JP2008294361A - 欠陥観察装置及び欠陥観察方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】レビューSEMにおいて、撮像した欠陥画像の分類結果、画像から算出された欠陥特徴量、画像の撮像状態などの情報から画像の重要度等を判定し、各画像に付帯情報として付加する。この付帯情報に基づいて、大量の画像データを管理する。
【選択図】 図1
Description
本発明に係る走査電子顕微鏡(撮像手段)を用いた欠陥観察装置(レビューSEM)、及びそれを用いた欠陥画像データの管理方法の第1の実施の形態について説明する。
まず、付帯情報付与部112は、記憶部115から各画像(欠陥ID)に対する分類結果を読み込んで該分類結果を図3に示すように付帯情報として付与して記憶部115に格納する(S208)。従って、欠陥分類処理部114は、付帯情報付与部112に含めても良いことになる。ところで、この分類結果とは、各画像が属する分類クラスの名称を意味する。分類クラスは、通常の場合、図2に示した画像取得処理に先立ち予めレシピに格納されているものである。なお、S208において読み込まれる分類結果とは、各欠陥画像と分類クラスの対応情報のみならず、この情報をさらにデータ処理をすることにより得られる2次的な情報を含むものとする。この2次的な分類結果情報とは、欠陥クラス毎のヒストグラムやウェハマップ情報を含む。これらの情報を入出力部117の画面(GUI)に表示した実施例を図15に示す。1501は欠陥頻度表示部であり、ここでは、クラス別の欠陥発生頻度をヒストグラムとして示している。このように、分類クラス毎にその数をカウントすることで、発生頻度を比較することができる。また1502は欠陥マップ表示部であり、ここではウェハ上の各欠陥の位置(ウェハマップ)を表示している。このウェハマップにより、欠陥発生位置のクラス毎の傾向の違いを確認することができる。1503は画像情報表示部であり、取得した画像を高倍率で表示した画像表示部1504と、この欠陥画像について得られている各種の情報、例えば、ウェハIDや欠陥IDなどが情報表示部1505に並列表示されている。ウェハマップ1502上で欠陥を指定することで、画像表示部1504に表示される欠陥が切り替わるようにしてもよい。ここで述べた図15に示した画面(GUI)は、分類結果を確認するため、任意の段階で入出力部117に表示される。
(1)ステップ1(S401):欠陥画像において、欠陥位置評価において欠陥位置が「中央」でない「不適」なものと、倍率適正評価において倍率適正評価結果が「不適」であるものを重要度低とする。
(2)ステップ2:ステップ1において重要度低と判定されなかったデータに対し、以下の処理により選ばれたデータを重要度高とする。
(3)ステップ3(S404):ステップ2により重要度高と判定されなかったデータを重要度中とする。
次に、本発明に係る走査電子顕微鏡を用いた欠陥観察装置(レビューSEM)、及びそれを用いた欠陥画像データの管理方法の第2の実施の形態について説明する。本第2の実施の形態では、第1の実施の形態で示したシステムにおいて各画像に与えら得る付帯情報の取得に設計情報データを用いる。システムの構成は図9に示す通りである。図1との違いは、バス116に、設計情報データベース901が接続されていることである。設計情報とは、ウェハに形成される回路パターンの設計データ情報であり、回路マスクパターンの情報や回路機能ブロックの位置情報をも含む。これによりチップ内の各座標と回路上の機能(デコーダ、ADコンバータ、メモリ、アンブ部など)との対応をとることもできる。本第2の実施の形態では、各欠陥が発生した座標とその箇所の回路上の座標及び回路機能との対応づけを実現する。検査装置から出力される欠陥座標は、検査装置の検出座標誤差がのるため、そのままでは回路設計上の座標と一致しない。そこで設計情報を用いることで、回路上の座標を求める。図10はその処理フローを示している。この処理フローは図2に示す第1の実施の形態で説明した処理フローとそのほとんどの処理が同一であるため、異なる部分についてのみ説明する。本フローが図2のフローと異なるのは、低倍参照・欠陥画像を取得した後に、例えば画像処理部(演算部)114がアドレッシング画像の必要性を判定し(S1004)、必要である場合にアドレッシング画像(図11(a)中の1103)を取得することにある(S1005)。アドレッシング画像(1103)とは、欠陥の箇所を特定するために必要となる特異的な回路パターン(図11(a)中の1101)をその視野に含む画像であり、通常の場合低倍画像よりもより低い倍率で撮像される。半導体の回路パターンを局所的にみると同一パターンが連統して繰り返される繰り返しパターンとそれ以外のランダムバターンがある。局所的な繰り返し部に欠陥が存在する場合、撮像時の視野が狭いと欠陥の背景パターンは繰り返しパターンのみになるため、欠陥が回路上のどの位置にあるのか判定することができなくなる。この状態を説明したのが図11(a)である。視野が1102となる倍率で撮像した場合、視野内には繰返しパターンのみがふくまれており、得られる画像は同図(b)となる。この場合、欠陥の設計データ上の座標は容易には計算できない。この問題は、例えば1101が視野となる倍率(つまりより低い倍率)の画像を撮像し、視野内に繰り返しパターン以外の領域が含まれるような画像を、低倍画像と別個に撮像することで解決される。この画像がアドレッシング画像(図11(a)中の1103)となる。この場合、非繰返しパターン1101(本図では配線のコーナー部)が欠陥位置の特定に用いられるアドレッシングパターンとなる。このアドレッシング画像は、欠陥が明らかにランダム回路パターン領域に存在する場合には必要ない。例えば、端末装置(演算部)(図示せず)を用いたステップS1003における、欠陥画像毎の、アドレッシングパターンが必要か否かの判定は、ステップS1001で画像記憶部115から読み込まれた欠陥座標とステップS1002で設計情報901から読み込まれた設計情報データを突き合わせることで計算可能である。つまり、欠陥部位501の周辺部がランダムパターンであるか、繰返しパターンを含んでいるか否かは、設計情報データであるマスク情報を画像化し、この画像からパターンの状態(繰返しもしくはランダム)を認識することで行うことができる。この処理は、図10のシーケンスを実行する前に例えば上記端末装置(演算部)を用いてオフラインで実行することができる。よって、図10においては、欠陥観察装置(レビューSEM)はアドレッシング画像が必要とされている欠陥についてのみ、アドレッシング画像が取得される(S1005)。
上述した第1及び第2の実施の形態においては、画像を撮像するSEM本体と、画像の重要度などを付帯情報として付与する部分、またそれらデータセットに対する指示や表示を行う手段がすべて1装置内にある場合を述べているが、第3の実施の形態ではそれには限られない。例えば、半導体製造ラインにおいて複数台のレビュー装置が導入されている場合は、データベースは、複数台のレビューSEMとネットワークにより接続された別装置であることが望ましい場合もある。この構成では、画像データベースや操作端末はクリーンルーム外に設け、操作者が容易にアクセスできることとした場合が多い。図12はこのようなシステムの構成を模式的に示したものである。ネットワーク1201に、複数台のレピューSEM1202と、データベースの管理をおこなうためのコンピュータ1203が接続されている。コンピュータ1203には、データベース1204や設計データベース901、付帯情報付与部112が接続され、複数のレビューSEMから得られる大量の画像データはここに格納される。データベースに対する操作はコンピュータ1203の入出力部1205よって行うことが可能であり、このような形態であればデータのメンテナンスとレビューSEMの動作を非同期に行うことができ、操作性が向上する。
Claims (12)
- 観察対象上の欠陥部位の電子線画像を撮像する走査電子顕微鏡と、該走査電子顕微鏡で撮像された欠陥部位の電子線画像を保存する保存手段とを備えた欠陥観察装置であって、
前記保存手段に保存された欠陥部位の電子線画像についての重要度を含む付帯情報を前記各欠陥部位の電子線画像に対して付与する機能を有する付帯情報付与部を備えたことを特徴とする欠陥観察装置。 - 前記付帯情報付与部には、少なくとも、前記走査電子顕微鏡で撮像された各欠陥部位の電子線画像を基に各欠陥部位の欠陥種を分類する欠陥分類処理機能部を備え、さらに、該欠陥分類処理機能部で分類された各欠陥部位の欠陥種に基づいて前記各欠陥部位の電子線画像に対して付帯情報として付与する重要度を判定する重要度判定機能部を備えたことを特徴とする請求項1記載の欠陥観察装置。
- 前記付帯情報付与部には、少なくとも、前記走査電子顕微鏡で撮像された各欠陥部位の電子線画像を基に各欠陥部位についての撮像状態を評価する撮像状態評価機能部を備え、さらに、該撮像状態評価機能部で評価された各欠陥部位についての撮像状態に基づいて前記各欠陥部位の電子線画像に対して付帯情報として付与する重要度を判定する重要度判定機能部を備えたことを特徴とする請求項1記載の欠陥観察装置。
- 前記撮像状態評価機能部は、高倍の欠陥部位の電子線画像の視野における欠陥撮像位置の評価を行う欠陥位置評価機能部と高倍の欠陥部位の電子線画像において視野サイズと欠陥の大きさの関係が適当であるか否かの評価を行う倍率適正度評価機能部とを有することを特徴とする請求項3記載の欠陥観察装置。
- 前記付帯情報付与部には、少なくとも、前記走査電子顕微鏡で撮像された各欠陥部位の電子線画像を基に前記観察対象上の各種の欠陥部位の分布パターンを自動認識する処理を実行する分布認識機能部を備え、さらに、該分布認識機能部で自動認識された各種の欠陥部位の分布パターンに基づいて前記各欠陥部位の電子線画像に対して付帯情報として付与する重要度を判定する重要度判定機能部を備えたことを特徴とする請求項1記載の欠陥観察装置。
- さらに、前記観察対象の設計情報が記憶された設計情報格納部と、該設計情報格納部に記憶された前記観察対象の設計情報を基に前記各欠陥部位の設計上の座標値を算出する演算部とを備え、
前記付帯情報付与部は、さらに、前記演算部において算出された各欠陥部位の設計上の座標値を前記各欠陥部位の電子線画像に対して前記付帯情報として付与する機能を有することを特徴とする請求項1、2、3又は5記載の欠陥観察装置。 - さらに、前記付帯情報付与部により付与された付帯情報を用いて前記保存手段に保存された欠陥部位の電子線画像データを検索若しくは削除する演算部と、該演算部で検索若しくは削除した結果を表示する表示手段とを備えたことを特徴とする請求項1乃至6の何れか一つに記載の欠陥観察装置。
- 観察対象上の欠陥部位の電子線画像を撮像する走査電子顕微鏡と、該走査電子顕微鏡で撮像された欠陥部位の電子線画像を保存する保存手段とを備えた欠陥観察装置を用いた欠陥観察方法であって、
前記保存手段に保存された欠陥部位の電子線画像についての重要度を含む付帯情報を前記各欠陥部位の電子線画像に対して付与する付帯情報付与ステップと、
該付帯情報付与ステップにおいて前記各欠陥部位の電子線画像に対して付与された付帯情報に基づいて前記保存された欠陥部位の電子線画像データを検索若しくは削除する検索若しくは削除ステップと、
該検索若しくは削除ステップにより検索若しくは削除された電子線画像データを表示する表示ステップとを有することを特徴とする欠陥観察方法。 - 前記付帯情報付与ステップにおいて、少なくとも、前記走査電子顕微鏡で撮像された各欠陥部位の電子線画像を基に各欠陥部位の欠陥種を分類する欠陥分類処理ステップを有し、さらに、該欠陥分類処理ステップで分類された各欠陥部位の欠陥種に基づいて前記各欠陥部位の電子線画像に対して付帯情報として付与する重要度を判定する重要度判定ステップを有することを特徴とする請求項8記載の欠陥観察方法。
- 前記付帯情報付与ステップにおいて、少なくとも、前記走査電子顕微鏡で撮像された各欠陥部位の電子線画像を基に各欠陥部位についての撮像状態を評価する撮像状態評価ステップを有し、さらに、該撮像状態評価ステップで評価された各欠陥部位についての撮像状態に基づいて前記各欠陥部位の電子線画像に対して付帯情報として付与する重要度を判定する重要度判定ステップを有することを特徴とする請求項8記載の欠陥観察方法。
- 前記付帯情報付与ステップにおいて、少なくとも、前記走査電子顕微鏡で撮像された各欠陥部位の電子線画像を基に前記観察対象上の各種の欠陥部位の分布パターンを自動認識する処理を実行する分布認識ステップを有し、さらに、該分布認識ステップで自動認識された各種の欠陥部位の分布パターンに基づいて前記各欠陥部位の電子線画像に対して付帯情報として付与する重要度を判定する重要度判定ステップを有することを特徴とする請求項8記載の欠陥観察方法。
- さらに、前記観察対象の設計情報を基に前記各欠陥部位の設計上の座標値を算出する算出ステップを有し、
前記付帯情報付与ステップは、さらに、前記算出ステップにおいて算出された各欠陥部位の設計上の座標値を前記各欠陥部位の電子線画像に対して前記付帯情報として付与することを特徴とする請求項8乃至9の何れか一つに記載の欠陥観察方法。
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