板的掩蔽装置。更具体地，本文描述的实施方式涉及掩蔽装置的非接触式悬浮，所述掩蔽装置被配置用于在竖直方向上掩蔽大面积基板。
背景技术
已知若干用于在基板上沉积材料的方法。例如，可以使用蒸镀工艺涂覆基板，所述蒸镀工艺诸如物理气相沉积(PVD)工艺、化学气相沉积(CVD)工艺、溅射工艺、喷涂工艺等。所述工艺可以在沉积设备的处理腔室中进行，待涂覆的基板位于所述处理腔室中。在处理腔室中提供沉积材料。多种材料(诸如小分子、金属、氧化物、氮化物和碳化物)可用于沉积在基板上。此外，可以在处理腔室中进行其他工艺，诸如蚀刻、结构化、退火等。
经涂覆的基板可用于若干应用和若干技术领域中。例如，应用在有机发光二极管(OLED)面板的领域中。其他应用包括绝缘面板、微电子器件如半导体器件、具有TFT的基板、滤色器等。
OLED是由(有机)分子薄膜组成的固态器件，在施加电力的情况下，所述薄膜产生光。OLED可以在电子装置上提供明亮的显示，并且比例如发光二极管(LED)或液晶显示器(LCD)使用更少的功率。在处理腔室中，产生(例如，蒸发、溅射或喷涂等)有机分子并使有机分子在基板上凝结成薄膜。颗粒穿过具有特定图案的掩模，以在基板上形成OLED图案。
为了减少沉积设备的占地面积，存在允许在竖直取向上处理被掩蔽基板的沉积设备。换句话说，基板和掩模竖直地布置在处理腔室内。掩模与目标位置精确对准是有益的，因为不对准的掩模可能导致沉积在基板上的层的质量降级。例如，为了在基板上提供具有非常小的尺寸的图案，例如为了制造OLED，需要掩蔽装置的精确对准。
鉴于上述情况，需要能够提供掩蔽装置的改善对准的方法和设备。
发明内容
根据一个实施方式，提供了一种方法。所述方法包括使掩模组件非接触地悬浮。掩模组件包括载体和由所述载体支持的掩蔽装置。所述方法包括在使掩模组件非接触地悬浮时控制载体的形状。
根据另一实施方式，提供了一种方法。所述方法包括用第一多个磁悬浮力使第一掩模组件非接触地悬浮。所述第一掩模组件包括第一载体和由所述第一载体支持的第一掩蔽装置。所述方法包括在通过第一多个磁悬浮力使第一掩模组件非接触地悬浮时测量第一掩蔽装置的对准。所述方法包括计算第二多个磁悬浮力。所述方法包括用第二多个磁悬浮力使掩模组件非接触地悬浮。所述掩模组件包括载体和由所述载体支持的掩蔽装置。所述掩模组件是第一掩模组件或第二掩模组件。第二多个磁悬浮力提供载体的变形。
根据另一实施方式，提供了一种设备。所述设备包括磁悬浮系统，所述磁悬浮系统包括多个磁性单元。所述设备包括掩模组件，所述掩模组件包括载体和由所述载体支持的掩蔽装置。所述设备包括连接到多个磁性单元的控制单元。所述设备被配置用于在使掩模组件非接触地悬浮时控制载体的形状。
附图说明
完整并且对本领域一般技术人员来说可行的公开内容在说明书的包括对附图的参考的其余部分中更具体地阐述，其中：
图1图示用于制造OLED的沉积工艺；
图2示出处于水平取向的掩模组件；
图3示出处于水平取向的掩模组件，所述掩模组件包括掩模支撑件；
图4示出处于竖直取向的掩模组件；
图5示出处于竖直取向的掩模组件，所述掩模组件包括掩模支撑件；
图6到图7图示根据本文描述的实施方式的方法；
图8a到图8b图示由多个磁悬浮力提供的载体的变形；
图9a到图9b图示根据本文描述的实施方式的方法；并且
图10到图12图示根据本文描述的实施方式的设备。
具体实施方式
现在将详细参考各种实施方式，所述实施方式的一个或多个示例在附图中图示。在附图的以下描述中，相同的参考数字表示相同的部件。一般来说，仅描述关于各个实施方式的差异。每个示例都是以解释的方式提供的，并且不意味着限制。此外，作为一个实施方式的部分而图示或描述的特征可以在其他实施方式上使用或与其他实施方式结合使用，以产生又一个实施方式。本说明书旨在包括此类修改和变化。
本文描述的实施方式涉及掩模组件的非接触式悬浮。贯穿本公开内容使用的术语“非接触式”可以理解为掩模组件的重量不是通过机械接触或机械力保持，而是由磁力保持。具体地，掩模组件可以使用磁力而不是机械力保持在悬浮或浮动状态。在一些实施方式中，在系统中的掩模组件的悬浮和例如对准期间，掩模组件与设备的其余部分之间根本不存在机械接触。
与用于在处理系统中引导掩模组件的机械装置相比，一个优点是非接触式悬浮不会遭受影响掩模组件的定位和对准的线性(linearity)和/或精度的摩擦。掩模组件的非接触式悬浮允许掩模组件的无摩擦运动，其中掩模组件的位置，例如相对于在沉积工艺中由掩蔽装置掩蔽的基板的位置，可以被高精度地控制和保持。
例如，在沉积工艺期间掩模组件的非接触式悬浮是有益的，因为不存在由于掩模组件和设备的各区段(例如机械轨道)之间的机械接触而产生的颗粒。因此，非接触式悬浮提供沉积在基板上的层的改善的纯度和均匀性，特别是因为当使用非接触式悬浮时颗粒的产生被最小化。
根据可与本文所述的其他实施方式组合的实施方式，沉积或涂覆工艺可以是或包括热蒸镀工艺、PVD工艺、CVD工艺和/或溅射工艺。可以提供沉积源来执行沉积工艺。
在本公开内容中，术语“基本上平行”的方向可以包括彼此形成多至10度，或者甚至多至15度的小角度的方向。术语“基本上垂直”的方向可以包括彼此形成小于90度(例如至少80度或至少75度)的角度的方向。类似的考虑适用于基本上平行或竖直的轴、平面、区域、取向等概念。
本文描述的一些实施方式涉及“基本上竖直”的方向、平面、取向等的概念。基本上竖直的方向被认为是与重力延伸所沿的方向基本上平行的方向。基本上竖直的方向可以偏离严格的竖直(后者由重力限定)例如多至15度的角度。
本文描述的实施方式还可以包括“基本上水平”的方向、平面、取向等的概念。基本上水平的方向应理解为区别于基本上竖直的方向。基本上水平的方向可以基本上垂直于由重力限定的严格竖直方向。
图1示出用于在基板10上制造OLED的沉积工艺的示意图。
为了制造OLED，有机分子由沉积源30(例如，蒸发、溅射、喷涂等)产生并沉积在基板10上。掩蔽装置20位于基板10与沉积源30之间。掩蔽装置20可具有特定图案，例如由多个开口或孔23提供的特定图案，使得有机分子穿过开口或孔23(例如，沿着路径32)以在基板10上沉积有机化合物的层或膜。可以使用不同的掩蔽装置或掩蔽装置20相对于基板10的不同位置，在基板10上沉积多个层或膜，例如，以产生具有不同颜色特性的像素。例如，可以沉积第一层或膜以产生红色像素34，可以沉积第二层或膜以产生绿色像素36，并且可以沉积第三层或膜以产生蓝色像素38。一个或多个层或一个或多个膜，例如有机半导体，可以布置在两个电极之间，诸如阳极与阴极(未示出)之间。两个电极中的至少一个电极可以是透明的。
在沉积工艺期间，基板10和掩蔽装置20可以以基本上竖直的取向布置。在图1中，箭头表示竖直方向40和两个水平方向50和60。
根据可与本文所述的其他实施方式组合的实施方式，掩蔽装置20被配置用于例如在沉积工艺中掩蔽基板10。掩蔽装置20可以防止基板10的一个或多个部分在沉积工艺中被涂覆。在沉积期间，朝向基板10发射沉积材料。掩蔽装置可以以使得朝向基板10发射的部分的沉积材料撞击掩蔽装置20的方式布置，以防止基板10的一部分被涂覆。
根据可与本文所述的其他实施方式组合的实施方式，掩蔽装置20可包括多个开口。所述多个开口可以被配置用于允许沉积材料穿过掩蔽装置20并且沉积在由掩蔽装置20掩蔽的基板10上。所述多个开口可以限定图案。
根据可以与本文所述的其他实施方式组合的实施方式，掩蔽装置20可以是柔性掩蔽装置。掩蔽装置20可具有类似于箔或片材的机械性质。掩蔽装置20可以是或包括掩蔽材料片。根据本文所述的实施方式，掩蔽装置20可以由掩模支撑件(例如掩模框架)支持。
根据可以与本文所述的其他实施方式组合的实施方式，掩蔽装置20可被配置用于掩蔽大面积基板。
图2示出根据本文所述实施方式的掩模组件200。掩模组件200包括载体210。掩模组件200包括由载体210支持的掩蔽装置20。图2所示的掩模组件200是基本上水平取向的。
根据可以与本文所述的其他实施方式组合的实施方式，载体210可以是适于承载或支持掩蔽装置20的载体。载体210可以限定平面。
图2所示的载体210处于非变形状态。例如，载体210可以是以载体210的水平取向而搁置在平面支撑件上的载体210。没有作用于改变载体210形状的力施加到载体210上。如图2所示，未变形载体的周边可以包括基本上直的边缘。图2所示的掩蔽装置20是未变形状态。未变形的掩蔽装置20可以具有矩形的形状。如图2所示，未变形的掩蔽装置的周边可以包括基本上直的边缘。
根据可以与本文所述的其他实施方式组合的实施方式，掩模组件200可包括掩模支撑件。图3示出包括掩模支撑件310的掩模组件200。在图3所示的示例性实施方式中，掩模支撑件310是掩模框架。掩蔽装置20，例如柔性掩蔽装置，由掩模支撑件310支持。掩蔽装置20例如通过点焊连接到掩模支撑件310。掩模支撑件310例如通过一个或多个紧固件(诸如螺钉或螺栓)附接到载体210。图3所示的掩模组件200以基本上水平的取向提供。图3所示的载体210、掩模支撑件310和掩蔽装置20处于未变形状态。如图3所示，未变形的掩模支撑件(例如掩模框架)的周边可以包括基本上直的边缘。
掩模组件的部分，例如载体210、掩蔽装置20和/或掩模支撑件310，可以彼此连接以组装成掩模组件。掩模组件200的组装可以在掩模组件200的基本上水平的取向中进行。在组装掩模组件200之后，掩模组件200可以设为基本上竖直的取向，例如以用于后续的涂覆工艺。在组装掩模组件200之前、期间或之后，可以相对于掩模组件200或掩蔽装置20定位和/或固定基板。另外的装置，诸如载体、基板框架和基板保持布置中的至少一种装置，可以被提供并用于定位和固定基板。
图4示出根据本文所述实施方式的掩模组件200，所述掩模组件200包括载体210和掩蔽装置20。掩模组件200以基本上竖直的取向设置。根据本文所述的实施方式，掩模组件200可以包括掩模支撑件(未示出)。例如，掩蔽装置20可以是连接到掩模框架的柔性掩蔽装置。
图4所示的基本上竖直取向的掩蔽装置20处于变形状态。图4所示的掩蔽装置20的形状不同于未变形的掩蔽装置(例如图3所示的掩蔽装置20)的形状。掩蔽装置20的变形状态在图4中由掩蔽装置20的上边缘和下边缘的弯曲形状示意性地表示。掩蔽装置20的变形可以由重力引起，如箭头450所示，所述重力作用于掩模组件的部分上，诸如掩蔽装置或掩模支撑件上。变形的掩蔽装置20可包括至少一个弯曲边缘，例如弯曲的水平边缘。
掩蔽装置的变形可能是由于掩蔽装置与掩模支撑件(例如掩模框架)的连接。图5示出根据本文所述实施方式的掩模组件200。掩模组件200以基本上竖直的取向设置。掩模组件200包括掩模框架510。掩模框架510通过紧固件(例如螺钉)连接到载体210。图5中示出两个紧固件515。可以提供另外的紧固件。掩模组件200包括连接到掩模框架510的掩蔽装置20(图5中未示出)。掩模框架510可以具有一个或多个框架元件，诸如第一框架元件522、第二框架元件524、第三框架元件526和第四框架元件528。
重力作用于掩模组件200上，并且可导致掩模框架510和/或掩蔽装置20的至少一部分变形，例如弯曲。重力可特别地导致水平取向的框架元件(例如第一框架元件522和第二框架元件524)的变形(用实线表示)，例如弯曲。掩模框架510的未变形形状在图5中以虚线表示。图5所示的掩蔽装置20变形。掩蔽装置20可能由于掩蔽装置20与掩模框架510的连接而变形。
图中所示的变形的掩蔽装置和变形的掩模框架以示意性方式示出。变形的掩蔽装置可以具有与图4所示的形状不同的形状。变形的掩模框架可以具有与图5所示的形状不同的形状。
例如，可以存在张力。张力可以影响掩模框架和/或掩蔽装置的形状。可以提供张力来例如在沉积工艺期间管理掩模的热膨胀。如果存在足够的张力，则温度升高只改变掩模张力，而不改变像素位置。
掩蔽装置20的变形可导致掩蔽装置20相对于基板的不对准。一个或多个沉积层的质量和/或对准会恶化。例如，对于附接到掩模框架的柔性掩模，由掩模框架的变形引起的掩蔽元件的不对准可以具有与掩蔽装置提供的基板上的结构的尺寸相当的数量级。例如，在掩蔽装置厚度为约50微米的情况下，掩模定位精度可以为约2微米，并且掩蔽装置的竖直变形可以为至少2.5微米。
图6图示根据本文所述的实施方式的方法。
图6示出多个磁性单元610。多个磁性单元610的各个磁性单元用参考数字615表示。多个磁性单元610提供多个磁悬浮力620。多个磁悬浮力620中的各个磁悬浮力用参考数字625表示。多个磁悬浮力620中的每个磁悬浮力625在基本上竖直的方向(例如第二方向694)上延伸。
图6示出第一方向692。第一方向可以是基本上水平的方向。图6示出第二方向694。第二方向694可以是基本上竖直的方向。
图6示出掩模组件200，所述掩模组件200包括载体210和由所述载体210支持的掩蔽装置20。多个磁悬浮力620作用于掩模组件200上。掩模组件200由多个磁悬浮力620非接触地悬浮。
根据可与本文所述的其他实施方式组合的实施方式，当掩模组件200例如通过多个磁悬浮力620而非接触地悬浮时，载体210具有基本上竖直的取向。
在通过多个磁悬浮力620使掩模组件200非接触地悬浮期间，载体210变形。与非变形载体相比，非接触式悬浮的载体具有不同的形状。
根据可与本文所述的其他实施方式组合的实施方式，载体210的变形可由多个磁悬浮力620提供。多个磁悬浮力的量值(magnitude)可以例如通过根据本文所述实施方式的控制单元来控制，以提供载体210的目标变形。
多个磁悬浮力620中的两个或更多个磁悬浮力可以具有不同的量值。在图6中，不同量值的磁悬浮力由具有不同长度的向上箭头表示。具有不同量值的磁悬浮力可以提供载体210的变形。在图6中，变形的载体210包括弯曲的上边缘630。
可以提供载体210的变形以对准由载体210支持的掩蔽装置20。掩蔽装置20机械耦接到载体210，使得通过使载体210变形而可以调节和/或控制掩蔽装置20的形状、位置和/或对准。
例如，掩蔽装置可以附接到掩模支撑件(图6中未示出)，例如根据本文所述的实施方式的掩模框架。掩模支撑件可以附接到载体210。通过使载体210变形，可以调节和/或控制连接到载体210的掩模支撑件的形状、位置和/或对准。掩蔽装置与掩模支撑件的连接允许使掩蔽装置对准。
在图6中，非接触式悬浮的掩模组件200的掩蔽装置20处于良好对准的位置。图6所示的掩蔽装置20具有矩形形状。掩蔽装置20基本上不变形。掩蔽装置20的上边缘640是直的。上边缘640与基准轴(reference axis)642对准，从而限定掩蔽装置20的目标对准。掩蔽装置20的下边缘650是直的。下边缘650与基准轴652对准，从而限定掩蔽装置20的目标对准。掩蔽装置20的良好对准位置由多个磁悬浮力620所提供的载体210的变形提供。
鉴于上述，提供一种方法。所述方法包括使掩模组件200非接触地悬浮。掩模组件200可以例如由多个磁悬浮力620非接触地悬浮。多个磁悬浮力620可以由多个磁性单元610提供。掩模组件包括载体210和由所述载体支持的掩蔽装置20。掩蔽装置20可适于掩蔽基板。所述方法包括在使掩模组件非接触地悬浮时控制载体的形状。
通过控制载体210的形状，本文描述的实施方式允许使掩蔽装置20对准。可以补偿或校正掩蔽装置20的不对准。
可以用根据本文所述的实施方式的方法来校正的不对准可能是由掩蔽装置20和/或支持掩蔽装置20的掩模支撑件310(例如掩模框架510)的变形而引起的。例如，竖直取向的掩蔽装置20可能在非接触式悬浮期间变形，这是因为掩蔽装置20连接到掩模框架，所述掩模框架可能在作用于掩模框架上的重力的影响下弯曲。根据本文所述的实施方式的方法允许补偿掩模支撑件的变形。可以通过控制载体的形状来提供良好对准的掩蔽装置20。控制载体210的形状可以包括例如使载体210变形以补偿掩模支撑件和/或掩蔽装置的变形。良好对准的掩蔽装置20具有可以提供沉积在基板上的层的改进质量的优点。
根据可与本文所述的其他实施方式组合的实施方式，掩模组件200可由多个磁悬浮力620非接触地悬浮。载体的形状可以通过控制多个磁悬浮力620来控制。载体210的形状可以通过控制作用于载体上的多个磁悬浮力620的量值来控制。可以以非接触方式控制载体210的形状。例如，可以以非接触方式提供载体的变形。不需要机械部件(如致动器)来控制载体210的形状。
根据可与本文所述的其他实施方式组合的实施方式，载体的形状可仅由非接触力(例如磁悬浮力)控制。载体210的变形可以仅由非接触力提供。载体210的变形可以是非接触变形。
对载体形状进行非接触控制具有能够避免颗粒产生，使得沉积在基板上的层的质量和纯度得到改善的优点。
此外，由多个磁悬浮力620提供的载体210的变形可以通过适当配置和控制多个磁性单元610来提供。不需要额外的部件或装置(例如用于使载体210变形的机械致动器)来提供变形，这具有提供简单设置并且可以节省时间、能量成本和其他资源的优点。
根据可与本文所述的其他实施方式组合的实施方式，控制载体210的形状可包括提供载体210的变形。
变形的载体210，例如通过多个磁悬浮力620变形的载体210，具有与载体210处于非变形状态的情况下的载体210的形状不同的形状。磁悬浮力可以作用于载体210上以改变载体210的形状。处于变形状态的载体210可包括至少一个具有弯曲形状的边缘。具体地，变形载体的水平边缘，例如图6所示的上边缘630，可以具有弯曲形状。如果载体处于非变形状态，则所讨论的边缘可以是直的。例如，图4示出处于非变形状态的载体210，其中上边缘630是直的。
根据可与本文所述的其他实施方式组合的实施方式，由多个磁悬浮力620提供的用于对准掩蔽装置20的载体210的变形可以是载体210的目标变形。多个磁悬浮力，特别是多个磁悬浮力的量值，可以例如由控制单元1010控制，以提供载体210的变形。
在一些实施方式中，控制载体210的形状可以包括在载体210非接触悬浮时将载体210保持在基本上不变形的状态。在这种情况下，可以不提供非接触式悬浮的载体的变形。例如，通过将载体保持在非变形状态，载体的上边缘可以在非接触式悬浮期间保持为基本上直的。掩蔽装置20可以被配置为使得当非接触悬浮的载体保持在基本上不变形的状态时掩蔽装置20被良好对准。
根据本文所述的实施方式，可以控制载体的形状以对准掩蔽装置。例如，可以提供载体210的变形以对准掩蔽装置20。
根据本文所述实施方式的掩蔽装置20的对准可以是掩蔽装置20的形状的对准。可以控制载体210的形状以使掩蔽装置的形状与目标形状对准。例如，通过使载体210变形，可以控制掩蔽装置20的形状，使得可以使掩蔽装置20处于非变形的形状，例如基本上矩形的形状。使掩蔽装置20对准可以包括控制掩蔽装置的形状，使得掩蔽装置的至少一个边缘(例如水平边缘)是基本上直的。
如本文所述，涉及影响和/或控制掩蔽装置20的形状的掩蔽装置20的对准不同于仅通过平移或旋转掩蔽装置来改变掩蔽装置的位置或取向而不影响掩蔽装置的形状的掩蔽装置20的对准。例如，仅调节掩蔽装置20的竖直位置的掩蔽装置20的对准不能用于控制掩蔽装置20的形状。
根据可与本文所述的其他实施方式组合的实施方式，可以控制载体210的形状以使掩蔽装置20的边缘(例如，图6中所示的上边缘640)与基本上水平的方向(例如，第一方向692)对准。例如，可以提供载体210的变形以使掩蔽装置的边缘与基本上水平的方向对准。
图7图示根据本文所述实施方式的使掩蔽装置20对准的方法。图7示出掩模组件200。掩模组件200包括掩模框架510。掩蔽装置20连接到掩模框架510。掩模框架510连接到载体210。由多个磁悬浮力620提供的载体210的变形允许补偿掩模框架510的变形。当掩模组件200通过多个磁悬浮力620悬浮时，掩模框架和掩蔽装置处于基本上不变形的状态。载体210的变形允许使掩模框架510对准。例如，通过提供载体210的变形，第一框架元件522和第二框架元件524可以分别与水平基准轴742和752良好地对准。可以通过载体210的变形来补偿第一框架元件522和第二框架元件524的弯曲。连接到掩模支撑件310的掩蔽装置20在掩模组件200通过多个磁悬浮力620悬浮时被良好对准。
根据可以与本文所述的其他实施方式组合的实施方式，掩模组件200可包括掩模支撑件310。掩蔽装置20可以连接到掩模支撑件。掩模支撑件310可以连接到载体210。
掩蔽装置20可以由掩模支撑件310支持并且/或者附接到掩模支撑件310。掩模支撑件310可以是刚性掩模支撑件，例如用于支撑柔性掩蔽装置。
掩模支撑件310可以限定平面。由掩模支撑件310支持的掩蔽装置20可以限定平面。由掩模支撑件310支持的掩蔽装置20限定的平面、由掩模支撑件310限定的平面和/或由支持掩蔽装置20的载体限定的平面可以彼此平行或基本上彼此平行。
掩模支撑件310可以是掩模框架510。掩模框架510可以限定窗口或开口。窗口或开口的面积可以是由掩模框架510支持的掩蔽装置20的面积的60％至100％。掩蔽装置20可在掩蔽装置20的两个或更多个周边部分处附接到掩模支撑件310，例如掩模框架。
掩模框架510可以包括一个或多个框架元件。由掩模框架510限定的窗口可以由一个或多个框架元件包围。掩模框架的框架元件可以是条形的。掩模框架510可以包括第一框架元件522。掩模框架510可以包括第二框架元件524。掩模框架510可以包括第三框架元件526。掩模框架510可以包括第四框架元件528。第三框架元件526可以邻近或连接到第一框架元件522。第二框架元件524可以邻近或连接到第三框架元件526。第四框架元件528可以邻近或连接到第二框架元件。第一框架元件522可以邻近或连接到第四框架元件528。当掩模框架510处于基本上竖直的取向时，例如，当掩模组件如本文所述非接触地悬浮时，第一框架元件522和/或第二框架元件524可以在水平或基本上水平的方向中延伸。当掩模框架x处于基本上竖直的取向时，第三框架元件526和/或第四框架元件528可以在竖直或基本上竖直的方向中延伸。
掩模支撑件310可以由载体210支持。掩模支撑件310可以附接到载体210。掩模支撑件310可以在多个耦接点处附接到载体210。掩模支撑件310(例如掩模框架510)可通过多个紧固件(例如螺钉或螺栓)附接到载体210。例如，至少两个，例如三个或更多个紧固件可用于将掩模框架510附接到载体210。掩模支撑件310可以布置在载体210与掩蔽装置20之间。
根据可与本文所述的其他实施方式组合的实施方式，掩模支撑件310可以机械耦接到载体210，以使得载体210的变形允许调节掩模支撑件310的形状、对准和/或位置。例如，在掩模框架通过多个螺钉附接到载体的情况下，可以通过使载体210变形来改变掩模支撑件310的对准。
根据可与本文所述的其他实施方式组合的实施方式，由载体210支持的掩蔽装置20可以机械耦接到载体210，以使得载体210的变形允许调节掩蔽装置20的形状、对准和/或位置。例如，在柔性掩蔽装置附接到掩模框架的情况下(其中掩模框架通过多个螺钉附接到载体)，可以通过使载体变形来改变掩蔽装置的对准。
根据可与本文所述的其他实施方式组合的实施方式，可以控制载体210的形状以补偿掩模支撑件310的变形，特别是由作用于掩模支撑件310上的重力引起的掩模支撑件的变形。例如，可以提供载体210的变形以补偿掩模支撑件310的变形。
可以控制载体210的形状以使掩模框架510的第一框架元件522与基本上水平的方向(例如第一方向692)对准。例如，可以提供载体210的变形以补偿第一框架元件522的变形。可以提供载体210的变形以使第一框架元件522与基本上水平的方向对准。
根据可以与本文所述的其他实施方式组合的实施方式，磁悬浮力是作用于掩模组件200上的力。磁悬浮力被配置用于抵消作用于掩模组件200上的重力。磁悬浮力可以由多个磁性单元610中的磁性单元提供。磁悬浮力在竖直或基本上竖直的方向中延伸。
根据可与本文所述的其他实施方式组合的实施方式，多个磁悬浮力620共同使掩模组件200悬浮。
根据可与本文所述的其他实施方式组合的实施方式，多个磁悬浮力620被配置用于提供载体210的变形，特别是目标变形。可以提供变形以使由载体210支持的掩蔽装置20对准。
根据可与本文所述的其他实施方式组合的实施方式，多个磁悬浮力620可包括2个、3个、4个、5个、6个、7个、8个、9个、10个、11个、12个、13个、14个、15个、16个、17个、18个、19个、20个或更多个磁悬浮力。
根据可与本文所述的其他实施方式组合的实施方式，多个磁悬浮力620中的第一磁悬浮力可由多个磁性单元610中的第一磁性单元提供。第二磁悬浮力可以由多个磁性单元中的第二磁性单元提供。第三磁悬浮力可以由多个磁性单元610中的第三磁性单元提供。多个磁性单元610中的每个磁性单元可以提供多个磁悬浮力620中的磁悬浮力。
多个磁悬浮力620中的每个磁悬浮力具有量值。提供和/或控制多个磁悬浮力620的量值以提供载体210的变形。根据可与本文所述的其他实施方式组合的实施方式，多个磁悬浮力620中的至少两个、特别是至少三个磁悬浮力可以具有不同的量值。多个磁悬浮力620的不同量值可以提供载体210的变形。
多个磁悬浮力620可以包括以下项中的至少一项：第一磁悬浮力；第二磁悬浮力；和第三磁悬浮力。
根据可与本文所述的其他实施方式组合的实施方式，第一磁悬浮力的量值可不同于第二磁悬浮力的量值。
根据可与本文所述的其他实施方式组合的实施方式，第二磁悬浮力的量值可不同于第一磁悬浮力的量值。第二磁悬浮力的量值可以不同于第三磁悬浮力的量值。
多个磁悬浮力620的量值可以具有若干种可能的分配或分布。量值的分配可取决于将由多个磁悬浮力620提供的载体210的目标变形。图8a到图8b示出多个磁悬浮力620的量值的可能分配的两个示例。也可以考虑另外的分配。
图8a到图8b所示的多个磁悬浮力620包括磁悬浮力821、822、823、824和825。如图8a所示，作用于载体210的中心部分上的磁悬浮力823的量值可以大于分别作用于载体210的左外侧部分和右外侧部分上的磁悬浮力821和825中的每个磁悬浮力的量值。或者，如图8b所示，磁悬浮力821和825各自具有的量值可以大于磁悬浮力823的量值。
如图所示，由图8a所示的多个磁悬浮力620提供的载体210的变形不同于由图8b所示的多个磁悬浮力620提供的载体210的变形。在这两种情况下，提供载体210的变形以使掩蔽装置20对准。
当掩模组件200非接触地悬浮时，可以通过执行一个或多个测量来获得关于磁悬浮力的哪种特定量值分配适合于提供载体210的目标变形以使掩蔽装置20对准的信息。
例如，一个或多个检测器，例如相机，可用于测量非接触悬浮的掩蔽装置的对准。在一些情况下，可以确定存在掩蔽装置20的不对准。可以通过提供载体210的适当变形来校正不对准。基于所测量的掩蔽装置20的不对准，可以计算磁悬浮力的量值的目标分配，以提供载体210的目标变形来校正不对准。然后可以调适使掩模组件200悬浮的磁悬浮力的量值以匹配所计算的目标分配。在目标分配有效的情况下，使掩模组件悬浮的磁悬浮力提供载体210的目标变形。悬浮的载体210的变形补偿掩蔽装置20的不对准，使得掩蔽装置20现在被良好对准。
一种工艺可以涉及对若干个掩模组件进行处理，所述若干个掩模组件中的每个掩模组件包括具有例如相同类型和尺寸的载体、掩蔽装置和可选的掩模支撑件。因此，掩蔽装置的初始不对准，例如因重力使掩模支撑件弯曲引起的初始不对准，可能对于所有被处理的掩模组件来说是相同的不对准。一旦针对校正不对准确定了一个给定载体的目标变形，并且一旦计算出用于提供所述载体的目标变形的磁悬浮力的相应量值目标分配，则可以将相同的量值目标分配应用于被悬浮和处理的后续掩模组件，而不需要重复对后续掩蔽装置的不对准的测量。可以针对一个给定的掩模组件计算一次磁悬浮力的量值目标分配，然后将所述量值目标分配应用于通过多个磁性单元非接触悬浮的多个后续掩模组件。
图9a到图9b图示根据本文描述的实施方式用于使掩蔽装置对准的方法。
图9a示出由多个磁性单元610提供的第一多个磁悬浮力910非接触悬浮的掩模组件200。第一多个磁悬浮力910的各个磁悬浮力用参考数字915指示。第一多个磁悬浮力910可以是初始多个磁悬浮力，所述初始多个磁悬浮力不被配置用于提供载体210的变形。如图9a所示，当掩模组件200通过第一多个磁悬浮力910非接触地悬浮时，载体210可以处于基本上不变形的状态。例如，第一多个磁悬浮力910的量值可以都是基本上相同的。第一多个磁悬浮力910中的每个磁悬浮力可以承载掩模组件200总重量的相等比例。
如图9a所示，当掩模组件200通过第一多个磁悬浮力910非接触地悬浮时，掩蔽装置和可选的掩模支撑件310(未示出)可处于变形状态，例如由作用于掩蔽装置20和/或掩模支撑件310上的重力引起的变形状态。如图9a所示，当掩模组件200通过第一多个磁悬浮力910非接触地悬浮时，可能存在掩蔽装置20的不对准。在图9a所示的示例中，掩蔽装置20的上边缘没有与基准轴642很好地对准。掩蔽装置20的下边缘没有与基准轴652很好地对准。掩蔽装置20的不对准可能是由于掩蔽装置20和/或掩模支撑件310的变形状态。
根据可以与本文所述的其他实施方式组合的实施方式，掩蔽装置和/或掩模支撑件的对准可以由一个或多个测量装置(例如，相机或传感器)测量。图9a示出用于测量掩蔽装置的对准的两个测量装置912和914。也可以提供单个测量装置或两个或更多个测量装置。当掩模组件200通过第一多个磁悬浮力910非接触地悬浮时，测量装置912和/或测量装置914可用于测量掩蔽装置的对准。可以检测掩蔽装置20的不对准。具体地，可以根据所测量的掩蔽装置20的对准来确定掩蔽装置20的形状相对于掩蔽装置20的目标形状的偏差。
为了补偿掩蔽装置20的不对准，可以确定载体210的目标变形。具体地，可以确定第二多个磁悬浮力920。第二多个磁悬浮力920的量值可以至少根据所测量的掩蔽装置20的对准来计算。第二多个磁悬浮力920可以被配置用于提供载体210的变形以补偿掩蔽装置20的不对准。
图9b示出使掩模组件200非接触地悬浮的第二多个磁悬浮力920。第二多个磁悬浮力920由多个磁性单元610提供。第二多个磁悬浮力920中的各个磁悬浮力用参考数字925指示。
如图9b所示，当掩模组件200由第二多个磁悬浮力920非接触地悬浮时，载体210处于变形状态。例如，第二多个磁悬浮力920的量值分配可以是不均匀的，以提供载体210的目标变形。如图9b所示，当掩模组件200由第二多个磁悬浮力920非接触地悬浮时，掩蔽装置20和可选的掩模支撑件310(图9b中未示出)可以处于基本上不变形的状态。如图9b所示，当掩模组件200由第二多个磁悬浮力920非接触地悬浮时，掩蔽装置20被良好对准。在图9b所示的示例中，掩蔽装置20的上边缘与基准轴642对准。掩蔽装置20的下边缘与基准轴652对准。
如上所述，一旦针对掩蔽装置20计算了第二多个磁悬浮力920的量值，则第二多个磁悬浮力也可以应用于使一个或多个另外的掩模组件悬浮和对准，而不需要重复对不对准的测量和对磁悬浮力分配的计算。
根据一个实施方式，提供一种使掩蔽装置对准的方法。所述方法包括用第一多个磁悬浮力910使第一掩模组件(例如掩模组件200)非接触地悬浮。第一掩模组件包括第一载体和由所述第一载体支持的第一掩蔽装置。第一多个磁悬浮力可以由多个磁性单元610提供。所述方法包括在第一掩模组件由第一多个磁悬浮力910非接触地悬浮时测量第一掩蔽装置的对准。所述方法包括计算，特别是根据至少所测量的第一掩蔽装置的对准来计算第二多个磁悬浮力920。可以针对多个磁性单元610计算第二多个磁悬浮力920。例如，所述方法可以包括根据至少所测量的第一掩蔽装置的对准来计算第二多个磁悬浮力920的量值。所述方法包括用第二多个磁悬浮力920使掩模组件非接触地悬浮。掩模组件包括载体和由所述载体支持的掩蔽装置。掩模组件是第一掩模组件或第二掩模组件。第二多个磁悬浮力920提供载体的变形。例如，可以提供载体的变形以使掩蔽装置对准。
根据本文所述的实施方式的第一掩模组件可以是根据本文所述的实施方式的掩模组件200。根据本文所述的实施方式的第一载体可以是根据本文所述的实施方式的载体210。根据本文所述的实施方式的第一掩蔽装置可以是根据本文所述的实施方式的掩蔽装置20。第一掩模组件可包括根据本文所述实施方式的掩模支撑件310。本文关于根据本文所述的实施方式的掩模组件200、载体210和掩蔽装置20描述的特征和方面也适用于根据本文所述的实施方式的第一掩模组件、第一载体和第一掩蔽装置。
根据本文所述的实施方式的第二多个磁悬浮力920可以是根据本文所述的实施方式的多个磁悬浮力620。根据本文所述的实施方式的第二掩模组件可以是根据本文所述的实施方式的掩模组件200。根据本文所述的实施方式，第二掩模组件可以包括载体210、掩蔽装置20和/或掩模支撑件310。本文关于多个磁悬浮力620和掩模组件200描述的特征和方面也适用于根据本文所述的实施方式的第二多个磁悬浮力920和第二掩模组件。
根据可与本文所述的其他实施方式组合的实施方式，第二多个磁悬浮力中的至少两个磁悬浮力可具有不同的量值。
根据可与本文所述的其他实施方式组合的实施方式，所述方法可包括根据至少所测量的第一掩蔽装置的对准来确定第一掩蔽装置的形状与目标形状的偏差。确定偏差所针对的第一掩蔽装置的形状可以是在第一掩蔽装置通过第一多个磁悬浮力910非接触地悬浮期间的第一掩蔽装置的形状。目标形状可以是基本上未变形的第一掩蔽装置的形状。
根据可与本文所述的其他实施方式组合的实施方式，提供第二多个磁悬浮力920以使第一掩模组件非接触地悬浮。所述方法可以包括当第一掩模组件非接触地悬浮时，从第一多个磁悬浮力改变为第二多个磁悬浮力。
根据另一实施方式，并且如图10所示，提供设备1000。设备1000包括磁悬浮系统，所述磁悬浮系统包括多个磁性单元610。设备1000包括掩模组件200。掩模组件200包括载体210和由所述载体支持的掩蔽装置20。设备1000包括连接到多个磁性单元610的控制单元1010。设备1000被配置用于在掩模组件200非接触地悬浮时控制载体210的形状。
根据可与本文所述的其他实施方式组合的实施方式，控制单元1010可被配置用于在掩模组件200非接触地悬浮时控制多个磁性单元610来控制载体210的形状。
根据可与本文所述的其他实施方式组合的实施方式，多个磁性单元610可被配置用于提供多个磁悬浮力620以使掩模组件200非接触地悬浮。控制单元1010可以被配置用于控制多个磁悬浮力620以控制载体210的形状，例如以提供载体210的变形。控制单元1010可以被配置用于控制多个磁悬浮力620以提供载体210的变形来使掩蔽装置20对准。
根据实施方式的设备1000可适于执行根据本文所述方法的实施方式的任何方法特征，特别是从属方法权利要求中所述的任何特征。本文所述的控制单元可适于执行本文所述的方法的实施方式的任何方法特征，特别是从属方法权利要求中所述的任何特征。
根据可与本文所述的其他实施方式组合的实施方式，多个磁性单元610可以包括第一磁性单元。多个磁性单元610可以包括第二磁性单元。多个磁性单元610可以包括第三磁性单元。多个磁性单元610可以包括另外的磁性单元。多个磁性单元610可以包括2个、3个、4个、5个、6个、7个、8个、9个、10个、11个、12个、13个、14个、15个、16个、17个、18个、19个、20个或更多个磁性单元。例如，多个磁性单元610可以在一个自由度中包括5至20个磁性单元。
根据可与本文所述的其他实施方式组合的实施方式，多个磁性单元610中的任何磁性单元可以是有源磁性单元。多个磁性单元610可以是多个有源磁性单元。
根据可与本文所述的其他实施方式组合的实施方式，有源磁性单元可被配置用于产生磁场，以提供在竖直方向(例如，图中所示的第二方向694)中延伸的磁悬浮力。可以控制有源磁性单元以提供可调节的磁场。可调节的磁场可以是静态或动态磁场。有源磁性单元可以是或包括选自由以下项组成的组的元件：电磁装置；螺线管；线圈；超导磁体；或上述元件的任何组合。
本文使用术语“有源”磁性单元来区别于概念“无源”磁性单元。无源磁性单元可以指具有磁性性质的元件，所述元件不受有源控制或调节，至少在设备运行期间不受有源控制或调节。例如，在掩模组件的非接触悬浮期间，无源磁性单元的磁性可不受有源控制。无源磁性单元可以是磁性材料，诸如铁磁材料、永磁体，或者可以具有永磁性质。
与无源磁性单元相比，有源磁性单元在有源磁性单元产生的磁场的可调节性和可控性方面提供更大的灵活性和精度。
当掩模组件200通过多个磁性单元610非接触地悬浮时，多个磁性单元610可以布置在掩模组件200上方。
根据可以与本文所述的其他实施方式组合的实施方式，设备1000可以包括一个或多个测量装置，例如图11中所示的测量装置912和914。一个或多个测量装置可以被配置用于测量掩蔽装置20和/或掩模支撑件310的对准。所述一个或多个测量装置可以被配置用于在掩模组件200通过多个磁性单元610非接触地悬浮时测量掩蔽装置20和/或掩模支撑件310的对准。控制单元1010可以连接到一个或多个测量装置。控制单元1010可以被配置用于计算多个磁悬浮力620的量值。所述量值可以至少基于由一个或多个测量装置所测量的掩蔽装置20的对准来计算。
根据可以与本文所述的其他实施方式组合的实施方式，设备1000可包括处理腔室1120。图11示出处理腔室1120。多个磁性单元610可以布置在处理腔室1120中。一个或多个测量装置，例如测量装置912和/或914，可以布置在处理腔室1120中。
处理腔室1120可以是真空腔室。处理腔室可以是真空沉积腔室。
根据可以与本文所述的其他实施方式组合的实施方式，设备1000可包括沉积源，特别是用于涂覆被掩蔽装置20掩蔽的基板的沉积源。在涂覆期间，基板可以由载体210或另一载体支持。在涂覆期间，基板可以非接触地悬浮。沉积源可以布置在处理腔室1120中。沉积源可以包括靶，所述靶例如具有在所述靶上的沉积材料；或允许材料被释放以沉积在基板上的任何其他布置。沉积源可包括可旋转靶。可以根据沉积工艺和经涂覆的基板的后续应用来选择沉积材料。例如，沉积材料可以是用于制造OLED的有机材料。例如，沉积源的沉积材料可以是包括小分子、聚合物和磷光材料的材料。例如，沉积材料可以选自包括以下项的组：螯合物(例如，Alq3)、荧光和磷光染料(例如，二萘嵌苯、红荧烯、喹吖啶酮衍生物等)和共轭树枝状聚合物(conjugated dendrimer)。
图12示出根据本文所述的实施方式的设备1000。图12中所示的设备1000包括磁悬浮系统，所述磁悬浮系统包括多个磁性单元610，例如有源磁性单元，诸如电磁装置、螺线管、线圈或超导磁体。磁悬浮系统在第一方向692中延伸，所述第一方向可以是基本上水平的方向。掩模组件200可以是可相对于多个磁性单元610在第一方向692上移动的。如图12所示，掩模组件200可以连接到(例如附接到)第一无源磁性单元1210，例如铁磁性材料条。
根据可以与本文所述的其他实施方式组合的实施方式，掩模组件200可连接到一个或多个磁性单元，例如如图12所示的第一无源磁性单元1210。作用于掩模组件200上的磁悬浮力可以通过由多个磁性单元610(例如，有源磁性单元)提供的磁场与连接到掩模组件200的一个或多个磁性单元(例如第一无源磁性单元1210)的磁性性质相互作用来提供。所述相互作用提供多个磁性单元610与第一无源磁性单元1210之间的磁吸引力。磁吸引力提供作用于第一无源磁性单元1210上的向上力。连接到第一无源磁性单元1210的掩模组件200通过所述向上力非接触地悬浮。
例如，掩模组件200的载体210可以机械耦接(例如附接)到第一无源磁性单元1210。多个磁悬浮力620可以经由载体210与第一无源磁性单元1210的机械耦接而作用于载体210上。经由载体210与第一无源磁性单元1210的连接，可以控制多个磁悬浮力620对载体210的作用，以提供载体210的变形。例如，通过提供具有不同量值的多个磁悬浮力620，可以提供作用于载体210上的向上力，其中所述向上力在第一方向692中沿着载体210的长度具有不同的量值。具有不同量值的向上力可以被配置用于提供载体210的目标变形。
根据可与本文所述的其他实施方式组合的实施方式，多个磁性单元610可布置在第一方向692中。多个磁性单元610可以是在第一方向692中延伸的磁性单元的线性阵列。
多个磁悬浮力620可以在第一方向692中彼此间隔开。所述多个磁悬浮力中的第一磁悬浮力可以在第一方向692中与所述多个磁悬浮力中的第二磁悬浮力间隔开。所述多个磁悬浮力中的第三磁悬浮力可以在第一方向692中与第二磁悬浮力间隔开。
根据可与本文所述的其他实施方式组合的实施方式，多个磁性单元610可在第一方向692中延伸。多个磁悬浮力可以包括第一磁悬浮力和第二磁悬浮力。第二磁悬浮力可以在第一方向692中与第一磁悬浮力间隔开。第二磁悬浮力的量值可以不同于第一磁悬浮力的量值。多个磁悬浮力620可以包括在第一方向692中与第二磁悬浮力间隔开的第三磁悬浮力。
根据可以与本文所述的其他实施方式组合的实施方式，基板10可以是大面积基板。大面积基板可以具有至少0.67m2的大小。大小可以从约0.67m2(0.73×0.92m–第4.5代)到约8m2，更具体地从约2m2到约9m2，或者甚至高达12m2。例如，大面积基板可以是对应于约0.67m2基板的第4.5代(0.73×0.92m)、对应于约1.4m2基板的第5代(1.1m×1.3m)、对应于约4.29m2基板的第7.5代(1.95m×2.2m)、对应于约5.7m2基板的第8.5代(2.2m×2.5m)、或者甚至对应于约8.7m2基板的第10代(2.85m×3.05m)。甚至可以类似地实现更大的代，例如第11代和第12代和相应的基板面积。
本文所用的术语“基板”包括非柔性基板和柔性基板两者，非柔性基板例如是玻璃基板、晶片、透明晶体的切片(诸如蓝宝石等)或玻璃板；柔性基板诸如卷材或箔。根据可以与本文所述的其他实施方式组合的实施方式，本文所述的实施方式可用于显示器PVD，例如用于显示器市场的大面积基板上的溅射沉积。
虽然前述内容针对本公开内容的实施方式，但是可以在不脱离本公开内容的基本范围的情况下设计出其他和进一步的实施方式，并且本公开内容的范围由所附权利要求书确定。

Claims (15)

1.一种方法，包括：
使掩模组件(200)非接触地悬浮，所述掩模组件(200)包括载体(210)和由所述载体支持的掩蔽装置(20)；和
在所述掩模组件非接触地悬浮时控制所述载体的形状。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述掩模组件通过多个磁悬浮力(620、920)非接触地悬浮，通过控制所述多个磁悬浮力来控制所述载体的所述形状。
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述多个磁悬浮力中的至少两个磁悬浮力具有不同的量值。
4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中控制所述载体的所述形状包括提供所述载体的变形。
5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中控制所述载体的所述形状以使所述掩蔽装置对准。
6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述掩模组件进一步包括掩模支撑件(310、510)，所述掩蔽装置连接到所述掩模支撑件，所述掩模支撑件连接到所述载体，特别地其中所述掩模支撑件是掩模框架(510)。
7.根据权利要求6所述的方法，其中控制所述载体的所述形状以补偿所述掩模支撑件的变形。
8.根据权利要求6或7中任一项所述的方法，其中所述掩模支撑件是掩模框架(510)，所述掩模框架包括第一框架元件(522)，其中控制所述载体的所述形状以使所述第一框架元件与基本上水平的方向(692)对准。
9.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述载体的所述形状仅由非接触力控制。
10.一种方法，包括：
用第一多个磁悬浮力(910)使第一掩模组件(200)非接触地悬浮，所述第一掩模组件包括第一载体(210)和由所述第一载体支持的第一掩模装置(20)；
在由所述第一多个磁悬浮力使所述第一掩模组件非接触地悬浮时测量所述第一掩蔽装置的对准；
计算第二多个磁悬浮力(920)；和
通过所述第二多个磁悬浮力使掩模组件非接触地悬浮，所述掩模组件包括载体和由所述载体支持的掩蔽装置，其中所述掩模组件是所述第一掩模组件或第二掩模组件，
其中所述第二多个磁悬浮力提供所述载体的变形。
11.根据权利要求10所述的方法，其中所述第二多个磁悬浮力中的至少两个磁悬浮力具有不同的量值。
12.根据权利要求10或11中任一项所述的方法，进一步包括：
根据至少所测量的所述第一掩蔽装置的对准来确定所述第一掩蔽装置的所述形状与目标形状的偏差。
13.一种设备(1000)，包括：
磁悬浮系统，所述磁悬浮系统包括多个磁性单元(610)；
掩模组件(200)，所述掩模组件包括载体(210)和由所述载体支持的掩蔽装置(20)；和
控制单元(1010)，所述控制单元连接到所述多个磁性单元，
所述设备被配置用于在使所述掩模组件非接触地悬浮时控制所述载体的所述形状。
14.根据权利要求13所述的设备，其中所述控制单元被配置用于在所述掩模组件非接触地悬浮时控制所述多个磁性单元以控制所述载体的所述形状。
15.根据权利要求13或14中任一项所述的设备，进一步包括一个或多个测量装置(912、914)，所述测量装置被配置用于测量所述掩蔽装置的对准。
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