CN101211804B - 检测方法及检测系统 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种检测方法及检测系统，检测方法包括步骤：建立包含至少一个检测进程的进程组；获取待测晶片的数据；在所述进程组中选取检测对象与所述待测晶片的检测对象相同的检测进程作为第一检测进程；利用待测晶片的数据对所述第一检测进程进行调整，生成第二检测进程；执行所述第二检测进程完成对所述待测晶片的检测。采用本发明的检测方法的检测系统可以在无晶片的状态下对检测的步骤和条件进行设置，避免了因检测进程的设置而导致工艺流程的停顿，提高了生产的效率。

Description

检测方法及检测系统

技术领域

本发明涉及半导体器件制造技术领域，特别涉及一种检测方法及检测系统。

背景技术

集成电路制作工艺是一种平面制作工艺，其结合光刻、刻蚀、沉积、离子注入等多种工艺，在同一衬底上形成大量各种类型的复杂器件，并将其互相连接以具有完整的电子功能。其中，任一步工艺出现问题，都可能会导致电路的制作失败，因此，在工艺制作中常需要对各步工艺的制作结果进行检测，尤其对于光刻工艺，因其可以进行返工，修复光刻中出现的问题，这一检测过程更为关键。

随着半导体制造工艺的迅速发展，对制作工艺的检测过程也更加复杂，为提高检测的效率，通常会利用检测进程，控制整个检测过程自动完成。然而，对于不同的产品，其检测进程中的各个参数及检测条件也会各不相同，为此，对于新产品，在检测前，需要根据该产品在该工艺完成后的晶片情况对检测进程进行重新设置，而在这一设置过程中，该产品的制作处于停顿状态，导致产品的生产效率较低。

以光刻工艺为例，半导体芯片的制作通常分为多层，且每一层的制作都需要进行图形限定，以形成特定结构。在芯片制造前，先根据芯片上每一层的器件、金属线、连接等的布局，设计制作该层的光刻掩膜版，然后，再将各层的光刻掩膜版上的图形层对层彼此套刻地准确地转移到晶片上来制作晶片上的器件和电路。这一套刻的准确度十分关键，要实现电路正常工作，必须要确保每一次光刻时，掩膜版图形都要与晶片表面上已存在的图形准确对准或至少达到一定的套准精度。因此，对光刻工艺的很重要的一种检测是对套刻精度的检测：其用于验证本次光刻转移至晶片上的光刻图形与晶片上已有的下层图形间的套刻精度是否满足工艺制作的要求。

为检测套刻的精度，在每一层的光刻版掩膜版上都制作了对准标记，所谓对准标记就是用于确定某层掩膜版和晶片上已形成的其下层图形间的相对位置和方向的可见图形。图1A至1C为现有的对准标记的示意图，其中，图1A为第一掩膜版上的第一对准标记，如图1A所示，对于用于形成晶片上第一层图形的掩膜版，其上只有一个大的第一对准标记101。该对准标记通常会由图中所示的X向和Y向条形图形组成，以同时实现对X和Y方向的套刻精度的检测。

图1B为第二掩膜版上的对准标记，该掩膜版上的图形需要套刻于晶片上已形成的第一掩膜版图形上。如图1B所示，该第二掩膜版上的第二对准标记有110和120两个。其中，较小的第二对准标记110是用于与检测其与第一掩膜版图形的对准度的，较大的第二对准标记120是用于检测在后续工艺中第三掩膜版的套刻对准度的，其一般与第一掩膜版中的标记101大小、形状相同，但位置不同。

图1C为第二次光刻后，转移到晶片上的对准标记图形，如图1C所示，第二次光刻后，第二掩膜版上的小第二对准标记110应正好转移到晶片上留下的第一掩膜版上的大的第一对准标记101的中央，此时若检测结果表明该小的第二对准标记110位于第一对准标记101之内，且二者中心在X和Y方向上的位置偏差在工艺容忍的范围内，就可以认为本次光刻的掩膜版上的其他图形也与晶片上的下层图形对准了，套刻精度达到了工艺要求；否则，说明本次光刻的套刻精度未达到要求，需要进行返工处理。

为提高套刻检测的精度，申请号为01120876.7的中国专利申请公开了一种新的对准标记，以便在进行套刻检测时，可以更好地把握位置偏差量，提高检测的精度。但对于套刻情况的检测，不仅仅需要提高其检测的精度，还需要提高其检测的效率。

为提高检测的效率，该套刻检测过程是通过执行套刻检测进程来自动完成套刻检测的。但是，对于不同的产品，其所适用的检测进程是不同的，如技术节点的不同、所处工序的不同、器件尺寸的不同等都会影响到对套刻检测进程的设置。为此，每开发一种新产品，都需要在该产品完成每一次光刻之后，根据其晶片制作的情况对该次光刻的套刻检测进程的设置进行调整，形成新的检测进程，然后再利用该检测进程完成套刻检测。每一次检测进程的设置需要耗时1小时左右，一个新产品的光刻步骤至少在20步以上，而每次在对检测进程进行设置时，整个生产的工艺流程处于停止状态，这也就意味着，仅因套刻检测进程的设置步骤，每一个新产品的完成都会推迟一天左右的时间，这对生产效率的提高很不利。

发明内容

本发明提供了一种检测方法及检测系统，可以在无晶片的状态下对各检测进程的检测步骤和条件进行设置，避免了工艺流程的停顿，提高了生产的效率。

本发明提供的一种检测方法，包括步骤：

建立包含至少一个检测进程的进程组；

获取待测晶片的数据；

在所述进程组中选取检测对象与所述待测晶片的检测对象相同的检测进程作为第一检测进程；

利用待测晶片的数据对所述第一检测进程进行调整，生成第二检测进程；

执行所述第二检测进程完成对所述待测晶片的检测。

其中，所述第一检测进程与所述待测晶片的技术节点和检测工序相同。

其中，所述待测晶片的数据包括晶片尺寸、晶片上图形的尺寸和排列周期。

其中，对所述第一检测进程进行的调整包括对设置参数、定位对准标记、定位晶片和设置测试条件的调整，其中，所述定位晶片由所述待测晶片上的对版标记实现，且该对版标记为暗场版，其中间位置有一图形，该图形为中心具有一个十字的方框。

其中，所述检测进程为检测光刻套刻精度的进程，其所述的检测对象为用于判断套刻精度的对准标记。

本发明具有相同或相应技术特征的一种检测系统，包括：

信息存储装置，用于存储包含至少一个检测进程的进程组；

数据获取装置，用于获取待测晶片的数据；

信息选取装置，与所述信息存储装置相连，用于在所述信息存储装置中选取检测对象与所述待测晶片的检测对象相同的检测进程作为第一检测进程；

进程生成装置，与所述数据获取装置、信息选取装置相连，用于生成第二检测进程，所述第二检测进程是利用由所述数据获取装置获得的待测晶片的数据，对由所述信息选取装置选取的第一检测进程进行调整后生成的；

执行装置，与所述进程生成装置相连，用于执行所述进程生成装置中的第二检测进程，完成对所述待测晶片的检测。

其中，所述第一检测进程与所述待测晶片的技术节点和检测工序相同。

其中，所述待测晶片的数据包括晶片尺寸、晶片上图形的尺寸和排列周期。

其中，在所述进程生成装置中对所述第一检测进程进行的调整包括对设置参数、定位对准标记、定位晶片和设置测试条件的调整。

与现有技术相比，本发明具有以下优点：

本发明提供的检测方法及检测系统，利用新产品的相关数据对原有的检测进程进行修正，修正后的检测进程可以实现对新产品的直接检测，因此，可以实现在晶片正式生产前，在无晶片的状态下设置好各步检测的检测进程，避免了工艺流程的停顿，提高了生产的效率。

本发明的检测方法，还考虑了可能影响检测的多种因素，较全面地对检测进程进行了调整，其检测的失败率与有晶片的传统方法相当，甚至更低，可以确保检测工艺的正常进行。

附图说明

图1A至1C为现有的对准标记的示意图；

图2为说明本发明第一实施例的流程图；

图3为本发明第二实施例所用的对版标记；

图4为本发明第一实施例与第二实施例中检测失败率的统计结果图；

图5为本发明的检测系统的示意图。

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。

注意到本发明的处理方法可被广泛地应用到许多应用中，下面仅是通过较佳的实施例来加以说明，当然本发明并不局限于该具体实施例，本领域内的普通技术人员所熟知的一般的替换无疑地涵盖在本发明的保护范围内。

另外，本发明利用示意图进行了详细描述，在详述本发明实施例时，为了便于说明，示意图会不依一般比例作局部放大，不应以此作为对本发明的限定，此外，在实际的制作中，应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。

现有的半导体制作过程中，对工艺的检测通常是通过执行检测进程而自动实现的，但由于不同的产品在不同的工序所用的检测进程是不同的，对于每一新产品的制作，在对晶片进行检测时，都需要先花费大量的时间调整检测进程，然后才能进行检测，这大大降低了生产的效率。

为此，本发明提出了一种检测方法，直接利用原有的检测进程，结合新产品的相关信息数据，在生产的新产品晶片到达前，在无晶片的状态下形成了新的适用于新产品的检测进程。

本发明的检测方法，首先，利用以前旧产品的检测进程建立包含至少一个的检测进程的进程组。该进程组里的各检测进程分别适用于检测不同产品的不同工序。然后，获取待测晶片的数据，一个新产品投入时，晶片制作时各工序的参数设置已经确定，如制作的晶片上各器件图形的大小、排列周期、制作的多晶硅栅极的高度等，而这些设计数据对于检测进程的设置很关键，要进行正确的检测设置，必须先获取这类的数据。

接着，根据新产品的要求，在上述进程组中选取检测对象与待测晶片的检测对象相同的检测进程作为第一检测进程。如，要检测技术节点为0.13μm的产品在光刻栅极图形后达到的栅极线宽，就可以在建立的线宽检测进程组中选取旧产品中技术节点为0.13μm的产品对光刻栅极后，栅极线宽进行检测的检测进程作为第一检测进程。

但是，作为新产品，其器件的形状、大小、排列周期等都会与旧产品有所不同，如果直接按适于旧产品的第一检测进程对新产品进行检测，必然会导致检测失败。因此，还需要结合待测晶片的数据对所选取的第一检测进程进行调整，生成适合于新产品的检测的第二检测进程。如用新产品的器件形状、大小、排列周期等数据替换原检测程序中的同类数据，使其适用于新产品的测试。

最后，可以执行该适于新产品检测的第二检测进程，完成对新产品的待测晶片的检测。

本发明的检测方法，可以在没有晶片的情况下预先形成适用于新产品的检测进程，待新产品的晶片生产至检测步骤时，不需要再等待检测进程的编制，可以直接进行检测，提高了生产效率。

本发明的第一实施例是利用本发明的检测方法实现对光刻套刻精度的检测，图2为说明本发明第一实施例的流程图，下面结合图2对本发明的第一实施例进行详细说明。

为检查套刻的精度，在每一层的光刻版掩膜版上都制作了对准标记，并在每一次光刻后，都需要对晶片上的对准标记进行套刻偏差检查，以确认本次光刻的图形是否正确地与晶片上已形成的图形相重叠。但是，对于不同的产品的不同阶段，其所适用的套刻检测步骤和条件是不相同的。为此，对于新产品，必须要对该产品每一步光刻的套刻精度检测进程进行重新设置，以形成的适合于新产品的检测进程。本实施例中，该检测进程的设置可以在无晶片的状态下预先实现。

首先，利用以前旧产品的检测进程建立包含至少一个的检测进程的进程组(S201)。该进程组里的各检测进程分别适用于检测不同产品的不同工序。对于不同的产品，其套刻检测的步骤和参数设置会有很大的区别，如制作0.18μm技术节点的产品时所用的对准标记与0.13μm节点产品的就不会相同，因此其套刻检测条件也就完全不同。为应用方便，本实施例中，将进程组分为几个小组，每一小组分别针对某一个技术节点，如可以按0.25μm、0.18μm、0.13μm等技术节点分为几个小进程组。

另外，对于同一技术节点的产品，其所用的对准标记虽然可能相同，但因其所处的工序不同，检测条件也不会相同，如套刻多晶硅图形后检测对准标记的条件就与套刻接触孔后检测对准标记的条件不同。因此，可以在进程组的每一技术节点的小进程组中，再按各工序的不同分为多个套刻检测进程。如在0.13μm的小进程组中，又分为栅极套刻检测进程、接触孔套刻检测进程、金属线套刻检测进程等。

然后，获取待测晶片的数据(S202)，一个新产品投入时，产品的相关信息已经确定，如晶片尺寸、晶片上图形的尺寸和排列周期。对于自动检测，前提是要保证能检测到对准标记，虽然对准标记通常都位于晶片的切割线上，但由于不同产品的图形尺寸和排列周期不相同，其对准标记的位置也不会完全相同。为此，在建立适用于新产品的检测程序前，需要先获取新产品(待测晶片)的该类基本信息数据。

接着，可以根据新产品的工艺要求，在上述进程组中选取检测对象与待测晶片的检测对象相同的检测进程作为第一检测进程(S203)，本实施例中，检测对象相同首先表现为用于检测套刻精度的对准标记相同。另外，对于套刻检测进程，除了检测的对象相同外，还要考虑到影响其检测结果的其他因素，如该产品的技术节点，该步检测所处的工序，即该步检测是在形成栅极后还是形成金属层后的光刻套刻检测等，这些也会对套刻检测进程的设置有影响，因此，要求所选取的第一检测进程，不仅其对准标记要与待测晶片的相同，其检测产品的技术节点、检测的工序也要与待测晶片的本步检测相同，如本次要检测的待检测的晶片为0.13μm的技术节点，且是对光刻接触孔图形后对其套刻精度的检测，则所选取的第一检测进程，是在所用对准标记与待测晶片相同的前提下(通常技术节点相同的各产品所用的对准标记是相同的)，在0.13μm技术节点的小进程组中选取的用于在旧产品中检测光刻接触孔图形后的套刻精度的检测进程作为第一检测进程。

另外，作为新产品，其器件的形状、大小、排列周期等往往都与旧产品有所不同，这会导致其准标记的位置与旧产品的不同，因此，即使所选用的第一检测进程与待测晶片的技术节点相同，对准标记相同，所处工序相同，其所适用的检测条件也不会相同。如果直接按所选用的适于旧产品的第一检测进程对新产品进行检测，往往会导致无法正确定位至对准标记，结果必然会是检测失败。因此，下一步需要结合前面在S202中获取的待测晶片的数据对所选取的第一检测进程进行调整，生成适合于新产品的检测的第二检测进程(S204)。本实施例中，可以利用前面获得的新产品的晶片尺寸、图形尺寸和排列周期等数据对第一检测进程进行调整修正，如将第一检测进程中利用产品的器件形状、大小、排列周期等数据用来定位对准标记的参数替换为新产品的相关数据，使其适用于新产品的测试。这样，在进行新产品检测时，就可以依据这些新的数据正确定位到其对准标记，并实现对其的套刻精度检测。

最后，可以执行该适于新产品检测的第二检测进程，完成对新产品的待测晶片的检测(S205)。执行本实施例方法形成的第二检测进程，可以在待测晶片到位后，直接自动依次按设定好的条件和步骤对新产品的待测晶片进行定位、检测等操作，不需要再等到晶片到位后再进行检测进程的编制，减少了工艺流程的时间，提高了生产的效率。

本实施例中，通过将新产品的相关数据与类似旧产品的检测进程相结合，得到了适用于新产品的检测进程，实现了在无晶片状态下对检测进程的编制。但是，在传统的有晶片情况下编制的检测进程，其自动检测的失败率在10％左右，而采用本实施例的方法后，其检测的失败率有所上升，达到20％左右，即，虽然采用第一实施例中的检测方法可以令生产的效率有所提升，但其检测失败率却比有晶片的情况要更高一些。为此，本发明的第二实施例在第一实施例的基础上作了以下改进：

1、优化了对版标记，除了用于检测套刻精度的对准标记外，光刻掩膜版上还会有另一种用于定位晶片的标记——对版标记。通过对上述失败率较高情况的分析，发现大部分检测失败都是由于未能正确定位而引起的，传统的置检测进程的方法，是在有晶片的情况下进行的，因此，可以根据晶片表面的实际情况进行定位，对晶片上的对版标记的清晰度要求不高。而采用本发明的方法后，该对版标记是由检测设备按预先设定的条件进行寻找定位的，此时，若该对版标记不够清晰就会导致检测设备无法正确定位，如不同的晶片表面，其表面亮度不同，也会影响到对版标记的定位效果。为此，需要选取一种受晶片表面情况影响不大的标记作为对版标记，图3为本发明第二实施例所用的对版标记，如图3所示，该对版标记301为暗场版，图中斜线部分代表的是不透光的部分，该对版标记301的中间位置有一图形，且该图形为中心具有一个十字的方框。实验证实，采用图3所示的对版标记可以降低晶片表面情况对其定位的影响，提高了定位的正确度。

2、除器件的形状、大小、排列周期等位置、尺寸参数外，在S202中还要获取更多的有关新产品的数据，以便在S204步骤中对检测进程的更多参数进行全面的修正。

导致检测失败率较高的因素，不仅仅是定位问题，还可能会因其他检测参数设置不合适而引起，如不同的晶片，其表面情况不同，检测时的光线强度、聚焦位置等参数可能会有所不同。为此，本发明的第二实施例中，对检测进程的调整是从设置参数(parameter)、定位对准标记(alignment)、定位晶片(wafer map)和设置测试条件(test)四个方面进行的。本实施例中，将晶片的表面凹凸度、表面介质层厚度等多个可能影响检测的因素也考虑进去。如，当新产品的晶片的对准标记中，代表上层的小对准标记和代表下层的大对准标记的高度差，与旧产品的相比有所变化时，相应地要对检测时的聚焦条件等进行修正，而这一高度差的数据可以在S202中根据新产品的设计直接得到，所以在无晶片状态下将这一新、旧产品的区别考虑进去，对新产品的检测进程进行修正是可行的。通过对可能影响到检测进程的各个因素的全面考虑和修正，可以令采用本发明的检测方法对新产品的晶片进行检测的失败率降至与有晶片情况下进行检测时的相当或更低，更好地满足了实际生产中的检测要求。

图4为本发明第一实施例与第二实施例中检测失败率的统计结果图，如图4所示，其中，401为采用第一实施例方法进行套刻精度检测的失败率统计结果，402为采用本发明的第二实施例后套刻精度检测的失败率统计结果，如图中所示，采用第二实施例的全面修正方法后，其检测的失败率明显下降，可以更好地满足生产检测的要求。

本发明的第一和第二实施例是用于检测光刻套刻精度的检测方法，在本发明的其他实施例中，本发明的检测方法还可以应用于其他的检测工艺中，本发明的第三实施例说明了利用本发明的检测方法对刻蚀结果进行检测的过程。

本实施例中，需要对0.13μm技术节点下的器件在刻蚀多晶硅栅极后的栅极线宽进行检测。首先，利用以前旧产品的栅极线宽检测进程建立包含至少一个的刻蚀结果检测进程的进程组。该进程组里各进程分别适用于检测不同产品，如对于0.25μm、0.18μm、0.13μm等不同的技术节点，分别具有不同的检测进程。

然后，获取所需的待测晶片的数据，一个新产品投入时，其上器件的栅极的高度、线宽等参数已经确定，此外，其晶片上各器件图形的大小、排列周期等数据也可以在制作前得知，因此，可以在无晶片的状态下事先得到晶片的这些相关数据。

接着，根据新产品的要求，在上述进程组中选取检测对象与待测晶片的检测对象相同的检测进程作为第一检测进程。本实施例中，要检测技术节点为0.13μm的产品在刻蚀栅极图形后达到的栅极线宽，就可以在建立的线宽检测进程组中选取旧产品中技术节点为0.13μm的产品对栅极线宽进行检测的检测进程作为第一检测进程。

然后，考虑到新产品的器件形状、大小、排列周期等都会与旧产品有所不同，结合待测晶片的数据对所选取的第一检测进程进行调整，生成适合于新产品的检测的第二检测进程。如用新产品的器件形状、大小、排列周期等数据替换原检测程序中的同类数据，使得利用新的检测进程可以直接定位到用于检测栅极线宽的测试图形，并进行测试。

最后，可以执行该适于新产品检测的第二检测进程，完成对新产品的待测晶片的栅极线宽的检测。

本实施例中，为了定位晶片的效果更好，可以采用图3所示的对版标记实现晶片的定位。另外，在对第一检测进程进行修正时，同样可以利用已有的新产品信息，对设置参数、定位对准标记、定位晶片和设置测试条件等四方面的多个参数进行全面修正，如栅极刻蚀的高度不同引起的测试时聚焦位置的变化等，以进一步提高检测效果。

通过以上三个实施例可以看到，本发明的检测方法可以在晶片正式生产前，在无晶片的状态下设置好各步检测的检测进程，避免了工艺流程的停顿，提高了生产的效率。

图5为本发明的检测系统的示意图，如图5所示，本发明的检测系统由五部分组成，包括：信息存储装置501，其用于存储包含至少一个检测进程的进程组，且该进程组里的各个检测进程可以分别适用于检测不同产品的不同工序。该信息存储装置可以为计算机的存储装置，如硬盘、软盘等。

数据获取装置502，该装置用于获取待测晶片的数据，包括晶片尺寸、晶片上图形的尺寸和排列周期等，除此以外，针对不同的检测，其还需要获取不同的其他数据，如对于刻蚀结果的检测，还要有刻蚀深度的数据，对于套刻结果的检测，可能需要上、下两层高度差的数据等。该装置内信息的获取可以通过键盘直接录入数据或通过网络获得数据而实现，本实施例中，是通过键盘将所需新产品的相关数据录入excel文件中实现数据的获取。

信息选取装置503，该装置与信息存储装置501相连，用于在信息存储装置501中选取检测对象与所述待测晶片的检测对象相同的检测进程作为第一检测进程，且该第一检测进程与所述待测晶片的技术节点和检测工序相同。其中，既可以直接将所选取的第一检测进程存储在该信息选取装置503中，也可以只将所选取的第一检测进程在上述信息存储装置501中的位置信息存储在该信息选取装置503中。

进程生成装置504，该装置与数据获取装置502、信息选取装置503相连，用于生成第二检测进程。该进程生成装置504是利用由数据获取装置502获得的待测晶片的数据，对信息选取装置503所选取的第一检测进程进行调整后生成新的适于新产品的第二检测进程的。本实施例中，在利用excel文件实现数据的获取后，将该excel文件和第一检测进程调入后面的进程生成装置504中，实现对第一检测进程的调整，并形成了适合新产品的新的检测进程。其中，对第一检测进程的调整可以包括设置参数、定位对准标记、定位晶片和设置测试条件等四方面的调整，其调整时依据的是在数据获取装置中获取的相关的数据。

另外，注意到对于在信息选取装置503中直接存储第一检测进程的情况，进程生成装置504可直接由信息选取装置503中调用第一检测进程进行调整，对于在信息选取装置503中存储的是第一检测进程的地址的情况，则需要根据信息选取装置503中的地址信息到信息存储装置501中调用第一检测进程，然后再对其进行调整，图5中所示的为第一种情况。

执行装置505，与所述进程生成装置504相连，用于执行进程生成装置504中生成的第二检测进程，完成对待测晶片的检测。

对于本发明第一实施例和第二实施例中所说的套刻检测方法，本检测系统中控制检测操作的检测进程为检测光刻套刻精度的进程。对于本发明的第三实施例，检测进程为栅极线宽检测进程。

尽管通过在此的实施例描述说明了本发明，和尽管已经足够详细地描述了实施例，申请人不希望以任何方式将权利要求书的范围限制在这种细节上。对于本领域技术人员来说另外的优势和改进是显而易见的。因此，在较宽范围的本发明不限于表示和描述的特定细节、表达的设备和方法和说明性例子。因此，可以偏离这些细节而不脱离申请人总的发明概念的精神和范围。

Claims (11)

1.一种检测方法，包括步骤：

建立包含至少一个检测进程的进程组；

获取待测晶片的数据；

在所述进程组中选取检测对象与所述待测晶片的检测对象相同的检测进程作为第一检测进程；

利用待测晶片的数据对所述第一检测进程进行调整，生成第二检测进程；

所述对所述第一检测进程进行调整包括对设置参数、定位对准标记、定位晶片和设置测试条件的调整；

执行所述第二检测进程完成对所述待测晶片的检测。

2.如权利要求1所述的检测方法，其特征在于：所述第一检测进程与所述待测晶片的技术节点和检测工序相同。

3.如权利要求1所述的检测方法，其特征在于：所述待测晶片的数据包括晶片尺寸、晶片上图形的尺寸和排列周期。

4.如权利要求1所述的检测方法，其特征在于：所述定位晶片由所述待测晶片上的对版标记实现。

5.如权利要求4所述的检测方法，其特征在于：所述对版标记为暗场版，其中间位置有一图形，且所述图形为中心具有一个十字的方框。

6.如权利要求1所述的检测方法，其特征在于：所述检测进程为检测光刻套刻精度的进程。

7.如权利要求6所述的检测方法，其特征在于：所述检测对象为用于判断套刻精度的对准标记。

8.一种检测系统，其特征在于，包括：

信息存储装置，用于存储包含至少一个检测进程的进程组；

数据获取装置，用于获取待测晶片的数据；

信息选取装置，与所述信息存储装置相连，用于在所述信息存储装置中选取检测对象与所述待测晶片的检测对象相同的检测进程作为第一检测进程；

进程生成装置，与所述数据获取装置、信息选取装置相连，用于生成第二检测进程，所述第二检测进程是利用由所述数据获取装置获得的待测晶片的数据，对由所述信息选取装置选取的第一检测进程进行调整后生成的；

执行装置，与所述进程生成装置相连，用于执行所述进程生成装置中的第二检测进程，完成对所述待测晶片的检测。

9.如权利要求8所述的检测系统，其特征在于：所述第一检测进程与所述待测晶片的技术节点和检测工序相同。

10.如权利要求8所述的检测系统，其特征在于：所述待测晶片的数据包括晶片尺寸、晶片上图形的尺寸和排列周期。

11.如权利要求8所述的检测系统，其特征在于：在所述进程生成装置中对所述第一检测进程进行的调整包括对设置参数、定位对准标记、定位晶片和设置测试条件的调整。

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