CN112038248A - 半导体缺陷扫描程式建立方法及其建立系统 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种半导体缺陷扫描程式建立方法，包括选择工艺平台和工艺流程；在上述工艺平台和工艺流程下，选择基准产品；采集基准产品不同工艺层次后的缺陷扫描程式数据，建立数据库；将新产品的工艺平台、工艺流程以及对应材料参数与基准产品的工艺平台、工艺流程以及对应材料参数进行比较；若无差异，则对新产品定义缺陷扫描区域后使用基准产品对应层级的缺陷程式参数一次性建立新产品扫描程式；若存在差异，则将该新产品作为基准产品建立数据库。本发明还公开了一种半导体缺陷扫描程式建立系统。本发明在新产品投产时能一次性自动建立该产品全工艺流程缺陷扫描程式，能大幅提高缺陷扫描程式建立效率，提高生产率。
Description
技术领域
本发明涉及半导体生产制造领域，特别是涉及一种半导体缺陷扫描程式建立方法。本发明还涉及一种半导体缺陷扫描程式建立系统。
背景技术
着半导体制造技术的日新月异，产品器件的线宽在不断减小，而缺陷对产品的良率也会产生更大的破坏，因此提高晶圆缺陷的捕获能力也成为提升半导体良率的重要手段。缺陷检测扫描电镜在分析缺陷、减少缺陷，提升良率的过程中发挥着重要的作用。如何精确自动检测晶圆的缺陷是一项复杂而有挑战性的工作。缺陷检测技术已经成为集成电路产业的关键技术。集成电路制造过程中线上缺陷的监控方法主要是通过缺陷扫描机台对晶圆进行扫描，得到晶圆上的缺陷数量及分布，经过缺陷观测机台对缺陷进行拍照得到缺陷照片。
现有技术中，检测缺陷扫描程式灵敏度的方法是通过扫描具有缺陷的晶圆，分析所有被扫描出缺陷尺寸的大小，将所被扫描出缺陷的最小尺寸作为缺陷扫描程式的灵敏度。现有的晶元代工厂一般会存在多个工艺平台，多种产品并存的生产方式。同一工艺平台下又由于工艺存在细微差别而存在多个产品号的现象。目前针对不同产品号，缺陷检测扫描程式需要重新建立，耗费大量的人力资源和工程机时。
发明内容
在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念,该简化形式的概念均为本领域现有技术简化，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。
本发明要解决的技术问题是提供一种在新产品投产时能一次性自动建立该产品全工艺流程缺陷扫描程式的半导体缺陷扫描程式建立方法。
本发明要解决的另一技术问题是提供一种在新产品投产时能一次性自动建立该产品全工艺流程缺陷扫描程式的半导体缺陷扫描程式建立系统。
为解决上述技术问题，本发明提供的半导体缺陷扫描程式建立方法，包括以下步骤：
S1，选择工艺平台和工艺流程；
S2，在上述工艺平台和工艺流程下，选择基准产品；
S3，采集基准产品不同工艺层次后的缺陷扫描程式数据，建立数据库；
S4，将新产品的工艺平台、工艺流程以及对应材料参数与基准产品的工艺平台、工艺流程以及对应材料参数进行比较；
若无差异，则对新产品定义缺陷扫描区域后使用基准产品对应层级的缺陷程式参数一次性建立新产品扫描程式；
若存在差异，则将该新产品作为基准产品建立数据库。
可选择的，进一步改进所述的半导体缺陷扫描程式建立方法，实施步骤S3时，有源区氧化层沉积后，采集工艺参数包括：入射光强、聚焦数值、对比窗口尺寸、各扫描区域的training光强和指定为缺陷的信噪比。
可选择的，进一步改进所述的半导体缺陷扫描程式建立方法，实施步骤S3时，有源区刻蚀后，采集工艺参数包括：入射光强、聚焦数值、对比窗口尺寸、各扫描区域的training光强和指定为缺陷的信噪比。
可选择的，进一步改进所述的半导体缺陷扫描程式建立方法，实施步骤S3时，多晶硅刻蚀后，采集工艺参数包括：入射光强、聚焦数值、对比窗口尺寸、各扫描区域的training光强和指定为缺陷的信噪比。
可选择的，进一步改进所述的半导体缺陷扫描程式建立方法，实施步骤S3时，生产计划中缺陷扫描站点采集工艺参数包括：入射光强、聚焦数值、对比窗口尺寸、各扫描区域的training光强和指定为缺陷的信噪比。
本发明提供一种半导体缺陷扫描程式建立系统，包括：
选择模块，其用于选择半导体器件的选择工艺平台和工艺流程，并在上述工艺平台和工艺流程下，选择基准产品；
采集模块，其用于采集基准产品不同工艺层次后的缺陷扫描程式数据，建立数据库；
比较模块，其用于将新产品的工艺平台、工艺流程以及对应材料参数与基准产品的工艺平台、工艺流程以及对应材料参数进行比较；
程式建立模块，其根据比较模块的比较结果决定是否建立新产品扫描程式；
若无差异，则对新产品定义缺陷扫描区域后使用基准产品对应层级的缺陷程式参数一次性建立新产品扫描程式；
若存在差异，则将该新产品作为基准产品建立数据库。
可选择的，进一步改进所述的半导体缺陷扫描程式建立系统，采集模块在有源区氧化层沉积后，采集工艺参数包括：入射光强、聚焦数值、对比窗口尺寸、各扫描区域的training光强和指定为缺陷的信噪比。
可选择的，进一步改进所述的半导体缺陷扫描程式建立系统，采集模块在有源区刻蚀后，采集工艺参数包括：入射光强、聚焦数值、对比窗口尺寸、各扫描区域的training光强和指定为缺陷的信噪比。
可选择的，进一步改进所述的半导体缺陷扫描程式建立系统，采集模块在多晶硅刻蚀后，采集工艺参数包括：入射光强、聚焦数值、对比窗口尺寸、各扫描区域的training光强和指定为缺陷的信噪比。
可选择的，进一步改进所述的半导体缺陷扫描程式建立系统，采集模块对生产计划中缺陷扫描站点采集工艺参数包括：入射光强、聚焦数值、对比窗口尺寸、各扫描区域的training光强和指定为缺陷的信噪比。
本发明的工作原理如下：
对于缺陷检测来说针对不同的产品，只要定义好缺陷扫描的区域，如果其工艺流程一致，晶圆表面材料一致，其对应的扫描参数差别不大，可以忽略，如图1所示。那么对于相同工艺平台，类似工艺流程的不同产品进行匹配分析，选择其中一个产品作为基准，收集不同工艺层次后的缺陷扫描程式数据，建立数据库，具体如图2所示。
如图3所示，当同一个平台的新产品下线需要建立扫描程式时，对其工艺流程以及对应的材料包括厚度，性质等与之前定义的基准产品进行对比，如果工艺流程和对应的材料均无差异，即可在定义好扫描区域后，使用基准产品的不同层级的缺陷程式参数，这样就可以实现一次性自动建立该新产品完整的缺陷扫描程式，能大幅提高缺陷扫描程式建立效率，提高生产率。
附图说明
本发明附图旨在示出根据本发明的特定示例性实施例中所使用的方法、结构和/或材料的一般特性，对说明书中的描述进行补充。然而，本发明附图是未按比例绘制的示意图，因而可能未能够准确反映任何所给出的实施例的精确结构或性能特点，本发明附图不应当被解释为限定或限制由根据本发明的示例性实施例所涵盖的数值或属性的范围。下面结合附图与具体实施方式对本发明作进一步详细的说明：
图1是不同产品芯片扫描区域的分布及扫描参数设定示意图。
图2是基准产品不同层级后扫描程式数据数据库建立流程示意图。
图3是根据基准产品一次性建立新产品完整的缺陷扫描程式流程示意图。
具体实施方式
以下通过特定的具体实施例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所公开的内容充分地了解本发明的其他优点与技术效果。本发明还可以通过不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点加以应用，在没有背离发明总的设计思路下进行各种修饰或改变。需说明的是，在不冲突的情况下，以下实施例及实施例中的特征可以相互组合。本发明下述示例性实施例可以多种不同的形式来实施，并且不应当被解释为只限于这里所阐述的具体实施例。应当理解的是，提供这些实施例是为了使得本发明的公开彻底且完整，并且将这些示例性具体实施例的技术方案充分传达给本领域技术人员。
第一实施例，半导体缺陷扫描程式建立方法，包括以下步骤：
S1，选择工艺平台和工艺流程；
S2，在上述工艺平台和工艺流程下，选择基准产品；
S3，采集基准产品不同工艺层次后的缺陷扫描程式数据，建立数据库；
S4，将新产品的工艺平台、工艺流程以及对应材料参数与基准产品的工艺平台、工艺流程以及对应材料参数进行比较；
若无差异，则对新产品定义缺陷扫描区域后使用基准产品对应层级的缺陷程式参数一次性建立新产品扫描程式；
若存在差异，则将该新产品作为基准产品建立数据库。
相应的，可根据生产计划选择需要进行缺陷扫描的区域，下述示例性的区域并不能被理解为一种限定。
第二实施例，半导体缺陷扫描程式建立方法，包括以下步骤：
S1，选择工艺平台和工艺流程；
S2，在上述工艺平台和工艺流程下，选择基准产品；
S3，采集基准产品不同工艺层次后的缺陷扫描程式数据，建立数据库；
其中缺陷扫描的区域和层次可以选择如下；
有源区氧化层沉积后，采集工艺参数包括：入射光强、聚焦数值、对比窗口尺寸、各扫描区域的training光强和指定为缺陷的信噪比；
有源区刻蚀后，采集工艺参数包括：入射光强、聚焦数值、对比窗口尺寸、各扫描区域的training光强和指定为缺陷的信噪比；
多晶硅刻蚀后，采集工艺参数包括：入射光强、聚焦数值、对比窗口尺寸、各扫描区域的training光强和指定为缺陷的信噪比；
生产计划中缺陷扫描站点采集工艺参数包括：入射光强、聚焦数值、对比窗口尺寸、各扫描区域的training光强和指定为缺陷的信噪比；
S4，将新产品的工艺平台、工艺流程以及对应材料参数与基准产品的工艺平台、工艺流程以及对应材料参数进行比较；
若无差异，则对新产品定义缺陷扫描区域后使用基准产品对应层级的缺陷程式参数一次性建立新产品扫描程式；
若存在差异，则将该新产品作为基准产品建立数据库；
第三实施例，本发明提供一种半导体缺陷扫描程式建立系统，其利用计算机编程技术能集成于缺陷扫描机台，包括：
选择模块，其用于选择半导体器件的选择工艺平台和工艺流程，并在上述工艺平台和工艺流程下，选择基准产品；
采集模块，其用于采集基准产品不同工艺层次后的缺陷扫描程式数据，建立数据库；
比较模块，其用于将新产品的工艺平台、工艺流程以及对应材料参数与基准产品的工艺平台、工艺流程以及对应材料参数进行比较；
程式建立模块，其根据比较模块的比较结果决定是否建立新产品扫描程式；
若无差异，则对新产品定义缺陷扫描区域后使用基准产品对应层级的缺陷程式参数一次性建立新产品扫描程式；
若存在差异，则将该新产品作为基准产品建立数据库。
第四实施例，第三实施例，本发明提供一种半导体缺陷扫描程式建立系统，其利用计算机编程技术能集成于缺陷扫描机台，包括：
采集模块，其用于采集基准产品不同工艺层次后的缺陷扫描程式数据，建立数据库；其中采集模块采集的缺陷扫描区域和层次可以选择如下；
采集模块在有源区氧化层沉积后，采集工艺参数包括：入射光强、聚焦数值、对比窗口尺寸、各扫描区域的training光强和指定为缺陷的信噪比；
采集模块在有源区刻蚀后，采集工艺参数包括：入射光强、聚焦数值、对比窗口尺寸、各扫描区域的training光强和指定为缺陷的信噪比；
采集模块在多晶硅刻蚀后，采集工艺参数包括：入射光强、聚焦数值、对比窗口尺寸、各扫描区域的training光强和指定为缺陷的信噪比；
采集模块对生产计划中缺陷扫描站点采集工艺参数包括：入射光强、聚焦数值、对比窗口尺寸、各扫描区域的training光强和指定为缺陷的信噪比；
比较模块，其用于将新产品的工艺平台、工艺流程以及对应材料参数与基准产品的工艺平台、工艺流程以及对应材料参数进行比较；
程式建立模块，其根据比较模块的比较结果决定是否建立新产品扫描程式；
若无差异，则对新产品定义缺陷扫描区域后使用基准产品对应层级的缺陷程式参数一次性建立新产品扫描程式；
若存在差异，则将该新产品作为基准产品建立数据库。
除非另有定义，否则这里所使用的全部术语(包括技术术语和科学术语)都具有与本发明所属领域的普通技术人员通常理解的意思相同的意思。还将理解的是，除非这里明确定义，否则诸如在通用字典中定义的术语这类术语应当被解释为具有与它们在相关领域语境中的意思相一致的意思，而不以理想的或过于正式的含义加以解释。
以上通过具体实施方式和实施例对本发明进行了详细的说明，但这些并非构成对本发明的限制。在不脱离本发明原理的情况下，本领域的技术人员还可做出许多变形和改进，这些也应视为本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种半导体缺陷扫描程式建立方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1，选择工艺平台和工艺流程；
S2，在上述工艺平台和工艺流程下，选择基准产品；
S3，采集基准产品不同工艺层次后的缺陷扫描程式数据，建立数据库；
S4，将新产品的工艺平台、工艺流程以及对应材料参数与基准产品的工艺平台、工艺流程以及对应材料参数进行比较；
若无差异，则对新产品定义缺陷扫描区域后使用基准产品对应层级的缺陷程式参数一次性建立新产品扫描程式；
若存在差异，则将该新产品作为基准产品建立数据库。
2.如权利要求1所述的半导体缺陷扫描程式建立方法，其特征在于：实施步骤S3时，有源区氧化层沉积后，采集工艺参数包括：入射光强、聚焦数值、对比窗口尺寸、各扫描区域的training光强和指定为缺陷的信噪比。
3.如权利要求1所述的半导体缺陷扫描程式建立方法，其特征在于：实施步骤S3时，有源区刻蚀后，采集工艺参数包括：入射光强、聚焦数值、对比窗口尺寸、各扫描区域的training光强和指定为缺陷的信噪比。
4.如权利要求1所述的半导体缺陷扫描程式建立方法，其特征在于：实施步骤S3时，多晶硅刻蚀后，采集工艺参数包括：入射光强、聚焦数值、对比窗口尺寸、各扫描区域的training光强和指定为缺陷的信噪比。
5.如权利要求1所述的半导体缺陷扫描程式建立方法，其特征在于：实施步骤S3时，生产计划中缺陷扫描站点采集工艺参数包括：入射光强、聚焦数值、对比窗口尺寸、各扫描区域的training光强和指定为缺陷的信噪比。
6.一种半导体缺陷扫描程式建立系统，其特征在于，包括：
选择模块，其用于选择半导体器件的选择工艺平台和工艺流程，并在上述工艺平台和工艺流程下，选择基准产品；
采集模块，其用于采集基准产品不同工艺层次后的缺陷扫描程式数据，建立数据库；
比较模块，其用于将新产品的工艺平台、工艺流程以及对应材料参数与基准产品的工艺平台、工艺流程以及对应材料参数进行比较；
程式建立模块，其根据比较模块的比较结果决定是否建立新产品扫描程式；
若无差异，则对新产品定义缺陷扫描区域后使用基准产品对应层级的缺陷程式参数一次性建立新产品扫描程式；
若存在差异，则将该新产品作为基准产品建立数据库。
7.如权利要求6所述的半导体缺陷扫描程式建立系统，其特征在于：采集模块在有源区氧化层沉积后，采集工艺参数包括：入射光强、聚焦数值、对比窗口尺寸、各扫描区域的training光强和指定为缺陷的信噪比。
8.如权利要求6所述的半导体缺陷扫描程式建立系统，其特征在于：采集模块在有源区刻蚀后，采集工艺参数包括：入射光强、聚焦数值、对比窗口尺寸、各扫描区域的training光强和指定为缺陷的信噪比。
9.如权利要求6所述的半导体缺陷扫描程式建立系统，其特征在于：采集模块在多晶硅刻蚀后，采集工艺参数包括：入射光强、聚焦数值、对比窗口尺寸、各扫描区域的training光强和指定为缺陷的信噪比。
10.如权利要求6所述的半导体缺陷扫描程式建立系统，其特征在于：采集模块对生产计划中缺陷扫描站点采集工艺参数包括：入射光强、聚焦数值、对比窗口尺寸、各扫描区域的training光强和指定为缺陷的信噪比。
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116230576A (zh) * | 2023-05-08 | 2023-06-06 | 粤芯半导体技术股份有限公司 | 快速建立暗场缺陷扫描检测体系的方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20070001301A (ko) * | 2005-06-29 | 2007-01-04 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 결함 검출 방법 및 이를 수행하기 위한 장치 |
| CN101211804A (zh) * | 2006-12-28 | 2008-07-02 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 检测方法及检测系统 |
| CN103646885A (zh) * | 2013-11-22 | 2014-03-19 | 上海华力微电子有限公司 | 一种减小电子显微镜观察晶圆缺陷误差的方法 |
| CN109146279A (zh) * | 2018-08-14 | 2019-01-04 | 同济大学 | 基于工艺规则与大数据的全流程产品质量溯源分析方法 |
-
2020
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Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20070001301A (ko) * | 2005-06-29 | 2007-01-04 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 결함 검출 방법 및 이를 수행하기 위한 장치 |
| CN101211804A (zh) * | 2006-12-28 | 2008-07-02 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 检测方法及检测系统 |
| CN103646885A (zh) * | 2013-11-22 | 2014-03-19 | 上海华力微电子有限公司 | 一种减小电子显微镜观察晶圆缺陷误差的方法 |
| CN109146279A (zh) * | 2018-08-14 | 2019-01-04 | 同济大学 | 基于工艺规则与大数据的全流程产品质量溯源分析方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116230576A (zh) * | 2023-05-08 | 2023-06-06 | 粤芯半导体技术股份有限公司 | 快速建立暗场缺陷扫描检测体系的方法 |
| CN116230576B (zh) * | 2023-05-08 | 2023-07-07 | 粤芯半导体技术股份有限公司 | 快速建立暗场缺陷扫描检测体系的方法 |
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