JP2007134498A - 欠陥データ処理及びレビュー装置 - Google Patents

欠陥データ処理及びレビュー装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2007134498A
JP2007134498A JP2005326123A JP2005326123A JP2007134498A JP 2007134498 A JP2007134498 A JP 2007134498A JP 2005326123 A JP2005326123 A JP 2005326123A JP 2005326123 A JP2005326123 A JP 2005326123A JP 2007134498 A JP2007134498 A JP 2007134498A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
defect
image
review
information
data processing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2005326123A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4699873B2 (ja
JP2007134498A5 (ja
Inventor
Tomohiro Funakoshi
知弘 船越
Jiyunko Konishi
潤子 小西
Yuko Kariya
優子 刈屋
Noriji Takahashi
範次 高橋
Fumiaki Endo
文昭 遠藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi High Tech Corp
Original Assignee
Hitachi High Technologies Corp
Hitachi High Tech Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi High Technologies Corp, Hitachi High Tech Corp filed Critical Hitachi High Technologies Corp
Priority to JP2005326123A priority Critical patent/JP4699873B2/ja
Priority to US11/594,757 priority patent/US20070105245A1/en
Publication of JP2007134498A publication Critical patent/JP2007134498A/ja
Publication of JP2007134498A5 publication Critical patent/JP2007134498A5/ja
Priority to US13/040,794 priority patent/US8209135B2/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4699873B2 publication Critical patent/JP4699873B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605Workpiece metrology
    • G03F7/70616Monitoring the printed patterns
    • G03F7/7065Defects, e.g. optical inspection of patterned layer for defects
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/82Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
    • G03F1/84Inspecting
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/8851Scan or image signal processing specially adapted therefor, e.g. for scan signal adjustment, for detecting different kinds of defects, for compensating for structures, markings, edges
    • G01N2021/8854Grading and classifying of flaws
    • G01N2021/8861Determining coordinates of flaws
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/8851Scan or image signal processing specially adapted therefor, e.g. for scan signal adjustment, for detecting different kinds of defects, for compensating for structures, markings, edges
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/9501Semiconductor wafers

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
  • Image Processing (AREA)
  • Image Analysis (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)

Abstract

【課題】外観検査装置によって検出された欠陥をレビュー装置で確実に捕らえることができるようにする。
【解決手段】レビュー装置での欠陥観察条件を外観検査装置から出力された欠陥特徴量によって可変し、最適化しながらレビューする。例えば、欠陥の大きさに応じて観察倍率を可変し、最大グレーレベル差に応じてフレーム加算数を可変する。
【選択図】図8

Description

本発明は、製造途中の製品や部品の外観確認作業にかかわり、特に半導体ウエハ、フォトマスク、磁気ディスク、液晶基板等の表面の異物、パターン欠陥を検出する装置の条件決定作業の効率を支援するシステムに関する。
半導体製造において、製造工程でウエハ表面上に存在する異物、パターン欠陥は製品不良の原因となる。その為、異物、パターン欠陥(以下、外観不良という)を定量化し、製造装置及び製造環境に問題がないかを常時監視する必要がある。さらに外観不良の形状を観察することにより、その外観不良が製品に致命的な影響を与えるものかどうか確認する必要がある。
従来、このような形状観察作業はオペレータが手動により行うことが多かった。そのため、オペレータにより観察対象の欠陥位置に偏りがあったり、観察すべき欠陥が一定しない問題があった。最近では、これら問題点を解決するために自動レビュー(ADR:Automatic Defect Review)や自動欠陥分類(ADC:Automatic Defect Classification)の技術が導入され始めている。例えば、外観検査装置によって検査された部品(例えばウエハ上に形成されたパターン)をSEM(Scanning Electron Microscopy)式レビュー装置を用いて観察、すなわちレビューするに当たり、オペレータへの負荷を低減しながら効率的に作業を行うシステムが提案されている(例えば、特開平10-135288号公報参照)。また、膨大な、外観検査装置から出力された欠陥ID(Identification number)と座標情報、レビュー装置から出力されたADR,ADC情報を整理し、欠陥解析を容易にする手段が提案されている(例えば、特開2001-156141号公報参照)。この提案では、外観検査装置側から出力される情報は、品種名、ロット名、ウエハ番号などのウエハ識別番号と、検査の対象とした製造工程名と、検出された欠陥の座標情報等から構成されている。
特開平10-135288号公報 特開2001-156141号公報
近年の最先端デバイスの検査においては、欠陥の微細化に伴い、その検査条件を複数振って、ひとつの結果として出力することもある。また、外観検査装置の高感度化に伴い、ノイズの影響も大きくなり、これらの要因から合計検出欠陥数が数万点を超えることがある。そのノイズを除去するために、外観検査装置上のRDC(Real-Time Defect Classification)機能により検査中に欠陥を分類、ノイズを除去する手法が用いられている。しかし、外観検査装置での欠陥検出条件と、ノイズを除去するためのRDC条件を正確に決めるためには、できるだけ多くの外観検査装置側から出てくる情報と、レビュー装置(観察装置)側から出てくる情報の突き合わせをする必要がある。
前述のように、歩留まりを向上させる上で外観不良を検出する作業は大変重要である。一方、半導体デバイスの微細化に伴い、より外観不良を検出できる能力・性能が外観検査装置に求められ、高感度に外観不良を検出できる外観検査装置が登場してきている。この高感度化により、微小欠陥の検出が可能になるに伴い、検出される欠陥数は膨大なものとなってきている。その中にはノイズを検出していることも多くなり、レビュー装置によるレビュー作業で外観不良の形状を確認しなければならない欠陥数も膨大な数であるが、レビュー作業で何も欠陥が見出せないケースが増え、作業効率を落とすことがある。また、そのノイズを減らすために、検査・RDC条件出しにフィードバックしなくてはならない情報量は爆発的に増加し、正確に検査条件を決めることはますます困難になってきている。
従来、外観検査装置からの情報とレビュー装置からの情報の突き合わせ作業は、オペレータの手によることが多かったため、オペレータによりその突き合わせ方法が異なったり、突き合わせた結果に基づいて確定した検査条件にばらつきが出ていた。また、実際の欠陥検出では捕らえる必要の無いノイズを検出しないような感度設定がなかなか出来なかった。
また、検査条件が最適化出来てもなお、検出される欠陥は外観検査装置の高感度化に伴い益々小さくなり、その同定のためには高性能なレビュー装置が求められている。しかし、欠陥検出の際の信号レベルの低い欠陥は小さくてレビューが困難なために、同定が困難で歩留まり低下の原因になる欠陥が多く、そのレビューが益々難しくなり、ノイズか欠陥か、正確に判断することが困難になってきている。
本発明の目的は、外観不良を検出する外観検査装置の検査条件設定において、検査条件決定までの時間を短くしながら欠陥抽出の効率化を図ることであり、そのために外観検査装置によって検出された欠陥をレビュー装置で確実に捕らえることができるようにすることである。
本発明では、欠陥の平均検出率を高めながら、ノイズを減らしてDOI(Defect of Interest;歩留まりに影響する興味欠陥)検出ができる欠陥検査条件を決めるための指針となる情報として、欠陥を確実に捕らえたレビュー像を容易に得ることができるようにする。そのために、レビュー装置での欠陥観察条件を外観検査装置から出力された欠陥特徴量によって可変し、最適化しながらレビューすることにより、確実にレビュー装置による観察像に検出欠陥を捕らえ、欠陥検査条件決定の確度を高めるようにする。
外観検査装置からRDC特徴量を出力できるようにした上で、外観検査装置とレビュー装置の両方とネットワークで接続されたデータ処理装置を用意する。データ処理装置は、外観検査装置とレビュー装置から出力されたデータを処理し、同じ検査条件あるいは検査条件を変えて複数回検査した結果の欠陥IDとその画像データ及びRDC特徴量を並べて表示・整理する。そして、座標付き合わせによって同一欠陥に対するデータをまとめ、その欠陥情報(座標及び特徴量)をレビュー装置に出力し、レビュー装置では、その情報に基づいて観察条件を手動又は自動で変更し、特に観察が困難な欠陥に対しても確実にその画像を取得できる観察条件により画像を取得する。その画像をデータ処理装置に戻して、外観検査装置の情報と並べて表示することで、最適な外観検査条件を短時間で決定することが出来るようにする。なお、データ処理装置はレビュー装置と一体に構成されていてもよい。
本発明によれば、欠陥特徴量、例えば欠陥の信号レベルをレビュー装置側に出力し、その情報に基づいてレビュー装置の観察条件を最適化することにより、従来、像取得が困難であった微小な欠陥についても画像を取得することが出来る。その画像を外観検査装置からの出力情報と並べて表示することにより、DOI検出するため、検査条件を最適化するまでに掛かる時間を低減することができる。
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。ここでは、半導体製造ラインに本発明を適用した実施例について説明する。
本発明による欠陥確認作業支援システムの例を、図1、図2及び図3を用いて説明する。図1はシステムの全体構成例を示す図、図2は外観検査装置から出力される欠陥・特徴量・ADR画像情報、レビュー装置から出力されるADR/ADC情報のやり取りを説明する図、図3は外観検査装置・レビュー装置間でやり取りされる欠陥情報の例を示す図である。なお、図1及び図2に示した例では、データ処理装置が独立して存在する構成になっているが、データ処理装置は外観検査装置あるいはレビュー装置と一体化していてもよい。
半導体製造工程11は、通常、清浄な環境が保たれたクリーンルーム10内で実行される。クリーンルーム10内には、製品ウエハの外観不良の検出を行う外観検査装置1、ならびに外観検査装置1からのデータに基づき外観不良の観察、すなわちレビューを行うレビュー装置2を設置する。外観検査装置1及びレビュー装置2は、検査・画像データを受け渡すためのデータ処理装置3と通信回線4で結ばれている。製品となるウエハはロット単位で半導体製造工程11を流れている。外観検査は、予め外観検査を行うことが決められている工程の処理が終了した後に、オペレータあるいは搬送機によって外観検査装置1まで運ばれて検査処理が行われる。また、各製造工程11や、外観検査装置1、レビュー装置2での処理を経て、ウエハ上の各チップは最終的にプローブ検査装置にてその電気的特性が問題ないことをチェックされる。
外観検査を行った際の欠陥情報21は、ロット番号とウエハ番号と検査工程と検査日時を用いてデータ処理装置3で管理される。図3に、その欠陥情報21の例を示す。この欠陥情報21は、ロット番号やウエハIDやそのダイレイアウト、検査中に検出した欠陥IDとその座標情報などで構成される。その他、欠陥情報21には、例えば、欠陥ADR画像、欠陥特徴量情報(RDC情報)等がある。
欠陥特徴量情報の例としては、図4に示したものが挙げられる。このデータは、その他の欠陥情報とともに、決められたフォーマットのテキストデータとして送信される。従来技術での外観検査装置から出力された欠陥情報は、主に欠陥IDとその座標、大きさなどだけであった。
この外観検査での検査感度を最適化するために、フォーカスオフセットや検査閾値、検査倍率などの光学条件を振りながら、複数回検査を繰り返すことは通常である。こういった複数検査の中での最適な検査条件により、よりDOIが検出されることがあり、その検出だけでなくレビューも益々困難になってきている。その為、DOIが検出されているにもかかわらず、レビューで擬似検出、すなわち欠陥画像が見つからないと判定され、最適な検査条件設定を間違うことがあった。本発明は、レビュー装置での観察条件を、外観検査装置から出力される欠陥特徴量情報を用いて可変とすることにより、こういった誤判断を防ぎながら、複数検査の結果を用いて、外観検査装置における最適な検査条件を求める手段を提供するものである。
ここで、図4に例示したパラメータについて説明する。最大グレーレベル差は、欠陥として判定された場所の画像と、その参照部の画像を、画像処理して差画像を得た時の、欠陥部の明るさの絶対値である。参照画像平均グレーレベルとは、その欠陥部と判定されたピクセル部の、参照画像上の明るさの平均値、欠陥画像平均グレーレベルとは、その欠陥部と判定されたピクセル部の、欠陥画像上の明るさの平均値である。極性とは、欠陥部が参照画像に比べ明るいか暗いかを示すものであり、「+」は明るい欠陥、「−」は暗い欠陥を示す。検査モードとは、その欠陥が検出されたときに使用されていた画像比較方式で、ダイ比較、セル比較、それらの混合比較などがある。欠陥サイズや欠陥画素数、欠陥サイズ幅/高さは、検出された欠陥の大きさを示すもので、欠陥サイズ、幅/高さの単位はミクロンなど、欠陥画素数の単位はピクセルである。欠陥サイズ比は、欠陥サイズの幅/高さ比を表すもので、幅と高さが同じであれば1、幅が高さの2倍あれば2、などと表すパラメータである。欠陥部画素微分値とは、欠陥画像又は参照画像上の欠陥とされたピクセル部の微分値を表したものであり、そのピクセル部内の濃淡の変化の度合いを示したもので、その欠陥画像部の値を欠陥画像中欠陥部画素微分値、参照画像部のそれを参照画像中欠陥部画素微分値と呼ぶ。
外観検査を終了したウエハは、外観不良を観察するためにレビュー装置2に運ばれる。そこで、ロット内から予め決められているウエハを取り出してレビューを行う。レビューを行う際は、レビュー対象であるウエハの情報、すなわちロット番号とウエハ番号と検査工程をキー情報として、データ処理装置3から欠陥情報22b,23bを取得する。この情報には欠陥IDと座標データだけでなく、検査時に得られたADR画像及び欠陥特徴量も含まれている。従来は、欠陥情報22b,23bには、外観検査装置が出力した欠陥特徴量は含まれていなかった。
外観検査装置1が出力する欠陥情報21は膨大なデータであるため、複数のフィルター機能によりデータ処理装置3によって抽出された欠陥情報22b又は23bが、光学式レビュー装置24又はSEM式レビュー装置25に通信回線4を通して送られる。欠陥情報22b,23bのフォーマットは、一般には欠陥情報21と同じである。
抽出された欠陥情報22b又は23bに基づいて、光学式レビュー装置24又はSEM式レビュー装置25において欠陥検出部の画像が取得され、その画像を用いて各レビュー装置に搭載されているADC機能で欠陥分類を行う。具体的には、光学式レビュー装置24又はSEM式レビュー装置25の試料ステージに外観検査を終了したウエハを保持し、欠陥情報22b又は23bに含まれる欠陥の座標位置にステージ移動して欠陥画像を取得し、取得した欠陥画像の特徴によって欠陥を分類付けする。それらの情報は、ADR/ADC情報22a又は23aとして通信回線4を通してデータ処理装置3に送られる。
図5を用いて、これら外観検査装置から出力された検査・欠陥特徴量・画像データ、及びレビュー装置側から出力されたADR/ADC情報を、本発明のデータ処理装置上でどのように表示・処理させるかについて説明する。
外観検査装置側から出力された多量の検査/画像データ、及びレビュー装置側から出力された多量のADR/ADC情報が並べて表示されるために、データ処理装置上に図5に示す画面30が用意されている。
画面30は、外観検査装置側から出力された欠陥ID34とADR画像35、欠陥特徴量38、レビュー装置側から出力されたADR画像36、ADC分類情報37が、表題39の下に一覧表示された、スクロールバー47で任意の場所を表示可能な表31と、表示させる欠陥情報を選択するためのボタンとして直接欠陥を選択するためのボタン48を備える。表題39には、欠陥ID、外観検査装置の画像、レビュー装置の画像、レビューカテゴリ、及び最大グレーレベル差など欠陥特徴量を表す図4に示したパラメータが表示される。また、表31中には、同じ検査条件あるいは検査条件を変えた複数回の検査で検出された欠陥に対して座標の突き合わせを行い、座標が同じで同じ欠陥と判断された欠陥に関しては表31中の同じ行に並べてそれらの情報が表示される。図は、同じ検査条件で、あるいはフォーカスオフセットや検査閾値、検査倍率等の検査条件を変えて4回の検査を行った場合の例を示しており、1つの欠陥に対して最大で4種類の情報が表示されている。例えば、図5で一番上に表示されている欠陥に対しては、4枚の外観検査装置の画像が表示されている。外観検査装置からのADR画像35、レビュー装置からのADR画像36については、像がない欠陥IDでは空欄になっている。その座標突き合わせ結果と欠陥特徴量38を、図3のフォーマットで出力するためのボタン49が用意されている。任意の場所を表示させるための手段としては、スクロールバー47が本画面中に用意されている。
表31は、表題39をクリックすることで、その表中に含まれる情報がクリックした表題の情報に基づいて昇順、又は降順でソーティングされる。例えば、AVG GL Defの1をクリックすると、そのAVG GL Defの昇順、又は降順に従って、全ての情報がソーティングされる。このソーティングによって、どのような種類の欠陥が、どのような特徴量をもっているのか容易に理解できる。また、どのような見え方をしている欠陥が、本当に見つけたい欠陥種かどうか、擬似欠陥ではないのか、外観検査装置の画像やレビュー装置の画像に写っている欠陥を参照することで、容易に確認することが出来る。この表31の例では、一つの欠陥IDに関わる情報を横方向に並べて表示しているが、もちろん縦方向に並べても良い。
次に、図2、図3及び図6から図8を用いて、図5の画面30中に含まれるレビューデータ作成ボタン49の機能、及びそれを使ってレビュー装置で実施する本発明に関わる欠陥レビュー方法について説明する。なお、これらの説明が本発明を限定するものでないことは言うまでもない。
まず、図5の画面30に、データ処理させたい複数の検査結果について表示させる。そこでレビューデータ作成ボタン49を押すと、図6に示すレビューデータ(図2の22b、23b)が作成される。このレビューデータには、図5の画面30において、レビューデータ作成ボタン49を押す際に画面30に表示されていた欠陥ID、欠陥サイズ、特徴量が含まれている。このレビューデータは、図2のネットワーク4を経由して、図2の光学式レビュー装置24又はSEM式レビュー装置25へ送られる。
光学式レビュー装置24又はSEM式レビュー装置25のオペレーション画面60を図7に示す。この画面は、外観検査装置から取り込んだ情報22b,23bに基づいて欠陥の分布をウエハーマップ上の点で示した欠陥マップ61、欠陥マップ上に示した欠陥のID62、ダイのX座標63、ダイのY座標64、ダイ内X座標65、ダイ内Y座標66、欠陥のX方向サイズ67、欠陥のY方向サイズ68、欠陥最大グレーレベル差69等の情報を示した欠陥リスト70、欠陥レビュー像71、欠陥レビュー条件表72、そしてフレーム加算Optimizerボタン73と倍率Optimizerボタン74で構成されている。マップ61上の欠陥を示す任意の点、又はリスト70内の任意の欠陥情報をクリックすることで、レビューしようとする任意の欠陥が欠陥レビュー像71に現れる。
従来のレビュー装置では、外観検査装置から取り込む情報は欠陥IDと座標、そしてサイズのみであったため、その欠陥の特徴に関わらず、同じレビュー条件、例えばSEM式レビュー装置においては、同じ電子ビーム加速条件、プローブ電流、同じフレーム加算数で欠陥像を取得するのみであった。
本発明では、オペレーション画面60上のフレーム加算Optimizerボタン73を押すことで現れる図8に示したウィンドー80を使って、又は倍率Optimizerボタン74を押すことで現れる図10に示したウィンドー100を使って、レビューしようとする欠陥の、外観検査装置で検出されたときの差画像の最大グレーレベル差やサイズによってフレーム加算数や倍率を可変できるようにし、最大グレーレベル差の小さい、すなわち外観検査装置によっても検出しにくい、レビュー装置によるレビューも困難な欠陥も確実にレビュー像として捕らえることを目的としている。
ボタン73を押して現れる図8のウィンドー80には、フレーム加算数の設定と、その値を適用するための最大グレーレベル差(Max GL_Diff)範囲を設定するための表81と、その設定をグラフで確認するためのグラフボタン82で構成されている。このボタン82をクリックすることで、横軸をグレーレベル差、縦軸に画像加算フレーム数を取ったグラフ90が表示される。これらを使って、例えば図8に示すようにグレーレベル差100以下はフレーム加算数128、それ以上180以下は64、180以上では32といった設定をすることが出来る。こうすることにより、欠陥信号レベルの小さい欠陥に対してはフレーム加算を多くして、よりノイズレベルの低いクリアな像質を持った欠陥像を得ることが出来、ノイズかどうか判別がつきにくいケースや、欠陥像をレビュー装置で取得した後、判別がつかないために改めてウエハをレビュー装置に搬送してレビューし直すケースを劇的に減らすことが出来る。なお、図8のウィンドー80に表示される表81中の値は、経験等に基づいて予め決められた値がデフォルト値として設定されているが、ユーザが適宜変更することも可能になっている。
ボタン74を押して現れる図10のウィンドー100には、倍率の設定と、その値を適用するための欠陥サイズ範囲を設定するための表101と、その設定をグラフで確認するためのグラフボタン102で構成されている。このボタン102をクリックすることで、横軸を欠陥サイズ、縦軸に倍率を取ったグラフ110が表示される。この設定を用いることで、例えば図10に示すように、4μm以下の欠陥サイズに対しては5万倍、4μm以上6μm以下の欠陥サイズには2万5千倍、それ以上は1万倍で画像を得ることが出来る。大きな欠陥に対して低倍率が適用できるので、大きな欠陥の全体像を確実に捕らえる効果も有する。図10のウィンドー100に表示される表101中の値は、経験等に基づいて予め決められた値がデフォルト値として設定されているが、ユーザが適宜変更することも可能になっている。
ウィンドー90,110に示されるグラフの例として、線グラフ91,111で示される例を示したが、もちろん、棒グラフ、レーダーチャート等の他のグラフ形式で表示することも出来る。
このように、レビューすべき欠陥の特徴量に応じてフレーム加算数や倍率等のレビュー条件を変更することで、レビュー装置において欠陥の像を確実に取得することができる。
図12は、本発明によるSEM式レビュー装置の概略図である。このレビュー装置は、被検体1201を保持して移動する試料ステージ1202、被検体に電子線を走査して照射する電子線カラム1203、電子線照射によって被検体から発生された二次電子を検出する二次電子検出器1204を有する。試料ステージ1201は、制御部1205によって制御されるステージ駆動部1206によって所望のステージ座標位置に駆動される。二次電子検出器1204の信号を電子線走査と同期して取り込むことによって得られる試料の電子線像は表示部1207に表示される。外観検査装置やデータ処理装置からの欠陥情報は、データ入力部1208から装置に入力される。表示部1207には、試料の欠陥画像だけでなく、図5に示した画面30や図7に示したオペレーション画面、図8から図11に示したウィンドーが適宜表示される。図5に示した画面のスクロール操作、表示させる欠陥選択ボタン48の操作などは、キーボードやマウス等の入力デバイス1209によって行われる。また、メモリ1210には、最大グレーレベル差(Max GL_Diff)範囲とフレーム加算数の関係を定めたテーブル、及び欠陥サイズ範囲と倍率の関係を定めたテーブルが記憶されている。制御部1205は、ステージ駆動部1206の制御や、電子線カラム1203の制御、表示部1207の制御を行うと共に、入力されたデータの処理や画像処理を行う。制御部1205は、図1,2に示したデータ処理装置の機能を兼ねることもできる。
ここではSEM式レビュー装置について説明したが、光学式レビュー装置の場合には電子線カラムと検出器が光学顕微鏡カラムと撮像デバイスに変わるだけで、基本的な構造は図12に示したSEM式レビュー装置と同じである。
本発明のデータ処理装置を含む欠陥確認作業支援システムを示す全体構成図。 装置間での情報のやり取りを示す説明図。 外観検査装置・レビュー装置間でやり取りされる欠陥情報の例を示す図。 外観検査装置から出力させる欠陥特徴量の例を示す画面図。 データ処理装置に表示される画面の例を示す図。 データ処理装置からレビュー装置に出力される欠陥情報の例を示す図。 レビュー装置のオペレーション画面の例を示す図。 フレーム加算Optimizerウィンドーの例を示す図。 フレーム加算Optimizer設定確認グラフウィンドーの例を示す図。 倍率Optimizerウィンドーの例を示す図。 倍率Optimizer設定確認グラフウィンドーの例を示す図。 SEM式レビュー装置の概略図。
符号の説明
1…外観検査装置、2…レビュー装置、3…データ処理装置、4…通信回線、10…クリーンルーム、11…半導体製造工程、21…欠陥・画像情報、22a…欠陥・画像情報、22b…欠陥情報、23a…欠陥・画像情報、23b…欠陥情報、24…光学式レビュー装置、25…SEM式レビュー装置、30…データ処理装置画面、31…欠陥・画像・特徴量一覧表示画面、34…欠陥ID表示欄、35…外観検査装置での欠陥検査中に取得されたADR像、36…レビュー装置でレビュー中に取得されたADR像、37…外観検査装置でADC分類された欠陥モード、38…外観検査装置から出力された欠陥特徴量情報、39…欠陥・画像・特徴量一覧表示表題、48…表示させる欠陥選択ボタン、49…レビューデータ出力ボタン、60…レビュー装置オペレーション画面、61…欠陥マップ、70…欠陥リスト、71…欠陥像、72…レビュー条件表、73…フレーム加算Optimizer、74…倍率Optimizer、80…フレーム加算Optimizerウィンドー、81…フレーム加算Optimizer設定表、82…フレーム加算Optimizer設定確認グラフ表示ボタン、90…フレーム加算Optimize設定確認グラフ、91…フレーム加算条件設定線、100…倍率Optimizerウィンドー、101…倍率Optimizer設定表、102…倍率Optimizer設定確認グラフ表示ボタン、110…倍率Optimizer設定確認グラフ、111…倍率条件設定線

Claims (13)

  1. 外観検査装置から、被検体を複数回検査して得た欠陥の座標及び特徴量に関する複数の情報を取得する工程と、
    前記欠陥の座標を用いて、前記複数の情報の中から、同一の欠陥に対する情報を判別する工程と、
    レビューすべき欠陥について、当該欠陥の座標と共に前記特徴量に関する情報をレビュー装置に出力する工程と、
    前記レビュー装置において、前記欠陥の座標と特徴量に関する情報を用いて欠陥の画像を取得する工程と、
    を有することを特徴とする欠陥データ処理方法。
  2. 請求項1記載の欠陥データ処理方法において、前記出力された欠陥の特徴量に応じて前記レビュー装置の観察条件を変更することを特徴とするレビュー画像取得方法。
  3. 請求項1記載の欠陥データ処理方法において、前記複数回の検査はそれぞれ検査条件を変えて行われたものであることを特徴とする欠陥データ処理方法。
  4. 請求項2記載の欠陥データ処理方法において、前記欠陥の特徴量は、欠陥として判定された場所の画像とその参照部の画像の差画像から得られる欠陥部の明るさの絶対値であることを特徴とする欠陥データ処理方法。
  5. 請求項2記載の欠陥データ処理方法において、前記欠陥の特徴量は欠陥の大きさであることを特徴とする欠陥データ処理方法。
  6. 請求項4記載の欠陥データ処理方法において、前記観察条件は、前記欠陥の画像を取得する際のフレーム加算数であることを特徴とする欠陥データ処理方法。
  7. 請求項5記載の欠陥データ処理方法において、前記観察条件は、前記欠陥の画像を取得する際の倍率であることを特徴とする欠陥データ処理方法。
  8. 欠陥の座標と特徴量に関する情報の入力を受ける入力部と、
    被検体を保持して移動可能な試料ステージと、
    被検体の画像を取得する画像取得部と、
    前記試料ステージ及び画像取得部を制御する制御部と、
    欠陥の特徴量と観察条件の関係を記憶したテーブルとを備え、
    前記制御部は、前記入力部に入力された欠陥の座標にステージ移動すると共に前記テーブルを参照して観察条件を決定し、前記画像取得部を前記決定した観察条件に設定して欠陥の画像を取得することを特徴とするレビュー装置。
  9. 請求項8記載のレビュー装置において、前記テーブルは、欠陥として判定された場所の画像とその参照部の画像の差画像から得られる欠陥部の明るさの絶対値と欠陥の画像を取得する際のフレーム加算数の関係を記憶していることを特徴とするレビュー装置。
  10. 請求項8記載のレビュー装置において、前記テーブルは、欠陥の大きさと欠陥の画像を取得する際の倍率の関係を記憶していることを特徴とするレビュー装置。
  11. 外観検査装置から欠陥の座標と特徴量に関する情報の入力を受ける入力部と、
    被検体を保持して移動可能な試料ステージと、
    被検体の画像を取得する画像取得部と、
    前記試料ステージ及び画像取得部を制御する制御部と、
    欠陥の特徴量と観察条件の関係を記憶したテーブルと、
    欠陥の情報を表示するとともにレビューすべき欠陥を選択する入力を受け付ける表示部とを備え、
    前記制御部は、
    外観検査装置から、前記被検体を複数回検査して得た欠陥の座標及び特徴量に関する複数の情報の入力を受け、前記欠陥の座標を用いて前記複数の情報のうちで同一の欠陥に対する情報を判別し、同一の欠陥に対する情報をまとめて前記表示部に表示し、
    前記表示部において選択された欠陥の座標にステージ移動すると共に当該欠陥の特徴量をもとに前記テーブルを参照して観察条件を決定し、前記画像取得部を前記決定した観察条件に設定して欠陥の画像を取得することを特徴とするレビュー装置。
  12. 請求項11記載のレビュー装置において、前記テーブルは、欠陥として判定された場所の画像とその参照部の画像の差画像から得られる欠陥部の明るさの絶対値と欠陥の画像を取得する際のフレーム加算数の関係を記憶していることを特徴とするレビュー装置。
  13. 請求項11記載のレビュー装置において、前記テーブルは、欠陥の大きさと欠陥の画像を取得する際の倍率の関係を記憶していることを特徴とするレビュー装置。
JP2005326123A 2005-11-10 2005-11-10 欠陥データ処理及びレビュー装置 Expired - Fee Related JP4699873B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005326123A JP4699873B2 (ja) 2005-11-10 2005-11-10 欠陥データ処理及びレビュー装置
US11/594,757 US20070105245A1 (en) 2005-11-10 2006-11-09 Wafer inspection data handling and defect review tool
US13/040,794 US8209135B2 (en) 2005-11-10 2011-03-04 Wafer inspection data handling and defect review tool

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005326123A JP4699873B2 (ja) 2005-11-10 2005-11-10 欠陥データ処理及びレビュー装置

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2007134498A true JP2007134498A (ja) 2007-05-31
JP2007134498A5 JP2007134498A5 (ja) 2008-03-06
JP4699873B2 JP4699873B2 (ja) 2011-06-15

Family

ID=38004256

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005326123A Expired - Fee Related JP4699873B2 (ja) 2005-11-10 2005-11-10 欠陥データ処理及びレビュー装置

Country Status (2)

Country Link
US (2) US20070105245A1 (ja)
JP (1) JP4699873B2 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009002743A (ja) * 2007-06-20 2009-01-08 Hitachi High-Technologies Corp 外観検査方法及びその装置および画像処理評価システム
WO2014119124A1 (ja) * 2013-01-30 2014-08-07 株式会社日立ハイテクノロジーズ 欠陥観察方法および欠陥観察装置
US9554275B1 (en) 2014-10-19 2017-01-24 Satcom Direct, Inc. Voice and SMS communication from a mobile device over IP network and satellite or other communication network

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070000434A1 (en) * 2005-06-30 2007-01-04 Accent Optical Technologies, Inc. Apparatuses and methods for detecting defects in semiconductor workpieces
JP5044968B2 (ja) * 2006-04-03 2012-10-10 オムロン株式会社 要因推定装置、要因推定方法、プログラムおよびコンピュータ読取可能記録媒体
US7997260B2 (en) * 2006-10-27 2011-08-16 Dye Precision, Inc. Paintball marker
JP4976112B2 (ja) * 2006-11-24 2012-07-18 株式会社日立ハイテクノロジーズ 欠陥レビュー方法および装置
US20080176345A1 (en) * 2007-01-19 2008-07-24 Texas Instruments Inc. Ebeam inspection for detecting gate dielectric punch through and/or incomplete silicidation or metallization events for transistors having metal gate electrodes
JP4374381B2 (ja) * 2007-03-28 2009-12-02 株式会社日立ハイテクノロジーズ 検査支援システム,データ処理装置、およびデータ処理方法
JP4774383B2 (ja) * 2007-05-31 2011-09-14 株式会社日立ハイテクノロジーズ データ処理装置、およびデータ処理方法
US8234597B2 (en) * 2008-01-14 2012-07-31 International Business Machines Corporation Tool and method to graphically correlate process and test data with specific chips on a wafer
JP5145116B2 (ja) * 2008-05-21 2013-02-13 株式会社日立ハイテクノロジーズ 表面欠陥データ表示管理装置および表面欠陥データ表示管理方法
JP5497144B2 (ja) * 2012-03-07 2014-05-21 東京エレクトロン株式会社 半導体製造装置のプロセス監視装置及び半導体製造装置のプロセス監方法並びに半導体製造装置
US9098894B2 (en) * 2013-02-01 2015-08-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Defect determination in integrated circuit manufacturing process
US20140226893A1 (en) * 2013-02-11 2014-08-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and System for Image-Based Defect Alignment
US10133263B1 (en) * 2014-08-18 2018-11-20 Kla-Tencor Corporation Process condition based dynamic defect inspection
US10186028B2 (en) * 2015-12-09 2019-01-22 Kla-Tencor Corporation Defect signal to noise enhancement by reducing die to die process noise
US10533953B2 (en) 2016-04-04 2020-01-14 Kla-Tencor Corporation System and method for wafer inspection with a noise boundary threshold
US10740888B2 (en) 2016-04-22 2020-08-11 Kla-Tencor Corporation Computer assisted weak pattern detection and quantification system
US10504213B2 (en) 2016-11-22 2019-12-10 Kla-Tencor Corporation Wafer noise reduction by image subtraction across layers
US10600175B2 (en) 2017-03-24 2020-03-24 Kla-Tencor Corporation Dynamic care areas for defect detection
US10648925B2 (en) * 2017-06-05 2020-05-12 Kla-Tencor Corporation Repeater defect detection
CN109001208A (zh) * 2018-05-28 2018-12-14 南京中电熊猫平板显示科技有限公司 一种显示面板的缺陷定位装置及缺陷定位方法
JP7273556B2 (ja) * 2019-03-15 2023-05-15 株式会社東芝 分析システム、分析方法、プログラム、及び記憶媒体
CN111863646A (zh) * 2019-04-24 2020-10-30 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种半导体器件缺陷的检测方法
CN110346394A (zh) * 2019-07-22 2019-10-18 德淮半导体有限公司 缺陷检测方法及缺陷检测系统

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0774787B2 (ja) * 1987-08-28 1995-08-09 株式会社日立製作所 多層パタ−ン欠陥検出方法及びその装置
JP2001156141A (ja) * 1999-11-29 2001-06-08 Hitachi Ltd 欠陥解析装置,検査システム、及び、検査方法
JP2001250852A (ja) * 2000-03-02 2001-09-14 Hitachi Ltd 半導体デバイスの製造方法、検査装置における検査条件出し方法、検査装置の選定方法並びに検査装置およびその方法
JP2002310962A (ja) * 2001-04-19 2002-10-23 Hitachi Ltd 画像分類方法並びに観察方法及びその装置
JP2003098111A (ja) * 2000-09-21 2003-04-03 Hitachi Ltd 欠陥検査方法およびその装置
JP2005017159A (ja) * 2003-06-27 2005-01-20 Hitachi High-Technologies Corp 欠陥検査装置における検査レシピ設定方法および欠陥検査方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6411377B1 (en) * 1991-04-02 2002-06-25 Hitachi, Ltd. Optical apparatus for defect and particle size inspection
US5491432A (en) 1992-08-07 1996-02-13 Lsi Logic Corporation CMOS Differential driver circuit for high offset ground
US6292582B1 (en) * 1996-05-31 2001-09-18 Lin Youling Method and system for identifying defects in a semiconductor
JP3967406B2 (ja) 1996-11-01 2007-08-29 日本電子株式会社 部品検査システム
US6259960B1 (en) * 1996-11-01 2001-07-10 Joel Ltd. Part-inspecting system
JP2000233345A (ja) 1999-02-16 2000-08-29 Mitsubishi Electric Corp 製造情報の管理システム及びその管理プログラムを記録した記録媒体
US6797975B2 (en) * 2000-09-21 2004-09-28 Hitachi, Ltd. Method and its apparatus for inspecting particles or defects of a semiconductor device
JP3904419B2 (ja) * 2001-09-13 2007-04-11 株式会社日立製作所 検査装置および検査システム
US6959251B2 (en) 2002-08-23 2005-10-25 Kla-Tencor Technologies, Corporation Inspection system setup techniques
US7508973B2 (en) * 2003-03-28 2009-03-24 Hitachi High-Technologies Corporation Method of inspecting defects

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0774787B2 (ja) * 1987-08-28 1995-08-09 株式会社日立製作所 多層パタ−ン欠陥検出方法及びその装置
JP2001156141A (ja) * 1999-11-29 2001-06-08 Hitachi Ltd 欠陥解析装置,検査システム、及び、検査方法
JP2001250852A (ja) * 2000-03-02 2001-09-14 Hitachi Ltd 半導体デバイスの製造方法、検査装置における検査条件出し方法、検査装置の選定方法並びに検査装置およびその方法
JP2003098111A (ja) * 2000-09-21 2003-04-03 Hitachi Ltd 欠陥検査方法およびその装置
JP2002310962A (ja) * 2001-04-19 2002-10-23 Hitachi Ltd 画像分類方法並びに観察方法及びその装置
JP2005017159A (ja) * 2003-06-27 2005-01-20 Hitachi High-Technologies Corp 欠陥検査装置における検査レシピ設定方法および欠陥検査方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009002743A (ja) * 2007-06-20 2009-01-08 Hitachi High-Technologies Corp 外観検査方法及びその装置および画像処理評価システム
JP4616864B2 (ja) * 2007-06-20 2011-01-19 株式会社日立ハイテクノロジーズ 外観検査方法及びその装置および画像処理評価システム
WO2014119124A1 (ja) * 2013-01-30 2014-08-07 株式会社日立ハイテクノロジーズ 欠陥観察方法および欠陥観察装置
JP2014145694A (ja) * 2013-01-30 2014-08-14 Hitachi High-Technologies Corp 欠陥観察方法および欠陥観察装置
TWI512684B (zh) * 2013-01-30 2015-12-11 Hitachi High Tech Corp Defect observation method and defect observation device
US9554275B1 (en) 2014-10-19 2017-01-24 Satcom Direct, Inc. Voice and SMS communication from a mobile device over IP network and satellite or other communication network

Also Published As

Publication number Publication date
US20070105245A1 (en) 2007-05-10
JP4699873B2 (ja) 2011-06-15
US20110211060A1 (en) 2011-09-01
US8209135B2 (en) 2012-06-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4699873B2 (ja) 欠陥データ処理及びレビュー装置
US7508973B2 (en) Method of inspecting defects
US7869966B2 (en) Inspection method and its apparatus, inspection system
JP5103058B2 (ja) 欠陥観察装置及び欠陥観察方法
JP4654093B2 (ja) 回路パターン検査方法及びその装置
JP2004294358A (ja) 欠陥検査方法および装置
US20130108147A1 (en) Inspection method and device therefor
US7071468B2 (en) Circuit pattern inspection method and its apparatus
JP2009123851A (ja) 欠陥観察分類方法及びその装置
JP4976112B2 (ja) 欠陥レビュー方法および装置
JP4652917B2 (ja) 欠陥データ処理方法、およびデータの処理装置
JP2012083147A (ja) 欠陥分類システム及び欠陥分類装置及び画像撮像装置
JP2012169571A (ja) 欠陥抽出走査電子顕微鏡検査装置及びその抽出方法
JP6049052B2 (ja) ウエハ外観検査装置及びウエハ外観検査装置における感度しきい値設定方法
JP2018091771A (ja) 検査方法、事前画像選別装置及び検査システム
JP4374381B2 (ja) 検査支援システム,データ処理装置、およびデータ処理方法
JP3893765B2 (ja) レビュー装置
JP2007019270A (ja) 顕微鏡を用いた欠陥観察方法および観察装置
JP5291419B2 (ja) データ処理装置及びデータ処理方法並びにこれを用いた検査作業支援システム
JP5039594B2 (ja) レビュー装置,検査領域設定支援システム、および、欠陥の画像得方法
JP4857155B2 (ja) データ処理装置,検査システム、およびデータ処理方法

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080116

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080116

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20091218

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100105

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100305

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20101214

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110214

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110301

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110303

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4699873

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees