TW201347642A - 配線基板之製造方法 - Google Patents

Abstract

[課題]目的在於提供一種配線基板的製造方法，該配線基板係具有在核心基板的兩面交互地積層至少1層的導體層和至少1層的樹脂絕緣層而成的積層構造體之配線基板，可在不降低其製造良率之情形下達成薄化。[解決手段]本發明的配線基板之製造方法，具有：於支持基板上形成將各自1個以上的導體層及樹脂絕緣層積層而成的第1積層構造體之步驟；將上主面配設有金屬層的金屬核心基板，以該金屬核心基板的下主面接於前述第1積層構造體上的方式積層之步驟；及於前述金屬核心基板上，形成將各自1個以上的導體層及樹脂絕緣層積層而成的第2積層構造體之步驟。

Description

配線基板之製造方法

本發明係有關配線基板的製造方法。

一般，有關搭載電子零件的封裝是採用於核心基板的兩側交互地積層樹脂絕緣層和導體層而形成有增層的配線基板(專利文獻1)。核心基板是例如以含有玻璃纖維的樹脂形成。由於核心基板具有高剛性且有補強增層的作用，所以通常形成較厚。因而會妨礙配線基板的薄化。

近年來，提案了將核心基板薄化後的配線基板。然而，當核心基板一薄化時，含有核心基板之在製造過程的部件(assembly；作為配線基板之製造途中的基板)的剛性降低。其結果，無法正常地搬送核心基板或部件，具有所謂的核心基板或部件在搬送時和搬送機器接觸，核心基板或部件損傷的問題。

又，在各製造步驟將核心基板或部件固定並向規定的製造步驟供給時，具有所謂核心基板或部件撓曲，難以正確地進行各製造步驟的處理(例如，鍍敷處理)的問題。其結果，具有所謂配線基板的製造良率降低的 問題。

基於此種觀點，遂提案有一種適合於薄化的沒有核心基板的配線基板(所謂的無核心配線基板)(專利文獻2)。此種無核心配線基板，例如，在表面設有積層可剝離的2個金屬膜而成的剝離片之支持基板上形成增層後，在上述剝離片的剝離界面作分離，藉以將增層自支持體分離而獲得目標之配線基板。

然而，上述那種無核心配線基板因內部沒有核心基板而有剛性低、處理上需注意且用途受限的問題。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]特開2004-31812號公報

[專利文獻2]專利第4267903號公報

本發明目的在於提供一種配線基板的製造方法，係具有在核心基板的兩面交互地積層至少1層的導體層和至少1層的樹脂絕緣層而成的積層構造體之配線基板，在不降低其製造良率之情形下可達成薄化之配線基板的製造方法。

用以達成上述目的之本發明係有關一種多層配線基板的製造方法，其特徵為具有：於支持基板上形成將各自1個以上的導體層及樹脂絕緣層積層而成的第 1積層構造體之步驟；將上主面配設有金屬層的金屬核心基板，以該金屬核心基板的下主面接於前述第1積層構造體上的方式積層之步驟；及於前述金屬核心基板上，形成將各自1個以上的導體層及樹脂絕緣層積層而成的第2積層構造體之步驟。

依據本發明，關於所謂的在支持基板上形成積層至少1層的導體層和至少1層的樹脂絕緣層而成的積層構造體之無核心配線基板的製造方法，係連同上述的積層構造體和金屬核心基板一起積層，然後在金屬核心基板上積層同樣構成的追加的積層構造體。

關於無核心配線基板的製造方法，由於在按上述將積層構造體形成於支持基板上之後要除去該支持基板，所以最終會成為由至少1個的導體層及至少1個的樹脂絕緣層所構成的積層構造體且為包夾金屬核心基板的構成，亦即，形成殘存具有金屬核心基板的配線基板。

在本發明中，如上述，因為利用無核心配線基板的製造方法，故在其製造過程中，積層構造體或金屬核心基板係形成於支持基板上。因此，即便是在縮小金屬核心基板的厚度的情況，透過將支持基板的厚度充分地加厚，可抑制在製造過程部件的剛性降低的情形。因此，可將製造過程的部件進行水平搬送，可防止在搬送時部件和搬送機器接觸而導致金屬核心基板或部件損傷的情形。

又，可防止在各製造步驟中將部件固定並朝 向規定的製造步驟供給時，致使部件撓曲而難以正確地進行規定的步驟(例如，鍍敷等)處理之情形。因此，可提升製造配線基板時的良率。

於本發明的一例中，金屬核心基板能以第1絕緣樹脂層、形成有複數個貫通孔的金屬板、第2絕緣樹脂層、及前述金屬層的順序積層而形成。此情況，由於金屬核心基板積層有金屬板，故配線基板的剛性提升，配線基板的撓曲變少。因此，可在不減低配線基板的製造良率之下薄化配線基板。

再者，於本發明的一例中，積層金屬核心基板的步驟為，在前述第1積層構造體上積層前述金屬核心基板後，於前述複數個貫通孔的位置形成通孔，可藉由鍍敷來埋設該通孔。此情況，由於埋設在通孔的鍍敷金屬作為將形成於金屬核心基板的兩面之積層構造體電連接的層間連接體(通路)發揮機能，故可縮短用以電連接積層構造體的配線長度，可防止高頻信號的傳送性能劣化等情形。

又，於本發明的一例中，積層金屬核心基板的步驟為，在前述第1積層構造體上積層前述金屬核心基板後，於前述複數個貫通孔的位置形成通孔，在該通孔的內壁形成鍍敷層後，可使用樹脂絕緣材形成前述樹脂絕緣層同時藉由絕緣體埋設前述通孔。於此情況，可省略在以往含有金屬核心基板的配線基板中對金屬核心基板進行通孔鍍敷、依樹脂充填而埋設通孔及進行充填樹脂的研磨步驟等之煩雜步驟。亦即，可簡化含有金屬 核心基板的配線基板之製造步驟。

又，於本發明的一例中，積層金屬核心基板的步驟為，包含在前述金屬核心基板的形成前述通孔的部位，將前述金屬層部分地除去之步驟，可藉雷射光的照射形成前述通孔。此情況，在應形成通孔的部位不存在金屬層，故而在例如利用雷射光的照射形成通孔的情況，可減低其照射能量，可減低含有金屬核心基板的配線基板的製造成本。

如以上說明，依據本發明，可提供一種配線基板的製造方法，係具有在金屬核心基板的兩面交互地積層至少1層的導體層和至少1層的樹脂絕緣層而成的積層構造體之配線基板，在不降低其製造良率之情形下可達成薄化之配線基板的製造方法。

10、10A‧‧‧配線基板

11‧‧‧第1導體層

12‧‧‧第2導體層

13‧‧‧第3導體層

14‧‧‧第4導體層

15‧‧‧第5導體層

16‧‧‧第6導體層

17‧‧‧第7導體層

21‧‧‧第1樹脂絕緣層

22‧‧‧第2樹脂絕緣層

23‧‧‧第3樹脂絕緣層

24‧‧‧第4樹脂絕緣層

25‧‧‧第5樹脂絕緣層

26‧‧‧第6樹脂絕緣層

31‧‧‧第1通路導體

32‧‧‧第2通路導體

33‧‧‧第3通路導體

34‧‧‧第4通路導體

35‧‧‧第5通路導體

36‧‧‧第6通路導體

41‧‧‧第1阻劑層

42‧‧‧第2阻劑層

[圖1]第1實施形態的配線基板的平面圖。

[圖2]第1實施形態的配線基板的平面圖。

[圖3]係放大顯示沿著I-I線剖切圖1及2所示的配線基板的情況之剖面的一部分的圖。

[圖4]第1實施形態的配線基板的製造方法中的一步驟圖。

[圖5]第1實施形態的配線基板的製造方法中的一步驟圖。

[圖6]第1實施形態的配線基板的製造方法中的一步 驟圖。

[圖7]第1實施形態的配線基板的製造方法中的一步驟圖。

[圖8]第1實施形態的配線基板的製造方法中的一步驟圖。

[圖9]第1實施形態的配線基板的製造方法中的一步驟圖。

[圖10]第1實施形態的配線基板的製造方法中的一步驟圖。

[圖11]第1實施形態的配線基板的製造方法中的一步驟圖。

[圖12]第1實施形態的配線基板的製造方法中的一步驟圖。

[圖13]第1實施形態的配線基板的製造方法中的一步驟圖。

[圖14]第1實施形態的配線基板的製造方法中的一步驟圖。

[圖15]第1實施形態的配線基板的製造方法中的一步驟圖。

[圖16]第1實施形態的配線基板的製造方法中的一步驟圖。

[圖17]第1實施形態的配線基板的製造方法中的一步驟圖。

[圖18]放大顯示第2實施形態的配線基板的剖面之一部分的圖。

[圖19]第2實施形態的配線基板的製造方法中的一步驟圖。

[圖20]第2實施形態的配線基板的製造方法中的一步驟圖。

[圖21]第2實施形態的配線基板的製造方法中的一步驟圖。

[圖22]第2實施形態的配線基板的製造方法中的一步驟圖。

以下，一面參照圖面一面針對本發明的實施形態作說明。

(第1實施形態)(配線基板)

一開始，針對使用本發明的方法所製造的多層配線基板的一例作說明。圖1及圖2係顯示本實施形態的配線基板10之平面圖。圖1係顯示從上側觀看配線基板10的情況之狀態，圖2係顯示從下側觀看配線基板10的情況之狀態。又，圖3係放大顯示沿著I-I線剖切圖1及2所示的配線基板的情況之剖面的一部分的圖。

此外，以下所示的配線基板係用以使本發明的特徵明確的例示，只要是具有透過包含交互積層而成的至少1層的導體層及至少1層的樹脂絕緣層之第1積層構造體及第2積層構造體來包夾金屬核心基板那種的構成即可，倒沒有特別限定。

圖1~3所示的配線基板10係具備第1積層構造體20A、第2積層構造體20B、及被第1積層構造 體20A及第2積層構造體20B包夾的金屬核心基板20C。

第1積層構造體20A係具備第1導體層11~第3導體層13、第1樹脂絕緣層21及第2樹脂絕緣層22、及第1通路導體31及第2通路導體32，且具有以第1導體層11、第1樹脂絕緣層21、第2導體層12、第2樹脂絕緣層22及第3導體層13的順序積層的構成。又，第1通路導體31係電連接第1導體層11和第2導體層12，第2通路導體32係電連接第2導體層12和第3導體層13。

第2積層構造體20B係具備第4導體層14~第7導體層17、第4樹脂絕緣層24~第6樹脂絕緣層26及第4通路導體34~第6通路導體36，且具有以第4導體層14、第4樹脂絕緣層24、第5導體層15、第5樹脂絕緣層25、第6導體層16、第6樹脂絕緣層26及第7導體層17順序積層的構成。又，第4通路導體34係電連接第4導體層14和第5導體層15，第5通路導體35係電連接第5導體層15和第6導體層16，第6通路導體36係電連接第6導體層16和第7導體層17。

此外，第1導體層11~第7導體層17係由銅等之電氣抵抗低的導體構成。又，第1樹脂絕緣層21，第2樹脂絕緣層22及第4樹脂絕緣層24~第6樹脂絕緣層26係由熱硬化性樹脂組成物構成。該熱硬化性樹脂組成物亦可視需要而含有二氧化矽填料等。

金屬核心基板20C係具備第3樹脂絕緣層23、配置於第3樹脂絕緣層23內的金屬板M、及第3通 路導體33。第3樹脂絕緣層23係透過使2枚的絶縁樹脂基板(耐熱性樹脂板(例如雙馬來醯亞胺-三氮雜苯樹脂板)或纖維強化樹脂板(例如玻璃纖維強化環氧樹脂)等)熱硬化而形成。金屬板M係由恆範鋼(鎳與鐵的合金)等之熱膨脹率低的金屬或銅等之良導體構成，在形成第3通路導體33的位置預先形成貫通孔23h。金屬核心基板20C的厚度可設為例如100μm~200μm。

此外，於第1導體層11上，以使該第1導體層11部分地露出的方式形成第1阻劑層41，於第7導體層17上，以使該第7導體層17部分地露出的方式形成第2阻劑層42。

第1導體層11從第1阻劑層41露出的部分係作為用以將配線基板10連接於母板的背面連接盤(LGA墊部)發揮機能，且在配線基板10的背面呈矩形狀配列。第7導體層17從第2阻劑層42露出的部分係作為用以對配線基板10覆晶連接未圖示的半導體元件等的墊部(FC墊部)發揮機能，且構成半導體元件搭載區域並在配線基板10的表面的大致中心部呈矩形狀配置。

又，倒是沒有特地賦予標號，第1導體層11~第7導體層17的和第1通路導體31~第6通路導體36連接的部分係構成通路連接盤(通路墊部)，第1導體層11~第7導體層17的沒有和第1通路導體31~第6通路導體36連接的部分係構成配線層。配線基板10的大小可設為例如，400mm×400mm×0.4mm。

(配線基板的製造方法)

其次，針對圖1~圖3所示的配線基板10的製造方法作說明。圖4~圖17係本實施形態的配線基板10的製造方法中之步驟圖。此外，圖4~圖17所示的步驟圖係與圖3所示的配線基板10的剖面圖對應。

又，以本發明的製造方法而言，實際上是在支持基板的兩側形成多層配線基板10，但本實施形態中，為使本發明的製造方法的特徵明確，針對僅於支持基板一側形成配線基板10的情況作說明。

一開始，如圖4所示，準備在兩面貼附有銅箔51而成的支持基板S。支持基板S能以例如耐熱性樹脂板(例如雙馬來醯亞胺-三氮雜苯樹脂板)或纖維強化樹脂板(例如玻璃纖維強化環氧樹脂板)等所構成。又，如以下詳述，為了抑制處在製造過程的部件的撓曲，支持基板S的厚度可設為例如0.4mm~1.0mm。接著，隔著作為接着層的預浸物層52並利用例如真空熱壓將剝離片53壓接形成於被形成在支持基板S的兩面的銅箔51上。

剝離片53是由例如第1金屬膜53a及第2金屬膜53b構成，於此等的膜間施行鍍Cr等，建構成可依來自外部的張力而相互剝離。此外，第1金屬膜53a及第2金屬膜53b可由銅箔構成。

接著，如圖5所示，於形成在支持基板S的兩側的剝離片53上分別積層感光性的乾膜，透過曝光及顯影而形成遮罩圖案54。於遮罩圖案54分別形成和定向標記形成部Pa及外周部劃定部Po相當的開口部。

接著，如圖6所示，在支持基板S上，隔著遮罩圖案54對剝離片53進行蝕刻處理而在剝離片53的和上述開口部相當的位置形成定向標記形成部Pa及外周部劃定部Po。此外，形成定向標記形成部Pa及外周部劃定部Po後，蝕刻除去遮罩圖案54。

又，較佳為，在除去遮罩圖案54後對露出的剝離片53的表面施行蝕刻處理，將其表面事先粗化。藉此，可提高剝離片53與後述的樹脂絕緣層之密接性。

接著，如圖7所示，在剝離片53上積層樹脂膜，透過在真空下加壓加熱使之硬化而形成第1樹脂絕緣層21。藉此，剝離片53的表面被第1樹脂絕緣層21覆蓋，同時構成定向標記形成部Pa的開口部及構成外周部劃定部Po的缺口成為被充填第1樹脂絕緣層21的狀態。藉此，於定向標記形成部Pa的部分形成定向標記的構造。

又，由於外周部劃定部Po亦會被第1樹脂絕緣層21蓋覆，故可排除在以下所示的介設有剝離片53的剝離步驟中，剝離片53的端面例如從預浸物52剝落而上浮，在無法良好地進行剝離步驟之下變得無法製造目標之配線基板10那樣不利的情況。

接著，對第1樹脂絕緣層21照射例如來自CO2氣體雷射或YAG雷射的既定強度的雷射光以形成通路孔，且在對該通路孔施行適宜去污處理及外形蝕刻後，對含有通路孔的第1樹脂絕緣層21實施粗化處理。

第1樹脂絕緣層21含有填料的情況，因為一 實施粗化處理時填料會游離而殘存於第1樹脂絕緣層21上，故要進行適宜的水洗。

又，在上述水洗淨後可進行噴吹空氣。藉此，即便是在游離的填料未藉由上述的水洗淨完全地除去的情況，亦能噴吹空氣以完成填料之除去作業。

之後，對第1樹脂絕緣層21進行圖案鍍敷，形成第2導體層12及第1通路導體31。第2導體層12及通路導體31係利用半加成法且按以下的方式形成。一開始，於第1樹脂絕緣層21上形成無電解鍍敷膜後，在此無電解鍍敷膜上形成阻劑，透過在此阻劑的非形成部分進行電解銅鍍敷而形成。形成第2導體層12及第1通路導體31後，利用KOH等將阻劑剝離除去，透過蝕刻將因阻劑除去而露出的無電解鍍敷膜除去。

接著，在第2導體層12施作粗面化處理後，以覆蓋第2導體層12般地在第1樹脂絕緣層21上積層樹脂膜，且在真空下加壓加熱，藉此使之硬化而形成第2樹脂絕緣層22。之後，與第1樹脂絕緣層21的情況同樣，於第2樹脂絕緣層22形成通路孔，接著透過進行圖案鍍敷而形成第3導體層13及第2通路導體32。此外，形成第3導體層13及第2通路導體32時的詳細條件係和形成第2導體層12及第1通路導體31的情況相同。

以上，經過圖4~圖7所示的步驟可獲得具備(之後成為第1導體層11)第1金屬膜53a、第2導體層12及第3導體層13、第1樹脂絕緣層21及第2樹脂絕緣層22、以及第1通路導體31及第2通路導體32的 第1積層構造體20A。

接著，如圖8所示，以於第2樹脂絕緣層22上覆蓋第3導體層13的方式，藉由熱硬化使作為第3樹脂絕緣層23的2片預浸物23A、23B以其等間包夾著金屬板M的狀態積層。又，在金屬板M上積層的預浸物23B之上主面配設金屬層55。金屬層55的厚度可設為1μm~35μm。又，金屬層55可由和第1導體層11~第7導體層17相同的金屬材料，例如銅等之電氣的良導體所構成。

接著，如圖9所示，透過進行真空熱壓而加熱預浸物23A、23B使之硬化，獲得在第3樹脂絕緣層23內配置著金屬板M的金屬核心基板20C。

此外，上述真空熱壓是在構成第1積層構造體20A的第1樹脂絕緣層21及第2樹脂絕緣層22的玻璃轉移點以上的溫度進行，故在第1積層構造體20A上形成由金屬層55、第3樹脂絕緣層23及金屬板M所構成的金屬核心基板20C時，可改善第1積層構造體20A的翹曲，可改善最終獲得的多層配線基板10當中至少金屬核心基板20C下的翹曲。

接著，如圖10所示，在將金屬層55部分地蝕刻除去而形成開口部55H後，如圖11所示，經由開口部55H將雷射光照射於第3樹脂絕緣層23，形成通孔23H使第3導體層13露出。在此情況，由於在金屬板M之應形成通孔23H的部位預先形成貫通孔23h，且在圖10所示的步驟，於金屬層55中的第3樹脂絕緣層23的應 形成通孔23H的部位預先形成開口部55H，所以上述雷射光不經由金屬層55及金屬板M而直接照射於第3樹脂絕緣層23。

因此，在使用雷射光於金屬核心基板20C的第3樹脂絕緣層23形成通孔23H時，可省略藉由雷射光在金屬板M形成貫通孔及在金屬層55形成開口部的步驟，因而可減低在形成通孔23H時所需的雷射光的照射能量，可減低配線基板10的製造成本。

但是，圖10所示的步驟亦可省略。然而，於此情況，在利用雷射光於第3樹脂絕緣層23形成通孔23H的同時，必須在金屬板M形成貫通孔及在金屬層55形成開口部55H，故形成通孔23H所需的雷射光的照射能量增大。因此，配線基板10的製造成本增大。

接著，對通孔23H施行適宜去污處理及外形蝕刻，之後，透過施行無電解鍍敷而在通孔23H的內壁面上形成未圖示的鍍敷基底層後，如圖12所示，進行所謂的填孔(filled via)鍍敷處理，藉由鍍敷來埋設通孔23H。此情況，由於鍍敷金屬是作為將形成於第3樹脂絕緣層23的下面側的第1積層構造體20A和形成於第3樹脂絕緣層23的上面側之第2積層構造體20B予以電連接的第3通路導體33發揮機能，故用以電連接此等積層構造體的配線長度變短，可防止高頻信號的傳送性能劣化等情形。

此外，在以往的具有核心基板的配線基板的製造方法中，為了將形成於核心基板的兩面之積層構造 體電連接，有必要在核心基板設置通孔導體。因此，將積層構造體電連接的配線長度必然變長，有招致高頻信號的傳送性能劣化之虞。

此外，由於透過進行上述的填孔鍍敷處理，亦會在金屬層55上形成鍍敷層56，故在金屬層55上積層鍍敷層56而成的金屬積層體以標號57表示。如上述，金屬層55可由銅構成，鍍敷層56亦可由銅構成，因而鍍敷層56成為執行和金屬層55相同的機能，金屬積層體57可作成單一的金屬層。

接著，如圖13所示，在金屬積層體(金屬層)57上形成阻劑圖案58，接著，如圖14所示，隔著阻劑圖案58蝕刻金屬積層體(金屬層)57，之後，透過除去阻劑圖案58以於第3樹脂絕緣層23上形成第4導體層14。

接著，在第4導體層14施作粗面化處理後，如圖15所示，以覆蓋第4導體層14般地在第3樹脂絕緣層23上積層樹脂膜，且在真空下加壓加熱，藉此使之硬化而形成第4樹脂絕緣層24。之後，與第1樹脂絕緣層21的情況同樣地，於第4樹脂絕緣層24形成通路孔，接著透過進行圖案鍍敷而形成第5導體層15及第4通路導體34。此外，在形成第5導體層15及第4通路導體34時的詳細條件係和形成第2導體層12及第1通路導體31的情況同樣。

又，如圖15所示，和第4樹脂絕緣層24同樣地依序形成第5樹脂絕緣層25及第6樹脂絕緣層26，接著，和第5導體層15及第4通路導體34同樣地， 於第5樹脂絕緣層25及第6樹脂絕緣層26，分別形成第6導體層16及第5通路導體35以及第7導體層17及第6通路導體36。之後，形成第2阻劑層42使第7導體層17部分地露出。

按以上那樣，獲得由第4導體層14~第7導體層17、第4樹脂絕緣層24~第6樹脂絕緣層26以及第4通路導體34~第5通路導體35所構成的第2積層構造體20B。

接著，如圖16所示，將經上述步驟所獲得的含有第1積層構造體20A、第3樹脂絕緣層23及第2積層構造體20B的積層體沿著設定在外周部劃定部Po稍內側的切斷線切斷，除去不要的外周部。

接著，如圖17所示，在經過圖16所示的步驟所獲得之多層配線積層體的構成剝離片53之第1金屬膜53a及第2金屬膜53b的剝離界面進行剝離，從上述多層配線積層體除去支持基板S。

接著，對在圖17所獲得的多層配線積層體之殘存在下方的剝離片53之第1金屬膜53a施行蝕刻，形成第1導體層11。之後，藉由以第1導體層11部分地露出的方式形成第1阻劑層41而獲得像圖3那種配線基板10。

在本實施形態，關於所謂的在支持基板上形成積層有至少1層的導體層和至少1層的樹脂絕緣層的積層構造體之無核心配線基板的製造方法，係將上述的第1積層構造體20A連同金屬核心基板20C一起積層， 再於金屬核心基板20C上積層同樣構成的第2積層構造體20B。關於無核心配線基板的製造方法，由於在按上述將積層構造體形成於支持基板上之後要除去該支持基板，所以最終會成為由至少1個的導體層及至少1個的樹脂絕緣層所構成的積層構造體且為包夾金屬核心基板的構成，亦即，形成殘存具有金屬核心基板的配線基板。

於本實施形態，由於在製造具有金屬核心基板20C的配線基板10時是利用無核心配線基板的製造方法，故在其製造過程，由第1積層構造體20A、第2積層構造體20B及金屬核心基板20C所構成的配線基板10係形成於支持基板S上。因此，即便是在縮小金屬核心基板20C的厚度的情況，透過將支持基板S的厚度充分地加大，可防止製造過程的部件的剛性降低的情形。

因此，可將製造過程的部件進行水平搬送，可回避部件在搬送時和搬送機器接觸，導致金屬核心基板或部件損傷。又，亦可回避在各製造步驟中將部件固定並朝向規定的製造步驟供給時，致使部件撓曲而難以正確地進行例如鍍敷處理等情形。因此，可獲得高良率且具有薄的金屬核心基板的配線基板10。

又，配線基板10的金屬核心基板20C具備剛性優異的金屬板M。因此，即便將配線基板10自支持基板S剝下後，亦可將製造過程的部件進行水平搬送，可回避在搬送時部件和搬送機器接觸而導致金屬核心基板或部件損傷的情形。又，亦可回避在各製造步驟中將部件固定並朝向規定的製造步驟供給時，致使部件撓曲 而難以正確地進行例如鍍敷處理或銲料印刷等。因此，可獲得高良率且具有薄的金屬核心基板的配線基板10。

本實施形態的方法未受限於製造金屬核心基板薄、且以通常的製造方法會造成核心基板或處在製造過程的部件撓曲、致使製造良率降低那種構造的含有核心基板的配線基板，即便在核心基板厚、且以通常的製造方法也能以高良率製造含有核心基板的配線基板那種情況亦可適用。

此外，本實施形態中在形成第4導體層14時是使用所謂的減成法來形成，但亦可使用半加成法來形成以取代此種減成法。

(第2實施形態)(配線基板)

圖18係放大顯示本實施形態的配線基板的剖面之一部分的圖，相當於第1實施形態的圖3。此外，於本實施形態的圖面，針對和第1實施形態的配線基板10構成要素類似或同一構成要素是使用同一標號。

圖18所示的配線基板10A係有關在形成於構成金屬核心基板的第3樹脂絕緣層23的通孔23H的壁面，以與形成於第3樹脂絕緣層23上的第4導體層14連接的方式形成鍍敷層23M，且通孔23H藉由樹脂絕緣層23I而埋設，這點是和第1實施形態所示的配線基板10相異，其他則採用同樣構成。此外，此種構成乃起因於以下要說明的製造方法。

(配線基板的製造方法)

圖19~圖22係本實施形態的配線基板10A的製造 方法中之步驟圖。此外，圖19~圖22所示的步驟圖係與圖18所示的配線基板10A的剖面圖對應。

又，以本發明的製造方法而言，實際上是在支持基板的兩側形成多層配線基板10A，但本實施形態中，為使本發明的製造方法的特徵明確，針對僅於支持基板的一側形成配線基板10A的情況作說明。

一開始，依據第1實施形態的圖4~圖9所示的步驟，形成第1積層構造體20A及金屬核心基板20C。接著，如圖10所示，在將金屬層55部分地蝕刻除去而形成開口部55H後，如圖11所示，經由開口部55H將雷射光照射於第3樹脂絕緣層23形成通孔23H使第3導體層13露出。

接著，如圖19所示，對通孔23H施行適宜去污處理及外形蝕刻，之後，施行所謂的通孔鍍敷處理，藉以形成鍍敷層23M而在通孔23H的內壁面上與金屬層55連接。

此外，透過進行上述的通孔鍍敷處理，在金屬層55上亦會形成鍍敷層23M。如上述，金屬層55可由銅構成，鍍敷層23M亦可由銅構成，因而鍍敷層23M成為執行和金屬層55相同的機能，可設為單一的金屬層。

接著，如圖20所示，在金屬層55上，以堵住通孔23H的方式形成阻劑圖案58，接著，如圖21所示，隔著阻劑圖案58對蝕刻金屬層55，之後，透過除去阻劑圖案58以於第3樹脂絕緣層23上形成第4導體 層14。

接著，在第4導體層14施作粗面化處理後，如圖22所示，以覆蓋第4導體層14般且在第3樹脂絕緣層23上埋設通孔23H的方式積層樹脂膜(樹脂絕緣材)，且在真空下加壓加熱，藉此使之硬化而形成第4樹脂絕緣層24，同時形成埋設通孔23H的樹脂絕緣層23I。

之後，進行和第1實施形態的圖15~圖17所示的步驟同樣的處理，獲得像圖18那種配線基板10A。

在本實施形態，於圖19~圖22所示的步驟，對金屬核心基板10C形成通孔23H，且於該通孔23H的內壁形成鍍敷層23M後，使用形成第4樹脂絕緣層24用的樹脂片，藉由絕緣層23I埋設通孔23H。在此情況下，省略在以往含有核心基板的配線基板中對核心基板進行通孔鍍敷、依樹脂充填而埋設通孔及充填樹脂的研磨步驟等之步驟，可簡化配線基板10A的製造步驟。

本實施形態中，關於所謂的在支持基板上形成至少1層的導體層和至少1層的樹脂絕緣層積層所成的積層構造體之無核心配線基板的製造方法，係將上述的第1積層構造體20A連同金屬核心基板20C一起積層，再於金屬核心基板20C上積層同樣構成的第2積層構造體20B。關於無核心配線基板的製造方法，由於在按上述將積層構造體形成於支持基板上之後要除去該支持基板，所以最終會成為由至少1個的導體層及至少1個的樹脂絕緣層所構成的積層構造體且為包夾金屬核心基板的構成，亦即，形成殘存具有金屬核心基板的配線 基板。

於本實施形態，由於在製造具有金屬核心基板20C的配線基板10時是利用無核心配線基板的製造方法，故於其製造過程，由第1積層構造體20A、第2積層構造體20B及金屬核心基板20C所構成的配線基板10係形成於支持基板S上。因此，即便是在縮小金屬核心基板20C的厚度的情況，透過將支持基板S的厚度充分地加大，可防止製造過程的部件的剛性降低的情形。

因此，可將製造過程的部件進行水平搬送，可回避部件在搬送時與搬送機器接觸，導致部件損傷的問題。又，在各製造步驟將部件固定並向規定的製造步驟供給時，亦可回避所謂核心基板或部件撓曲，難以正確地進行例如鍍敷處理等之處理的問題。因此，可獲得高良率且具有薄的金屬核心基板20C的配線基板10 A，具有該金屬核心基板20C的配線基板10A得以薄化。

又，配線基板10A的金屬核心基板20C具備剛性優異的金屬板M。因此，即便將配線基板10A自支持基板S剝下後，亦可將製造過程的部件進行水平搬送，可回避在搬送時部件和搬送機器接觸而導致金屬核心基板或部件損傷的情形。又，亦可回避在各製造步驟中將部件固定並朝向規定的製造步驟供給時，致使部件撓曲而難以正確地進行例如鍍敷處理或銲料印刷等情形。因此，可獲得高良率且具有薄的金屬核心基板的配線基板10 A。

本實施形態的方法未受限於製造核心基板 薄、且以通常的製造方法會造成核心基板或處在製造過程的部件撓曲、致使製造良率降低那種構造的含有核心基板的配線基板，即便在核心基板厚、且以通常的製造方法也能以高良率製造含有核心基板的配線基板那種情況亦可適用。

以上，係舉出具體例針對本發明作了詳細說明，但本發明未受上述內容所限定，可以是在不逸脫本發明範疇下的變形、變更。

在上述實施形態，係針對除去支持基板S後形成第1阻劑層41及第2阻劑層42而獲得多層配線基板10、10’之多層配線基板的製造方法作說明，但在圖謀更多層化的情況，亦可具有在除去支持基板S後，更於第1積層構造體20A及第2積層構造體20B表面積層導體層及樹脂絕緣層之步驟。

在上述實施形態，係針對從作為和母板連接用的背面連接盤發揮機能的導體層側朝向作為將半導體元件等覆晶連接用的墊部(FC墊部)發揮機能的導體層側，依序進行導體層和樹脂絕緣層之積層的配線基板的製造方法進行說明，但積層的順序倒未特別限定，亦可從作為FC墊部發揮機能的導體層側朝向作為背面連接盤發揮機能的導體層側積層導體層和樹脂絕緣層。

11‧‧‧第1導體層

12‧‧‧第2導體層

13‧‧‧第3導體層

14‧‧‧第4導體層

15‧‧‧第5導體層

16‧‧‧第6導體層

17‧‧‧第7導體層

20A‧‧‧第1積層構造體

20B‧‧‧第2積層構造體

20C‧‧‧金屬核心基板

23h‧‧‧貫通孔

M‧‧‧金屬板

21‧‧‧第1樹脂絕緣層

22‧‧‧第2樹脂絕緣層

23‧‧‧第3樹脂絕緣層

24‧‧‧第4樹脂絕緣層

25‧‧‧第5樹脂絕緣層

26‧‧‧第6樹脂絕緣層

31‧‧‧第1通路導體

32‧‧‧第2通路導體

33‧‧‧第3通路導體

34‧‧‧第4通路導體

35‧‧‧第5通路導體

36‧‧‧第6通路導體

41‧‧‧第1阻劑層

42‧‧‧第2阻劑層

Claims (5)

1. 一種配線基板的製造方法，其特徵為具有：於支持基板上形成將各自1個以上的導體層及樹脂絕緣層積層而成的第1積層構造體之步驟；將上主面配設有金屬層的金屬核心基板，以該金屬核心基板的下主面接於前述第1積層構造體上的方式積層之步驟；及於前述金屬核心基板上，形成將各自1個以上的導體層及樹脂絕緣層積層而成的第2積層構造體之步驟。
2. 如申請專利範圍第1項之配線基板之製造方法，其中前述金屬核心基板係以第1絕緣樹脂層、形成有複數個貫通孔的金屬板、第2絕緣樹脂層、及前述金屬層的順序積層而形成。
3. 如申請專利範圍第2項之配線基板之製造方法，其中積層前述金屬核心基板的步驟包含：於前述第1積層構造體上積層前述金屬核心基板後，在前述複數個貫通孔的位置形成通孔，藉由鍍敷埋設該通孔的步驟。
4. 如申請專利範圍第2項之配線基板之製造方法，其中積層前述金屬核心基板的步驟包含：於前述第1積層構造體上積層前述金屬核心基板後，在前述複數個貫通孔的位置形成通孔，在該通孔的內壁形成鍍敷層後，使用樹脂絕緣材形成前述樹脂絕緣層且藉由絕緣體埋設前述通孔的步驟。
5. 如申請專利範圍第3或4項之配線基板之製造方法， 其中積層前述金屬核心基板的步驟包含：在前述金屬核心基板的形成前述通孔的部位，將前述金屬層部分地除去的步驟，利用雷射光的照射而形成前述通孔。