TW201344822A - 使用位元故障及虛擬檢測產生一種晶圓檢測程序 - Google Patents

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Abstract

本發明揭示用於產生一種晶圓檢測程序之方法及系統。一方法包含:在一晶圓之掃描期間儲存一檢測系統之偵測器之輸出,無論該輸出是否對應於該晶圓上所偵測出之缺陷;且將該晶圓上之對應於藉由測試該晶圓所偵測出之位元故障之實體位置分隔為該等實體位置上未偵測出缺陷之一第一部分及該等實體位置上偵測出缺陷之一第二部分。此外,該方法包含:將缺陷偵測方法應用至對應於該等實體位置之第一部分之儲存輸出以偵測該等實體位置之第一部分處之缺陷;且基於藉由該(等)缺陷偵測方法在該等實體位置之第一部分處所偵測出之該等缺陷產生一晶圓檢測程序。

Description

使用位元故障及虛擬檢測產生一種晶圓檢測程序
本發明大體上係關於用於使用位元故障及虛擬檢測產生一種晶圓檢測程序之方法及系統。
不因於此章節中包含以下說明及實例而承認其等為先前技術。
在一半導體製造程序期間之各種步驟中使用檢測程序偵測晶圓上之缺陷以促使在製造程序中擁有較高良率且因此較高利潤。檢測一直係製備半導體裝置之一重要部分。然而,隨著半導體裝置之維度減小,檢測對於可接受半導體裝置之成功製造變得更加重要,其係由於較小缺陷可導致該等裝置故障。
已基於已知所關注缺陷(DOI)產生一些檢測配方(或用於執行一檢測程序之一指令組)。例如,可建立檢測配方使得其等偵測儘可能多之DOI而不偵測非所關注之其他缺陷、汙損、及雜訊。依此方式建立檢測配方之一問題為,並不可能總是知道哪個DOI將為致命缺陷且導致一裝置故障。例如,當前無簡單方法來驗證一缺陷是否為一致命缺陷。一使用者可基於該缺陷之特性(諸如大小、分類、及位置)及基於該使用者之缺陷相關經驗來猜測一缺陷是否為一致命缺陷。然而,該使用者可能無法具任何準確度或精度預測哪個缺陷將為致命缺陷。因此,建立檢測配方以偵測最關注之缺陷即致命缺陷並非總是容易的或 甚至並非總是可能的。
相應地,發展不具有上述一或多個缺點之用於產生一晶圓檢測程序之系統及/或方法將係有利的。
各種實施例之以下說明不應以任何方式解釋為對隨附申請專利範圍之標的有所限制。
一實施例係關於用於產生一晶圓檢測程序之一電腦實施方法。該方法包括用一檢測系統掃描一晶圓以偵測該晶圓上之缺陷。該方法亦包含在該掃描期間儲存該檢測系統之一或多個偵測器之輸出,無論該輸出是否對應於該晶圓上所偵測之缺陷。此外,該方法包含將該晶圓上之對應於藉由測試該晶圓而偵測之位元故障之實體位置分隔為實體位置上未偵測出該等缺陷之一第一部分及實體位置上偵測出該等缺陷之一第二部分。該方法進一步包括將一或多個缺陷偵測方法應用至對應於該等實體位置之第一部分之儲存輸出以偵測該等實體位置之第一部分處之缺陷。該方法亦包含基於由該一或多個缺陷偵測方法在該等實體位置之第一部分處偵測之該等缺陷產生一晶圓檢測程序。利用一電腦系統執行該儲存、分隔、應用及產生步驟。
上述方法可如本文進一步描述加以實施。此外,上述方法可包含本文中所描述之任何其他方法之任何其他步驟。另外,可藉由本文中所描述之該等系統之任一者執行上述方法。
另一實施例係關於儲存用於執行用於產生一晶圓檢測程序之一電腦實施方法之在一電腦系統上可執行之程式指令之一非暫時性電腦可讀取媒體。該電腦實施方法包含上述方法之儲存、分隔、應用及產生步驟。該電腦可讀取媒體可進一步如本文中所述加以組態。該電腦實施方法之步驟可如本文中所述進一步加以執行。此外,程式指令為可執行之電腦實施方法可包含本文中所述之任何其他方法之任何其他 步驟。
一額外實施例係關於經組態以產生一晶圓檢測程序之一系統。該系統包含經組態以掃描一晶圓以偵測該晶圓上之缺陷之一檢測子系統。該系統亦包含經組態用於執行上述方法之儲存、分隔、應用及產生步驟之一電腦子系統。該系統可如本文所述進一步加以組態。
210‧‧‧缺陷
212‧‧‧位元故障
214‧‧‧映像
300‧‧‧電腦可讀取媒體
302‧‧‧程式指令
304‧‧‧電腦系統
400‧‧‧子系統
402‧‧‧晶圓
404‧‧‧源
406‧‧‧分束器
408‧‧‧平台
410‧‧‧偵測器
412‧‧‧偵測器
414‧‧‧透鏡
416‧‧‧電腦子系統
在閱讀以下[實施方式]及參考附圖之後,本發明之其他目的及優點將變為明顯的,圖式中:圖1係繪示用於產生一晶圓檢測程序之一方法之一實施例之一流程圖;圖2係繪示具有三個不同配方參數之三個不同檢測配方及比較一位元故障與由該等三個不同檢測配方所產生之缺陷偵測結果之結果之一示意性簡圖;圖3係繪示包含用於執行本文中所述之一或多個電腦實施方法之在一電腦系統上可執行之程式指令之一非暫時電腦可讀取媒體之一實施例之一方塊圖;及圖4係繪示經組態以產生一晶圓檢測程序之一系統之一實施例之一側面視圖之一示意性簡圖。
雖然本發明可有各種修改及替代形式,但本發明之特定實施例仍藉助於該等圖式中之實例加以展示且將在本文中詳細加以描述。然而,應瞭解,本發明之該等圖式及[實施方式]並非意欲將本發明限制於所揭示之特定形式,而相反地,本發明係涵蓋屬於隨附申請專利範圍所定義之本發明之精神及範疇內之所有修改、等效物及替代物。
現轉至該等圖式,應注意該等圖式未按比例繪製。特定言之,該等圖式之一些該等元件之比例經極度放大以強調該等元件之特性。 亦應注意該等圖式未繪製為相同比例。展示在多個圖式中之可經類似地組態之元件已使用相同元件符號表示。
一實施例係關於用於產生一晶圓檢測程序之一電腦實施方法。該方法包含以一檢測系統掃描一晶圓以偵測該晶圓上之缺陷。可依任何適合方法執行以檢測系統掃描晶圓。在掃描該晶圓期間,該檢測系統之一或多個偵測器(其可如本文所述加以組態)產生諸如信號、影像信號、資料、影像資料等等之輸出,該等輸出可用於偵測該晶圓上之缺陷。例如,可將一或多個缺陷偵測方法應用至所產生之輸出以偵測該晶圓上之缺陷。該等缺陷可包含該晶圓上之任何實體缺陷,諸如微粒、圖案缺陷、及類似缺陷。
在一實施例中,該檢測系統包含一光學或電子束檢測系統。可將此一檢測系統如本文中進一步描述加以組態。以此方式,用於上述掃描步驟之檢測系統並非偵測該晶圓上之電性缺陷之一電性測試系統。然而,如本文中進一步描述,此一電性測試系統可用於偵測該晶圓上之位元故障。
在一些實施例中,掃描該晶圓包含在不同層已形成於該晶圓上之後以檢測系統掃描晶圓以偵測該等不同層上之缺陷。例如,在各層在該晶圓製造程序中已形成於該晶圓上之後,可對該晶圓執行一檢測。可針對將用來檢測之層設計各檢測程序。因此,可取決於該晶圓處於該製造程序中之何處而對該晶圓執行不同檢測程序。
該方法亦包含在該掃描期間儲存該檢測系統之一或多個偵測器之輸出而不論該輸出是否對應於在該晶圓上所偵測之缺陷。以此方式,該方法可包含對形成於該晶圓上之一或多個不同層啟用虛擬檢測(如圖1之步驟100中所展示)而檢測一晶圓。可如2012年2月28日核發給Bhaskar等人之美國專利第8,126,255號所描述般執行啟用虛擬檢測,該案之全文以引用之方式併入本文中。此外,經組態以執行如本 文中所述之一虛擬檢測(即,一虛擬偵測器)之一系統可如本專利中所描述加以組態。
該儲存步驟可儲存該輸出,無論該輸出是否對應於該晶圓上所偵測之該等缺陷,因為所儲存之輸出可包含在該掃描期間所產生之用於該晶圓之所有輸出。例如,與其中僅儲存對應於該晶圓上所偵測之缺陷之輸出或其中不儲存任何輸出之大多數偵測方法不同的是,在虛擬檢測中,可儲存藉由掃描而產生之所有(或相當大部分)輸出使得該輸出可用於再訪該晶圓上之位置,該等位置包含缺陷被偵測之位置以及缺陷未被偵測之位置。例如,一旦該輸出已如本文中所述加以儲存,該儲存輸出可用於使用該儲存輸出及一或多個缺陷檢測方法執行該晶圓之一額外檢測而無需使用該實際晶圓且無需執行該晶圓之額外掃描。因此,此一檢測為「虛擬」,其係由於該檢測未使用一實體晶圓。可將該輸出儲存於上述引用之專利中所描述之虛擬偵測器系統中且此一系統可用於執行本文中所描述之額外步驟。由晶圓之檢測所產生之該檢測系統之任何其他結果亦可儲存於相同或不同儲存媒體中作為輸出且可藉由本文中所述之方法及系統使用該等結果。
在一實施例中,該晶圓除該掃描步驟之外並未用於該方法之任何步驟。特定言之,由於在該掃描期間所產生之輸出係如上述加以儲存且該輸出可再次用於諸如本文中所述之此等額外檢測,本文中所描述之任何其他步驟無需該晶圓。例如,由於可如本文中所描述將該一或多個缺陷偵測方法應用至該儲存輸出,該晶圓無需經再次掃描以產生用於該應用步驟之輸出。
該輸出亦可儲存用於對該晶圓之不同層執行之該晶圓之多個檢測。以此方式,當該實體晶圓之相對應實際檢測不再可能時,可使用該儲存輸出來執行該晶圓之虛擬檢測。例如,一旦已大體上形成及檢測該晶圓上之一層,額外層將形成於該層上直至在其上已製造完整裝 置。如此,通常不可能像額外層未形成於該層之頂部上般返回至一較早形成層且檢測該層。此外,極其不想試圖移除一晶圓上之上部層使得下部層可被再次檢測。因此,在晶圓製造大部份完成且已執行製程最終(end-of-line)測試之後使用如本文所描述儲存之用於一晶圓之虛擬檢測之輸出可在製造當時提供對於較早形成之層係不可能的檢測。
該方法亦包含將該晶圓上之對應於藉由測試該晶圓而偵測之位元故障之實體位置分隔為該等實體位置上未偵測出該等缺陷之一第一部分及該等實體位置上偵測出該等缺陷之一第二部分。例如,在貫穿該製造程序各晶圓被檢測之後,可將該晶圓送至製程最終晶圓分類。在晶圓分類期間,測試記憶體以驗證功能性,且在該晶圓之此功能性測試期間捕獲位元映像故障。若一位元故障,則將捕獲該位元位置。接著,可自該晶圓之測試結果識別該等故障位元之精確位置。接著,可將此等位元故障位置及關於在該晶圓上偵測之缺陷之位置之資訊用於判定在該晶圓上偵測之一缺陷是否對應於該等位元故障之任一者,其可依如本文中所描述之諸多不同方式加以執行。以此方式,可將該晶圓上之不同位置分類為對應於偵測出位元故障之缺陷之一第一部分及對應於未偵測出該等位元故障之缺陷之一第二部分。
在一實施例中,該方法包含基於該測試之結果判定該晶圓上對應於該等位元故障之實體位置。例如,如圖1之步驟102中所展示,該方法可包含自該等晶圓測試結果(例如,晶圓分類測試結果)獲得位元映像。一旦獲得該位元映像資料,可使用任何適合方法及/或演算法將該等位元位置轉換為實體座標(晶圓座標)。因此,可依該晶圓之該等實體座標比較該等位元故障位置及該等缺陷位置以判定哪個位元故障具有該晶圓上所偵測之對應缺陷。此外,該方法可不包含判定對應於該等位元故障之該等實體位置,但可自產生該資訊之另一系統或方法獲得此資訊。
在一些實施例中,分隔該等實體位置包含比較由該檢測系統所報告之該等缺陷之座標與該等實體位置之座標。例如,一旦已判定對應於該等位元故障之該等實體位置之座標(藉由本文中所描述之該等實施例或藉由一些其他方法及/或系統),可比較此等座標與由該檢測系統所判定及報告之該等缺陷座標。接著,可將對應於具有匹配該等缺陷座標之座標的位元故障之實體位置指定為該等實體位置之第二部分,及可將對應於具有不匹配該等缺陷座標之任一者之座標的位元故障之實體位置指定為該等實體位置之第一部分。此外,該等實體位置座標及缺陷座標可經判定以「匹配」本文中所描述之該等比較之任一者,即使該兩個座標不精確匹配(例如,若該等座標匹配於一些預判定誤差邊際內以允許該等所報告中之座標中之誤差及將一組座標轉換為其他座標及允許導致位元故障之缺陷之位置及尺寸中之固有變異性)。
在另一實施例中,分隔該等實體位置包含將由該檢測系統報告之該等缺陷之座標轉換為一位元映像域且比較該等位元故障之位元映像域座標與由該檢測系統所偵測之該等缺陷之位元映像域座標。例如,可將本文中所描述之該等實施例用來執行相對高解析度位元至缺陷疊對,其中該缺陷被轉換為該位元映像域之位置以精確地疊對於實際位元故障。可使用任何適合方法及/或演算法以任何適合方式將由該檢測系統所報告之該等缺陷座標轉換為該位元映像域。以此方式,使用位元映像域座標可分隔該等實體位置,該分隔可進一步如上述關於該等實體位置座標加以執行。如此,可使用位元映像域座標或缺陷或晶圓座標分隔該等實體位置。
因此,可以諸多不同方式比較該等位元映像故障與由該檢測系統所報告之該等缺陷位置。例如,如圖1之步驟104中所示,該方法可包含比較位元與缺陷,且如步驟106中所示,該方法可包含使用該比 較步驟之結果來判定一缺陷與一位元故障之間是否存在一命中(hit)。由該檢測系統所偵測之對應於該等位元故障之缺陷可被識別及標注為致命缺陷,其係由於此等導致一裝置中之一故障。例如,藉由進行位元至缺陷疊對而已被驗證為係一命中之缺陷可被認為係致命缺陷。接著,此等缺陷之位置變為本文中所描述之該等實體位置之第二部分。對於一相對應實體缺陷不能藉由此一比較而識別之任何位元故障,對應於此等位元故障之該等實體位置可包含於本文中所描述之該等實體位置之第一部分。以此方式,如本文中進一步加以描述,不具有一命中但仍顯示出引起缺陷之位元故障之該等位元故障可送至該虛擬偵測器作為熱點。
如上所述,可藉由該檢測系統掃描該晶圓上之不同層,且可將針對該等不同層各者所產生之輸出儲存於一虛擬偵測器中。在此一實施例中,該等實體位置包含至少兩個該等不同層上之實體位置。在此等實施例中,分隔步驟可包含針對不同層及配方設置將位元疊對至缺陷。例如,無論在哪層上偵測到缺陷,如本文中所描述之與位元故障相比較之該等缺陷可包含該晶圓上所偵測之可能已導致該等位元故障的任何缺陷。因此,當判定一缺陷是否對應於一位元故障時,所考慮之該等缺陷可包含該晶圓之所有檢測層上所偵測之所有缺陷。
該方法亦包含將一或多個缺陷偵測方法應用至對應於該等實體位置之第一部分之儲存輸出以偵測該等實體位置之第一部分處之缺陷。以此方式,該方法可包含使用該儲存資料執行一虛擬檢測以試圖偵測已導致該等位元故障且在該檢測期間未被偵測之缺陷。將一或多個缺陷偵測方法應用至儲存輸出可僅執行為將在該晶圓之一實際檢測期間執行之缺陷偵測。例如,可將一或多個缺陷偵測演算法應用至該儲存輸出,且可依一些方式儲存作為一結果之所偵測之任何缺陷之資訊。通常可將多個缺陷偵測方法應用至在此步驟中之儲存輸出,其係 由於此步驟之結果將如本文中進一步描述加以使用以評估不同缺陷偵測方法之效能且基於此等評估產生一晶圓檢測程序。此外,與通常可藉由檢測系統執行之檢測(偵測已產生輸出之所有晶圓位置處缺陷)不同的是,本文中所描述之該等實施例可將缺陷偵測方法僅應用至該等實體位置之第一部分。以此方式,本文中所描述之實施例不執行一層檢測,而是可執行諸多離散「點」檢測。然而,該應用步驟可包含將該一或多個缺陷偵測方法應用至該晶圓上之一或多個不同檢測層之所有儲存輸出。
在一實施例中,該一或多個缺陷檢測方法包含對於相同缺陷偵測演算法之一或多個參數具有不同值之相同缺陷偵測演算法。例如,該等缺陷偵測方法可包含對於該等演算法之一臨限值具有不同值之相同缺陷偵測演算法。在另一實施例中,該一或多個缺陷偵測方法包含不同缺陷偵測演算法。例如,該等缺陷偵測方法包含具有不同功能及不同參數之缺陷偵測演算法。在一些實施例中,該一或多個缺陷偵測方法中之一第一者使用由一第一組該一或多個偵測器所產生之輸出,且該一或多個缺陷偵測方法中之一第二者使用由不同於該第一組之一第二組該一或多個偵測器所產生之輸出。例如,該等缺陷偵測方法可為相同缺陷偵測演算法(其對於一或多個參數可或可不具有不同值),但以由不同偵測器所產生之儲存輸出之形式對該缺陷偵測演算法使用不同輸入。替代地,該等缺陷偵測方法可包含使用由不同偵測器所產生之輸出之不同缺陷偵測演算法。以此方式,該等實施例可使用該應用步驟之結果以評估用於偵測導致位元故障之缺陷之相同檢測系統之不同偵測器之適合性。該等第一及第二組偵測器之各者可包含一或多個偵測器。
在一實施例中,該方法包含將該等實體位置之第一部分之資訊儲存為用於該應用步驟之熱點。例如,如圖1中之步驟108所示,該方 法可包含將位元故障輸出至虛擬檢測。特定言之,該方法可包含將該等位元故障或一些該等位元故障輸出或發送至虛擬檢測作為具有實體座標之熱點。如此,本文中所描述之實施例可使用位元映像為用於一虛擬偵測器之熱點。此外,該等位元映像故障可用作為用於虛擬檢測之該等熱點源之一者。如本文中所描述,特定言之,該位元映像可用於判定未藉由該檢測系統偵測出缺陷之該等實體位置之第一部分。接著,可將該等實體位置之該部分指定為用於用該應用步驟中所儲存之資料執行之虛擬檢測之熱點。此外,該方法可包含提供位元至缺陷疊對結果(命中及非命中故障)至虛擬偵測器作為熱點。以此方式,該應用步驟可僅在判定自該等位元故障之該等熱點處執行諸多離散「點」檢測。
如上所述,該應用步驟可使用以下各者而作為一虛擬偵測器而運行以產生步驟110中所展示之檢測結果:1)步驟100之結果,其中啟用虛擬檢測以檢測一晶圓,及2)輸出至步驟108之虛擬檢測之位元故障。以此方式,致命缺陷之潛在位置可用作為虛擬檢測之熱點。此外,如圖1之步驟112中所展示,該方法可包含使用虛擬檢測結果來判定位元故障位置處是否存在缺陷。如此,可使用該虛擬偵測器上之儲存資料而再訪該檢測系統執行檢測期間可能已錯過此等缺陷之位置,使得導致該等位元故障之缺陷可被發現或識別。由於此等缺陷係致命缺陷(由於其等導致該等位元故障),在一實施例中,該方法包含將該等實體位置之第一部分處之由該一或多個缺陷偵測方法所偵測之缺陷指定為致命缺陷,其可依任何適合方法執行。
對比於本文中所描述之實施例,當前,已知DOI可用作為用於包含虛擬檢測之檢測之熱點。然而,如上所述,不容易驗證一缺陷是否為一致命缺陷。可基於經驗及諸如尺寸、分類及位置之缺陷特性自DOI識別一致命缺陷。然而,由於該DOI不能被驗證,因此使用此等 熱點執行之檢測將不精確且不完全科學的。
在另一實施例中,應用該缺陷偵測方法包含取決於藉由將該一或多個缺陷偵測方法中之一方法應用至儲存輸出所偵測出之該等缺陷,修改應用至該儲存輸出之該一或多個缺陷偵測方法中之另一方法。例如,如圖1之步驟114中所展示,若在位元故障位置處未偵測缺陷,則該方法可包含改變該檢測配方參數(即,改變用來產生該等虛擬檢測結果之該缺陷偵測方法之該等參數)。以此方式,該應用步驟可包含重複應用該(等)缺陷偵測方法、比較該等缺陷於該等位元故障、及改變該(等)缺陷偵測方法之一或多個參數直至缺陷在該等位元故障位置處被偵測。被改變之該(等)缺陷偵測方法之一或多個參數可包含本文中所描述之缺陷偵測演算法參數、該缺陷演算法自身、或對該缺陷演算法之輸入(例如,使用藉由一不同偵測器產生之輸出作為對該缺陷偵測演算法之輸入)中之任一者。
在一些此等實施例中,可由一使用者執行該應用步驟及本文中進一步描述之產生一晶圓檢測程序。例如,在一些實施例中,該方法包含自一使用者獲得用於該一或多個缺陷偵測方法之輸入。特定言之,一使用者或工程師可使用關於上述熱點之資訊以微調該虛擬偵測器上之檢測參數。以此方式,在一虛擬偵測器上,該工程師可改變檢測配方參數以發現該等位元故障之位置上之缺陷。
該方法亦包含基於藉由一或多個缺陷偵測方法在該等實體位置之第一部分處偵測之該等缺陷產生一晶圓檢測程序。如圖1之步驟116中所展示,例如,該方法可包含基於在步驟106中識別之命中而產生檢測配方參數及用於在步驟112中識別之位元故障位置處偵測缺陷之該(等)缺陷偵測方法。例如,可評估藉由在該應用步驟中使用之該(等)缺陷偵測方法之各者所偵測之該等缺陷以判定該(等)缺陷偵測方法中哪一者係檢測被該檢測系統錯過之缺陷上最成功的。最成功之該 (等)缺陷偵測方法可經選擇包含於該晶圓檢測程序中。
由於藉由在應用步驟中之該(等)缺陷偵測方法所偵測之缺陷將在對應於位元故障之實體位置處找到,在該等應用步驟中所偵測之缺陷通常將包含致命缺陷。以此方式,可基於被或可藉由該(等)缺陷偵測方法之各者所偵測之致命缺陷選擇該(等)偵測方法。如此,本文中所描述之實施例可產生捕獲大多數致命缺陷之檢測配方參數。
產生一晶圓檢測程序亦可包含修改一已存在之檢測程序(諸如由該檢測系統所使用以在掃描期間檢測該晶圓上之缺陷之檢測程序)。如此,產生該晶圓檢測程序可用於優化一檢測配方以捕獲致命缺陷。然而,該晶圓檢測程序可為一最新產生之檢測程序(例如,「從頭」建立之一晶圓檢測程序)。此外,產生該晶圓檢測程序可包含產生一實際檢測配方(其中術語「配方」指可由一系統使用來執行一程序之一指令組)或僅產生可由另一系統或方法用來產生該實際檢測配方之資訊。
使用可如本文中進一步描述加以組態之一電腦系統執行儲存、分隔、應用、及產生步驟。
如上所述,可掃描該晶圓之不同層,且該等實體位置可處於該等不同層之至少兩者上。在此一實施例中,針對一或多個該等不同層產生該晶圓檢測程序。例如,由於可在不同層上執行該等虛擬檢測,可在不同層上藉由虛擬檢測偵測已導致該等位元故障之缺陷。該晶圓檢測程序產生步驟可考慮使用該資訊來產生或修改不同層之不同檢測程序。因此,如本文中所使用之術語「晶圓檢測程序」指可貫穿整個晶圓製造程序在晶圓上執行不同次數及可在不同層上執行之一或多個所有該等檢測之任一組合。如此,本文中所描述之該等實施例可優化用於一晶圓上之任一層之一檢測程序使得無論導致一位元故障之缺陷是位於哪層上,其皆可被偵測。因此,該晶圓檢測程序產生步驟之輸 出可包含多個晶圓層之多個檢測配方。
在一實施例中,產生該晶圓檢測程序包含在一或多個缺陷偵測方法中選擇用於該晶圓檢測程序之至少一缺陷偵測方法及在一或多個偵測器中選擇將用於在該晶圓檢測程序期間產生輸出之至少一偵測器,該輸出將被輸入至該一或多個缺陷偵測方法中之該至少一缺陷偵測方法。例如,如上所述,可執行該應用步驟使得可評估用於偵測導致位元故障之缺陷之多個偵測器之適合性。以此方式,該產生步驟可不僅包含選擇用於該晶圓檢測程序之缺陷偵測方法,亦包含選擇其之輸出將被用於該晶圓檢測程序之偵測器。該產生步驟可選擇所有偵測器或包含於用於該晶圓檢測程序之一檢測系統中之僅一該(等)偵測器子組。此外,該產生步驟可判定應配合不同缺陷偵測演算法使用不同偵測器或不同偵測器子組。以此方式,可藉由選擇以下產生該晶圓檢測程序:1)應用至以下各者之不同缺陷偵測方法:a)該(等)實際檢測程序中之輸出;及b)該(等)虛擬檢測程序中之儲存輸出;以及2)用來產生儲存輸出之任何不同光學參數。例如,亦可使用不同該照明參數產生一些儲存輸出,且基於該應用步驟之結果,該方法可判定哪些照明參數最適合用於之晶圓檢測程序。
在一些實施例中,產生該晶圓檢測程序包含基於由該一或多個缺陷偵測方法在該等實體之第一部分處偵測之缺陷結合藉由該檢測系統在該晶圓上偵測之該等實體位置之第二部分處之缺陷來產生該晶圓檢測程序。例如,如上所述,該方法可包含基於用於偵測藉由該檢測系統所偵測之缺陷中之命中之缺陷偵測方法及用於偵測該虛擬檢測中之位元故障位置處之缺陷之缺陷偵測方法來產生檢測配方參數。在此一實例中,偵測該等命中之該(等)缺陷偵測方法及偵測該虛擬檢測中位元故障位置處之缺陷之該(等)缺陷偵測方法均可經選擇用於晶圓檢測程序。
在另一實施例中,應用該(等)缺陷偵測方法包含將該一或多個缺陷偵測方法應用至對應於該等實體位置之第一及第二部分之儲存輸出以偵測該等實體位置之第一及第二部分處之缺陷。例如,如在圖1中之步驟118所展示之一選用步驟中,該方法可包含對可疑之引起缺陷之位元故障進行過濾。特定言之,可藉由將此等缺陷之位置連同該等熱點發送至虛擬檢測而於虛擬檢測中考量經識別為可疑之引起步驟106中之位元故障之缺陷。以此方式,可將缺陷被偵測出且懷疑已導致位元故障之實體位置連同缺陷未被偵測之實體位置發送至虛擬檢測。在此一實施例中,產生該晶圓檢測程序包含基於藉由該一或多個缺陷偵測方法在該等實體位置之第一及第二部分處所偵測之缺陷產生該晶圓檢測程序。例如,該(等)虛擬檢測可在該等位元故障之所有位置處執行缺陷偵測以試圖最大化可由藉由該等實施例所產生之該晶圓檢測程序所偵測之致命缺陷之總量。
圖2中所展示之表繪示可如何執行致命缺陷驗證程序之一實例。在此實施例中,包含三個配方(配方1、2及3)之配方200係對於參數202、204及206中之至少一者具有不同設置之不同檢測配方。因此,配方1、2及3可如本文中進一步描述加以評估之該等缺陷偵測方法。如圖2中所展示,配方1可包含參數1之值X、參數2之值A、及參數3之值P。配方2可包含參數1之值Y、參數2之值B、及參數3之值Q。配方3可包含參數1之值Z、參數2之值C、及參數3之值R。在此一實例中,參數1之值X、Y、Z可彼此不同而參數2之值A、B、C可為相同且參數3之值P、Q、R可為相同。當然,本文中所描述之實施例中可使用且評估該等參數之不同及相同值之任一其他組合。雖然圖2中僅展示3個參數,該等配方可包含任何適合數量之參數(多於或少於如圖所展示之數量)。
當測試一經檢測晶圓時(例如,藉由一晶圓分類功能測試),可如 本文中進一步加以描述般使用該等位元故障以疊對於該等經檢測缺陷,其可產生位元至缺陷疊對結果208。由於位元故障係一良率損失,因此相同(或大體相同)位置/座標處缺陷將被認為係一致命缺陷。在圖2中展示之實例中,配方2具有一命中,其係由於在該精確位置上存在一缺陷(例如,缺陷210)如映像214中所展示之位元故障212,其展示該等缺陷之位置及一些共用座標系統(例如,位元映像座標或實體晶圓或檢測系統座標)中之位元故障。配方1及3不具有命中,其係由於在該位元故障之位置處或其附近未發現缺陷。亦可如驗證216輸出該位元至缺陷疊對之結果,如圖2中所展示包含配方1及3「無命中」結果及配方2之「命中結果」。因此,可推斷配方2具有最佳設置來捕獲致命缺陷。以此方式,本文中所描述之實施例可用於幫助缺陷工程師建立最佳檢測配方來捕獲致命缺陷及監測良率偏離。
上述方法之實施例之各者可包含本文中所述之任何其他方法之任何其他步驟。另外,可藉由本文中所述之該等系統之任一者執行上述方法之該等實施例之各者。
本文中所描述之所有方法可包含將該等方法實施例之一或多個步驟之結果儲存於一電腦可讀取儲存媒體中。該等結果可包含本文中所述之該等結果之任一者且可依本技術中已知之任何方式加以儲存。該儲存媒體可包含本文中所述之任何儲存媒體或本技術中已知之任何其他適合儲存媒體。在已儲存該等結果之後,可在該儲存媒體中存取該等結果且藉由本文中所描述之該等方法或系統實施例之任一者使用該等結果,格式化該等結果以顯示給一使用者,藉由另一軟體模組、方法或系統等等使用該等結果。
一額外實施例係關於儲存用於執行用於產生一晶圓檢測程序之一電腦實施方法之在一電腦系統上可執行之程式指令之一非暫時性電腦可讀取媒體。圖3中展示此一實施例。特定言之,如圖3所示,電腦 可讀取媒體300包含在電腦系統304上可執行之程式指令302。該電腦實施方法包含上述方法之儲存、分隔、應用及產生步驟。可執行程式指令之該電腦實施方法可包含本文中所描述之任何其他步驟。
可將實施方法(諸如本文中所描述之方法)之程式指令302儲存於電腦可讀取媒體300上。電腦可讀取媒體可為一儲存媒體,諸如一磁碟或光碟、或一磁帶或任何其他合適之本技術中已知之非暫時性電腦可讀取媒體。
該等程式指令可依各種方法之任一者實施,尤其包含基於程序之技術、基於元件之技術、及/或物件導向技術。例如,根據需要,可使用ActiveX控制項、C++物件、JavaBeans、微軟基礎類別(「Microsoft Foundation Classes,MFC」)或其他科技或方法。
該電腦系統可採用各種形式,包含一個人電腦系統、影像電腦、主機電腦系統、工作站、網絡設備、網際網路設備或其他裝置。一般而言,可將術語「電腦系統」概括地定義為涵蓋具有一或多個處理器之任何裝置,其執行來自一記憶體媒體之指令。該電腦系統亦可包含本技術中已知之任何適合處理器,諸如一並行處理器。此外,該電腦系統可包含具有高處理速度及軟體之一電腦平台,作為一獨立或網路工具。
一額外實施例係關於經組態以產生一晶圓檢測程序之一系統。圖4中展示此一系統之一實施例。該系統包含經組態以掃描晶圓402以偵測該晶圓上之缺陷之檢測子系統400。該檢測子系統包含源404,該源在一光學或基於光線之檢測子系統之情況中可包含任何適合光源或在一基於電子束之檢測子系統之情況中包含任何適合電子束源。雖然本文中將進一步關於基於光線之檢測子系統描述該檢測子系統,但該檢測子系統可依任何適合方式修改以使其為一基於電子束之檢測子系統。
可將來自該光源之光線導向至分束器406,其經組態以將該光線導向至晶圓402。因此,該光源及該分束器可形成該檢測子系統之一照明子系統,其可包含任何適合元件(未展示),諸如一或多個聚光透鏡、準直透鏡、分程傳遞透鏡(relay lense)、物鏡、光圈、光譜濾光器、偏振組件及類似元件。如圖4中所示,可藉由該分束器將該光線以一垂直入射角導向至該晶圓。然而,可依任何適合入射角(包含接近垂直入射角或傾斜入射角)將該光線導向至該晶圓。此外,可將該光線或多個光束依多個入射角循序地或同步地導向至該晶圓。
當該光線被導向至該晶圓時,晶圓402係佈置於平台408上。該平台可包含任何適合機械或機械裝配總成且可經組態以沿一或多個方向移動該晶圓,而該光線被導向至該晶圓使得可藉由該檢測子系統用光線在該晶圓上進行掃描。然而,該檢測子系統可經組態以依任何適合方式用光線在該晶圓上進行掃描。
該檢測子系統亦包含經組態以偵測反射自該晶圓通過分束器406之光線之偵測器410。偵測器410可包含任何適合偵測器。因此,偵測器410及分束器406可形成該檢測子系統之一偵測子系統之至少一部分。該偵測子系統可包含置於偵測器與該晶圓之間之光學路徑中之一或多個其他適合元件(未展示),諸如物鏡、分程傳遞透鏡、放大鏡、縮放鏡、光圈、光譜濾光器、光柵、及偏振組件。由於該偵測器偵測來自該晶圓之反射光,檢測子系統可經組態用於該晶圓之明視場(BF)檢測。
該檢測子系統亦可包含多個偵測器,其可用於循序的或同時檢測來自該晶圓之不同光線。例如,如圖4中所展示,該檢測子系統可包含偵測散射自該晶圓且由透鏡414收集之光線之偵測器412。偵測器412可包含任何適合偵測器,且透鏡414可包含任何適合透鏡。因此,偵測器412及透鏡414形成該檢測子系統之一偵測子系統之至少一部 分。此偵測子系統亦可包含一或多個其他適合元件(未展示)諸如上述置於偵測器412與晶圓402之間之光學路徑中之元件。由於該偵測器偵測散射自該晶圓之光線,該檢測子系統可經組態用於該晶圓之暗視場(DF)檢測。
因此,該檢測子系統可經組態用於BF及DF檢測,其可被循序地或同步地執行。此外,該檢測子系統可包含可形成額外檢測子系統之額外偵測器(未展示),其可經組態以偵測反射或散射自該晶圓之光線。
該系統亦包含經組態以執行本文中所述之儲存、分隔、應用、及產生步驟之電腦子系統416,其可如本文中所述加以執行。例如,可藉由一或多個傳輸媒體(未展示)將電腦子系統416耦合至偵測器410及412,該等傳輸媒體可包含「有線」及/或「無線」傳輸媒體,使得該電腦子系統可接收該檢測子系統之一或多個偵測器之輸出。接著,該電腦子系統可使用該輸出來偵測該晶圓上之缺陷且可儲存本文中所描述之輸出。替代地,該檢測子系統可包含一電腦子系統,其經組態以偵測該晶圓上之缺陷,且該系統可包含另一、不同電腦子系統,其經組態以在如本文中所述之掃描期間儲存該(等)偵測器之輸出。因此,該等電腦子系統之一者可用於缺陷偵測而其他電腦子系統可經組態且用作為如本文中所述之一虛擬偵測器。該電腦子系統及該系統可經組態以執行本文中所描述之任何其他步驟且可進一步如本文中所描述加以組態。該電腦子系統亦可進一步如Bhaskar等人之上述引用專利所述加以組態。
注意到,本文中提供圖4以大體上繪示一檢測子系統之一組態,其可包含於本文中所述之該等系統實施例中。明顯地,如當設計一商用檢測子系統時常規執行,可修改本文中所描述之該檢測子系統組態以優化該檢測子系統之效能。此外,可使用一現有檢測系統實施本文 中所描述之該等系統(例如,藉由添加本文中所描述之功能性至一現有檢測系統)諸如可自KLA-Tencor,Milpitas,California購得之Puma 90xx、91xx、及93xx系列工具。對於一些此等系統,本文中所描述之該等方法可提供為該系統之選用功能性(例如,除該系統之其他功能性之外)。替代地,本文中所描述之系統可「從頭」設計以提供一完全新系統。
在閱讀本說明書之後,熟習技術者將明白本發明之各種態樣之另外修改及替代實施例。例如,提供用於使用位元故障及虛擬檢測產生一晶圓檢測程序之方法及系統。相應地,本說明書應僅視為說明性的且係用於教示熟習技術者實施本發明之大體方式之目的。應瞭解,本文中所展示及描述之本發明之形式應係作為當前較佳實施例。元件及材料可替代本文中所描述及繪示之此等元件及材料,可逆轉部分及程序,且可單獨利用本發明之某些特徵,在受益於本發明之此說明書之後,熟習技術者將明白以上各者。在不背離如以下申請專利範圍中所描述之本發明之精神及範疇之情況下,可對本文中所述之元件作出改變。
400‧‧‧子系統
402‧‧‧晶圓
404‧‧‧源
406‧‧‧分束器
408‧‧‧平台
410‧‧‧偵測器
412‧‧‧偵測器
414‧‧‧透鏡
416‧‧‧電腦子系統

Claims (20)

  1. 一種用於產生一晶圓檢測程序之電腦實施方法,其包括:用一檢測系統掃描一晶圓以偵測該晶圓上之缺陷;在該掃描期間儲存該檢測系統之一或多個偵測器之輸出,無論該輸出是否對應於該晶圓上所偵測之該等缺陷;將該晶圓上對應於藉由測試該晶圓而偵測出之位元故障之實體位置分隔為該等實體位置上未偵測出該等缺陷之一第一部分及該等實體位置上偵測出該等缺陷之一第二部分;將一或多個缺陷偵測方法應用至對應於該等實體位置之該第一部分之儲存輸出以偵測該等實體位置之該第一部分處之缺陷;及基於藉由該一或多個缺陷偵測方法在該等實體位置之該第一部分處偵測出之該等缺陷產生一晶圓檢測程序,其中使用一電腦系統執行該等儲存、分隔、應用、及產生步驟。
  2. 如請求項1之方法,其中該晶圓除用於該掃描步驟外,不用於該方法之任何步驟。
  3. 如請求項1之方法,其進一步包括:基於該測試之結果判定該晶圓上對應於該等位元故障之該等實體位置。
  4. 如請求項1之方法,其中該檢測系統包括一光學或電子束檢測系統。
  5. 如請求項1之方法,其進一步包括:將由該一或多個缺陷偵測方法在該等實體位置之該第一部分處偵測出之該等缺陷指定為致命缺陷。
  6. 如請求項1之方法,其中該分隔包括:比較藉由該檢測系統所報告之該等缺陷之座標與該等實體位置之座標。
  7. 如請求項1之方法,其中該分隔包括:將藉由該檢測系統所報告之該等缺陷之座標變換為一位元映像域且比較該等位元故障之位元映像域座標與由該檢測系統所偵測出之該等缺陷之位元映像域座標。
  8. 如請求項1之方法,其進一步包括:將用於該等實體位置之該第一部分之資訊儲存作為該應用步驟之熱點。
  9. 如請求項1之方法,其中該應用包括:取決於藉由將該一或多個缺陷偵測方法中之一缺陷偵測方法應用至該儲存輸出所偵測出之該等缺陷,修改應用至該儲存輸出之該一或多個缺陷偵測方法中之另一缺陷偵測方法。
  10. 如請求項1之方法,其中該掃描包括:在不同層已形成於該晶圓上之後用該檢測系統掃描該晶圓以偵測該等不同層上之該等缺陷,其中該等實體位置包括該等不同層之至少兩者上之實體位置,且其中針對該等不同層中之一或多個不同層產生該晶圓檢測程序。
  11. 如請求項1之方法,其進一步包括:自一使用者獲得用於該一或多個缺陷偵測方法之輸入。
  12. 如請求項1之方法,其中該一或多個缺陷偵測方法包括對於相同缺陷偵測演算法之一或多個參數具有不同值之相同缺陷偵測演算法。
  13. 如請求項1之方法,其中該一或多個缺陷偵測方法包括不同缺陷偵測演算法。
  14. 如請求項1之方法,其中該一或多個缺陷偵測方法中之一第一缺陷偵測方法使用由一第一組之該一或多個偵測器所產生之輸出,且其中該一或多個缺陷偵測方法中之一第二缺陷偵測方法使用藉由不同於該第一組之一第二組之該一或多個偵測器所產 生之輸出。
  15. 如請求項1之方法,其中產生該晶圓檢測程序包括:在該一或多個缺陷偵測方法中選擇用於該晶圓檢測程序之至少一缺陷偵測方法且在該一或多個偵測器中選擇將在該晶圓檢測程序期間用來產生輸出的至少一偵測器,該輸出將被輸入至該一或多個缺陷偵測方法中之該至少一缺陷偵測方法。
  16. 如請求項1之方法,其中該產生包括:基於藉由該一或多個缺陷偵測方法在該等實體位置之該第一部分處所偵測出之該等缺陷結合由該檢測系統在該等實體位置之該第二部分處在該晶圓上所偵測出之該等缺陷來產生該晶圓檢測程序。
  17. 如請求項1之方法,其中該應用包括:將該一或多個缺陷偵測方法應用至對應於該等實體位置之該等第一及第二部分之該等儲存輸出以偵測該等實體位置之該等第一及第二部分處之該等缺陷。
  18. 如請求項17之方法,其中該產生包括:基於藉由該一或多個缺陷偵測方法在該等實體位置之該等第一及第二部分處所偵測出之該等缺陷產生該晶圓檢測程序。
  19. 一種非暫時電腦可讀取媒體,其儲存用於執行用於產生一晶圓檢測程序之一電腦實施方法之在一電腦系統上可執行之程式指令,其中該電腦實施方法包括:在執行掃描一晶圓以偵測該晶圓上之缺陷期間儲存一檢測系統之一或多個偵測器之輸出,無論該輸出是否對應於在該晶圓上所偵測出之該等缺陷;將該晶圓上對應於藉由測試該晶圓所偵測出之位元故障之實體位置分隔成該等實體位置上未偵測出該等缺陷之一第一部分及該等實體位置上偵測出該等缺陷之一第二部分; 將一或多個缺陷偵測方法應用至對應於該等實體位置之該第一部分之儲存輸出以偵測該等實體位置之該第一部分處之缺陷;及基於藉由該一或多個缺陷偵測方法在該等實體位置之該第一部分處所偵測出之該等缺陷產生一晶圓檢測程序。
  20. 一種經組態以產生一晶圓檢測程序之系統,其包括:一檢測子系統,其經組態以掃描一晶圓以偵測該晶圓上之缺陷;及一電腦子系統,其經組態以:在該掃描期間儲存該檢測系統之一或多個偵測器之輸出,無論該輸出是否對應於該晶圓上所偵測出之該等缺陷;將該晶圓上對應於藉由測試該晶圓所偵測出之位元故障之實體位置分隔為該等實體位置上未偵測出該等缺陷之一第一部分及該等實體位置上偵測出該等缺陷之一第二部分;將一或多個缺陷偵測方法應用至對應於該等實體位置之該第一部分之儲存輸出以偵測該等實體位置之該第一部分處之缺陷;及基於藉由該一或多個缺陷偵測方法在該等實體位置之該第一部分處所偵測出之該等缺陷產生一晶圓檢測程序。
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